JP2003017971A

JP2003017971A - 弾性表面波装置、通信装置

Info

Publication number: JP2003017971A
Application number: JP2001199674A
Authority: JP
Inventors: 幹 ▲高▼宮; Miki Takamiya
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-06-29
Filing date: 2001-06-29
Publication date: 2003-01-17

Abstract

(57)【要約】【課題】伝送特性を改善できる、弾性表面波装置、通
信装置を提供する。【解決手段】圧電基板１１上に、弾性表面波を発生
し、検出するインターデジタルトランスデューサ（以
下、ＩＤＴと記す）１６、１７、１８を、通過帯域を備
えたフィルタ機能を有するように設ける。ＩＤＴ１６、
１７、１８における弾性表面波の伝搬方向の両端側に、
上記弾性表面波を反射する第一および第二のリフレクタ
１４、１５をそれぞれ設ける。第一および第二のリフレ
クタ１４、１５の各電極指１４ｂ、１５ｂのメタライゼ
ーションレシオを互いに異なるように形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の小型
通信装置に好適に用いられる弾性表面波装置であり、フ
ィルタ機能における良好な伝送特性を有し、かつ量産性
に優れてコストも軽減できる弾性表面波装置およびそれ
を用いた通信装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、弾性表面波装置（以下、ＳＡＷフ
ィルタという）は、小型化、高周波化、量産性に優れて
いることから、携帯電話をはじめとする、無線の通信装
置に多く使用されるようになってきた。特に、ＴＤＭ
Ａ、ＣＤＭＡ等のデジタル通信方式における通信装置の
フィルタにおいては、小型化に加え広帯域、かつ高減衰
量のものが要求されている。

【０００３】このようなＳＡＷフィルタとしては、共振
子型のＳＡＷフィルタが知られている。共振子型のＳＡ
Ｗフィルタは、圧電基板上に弾性表面波を送受信するた
めのインターデジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴ
と略す）と、ＩＤＴの両側に設けられたリフレクタとを
有している。

【０００４】リフレクタは、弾性表面波の伝搬方向と直
交する方向に配置された複数本の電極指を有し、ＩＤＴ
から伝搬してきた弾性表面波を反射し、ＩＤＴの両側の
リフレクタにより弾性表面波を閉じ込めるように作用す
るものである。

【０００５】理想的なリフレクタは、ある幅の周波数帯
域で１００％の反射係数を得ることができ、該周波数帯
域以外では弾性表面波を反射しないように構成されてい
るものである。このような理想的なリフレクタは、リフ
レクタの電極指の本数を無限大とすることにより構成さ
れ得る。

【０００６】ところが、現実には、リフレクタにおける
電極指の本数は有限であり、従って、ストップバンド内
における反射係数は１００％未満であり、かつストップ
バンド以外の周波数でも弾性表面波が反射せざるを得な
かった。特に、ストップバンド以外の周波数における反
射特性では、中心周波数から周波数が離れるに連れて、
反射係数が周期的に変化していた。すなわち、反射係数
−周波数特性において、上記のような反射係数が周波数
的に変化するサイドローブが見られた。

【０００７】従って、上記の共振子型のＳＡＷフィルタ
では、リフレクタの反射特性が上記のようなサイドロー
ブを有するため、フィルタ特性において通過帯域外にス
パイク、すなわち凹凸が生じていた。つまり、上記サイ
ドローブの形が反映されたフィルタ特性上の凹凸によ
り、フィルタ特性が劣化するという問題があった。

【０００８】そこで、上記問題を回避するために、特開
平７−１３１２９１号公報においては、複数のＳＡＷ共
振子を多段縦続してなる２重モードＳＡＷフィルタにお
いて、初段と次段のリフレクタの電極指の本数及び／ま
たはピッチを異ならせることにより、通過帯域を同一と
したまま、通過帯域外の特性を異ならせた構成が開示さ
れている。

