JP2003007603A - 基板加熱装置及び部品製造方法 - Google Patents
基板加熱装置及び部品製造方法Info
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- JP2003007603A JP2003007603A JP2001193520A JP2001193520A JP2003007603A JP 2003007603 A JP2003007603 A JP 2003007603A JP 2001193520 A JP2001193520 A JP 2001193520A JP 2001193520 A JP2001193520 A JP 2001193520A JP 2003007603 A JP2003007603 A JP 2003007603A
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- substrate heating
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】分極性を有する基板に対する帯電を除電し、製
品の質の向上、歩留まりを向上する。 【解決手段】加熱部３００に、基板１１の帯電電荷を除
電するために、基板１１の一方の面と他方の面に対して
正イオンと負イオンのガスをそれぞれ噴霧する吐出部４
０１、４０２を設ける。
品の質の向上、歩留まりを向上する。 【解決手段】加熱部３００に、基板１１の帯電電荷を除
電するために、基板１１の一方の面と他方の面に対して
正イオンと負イオンのガスをそれぞれ噴霧する吐出部４
０１、４０２を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば圧電性基
板上に櫛型電極を形成し、弾性表面波素子を得るのに有
効な基板加熱装置及び部品製造方法に関する。
板上に櫛型電極を形成し、弾性表面波素子を得るのに有
効な基板加熱装置及び部品製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波（ＳＡＷ）素子は、電気・電
子機器の信号フィルタとして多方面の需要がある。例え
ばテレビジョン、ビデオカセットレコーダなどの中間周
波数フィルタ、携帯電話機などの中間周波数フィルタな
どに利用されている。
子機器の信号フィルタとして多方面の需要がある。例え
ばテレビジョン、ビデオカセットレコーダなどの中間周
波数フィルタ、携帯電話機などの中間周波数フィルタな
どに利用されている。
【０００３】弾性表面波素子は、そのベース基板とし
て、水晶、ニオブ酸リチウム（ＬＮＢ），タンタル酸リ
チウム（ＬＴＯ）などの圧電性基板が用いられる。この
圧電性基板上に櫛型電極が形成される。櫛型電極は、圧
電性基板上にアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）な
どがスパッタリング方式により成膜されたあと、エッチ
ングされて形成される。このような電極のパターンニン
グは、レジストのパターンを形成することから始まる。
て、水晶、ニオブ酸リチウム（ＬＮＢ），タンタル酸リ
チウム（ＬＴＯ）などの圧電性基板が用いられる。この
圧電性基板上に櫛型電極が形成される。櫛型電極は、圧
電性基板上にアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）な
どがスパッタリング方式により成膜されたあと、エッチ
ングされて形成される。このような電極のパターンニン
グは、レジストのパターンを形成することから始まる。
【０００４】この製造プロセスは、洗浄処理工程から簡
単にを示すと以下のようになり、フォトリゾグラフィー
工程とも言われる。基板投入→水洗処理→デバイドベー
ク処理→レジスト塗布処理→プリベーク処理→露光処理
→露光後のベーク処理→現像処理→水洗処理→ポストベ
ーク処理→冷却処理。ここで、ベーク処理では、製造途
中の部品に対する加熱が行なわれる。
単にを示すと以下のようになり、フォトリゾグラフィー
工程とも言われる。基板投入→水洗処理→デバイドベー
ク処理→レジスト塗布処理→プリベーク処理→露光処理
→露光後のベーク処理→現像処理→水洗処理→ポストベ
ーク処理→冷却処理。ここで、ベーク処理では、製造途
中の部品に対する加熱が行なわれる。
【０００５】図４は、上述した処理工程において、ポス
トベーク処理における問題点を説明するために示してい
る。製造途中の半製品１００は、ベースとなる圧電性基
板１１に対して、電極材料１２（アルミニウムなどの
