JP2003045855A - 加工方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウム
ガリウム膜上の窒化ガリウム膜をエッチング加工するに
際して、高いエッチング選択比で加工する。 【解決手段】 真空容器１内に、ガス供給装置２からア
ルゴンと塩素の混合ガスを導入しつつ、排気装置として
のターボ分子ポンプ３により排気を行い、真空容器１内
を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源４に
より１００ＭＨｚの高周波電力をアンテナ５に供給する
ことにより、真空容器１内にプラズマを発生させ、基板
電極６上に載置された基板７上に形成された窒化アルミ
ニウム膜上の窒化ガリウム膜をエッチングするに際し、
基板に９０ＭＨｚの高周波電力を供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体薄膜
や化合物半導体基板の加工方法及び化合物半導体を用い
た電子デバイスの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ガリウムなどを用いた化合物半導体デバ
イスは、シリコン半導体デバイスと比較して高速動作が
可能であるため、通信用デバイスとして注目されてい
る。こうしたデバイスを製造するにあたり、古くからウ
エットエッチングを用いた加工方法が利用されてきた
が、近年、加工精度の向上、エッチング速度の配向依存
性の低減や、ウエットエッチングにより発生する排液を
減らすことによる環境負荷の軽減などを目的として、ド
ライエッチングを用いた加工方法が導入されつつある。

【０００３】以下、従来のエッチング方法の一例とし
て、誘導結合型プラズマ源を用いたエッチング加工につ
いて、図５を参照して説明する。図５に示すエッチング
装置において、真空容器１内に、ガス供給装置２から所
定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポ
ンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に
保ちながら、コイル用高周波電源４３により１３．５６
ＭＨｚの高周波電力を誘電体板４４上に設けられたコイ
ル４５に供給することにより、真空容器１内にプラズマ
が発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してエ
ッチング加工を行うことができる。また、基板電極６に
１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給するための基板電
極用高周波電源８が設けられており、基板７に到達する
イオンエネルギーを制御することができるようになって
いる。

【０００４】このような構成のエッチング装置におい
て、基板電極温度を５０℃、圧力を０．５Ｐａ、Ａｒと
Ｃｌ₂のガス流量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃ
ｍとし、更にコイルに印加する電力と基板電極に印加す
るバイアス電力をそれぞれ５００Ｗ、１５０Ｗとするこ
とで窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜上の窒化ガリウム
（ＧａＮ）薄膜をエッチング加工することができる。こ
の条件における窒化ガリウム膜のエッチング速度は、２
９０ｎｍ／ｍｉｎ、窒化アルミニウム膜のエッチング速
度は、２１０ｎｍ／ｍｉｎであった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
で述べた窒化ガリウムのエッチング加工においては、窒
化ガリウムの窒化アルミニウムに対するエッチング選択
比が低いという問題点があった。従来例では、選択比＝
２９０／２１０＝１．３８である。このように選択比が
小さいと、このような工程を含む電子デバイスの製造方
法に適用した場合、窒化アルミニウム膜が削れてしまう
ため、デバイス設計どおりの動作が保証できなくなって
しまう。同様に、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａ
Ｎ）膜上の窒化ガリウム膜のエッチング加工において
も、十分なエッチング選択比が得られないという問題点
があった。

【０００６】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、窒化
アルミニウム膜または窒化アルミニウムガリウム膜上の
窒化ガリウム膜をエッチング加工するに際して、高いエ
ッチング選択比で加工する方法、及び、窒化アルミニウ
ム膜または窒化アルミニウムガリウム膜上の窒化ガリウ
ム膜をエッチング加工する工程を含む電子デバイスの製
造方法において、デバイス設計からのずれの少ない製造
方法を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願の第１発明の加工方
法は、真空容器内の基板電極に基板を載置し、真空容器
内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内
を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを
発生させ、基板上に形成された窒化アルミニウム膜上の
窒化ガリウム膜をエッチングする加工方法であって、基
板電極に３０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚの高周波電力を供
給することを特徴とする。

