JP2003045676A - 有機エレクトロルミネッセント素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセント素子Info
- Publication number
- JP2003045676A JP2003045676A JP2001225847A JP2001225847A JP2003045676A JP 2003045676 A JP2003045676 A JP 2003045676A JP 2001225847 A JP2001225847 A JP 2001225847A JP 2001225847 A JP2001225847 A JP 2001225847A JP 2003045676 A JP2003045676 A JP 2003045676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- organic
- layer
- organic electroluminescent
- electroluminescent device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 39
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 29
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 29
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- -1 Lewis acid compound Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 3
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 78
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- KWCQJEWFGWPEPS-UHFFFAOYSA-N 10,10,16,16-tetramethyl-5-(1,3-thiazol-2-yl)-3-oxa-13-azatetracyclo[7.7.1.02,7.013,17]heptadeca-1,5,7,9(17)-tetraen-4-one Chemical compound CC1(C)CCN2CCC(C)(C)C(C=3OC4=O)=C2C1=CC=3C=C4C1=NC=CS1 KWCQJEWFGWPEPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 2
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018572 CuAlO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- CQXADFVORZEARL-UHFFFAOYSA-N Rilmenidine Chemical compound C1CC1C(C1CC1)NC1=NCCO1 CQXADFVORZEARL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CECABOMBVQNBEC-UHFFFAOYSA-K aluminium iodide Chemical compound I[Al](I)I CECABOMBVQNBEC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I antimony(5+);pentachloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)(Cl)(Cl)Cl VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SRVXDMYFQIODQI-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) bromide Chemical compound Br[Ga](Br)Br SRVXDMYFQIODQI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) iodide Chemical compound I[Ga](I)I DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- JCYWCSGERIELPG-UHFFFAOYSA-N imes Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1N1C=CN(C=2C(=CC(C)=CC=2C)C)[C]1 JCYWCSGERIELPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- HEJPGFRXUXOTGM-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triiodide Chemical compound [Fe+3].[I-].[I-].[I-] HEJPGFRXUXOTGM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(IV) oxide Inorganic materials O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- PUGUQINMNYINPK-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 4-(2-chloroacetyl)piperazine-1-carboxylate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)N1CCN(C(=O)CCl)CC1 PUGUQINMNYINPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K tribromoindigane Chemical compound Br[In](Br)Br JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FEONEKOZSGPOFN-UHFFFAOYSA-K tribromoiron Chemical compound Br[Fe](Br)Br FEONEKOZSGPOFN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K triiodoindigane Chemical compound I[In](I)I RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高輝度発光で長寿命の有機エレクトロルミネ
ッセント素子を提供すること。 【解決手段】 対向する陽極電極２と陰極電極５の間に
複数個の発光ユニット３−１、３−２．．．．３−ｎを
有し、各発光ユニットがそれぞれ１層の等電位面を形成
する層４−１、４−２．．．．４−ｎによって仕切られ
ていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント
素子。
ッセント素子を提供すること。 【解決手段】 対向する陽極電極２と陰極電極５の間に
複数個の発光ユニット３−１、３−２．．．．３−ｎを
有し、各発光ユニットがそれぞれ１層の等電位面を形成
する層４−１、４−２．．．．４−ｎによって仕切られ
ていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント
素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面光源や表示素
子に利用される有機エレクトロルミネッセント素子（以
下、有機ＥＬ素子と略記することがある。）に関する。
子に利用される有機エレクトロルミネッセント素子（以
下、有機ＥＬ素子と略記することがある。）に関する。
【０００２】
【従来の技術】対向する陽極電極と陰極電極との間に、
有機化合物からなる発光層を有する有機ＥＬ素子は、近
年、低電圧駆動の大面積表示素子を実現するものとして
注目されている。Tangらは、素子の高効率化のため、キ
ャリア輸送性の異なる有機化合物を積層し、ホールと電
子がそれぞれ陽極、陰極よりバランスよく注入される構
造とし、しかも有機層の層厚を２０００Å以下とするこ
とで、１０Ｖ以下の印加電圧で１０００cd／ｍ2 と外部
量子効率１％の実用化に十分な高輝度、高効率を得るこ
とに成功した（Appl． Phys．Lett．，51, 913 (1987).
）。しかしながら、従来の有機ＥＬ素子は、素子寿命
の観点では、表示ディスプレイ用途で必要とされる約１
００cd／ｍ2 程度の輝度でようやく１万時間を超える半
減寿命が達成されるに至ったにすぎず、照明用途等で必
要とされる約１０００cd／ｍ2 乃至約１００００cd／ｍ
2 程度の輝度で実用上必要な素子寿命を得ることは、現
段階では依然として難しいとされ、実際にそのような高
輝度、長寿命の有機ＥＬ素子は未だ実現していない。
有機化合物からなる発光層を有する有機ＥＬ素子は、近
年、低電圧駆動の大面積表示素子を実現するものとして
注目されている。Tangらは、素子の高効率化のため、キ
ャリア輸送性の異なる有機化合物を積層し、ホールと電
子がそれぞれ陽極、陰極よりバランスよく注入される構
造とし、しかも有機層の層厚を２０００Å以下とするこ
とで、１０Ｖ以下の印加電圧で１０００cd／ｍ2 と外部
量子効率１％の実用化に十分な高輝度、高効率を得るこ
とに成功した（Appl． Phys．Lett．，51, 913 (1987).
）。しかしながら、従来の有機ＥＬ素子は、素子寿命
の観点では、表示ディスプレイ用途で必要とされる約１
００cd／ｍ2 程度の輝度でようやく１万時間を超える半
減寿命が達成されるに至ったにすぎず、照明用途等で必
要とされる約１０００cd／ｍ2 乃至約１００００cd／ｍ
2 程度の輝度で実用上必要な素子寿命を得ることは、現
段階では依然として難しいとされ、実際にそのような高
輝度、長寿命の有機ＥＬ素子は未だ実現していない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の事情
に鑑みてなされたものであり、その目的は従来の有機Ｅ
Ｌ素子では達成困難であった高輝度発光での長寿命を実
現した素子構造を提供するものである。
に鑑みてなされたものであり、その目的は従来の有機Ｅ
Ｌ素子では達成困難であった高輝度発光での長寿命を実
現した素子構造を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するため鋭意研究の結果、対向する陽極電極と陰
極電極の間に、複数の発光ユニットを、それぞれ等電位
面を形成する層で仕切って積層した構成とすることによ
って、この素子においては両電極間に所定電圧が印加さ
れたとき、各発光ユニットが直列的に接続されて、同時
に発光することになり、既知の有機ＥＬ素子では実現不
可能であった高い電流効率（又は量子効率）を実現でき
ることを見い出し、本発明を完成した。すなわち、本発
明の有機ＥＬ素子は、対向する陽極電極と陰極電極の間
に複数個の発光ユニットを有し、各発光ユニットがそれ
ぞれ１層の等電位面を形成する層によって仕切られてい
ることを特徴とする。
を解決するため鋭意研究の結果、対向する陽極電極と陰
極電極の間に、複数の発光ユニットを、それぞれ等電位
面を形成する層で仕切って積層した構成とすることによ
って、この素子においては両電極間に所定電圧が印加さ
れたとき、各発光ユニットが直列的に接続されて、同時
に発光することになり、既知の有機ＥＬ素子では実現不
可能であった高い電流効率（又は量子効率）を実現でき
ることを見い出し、本発明を完成した。すなわち、本発
明の有機ＥＬ素子は、対向する陽極電極と陰極電極の間
に複数個の発光ユニットを有し、各発光ユニットがそれ
ぞれ１層の等電位面を形成する層によって仕切られてい
ることを特徴とする。
【０００５】本明細書において、発光ユニットとは、有
機化合物からなる発光層を含む積層構造を有し、従来の
有機ＥＬ素子の構成要素のうち陽極電極と陰極電極を除
いた積層体部分を意味し、陽極と陰極との間に所定電圧
を印加したとき発光しうるものである。また、等電位面
を形成する層（以下、単に、等電位面と称することもあ
る）とは、電圧印加時に層内で厚さ方向にも、面方向に
も電位差が実質的にない層を意味する。
機化合物からなる発光層を含む積層構造を有し、従来の
有機ＥＬ素子の構成要素のうち陽極電極と陰極電極を除
いた積層体部分を意味し、陽極と陰極との間に所定電圧
を印加したとき発光しうるものである。また、等電位面
を形成する層（以下、単に、等電位面と称することもあ
る）とは、電圧印加時に層内で厚さ方向にも、面方向に
も電位差が実質的にない層を意味する。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明を詳
細に説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、前記のよう
に、既知の有機ＥＬ素子の基本構造である陽極電極／発
光ユニット（有機層、２層以上の積層構造が一般的）／
陰極電極のうち、両電極に挟まれた発光ユニットが２個
以上存在し、各発光ユニットが等電位面として機能する
層によって仕切られていることを特徴としている。従来
の有機ＥＬ素子は、図１に示すように、単一の発光ユニ
ットが電極に挟まれた構造となっており、陰極側から電
子（ｅ−）、陽極側からホール（ｈ＋）を注入して発光
ユニット内で再結合し、励起状態を生成し発光する。こ
れに対して、図２に示す本発明による有機ＥＬ素子は、
等電位面によって仕切られた複数の発光ユニット内で、
電子−ホール再結合が生じ、したがって複数の発光が電
極間で発生する。
細に説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、前記のよう
に、既知の有機ＥＬ素子の基本構造である陽極電極／発
光ユニット（有機層、２層以上の積層構造が一般的）／
陰極電極のうち、両電極に挟まれた発光ユニットが２個
以上存在し、各発光ユニットが等電位面として機能する
層によって仕切られていることを特徴としている。従来
の有機ＥＬ素子は、図１に示すように、単一の発光ユニ
ットが電極に挟まれた構造となっており、陰極側から電
子（ｅ−）、陽極側からホール（ｈ＋）を注入して発光
ユニット内で再結合し、励起状態を生成し発光する。こ
れに対して、図２に示す本発明による有機ＥＬ素子は、
等電位面によって仕切られた複数の発光ユニット内で、
電子−ホール再結合が生じ、したがって複数の発光が電
極間で発生する。
【０００７】本発明の有機ＥＬ素子において、等電位面
を形成する材料としては、一般に、可視光の透過率が５
０％以上の透明導電材料を使用するのが好ましい。可視
光の透過率が５０％未満であると、生成した光が等電位
面を通過する際に吸収され、複数個の発光ユニットを積
層しても高い電流効率が得られなくなる。透明導電材料
としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム・すず酸化
物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＳｎＯ2 、
ＺｎＯ2 、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯx 、ＶＯx
、ＣｕＩ、ＩｎＮ、 ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ2 、ＣｕＧａ
Ｏ2 、ＳｒＣｕ2 Ｏ2 、ＬａＢ6 、ＲｕＯ2 などの導電
性無機化合物が挙げられる。また、透明性を確保出来る
程度の極薄の金属薄膜を等電位面として使用することが
できる。さらに、誘電体と金属膜を積層してなる構造の
ものを使用することもできる。それらの例としては、Ａ
ｕ／Ｂｉ2 Ｏ3 等の２層膜や、ＳｎＯ2 ／Ａｇ／ＳｎＯ
2 、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ2Ｏ3 ／Ａｕ／Ｂｉ2Ｏ
3 、ＴｉＯ2 ／ＴｉＮ／ＴｉＯ2 、ＴｉＯ2 ／ＺｒＮ／
ＴｉＯ2 等の多層膜が知られている。金属薄膜又は２層
以上の多層膜中の金属膜は、膜厚を１０ｎｍ以下とする
のが好ましく、０．５〜１０ｎｍとするのが好ましい。
この膜厚が１０ｎｍを超えると、光の透過率が５０％以
下になり、発光効率が下がってしまう。
を形成する材料としては、一般に、可視光の透過率が５
０％以上の透明導電材料を使用するのが好ましい。可視
光の透過率が５０％未満であると、生成した光が等電位
面を通過する際に吸収され、複数個の発光ユニットを積
層しても高い電流効率が得られなくなる。透明導電材料
としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム・すず酸化
物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＳｎＯ2 、
ＺｎＯ2 、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯx 、ＶＯx
、ＣｕＩ、ＩｎＮ、 ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ2 、ＣｕＧａ
Ｏ2 、ＳｒＣｕ2 Ｏ2 、ＬａＢ6 、ＲｕＯ2 などの導電
性無機化合物が挙げられる。また、透明性を確保出来る
程度の極薄の金属薄膜を等電位面として使用することが
できる。さらに、誘電体と金属膜を積層してなる構造の
ものを使用することもできる。それらの例としては、Ａ
ｕ／Ｂｉ2 Ｏ3 等の２層膜や、ＳｎＯ2 ／Ａｇ／ＳｎＯ
2 、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ2Ｏ3 ／Ａｕ／Ｂｉ2Ｏ
3 、ＴｉＯ2 ／ＴｉＮ／ＴｉＯ2 、ＴｉＯ2 ／ＺｒＮ／
ＴｉＯ2 等の多層膜が知られている。金属薄膜又は２層
以上の多層膜中の金属膜は、膜厚を１０ｎｍ以下とする
のが好ましく、０．５〜１０ｎｍとするのが好ましい。
この膜厚が１０ｎｍを超えると、光の透過率が５０％以
下になり、発光効率が下がってしまう。
【０００８】また、等電位面を形成する材料としては、
導電性有機物を使用することもできる。それらの例とし
ては、Ｃ60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導
電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシア
ニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等
の導電性有機化合物などが挙げられる。
導電性有機物を使用することもできる。それらの例とし
ては、Ｃ60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導
電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシア
ニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等
の導電性有機化合物などが挙げられる。
【０００９】本発明において、発光ユニットとは、前述
のように、従来の有機ＥＬ素子を構成する要素のうち、
陽極と陰極とを除いた構成要素をさす。従来の有機ＥＬ