【０００９】しかしながら、特開平７−１３１２９１号
公報に開示されているＳＡＷフィルタは、初段のＳＡＷ
共振子と次段のＳＡＷ共振子の通過帯域外の特性を異な
らせることによりフィルタ特性の改善を図っているもの
に過ぎず、従って、複数のＳＡＷ共振子を縦続接続した
形式のフィルタにしか適用することができなかった。

【００１０】すなわち、１段構成のフィルタやトラップ
フィルタとして用いられているＳＡＷ共振子、並びにＳ
ＡＷ共振子を梯子型に接続してなるラダー型フィルタな
どには適用できなかったという問題点を生じている。

【００１１】また、初段のＳＡＷ共振子と次段のＳＡＷ
共振子の構造を異ならせるものであるため、ＳＡＷ共振
子の反射特性が入力側と出力側とで異なることとなって
いた。そのため、ＳＡＷフィルタを組み立てるに際し、
各ＳＡＷ共振子が方向性を有するため、ＳＡＷ共振子の
向きに注意を払って整列させねばならなかった。従っ
て、ＳＡＷフィルタの製造に際し、工程数が増加してコ
ストアップを招来するという問題点も生じている。

【００１２】そこで、上記の各問題点を回避するため
に、特開平１０−２６１９３５号公報では、少なくとも
１つのＩＤＴが設けられている領域の両側に第１、第２
のリフレクタが配置されており、第１、第２のリフレク
タの本数または規格化膜厚を異ならせた弾性表面波素子
（ＳＡＷフィルタ）が開示されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の特開平１０−２６１９３５号公報に記載のＳＡＷフ
ィルタでは、第１、第２のリフレクタの本数を異ならせ
た場合、第１、第２のリフレクタの大きさが圧電基板上
にて相違するので、大型化になり易いという課題を生じ
ている。また、第１、第２のリフレクタの規格化膜厚を
異ならせた場合、規格化膜厚を異ならせることに精度を
上げ難く、その上、規格化膜厚を異ならせるためのマス
クパターンごと変えて膜厚を変える必要があり量産性に
劣るとという課題も生じている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
（ＳＡＷフィルタ）は、上記課題を解決するために、圧
電基板上に、弾性表面波を発生し、検出するＩＤＴが、
通過帯域を備えたフィルタ機能を有するように設けら
れ、ＩＤＴにおける弾性表面波の伝搬方向の両端側に、
上記弾性表面波を反射する第一および第二のリフレクタ
がそれぞれ設けられ、第一および第二のリフレクタの各
電極指のメタライゼーションレシオが互いに異なるよう
に形成されていることを特徴としている。

【００１５】上記ＳＡＷフィルタでは、第一および第二
のリフレクタは、ＩＤＴによる通過帯域外における反射
特性の極大値を示す周波数が互いに相違するように設定
されていてもよい。

【００１６】上記ＳＡＷフィルタにおいては、第一のリ
フレクタの通過帯域外における反射特性の極小値を示す
周波数と、第二のリフレクタの通過帯域外における反射
特性の極大値を示す周波数とが、互いに重なり合うよう
に設定されていてもよい。

【００１７】上記ＳＡＷフィルタでは、第一のリフレク
タの通過帯域外における反射特性の極大値を示す周波数
と、第二のリフレクタの通過帯域外における反射特性の
極小値を示す周波数とが、互いに重なり合うように設定
されていてもよい。

【００１８】上記構成よれば、第一および第二のリフレ
クタの各電極指のメタライゼーションレシオが互いに異
なっているので、通過帯域外や通過帯域内における、第
一および第二のリフレクタの各反射特性を互いに変える
ことができる。

【００１９】これにより、上記構成では、互いに異なる
第一および第二のリフレクタの各反射特性、例えば、第
一および第二のリフレクタの各反射特性の各極小値が互
いに相違する、あるいは第一のリフレクタの反射特性の
極小値と、第二のリフレクタの反射特性の極大値とを略
合わせることで、通過帯域外での不要スプリアスを相殺
して抑制できる。

