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JP2003050463A - Pattern formation method - Google Patents

Pattern formation method

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Publication number
JP2003050463A
JP2003050463A JP2001240504A JP2001240504A JP2003050463A JP 2003050463 A JP2003050463 A JP 2003050463A JP 2001240504 A JP2001240504 A JP 2001240504A JP 2001240504 A JP2001240504 A JP 2001240504A JP 2003050463 A JP2003050463 A JP 2003050463A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
composition layer
carboxyl group
meth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001240504A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4723764B2 (en
Inventor
Hiroaki Sato
弘章 佐藤
Katsuhiko Katsuma
勝彦 勝間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd filed Critical Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP2001240504A priority Critical patent/JP4723764B2/en
Publication of JP2003050463A publication Critical patent/JP2003050463A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4723764B2 publication Critical patent/JP4723764B2/en
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマディスプレイパネル(PDP)の隔
壁形成、電極形成、更にはプリント配線板等の製造のた
めのパターン形成方法に関し、更に詳しくは連続的に安
定して高精細凹凸模様の形成能に優れる、新規なパター
ン形成方法を提供する。 【解決手段】 基材面に耐アルカリ性感光性樹脂組成物
層(1)、及びアルカリ現像可能な感光性樹脂組成物層
(2)を順次設け、感光性樹脂組成物層にパターンマス
クを介して露光を行った後、感光性樹脂組成物層(2)
の未露光部分をアルカリ現像し、次いで感光性樹脂組成
物層(1)の未露光部分と該未露光部分の下部の基材面
をサンドブラスト加工して、凹凸模様を生成させること
を特徴とするパターン形成方法。
The present invention relates to a method for forming a partition of a plasma display panel (PDP), an electrode, and a pattern forming method for manufacturing a printed wiring board and the like. Provided is a novel pattern forming method which is excellent in pattern forming ability. SOLUTION: An alkali-resistant photosensitive resin composition layer (1) and an alkali-developable photosensitive resin composition layer (2) are sequentially provided on a substrate surface, and the photosensitive resin composition layer is interposed through a pattern mask. After exposure, the photosensitive resin composition layer (2)
Is subjected to alkali development, and then the unexposed portion of the photosensitive resin composition layer (1) and the substrate surface under the unexposed portion are sandblasted to form an uneven pattern. Pattern formation method.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル(PDP)の隔壁形成、電極形成、更にはプ
リント配線板等の製造のためのパターンを安定して形成
する方法に関し、更に詳しくは高精細凹凸模様の形成能
に優れる新規なサンドブラスト加工を含むパターン形成
方法を提供する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for stably forming a pattern for forming barrier ribs and electrodes of a plasma display panel (PDP), and further for manufacturing a printed wiring board and the like. Provided is a pattern forming method including a novel sandblasting process which is excellent in the ability to form an uneven pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】サンドブラスト加工法によるパターン形
成は、凹凸模様の精細化やパネルの大型化の要請に適合
できるため、プラズマディスプレイパネル(PDP)の
隔壁形成、電極形成等の製造のためのパターン形成に実
用化されている。かかる加工法は、基材面に設けた感光
性樹脂組成物層にパターンマスクを介して露光を行ない
硬化部(露光部)と未硬化部(未露光部)よりなる画像
を形成させた後、未露光部分をアルカリ溶液で現像、除
去し次いで露出した基材面をサンドブラスト加工で研削
して、凹凸模様を生成させるのである。
2. Description of the Related Art Pattern formation by a sandblasting method can meet the demands for finer unevenness and larger panel size. Therefore, pattern formation for manufacturing barrier ribs, electrodes, etc. of a plasma display panel (PDP). Has been put to practical use. After such a processing method, the photosensitive resin composition layer provided on the substrate surface is exposed through a pattern mask to form an image composed of a cured part (exposed part) and an uncured part (unexposed part), The unexposed portion is developed and removed with an alkaline solution, and the exposed surface of the base material is ground by sandblasting to form an uneven pattern.

【0003】しかしながら、従来行われているサンドブ
ラスト加工法においては、細線パターンの形成に有利で
あると言ってもせいぜい70μm程度のライン幅の形成
が限度であり、より鮮明なパネル画面が要請される現在
の市場要求を必ずしも満足できず、その対策が望まれる
ところである。特に、従来技術では細線パターン間のス
ペース部、即ちサンドブラスト加工で研削されるスペー
ス部において、研削距離を100μm以上、更には20
0μm〜300μm程度と深くする程、目的とするライ
ン幅やその形状に狂いを生じ易く、その影響はピッチ幅
を小さくしようとする程深刻である。従って、基材のサ
ンドブラスト研削を深くしても生成する凸部の形状に悪
影響を及ぼすことなく、ライン幅が70μm以下好まし
くは10μm〜50μm程度の小さい細線パターンを形
成することは極めて有用である。
However, in the conventional sandblasting method, even if it is advantageous for forming a fine line pattern, the line width of about 70 μm is limited, and a clearer panel screen is required. The current market demand cannot always be satisfied, and countermeasures against it are desired. Particularly, in the prior art, in the space portion between the fine line patterns, that is, the space portion ground by sandblasting, the grinding distance is 100 μm or more, and further 20
The deeper the depth is from 0 μm to 300 μm, the more the target line width and its shape are likely to be misaligned, and the effect is more serious as the pitch width is made smaller. Therefore, it is extremely useful to form a fine line pattern having a line width of 70 μm or less, preferably about 10 μm to 50 μm, without adversely affecting the shape of the convex portion formed even if the sandblasting of the base material is deepened.

【0004】そこで、本発明者はかかる事情に鑑み鋭意
研究をし、基材面に設けた感光性樹脂組成物層にパター
ンマスクを介して露光を行った後、未露光部分又は未露
光部分と該未露光部分の下部の基材面を、サンドブラス
ト加工して凹凸模様を生成させる場合、その目的を達成
し得ることを見いだし、先に特許出願を行った。 該方法
は露光後のレジスト上のフィルムを剥離除去してから、
未露光部分を直接サンドブラスト加工行うのが特徴であ
り、この方法により基材へのサンドブラスト研削を深く
してもその凸部の形状に悪影響を及ぼさないで、ライン
幅やスペース幅の小さい細線パターンを形成することが
可能となるのである。更に、かかる方法において現像時
間の短縮やサンドブラスト加工に使用した粉体の回収等
の点での有用性から、未露光部分の一部を炭酸ソーダ、
炭酸カリウム等のアルカリ水溶液を用いてアルカリ現像
行ってから、サンドブラスト加工を実施する方法も提案
した。
Therefore, the present inventor has conducted diligent research in view of such circumstances, and after exposing the photosensitive resin composition layer provided on the substrate surface through a pattern mask, an unexposed portion or an unexposed portion is formed. It was found that the object can be achieved when the surface of the base material under the unexposed portion is sandblasted to form an uneven pattern, and a patent application was filed previously. The method peels off the film on the resist after exposure,
The feature is that the unexposed part is directly sandblasted, and this method does not adversely affect the shape of the convex portion even if the sandblasting of the substrate is deepened, and it is possible to form a thin line pattern with a small line width or space width. It is possible to form. Further, in such a method, a part of the unexposed portion is soda carbonate from the viewpoint of usefulness such as shortening of development time and recovery of powder used for sandblasting.
We also proposed a method in which alkaline development is performed using an alkaline aqueous solution such as potassium carbonate, and then sandblasting is performed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、アルカリ現像
とサンドブラスト加工との組み合わせにおいて、アルカ
リ現像の工業的な実施に当たっては、現像液を循環使用
しながら多数のプリント配線基板を連続処理するため、
現像時間の経過と共に現像液の活性が低下、いゆゆる現
像液疲労が起こり、上記の未露光部分の部分的現像にお
ける現像度合を一定範囲に調整するのが困難となり、そ
の結果現像されずに残った未露光部分の高さが均一とな
らず、最終的にブラスト加工した時のブラスト研削距離
が変動し製品のバラツキが出る恐れが残っていることが
判明した。
However, in the industrial implementation of alkali development in the combination of alkali development and sandblasting, a large number of printed wiring boards are continuously treated while circulating the developing solution.
With the lapse of development time, the activity of the developer decreases, so-called loose developer fatigue occurs, and it becomes difficult to adjust the degree of development in the partial development of the above-mentioned unexposed portion to a certain range, and as a result, it is not developed. It was found that the height of the remaining unexposed portion was not uniform, and the blast grinding distance during the final blasting process fluctuated, which could cause variations in the product.

【0006】[0006]

【問題を解決するための手段】しかるに、本発明者はか
かる課題を解決するため更に検討を続けた結果、基材面
に耐アルカリ性感光性樹脂組成物層(1)、及びアルカ
リ現像可能な感光性樹脂組成物層(2)を順次設け、感
光性樹脂組成物層にパターンマスクを介して露光を行っ
た後、感光性樹脂組成物層(2)の未露光部分をアルカ
リ現像、好ましくは80〜100重量%アルカリ現像
し、次いで感光性樹脂組成物層(1)の未露光部分と該
未露光部分の下部の基材面をサンドブラスト加工して、
凹凸模様を生成させるパターン形成方法が、かかる目的
を達成できることを見出し本発明を完成した。
However, as a result of further studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has found that the alkali-resistant photosensitive resin composition layer (1) and the alkali-developable photosensitive material are formed on the surface of the base material. Of the photosensitive resin composition layer (2) are sequentially provided, the photosensitive resin composition layer is exposed through a pattern mask, and then the unexposed portion of the photosensitive resin composition layer (2) is alkali-developed, preferably 80 ˜100% by weight alkali development, and then sandblasting the unexposed portion of the photosensitive resin composition layer (1) and the substrate surface below the unexposed portion,
The present invention has been completed by finding that a pattern forming method for generating an uneven pattern can achieve such an object.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に述べる。
まず、本発明で使用する基材は特に制限はなく、ガラ
ス、低融点ガラスペースト積層ガラス、銅張プリント配
線基板、その他各種セラミック等任意の物が対象とな
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is described in detail below.
First, the base material used in the present invention is not particularly limited, and any material such as glass, low melting point glass paste laminated glass, copper clad printed wiring board, and various other ceramics can be used.

【0008】かかる基材に設けられる感光性樹脂組成物
層(1)及び(2)はベースポリマー、エチレン性不飽
和化合物及び光重合開始剤、その他添加剤等を主な成分
とする組成物である。上記においてベースポリマーとし
てはウレタンアクリル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエ
ステル系樹脂、セルロース誘導体等任意のものが単独
で、又は2種以上併用して使用可能である。
The photosensitive resin composition layers (1) and (2) provided on such a substrate are compositions containing a base polymer, an ethylenically unsaturated compound and a photopolymerization initiator, and other additives as main components. is there. In the above, as the base polymer, urethane acrylic resin, acrylic resin, polyester resin, cellulose derivative and the like can be used alone or in combination of two or more.

【0009】本発明の感光性樹脂組成物層(1)は基材
側に直接設けられるので、アルカリ現像液によって溶解
されない耐アルカリ性でなければならない。特に、カル
ボキシル基を含有しないウレタンアクリル系樹脂(A)
をベースポリマーとし、光重合開始剤及び必要に応じて
エチレン性不飽和化合物を配合した組成物が有利に使用
される。カルボキシル基を含有しないウレタンアクリル
系樹脂(A)は特に限定されないが、ポリオール系化合
物とジイソシアネート化合物をn:n+1のモル比で反
応させて得られる化合物(I)に、アクリロイル基含有
ヒドロキシ化合物(II)を付加させて得られるものが好
ましい。
Since the photosensitive resin composition layer (1) of the present invention is directly provided on the substrate side, it must be alkali resistant so that it cannot be dissolved by an alkali developing solution. In particular, urethane acrylic resin (A) containing no carboxyl group
A composition containing as a base polymer, a photopolymerization initiator and, if necessary, an ethylenically unsaturated compound is preferably used. The urethane acrylic resin (A) containing no carboxyl group is not particularly limited, but a compound (I) obtained by reacting a polyol compound and a diisocyanate compound at a molar ratio of n: n + 1 is added to an acryloyl group-containing hydroxy compound (II). The thing obtained by adding) is preferable.

