JP2002374137A

JP2002374137A - 弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置、およびこれを搭載した通信装置

Info

Publication number: JP2002374137A
Application number: JP2001177639A
Authority: JP
Inventors: Hideji Yamato; 秀司大和; Shigeto Taga; 重人田賀
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-06-12
Filing date: 2001-06-12
Publication date: 2002-12-26

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程における圧電基板や電極の損傷の発
生を抑える。【解決手段】バンプ電極１６上に形成されたバンプ１
７を介してフリップチップボンディング方式で実装され
る弾性表面波装置１０の製造方法であって、圧電基板１
１上に、弾性表面波素子２０と、弾性表面波素子２０と
導通したバンプ電極１６の第１の電極層１３ａと、該第
１の電極層１３ａより延設された保護電極部１３ｃとを
少なくとも形成する第１の電極層形成工程と、バンプ電
極１６の第１の電極層１３ａ上に第２の電極層１５ａを
形成する第２の電極層形成工程と、第２の電極層形成工
程の後に、保護電極部１３ｃを除去する保護電極部除去
工程とを含む。これにより、弾性表面波素子２０が保護
電極部１３ｃに接続されているので、加熱されても電極
に焦電破壊が生じない。また、バンプ形成時の残留応力
が緩和されるため、圧電基板１１にクラックが発生しな
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属バンプを利用
してフリップチップボンディング方式で実装される弾性
表面波装置の製造方法、弾性表面波装置、およびこれを
搭載した通信装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、弾性表面波装置の小型化を図るた
めに、フリップチップボンディング方式により組み立て
られた弾性表面波装置が広く用いられている。この方式
では、弾性表面波装置を構成している圧電基板上のバン
プ電極（電極パッド）にＡｕ等からなるバンプが形成さ
れ、該バンプを介してバンプ電極とパッケージに設けら
れた入出力電極パッドあるいはグラウンド電極パッドと
が電気的に接続されるとともに、機械的に接合されてい
る。

【０００３】上記フリップチップボンディング方式を用
いる場合、バンプは弾性表面波装置とパッケージとを電
気的に接続する機能だけでなく、機械的に弾性表面波装
置をパッケージに固定する機能を果たす。したがって、
バンプ自体の強度が高いだけでなく、バンプと圧電基板
上のバンプ電極との間の接合強度や、バンプ電極と圧電
基板との間の密着性が高いことが求められる。

【０００４】バンプ電極とバンプとの接続強度を高める
ためには、一般に、バンプ電極の厚みを十分に厚くする
方法が用いられている。バンプ電極の厚みを厚くするた
めに、従来、膜厚の薄い第１の電極層の上に膜厚の厚い
第２の電極層を形成する方法が知られている。

【０００５】一般に弾性表面波装置では、圧電基板上
に、ＩＤＴ（interdigital transducer （インターデジ
タル変換器））、反射器および配線電極のような弾性表
面波素子用電極と、上記バンプ電極とが形成される。こ
こで、バンプ電極が上記のような第１，第２の電極層を
有する場合、弾性表面波素子用電極とバンプ電極のうち
の第１の電極層とは同時に形成されることが多い。

【０００６】弾性表面波素子用電極の形成方法として
は、エッチング法またはリフトオフ法が用いられて
いる。エッチング法では、基板上に全面にＡｌを主成
分とする導電膜が形成され、次にフォトリソグラフィ技
術により所望のレジストパターンが形成され、その後ウ
ェットエッチングあるいはドライエッチングにより金属
膜を加工した後、レジストが除去される。リフトオフ
法では、レジスト上に付着している金属膜部分をレジス
トとともに除去することにより、残りの金属膜部分によ
り電極が形成される。

【０００７】特に、一部の８００ＭＨｚ帯あるいは１〜
２ＧＨｚ帯の弾性表面波フィルタでは、上記リフトオ
フ法を用いて弾性表面波装置が形成されている。このよ
うな弾性表面波装置の製造方法の一例を、図８（ａ）〜
（ｇ）を参照しながら説明する。

【０００８】図８（ａ）に示すように、まず、圧電基板
２０１上に、フォトリソグラフィによりレジストパター
ン２０２が形成される。次に、図８（ｂ）に示すよう
に、圧電基板２０１上にＡｌを主成分とする金属膜２０
３が形成される。その後、レジストパターン２０２がそ
の上面に付着している金属膜部分とともにリフトオフに
より除去される。このようにして、図８（ｃ）に示すよ
うに、圧電基板２０１上に、バンプ電極２０６を構成す
るための第１の電極層２０３ａと、弾性表面波素子用電
極２０３ｂとが同時に形成される。

【０００９】次に、図８（ｄ）に示すように、レジスト
パターン２０４が形成される。その後、図５（ｅ）に示
すように、金属膜２０５が形成され、再度リフトオフに
よりレジストパターン２０５が除去される。このように
して、図８（ｆ）に示すように、第１の電極層２０３ａ
上に、第２の電極層２０５ａが形成され、２層構造のバ
ンプ電極２０６が得られる。

【００１０】最後に、図８（ｇ）に示すように、バンプ
電極２０６上にバンプ２０７が接合される。そして、弾
性表面波装置２０８は、バンプ２０７を利用して、パッ
ケージにフリップチップボンディング方式により接合さ
れる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、弾性表面波素子用電極２０３ｂ、バンプ電極２
０６、および他の配線をリフトオフ法によって一括形成
した場合、弾性表面波装置２０８をパッケージにフリッ
プチップボンディング方式で実装し、蓋材により気密封
止した時に、成膜やバンプ形成時の残留応力によってバ
ンプ電極２０６付近の圧電基板２０１にクラックが生じ
ることがあった。

【００１２】また、弾性表面波装置の製造においては、
加熱工程を含むことが多い。例えば、形成したレジスト
を硬化するために、加熱する場合がある。また、弾性表
面波素子のフリップチップボンディング方式により実装
する場合、バンプシェア強度を高めるために、バンプ形
成工程時にウェハを加熱して、金属相互拡散作用の促進
を図ることがある。

【００１３】しかしながら、焦電性を有する圧電基板上
のレジストや弾性表面波素子を加熱する場合、温度変化
により弾性表面波素子の電極間に電位差が生じて、放電
が発生する。そのため、この放電により電極に焦電破壊
が生じていた。

【００１４】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、その目的は、圧電基板や電極の損傷の
発生を抑えることができる弾性表面波装置の製造方法、
弾性表面波装置、およびこれを搭載した通信装置を提供
することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
の製造方法は、上記の課題を解決するために、バンプ電
極上に形成されたバンプを介してフリップチップボンデ
ィング方式で実装される弾性表面波装置の製造方法であ
って、圧電基板上に、弾性表面波素子と、該弾性表面波
素子と導通した上記バンプ電極の第１の電極層と、該バ
ンプ電極の第１の電極層より延設された保護電極部とを
少なくとも形成する第１の電極層形成工程と、上記バン
プ電極の第１の電極層上に上記バンプ電極の第２の電極
層を形成する第２の電極層形成工程と、上記第２の電極
層形成工程の後に、上記保護電極部を除去する保護電極
部除去工程と、を含むことを特徴としている。

【００１６】上記の方法により、弾性表面波素子と、バ
ンプ電極の第１の電極層と、保護電極部とを形成し、バ
ンプ電極の第１の電極層上に第２の電極層を形成した
後、保護電極部を除去する。

