JP2003027216A - Method and apparatus for producing transparent conductive film - Google Patents
Method and apparatus for producing transparent conductive filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタ法により透明
導電膜を製造する透明導電膜の製造方法および装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent conductive film manufacturing method and apparatus for manufacturing a transparent conductive film by a sputtering method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、透明導電膜は、化合物半導体に
よる薄膜太陽電池や液晶表示装置、ＥＬ表示装置などの
透明電極として用いられている。2. Description of the Related Art Generally, a transparent conductive film is used as a transparent electrode for a thin film solar cell made of a compound semiconductor, a liquid crystal display device, an EL display device and the like.
【０００３】従来、この種の透明導電膜としては、ＩＴ
Ｏが一般的であるが、常温での製造時に光透過率が低
く、膜密着性が悪いものになっている。Conventionally, as a transparent conductive film of this type, IT has been used.
O is generally used, but its light transmittance is low at the time of production at room temperature, resulting in poor film adhesion.
【０００４】また、化合物半導体による薄膜太陽電池に
おける透明電極層としてＺｎＯ：Ａ１が用いられている
が、常温での製造時に光透過率、膜密着性がともに良好
であるが、抵抗率がＩＴＯに劣るものになっている。ZnO: A1 is used as a transparent electrode layer in a thin film solar cell made of a compound semiconductor, and it has good light transmittance and film adhesion at the time of production at room temperature, but has a resistivity higher than that of ITO. It is inferior.
【０００５】このような欠点を克服するために、スパッ
タ法により透明導電膜を製造するに際して、光透過率、
膜密着性および抵抗率の各特性がともに良くなるように
各種材料を複合したターゲットを作成して、透明導電膜
を成膜することが考えられている。特許第２６９５６０
５号明細書には、ＩｎとＺｎを主成分としたＩｎ２Ｏ３
（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）の複合材料によるターゲ
ットを用いてスパッタリングすることが開示されてい
る。In order to overcome such drawbacks, the light transmittance,
It is considered that a transparent conductive film is formed by preparing a target that is a composite of various materials so that both the film adhesion and the resistivity can be improved. Patent No. 269560
No. 5 specification describes In 2 O 3 containing In and Zn as main components.
Sputtering using a target made of a composite material of (ZnO) m (m = 2 to 20) is disclosed.
【０００６】また、特開平１０−３３０９３６号明細書
には、スパッタ法により成膜される基材の温度上昇を抑
制して、高速での成膜を可能にするべく、同種の材料に
よる一対のターゲットを対向して設けて、その対向する
空間を囲むように磁界をかけることにより、その空間に
スパッタプラズマを捕捉して、その空間に対面するよう
に側方に配設した基材上に成膜させるようにした対向タ
ーゲット式のスパッタ装置が開示されている。Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-330936, a pair of materials of the same kind is used in order to suppress the temperature rise of a substrate formed by a sputtering method and enable high speed film formation. Targets are provided facing each other, and a magnetic field is applied so as to surround the facing space, so that the sputter plasma is trapped in the space and is formed on a base material laterally arranged so as to face the space. A facing target type sputtering apparatus for forming a film is disclosed.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、スパッタ法により透明導電膜を製造するに際し
て、透明導電膜の光透過率、膜密着性および抵抗率の各
特性がともに良くなるように各種材料の複合ターゲット
を用いるようにするのでは、各種材料が均等に混合配分
されたターゲットの製造が困難でコスト高になるととも
に、成膜される透明導電膜における組成比率の調整を行
うことができないものになっていることである。The problem to be solved is that when the transparent conductive film is manufactured by the sputtering method, the light transmittance, film adhesion and resistivity of the transparent conductive film are all improved. It is difficult to manufacture a target in which various materials are uniformly mixed and distributed, and it is costly to use a composite target of various materials, and the composition ratio of the transparent conductive film to be formed must be adjusted. It is something that cannot be done.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、スパッタ法に
より透明導電膜を製造するに際して、各種材料の複合タ
ーゲットを用いることなく、光透過率、膜密着性および
抵抗率の各特性がともに良好な高品質な透明導電膜を容
易に製造できるようにするべく、対向ターゲット式スパ
ッタによって、一対に設けられた異種材料からなる第１
および第２の各ターゲットのスパッタ粒子が混り合った
状態で透明導電膜を成膜するようにしている。According to the present invention, when a transparent conductive film is manufactured by a sputtering method, the light transmittance, the film adhesion and the resistivity are all excellent without using a composite target of various materials. In order to easily manufacture a high quality transparent conductive film, it is possible to form a first pair of different materials by a pair of opposed target sputtering.