【0010】ポリオール系化合物としては、ポリエーテ
ル系ポリオール、ポリエステル系ポリオール、ポリカー
ボネート系ポリオール、アクリル系ポリオール、ポリブ
タジエン系ポリオール、ポリオレフィン系ポリオール等
いずれも使用できる。具体的にはエチレングリコール、
ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テト
ラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロ
ピレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロ
ピレングリコール、ブチレングリコール、1,4−ブタ
ンジオール、ポリブチレングリコール、1,6−ヘキサ
ンジオール、ネオペンチルグリコール、シクロヘキサン
ジメタノール、水素添加ビスフェノールA、ポリカプロ
ラクトン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロ
パン、ポリトリメチロールプロパン、ペンタエリスリト
ール、ポリペンタエリスリトール、ソルビトール、マン
ニトール、アラビトール、キシリトール、ガラクチトー
ル、グリセリン、ポリグリセリン、ポリテトラメチレン
グリコール等の多価アルコールや、ポリエチレンオキサ
イド、ポリプロピレンオキサイド、エチレンオキサイド
/プロピレンオキサイドのブロック又はランダム共重合
の少なくとも1種の構造を有するポリエーテルポリオー
ル、該多価アルコール又はポリエーテルポリオールと無
水マレイン酸、マレイン酸、フマール酸、無水イタコン
酸、イタコン酸、アジピン酸、イソフタル酸等の多塩基
酸との縮合物であるポリエステルポリオール、カプロラ
クトン変性ポリテトラメチレンポリオール等のカプロラ
クトン変性ポリオール、ポリオレフィン系ポリオール等
が挙げられる。これらの中でも分子量が500以上のも
の、特に分子量500〜4000のものが用いられ、か
かる分子量が500未満では耐サンドブラスト性が低下
して好ましくない。
As the polyol-based compound, any of polyether-based polyol, polyester-based polyol, polycarbonate-based polyol, acrylic-based polyol, polybutadiene-based polyol, polyolefin-based polyol and the like can be used. Specifically, ethylene glycol,
Diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, polyethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, polypropylene glycol, butylene glycol, 1,4-butanediol, polybutylene glycol, 1,6-hexanediol, neopentyl glycol, cyclohexanedi Methanol, hydrogenated bisphenol A, polycaprolactone, trimethylolethane, trimethylolpropane, polytrimethylolpropane, pentaerythritol, polypentaerythritol, sorbitol, mannitol, arabitol, xylitol, galactitol, glycerin, polyglycerin, polytetramethylene glycol Such as polyhydric alcohols, polyethylene oxide, polypropy Polyether, polyol having at least one structure of block copolymer or random copolymer of ethylene oxide / propylene oxide, maleic anhydride, maleic acid, fumaric acid, itaconic anhydride, and itacone Examples thereof include polyester polyols that are condensates with polybasic acids such as acids, adipic acid, and isophthalic acid, caprolactone-modified polyols such as caprolactone-modified polytetramethylene polyol, and polyolefin-based polyols. Among these, those having a molecular weight of 500 or more, particularly those having a molecular weight of 500 to 4000 are used, and if the molecular weight is less than 500, the sandblast resistance is deteriorated, which is not preferable.

【0011】また、ジイソシアネート系化合物として
は、具体的にヘキサメチレンジイソシアネート、ヘプタ
メチレンジイソシアネート、2,2−ジメチルペンタン
−1,5−ジイソシアネート、オクタメチレンジイソシ
アネート、2,5−ジメチルヘキサン−1,6−ジイソ
シアネート、2,2,4−トリメチルペンタン−1,5
−ジイソシアネート、ノナメチレンジイソシアネート、
2,2,4−トリメチルヘキサンジイソシアネート、デ
カメチレンジイソシアネート、ウンデカメチレンジイソ
シアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、トリデ
カメチレンジイソシアネート、ペンタデカメチレンジイ
ソシアネート、ブテンジイソシアネート、1,3−ブタ
ジエンー1,4−ジイソシアネート、2−ブチニレンジ
イソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネート、
イソホロンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイ
ソシアネート、1,4−キシリレンジイソシアネート等
を挙げることができ、好適にはヘキサメチレンジイソシ
アネート、2,4−トリレンジイソシアネート、イソホ
ロンジイソシアネートが使用される。ジイソシアネート
化合物の分子量は300以下が有利であり、分子量が3
00を越えるとポリオール系化合物との反応性が低下し
て好ましくない。
Specific examples of the diisocyanate compound include hexamethylene diisocyanate, heptamethylene diisocyanate, 2,2-dimethylpentane-1,5-diisocyanate, octamethylene diisocyanate and 2,5-dimethylhexane-1,6-. Diisocyanate, 2,2,4-trimethylpentane-1,5
-Diisocyanate, nonamethylene diisocyanate,
2,2,4-Trimethylhexane diisocyanate, decamethylene diisocyanate, undecamethylene diisocyanate, dodecamethylene diisocyanate, tridecamethylene diisocyanate, pentadecamethylene diisocyanate, butene diisocyanate, 1,3-butadiene-1,4-diisocyanate, 2-butyl Nylene diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate,
Examples thereof include isophorone diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate and 1,4-xylylene diisocyanate, and hexamethylene diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate and isophorone diisocyanate are preferably used. The molecular weight of the diisocyanate compound is advantageously 300 or less, and the molecular weight is 3 or less.
If it exceeds 00, the reactivity with the polyol-based compound decreases, which is not preferable.

【0012】かかるポリオール系化合物とジイソシアネ
ート系化合物を反応させるにあたっては、公知の反応手
段を用いることができ、例えばジイソシアネート系化合
物に安定な溶媒(酢酸エチル等)中で60〜90℃の温
度で反応させればよい。但し、本発明においては、ポリ
オール系化合物とジイソシアネート系化合物の反応モル
比を理論値として1:2にすること(実際の仕込みに当
たっては数%程度の誤差は許容される)が好ましく、か
かる条件を逸脱すると両末端にイソシアネート基を付加
することができず、後述するエチレン性不飽和基の導入
が困難となり好ましくない。
In reacting such a polyol compound with a diisocyanate compound, a known reaction means can be used. For example, the diisocyanate compound is reacted in a stable solvent (ethyl acetate or the like) at a temperature of 60 to 90 ° C. You can do it. However, in the present invention, it is preferable to set the reaction molar ratio of the polyol compound and the diisocyanate compound to 1: 2 as a theoretical value (in the actual charging, an error of about several percent is allowed), and such a condition is preferable. If it deviates, an isocyanate group cannot be added to both terminals, and the introduction of an ethylenically unsaturated group described later becomes difficult, which is not preferable.

【0013】次いで、上記の如くポリオール系化合物と
ジイソシアネート系化合物を反応させて得られた化合物
(I)に、アクリロイル基含有ヒドロキシ化合物(II)
を反応させるのであるが、公知の方法を採用でき例え
ば、上記の化合物(I)溶液中にアクリロイル基含有ヒ
ドロキシ化合物(II)を添加し、50〜80℃の温度で
反応させればよい。また、反応を促進するためにジブチ
ルチンスズラウレート等の公知の触媒を添加することも
できる。
Then, the compound (I) obtained by reacting the polyol compound and the diisocyanate compound as described above is added to the acryloyl group-containing hydroxy compound (II).
Although a known method can be adopted, for example, the acryloyl group-containing hydroxy compound (II) may be added to the solution of the compound (I), and the reaction may be performed at a temperature of 50 to 80 ° C. Also, a known catalyst such as dibutyltin tin laurate can be added to accelerate the reaction.

【0014】かかるアクリロイル基含有ヒドロキシ化合
物(II)としては、2−ヒドロキシエチル(メタ)アク
リレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレー
ト、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、2−
(メタ)アクリロイロキシエチル−2−ヒドロキシプロ
ピルフタレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、
2−ヒドロキシ−3−アクリロイロキシプロピル(メ
タ)アクリレート、上記アクリロイル基含有ヒドロキシ
化合物にε−カプトラクトンを開環付加した化合物等が
挙げられ、好適には2−ヒドロキシエチル(メタ)アク
リレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレー
トが使用される。
Examples of the acryloyl group-containing hydroxy compound (II) include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 2-hydroxybutyl (meth) acrylate.
(Meth) acryloyloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate, glycerin di (meth) acrylate,
2-hydroxy-3-acryloyloxypropyl (meth) acrylate, a compound obtained by ring-opening addition of ε-captolactone to the above acryloyl group-containing hydroxy compound, and the like, and preferably 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2 -Hydroxypropyl (meth) acrylate is used.

【0015】本発明の感光性樹脂組成物層(1)中にお
いてベースポリマーとして、カルボキシル基を含有しな
いウレタンアクリル系樹脂(A)単独のみならず、耐ア
ルカリ性を損なわない範囲で、かかる樹脂以外に軟化温
度が30℃以上の高分子化合物、特にカルボキシル基含
有アクリル系樹脂、カルボキシル基含有セルロース誘導
体等任意のものが1種又は2種併用して使用可能であ
る。かかる併用により感光性樹脂組成物層をドライフイ
ルムフォトレジスト(DFR)の形態で使用する場合、
特に該フイルムをロール状に巻き取って保存する際に、
ロール端部からの感光性樹脂組成物層のエッジフュージ
ョンが効率良く防止できる効果が期待できる。カルボキ
シル基含有アクリル系樹脂あるいはカルボキシル基含有
セルロース誘導体を併用する場合、その混合量はカルボ
キシル基を含有しないウレタンアクリル系樹脂に対して
50重量%以下、好ましくは3〜40重量%が適当であ
る。
In the photosensitive resin composition layer (1) of the present invention, as a base polymer, not only a urethane acrylic resin (A) not containing a carboxyl group alone but also other than such a resin as long as alkali resistance is not impaired. Polymer compounds having a softening temperature of 30 ° C. or higher, particularly carboxyl group-containing acrylic resin, carboxyl group-containing cellulose derivative and the like can be used alone or in combination. When the photosensitive resin composition layer is used in the form of dry film photoresist (DFR) by such combination,
Especially when the film is rolled up and stored,
It can be expected that the edge fusion of the photosensitive resin composition layer from the roll end can be efficiently prevented. When a carboxyl group-containing acrylic resin or a carboxyl group-containing cellulose derivative is used in combination, the mixing amount is 50% by weight or less, preferably 3 to 40% by weight based on the urethane acrylic resin not containing a carboxyl group.

【0016】上記で言うカルボキシル基含有アクリル樹
脂は、主として(メタ)アクリル酸アルキルエステルと
エチレン性不飽和カルボン酸との共重合体である。該
(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしてはメチル
(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、
n−プロピル(メタ)アクリレート、iso−プロピル
(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレー
ト、iso−ブチル(メタ)アクリレート、tert−
ブチル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)ア
クリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレー
ト、n−オクチル(メタ)アクリレート、ラウリル(メ
タ)アクリレート等が挙げられ、好ましくはメチル(メ
タ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−
ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メ
タ)アクリレートの使用が有用である。
The carboxyl group-containing acrylic resin mentioned above is mainly a copolymer of (meth) acrylic acid alkyl ester and ethylenically unsaturated carboxylic acid. As the (meth) acrylic acid alkyl ester, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate,
n-propyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, iso-butyl (meth) acrylate, tert-
Butyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate and the like can be mentioned, and preferably methyl (meth) acrylate and ethyl ( (Meth) acrylate, n-
Use of butyl (meth) acrylate and 2-ethylhexyl (meth) acrylate is useful.

【0017】エチレン性不飽和カルボン酸としては(メ
タ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル
酸、イタコン酸、クロトン酸、アコニット酸、ケイ皮
酸、モノアルキルマレート、モノアルキルフマレート、
モノアルキルイタコネート、無水シトラコン酸、シトラ
コン酸等が挙げられ、好ましくは(メタ)アクリル酸、
マレイン酸、無水マレイン酸である。
As the ethylenically unsaturated carboxylic acid, (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, fumaric acid, itaconic acid, crotonic acid, aconitic acid, cinnamic acid, monoalkylmalate, monoalkylfumarate,
Monoalkyl itaconate, citraconic anhydride, citraconic acid and the like can be mentioned, preferably (meth) acrylic acid,
Maleic acid and maleic anhydride.