【００１７】これにより、レジストやバンプの形成を、
弾性表面波素子と保護電極部とが短絡された状態で行う
ことが可能である。よって、焦電性を有する圧電基板上
のレジストや弾性表面波素子を加熱しても、弾性表面波
素子の電極間に電位差が生じない。その結果、放電が発
生せず、電極に焦電破壊が発生しない。

【００１８】したがって、製造工程において焦電破壊に
よる弾性表面波素子の破損を抑えることが可能となるた
め、弾性表面波装置を高い良品率で製造できる。

【００１９】本発明の弾性表面波装置の製造方法は、上
記の課題を解決するために、バンプ電極上に形成された
バンプを介してフリップチップボンディング方式で実装
される弾性表面波装置の製造方法であって、圧電基板上
に、第１の弾性表面波素子と、該第１の弾性表面波素子
と導通した上記バンプ電極の第１の電極層と、該バンプ
電極の第１の電極層より第２の弾性表面波素子が形成さ
れる領域以外の領域に延設された保護電極部とを少なく
とも形成する第１の電極層形成工程と、上記圧電基板上
に、上記第２の弾性表面波素子を上記保護電極部と導通
するように形成する第３の電極層形成工程と、上記バン
プ電極の第１の電極層上に上記バンプ電極の第２の電極
層を形成する第２の電極層形成工程と、上記第２の電極
層形成工程の後に、上記保護電極部を除去する保護電極
部除去工程と、を含むことを特徴としている。

【００２０】上記の方法により、第１の弾性表面波素子
と、第１および第２の弾性表面波素子のバンプ電極の第
１の電極層と、保護電極部とを形成し、次いで第２の弾
性表面波素子を形成し、次いで第１および第２の弾性表
面波素子のバンプ電極の第１の電極層上に第２の電極層
を形成した後、保護電極部を除去する。

【００２１】これにより、レジストやバンプの形成を、
第１および第２の弾性表面波素子と保護電極部とが短絡
された状態で行うことが可能である。よって、焦電性を
有する圧電基板上のレジストや弾性表面波素子を加熱し
ても、弾性表面波素子の電極間に電位差が生じない。そ
の結果、放電が発生せず、電極に焦電破壊が発生しな
い。

【００２２】したがって、製造工程において焦電破壊に
よる弾性表面波素子の破損を抑えることが可能となるた
め、弾性表面波装置を高い良品率で製造できる。

【００２３】さらに、上記の方法によれば、第１の弾性
表面波素子と第２の弾性表面波素子とを別の工程で形成
するため、第１の弾性表面波素子の膜厚と、第２の弾性
表面波素子の膜厚とを異ならせることができる。よっ
て、１つの弾性表面波装置に帯域の異なる２つのフィル
タを、それぞれ最適な膜厚で形成できる。

【００２４】本発明の弾性表面波装置の製造方法は、上
記の課題を解決するために、さらに、上記保護電極部除
去工程の前に、上記バンプ電極上に上記バンプを形成す
るバンプ形成工程を含むことを特徴としている。

【００２５】上記の方法により、さらに、バンプ形成時
に、バンプ電極より延設された保護電極部が残っている
ため、保護電極部によってバンプ電極付近の圧電基板を
保護できる。よって、バンプ電極付近の圧電基板に作用
するバンプ形成による残留応力を緩和できる。

【００２６】したがって、バンプ直下の圧電基板にクラ
ックが発生しやすいリフトオフプロセスによって電極を
形成しても、クラックの発生を抑えることができる。そ
れゆえ、弾性表面波装置を高い良品率で製造することが
可能となる。また、弾性表面波装置の信頼性、特に機械
的強度に対する信頼性が損なわれない。

【００２７】本発明の弾性表面波装置の製造方法は、上
記の課題を解決するために、さらに、上記弾性表面波素
子を被覆する絶縁膜を、所望の周波数特性が得られる厚
さで形成する絶縁膜形成工程を含むことを特徴としてい
る。

【００２８】上記の方法により、さらに、弾性表面波素
子を被覆する絶縁膜を形成し、この膜厚を調整すること
で、弾性表面波素子の周波数特性を調整できる。よっ
て、弾性表面波素子およびバンプ形成後に周波数特性が
設計値から外れていても、調整が可能である。したがっ
て、周波数特性のバラツキを抑えて、周波数特性の不良
による弾性表面波装置の不良率を低減できる。

【００２９】本発明の弾性表面波装置は、上記の課題を
解決するために、上記の弾性表面波装置の製造方法によ
って製造されたことを特徴としている。

【００３０】上記の構成により、上記弾性表面波装置
は、上記の製造方法によって製造されるため、製造工程
での圧電基板や電極の損傷の発生が抑えられており、高
い良品率で安価に製造される。また、上記弾性表面波装
置は、信頼性、特に機械的強度に対する信頼性に優れて
いる。また、上記弾性表面波装置は、フリップチップ工
法によって製造されるため、小型化、低背化が実現され
る。

【００３１】本発明の通信装置は、上記の課題を解決す
るために、上記の弾性表面波装置を搭載したことを特徴
としている。

【００３２】上記の構成により、上記通信装置は、信頼
性、特に機械的強度に対する信頼性が高く、小型化、低
背化された、安価な弾性表面波装置を搭載できる。した
がって、信頼性が高く、小型で、安価な通信装置、すな
わち移動体通信に適した通信装置が実現できる。

【００３３】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の一実施
の形態について図１から図３に基づいて説明すれば、以
下のとおりである。

【００３４】図１（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態に係
る弾性表面波装置の製造方法の概略を示す、前記弾性表
面波装置の平面図による説明図である。また、図２
（ａ）〜（ｆ）および図３（ａ）〜（ｅ）は、本実施の
形態に係る弾性表面波装置の製造方法の概略を示す説明
図である。なお、説明の便宜上、図２（ａ）〜（ｆ）お
よび図３（ａ）〜（ｅ）は、図１（ｄ）に示すＷ−Ｘ
線，Ｘ−Ｙ線，Ｙ−Ｚ線における各概略断面をＸ，Ｙで
仮想的に連結して示している。

【００３５】上記弾性表面波装置１０の製造方法は、図
１（ｄ）および図３（ｅ）に示した弾性表面波装置１０
の製造工程において、圧電基板１１上に弾性表面波素子
２０を以下の手順で形成する。

【００３６】第１に、圧電基板１１上に弾性表面波素子
２０の一端子対共振子のＩＤＴ（interdigital transdu
cer ）２１および反射器２２を構成する弾性表面波素子
用電極１３ｂ、バンプ電極１６の第１の電極層１３ａ
（図１（ａ）の仮想線）、配線（反射器のバスバー）２
３および配線（ＩＤＴのバスバー）２５（図１（ａ）の
仮想線）を形成する。これと同時に、弾性表面波素子２
０の電極が配置される領域以外の圧電基板１１上の除去
領域Ｃにも保護電極部１３ｃ（図１（ａ））を形成す
る。なお、弾性表面波素子２０の弾性表面波素子用電極
１３ｂ、配線２３，２５、バンプ電極１６の第１の電極
層１３ａ、および保護電極部１３ｃを少なくとも含む、
圧電基板１１上に形成された導電体層を第１の電極層と
する。

