JP2003007562A - 積層セラミックコンデンサとその製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサとその製造方法Info
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- JP2003007562A JP2003007562A JP2001184602A JP2001184602A JP2003007562A JP 2003007562 A JP2003007562 A JP 2003007562A JP 2001184602 A JP2001184602 A JP 2001184602A JP 2001184602 A JP2001184602 A JP 2001184602A JP 2003007562 A JP2003007562 A JP 2003007562A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体層を薄層化した場合、誘電体層の粒界
に起因する電気的障壁の寄与が小さくなり、しかも、誘
電体層の一層に印加される電界強度が大きくなるので、
高温負荷寿命試験において、誘電体層が絶縁劣化し易く
なる。従って、誘電体層を３μｍ、更には２μｍ以下に
薄層化することは、従来の技術の延長線では実現が困難
であるという問題がある。 【解決手段】 この発明は、誘電体層を形成するための
セラミック原料中に金属粉末又は有機金属化合物を含有
させ、焼成の際に誘電体層から金属を追い出させて誘電
体層と内部電極層の間に電気的障壁となる金属薄膜層を
形成させたものである。
に起因する電気的障壁の寄与が小さくなり、しかも、誘
電体層の一層に印加される電界強度が大きくなるので、
高温負荷寿命試験において、誘電体層が絶縁劣化し易く
なる。従って、誘電体層を３μｍ、更には２μｍ以下に
薄層化することは、従来の技術の延長線では実現が困難
であるという問題がある。 【解決手段】 この発明は、誘電体層を形成するための
セラミック原料中に金属粉末又は有機金属化合物を含有
させ、焼成の際に誘電体層から金属を追い出させて誘電
体層と内部電極層の間に電気的障壁となる金属薄膜層を
形成させたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体層の厚み
が、例えば５μｍ以下の、薄層大容量タイプの積層セラ
ミックコンデンサとその製造方法に関するものである。
が、例えば５μｍ以下の、薄層大容量タイプの積層セラ
ミックコンデンサとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、積層セラミックコンデンサは、
セラミックグリーンシートと内部電極パターンとを交互
に多数層積層し、内部電極パターン毎に裁断し、得られ
たチップ状の積層体の端部に外部電極ペーストを付加
し、１２００℃程度の高温で焼成することにより製造さ
れている。
セラミックグリーンシートと内部電極パターンとを交互
に多数層積層し、内部電極パターン毎に裁断し、得られ
たチップ状の積層体の端部に外部電極ペーストを付加
し、１２００℃程度の高温で焼成することにより製造さ
れている。
【０００３】ここで、セラミックグリーンシートはセラ
ミック原料粉末を有機バインダでつないでシート状に形
成したものからなり、焼成により誘電体層になる。内部
電極パターン及び外部電極ペーストは金属粉末を主成分
とする導電性ペーストからなり、この導電性ペーストは
焼成により内部電極層や外部電極になる。
ミック原料粉末を有機バインダでつないでシート状に形
成したものからなり、焼成により誘電体層になる。内部
電極パターン及び外部電極ペーストは金属粉末を主成分
とする導電性ペーストからなり、この導電性ペーストは
焼成により内部電極層や外部電極になる。
【０００４】ところで、積層セラミックコンデンサは、
誘電体層の材料組成、誘電体層を形成する原料粉体の物
性、誘電体層を形成するセラミックグリーンシートの物
性、内部電極層と誘電体層との同時焼成、誘電体層の再
酸化技術等を駆使して、今や誘電体層の一層厚みが３μ
ｍで、積層数が６００層を超えるものが量産されるよう
になっている。
誘電体層の材料組成、誘電体層を形成する原料粉体の物
性、誘電体層を形成するセラミックグリーンシートの物
性、内部電極層と誘電体層との同時焼成、誘電体層の再
酸化技術等を駆使して、今や誘電体層の一層厚みが３μ
ｍで、積層数が６００層を超えるものが量産されるよう
になっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、誘電体層を
薄層化した場合、誘電体層の粒界に起因する電気的障壁
の寄与が小さくなり、しかも、誘電体層の一層に印加さ
れる電界強度が大きくなるので、高温負荷寿命試験にお
いて、誘電体層が絶縁劣化し易くなる。従って、誘電体
層を３μｍ、更には２μｍ以下に薄層化することは、従
来の技術の延長線では実現が困難である。
薄層化した場合、誘電体層の粒界に起因する電気的障壁
の寄与が小さくなり、しかも、誘電体層の一層に印加さ
れる電界強度が大きくなるので、高温負荷寿命試験にお
いて、誘電体層が絶縁劣化し易くなる。従って、誘電体
層を３μｍ、更には２μｍ以下に薄層化することは、従
来の技術の延長線では実現が困難である。
【０００６】この発明は、誘電体層を薄層化しても絶縁
劣化が生じ難い、寿命のできるだけ長い信頼性の高い積
層セラミックコンデンサとその製造方法を提供すること
を目的とする。
劣化が生じ難い、寿命のできるだけ長い信頼性の高い積
層セラミックコンデンサとその製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る積層セラ
ミックコンデンサは、誘電体磁器組成物からなる１又は
２以上の誘電体層と、この誘電体層を挟持している少な
くとも２以上の内部電極層と、該内部電極層に電気的に
接続されている外部電極と、該誘電体層と該内部電極層
との間に形成されている金属薄膜層とを備えていること
を特徴とするものである。
ミックコンデンサは、誘電体磁器組成物からなる１又は
２以上の誘電体層と、この誘電体層を挟持している少な
くとも２以上の内部電極層と、該内部電極層に電気的に
接続されている外部電極と、該誘電体層と該内部電極層
との間に形成されている金属薄膜層とを備えていること
を特徴とするものである。
【０００８】また、この発明に係る積層セラミックコン
デンサの製造方法は、セラミック原料を調製する原料調
製工程と、該原料調製工程で得られたセラミック原料を
用いてセラミックグリーンシートを形成するシート形成
工程と、該シート形成工程で得られたセラミックグリー
ンシートに内部電極パターンを印刷する印刷工程と、該
印刷工程を経たセラミックグリーンシートを積層して積
層体を得る積層工程と、該積層工程で得られた積層体を
内部電極パターン毎に裁断してチップ状の積層体を得る
裁断工程と、該裁断工程で得られたチップ状の積層体を
焼成する焼成工程とを備え、前記原料調製工程は、前記
セラミック原料は金属粉末又は有機金属化合物を含有し
ていることを特徴とするものである。
デンサの製造方法は、セラミック原料を調製する原料調
製工程と、該原料調製工程で得られたセラミック原料を
用いてセラミックグリーンシートを形成するシート形成
工程と、該シート形成工程で得られたセラミックグリー
ンシートに内部電極パターンを印刷する印刷工程と、該
印刷工程を経たセラミックグリーンシートを積層して積
層体を得る積層工程と、該積層工程で得られた積層体を
内部電極パターン毎に裁断してチップ状の積層体を得る
裁断工程と、該裁断工程で得られたチップ状の積層体を
焼成する焼成工程とを備え、前記原料調製工程は、前記
セラミック原料は金属粉末又は有機金属化合物を含有し
ていることを特徴とするものである。
【０００９】ここで、この発明は、前記誘電体層の厚さ
が０．５〜５μｍ又は前記セラミックグリーンシートの
厚さが０．７〜１０μｍの場合、特に有効である。前記
誘電体層の厚さが０．５μｍ未満又は前記セラミックグ
リーンシートの厚さが０．７μｍ未満になると、誘電体
層の一層に印加される電界強度が大きくなり過ぎ、誘電
体層が高温負荷寿命試験において、絶縁劣化し易くなる
からである。
が０．５〜５μｍ又は前記セラミックグリーンシートの
厚さが０．７〜１０μｍの場合、特に有効である。前記
誘電体層の厚さが０．５μｍ未満又は前記セラミックグ
リーンシートの厚さが０．７μｍ未満になると、誘電体
層の一層に印加される電界強度が大きくなり過ぎ、誘電
体層が高温負荷寿命試験において、絶縁劣化し易くなる
からである。
【００１０】また、前記金属薄膜層を形成する金属又は
合金、又はセラミック原料中に含有させる金属粉末又は
有機金属化合物中の金属としては前記誘電体磁器組成物
に対して内部電極層を形成している金属より濡れ性の悪
いもの、具体的には、前記誘電体磁器組成物に対する接
触角が１１０〜１８０度の金属又は合金が好ましい。