素子の構成としては、例えば、（陽極）／発光層／（陰
極）、（陽極）／ホール輸送層／発光層／（陰極）、
（陽極）／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／（陰
極）、（陽極）／ホール注入層／ホール輸送層／発光層
／電子輸送層／電子注入層／（陰極）などが挙げられ
る。本発明による有機ＥＬ素子においては、各発光ユニ
ットが等電位面によって仕切られて、複数個（２個以
上）存在するものであれば、該発光ユニットは、いかな
る積層構造を有していてもよく、発光層、ホール輸送
層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層などに用い
る物質についても、特に制限はなく、従来これらの層の
形成に用いられた任意の物質であってよい。発光層に用
いられる発光材料についても、特に制限はなく、公知の
任意のものが使用され、例えば、各種の蛍光材料、燐光
材料などが挙げられる。
のように、従来の有機ＥＬ素子を構成する要素のうち、
陽極と陰極とを除いた構成要素をさす。従来の有機ＥＬ
素子の構成としては、例えば、（陽極）／発光層／（陰
極）、（陽極）／ホール輸送層／発光層／（陰極）、
（陽極）／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／（陰
極）、（陽極）／ホール注入層／ホール輸送層／発光層
／電子輸送層／電子注入層／（陰極）などが挙げられ
る。本発明による有機ＥＬ素子においては、各発光ユニ
ットが等電位面によって仕切られて、複数個（２個以
上）存在するものであれば、該発光ユニットは、いかな
る積層構造を有していてもよく、発光層、ホール輸送
層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層などに用い
る物質についても、特に制限はなく、従来これらの層の
形成に用いられた任意の物質であってよい。発光層に用
いられる発光材料についても、特に制限はなく、公知の
任意のものが使用され、例えば、各種の蛍光材料、燐光
材料などが挙げられる。
【００１０】陰電極材料としては、一般的には仕事関数
の小さい金属、またそれらを含む合金、金属酸化物等が
用いられることが多い。具体的にはＬｉ等のアルカリ金
属、Ｍｇ、Ｃａ等のアルカリ土類金属、Ｅｕ等の希土類
金属等からなる金属単体、もしくは、これらの金属とＡ
ｌ、Ａｇ、Ｉｎ等との合金などが挙げられる。また、本
発明者らが提案した、陰電極と有機層との界面に金属ド
ーピング有機層を用いる構成（特開平１０−２７０１７
１号公報参照）では、陰電極は導電性材料であれば、そ
の仕事関数等の性質は別段、制限とはならない。また、
同様に本発明者らが特開平１１−２３３２６２号公報及
び特開２０００−１８２７７４号公報に開示した技術を
使用して、例えば、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｙ、Ｓｃ、Ｓｉ
などの金属、もしくはこれらの金属を含有する合金を陰
電極材料として使用することもできる。これらのうち、
特に、配線電極として一般に広く使用されているアルミ
ニウムが好ましい。また、陽極電極材料としては、例え
ば、ＩＴＯ（インジウム・すず酸化物）、ＩＺＯ（イン
ジウム・亜鉛酸化物）などの透明材料を使用する。
の小さい金属、またそれらを含む合金、金属酸化物等が
用いられることが多い。具体的にはＬｉ等のアルカリ金
属、Ｍｇ、Ｃａ等のアルカリ土類金属、Ｅｕ等の希土類
金属等からなる金属単体、もしくは、これらの金属とＡ
ｌ、Ａｇ、Ｉｎ等との合金などが挙げられる。また、本
発明者らが提案した、陰電極と有機層との界面に金属ド
ーピング有機層を用いる構成（特開平１０−２７０１７
１号公報参照）では、陰電極は導電性材料であれば、そ
の仕事関数等の性質は別段、制限とはならない。また、
同様に本発明者らが特開平１１−２３３２６２号公報及
び特開２０００−１８２７７４号公報に開示した技術を
使用して、例えば、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｙ、Ｓｃ、Ｓｉ
などの金属、もしくはこれらの金属を含有する合金を陰
電極材料として使用することもできる。これらのうち、
特に、配線電極として一般に広く使用されているアルミ
ニウムが好ましい。また、陽極電極材料としては、例え
ば、ＩＴＯ（インジウム・すず酸化物）、ＩＺＯ（イン
ジウム・亜鉛酸化物）などの透明材料を使用する。
【００１１】この新しい素子構造を有する本発明の有機
ＥＬ素子は、次の点で従来の有機ＥＬ素子とは大きく異
なる特徴を持つ。まず、従来の有機ＥＬ素子において
は、素子内に注入された電子数と放出された光子数の比
率である量子効率の上限は理論上、１（＝１００％）で
あったが、本発明による有機ＥＬ素子においては、理論
上の限界はない。何故なら図２に示されるホール（ｈ
＋）注入は有機分子の基底状態の分子軌道からの電子の
引き抜きを意味しており、等電位面の陰極側に接する層
の基底状態の分子軌道から引き抜かれた電子は、陽極側
に接する層の励起状態の分子軌道に注入されることで発
光性励起状態を作り出すために再利用されるからであ
る。従って、等電位面として定義された層によって仕切
られた複数個の発光ユニットの量子効率の総和が本発明
の有機ＥＬ素子の量子効率となり、その値に上限は無
い。つまり、本発明の有機ＥＬ素子は、従来の有機ＥＬ
素子が複数個、金属導線によって直列に接続されている
状態と回路的には同一であるが、等電位面が透明な膜構
造であるため、依然として従来の有機ＥＬ素子と同様の
面状発光が可能である。
ＥＬ素子は、次の点で従来の有機ＥＬ素子とは大きく異
なる特徴を持つ。まず、従来の有機ＥＬ素子において
は、素子内に注入された電子数と放出された光子数の比
率である量子効率の上限は理論上、１（＝１００％）で
あったが、本発明による有機ＥＬ素子においては、理論
上の限界はない。何故なら図２に示されるホール（ｈ
＋）注入は有機分子の基底状態の分子軌道からの電子の
引き抜きを意味しており、等電位面の陰極側に接する層
の基底状態の分子軌道から引き抜かれた電子は、陽極側
に接する層の励起状態の分子軌道に注入されることで発
光性励起状態を作り出すために再利用されるからであ
る。従って、等電位面として定義された層によって仕切
られた複数個の発光ユニットの量子効率の総和が本発明
の有機ＥＬ素子の量子効率となり、その値に上限は無
い。つまり、本発明の有機ＥＬ素子は、従来の有機ＥＬ
素子が複数個、金属導線によって直列に接続されている
状態と回路的には同一であるが、等電位面が透明な膜構
造であるため、依然として従来の有機ＥＬ素子と同様の
面状発光が可能である。
【００１２】勿論、本発明の有機ＥＬ素子は、従来の有
機ＥＬ素子が複数個（ｎ個）、直列に接続された構造を
有するため、駆動電圧は各発光ユニットによって消費さ
れる電位降下分（Ｖn）の総和（Ｖ＝Ｖ1＋Ｖ2 ＋……Ｖ
n）であることは、言うまでもない。従って、従来の有
機ＥＬ素子の利点であるとされてきた１０Ｖ以下での低
駆動電圧は、発光ユニットの数（ｎ）が増えれば増える
ほど実現不可能となるのは、本発明の素子においては当
然である。にも拘わらず、本発明の有機ＥＬ素子は、従
来の有機ＥＬ素子と比較していくつかの優位点を有す
る。まず、有機ＥＬ素子の輝度は、電流密度にほぼ比例
するため、高輝度を得ようとすれば、必然的に高い電流
密度が必要である。一方、素子寿命は（駆動電圧ではな
く）電流密度に反比例し、従って高輝度発光は、素子寿
命を短くする。しかしながら、本発明の有機ＥＬ素子
は、例えばｎ倍の輝度を得たい場合は、電極間に存在す
る同一の構成の発光ユニットをｎ個とし、電流密度をほ
ぼ一定に保ったまま実現できる。この時、前述の通り駆
動電圧もｎ倍、もしくはそれ以上になるのは当然である
が、ｎ倍の高輝度が寿命を犠牲にせずに実現できること
の利点は、計り知れない。
機ＥＬ素子が複数個（ｎ個）、直列に接続された構造を
有するため、駆動電圧は各発光ユニットによって消費さ
れる電位降下分（Ｖn）の総和（Ｖ＝Ｖ1＋Ｖ2 ＋……Ｖ
n）であることは、言うまでもない。従って、従来の有
機ＥＬ素子の利点であるとされてきた１０Ｖ以下での低
駆動電圧は、発光ユニットの数（ｎ）が増えれば増える
ほど実現不可能となるのは、本発明の素子においては当
然である。にも拘わらず、本発明の有機ＥＬ素子は、従
来の有機ＥＬ素子と比較していくつかの優位点を有す
る。まず、有機ＥＬ素子の輝度は、電流密度にほぼ比例
するため、高輝度を得ようとすれば、必然的に高い電流
密度が必要である。一方、素子寿命は（駆動電圧ではな
く）電流密度に反比例し、従って高輝度発光は、素子寿
命を短くする。しかしながら、本発明の有機ＥＬ素子
は、例えばｎ倍の輝度を得たい場合は、電極間に存在す
る同一の構成の発光ユニットをｎ個とし、電流密度をほ
ぼ一定に保ったまま実現できる。この時、前述の通り駆
動電圧もｎ倍、もしくはそれ以上になるのは当然である
が、ｎ倍の高輝度が寿命を犠牲にせずに実現できること
の利点は、計り知れない。
【００１３】その他に、例えば、単純マトリクス構造の
表示ディスプレイを応用例とした場合は、電流密度の減
少は、配線抵抗による電圧降下や基板の温度上昇を従来
の場合に比べて大きく低減出来る点で、本発明の素子構
造は有利である。また、発光素子部分の電圧が従来の素
子に比べて高いことは、配線抵抗による電圧降下分が輝
度減少にさほど影響を与えないことを意味し、ただでさ
え配線部分の電圧降下が小さい本発明の素子構造の特徴
と相俟って、従来の素子では不可能であった定電圧制御
による単純マトリクス構造の表示デバイスの実現が可能
であることも意味する。
表示ディスプレイを応用例とした場合は、電流密度の減
少は、配線抵抗による電圧降下や基板の温度上昇を従来
の場合に比べて大きく低減出来る点で、本発明の素子構
造は有利である。また、発光素子部分の電圧が従来の素
子に比べて高いことは、配線抵抗による電圧降下分が輝
度減少にさほど影響を与えないことを意味し、ただでさ
え配線部分の電圧降下が小さい本発明の素子構造の特徴
と相俟って、従来の素子では不可能であった定電圧制御
による単純マトリクス構造の表示デバイスの実現が可能
であることも意味する。
【００１４】
【実施例】図３は、本発明による有機ＥＬ素子の積層構
造を示す略示断面図である。ガラス基板（透明基板）１
上には、順に、陽極電極を構成する透明電極２、発光ユ
ニット３−１、等電位面４−１、発光ユニット３−２、
等電位面４−２、．．．．．、等電位面４−（ｎ−
１）、発光ユニット３−ｎと繰り返され、最後に陰極電
極５が積層されている。これらの要素（層）のうち、ガ
ラス基板（透明基板）１、透明電極２、発光ユニット
（３−ｎ、但しｎ＝１、２、３……）、陰極電極５は周
知の要素であり、等電位面（４−ｎ、但しｎ＝１、２、
３……）によって仕切られた、発光ユニット（３−ｎ、
但しｎ＝１、２、３……）が複数個、両電極間に存在
する点が本発明の有機ＥＬ素子の新しい点である。
造を示す略示断面図である。ガラス基板（透明基板）１
上には、順に、陽極電極を構成する透明電極２、発光ユ
ニット３−１、等電位面４−１、発光ユニット３−２、
等電位面４−２、．．．．．、等電位面４−（ｎ−
１）、発光ユニット３−ｎと繰り返され、最後に陰極電
極５が積層されている。これらの要素（層）のうち、ガ
ラス基板（透明基板）１、透明電極２、発光ユニット
（３−ｎ、但しｎ＝１、２、３……）、陰極電極５は周
知の要素であり、等電位面（４−ｎ、但しｎ＝１、２、
３……）によって仕切られた、発光ユニット（３−ｎ、
但しｎ＝１、２、３……）が複数個、両電極間に存在
する点が本発明の有機ＥＬ素子の新しい点である。
【００１５】また、有機ＥＬ素子は、電極材料の持つ性
質の一つである仕事関数が素子の特性（駆動電圧等）を
左右するといわれている。本発明の有機ＥＬ素子におけ
る等電位面（４−ｎ）は、陽極電極方向に電子、陰極電
極方向にホールを注入しているため、上記の発光ユニッ
トの構成要素のうち特に電子注入（輸送）層とホール注
入（輸送）層の形成法は、各発光ユニットへの電荷（電
子及びホール）注入に際しての、エネルギー障壁を低減
するためには重要な要素となる。
質の一つである仕事関数が素子の特性（駆動電圧等）を
左右するといわれている。本発明の有機ＥＬ素子におけ
る等電位面（４−ｎ）は、陽極電極方向に電子、陰極電
極方向にホールを注入しているため、上記の発光ユニッ
トの構成要素のうち特に電子注入（輸送）層とホール注
入（輸送）層の形成法は、各発光ユニットへの電荷（電
子及びホール）注入に際しての、エネルギー障壁を低減
するためには重要な要素となる。
【００１６】例えば、各等電位面（４−ｎ）から陽電極
側に電子注入をする際には、特開平１０−２７０１７１
号公報に開示されているように、発光ユニットを、等電
位面の陽極側に接する層として、有機化合物と電子供与
性（ドナー）ドーパントとして機能する金属との混合層
からなる電子注入層を有する構成とするのが好ましい。
ここで、ドナードーパントは、仕事関数が４．２ｅＶ以
下のアルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属の
うちから選択された１種以上の金属からなるのが好まし
い。これらの金属の詳細については、特開平１０−２７
０１７１号公報に記載されている。また、上記の電子注
入層中のドナードーパント金属のモル比率は、有機化合
物に対して０．１〜１０であるのが好ましい。このモル
比率が０．１未満では、ドーパントにより還元された分
子（以下、還元分子）の濃度が低過ぎ、ドーピング効果
が小さく、１０倍を超えると、膜中のドーパント濃度が
有機分子濃度をはるかに超え、還元分子の膜中濃度が極
端に低下するので、ドーピングの効果も下がってしま
う。上記のような電子注入層を有する構成の発光ユニッ
トとすることにより、等電位面を形成する材料の仕事関
数に拘わらず、エネルギー障壁のない、電子注入が実現
される。
側に電子注入をする際には、特開平１０−２７０１７１
号公報に開示されているように、発光ユニットを、等電
位面の陽極側に接する層として、有機化合物と電子供与
性（ドナー）ドーパントとして機能する金属との混合層
からなる電子注入層を有する構成とするのが好ましい。
ここで、ドナードーパントは、仕事関数が４．２ｅＶ以
下のアルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属の
うちから選択された１種以上の金属からなるのが好まし
い。これらの金属の詳細については、特開平１０−２７
０１７１号公報に記載されている。また、上記の電子注
入層中のドナードーパント金属のモル比率は、有機化合
物に対して０．１〜１０であるのが好ましい。このモル
比率が０．１未満では、ドーパントにより還元された分
子（以下、還元分子）の濃度が低過ぎ、ドーピング効果
が小さく、１０倍を超えると、膜中のドーパント濃度が
有機分子濃度をはるかに超え、還元分子の膜中濃度が極
端に低下するので、ドーピングの効果も下がってしま
う。上記のような電子注入層を有する構成の発光ユニッ
トとすることにより、等電位面を形成する材料の仕事関
数に拘わらず、エネルギー障壁のない、電子注入が実現
される。
【００１７】また、発光ユニットは、等電位面の陽極側
に接する層として、アルカリ金属、アルカリ土類金属及
び希土類金属のうちから選択される金属からなる膜厚が
５ｎｍ以下、好ましくは０．２〜５ｎｍの層からなる電
子注入層を有する構成であってもよい。この膜厚が５ｎ
ｍを超えると、光の透過率が減少してしまうと同時に、
反応性が高く、空気中で不安定な該金属が過剰に存在す
ることで、素子を不安定にすることも知られているので
好ましくない。さらに、特開平１１−２３３２６２号公
報及び特開２０００−１８２７７４号公報に記載の「有
機金属錯体（該錯体化合物中の金属イオンは、アルカリ
金属、アルカリ土類金属、希土類金属等の低仕事関数金
属から選択される）と該有機金属錯体中の金属イオンを
真空中で金属に還元する金属との組み合わせ」からなる
電子注入層を採用し、使用する還元金属（Ａｌ、Ｚｒ、
Ｓｉ、Ｔｉ等）の膜厚を透明性を確保出来る程度に極薄
にして、電子注入層としてもよい。
に接する層として、アルカリ金属、アルカリ土類金属及
び希土類金属のうちから選択される金属からなる膜厚が
５ｎｍ以下、好ましくは０．２〜５ｎｍの層からなる電
子注入層を有する構成であってもよい。この膜厚が５ｎ
ｍを超えると、光の透過率が減少してしまうと同時に、
反応性が高く、空気中で不安定な該金属が過剰に存在す
ることで、素子を不安定にすることも知られているので
好ましくない。さらに、特開平１１−２３３２６２号公
報及び特開２０００−１８２７７４号公報に記載の「有
機金属錯体（該錯体化合物中の金属イオンは、アルカリ
金属、アルカリ土類金属、希土類金属等の低仕事関数金
属から選択される）と該有機金属錯体中の金属イオンを
真空中で金属に還元する金属との組み合わせ」からなる
電子注入層を採用し、使用する還元金属（Ａｌ、Ｚｒ、
Ｓｉ、Ｔｉ等）の膜厚を透明性を確保出来る程度に極薄
にして、電子注入層としてもよい。
【００１８】また例えば、各等電位面（４−ｎ）から陰
電極側にホール注入する際には、本発明者らが特開平１
１−２５１０６７号公報において提案した有機物をルイ
ス酸化学的に酸化しうる性質を有する電子受容性化合物
（ルイス酸化合物）がドープされたホール注入層を等電
位面の陰極側に接触する層として形成しておくと、等電
位面（４−ｎ）を形成する材料の仕事関数に拘わらず、
エネルギー障壁のない、ホール注入を実現することがで
きる。さらに、透明性を確保出来る極薄の電子受容性化
合物（ルイス酸化合物）層を形成して、ホール注入層と
してもよい。この場合、膜厚は３０ｎｍ以下とするのが
好ましく、０．５〜３０ｎｍの範囲とするのが好まし
い。膜厚が３０ｎｍを超えると、光の透過率が減少して
しまうと同時に、反応性が高く、空気中で不安定な該ル
イス酸化合物が過剰に存在することで、素子を不安定に
することも知られているので、好ましくない。
電極側にホール注入する際には、本発明者らが特開平１
１−２５１０６７号公報において提案した有機物をルイ
ス酸化学的に酸化しうる性質を有する電子受容性化合物
（ルイス酸化合物）がドープされたホール注入層を等電
位面の陰極側に接触する層として形成しておくと、等電
位面（４−ｎ）を形成する材料の仕事関数に拘わらず、
エネルギー障壁のない、ホール注入を実現することがで
きる。さらに、透明性を確保出来る極薄の電子受容性化
合物（ルイス酸化合物）層を形成して、ホール注入層と
してもよい。この場合、膜厚は３０ｎｍ以下とするのが
好ましく、０．５〜３０ｎｍの範囲とするのが好まし
い。膜厚が３０ｎｍを超えると、光の透過率が減少して
しまうと同時に、反応性が高く、空気中で不安定な該ル
イス酸化合物が過剰に存在することで、素子を不安定に
することも知られているので、好ましくない。
【００１９】電子受容性化合物（ルイス酸化合物）とし
ては、特に制限はないが、例えば、塩化第２鉄、 臭化
第２鉄、 ヨウ化第２鉄、塩化アルミニウム、臭化アル
ミニウム、 ヨウ化アルミニウム、塩化ガリウム、臭化
ガリウム、ヨウ化ガリウム、塩化インジウム、臭化イン
ジウム、ヨウ化インジウム、５塩化アンチモン、５フッ
化砒素、３フッ化硼素等の無機化合物や、ＤＤＱ（ジシ
アノ−ジクロロキノン）、ＴＮＦ（トリニトロフルオレ
ノン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、４Ｆ
−ＴＣＮＱ（テトラフルオロ−テトラシアノキノジメタ
ン等の有機化合物を使用することができる。ホール注入
層中の有機化合物と電子受容性化合物（ドーパント化合
物）のモル比率は、有機化合物に対して０．１〜１０の