【００２０】また、上記構成においては、上記不要スプ
リアスが通過帯域の弾性表面波への影響も低減できて、
通過帯域内での微小リップル（スパイク）の発生も軽減
できる。これらのことから、上記構成では、通過帯域外
での不要スプリアスを抑制できると共に、通過帯域内で
の微小リップル（スパイク）の発生も軽減できるので、
伝送特性を改善できる。

【００２１】その上、上記構成では、各反射特性を互い
に変えることが、各電極指のメタライゼーションレシオ
を変えることにより実施されているので、従来の電極指
の本数を変える場合と比べて、大型化を回避でき、また
従来の電極指の膜厚を変える場合と比べて、工程数の増
加を防止して製造コストのアップも抑制できる。

【００２２】上記ＳＡＷフィルタにおいては、第一およ
び第二のリフレクタの各電極指上にそれぞれ絶縁膜が設
けられ、第一および第二のリフレクタの各電極指上の絶
縁膜の膜厚が互いに相違するように設定されていてもよ
い。

【００２３】上記構成によれば、第一および第二のリフ
レクタの各電極指上にそれぞれ形成された絶縁膜の膜厚
を相違させることでも、第一および第二のリフレクタの
各反射特性を互いに変化させることができて、通過帯域
外での不要スプリアスの抑制や、通過帯域内での微小リ
ップル（スパイク）の軽減に対する自由度を大きくでき
るから、伝送特性の改善をより確実化できる。

【００２４】上記ＳＡＷフィルタでは、第一および第二
のリフレクタの各電極指が、多層膜にて形成され、各電
極指の多層膜の膜厚が互いに相違するように設けられて
いてもよい。

【００２５】上記構成によれば、第一および第二のリフ
レクタの各電極指の多層膜の膜厚を相違させることで
も、第一および第二のリフレクタの各反射特性を互いに
変化させることができて、通過帯域外での不要スプリア
スを抑制や、通過帯域内での微小リップル（スパイク）
の軽減に対する自由度を大きくできるから、伝送特性の
改善をより確実化できる。

【００２６】上記ＳＡＷフィルタにおいては、第一およ
び第二のリフレクタを形成するときの、圧電基板に対す
るオーバーエッチング量が、第一および第二のリフレク
タに関して相違するように設けられていてもよい。

【００２７】上記構成によれば、第一および第二のリフ
レクタを形成するときの、圧電基板に対するオーバーエ
ッチング量を相違させることでも、第一および第二のリ
フレクタの各反射特性を互いに変化させることができ
て、通過帯域外での不要スプリアスの抑制や、通過帯域
内での微小リップル（スパイク）の軽減に対する自由度
を大きくできるから、伝送特性の改善をより確実化でき
る。

【００２８】本発明の通信装置は、前記の課題を解決す
るために、上記の何れかに記載のＳＡＷフィルタを有す
ることを特徴としている。上記構成によれば、上記ＳＡ
Ｗフィルタを用いたことにより伝送特性を改善できる。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の各形態について図
１ないし図１１に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。

【００３０】図１に示すように、本発明の実施の形態に
係るＳＡＷフィルタ１０では、圧電基板１１（例えば３
６°回転ＹカットのＬｉＴａＯ₃）上に、リフレクタ１
４、１５が、弾性表面波の伝搬方向に沿って所定の間隔
にて形成され、リフレクタ１４とリフレクタ１５との間
に、例えば３個のＩＤＴ１６、ＩＤＴ１７、ＩＤＴ１８
が弾性表面波の伝搬方向に沿って所定の間隔にてそれぞ
れ形成されている。

【００３１】言い換えると、各リフレクタ１４、１５
は、各ＩＤＴ１６、１７、１８を左右から（弾性表面波
の伝搬方向に沿った両端側にて）挟み込むように配置さ
れていることになる。

【００３２】各ＩＤＴ１６、１７、１８、各リフレクタ
１４、１５は、フォトリソグラフィー法等により形成さ
れたアルミニウム（Ａｌ）電極（箔）によって設けられ
ている。各ＩＤＴ１６、１７、１８に対して電気信号を
入出力するための入出力端子２２、２３が設けられてい
る。