合金、又はセラミック原料中に含有させる金属粉末又は
有機金属化合物中の金属としては前記誘電体磁器組成物
に対して内部電極層を形成している金属より濡れ性の悪
いもの、具体的には、前記誘電体磁器組成物に対する接
触角が１１０〜１８０度の金属又は合金が好ましい。
【００１１】また、前記誘電体磁器組成物がチタン酸バ
リウム系で、内部電極層がＮｉ又はＮｉを主成分とする
合金からなる場合、内部電極層より濡れ性の悪い金属又
は合金としては、例えば、Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｇ及び
Ｃｕから選択された１種又は２種以上の金属、又はＡ
ｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｇ及びＣｕから選択された１種又は
２種以上の金属とＮｉとの合金を挙げることができる。
チップ状の積層体の焼成温度が高い場合には、Ｐｔ，Ｐ
ｄが好ましい。
リウム系で、内部電極層がＮｉ又はＮｉを主成分とする
合金からなる場合、内部電極層より濡れ性の悪い金属又
は合金としては、例えば、Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｇ及び
Ｃｕから選択された１種又は２種以上の金属、又はＡ
ｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｇ及びＣｕから選択された１種又は
２種以上の金属とＮｉとの合金を挙げることができる。
チップ状の積層体の焼成温度が高い場合には、Ｐｔ，Ｐ
ｄが好ましい。
【００１２】また、前記金属薄膜層の厚さは１０Å〜５
０ｎｍが好ましい。金属薄膜層の厚さが１０Å未満では
電気的障壁として不充分であり、金属薄膜層の厚さが５
０ｎｍを超えると、金属薄膜層の材料費が多くなり過
ぎ、積層セラミックコンデンサの原料コストが高くなり
過ぎるからである。
０ｎｍが好ましい。金属薄膜層の厚さが１０Å未満では
電気的障壁として不充分であり、金属薄膜層の厚さが５
０ｎｍを超えると、金属薄膜層の材料費が多くなり過
ぎ、積層セラミックコンデンサの原料コストが高くなり
過ぎるからである。
【００１３】また、セラミック原料中に含有させる金属
は金属粉末／ゾルの状態のものに限らず、脱バインダ性
を損なわない範囲で有機金属化合物等の状態のものでも
よい。
は金属粉末／ゾルの状態のものに限らず、脱バインダ性
を損なわない範囲で有機金属化合物等の状態のものでも
よい。
【００１４】また、セラミック原料中に含有させる金属
粉末又は有機金属化合物はセラミック原料１００重量部
に対して０．０４〜５重量部が好ましい。金属粉末又は
有機金属化合物が０．０４重量部未満では電気的障壁と
して不充分であり、金属粉末又は有機金属化合物が５重
量部を超えると、積層セラミックコンデンサの原料コス
トが高くなり過ぎるからである。
粉末又は有機金属化合物はセラミック原料１００重量部
に対して０．０４〜５重量部が好ましい。金属粉末又は
有機金属化合物が０．０４重量部未満では電気的障壁と
して不充分であり、金属粉末又は有機金属化合物が５重
量部を超えると、積層セラミックコンデンサの原料コス
トが高くなり過ぎるからである。
【００１５】また、前記金属粉末の平均粒径は０．００
５〜０．１μｍが好ましい。金属粉末の平均粒径がこの
範囲にあるとセラミック原料中に良好に分散するからで
ある。また、金属薄膜層は、目的の効果を発揮する限
り、必ずしも完全な膜を形成していなくても良い。
５〜０．１μｍが好ましい。金属粉末の平均粒径がこの
範囲にあるとセラミック原料中に良好に分散するからで
ある。また、金属薄膜層は、目的の効果を発揮する限
り、必ずしも完全な膜を形成していなくても良い。
【００１６】
【実施例】まず、ＢａＴｉＯ３，Ｈｏ２Ｏ３，ＭｇＯ，
ＭｎＯ及びＢａＳｉＯ３の各化合物の粉末及びＰｔ粉末
を表１に示す割合で各々秤量し、これらの化合物をＰＳ
Ｚを入れたボールミルに入れ、水を加え、湿式で約１５
時間混合した。そして、得られた泥漿を脱水し、１５０
℃で１５時間加熱し、乾燥させた。
ＭｎＯ及びＢａＳｉＯ３の各化合物の粉末及びＰｔ粉末
を表１に示す割合で各々秤量し、これらの化合物をＰＳ
Ｚを入れたボールミルに入れ、水を加え、湿式で約１５
時間混合した。そして、得られた泥漿を脱水し、１５０
℃で１５時間加熱し、乾燥させた。
【００１７】
【表１】
【００１８】次に、乾燥させた前記泥漿を粉砕し、これ
を大気中において約８００℃で２時間仮焼し、この仮焼