【0018】アクリル樹脂を共重合によって製造する時
に、他の共重合可能なモノマーを併用することもでき、
該モノマーとしては、2−ヒドロキシエチル(メタ)ア
クリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレ
ート、3−クロロ−2−ヒドロキシプロピル(メタ)ア
クリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレ
ート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メ
タ)アクリレート、N−メチロール(メタ)アクリルア
ミド等の水酸基含有不飽和モノマー、グリシジル(メ
タ)アクリレート、アリルグリシジル(メタ)アクリレ
ート等のグリシジル基含有不飽和モノマー、(メタ)ア
クリルアミド、N−(メタ)アクリルアミドメチルトリ
メチルアンモニウムクロライド、アリルトリメチルアン
モニウムクロライド、ジメチルアリルビニルケトン、N
−ビニルピロリドン、プロピオン酸ビニル、ステアリン
酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル、
スチレン等が挙げられ、2−ヒドロキシエチル(メタ)
アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリ
レート、N−メチロール(メタ)アクリルアミド、グリ
シジル(メタ)アクリレート、酢酸ビニル、スチレンが
有用である。軟化温度の調整は共重合モノマーの種類や
重合度を調節することによって達成される。尚、軟化温
度の測定は熱機械的分析機(パーキンエルマー社製:T
MA7)を使用し、0〜200℃の温度範囲、10℃昇
温、110mN荷重の条件にて測定する。
When the acrylic resin is produced by copolymerization, other copolymerizable monomers can be used in combination,
Examples of the monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-chloro-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, and 2-hydroxy-3-. Phenoxypropyl (meth) acrylate, N-methylol (meth) acrylamide and other hydroxyl group-containing unsaturated monomers, glycidyl (meth) acrylate, allylglycidyl (meth) acrylate and other glycidyl group-containing unsaturated monomers, (meth) acrylamide, N- (Meth) acrylamidomethyltrimethylammonium chloride, allyltrimethylammonium chloride, dimethylallyl vinyl ketone, N
-Vinylpyrrolidone, vinyl propionate, vinyl stearate, vinyl chloride, vinylidene chloride, vinyl acetate,
Styrene etc. are mentioned, 2-hydroxyethyl (meth)
Acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, N-methylol (meth) acrylamide, glycidyl (meth) acrylate, vinyl acetate and styrene are useful. The adjustment of the softening temperature is achieved by adjusting the type and degree of polymerization of the copolymerized monomer. The softening temperature was measured by a thermomechanical analyzer (Perkin Elmer Co .: T
MA7) is used, and it is measured in a temperature range of 0 to 200 ° C., a temperature increase of 10 ° C., and a load of 110 mN.

【0019】又カルボキシル基含有セルロース誘導体と
してはヒドロキシプルピルメチルセルロースアセテー
ト、ヒドロキシプルピルメチルセルロースアセテートサ
クシネート、セルロースアセテートヘキサヒドロフタレ
ート、ヒドロキシプルピルメチルセルロースアセテート
フタレート、ヒドロキシプルピルメチルセルロースヘキ
サヒドロフタレート等が代表例として例示される。
Typical examples of the carboxyl group-containing cellulose derivative include hydroxypurpyrmethylcellulose acetate, hydroxypurpyrumethylcellulose acetate succinate, cellulose acetate hexahydrophthalate, hydroxypurpyrumethylcellulose acetate phthalate, hydroxypurpyrumethylcellulose hexahydrophthalate and the like. It is illustrated.

【0020】本発明の感光性樹脂組成物層(2)は、ア
ルカリ現像されなければならないので組成物中のベース
ポリマーとしては、カルボキシル基含有樹脂が好適に使
用されカルボキシル基含有ウレタンアクリル系樹脂、カ
ルボキシル基含有アクリル系樹脂、カルボキシル基含有
ポリエステル系樹脂、カルボキシル基含有セルロース誘
導体等任意のものが単独で、又は2種以上併用して使用
可能である。カルボキシル基含有樹脂の酸価は10〜2
50mgKOH/gが適当である。上記において耐サン
ドブラスト性及びアルカリ現像性のバランスの点で、特
にカルボキシル基含有ウレタンアクリル系樹脂(B)が
有用であり、それ単独で又は(B)を主体としこれとカ
ルボキシル基含有アクリル系樹脂あるいはカルボキシル
基含有セルロース誘導体を併用するのが有利である。カ
ルボキシル基含有アクリル系樹脂あるいはカルボキシル
基含有セルロース誘導体を併用する場合、その混合量は
(B)に対して50重量%以下、好ましくは3〜40重
量%が適当である。
Since the photosensitive resin composition layer (2) of the present invention must be alkali-developed, a carboxyl group-containing resin is preferably used as the base polymer in the composition, and a carboxyl group-containing urethane acrylic resin, Any one of carboxyl group-containing acrylic resin, carboxyl group-containing polyester resin, carboxyl group-containing cellulose derivative and the like can be used alone or in combination of two or more kinds. Acid value of carboxyl group-containing resin is 10-2
50 mg KOH / g is suitable. In the above, the carboxyl group-containing urethane acrylic resin (B) is particularly useful from the viewpoint of the balance between the sandblast resistance and the alkali developing property, and it is solely or mainly composed of (B) and the carboxyl group-containing acrylic resin or It is advantageous to use a carboxyl group-containing cellulose derivative together. When the carboxyl group-containing acrylic resin or the carboxyl group-containing cellulose derivative is used in combination, the mixing amount thereof is 50% by weight or less, preferably 3 to 40% by weight based on (B).

【0021】感光性樹脂組成物層(2)で用いるカルボ
キシル基含有ウレタンアクリル系樹脂(B)は特に限定
されないが、カルボキシル基含有ジオール化合物と前記
感光性樹脂組成物層(1)で説明したと同様のジイソシ
アネート化合物を1:2のモル比で反応させて得られる
化合物(IV)に、前記感光性樹脂組成物層(1)で説明
したと同様のポリオール系化合物(II)を付加させ、更
に同じく前記感光性樹脂組成物層(1)で説明したと同
様の(メタ)アクリロイル基含有ヒドロキシ化合物(II
I)を付加させて得られるものが好ましく、更にはかか
るカルボキシル基含有ジオール化合物の分子量が500
以下で、更に化合物(IV)の(B)中に占める重量割合
は15〜65重量%が好ましい。かかるジオール化合物
の分子量が500を越えると反応溶媒への溶解性が低下
してジイソシアネート系化合物との反応性が低下する。
また、かかるジイソシアネート系化合物の分子量が30
0を越えると前記感光性樹脂組成物層(1)で説明した
と同様に、ジオール化合物との反応性が低下して好まし
くない。
The carboxyl group-containing urethane acrylic resin (B) used in the photosensitive resin composition layer (2) is not particularly limited, but as described in the carboxyl group-containing diol compound and the photosensitive resin composition layer (1). To the compound (IV) obtained by reacting the same diisocyanate compound in a molar ratio of 1: 2, the same polyol compound (II) as described in the photosensitive resin composition layer (1) is added, and further, Similarly, the same (meth) acryloyl group-containing hydroxy compound (II as described in the above-mentioned photosensitive resin composition layer (1) (II
I) is preferably added, and the carboxyl group-containing diol compound has a molecular weight of 500.
Below, the weight ratio of the compound (IV) in (B) is preferably 15 to 65% by weight. When the molecular weight of such a diol compound exceeds 500, the solubility in the reaction solvent decreases and the reactivity with the diisocyanate compound decreases.
Further, the molecular weight of the diisocyanate compound is 30.
When it exceeds 0, the reactivity with the diol compound is lowered, which is not preferable, as described in the photosensitive resin composition layer (1).

【0022】上記の分子量が500以下のカルボキシル
基含有ジオール化合物としては、具体的に酒石酸、2,
4−ジヒドロキシ安息香酸、3,5−ジヒドロキシ安息
香酸、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)ブタン酸、
2,2−ビス(ヒドロキシエチル)ブタン酸、2,2−
ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸、2,2−ビス
(ヒドロキシエチル)プロピオン酸、2,2−ビス(ヒ
ドロキシプロピル)プロピオン酸、ジヒドロキシメチル
酢酸、ビス(4−ヒドロキシフェニル)酢酸、4,4−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン酸、ホモゲン
チジン酸等を挙げることができ、好適には2,2−ビス
(ヒドロキシメチル)プロピオン酸、2,2−ビス(ヒ
ドロキシエチル)プロピオン酸、2,2−ビス(ヒドロ
キシメチル)ブタン酸が使用される。
Specific examples of the carboxyl group-containing diol compound having a molecular weight of 500 or less include tartaric acid, 2,
4-dihydroxybenzoic acid, 3,5-dihydroxybenzoic acid, 2,2-bis (hydroxymethyl) butanoic acid,
2,2-bis (hydroxyethyl) butanoic acid, 2,2-
Bis (hydroxymethyl) propionic acid, 2,2-bis (hydroxyethyl) propionic acid, 2,2-bis (hydroxypropyl) propionic acid, dihydroxymethylacetic acid, bis (4-hydroxyphenyl) acetic acid, 4,4-
Examples thereof include bis (4-hydroxyphenyl) pentanoic acid and homogentisic acid, and preferably 2,2-bis (hydroxymethyl) propionic acid, 2,2-bis (hydroxyethyl) propionic acid, 2,2- Bis (hydroxymethyl) butanoic acid is used.

【0023】かかるジオール化合物とジイソシアネート
化合物を反応させるにあたっては、公知の反応手段を用
いることができ、例えばジイソシアネートに安定な溶媒
(酢酸エチル等)中で60〜90℃の温度で反応させれ
ばよい。但し、本発明においては、上記の如くジオール
化合物とジイソシアネート化合物の反応モル比を理論値
として1:2にすること(実際の仕込みに当たっては数
%程度の誤差は許容される)が好ましく、かかる条件を
逸脱すると両末端にイソシアネートを付加することがで
きず、後述するエチレン性不飽和基の導入が困難となり
好ましくない。
In reacting such a diol compound and a diisocyanate compound, a known reaction means can be used, and for example, the reaction may be carried out at a temperature of 60 to 90 ° C. in a solvent (ethyl acetate or the like) stable to diisocyanate. . However, in the present invention, it is preferable to set the reaction molar ratio of the diol compound and the diisocyanate compound to 1: 2 as a theoretical value (the error of about several percent is allowed in the actual charging) as described above. If it deviates from the above range, isocyanate cannot be added to both ends, and introduction of an ethylenically unsaturated group described later becomes difficult, which is not preferable.

【0024】次いで、上記の如くジオール化合物とジイ
ソシアネート化合物を反応させて得られた化合物(IV)
に、ポリオール系化合物(II)を付加反応させる。かか
る付加反応においては、公知の方法を採用することがで
き、例えば、上記の如くジオール化合物とジイソシアネ
ート化合物を反応させて得られた化合物(I)溶液中に
ポリオール系化合物(II)を添加し、60〜90℃の温
度で反応させればよい。また、反応を促進するためにジ
ブチルチンラウレート等の公知の触媒を添加することも
できる。
Then, the compound (IV) obtained by reacting the diol compound and the diisocyanate compound as described above
Then, the polyol compound (II) is subjected to an addition reaction. In the addition reaction, a known method can be adopted. For example, the polyol compound (II) is added to the compound (I) solution obtained by reacting the diol compound and the diisocyanate compound as described above, The reaction may be performed at a temperature of 60 to 90 ° C. Also, a known catalyst such as dibutyltin laurate can be added to accelerate the reaction.

【0025】更に、上記で得られた化合物に(メタ)ア
クリロイル基含有ヒドロキシ化合物(III)を付加させ
ることにより、カルボキシル基含有ウレタンアクリル系
樹脂(B)が得られるのであるが、本発明では、上記の
如く化合物(IV)の(B)中に占める重量割合が15〜
65重量%であることが好ましく、かかる含有量が15
重量%未満では硬化レジストの十分な強度が得られず、
逆に65重量%を越えると硬化レジストの耐サンドブラ
スト性が低下して好ましくない。該化合物(IV)の重量
割合を調整するには、上記の反応において化合物(IV)
(II)(III)の割合をコントロールすればよい。
(B)の酸価は10〜90mgKOH/g、望ましくは
20〜70mgKOH/gにすることが耐サンドブラス
ト性及びアルカリ現像性のバランスの点で有利である。
酸価の調整にあたっては、上記の各薬剤の反応モル数や
ポリオール系化合物の分子量を選択すれば良い。
Further, a carboxyl group-containing urethane acrylic resin (B) can be obtained by adding a (meth) acryloyl group-containing hydroxy compound (III) to the compound obtained above. As described above, the weight ratio of the compound (IV) in (B) is 15 to
It is preferably 65% by weight, and the content is 15
If it is less than 10% by weight, sufficient strength of the cured resist cannot be obtained,
On the other hand, if it exceeds 65% by weight, the sandblast resistance of the cured resist decreases, which is not preferable. To adjust the weight ratio of the compound (IV), the compound (IV) in the above reaction is used.
The ratio of (II) and (III) may be controlled.
The acid value of (B) is preferably 10 to 90 mgKOH / g, and more preferably 20 to 70 mgKOH / g in terms of the balance between sandblast resistance and alkali developability.
In adjusting the acid value, the number of reaction moles of each of the above-mentioned agents and the molecular weight of the polyol compound may be selected.

