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JP2002341825A - Display device - Google Patents

Display device

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Publication number
JP2002341825A
JP2002341825A JP2001145504A JP2001145504A JP2002341825A JP 2002341825 A JP2002341825 A JP 2002341825A JP 2001145504 A JP2001145504 A JP 2001145504A JP 2001145504 A JP2001145504 A JP 2001145504A JP 2002341825 A JP2002341825 A JP 2002341825A
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JP
Japan
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display
scanning
period
data
current
Prior art date
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Application number
JP2001145504A
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Japanese (ja)
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JP3617821B2 (en
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Koji Numao
孝次 沼尾
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Priority to US10/137,602 priority patent/US7009590B2/en
Priority to TW091109565A priority patent/TW582003B/en
Priority to KR10-2002-0025810A priority patent/KR100512927B1/en
Priority to CNB021193630A priority patent/CN1191562C/en
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  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently conduct current value detection and to improve numerical aperture of an active matrix organic EL display in which luminance correction is conducted by measuring the load current of organic EL elements with a current measuring circuit and correcting display data using the measurement result. SOLUTION: One frame interval Tf is constituted of a current measuring interval Tm and a display interval Ta and scanning is conducted with a cycle of several tens of [Hz], for example. In the interval Tm, a prescribed voltage is beforehand given to the organic EL elements of each element circuit, scanning signal lines G1 to G15 which are one unit in terms of fifteen lines, for example, are successively selected and current characteristics are measured. The succeeding display interval Ta is constituted of a light emitting interval Td and an erasing interval Tsa. Thus, the current which flows in the power supply lines becomes only for the load current of the selected element circuits and current measurement is conducted at the signal controller side outside a display region, even in an active matrix panel.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機EL(Electr
o Luminescence)素子やFED(Field EmissionDevice
)素子等の電気光学素子をマトリックス状に配置して
構成される表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL (Electr
o Luminescence element and FED (Field Emission Device)
The present invention relates to a display device configured by arranging electro-optical elements such as elements in a matrix.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、前記有機EL素子やFED素子等
の自発光デバイスを用いた薄型表示装置の開発が活発に
行われている。これら自発光デバイスでは、素子の発光
輝度が素子を流れる電流密度に比例することが知られて
いる。また、素子特性、特に印加電圧−電流特性がばら
つくことが知られており、これらデバイスでは定電流源
を用いた駆動回路が好ましいとされている。しかしなが
ら、実際に定電流源を構成することは困難であるので、
定電圧源を用いて定電流駆動回路を構成している。この
場合、素子を流れる電流を検出する手段を設け、その検
出手段で検出した電流が一定になるよう制御する方法が
提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, thin display devices using self-luminous devices such as the organic EL elements and FED elements have been actively developed. In these self-luminous devices, it is known that the light emission luminance of the element is proportional to the current density flowing through the element. In addition, it is known that element characteristics, particularly applied voltage-current characteristics, vary, and it is considered that a drive circuit using a constant current source is preferable in these devices. However, since it is difficult to actually configure a constant current source,
A constant current drive circuit is configured using a constant voltage source. In this case, a method has been proposed in which means for detecting the current flowing through the element is provided, and the current detected by the detecting means is controlled to be constant.

【0003】図32は、そのような電流検出手段を用い
て輝度補正を行うようにした一例の有機ELディスプレ
イ101を示す図であり、特開2000−187467
号公報で示されたものである。このディスプレイ101
は、パッシブ駆動のディスプレイであり、有機ELパネ
ル102は、相互に直交するそれぞれ複数の陰極c0〜
cnおよび陽極s0〜smによって表示領域がマトリッ
クス状に区画され、前記各表示領域極に有機EL素子1
03が配置されて構成されている。
FIG. 32 is a diagram showing an example of an organic EL display 101 in which luminance correction is performed using such a current detecting means.
It was shown in the official gazette. This display 101
Is a passively driven display, and the organic EL panel 102 has a plurality of cathodes c0 to c0 orthogonal to each other.
cn and the anodes s0 to sm, the display area is divided into a matrix, and the organic EL element 1
03 are arranged.

【0004】前記有機ELパネル102の外部には、ま
たは一体で、前記陰極c0〜cnを駆動するための陰極
駆動回路104、各陽極s0〜smを個別に駆動するた
めの陽極駆動回路pg0〜pgm、および前記陽極駆動
回路pg0〜pgmからの各出力電流をそれぞれ検出す
るための電流検出回路is0〜ismが設けられてい
る。前記電流検出回路is0〜ism(総称するときは
参照符isで示す)で検出した電流値を制御装置105
へ入力し、検出した電流値に応じて、各表示領域の表示
情報に対応した点灯時間または点灯電流を調整する構成
となっている。
A cathode drive circuit 104 for driving the cathodes c0 to cn, or an anode drive circuit pg0 to pgm for individually driving the anodes s0 to sm, is provided outside or integrally with the organic EL panel 102. And current detection circuits is0 to ism for detecting the respective output currents from the anode drive circuits pg0 to pgm. The current value detected by the current detection circuits is0 to ism (collectively indicated by reference numeral is) is used as a control device 105
The lighting time or the lighting current corresponding to the display information of each display area is adjusted in accordance with the detected current value.

【0005】前記電流検出回路isは、たとえば図33
で示すように、各陽極s0〜smへのラインに抵抗r1
を直列に介在し、その抵抗r1の端子間電圧をA/D変
換回路106で検出し、出力する構成となっている。
The current detection circuit is, for example, shown in FIG.
As shown in the figure, the resistance r1 is connected to the line to each anode s0 to sm.
Are connected in series, and the voltage between the terminals of the resistor r1 is detected by the A / D conversion circuit 106 and output.

【0006】また、図34は、前記のような電流検出手
段を用いて輝度補正を行うようにした他の例の有機EL
ディスプレイ111を示す図であり、特開平10−25
4410号公報で示されたものである。このディスプレ
イ111は、アクティブ駆動のディスプレイであり、表
示パネル112の全有機EL素子を、コントローラ11
3は、走査回路114および電源回路115を介して一
定の定電圧で駆動し、その際に後述するようにして測定
した電流値を電流値メモリ116に記憶しておき、その
記憶データとA/D変換回路117を通して外部から入
力された表示データとを演算回路118で処理し、得ら
れた表示データをフレームメモリ119および書込み回
路120を介して各画素に与えることで、各画素を流れ
る電流値の総和を調整している。
FIG. 34 shows another example of an organic EL device in which luminance correction is performed using the above-described current detecting means.
FIG. 10 is a diagram showing a display 111, which is disclosed in
4410. The display 111 is an active drive display, and all the organic EL elements of the display panel 112 are controlled by the controller 11.
3 drives at a constant voltage via the scanning circuit 114 and the power supply circuit 115, and stores a current value measured at that time in a current value memory 116 as described later, and stores the stored data and A / A The display data input from the outside through the D conversion circuit 117 is processed by the arithmetic circuit 118, and the obtained display data is given to each pixel via the frame memory 119 and the writing circuit 120. Has adjusted the sum.

【0007】このアクティブ駆動の場合、表示パネル1
12の各画素121は、図35に示すような構成とな
る。すなわち、表示データを取込むTFT122と、そ
の取込んだ表示データを記憶するコンデンサ123と、
有機EL素子124と、コンデンサ123の出力電圧に
対応して有機EL素子124を駆動するTFT125
と、有機EL素子124を流れる電流を測定する電流検
出器126とを備えて構成されている。
In the case of this active drive, the display panel 1
Each of the twelve pixels 121 has a configuration as shown in FIG. That is, a TFT 122 for capturing display data, a capacitor 123 for storing the captured display data,
An organic EL element 124 and a TFT 125 for driving the organic EL element 124 in accordance with the output voltage of the capacitor 123
And a current detector 126 for measuring a current flowing through the organic EL element 124.

【0008】走査信号線を選択することで前記TFT1
22を導通状態とし、データ信号線の電圧をコンデンサ
123へ蓄える。TFT122を非導通状態としている
間も、このコンデンサ123の電圧によってTFT12
5を制御し、有機EL素子124を流れる電流量を調整
している。そこで、前記電流検出器126をTFT12
5と有機EL素子124との間に配置し、該電流検出器
126の出力をA/D変換回路127でデジタルデータ
化し、前記電流値メモリ116へ記憶させ、前記のよう
な電流値の総和の調整を行っている。
By selecting a scanning signal line, the TFT 1
22 is turned on, and the voltage of the data signal line is stored in the capacitor 123. Even when the TFT 122 is in a non-conductive state, the voltage of the capacitor
5 is controlled to adjust the amount of current flowing through the organic EL element 124. Therefore, the current detector 126 is connected to the TFT 12
5 and the organic EL element 124, the output of the current detector 126 is converted into digital data by an A / D conversion circuit 127 and stored in the current value memory 116, and the sum of the current values as described above is calculated. Adjustments are being made.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述のような従来技術
において、前記特開2000−187467号のディス
プレイ101のようなパッシブ駆動の表示装置では、陰
極c0〜cnを順次選択してゆくので、陽極s0〜sm
を流れる電流を測定すれば、選択している陰極c0〜c
nとの交点になる有機EL素子103の電流を測定する
ことができる。しかしながら、特開平10−25441
0号の有機ELディスプレイ111のようにアクティブ
駆動の表示装置では、前述のように、走査信号線が非選
択状態でも、コンデンサ123の電圧によってTFT1
25を制御し、有機EL素子124には電流が流れてい
る。このため、各有機EL素子124毎にしか電流測定
を行うことができず、前記パッシブ駆動の場合のような
表示領域外で、信号線毎にまとめて、効率的に電流を測
定することができないという問題がある。また、各有機
EL素子124の面積、すなわち開口率を向上すること
ができないという問題もある。
In the prior art described above, in a passive drive display device such as the display 101 of JP-A-2000-187467, the cathodes c0 to cn are sequentially selected. s0-sm
If the current flowing through is measured, the selected cathodes c0 to c
The current of the organic EL element 103 at the intersection with n can be measured. However, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-25441
In a display device of an active drive like the organic EL display 111 of No. 0, as described above, even if the scanning signal line is in a non-selected state, the voltage of the capacitor 123 causes the TFT 1 to operate.
25, and a current is flowing through the organic EL element 124. For this reason, the current can be measured only for each organic EL element 124, and the current cannot be efficiently measured collectively for each signal line outside the display area as in the case of the passive drive. There is a problem. There is also a problem that the area of each organic EL element 124, that is, the aperture ratio cannot be improved.

【0010】本発明の目的は、アクティブ駆動であって
も、各電気光学素子の電流値検出を効率的に行うことが
できるとともに、開口率を向上することができる表示装
置を提供することである。
An object of the present invention is to provide a display device capable of efficiently detecting the current value of each electro-optical element and improving the aperture ratio even in active driving. .

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、相
互に交差する複数の第1および第2の信号線で区画され
た各領域に電気光学素子を備え、その電気光学素子が、
それぞれ対応する第1のアクティブ素子によって、前記
第1の信号線で選択されている間に、第2の信号線に出
力される信号レベルに対応した表示を行うように駆動さ
れる表示装置において、前記第2の信号線に沿って配設
されて前記電気光学素子へ負荷電流を供給する第1の電
源線の電流を測定する電流測定手段と、前記電流測定手
段で測定されたデータを保持する記憶手段と、外部から
入力される表示データを前記記憶手段から読出されたデ
ータを用いて補正し、前記第2の信号線に出力すべき信
号レベルを作成する補正手段とを含み、前記第1の信号
線による選択とともに、前記第2の信号線に表示データ
に対応した信号レベルを出力してゆく単位表示期間に対
して、周期的に、前記第1の信号線による選択ととも
に、前記第2の信号線に予め定める信号レベルを出力
し、前記電流測定手段で測定を行ってゆく期間を含める
ことを特徴とする。
A display device according to the present invention includes an electro-optical element in each area defined by a plurality of first and second signal lines that intersect each other.
In a display device driven by a corresponding first active element to perform a display corresponding to a signal level output to a second signal line while being selected by the first signal line, A current measuring unit arranged along the second signal line and configured to measure a current of a first power supply line for supplying a load current to the electro-optical element; and holding data measured by the current measuring unit. A storage unit that corrects display data input from the outside using data read from the storage unit and creates a signal level to be output to the second signal line; In addition to the selection by the first signal line, the selection by the first signal line and the unit display period in which the signal level corresponding to the display data is output to the second signal line. Signal Previously defining outputs a signal level, and wherein the inclusion of time Yuku performing measured by the current measuring means.

【0012】上記の構成によれば、相互に交差する複数
の第1および第2の信号線で区画され、マトリクス状に
配列された各領域に、有機EL素子などの電気光学素子
を備え、その電気光学素子が、TFTなどのそれぞれ対
応する第1のアクティブ素子によって、前記第1の信号
線で順に選択されて第2の信号線に出力される信号レベ
ルに対応した表示を行うようにした表示装置において、
前記第2の信号線に沿って配設される第1の電源線の電
流を測定する電流測定手段を設け、その測定結果に基づ
いて表示データを補正するにあたって、毎単位表示期間
毎に、または複数の単位表示期間毎に、周期的に電流測
定を行う。
According to the above configuration, an electro-optical element such as an organic EL element is provided in each of a plurality of first and second signal lines intersecting each other and arranged in a matrix. A display in which an electro-optical element performs a display corresponding to a signal level output to a second signal line by being sequentially selected by the first signal line by a corresponding first active element such as a TFT. In the device,
A current measuring means for measuring a current of a first power supply line disposed along the second signal line; and correcting display data based on the measurement result, for each unit display period, or The current is periodically measured for each of the plurality of unit display periods.

【0013】したがって、所望とする階調を得るための
表示データを、周囲温度変化などに対応してダイナミッ
クに補正するにあたって、アクティブマトリクスのパネ
ルであっても、電流測定手段を、各領域(電気光学素
子)毎に設ける必要はなく、各第1の電源線(=第2の
信号線)毎、または複数の第1の電源線で共用するよう
に設ければよい。これによって、各電気光学素子の電流
値検出を効率的に行うことができるとともに、前記各領
域での電気光学素子の面積、すなわち開口率を向上する
こともできる。
Therefore, in dynamically correcting display data for obtaining a desired gradation in response to a change in ambient temperature or the like, even in the case of an active matrix panel, the current measuring means must be provided in each region (electrical area). It is not necessary to provide for each of the optical elements, but it is sufficient to provide for each first power supply line (= second signal line) or a plurality of first power supply lines. Thus, the current value of each electro-optical element can be efficiently detected, and the area of the electro-optical element in each region, that is, the aperture ratio can be improved.

【0014】また、本発明の表示装置は、前記電気光学
素子に関連して、前記第1のアクティブ素子によって取
込まれた信号レベルを保持するメモリ素子を有し、前記
第1の信号線に選択出力を導出する走査コントローラお
よび前記第2の信号線に信号レベルを出力する信号コン
トローラは、測定期間の直前に、前記メモリ素子の初期
化および電気光学素子を非発光状態とする走査を行うこ
とを特徴とする。
Further, the display device of the present invention has a memory element for holding a signal level taken in by the first active element, in connection with the electro-optical element, wherein the memory element holds the signal level. A scan controller for deriving a selected output and a signal controller for outputting a signal level to the second signal line perform initialization of the memory element and scanning for setting the electro-optical element to a non-light emitting state immediately before a measurement period. It is characterized by.

【0015】上記の構成によれば、前記走査コントロー
ラおよび信号コントローラは、コンデンサ等で実現され
るメモリ素子に前記信号レベルを取込ませて表示状態を
設定する走査を行い、1または複数の表示期間に対し
て、前記のように測定期間を周期的に挿入するにあたっ
て、測定期間の直前には、メモリ素子の初期化によって
電気光学素子を非発光状態とする走査を行う。
According to the above configuration, the scanning controller and the signal controller perform scanning for setting the display state by loading the signal level into a memory element realized by a capacitor or the like, and perform one or more display periods. On the other hand, when the measurement period is periodically inserted as described above, immediately before the measurement period, a scan for setting the electro-optical element to the non-light emitting state by initializing the memory element is performed.

【0016】したがって、上記の走査で測定期間の直前
に非発光状態としておくことによって、他の電気光学素
子による影響をなくし、所望とする電気光学素子の負荷
電流を正確に測定することができる。
Therefore, by setting the non-light emitting state immediately before the measurement period in the above scanning, the influence of other electro-optical elements can be eliminated, and a desired load current of the electro-optical element can be accurately measured.

【0017】さらにまた、本発明の表示装置は、前記メ
モリ素子に関連して、前記第1の信号線とは択一的に選
択出力が導出される第3の信号線からの選択出力に応答
し、前記第2の信号線とは異なる信号レベルを前記メモ
リ素子に与える第2のアクティブ素子をさらに備え、前
記第1のアクティブ素子によって表示信号レベルが設定
され、前記第2のアクティブ素子によって消去信号レベ
ルが設定されることを特徴とする。
Still further, the display device of the present invention, in response to the memory element, responds to a selection output from a third signal line from which a selection output is derived alternatively from the first signal line. And a second active element for giving a signal level different from the second signal line to the memory element, wherein a display signal level is set by the first active element and erased by the second active element. The signal level is set.

【0018】上記の構成によれば、第1の信号線の走査
によって表示が開始された後、その走査が総ての第1の
信号線について終了する以前に、第2の信号線の走査に
よって前記表示を消去してゆくことができる。すなわ
ち、単位表示時間を、走査期間よりも短くすることがで
きる。
According to the above arrangement, after the display is started by the scanning of the first signal line, before the scanning is completed for all the first signal lines, the scanning of the second signal line is performed. The display can be deleted. That is, the unit display time can be shorter than the scanning period.