物をボールミルに入れ、エタノールを加え、湿式で約８
時間解砕した。そして、得られた泥漿を１２０℃で５時
間加熱し、乾燥させ、仮焼物の粉末を得た。
を大気中において約８００℃で２時間仮焼し、この仮焼
物をボールミルに入れ、エタノールを加え、湿式で約８
時間解砕した。そして、得られた泥漿を１２０℃で５時
間加熱し、乾燥させ、仮焼物の粉末を得た。
【００１９】次に、この仮焼物の粉末１０００ｇ（１０
０重量部）に、アクリル酸エステルポリマー、グリセリ
ン、縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダーを１
５重量％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これら
をボールミルに入れ、粉砕及び混合してスラリーを作成
した。なお、この実施例では原料粉末にＰｔ粉末を入れ
て混合しているが、スラリーを作成する段階でＰｔ粉末
を加えても良い。
０重量部）に、アクリル酸エステルポリマー、グリセリ
ン、縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダーを１
５重量％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これら
をボールミルに入れ、粉砕及び混合してスラリーを作成
した。なお、この実施例では原料粉末にＰｔ粉末を入れ
て混合しているが、スラリーを作成する段階でＰｔ粉末
を加えても良い。
【００２０】次に、このスラリーを真空脱泡機に入れて
脱泡した後、リバースロールコータに入れ、ポリエステ
ルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を形成した。
そして、この薄膜をポリエステルフィルム上で１００℃
に加熱して乾燥させ、打ち抜き、１０ｃｍ×１０ｃｍの
正方形のグリーンシートを得た。
脱泡した後、リバースロールコータに入れ、ポリエステ
ルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を形成した。
そして、この薄膜をポリエステルフィルム上で１００℃
に加熱して乾燥させ、打ち抜き、１０ｃｍ×１０ｃｍの
正方形のグリーンシートを得た。
【００２１】一方、平均粒径が０．２μｍのニッケル粉
末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをブチルカルビ
トール９．１ｇに溶解させたものとを撹拌機に入れ、１
０時間撹拌して、内部電極層用の導電性ペーストを得
た。そして、上記グリーンシートにこの導電性ペースト
からなる導電パターンを印刷し、乾燥させた。
末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをブチルカルビ
トール９．１ｇに溶解させたものとを撹拌機に入れ、１
０時間撹拌して、内部電極層用の導電性ペーストを得
た。そして、上記グリーンシートにこの導電性ペースト
からなる導電パターンを印刷し、乾燥させた。
【００２２】次に、上記導電パターンの印刷面を上にし
てグリーンシートを１０枚積層した。この際、隣接する
上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手方
向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物
の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグリ
ーンシートを積層した。
てグリーンシートを１０枚積層した。この際、隣接する
上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手方
向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物
の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグリ
ーンシートを積層した。
【００２３】次に、この積層物を約５０℃の温度で厚さ
方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させ、その後、こ
の積層物を格子状に裁断し、縦３．２ｍｍ×横１．６ｍ
ｍの積層チップを得た。
方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させ、その後、こ