【0026】本発明で使用できるカルボキシル基含有樹
脂として(B)以外に、カルボキシル基含有アクリル系
樹脂、カルボキシル基含有セルロース誘導体が例示され
る。カルボキシル基含有アクリル樹脂は、主として(メ
タ)アクリル酸アルキルエステルとエチレン性不飽和カ
ルボン酸との共重合体である。アクリル樹脂の酸価は5
0〜250mgKOH/gの範囲が適当である。上記
(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしてはメチル
(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、
n−プロピル(メタ)アクリレート、iso−プロピル
(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレー
ト、iso−ブチル(メタ)アクリレート、tert−
ブチル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)ア
クリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレー
ト、n−オクチル(メタ)アクリレート、ラウリル(メ
タ)アクリレート等が挙げられ、好ましくはメチル(メ
タ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−
ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メ
タ)アクリレートが有用である。
Examples of the carboxyl group-containing resin that can be used in the present invention include, in addition to (B), a carboxyl group-containing acrylic resin and a carboxyl group-containing cellulose derivative. The carboxyl group-containing acrylic resin is mainly a copolymer of (meth) acrylic acid alkyl ester and ethylenically unsaturated carboxylic acid. The acid value of acrylic resin is 5
A range of 0 to 250 mg KOH / g is suitable. As the (meth) acrylic acid alkyl ester, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate,
n-propyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, iso-butyl (meth) acrylate, tert-
Butyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate and the like can be mentioned, and preferably methyl (meth) acrylate and ethyl ( (Meth) acrylate, n-
Butyl (meth) acrylate and 2-ethylhexyl (meth) acrylate are useful.

【0027】エチレン性不飽和カルボン酸としては(メ
タ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル
酸、イタコン酸、クロトン酸、アコニット酸、ケイ皮
酸、モノアルキルマレート、モノアルキルフマレート、
モノアルキルイタコネート、無水シトラコン酸、シトラ
コン酸等が挙げられ、好ましくは(メタ)アクリル酸、
マレイン酸、無水マレイン酸である。
As the ethylenically unsaturated carboxylic acid, (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, fumaric acid, itaconic acid, crotonic acid, aconitic acid, cinnamic acid, monoalkylmalate, monoalkylfumarate,
Monoalkyl itaconate, citraconic anhydride, citraconic acid and the like can be mentioned, preferably (meth) acrylic acid,
Maleic acid and maleic anhydride.

【0028】アクリル樹脂を共重合によって製造する時
に、他の共重合可能なモノマーを併用することもでき、
該モノマーとしては、2−ヒドロキシエチル(メタ)ア
クリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレ
ート、3−クロロ−2−ヒドロキシプロピル(メタ)ア
クリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレ
ート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メ
タ)アクリレート、N−メチロール(メタ)アクリルア
ミド等の水酸基含有不飽和モノマー、グリシジル(メ
タ)アクリレート、アリルグリシジル(メタ)アクリレ
ート等のグリシジル基含有不飽和モノマー、(メタ)ア
クリルアミド、N−(メタ)アクリルアミドメチルトリ
メチルアンモニウムクロライド、アリルトリメチルアン
モニウムクロライド、ジメチルアリルビニルケトン、N
−ビニルピロリドン、プロピオン酸ビニル、ステアリン
酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル、
スチレン等が挙げられ、2−ヒドロキシエチル(メタ)
アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリ
レート、N−メチロール(メタ)アクリルアミド、グリ
シジル(メタ)アクリレート、酢酸ビニル、スチレンが
有用である。
When the acrylic resin is produced by copolymerization, other copolymerizable monomers may be used in combination,
Examples of the monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-chloro-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, and 2-hydroxy-3-. Phenoxypropyl (meth) acrylate, N-methylol (meth) acrylamide and other hydroxyl group-containing unsaturated monomers, glycidyl (meth) acrylate, allylglycidyl (meth) acrylate and other glycidyl group-containing unsaturated monomers, (meth) acrylamide, N- (Meth) acrylamidomethyltrimethylammonium chloride, allyltrimethylammonium chloride, dimethylallyl vinyl ketone, N
-Vinylpyrrolidone, vinyl propionate, vinyl stearate, vinyl chloride, vinylidene chloride, vinyl acetate,
Styrene etc. are mentioned, 2-hydroxyethyl (meth)
Acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, N-methylol (meth) acrylamide, glycidyl (meth) acrylate, vinyl acetate and styrene are useful.

【0029】カルボキシル基含有セルロース誘導体とし
てはヒドロキシプルピルメチルセルロースアセテート、
ヒドロキシプルピルメチルセルロースアセテートサクシ
ネート、セルロースアセテートヘキサヒドロフタレー
ト、ヒドロキシプルピルメチルセルロースアセテートフ
タレート、ヒドロキシプルピルメチルセルロースヘキサ
ヒドロフタレート等が代表例として例示される。該誘導
体の酸価は50〜250mgKOH/gの範囲が適当で
ある。
As the carboxyl group-containing cellulose derivative, hydroxypropyl methylcellulose acetate,
Typical examples are hydroxypurpyrumethyl cellulose acetate succinate, cellulose acetate hexahydrophthalate, hydroxypurpyrumethyl cellulose acetate phthalate and hydroxypurpyrumethyl cellulose hexahydrophthalate. The acid value of the derivative is suitably in the range of 50 to 250 mgKOH / g.

【0030】また、本発明ではアルカリ現像性を損なわ
ない範囲で、カルボキシル基含有樹脂にカルボキシル基
を含有しない樹脂を併用することにより、硬化部の耐サ
ンドブラスト性を向上させることができる。その効果
は、カルボキシル基含有ウレタンアクリル系樹脂(B)
にカルボキシル基を含有しないウレタンアクリル系樹脂
(A)を併用する場合が顕著である。実用的には、カル
ボキシル基含有ウレタンアクリル系樹脂(B)/カルボ
キシル基を含有しないウレタンアクリル系樹脂(A)、
カルボキシル基含有ウレタンアクリル系樹脂(B)/カ
ルボキシル基含有アクリル樹脂/カルボキシル基を含有
しないウレタンアクリル系樹脂(A)、カルボキシル基
含有ウレタンアクリル系樹脂(B)/カルボキシル基含
有セルロース誘導体/カルボキシル基を含有しないウレ
タンアクリル系樹脂(A)、カルボキシル基含有ウレタ
ンアクリル系樹脂(B)/カルボキシル基含有アクリル
樹脂/カルボキシル基含有セルロース誘導体/カルボキ
シル基を含有しないウレタンアクリル系樹脂(A)等の
組み合わせで構成するのが望ましい。
Further, in the present invention, the sandblast resistance of the cured part can be improved by using a resin containing no carboxyl group in combination with the resin containing a carboxyl group within the range not impairing the alkali developability. The effect is that the carboxyl group-containing urethane acrylic resin (B)
It is remarkable that the urethane acrylic resin (A) containing no carboxyl group is used together. Practically, a carboxyl group-containing urethane acrylic resin (B) / a carboxyl group-free urethane acrylic resin (A),
Carboxyl group-containing urethane acrylic resin (B) / carboxyl group-containing acrylic resin / carboxyl group-free urethane acrylic resin (A), carboxyl group-containing urethane acrylic resin (B) / carboxyl group-containing cellulose derivative / carboxyl group Consists of a combination of urethane acrylic resin not containing (A), urethane acrylic resin containing carboxyl group (B) / acrylic resin containing carboxyl group / cellulose derivative containing carboxyl group / urethane acrylic resin containing no carboxyl group (A), etc. It is desirable to do.

【0031】本発明において、感光性樹脂組成物層
(1)及び感光性樹脂組成物層(2)のいずれの場合
も、上記ウレタンアクリル系樹脂をベースポリマーとし
て使用する時には、光重合開始剤(C)が併用される。
(C)としては特に限定されず、公知の光重合開始剤を
用いることができるが、ベンソフェノン、P,P′−ビ
ス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、P,P′−ビス
(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、P,P′−ビス
(ジブチルアミノ)ベンゾフェノン、ベンゾイン、ベン
ゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベ
ンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインn−ブチル
エーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンゾインイ
ソブチルエーテル、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安
息香酸メチル、ベンジルジフェニルジスルフィド、ベン
ジルジメチルケタール、ジベンジル、ジアセチル、アン
トラキノン、ナフトキノン、3,3’−ジメチル−4−
メトキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン、ジクロロア
セトフェノン、2−クロロチオキサントン、2−メチル
チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、
2,2−ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジクロロ
−4−フェノキシアセトフェノン、フェニルグリオキシ
レート、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、ジベゾス
パロン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒド
ロキシ−2−メチル−1−プロパノン、2−メチル−
[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−
1−プロパノン、トリブロモフェニルスルホン、トリブ
ロモメチルフェニルスルホンが挙げられる。
In the present invention, in both cases of the photosensitive resin composition layer (1) and the photosensitive resin composition layer (2), when the urethane acrylic resin is used as a base polymer, a photopolymerization initiator ( C) is used in combination.
There are no particular restrictions on (C), and known photopolymerization initiators can be used, but benzophenone, P, P′-bis (dimethylamino) benzophenone, P, P′-bis (diethylamino) benzophenone, P, P'-bis (dibutylamino) benzophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin n-butyl ether, benzoin phenyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoylbenzoic acid, methyl benzoylbenzoate, benzyldiphenyl disulfide, Benzyl dimethyl ketal, dibenzyl, diacetyl, anthraquinone, naphthoquinone, 3,3'-dimethyl-4-
Methoxybenzophenone, benzophenone, dichloroacetophenone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone,
2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dichloro-4-phenoxyacetophenone, phenylglyoxylate, α-hydroxyisobutylphenone, dibezosparone, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methyl-1 -Propanone, 2-methyl-
[4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-
1-propanone, tribromophenyl sulfone, tribromomethylphenyl sulfone can be mentioned.