【００３３】各ＩＤＴ１６、１７、１８について、ＩＤ
Ｔ１６を例に挙げて説明すると、まず、ＩＤＴ１６は、
第一くし型電極１６ａと、第二くし型電極１６ｂとを有
している。

【００３４】第一くし型電極１６ａは、基端側に帯状の
バスバー部１６ｃと、バスバー部１６ｃの長手方向の一
方の側部から直交する方向に延びる、帯状で複数の互い
に平行な電極指１６ｄとを備えている。第二くし型電極
１６ｂも、同様に、基端側に帯状のバスバー部１６ｅ
と、バスバー部１６ｅの長手方向の一方の側部から直交
する方向に延びる、帯状で複数の互いに平行な電極指１
６ｆとを備えている。

【００３５】さらに、第一くし型電極１６ａと、第二く
し型電極１６ｂとは、各電極指１６ｄと各電極指１６ｆ
とが、それらの長手方向の側部を互いに対面し、かつ平
行となるように交差した状態（つまり、互いに入り組ん
だ）に配置されることによって、それら交差領域にて弾
性表面波を発生でき、また伝搬してきた特定範囲の周波
数の弾性表面波から電気信号を発生できるようになって
いる。

【００３６】他の各ＩＤＴ１７、１８についても、ＩＤ
Ｔ１６と同様の構成を備えており、同様な機能を有する
部材に対しては、同一な小文字のアルファベットを付与
して、それらの説明を省いた。

【００３７】このようなＩＤＴでは、各電極指の長さや
幅、隣り合う各電極指の間隔、互いの電極指間での入り
組んだ状態の対面長さを示す交叉幅を、それぞれ設定す
ることにより信号変換特性や、通過帯域の設定が可能と
なっている。

【００３８】このように各ＩＤＴ１６、１７、１８を複
数、例えば３個（入力用と出力用）、弾性表面波の伝搬
方向に沿って圧電基板１１上に配置することにより共振
子型のＳＡＷフィルタを形成することができる。

【００３９】また、各リフレクタ１４、１５について、
リフレクタ１４を例に挙げて説明すると、リフレクタ１
４は、それに伝搬してきた弾性表面波を反射して、伝搬
してきた方向に戻す機能を有している。つまり、リフレ
クタ１４は、一対の帯状の基端部（バスバー）１４ａ
と、それらの基端部１４ａの一方の側部から、上記基端
部１４ａの長手方向に対し直交する方向に延びて、上記
各基端部１４ａを連結する、複数の、互いに平行な電極
指１４ｂとを圧電基板１１上に備えている。

【００４０】これにより、リフレクタ１４は、伝搬して
くる弾性表面波により励起され、その励起電気信号によ
り発生した弾性表面波により、進行してくる弾性表面波
を相殺すると共に、上記弾性表面波の伝搬方向と逆方向
の新たな弾性表面波を発生するように設定されている。
よって、リフレクタ１４は、伝搬してくる弾性表面波を
疑似的に反射するようになっている。リフレクタ１５
も、リフレクタ１４と同様な構成を備えている。

【００４１】そして、本実施の形態では、各リフレクタ
１４、１５の各電極指のメタライゼーションレシオが互
いに異なっており、例えば、リフレクタ１４のメタライ
ゼーションレシオが０．５２で、リフレクタ１５のメタ
ライゼーションレシオが０．５６に設定されている。メ
タライゼーションレシオとは、互いに隣り合う各電極指
の幅方向での各中心位置の間隔であるピッチの長さに対
する、電極指の幅の長さの比である。

【００４２】次に、本実施の形態に係る、共振子型のＳ
ＡＷフィルタの作用・効果について説明する。

【００４３】上記ＳＡＷフィルタでは、各ＩＤＴ１６、
１７、１８により励振された弾性表面波を２つの各リフ
レクタ１４、１５の間に閉じこめることで、挿入損失を
低減したフィルタ特性が実現できる。