【0019】したがって、デジタル階調制御を行うにあ
たって、下位のビットのデータにも、そのビットの重み
に対応した短時間の表示を正確に行わせることができ、
ビット数の多い細かな階調制御を行うことができる。
Therefore, in performing the digital gradation control, it is possible to accurately display the data of the lower bits in a short time corresponding to the weight of the bits.
Fine gradation control with a large number of bits can be performed.

【0020】また、本発明の表示装置は、前記メモリ素
子に関連して、前記第1のアクティブ素子によって取込
まれた信号レベルを保持する1または複数の画素メモリ
と、その画素メモリに個別的に対応し、ビット選択線に
よって選択駆動される第3のアクティブ素子とをさらに
備え、前記第1の信号線が選択状態で、第1のアクティ
ブ素子を介して前記メモリ素子に表示信号レベルが設定
されるとともに、前記第3のアクティブ素子が選択駆動
されて前記画素メモリにその表示信号レベルが設定さ
れ、前記第1の信号線の非選択状態で、前記第3のアク
ティブ素子が選択駆動されて前記画素メモリからの表示
信号レベルに切換えられることを特徴とする。
The display device according to the present invention may further comprise, in relation to the memory element, one or a plurality of pixel memories for holding a signal level taken in by the first active element, and individual pixel memories for the pixel memories. And a third active element selectively driven by a bit selection line, wherein a display signal level is set to the memory element via the first active element when the first signal line is selected. And the third active element is selectively driven to set the display signal level in the pixel memory, and the third active element is selectively driven in the non-selected state of the first signal line. The display signal level is switched to the display signal level from the pixel memory.

【0021】上記の構成によれば、第1の信号線の走査
によって表示が行われるとともに、ビット選択線を選択
することで、そのビット選択線に対応する画素メモリに
表示信号レベルを書込んでおくことができる。そして、
第1の信号線の非選択状態でビット選択線を選択するこ
とで、前記画素メモリから表示信号レベルを読出すこと
ができる。
According to the above configuration, display is performed by scanning the first signal line, and the display signal level is written into the pixel memory corresponding to the bit selection line by selecting the bit selection line. I can put it. And
By selecting the bit selection line while the first signal line is not selected, the display signal level can be read from the pixel memory.

【0022】したがって、第1の信号線を順に走査して
ゆく1走査期間内で、下位のビットのデータを表示して
残った時間を上位のビットのデータの表示に用いること
ができ、複数の各ビットに対して等間隔の走査期間を設
定しても、表示期間中の非走査期間や非発光期間を短く
することができる新規な時間分割階調表示を実現するこ
とができる。
Therefore, within one scanning period in which the first signal line is sequentially scanned, the remaining time of displaying the lower bit data can be used for displaying the upper bit data. Even if a scanning period at equal intervals is set for each bit, a new time-division gray scale display in which a non-scanning period or a non-light emitting period in a display period can be reduced can be realized.

【0023】さらにまた、本発明の表示装置では、前記
メモリ素子には、前記電気光学素子へ負荷電流を供給す
る第1の電源線とは個別に設けた第2の電源線から電源
供給を行うことを特徴とする。
Still further, in the display device according to the present invention, power is supplied to the memory element from a second power supply line provided separately from the first power supply line for supplying a load current to the electro-optical element. It is characterized by the following.

【0024】上記の構成によれば、第1のアクティブ素
子が選択されている間に、第1の電源線の電位を前記負
荷電流が流れない電位、たとえばGND電位とすること
で、表示を行うことなく、メモリ素子への信号レベルの
書込みのみを行うことができる。また、メモリ素子や画
素メモリに記憶されたデータに基づく電気光学素子の表
示期間を、第1のアクティブ素子の走査期間とは独立に
制御可能となり、表示期間で時間分割階調表示を実現す
ることもできる。
According to the above configuration, while the first active element is selected, the display is performed by setting the potential of the first power supply line to a potential at which the load current does not flow, for example, the GND potential. Without writing, only writing of a signal level to a memory element can be performed. Further, the display period of the electro-optical element based on the data stored in the memory element or the pixel memory can be controlled independently of the scanning period of the first active element, and time-division gray scale display can be realized in the display period. Can also.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】本発明の実施の第1の形態につい
て、図1〜図4に基づいて説明すれば、以下のとおりで
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0026】図1は、本発明の実施の第1の形態の有機
ELディスプレイ1の全体構成を示す図である。この有
機ELディスプレイ1は、大略的に、有機ELパネル2
と、走査コントローラ3と、信号コントローラ4と、ラ
ッチ回路5とを備えて構成される。前記有機ELパネル
2は、相互に直交する複数の走査信号線G1,G2,
…,Gm(総称するときには、以下参照符Gで示す)
と、データ信号線D1,D2,…,Dn(総称するとき
には、以下参照符Dで示す)とで区画され、マトリクス
状に配列された各領域に、素子回路A11,A12,
…,A1n;A21,…,Amn(総称するときには、
以下参照符Aで示す)が形成されて構成される。前記各
素子回路Aは、走査コントローラ3が対応する走査信号
線Gを選択している間に、信号コントローラ4から対応
するデータ信号線Dに出力された信号レベルを取込み、
その信号レベルに対応した表示を行う。
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of an organic EL display 1 according to a first embodiment of the present invention. The organic EL display 1 generally includes an organic EL panel 2
, A scanning controller 3, a signal controller 4, and a latch circuit 5. The organic EL panel 2 includes a plurality of scanning signal lines G1, G2,
.., Gm (when collectively referred to as G below)
, And data signal lines D1, D2,..., Dn (hereinafter collectively referred to as D), and element circuits A11, A12,
.., A1n; A21,.
(Referred to below as A). Each of the element circuits A captures the signal level output from the signal controller 4 to the corresponding data signal line D while the scanning controller 3 selects the corresponding scanning signal line G,
The display corresponding to the signal level is performed.

【0027】この有機ELディスプレイ1には、外部か
ら同期信号およびデータ信号が入力される。前記走査コ
ントローラ3は、前記同期信号に応答して、前記各走査
信号線Gに選択信号を出力する。前記ラッチ回路5は、
前記同期信号に応答して、データ信号を順次ラッチして
ゆき、シリアルで入力されるデータ信号を1ライン分蓄
積して、前記各データ信号線D1〜Dnの線数分だけパ
ラレルにして、前記信号コントローラ4へ出力する。前
記信号コントローラ4では、前記データ信号は前記各デ
ータ信号線D1〜Dnに対応したD/A変換回路F1〜
Fn(総称するときには、以下参照符Fで示す)におい
てアナログ信号に変換され、該データ信号線D1〜Dn
にそれぞれ出力される。
A synchronization signal and a data signal are externally input to the organic EL display 1. The scanning controller 3 outputs a selection signal to each of the scanning signal lines G in response to the synchronization signal. The latch circuit 5 includes:
In response to the synchronization signal, the data signals are sequentially latched, serially input data signals are accumulated for one line, and the data signals are paralleled by the number of the data signal lines D1 to Dn. Output to the signal controller 4. In the signal controller 4, the data signals are supplied to D / A conversion circuits F1 to F1 corresponding to the data signal lines D1 to Dn.
Fn (collectively referred to as F hereinafter) is converted into an analog signal, and the data signal lines D1 to Dn
Respectively.

【0028】有機ELパネル2には、各素子回路Aを貫
くように、前記データ信号線D1〜Dnと平行に、電源
線E0から電源供給が行われる電源線E1〜En(総称
するときには、以下参照符Eで示す)が配設されてい
る。この電源線E1〜Enの前記信号コントローラ4側
の端部には、電流測定回路K1〜Kn(総称するときに
は、以下参照符Kで示す)がそれぞれ設けられており、
予め定める測定タイミングにおいて、後述するようにし
て1ラインずつ、前記電源線E1〜Enを介して各素子
回路A11〜Amnに流れる電流が測定される。その測
定結果は、各素子回路Aの補正値(もしくは必要な電流
値を与える電圧データ)となり、メモリM1〜Mnにそ
れぞれ記憶される。そして、前記データ信号線D1〜D
nを介してのデータ信号の書込みにあたって、演算回路
B1〜Bn(総称するときには、以下参照符Bで示す)
が前記ラッチ回路5からのデータ信号をメモリM1〜M
nのデータでそれぞれ補正した後、前述のようにD/A
変換回路F1〜Fnに出力される。こうして、各素子回
路Aの輝度補正が行われる。
The organic EL panel 2 has power lines E1 to En supplied with power from a power line E0 in parallel with the data signal lines D1 to Dn so as to penetrate the element circuits A (hereinafter, collectively referred to as "power lines E1 to En"). (Indicated by reference numeral E). At the ends of the power supply lines E1 to En on the signal controller 4 side, current measuring circuits K1 to Kn (hereinafter collectively indicated by a reference numeral K) are provided, respectively.
At a predetermined measurement timing, a current flowing through each of the element circuits A11 to Amn via the power supply lines E1 to En is measured line by line as described later. The measurement result becomes a correction value (or voltage data for giving a necessary current value) of each element circuit A, and is stored in each of the memories M1 to Mn. The data signal lines D1 to D1
In writing a data signal via n, arithmetic circuits B1 to Bn (hereinafter collectively referred to as B)
Are the data signals from the latch circuit 5 in the memories M1 to M
n, and then, as described above, D / A
The signals are output to the conversion circuits F1 to Fn. Thus, the luminance correction of each element circuit A is performed.

【0029】図2は、素子回路Aの電気回路図である。
この素子回路Aは、アクティブ素子であり、ゲートが前
記走査信号線Gに接続され、ソース(ドレイン)が前記
データ信号線Dに接続され、走査信号線Gで選択されて
いる間に、対応するデータ信号線Dから前記データ信号
を取込むn型のTFTQ1と、前記TFTQ1のドレイ
ン(ソース)に接続され、その取込まれたデータ信号を
保持するコンデンサC1と、有機EL素子Pと、前記コ
ンデンサC1の充電電圧に対応して、前記電源線Eから
有機EL素子Pに流れる電流を制御するp型のTFTQ
2とを備えて構成される。
FIG. 2 is an electric circuit diagram of the element circuit A.
The element circuit A is an active element, and has a gate connected to the scanning signal line G, a source (drain) connected to the data signal line D, and a gate connected to the scanning signal line G. An n-type TFT Q1 for receiving the data signal from the data signal line D, a capacitor C1 connected to a drain (source) of the TFT Q1 for holding the captured data signal, an organic EL element P, and the capacitor A p-type TFT Q for controlling a current flowing from the power supply line E to the organic EL element P in accordance with the charging voltage of C1.
2 is provided.

【0030】図3には、前記TFTQ2と有機EL素子
Pとから構成される電気光学素子におけるTFTQ2の
ゲート電圧−有機EL素子Pの素子電流特性を示す。な
お、この特性は図1の電源線Eの電圧が+6Vの場合で
ある。コンデンサC1へ貯める電位は、前述のようにメ
モリMに記憶された補正値を用いて、演算回路Bで補正
することによって、有機EL素子Pの素子電流を補正す
ることができ、該有機EL素子Pの経時変化や温度特性
に対して、常に一定の輝度が得られるように輝度補正を
行うことができる。
FIG. 3 shows a gate voltage of the TFT Q2 and a device current characteristic of the organic EL device P in the electro-optical device composed of the TFT Q2 and the organic EL device P. This characteristic is obtained when the voltage of the power supply line E in FIG. 1 is + 6V. The potential stored in the capacitor C1 is corrected by the arithmetic circuit B using the correction value stored in the memory M as described above, so that the element current of the organic EL element P can be corrected. Brightness correction can be performed so that a constant brightness can always be obtained with respect to the time-dependent change of P and temperature characteristics.

【0031】なお、図1や図2では、素子回路Aが1つ
の画素のように記載されているけれども、これは説明を
簡単にするためであり、実際には図2の素子回路AのR
GB各1個が1組で画素になったり、さらにRGBの各
成分が複数の素子回路Aから構成されることもある。
In FIG. 1 and FIG. 2, the element circuit A is described as one pixel, but this is for the sake of simplicity. Actually, the R of the element circuit A in FIG.
One of each of the GBs may be a set of pixels, or each of the RGB components may be composed of a plurality of element circuits A.

【0032】図4は、上述のように構成される有機EL
ディスプレイ1の駆動方法の一例を示す図である。有機
ELディスプレイ1は、前述のようにD/A変換回路F
において、データ信号を対応したアナログ電圧レベルに
変換し、その電圧レベルに応じてTFTQ2が有機EL
素子Pに流れる電流を制御するアナログ階調制御を行
う。この図4において、走査信号線はG1〜G15の1
5本で1つの単位に想定しており、各走査信号線G1〜
G15の選択状態を、図4(1)〜(15)で示してい
る。
FIG. 4 shows an organic EL device constructed as described above.
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a method for driving the display 1. The organic EL display 1 has a D / A conversion circuit F as described above.
, The data signal is converted into a corresponding analog voltage level, and the TFT Q2
An analog gradation control for controlling a current flowing through the element P is performed. In FIG. 4, the scanning signal line is one of G1 to G15.
It is assumed that one unit is composed of five scanning signal lines G1 to G1.
The selection state of G15 is shown in FIGS.

【0033】この走査例では、1フレーム期間Tfが電
流測定期間Tmと表示期間Taとから構成されており、
たとえば数十[Hz]の周期で走査を行っている。電流
測定期間Tmでは、走査信号線G1〜G15が順に選択
され、このとき演算回路Bは各素子回路Aの有機EL素
子Pに予め定める電圧を与えており、こうして各有機E
L素子Pの電流特性が順に測定される。続く表示期間T
aは、発光期間Tdと消去期間Tsaとから構成されて
いる。発光期間Td内の走査期間Tsでは、前記電流測
定期間Tmと同様に、走査信号線G1〜G15が順に選
択されて、コンデンサC1にデータ信号が取込まれ、該
発光期間Tdの残りの期間は、そのデータ信号に対応し
た表示が行われる。その後、本発明では、電流測定を行
う前に、消去期間Tsaにおいて、走査信号線G1〜G
15が順に選択されて、コンデンサC1のデータが消去
され、初期化される。
In this scanning example, one frame period Tf is composed of a current measurement period Tm and a display period Ta.
For example, scanning is performed at a period of several tens [Hz]. In the current measurement period Tm, the scanning signal lines G1 to G15 are sequentially selected. At this time, the arithmetic circuit B applies a predetermined voltage to the organic EL element P of each element circuit A.
The current characteristics of the L elements P are measured in order. The following display period T
“a” includes a light emitting period Td and an erasing period Tsa. In the scanning period Ts within the light emitting period Td, similarly to the current measuring period Tm, the scanning signal lines G1 to G15 are sequentially selected, the data signal is taken into the capacitor C1, and the remaining period of the light emitting period Td is , A display corresponding to the data signal is performed. Thereafter, in the present invention, before the current measurement is performed, the scanning signal lines G1 to G
15 are sequentially selected, and the data of the capacitor C1 is erased and initialized.

【0034】このようにメモリ素子であるコンデンサC
1を備える素子回路Aにも、総ての該素子回路Aを初期
化した後に電流測定を行うことで、電源線Eを流れてい
る電流は走査信号線Gで選択された素子回路Aのみの負
荷電流となるので、表示領域外の信号コントローラ4に
よる制御で、各電源線E(=データ信号線D)毎に共通
に電流測定を行うことができる。これによって、所望と
する階調を得るための表示データを、周囲温度変化など
に対応してダイナミックに補正するにあたって、アクテ
ィブマトリクスの有機ELパネル2であっても、各有機
EL素子Pの電流値検出を効率的に行うことができると
ともに、前記各素子回路Aでの該有機EL素子Pの面
積、すなわち開口率を向上することもできる。
As described above, the capacitor C as a memory element
1, the current flowing through the power supply line E is limited to the element circuit A selected by the scanning signal line G by performing current measurement after initializing all the element circuits A. Since the load current is used, the current can be commonly measured for each power supply line E (= data signal line D) under the control of the signal controller 4 outside the display area. Thus, when dynamically correcting display data for obtaining a desired gradation in response to a change in ambient temperature or the like, the current value of each organic EL element P can be set even in the active matrix organic EL panel 2. Detection can be performed efficiently, and the area of the organic EL element P in each element circuit A, that is, the aperture ratio can be improved.

【0035】なお、図4の例では、毎表示期間Ta(フ
レーム期間Tf)毎に電流測定を行っているけれども、
複数のフレーム毎に行う場合には、電流測定を行うフレ
ームの直前のフレームに消去期間Tsaを設け、その消
去期間Tsaに引続き電流測定期間Tmを設けるように
すればよい。
In the example of FIG. 4, the current is measured every display period Ta (frame period Tf).
When the measurement is performed for each of a plurality of frames, the erasing period Tsa may be provided in a frame immediately before the frame in which the current measurement is performed, and the current measuring period Tm may be provided following the erasing period Tsa.

【0036】本発明の実施の第2の形態について、図5
〜図7に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention.
7 will be described below.