【０００８】本願の第２発明の加工方法は、真空容器内
の基板電極に基板を載置し、真空容器内にガスを供給し
つつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制
御しながら、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上
に形成された窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）
膜上の窒化ガリウム（ＧａＮ）膜をエッチングする加工
方法であって、基板電極に３０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚ
の高周波電力を供給することを特徴とする。

【０００９】本願の第１または第２発明の加工方法にお
いて、好適には、基板の大きさが、基板電極に供給する
高周波電力の真空中での波長の１／２０以下であること
が望ましい。

【００１０】また、好適には、基板電極に供給する高周
波電力の大きさが、１Ｗ／ｃｍ²以下であることが望ま
しい。

【００１１】また、好適には、真空容器内にプラズマを
発生させるために、高密度プラズマ源を用いることが望
ましい。

【００１２】真空容器内にプラズマを発生させるために
高密度プラズマ源を用いる場合、高密度プラズマ源は、
アンテナ式プラズマ源、誘導結合型プラズマ源、電子サ
イクロトロン共鳴型プラズマ源、表面波プラズマ源のい
ずれであってもよい。

【００１３】本願の第３発明の電子デバイスの製造方法
は、基板上に窒化アルミニウム膜を堆積する工程と、基
板上に窒化ガリウム膜を堆積する工程と、基板上にフォ
トレジストを塗布した後、露光及び現像してマスクを形
成する工程と、真空容器内の基板電極に基板を載置し、
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真
空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプ
ラズマを発生させるとともに、基板電極に５０ＭＨｚ乃
至１５０ＭＨｚの高周波電力を供給しつつ、基板上に形
成された窒化アルミニウム膜上の窒化ガリウム膜をエッ
チング工程とを含むことを特徴とする。

【００１４】本願の第３発明の電子デバイスの製造方法
は、基板上に窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）
膜を堆積する工程と、基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）
膜を堆積する工程と、基板上にフォトレジストを塗布し
た後、露光及び現像してマスクを形成する工程と、真空
容器内の基板電極に基板を載置し、真空容器内にガスを
供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧
力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生させる
とともに、基板電極に５０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚの高
周波電力を供給しつつ、基板上に形成された窒化アルミ
ニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）膜上の窒化ガリウム（Ｇ
ａＮ）膜をエッチング工程とを含むことを特徴とする。

【００１５】本願の第３または第４発明の電子デバイス
の製造方法において、好適には、窒化ガリウム膜をエッ
チングする工程において、基板の大きさが、基板電極に
供給する高周波電力の真空中での波長の１／２０以下で
あることが望ましい。

【００１６】また、好適には、窒化ガリウム膜をエッチ
ングする工程において、基板電極に供給する高周波電力
の大きさが、１Ｗ／ｃｍ²以下であることが望ましい。

【００１７】また、好適には、窒化ガリウム膜をエッチ
ングする工程において、真空容器内にプラズマを発生さ
せるために、高密度プラズマ源を用いることが望まし
い。

【００１８】窒化ガリウム膜をエッチングする工程にお
いて、真空容器内にプラズマを発生させるために高密度
プラズマ源を用いる場合、高密度プラズマ源は、アンテ
ナ式プラズマ源、誘導結合型プラズマ源、電子サイクロ
トロン共鳴型プラズマ源、表面波プラズマ源のいずれで
あってもよい。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態につ
いて、図１及び図２を参照して説明する。

【００２０】図１に、本発明の第１実施形態において用
いた、パッチアンテナ方式プラズマ源を搭載したエッチ
ング装置の断面図を示す。図１において、真空容器１内
に、ガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ、排気
装置としてのターボ分子ポンプ３により排気を行い、真
空容器１内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周
波電源４により周波数１００ＭＨｚの高周波電力をアン
テナ５に供給することにより、真空容器１内にプラズマ
が発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してエ
ッチング処理を行うことができる。また、基板電極６に
９０ＭＨｚの高周波電力を供給するための基板電極用高
周波電源８が設けられており、基板７に到達するイオン
エネルギーを制御することができるようになっている。
アンテナ５へ供給される高周波電圧は、給電棒９によ
り、アンテナ５の中心付近へ給電される。また、アンテ
ナ５の中心とも周辺とも異なる複数の部位と真空容器１
の基板７に対向する面２５とが、ショートピン１０によ
り短絡されている。アンテナ５と真空容器１との間に誘
電板１１が挟まれ、給電棒９及びショートピン１０は、
誘電板１１に設けられた貫通穴を貫いている。また、ア
ンテナ５の表面は、カバー１２により覆われている。ま
た、誘電板１１と誘電板１１の周辺部に設けられた誘電
体リング１３との間の溝状の空間と、アンテナ５とアン
テナ５の周辺部に設けられた導体リング１４との間の溝
状の空間からなるスリット１５が設けられている。