【0032】又2,4,6−[トリス(トリクロロメチ
ル)]−1,3,5−トリアジン、2,4−[ビス(ト
リクロロメチル)]−6−(4’−メトキシフェニル)
−1,3,5−トリアジン、2,4−[ビス(トリクロ
ロメチル)]−6−(4’−メトキシナフチル)−1,
3,5−トリアジン、2,4−[ビス(トリクロロメチ
ル)]−6−(ピペロニル)−1,3,5−トリアジ
ン、2,4−[ビス(トリクロロメチル)]−6−
(4’−メトキシスチリル)−1,3,5−トリアジン
等のトリアジン誘導体、アクリジン及び9−フェニルア
クリジン等のアクリジン誘導体、2,2’−ビス(o−
クロロフェニル)−4,5,4’,5’−テトラフェニ
ル−1,2’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(o−
クロロフェニル)−4,5,4’,5’−テトラフェニ
ル−1,1’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(o−
フルオロフェニル)−4,5,4’,5’−テトラフェ
ニル−1,1’−ビイミダゾール、2,2’−ビス(o
−メトキシフェニル)−4,5,4’,5’−テトラフ
ェニル−1,1’−ビイミダゾール、2,2’−ビス
(p−メトキシフェニル)−4,5,4’,5’−テト
ラフェニル−1,1’−ビイミダゾール、2,4,
2’,4’−ビス[ビ(p−メトキシフェニル)]−
5,5’−ジフェニル−1,1’−ビイミダゾール、
2,2’−ビス(2,4−ジメトキシフェニル)−4,
5,4’,5’−ジフェニル−1,1’−ビイミダゾー
ル、2,2’−ビス(p−メチルチオフェニル)−4,
5,4’,5’−ジフェニル−1,1’−ビイミダゾー
ル、ビス(2,4,5−トリフェニル)−1,1’−ビ
イミダゾール等や公昭45−37377号公報に開示さ
れる1,2’−、1,4’−、2,4’−で共有結合し
ている互変異性体等のヘキサアリールビイミダゾール誘
導体、トリフェニルフォスフィン、トリフェニルホスフ
ィンオキシド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフ
ェニルホスフィンオキシド、そのほかにも2−ベンゾイ
ル−2−ジメチルアミノ−1−[4−モルフォリノフェ
ニル]−ブタンなどを挙げることができ、好適にはヘキ
サアリールビイミダゾール誘導体の使用が有利である。
2,4,6- [Tris (trichloromethyl)]-1,3,5-triazine, 2,4- [bis (trichloromethyl)]-6- (4'-methoxyphenyl)
-1,3,5-triazine, 2,4- [bis (trichloromethyl)]-6- (4'-methoxynaphthyl) -1,
3,5-triazine, 2,4- [bis (trichloromethyl)]-6- (piperonyl) -1,3,5-triazine, 2,4- [bis (trichloromethyl)]-6-
Triazine derivatives such as (4′-methoxystyryl) -1,3,5-triazine, acridine and acridine derivatives such as 9-phenylacridine, 2,2′-bis (o-
Chlorophenyl) -4,5,4 ', 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (o-
Chlorophenyl) -4,5,4 ', 5'-tetraphenyl-1,1'-biimidazole, 2,2'-bis (o-
Fluorophenyl) -4,5,4 ', 5'-tetraphenyl-1,1'-biimidazole, 2,2'-bis (o
-Methoxyphenyl) -4,5,4 ', 5'-tetraphenyl-1,1'-biimidazole, 2,2'-bis (p-methoxyphenyl) -4,5,4', 5'-tetra Phenyl-1,1'-biimidazole, 2,4
2 ', 4'-bis [bi (p-methoxyphenyl)]-
5,5'-diphenyl-1,1'-biimidazole,
2,2'-bis (2,4-dimethoxyphenyl) -4,
5,4 ', 5'-diphenyl-1,1'-biimidazole, 2,2'-bis (p-methylthiophenyl) -4,
5,4 ', 5'-diphenyl-1,1'-biimidazole, bis (2,4,5-triphenyl) -1,1'-biimidazole and the like and disclosed in Japanese Kokai No. 45-37377. , 2'-, 1,4'-, 2,4'-covalently bound tautomers, hexaarylbiimidazole derivatives, triphenylphosphine, triphenylphosphine oxide, 2,4,6- Examples thereof include trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and 2-benzoyl-2-dimethylamino-1- [4-morpholinophenyl] -butane, and it is preferable to use a hexaarylbiimidazole derivative. .

【0033】光重合開始剤(C)の配合量としては、上
記のベースポリマー100重量部に対して0.1〜20
重量部、より望ましくは、1〜7重量部である。かかる
配合量が0.1重量部未満では感度が著しく低下して良
好な作業性が得られず、逆に20重量部を越えると感光
性樹脂組成物をドライフイルムフォトレジスト(DF
R)化して製品化したときの保存安定性が低下して好ま
しくない。
The amount of the photopolymerization initiator (C) blended is 0.1 to 20 relative to 100 parts by weight of the above base polymer.
Parts by weight, more preferably 1 to 7 parts by weight. If the amount is less than 0.1 parts by weight, the sensitivity is remarkably reduced and good workability cannot be obtained. On the contrary, if the amount exceeds 20 parts by weight, the photosensitive resin composition is mixed with dry film photoresist (DF).
It is not preferable because the storage stability is lowered when it is commercialized as R).

【0034】更に本発明においては、ロイコ染料(D)
を含有することも好ましく、かかるロイコ染料(D)と
しては、ビス(4−N,N−ジエチルアミノ−o−トリ
ル)メチレンジルチオフェニルメタン、ビス(4−N,
N−ジエチルアミノ−o−トリル)ベンジルチオフェニ
ルメタン、ロイコクリスタルバイオレット、ロイコマラ
カイトグリーン、ロイコダイアモンドグリーン等が挙げ
られ、中でもロイコクリスタルバイオレット、ロイコマ
ラカイトグリーン、ロイコダイアモンドグリーンの1種
または2種以上が好適に用いられる。かかるロイコ染料
(D)の配合量は、ベースポリマー100重量部に対し
て0.05〜3重量部、より望ましく0.1〜1重量部
である。かかる配合量が0.05重量部未満では感度が
著しく低下して良好な作業性が得られず、逆に3重量部
を越えるとDFR化したときの保存安定性が低下して好
ましくない。
Further, in the present invention, a leuco dye (D)
It is also preferable that the leuco dye (D) contains bis (4-N, N-diethylamino-o-tolyl) methylenedylthiophenylmethane and bis (4-N,
N-diethylamino-o-tolyl) benzylthiophenylmethane, leuco crystal violet, leucomalachite green, leuco diamond green and the like can be mentioned. Among them, leuco crystal violet, leucomalachite green, leuco diamond green are preferably used alone or in combination of two or more. Used for. The content of the leuco dye (D) is 0.05 to 3 parts by weight, more preferably 0.1 to 1 part by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer. If the amount is less than 0.05 parts by weight, the sensitivity is remarkably reduced and good workability cannot be obtained. On the contrary, if the amount is more than 3 parts by weight, the storage stability when converted to DFR is lowered, which is not preferable.

【0035】本発明で使用する感光性樹脂組成物には、
上記の(A)〜(D)以外に、エチレン性不飽和化合物
が併用されても良く、かかる化合物の具体例として2−
ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキ
シプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチ
ル(メタ)アクリレート、2−フェノキシ−2−ヒドロ
キシプロピル(メタ)アクリレート、2−(メタ)アク
リロイルオキシ−2−ヒドロキシプロピルフタレート、
3−クロロ−2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレ
ート、グリセリンモノ(メタ)アクリレート、2−(メ
タ)アクリロイルオキシエチルアシッドホスフェート、
フタル酸誘導体のハーフ(メタ)アクリレート、N−メ
チロール(メタ)アクリルアミド等の単官能モノマーが
挙げられる。
The photosensitive resin composition used in the present invention includes
In addition to the above (A) to (D), an ethylenically unsaturated compound may be used in combination, and specific examples of such a compound include 2-
Hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 2-phenoxy-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2- (meth) acryloyloxy-2-hydroxypropyl Phthalate,
3-chloro-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, glycerin mono (meth) acrylate, 2- (meth) acryloyloxyethyl acid phosphate,
Examples thereof include monofunctional monomers such as phthalic acid derivative half (meth) acrylate and N-methylol (meth) acrylamide.

【0036】又エチレングリコールジ(メタ)アクリレ
ート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、
テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポ
リエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピ
レングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレ
ングリコールジ(メタ)アクリレート、ブチレングリコ
ールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール
ジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド変性ビス
フェノールA型ジ(メタ)アクリレート、プロピレンオ
キサイド変性ビスフェノールA型ジ(メタ)アクリレー
ト、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、グリセリンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリス
リトールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコール
ジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ジエチ
レングリコールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリ
レート、フタル酸ジグリシジルエステルジ(メタ)アク
リレート、ヒドロキシピバリン酸変性ネオペンチルグリ
コールジ(メタ)アクリレート等の2官能モノマー、ト
リメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペン
タエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、トリ(メ
タ)アクリロイルオキシエトキシトリメチロールプロパ
ン、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ(メタ)ア
クリレート等の3官能以上のモノマーなどのエチレン性
不飽和化合物を配合することもできる。
Further, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate,
Tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, butylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Ethylene oxide modified bisphenol A type di (meth) acrylate, propylene oxide modified bisphenol A type di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate , Ethylene glycol diglycidyl ether di (meth) acrylate, diethylene glycol diglycidyl ether di (meth) acrylate, diphthalic acid Bifunctional monomers such as lysidyl ester di (meth) acrylate and hydroxypivalic acid-modified neopentyl glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) ) Ethylenically unsaturated compounds such as trifunctional or higher functional monomers such as acrylate, tri (meth) acryloyloxyethoxy trimethylolpropane, glycerin polyglycidyl ether poly (meth) acrylate, etc. may be blended.

【0037】かかるエチレン性不飽和化合物の配合量
は、ベースポリマー100重量部に対して、0〜20重
量部が好ましく、更には0〜10重量部で、かかる配合
量が20重量部を越えると硬化レジストが硬くなり過ぎ
て、耐サンドブラスト性の低下を招いて好ましくない。
The amount of the ethylenically unsaturated compound is preferably 0 to 20 parts by weight, more preferably 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer. The cured resist becomes too hard, which leads to deterioration of the sandblast resistance, which is not preferable.

【0038】また、そのほかクリスタルバイオレット,
マラカイトグリーン,ブリリアントグリーン,パテント
ブルー,メチルバイオレット,ビクトリアブルー,ロー
ズアニリン,パラフクシン,エチレンバイオレット等の
着色染料、密着性付与剤、可塑剤、酸化防止剤、熱重合
禁止剤、溶剤、表面張力改質材、安定剤、連鎖移動剤、
消泡剤、難燃剤などの添加剤を適宜添加することができ
る。特に、ガラス等の透明な基材の上下両面に異形の凹
凸模様を形成させるために上下両面から露光をすると
き、片面の光が他方面の感光性樹脂組成物層を透過しな
いように、P,P′−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフ
ェノン、ブチルメトキシジベンゾイルメタン等の光吸収
剤、特に紫外線吸収剤を配合しておくのが望ましく、光
吸収剤の配合量は、膜厚40μmにおける波長365n
mでの感光性樹脂組成物相の透過率が65%以下となる
ように調整すればよい。尚、該紫外線吸収剤として先に
述べた光重合開始剤(C)と重複するものもあるが、開
始剤と吸収剤の両者の機能をもつものを使用することも
適宜行われる。
In addition, crystal violet,
Coloring dyes such as malachite green, brilliant green, patent blue, methyl violet, Victoria blue, rose aniline, parafuchsin, ethylene violet, adhesion promoters, plasticizers, antioxidants, thermal polymerization inhibitors, solvents, surface tension modification Materials, stabilizers, chain transfer agents,
Additives such as defoaming agents and flame retardants can be added as appropriate. In particular, when light is exposed from both upper and lower surfaces of a transparent substrate such as glass in order to form irregular concave and convex patterns on both upper and lower surfaces, light on one surface is prevented from passing through the photosensitive resin composition layer on the other surface. , P'-bis (diethylamino) benzophenone, butylmethoxydibenzoylmethane and the like, and it is desirable to add an ultraviolet absorber in particular, and the amount of the optical absorber to be added is 365 nm at a film thickness of 40 μm.
It may be adjusted so that the transmittance of the photosensitive resin composition phase at m is 65% or less. Some of the UV absorbers overlap the photopolymerization initiator (C) described above, but those having both the functions of the initiator and the absorber may be appropriately used.