範囲であるのが好ましい。ドーパントの比率が０．１未
満であるとドーパントにより酸化された分子（以下、酸
化分子と称することがある）の濃度が低過ぎ、ドーピン
グの効果が小さく、１０倍を超えると、膜中のドーパン
ト濃度が有機分子濃度をはるかに超え、酸化分子の膜中
濃度が極端に低下するので、ドーピングの効果も下が
る。
ては、特に制限はないが、例えば、塩化第２鉄、 臭化
第２鉄、 ヨウ化第２鉄、塩化アルミニウム、臭化アル
ミニウム、 ヨウ化アルミニウム、塩化ガリウム、臭化
ガリウム、ヨウ化ガリウム、塩化インジウム、臭化イン
ジウム、ヨウ化インジウム、５塩化アンチモン、５フッ
化砒素、３フッ化硼素等の無機化合物や、ＤＤＱ（ジシ
アノ−ジクロロキノン）、ＴＮＦ（トリニトロフルオレ
ノン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、４Ｆ
−ＴＣＮＱ（テトラフルオロ−テトラシアノキノジメタ
ン等の有機化合物を使用することができる。ホール注入
層中の有機化合物と電子受容性化合物（ドーパント化合
物）のモル比率は、有機化合物に対して０．１〜１０の
範囲であるのが好ましい。ドーパントの比率が０．１未
満であるとドーパントにより酸化された分子（以下、酸
化分子と称することがある）の濃度が低過ぎ、ドーピン
グの効果が小さく、１０倍を超えると、膜中のドーパン
ト濃度が有機分子濃度をはるかに超え、酸化分子の膜中
濃度が極端に低下するので、ドーピングの効果も下が
る。
【００２０】本発明に用いる発光ユニットにおいて、陰
極や陽極に直接接している層に関しては、それぞれ等電
位面の陽極側に接する層、等電位面の陰極側に接する層
と同一構成にしてもよいし、組成の異なる電子注入層や
ホール注入層を使用することもできる。もちろん、従来
の有機ＥＬ素子に使用されてきた電子注入層やホール注
入層をそのまま好適に使用することができる。
極や陽極に直接接している層に関しては、それぞれ等電
位面の陽極側に接する層、等電位面の陰極側に接する層
と同一構成にしてもよいし、組成の異なる電子注入層や
ホール注入層を使用することもできる。もちろん、従来
の有機ＥＬ素子に使用されてきた電子注入層やホール注
入層をそのまま好適に使用することができる。
【００２１】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。なお、有機化合物、金属及び透明導電膜の成膜に
は、日本ビーテック製真空蒸着機及びＦＴＳコーポレー
ション製ＮＦＴＳスパッタリング装置を使用した。膜厚
の測定には、テンコール社製Ｐ１０触針式段差計を用い
た。素子の特性評価には、ケースレー（keithley）社ソ
ースメータ２４００、トプコンＢＭ−８輝度計を使用し
た。素子のＩＴＯを陽極、Ａｌを陰極として直流電圧を
０．２Ｖ／２秒の割合でステップ状に印加し、電圧上昇
１秒後の輝度及び電流値を測定した。また、ＥＬスペク
トルは、浜松ホトニクスＰＭＡ−１１オプチカルマルチ
チャンネルアナライザーを使用して定電流駆動し測定し
た。
説明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。なお、有機化合物、金属及び透明導電膜の成膜に
は、日本ビーテック製真空蒸着機及びＦＴＳコーポレー
ション製ＮＦＴＳスパッタリング装置を使用した。膜厚
の測定には、テンコール社製Ｐ１０触針式段差計を用い
た。素子の特性評価には、ケースレー（keithley）社ソ
ースメータ２４００、トプコンＢＭ−８輝度計を使用し
た。素子のＩＴＯを陽極、Ａｌを陰極として直流電圧を
０．２Ｖ／２秒の割合でステップ状に印加し、電圧上昇
１秒後の輝度及び電流値を測定した。また、ＥＬスペク
トルは、浜松ホトニクスＰＭＡ−１１オプチカルマルチ
チャンネルアナライザーを使用して定電流駆動し測定し
た。
【００２２】基準例（従来の有機ＥＬ素子の作製例）
図４に示した積層構造を有する従来の有機ＥＬ素子を下
記のようにして作製した。ガラス基板１上には、陽極透
明電極２として、シート抵抗２０Ω／□のＩＴＯ（イン
ジウム・すず酸化物、三容真空社製スパッタ蒸着品）が
所定パターンにコートされている〔図９の（ａ）参
照〕。その上に有機物成膜用金属マスク〔図９の
（ｂ）〕を介して正孔輸送性を有する下記式（１）：
記のようにして作製した。ガラス基板１上には、陽極透
明電極２として、シート抵抗２０Ω／□のＩＴＯ（イン
ジウム・すず酸化物、三容真空社製スパッタ蒸着品）が
所定パターンにコートされている〔図９の（ａ）参
照〕。その上に有機物成膜用金属マスク〔図９の
（ｂ）〕を介して正孔輸送性を有する下記式（１）：
【化１】
で表されるαＮＰＤを１０-6torr下で、２Å／秒の蒸着
速度で６００Åの厚さに成膜し、ホール輸送層６を形成
した。
速度で６００Åの厚さに成膜し、ホール輸送層６を形成
した。
【００２３】次に、前記ホール輸送層の上に、発光層７
として下記式（２）：
として下記式（２）：
【化２】
で表されるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯
体（以下、Alqと略記することがある）と、緑色発光蛍
光色素であるクマリン誘導体〔商品名：ＮＫＸ−１５９
５）（日本感光色素社製）〕を、この蛍光色素が１重量
％の濃度となるように各々の蒸着速度を調整して４００
Åの厚さに成膜した。
体（以下、Alqと略記することがある）と、緑色発光蛍
光色素であるクマリン誘導体〔商品名：ＮＫＸ−１５９
５）（日本感光色素社製）〕を、この蛍光色素が１重量
％の濃度となるように各々の蒸着速度を調整して４００
Åの厚さに成膜した。
【００２４】次に、前記発光層７の上に特開平１０−２
７０１７１号公報に記載の金属ドーピング電子注入層８
として、下記式（３）：
７０１７１号公報に記載の金属ドーピング電子注入層８
として、下記式（３）：
【化３】
で示されるバソクプロインと金属セシウム（Cs）をモル
比で１：１となるように各々の蒸着速度を調整して３０
０Åの厚さに成膜した。
比で１：１となるように各々の蒸着速度を調整して３０
０Åの厚さに成膜した。
【００２５】次に、陰極電極５として陰極成膜用金属マ
スク〔図９の（ｄ）参照〕を介してＡｌを蒸着速度１０
Å／秒で１０００Åの厚さ蒸着した。この工程によって
発光領域は縦０．２ｃｍ、横０．２ｃｍの正方形状とな
る。この有機ＥＬ素子において、陽極電極であるＩＴＯ
と陰極電極であるＡｌとの間に、直流電圧を印加し、発
光層（Alq：ＮＫＸ−１５９５の共蒸着層）からの緑色
発光の諸特性を測定した。図５、図６、図７及び図８中
の○プロットは、この素子（基準例）の輝度（cd／
ｍ2 )−電圧（Ｖ）特性、輝度（cd／ｍ2 )−電流密度
（mA／ｍ2 )特性、輝度（cd／ｍ2 )−電流効率（cd／
Ａ)、電流密度（mA/ｃｍ2 )−電流効率（cd／Ａ）を示
すものである。また、代表的輝度値での諸特性を表１に
まとめた。
スク〔図９の（ｄ）参照〕を介してＡｌを蒸着速度１０
Å／秒で１０００Åの厚さ蒸着した。この工程によって
発光領域は縦０．２ｃｍ、横０．２ｃｍの正方形状とな
る。この有機ＥＬ素子において、陽極電極であるＩＴＯ
と陰極電極であるＡｌとの間に、直流電圧を印加し、発
光層（Alq：ＮＫＸ−１５９５の共蒸着層）からの緑色
発光の諸特性を測定した。図５、図６、図７及び図８中
の○プロットは、この素子（基準例）の輝度（cd／
ｍ2 )−電圧（Ｖ）特性、輝度（cd／ｍ2 )−電流密度
（mA／ｍ2 )特性、輝度（cd／ｍ2 )−電流効率（cd／
Ａ)、電流密度（mA/ｃｍ2 )−電流効率（cd／Ａ）を示
すものである。また、代表的輝度値での諸特性を表１に
まとめた。
【００２６】
【表１】
【００２７】実施例１
基準例と同じく、図９の（ａ）に示した所定パターンに
コートされているＩＴＯ上に有機物成膜用金属マスク
〔図９の（ｂ）〕を介して、発光ユニット３−１を成膜
した。すなわち、αＮＰＤを６００Å、Alq：ＮＫＸ−
１５９５＝１００：１の層を４００Å、バソクプロイン
と金属セシウム（Cs）の混合層を３００Åの厚さに順次
成膜した。次に、前記金属ドーピング層の上に等電位面
４−１として、ＩＴＯを本発明者らが特願２００１−１
４２６７２号で提案したスパッタリングの手法を用い
て、成膜速度４Å／秒で１００Åの厚さに成膜した。こ
の層（等電位面）は発光エリアと一致する様、縦０．２
ｃｍ、横０．２ｃｍの正方形状のみに成膜するため、金
属マスク〔図９の（ｃ）〕を用いて成膜した。次に、有
機物成膜用金属マスク（図９の（ｂ））にもどして前述
の工程をもう一度繰り返し発光ユニット３−２を成膜し
た。すなわち、αＮＰＤを６００Å、Alq：NKX-1595＝
１００：１の層を４００Å、バソクプロインと金属セシ
ウム（Cs）の混合層を３００Åの厚さに、順次成膜し
た。最後に、陰極電極５として陰極成膜用金属マスク
〔図９の（ｄ）〕を介して、Ａｌを蒸着速度１０Å／秒
で１０００Åの厚さに蒸着し、図９の（ｅ）に示したパ
ターンを有する有機ＥＬ素子を得た。該工程によって発
光領域は縦０．２ｃｍ、横０．２cmの正方形状とした。
この実施例１で得られた有機ＥＬ素子の鳥瞰図を図１１
に、積層構造を図１２に示す。この有機EL素子におい
て、陽極電極であるＩＴＯと陰極電極であるＡｌとの間
に、直流電圧を印加し、発光層（Alq：NKX-1595の共蒸
着層）からの緑色発光の諸特性を測定した。図５、図
６、 図７、図８中の□プロットは、この素子（実施例
１）の輝度（cd／ｍ2 )−電圧（Ｖ）特性、輝度（cd／
ｍ2 )−電流密度（mA／ｍ2 )特性、輝度（cd／ｍ2 )−
電流効率（cd／Ａ)、電流密度（mA/ｃｍ2 )−電流効率
（cd／Ａ）を示すものである。また、この実施例１で作
製した素子の代表的輝度値での諸特性を表２にまとめ
た。
コートされているＩＴＯ上に有機物成膜用金属マスク
〔図９の（ｂ）〕を介して、発光ユニット３−１を成膜
した。すなわち、αＮＰＤを６００Å、Alq：ＮＫＸ−
１５９５＝１００：１の層を４００Å、バソクプロイン
と金属セシウム（Cs）の混合層を３００Åの厚さに順次
成膜した。次に、前記金属ドーピング層の上に等電位面
４−１として、ＩＴＯを本発明者らが特願２００１−１
４２６７２号で提案したスパッタリングの手法を用い
て、成膜速度４Å／秒で１００Åの厚さに成膜した。こ
の層（等電位面）は発光エリアと一致する様、縦０．２
ｃｍ、横０．２ｃｍの正方形状のみに成膜するため、金
属マスク〔図９の（ｃ）〕を用いて成膜した。次に、有
機物成膜用金属マスク（図９の（ｂ））にもどして前述
の工程をもう一度繰り返し発光ユニット３−２を成膜し
た。すなわち、αＮＰＤを６００Å、Alq：NKX-1595＝
１００：１の層を４００Å、バソクプロインと金属セシ
ウム（Cs）の混合層を３００Åの厚さに、順次成膜し
た。最後に、陰極電極５として陰極成膜用金属マスク
〔図９の（ｄ）〕を介して、Ａｌを蒸着速度１０Å／秒
で１０００Åの厚さに蒸着し、図９の（ｅ）に示したパ
ターンを有する有機ＥＬ素子を得た。該工程によって発
光領域は縦０．２ｃｍ、横０．２cmの正方形状とした。
この実施例１で得られた有機ＥＬ素子の鳥瞰図を図１１
に、積層構造を図１２に示す。この有機EL素子におい
て、陽極電極であるＩＴＯと陰極電極であるＡｌとの間
に、直流電圧を印加し、発光層（Alq：NKX-1595の共蒸
着層）からの緑色発光の諸特性を測定した。図５、図
６、 図７、図８中の□プロットは、この素子（実施例
１）の輝度（cd／ｍ2 )−電圧（Ｖ）特性、輝度（cd／
ｍ2 )−電流密度（mA／ｍ2 )特性、輝度（cd／ｍ2 )−
電流効率（cd／Ａ)、電流密度（mA/ｃｍ2 )−電流効率
（cd／Ａ）を示すものである。また、この実施例１で作
製した素子の代表的輝度値での諸特性を表２にまとめ
た。
【００２８】
【表２】
【００２９】この様に発光ユニットが等電位面によって
仕切られて２個存在するこの有機ＥＬ素子は、基準例の
有機EL素子と比べて、ほぼ同輝度での電流効率（ひいて
は量子効率）を比較すると、ほぼ２倍の値を示した。ま
た、発光スペクトルを観察すると、ＮＫＸ−１５９５の
蛍光スペクトルとほぼ一致したが、スペクトルの半値幅
が基準例と比較して若干細くなった（図１０参照）の
は、２つの発光ユニットの内、最初に成膜した発光ユニ
ット３−１からの発光が陰極で反射され、その陰極での
反射光と、直接基板方向に放射された発光との位相がほ
ぼ一致したための、干渉効果によると考えられる。
仕切られて２個存在するこの有機ＥＬ素子は、基準例の
有機EL素子と比べて、ほぼ同輝度での電流効率（ひいて
は量子効率）を比較すると、ほぼ２倍の値を示した。ま
た、発光スペクトルを観察すると、ＮＫＸ−１５９５の
蛍光スペクトルとほぼ一致したが、スペクトルの半値幅
が基準例と比較して若干細くなった（図１０参照）の
は、２つの発光ユニットの内、最初に成膜した発光ユニ
ット３−１からの発光が陰極で反射され、その陰極での
反射光と、直接基板方向に放射された発光との位相がほ
ぼ一致したための、干渉効果によると考えられる。
【００３０】
【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子は、電極間に複数
の発光ユニットを等電位面で仕切って配置することで、
電流密度を一定に保ったまま、従来の有機ＥＬ素子では
実現し得なかった高輝度領域での長寿命素子が実現可能
であり、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗に
よる電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光
が可能となり、さらに、単純マトリクス構造の表示ディ
スプレイを応用例とした場合は、やはり、配線抵抗によ
る電圧降下や基板の温度上昇を大きく低減出来るので、
従来の素子では不可能と思われていた大面積単純マトリ
クス表示ディスプレイも実現可能となる。
の発光ユニットを等電位面で仕切って配置することで、
電流密度を一定に保ったまま、従来の有機ＥＬ素子では
実現し得なかった高輝度領域での長寿命素子が実現可能
であり、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗に
よる電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光
が可能となり、さらに、単純マトリクス構造の表示ディ
スプレイを応用例とした場合は、やはり、配線抵抗によ
る電圧降下や基板の温度上昇を大きく低減出来るので、
従来の素子では不可能と思われていた大面積単純マトリ
クス表示ディスプレイも実現可能となる。
【図１】従来の有機ＥＬ素子の動作機構を示す説明図で
ある。
ある。
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の動作機構を示す説明図
である。
である。
【図３】本発明の有機ＥＬ素子の積層構造を示す略示断
面図である。
面図である。
【図４】従来の有機ＥＬ素子の積層構造を示す略示断面
図である。
図である。
【図５】基準例と本発明の実施例１で作製した有機ＥＬ
素子の駆動電圧−輝度特性を示すグラフである。
素子の駆動電圧−輝度特性を示すグラフである。
【図６】基準例と本発明の実施例１で作製した有機ＥＬ
素子の駆動電圧−電流密度特性を示すグラフである。
素子の駆動電圧−電流密度特性を示すグラフである。
【図７】基準例と本発明の実施例１で作製した有機ＥＬ
素子の輝度−電流効率特性を示すグラフである。
素子の輝度−電流効率特性を示すグラフである。
【図８】基準例と本発明の実施例１で作製した有機ＥＬ
素子の電流密度−電流効率特性を示すグラフである。
素子の電流密度−電流効率特性を示すグラフである。
【図９】本発明の有機ＥＬ素子の製造工程図である。
【図１０】基準例と本発明の実施例１で作製した有機Ｅ
Ｌ素子の発光スペクトル図である。
Ｌ素子の発光スペクトル図である。
【図１１】本発明の有機ＥＬ素子の断面構造を表す鳥瞰
図である。
図である。
【図１２】実施例１で作製した有機ＥＬ素子の積層構造
を示す略示断面図である。
を示す略示断面図である。
１ 透明基板
２ 透明陽極電極
３−１ 発光ユニット
３−２ 発光ユニット
３−ｎ 発光ユニット
４−１ 等電位面
４−２ 等電位面
４−ｎ 等電位面
５ 陰極電極
６ ホール輸送層
７ 発光層
８ 電子注入層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/26 Ｈ０５Ｂ 33/26 Ａ
(72)発明者 水上 時雄
神奈川県藤沢市桐原町３番地 株式会社ア
イメス内
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB11 BA05 CA01
CB01 CB03 CC00 DA01 DB03
EB00
Claims (16)
- 【請求項１】 対向する陽極電極と陰極電極の間に複数
個の発光ユニットを有し、各発光ユニットがそれぞれ１
層の等電位面を形成する層によって仕切られていること
を特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の素子において、等電位面
を形成する層が可視光の透過率５０％以上の透明導電材
料からなる有機エレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項３】 請求項１記載の素子において、等電位面
を形成する層が可視光の透過率５０％以上の金属又は合
金からなる膜厚１０ｎｍ以下の層である有機エレクトロ
ルミネッセント素子。 - 【請求項４】 請求項１記載の素子において、等電位面
を形成する層が有機物からなる有機エレクトロルミネッ
セント素子。 - 【請求項５】 請求項１記載の素子において、発光ユニ
ットが、等電位面の陽極側に接する層として、有機化合
物と電子供与性ドーパントとして機能する金属との混合
層からなる電子注入層を有する有機エレクトロルミネッ
セント素子。 - 【請求項６】 請求項５記載の素子において、電子供与
性ドーパントが、仕事関数が４．２ｅＶ以下のアルカリ
金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のうちから選択
された１種以上の金属からなる有機エレクトロルミネッ
セント素子。 - 【請求項７】 請求項５又は６記載の素子において、電
子注入層中の電子供与性ドーパント金属のモル比率が、
有機化合物に対して０．１〜１０である有機エレクトロ
ルミネッセント素子。 - 【請求項８】 請求項１記載の素子において、発光ユニ
ットが、等電位面の陽極側に接する層として、アルカリ
金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のうちから選択
される金属からなる膜厚が５ｎｍ以下の層からなる電子
注入層を有する有機エレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項９】 請求項１記載の素子において、発光ユニ
ットが、等電位面の陽極側に接する層として、アルカリ
金属イオン、アルカリ土類金属イオン及び希土類金属イ
オンのうちの少なくとも１種を含有する有機金属錯体化
合物に含有される金属イオンを真空中において金属に還
元しうる金属で還元して生成した金属と有機化合物とか
らなる電子注入層を有する有機エレクトロルミネッセン
ト素子。 - 【請求項１０】 請求項１記載の素子において、発光ユ
ニットが、等電位面の陰極側に接する層として、有機化
合物と、該有機物をルイス酸化学的に酸化しうる性質を
有する電子受容性化合物とを混合してなるホール注入層
を有する有機エレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の素子において、ホー