膜）が形成されており、この電極材料１２の上面にレジ
スト膜１３がパターンニングされている。
トベーク処理における問題点を説明するために示してい
る。製造途中の半製品１００は、ベースとなる圧電性基
板１１に対して、電極材料１２（アルミニウムなどの
膜）が形成されており、この電極材料１２の上面にレジ
スト膜１３がパターンニングされている。
【０００６】この製造途中の半製品１００は、ホットプ
レート２００上に放置され、加熱される。これにより、
製造途中の半製品が次の処理工程に移行できるように乾
燥される。
レート２００上に放置され、加熱される。これにより、
製造途中の半製品が次の処理工程に移行できるように乾
燥される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ここで、本発明者は、
圧電性基板１１の焦電性に着目した。圧電性基板１１
は、室温においても基板内部で分極している。よって基
板の表面、裏面では、基板内部での分極を相殺するよう
に帯電する。つまり基板表面はマイナス電荷、基板裏面
にはプラス電荷が帯電する。
圧電性基板１１の焦電性に着目した。圧電性基板１１
は、室温においても基板内部で分極している。よって基
板の表面、裏面では、基板内部での分極を相殺するよう
に帯電する。つまり基板表面はマイナス電荷、基板裏面
にはプラス電荷が帯電する。
【０００８】この現象は、フォトリゾグラフィー工程の
ベーク温度である９０℃〜１３０℃において著しく大き
くなる。一般的なポストベーク温度である１３０℃に加
熱した基板の表面電荷は−１０ｋＶ以上を示す。
ベーク温度である９０℃〜１３０℃において著しく大き
くなる。一般的なポストベーク温度である１３０℃に加
熱した基板の表面電荷は−１０ｋＶ以上を示す。
【０００９】この電荷の蓄積現象は、基板を表裏別々に
極性帯電させることになる。基板加熱により帯電した電
荷は、基板温度が室温に戻ることで初期の分極状態に戻
るが、加熱中に放電現象を発生することがある。放電現
象としては、基板表面と他の物質との間、あるいは基板
内で生じる。このような放電現象があると、基板自体の
割れ、かけ、パターンの損傷を引き起こす。
極性帯電させることになる。基板加熱により帯電した電
荷は、基板温度が室温に戻ることで初期の分極状態に戻
るが、加熱中に放電現象を発生することがある。放電現
象としては、基板表面と他の物質との間、あるいは基板
内で生じる。このような放電現象があると、基板自体の
割れ、かけ、パターンの損傷を引き起こす。
【００１０】静電気対策として良く知られている手法と
してイオナイザーによる除電処理が挙げられる。この手
法は、帯電が正負どちらかに固定する半導体のＳｉ（シ
リコン）基板、液晶のガラス基板に対しては有効である
が、基板が分極する圧電性基板の場合、除電方法として
は適していない。
してイオナイザーによる除電処理が挙げられる。この手
法は、帯電が正負どちらかに固定する半導体のＳｉ（シ
リコン）基板、液晶のガラス基板に対しては有効である
が、基板が分極する圧電性基板の場合、除電方法として
は適していない。
【００１１】そこでこの発明は、分極性を有する基板に
対する帯電を除電し、製品の質の向上、歩留まりを向上
し得る基板加熱装置及び部品製造方法を提供することを
目的とする。
対する帯電を除電し、製品の質の向上、歩留まりを向上
し得る基板加熱装置及び部品製造方法を提供することを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の目的
を達成するために、基板加熱部に、基板の帯電電荷を除
電するために、前記基板の一方の面と他方の面に対して
正イオンと負イオンのガスをそれぞれ噴霧する吐出部を
設けるものである。
を達成するために、基板加熱部に、基板の帯電電荷を除
電するために、前記基板の一方の面と他方の面に対して
正イオンと負イオンのガスをそれぞれ噴霧する吐出部を
設けるものである。
【００１３】
【発明の実施形態】以下、この発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１４】図１はこの発明の一実施の形態を示すもの
で、ベーク処理が行われる加熱装置の加熱部３００を模
式的に示している。この加熱部３００は、箱状であり、
例えば手前の蓋（図示せず）を開いて、ホットプレート
３１０上に製造途中の半製品１００を載置することがで
きる。この載置作業は、例えばロボットが行なう。半製
品１００がホットプレート３１０上に載置されると、半
製品１００の基板１１が加熱される。