【００３７】ここで、除去領域Ｃとは、最終的に電極パ
ターンとして残る電極（ＩＤＴ、バンプ電極、配線）が
形成される領域以外の領域である。よって、製造工程の
途中で除去領域Ｃに形成された導電膜は最終工程までに
除去される。そして、本実施の形態では、除去領域Ｃの
全領域に保護電極部１３ｃが形成されるため、保護電極
部１３ｃは弾性表面波素子２０の全外周より外側へ延設
された形状を有する。ただし、本実施の形態に係る弾性
表面波装置の製造方法は、除去領域Ｃに弾性表面波素子
の電極と導通した導電膜を形成することによって、電極
の焦電破壊および圧電基板のクラック発生を防止するも
のである。したがって、圧電基板１１上での弾性表面波
素子２０の形状、配置に応じて、十分な導電性を確保で
きる幅で接続されていれば、保護電極部１３ｃは弾性表
面波素子２０の全外周で接続されていなくてもよい。

【００３８】第２に、少なくともバンプ電極１６が形成
される領域に、弾性表面波素子用電極１３ｂおよび第１
の電極層１３ａとは異なる金属からなる中間層１４ａ
と、弾性表面波素子用電極１３ｂおよび第１の電極層１
３ａより厚い導電膜である第２の電極層１５ａとを形成
する。その後、バンプ電極１６上にバンプ１７を形成
し、除去領域Ｃの保護電極部１３ｃをドライもしくはウ
ェットエッチングにより除去する。これにより、バンプ
電極１６および配線２３，２５を形成する。なお、バン
プ電極１６の第２の電極層１５ａを少なくとも含む、第
１の電極層上に形成された導電体層を第２の電極層とす
る。

【００３９】第３に、圧電基板１１に絶縁膜１８を形成
する。これにより、絶縁膜１８の厚みを減少させること
によって、弾性表面波素子２０の周波数を調整する。な
お、少なくともバンプ電極１６またはバンプ１７上の絶
縁膜は除去する。

【００４０】なお、バンプ電極１６（すなわち、第１の
電極層１３ａおよび第２の電極層１５ａ）は、バンプ１
７との接合面積に対して十分に広い面積を有する。これ
により、リフトオフによる電極形成時の残留応力を緩和
し、圧電基板１１へのクラックの発生を抑えることがで
きる。

【００４１】上記弾性表面波装置の製造方法を、図１
（ａ）〜（ｄ）、図２（ａ）〜（ｆ）および図３（ａ）
〜（ｅ）を参照しながら具体的に説明すると、以下のと
おりである。

【００４２】まず、図２（ａ）に示すように、圧電基板
１１の上面全面にネガ型のレジストを形成し、弾性表面
波素子２０（ＩＤＴ２１、反射器２２、バンプ電極１
６、配線２３，２５を含む）が形成される領域と、弾性
表面波素子２０の外周領域（除去領域Ｃ（図１
（ａ）））とを遮蔽したマスクを用いて露光した後、露
光されなかったレジストを除去することにより、レジス
ト３１を得る。なお、レジスト３１は加熱処理すること
により、レジストの密着性および耐プラズマ性を向上さ
せることができる。

【００４３】次に、図２（ｂ）に示すように、圧電基板
１１の上面全面にＩＤＴ２１や反射器２２等と同じの膜
厚の導電体層１３を、Ａｌ等の導電性材料を蒸着するな
どして形成する。

【００４４】次に、図２（ｃ）に示すように、レジスト
３１とレジスト３１上の導電体層１３とをリフトオフし
て、弾性表面波素子２０のＩＤＴ２１および反射器２２
の弾性表面波素子用電極１３ｂ、バンプ電極１６の第１
の電極層１３ａ（図１（ａ）の仮想線）、ＩＤＴ２１の
電極を互いに接続する配線２５（図１（ａ）の仮想
線）、反射器２２の電極を互いに接続する配線２３（図
１（ａ）の仮想線）を形成する。これと同時に、除去領
域Ｃの保護電極部１３ｃを弾性表面波素子２０の電極の
全周囲に延設した形状で形成する。なお、図２（ａ）〜
（ｃ）が第１の電極層形成工程に相当する。

【００４５】ここで、図１（ａ）に示すように、リフト
オフにより弾性表面波素子用電極１３ｂ等を形成する段
階では、弾性表面波素子２０の電極および配線が除去領
域Ｃの保護電極部１３ｃと短絡されているため、各部分
が同電位となって放電が生じず、ＩＤＴ２１やレジスト
の破損のおそれがない。

【００４６】次に、図２（ｄ）に示すように、圧電基板
１１の上面全面にネガ型のレジストを形成し、少なくと
もバンプ電極１６の領域を遮蔽したマスクを用いて露光
した後、露光されなかったレジストを除去することによ
り、レジスト３２を得る。なお、レジスト３１と同様、
レジスト３２も加熱処理することにより、レジストの密
着性および耐プラズマ性を向上させることができる。

【００４７】ここで、バンプ電極１６の第２の電極層１
５ａを形成するためのレジスト３２を加熱する段階で
は、弾性表面波素子２０の電極および配線が除去領域Ｃ
の保護電極部１３ｃと短絡されているため、各部分が同
電位となって放電が生じず、焦電破壊が発生しない。

【００４８】次に、図２（ｅ）に示すように、圧電基板
１１の上面全面に、弾性表面波素子用電極１３ｂおよび
第１の電極層１３ａとは異なる金属からなる中間層１４
と、弾性表面波素子用電極１３ｂおよび第１の電極層１
３ａより厚い導電体層１５とを、この順序で形成する。
なお、中間層１４は、Ｔｉ、Ｎｉ、ＮｉＣｒ等を用いる
ことができる。中間層１４を設けることにより、１層目
の導電膜（第１の電極層１３ａ）と２層目の導電膜（第
２の電極層１５ａ）との密着力が向上する。また、導電
体層１５は、Ａｌなどの導電性材料を蒸着などの方法で
形成される。導電体層１５の厚み（すなわち、第２の電
極層１５ａの厚み）は、配線抵抗や、バンプ１７とバン
プ電極１６との接合強度等を考慮して決定できる。本実
施の形態では、３００〜１０００ｎｍの範囲より選択さ
れる。さらに、中間層１４と導電体層１５とは連続成膜
による形成が望ましい。

【００４９】次に、図２（ｆ）および図１（ｂ）に示す
ように、レジスト３２とレジスト３２上の導電体層１５
とをリフトオフして、少なくとも弾性表面波素子２０の
バンプ電極１６の中間層１４ａおよび第２の電極層１５
ａを形成する。なお、図２（ｄ）〜（ｆ）が第２の電極
層形成工程に相当する。

【００５０】ここで、図４（ａ）に示すように、弾性表
面波素子２０のＩＤＴ２１および反射器２２の電極は、
保護電極部１３ｃと一体に形成された配線２３，２５に
接続されることによって、互いに短絡されている。そし
て、図１（ｂ）に示すように、弾性表面波素子２０のバ
ンプ電極１６の第２の電極層１５ａは、第１の電極層１
３ａおよび配線２５をそれぞれ被覆し、かつ導通するよ
うに一体に形成される。

【００５１】次に、図３（ａ）および図１（ｃ）に示す
ように、バンプ電極１６の第２の電極層１５ａ上にバン
プ１７を形成する。なお、図３（ａ）がバンプ形成工程
に相当する。