Also, the transparent conductive film is formed in a state where the sputtered particles of the second targets are mixed.
【０００９】また、本発明は、第１のターゲットと第２
のターゲットへの各供給電力の配分を外部指令に応じて
任意に変えることができるようにして、各ターゲットの
供給電力の配分を変えることにより、成膜される透明導
電膜における各ターゲット材料の組成比率の調整を行わ
せることができるようにしている。The present invention also provides a first target and a second target.
The composition of each target material in the transparent conductive film to be formed by changing the distribution of the supply power of each target by making it possible to arbitrarily change the distribution of the supply power of each target according to the external command. The ratio can be adjusted.
【００１０】[0010]
【実施例】図１は、化合物半導体による薄膜太陽電池の
基本的な構造を示している。それは、例えば、ＳＬＧ
（ソーダライムガラス）基板１上にプラス電極となるＭ
ｏ電極層２が成膜され、そのＭｏ電極層２上にＣＩＧＳ
薄膜によるｐ型の光吸収層３が成膜され、その光吸収層
３上にＺｎＳからなるｎ型のバッファ層４を介して、マ
イナス電極となるＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯからなる透明導電
膜５が成膜されている。EXAMPLE FIG. 1 shows the basic structure of a thin film solar cell made of a compound semiconductor. It is, for example, SLG
(Soda lime glass) M as a positive electrode on the substrate 1
The o electrode layer 2 is formed, and the CIGS is formed on the Mo electrode layer 2.
A p-type light absorption layer 3 made of a thin film is formed, and a transparent conductive film 5 made of In 2 O 3 : ZnO serving as a negative electrode is formed on the light absorption layer 3 via an n-type buffer layer 4 made of ZnS. Is deposited.
【００１１】その透明導電膜５としては、それをスパッ
タ法によって成膜するのが成膜速度および品質の点で有
利である。また、その成膜される透明導電膜５として
は、太陽電池の集電効率を良くするために低抵抗率で光
透過率の高いものが要求されるとともに、構造を強固に
するためにバッファ層４に対して密着性が高いことが要
求される。As the transparent conductive film 5, it is advantageous to form the transparent conductive film 5 by a sputtering method in terms of film forming speed and quality. The transparent conductive film 5 to be formed is required to have a low resistivity and a high light transmittance in order to improve the current collecting efficiency of the solar cell, and a buffer layer for strengthening the structure. 4 is required to have high adhesion.
【００１２】本発明にあっては、図２に示すように、Ｓ
ＬＧ基板１に形成されているＭｏ電極層２、光吸収層３
およびバッファ層４の上に、スパッタ法により透明導電
膜５を成膜するに際して、ＺｎＯからなるターゲットＴ
１およびＩｎ２Ｏ３からなるターゲットＴ２を設けた対
向ターゲット式のスパッタによって、各ターゲット材料
の各スパッタ粒子が混り合った状態でＩｎ２Ｏ３：Ｚｎ
Ｏの透明導電膜５を成膜するようにしている。ターゲッ
トＴ２の材料にＩＴＯを用いてもよい。In the present invention, as shown in FIG.
Mo electrode layer 2 and light absorption layer 3 formed on the LG substrate 1.
When the transparent conductive film 5 is formed on the buffer layer 4 by the sputtering method, the target T made of ZnO is used.
1 and In 2 O 3 provided with a target T2, the target material was sputtered with In 2 O 3 : Zn.
The transparent conductive film 5 of O is formed. ITO may be used as the material of the target T2.