【0037】図5は、本発明の実施の第2の形態の有機
ELディスプレイ11の全体構成を示す図である。この
有機ELディスプレイ11は、前述の有機ELディスプ
レイ1に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付
して示し、その説明を省略する。注目すべきは、前述の
有機ELディスプレイ1がアナログ階調制御であったの
に対して、この有機ELディスプレイ11はデジタル階
調制御であることである。そのため、図1では演算回路
B1〜Bnであった箇所に、メモリMa1〜Man(総
称するときには、以下参照符Maで示す)が挿入され
る。そして、このメモリMaによって、入力された画素
単位のデータを、ビット単位のデータにタイミング変換
する。なお、本実施形態では、有機ELパネル2aに
は、前記走査信号線G1〜Gmと平行に、各素子回路A
a11〜Aamn(総称するときには、以下参照符Aa
で示す)を貫いて、もう1つの走査信号線S1〜Sm
(総称するときには、以下参照符Sで示す)が配設され
るとともに、走査コントローラ3aは、これらの走査信
号線G,Sを選択制御する。
FIG. 5 is a diagram showing the overall configuration of an organic EL display 11 according to a second embodiment of the present invention. The organic EL display 11 is similar to the above-described organic EL display 1, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. It should be noted that the organic EL display 1 has digital gradation control while the organic EL display 1 has analog gradation control. For this reason, memories Ma1 to Man (hereinafter collectively indicated by a reference numeral Ma) are inserted in the places where the arithmetic circuits B1 to Bn in FIG. Then, the memory Ma converts the input pixel-unit data into bit-unit data. In the present embodiment, the organic EL panel 2a includes the element circuits A in parallel with the scanning signal lines G1 to Gm.
a11 to Aamn (hereinafter collectively referred to as Aa
), And the other scanning signal lines S1 to Sm
(When collectively referred to as S hereinafter), the scanning controller 3a selectively controls these scanning signal lines G and S.

【0038】ここで、有機EL素子をアクティブ素子で
駆動する場合、階調表示を実現する手法は、アナログ階
調制御とデジタル階調制御とに大別することができ、ア
ナログ階調制御は、上述のように有機EL素子を流れる
電流値を制御する方法である。一方、デジタル階調制御
は、画素分割階調と時間分割階調とに区分することがで
き、画素分割階調は1つの画素を複数の有機EL素子で
構成し、各有機EL素子を選択的にon/off駆動す
ることで階調表示を行う方法であり、時間分割階調は有
機EL素子を流れる電流の時間を制御する方法である。
前記画素分割階調は、前記のように1つの画素を複数の
有機EL素子で構成するので、高精細な用途には適さ
ず、本発明は時間分割階調を対象とする。
Here, when the organic EL element is driven by the active element, the method of realizing gray scale display can be roughly classified into analog gray scale control and digital gray scale control. This is a method of controlling the value of the current flowing through the organic EL element as described above. On the other hand, digital gradation control can be divided into pixel division gradation and time division gradation. In the pixel division gradation, one pixel is composed of a plurality of organic EL elements, and each organic EL element is selectively used. Is a method of performing gray scale display by on / off driving, and the time division gray scale is a method of controlling the time of the current flowing through the organic EL element.
The pixel division gray scale is not suitable for high definition use since one pixel is composed of a plurality of organic EL elements as described above, and the present invention is directed to time division gray scale.

【0039】前記図4から明らかなように、或る走査信
号線Giが選択されている間は、残余の走査信号線G1
〜Gi−1,Gi+1〜Gmを選択することができず、
したがって前記時間分割階調制御を行う場合には、或る
走査信号線Giに対して、或るビットのデータを出力す
ると、次のビットのデータが出力されるのは、残余の走
査信号線Gi+1〜Gm,G1〜Gi−1の総てにデー
タを出力してからになり、下位ビットのデータによる単
位表示時間が長くなり、前記1フレーム期間Tfが長く
なる。このため、前記走査信号線Sが設けられて、走査
信号線Gによって開始された表示を、該走査信号線Sに
よる走査でブランク表示に切換えることで、前記単位表
示時間を前記走査期間Tsよりも短くすることが可能と
なっている。
As is clear from FIG. 4, while a certain scanning signal line Gi is selected, the remaining scanning signal lines G1
~ Gi-1, Gi + 1 ~ Gm cannot be selected,
Therefore, when performing the time division gray scale control, when a certain bit of data is output to a certain scanning signal line Gi, the next bit of data is output because the remaining scanning signal line Gi + 1 After outputting data to all of Gm, G1 to Gi-1, the unit display time by the lower bit data becomes longer, and the one-frame period Tf becomes longer. For this reason, the scanning signal line S is provided, and the display started by the scanning signal line G is switched to blank display by scanning by the scanning signal line S, so that the unit display time is shorter than the scanning period Ts. It is possible to shorten it.

【0040】メモリMaから出力されたデータ信号が
「1」のとき、そのデータ信号に対応する電圧が、D/
A変換回路Fからデータ信号線Dを介して素子回路Aa
に与えられ、前記出力されたデータ信号がが「0」であ
るとき、有機EL素子Pを非表示とするための電圧が、
D/A変換回路Fからデータ信号線Dを介して素子回路
Aに与えられる。
When the data signal output from the memory Ma is "1", the voltage corresponding to the data signal becomes D /
The element circuit Aa from the A conversion circuit F via the data signal line D
When the output data signal is “0”, the voltage for hiding the organic EL element P is
The data is supplied from the D / A conversion circuit F to the element circuit A via the data signal line D.

【0041】図6は、素子回路Aaの電気回路図であ
る。この素子回路Aaは、前述の素子回路Aに対して、
他の走査信号線Gが選択されている間に該素子回路Aa
をブランク表示に切換えるために、さらにもう1つのア
クティブ素子であり、ゲートが前記走査信号線Sに接続
され、ソース(ドレイン)が前記コンデンサC1に接続
され、ドレイン(ソース)が初期化(有機EL素子Pを
非表示とする)電位(図6の例では、電源線Eの電位)
とされるn型のTFTQ3を備えて構成される。このT
FTQ3が導通することで、コンデンサC1に記憶され
たデータが消去され、有機EL素子Pは前記ブランク表
示となる。この図6で示す素子回路Aaの構成は、K.
Inukai他によって、SID ’00 DIGES
Tのp924〜927に示されているものである。
FIG. 6 is an electric circuit diagram of the element circuit Aa. This element circuit Aa is different from the aforementioned element circuit A in that
While another scanning signal line G is selected, the element circuit Aa
In order to switch the display to a blank display, another active element, a gate is connected to the scanning signal line S, a source (drain) is connected to the capacitor C1, and a drain (source) is initialized (organic EL) The potential for rendering the element P non-display) (the potential of the power supply line E in the example of FIG. 6).
And an n-type TFT Q3. This T
When the FTQ3 conducts, the data stored in the capacitor C1 is erased, and the organic EL element P performs the blank display. The configuration of the element circuit Aa shown in FIG.
SID '00 DIGES by Inukai et al.
T, pages 924 to 927.

【0042】図7は、前記有機ELディスプレイ11に
よる時間分割階調での駆動方法の一例を示す図である。
この図7の例では、有機ELパネル2aの走査信号線は
G1〜G15の15本で1つの単位と想定されており、
各走査信号線G1〜G15の選択状態を、図7(3)〜
(17)で示している。図7(2)は、bitの重みを
示す。図7(1)は各区分の期間内での単位時間表示で
あり、図7(18)は通算の時間表示(単位時間数)で
あり、1フレーム期間Tfは60の単位時間から構成さ
れている。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a method of driving the organic EL display 11 by time division gray scale.
In the example of FIG. 7, the scanning signal lines of the organic EL panel 2a are assumed to be one unit with 15 lines G1 to G15.
The selection states of the scanning signal lines G1 to G15 are shown in FIGS.
This is indicated by (17). FIG. 7B shows the weight of the bit. FIG. 7 (1) shows a unit time display within a period of each section, and FIG. 7 (18) shows a total time display (the number of unit times). One frame period Tf is composed of 60 unit times. I have.

【0043】この走査例では、前述の図4の走査例と同
様に、前記1フレーム期間Tfが電流測定期間Tmと表
示期間Taとから構成されており、たとえば数十[H
z]の周期で走査を行っている。電流測定期間Tmで
は、走査信号線G1〜G15が順に選択され、このとき
メモリMaは各素子回路Aaの有機EL素子Pに予め定
める電圧を与えており、こうして各有機EL素子Pの電
流特性が順に測定される。
In this scanning example, as in the scanning example of FIG. 4, the one-frame period Tf is composed of a current measuring period Tm and a display period Ta.
z]. In the current measurement period Tm, the scanning signal lines G1 to G15 are sequentially selected, and at this time, the memory Ma applies a predetermined voltage to the organic EL element P of each element circuit Aa. It is measured in order.

【0044】続く表示期間Taも、発光期間Tdと消去
期間Tsaとから構成されている。前記発光期間Td内
には、各ビットに対応した4つの走査期間Ts1〜Ts
4が設定される。この走査例では、1ビットの重みが2
単位時間に相当している。最初の走査期間Ts1では、
走査信号線G1〜G15が順に選択されて、コンデンサ
C1にbit1のデータ信号が取込まれて表示が行わ
れ、2単位時間後に走査信号線S1〜S15が順に選択
されて、Blank走査が行われる。次の走査期間Ts
2では、走査信号線G1〜G15が順に選択されて、コ
ンデンサC1にbit2のデータ信号が取込まれて表示
が行われ、4単位時間後に走査信号線S1〜S15が順
に選択されて、Blank走査が行われる。
The subsequent display period Ta also includes a light emitting period Td and an erasing period Tsa. Within the light emission period Td, four scanning periods Ts1 to Ts corresponding to each bit
4 is set. In this scanning example, the weight of one bit is 2
It corresponds to a unit time. In the first scanning period Ts1,
The scanning signal lines G1 to G15 are sequentially selected, the data signal of bit1 is taken into the capacitor C1, and the display is performed, and after two unit time, the scanning signal lines S1 to S15 are sequentially selected and Blank scanning is performed. . Next scanning period Ts
2, the scanning signal lines G1 to G15 are sequentially selected, the data signal of bit2 is taken into the capacitor C1, and the display is performed. After four unit time, the scanning signal lines S1 to S15 are sequentially selected and the blank scanning is performed. Is performed.

【0045】続いて、走査期間Ts3では、走査信号線
G1〜G15が順に選択されて、コンデンサC1にbi
t3のデータ信号が取込まれて表示が行われる。このb
it3の重みでは、8単位時間に亘って表示が行われ、
Blank走査を行うことなく、引続き走査期間Ts4
に移って、bit4のデータ信号が取込まれて、16単
位時間に亘って表示が行われる。こうして、各bitの
表示期間の比率が、1:2:4:8となる。bit4の
表示が終了すると、7単位時間から成る前記消去期間T
saとなり、次の電流測定期間Tmに備えてのBlan
k走査が行われる。
Subsequently, in the scanning period Ts3, the scanning signal lines G1 to G15 are sequentially selected, and the capacitor C1 is set to bi.
The data signal at t3 is taken in and the display is performed. This b
With the weight of it3, display is performed over 8 unit times,
The scanning period Ts4 continues without performing the blank scanning.
Then, the data signal of bit 4 is taken in, and the display is performed for 16 unit times. Thus, the ratio of the display period of each bit is 1: 2: 4: 8. When the display of bit 4 is completed, the erasing period T consisting of 7 unit times is set.
sa, and Blan in preparation for the next current measurement period Tm.
k scans are performed.

【0046】このように走査信号線SおよびTFTQ3
を設けて、走査信号線Gによって開始された表示を該走
査信号線Sによる走査でブランク表示に切換え、単位表
示時間を走査期間Tsよりも短くすることによって、デ
ジタル階調制御を行うにあたって、下位のビットのデー
タにも、そのビットの重みに対応した短時間の表示を正
確に行わせることができ、ビット数の多い細かな階調制
御を行うことができる。
As described above, the scanning signal line S and the TFT Q3
Is provided, the display started by the scanning signal line G is switched to the blank display by scanning with the scanning signal line S, and the unit display time is made shorter than the scanning period Ts to perform digital gradation control. Bit data can be accurately displayed in a short time corresponding to the weight of the bit, and fine gradation control with a large number of bits can be performed.

【0047】なお、この図7の駆動方法において、発光
期間Tdの走査は、前記SID ’00 DIGEST
のp924〜927に示されており、この図7の例は、
さらに消去期間Tsaおよび電流測定期間Tmを設定す
ることで、時間分割階調を行いつつ、電流測定を実現し
ている。
In the driving method shown in FIG. 7, the scanning during the light emission period Td is performed by the SID '00 DIGEST.
Pp. 924 to 927, and the example of FIG.
Further, by setting the erasing period Tsa and the current measuring period Tm, the current measurement is realized while performing the time division gray scale.

【0048】なお、前記発光期間Tdにおいて、各素子
回路AのコンデンサC1へ蓄える発光電位は、電流測定
期間Tmにおいて測定された各素子回路Aの電流値を基
に、各素子回路A毎に設定される。すなわち、電流測定
期間Tmにおいて予め定められた電圧を各素子回路Aの
コンデンサC1へ蓄え、このときに各素子回路Aの有機
EL素子Pを流れる電流値を電流測定回路Kを用いて測
定し、その結果を基に各素子回路A毎の補正値を作成
し、メモリMに格納する。そして、発光期間Tdにおい
て、データが発光電位のとき、D/A変換回路Fにその
各素子回路A毎の補正値に基づく電圧を発生させ、各素
子回路AのコンデンサC1へ発光電位を蓄える。
In the light emission period Td, the light emission potential stored in the capacitor C1 of each element circuit A is set for each element circuit A based on the current value of each element circuit A measured in the current measurement period Tm. Is done. That is, a predetermined voltage is stored in the capacitor C1 of each element circuit A in the current measurement period Tm, and at this time, a current value flowing through the organic EL element P of each element circuit A is measured using the current measurement circuit K, Based on the result, a correction value for each element circuit A is created and stored in the memory M. When the data is at the light emission potential in the light emission period Td, the D / A conversion circuit F generates a voltage based on the correction value for each element circuit A, and stores the light emission potential in the capacitor C1 of each element circuit A.

【0049】本発明の実施の第3の形態について、図8
〜図15に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
FIG. 8 shows a third embodiment of the present invention.
15 will be described below.

【0050】図8は本発明の実施の第3の形態の有機E
Lディスプレイ21の全体構成を示す図であり、図9は
その有機ELディスプレイ21の有機ELパネル2bに
おける素子回路Abの電気回路図である。この有機EL
ディスプレイ11は、前述の有機ELディスプレイ1,
11に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付し
て示し、その説明を省略する。
FIG. 8 shows an organic E according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram showing the entire configuration of the L display 21. FIG. 9 is an electric circuit diagram of an element circuit Ab in the organic EL panel 2b of the organic EL display 21. This organic EL
The display 11 is the organic EL display 1 described above.
Similar to FIG. 11, corresponding portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【0051】この有機ELディスプレイ21は、後述す
るような格別の走査方法を採用するものであり、その構
成を説明する前に、前述の図7の走査方法について詳述
する。図7の走査方法では、4bitの時間分割階調表
示に必要な走査時間は、1回の走査時間7×5(=4b
it分+Blank分)=35単位時間であるのに対し
て、必要な表示期間Taは、1bit目の走査時間7+
2bit目の走査時間7+3bit目の発光期間8+4
bit目の発光期間16+Blank走査時間7=45
単位時間である。また、前記表示期間Taの内、実際に
発光に使用される時間は、2+4+8+16=30単位
時間である。
The organic EL display 21 employs a special scanning method as described later. Before describing the structure, the scanning method of FIG. 7 will be described in detail. In the scanning method of FIG. 7, the scanning time required for 4-bit time division gray scale display is one scanning time of 7 × 5 (= 4b
(it minutes + Blank minutes) = 35 unit times, whereas the necessary display period Ta is the scanning time of the first bit 7+
Second-bit scanning time 7 + 3-bit light-emitting period 8 + 4
Light emission period of the 16th bit + Blank scanning time 7 = 45
Unit time. In the display period Ta, the time actually used for light emission is 2 + 4 + 8 + 16 = 30 unit time.

【0052】このように図7の駆動方法では、表示期間
Taの中で走査してない期間や発光に使われていない時
間が多く存在するので、それだけ1走査当りの時間を短
くし、高速に走査する必要があるので、コントローラ3
a,4等の駆動回路やアクティブ素子の高速化が必要と
なる。また、表示期間Taに発光に使われていない時間
があるということは、それだけ1単位時間当たりの発光
強度を高めなけれぱならないので、その分有機EL素子
Pを流れる電流が増えて、経時変化を速く引起こすとい
う問題がある。
As described above, in the driving method shown in FIG. 7, since there are many periods during which scanning is not performed in the display period Ta and periods that are not used for light emission, the time per scan is shortened accordingly and high speed is achieved. Since it is necessary to scan, the controller 3
It is necessary to increase the speed of the drive circuits and active elements such as a and 4. In addition, the fact that there is a time during which no light is used during the display period Ta means that the light emission intensity per unit time must be increased accordingly, and the current flowing through the organic EL element P increases by that much, and the time-dependent change occurs. The problem is that it wakes up quickly.