【００４４】従って、各リフレクタ１４、１５において
は、通過帯域に相当する弾性表面波は十分に反射し、そ
の他の帯域に相当する弾性表面波は反射しないことが望
ましい。

【００４５】しかしながら、現実には、リフレクタ１
４、１５における電極指の本数は有限であり、従って、
ストップバンド内における反射係数は１００％未満にな
り、ストップバンド以外の周波数でも弾性表面波が反射
される。例として電極指の本数が１００本のときの反射
特性を図２に示した。上記反射特性において、ある周波
数帯域（ストップバンド）では、１００％近い反射係数
でほぼ一定になっているのに対し、その他の周波数帯域
では、周期的に振動しながら反射係数が減衰しているこ
とが判る。

【００４６】このストップバンド外での反射係数の周期
的な振動に起因した不要スプリアスがフィルタ特性に現
れる。したがって、２つのリフレクタにて、この周期的
振動の周期や中心周波数を変え、一方の凸部（反射係数
の極大値）と他方の凹部（反射係数の極小値）とが互い
に近づくように相違させる、より好ましくは重なるよう
に上記各リフレクタを設定することで、ストップバンド
外での反射係数の周期的な振動を平坦化できて、不要ス
プリアスのレベルを低く抑えることができる。

【００４７】まず、考えられる構成は、従来の図３に示
すように、各リフレクタ３４、３５の各電極指の本数を
互いに変えたＳＡＷフィルタ３０を用いることである。
リフレクタの本数を多くすると、ストップバンド内では
ほとんど変化がなく、ストップバンド外での反射係数の
周期的な振動の周期が短くなる。

【００４８】よって、左右の２つのリフレクタ３４、３
５の各電極指の本数を適切に選ぶと所望の周波数帯域付
近で、一方の凸部と他方の凹部とが互いに重なるように
設定できる。図４では、電極指の本数が１００本のリフ
レクタと１２０本のリフレクタの各反射係数を互いに重
ね合わせたものであるが、一方の凸部と他方の凹部とが
互いに重なる様子が判る。

【００４９】しかしながら、上記のように各電極指の本
数を変える場合には、各電極指の本数を減少ではなく、
増加させる方向に各電極指の本数を変える必要があるの
で、得られたＳＡＷフィルタ３０の大型化を招来すると
いう不都合を生じている。つまり、各リフレクタ３４、
３５においては、ある周波数帯域（ストップバンド）に
て、１００％近く、かつほぼ一定の反射係数を発揮する
ためには、所定本数以上の電極指が必要となる。このこ
とから、各電極指の本数を変える場合には、各電極指の
本数を減少ではなく、増加させる方向に各電極指の本数
を変える必要がある。よって、各電極指の本数を変える
場合には、得られたＳＡＷフィルタ３０の大型化を招来
し、また圧電基板１１やリフレクタの大型化に起因する
コストアップも生じている。

【００５０】そこで、本実施の形態では、各リフレクタ
１４、１５の各電極指のメタライゼーションレシオが互
いに異なっており、例えば、リフレクタ１４のメタライ
ゼーションレシオが０．５２で、リフレクタ１５のメタ
ライゼーションレシオが０．５６に設定されている。

【００５１】このように左右の２つの各リフレクタ１
４、１５の各電極指のメタライゼーションレシオを互い
に異なるように変えると、左右の各リフレクタ１４、１
５の反射特性が互いに異なり、ストップバンド幅も変化
するが、サイドローブ特性も変化する。

【００５２】そこで、この特性の変化を利用し所望の周
波数帯域（通過帯域）内外付近にて、一方の凸部（反射
特性の反射係数の極大値）と他方の凸部とを互いに相違
させる、好ましくは、一方の凸部と他方の凹部（反射特
性の反射係数の極小値）とが互いに近づくように相違さ
せる、より好ましくは重なるように上記各リフレクタ１
４、１５を設定する。このようにメタライゼーションレ
シオを互いに変える構成は、特に小型化のためにリフレ
クタの本数を増やせないときに有効である。