ル注入層中の有機物をルイス酸化学的に酸化しうる性質
を有する電子受容性化合物のモル比率が、有機化合物に
対して０．１〜１０である有機エレクトロルミネッセン
ト素子。 - 【請求項１２】 請求項１記載の素子において、発光ユ
ニットが、等電位面の陰極側に接する層として、電子受
容性化合物からなる膜厚３０ｎｍ以下のホール注入層を
有する有機エレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項１３】 請求項１０〜１２のいずれか１項に記
載の素子において、電子受容性化合物が無機ルイス酸化
合物又は有機化合物である有機エレクトロルミネッセン
ト素子。 - 【請求項１４】 請求項１記載の素子において、複数の
発光ユニットが互いに異なる発光スペクトルを有する有
機エレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項１５】 請求項１記載の素子において、各発光
ユニットからの発光の重ね合わせによって発光色が白色
である有機エレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項１６】 請求項１記載の素子において、複数の
発光ユニットのうち少なくとも一つの発光ユニットが燐
光発光材料を含む発光層を有する有機エレクトロルミネ
ッセント素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001225847A JP4611578B2 (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001225847A JP4611578B2 (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003045676A true JP2003045676A (ja) | 2003-02-14 |
| JP4611578B2 JP4611578B2 (ja) | 2011-01-12 |
Family
ID=19058770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001225847A Expired - Lifetime JP4611578B2 (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4611578B2 (ja) |
Cited By (123)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11329748A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置 |
| JP2003264085A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-09-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池 |
| JP2004039617A (ja) * | 2002-02-15 | 2004-02-05 | Eastman Kodak Co | スタック型有機電場発光デバイス |
| JP2004281274A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機発光素子および発光装置 |
| WO2004095892A1 (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
| JP2004327432A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
| JP2004342614A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Eastman Kodak Co | カスケード式有機電場発光デバイス |
| WO2005006460A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element |
| WO2005020643A1 (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 有機デバイス用電極およびそれを有する電子機器 |
| WO2005076753A3 (ja) * | 2004-02-18 | 2005-10-06 | Sony Corp | 表示素子 |
| WO2005107330A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and method of manufacturing the same, and light-emitting device using the light-emitting element |
| WO2005115059A1 (en) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the element |
| JP2005339823A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Sony Corp | 表示素子 |
| JP2006005340A (ja) * | 2004-05-20 | 2006-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
| US7045955B2 (en) | 2002-08-09 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence element and a light emitting device using the same |
| US7057209B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same and manufacturing apparatus therefor |
| WO2006091560A1 (en) | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Eastman Kodak Company | Tandem oled having an organic intermediate connector |
| US7126267B2 (en) | 2004-05-28 | 2006-10-24 | Eastman Kodak Company | Tandem OLED having stable intermediate connectors |
| JP2006302506A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| JP2006302870A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-11-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JPWO2005027587A1 (ja) * | 2003-08-25 | 2006-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機デバイス用電極、有機デバイス用電極を有する電子機器、および有機デバイス用電極の形成方法 |
| JP2006332048A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 積層型ｏｌｅｄ用中間電極 |
| JP2006344606A (ja) * | 2006-07-31 | 2006-12-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置 |
| US7158161B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element |
| WO2007011132A1 (en) * | 2005-07-15 | 2007-01-25 | Lg Chem.Ltd. | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2007027141A (ja) * | 2001-12-05 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体素子の作製方法 |
| JP2007059124A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 表示装置 |
| US7199521B2 (en) | 2003-01-29 | 2007-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence device |
| WO2007052432A1 (ja) | 2005-10-31 | 2007-05-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機ｅｌ発光装置 |
| KR100730190B1 (ko) | 2005-12-20 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 소자 및 이의 제조방법 |
| US7239081B2 (en) | 2002-08-09 | 2007-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| JPWO2005009087A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2007-09-20 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |
| JP2007242733A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
| US7273663B2 (en) | 2004-08-20 | 2007-09-25 | Eastman Kodak Company | White OLED having multiple white electroluminescence units |
| US7291969B2 (en) | 2002-08-09 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| JP2007533073A (ja) * | 2004-04-09 | 2007-11-15 | エルジー・ケム・リミテッド | 高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 |
| WO2007132678A1 (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2007132965A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Cheong-A Baek | High brightness electro luminescence device and method for manufacturing thereof |
| US7301278B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-11-27 | Tohoku Pioneer Corporation | Organic EL element and method of forming the same |
| US7332860B2 (en) | 2006-03-30 | 2008-02-19 | Eastman Kodak Company | Efficient white-light OLED display with filters |
| JP2008171832A (ja) * | 2001-12-05 | 2008-07-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法 |
| EP2031037A1 (en) | 2007-08-29 | 2009-03-04 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
| EP2036907A1 (en) | 2007-09-14 | 2009-03-18 | FUJIFILM Corporation | Organic electroluminescence device |
| US7528418B2 (en) | 2006-02-24 | 2009-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7535440B2 (en) | 2002-04-09 | 2009-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| EP2061087A2 (en) | 2007-11-15 | 2009-05-20 | FUJIFILM Corporation | Thin film field effect transistor and display using the same |
| EP2061086A2 (en) | 2007-11-15 | 2009-05-20 | FUJIFILM Corporation | Thin film field effect transistor and display using the same |
| US7560862B2 (en) | 2004-10-22 | 2009-07-14 | Eastman Kodak Company | White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit |
| EP2096690A2 (en) | 2008-02-28 | 2009-09-02 | FUJIFILM Corporation | Organic electroluminescence device |
| EP2105967A1 (en) | 2008-03-24 | 2009-09-30 | FUJIFILM Corporation | Thin film field effect transistor and display |
| US7598670B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| EP2112213A2 (en) | 2008-04-22 | 2009-10-28 | FUJIFILM Corporation | Organic electroluminescence device, novel platinum complex compound and novel compound capable of being a ligand thereof |
| US7656084B2 (en) | 2004-03-03 | 2010-02-02 | Seiko Epson Corporation | Method of producing laminated type organic electroluminescent element and display apparatus |
| US7663309B2 (en) | 2006-09-28 | 2010-02-16 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element having plurality of light emitting layers with specific thicknesses |
| US7692380B2 (en) | 2002-04-05 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device including plural barriers |
| US7750561B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-07-06 | Lg Display Co., Ltd. | Stacked OLED structure |
| EP2214223A2 (en) | 2009-02-03 | 2010-08-04 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence display device |
| US7777407B2 (en) | 2005-05-04 | 2010-08-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer |
| WO2010093062A1 (en) | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device, and method for producing the same |
| EP2226867A2 (en) | 2009-03-05 | 2010-09-08 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
| US7795806B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-09-14 | Lg Display Co., Ltd. | Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML) |
| US7804245B2 (en) | 2008-01-24 | 2010-09-28 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved brightness uniformity |
| WO2010114749A1 (en) | 2009-04-03 | 2010-10-07 | Global Oled Technology Llc | Tandem white oled with efficient electron transfer |
| US7811679B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-10-12 | Lg Display Co., Ltd. | Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers |
| US7816859B2 (en) | 2007-04-30 | 2010-10-19 | Global Oled Technology Llc | White light tandem OLED |
| US7821201B2 (en) | 2008-01-31 | 2010-10-26 | Global Oled Technology Llc | Tandem OLED device with intermediate connector |
| EP2254390A1 (en) | 2004-03-26 | 2010-11-24 | Panasonic Electric Works Co., Ltd | Organic light emitting element |
| US7862906B2 (en) | 2003-04-09 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent element and light-emitting device |