【００１３】各ターゲットＴ１，Ｔ２としては、焼結に
よって製造された９５％以上の密度をもったものが望ま
しい。As each of the targets T1 and T2, it is desirable to use a target manufactured by sintering and having a density of 95% or more.
【００１４】図３は、対向ターゲット式のスパッタによ
って、ＺｎＯからなるターゲットＴ１およびＩｎ２Ｏ３
からなるターゲットＴ２における各スパッタ粒子が混り
合った状態で透明導電膜５が成膜されるときのスパッタ
粒子の状態を示している。FIG. 3 shows a target T1 made of ZnO and In 2 O 3 formed by facing target sputtering.
9 shows the state of sputtered particles when the transparent conductive film 5 is formed in a state in which the sputtered particles are mixed in the target T2 composed of.
【００１５】一対に設けられたＺｎＯからなるターゲッ
トＴ１およびＩｎ２Ｏ３からなるターゲットＴ２のスパ
ッタリングを同時に行わせると、一方のターゲットから
スパッタされた粒子が他方のターゲット表面に到達す
る。これにより各ターゲット表面では双方のターゲット
材料が混り合った状態になり、その状態でさらにスパッ
タリングが行われて、双方のターゲット材料が混り合っ
たスパッタ粒子がバッファ層４上に付着堆積してＩｎ２
Ｏ３：ＺｎＯの透明導電膜５が成膜される。When a pair of a target T1 made of ZnO and a target T2 made of In 2 O 3 are simultaneously sputtered, particles sputtered from one target reach the surface of the other target. As a result, both target materials are mixed on the surface of each target, and further sputtering is performed in this state, and the sputtered particles mixed with both target materials are deposited and deposited on the buffer layer 4. In 2
A transparent conductive film 5 of O 3 : ZnO is formed.
【００１６】その際、各ターゲットＴ１，Ｔ２からスパ
ッタされたＺｎＯ粒子およびＩｎＯ粒子の一部は他方の
ターゲット表面に到達することなく、直接バッファ層４
に向けて飛び出すが、スパッタ粒子の飛び出し角度の確
率からして、混合されていないＺｎＯ粒子およびＩｎ２
Ｏ３粒子の付着はきわめて少なく、混合されたスパッタ
粒子によるバッファ層４への付着が支配的となる。At this time, some of the ZnO particles and InO particles sputtered from the respective targets T1 and T2 do not reach the surface of the other target, and the buffer layer 4 is directly supplied.
Of the unmixed ZnO particles and In 2 from the probability of the projection angle of the sputtered particles.
The adhesion of O 3 particles is extremely small, and the adhesion to the buffer layer 4 by the mixed sputtered particles becomes dominant.
【００１７】このＺｎＯからなるターゲットＴ１とＩｎ
２Ｏ３からなるターゲットＴ２を用いた対向ターゲット
式スパッタによれば、各ターゲットＴ１，Ｔ２への供給
電力を適宜調整することによって成膜条件を変えること
ができ、常温でも充分に品質の良い透明導電膜５を成膜
させることができるようになる。This ZnO target T1 and In
According to the facing target type sputtering using the target T2 made of 2 O 3 , the film forming conditions can be changed by appropriately adjusting the power supplied to the targets T1 and T2, and the transparency is sufficiently good at room temperature. The conductive film 5 can be formed.
【００１８】このように、本発明によれば、従来のよう
にＺｎＯとＩｎ２Ｏ３との複合材料による組成の均一化
が難しいターゲットを用いたスパッタによるのではな
く、ＺｎＯ材料とＩｎ２Ｏ３材料との各単体によるター
ゲットＴ１，Ｔ２を用いた対向ターゲット式スパッタを
行わせることにより、各ターゲットＴ１，Ｔ２のスパッ
タ粒子が混り合った組成が均一な品質の良い透明導電膜
５を容易に成膜させることができるようになる。As described above, according to the present invention, the ZnO material and the In 2 O 3 are not sputtered by using a target in which the composition of the composite material of ZnO and In 2 O 3 is difficult to be uniform as in the conventional case. By performing counter-target type sputtering using targets T1 and T2 of each of the three materials alone, a transparent conductive film 5 of good quality with a uniform composition in which sputtered particles of each target T1 and T2 are mixed is easily formed It becomes possible to form a film.