の積層物を格子状に裁断し、縦３．２ｍｍ×横１．６ｍ
ｍの積層チップを得た。
【００２４】次に、内部電極層が露出する積層チップの
端面にＮｉ外部電極をディップで形成し、この積層チッ
プを雰囲気焼成が可能な炉に入れ、Ｎ２雰囲気中で加熱
して有機バインダを除去させ、続いて、酸素分圧が１０
−５〜１０−１０ａｔｍの条件下、１２００℃で焼成
し、その後、Ｎ２雰囲気下、６００〜１０００℃で再酸
化処理を行ない、積層磁器コンデンサを得た。
端面にＮｉ外部電極をディップで形成し、この積層チッ
プを雰囲気焼成が可能な炉に入れ、Ｎ２雰囲気中で加熱
して有機バインダを除去させ、続いて、酸素分圧が１０
−５〜１０−１０ａｔｍの条件下、１２００℃で焼成
し、その後、Ｎ２雰囲気下、６００〜１０００℃で再酸
化処理を行ない、積層磁器コンデンサを得た。
【００２５】次に、得られた積層磁器コンデンサを内部
電極層に直交する面で切断し、その断面を電子顕微鏡で
観察したところ、図１に示すように、内部電極層１０と
誘電体層１２の間に金属薄膜層１４が形成されていた。
これは、セラミック原料中に添加した金属粉末の誘電体
層に対する濡れ性が悪いので、焼成中に誘電体層１２か
ら金属粉末が排除され、内部電極層１０と誘電体層１２
の界面に集まって形成されたものと考えられる。
電極層に直交する面で切断し、その断面を電子顕微鏡で
観察したところ、図１に示すように、内部電極層１０と
誘電体層１２の間に金属薄膜層１４が形成されていた。
これは、セラミック原料中に添加した金属粉末の誘電体
層に対する濡れ性が悪いので、焼成中に誘電体層１２か
ら金属粉末が排除され、内部電極層１０と誘電体層１２
の界面に集まって形成されたものと考えられる。
【００２６】次に、同様にして、積層磁器コンデンサの
断面を観察し、誘電体層１２の厚さ（μｍ）及び金属薄
膜層１４の厚さ（μｍ）を測定したとこと、表２に示す
通りであった。
断面を観察し、誘電体層１２の厚さ（μｍ）及び金属薄
膜層１４の厚さ（μｍ）を測定したとこと、表２に示す
通りであった。
【００２７】次に、得られた積層磁器コンデンサの電気
的諸特性を測定したところ、表２に示す通りであった。
的諸特性を測定したところ、表２に示す通りであった。
【００２８】なお、電気的諸特性は次の要領で測定し
た。
た。
【００２９】(A) 比誘電率εｓ は、温度２０℃、周波
数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量
を測定し、この測定値と、一対の内部電極層１４の対向
面積と、一対の内部電極層間の誘電体磁器層の厚さから
計算で求めた。
数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量
を測定し、この測定値と、一対の内部電極層１４の対向
面積と、一対の内部電極層間の誘電体磁器層の厚さから
計算で求めた。
【００３０】(B) 誘電損失ｔａｎδ（％）は、上記した
比誘電率の測定の場合と同一の条件で測定した。
比誘電率の測定の場合と同一の条件で測定した。
【００３１】(C) 比抵抗（Ωｃｍ）は、温度２０℃にお
いてＤＣ２５Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電
極間の抵抗値を測定して得た。
いてＤＣ２５Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電
極間の抵抗値を測定して得た。
【００３２】(D) 加速寿命（ｓｅｃ）は、１５０℃／１
８Ｖ／μｍの直流電界下にて漏れ電流が最小漏れ電流の
１０倍になるまでの時間を測定して得た。
８Ｖ／μｍの直流電界下にて漏れ電流が最小漏れ電流の
１０倍になるまでの時間を測定して得た。
【００３３】(E) 容量変化率（％）は、恒温槽の中に試
料を入れ、−２５℃及び＋８５℃の各温度において、周
波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容
量を測定し、２０℃の静電容量に対する静電容量の変化
率を求めることによって得た。
料を入れ、−２５℃及び＋８５℃の各温度において、周
波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容
量を測定し、２０℃の静電容量に対する静電容量の変化
率を求めることによって得た。
【００３４】
【表２】
【００３５】表１、表２から明らかなように、本発明に
よれば、誘電体層の層厚が５μｍ以下で、所望の電気的
諸特性を有し、かつ加速寿命が、試料Ｎｏ．１，Ｎｏ．