で、ベーク処理が行われる加熱装置の加熱部３００を模
式的に示している。この加熱部３００は、箱状であり、
例えば手前の蓋（図示せず）を開いて、ホットプレート
３１０上に製造途中の半製品１００を載置することがで
きる。この載置作業は、例えばロボットが行なう。半製
品１００がホットプレート３１０上に載置されると、半
製品１００の基板１１が加熱される。
【００１５】図面では１箇所の加熱部３００を示してい
るが、実際には、第１段階、第２段階というふうに複数
の加熱部の過熱ステップを経て、次第に加熱温度の高い
過熱部に移し、急激な熱衝撃が加わらないように作業が
行なわれる。そしてまた、急激に冷却すると半製品１０
０に熱衝撃が加わるので、次第に加熱温度の低い個所に
移す作業が行なわれる。
るが、実際には、第１段階、第２段階というふうに複数
の加熱部の過熱ステップを経て、次第に加熱温度の高い
過熱部に移し、急激な熱衝撃が加わらないように作業が
行なわれる。そしてまた、急激に冷却すると半製品１０
０に熱衝撃が加わるので、次第に加熱温度の低い個所に
移す作業が行なわれる。
【００１６】半製品１００としては、ベースとなる圧電
性基板１１に対して、電極材料１２（アルミニウムなど
の膜）が形成されており、この電極材料１２の上面にレ
ジスト膜１３がパターンニングされたものを示してい
る。ここでレジスト膜１３は例えばスクリーン印刷など
で形成される。そして、加熱されたホットプレート３１
０上に半製品１００が搭載されることにより、ホットプ
レート３１０のヒータ温により、半製品１００が加熱さ
れ、レジスト膜１３が硬貨される。つまりホットプレー
ト３１０上に半製品１００を一定時間放置すると、基板
温度はプレート温度とほぼ等しくなる。ホットプレート
３１０内には、ヒータが内蔵されており、通電を行なう
ことで加熱することができる。
性基板１１に対して、電極材料１２（アルミニウムなど
の膜）が形成されており、この電極材料１２の上面にレ
ジスト膜１３がパターンニングされたものを示してい
る。ここでレジスト膜１３は例えばスクリーン印刷など
で形成される。そして、加熱されたホットプレート３１
０上に半製品１００が搭載されることにより、ホットプ
レート３１０のヒータ温により、半製品１００が加熱さ
れ、レジスト膜１３が硬貨される。つまりホットプレー
ト３１０上に半製品１００を一定時間放置すると、基板
温度はプレート温度とほぼ等しくなる。ホットプレート
３１０内には、ヒータが内蔵されており、通電を行なう
ことで加熱することができる。
【００１７】この装置では、この加熱の際に、加熱部３
００内に、基板の帯電電荷を除電するために、基板の一
方の面（上面）と他方の面（下面）に対して正イオンと
負イオンの不活性ガスをそれぞれ噴霧する吐出部（吐出
ポート）４０１、４０２が設けられている。イオンと負
イオンのガスは、アルゴン（Ａｒ）ガスと、窒素ガス
（Ｎ２）である。
００内に、基板の帯電電荷を除電するために、基板の一
方の面（上面）と他方の面（下面）に対して正イオンと
負イオンの不活性ガスをそれぞれ噴霧する吐出部（吐出
ポート）４０１、４０２が設けられている。イオンと負
イオンのガスは、アルゴン（Ａｒ）ガスと、窒素ガス
（Ｎ２）である。
【００１８】さらにまた、この装置では、基板１１に対
して上記のガスが有効に作用するように、ホットプレー
ト３１０には、複数の開口３１１が形成されている。ホ
ットプレート３１０の開口３１１は、このプレート上に
半製品１００を載置した場合、半製品１００が開口３１
１を塞ぐことができるように設計する方が好ましい。ま
た図では、ホットプレート３１０の上面側と下面側と
は、空間が通じているように示しているが、実際には、
ホットプレート３１０を境界にして、上面側空間と、下
面側空間とは仕切られていてもよい。これはガスがミッ
クスされるのを防止することである。
して上記のガスが有効に作用するように、ホットプレー
ト３１０には、複数の開口３１１が形成されている。ホ
ットプレート３１０の開口３１１は、このプレート上に
半製品１００を載置した場合、半製品１００が開口３１
１を塞ぐことができるように設計する方が好ましい。ま
た図では、ホットプレート３１０の上面側と下面側と
は、空間が通じているように示しているが、実際には、
ホットプレート３１０を境界にして、上面側空間と、下
面側空間とは仕切られていてもよい。これはガスがミッ
クスされるのを防止することである。
【００１９】上記のような加熱装置によると、分極した
基板１１に対して表裏独立した不活性ガスを吐出し、除