【００５３】図５では、メタライゼーションレシオが
０．５２のリフレクタと、メタライゼーションレシオが
０．５６のリフレクタの反射特性を重ね合わせたもので
あるが、一方の凸部と他方の凹部とが互いに重なる様子
が判る。

【００５４】このようなメタライゼーションレシオの変
化量としては、必要に応じて設定すればよいが、通常、
小さい方のメタライゼーションレシオに対して、大きい
方のメタライゼーションレシオが、２％以上、より好ま
しくは３％以上、さらに好ましくは４％以上であり、ま
た、２０％以下、より好ましくは１５％以下、さらに好
ましくは１０％以下である。

【００５５】以上に述べた構成以外にて左右のリフレク
タの反射係数を異ならせる構成としては、例えば、電極
指上に絶縁膜をそれぞれ形成し左右のリフレクタで絶縁
膜の膜厚を異ならせたり、電極指を多層構造とし左右の
リフレクタで多層膜の膜厚を異ならせたり、左右のリフ
レクタで圧電基板に対するオーバーエッチング量を異な
らせたりしてもよい。

【００５６】次に、本発明を用いたＳＡＷフィルタと、
本発明を用いない比較ＳＡＷフィルタ（比較例）の各伝
送特性の違いについて説明する。まず、本発明を用いた
ＳＡＷフィルタは、３６°回転ＹカットのＬｉＴａＯ₃
からなる圧電基板１１を用い、各ＩＤＴ対数が３６対
で、各リフレクタのメタライゼーションレシオを０．５
２と０．５６に、左右で異ならせたものを二段縦続接続
したものである。上記ＳＡＷフィルタの伝送特性を図６
に示した。

【００５７】上記ＳＡＷフィルタにおいては、図６から
明らかなように、通過帯域低域側の不要スプリアスが、
一方のリフレクタによるものと、他方のリフレクタによ
るものが互いに打ち消し合っており、上記不要スプリア
スを、後述する第一比較ＳＡＷフィルタと比べて低いレ
ベルに抑えていることが判る。

【００５８】一方、第一比較ＳＡＷフィルタは、各リフ
レクタのメタライゼーションレシオを左右とも０．５２
とした以外は本発明を用いた上記ＳＡＷフィルタと同様
に作製したものである。上記第一比較ＳＡＷフィルタの
伝送特性を図７に示した。図７から明らかなように、リ
フレクタの反射に起因した、通過帯域低域側の不要スプ
リアスが本発明を用いたＳＡＷフィルタと比べて、より
大きくなっているのが判る。

【００５９】なお、上記実施の形態では、本発明を、複
数のＩＤＴを有する縦結合の共振子型のＳＡＷフィルタ
に適用した例を挙げたが、上記に限定されるものでは無
く、例えば、図８に示す、横結合の共振子型のＳＡＷフ
ィルタや、図９に示す、１つのＩＤＴを用いた共振子型
のＳＡＷフィルタにも適用でき、それらのＳＡＷフィル
タにおいても、同様にリフレクタに起因する不要スプリ
アスの低減が可能である。

【００６０】さらに、本発明のＳＡＷフィルタをトラッ
プ型のフィルタとして用いる場合には、スパイクが現れ
る周波数領域を通過帯域に用いるときがあり、このとき
は、通過帯域内の微小リップル（スパイク）低減の効果
を発揮できる。

【００６１】図１０に、ＩＤＴ対数が等しくリフレクタ
の電極指の本数を変えた場合の効果を示す。図１０にお
いては、実線はリフレクタ左右とも電極指が１００本の
第二比較ＳＡＷフィルタの伝送特性を示し、破線はリフ
レクタを左右で電極指１１０本、８０本とした本発明の
ＳＡＷフィルタの伝送特性を示している。本発明のＳＡ
Ｗフィルタでは、第二比較ＳＡＷフィルタと比べて、通
過帯域内の微小リップル（スパイク）が０．３ｄＢから
０．２ｄＢに減少しているのが判る。