【００２１】アンテナ５の平面図を図２に示す。図２に
おいて、ショートピン１０は３ヶ所に設けられており、
それぞれのショートピン１０がアンテナ５の中心に対し
て等配置されている。

【００２２】このような構成のエッチング装置におい
て、基板電極温度を５０℃、圧力を０．５Ｐａとし、Ａ
ｒとＣｌ₃のガス流量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、２０ｓ
ｃｃｍとし、更にアンテナに印加する電力と基板電極に
印加するバイアス電力をそれぞれ５００Ｗ、１５０Ｗと
することで、窒化アルミニウム膜上の窒化ガリウム膜を
エッチング加工した。この条件における窒化ガリウム膜
のエッチング速度は、２２０ｎｍ／ｍｉｎ、窒化アルミ
ニウム膜のエッチング速度は、５０ｎｍ／ｍｉｎであ
り、窒化ガリウム膜の窒化アルミニウム膜に対するエッ
チング選択比は、選択比＝２２０／５０＝４．４であっ
た。なお、基板として、直径１５０ｍｍのガリウム砒素
基板を用いている。

【００２３】このように、従来例と比較してエッチング
選択比が飛躍的に向上した理由は、Ａｌ−Ｎ結合が切れ
にくく、かつ、Ｇａ−Ｎ結合が切れやすいイオンエネル
ギーで、基板を衝撃できたためであると考えられる。窒
化ガリウム膜におけるＧａ−Ｎ結合の結合エネルギーは
８．９２ｅＶ、窒化アルミニウム膜におけるＡｌ−Ｎ結
合の結合エネルギーは１１．５２ｅＶである。したがっ
て、エッチング装置内でイオン照射した場合、窒化アル
ミニウムよりも窒化ガリウムの方が高速でエッチングさ
れるものと期待される。しかし、従来例ではこの差はわ
ずかであったため、選択比は１．３８と小さかった。一
方、本実施形態においては、基板電極に供給する高周波
電力の周波数を９０ＭＨｚと高めたことにより、基板を
衝撃するイオンのエネルギー分布の幅を狭く、かつ、
８．９２ｅＶよりも大きいエネルギーのイオンを多く、
１１．９２ｅＶよりも大きいエネルギーのイオンを少な
くできたため、高い選択比が得られたものと考えられ
る。

【００２４】図３に、基板電極に供給する高周波電力の
周波数を変えたときの、基板を衝撃するイオンエネルギ
ーの分布を示す。図３から、周波数が高いほど、イオン
数がピークとなるエネルギーが低エネルギー側にシフト
すること、イオンエネルギー分布の幅が小さくなること
がわかる。これは、周波数が高くなるにつれて、プラズ
マ中の電子がバルクプラズマ内にトラップされるように
なり、シース電圧が低下するとともに、高周波の１周期
内におけるシース電圧の変化が小さくなるためであると
考えられる。

【００２５】次に、本発明の第２実施形態について、図
４を参照して説明する。

【００２６】図４に、窒化ガリウムトランジスタの製造
方法を示す。図４（ａ）は、ゲート電極形成前の段階で
あり、ＧａＮ基板１６上に、ＧａＮバッファー層１７、
ＡｌＧａＮ層１８、ＧａＮ層１９を堆積した基板に、金
属層によるソース電極２０及びドレイン電極２１が形成
されており、この基板に、フォトレジストを塗布した
後、露光及び現像してマスク２２を形成したものであ
る。この基板を、図１に示したエッチング装置を用い
て、基板電極温度を５０℃、圧力を０．４Ｐａとし、更
にＡｒとＣｌ₂のガス流量をそれぞれ４０ｓｃｃｍ、３
０ｓｃｃｍとし、アンテナに印加する電力と基板電極に
印加する電力をそれぞれ１０００Ｗ、２０Ｗとすること
でエッチングし、図４（ｂ）のようにリセス２３を形成
する。次に、フォトレジストを除去した後、ゲート電極
２４を形成することにより、図４（ｃ）のように窒化ガ
リウムトランジスタが形成できる。