【００１９】その際、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタの何
れにあっても適用が可能であるが、ＤＣスパッタによる
方がより高速での成膜を行わせることができ、量産に有
利となる。At this time, the method can be applied to both DC sputtering and RF sputtering, but DC sputtering can form a film at a higher speed, which is advantageous for mass production.
【００２０】また、対向ターゲット式スパッタによる透
明導電膜５の成膜時に、ターゲットＴ１とターゲットＴ
２との各供給電力の配分を変えることによって成膜され
る透明導電膜５の組成比率を可変に調整することができ
るようになる。Further, when the transparent conductive film 5 is formed by the facing target type sputtering, the target T1 and the target T
The composition ratio of the transparent conductive film 5 to be formed can be variably adjusted by changing the distribution of the respective supplied electric powers with respect to 2.
【００２１】その際、抵抗率をより低くしようとする場
合には、ターゲットＴ１への供給電力を低減し、ターゲ
ットＴ２への供給電力を増大して、Ｉｎ２Ｏ３成分の割
合を増やすことにより対応することができる。また、膜
密着性をより高めようとする場合には、ターゲットＴ１
への供給電力を増大し、ターゲットＴ２への供給電力を
低減して、ＺｎＯ成分の割合を増やすことで対応するこ
とができる。At this time, in order to lower the resistivity, the power supplied to the target T1 is reduced, the power supplied to the target T2 is increased, and the ratio of the In 2 O 3 component is increased. Can respond. In addition, when the film adhesion is to be further enhanced, the target T1
Can be dealt with by increasing the power supply to the target T2 and decreasing the power supply to the target T2 to increase the proportion of the ZnO component.
【００２２】具体的には、図３に示すように、対向ター
ゲット式スパッタ装置における一対に設けられたターゲ
ットＴ１，Ｔ２への電源６からの供給電力の配分を外部
指令に応じて任意に変えることができる供給電力調整器
７を設けるようにしている。Specifically, as shown in FIG. 3, the distribution of the power supplied from the power source 6 to the pair of targets T1 and T2 provided in the opposed target type sputtering apparatus can be arbitrarily changed according to an external command. A supply power regulator 7 capable of performing the above is provided.
【００２３】対向ターゲット式スパッタにおける一対の
ターゲットにＺｎＯとＩＴＯとを用いて、ＺｎＯターゲ
ット側が２５％（例えば２５０Ｗ）、ＩＴＯターゲット
側が７５％（例えば７５０Ｗ）の供給電力の配分で、常
温において、厚さ５０００Åの透明導電膜を成膜させた
とき、抵抗率４．０×１０ｅ−４Ωｃｍ、光透過率８
９．５％（ａｔ４５０ｎｍ）の実測データが得られた。When ZnO and ITO are used as a pair of targets in the facing target type sputtering, the supply power is distributed to the ZnO target side at 25% (for example, 250 W) and the ITO target side at 75% (for example, 750 W). When a transparent conductive film having a thickness of 5000 Å is formed, the resistivity is 4.0 × 10e-4 Ωcm and the light transmittance is 8
The measured data of 9.5% (at 450 nm) was obtained.
【００２４】また、従来のＺｎＯ：Ａｌの単体ターゲッ
トを用いたスパッタにより、常温で厚さ５０００Åの透
明導電膜を成膜させたとき、抵抗率６．０×１０ｅ−４
Ωｃｍ、光透過率９０．０％（ａｔ４５０ｎｍ）の実測
データが得られた。When a transparent conductive film having a thickness of 5000Å is formed at room temperature by sputtering using a conventional ZnO: Al simple target, the resistivity is 6.0 × 10e-4.
Actual measurement data of Ωcm and light transmittance of 90.0% (at 450 nm) were obtained.