【0039】基材面に上記感光性樹脂組成物層(1)及
び(2)を設ける方法としては特に制限はないが、該感
光性樹脂組成物はこれをポリエステルフィルム、ポリプ
ロピレンフィルム、ポリスチレンフィルムなどのベース
フィルム面に塗工した後、その塗工面の上からポリエチ
レンフィルム、ポリビニルアルコール系フィルムなどの
保護フィルムを被覆してDFRとした形状での使用が有
利である。その具体的な態様としては、ベースフイルム
面に感光性樹脂組成物層(1)を塗工した後、その塗工
面の上から保護フィルムを積層したDFR、及びベース
フイルム面に感光性樹脂組成物層(2)を塗工した後、
その塗工面の上から保護フィルムを積層したDFRをそ
れぞれ製造し、(1)(2)を順次基材面に設けたり、
ベースフイルム面に感光性樹脂組成物層(1)と(2)
を直接積層した形で塗工した後、その塗工面の上から保
護フィルムを積層したDFRを基材面に設けたりするこ
とができる。勿論ディップコート法、フローコート法、
スクリーン印刷法等の常法により、基材上に直接塗工す
ることもできる。塗工時にメチルエチルケトン、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
シクロヘキサン、メチルセルソルブ、塩化メチレン、
1,1,1−トリクロルエタン等の溶剤を併用すること
もできる。感光性樹脂組成物層(1)の厚さは2〜50
μm、好ましくは5〜25μmが、感光性樹脂組成物層
(2)の厚さは10〜100μm、好ましくは30〜1
00μmがそれぞれ適当である。
The method for providing the above-mentioned photosensitive resin composition layers (1) and (2) on the surface of the substrate is not particularly limited, but the photosensitive resin composition may be provided with a polyester film, polypropylene film, polystyrene film or the like. It is advantageous to use it in the shape of DFR after coating on the surface of the base film, and then covering the coated surface with a protective film such as a polyethylene film and a polyvinyl alcohol film. Specific embodiments thereof include a DFR obtained by coating the base film surface with the photosensitive resin composition layer (1) and then laminating a protective film on the coated surface, and a photosensitive resin composition on the base film surface. After applying layer (2),
Each DFR having a protective film laminated on the coated surface is manufactured, and (1) and (2) are sequentially provided on the base material surface,
Photosensitive resin composition layers (1) and (2) on the base film surface
It is possible to apply DFR in which a protective film is laminated on the base material surface after the coating is performed by directly laminating. Of course, dip coating method, flow coating method,
It is also possible to directly coat the base material by a conventional method such as a screen printing method. Methyl ethyl ketone, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate,
Cyclohexane, methyl cellosolve, methylene chloride,
A solvent such as 1,1,1-trichloroethane can also be used in combination. The thickness of the photosensitive resin composition layer (1) is 2 to 50.
μm, preferably 5 to 25 μm, and the thickness of the photosensitive resin composition layer (2) is 10 to 100 μm, preferably 30 to 1
00 μm is suitable for each.

【0040】DFRを使用して画像を形成させるため基
材面に感光性樹脂組成物層を設けるには、ベースフィル
ムと感光性樹脂組成物層との接着力及び保護フィルムと
感光性樹脂組成物層との接着力を比較し、接着力の低い
方のフィルムを剥離してから感光性樹脂組成物層の側を
基材側に一段又は二段回で貼り付ける。
To provide a photosensitive resin composition layer on the surface of a substrate for forming an image using DFR, the adhesive force between the base film and the photosensitive resin composition layer and the protective film and the photosensitive resin composition are used. The adhesive strength with the layer is compared, the film having the lower adhesive strength is peeled off, and then the side of the photosensitive resin composition layer is attached to the substrate side in one or two steps.

【0041】次いで、他方のフィルム上にパターンマス
クを密着させて露光する。感光性樹脂組成物が粘着性を
有しないときは、前記他方のフィルムを剥離してからパ
ターンマスクを感光性樹脂組成物層に直接接触させて露
光することもできる。露光は通常紫外線照射により行
い、その際の光源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀
灯、カーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハライドラ
ンプ、ケミカルランプなどが用いられる。露光量は50
0〜30000J/m2程度が実用的である。紫外線照
射後は、必要に応じ加熱を行って、硬化の完全を図るこ
ともできる。
Then, a pattern mask is brought into close contact with the other film for exposure. When the photosensitive resin composition does not have tackiness, the other film may be peeled off and then the pattern mask may be brought into direct contact with the photosensitive resin composition layer for exposure. The exposure is usually carried out by ultraviolet irradiation, and as the light source at that time, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a carbon arc lamp, a xenon lamp, a metal halide lamp, a chemical lamp and the like are used. 50 exposure
A practical value is about 0 to 30,000 J / m 2 . After irradiation with ultraviolet rays, heating can be performed as necessary to achieve complete curing.

【0042】次に、露光後のレジスト上のフィルムを剥
離除去してから感光性樹脂組成物層(2)の未露光部分
を炭酸ソーダ、炭酸カリウム等のアルカリ濃度0.1〜
2重量%程度の稀薄水溶液を用いてアルカリ現像する。
未露光部分は完全に現像、除去された方がサンドブラス
ト加工後の製品の品質にバラツキがないが、未露光部の
80重量%以上、好ましくは90重量%以上が現像され
ていれば、実用上は問題ない。この過程を経ることによ
って、アルカリ現像液を循環再使用しながら多数の基板
の現像を連続して行っても、経時的な現像度合の変動が
全くなく次工程でのサンドブラスト加工の操作条件を特
別に厳密な調整をしなくても、安定した加工が実施でき
る。従って、感光性樹脂組成物層(1)や基材をサンド
ブラスト加工を行うことにより、基材へのサンドブラス
ト研削を深くしてもその凸部の形状に悪影響を及ぼさな
いで、ピッチ幅やスペース幅の小さい細線パターンをも
つ均一な品質の製品を連続して形成することが可能とな
る。
Next, after removing the film on the resist after exposure, the unexposed portion of the photosensitive resin composition layer (2) is treated with an alkali concentration of sodium carbonate, potassium carbonate or the like of 0.1 to 0.1.
Alkali development is performed using a dilute aqueous solution of about 2% by weight.
If the unexposed part is completely developed and removed, there is no variation in the quality of the product after sandblasting, but if 80% by weight or more, preferably 90% by weight or more of the unexposed part is developed, it is practical. Is no problem. Through this process, even if a large number of substrates are continuously developed while the alkaline developer is recycled and reused, there is no change in the degree of development over time, and the operating conditions for sandblasting in the next step are special. Stable processing can be performed without strict adjustment. Therefore, by sandblasting the photosensitive resin composition layer (1) and the base material, even if the sandblasting of the base material is deepened, the shape of the convex portion is not adversely affected, and the pitch width and space width are not adversely affected. It is possible to continuously form a product of uniform quality having a fine line pattern with a small size.

【0043】サンドブラスト加工は粒子径が0.1〜1
00μm程度のSiC、SiO2、Al23等を用い
て、ブラスト圧0.05〜10MPaで吹き付けること
により実施される。最終用途によって感光性樹脂組成物
層(1)の未露光部分のみをサンドブラスト研削した
り、該未露光部分ばかりでなく更にその下部の基材を研
削する。前者はプリント配線基板の製造等に、後者はP
DPの隔壁や電極形成、セラミックの加工、SiC基板
の加工、シリコーンウエハーのダイシングやPZT(圧
電素子)の加工、ガラスの食刻等で採用される。
In the sandblasting, the particle size is 0.1 to 1
It is carried out by using SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 or the like having a diameter of about 00 μm and spraying at a blast pressure of 0.05 to 10 MPa. Depending on the final application, only the unexposed portion of the photosensitive resin composition layer (1) is sandblasted, or not only the unexposed portion but also the substrate therebelow is ground. The former is for manufacturing printed wiring boards, the latter is for P
It is used in the formation of DP partition walls and electrodes, ceramic processing, SiC substrate processing, silicon wafer dicing and PZT (piezoelectric element) processing, glass etching, and the like.

【0044】かかる加工により基材面に凹凸模様が形成
され、次に凸部表面に残存している硬化レジスト(露光
部分)の剥離を行う。硬化レジストのパターンの剥離除
去は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの0.1
〜5重量%程度の濃度のアルカリ水溶液からなるアルカ
リ剥離液を用いて行う。また、アルカリ水溶液で剥離さ
せる代わりに、硬化レジストのパターンを焼失させるこ
とも可能である。
By such processing, an uneven pattern is formed on the surface of the base material, and then the cured resist (exposed portion) remaining on the surface of the convex portion is peeled off. Stripping and removing the pattern of the cured resist is performed with 0.1% sodium hydroxide, potassium hydroxide, etc.
It is carried out using an alkaline stripping solution consisting of an alkaline aqueous solution having a concentration of about 5% by weight. Further, instead of peeling with an alkaline aqueous solution, the pattern of the cured resist can be burned off.

【0045】[0045]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。なお、実施例中「%」、「部」とあるのは、断り
のない限り重量基準を意味する。まず、以下の手順で感
光性樹脂組成物層を持つDFRを調製した。 (i)耐アルカリ性感光性樹脂組成物層をもつDFR
(A−1) (カルボキシル基を含有しないウレタンアクリル樹脂の
調製)温度計、攪拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹
き込み口を備えた4つ口フラスコに、イソホロンジイソ
シアネート200g(0.9mol)と平均分子量10
00のエチレングリコール/アジピン酸(反応モル比
1.02/0.5)反応物600g(0.6mol)、
酢酸エチル373gを仕込み、窒素雰囲気下、80℃で
反応させ、残存イソシアネート基が2.3%となった時
点で温度を下げ始め、60℃になってから2−ヒドロキ
シエチルアクリレート71g(0.6mol)を加え、
残存イソシアネート基が0.3%となった時に反応を終
了して、カルボキシル基を含有しないウレタンアクリル
樹脂を得た。得られたウレタンアクリル樹脂のイソシア
ネート含有率は0.3%、酸価は0mgKOH/g、樹
脂分72%であった。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples. In the examples, "%" and "parts" mean weight basis unless otherwise specified. First, a DFR having a photosensitive resin composition layer was prepared by the following procedure. (I) DFR having an alkali-resistant photosensitive resin composition layer
(A-1) (Preparation of Urethane Acrylic Resin Not Containing Carboxyl Group) In a four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a water-cooled condenser and a nitrogen gas blowing port, 200 g (0.9 mol) of isophorone diisocyanate and an average molecular weight of 10 were added.
Ethylene glycol / adipic acid of 00 (reaction molar ratio 1.02 / 0.5), 600 g (0.6 mol) of reaction product,
After charging 373 g of ethyl acetate and reacting at 80 ° C. under a nitrogen atmosphere, the temperature starts to be lowered when the residual isocyanate group becomes 2.3%, and after reaching 60 ° C., 71 g of 2-hydroxyethyl acrylate (0.6 mol ),
When the residual isocyanate group reached 0.3%, the reaction was terminated to obtain a urethane acrylic resin containing no carboxyl group. The urethane acrylic resin thus obtained had an isocyanate content of 0.3%, an acid value of 0 mgKOH / g and a resin content of 72%.

【0046】(ドープの調製)上記のカルボキシル基を
含有しないウレタンアクリル樹脂溶液139部[固形分
換算でウレタンアクリル樹脂100部]、p,p’−ビ
ス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン1.0部、ヘキサ
アリールビイミダゾール3部、及びメチルエチルケトン
45部を配合してよく混合し、ドープを調製した。この
組成物の膜厚40μmにおける365nmでの透過率は
4.8%であった。
(Preparation of Dope) 139 parts of the above urethane acrylic resin solution containing no carboxyl group [100 parts of urethane acrylic resin in terms of solid content], 1.0 part of p, p'-bis (diethylamino) benzophenone, hexaary 3 parts of rubiimidazole and 45 parts of methyl ethyl ketone were mixed and mixed well to prepare a dope. The transmittance of this composition at a film thickness of 40 μm at 365 nm was 4.8%.

【0047】(DFRの作製)次にドープを、ギャップ
1.5ミルのアプリケーターを用いて厚さ20μmのポ
リエステルフィルム上に塗工し、室温で1分30秒放置
した後、60℃、90℃、110℃のオーブンでそれぞ
れ2分間乾燥して、感光性樹脂組成物層の膜厚10μm
のDFRとした(ただし保護フィルムは設けていな
い)。
(Preparation of DFR) Next, the dope was coated on a polyester film having a thickness of 20 μm using an applicator having a gap of 1.5 mil, and allowed to stand at room temperature for 1 minute and 30 seconds, then at 60 ° C. and 90 ° C. And dried in an oven at 110 ° C. for 2 minutes each to form a photosensitive resin composition layer having a film thickness of 10 μm.
DFR (However, no protective film is provided).