【0053】そこで、表示期間Ta中の前記非走査期間
や非発光期間を無くすことができる時間分割階調の駆動
方法として、特開昭63−226178号公報の駆動方
法を使用することが考えられる。図10は、その先行技
術での駆動方法を示す図である。この図10の例でも、
マトリクス型ディスプレイの走査信号線はG1〜G15
の15本で1つの単位と想定されており、各走査信号線
G1〜G15の選択状態を、図10(3)〜(17)で
それぞれ示している。そして、各画素で16階調(4b
it)の階調表示を実現しており、各bitの重み1:
2:4:8に比例した時間だけ、各画素は対応した2値
表示を行う。図10(1)には単位時間を示し、1フレ
ーム期間Tfは15の単位時間から構成されている。図
10(2)は、前記bitの重みを示す。
Therefore, as a driving method of the time division gradation which can eliminate the non-scanning period and the non-light emitting period in the display period Ta, it is conceivable to use the driving method of Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-226178. . FIG. 10 is a diagram showing a driving method according to the prior art. In the example of FIG.
The scanning signal lines of the matrix type display are G1 to G15.
Are assumed to be one unit, and the selection states of the scanning signal lines G1 to G15 are shown in FIGS. 10 (3) to (17), respectively. Then, each pixel has 16 gradations (4b
It) realizes the gradation display of each bit, and the weight of each bit 1:
Each pixel performs a corresponding binary display for a time proportional to 2: 4: 8. FIG. 10A shows a unit time, and one frame period Tf is composed of 15 unit times. FIG. 10B shows the weight of the bit.

【0054】各画素はメモリ素子を備えており、図10
(3)〜(17)において、斜線は走査信号線によって
選択されていることを表し、次の斜線まで、その状態を
保持する。こうして、各bitの表示期間の比率が、前
記1:2:4:8となる。
Each pixel has a memory element.
In (3) to (17), the diagonal lines indicate that they are selected by the scanning signal line, and the state is held until the next diagonal line. Thus, the ratio of the display period of each bit is 1: 2: 4: 8.

【0055】しかしながら、共通のデータ信号線を用い
て、異なる走査信号線にそれぞれ対応した複数の各画素
へ異なるデータを同時に書込むことは不可能なので、こ
の特開昭63−226178号では、図11(2)に部
分時間として示すように、図10(1)の各単位時間
を、さらにbitの数4で分割し、その各単位時間の第
1の部分時間では1bit目の書込みを行い、第2の部
分時間では2bit目の書込みを行い、第3の部分時間
では3bit目の書込みを行い、第4の部分時間では4
bit目の書込みを行うことで、図10で示すような時
間分割の階調制御を可能にしている。なお、図11
(1)の単位時間は図10(1)に、図11(3)のビ
ットの重みは図10(2)に、図11(4)〜(18)
の選択状態は図10(3)〜(17)に、それぞれ対応
している。また、図11(19)は、部分時間の通算の
表示である。
However, it is impossible to simultaneously write different data to a plurality of pixels respectively corresponding to different scanning signal lines using a common data signal line. As shown as a partial time in 11 (2), each unit time in FIG. 10 (1) is further divided by the number 4 of bits, and the first bit is written in the first partial time of each unit time. In the second partial time, the second bit is written, in the third partial time, the third bit is written, and in the fourth partial time, the fourth bit is written.
By performing the writing of the bit, the time division gradation control as shown in FIG. 10 is enabled. Note that FIG.
The unit time of (1) is shown in FIG. 10 (1), the bit weight of FIG. 11 (3) is shown in FIG. 10 (2), and FIGS. 11 (4) to (18).
Corresponds to FIGS. 10 (3) to (17), respectively. FIG. 11 (19) shows the total of the partial time.

【0056】この先行技術に、前記消去期間Tsaおよ
び電流測定期間Tmを導入すると、図12および図13
で示すようになる。図12(1)〜図12(17)は、
それぞれ図10(1)〜図10(17)に対応してお
り、図12(18)は通算時間の表示である。図13
は、図11と図12とを合わせて、詳細に示したもので
あり、図13(1)〜図13(18)は、それぞれ図1
1(1)〜図11(18)に対応しており、図13(1
9)は通算時間の表示である。
When the erasing period Tsa and the current measuring period Tm are introduced into this prior art, FIGS.
It becomes as shown by. FIG. 12 (1) to FIG. 12 (17)
10 (1) to 10 (17) respectively, and FIG. 12 (18) shows the total time. FIG.
FIG. 13 shows the details of FIG. 11 and FIG. 12 together, and FIG. 13 (1) to FIG.
1 (1) to FIG. 11 (18), and FIG.
9) is a display of the total time.

【0057】したがって、たとえば走査信号線G1に対
応した素子回路Ab11〜Ab1nには、図12に示す
ように、電流測定期間Tmを終了した後、表示期間Ta
の間の第1単位時間からbit1のデータを表示させ、
第2単位時間からbit2のデータを表示させ、第4単
位時間からbit3のデータを表示させ、第8単位時間
からbit4のデータを表示させ、第16単位時間から
Blankデータを表示させることになる。
Therefore, for example, as shown in FIG. 12, the element circuits Ab11 to Ab1n corresponding to the scanning signal line G1 have the current measurement period Tm ended and the display period Ta
Display the data of bit1 from the first unit time during
Bit 2 data is displayed from the second unit time, bit 3 data is displayed from the fourth unit time, bit 4 data is displayed from the eighth unit time, and Blank data is displayed from the 16th unit time.

【0058】そして、同一単位時間が図13で示すよう
に4つの部分時間から構成され、それぞれの部分時間で
異なるbitに対応する書込みを行っている。各単位時
間の第1部分時間ではbit1の書込みを、第2部分時
間ではbit2の書込みを、第3部分時間ではbit3
の書込みを、第4部分時間ではbit4の書込みを行っ
ている。
The same unit time is composed of four partial times as shown in FIG. 13, and writing corresponding to different bits is performed in each partial time. In the first partial time of each unit time, bit 1 is written, in the second partial time, bit 2 is written, and in the third partial time, bit 3 is written.
Is written, and bit4 is written in the fourth partial time.

【0059】すなわち、たとえば走査信号線G1に対応
した素子回路Ab11〜Ab1nには、図13(4)で
示すように、第1単位時間の第1部分時間でbit1の
データを書込んで表示させ、第2単位時間の第1部分時
間でBlankデータを書込んで表示させる。第2単位
時間の第2部分時間でbit2のデータを書込んで表示
させ、第4単位時間の第2部分時間でBlankデータ
を書込んで表示させる。第4単位時間の第3部分時間で
bit3のデータを書込んで表示させ、第8単位時間の
第3部分時間でBlankデータを書込んで表示させ
る。第8単位時間の第4部分時間でbit4のデータを
書込んで表示させ、第16単位時間の第4部分時間でB
lankデータを書込んで表示させる。そして、次の走
査信号線G2に対応した素子回路Ab21〜Ab2nに
は、図13(5)で示すように、前記走査信号線G1の
タイミングから1単位時間遅れて書込みが行われる。以
降、順次走査信号線毎に1単位時間ずつ遅れて書込みが
行われる。
That is, for example, as shown in FIG. 13D, bit 1 data is written and displayed in the element circuits Ab11 to Ab1n corresponding to the scanning signal line G1 in the first partial time of the first unit time. , Blank data is written and displayed at the first partial time of the second unit time. Bit 2 data is written and displayed at the second partial time of the second unit time, and Blank data is written and displayed at the second partial time of the fourth unit time. Bit 3 data is written and displayed in the third partial time of the fourth unit time, and Blank data is written and displayed in the third partial time of the eighth unit time. The data of bit 4 is written and displayed at the fourth partial time of the eighth unit time, and B is written at the fourth partial time of the 16th unit time.
Write the rank data and display it. Then, as shown in FIG. 13 (5), writing is performed on the element circuits Ab21 to Ab2n corresponding to the next scanning signal line G2 with a delay of one unit time from the timing of the scanning signal line G1. Thereafter, writing is sequentially performed with a delay of one unit time for each scanning signal line.

【0060】ところが、このような駆動方法では、第1
7単位時間で走査信号線G1がbit1の表示に戻らな
ければならないのに、電流測定期間Tmと表示期間Ta
とが交互に続く場合、それができなくなる。このため、
図13に示すように、発光に使われる時間を、4+8+
16+32=60部分時間確保しようとすると、該発光
期間Tdの60部分時間に、走査信号線G1〜G15を
順に走査して消去してゆく消去期間Tsaの60部分時
間がさらに必要になり、120部分時間が前記表示期間
Taとして必要になる。また、この表示期間Taの内、
実際に走査に使われている時間も60部分時間でしかな
い。本発明のような電流測定期間Tmを持った表示装置
で時間分割階調表示を行う場合、このような表示期間T
aの中で走査してない期間や発光に使われていない時間
を短縮するためには、従来手法とは異なる走査方法が必
要となる。
However, in such a driving method, the first
Although the scanning signal line G1 must return to the display of bit1 in seven unit times, the current measurement period Tm and the display period Ta
If they continue alternately, they cannot do so. For this reason,
As shown in FIG. 13, the time used for light emission is 4 + 8 +
In order to secure 16 + 32 = 60 partial times, 60 partial times of the erasing period Tsa in which the scanning signal lines G1 to G15 are sequentially scanned and erased during the 60 partial times of the light emitting period Td are required. Time is required as the display period Ta. Also, during this display period Ta,
The time actually used for scanning is only 60 partial hours. When time-division gray scale display is performed by a display device having the current measurement period Tm as in the present invention, such a display period T
In order to shorten the non-scanning period and the time not used for light emission in a, a scanning method different from the conventional method is required.

【0061】そこで、注目すべきは、この有機ELディ
スプレイ21では、図9で示すように、各素子回路Ab
には、複数(図9の例では2つ)の画素メモリR1,R
2を備え、図8で示すように、走査コントローラ3b
は、対応したビット選択線Sa,Sbによって、それら
の記憶内容を読出して、前記コンデンサC1にセットす
ることである。前記ビット選択線Sa,Sbは、有機E
Lパネル2b上で、前記素子回路Abを貫くように、走
査信号線Gと平行に配設されている。前記画素メモリR
1,R2以外の構成は、前記図2の回路素子Aと同様で
あり、走査信号線Gで選択されている間に対応するデー
タ信号線Dからデータ信号を取込むn型のTFTQ1
と、前記TFTQ1で取込まれたデータ信号を保持する
コンデンサC1と、有機EL素子Pと、前記コンデンサ
C1の充電電圧に対応して、電源線Eから有機EL素子
Pに流れる電流を制御するp型のTFTQ2とを備えて
いる。
Therefore, it should be noted that in the organic EL display 21, as shown in FIG.
Has a plurality of (two in the example of FIG. 9) pixel memories R1 and R2.
2 and a scanning controller 3b as shown in FIG.
Means that the stored contents are read out by the corresponding bit select lines Sa and Sb and set in the capacitor C1. The bit selection lines Sa and Sb are organic E
On the L panel 2b, it is arranged in parallel with the scanning signal line G so as to penetrate the element circuit Ab. The pixel memory R
1 and R2 are the same as those of the circuit element A of FIG. 2, and an n-type TFT Q1 that takes in a data signal from the corresponding data signal line D while being selected by the scanning signal line G.
A capacitor C1 for holding a data signal captured by the TFT Q1, an organic EL element P, and a p for controlling a current flowing from the power supply line E to the organic EL element P in accordance with the charging voltage of the capacitor C1. TFT Q2.

【0062】前記画素メモリR1,R2は、相互に等し
く構成され、前記データ信号の書込み/読出しを制御す
るアクティブ素子であるn型のTFTQ10と、p型の
TFTQ11およびn型のTFTQ12から成る1段目
のCMOSインバータINV1と、p型のTFTQ13
およびn型のTFTQ14から成る2段目のCMOSイ
ンバータINV2とを備えて構成される。CMOSイン
バータINV1,INV2の電源電圧は、前記電源線E
と接地電位との間の電圧となり、CMOSインバータI
NV1の出力がCMOSインバータINV2の入力に与
えられ、CMOSインバータINV2の出力がCMOS
インバータINV1の入力に帰還されて、自己保持、す
なわちメモリ動作が行われる。画素メモリR1,R2の
ゲートには、それぞれ前記ビット選択線Sa,Sbが接
続されている。
Each of the pixel memories R1 and R2 is configured to be equal to each other, and is a single stage composed of an n-type TFT Q10 as an active element for controlling writing / reading of the data signal, a p-type TFT Q11 and an n-type TFT Q12. Eye CMOS inverter INV1 and p-type TFT Q13
And a second-stage CMOS inverter INV2 comprising an n-type TFT Q14. The power supply voltage of the CMOS inverters INV1 and INV2 is equal to the power supply line E
And a voltage between the ground potential and the CMOS inverter I
The output of NV1 is applied to the input of CMOS inverter INV2, and the output of CMOS inverter INV2 is
The signal is fed back to the input of the inverter INV1, and self-holding, that is, memory operation is performed. The bit selection lines Sa and Sb are connected to the gates of the pixel memories R1 and R2, respectively.

【0063】したがって、前記走査信号線Gが選択さ
れ、すなわちTFTQ1が導通している状態で、ビット
選択線Sa,Sbが選択されてTFTQ10が導通する
と、画素メモリR1,R2へは前記データ信号線Dから
データ信号が書込まれ、走査信号線Gが非選択、すなわ
ちTFTQ1が遮断している状態で、ビット選択線S
a,Sbが選択されてTFTQ10が導通すると、画素
メモリR1,R2から前記データ信号が読出され、コン
デンサC1にセットされる。また、ビット選択線Sa,
Sbが非選択、すなわちTFTQ10が遮断している状
態で、走査信号線Gが選択され、すなわちTFTQ1が
導通すると、前記画素メモリR1,R2にデータ信号が
書込まれることなく、コンデンサC1にだけセットされ
る。
Therefore, when the bit line selection line Sa, Sb is selected and the TFT Q10 is turned on while the scanning signal line G is selected, that is, the TFT Q1 is turned on, the data signal line is sent to the pixel memories R1, R2. A data signal is written from D and the scanning signal line G is not selected, that is, while the TFT Q1 is cut off, the bit selection line S
When a and Sb are selected and the TFT Q10 is turned on, the data signal is read from the pixel memories R1 and R2 and set in the capacitor C1. Further, the bit selection lines Sa,
When the scanning signal line G is selected while Sb is not selected, that is, when the TFT Q10 is turned off, that is, when the TFT Q1 is turned on, the data signal is not written in the pixel memories R1 and R2, but is set only on the capacitor C1. Is done.

【0064】なお、画素メモリR1,R2から読出した
データ信号をコンデンサC1にセットするためには、コ
ンデンサC1に貯えられていた電荷によって、逆に画素
メモリR1,R2の記憶内容が書換えられてしまわない
ように、コンデンサC1の容量は、制御すべき最長の時
間に亘ってTFTQ2を制御することができる範囲で、
可能な限り小さな値に設定することが望ましい。
In order to set the data signal read from the pixel memories R1 and R2 to the capacitor C1, the charge stored in the capacitor C1 causes the stored contents of the pixel memories R1 and R2 to be rewritten. So that the capacitance of the capacitor C1 can be controlled within a range in which the TFT Q2 can be controlled for the longest time to be controlled.
It is desirable to set the value as small as possible.

【0065】図8を参照して、この有機ELディスプレ
イ21では、図1の有機ELディスプレイ1ではD/A
変換回路F1〜Fnであった箇所に、メモリMb1〜M
bn(総称するときには、以下参照符Mbで示す)が挿
入される。入力された表示データは、各素子回路A毎に
測定され、メモリMに格納されている補正値に基づい
て、演算回路Bにおいて補正され、こうして求められた
各素子回路A毎に表示すべきデータは、このメモリMb
に格納される。
Referring to FIG. 8, in organic EL display 21, D / A in organic EL display 1 in FIG.
The conversion circuits F1 to Fn are replaced with the memories Mb1 to Mb.
bn (to be collectively referred to as Mb hereinafter) is inserted. The input display data is measured for each element circuit A, corrected in the arithmetic circuit B based on the correction value stored in the memory M, and the data to be displayed for each element circuit A thus obtained. Is the memory Mb
Is stored in

【0066】一方、前記の走査方法とは特に関連しない
けれども、信号コントローラ4bでは、各電源線E1〜
Enに対して、共通に電流測定回路K0が設けられ、こ
の電流測定回路K0は、前記各電源線E1〜Enに対し
てマルチプレックス動作を行って負荷電流を順次測定
し、対応するメモリM1〜Mnへ出力する。このように
共通の電流測定回路K0を用いることによって、測定ば
らつきをなくすことができる。
On the other hand, although not particularly related to the above-described scanning method, the signal controller 4b includes the power supply lines E1 to E1.
A current measuring circuit K0 is provided in common for En, and the current measuring circuit K0 performs a multiplex operation on each of the power supply lines E1 to En to sequentially measure the load current, and stores the corresponding memories M1 to M1. Output to Mn. By using the common current measurement circuit K0 in this manner, measurement variations can be eliminated.

【0067】しかしながら、前述のように各電源線E1
〜Enに個別に電流測定回路K1〜Knを設ける場合に
は、1回の電流測定期間Tm内で、総ての素子回路Ab
11〜Abmnについての測定を行うことができる。そ
こで、前記のマルチプレックス動作は、前記走査信号線
Gへの選択出力に応答して、各走査信号線Gが選択され
ている1走査期間内で、1ラインの総ての素子回路Ab
i1〜Abin(iは任意のラインを表す)についての
測定を行う、すなわち図4および図7の例と同様に、1
回の電流測定期間Tm内で総ての素子回路Ab11〜A
bmnについての測定を行うようにしてもよく、また前
記1走査期間内で、1ライン当り1または複数個、たと
えばRGBの3つの素子回路ずつ測定を行うようにして
もよく、この1ライン当りの測定素子数は、所望とする
測定周期に応じて設定すればよい。ただし、電流測定期
間Tmが長くなるので、1回の電流測定期間Tm内で総
ての素子回路Ab11〜Abmnについての測定を行う
よりも、RGBの3つの素子回路ずつ測定を行う方が好
ましい。
However, as described above, each power line E1
To En, the current measuring circuits K1 to Kn are individually provided, all the element circuits Ab within one current measuring period Tm.
Measurements for 11 to Abmn can be made. Therefore, in the multiplex operation, in response to the selection output to the scanning signal line G, all the element circuits Ab of one line are set within one scanning period in which each scanning signal line G is selected.
Measurement is performed for i1 to Abin (i represents an arbitrary line), that is, as in the examples of FIGS.
All the element circuits Ab11 to Ab within the current measurement period Tm
bmn may be measured, or one or more, for example, three RGB element circuits may be measured per line during the one scanning period. The number of measurement elements may be set according to a desired measurement cycle. However, since the current measurement period Tm becomes longer, it is more preferable to perform the measurement for each of the three RGB element circuits than to perform the measurement for all the element circuits Ab11 to Abmn within one current measurement period Tm.