【００５２】次に、図３（ｂ）に示すように、圧電基板
１１上に絶縁膜１８を形成する。絶縁膜１８はＳｉＯ₂
等を、例えばスパッタ等により形成する。

【００５３】次に、図３（ｃ）に示すように、弾性表面
波素子２０をパッケージ等の外部回路（図示せず）と接
続するために、バンプ１７およびバンプ電極１６の表面
の絶縁膜１８を除去する。このように、絶縁膜１８によ
る汚染なく接合できるため、高いダイシェア強度を得る
ことができる。これと同時に、除去領域Ｃの絶縁膜１８
も除去する。

【００５４】ここで、バンプ１７および絶縁膜１８を形
成する段階では、弾性表面波素子２０の電極および配線
が除去領域Ｃの保護電極部１３ｃと短絡されているた
め、金属相互拡散作用の促進や絶縁膜の成膜のためにウ
ェハを加熱しても、焦電破壊が発生しない。

【００５５】次に、図３（ｄ）および図１（ｄ）に示す
ように、除去領域Ｃの保護電極部１３ｃをエッチングに
よって除去することにより、バンプ電極１６の第１の電
極層１３ａの外形、および各部の配線を成形する。すな
わち、バンプ電極１６の第１の電極層１３ａを、バンプ
電極１６の形状に成形する。また、ＩＤＴ２１の略半数
の電極およびバンプ電極１６の第１の電極層１３ａを互
いに接続する配線２５、反射器２２の電極を互いに接続
する配線２３を成形するとともに、ＩＤＴ２１と反射器
２２とを接続していた配線を除去する。なお、図３
（ｄ））が保護電極部除去工程に相当する。

【００５６】具体的には、図３（ｃ）に示した圧電基板
１１の上面全面に、ポジ型のレジストを形成し、弾性表
面波素子２０のＩＤＴ２１、反射器２２、バンプ電極１
６を遮蔽したマスクを用いて露光した後、露光されたレ
ジスト部分を除去して、レジストをパターニングする。
その後、レジストを侵さないが、除去領域Ｃの保護電極
部１３ｃを除去し得るエッチャントを用いてエッチング
を行う。なお、このエッチングは、湿式であっても、プ
ラズマ等を用いた乾式であってもよい。

【００５７】最後に、図３（ｅ）に示すように、絶縁膜
１８を薄くして、弾性表面波素子２０の周波数が所望の
値となるように調整する。なお、図３（ｂ）〜（ｅ）が
絶縁膜形成工程に相当する。

【００５８】上記のように、上記弾性表面波装置の製造
方法は、圧電基板上に弾性表面波素子を形成し、バンプ
電極を中間層を介した多層構造とし、フリップチップ実
装を行う弾性表面波装置の製造方法である。そして、成
膜およびバンプ形成時等にバンプ電極に働く残留応力を
緩和できるため、バンプ直下の圧電基板にクラックが発
生しやすいリフトオフプロセスによって電極形成を行っ
ても、クラックの発生を抑えることが可能である。

【００５９】〔実施の形態２〕本発明の他の実施の形態
について図４から図６に基づいて説明すれば、以下のと
おりである。なお、本実施の形態に係る弾性表面波装置
の製造方法は、実施の形態１において図１から図３に基
づいて説明した弾性表面波装置の製造方法を応用したも
のであるため、実施の形態１において示した部材と同一
の機能を有する部材には同一の符号を付し、その説明を
省略する。また、実施の形態１において定義した用語に
ついては、特に断らない限り本実施の形態においてもそ
の定義に則って用いるものとする。

【００６０】図４（ａ）〜（ｅ）は、本実施の形態に係
る弾性表面波装置の製造方法の概略を示す、前記弾性表
面波装置の平面図による説明図である。また、図５
（ａ）〜（ｆ）および図６（ａ）〜（ｅ）は、本実施の
形態に係る弾性表面波装置の製造方法の概略を示す説明
図である。なお、説明の便宜上、図５（ａ）〜（ｆ）お
よび図６（ａ）〜（ｅ）は、図４（ｄ）に示すＷ−Ｘ
線，Ｘ−Ｙ線，Ｙ−Ｚ線における各概略断面をＸ，Ｙで
仮想的に連結して示している。

【００６１】本実施の形態に係る弾性表面波装置１０′
の製造方法は、図４（ｅ）および図６（ｅ）に示した弾
性表面波装置１０′の製造工程において、圧電基板１１
上に２つの弾性表面波素子５０，６０を以下の手順で形
成する。ここで、弾性表面波素子５０，６０は、帯域が
異なるフィルタである。よって、２つの弾性表面波素子
５０，６０の最適金属膜厚が異なるため、ＩＤＴ電極は
２回の成膜工程で形成する。

【００６２】第１に、第１の弾性表面波素子５０のＩＤ
Ｔ２１および反射器２２を形成する際、同時に第１の弾
性表面波素子５０および第２の弾性表面波素子６０の電
極が形成される領域以外の領域である除去領域Ｃにも保
護電極部１３ｃを形成する（図４（ａ））。なお、第１
の弾性表面波素子５０の弾性表面波素子用電極１３ｂ、
配線２３，２５、バンプ電極１６の第１の電極層１３
ａ、第２の弾性表面波素子６０のバンプ電極１６の第１
の電極層１３ａ、および保護電極部１３ｃを少なくとも
含む、圧電基板１１上に形成された導電体層を第１の電
極層とする。

【００６３】第２に、リフトオフで第２の弾性表面波素
子６０のＩＤＴ２１および反射器２２を形成する際、同
時に第２の弾性表面波素子６０の電極と除去領域Ｃの保
護電極部１３ｃとを接続する短絡用配線２４を形成する
（図４（ｂ））。なお、第２の弾性表面波素子６０の弾
性表面波素子用電極１３ｂ、配線２３，２５、および短
絡用配線２４を少なくとも含む、圧電基板１１上にに形
成された導電体層を第３の電極層とする。

【００６４】第３に、図４（ｃ）および図６（ｃ）に示
すように、少なくとも第１、第２の弾性表面波素子５
０，６０のバンプ電極１６が形成される領域に、リフト
オフで第１、第２の弾性表面波素子５０，６０の弾性表
面波素子用電極１３ｂおよび第１の電極層１３ａとは異
なる金属からなる中間層１４ａと、第１、第２の弾性表
面波素子５０，６０の弾性表面波素子用電極１３ｂおよ
び第１の電極層１３ａより厚い導電膜である第２の電極
層１５ａとを形成する。なお、第１、第２の弾性表面波
素子５０，６０のバンプ電極１６の第２の電極層１５ａ
を少なくとも含む、第１の電極層上に形成された導電体
層を第２の電極層とする。

【００６５】第４に、図４（ｄ）および図６（ｄ）に示
すように、第１、第２の弾性表面波素子５０，６０のバ
ンプ電極１６上にバンプ１７を形成する。その後、図４
（ｅ）および図６（ｅ）に示すように、除去領域Ｃの保
護電極部１３ｃをドライまたはウェットエッチングによ
り除去して、第１、第２の弾性表面波素子５０，６０の
バンプ電極１６および配線２３，２５を形成すると同時
に、第２の弾性表面波素子６０の短絡用配線２４を切断
する。