【0048】(ii)耐アルカリ性感光性樹脂組成物層を
もつDFR(A−2) (カルボキシル基を含有しないウレタンアクリル樹脂の
調製)温度計、攪拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹
き込み口を備えた4つ口フラスコにヘキサメチレンジイ
ソシアネート168g(1.0mol)、酢酸エチル3
30g及び分子量650ポリテトラメチレングリコール
487.5g(0.75mol)を仕込み、窒素雰囲気
下、80℃で反応させ、残存イソシアネート基が2.5
%となった時点で温度を下げ始め、60℃に下がったと
ころでεーカプトラクトン変性2−ヒドロキシアクリレ
ート(ダイセル化学社製「Placcel FA−
1」)115g(0.5mol)を加えて60℃で反応
を継続した。残存イソシアネート基が0.3%となった
時に反応を終了して、カルボキシル基を含有しないウレ
タンアクリル樹脂を得た。上記で得られたカルボキシル
基を含有しないウレタンアクリル樹脂溶液のイソシアネ
ート含有率は0.3%、酸価は0mgKOH/g%であ
った。上記樹脂溶液を用いて、(A−1)と同じ操作で
DFRを得た。尚、上記組成物の膜厚40μmにおける
365nmでの透過率は4.6%であった。
(Ii) DFR (A-2) having an alkali-resistant photosensitive resin composition layer (preparation of urethane acrylic resin containing no carboxyl group) 4 equipped with thermometer, stirrer, water-cooled condenser, nitrogen gas blowing port Hexamethylene diisocyanate 168 g (1.0 mol) and ethyl acetate 3
30 g and a molecular weight of 650 polytetramethylene glycol 487.5 g (0.75 mol) were charged and reacted at 80 ° C. under a nitrogen atmosphere, and the residual isocyanate group was 2.5.
%, The temperature starts to decrease, and when the temperature decreases to 60 ° C., ε-captolactone-modified 2-hydroxyacrylate (“Placcel FA-” manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.
1 ") 115 g (0.5 mol) was added and the reaction was continued at 60 ° C. When the residual isocyanate group reached 0.3%, the reaction was terminated to obtain a urethane acrylic resin containing no carboxyl group. The carboxyl group-free urethane acrylic resin solution obtained above had an isocyanate content of 0.3% and an acid value of 0 mgKOH / g%. DFR was obtained by the same operation as (A-1) using the above resin solution. The transmittance of the above composition at 365 nm at a film thickness of 40 μm was 4.6%.

【0049】(iii)耐アルカリ性感光性樹脂組成物層
をもつDFR(A−3) (カルボキシル基を含有しないウレタンアクリル樹脂の
調製)温度計、攪拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹
き込み口を備えた4つ口フラスコにイソホロンジイソシ
アネート200g(0.9mol)、酢酸エチル51
6.2g及び分子量2000のポリカプロラクトンジオ
ール(ダイセル化学社製「Placcel 220
N」)900g(0.45mol)を仕込み、窒素雰囲
気下、80℃で反応させ、残存イソシアネート基が2.
7%となった時点で温度を下げ始め、60℃に下がった
ところで2−ヒドロキシエチルアクリレート104.4
g(0.9mol)を加えて60℃で反応を継続した。
残存イソシアネート基が0.3%となった時に反応を終
了して、カルボキシル基を含有しないウレタンアクリル
樹脂溶液を得た。得られた樹脂のイソシアネート含有率
は0.3%、酸価は0mgKOH/gであった。上記樹
脂溶液を用いて、(A−1)と同じ操作でDFRを得
た。尚、上記組成物の膜厚40μmにおける365nm
での透過率は4.9%であった。
(Iii) DFR (A-3) having an alkali-resistant photosensitive resin composition layer (preparation of urethane acrylic resin containing no carboxyl group) 4 equipped with a thermometer, a stirrer, a water-cooled condenser, and a nitrogen gas blowing port Isophorone diisocyanate 200 g (0.9 mol), ethyl acetate 51
6.2 g and a molecular weight of 2000 polycaprolactone diol (“Placcel 220 manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.
N ") 900 g (0.45 mol) was charged and reacted at 80 ° C under a nitrogen atmosphere, and the residual isocyanate group was 2.
When the temperature reached 7%, the temperature started to decrease, and when the temperature fell to 60 ° C, 2-hydroxyethyl acrylate 104.4.
g (0.9 mol) was added and the reaction was continued at 60 ° C.
When the residual isocyanate group reached 0.3%, the reaction was terminated to obtain a urethane acrylic resin solution containing no carboxyl group. The obtained resin had an isocyanate content of 0.3% and an acid value of 0 mgKOH / g. DFR was obtained by the same operation as (A-1) using the above resin solution. In addition, 365 nm when the film thickness of the above composition is 40 μm
The transmittance was 4.9%.

【0050】(イ)アルカリ現像可能な感光性樹脂組成
物層をもつDFR(B−1) (カルボキシル基含有ウレタンアクリル樹脂の調製)温
度計、攪拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹き込み口
を備えた4つ口フラスコに、2,2−ビス(ヒドロキシ
メチル)プロピオン酸119.5g(0.89mol)
とイソホロンジイソシアネート396.2g(1.78
mol)酢酸エチル435gを仕込み、窒素雰囲気下、
80℃で反応させ、残存イソシアネート基が8.3%と
なった時点で平均分子量1000のエチレングリコール
/アジピン酸(反応モル比1.02/0.5)反応物分
子量445.6g(0.45mol)を加え、ジブチル
チンラウリレート0.15gを加えて更に反応させた。
残存イソシアネート基が3.0%となった時点で55℃
に冷却した後、2ーヒドロキシエチルアクリレート10
2.1g(0.88mol)を加え反応させ、残存イソ
シアネート基が0.3%となった時に反応を終了して、
カルボキシル基含有ウレタンアクリル樹脂を得た。得ら
れたカルボキシル基含有ウレタンアクリル樹脂溶液のイ
ソシアネート含有率は0.3%、酸価は30.5mgK
OH/gであった。
(A) DFR having a photosensitive resin composition layer capable of alkali development (B-1) (Preparation of carboxyl group-containing urethane acrylic resin) 4 equipped with a thermometer, a stirrer, a water-cooled condenser, and a nitrogen gas blowing port In a two-necked flask, 119.5 g (0.89 mol) of 2,2-bis (hydroxymethyl) propionic acid
And isophorone diisocyanate 396.2 g (1.78 g)
(mol) ethyl acetate (435 g) was charged, and under a nitrogen atmosphere,
When reacted at 80 ° C. and the residual isocyanate group became 8.3%, ethylene glycol / adipic acid having an average molecular weight of 1000 (reaction molar ratio 1.02 / 0.5) reactant molecular weight 445.6 g (0.45 mol ) Was added, and 0.15 g of dibutyltin laurylate was added for further reaction.
55 ° C when the residual isocyanate group reaches 3.0%
After cooling to 2, 2-hydroxyethyl acrylate 10
2.1 g (0.88 mol) was added and reacted, and when the residual isocyanate group became 0.3%, the reaction was terminated,
A carboxyl group-containing urethane acrylic resin was obtained. The carboxyl group-containing urethane acrylic resin solution thus obtained had an isocyanate content of 0.3% and an acid value of 30.5 mgK.
It was OH / g.

【0051】(ドープの調製)上記のカルボキシル基含
有ウレタンアクリル樹脂溶液142.9部[固形分換算
でウレタンアクリル樹脂100部]、ヘキサアリールビ
イミダゾール4.0部、ロイコクリスタルバイオレット
0.4部、ダイアモンドグリーン0.05部及びメチル
エチルケトン45.0を配合してよく混合し、ドープを
調製した。
(Preparation of Dope) 142.9 parts of the above urethane-acrylic resin solution containing a carboxyl group [100 parts of urethane acrylic resin in terms of solid content], 4.0 parts of hexaarylbiimidazole, 0.4 parts of leuco crystal violet, 0.05 parts of Diamond Green and 45.0 of methyl ethyl ketone were mixed and mixed well to prepare a dope.

【0052】(DFRの作製)次にドープを、ギャップ
8ミルのアプリケーターを用いて厚さ20μmのポリエ
ステルフィルム上に塗工し、室温で1分30秒放置した
後、60℃、90℃、110℃のオーブンでそれぞれ3
分間乾燥して、感光性樹脂組成物層の膜厚50μmのD
FRとした(ただし保護フィルムは設けていない)。
(Preparation of DFR) Next, the dope was applied on a polyester film having a thickness of 20 μm using an applicator having a gap of 8 mils, and left at room temperature for 1 minute and 30 seconds, then at 60 ° C., 90 ° C. and 110 ° C. 3 in the oven at ℃
After being dried for a minute, the photosensitive resin composition layer having a film thickness of 50 μm D
FR (however, no protective film is provided).

【0053】(ロ)アルカリ現像可能な感光性樹脂組成
物層をもつDFR(B−2) (カルボキシル基含有ウレタンアクリル樹脂の調製)温
度計、攪拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹き込み口
を備えた4つ口フラスコに、2,2−ビス(ヒドロキシ
メチル)プロピオン酸85.14g(0.63mol)
とヘキサメチレンジイソシアネート213.66g
(1.27mol)、酢酸エチル450.23gを仕込
み、窒素雰囲気下、78℃で反応させ、残存イソシアネ
ート基が7.6%となった時点で分子量600のポリエ
チレングリコール(II)569.75g(0.95mo
l)を加え、更にジブチルチンラウリレート0.15g
を加えて更に約5時間反応させた。残存イソシアネート
基が0.5%となった時点でヘキサメチレンジイソシア
ネート107.40g(0.64mol)を新たに加え
て反応を続け、残存イソシアネート基が2.3%となっ
たところで温度を60℃に下げ、2ーヒドロキシエチル
アクリレート77.00g(0.66mol)を加え反
応させ、残存イソシアネート基が0.3%となった時に
反応を終了して、カルボキシル基含有ウレタンアクリル
樹脂溶液を得た。得られたカルボキシル基含有ウレタン
アクリル樹脂のイソシアネート含有率は0.3%、酸価
は23.0mgKOH/gであった。上記のカルボキシ
ル基含有ウレタンアクリル樹脂溶液を用いて、前記と同
じ操作でDFRを得た。
(B) DFR (B-2) having a photosensitive resin composition layer capable of alkali development (Preparation of carboxyl group-containing urethane acrylic resin) 4 equipped with a thermometer, a stirrer, a water-cooled condenser, and a nitrogen gas blowing port In a one-necked flask, 85.14 g (0.63 mol) of 2,2-bis (hydroxymethyl) propionic acid
And hexamethylene diisocyanate 213.66 g
(1.27 mol) and 450.23 g of ethyl acetate were charged and reacted at 78 ° C. under a nitrogen atmosphere. When residual isocyanate groups reached 7.6%, polyethylene glycol (II) having a molecular weight of 600, 569.75 g (0 .95mo
l) is added, and 0.15 g of dibutyltin laurylate is further added.
Was added and the reaction was continued for about 5 hours. When the residual isocyanate group became 0.5%, 107.40 g (0.64 mol) of hexamethylene diisocyanate was newly added to continue the reaction, and when the residual isocyanate group became 2.3%, the temperature was raised to 60 ° C. After that, 77.00 g (0.66 mol) of 2-hydroxyethyl acrylate was added and reacted, and when the residual isocyanate group reached 0.3%, the reaction was terminated to obtain a carboxyl group-containing urethane acrylic resin solution. The obtained carboxyl group-containing urethane acrylic resin had an isocyanate content of 0.3% and an acid value of 23.0 mgKOH / g. Using the above carboxyl group-containing urethane acrylic resin solution, DFR was obtained by the same operation as described above.

【0054】(ハ)アルカリ現像可能な感光性樹脂組成
物層をもつDFR(B−3) (B−1)で使用したカルボキシル基含有ウレタンアク
リル樹脂75部と共にヒドロキシプルピルメチルセルロ
ースアセテートサクシネート(信越化学工業(株)製
「HPMCAS AS−L」、酸価は109mgKOH
/g)25部を併用した以外は上記と同様にしてDFR
を得た。 (ニ)アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物層をもつD
FR(B−4) (B−1)で使用したカルボキシル基含有ウレタンアク
リル樹脂と前記(A−1)で使用したカルボキシルを含
有しないウレタンアクリル樹脂との混合物で、配合量を
固形分換算で前者/後者=65/35した組成物を用い
てDFRを得た。
(C) DFR (B-3) having a photosensitive resin composition layer capable of alkali development A hydroxypropyl methylcellulose acetate succinate (Shin-Etsu) with 75 parts of the carboxyl group-containing urethane acrylic resin used in (B-1). Chemical industry "HPMCAS AS-L", acid value is 109mgKOH
/ G) DFR in the same manner as above except that 25 parts were also used
Got (D) D having an alkali-developable photosensitive resin composition layer
FR (B-4) A mixture of the carboxyl group-containing urethane acrylic resin used in (B-1) and the carboxyl-free urethane acrylic resin used in (A-1), and the blending amount in terms of solid content is the former. / DFR was obtained using the latter composition = 65/35.