【００２７】窒化ガリウム（ＧａＮ）膜をエッチングす
る工程における窒化ガリウム膜のエッチング速度は、１
００ｎｍ／ｍｉｎ、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧ
ａＮ）膜のエッチング速度は、２ｎｍ／ｍｉｎであり、
窒化ガリウムの窒化アルミニウムガリウムに対するエッ
チング選択比は、選択比＝１００／２＝５０であった。
なお、基板として、直径７５ｍｍの窒化ガリウム基板を
用いている。

【００２８】このように、高いエッチング選択比が得ら
れた理由は、Ａｌ−Ｎ結合が切れにくく、かつ、Ｇａ−
Ｎ結合が切れやすいイオンエネルギーで、基板を衝撃で
きたためであると考えられる。窒化ガリウム膜における
Ｇａ−Ｎ結合の結合エネルギーは８．９２ｅＶ、窒化ア
ルミニウムガリウム膜におけるＡｌ−Ｎ結合の結合エネ
ルギーは約１２ｅＶ（正確な値は明らかではないが、窒
化アルミニウム膜におけるＡｌ−Ｎ結合の結合エネルギ
ー１１．５２ｅＶと大差ないものと考えられる）であ
る。したがって、エッチング装置内でイオン照射した場
合、窒化アルミニウムガリウムよりも窒化ガリウムの方
が高速でエッチングされるものと期待される。本実施形
態においては、基板電極に供給する高周波電力の周波数
を９０ＭＨｚと高めたことにより、基板を衝撃するイオ
ンのエネルギー分布の幅を狭く、かつ、８．９２ｅＶよ
りも大きいエネルギーのイオンを多く、１２ｅＶよりも
大きいエネルギーのイオンを少なくできたため、高い選
択比が得られたものと考えられる。

【００２９】このように、高いエッチング選択比で窒化
ガリウム膜のエッチングを行えた結果、窒化アルミニウ
ムガリウム膜がごくわずかしか削られず、デバイス設計
どおりの動作を確認できた。

【００３０】以上述べた本発明の実施形態においては、
本発明の適用範囲のうち、化合物半導体薄膜の組成、電
子デバイスの構造、真空容器の形状、プラズマ源の構造
及び配置等に関して様々なバリエーションのうちの一部
を例示したに過ぎない。本発明の適用にあたり、ここで
例示した以外にも様々なバリエーションが考えられるこ
とは、いうまでもない。

【００３１】また、窒化アルミニウム膜上の窒化ガリウ
ム膜、または、窒化アルミニウムガリウム膜上の窒化ガ
リウム膜をエッチング加工する加工方法、及び、窒化ア
ルミニウム膜上の窒化ガリウム膜、または、窒化アルミ
ニウムガリウム膜上の窒化ガリウム膜をエッチング加工
する工程を含む電子デバイスの製造方法に、本発明は広
く適用できる。

【００３２】また、基板電極に供給する高周波電力の周
波数が９０ＭＨｚである場合を例示したが、基板電極に
供給する高周波電力の周波数は、概ね３０ＭＨｚ乃至１
５０ＭＨｚであることが好ましい。周波数が低すぎる
と、イオンエネルギー分布の幅が広がりすぎるため、十
分なエッチング選択比を得ることが困難となり、逆に周
波数が高すぎると、窒化ガリウム膜をエッチングするの
に必要な高周波電力が高くなりすぎ、プラズマ密度自体
が変化して処理の制御性を損なうためである。

【００３３】また、基板の大きさが、１５０ｍｍである
場合、７５ｍｍである場合を例示したが、基板の大きさ
は、基板電極に供給する高周波電力の真空中での波長の
１／２０以下であることが好ましい。基板の大きさが基
板電極に供給する高周波電力の真空中での波長の概ね１
／２０よりも大きいと、基板電極上に定在波が生じ、均
一な加工が行えなくなるためである。