| JP2011014548A (ja) * | 2004-05-20 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
| WO2011010696A1 (ja) | 2009-07-23 | 2011-01-27 | 株式会社カネカ | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| WO2011030620A1 (en) | 2009-09-09 | 2011-03-17 | Fujifilm Corporation | Organic el device optical member and organic el device |
| WO2011030882A1 (en) | 2009-09-14 | 2011-03-17 | Fujifilm Corporation | Color filter and light-emitting display element |
| WO2011030883A1 (en) | 2009-09-14 | 2011-03-17 | Fujifilm Corporation | Color filter and light-emitting display element |
| US7919783B2 (en) | 2006-11-30 | 2011-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device employing the same |
| US7943244B2 (en) | 2005-05-20 | 2011-05-17 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with metal-organic mixed layer anodes |
| US7948165B2 (en) | 2007-05-09 | 2011-05-24 | Global Oled Technology Llc | High-performance tandem white OLED |
| US7951421B2 (en) | 2006-04-20 | 2011-05-31 | Global Oled Technology Llc | Vapor deposition of a layer |
| US7955719B2 (en) | 2008-01-30 | 2011-06-07 | Global Oled Technology Llc | Tandem OLED device with intermediate connector |
| US7977872B2 (en) | 2008-09-16 | 2011-07-12 | Global Oled Technology Llc | High-color-temperature tandem white OLED |
| US8026531B2 (en) | 2005-03-22 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8057916B2 (en) | 2005-04-20 | 2011-11-15 | Global Oled Technology, Llc. | OLED device with improved performance |
| US8154192B2 (en) | 2005-10-17 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
| US8183559B2 (en) | 2002-05-21 | 2012-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
| JP2012160476A (ja) * | 2004-07-16 | 2012-08-23 | Konica Minolta Holdings Inc | 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示素子及び照明装置 |
| US8487527B2 (en) | 2005-05-04 | 2013-07-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices |
| US8530062B2 (en) | 2008-04-03 | 2013-09-10 | Sony Corporation | Organic electroluminescent element and display |
| WO2013145666A1 (ja) | 2012-03-29 | 2013-10-03 | ソニー株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR20130110073A (ko) | 2012-03-28 | 2013-10-08 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 컬러 필터, 유기 el 표시 소자 및 착색 조성물 |
| WO2013176069A1 (ja) * | 2012-05-23 | 2013-11-28 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| WO2014002927A1 (ja) | 2012-06-27 | 2014-01-03 | Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置 |
| US8624484B2 (en) | 2002-12-26 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting element and light-emitting device with the organic light-emitting element |
| WO2014030666A1 (ja) | 2012-08-24 | 2014-02-27 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法 |
| KR20140085433A (ko) | 2011-10-04 | 2014-07-07 | 소니 주식회사 | 유기 전계발광 소자 |
| US8803853B2 (en) | 2004-12-16 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US8829785B2 (en) | 2011-04-04 | 2014-09-09 | Rohm Co., Ltd. | Organic EL device |
| US8829497B2 (en) | 2011-03-24 | 2014-09-09 | Sony Corporation | Display element, display device, and electronic apparatus |
| CN104051641A (zh) * | 2013-03-12 | 2014-09-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法 |
| JP2014172257A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Ricoh Co Ltd | 露光装置、画像形成装置 |
| WO2014157610A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法 |
| WO2014157618A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置 |
| US8878159B2 (en) | 2004-09-30 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
| US8877350B2 (en) | 2007-12-11 | 2014-11-04 | Global Oled Technology Llc | White OLED with two blue light-emitting layers |
| US8941296B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-01-27 | Rohm Co., Ltd. | Organic EL device having a high light output |
| JP2015032367A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置 |
| US8987726B2 (en) | 2009-07-23 | 2015-03-24 | Kaneka Corporation | Organic electroluminescent element |
| US9012034B2 (en) | 2006-09-28 | 2015-04-21 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescence element |
| US9112174B2 (en) | 2011-08-12 | 2015-08-18 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent element |
| US9196850B2 (en) | 2003-11-10 | 2015-11-24 | Junji Kido | Organic devices, organic electroluminescent devices, organic solar cells, organic FET structures and production method of organic devices |
| US9420662B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-08-16 | Pioneer Corporation | Light-emitting device |
| EP3200255A2 (en) | 2016-01-06 | 2017-08-02 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, method for producing organic electroluminescent element, display, and lighting device |
| WO2017138179A1 (ja) | 2016-02-10 | 2017-08-17 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
| WO2018037791A1 (ja) | 2016-08-24 | 2018-03-01 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
| CN107863445A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-03-30 | 武汉华美晨曦光电有限责任公司 | 一种以交流驱动的白光oled器件 |
| JP2018129312A (ja) * | 2011-02-16 | 2018-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置および電子機器 |
| US10084146B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-09-25 | Lumiotec Inc. | Organic electroluminescent element and lighting device |
| WO2019054281A1 (ja) | 2017-09-15 | 2019-03-21 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、積層体、赤外線透過フィルタ、固体撮像素子および赤外線センサ |
| WO2020059509A1 (ja) | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性組成物、硬化膜、赤外線透過フィルタ、積層体、固体撮像素子、センサ、及び、パターン形成方法 |
| WO2021039205A1 (ja) | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、近赤外線カットフィルタ、パターン形成方法、積層体、固体撮像素子、赤外線センサ、画像表示装置、カメラモジュール、及び、化合物 |
| WO2021039253A1 (ja) | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ及びその製造方法、固体撮像素子、赤外線センサ、並びに、センサモジュール |
| WO2022130773A1 (ja) | 2020-12-17 | 2022-06-23 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置および赤外線センサ |
| WO2022131191A1 (ja) | 2020-12-16 | 2022-06-23 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置および赤外線センサ |
| WO2022227683A1 (zh) * | 2021-04-27 | 2022-11-03 | Tcl科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| EP4271160A2 (en) | 2015-02-13 | 2023-11-01 | Merck Patent GmbH | Aromatic heterocyclic derivative, and organic electroluminescent element, illumination device, and display device using aromatic heterocyclic derivative |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270171A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JPH11233262A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JPH11251067A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JPH11312589A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JPH11329749A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JPH11329748A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置 |
| JP2000091078A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| JP2002525808A (ja) * | 1998-09-14 | 2002-08-13 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 高効率の電界発光デバイスのための構造 |
-
2001
- 2001-07-26 JP JP2001225847A patent/JP4611578B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270171A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JPH11233262A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JPH11251067A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JPH11312589A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JPH11329749A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JPH11329748A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置 |
| JP2000091078A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| JP2002525808A (ja) * | 1998-09-14 | 2002-08-13 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 高効率の電界発光デバイスのための構造 |
Cited By (220)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11329748A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置 |
| US11217764B2 (en) | 2001-12-05 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
| JP2007027141A (ja) * | 2001-12-05 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体素子の作製方法 |
| JP2008171832A (ja) * | 2001-12-05 | 2008-07-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法 |
| JP2011071138A (ja) * | 2001-12-05 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7956349B2 (en) | 2001-12-05 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
| US7956353B2 (en) | 2001-12-05 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
| JP2019054255A (ja) * | 2001-12-05 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びエレクトロニクスデバイス |
| US7473923B2 (en) | 2001-12-05 | 2009-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
| JP2019061964A (ja) * | 2001-12-05 | 2019-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法、及びエレクトロニクスデバイスの作製方法 |