７，Ｎｏ．９の添加金属無しの場合（比較例）、すなわ
ちＮｉ単独で内部電極を形成した場合と比較して著しく
改善された、信頼性の高い積層磁器コンデンサを得るこ
とができた。
よれば、誘電体層の層厚が５μｍ以下で、所望の電気的
諸特性を有し、かつ加速寿命が、試料Ｎｏ．１，Ｎｏ．
７，Ｎｏ．９の添加金属無しの場合（比較例）、すなわ
ちＮｉ単独で内部電極を形成した場合と比較して著しく
改善された、信頼性の高い積層磁器コンデンサを得るこ
とができた。
【００３６】
【発明の効果】この発明によれば、誘電体層に対する濡
れ性が内部電極層より悪い金属薄膜層を内部電極層と誘
電体層の間に設けたので、誘電体層を薄層化しても絶縁
劣化を生じ難い、寿命特性の良い積層セラミックコンデ
ンサを得ることができるという効果がある。
れ性が内部電極層より悪い金属薄膜層を内部電極層と誘
電体層の間に設けたので、誘電体層を薄層化しても絶縁
劣化を生じ難い、寿命特性の良い積層セラミックコンデ
ンサを得ることができるという効果がある。
【００３７】ここで、寿命特性が良くなったのは次のよ
うな理由によるものと考えられる。すなわち、積層セラ
ミックコンデンサの内部電極層間においては、誘電体層
のセラミック粒子間の粒界や内部電極層と誘電体層との
界面に電気的障壁があり、誘電体層の一層厚みを薄くす
るとセラミック粒子間の粒界が少なくなって、内部電極
層間の電気的障壁が小さくなり、絶縁劣化を生じる。
うな理由によるものと考えられる。すなわち、積層セラ
ミックコンデンサの内部電極層間においては、誘電体層
のセラミック粒子間の粒界や内部電極層と誘電体層との
界面に電気的障壁があり、誘電体層の一層厚みを薄くす
るとセラミック粒子間の粒界が少なくなって、内部電極
層間の電気的障壁が小さくなり、絶縁劣化を生じる。
【００３８】ところが、誘電体層に対する濡れ性が内部
電極層より悪い金属薄膜層を誘電体層と内部電極層の間
に設けると、誘電体層と金属薄膜層との界面の電気的障
壁が、内部電極層が誘電体層と直接接している場合より
高くなり、これが粒界の減少による電気的障壁の低下を
補い、絶縁劣化が生じ難くなる。このような理由から寿
命が延びたものと考えられる。
電極層より悪い金属薄膜層を誘電体層と内部電極層の間
に設けると、誘電体層と金属薄膜層との界面の電気的障
壁が、内部電極層が誘電体層と直接接している場合より
高くなり、これが粒界の減少による電気的障壁の低下を
補い、絶縁劣化が生じ難くなる。このような理由から寿
命が延びたものと考えられる。
【図１】この発明に係る積層セラミックコンデンサの断
面の部分拡大説明図である。
面の部分拡大説明図である。
１０ 内部電極層
１２ 誘電体層
１４ 金属薄膜層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC04 AC09 AC10 AH01
AH06 AH09 AJ01 AJ02
5E082 AB03 BC35 BC39 EE04 EE18
EE19 EE23 EE26 EE35 FG06
FG26 FG54 LL01 LL02 LL03
MM24 PP03 PP09 PP10
Claims (15)
- 【請求項１】 誘電体磁器組成物からなる１又は２以上
の誘電体層と、この誘電体層を挟持している少なくとも
２以上の内部電極層と、該内部電極層に電気的に接続さ
れている外部電極と、該誘電体層と該内部電極層との間
に形成されている金属薄膜層とを備えていることを特徴
とする積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 前記誘電体層の厚さが０．５〜５μｍで
あることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック
コンデンサ。 - 【請求項３】 前記金属薄膜層を形成している金属の前
記誘電体磁器組成物に対する濡れ性が、前記内部電極層
を形成している金属の前記誘電体磁器組成物に対する濡
れ性より悪いことを特徴とする請求項１又は２に記載の
積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項４】 前記金属薄膜層を形成している金属の前
記誘電体磁器組成物に対する接触角が１１０〜１８０度
であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項５】 前記内部電極層がＮｉ又はＮｉを主成分