【0068】なお、以下に示すような走査方法を特徴と
するこの有機ELディスプレイ21に、前記電流測定回
路K1〜Knが用いられてもよく、前述の有機ELディ
スプレイ1,11に、この電流測定回路K0が用いられ
てもよいことは言うまでもない。
The organic EL display 21 having the following scanning method may be provided with the current measuring circuits K 1 to Kn. It goes without saying that the circuit K0 may be used.

【0069】図14は、上述のように構成される有機E
Lディスプレイ21による時間分割階調での駆動方法の
一例を示す図である。この図14では、電流測定期間T
mを終了した後の表示期間Taを説明している。この例
でも、有機ELパネル2bの走査信号線はG1〜G15
の15本で1つの単位と想定されており、各走査信号線
G1〜G15の選択状態を、図14(7)〜(21)で
示している。図14(1)は単位時間表示であり、図1
4(22)は通算の時間表示(単位時間数)である。図
14(3)はbit4のデータの通算表示時間を示し、
図14(5)はbit3のデータの通算表示時間を示
す。図14(6)は、ビットの重みを示す。
FIG. 14 shows the structure of the organic E formed as described above.
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a driving method using time division gray scale by the L display 21. In FIG. 14, the current measurement period T
The display period Ta after the completion of m is described. Also in this example, the scanning signal lines of the organic EL panel 2b are G1 to G15.
14 are assumed to be one unit, and the selection states of the scanning signal lines G1 to G15 are shown in FIGS. 14 (7) to (21). FIG. 14A shows a unit time display, and FIG.
4 (22) is a total time display (unit time number). FIG. 14C shows the total display time of bit 4 data,
FIG. 14 (5) shows the total display time of bit 3 data. FIG. 14 (6) shows bit weights.

【0070】注目すべきは、図14(2)に示す前記ビ
ット選択線Sa1(前記走査信号線G1〜G15に対応
してSa1〜Sa15を記載すべきところ、図面の簡略
化のためにSa1のみとしている。以下のビット選択線
Sbについても同様。)の選択走査および図14(4)
に示す前記ビット選択線Sb1の選択走査である。各ビ
ット選択線Sa,Sbは、特に記載しない限り、非選択
状態であり、前記図14(2),(4)では、ハイレベ
ルHが選択状態を表す。画素メモリR1,R2には、b
it4のデータおよびbit3のデータがそれぞれ記憶
されるものとする。各走査期間Ts1〜Ts4は、15
単位時間で構成される。
It should be noted that the bit selection line Sa1 shown in FIG. 14 (2) (Sa1 to Sa15 should be described in correspondence with the scanning signal lines G1 to G15, but only Sa1 for simplification of the drawing) The same applies to the following bit selection line Sb.) And the scanning of FIG.
Is a selection scan of the bit selection line Sb1 shown in FIG. The bit selection lines Sa and Sb are in a non-selected state unless otherwise specified. In FIGS. 14 (2) and (4), a high level H indicates a selected state. B is stored in the pixel memories R1 and R2.
It is assumed that it4 data and bit3 data are respectively stored. Each scanning period Ts1 to Ts4 is 15
Consists of unit time.

【0071】表示期間Taの最初の走査期間Ts1にお
いて、走査信号線G1〜G15が順に選択されてbit
4のデータを表示させながら、ビット選択線Saが選択
されて該bit4のデータが画素メモリR1に書込まれ
てゆく。走査信号線G1〜G15の選択を終了するま
で、したがって15単位時間に亘って、該bit4のデ
ータが表示される。
In the first scanning period Ts1 of the display period Ta, the scanning signal lines G1 to G15 are sequentially selected and bit
While displaying the data of No. 4, the bit selection line Sa is selected, and the data of the bit 4 is written into the pixel memory R1. The data of the bit 4 is displayed until the selection of the scanning signal lines G1 to G15 is completed, that is, for 15 unit times.

【0072】走査期間Ts1が終了すると、連続して次
の走査期間Ts2に入り、表示をbit4に対応したデ
ータからbit3のデータヘ切換えながら、ビット選択
線Sbが選択されて該bit3のデータが画素メモリR
2に書込まれてゆく。そして、この走査期間Ts2で該
bit3のデータを9単位時間に亘って表示した後、走
査信号線G1〜G15が選択されていない状態で、その
選択を追いかけるように、ビット選択線Saが選択され
てbit4のデータが画素メモリR1から読出され、残
りの6単位時間に亘って表示される。これによって、b
it4のデータの通算表示時間は21単位時間となる。
When the scanning period Ts1 ends, the next scanning period Ts2 is successively entered. While switching the display from the data corresponding to bit4 to the data of bit3, the bit selection line Sb is selected and the data of bit3 is stored in the pixel memory. R
It is written to 2. Then, after the data of the bit 3 is displayed for 9 unit times in the scanning period Ts2, the bit selection line Sa is selected so as to follow the selection while the scanning signal lines G1 to G15 are not selected. The data of bit 4 is read from the pixel memory R1 and is displayed over the remaining six unit times. This gives b
The total display time of the data of it4 is 21 unit times.

【0073】こうして走査期間Ts2を終了すると、走
査期間Ts3では、表示をbit4に対応したデータか
らbit2のデータヘ切換え、8単位時間に亘って表示
した後、走査信号線G1〜G15が選択されていない状
態で、その選択を追いかけるように、ビット選択線Sb
が選択されてbit3のデータが画素メモリR2から読
出され、残りの6単位時間に亘って表示される。これに
よって、bit3のデータの通算表示時間は16単位時
間となる。
When the scanning period Ts2 ends in this manner, in the scanning period Ts3, the display is switched from the data corresponding to bit4 to the data of bit2, and after the display is performed for eight unit times, the scanning signal lines G1 to G15 are not selected. In the state, the bit selection line Sb
Is selected, the data of bit 3 is read from the pixel memory R2, and is displayed over the remaining six unit times. As a result, the total display time of the data of bit 3 is 16 unit times.

【0074】走査期間Ts4では、表示をbit3に対
応したデータからbit1のデータヘ切換え、4単位時
間に亘って表示した後、ビット選択線Saが選択されて
bit4のデータが画素メモリR1から再び読出され、
残りの11単位時間に亘って表示される。これによっ
て、bit4のデータの通算表示時間は32単位時間と
なり、各bitの表示期間の比率が、前記1:2:4:
8となる。
In the scanning period Ts4, the display is switched from the data corresponding to bit3 to the data of bit1, and after displaying for 4 unit times, the bit selection line Sa is selected and the data of bit4 is read out again from the pixel memory R1. ,
It is displayed for the remaining 11 unit times. As a result, the total display time of the data of bit 4 is 32 unit times, and the ratio of the display period of each bit is 1: 2: 4:
It becomes 8.

【0075】走査期間Ts4を終了すると、連続して次
の消去期間Tsaに入り、表示をbit4に対応した画
素メモリR1のデータから、非発光状態に対応したデー
タに切換え、コンデンサC1に保持させてゆくととも
に、ブランク表示を行う。この消去期間Tsaでの選択
によって一旦総ての回路素子Abを流れる負荷電流を消
去することで、次の電流測定期間Tmでの測定が可能と
なる。なお、消去期間Tsaでは、コンデンサC1のデ
ータの消去とともに、この図14で示すように、画素メ
モリR1,R2のデータを消去してもよい。
When the scanning period Ts4 ends, the next erasing period Tsa continues, and the display is switched from the data in the pixel memory R1 corresponding to bit4 to the data corresponding to the non-light emitting state, and held in the capacitor C1. As it goes, a blank display is performed. By temporarily erasing the load current flowing through all the circuit elements Ab by the selection in the erasing period Tsa, measurement in the next current measuring period Tm becomes possible. In the erasing period Tsa, the data in the pixel memories R1 and R2 may be erased together with the erasing of the data in the capacitor C1, as shown in FIG.

【0076】このような走査を行うことで、4bitの
時間分割階調表示に必要な表示期間Taは、1回の走査
期間15×(4bit分+Blank分)=75単位時
間であるのに対して、実際に発光に使用された時間は、
4+8+16+32=60単位時間である。
By performing such scanning, the display period Ta required for 4-bit time division gray scale display is one scanning period 15 × (4 bits + Blank) = 75 unit times. , The time actually used for light emission
4 + 8 + 16 + 32 = 60 unit time.

【0077】このように画素メモリR1,R2を用い、
走査信号線Gで選択されていないときに、ビット選択線
Sa,Sbを選択することで、任意のタイミングで上位
のビットのデータを読出し、表示を行うことができる。
これによって、下位のビットのデータでの表示が終了す
ると、そのビットの走査期間Ts内での残りの時間を上
位のビットのデータの表示に用いることができ、複数の
各ビットに対して等間隔の走査期間を設定しても、表示
期間Taの中で走査してない期間や発光に使われていな
い時間を短縮することができる新規な時間分割階調表示
を実現することができる。
As described above, using the pixel memories R1 and R2,
By selecting the bit selection lines Sa and Sb when not selected by the scanning signal line G, the data of the upper bits can be read and displayed at an arbitrary timing.
As a result, when the display of the lower bit data is completed, the remaining time of the lower bit in the scanning period Ts can be used for displaying the upper bit data. Even when the scanning period is set, a new time-division gray scale display can be realized in which the period during which scanning is not performed in the display period Ta and the time during which light is not used can be reduced.

【0078】なお、このように表示期間Taの殆どを発
光に使用する場合、経時変化に伴って表示が暗くなるの
に対応して、非発光時間を短縮することでそれを補償す
ることはできなくなるので、RGBの色味が揃うよう、
有機EL素子の電流特性の経時変化に合わせて、残余の
色の有機EL素子の電流値を調整しておくことが好まし
い。
When most of the display period Ta is used for light emission as described above, it is possible to compensate for this by shortening the non-light-emission time in response to the darkening of the display with time. Since it disappears, so that the color of RGB is aligned,
It is preferable to adjust the current values of the organic EL elements of the remaining colors in accordance with the change over time in the current characteristics of the organic EL element.

【0079】上述の駆動方法は、前述の電流測定を行わ
ない構成においても、表示期間Taの中で走査してない
期間や発光に使われていない時間の短縮に効果を有して
おり、適用可能である。そこで、電流測定期間Tmを持
たない構成での駆動方法を、図15で示す。図15
(1)〜(22)は、図14(1)〜(22)にそれぞ
れ対応している。注目すべきは、消去期間Tsaがなく
なり、発光期間Tdが、そのまま表示期間Taおよびフ
レーム期間Tfとなることである。
The above-described driving method is effective in shortening a period during which scanning is not performed in the display period Ta and a period of time not being used for light emission even in a configuration in which the above-described current measurement is not performed. It is possible. Therefore, a driving method in a configuration having no current measurement period Tm is shown in FIG. FIG.
(1) to (22) correspond to FIGS. 14 (1) to (22), respectively. It should be noted that the erasing period Tsa is eliminated, and the light emitting period Td becomes the display period Ta and the frame period Tf as they are.

【0080】このようにした場合、前述の特開昭63−
226178号の時間分割階調表示方法と比べて、前記
の表示期間Ta中の非走査期間や非発光時間の短縮によ
って、同等以上の走査・発光効率が得ることができ、さ
らに走査を1ライン毎に順番に行うので、制御が楽にな
るという効果を得ることができる。
In such a case, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No.
Compared with the time division gray scale display method of No. 226178, by shortening the non-scanning period and the non-light-emitting time in the display period Ta, it is possible to obtain the same or higher scanning and light-emitting efficiency. , The control can be easily performed.

【0081】なお、本駆動方法では、 発光に使用される時間=時間分割階調表示に必要な走査時間 …(1) となるように走査信号線Gの数を15本と設定してい
る。この式1を満足する条件を、4bit階調表示につ
いて調ベた結果を表1に示す。
In the present driving method, the number of scanning signal lines G is set to 15 such that the time used for light emission = the scanning time required for time-division gray scale display (1). Table 1 shows the results obtained by examining the conditions satisfying Expression 1 for 4-bit gradation display.

【0082】[0082]

【表1】 [Table 1]

【0083】表1において、(a)はbit数、(b)
は走査信号線数、(c)は走査信号線数×bit数=時
間分割階調表示に必要な走査時間、(d)は1階調当り
の表示期間、(e)は発光に使用される階調表示期間で
ある。(f)は判定であり、「▲」とあるのは走査信号
線数×bit数>時間分割階調表示となって本構成では
階調表示ができない場合であり、「△」とあるのは走査
を不連続にすれば4bit階調表示が可能な場合であ
り、「○」とあるのが上記式1を満たし、階調表示可能
な場合である。
In Table 1, (a) is the number of bits, (b)
Is the number of scanning signal lines, (c) is the number of scanning signal lines × bit number = scanning time required for time-division gray scale display, (d) is a display period per gray scale, and (e) is used for light emission. This is a gradation display period. (F) is a judgment, and “▲” means that the number of scanning signal lines × the number of bits> time-division gray scale display and gray scale display is not possible with this configuration, and “△” means If the scanning is discontinuous, 4-bit gradation display is possible, and “○” is the case where the expression 1 is satisfied and gradation display is possible.

【0084】また、(f)で「△」とあり、階調表示は
可能であるが、走査を不連続としない限り表示階調数が
制限される場合に、走査を連続にして表示可能な階調数
を(g)に示している。さらにまた、(h)は必要な画
素メモリの素子数であり、「○」の数だけメモリ素子が
必要であることを表す。なお、この表1に示したのは、
必要メモリ数が2以下の場合だけである。
Further, although “△” is shown in (f), gradation display is possible, but when the number of display gradations is limited unless the scanning is discontinuous, it is possible to display by making the scanning continuous. The number of gradations is shown in (g). Further, (h) indicates the number of required pixel memory elements, and indicates that the number of memory elements required is the number of “○”. In addition, what is shown in Table 1 is
Only when the required number of memories is 2 or less.

【0085】一方、表2には、同様に2bitの階調表
示の場合での実現可能性の判定結果を示し、(a)〜
(h)の内容は、それぞれ表1に対応している。
On the other hand, Table 2 similarly shows the results of determining the feasibility in the case of 2-bit gradation display.
The contents of (h) correspond to Table 1, respectively.

【0086】[0086]

【表2】 [Table 2]

【0087】この表2から、走査信号線数が3の倍数本
のとき、前記式1を満たすことが理解される。なお、こ
の表1に示したのは、必要メモリ数が1の場合だけであ
る。
It is understood from Table 2 that when the number of scanning signal lines is a multiple of three, the above-mentioned expression 1 is satisfied. Note that Table 1 shows only the case where the required number of memories is one.

【0088】また、表3には、同様に3bitの階調表
示の場合での実現可能性の判定結果を示し、(a)〜
(h)の内容は、それぞれ前記の表1および表2に対応
している。
Table 3 also shows the feasibility determination results in the case of 3-bit gradation display.
The contents of (h) correspond to Tables 1 and 2, respectively.

【0089】[0089]

【表3】 [Table 3]

【0090】この表3から、走査信号線数が7の倍数本
のとき、前記式1を満たすことが理解される。なお、表
3に示したのは、必要メモリ数が1の場合だけである。
It is understood from Table 3 that when the number of scanning signal lines is a multiple of seven, the above-mentioned expression 1 is satisfied. Table 3 shows only the case where the number of required memories is one.

【0091】本発明の実施の第4の形態について、図1
6〜図20に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。
FIG. 1 shows a fourth embodiment of the present invention.
The following is a description based on FIGS.

【0092】図16は、本発明の実施の第4の形態の有
機ELディスプレイにおける素子回路Acの電気回路図
である。この素子回路Acは、前述の図6で示す素子回
路Aaおよび図9で示す素子回路Abに類似し、対応す
る部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省
略する。注目すべきは、この素子回路Acでは、画素メ
モリR1を備えるとともに、コンデンサC1(および画
素メモリR1)を初期化電位に接続することで、記憶さ
れたデータを消去するTFTQ3が設けられていること
である。
FIG. 16 is an electric circuit diagram of the element circuit Ac in the organic EL display according to the fourth embodiment of the present invention. The element circuit Ac is similar to the element circuit Aa shown in FIG. 6 and the element circuit Ab shown in FIG. 9, and corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. It should be noted that this element circuit Ac includes a pixel memory R1 and a TFT Q3 for erasing stored data by connecting the capacitor C1 (and the pixel memory R1) to an initialization potential. It is.