【0055】実施例1 DFR(A−1)をオーブンで60℃に予熱したガラス
基板上に、ラミネートロール温度70℃、同ロール圧
0.3MPa、ラミネート速度2m/minにてラミネ
ートした。更にDFR(A−1)のポリエステルフイル
ムを剥離した後、同一条件でDFR(B−1)をラミネ
ートし、室温に10分間放置することにより除熱した。
オーク製作所製平行露光機「EXM−1201」にて露
光を行った。使用したパターンマスクはライン/スペ
ースが50μm/150μm、ライン/スペースが2
0μm/100μmであり、露光量は4000J/m2
であった。この操作を及びについてそれぞれ100
枚の基板について行った。
Example 1 DFR (A-1) was laminated on a glass substrate preheated to 60 ° C. in an oven at a laminating roll temperature of 70 ° C., a roll pressure of 0.3 MPa and a laminating speed of 2 m / min. Further, the polyester film of DFR (A-1) was peeled off, DFR (B-1) was laminated under the same conditions, and left at room temperature for 10 minutes to remove heat.
Exposure was performed using a parallel exposure machine “EXM-1201” manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd. The pattern mask used has a line / space of 50 μm / 150 μm and a line / space of 2
0 μm / 100 μm, exposure dose is 4000 J / m 2
Met. This operation is 100 for each
This was performed on one substrate.

【0056】露光後、ポリエステルフイルムを剥がし、
露光後の基材を0.3%炭酸ナトリウム水溶液を用い3
0℃、スプレー圧0.1MPaで45秒間アルカリ現像
し、(A−1)の未露光部分を100%現像した。この
現像液を再使用して残り199枚の基板についても現像
を行った。
After the exposure, the polyester film is peeled off,
After the exposure, use a 0.3% sodium carbonate aqueous solution for the substrate 3
Alkali development was performed at 0 ° C. and a spray pressure of 0.1 MPa for 45 seconds to develop 100% of the unexposed portion of (A-1). This developing solution was reused and the remaining 199 substrates were also developed.

【0057】及びについていずれも1枚目、50枚
目及び100枚目の上記基板に対して、不二製作所社製
の「PNEUMA BLASTER」(ハイパーノズ
ル、エアー圧:0.4MPa、切削剤:SiC#600
[平均粒径:23μm]、粉体供給量:200g/mi
n)を用いて、ガン高さ2cm、ガン移動幅20cm、
ガン移動速度20m/minで4passの条件でサン
ドブラスト加工を行って(B−1)の未露光部の現像及
び基材の研削加工をした。各基板についてサンドブラス
ト加工距離(加工深さ)及び細線部の長さ(細線部距
離)を評価した。結果を表1に示す。
Regarding and in each case, "PNEUMA BLASTER" (hyper nozzle, air pressure: 0.4 MPa, cutting agent: SiC) manufactured by Fuji Manufacturing Co., Ltd. was used for the first, 50th and 100th substrates. # 600
[Average particle size: 23 μm], powder supply amount: 200 g / mi
n), the gun height is 2 cm, the gun moving width is 20 cm,
Sand blasting was performed under a condition of 4 pass at a gun moving speed of 20 m / min to develop the unexposed portion (B-1) and grind the base material. The sandblasting distance (processing depth) and the length of the fine line portion (fine line portion distance) were evaluated for each substrate. The results are shown in Table 1.

【0058】実施例2〜9 表1に示すDFR(A)とDFR(B)の組み合わせ
で、実施例1に準じて実験を行った。結果を表1に示
す。
Examples 2 to 9 Experiments were carried out according to Example 1 with combinations of DFR (A) and DFR (B) shown in Table 1. The results are shown in Table 1.

【0059】比較例1 実施例1において、DFR(A−1)の使用を省略しD
FR(B−1)のみを用いて(但し感光性樹脂組成物層
の膜厚は60μm)、又現像時間を30秒として同様の
実験を行った。結果を表1に示す。
Comparative Example 1 In Example 1, the use of DFR (A-1) was omitted and D
The same experiment was conducted using only FR (B-1) (however, the film thickness of the photosensitive resin composition layer was 60 μm) and the developing time was 30 seconds. The results are shown in Table 1.

【0060】 〔表1〕 使用したDFR 加工深さ/細線部距離(μm) 1枚目 50枚目 100枚目 実施例1 (A−1)(B−1)168/47 165/46 169/47 115/18 113/18 112/47 〃 2 (A−1)(B−2)168/54 168/52 166/52 113/21 112/21 113/22 〃 3 (A−1)(B−3)169/44 169/44 168/44 114/11 114/11 112/11 〃 4 (A−1)(B−4)166/51 167/50 165/50 114/20 115/20 113/19 〃 5 (A−2)(B−1)143/47 141/47 144/45 104/15 103/13 103/13 〃 6 (A−2)(B−2)142/53 142/53 142/54 103/20 104/20 102/20 〃 7 (A−2)(B−3)143/42 142/44 143/42 103/10 103/11 104/ 9 〃 8 (A−3)(B−2)151/54 152/53 150/53 107/20 108/21 107/21 〃 9 (A−3)(B−4)150/50 150/50 152/50107/20 107/19 110/19 比較例1 (B−1)156/45 149/46 99/47115/16 111/17 80/19 [Table 1] DFR processing depth / fine line portion distance (μm) used 1st sheet 50th sheet 100th sheet Example 1 (A-1) (B-1) 168/47 165/46 169 / 47 115/18 113/18 112/47 2 (A-1) (B-2) 168/54 168/52 166/52 113/21 112/21 113/22 3 (A-1) (B- 3) 169/44 169/44 168/44 114/11 114/11 112/11 〃 4 (A-1) (B-4) 166/51 167/50 165/50 114/20 115/20 113/19 〃 5 (A-2) (B-1) 143/47 141/47 144/45 104/15 103/13 103/13 〃 6 (A-2) (B-2) 142/53 142/53 142 / 54 103/20 104/20 102/20 〃 7 (A-2) (B-3) 143/42 142/44 143/42 103/10 103/11 104/9 〃 8 (A-3) (B- 2) 151/54 152/53 150/53 107/20 108/21 107/21 9 (A-3) (B-4) 150/50 150/50 152/50 107/20 107/19 110/19 Comparative Example 1 (B-1) 156/45 149/46 99/47 115/16 111/17 80/19

【0061】[0061]

【発明の効果】本発明では、基材面に設けた耐アルカリ
性の感光性樹脂組成物層及びアルカリ現像可能な感光性
樹脂組成物層にパターンマスクを介して露光を行った
後、アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物層の未露光部
分をアルカリ現像し、次いで耐アルカリ性の感光性樹脂
組成物層の未露光部分と該未露光部分の下部の基材面を
サンドブラスト加工して、凹凸模様を生成させることに
より、基材のサンドブラスト研削を深くしてもその凸部
の形状に悪影響を及ぼすことなく、ピッチ幅の小さい細
線パターンを連続的に、しかも安定して形成することが
可能である。
According to the present invention, the alkali-resistant photosensitive resin composition layer and the alkali-developable photosensitive resin composition layer provided on the surface of the substrate are exposed to light through a pattern mask and then alkali-developable. The unexposed portion of the photosensitive resin composition layer is subjected to alkali development, and then the unexposed portion of the alkali-resistant photosensitive resin composition layer and the substrate surface under the unexposed portion are sandblasted to form an uneven pattern. By generating the fine line pattern, it is possible to continuously and stably form a fine line pattern having a small pitch width without adversely affecting the shape of the convex portion even if the sandblasting of the base material is deepened.

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成14年7月15日(2002.7.1
5)
[Submission date] July 15, 2002 (2002.7.1)
5)

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0060[Correction target item name] 0060

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0060】〔表1〕 [Table 1]

フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA03 AA04 AB11 AB14 AB15 AC01 AD01 BC13 BC42 BC66 BC81 BJ01 CA00 DA01 FA17 FA42 2H096 AA26 BA05 EA02 GA08 HA23 HA30 JA04 KA02 KA15 KA30Continued front page    F-term (reference) 2H025 AA03 AA04 AB11 AB14 AB15                       AC01 AD01 BC13 BC42 BC66                       BC81 BJ01 CA00 DA01 FA17                       FA42                 2H096 AA26 BA05 EA02 GA08 HA23                       HA30 JA04 KA02 KA15 KA30

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基材面に耐アルカリ性感光性樹脂組成物
層(1)、及びアルカリ現像可能な感光性樹脂組成物層
(2)を順次設け、感光性樹脂組成物層にパターンマス
クを介して露光を行った後、感光性樹脂組成物層(2)
の未露光部分をアルカリ現像し、次いで感光性樹脂組成
物層(1)の未露光部分と該未露光部分の下部の基材面
をサンドブラスト加工して、凹凸模様を生成させること
を特徴とするパターン形成方法。
1. An alkali-resistant photosensitive resin composition layer (1) and an alkali-developable photosensitive resin composition layer (2) are sequentially provided on a substrate surface, and the photosensitive resin composition layer is provided with a pattern mask therebetween. And then exposed, the photosensitive resin composition layer (2)
Of the photosensitive resin composition layer (1) and then sandblasting the unexposed portion of the photosensitive resin composition layer (1) and the substrate surface below the unexposed portion to produce an uneven pattern. Pattern formation method.
【請求項2】 パターンマスクを介して露光を行った
後、感光性樹脂組成物層(2)の未露光部分を80〜1
00重量%アルカリ現像し、感光性樹脂組成物層(1)
の未露光部分と該未露光部分の下部の基材面を、サンド
ブラスト加工することを特徴とする請求項1記載のパタ
ーン形成方法。
2. After exposing through a pattern mask, the unexposed portion of the photosensitive resin composition layer (2) is exposed to 80 to 1
Photosensitive resin composition layer (1), which was developed by using 100 wt% alkali.
2. The pattern forming method according to claim 1, wherein the unexposed portion and the base material surface below the unexposed portion are sandblasted.
【請求項3】 感光性樹脂組成物層(2)が、カルボキ
シル基含有樹脂を含む感光性樹脂組成物層であることを
特徴とする請求項1〜2いずれか記載のパターン形成方
法。
3. The pattern forming method according to claim 1, wherein the photosensitive resin composition layer (2) is a photosensitive resin composition layer containing a carboxyl group-containing resin.
【請求項4】 カルボキシル基含有樹脂が、カルボキシ
ル基含有ウレタンアクリル系樹脂であることを特徴とす
る請求項3記載のパターン形成方法。
4. The pattern forming method according to claim 3, wherein the carboxyl group-containing resin is a carboxyl group-containing urethane acrylic resin.
【請求項5】 カルボキシル基含有樹脂がカルボキシル
基含有ウレタンアクリル系樹脂を主体とし、これとカル
ボキシル基含有アクリル系樹脂、カルボキシル基含有セ
ルロース誘導体の1種又は2種を併用した組成物である
ことを特徴とする請求項4記載のパターン形成方法。
5. A composition comprising a carboxyl group-containing resin mainly composed of a carboxyl group-containing urethane acrylic resin, and a combination of this and one or two of a carboxyl group-containing acrylic resin and a carboxyl group-containing cellulose derivative. The pattern forming method according to claim 4, which is characterized in that.
【請求項6】 感光性樹脂組成物層(1)が、カルボキ
シル基を含有しない樹脂を含む感光性樹脂組成物層であ
ることを特徴とする請求項1〜5いずれか記載のパター
ン形成方法。
6. The pattern forming method according to claim 1, wherein the photosensitive resin composition layer (1) is a photosensitive resin composition layer containing a resin containing no carboxyl group.
【請求項7】 カルボキシル基を含有しない樹脂が、カ
ルボキシル基を含有しないウレタンアクリル系樹脂であ
ることを特徴する請求項6記載のパターン形成方法。
7. The pattern forming method according to claim 6, wherein the resin containing no carboxyl group is a urethane acrylic resin containing no carboxyl group.
【請求項8】 感光性樹脂組成物層(1)が、膜厚40
μmにおける波長365nmでの透過率が65%以下で
あることを特徴とする請求項1〜7いずれか記載のパタ
ーン形成方法。
8. The photosensitive resin composition layer (1) has a film thickness of 40.
8. The pattern forming method according to claim 1, wherein the transmittance at a wavelength of 365 nm in μm is 65% or less.
【請求項9】 感光性樹脂組成物層がドライフイルムフ
ォトレジストであることを特徴とする請求項1〜8いず
れか記載のパターン形成方法。
9. The pattern forming method according to claim 1, wherein the photosensitive resin composition layer is a dry film photoresist.
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