【００６２】また、本発明のＳＡＷフィルタを用いてラ
ダー型のフィルタを構成することも可能であり、そのと
きも通過帯域内の微小リップル（スパイク）を低減でき
る。

【００６３】以上のように本発明のＳＡＷフィルタは１
段構成でもリフレクタによる不要スプリアスのレベルを
低く抑えることができるため、低ロスあるいは高減衰な
ものにできる。１段構成だけに限らず多段接続した場合
でも有効である。

【００６４】その上、本発明では、２段縦続接続した場
合に１段目と２段目の構成を全く同一に設定したときで
も、リフレクタの反射に起因する不要スプリアスを抑え
ることができるため、入出力対称にフィルタを配置でき
る。よって、上記各フィルタをチップキャリヤに組み込
む際に、それらを方向指定する必要が無く、工程数を減
らし製造コスト削減も可能である。

【００６５】また、本発明のＳＡＷフィルタをトラップ
型のフィルタや、ラダー型のフィルタの構成要素として
使用することにより、通過帯域内の微小リップル（スパ
イク）を低減し、かつ低損失（低ロス）なフィルタ、あ
るいは通過帯域外の不要スプリアスを低減した高減衰な
フィルタを得ることができる。

【００６６】次に、本発明に係る通信装置を図１１に基
づき説明する。図１１に示すように、上記通信装置１０
０は、受信を行うレシーバ側（Ｒｘ側）として、アンテ
ナ１０１、アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０
２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１０４、ミキサ１
０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキサ１０７、２ｎ
ｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄローカルシンセ
サイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature compensated cr
ystal oscillator（温度補償型水晶発振器））１１２、
デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１４を備えて構成
されている。

【００６７】Ｒｘ段間フィルタ１０４からミキサ１０５
へは、図１１に二本線で示したように、バランス性を確
保するために各平衡信号にて送信することが好ましい。

【００６８】また、上記通信装置１００は、送信を行う
トランシーバ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ１０１
および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２
を共用するとともに、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキサ
１２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カプ
ラ１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automaticpow
er control （自動出力制御））１２７を備えて構成さ
れている。

【００６９】そして、上記のＲｘ段間フィルタ１０４、
１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ＴｘＩＦフィルタ１２１、
Ｔｘ段間フィルタ１２３には、上述した本実施の形態に
記載のＳＡＷフィルタが好適に利用できる。

【００７０】本発明に係るＳＡＷフィルタは、フィルタ
機能と共に伝送特性に優れているので、上記ＳＡＷフィ
ルタを有する本発明の通信装置は、使用周波数帯域が大
きくなるに伴い小型化できると共に、伝送特性を向上で
きるものとなっている。

【００７１】

【発明の効果】本発明のＳＡＷフィルタは、以上のよう
に、圧電基板上に、弾性表面波を発生し、検出するＩＤ
Ｔが、通過帯域を備えたフィルタ機能を有するように設
けられ、ＩＤＴにおける弾性表面波の伝搬方向の両端側
に、上記弾性表面波を反射する第一および第二のリフレ
クタがそれぞれ設けられ、第一および第二のリフレクタ
の各電極指のメタライゼーションレシオが互いに異なる
ように形成されている構成である。

【００７２】それゆえ、上記構成では、第一および第二
のリフレクタの各電極指のメタライゼーションレシオが
互いに異なっているので、通過帯域外や通過帯域内にお
ける、第一および第二のリフレクタの各反射特性を互い
に変えることができて、通過帯域外での不要スプリアス
を抑制でき、また通過帯域内での微小リップル（スパイ
ク）の発生も軽減できて、伝送特性を改善できる。

【００７３】その上、上記構成では、各反射特性を互い
に変えることが、各電極指のメタライゼーションレシオ
を変えることにより実施されているので、従来の電極指
の本数を変える場合と比べて、大型化を回避でき、また
従来の電極指の膜厚を変える場合と比べて、工程数の増
加を防止して製造コストのアップも抑制できる。