【0093】このような素子回路Acを用いた駆動方法
は、図17に示すようになる。図17(1)は走査期間
Tsを8等分した部分時間を示し、図17(3)はbi
t4のデータの通算表示時間を示し、図17(5)はビ
ットの重みを示し、(22)は通算の時間表示を示す。
図14(2)にはビット選択線Sa1の選択走査を示
し、図14(4)は走査信号線S1の選択走査を示す。
一方、この例では走査信号線はG1〜G16の16本で
1つの単位と想定されており、図17(6)〜(21)
はそれぞれの選択状態を示す。なお、電流測定期間Tm
の説明は省略し、その後の表示期間Taのみの説明を行
う。
A driving method using such an element circuit Ac is as shown in FIG. FIG. 17A shows a partial time obtained by dividing the scanning period Ts into eight equal parts, and FIG.
The total display time of the data at t4 is shown, FIG. 17 (5) shows the bit weight, and (22) shows the total time display.
FIG. 14 (2) shows the selective scanning of the bit selection line Sa1, and FIG. 14 (4) shows the selective scanning of the scanning signal line S1.
On the other hand, in this example, 16 scanning signal lines G1 to G16 are assumed to be one unit, and FIG. 17 (6) to (21)
Indicates each selection state. The current measurement period Tm
Will be omitted, and only the subsequent display period Ta will be described.

【0094】表示期間Taの最初の走査期間Ts1にb
it4のデータを表示させながら、TFTQ10を介し
てそのデータを画素メモリR1に記憶させておく。走査
信号線G1〜G16まで選択を終了すると、連続して次
の走査期間Ts2に入り、表示をbit4に対応したデ
ータからbit3のデータに切換える。このとき、走査
期間Tsをbit3に対応したデータ表示期間より大き
目に設定し、前述のようにbit3に対応したデータの
表示期間が終了すると、その走査を追いかけるように表
示させるべきデータをbit4に対応したデータに切換
える走査を行ってもよいけれども、この図17の例で
は、走査期間Ts=bit3に対応したデータ表示期間
となっているので、そのような走査は挿入されていな
い。
During the first scanning period Ts1 of the display period Ta, b
While displaying the data of it4, the data is stored in the pixel memory R1 via the TFT Q10. When the selection of the scanning signal lines G1 to G16 is completed, the next scanning period Ts2 is successively entered, and the display is switched from the data corresponding to bit4 to the data of bit3. At this time, the scanning period Ts is set longer than the data display period corresponding to bit3, and when the display period of the data corresponding to bit3 ends as described above, the data to be displayed so as to follow the scan corresponds to bit4. Although the scan for switching to the changed data may be performed, in the example of FIG. 17, such a scan is not inserted since the data display period corresponds to the scan period Ts = bit3.

【0095】bit3に対応したデータを表示させる走
査を走査信号線G1〜G16まで終了すると、連続して
次の走査期間Ts3に入り、表示をbit2に対応した
データに切換える。この走査を追いかけるように、4部
分時間後からビット選択線Saの選択走査を開始し、T
FTQ10を介して前記画素メモリR1からデータを読
出して、再びbit4に対応したデータの表示を行う。
bit2に対応したデータをコンデンサC1に保持させ
る走査を走査信号線G1〜G16まで終了したら、連続
して次の走査期間Ts4に入り、表示をbit1に対応
したデータに切換える。この走査を追いかけるように、
2部分時間後に、画素メモリR1からデータを読出し
て、再びbit4に対応したデータの表示を行う。この
最後のbit4のデータに対応した表示までに、8+4
=12部分時間だけ表示しているので、この走査を追い
かけるように、4部分時間後に走査信号線Sを選択走査
し、コンデンサC1のデータを消去して、次の電流測定
期間Tmにあたってのブランク表示を行う。このとき、
図17で示すように、前記ビット選択線Saも選択走査
を行い、画素メモリR1のデータを消去してもよい。
When the scanning for displaying the data corresponding to bit 3 is completed for the scanning signal lines G1 to G16, the next scanning period Ts3 is continuously entered, and the display is switched to the data corresponding to bit 2. In order to follow this scanning, the selection scanning of the bit selection line Sa is started after four partial times, and T
Data is read from the pixel memory R1 via the FTQ10, and data corresponding to bit4 is displayed again.
When the scanning for holding the data corresponding to bit2 in the capacitor C1 is completed for the scanning signal lines G1 to G16, the next scanning period Ts4 is successively entered, and the display is switched to the data corresponding to bit1. As you follow this scan,
After two partial hours, the data is read from the pixel memory R1, and the data corresponding to bit 4 is displayed again. Until the display corresponding to the data of the last bit4, 8 + 4
Since the display is performed only for 12 partial times, the scanning signal line S is selectively scanned after 4 partial times so as to follow this scan, the data of the capacitor C1 is erased, and a blank display is performed in the next current measurement period Tm. I do. At this time,
As shown in FIG. 17, the bit selection line Sa may also perform selective scanning to erase data in the pixel memory R1.

【0096】このように、最後の走査期間Ts4におい
て、bit4に対応したデータの表示(=総てのデータ
の表示)を終了した後、余分な時間が残されていると、
その時点で、走査信号線G1〜G16やビット選択線S
aとは独立した走査を行うことができる走査信号線Sの
選択走査によって消去走査を行うことで、前述の各実施
の形態では、nbit分の発光に使用される時間=nb
it分の走査に必要な時間でないと、余分な走査時間が
必要であったり、表示階調数が減ってしまう等の不具合
があるのに対して、本実施の形態では、そのような不具
合を解消することができる。
As described above, in the last scanning period Ts4, if the display of data corresponding to bit 4 (= display of all data) is completed and an extra time is left,
At that time, the scanning signal lines G1 to G16 and the bit selection line S
By performing the erase scan by the selective scan of the scan signal line S capable of performing the scan independent of a, the time used for light emission for n bits = nb in each of the above-described embodiments.
If it is not the time necessary for scanning for it, there are problems such as extra scanning time is required and the number of display gradations is reduced. In the present embodiment, such a problem is solved. Can be eliminated.

【0097】なお、図17では走査信号線数を16本と
したけれども、これは、 走査信号線数≧bit3の表示期間 …(2) 発光に使用される時間 ≧走査信号線数×(bit数4−1)+bit1の表示期間 …(3) 時間分割階調表示に必要な走査時間≧発光に使用される時間 …(4) の各条件を満たす走査信号線数から選ばれている。これ
らの式2〜4を満たす条件を、4bit階調表示につい
て調べた結果を表4に示す。
Although the number of scanning signal lines is set to 16 in FIG. 17, the number of scanning signal lines is equal to or more than the display period of bit 3 (2) Time used for light emission ≧ number of scanning signal lines × (number of bits) 4-1) Display period of + bit1 (3) Scanning time required for time-division gray scale display ≧ time used for light emission (4) The number of scanning signal lines is selected from the number of scanning signal lines. Table 4 shows the results of examining the conditions satisfying these expressions 2 to 4 for 4-bit gray scale display.

【0098】[0098]

【表4】 [Table 4]

【0099】表4において、(a)はbit数、(b)
は走査信号線数、(c)は走査信号線数×bit数=時
間分割階調表示に必要な走査時間、(d)は1階調当り
の表示期間、(e)はbit3の表示期間、(f)は走
査信号線数×(bit数4−1)+bit1の表示期
間、(g)は発光に使用される階調表示期間である。
(h)は判定であり、「▲」とあるのは4bit階調で
表示可能であるけれども発光期間が不連続となる場合で
あり、「△」とあるのは4bit階調で表示可能で、か
つ発光期間が連続となる場合であり、「○」とあるのが
上記式2〜4を満足する場合である。
In Table 4, (a) is the number of bits, and (b)
Is the number of scanning signal lines, (c) is the number of scanning signal lines × bit number = scanning time required for time-division gray scale display, (d) is a display period per gray scale, (e) is a display period of bit 3, (F) is the display period of the number of scanning signal lines × (bit number 4-1) + bit1, and (g) is the gradation display period used for light emission.
(H) is a determination. “▲” indicates that the display can be performed at the 4-bit gray scale but the light emission period is discontinuous, and “△” indicates that the display can be performed at the 4-bit gray scale. In addition, the light emission period is continuous, and “○” is the case where the above Expressions 2 to 4 are satisfied.

【0100】表4から、走査信号線数が4,8,9,1
2,13,14,16本(以下続くが省略)の場合に、
上記式2〜4を満足することが理解される。前記図17
では、走査信号線はG1〜G16の16本で、4bit
階調表示であり、実線で示すように表示走査が連続的に
行われており、この表4の結果に合致している。
From Table 4, it can be seen that the number of scanning signal lines is 4, 8, 9, 1
In the case of 2,13,14,16 lines (below but omitted)
It is understood that the above equations 2 to 4 are satisfied. FIG.
Then, 16 scanning signal lines G1 to G16 and 4 bit
This is a gradation display, and the display scanning is continuously performed as shown by the solid line, which matches the results in Table 4.

【0101】一方、表5には、同様に2bitの階調表
示の場合での実現可能性の判定結果を示し、(a)〜
(h)の内容は、それぞれ表4に対応している。
On the other hand, Table 5 similarly shows the feasibility determination results in the case of 2-bit gradation display.
The contents of (h) correspond to Table 4 respectively.

【0102】[0102]

【表5】 [Table 5]

【0103】この表5から、走査信号線数が2,3,
4,5,6(以下続くが省略)の場合に、前記式2〜4
を満足することが理解される。
From Table 5, it can be seen that the number of scanning signal lines is 2, 3,
In the case of 4, 5, 6 (the following is omitted), the above formulas 2 to 4
It is understood that the above is satisfied.

【0104】また、表6には、同様に3bitの階調表
示の場合での実現可能性の判定結果を示し、(a)〜
(h)の内容は、それぞれ前記の表4および表5に対応
している。
Table 6 also shows the determination results of the feasibility in the case of 3-bit gradation display.
The contents of (h) correspond to Tables 4 and 5, respectively.

【0105】[0105]

【表6】 [Table 6]

【0106】この表6から、走査信号線数が3,5,
6,7,8,9,10(以下続くが省略)の場合に、前
記式2〜4を満足することが理解される。
It is understood from Table 6 that the number of scanning signal lines is 3, 5,
It is understood that in the cases of 6, 7, 8, 9, and 10 (hereinafter, omitted but omitted), the above Expressions 2 to 4 are satisfied.

【0107】前述の図17で示す走査方法も、前述の図
14で示す走査方法と同様に、電流測定を行わない構成
についても適用することができ、その場合の駆動方法の
一例を図18で示す。図18(1)〜(22)は、図1
7(1)〜(22)にそれぞれ対応している。このよう
に構成することによって、電流測定を行わない構成につ
いても、nbit分の発光に使用される時間≠nbit
分の走査に必要な時間での走査を実現することができ
る。
The scanning method shown in FIG. 17 can be applied to a configuration in which no current is measured, similarly to the scanning method shown in FIG. 14, and an example of a driving method in that case is shown in FIG. Show. FIGS. 18 (1) to (22) correspond to FIG.
7 (1) to 7 (22). With this configuration, even when the current is not measured, the time used for light emission for n bitsbnbit
Scanning in the time required for minute scanning can be realized.

【0108】なお、図19に、前記表4における発光が
不連続となる場合の駆動方法の一例を示す。この図19
の例は、前記表4(h)において「▲」である4bit
階調で表示可能であるけれども発光期間が不連続となる
判定例である走査信号線がG1〜G10の10本の場合
を示す。図19(1)〜(5),(16)は、図17
(1)〜(5),(22)にそれぞれ対応しており、前
記走査信号線G1〜G10の選択状態はそれぞれ図19
(6)〜(15)である。図19(1)では、走査期間
Tsは、10等分されている。
FIG. 19 shows an example of a driving method when the light emission in Table 4 is discontinuous. This FIG.
Is an example of 4-bit “で” in Table 4 (h).
A case where ten scanning signal lines G1 to G10 are shown, which is an example of a determination in which light emission periods are discontinuous although display is possible in gradations, is shown. FIGS. 19 (1) to 19 (5) and (16) show FIG.
(1) to (5) and (22), respectively, and the selection states of the scanning signal lines G1 to G10 are respectively shown in FIG.
(6) to (15). In FIG. 19A, the scanning period Ts is divided into ten equal parts.

【0109】表示期間Taの最初の走査期間Ts1にb
it4のデータを表示させながら、TFTQ10を介し
てそのデータが画素メモリR1に記憶されるが、直ちに
その走査を追いかけるように、1部分時間後から走査信
号線Sを選択走査し、コンデンサC1のデータを消去し
て、ブランク表示が行われる。この走査によって、走査
信号線G1〜G10まで選択を終了すると、連続して次
の走査期間Ts2に入り、表示をbit4に対応したデ
ータからbit1に対応したデータに切換える。この走
査を追いかけるように、2部分時間後からビット選択線
Saを選択走査し、TFTQ10を介して前記画素メモ
リR1からデータを読出して、bit4に対応したデー
タの表示を行う。
During the first scanning period Ts1 of the display period Ta, b
While displaying the data of it4, the data is stored in the pixel memory R1 via the TFT Q10. In order to immediately follow the scanning, the scanning signal line S is selectively scanned after one partial time, and the data of the capacitor C1 is scanned. Is erased, and a blank display is performed. When the selection of the scanning signal lines G1 to G10 is completed by this scanning, the next scanning period Ts2 is successively entered, and the display is switched from the data corresponding to bit4 to the data corresponding to bit1. In order to follow this scanning, the bit selection line Sa is selectively scanned after two partial times, data is read from the pixel memory R1 via the TFT Q10, and data corresponding to bit4 is displayed.

【0110】bit1に対応したデータを表示させる走
査を走査信号線G1〜G10まで終了すると、連続して
次の走査期間Ts3に入り、表示をbit3に対応した
データに切換える。この走査を追いかけるように、8部
分時間後からビット選択線Saの選択走査を開始し、T
FTQ10を介して前記画素メモリR1からデータを読
出して、再びbit4に対応したデータの表示を行う。
bit3に対応したデータをコンデンサC1に保持させ
る走査を走査信号線G1〜G10まで終了したら、連続
して次の走査期間Ts4に入り、表示をbit2に対応
したデータに切換える。この走査を追いかけるように、
4部分時間後に、画素メモリR1からデータを読出し
て、再びbit4に対応したデータの表示を行う。この
最後のbit4のデータに対応した表示までに、1+8
+2=11部分時間だけ表示しているので、この走査を
追いかけるように、5部分時間後に走査信号線Sを選択
走査し、コンデンサC1のデータを消去して、次の電流
測定期間Tmにあたってのブランク表示を行う。
When the scanning for displaying the data corresponding to bit 1 is completed for the scanning signal lines G1 to G10, the next scanning period Ts3 is continuously entered, and the display is switched to the data corresponding to bit 3. In order to follow this scanning, the selection scanning of the bit selection line Sa is started after 8 partial time, and T
Data is read from the pixel memory R1 via the FTQ10, and data corresponding to bit4 is displayed again.
When the scanning for holding the data corresponding to bit 3 in the capacitor C1 is completed for the scanning signal lines G1 to G10, the next scanning period Ts4 is continuously entered to switch the display to the data corresponding to bit 2. As you follow this scan,
After four partial hours, the data is read from the pixel memory R1, and the data corresponding to bit 4 is displayed again. 1 + 8 before the display corresponding to the data of the last bit 4
Since + 2 = 11 partial time periods are displayed, the scanning signal line S is selectively scanned after 5 partial time periods so as to follow this scan, the data of the capacitor C1 is erased, and blanking is performed in the next current measurement period Tm. Display.

【0111】このように、1フレーム期間Tfに離散す
る表示期間Tdが存在することを許容するのであれば、
前記図17の走査と同様に、nbit分の発光に使用さ
れる時間≠nbit分の走査に必要な時間での走査を実
現することができる。
As described above, if the existence of the display period Td discrete in one frame period Tf is allowed,
As in the case of the scan in FIG. 17, it is possible to realize the scan for the time required for the scan for n bits, which is the time used for light emission for n bits.

【0112】この図19で示す駆動方法も、前述の図1
4および図17で示す駆動方法と同様に、電流測定を行
わない構成についても適用することができ、その場合の
駆動方法の一例を図20で示す。図20(1)〜(1
6)は、図19(1)〜(16)にそれぞれ対応してい
る。
The driving method shown in FIG. 19 also corresponds to the driving method shown in FIG.
Similar to the driving method shown in FIGS. 4 and 17, a configuration in which current measurement is not performed can also be applied. An example of the driving method in that case is shown in FIG. 20. FIGS. 20 (1) to (1)
6) respectively correspond to FIGS. 19 (1) to 19 (16).

【0113】本発明の実施の第5の形態について、図2
1〜図23に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。
FIG. 2 shows a fifth embodiment of the present invention.
The following is a description based on FIGS. 1 to 23.

【0114】図21は、本発明の実施の第5の形態の有
機ELディスプレイにおける素子回路Adの電気回路図
である。この素子回路Adは、前述の図16で示す素子
回路Acに類似し、対応する部分には同一の参照符号を
付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、この
素子回路Adでは、前記電源線Eとは独立したロジック
用のもう1つの電源線Eaを備えるとともに、コンデン
サC1および画素メモリR1は、その電源線Eaに接続
されることである。
FIG. 21 is an electric circuit diagram of the element circuit Ad in the organic EL display according to the fifth embodiment of the present invention. This element circuit Ad is similar to the element circuit Ac shown in FIG. 16 described above, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. It should be noted that the element circuit Ad includes another power line Ea for logic independent of the power line E, and the capacitor C1 and the pixel memory R1 are connected to the power line Ea. is there.