| US8941096B2 (en) | 2001-12-05 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
| US7420203B2 (en) | 2001-12-05 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
| JP2021073671A (ja) * | 2001-12-05 | 2021-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2019053991A (ja) * | 2001-12-05 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エレクトロニクスデバイス、及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2003264085A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-09-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池 |
| US7057209B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same and manufacturing apparatus therefor |
| US7719014B2 (en) | 2001-12-28 | 2010-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| US9450030B2 (en) | 2001-12-28 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix light-emitting device with overlapping electroluminescent layers |
| US10497755B2 (en) | 2001-12-28 | 2019-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| US9048203B2 (en) | 2001-12-28 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| US7982206B2 (en) | 2001-12-28 | 2011-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| US7420210B2 (en) | 2001-12-28 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| JP2004039617A (ja) * | 2002-02-15 | 2004-02-05 | Eastman Kodak Co | スタック型有機電場発光デバイス |
| US8350469B2 (en) | 2002-04-05 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having organic compound |
| US8049421B2 (en) | 2002-04-05 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device including plural barriers |
| US7692380B2 (en) | 2002-04-05 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device including plural barriers |
| US7535440B2 (en) | 2002-04-09 | 2009-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8183559B2 (en) | 2002-05-21 | 2012-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
| US7045955B2 (en) | 2002-08-09 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence element and a light emitting device using the same |
| US7291969B2 (en) | 2002-08-09 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US8890404B2 (en) | 2002-08-09 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US7239081B2 (en) | 2002-08-09 | 2007-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US9209419B2 (en) | 2002-08-09 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US9650245B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US7158161B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element |
| US8786184B2 (en) | 2002-12-26 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting element and light-emitting device with the organic light-emitting element |
| US9385339B2 (en) | 2002-12-26 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting element and light-emitting device with the organic light-emitting element |
| US8624484B2 (en) | 2002-12-26 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting element and light-emitting device with the organic light-emitting element |
| US9048398B2 (en) | 2002-12-26 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting element and light-emitting device with the organic light-emitting element |
| US8207665B2 (en) | 2003-01-29 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence device |
| US7548022B2 (en) | 2003-01-29 | 2009-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence device |
| US7199521B2 (en) | 2003-01-29 | 2007-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence device |
| US9711745B2 (en) | 2003-03-17 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| US7943925B2 (en) | 2003-03-17 | 2011-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| JP2004281274A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機発光素子および発光装置 |
| US10033008B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent element and light-emitting device |
| US9614171B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent element and light-emitting device |
| US8319422B2 (en) | 2003-04-09 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent element and light-emitting device |
| KR101114269B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계 발광 소자 및 발광 장치 |
| KR101205193B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명 장치 |
| KR101245124B1 (ko) | 2003-04-09 | 2013-03-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 및 그를 포함하는 전기 기구 및 전자 서적 |
| JP2004327432A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
| US7862906B2 (en) | 2003-04-09 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent element and light-emitting device |
| US9812663B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent element and light-emitting device |
| US9312506B2 (en) | 2003-04-09 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having phosphorescent material |
| EP2182777A1 (en) | 2003-04-24 | 2010-05-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and display |
| EP2197247A1 (en) | 2003-04-24 | 2010-06-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and display |
| US7358661B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-04-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and display |
| WO2004095892A1 (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
| JPWO2004095892A1 (ja) * | 2003-04-24 | 2006-07-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
| KR101067092B1 (ko) * | 2003-04-24 | 2011-09-22 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 및 표시 장치 |
| JP2011119282A (ja) * | 2003-05-13 | 2011-06-16 | Global Oled Technology Llc | カスケード式有機電場発光デバイス |
| KR101134411B1 (ko) * | 2003-05-13 | 2012-04-09 | 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 | ｎ-형 및 ｐ-형 유기 층을 갖는 연결 단위를 갖는 다단식 유기 전자 발광 장치 |
| JP2004342614A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Eastman Kodak Co | カスケード式有機電場発光デバイス |
| EP2229039A1 (en) | 2003-07-02 | 2010-09-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and display using same |
| US8007924B2 (en) | 2003-07-02 | 2011-08-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and display using same |
| JP4499039B2 (ja) * | 2003-07-02 | 2010-07-07 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |
| JPWO2005009087A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2007-09-20 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |
| WO2005006460A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element |
| WO2005020643A1 (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 有機デバイス用電極およびそれを有する電子機器 |
| US8629429B2 (en) | 2003-08-25 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode device for organic device and electronic device having the same |
| US7504049B2 (en) | 2003-08-25 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device |
| US7511421B2 (en) | 2003-08-25 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Mixed metal and organic electrode for organic device |
| JPWO2005027587A1 (ja) * | 2003-08-25 | 2006-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機デバイス用電極、有機デバイス用電極を有する電子機器、および有機デバイス用電極の形成方法 |
| US9196850B2 (en) | 2003-11-10 | 2015-11-24 | Junji Kido | Organic devices, organic electroluminescent devices, organic solar cells, organic FET structures and production method of organic devices |
| US7301278B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-11-27 | Tohoku Pioneer Corporation | Organic EL element and method of forming the same |
| US7736754B2 (en) | 2004-02-18 | 2010-06-15 | Sony Corporation | Display device |
| WO2005076753A3 (ja) * | 2004-02-18 | 2005-10-06 | Sony Corp | 表示素子 |
| JP2006173550A (ja) * | 2004-02-18 | 2006-06-29 | Sony Corp | 表示素子 |
| US7656084B2 (en) | 2004-03-03 | 2010-02-02 | Seiko Epson Corporation | Method of producing laminated type organic electroluminescent element and display apparatus |
| EP2254390A1 (en) | 2004-03-26 | 2010-11-24 | Panasonic Electric Works Co., Ltd | Organic light emitting element |
| US9018834B2 (en) | 2004-03-26 | 2015-04-28 | Panasonic Corporation | Organic light emitting device |
| US8339037B2 (en) | 2004-03-26 | 2012-12-25 | Panasonic Corporation | Organic light emitting device with reduced angle dependency |
| US8951645B2 (en) | 2004-04-09 | 2015-02-10 | Lg Chem, Ltd. | Stacked organic light emitting device having high efficiency and high brightness |
| JP2007533073A (ja) * | 2004-04-09 | 2007-11-15 | エルジー・ケム・リミテッド | 高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 |
| US9647225B2 (en) | 2004-04-09 | 2017-05-09 | Lg Chem, Ltd. | Stacked organic light emitting device having high efficiency and high brightness |
| JP2014179344A (ja) * | 2004-04-09 | 2014-09-25 | Lg Chem Ltd | 高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 |
| EP1749423A4 (en) * | 2004-04-28 | 2010-09-22 | Semiconductor Energy Lab | LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND LIGHT EMITTING DEVICE USING THE LIGHT EMITTING ELEMENT |