【００３４】また、基板電極に供給する高周波電力の大
きさが、１５０Ｗ、２０Ｗの場合を例示したが、基板電
極に供給する高周波電力の大きさは、１Ｗ／ｃｍ²以下
であることが好ましい。基板電極に供給する高周波電力
が大きすぎると、窒化ガリウムをエッチングするのに必
要なエネルギーのイオンを多く、窒化アルミニウムまた
は窒化アルミニウムガリウムをエッチングするのに必要
なエネルギーのイオンを少なくすることが困難となるた
めである。

【００３５】また、真空容器内にプラズマを発生させる
ために、パッチアンテナ式プラズマ源を用いる場合を例
示したが、イオンエネルギー分布の幅を狭くするために
は、できるだけ低電子温度のプラズマ源を用いることが
好ましい。しかし、一般的な高密度プラズマ源である、
アンテナ式プラズマ源、誘導結合型プラズマ源、電子サ
イクロトロン共鳴型プラズマ源、表面波プラズマ源のい
ずれかを用いた場合であっても、本発明は有効である。

【００３６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本願の
第１発明の加工方法によれば、真空容器内の基板電極に
基板を載置し、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、
真空容器内にプラズマを発生させ、基板上に形成された
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜上の窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）膜をエッチングする加工方法であって、基板電極に
３０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚの高周波電力を供給するた
め、高いエッチング選択比を得ることができる。

【００３７】また、本願の第２発明の加工方法によれ
ば、真空容器内の基板電極に基板を載置し、真空容器内
にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を
所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発
生させ、基板上に形成された窒化アルミニウムガリウム
（ＡｌＧａＮ）膜上の窒化ガリウム（ＧａＮ）膜をエッ
チングする加工方法であって、基板電極に３０ＭＨｚ乃
至１５０ＭＨｚの高周波電力を供給するため、高いエッ
チング選択比を得ることができる。

【００３８】また、本願の第３発明の電子デバイスの製
造方法によれば、基板上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）
膜を堆積する工程と、基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）
膜を堆積する工程と、基板上にフォトレジストを塗布し
た後、露光及び現像してマスクを形成する工程と、真空
容器内の基板電極に基板を載置し、真空容器内にガスを
供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧
力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生させる
とともに、基板電極に５０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚの高
周波電力を供給しつつ、基板上に形成された窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）膜上の窒化ガリウム（ＧａＮ）膜をエ
ッチング工程とを含むため、デバイス設計からのずれの
少ない製造方法を実現できる。

【００３９】また、本願の第４発明の電子デバイスの製
造方法によれば、基板上に窒化アルミニウムガリウム
（ＡｌＧａＮ）膜を堆積する工程と、基板上に窒化ガリ
ウム（ＧａＮ）膜を堆積する工程と、基板上にフォトレ
ジストを塗布した後、露光及び現像してマスクを形成す
る工程と、真空容器内の基板電極に基板を載置し、真空
容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容
器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズ
マを発生させるとともに、基板電極に５０ＭＨｚ乃至１
５０ＭＨｚの高周波電力を供給しつつ、基板上に形成さ
れた窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）膜上の窒
化ガリウム（ＧａＮ）膜をエッチング工程とを含むた
め、デバイス設計からのずれの少ない製造方法を実現で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態で用いたエッチング装置の構
成を示す断面図

【図２】本発明の実施形態で用いたエッチング装置にお
けるアンテナの平面図

【図３】基板を衝撃するイオンエネルギーの分布を示す
グラフ

【図４】本発明の第２実施形態における窒化ガリウムト
ランジスタの製造工程を示す図

【図５】従来例で用いたエッチング装置の構成を示す断
面図

【符号の説明】

１ 真空容器 ２ ガス供給装置 ３ ターボ分子ポンプ ４ アンテナ用高周波電源 ５ アンテナ ６ 基板電極 ７ 基板 ８ 基板電極用高周波電源 ９ 給電棒 １０ ショートピン １１ 誘電板 １２ カバー １３ 誘電体リング １４ 導体リング １５ スリット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 忠司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 矢代 陽一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA05 BA20 BB11 BB18 CA02 CA03 CA04 CA06 CA08 DA04 DA23 DB19 5F102 GB01 GC01 GD01 GJ04 GK04 GL04 GN04 GR04 GR10 HC16