とする合金からなることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項６】 前記金属薄膜層が、Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，
Ａｇ及びＣｕから選択された１種又は２種以上の金属、
又はＡｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｇ及びＣｕから選択された１
種又は２種以上の金属とＮｉとの合金からなることを特
徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の積層セラミッ
クコンデンサ。 - 【請求項７】 前記金属薄膜層の厚さが１０Å〜５０ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記
載の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項８】 セラミック原料を調製する原料調製工程
と、該原料調製工程で得られたセラミック原料を用いて
セラミックグリーンシートを形成するシート形成工程
と、該シート形成工程で得られたセラミックグリーンシ
ートに内部電極パターンを印刷する印刷工程と、該印刷
工程を経たセラミックグリーンシートを積層して積層体
を得る積層工程と、該積層工程で得られた積層体を内部
電極パターン毎に裁断してチップ状の積層体を得る裁断
工程と、該裁断工程で得られたチップ状の積層体を焼成
する焼成工程とを備え、前記セラミック原料は金属粉末
又は有機金属化合物を含有していることを特徴とする積
層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項９】 前記セラミックグリーンシートの厚さが
０．７〜１０μｍであることを特徴とする請求項８に記
載の積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項１０】 前記セラミック原料中に含有している
金属粉末又は有機金属化合物中の金属の、前記セラミッ
クグリーンシートを焼成して得られた誘電体磁器組成物
に対する濡れ性が、前記内部電極パターンの主成分とな
っている金属粉末の該誘電体磁器組成物に対する濡れ性
より悪いことを特徴とする請求項８又は９に記載の積層
セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項１１】 前記セラミック原料中に含有している
金属粉末又は有機金属化合物中の金属の、前記セラミッ
クグリーンシートを焼成して得られた誘電体磁器組成物
に対する接触角が１１０〜１８０度であることを特徴と
する請求項８〜１０のいずれかに記載の積層セラミック
コンデンサの製造方法。 - 【請求項１２】 前記内部電極パターンの主成分となっ
ている金属粉末がＮｉ又はＮｉを主成分とする合金から
なることを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載
の積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項１３】 前記セラミック原料中に含有している
金属粉末又は有機金属化合物中の金属が、Ａｕ，Ｐｔ，
Ｐｄ，Ａｇ及びＣｕから選択された１種又は２種以上の
金属であることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか
に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項１４】 前記セラミック原料中に含有している
前記金属粉末の平均粒径が０．００５〜０．１μｍであ
ることを特徴とする請求項８〜１３のいずれかに記載の
積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項１５】 前記セラミック原料１００重量部に対
し、前記金属粉末が５重量部以下であることを特徴とす
る請求項８〜１４のいずれかに記載の積層セラミックコ
ンデンサの製造方法。
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| JP2001184602A JP2003007562A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
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