| US7772596B2 (en) | 2004-04-28 | 2010-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light-emitting element and method of manufacturing the same, and light-emitting device using the light-emitting element |
| WO2005107330A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and method of manufacturing the same, and light-emitting device using the light-emitting element |
| KR101197688B1 (ko) | 2004-04-28 | 2012-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자 및 그 제조방법, 및 상기 발광소자를 사용한 발광장치 |
| US8018152B2 (en) | 2004-05-20 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including intermediate conductive layer having a hole-injection layer with an island-like structure |
| JP2013152949A (ja) * | 2004-05-20 | 2013-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
| US8643270B2 (en) | 2004-05-20 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Inc. | Light-emitting element and display device |
| JP2011014548A (ja) * | 2004-05-20 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
| JP2006005340A (ja) * | 2004-05-20 | 2006-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
| US8339039B2 (en) | 2004-05-20 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including intermediate conductive layer having an electron-injection layer with an island-like structure |
| US8922116B2 (en) | 2004-05-21 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| US7598670B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| US7663140B2 (en) | 2004-05-21 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the element |
| US8536569B2 (en) | 2004-05-21 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the element |
| WO2005115059A1 (en) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the element |
| US7940002B2 (en) | 2004-05-21 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| US8076671B2 (en) | 2004-05-21 | 2011-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the element |
| US8344621B2 (en) | 2004-05-21 | 2013-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| JP2005339823A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Sony Corp | 表示素子 |
| US7781073B2 (en) | 2004-05-24 | 2010-08-24 | Sony Corporation | Organic electroluminescence element and display device constructed therefrom |
| US7126267B2 (en) | 2004-05-28 | 2006-10-24 | Eastman Kodak Company | Tandem OLED having stable intermediate connectors |
| JP2012160476A (ja) * | 2004-07-16 | 2012-08-23 | Konica Minolta Holdings Inc | 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示素子及び照明装置 |
| US7273663B2 (en) | 2004-08-20 | 2007-09-25 | Eastman Kodak Company | White OLED having multiple white electroluminescence units |
| US10497894B2 (en) | 2004-09-30 | 2019-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
| US8878159B2 (en) | 2004-09-30 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
| US7560862B2 (en) | 2004-10-22 | 2009-07-14 | Eastman Kodak Company | White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit |
| US10475856B2 (en) | 2004-12-16 | 2019-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US9461258B2 (en) | 2004-12-16 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US8803853B2 (en) | 2004-12-16 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using the same |
| US7494722B2 (en) | 2005-02-23 | 2009-02-24 | Eastman Kodak Company | Tandem OLED having an organic intermediate connector |
| WO2006091560A1 (en) | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Eastman Kodak Company | Tandem oled having an organic intermediate connector |
| US8026531B2 (en) | 2005-03-22 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8890204B2 (en) | 2005-03-22 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8680562B2 (en) | 2005-03-22 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2012074398A (ja) * | 2005-03-22 | 2012-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2006302870A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-11-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2006302506A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| US8057916B2 (en) | 2005-04-20 | 2011-11-15 | Global Oled Technology, Llc. | OLED device with improved performance |
| US8487527B2 (en) | 2005-05-04 | 2013-07-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices |
| US7777407B2 (en) | 2005-05-04 | 2010-08-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer |
| US7728517B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-06-01 | Lg Display Co., Ltd. | Intermediate electrodes for stacked OLEDs |
| US7811679B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-10-12 | Lg Display Co., Ltd. | Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers |
| US7943244B2 (en) | 2005-05-20 | 2011-05-17 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with metal-organic mixed layer anodes |
| JP2006332048A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 積層型ｏｌｅｄ用中間電極 |
| US7750561B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-07-06 | Lg Display Co., Ltd. | Stacked OLED structure |
| US7795806B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-09-14 | Lg Display Co., Ltd. | Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML) |
| KR100775734B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2007-11-09 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 및 이의 제조 방법 |
| WO2007011132A1 (en) * | 2005-07-15 | 2007-01-25 | Lg Chem.Ltd. | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
| US8040044B2 (en) | 2005-07-15 | 2011-10-18 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2007059124A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 表示装置 |
| US8154192B2 (en) | 2005-10-17 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
| US8441184B2 (en) | 2005-10-17 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
| WO2007052432A1 (ja) | 2005-10-31 | 2007-05-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機ｅｌ発光装置 |
| US7843134B2 (en) | 2005-10-31 | 2010-11-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL emission devices connected in series |
| KR100730190B1 (ko) | 2005-12-20 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 소자 및 이의 제조방법 |
| US7528418B2 (en) | 2006-02-24 | 2009-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8017254B2 (en) | 2006-03-06 | 2011-09-13 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
| JP2007242733A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
| US7332860B2 (en) | 2006-03-30 | 2008-02-19 | Eastman Kodak Company | Efficient white-light OLED display with filters |
| US7951421B2 (en) | 2006-04-20 | 2011-05-31 | Global Oled Technology Llc | Vapor deposition of a layer |
| US8076839B2 (en) | 2006-05-11 | 2011-12-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| WO2007132678A1 (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2007132965A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Cheong-A Baek | High brightness electro luminescence device and method for manufacturing thereof |
| JP2006344606A (ja) * | 2006-07-31 | 2006-12-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置 |
| US7663309B2 (en) | 2006-09-28 | 2010-02-16 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element having plurality of light emitting layers with specific thicknesses |
| US9012034B2 (en) | 2006-09-28 | 2015-04-21 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescence element |
| US7919783B2 (en) | 2006-11-30 | 2011-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device employing the same |
| US8436346B2 (en) | 2006-11-30 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device employing the same |
| US7816859B2 (en) | 2007-04-30 | 2010-10-19 | Global Oled Technology Llc | White light tandem OLED |
| US7948165B2 (en) | 2007-05-09 | 2011-05-24 | Global Oled Technology Llc | High-performance tandem white OLED |
| EP2031037A1 (en) | 2007-08-29 | 2009-03-04 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
| EP2036907A1 (en) | 2007-09-14 | 2009-03-18 | FUJIFILM Corporation | Organic electroluminescence device |
| EP2061086A2 (en) | 2007-11-15 | 2009-05-20 | FUJIFILM Corporation | Thin film field effect transistor and display using the same |
| EP2061087A2 (en) | 2007-11-15 | 2009-05-20 | FUJIFILM Corporation | Thin film field effect transistor and display using the same |
| US8877350B2 (en) | 2007-12-11 | 2014-11-04 | Global Oled Technology Llc | White OLED with two blue light-emitting layers |
| US7804245B2 (en) | 2008-01-24 | 2010-09-28 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved brightness uniformity |
| US7955719B2 (en) | 2008-01-30 | 2011-06-07 | Global Oled Technology Llc | Tandem OLED device with intermediate connector |