【００２５】それによれば、対向ターゲット式スパッタ
により成膜されたＺｎＯ：ＩＴＯの透明導電膜は、従来
のＺｎＯ：Ａｌによる透明導電膜に比して、光透過率が
ほぼ同等で、抵抗率が４０％も低い、特性に優れたもの
になっている。また、常温での成膜にもかかわらず、Ｚ
ｎＯ：Ａｌによる透明導電膜とほぼ同等の膜密着性が得
られた。According to this, the transparent conductive film of ZnO: ITO formed by the facing target type sputtering has almost the same light transmittance and the same resistivity as the conventional transparent conductive film of ZnO: Al. It is 40% lower and has excellent characteristics. Also, despite the film formation at room temperature, Z
The film adhesion was almost equal to that of the transparent conductive film made of nO: Al.
【００２６】また、従来のＩＴＯの単体ターゲットを用
いたスパッタにより、１．５％のＯ２ガスを導入すると
ともに、透明導電膜が成膜される基材を１００℃に加熱
して、厚さ５０００Åの透明導電膜を成膜させたとき、
抵抗率５．４×１０ｅ−４Ωｃｍ、光透過率８６．０％
（ａｔ４５０ｎｍ）の実測データが得られた。Further, by sputtering using a conventional ITO single target, 1.5% of O 2 gas is introduced, and the base material on which the transparent conductive film is formed is heated to 100 ° C. to have a thickness of 5000Å. When the transparent conductive film of
Resistivity 5.4 × 10e-4 Ωcm, light transmittance 86.0%
The measured data of (at 450 nm) was obtained.
【００２７】それによれば、対向ターゲット式スパッタ
により成膜されたＺｎＯ：ＩＴＯの透明導電膜は、従来
のＩＴＯによる透明導電膜に比して、耐湿性、耐環境性
に優れ、ほぼ同等の抵抗率および光透過率をもった特性
の良好なものとなっている。また、従来のＩＴＯによる
透明導電膜に比べて約５倍の膜密着性が得られ、構造上
強固な透明導電膜を成膜することができた。According to this, the transparent conductive film of ZnO: ITO formed by the facing target sputtering is superior in moisture resistance and environmental resistance to the transparent conductive film of conventional ITO and has substantially the same resistance. It has excellent characteristics such as a high rate and a light transmittance. In addition, the film adhesion was about 5 times that of the conventional transparent conductive film made of ITO, and a structurally strong transparent conductive film could be formed.
【００２８】また、ＺｎＯターゲット側が５０％、ＩＴ
Ｏターゲット側が５０％の供給電力の配分で、常温にお
いて、厚さ５０００Åの透明導電膜を成膜させたとき、
抵抗率６．５×１０ｅ−４Ωｃｍ、光透過率８８．６％
（ａｔ４５０ｎｍ）の実測データが得られた。同一条件
下で、供給電力の配分をＺｎＯターゲット側３０％、Ｉ
ＴＯターゲット側７０％にしたときには抵抗率が５．１
×１０ｅ−４Ωｃｍであり、ＺｎＯターゲット側２０
％、ＩＴＯターゲット側８０％にしたときには膜密着性
が不足した。Further, the ZnO target side is 50%, IT
When a transparent conductive film with a thickness of 5000 Å is formed at room temperature with a distribution of 50% power supply on the O target side,
Resistivity 6.5 × 10e-4 Ωcm, light transmittance 88.6%
The measured data of (at 450 nm) was obtained. Under the same conditions, the distribution of power supply is 30% on the ZnO target side, I
When the TO target side is 70%, the resistivity is 5.1
× 10e−4 Ωcm, ZnO target side 20
%, And the ITO target side was 80%, the film adhesion was insufficient.
【００２９】以上の実測データからして、成膜される透
明導電膜のＩＴＯの比率が高い方が抵抗率が低くなる一
方で、膜密着性が低下する傾向がある。ＺｎＯ：ＩＴＯ
＝１：３の割合が最適条件であった。From the above measured data, the higher the ratio of ITO in the formed transparent conductive film, the lower the resistivity, but the lower the film adhesion. ZnO: ITO
A ratio of = 1: 3 was the optimum condition.