【００６６】上記弾性表面波装置の製造方法を、図４
（ａ）〜（ｅ）、図５（ａ）〜（ｆ）および図６（ａ）
〜（ｅ）を参照しながら具体的に説明すると、以下のと
おりである。

【００６７】まず、図５（ａ）に示すように、圧電基板
１１の上面全面にネガ型のレジストを形成し、第１の弾
性表面波素子５０（ＩＤＴ２１、反射器２２、バンプ電
極１６、配線２３，２５を含む）が形成される領域と、
第１、第２の弾性表面波素子５０，６０の外周領域（除
去領域Ｃ（図４（ａ）））とを遮蔽したマスクを用いて
露光した後、露光されなかったレジストを除去すること
により、レジスト３５を得る。なお、レジスト３５は加
熱処理することにより、レジストの密着性および耐プラ
ズマ性を向上させることができる。

【００６８】次に、図５（ｂ）に示すように、圧電基板
１１の上面全面に第１の弾性表面波素子５０のＩＤＴ２
１や反射器２２等と同じの膜厚の導電体層１３を、Ａｌ
等の導電性材料を蒸着するなどして形成する。

【００６９】次に、図５（ｃ）に示すように、レジスト
３５とレジスト３５上の導電体層１３とをリフトオフし
て、第１の弾性表面波素子５０のＩＤＴ２１および反射
器２２の弾性表面波素子用電極１３ｂ、バンプ電極１６
の第１の電極層１３ａ（図４（ａ）の仮想線）、ＩＤＴ
２１の電極を互いに接続する配線２５（図１（ａ）の仮
想線）、反射器２２の電極を互いに接続する配線２３
（図１（ａ）の仮想線）を形成する。これと同時に、第
２の弾性表面波素子６０のバンプ電極１６の第１の電極
層１３ａ（図４（ａ）の仮想線）を形成する。さらに同
時に、除去領域Ｃの保護電極部１３ｃを第１，第２の弾
性表面波素子５０，６０の電極の全周囲に延設した形状
で形成する。なお、図５（ａ）〜（ｃ）が第１の電極層
形成工程に相当する。

【００７０】ここで、図４（ａ）に示すように、リフト
オフにより第１の弾性表面波素子５０の弾性表面波素子
用電極１３ｂ等を形成する段階では、第１の弾性表面波
素子５０の電極および配線が除去領域Ｃの保護電極部１
３ｃと短絡されているため、各部分が同電位となって放
電が生じず、ＩＤＴ２１やレジストの破損のおそれがな
い。

【００７１】また、第１、第２の弾性表面波素子５０，
６０のバンプ電極１６を第１の弾性表面波素子５０と同
時に形成するため、圧電基板１１のバンプ電極１６を形
成する領域は比較的清浄な状態であり、良好な接合強度
を得ることができる。

【００７２】次に、図５（ｄ）に示すように、圧電基板
１１の上面全面にネガ型のレジストを形成し、第２の弾
性表面波素子６０（ＩＤＴ２１、反射器２２、バンプ電
極１６、配線２３，２５、短絡用配線２４を含む）が形
成される領域のみを遮蔽したマスクを用いて露光した
後、露光されなかったレジストを除去することにより、
レジスト３６を得る。なお、レジスト３６は加熱処理す
ることにより、レジストの密着性および耐プラズマ性を
向上させることができる。

【００７３】次に、図５（ｅ）に示すように、圧電基板
１１の上面全面に第２の弾性表面波素子６０のＩＤＴ２
１や反射器２２等と同じの膜厚の導電体層１３′を、Ａ
ｌ等の導電性材料を蒸着するなどして形成する。

【００７４】次に、図５（ｆ）に示すように、レジスト
３６とレジスト３６上の導電体層１３′とをリフトオフ
して、第２の弾性表面波素子６０のＩＤＴ２１および反
射器２２の弾性表面波素子用電極１３ｂ、ＩＤＴ２１の
電極を互いに接続する配線２５（図４（ｂ））、反射器
２２の電極を互いに接続する配線２３（図４（ｂ））を
形成する。なお、図５（ｄ）〜（ｆ）が第３の電極層形
成工程に相当する。

【００７５】ここで、図４（ｂ）に示すように、第２の
弾性表面波素子のＩＤＴ２１および反射器２２は、保護
電極部１３ｃで囲まれた領域（図中矩形状にあけられた
領域）に形成される。また、第２の弾性表面波素子６０
は、第１の弾性表面波素子５０と異なり、ＩＤＴ２１お
よび反射器２２の電極が保護電極部１３ｃと直接接続さ
れず、配線２３，２５に接続された短絡用配線２４を介
して導通するように形成される。

【００７６】また、図４（ｂ）に示すように、リフトオ
フにより第２の弾性表面波素子６０弾性表面波素子用電
極１３ｂ等を形成する段階では、第２の弾性表面波素子
６０の電極および配線が除去領域Ｃの保護電極部１３ｃ
と短絡されているため、各部分が同電位となって放電が
生じず、ＩＤＴ２１やレジストの破損のおそれがない。
もちろん、第１の弾性表面波素子５０の電極および配線
も保護電極部１３ｃと短絡されているため、ＩＤＴ２１
やレジストの破損のおそれがない。

【００７７】次に、図６（ａ）に示すように、圧電基板
１１の上面全面にネガ型のレジストを形成し、少なくと
も第１、第２の弾性表面波素子５０，６０のバンプ電極
１６の領域を遮蔽したマスクを用いて露光した後、露光
されなかったレジストを除去することにより、レジスト
３７を得る。なお、レジスト３５，３６と同様、レジス
ト３７も加熱処理することにより、レジストの密着性お
よび耐プラズマ性を向上させることができる。

【００７８】ここで、バンプ電極１６の第２の電極層１
５ａを形成するためのレジスト３７を加熱する段階で
は、第１、第２の弾性表面波素子５０，６０の電極およ
び配線が除去領域Ｃの保護電極部１３ｃと短絡されてい
るため、各部分が同電位となって放電が生じず、焦電破
壊が発生しない。

【００７９】次に、図６（ｂ）に示すように、圧電基板
１１の上面全面に、第１の弾性表面波素子５０の弾性表
面波素子用電極１３ｂおよび第１の電極層１３ａならび
に第２の弾性表面波素子６０の弾性表面波素子用電極１
３ｂとは異なる金属からなる中間層１４を形成する。つ
づいて、第１、第２の弾性表面波素子５０，６０の弾性
表面波素子用電極１３ｂおよび第１の電極層１３ａより
厚い導電体層１５を形成する。なお、中間層１４および
導電体層１５については、実施の形態１と同様である。

【００８０】次に、図６（ｃ）および図４（ｃ）に示す
ように、レジスト３７とレジスト３７上の導電体層１５
とをリフトオフして、少なくとも第１、第２の弾性表面
波素子５０，６０のバンプ電極１６の中間層１４ａおよ
び第２の電極層１５ａを形成する。なお、図６（ａ）〜
（ｃ）が第２の電極層形成工程に相当する。