【００７４】この結果、上記構成では、第一および第二
のリフレクタの各電極指のメタライゼーションレシオを
互いに異ならせることにより、伝送特性を改善しなが
ら、大型化を回避でき、また製造コストのアップも抑制
できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る、メタライゼーショ
ンレシオが相違するＳＡＷフィルタの概略構成図であ
る。

【図２】一般的なリフレクタの反射特性を示すグラフで
ある。

【図３】従来の、電極指の本数が相違するＳＡＷフィル
タの概略構成図である。

【図４】従来のＳＡＷフィルタに用いたリフレクタの反
射特性を示すグラフである。

【図５】本発明の実施の形態に係るＳＡＷフィルタに用
いたリフレクタの反射特性を示すグラフである。

【図６】本発明の実施の形態に係るＳＡＷフィルタの伝
送特性を示すグラフである。

【図７】比較のための、メタライゼーションレシオが同
一な第一比較ＳＡＷフィルタの伝送特性を示すグラフで
ある。

【図８】本発明のＳＡＷフィルタの一変形例を示す概略
構成図である。

【図９】本発明のＳＡＷフィルタの他の変形例を示す概
略構成図である。

【図１０】リフレクタの電極指の本数を変えた本発明の
ＳＡＷフィルタの場合と、本数を変えない第二比較ＳＡ
Ｗフィルタの場合の、各伝送特性を示すグラフである。

【図１１】本発明に係るＳＡＷフィルタを用いた通信装
置の要部ブロック図である。

【符号の説明】

１１圧電基板１４、１５第一および第二のリフレクタ１４ｂ、１５ｂ電極指１６、１７、１８ＩＤＴ（インターデジタルトランス
デューサ）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板上に、弾性表面波を発生し、検出
するインターデジタルトランスデューサが、通過帯域を
備えたフィルタ機能を有するように設けられ、インターデジタルトランスデューサにおける弾性表面波
の伝搬方向の両端側に、上記弾性表面波を反射する第一
および第二のリフレクタがそれぞれ設けられ、第一および第二のリフレクタの各電極指のメタライゼー
ションレシオが互いに異なるように形成されていること
を特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】第一および第二のリフレクタは、インター
デジタルトランスデューサによる通過帯域外における反
射特性の極大値を示す周波数が互いに相違するように設
定されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面
波装置。
【請求項３】第一のリフレクタの通過帯域外における反
射特性の極小値を示す周波数と、第二のリフレクタの通
過帯域外における反射特性の極大値を示す周波数とが、
互いに重なり合うように設定されていることを特徴とす
る請求項１または２記載の弾性表面波装置。
【請求項４】第一のリフレクタの通過帯域外における反
射特性の極大値を示す周波数と、第二のリフレクタの通
過帯域外における反射特性の極小値を示す周波数とが、
互いに重なり合うように設定されていることを特徴とす
る請求項１、２または３記載の弾性表面波装置。
【請求項５】第一および第二のリフレクタの各電極指上
にそれぞれ絶縁膜が設けられ、第一および第二のリフレクタの各電極指上の絶縁膜の膜
厚が互いに相違するように設定されていることを特徴と
する請求項１ないし４の何れかに記載の弾性表面波装
置。
【請求項６】第一および第二のリフレクタの各電極指
が、多層膜にて形成され、各電極指の多層膜の膜厚が互いに相違するように設けら
れていることを特徴とする請求項１ないし５の何れかに
記載の弾性表面波装置。
【請求項７】第一および第二のリフレクタを形成すると
きの、圧電基板に対するオーバーエッチング量が、第一
および第二のリフレクタに関して相違するように設けら
れていることを特徴とする請求項１ないし６の何れかに
記載の弾性表面波装置。
【請求項８】請求項１ないし７の何れかに記載の弾性表
面波装置を有することを特徴とする通信装置。