電を行なうことができる。負側に帯電している基板上面
に対しては正イオン、正側に帯電している基板下面に対
しては負イオンを吐出している。これにより、除電効果
が得られ、従来生じているような放電が抑制される。つ
まり従来のように、基板表面と他の物質との間、あるい
は基板内で放電現象を生じることがない。また放電現象
により、基板自体の割れ、かけ、パターンの損傷を引き
起こすようなことも抑制される。よって、製品の質の向
上、歩留まりを向上することができる。
基板１１に対して表裏独立した不活性ガスを吐出し、除
電を行なうことができる。負側に帯電している基板上面
に対しては正イオン、正側に帯電している基板下面に対
しては負イオンを吐出している。これにより、除電効果
が得られ、従来生じているような放電が抑制される。つ
まり従来のように、基板表面と他の物質との間、あるい
は基板内で放電現象を生じることがない。また放電現象
により、基板自体の割れ、かけ、パターンの損傷を引き
起こすようなことも抑制される。よって、製品の質の向
上、歩留まりを向上することができる。
【００２０】上記の実施の形態では、不活性ガスの吐出
ポートは、基板の真上と、基板の真下に設置したが、相
反するイオン極性をもつガスが、基板の表裏に別々に吹
き付けられるように構成すればよい。したがって、吐出
ポートの向きは、図に示した向きに限定されるものでは
ない。吐出ポートは、加熱部３００の斜め、横方向に設
置してもよい。
ポートは、基板の真上と、基板の真下に設置したが、相
反するイオン極性をもつガスが、基板の表裏に別々に吹
き付けられるように構成すればよい。したがって、吐出
ポートの向きは、図に示した向きに限定されるものでは
ない。吐出ポートは、加熱部３００の斜め、横方向に設
置してもよい。
【００２１】また、図１の例では、圧電性の基板１１上
に電極材料（アルミ膜）１２が成膜され、この上にレジ
スト膜１３がパターンニングされている単純な例を示し
ている。しかし実際には、例えば図２に示すように、ウ
エハ１０に多数の弾性表面波素子1a,1b,1c,1d,…を形成
するもので、このウエハ１０が半製品１００に相当す
る。
に電極材料（アルミ膜）１２が成膜され、この上にレジ
スト膜１３がパターンニングされている単純な例を示し
ている。しかし実際には、例えば図２に示すように、ウ
エハ１０に多数の弾性表面波素子1a,1b,1c,1d,…を形成
するもので、このウエハ１０が半製品１００に相当す
る。
【００２２】この発明は、上記の実施の形態に限定され
るものではない。図３に示すようにガス排出部４１１、
４１２を更に取り付けてもよい。これにより、アルゴン
ガス、窒素ガスの無駄を無くすことができる。つまりア
ルゴンガス、窒素ガスを吐出したあと、ガス排出部４１
１、４１２により、吸引するものである。
るものではない。図３に示すようにガス排出部４１１、
４１２を更に取り付けてもよい。これにより、アルゴン
ガス、窒素ガスの無駄を無くすことができる。つまりア
ルゴンガス、窒素ガスを吐出したあと、ガス排出部４１
１、４１２により、吸引するものである。
【００２３】上記の説明では、除電処理を行うステップ
として、レジスト塗布後でベーク処理を行なうステップ
を前提として説明した。しかし、本発明の除電手段、或
は除電工程は、上記のステップに限定されるものではな
い。要は、基板を過熱、乾燥させるような工程に対して
は、いずれでも適用できるものである。
として、レジスト塗布後でベーク処理を行なうステップ
を前提として説明した。しかし、本発明の除電手段、或
は除電工程は、上記のステップに限定されるものではな
い。要は、基板を過熱、乾燥させるような工程に対して
は、いずれでも適用できるものである。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
分極性を有する基板に対する帯電を除電し、製品の質の
向上、歩留まりを向上することができる。
分極性を有する基板に対する帯電を除電し、製品の質の
向上、歩留まりを向上することができる。
【図１】この発明の一実施の形態による加熱装置の基本
構成図。
構成図。
【図２】この発明の加熱装置により処理される半製品の
例を示す図。
例を示す図。
【図３】この発明に係る加熱装置の他の例を示す図。
【図４】圧電基板が加熱された場合の問題点を説明する
ために示した説明図。
ために示した説明図。
１１…圧電性基板、１２…電極材料（アルミニウム
膜）、１３…レジスト膜、３００…加熱部、３１０…ホ
ットプレート、３１１…開口、４０１、４０２…ガス吐
出部。
膜）、１３…レジスト膜、３００…加熱部、３１０…ホ
ットプレート、３１１…開口、４０１、４０２…ガス吐
出部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７１
(72)発明者 広田 実津男
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
Ｆターム(参考） 5F046 KA04 KA07 KA10 LA18
5J097 AA27 AA32 HA10
Claims (7)
- 【請求項１】基板加熱部に、基板の帯電電荷を除電する
ために、前記基板の一方の面と他方の面に対して正イオ
ンと負イオンのガスをそれぞれ噴霧する吐出部を設けた
ことを特徴とする基板加熱装置。 - 【請求項２】前記基板加熱部は、前記基板を収容する箱
状であることを特徴とする請求項1記載の基板加熱装
置。 - 【請求項３】前記基板過熱部は、前記基板を載置したプ
レートを搬送する搬送部を含むことを特徴とする請求項
1記載の基板過熱装置。 - 【請求項４】前記基板は、弾性表面波素子を構成してい
ることを特徴とする請求項1記載の基板過熱装置。 - 【請求項５】前記正イオンと負イオンのガスは、アルゴ
ンガスと、窒素ガスであることを特徴とする請求項1記
載の基板過熱装置。 - 【請求項６】前記基板加熱部は、前記基板の洗浄装置、
またはレジスト塗布装置、または露光装置の何れかに近
接して配置されていることを特徴とする請求項１記載の
基板過熱装置。 - 【請求項７】ベース基板の表面に対して素子を形成する
ために、前記ベース基板を加工処理部に順次移動させる
途中で、中間加工半製品を加熱する加熱工程を有した部
品製造方法において、 前記加熱工程は、帯電電荷を除電するために、前記中間
加工半製品の一方の面と他方の面に対して正イオンと負
イオンのガスをそれぞれ噴霧する工程を含むことを特徴
とする部品製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001193520A JP2003007603A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 基板加熱装置及び部品製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001193520A JP2003007603A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 基板加熱装置及び部品製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007603A true JP2003007603A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19031794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001193520A Pending JP2003007603A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 基板加熱装置及び部品製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003007603A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720698B1 (ko) * | 2000-03-22 | 2007-05-21 | 미쓰비시 펜슬 가부시키가이샤 | 필기구 |
| JP2009212411A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Nec Corp | 電荷消去装置及び電荷消去方法 |
-
2001
- 2001-06-26 JP JP2001193520A patent/JP2003007603A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720698B1 (ko) * | 2000-03-22 | 2007-05-21 | 미쓰비시 펜슬 가부시키가이샤 | 필기구 |
| JP2009212411A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Nec Corp | 電荷消去装置及び電荷消去方法 |
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