【００８１】ここで、図４（ａ）に示すように、第１の
弾性表面波素子５０では、ＩＤＴ２１および反射器２２
の電極が、保護電極部１３ｃと一体に形成された配線２
３，２５に接続されることによって、互いに短絡されて
いる。一方、図４（ｂ）に示すように、第２の弾性表面
波素子６０では、ＩＤＴ２１および反射器２２の電極
が、配線２３，２５に接続され、短絡用配線２４を介し
て異なる電極層（第１の電極層）の保護電極部１３ｃと
導通されることによって、互いに短絡されている。そし
て、図４（ｃ）に示すように、第１，第２の弾性表面波
素子５０，６０とも、バンプ電極１６の第２の電極層１
５ａは、第１の電極層１３ａおよび配線２５をそれぞれ
被覆し、かつ導通するように一体に形成される。

【００８２】次に、図６（ｄ）および図４（ｄ）に示す
ように、バンプ電極１６の第２の電極層１５ａ上にバン
プ１７を形成する。なお、図６（ｄ）がバンプ形成工程
に相当する。

【００８３】ここで、バンプ１７を形成する段階では、
第１、第２の弾性表面波素子５０，６０の電極および配
線が除去領域Ｃの保護電極部１３ｃと短絡されているた
め、金属相互拡散作用を促進させるためにウェハを加熱
しても、焦電破壊が発生しない。

【００８４】最後に、図６（ｅ）および図４（ｅ）に示
すように、除去領域Ｃの保護電極部１３ｃをエッチング
によって除去することにより、バンプ電極１６の第１の
電極層１３ａの外形、および各部の配線を成形する。す
なわち、バンプ電極１６の第１の電極層１３ａを、バン
プ電極１６の形状に成形する。また、ＩＤＴ２１の略半
数の電極およびバンプ電極１６の第１の電極層１３ａを
互いに接続する配線２５、反射器２２の電極を互いに接
続する配線２３を成形するとともに、ＩＤＴ２１と反射
器２２とを接続していた配線を除去する。また、第２の
弾性表面波素子６０の短絡用配線２４を除去する。な
お、図６（ｅ）が保護電極除去工程に相当する。

【００８５】なお、本実施の形態では、弾性表面波素子
の上に絶縁膜を形成しない場合を説明したが、絶縁膜を
形成する場合は、実施の形態１のバンプ形成時からの工
程（図３（ｂ）〜（ｅ））と同じである。

【００８６】つづいて、図７を参照しながら、実施の形
態１，２で説明した弾性表面波装置１０，１０′を搭載
した通信装置１００について説明する。

【００８７】上記通信装置１００は、受信を行うレシー
バとして、アンテナ１０１、アンテナ共用部／ＲＦＴｏ
ｐフィルタ１０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１
０４、ミキサ１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキ
サ１０７、２ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄ
ローカルシンセサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature
compensated crystal oscillator（温度補償型水晶発振
器））１１２、デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１
４を備えて構成されている。また、上記通信装置１００
は、送信を行うトランシーバとして、上記アンテナ１０
１および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０
２を共用するとともに、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキ
サ１２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カ
プラ１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automatic
power control （自動出力制御））１２７を備えて構成
されている。

【００８８】そして、上記のＲｘ段間フィルタ１０４、
１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ＴｘＩＦフィルタ１２１、
Ｔｘ段間フィルタ１２３には、上述した弾性表面波装置
１０，１０′が好適に利用できる。ここで、上記弾性表
面波装置１０，１０′は、実施の形態１，２で説明した
製造方法によって製造されるため、製造工程での圧電基
板や電極の損傷の発生が抑えられており、高い良品率で
製造できる。また、弾性表面波装置の信頼性、特に機械
的強度に対する信頼性に優れている。よって、このよう
な弾性表面波装置１０，１０′を搭載することにより、
高い信頼性を備えた通信装置１００を安価に実現でき
る。特に、移動体通信に最適である。

【００８９】以上のように、上記弾性表面波装置の製造
方法では、（第１の）弾性表面波素子のＩＤＴ電極と、
バンプ電極の第１の電極層および配線と、バンプ電極の
第１の電極層および配線が形成される領域より広い範囲
の保護電極部をリフトオフで形成する。このように、バ
ンプ電極の第１の電極層は、リフトオフによって、ＩＤ
Ｔ電極と同時に形成される。

【００９０】また、上記弾性表面波装置の製造方法で
は、少なくともバンプ電極の第１の電極層上に、弾性表
面波素子の電極部とは異なる金属からなる中間層と、弾
性表面波素子の電極膜厚より厚い膜厚の導電膜である第
２の電極層とを形成する。ここで、中間層と第２の電極
層とは、リフトオフ法で形成されるが、第１の電極層上
であるため圧電基板には残留応力が生じない。

【００９１】このように、上記弾性表面波装置の製造方
法によれば、成膜およびバンプ形成時等にバンプ電極に
働く残留応力を緩和できるため、バンプ直下の圧電基板
にクラックが発生しやすいリフトオフプロセスによって
電極形成を行っても、クラックの発生を抑えることが可
能である。なお、成膜の際の残留応力に起因する圧電基
板のクラックの発生を抑える効果は、リフトオフプロセ
スに対して特に顕著である。しかし、これに限定され
ず、ドライ等の他のプロセスに対しても効果的である。

【００９２】その後、上記弾性表面波装置の製造方法で
は、バンプ電極上にバンプを形成し、ドライまたはウェ
ットエッチングでバンプ電極および配線を形成する。こ
こで、バンプ形成後（もしくは絶縁膜窓開け後）のエッ
チングによるバンプ電極の形成によって、ＩＤＴ電極と
保護電極部との短絡を切断できる。これにより、工程の
簡略化が可能となる。

【００９３】また、バンプ形成および周波数調整用の絶
縁膜の形成は、ＩＤＴ電極と保護電極部とが短絡された
状態で行う。これにより、レジスト形成時やフリップチ
ップ品のバンプ形成時に加熱する際、焦電破壊によるＩ
ＤＴ電極の破損を抑えることが可能となる。

【００９４】また、ＩＤＴおよびバンプを形成後、弾性
表面波素子の上にＳｉＯ₂等の絶縁膜を形成する。そし
て、この絶縁膜のの膜厚を調整することで、弾性表面波
素子の周波数特性を調整できる。よって、バンプ形成後
に周波数特性が設計値から外れていても、調整が可能で
ある。したがって、周波数特性のバラツキを抑え、周波
数特性の不良による不良率を低減できる。

【００９５】また、フェイスダウン接合の直前に、少な
くともバンプ表面の絶縁膜をプラズマ等により除去す
る。これにより、絶縁膜でバンプ表面の汚染を防止する
とともに、バンプボンディングする際、プラズマでバン
プ表面を洗浄することができる。よって、高いフェイス
ダウン接合性を確保して、バンプの接合不良を低減する
ことができる。

【００９６】また、バンプ接合面積に対して広い範囲に
バンプ電極を形成する。これにより、リフトオフによる
電極形成時の残留応力を緩和し、圧電基板へのクラック
の発生を抑えることができる。なお、リフトオフであ
り、Ａｌ／Ｔｉの多層膜や、Ｃｕの濃度を高くしたＡｌ
−Ｃｕ合金の加工が容易になる。それゆえ、耐電性の向
上を図ることが可能となる。

【００９７】なお、バンプ電極形成プロセスと圧電基板
のクラック発生率との関係について実験した結果、電極
形成プロセスが従来の方法の場合のクラック発生率が４
％であったのに対して、本発明の方法では０％であっ
た。