【００３０】また、ＺｎＯターゲット側が５０％、ＩＴ
Ｏターゲット側が５０％の供給電力の配分で、透明導電
膜が成膜される基材を１００℃に加熱して、厚さ５００
０Åの透明導電膜を成膜させたとき、抵抗率５．３×１
０ｅ−４Ωｃｍ、光透過率９１．８％（ａｔ４５０ｎ
ｍ）の実測データが得られ、常温時の成膜に比べて抵抗
率、光透過率ともに向上した。Further, ZnO target side is 50%, IT
The target on which the transparent conductive film is formed is heated to 100 ° C. with a distribution of supply power of 50% on the O target side, and a thickness of 500 is obtained.
When a transparent conductive film of 0Å is formed, the resistivity is 5.3 × 1.
0e-4 Ωcm, light transmittance 91.8% (at 450n
The measured data of m) was obtained, and both the resistivity and the light transmittance were improved as compared with the film formation at room temperature.
【００３１】また、ＺｎＯターゲット側が５０％、ＩＴ
Ｏターゲット側が５０％の供給電力の配分で、常温で、
厚さ５０００Åの透明導電膜を成膜させるに際して、Ｏ
２ガスを導入したとき、以下の実測データが得られた。Further, the ZnO target side is 50%, IT
O target side has 50% power distribution,
When forming a transparent conductive film with a thickness of 5000Å,
The following measured data were obtained when 2 gases were introduced.
【００３２】Ｏ２ガス０．１％のとき、抵抗率６．３×
１０ｅ−４Ωｃｍ、光透過率８４．７％（ａｔ４５０ｎ
ｍ）
Ｏ２ガス０．２％のとき、抵抗率５．９×１０ｅ−４Ω
ｃｍ、光透過率８４．０％（ａｔ４５０ｎｍ）
Ｏ２ガス０．３％のとき、抵抗率６．９×１０ｅ−４Ω
ｃｍ、光透過率８３．１％（ａｔ４５０ｎｍ）
Ｏ２ガス０．４％のとき、抵抗率７．８×１０ｅ−４Ω
ｃｍ、光透過率７１．６％（ａｔ４５０ｎｍ）When O 2 gas is 0.1%, the resistivity is 6.3 ×
10e-4 Ωcm, light transmittance 84.7% (at 450n
m) When O2 gas is 0.2%, the resistivity is 5.9 × 10e-4Ω.
cm, light transmittance 84.0% (at 450 nm) O2 gas 0.3%, resistivity 6.9 × 10e-4Ω
cm, light transmittance 83.1% (at 450 nm) O2 gas 0.4%, resistivity 7.8 × 10e-4Ω
cm, light transmittance 71.6% (at 450 nm)
【００３３】この実測データによれば、導入するＯ２ガ
スが０．２％のときに抵抗率が最適値となる。また、導
入するＯ２ガスが０．３％を超えると光透過率が急激に
低下する。According to the measured data, the resistivity becomes the optimum value when the introduced O 2 gas is 0.2%. Moreover, when the introduced O2 gas exceeds 0.3%, the light transmittance is drastically reduced.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上、本発明は、スパッタ法により透明
導電膜を製造するに際して、対向ターゲット式スパッタ
によって、一対に設けられた異種材料からなる各単体タ
ーゲットのスパッタ粒子が混り合った状態で透明導電膜
を成膜するようにしたもので、予め透明導電膜を形成す
る各種材料をコンバインした複合ターゲットを製造する
ことなく、単体ターゲットを用いることによって、光透
過率、膜密着性および抵抗率の各特性がともに良好で、
組成が均一な高品質な透明導電膜を容易に製造すること
ができるという利点を有している。As described above, according to the present invention, when the transparent conductive film is manufactured by the sputtering method, the sputtered particles of the single targets made of different materials provided in a pair are mixed by the facing target type sputtering. A transparent conductive film is formed. By using a single target without manufacturing a composite target in which various materials for forming a transparent conductive film are combined in advance, light transmittance, film adhesion and resistivity can be obtained. Both characteristics are good,
It has an advantage that a high quality transparent conductive film having a uniform composition can be easily manufactured.
【００３５】また、本発明は、対向ターゲット式スパッ
タにおける各ターゲットの供給電力の配分を変えるよう
にしたもので、成膜される透明導電膜における各ターゲ
ット材料の組成比率の調整を任意に行わせることができ
るという利点を有している。Further, in the present invention, the distribution of the electric power supplied to each target in the facing target type sputtering is changed, and the composition ratio of each target material in the transparent conductive film to be formed can be arbitrarily adjusted. It has the advantage of being able to.
【図１】一般的な化合物半導体薄膜による太陽電池の基
本的な構造を示す正断面図である。FIG. 1 is a front sectional view showing a basic structure of a solar cell using a general compound semiconductor thin film.
【図２】本発明によって透明導電膜を成膜するプロセス
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a process of forming a transparent conductive film according to the present invention.
【図３】本発明による対向ターゲット式スパッタにより
透明導電膜が成膜されるときのスパッタ粒子の状態を示
す図である。FIG. 3 is a diagram showing a state of sputtered particles when a transparent conductive film is formed by facing target type sputtering according to the present invention.
１ ＳＬＧ基板 ２ Ｍｏ電極層 ３ 光吸収層 ４ バッファ層 ５ 透明電極層 ６ 電源 ７ 供給電力調整器 1 SLG substrate 2 Mo electrode layer 3 Light absorption layer 4 buffer layers 5 Transparent electrode layer 6 power supply 7 Power supply regulator
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA09 AA24 BA45 BA49 BA50 BC09 CA06 DC16 EA09 5G323 BA02 BB05 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 4K029 AA09 AA24 BA45 BA49 BA50 BC09 CA06 DC16 EA09 5G323 BA02 BB05
Claims (4)
透明導電膜の製造方法であって、対向ターゲット式スパ
ッタによって、一対に設けられた異種材料からなる第１
および第２の各ターゲットのスパッタ粒子が混り合った
状態で透明導電膜を成膜するようにした透明導電膜の製
造方法。1. A method of manufacturing a transparent conductive film, which comprises depositing a transparent conductive film by a sputtering method, comprising a pair of different materials provided by facing target sputtering.
And a method for producing a transparent conductive film, wherein the transparent conductive film is formed in a state where the sputtered particles of each of the second targets are mixed.
第２のターゲット材料にＩｎ２Ｏ３またはＩＴＯを用い
るようにしたことを特徴とする請求項１の記載による透
明導電膜の製造方法。2. ZnO is used as the first target material,
The method for producing a transparent conductive film according to claim 1, wherein In 2 O 3 or ITO is used as the second target material.
の供給電力の配分を変えることによって成膜される透明
導電膜の組成比率を可変に調整するようにしたことを特
徴とする請求項１の記載による透明導電膜の製造方法。3. The composition ratio of the transparent conductive film to be formed is variably adjusted by changing the distribution of the electric power supplied to the first target and the second target. A method for producing a transparent conductive film according to the above paragraph.
に設けられた異種材料のターゲットの各スパッタ粒子が
混り合った状態で透明導電膜を成膜するようにした透明
導電膜の製造装置であって、各ターゲットへの供給電力
の配分を外部指令に応じて任意に変えることができる供
給電力調整手段を設け、各ターゲットへの供給電力の配
分を変えることによって成膜される透明導電膜の組成比
率を可変に調整するようにしたことを特徴とする透明導
電膜の製造装置。4. An apparatus for producing a transparent conductive film, wherein the transparent conductive film is formed by facing target sputtering in a state in which sputtered particles of a pair of targets made of different materials are mixed. , The composition ratio of the transparent conductive film formed by changing the distribution of the power supply to each target by providing a power supply adjusting means capable of arbitrarily changing the distribution of the power supply to each target according to an external command The apparatus for manufacturing a transparent conductive film is characterized in that it is variably adjusted.
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