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空容器内の基板電極に基板を載置し、
   真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真
   空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプ
   ラズマを発生させ、基板上に形成された窒化アルミニウ
   ム膜上の窒化ガリウム膜をエッチングする加工方法であ
   って、基板電極に３０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚの高周波
   電力を供給することを特徴とする加工方法。
2. 【請求項２】 真空容器内の基板電極に基板を載置し、
   真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真
   空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプ
   ラズマを発生させ、基板上に形成された窒化アルミニウ
   ムガリウム膜上の窒化ガリウム膜をエッチングする加工
   方法であって、基板電極に３０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚ
   の高周波電力を供給することを特徴とする加工方法。
3. 【請求項３】 基板の大きさが、基板電極に供給する高
   周波電力の真空中での波長の１／２０以下であることを
   特徴とする請求項１または２記載の加工方法。
4. 【請求項４】 基板電極に供給する高周波電力の大きさ
   が、１Ｗ／ｃｍ²以下であることを特徴とする請求項１
   または２記載の加工方法。
5. 【請求項５】 真空容器内にプラズマを発生させるため
   に、高密度プラズマ源を用いることを特徴とする請求項
   １または２記載の加工方法。
6. 【請求項６】 高密度プラズマ源が、アンテナ式プラズ
   マ源、誘導結合型プラズマ源、電子サイクロトロン共鳴
   型プラズマ源、表面波プラズマ源のいずれかであること
   を特徴とする請求項５記載の加工方法。
7. 【請求項７】 基板上に窒化アルミニウム膜を堆積する
   工程と、基板上に窒化ガリウム膜を堆積する工程と、基
   板上にフォトレジストを塗布した後、露光及び現像して
   マスクを形成する工程と、真空容器内の基板電極に基板
   を載置し、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を
   排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空
   容器内にプラズマを発生させるとともに、基板電極に５
   ０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚの高周波電力を供給しつつ、
   基板上に形成された窒化アルミニウム膜上の窒化ガリウ
   ム膜をエッチング工程とを含むことを特徴とする電子デ
   バイスの製造方法。
8. 【請求項８】 基板上に窒化アルミニウムガリウム膜を
   堆積する工程と、基板上に窒化ガリウム膜を堆積する工
   程と、基板上にフォトレジストを塗布した後、露光及び
   現像してマスクを形成する工程と、真空容器内の基板電
   極に基板を載置し、真空容器内にガスを供給しつつ真空
   容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しなが
   ら、真空容器内にプラズマを発生させるとともに、基板
   電極に５０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚの高周波電力を供給
   しつつ、基板上に形成された窒化アルミニウムガリウム
   膜上の窒化ガリウム膜をエッチング工程とを含むことを
   特徴とする電子デバイスの製造方法。
9. 【請求項９】 窒化ガリウム膜をエッチングする工程に
   おいて、基板の大きさが、基板電極に供給する高周波電
   力の真空中での波長の１／２０以下であることを特徴と
   する請求項７または８記載の電子デバイスの製造方法。
10. 【請求項１０】 窒化ガリウム膜をエッチングする工程
    において、基板電極に供給する高周波電力の大きさが、
    １Ｗ／ｃｍ²以下であることを特徴とする請求項７また
    は８記載の電子デバイスの製造方法。
11. 【請求項１１】 窒化ガリウム膜をエッチングする工程
    において、真空容器内にプラズマを発生させるために、
    高密度プラズマ源を用いることを特徴とする請求項７ま
    たは８記載の電子デバイスの製造方法。
12. 【請求項１２】 窒化ガリウム膜をエッチングする工程
    において、高密度プラズマ源が、アンテナ式プラズマ
    源、誘導結合型プラズマ源、電子サイクロトロン共鳴型
    プラズマ源、表面波プラズマ源のいずれかであることを
    特徴とする請求項１１記載の電子デバイスの製造方法。