【００９８】また、本発明は、弾性表面波素子の電極構
成について特に限定されず、弾性表面波フィルタだけで
なく、弾性表面波共振子や弾性表面波遅延線などの様々
な弾性表面波装置の製造に適用できる。すなわち、共振
子、フィルタ、デュプレクサ等がどのような形態であっ
ても適用できる。もちろん、反射器のない構成の弾性表
面波素子であってもよい。

【００９９】また、上記実施の形態１，２では、リフト
オフプロセスで形成された弾性表面波素子が１つの場合
と、２つの場合とについて説明したが、弾性表面波装置
にはさらに多くの弾性表面波素子が形成されていてもよ
い。そして、各弾性表面波素子の電極膜厚が異なってい
てもよい。

【０１００】また、図１（ａ），図４（ａ）、では、圧
電基板１１の弾性表面波素子２０，５０，６０を除く全
領域を除去領域Ｃとして保護電極部１３ｃを形成した
が、保護電極部１３ｃの形状および配置は、各弾性表面
波素子の電極間を同電位とするものであれば任意に設定
できる。

【０１０１】さらに、圧電基板１１の材料は限定されな
い。すなわち、ＬｉＴａＯ₃、ＬｉＮｂＯ₃、または、
水晶、四棚酸リチウム、ランガサイトなどの圧電単結
晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックス
のような圧電セラミック、あるいはアルミナなどの絶縁
基板上にＺｎＯなどの圧電性薄膜を形成した圧電基板等
を用いてもよい。また、ＩＤＴや反射器等の電極やバン
プボンディングの材料も、ＡｌやＡｌ合金、その他導電
材料を適用できる。また、周波数特性を調整する絶縁膜
もＳｉＯ₂に限られるものではない。

【０１０２】また、実施の形態１，２では、１つの圧電
基板１１で１つの弾性表面波装置１０，１０′を構成す
るように、弾性表面波素子用電極およびバンプ電極を形
成したが、通常、マザーの圧電基板上に複数の弾性表面
波装置の弾性表面波素子用電極およびバンプ電極が上記
各実施の形態に従って形成され、最終的にダイシング等
により分割されて個々の弾性表面波装置が得られる。

【０１０３】さらに、本発明に係る弾性表面波装置の製
造方法は、例えば、以下のように構成することができ
る。

【０１０４】上記弾性表面波装置の製造方法は、圧電基
板上に弾性表面波素子を形成してなるフリップチップボ
ンディング工法を用いた弾性表面波装置の製造方法にお
いて、弾性表面波素子の形成される圧電基板上全面にレ
ジストを付与し加熱する工程と、弾性表面波素子のＩＤ
Ｔ電極とＩＤＴ電極以外の少なくともバンプ電極が配置
される領域以外の領域（除去領域Ｃ）のレジストを除去
する工程と、弾性表面波素子の形成される圧電基板上全
面に導電膜を形成する工程と、前記レジストおよびレジ
スト上に形成されている導電膜をリフトオフする工程
と、弾性表面波素子が形成される領域以外の電極（保護
電極部１３ｃ）をエッチングにより除去する工程と、を
含んでいてもよい。

【０１０５】上記弾性表面波装置の製造方法は、圧電基
板上に電極膜厚が異なる第１、第２の弾性表面波素子を
形成してなるフリップチップボンディング工法を用いた
弾性表面波装置の製造方法において、第１の弾性表面波
素子の形成される圧電基板上全面にレジストを付与し加
熱する工程と、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極と第
１、第２のＩＤＴ電極以外の少なくとも第１、第２の弾
性表面波素子のバンプ電極が配置される領域以外の領域
（除去領域Ｃ）のレジストを除去する工程と、第１、第
２の弾性表面波素子の形成される圧電基板上全面に導電
膜を形成する工程と、前記レジストおよびレジスト上に
形成されている導電膜をリフトオフする工程と、第１、
第２の弾性表面波素子の形成される圧電基板上全面にレ
ジストを付与し加熱する工程と、第２の弾性表面波素子
の少なくともＩＤＴ電極が形成される領域のレジストを
除去する工程と、第１、第２の弾性表面波素子の形成さ
れる圧電基板上全面に導電膜を形成する工程と、前記レ
ジストおよびレジスト上に形成されている導電膜をリフ
トオフする工程と、第１、第２の弾性表面波素子が形成
される領域以外の電極（保護電極部１３ｃ）をエッチン
グにより除去する工程と、を含んでいてもよい。

【０１０６】上記弾性表面波装置の製造方法は、さら
に、第１、第２の弾性表面波素子が形成される領域以外
の電極（保護電極部１３ｃ）をエッチングにより除去す
る工程を実施前に圧電基板上に絶縁膜を形成する工程
と、少なくともバンプおよび第１、第２の弾性表面波素
子が形成される領域以外の電極上の絶縁膜を除去する工
程と、を含んでいてもよい。

【０１０７】上記弾性表面波装置の製造方法は、さら
に、第１、第２の弾性表面波素子が形成される領域以外
の電極（保護電極部１３ｃ）をエッチングにより除去す
る工程を実施後、前記絶縁膜の厚みを減少させることに
より弾性表面波素子の周波数を調整する工程を含んでい
てもよい。

【０１０８】

【発明の効果】本発明の弾性表面波装置の製造方法は、
以上のように、バンプ電極上に形成されたバンプを介し
てフリップチップボンディング方式で実装される弾性表
面波装置の製造方法であって、圧電基板上に、弾性表面
波素子と、該弾性表面波素子と導通した上記バンプ電極
の第１の電極層と、該バンプ電極の第１の電極層より延
設された保護電極部とを少なくとも形成する第１の電極
層形成工程と、上記バンプ電極の第１の電極層上に上記
バンプ電極の第２の電極層を形成する第２の電極層形成
工程と、上記第２の電極層形成工程の後に、上記保護電
極部を除去する保護電極部除去工程と、を含む。

【０１０９】それゆえ、レジストやバンプの形成を、弾
性表面波素子と保護電極部とが短絡された状態で行うこ
とが可能である。よって、焦電性を有する圧電基板上の
レジストや弾性表面波素子を加熱しても、弾性表面波素
子の電極間に電位差が生じない。その結果、放電が発生
せず、電極に焦電破壊が発生しないという効果を奏す
る。

【０１１０】したがって、製造工程において焦電破壊に
よる弾性表面波素子の破損を抑えることが可能となるた
め、弾性表面波装置を高い良品率で製造できるという効
果を奏する。

【０１１１】本発明の弾性表面波装置の製造方法は、以
上のように、バンプ電極上に形成されたバンプを介して
フリップチップボンディング方式で実装される弾性表面
波装置の製造方法であって、圧電基板上に、第１の弾性
表面波素子と、該第１の弾性表面波素子と導通した上記
バンプ電極の第１の電極層と、該バンプ電極の第１の電
極層より第２の弾性表面波素子が形成される領域以外の
領域に延設された保護電極部とを少なくとも形成する第
１の電極層形成工程と、上記圧電基板上に、上記第２の
弾性表面波素子を上記保護電極部と導通するように形成
する第３の電極層形成工程と、上記バンプ電極の第１の
電極層上に上記バンプ電極の第２の電極層を形成する第
２の電極層形成工程と、上記第２の電極層形成工程の後
に、上記保護電極部を除去する保護電極部除去工程と、
を含む。