| US7821201B2 (en) | 2008-01-31 | 2010-10-26 | Global Oled Technology Llc | Tandem OLED device with intermediate connector |
| EP2096690A2 (en) | 2008-02-28 | 2009-09-02 | FUJIFILM Corporation | Organic electroluminescence device |
| EP2105967A1 (en) | 2008-03-24 | 2009-09-30 | FUJIFILM Corporation | Thin film field effect transistor and display |
| US8530062B2 (en) | 2008-04-03 | 2013-09-10 | Sony Corporation | Organic electroluminescent element and display |
| EP2112213A2 (en) | 2008-04-22 | 2009-10-28 | FUJIFILM Corporation | Organic electroluminescence device, novel platinum complex compound and novel compound capable of being a ligand thereof |
| US7977872B2 (en) | 2008-09-16 | 2011-07-12 | Global Oled Technology Llc | High-color-temperature tandem white OLED |
| EP2214223A2 (en) | 2009-02-03 | 2010-08-04 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence display device |
| WO2010093062A1 (en) | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device, and method for producing the same |
| EP2226867A2 (en) | 2009-03-05 | 2010-09-08 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
| WO2010114749A1 (en) | 2009-04-03 | 2010-10-07 | Global Oled Technology Llc | Tandem white oled with efficient electron transfer |
| US8283054B2 (en) | 2009-04-03 | 2012-10-09 | Global Oled Technology Llc | Tandem white OLED with efficient electron transfer |
| US8664647B2 (en) | 2009-07-23 | 2014-03-04 | Kaneka Corporation | Organic electroluminescent element |
| US8987726B2 (en) | 2009-07-23 | 2015-03-24 | Kaneka Corporation | Organic electroluminescent element |
| WO2011010696A1 (ja) | 2009-07-23 | 2011-01-27 | 株式会社カネカ | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| WO2011030620A1 (en) | 2009-09-09 | 2011-03-17 | Fujifilm Corporation | Organic el device optical member and organic el device |
| WO2011030883A1 (en) | 2009-09-14 | 2011-03-17 | Fujifilm Corporation | Color filter and light-emitting display element |
| WO2011030882A1 (en) | 2009-09-14 | 2011-03-17 | Fujifilm Corporation | Color filter and light-emitting display element |
| US10586934B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10573829B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US12100795B2 (en) | 2011-02-16 | 2024-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2018129312A (ja) * | 2011-02-16 | 2018-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置および電子機器 |
| US10593895B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US8829497B2 (en) | 2011-03-24 | 2014-09-09 | Sony Corporation | Display element, display device, and electronic apparatus |
| US8941296B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-01-27 | Rohm Co., Ltd. | Organic EL device having a high light output |
| US8829785B2 (en) | 2011-04-04 | 2014-09-09 | Rohm Co., Ltd. | Organic EL device |
| US9112174B2 (en) | 2011-08-12 | 2015-08-18 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent element |
| KR20140085433A (ko) | 2011-10-04 | 2014-07-07 | 소니 주식회사 | 유기 전계발광 소자 |
| US10411212B2 (en) | 2011-10-04 | 2019-09-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
| KR20190054048A (ko) | 2012-03-28 | 2019-05-21 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 컬러 필터, 유기 el 표시 소자 및 착색 조성물 |
| KR20130110073A (ko) | 2012-03-28 | 2013-10-08 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 컬러 필터, 유기 el 표시 소자 및 착색 조성물 |
| US10573823B2 (en) | 2012-03-29 | 2020-02-25 | Joled Inc | Organic electroluminescent device |
| WO2013145666A1 (ja) | 2012-03-29 | 2013-10-03 | ソニー株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2013176069A1 (ja) * | 2012-05-23 | 2013-11-28 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| WO2014002927A1 (ja) | 2012-06-27 | 2014-01-03 | Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置 |
| US9484545B2 (en) | 2012-06-27 | 2016-11-01 | Lumiotec, Inc. | Organic electroluminescent element and lighting device |
| WO2014030666A1 (ja) | 2012-08-24 | 2014-02-27 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法 |
| US9936559B2 (en) | 2012-09-05 | 2018-04-03 | Pioneer Corporation | Light-emitting device |
| US9420662B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-08-16 | Pioneer Corporation | Light-emitting device |
| JP2014172257A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Ricoh Co Ltd | 露光装置、画像形成装置 |
| CN104051641A (zh) * | 2013-03-12 | 2014-09-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法 |
| WO2014157618A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置 |
| WO2014157610A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法 |
| JP2015032367A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置 |
| EP4271160A2 (en) | 2015-02-13 | 2023-11-01 | Merck Patent GmbH | Aromatic heterocyclic derivative, and organic electroluminescent element, illumination device, and display device using aromatic heterocyclic derivative |
| US10084146B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-09-25 | Lumiotec Inc. | Organic electroluminescent element and lighting device |
| EP3200255A2 (en) | 2016-01-06 | 2017-08-02 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, method for producing organic electroluminescent element, display, and lighting device |
| WO2017138179A1 (ja) | 2016-02-10 | 2017-08-17 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
| WO2018037791A1 (ja) | 2016-08-24 | 2018-03-01 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
| WO2019054281A1 (ja) | 2017-09-15 | 2019-03-21 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、積層体、赤外線透過フィルタ、固体撮像素子および赤外線センサ |
| CN107863445A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-03-30 | 武汉华美晨曦光电有限责任公司 | 一种以交流驱动的白光oled器件 |
| WO2020059509A1 (ja) | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性組成物、硬化膜、赤外線透過フィルタ、積層体、固体撮像素子、センサ、及び、パターン形成方法 |
| WO2021039205A1 (ja) | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、近赤外線カットフィルタ、パターン形成方法、積層体、固体撮像素子、赤外線センサ、画像表示装置、カメラモジュール、及び、化合物 |
| WO2021039253A1 (ja) | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ及びその製造方法、固体撮像素子、赤外線センサ、並びに、センサモジュール |
| WO2022131191A1 (ja) | 2020-12-16 | 2022-06-23 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置および赤外線センサ |
| WO2022130773A1 (ja) | 2020-12-17 | 2022-06-23 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置および赤外線センサ |
| WO2022227683A1 (zh) * | 2021-04-27 | 2022-11-03 | Tcl科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4611578B2 (ja) | 2011-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4611578B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
| JP3933591B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
| JP4068279B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| Kido et al. | Bright red light‐emitting organic electroluminescent devices having a europium complex as an emitter | |
| JP3588978B2 (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| US5811833A (en) | Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals | |
| JP4959193B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP5180369B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
| JP2004319424A (ja) | 有機電界発光ディスプレイ装置 | |
| WO2006121105A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3904793B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| WO2017179692A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子および照明装置 | |
| US7061175B2 (en) | Efficiency transparent cathode | |
| JP2016024956A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置 | |
| JP2007123865A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2881212B2 (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2006114844A (ja) | 有機ｅｌ素子材料の選択方法、有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 | |
| JP3744103B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH06151063A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH0790254A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH10204426A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| JP3736881B2 (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JP3980372B2 (ja) | 電界発光素子 | |
| JP4171170B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを使用した表示装置 | |
| JP2001076879A (ja) | 有機電界発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040209 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040209 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040319 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080605 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080606 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100713 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100713 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100913 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101005 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101014 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4611578 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |