JP2003026446A - 電子回路基板用組成物および電子回路基板 - Google Patents
電子回路基板用組成物および電子回路基板Info
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- JP2003026446A JP2003026446A JP2001215427A JP2001215427A JP2003026446A JP 2003026446 A JP2003026446 A JP 2003026446A JP 2001215427 A JP2001215427 A JP 2001215427A JP 2001215427 A JP2001215427 A JP 2001215427A JP 2003026446 A JP2003026446 A JP 2003026446A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
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Abstract
(57)【要約】
【課題】９００℃以下で焼成でき、アルカリ金属および
鉛のいずれも含有しない電子回路基板用組成物の提供。 【解決手段】質量百分率表示で、ガラスの粉末 ４０〜
１００％、無機物フィラー ０〜６０％、から本質的に
なる電子回路基板用組成物であって、該ガラスが、下記
酸化物基準の質量百分率表示で、ＳｉＯ２ ５８〜７０
％、Ｂ２Ｏ３ １５〜３０％、Ａｌ２Ｏ３ ５〜１０
％、ＣａＯ ３〜１０％、から本質的になり、かつ、ア
ルカリ金属および鉛のいずれも含有しないことを特徴と
する電子回路基板用組成物。
鉛のいずれも含有しない電子回路基板用組成物の提供。 【解決手段】質量百分率表示で、ガラスの粉末 ４０〜
１００％、無機物フィラー ０〜６０％、から本質的に
なる電子回路基板用組成物であって、該ガラスが、下記
酸化物基準の質量百分率表示で、ＳｉＯ２ ５８〜７０
％、Ｂ２Ｏ３ １５〜３０％、Ａｌ２Ｏ３ ５〜１０
％、ＣａＯ ３〜１０％、から本質的になり、かつ、ア
ルカリ金属および鉛のいずれも含有しないことを特徴と
する電子回路基板用組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低温焼成が可能で
あり、比誘電率および誘電損失がいずれも小さい電子回
路基板を作製するのに好適な電子回路基板用組成物、お
よび電子回路基板に関する。
あり、比誘電率および誘電損失がいずれも小さい電子回
路基板を作製するのに好適な電子回路基板用組成物、お
よび電子回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】比誘電率および誘電損失がいずれも小さ
い電子回路基板の上に比抵抗の小さい銀（融点：９６２
℃）等を電極として形成する場合、従来はまず、ホウケ
イ酸ガラス等の比誘電率および誘電損失がいずれも小さ
いガラスの粉末を含有し、必要に応じてアルミナ粉末等
の無機物フィラーを含有する電子回路基板用組成物を１
０００℃以上で焼成して電子回路基板を作製し、次に該
基板の上に銀ペースト等を所望のパターンに印刷後９０
０℃以下で焼成することによって電極が電子回路基板の
上に形成されていた。
い電子回路基板の上に比抵抗の小さい銀（融点：９６２
℃）等を電極として形成する場合、従来はまず、ホウケ
イ酸ガラス等の比誘電率および誘電損失がいずれも小さ
いガラスの粉末を含有し、必要に応じてアルミナ粉末等
の無機物フィラーを含有する電子回路基板用組成物を１
０００℃以上で焼成して電子回路基板を作製し、次に該
基板の上に銀ペースト等を所望のパターンに印刷後９０
０℃以下で焼成することによって電極が電子回路基板の
上に形成されていた。
【０００３】一方、前記混合物の焼成と前記銀ペースト
等の焼成を同時に行える、すなわち焼成温度が８００〜
９００℃である低温焼成を行える電子回路基板用組成物
が求められており、そのためのガラス粉末として種々の
ものが提案されている。このようなガラス粉末として、
たとえば、軟化点を低下させる成分としてアルカリ金属
または鉛を含有するホウケイ酸ガラスの粉末が挙げられ
る。
等の焼成を同時に行える、すなわち焼成温度が８００〜
９００℃である低温焼成を行える電子回路基板用組成物
が求められており、そのためのガラス粉末として種々の
ものが提案されている。このようなガラス粉末として、
たとえば、軟化点を低下させる成分としてアルカリ金属
または鉛を含有するホウケイ酸ガラスの粉末が挙げられ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記アルカリ金属また
は鉛を含有するホウケイ酸ガラスの粉末を用いて作製し
た電子回路基板には次のような問題があった。すなわ
ち、アルカリホウケイ酸ガラスの粉末を含有するグリー
ンシートをその上に形成された銀ペースト印刷パターン
ともに同時に焼成すると、当該焼成時に銀が電子回路基
板中に拡散し、電子回路基板の絶縁性が低下する問題が
あった。また、鉛ホウケイ酸ガラスの粉末には環境に負
荷を与える問題があった。本発明は、９００℃以下で焼
成でき、アルカリ金属および鉛のいずれも含有しない電
子回路基板用組成物、および電子回路基板の提供を目的
とする。
は鉛を含有するホウケイ酸ガラスの粉末を用いて作製し
た電子回路基板には次のような問題があった。すなわ
ち、アルカリホウケイ酸ガラスの粉末を含有するグリー
ンシートをその上に形成された銀ペースト印刷パターン
ともに同時に焼成すると、当該焼成時に銀が電子回路基
板中に拡散し、電子回路基板の絶縁性が低下する問題が
あった。また、鉛ホウケイ酸ガラスの粉末には環境に負
荷を与える問題があった。本発明は、９００℃以下で焼
成でき、アルカリ金属および鉛のいずれも含有しない電
子回路基板用組成物、および電子回路基板の提供を目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、質量百分率表
示で、ガラスの粉末 ４０〜１００％、無機物フィラー
０〜６０％、から本質的になる電子回路基板用組成物で
あって、該ガラスが、下記酸化物基準の質量百分率表示
で、 ＳｉＯ２ ５８〜７０％、 Ｂ２Ｏ３ １５〜３０％、 Ａｌ２Ｏ３ ５〜１０％、 ＣａＯ ３〜１０％、 から本質的になり、かつ、アルカリ金属および鉛のいず
れも含有しないことを特徴とする電子回路基板用組成物
を提供する。また、前記電子回路基板用組成物を焼成し
て得られる電子回路基板を提供する。
示で、ガラスの粉末 ４０〜１００％、無機物フィラー
０〜６０％、から本質的になる電子回路基板用組成物で
あって、該ガラスが、下記酸化物基準の質量百分率表示
で、 ＳｉＯ２ ５８〜７０％、 Ｂ２Ｏ３ １５〜３０％、 Ａｌ２Ｏ３ ５〜１０％、 ＣａＯ ３〜１０％、 から本質的になり、かつ、アルカリ金属および鉛のいず
れも含有しないことを特徴とする電子回路基板用組成物
を提供する。また、前記電子回路基板用組成物を焼成し
て得られる電子回路基板を提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の電子回路基板用組成物
（以下単に本発明の組成物という。）は通常グリーンシ
ート化して使用される。すなわち、まず本発明の組成物
をポリビニルブチラールやアクリル樹脂等の樹脂と、必
要に応じてフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フ
タル酸ブチルベンジル等の可塑剤等も添加して混合す
る。次に、トルエン、キシレン、ブタノール等の溶剤を
添加してスラリーとし、ポリエチレンテレフタレート等
のフィルム上にドクターブレード法等によってこのスラ
リーをシート状に成形する。最後に、このシート状に成
形されたものを乾燥して溶剤を除去しグリーンシートと
する。
（以下単に本発明の組成物という。）は通常グリーンシ
ート化して使用される。すなわち、まず本発明の組成物
をポリビニルブチラールやアクリル樹脂等の樹脂と、必
要に応じてフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フ
タル酸ブチルベンジル等の可塑剤等も添加して混合す
る。次に、トルエン、キシレン、ブタノール等の溶剤を
添加してスラリーとし、ポリエチレンテレフタレート等
のフィルム上にドクターブレード法等によってこのスラ
リーをシート状に成形する。最後に、このシート状に成
形されたものを乾燥して溶剤を除去しグリーンシートと
する。
【０００７】前記グリーンシートは焼成後所望の形状に
加工されて電子回路基板とされる。なお、該電子回路基
板は本発明の電子回路基板であり、前記焼成は典型的に
は８５０〜９００℃に５〜１５０分間保持して行われ
る。
加工されて電子回路基板とされる。なお、該電子回路基
板は本発明の電子回路基板であり、前記焼成は典型的に
は８５０〜９００℃に５〜１５０分間保持して行われ
る。
【０００８】本発明の組成物を９００℃で３０分間焼成
して得られる焼成体の２０℃、１ＭＨｚにおける誘電率
εは５．０以下であることが好ましい。より好ましくは
４．７以下、特に好ましくは４．５以下である。なお、
εは典型的には４以上である。また、前記焼成体の２０
℃、１ＭＨｚにおける誘電損失ｔａｎδは０．００２５
以下であることが好ましい。より好ましくは０．００１
０以下である。なお、ｔａｎδは典型的には０．０００
１以上である。前記焼成体のε、ｔａｎδはそれぞれ
５．０以下、０．００２５以下であることが好ましい。
して得られる焼成体の２０℃、１ＭＨｚにおける誘電率
εは５．０以下であることが好ましい。より好ましくは
４．７以下、特に好ましくは４．５以下である。なお、
εは典型的には４以上である。また、前記焼成体の２０
℃、１ＭＨｚにおける誘電損失ｔａｎδは０．００２５
以下であることが好ましい。より好ましくは０．００１
０以下である。なお、ｔａｎδは典型的には０．０００
１以上である。前記焼成体のε、ｔａｎδはそれぞれ
５．０以下、０．００２５以下であることが好ましい。
【０００９】本発明の組成物の組成について質量百分率
表示を用いて以下に説明する。ガラスの粉末は必須であ
る。４０％未満では焼結性が低下する。好ましくは５０
％以上、より好ましくは７０％以上である。無機物フィ
ラーは必須ではないが、焼成によって得られる焼成体の
強度を大きくするために６０％まで含有してもよい。好
ましくは５０％以下、より好ましくは３０％以下であ
る。
表示を用いて以下に説明する。ガラスの粉末は必須であ
る。４０％未満では焼結性が低下する。好ましくは５０
％以上、より好ましくは７０％以上である。無機物フィ
ラーは必須ではないが、焼成によって得られる焼成体の
強度を大きくするために６０％まで含有してもよい。好
ましくは５０％以下、より好ましくは３０％以下であ
る。
【００１０】無機物フィラーは、融点または転移温度が
１０００℃以上であるセラミックス粉末または軟化点が
１０００℃以上であるガラス粉末であることが好まし
い。より好ましくは、α−石英（転移温度：１４５０
℃）、非晶質シリカ（軟化点：１５００℃）、アルミナ
（融点：２０５０℃）、マグネシア（融点：２８２０
℃）、フォルステライト（融点：１８９０℃）、コーデ
ィエライト（転移温度：１４５０℃）、ムライト（融
点：１８５０℃）、ジルコン（融点：１６８０℃）およ
びジルコニア（融点：２７１０℃）からなる群から選ば
れた無機物の１種以上の粉末である。
１０００℃以上であるセラミックス粉末または軟化点が
１０００℃以上であるガラス粉末であることが好まし
い。より好ましくは、α−石英（転移温度：１４５０
℃）、非晶質シリカ（軟化点：１５００℃）、アルミナ
（融点：２０５０℃）、マグネシア（融点：２８２０
℃）、フォルステライト（融点：１８９０℃）、コーデ
ィエライト（転移温度：１４５０℃）、ムライト（融
点：１８５０℃）、ジルコン（融点：１６８０℃）およ
びジルコニア（融点：２７１０℃）からなる群から選ば
れた無機物の１種以上の粉末である。
【００１１】本発明の組成物は本質的に上記成分からな
るが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有
してもよい。該他の成分の含有量の合計は、好ましくは
１０％以下、より好ましくは５％以下である。なお、前
記他の成分として、たとえば耐熱着色顔料が挙げられ
る。
るが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有
してもよい。該他の成分の含有量の合計は、好ましくは
１０％以下、より好ましくは５％以下である。なお、前
記他の成分として、たとえば耐熱着色顔料が挙げられ
る。
【００１２】次に、本発明の組成物の必須成分であるガ
ラスの粉末に用いられるガラス（以下本発明のガラスと
いう。）について説明する。本発明のガラスの焼成可能
な温度ＴＢは９００℃以下であることが好ましい。９０
０℃超では銀電極との同時焼成が困難になる。また、前
記焼成時における銀の電子回路基板中への拡散を抑制す
るためには焼成はより低い温度で行われることが好まし
い。したがって、ＴＢはより好ましくは８７５℃以下、
特に好ましくは８５０℃以下である。なお、銀ペースト
を良好に焼結させるためには焼成は８００℃以上の温度
で行われることが好ましい。
ラスの粉末に用いられるガラス（以下本発明のガラスと
いう。）について説明する。本発明のガラスの焼成可能
な温度ＴＢは９００℃以下であることが好ましい。９０
０℃超では銀電極との同時焼成が困難になる。また、前
記焼成時における銀の電子回路基板中への拡散を抑制す
るためには焼成はより低い温度で行われることが好まし
い。したがって、ＴＢはより好ましくは８７５℃以下、
特に好ましくは８５０℃以下である。なお、銀ペースト
を良好に焼結させるためには焼成は８００℃以上の温度
で行われることが好ましい。
【００１３】前記焼成可能な温度ＴＢはガラスの粉末が
良好に焼結する目安の温度である。すなわち、ガラスの
粉末（平均粒径：１〜５μｍ）２ｇを直径１２．７ｍｍ
の円柱状に加圧成形し、これを温度Ｔまで加熱し３０分
間保持する焼成を行って焼成体とした後冷却する。得ら
れた焼成体を赤色の浸透液（マークテック社製 スーパ
ーチェックＵＰ−Ｇ３）に浸漬後水洗いし、焼成体が赤
色に着色しているか否かを観察する。赤色に着色してい
ない場合、このガラスはＴで焼成可能であり、ＴＢはＴ
以下である。
良好に焼結する目安の温度である。すなわち、ガラスの
粉末（平均粒径：１〜５μｍ）２ｇを直径１２．７ｍｍ
の円柱状に加圧成形し、これを温度Ｔまで加熱し３０分
間保持する焼成を行って焼成体とした後冷却する。得ら
れた焼成体を赤色の浸透液（マークテック社製 スーパ
ーチェックＵＰ−Ｇ３）に浸漬後水洗いし、焼成体が赤
色に着色しているか否かを観察する。赤色に着色してい
ない場合、このガラスはＴで焼成可能であり、ＴＢはＴ
以下である。
【００１４】本発明のガラスのガラス転移点ＴＧは６５
０℃以下であることが好ましい。本発明のガラスのεは
４．７以下であることが好ましい。４．７超では、本発
明の組成物がアルミナ粉末等の無機物フィラーを含有す
る場合に前記焼成体のεを５．０以下とするのが困難に
なるおそれがある。好ましくは４．５以下である。な
お、εは典型的には４以上である。また、本発明のガラ
スのｔａｎδは０．００２５以下であることが好まし
い。より好ましくは０．００１０以下である。なお、ｔ
ａｎδは典型的には０．０００１以上である。
０℃以下であることが好ましい。本発明のガラスのεは
４．７以下であることが好ましい。４．７超では、本発
明の組成物がアルミナ粉末等の無機物フィラーを含有す
る場合に前記焼成体のεを５．０以下とするのが困難に
なるおそれがある。好ましくは４．５以下である。な
お、εは典型的には４以上である。また、本発明のガラ
スのｔａｎδは０．００２５以下であることが好まし
い。より好ましくは０．００１０以下である。なお、ｔ
ａｎδは典型的には０．０００１以上である。
【００１５】次に、本発明のガラスの組成を質量百分率
表示を用いて説明する。ＳｉＯ２はネットワークフォー
マであり、またεを低下させる成分であり、必須であ
る。５８％未満では化学的耐久性が低下する、またはε
が高くなる。好ましくは６０％以上である。７０％超で
はガラス溶融温度が高くなる、または、軟化点が高くな
りＴＢが９００℃超となる。好ましくは６６％以下、よ
り好ましくは６４％以下である。
表示を用いて説明する。ＳｉＯ２はネットワークフォー
マであり、またεを低下させる成分であり、必須であ
る。５８％未満では化学的耐久性が低下する、またはε
が高くなる。好ましくは６０％以上である。７０％超で
はガラス溶融温度が高くなる、または、軟化点が高くな
りＴＢが９００℃超となる。好ましくは６６％以下、よ
り好ましくは６４％以下である。
【００１６】Ｂ２Ｏ３はネットワークフォーマであり、
必須である。１５％未満ではガラス溶融温度が高くな
る。好ましくは２０％以上、より好ましくは２４％以
上、特にに好ましくは２６％以上である。３０％超では
化学的耐久性が低下する。好ましくは２８％以下であ
る。
必須である。１５％未満ではガラス溶融温度が高くな
る。好ましくは２０％以上、より好ましくは２４％以
上、特にに好ましくは２６％以上である。３０％超では
化学的耐久性が低下する。好ましくは２８％以下であ
る。
【００１７】Ａｌ２Ｏ３はガラスを安定化する成分であ
り、必須である。５％未満では、ガラスが不安定になる
おそれがある。好ましくは７％以上である。１０％超で
はガラス溶融温度が高くなる、またはＴＢが高くなる。
好ましくは９％以下、より好ましくは８％以下である。
り、必須である。５％未満では、ガラスが不安定になる
おそれがある。好ましくは７％以上である。１０％超で
はガラス溶融温度が高くなる、またはＴＢが高くなる。
好ましくは９％以下、より好ましくは８％以下である。
【００１８】ＣａＯはガラス溶融温度を低下させ、また
はＴＧを低下させ、またはガラスを安定化させる成分で
あり、必須である。３％未満ではガラスの溶融温度が高
くなる、ＴＧが高くなる、またはガラスが不安定になる
おそれがある。１０％超ではかえってガラスが不安定に
なるおそれがある。
はＴＧを低下させ、またはガラスを安定化させる成分で
あり、必須である。３％未満ではガラスの溶融温度が高
くなる、ＴＧが高くなる、またはガラスが不安定になる
おそれがある。１０％超ではかえってガラスが不安定に
なるおそれがある。
【００１９】本発明のガラスは本質的に上記成分からな
るが、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を含有
してもよい。なお、本発明のガラスは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ
等のアルカリ金属および鉛のいずれも含有しない。
るが、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を含有
してもよい。なお、本発明のガラスは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ
等のアルカリ金属および鉛のいずれも含有しない。
【００２０】また、本発明のガラスはアンチモンを含有
しないことが好ましい。アンチモンを含有すると、電子
回路基板上に銀電極、銅電極（融点：１０８３℃）等を
形成するべく先に述べたような焼成を７００℃以上で行
うとガラス中のアンチモンに起因して酸素がガラスから
放出され銀電極、銅電極等が酸化されるおそれがあるか
らである。また、本発明のガラスはカドミウム、砒素等
の環境に負荷を与える成分を含有しないことが好まし
い。
しないことが好ましい。アンチモンを含有すると、電子
回路基板上に銀電極、銅電極（融点：１０８３℃）等を
形成するべく先に述べたような焼成を７００℃以上で行
うとガラス中のアンチモンに起因して酸素がガラスから
放出され銀電極、銅電極等が酸化されるおそれがあるか
らである。また、本発明のガラスはカドミウム、砒素等
の環境に負荷を与える成分を含有しないことが好まし
い。
【００２１】また、本発明のガラスはストロンチウムを
含有しないことが好ましい。ストロンチウムを含有する
とεが大きくなるおそれがある。また、本発明のガラス
は亜鉛を含有しないことが好ましい。亜鉛を含有すると
耐酸性が低下するおそれがある。
含有しないことが好ましい。ストロンチウムを含有する
とεが大きくなるおそれがある。また、本発明のガラス
は亜鉛を含有しないことが好ましい。亜鉛を含有すると
耐酸性が低下するおそれがある。
【００２２】
【実施例】表のＳｉＯ２〜Ｋ２Ｏの欄に質量百分率表示
で示した組成となるように原料を調合、混合し、該混合
された原料を白金ルツボに入れて１６５０℃で１２０分
間溶融後、溶融ガラスを流し出し冷却した。得られたガ
ラスの一部をアルミナ製ボールミルで１０時間粉砕して
ガラス粉末とした。残りのガラスは塊の状態で徐冷し
た。例１、２は実施例、例３、４、５は比較例である。
で示した組成となるように原料を調合、混合し、該混合
された原料を白金ルツボに入れて１６５０℃で１２０分
間溶融後、溶融ガラスを流し出し冷却した。得られたガ
ラスの一部をアルミナ製ボールミルで１０時間粉砕して
ガラス粉末とした。残りのガラスは塊の状態で徐冷し
た。例１、２は実施例、例３、４、５は比較例である。
【００２３】例１〜５のガラスについて、ＴＧ（単位：
℃）、焼結性、ε、ｔａｎδ、銀拡散開始時間ｔＡｇ、
銅電極酸化性を測定または評価した。結果を表に示す。 ＴＧ：ガラス粉末を試料として示差熱分析により昇温速
度１０℃／分で室温から１０００℃までの範囲で測定し
た。なお、アルミナ粉末を標準物質とした。
℃）、焼結性、ε、ｔａｎδ、銀拡散開始時間ｔＡｇ、
銅電極酸化性を測定または評価した。結果を表に示す。 ＴＧ：ガラス粉末を試料として示差熱分析により昇温速
度１０℃／分で室温から１０００℃までの範囲で測定し
た。なお、アルミナ粉末を標準物質とした。
【００２４】焼結性：前記ＴＢが８５０℃以下であるも
のを◎、ＴＢが８５０℃超８７５℃以下であるものを
○、ＴＢが８７５℃超９００℃以下であるものを△、と
して表に示した。◎または○であることが好ましく、◎
であることがより好ましい。
のを◎、ＴＢが８５０℃超８７５℃以下であるものを
○、ＴＢが８７５℃超９００℃以下であるものを△、と
して表に示した。◎または○であることが好ましく、◎
であることがより好ましい。
【００２５】ε、ｔａｎδ：ガラス粉末４０ｇを６０ｍ
ｍ×６０ｍｍの金型に入れて加圧成形したものを９００
℃で３０分間焼成した。得られた焼成体を５０ｍｍ×５
０ｍｍ×３ｍｍに加工し、ＬＣＲメーターを使用して、
２０℃、１ＭＨｚにおける誘電率および誘電損失を測定
した。εは４．７以下、ｔａｎδは０．００２５以下で
あることが好ましい。
ｍ×６０ｍｍの金型に入れて加圧成形したものを９００
℃で３０分間焼成した。得られた焼成体を５０ｍｍ×５
０ｍｍ×３ｍｍに加工し、ＬＣＲメーターを使用して、
２０℃、１ＭＨｚにおける誘電率および誘電損失を測定
した。εは４．７以下、ｔａｎδは０．００２５以下で
あることが好ましい。
【００２６】ｔＡｇ：ガラス粉末３５ｇを、質量百分率
表示の組成がエチルセルロース１０％、α−テルピネオ
ール９０％であるビヒクル２５ｇと混練しガラスペース
トを作製した。このガラスペーストを大きさが５０ｍｍ
×５０ｍｍであるアルミナ基板上に０．２ｍｍの厚さで
ブレードコート後、１５０℃で乾燥し、アルミナ基板上
に乾燥膜を形成した。この乾燥膜上に銀ペーストを用い
て次のような電極パターンを印刷した。すなわち、主要
部が、陽極となるべきライン幅２４０μｍ、長さ２３ｍ
ｍの線状電極３本と、陰極となるべきライン幅２４０μ
ｍ、長さ２３ｍｍの線状電極３本とが交互に間隔２２０
μｍで配置されたパターンである電極パターンを印刷し
た。
表示の組成がエチルセルロース１０％、α−テルピネオ
ール９０％であるビヒクル２５ｇと混練しガラスペース
トを作製した。このガラスペーストを大きさが５０ｍｍ
×５０ｍｍであるアルミナ基板上に０．２ｍｍの厚さで
ブレードコート後、１５０℃で乾燥し、アルミナ基板上
に乾燥膜を形成した。この乾燥膜上に銀ペーストを用い
て次のような電極パターンを印刷した。すなわち、主要
部が、陽極となるべきライン幅２４０μｍ、長さ２３ｍ
ｍの線状電極３本と、陰極となるべきライン幅２４０μ
ｍ、長さ２３ｍｍの線状電極３本とが交互に間隔２２０
μｍで配置されたパターンである電極パターンを印刷し
た。
【００２７】次に、大気雰囲気中において９００℃で３
０分間焼成し、アルミナ基板上にガラス粉末の焼成体、
その上に銀電極が形成された試料を得た。この試料を４
００℃に加熱されたホットプレート上に置き、前記陽極
となるべき線状電極と陰極となるべき線状電極との間に
１０Ｖの直流電圧を印可し、電流が流れ始めるまでの時
間を測定した。ｔＡｇは６０分超であることが好まし
い。
０分間焼成し、アルミナ基板上にガラス粉末の焼成体、
その上に銀電極が形成された試料を得た。この試料を４
００℃に加熱されたホットプレート上に置き、前記陽極
となるべき線状電極と陰極となるべき線状電極との間に
１０Ｖの直流電圧を印可し、電流が流れ始めるまでの時
間を測定した。ｔＡｇは６０分超であることが好まし
い。
【００２８】銅電極酸化性：銀ペーストの代わりに銅ペ
ーストを用い、焼成を大気雰囲気中ではなく窒素雰囲気
中において行った以外はｔＡｇの測定に用いた試料の作
製と同様にして試料を作製した。この試料、すなわちア
ルミナ基板上にガラス粉末の焼成体、その上に銅電極が
形成された試料の銅電極を観察した。銅電極に光沢が認
められ、また銅電極の良好な導電性が確認されたものを
○、銅電極に光沢が認められず変色しており、また銅電
極の良好な導電性が確認されなかったものを×とした。
例３において×となったのは、先に述べたようにガラス
中のＳｂ２Ｏ３に起因して酸素がガラスから放出され銅
電極が酸化されたためと考えられる。
ーストを用い、焼成を大気雰囲気中ではなく窒素雰囲気
中において行った以外はｔＡｇの測定に用いた試料の作
製と同様にして試料を作製した。この試料、すなわちア
ルミナ基板上にガラス粉末の焼成体、その上に銅電極が
形成された試料の銅電極を観察した。銅電極に光沢が認
められ、また銅電極の良好な導電性が確認されたものを
○、銅電極に光沢が認められず変色しており、また銅電
極の良好な導電性が確認されなかったものを×とした。
例３において×となったのは、先に述べたようにガラス
中のＳｂ２Ｏ３に起因して酸素がガラスから放出され銅
電極が酸化されたためと考えられる。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、焼結性に優れ、銀電
極、銅電極等と同時に焼成でき、ε、ｔａｎδのいずれ
もが小さく、かつ電気絶縁性に優れた電子回路基板が得
られる電子回路基板用組成物が得られる。
極、銅電極等と同時に焼成でき、ε、ｔａｎδのいずれ
もが小さく、かつ電気絶縁性に優れた電子回路基板が得
られる電子回路基板用組成物が得られる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 根岸 祐美
神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地
旭硝子株式会社内
Ｆターム(参考） 4G062 AA15 BB01 DA06 DB03 DC04
DD01 DE01 DF01 EA01 EB01
EC01 ED01 EE03 EF01 EG01
FA01 FA10 FB01 FC01 FD01
FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01
FK01 FL01 GA01 GA10 GB01
GC01 GD01 GE01 HH01 HH03
HH05 HH07 HH09 HH11 HH13
HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03
JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03
KK05 KK07 KK10 MM28 NN40
PP01 PP02 PP03 PP06
Claims (6)
- 【請求項１】質量百分率表示で、ガラスの粉末 ４０〜
１００％、無機物フィラー ０〜６０％、から本質的に
なる電子回路基板用組成物であって、該ガラスが、下記
酸化物基準の質量百分率表示で、 ＳｉＯ２ ５８〜７０％、 Ｂ２Ｏ３ １５〜３０％、 Ａｌ２Ｏ３ ５〜１０％、 ＣａＯ ３〜１０％、 から本質的になり、かつ、アルカリ金属および鉛のいず
れも含有しないことを特徴とする電子回路基板用組成
物。 - 【請求項２】前記ガラスがアンチモンを含有しないこと
を特徴とする請求項１に記載の電子回路基板用組成物。 - 【請求項３】前記ガラスの２０℃、１ＭＨｚにおける比
誘電率εが４．７以下、かつ２０℃、１ＭＨｚにおける
誘電損失ｔａｎδが０．００２５以下である請求項１ま
たは２に記載の電子回路基板用組成物。 - 【請求項４】前記ガラスのガラス転移点が６５０℃以下
である請求項１、２または３に記載の電子回路基板用組
成物。 - 【請求項５】請求項１、２、３または４に記載の電子回
路基板用組成物であって、該電子回路基板用組成物を９
００℃で３０分間焼成して得られる焼成体のεおよびｔ
ａｎδがそれぞれ５．０以下、０．００２５以下である
ことを特徴とする電子回路基板用組成物。 - 【請求項６】請求項１、２、３、４または５に記載の電
子回路基板用組成物を焼成して得られる電子回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215427A JP2003026446A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 電子回路基板用組成物および電子回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215427A JP2003026446A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 電子回路基板用組成物および電子回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003026446A true JP2003026446A (ja) | 2003-01-29 |
Family
ID=19050067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001215427A Withdrawn JP2003026446A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 電子回路基板用組成物および電子回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003026446A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004323337A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成磁器組成物、およびそれを用いた配線基板 |
| US7160823B2 (en) * | 2003-04-02 | 2007-01-09 | Korea Institute Of Science And Technology | Low dielectric constant low temperature fired ceramics |
| JP2010508226A (ja) * | 2006-10-26 | 2010-03-18 | エイジーワイ ホールディングス コーポレイション | 低誘電性グラスファイバー |
| JPWO2020184175A1 (ja) * | 2019-03-08 | 2020-09-17 | ||
| JP2022060313A (ja) * | 2014-04-03 | 2022-04-14 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09295827A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-11-18 | Tdk Corp | 基板用ガラス、それを用いたセラミック基板 |
-
2001
- 2001-07-16 JP JP2001215427A patent/JP2003026446A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09295827A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-11-18 | Tdk Corp | 基板用ガラス、それを用いたセラミック基板 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7160823B2 (en) * | 2003-04-02 | 2007-01-09 | Korea Institute Of Science And Technology | Low dielectric constant low temperature fired ceramics |
| JP2004323337A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成磁器組成物、およびそれを用いた配線基板 |
| JP2010508226A (ja) * | 2006-10-26 | 2010-03-18 | エイジーワイ ホールディングス コーポレイション | 低誘電性グラスファイバー |
| JP2022060313A (ja) * | 2014-04-03 | 2022-04-14 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス |
| JP7472925B2 (ja) | 2014-04-03 | 2024-04-23 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス |
| JPWO2020184175A1 (ja) * | 2019-03-08 | 2020-09-17 |
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