【０１１２】それゆえ、レジストやバンプの形成を、第
１および第２の弾性表面波素子と保護電極部とが短絡さ
れた状態で行うことが可能である。よって、焦電性を有
する圧電基板上のレジストや弾性表面波素子を加熱して
も、弾性表面波素子の電極間に電位差が生じない。その
結果、放電が発生せず、電極に焦電破壊が発生しないと
いう効果を奏する。

【０１１３】したがって、製造工程において焦電破壊に
よる弾性表面波素子の破損を抑えることが可能となるた
め、弾性表面波装置を高い良品率で製造できるという効
果を奏する。さらに、第１の弾性表面波素子の膜厚と、
第２の弾性表面波素子の膜厚とを異ならせることができ
るため、１つの弾性表面波装置に帯域の異なる２つのフ
ィルタを、それぞれ最適な金属膜厚で形成できるという
効果を奏する。

【０１１４】本発明の弾性表面波装置の製造方法は、以
上のように、さらに、上記保護電極部除去工程の前に、
上記バンプ電極上に上記バンプを形成するバンプ形成工
程を含む。

【０１１５】それゆえ、さらに、バンプ形成時に、バン
プ電極より延設された保護電極部が残っているため、保
護電極部によってバンプ電極付近の圧電基板を保護でき
る。よって、バンプ電極付近の圧電基板に作用するバン
プ形成による残留応力を緩和できる。したがって、バン
プ直下の圧電基板にクラックが発生しやすいリフトオフ
プロセスによって電極を形成しても、クラックの発生を
抑えることができるという効果を奏する。その結果、弾
性表面波装置を高い良品率で製造することが可能となる
という効果を奏する。また、弾性表面波装置の信頼性、
特に機械的強度に対する信頼性が損なわれないという効
果を奏する。

【０１１６】本発明の弾性表面波装置の製造方法は、以
上のように、さらに、上記弾性表面波素子を被覆する絶
縁膜を、所望の周波数特性が得られる厚さで形成する絶
縁膜形成工程を含む。

【０１１７】それゆえ、さらに、弾性表面波素子および
バンプ形成後に周波数特性が設計値から外れていても、
調整が可能である。したがって、周波数特性のバラツキ
を抑え、周波数特性の不良による弾性表面波装置の不良
率を低減できるという効果を奏する。

【０１１８】本発明の弾性表面波装置は、以上のよう
に、上記の弾性表面波装置の製造方法によって製造され
たものである。

【０１１９】それゆえ、上記弾性表面波装置は、上記の
製造方法によって製造されるため、製造工程での圧電基
板や電極の損傷の発生が抑えられており、高い良品率で
安価に製造できるという効果を奏する。また、上記弾性
表面波装置は、信頼性、特に機械的強度に対する信頼性
に優れているという効果を奏する。また、上記弾性表面
波装置は、フリップチップ工法によって製造されるた
め、小型化、低背化が実現されるという効果を奏する。

【０１２０】本発明の通信装置は、以上のように、上記
の弾性表面波装置を搭載した構成である。

【０１２１】それゆえ、上記通信装置は、信頼性、特に
機械的強度に対する信頼性が高く、小型化、低背化され
た、安価な弾性表面波装置を搭載できる。したがって、
信頼性が高く、小型で、安価な通信装置、すなわち移動
体通信に適した通信装置が実現できるという効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）から図１（ｄ）は、本発明の一実施
の形態に係る弾性表面波装置の製造方法の概略を示す、
前記弾性表面波装置の平面図による説明図である。

【図２】図２（ａ）から図２（ｆ）は、図１（ａ）から
図１（ｄ）に示した弾性表面波装置の製造方法の前半を
示す、前記弾性表面波装置の断面図による説明図であ
る。

【図３】図３（ａ）から図３（ｅ）は、図１（ａ）から
図１（ｄ）に示した弾性表面波装置の製造方法の後半を
示す、前記弾性表面波装置の断面図による説明図であ
る。

【図４】図４（ａ）から図４（ｅ）は、本発明の他の実
施の形態に係る弾性表面波装置の製造方法の概略を示
す、前記弾性表面波装置の平面図による説明図である。

【図５】図５（ａ）から図５（ｆ）は、図４（ａ）から
図４（ｅ）に示した弾性表面波装置の製造方法の前半を
示す、前記弾性表面波装置の断面図による説明図であ
る。

【図６】図６（ａ）から図６（ｅ）は、図４（ａ）から
図４（ｅ）に示した弾性表面波装置の製造方法の後半を
示す、前記弾性表面波装置の断面図による説明図であ
る。

【図７】図１から図６に示した製造方法によって製造さ
れた弾性表面波装置を搭載した通信装置の概略を示すブ
ロック図である。

【図８】図８（ａ）から図８（ｇ）は、従来の技術に係
る弾性表面波装置の製造方法を示す、前記弾性表面波装
置の断面図による説明図である。

【符号の説明】

１０，１０′ 弾性表面波装置１１圧電基板１３ａバンプ電極の第１の電極層１３ｃ保護電極部１５ａバンプ電極の第２の電極層１６バンプ電極１７バンプ１８絶縁膜２０弾性表面波素子５０第１の弾性表面波素子６０第２の弾性表面波素子１００通信装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】バンプ電極上に形成されたバンプを介して
フリップチップボンディング方式で実装される弾性表面
波装置の製造方法であって、圧電基板上に、弾性表面波素子と、該弾性表面波素子と
導通した上記バンプ電極の第１の電極層と、該バンプ電
極の第１の電極層より延設された保護電極部とを少なく
とも形成する第１の電極層形成工程と、上記バンプ電極の第１の電極層上に上記バンプ電極の第
２の電極層を形成する第２の電極層形成工程と、上記第２の電極層形成工程の後に、上記保護電極部を除
去する保護電極部除去工程と、を含むことを特徴とする
弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】バンプ電極上に形成されたバンプを介して
フリップチップボンディング方式で実装される弾性表面
波装置の製造方法であって、圧電基板上に、第１の弾性表面波素子と、該第１の弾性
表面波素子と導通した上記バンプ電極の第１の電極層
と、該バンプ電極の第１の電極層より第２の弾性表面波
素子が形成される領域以外の領域に延設された保護電極
部とを少なくとも形成する第１の電極層形成工程と、上記圧電基板上に、上記第２の弾性表面波素子を上記保
護電極部と導通するように形成する第３の電極層形成工
程と、上記バンプ電極の第１の電極層上に上記バンプ電極の第
２の電極層を形成する第２の電極層形成工程と、上記第２の電極層形成工程の後に、上記保護電極部を除
去する保護電極部除去工程と、を含むことを特徴とする
弾性表面波装置の製造方法。
【請求項３】上記保護電極部除去工程の前に、上記バン
プ電極上に上記バンプを形成するバンプ形成工程を含む
ことを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波
装置の製造方法。
【請求項４】上記弾性表面波素子を被覆する絶縁膜を、
所望の周波数特性が得られる厚さで形成する絶縁膜形成
工程を含むことを特徴とする請求項１から３の何れか１
項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】請求項１から４の何れか１項に記載の弾性
表面波装置の製造方法によって製造されたことを特徴と
する弾性表面波装置。
【請求項６】請求項５に記載の弾性表面波装置を搭載し
たことを特徴とする通信装置。