【0115】この新たなロジック用の電源線Eaを備え
ることで、前記図19で示す走査を、図22のように変
化することができる。図22(1)〜(3),(5)〜
(17)は、図19(1)〜(3),(4)〜(16)
にそれぞれ対応している。図22(4)は、前記電源線
Eの電圧を示し、この例では、VDD電位とGND電位
との間で変化可能となっている。
By providing this new logic power supply line Ea, the scanning shown in FIG. 19 can be changed as shown in FIG. FIGS. 22 (1) to (3), (5) to
(17) corresponds to FIGS. 19 (1) to (3) and (4) to (16).
Respectively. FIG. 22D shows the voltage of the power supply line E. In this example, the voltage can be changed between the VDD potential and the GND potential.

【0116】先ず、1フレーム期間Tfの最初に電流測
定期間Tmを設け、その期間は電源線EをVDD電位と
して各素子回路Adの電流測定が行われる。次に、走査
期間Ts1では、電源線EをGND電位として、bit
4のデータが画素メモリR1に記憶されてゆく。この走
査を追いかけるように、1単位時間後に、ブランク表示
とされ、コンデンサC1には非発光状態に対応した電位
が保持されてゆく。この走査期間Ts1では、電源線E
の電位が前述のようにGND電位であるので、有機EL
素子Pは発光しない。
First, a current measurement period Tm is provided at the beginning of one frame period Tf, during which period the current of each element circuit Ad is measured with the power supply line E set to the VDD potential. Next, in the scanning period Ts1, the power supply line E is set to the GND potential and
4 is stored in the pixel memory R1. To follow this scan, blank display is performed after one unit time, and a potential corresponding to the non-light emitting state is held in the capacitor C1. In this scanning period Ts1, the power supply line E
Is the GND potential as described above, so that the organic EL
The element P does not emit light.

【0117】このようなbit4のデータの画素メモリ
R1への書込みが走査信号線G1〜G10に対して順に
行われると、電源線EがVDD電位とされた後、次の走
査期間Ts2に入り、bit1に対応したデータが表示
される。そして、この走査を追いかけるように、2単位
時間後に、画素メモリR1のデータが読出されて、bi
t4のデータに対応した表示が始めて行われる。
When such bit 4 data is sequentially written to the pixel memory R1 with respect to the scanning signal lines G1 to G10, after the power supply line E is set to the VDD potential, the next scanning period Ts2 is entered. The data corresponding to bit1 is displayed. Then, the data in the pixel memory R1 is read out after two unit time to follow this scan,
The display corresponding to the data at t4 is performed for the first time.

【0118】走査期間Ts3に入り、bit3に対応し
たデータが表示され、この走査を追いかけるように、8
単位時間後に、画素メモリR1のデータが読出されて、
bit4のデータに対応した表示が再び行われる。走査
期間Ts4でも、bit2に対応したデータが表示され
た後、4単位時間後に、画素メモリR1のデータが読出
されて、bit4のデータに対応した表示が再び行われ
る。こうして、bit4に対応したデータは、8+2+
6=16単位時間表示される。その後、消去期間Tsa
で、一旦、総ての回路素子Adを流れる電流をクリアす
ることで、次の電流測定期間Tmでの電流測定が可能と
なる。
In the scanning period Ts3, data corresponding to bit 3 is displayed.
After a unit time, the data in the pixel memory R1 is read out,
The display corresponding to the data of bit 4 is performed again. Also in the scanning period Ts4, after the data corresponding to bit2 is displayed, the data in the pixel memory R1 is read out four unit times later, and the display corresponding to the data in bit4 is performed again. Thus, the data corresponding to bit 4 is 8 + 2 +
6 = 16 unit times are displayed. Thereafter, the erasing period Tsa
Then, once the current flowing through all the circuit elements Ad is cleared, the current can be measured in the next current measurement period Tm.

【0119】このように、有機EL素子Pの電源線Eを
制御しながら画素メモリR1ヘデータを書込んでゆくこ
とで、表4の判定(h)で「▲」となっている走査信号
線数の総て(の同一1フレームの表示)を連続的に表示
可能にすることができ、前記走査信号線数の制限をなく
すことができる。
As described above, by writing data to the pixel memory R1 while controlling the power supply line E of the organic EL element P, the number of scanning signal lines indicated by “▲” in the judgment (h) of Table 4 is obtained. (Display of the same one frame) can be continuously displayed, and the limitation on the number of scanning signal lines can be eliminated.

【0120】この図22で示す駆動方法も、前述の図1
4および図17で示す駆動方法と同様に、電流測定を行
わない構成についても適用することができ、その場合の
駆動方法の一例を図23で示す。図23(1)〜(1
7)は、図22(1)〜(17)にそれぞれ対応してい
る。
The driving method shown in FIG. 22 is also the same as that shown in FIG.
Similar to the driving method shown in FIGS. 4 and 17, a configuration in which current measurement is not performed can also be applied, and an example of the driving method in that case is shown in FIG. FIGS. 23 (1) to 23 (1)
7) corresponds to FIGS. 22 (1) to (17), respectively.

【0121】本発明の実施の第6の形態について、図2
4〜図26に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。
FIG. 2 shows a sixth embodiment of the present invention.
The following is a description based on FIGS. 4 to 26.

【0122】図24は、本発明の実施の第6の形態の有
機ELディスプレイにおける素子回路Aeの電気回路図
である。この素子回路Aeは、前述の図21で示す素子
回路Adに類似し、対応する部分には同一の参照符号を
付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、この
素子回路Aeでは、前記選択信号線Sおよびそれに対応
したTFTQ3が設けられていないことである。すなわ
ち、前述の素子回路Adのように、有機EL素子Pの電
源線Eと画素メモリR1の電源線Eaとを個別に制御し
ている場合、この素子回路Aeのように初期化用のTF
TQ3を持たない構成であっても、同等の表示を行うこ
とができる。
FIG. 24 is an electric circuit diagram of the element circuit Ae in the organic EL display according to the sixth embodiment of the present invention. The element circuit Ae is similar to the element circuit Ad shown in FIG. 21 described above, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. It should be noted that in the element circuit Ae, the selection signal line S and the TFT Q3 corresponding thereto are not provided. That is, when the power supply line E of the organic EL element P and the power supply line Ea of the pixel memory R1 are individually controlled as in the element circuit Ad described above, the TF for initialization is controlled as in the element circuit Ae.
Even in a configuration without TQ3, equivalent display can be performed.

【0123】図25は、前記素子回路Aeの駆動方法の
一例を示す図である。図25(1)〜(4),(5),
(14)は、図22(1)〜(4),(6),(17)
にそれぞれ対応している。この例では、走査信号線はG
1〜G8の8本であり、その選択状態はそれぞれ図25
(6)〜(13)で示される。図25(1)では、走査
期間Tsは、8等分されている。
FIG. 25 is a diagram showing an example of a method of driving the element circuit Ae. 25 (1) to (4), (5),
(14) corresponds to FIGS. 22 (1) to (4), (6) and (17).
Respectively. In this example, the scanning signal line is G
1 to G8, and the selected state is shown in FIG.
(6) to (13) are shown. In FIG. 25A, the scanning period Ts is equally divided into eight.

【0124】先ず、1フレーム期間Tfの最初に電流測
定期間Tmを設け、その期間は電源線EをVDD電位と
して各素子回路Aeの電流測定が行われる。次に、走査
期間Ts1では、電源線EをGND電位として、bit
4のデータが画素メモリR1に記憶されてゆく。この走
査を追いかけるように、前述の素子回路Adでは1単位
時間後にブランク表示のデータがコンデンサC1にセッ
トされていたのに対して、この素子回路Aeではブラン
ク走査が行われないけれども、電源線Eの電位が前述の
ようにGND電位であるので、有機EL素子Pは発光し
ない。
First, a current measurement period Tm is provided at the beginning of one frame period Tf, and in that period, the current of each element circuit Ae is measured with the power supply line E set to the VDD potential. Next, in the scanning period Ts1, the power supply line E is set to the GND potential and
4 is stored in the pixel memory R1. In order to follow this scanning, in the above-described element circuit Ad, blank display data is set in the capacitor C1 after one unit time, whereas in this element circuit Ae, blank scanning is not performed. Is the GND potential as described above, the organic EL element P does not emit light.

【0125】このようなbit4のデータの画素メモリ
R1への書込みが走査信号線G1〜G8に対して順に行
われると、電源線EがVDD電位とされた後、次の走査
期間Ts2に入り、bit1に対応したデータが表示さ
れる。そして、この走査を追いかけるように、2単位時
間後に、画素メモリR1のデータが読出されて、bit
4のデータに対応した表示が始めて行われる。
When such bit 4 data is written to the pixel memory R1 in order on the scanning signal lines G1 to G8, the power supply line E is set to the VDD potential, and then the next scanning period Ts2 is entered. The data corresponding to bit1 is displayed. Then, after two unit times, the data in the pixel memory R1 is read out and the bit
The display corresponding to the data No. 4 is performed for the first time.

【0126】走査期間Ts3に入り、bit3に対応し
たデータが該走査期間Ts3の8単位時間の全長に亘っ
て表示され、bit3のデータの表示が終了すると、次
の走査期間Ts4に入り、bit2に対応したデータが
表示された後、4単位時間後に、画素メモリR1のデー
タが読出されて、bit4のデータに対応した表示が再
び行われる。このbit4のデータの読出しが総ての走
査信号線G1〜G8に対して終了すると、該bit4に
対応したデータは、6+8=14単位時間表示されたこ
とになるので、さらに2単位時間後に、消去期間Tsa
となり、電源線Eの電位がGND電位とされて、一旦、
総ての回路素子Aeを流れる電流をクリアすることで、
次の電流測定期間Tmでの電流測定が可能となる。
In the scanning period Ts3, data corresponding to bit 3 is displayed over the entire length of the scanning unit Ts3 for 8 unit times, and when the display of the data in bit 3 is completed, the next scanning period Ts4 is entered and bit 2 is entered. Four units of time after the corresponding data is displayed, the data in the pixel memory R1 is read, and the display corresponding to the data in bit4 is performed again. When the reading of the data of bit 4 is completed for all the scanning signal lines G1 to G8, the data corresponding to bit 4 is displayed for 6 + 8 = 14 unit times, so that the data is erased after another 2 unit times. Period Tsa
And the potential of the power supply line E is set to the GND potential.
By clearing the current flowing through all circuit elements Ae,
Current measurement can be performed in the next current measurement period Tm.

【0127】ここで、上記のような走査が可能となる条
件は、発光に使用される時間 ≧(走査信号線数×(bit数4−1)+bit1の表示期間)…(5) である。そこで、表1の判定(f)において「▲」を記
し、表示できないとした条件でも、上記式5は満足する
ので、この図25のように走査は不連続となるけれど
も、設定された4bit階調での表示は可能となる。こ
のように、本駆動方法を採用することによって、前述の
走査信号線数の制限の課題を緩和することができる。
Here, the conditions under which the above-described scanning is possible are as follows: time used for light emission ≧ (number of scanning signal lines × (number of bits 4-1) + display period of bit 1) (5). Therefore, even if the determination (f) in Table 1 indicates “▲” and the display cannot be performed, the above Expression 5 is satisfied. Therefore, the scanning becomes discontinuous as shown in FIG. The display in the key is possible. As described above, by employing this driving method, the above-described problem of the limitation on the number of scanning signal lines can be eased.

【0128】図26は、この図25で示す駆動方法で、
電流測定を行わない場合の駆動方法の一例を示す図であ
る。図26(1)〜(14)は、図25(1)〜(1
4)にそれぞれ対応している。
FIG. 26 shows a driving method shown in FIG.
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a driving method when current measurement is not performed. FIGS. 26 (1) to (14) show FIGS. 25 (1) to (1).
4) respectively.

【0129】本発明の実施の第7の形態について、図2
7および図28に基づいて説明すれば、以下のとおりで
ある。
FIG. 2 shows a seventh embodiment of the present invention.
7 and FIG. 28 are as follows.

【0130】図27は、本発明の実施の第7の形態の有
機ELディスプレイにおける素子回路Afの電気回路図
である。この素子回路Afは、前述の図21で示す素子
回路Adに類似し、対応する部分には同一の参照符号を
付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、この
素子回路Afでは、2つの画素メモリR21,R22を
備えており、それらはコンデンサC21,C22と、そ
れに直列に挿入されるn型のTFTQ21,Q22とに
よって構成されていることである。一方、前記コンデン
サC1はn型のTFTQ20を介して電源線Eに接続さ
れ、前記TFTQ20は選択線Scによって制御され
る。
FIG. 27 is an electric circuit diagram of the element circuit Af in the organic EL display according to the seventh embodiment of the present invention. The element circuit Af is similar to the element circuit Ad shown in FIG. 21 described above, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. It should be noted that this element circuit Af includes two pixel memories R21 and R22, which are constituted by capacitors C21 and C22 and n-type TFTs Q21 and Q22 inserted in series with the capacitors C21 and C22. It is. On the other hand, the capacitor C1 is connected to a power supply line E via an n-type TFT Q20, and the TFT Q20 is controlled by a selection line Sc.

【0131】したがって、前述の画素メモリR1,R2
が、CMOSインバータINV1,INV2から成るス
タティックメモリ構成でデジタルデータをストアしてい
たのに対して、この画素メモリR21,R22は、コン
デンサC21,C22から成るダイナミックメモリ構成
でアナログデータをストアすることができ、前述のデジ
タル階調制御と、電圧値によるアナログ階調制御とを併
用することができる。画素メモリR21,R22に要求
される記憶時間が、前述のように数Hz以上の1フレー
ム期間Tf以内である場合には、このように画素メモリ
R21,R22がダイナミックメモリ構成であっても、
支障があまりない。また、コンデンサC21,C22を
改めて形成しなくとも、TFTQ20等のアクティブ素
子や有機EL素子Pに付随する浮遊容量を用いて電位を
保持することもできる。
Therefore, the above-mentioned pixel memories R1, R2
Has stored digital data in a static memory configuration including CMOS inverters INV1 and INV2, whereas the pixel memories R21 and R22 can store analog data in a dynamic memory configuration including capacitors C21 and C22. Thus, the above-described digital gradation control and the analog gradation control based on the voltage value can be used together. When the storage time required for the pixel memories R21 and R22 is within one frame period Tf of several Hz or more as described above, even if the pixel memories R21 and R22 have a dynamic memory configuration as described above,
There is not much trouble. Further, even if the capacitors C21 and C22 are not newly formed, the potential can be held by using the floating element attached to the active element such as the TFT Q20 or the organic EL element P.

【0132】ビット選択線Sa,SbによってTFTQ
21,Q22の何れも導通状態でないときに、前記選択
線ScによってTFTQ20が導通され、コンデンサC
1へのデータの書込み・消去/読出しが行われる。この
ように構成することによって、有機EL素子Pの輝度補
正を、前記のように、デジタル階調制御とアナログ階調
制御とを併用して行うことができる。
The TFT Q is controlled by the bit selection lines Sa and Sb.
When none of the transistors 21 and Q22 is conducting, the TFT Q20 is conducted by the selection line Sc and the capacitor C
Data writing / erasing / reading to 1 is performed. With this configuration, the luminance correction of the organic EL element P can be performed by using both the digital gradation control and the analog gradation control as described above.

【0133】また、図28の素子回路Agは、上述の素
子回路Afに類似したものであり、有機EL素子Pの非
発光状態と、コンデンサC1へのデータの書込み・消去
/読出し状態の制御とを個別に実現するものである。
The element circuit Ag of FIG. 28 is similar to the above-described element circuit Af, and controls the non-emission state of the organic EL element P and the write / erase / read state of data to / from the capacitor C1. Are realized individually.

【0134】本発明の実施の第8の形態について、図2
9〜図31に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。
An eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The following is a description based on FIGS. 9 to 31.

【0135】図29は、本発明の実施の第8の形態の有
機ELディスプレイにおける素子回路Ahの電気回路図
である。この素子回路Ahは、前述の図9で示す素子回
路Abに類似し、対応する部分には同一の参照符号を付
して示し、その説明を省略する。この素子回路Ahで
は、前記素子回路Abにおける画素メモリR2が設けら
れておらず、画素メモリR1のみを備えている。この素
子回路Ahは、1つの画素メモリR1であっても、前記
の素子回路Aeのように走査を不連続とすることで、以
下に詳述するように、前記素子回路Abと同様に、4b
it階調表示が可能となっている。
FIG. 29 is an electric circuit diagram of the element circuit Ah in the organic EL display according to the eighth embodiment of the present invention. This element circuit Ah is similar to the element circuit Ab shown in FIG. 9 described above, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. In the element circuit Ah, the pixel memory R2 in the element circuit Ab is not provided, and only the pixel memory R1 is provided. This element circuit Ah, even in the case of one pixel memory R1, makes the scanning discontinuous as in the element circuit Ae, as described in detail below.
It is possible to perform it gray scale display.

【0136】図30は、前記素子回路Ahの駆動方法の
一例を示す図である。この図30では、電流測定期間T
mを終了した後の表示期間Taを説明している。この例
では、走査信号線はG1〜G14の14本で1つの単位
と想定されており、各走査信号線G1〜G14の選択状
態を、図30(5)〜(18)で示している。図30
(1)は単位時間表示であり、図30(19)は通算の
時間表示(単位時間数)である。図30(3)はbit
4のデータの通算表示時間を示し、図30(4)は、ビ
ットの重みを示す。図30(2)は、ビット選択線Sa
1の選択走査を示す。
FIG. 30 is a diagram showing an example of a driving method of the element circuit Ah. In FIG. 30, the current measurement period T
The display period Ta after the completion of m is described. In this example, 14 scanning signal lines G1 to G14 are assumed to be one unit, and the selection states of the scanning signal lines G1 to G14 are shown in FIGS. 30 (5) to (18). FIG.
(1) is a unit time display, and FIG. 30 (19) is a total time display (unit time number). FIG. 30 (3) shows the bit
4 shows the total display time of the data No. 4, and FIG. 30 (4) shows the bit weight. FIG. 30 (2) shows the bit selection line Sa
1 shows a selective scan.

【0137】表示期間Taの最初の走査期間Ts1にお
いて、走査信号線G1〜G14が順に選択されてbit
4のデータを表示させながら、ビット選択線Saが選択
されて該bit4のデータが画素メモリR1に書込まれ
てゆく。走査信号線G1〜G14の選択を終了するま
で、したがって14単位時間に亘って、該bit4のデ
ータが表示される。
In the first scanning period Ts1 of the display period Ta, the scanning signal lines G1 to G14 are sequentially selected and bit
While displaying the data of No. 4, the bit selection line Sa is selected, and the data of the bit 4 is written into the pixel memory R1. The data of the bit 4 is displayed until the selection of the scanning signal lines G1 to G14 is completed, that is, for 14 unit times.

【0138】走査期間Ts1が終了すると、連続して次
の走査期間Ts2に入り、表示をbit4に対応したデ
ータからbit3のデータヘ切換えながら、該bit3
のデータを前記16単位時間に亘って表示する。ここ
で、走査期間Ts2は14単位時間であるので、走査信
号線G14が選択走査された後、2単位時間は休止期間
となる。
When the scanning period Ts1 ends, the next scanning period Ts2 is successively entered, and the display is switched from the data corresponding to bit4 to the data of bit3 while the display of bit3 is changed.
Is displayed over the 16 unit time. Here, since the scanning period Ts2 is 14 unit times, after the scanning signal line G14 is selectively scanned, two unit times become a pause period.

【0139】前記休止期間を終了すると、走査期間Ts
3では、表示をbit3に対応したデータからbit2
のデータヘ切換え、8単位時間に亘って表示した後、走
査信号線G1〜G14が選択されていない状態で、その
選択を追いかけるように、ビット選択線Saが選択され
てbit4のデータが画素メモリR1から読出され、残
りの6単位時間に亘って表示される。これによって、b
it4のデータの通算表示時間は20単位時間となる。
When the pause period ends, the scanning period Ts
In 3, the display is changed from the data corresponding to bit3 to bit2.
After the display is switched over to 8 units of time and displayed for 8 unit times, the bit selection line Sa is selected and the data of bit 4 is stored in the pixel memory R1 so as to follow the selection while the scanning signal lines G1 to G14 are not selected. And displayed over the remaining six unit times. This gives b
The total display time of the data of it4 is 20 unit times.

【0140】走査期間Ts4では、表示をbit4に対
応したデータからbit1のデータヘ切換え、4単位時
間に亘って表示した後、ビット選択線Saが選択されて
bit4のデータが画素メモリR1から再び読出され、
残りの10単位時間に亘って表示される。そして、走査
期間Ts4の後の2単位時間の休止期間も、前記bit
4のデータは表示され続ける。これによって、該bit
4のデータの通算表示時間は32単位時間となり、各b
itの表示期間の比率が、前記1:2:4:8となる。
In the scanning period Ts4, the display is switched from the data corresponding to bit 4 to the data of bit 1, and after displaying for 4 unit times, the bit selection line Sa is selected and the data of bit 4 is read out again from the pixel memory R1. ,
It is displayed for the remaining 10 unit times. The pause period of two unit times after the scanning period Ts4 is also the same as the bit period.
4 continues to be displayed. By this, the bit
The total display time of the data of No. 4 is 32 unit times, and each b
The ratio of the display period of it is 1: 2: 4: 8.

【0141】前記休止期間を終了すると、次の消去期間
Tsaに入り、表示をbit4に対応した画素メモリR
1のデータから、非発光状態に対応したデータに切換
え、コンデンサC1に保持させてゆくとともに、ブラン
ク表示を行う。
When the pause period ends, the next erase period Tsa starts, and the display is performed in the pixel memory R corresponding to bit 4.
The data is switched from the data of No. 1 to the data corresponding to the non-light emitting state, and the data is stored in the capacitor C1 and blank display is performed.

【0142】このような休止期間を挿入した不連続な走
査を行うことで、1つの画素メモリR1であっても、4
bit階調表示を可能とすることができる。しかしなが
ら、実際に走査に使用する時間は、前記図16の素子回
路Acのように消去用のTFTQ3を備える構成に比べ
て長くなる。その比率を表7に示す。
By performing the discontinuous scanning with the pause period inserted, even if one pixel memory R1 has four pixels,
Bit gradation display can be performed. However, the time actually used for scanning is longer than in the configuration including the erasing TFT Q3 as in the element circuit Ac of FIG. Table 7 shows the ratio.

【0143】[0143]

【表7】 [Table 7]

【0144】表7において、(a)はbit数(図30
では4)、(b)は走査信号線数(図30では14)、
(c)は本来走査に必要な時間(図30では4×14=
56単位時間)、(d)は1階調当りの表示期間、
(e)は第2位のbitの表示期間(図30では16単
位時間)、(f)本駆動方法に実際に使用する時間(図
30では60単位時間)、(h)は実際に使用する時間
/本来走査に必要な時間の比である。
In Table 7, (a) shows the number of bits (FIG. 30).
4), (b) is the number of scanning signal lines (14 in FIG. 30),
(C) is the time required for scanning (in FIG. 30, 4 × 14 =
56d), (d) is a display period per gradation,
(E) is the display period of the second bit (16 unit time in FIG. 30), (f) is the time actually used in this drive method (60 unit time in FIG. 30), and (h) is the actual use Time / ratio of time originally required for scanning.

【0145】この表7には、前記図30の条件も含め、
bit数が4,5,6の場合をそれぞれ幾つか例示して
いる。この表7から、表示期間に占める走査時間の比率
が2割程度低下するけれども、前記の不連続な走査を行
うことで、前記消去用のTFTQ3およびその走査信号
線Sを追加することによるTFTおよび配線数の増加を
回避することができる。
Table 7 includes the conditions shown in FIG.
Some cases where the number of bits is 4, 5, and 6 are illustrated. From Table 7, although the ratio of the scanning time to the display period is reduced by about 20%, by performing the discontinuous scanning, the TFT Q3 for erasing and the TFT and the scanning signal line S by adding the scanning signal line S are added. An increase in the number of wirings can be avoided.

【0146】図31は、この図30で示す駆動方法で、
電流測定を行わない場合の駆動方法の一例を示す図であ
る。図31(1)〜(19)は、図30(1)〜(1
9)にそれぞれ対応している。ところで、このような電
流測定を行わない場合、前述の図16で示す素子回路A
cでは、図18で示すように非発光期間が存在するのに
対して、図29で示す素子回路Ahでは、この図31で
示すように非発光期間が存在しないので、その分好まし
いと言える。すなわち、非発光期間が存在しなければ、
その分、1フレーム期間Tfの平均輝度として必要な輝
度を得るための単位時間当りの輝度を下げることができ
る。有機EL素子は、同じ発光輝度でも、瞬時発光輝度
が低い程寿命が長くなる傾向があるので、図31の駆動
方法の方が、図18の駆動方法より、その点で有利と言
える。
FIG. 31 shows a driving method shown in FIG.
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a driving method when current measurement is not performed. FIGS. 31 (1) to (19) show FIGS. 30 (1) to (1).
9) respectively. By the way, when such a current measurement is not performed, the element circuit A shown in FIG.
In c, there is a non-light emitting period as shown in FIG. 18, whereas in the element circuit Ah shown in FIG. 29, there is no non-light emitting period as shown in FIG. 31. That is, if there is no non-emission period,
Accordingly, the luminance per unit time for obtaining the required luminance as the average luminance in one frame period Tf can be reduced. The organic EL element tends to have a longer life as the instantaneous light emission luminance is lower even at the same light emission luminance. Therefore, it can be said that the driving method in FIG. 31 is more advantageous than the driving method in FIG.

【0147】なお、前記有機EL素子Pの構造として
は、たとえばガラス基板の上にITO等の透明な陽極を
形成し、その上に有機多層膜、さらにAl等の陰極を形
成した構成で実現することができる。また、前記有機多
層膜にも幾つかの構造があるけれども、たとえば、正孔
入層(または陽極バッファ層)としてCuPcを、正孔
輸送層としてTPDを、発光層としてDPVBi、Zn
(oxz)2、DCMをドーパントとしたAlq等を、
電子輸送層としてはAlq等を積層した構成が好まし
い。
The structure of the organic EL element P is realized by, for example, forming a transparent anode such as ITO on a glass substrate and forming an organic multilayer film and a cathode such as Al on the transparent anode. be able to. Although the organic multilayer film has several structures, for example, CuPc is used as a hole injecting layer (or an anode buffer layer), TPD is used as a hole transport layer, and DPVBi, Zn is used as a light emitting layer.
(Oxz) 2, Alq or the like using DCM as a dopant,
As the electron transport layer, a configuration in which Alq or the like is laminated is preferable.

【0148】一方、上述のような有機EL素子Pを駆動
するためのTFTは、電荷移動度の大きな多結晶シリコ
ンプロセスで製作されたTFTを用いる必要があり、た
とえば特開平10−301536号公報などで実現する
ことができる。上記の工程では、プロセスの最高温度
を、ゲート絶縁膜形成時の600℃程度に抑えることが
でき、高耐熱性ガラスを使用することができる。
On the other hand, as a TFT for driving the organic EL element P as described above, it is necessary to use a TFT manufactured by a polycrystalline silicon process having a large charge mobility, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-301536. Can be realized. In the above steps, the maximum temperature of the process can be suppressed to about 600 ° C. at the time of forming the gate insulating film, and high heat-resistant glass can be used.

【0149】[0149]

【発明の効果】本発明の表示装置は、以上のように、マ
トリクス状に配列された電気光学素子が第1のアクティ
ブ素子によって駆動される表示装置において、負荷電流
を測定し、その測定結果に基づいて表示データを補正す
るにあたって、毎単位表示期間毎に、または複数の単位
表示期間毎に、周期的に電流測定を行う。
As described above, according to the display device of the present invention, the load current is measured in the display device in which the electro-optical elements arranged in a matrix are driven by the first active elements. In correcting the display data based on the current, the current is periodically measured for each unit display period or for a plurality of unit display periods.

【0150】それゆえ、所望とする階調を得るための表
示データを、周囲温度変化などに対応してダイナミック
に補正するにあたって、アクティブマトリクスのパネル
であっても、電流測定手段を各電気光学素子毎に設ける
必要をなくし、電流値検出を効率的に行うことができる
とともに、開口率を向上することもできる。
Therefore, in dynamically correcting display data for obtaining a desired gradation in response to a change in ambient temperature or the like, even if the panel is of an active matrix, the current measuring means must be connected to each electro-optical element. This eliminates the necessity of providing each time, the current value can be detected efficiently, and the aperture ratio can be improved.

【0151】また、本発明の表示装置は、以上のよう
に、メモリ素子を有する構成では、走査されていなくて
も、表示データがあると発光してしまい、予め定める信
号レベルを与えての負荷電流の測定にあたって、他の電
気光学素子の負荷電流の影響が生じてしまうのに対し
て、事前に非発光状態とする走査を行う。
In the display device of the present invention, as described above, in a configuration having a memory element, even when scanning is not performed, the display device emits light when display data is present, so that a load given a predetermined signal level is applied. When the current is measured, scanning is performed in advance to set the non-light-emitting state while the effect of the load current of the other electro-optical element is caused.

【0152】それゆえ、前記他の電気光学素子による影
響をなくし、所望とする電気光学素子の負荷電流を正確
に測定することができる。
Therefore, the influence of the other electro-optical element can be eliminated, and the desired load current of the electro-optical element can be accurately measured.

【0153】さらにまた、本発明の表示装置は、以上の
ように、前記メモリ素子に関連して第2のアクティブ素
子をさらに備え、前記第1のアクティブ素子によって表
示信号レベルを設定し、前記第2のアクティブ素子によ
って消去信号レベルを設定する。
Further, as described above, the display device of the present invention further includes a second active element in association with the memory element, and sets a display signal level by the first active element. The erase signal level is set by the two active elements.

【0154】それゆえ、第1のアクティブ素子の選択走
査によって表示が開始された後、その選択走査が総ての
第1のアクティブ素子について終了する以前に、第2の
アクティブ素子の選択走査によって前記表示を消去する
ことができ、単位表示時間を、走査期間よりも短くする
ことができる。これによって、デジタル階調制御を行う
にあたって、下位のビットのデータにも、そのビットの
重みに対応した短時間の表示を正確に行わせることがで
き、ビット数の多い細かな階調制御を行うことができ
る。
Therefore, after the display is started by the selective scanning of the first active element and before the selective scanning is completed for all the first active elements, the selective scanning of the second active element is performed by the selective scanning. The display can be erased, and the unit display time can be shorter than the scanning period. Accordingly, in performing digital gradation control, it is possible to accurately perform short-time display corresponding to the weight of the lower-order bit data, and perform fine gradation control with a large number of bits. be able to.

【0155】また、本発明の表示装置は、以上のよう
に、前記メモリ素子に関連して、1または複数の画素メ
モリを設け、それを第1のアクティブ素子のための第1
の信号線とは異なるビット選択線で駆動する。
In addition, as described above, the display device of the present invention is provided with one or a plurality of pixel memories in association with the memory elements, and the one or more pixel memories are provided for the first active element.
Are driven by a bit selection line different from the signal line of (1).

【0156】それゆえ、1走査期間内で、下位のビット
のデータを表示して残った時間を上位のビットのデータ
の表示に用いることができ、複数の各ビットに対して等
間隔の走査期間を設定しても、表示期間中の非走査期間
や非発光期間を短くすることができる新規な時間分割階
調表示を実現することができる。
Therefore, in one scanning period, the remaining time of displaying lower-order bit data can be used for displaying higher-order bit data. , It is possible to realize a new time-division gray scale display in which the non-scanning period and the non-light emitting period in the display period can be shortened.

【0157】さらにまた、本発明の表示装置は、以上の
ように、前記メモリ素子には、前記電気光学素子へ負荷
電流を供給する第1の電源線とは個別に設けた第2の電
源線から電源供給を行う。
Further, as described above, in the display device of the present invention, the second power supply line provided separately from the first power supply line for supplying a load current to the electro-optical element is provided in the memory element. Power supply from.

【0158】それゆえ、第1のアクティブ素子が選択さ
れている間に、第1の電源線の電位を前記負荷電流が流
れない電位、たとえばGND電位とすることで、表示を
行うことなく、メモリ素子への信号レベルの書込みのみ
を行うことができる。また、メモリ素子や画素メモリに
記憶されたデータに基づく電気光学素子の表示期間を、
第1のアクティブ素子の走査期間とは独立に制御可能と
なり、表示期間で時間分割階調表示を実現することもで
きる。
Therefore, by setting the potential of the first power supply line to a potential at which the load current does not flow, for example, a GND potential while the first active element is selected, the memory can be displayed without performing display. Only the writing of the signal level to the element can be performed. In addition, the display period of the electro-optical element based on the data stored in the memory element or the pixel memory,
Control can be performed independently of the scanning period of the first active element, and time division gray scale display can be realized in the display period.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の第1の形態の有機ELディスプ
レイの全体構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an organic EL display according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1で示す有機ELディスプレイにおける素子
回路の電気回路図である。
FIG. 2 is an electric circuit diagram of an element circuit in the organic EL display shown in FIG.

【図3】電気光学素子の電流特性を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing current characteristics of the electro-optical element.

【図4】図1で示す有機ELディスプレイの駆動方法の
一例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a driving method of the organic EL display shown in FIG.

【図5】本発明の実施の第2の形態の有機ELディスプ
レイの全体構成を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating an overall configuration of an organic EL display according to a second embodiment of the present invention.

【図6】図5で示す有機ELディスプレイにおける素子
回路の電気回路図である。
6 is an electric circuit diagram of an element circuit in the organic EL display shown in FIG.

【図7】図5で示す有機ELディスプレイの駆動方法の
一例を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a driving method of the organic EL display shown in FIG.

【図8】本発明の実施の第3の形態の有機ELディスプ
レイの全体構成を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating an overall configuration of an organic EL display according to a third embodiment of the present invention.

【図9】図8で示す有機ELディスプレイにおける素子
回路の電気回路図である。
9 is an electric circuit diagram of an element circuit in the organic EL display shown in FIG.

【図10】先行技術のディスプレイの駆動方法を示す図
である。
FIG. 10 is a diagram illustrating a method of driving a display according to the prior art.

【図11】図10で示す駆動方法の一部を詳しく示す図
である。
11 is a diagram showing a part of the driving method shown in FIG. 10 in detail.

【図12】図10の駆動方法に、本発明のような消去期
間および電流測定期間を導入した場合の図である。
FIG. 12 is a diagram in a case where an erasing period and a current measuring period as in the present invention are introduced into the driving method of FIG. 10;

【図13】図11の駆動方法に、本発明のような消去期
間および電流測定期間を導入した場合の図である。
FIG. 13 is a diagram in a case where an erasing period and a current measuring period as in the present invention are introduced into the driving method of FIG. 11;

【図14】図8で示す有機ELディスプレイの駆動方法
の一例を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing an example of a driving method of the organic EL display shown in FIG.

【図15】図14で示す駆動方法を消去期間および電流
測定期間を設定しない構成に用いる場合の図である。
15 is a diagram illustrating a case where the driving method illustrated in FIG. 14 is used in a configuration in which an erasing period and a current measuring period are not set.

【図16】本発明の実施の第4の形態の有機ELディス
プレイにおける素子回路の電気回路図である。
FIG. 16 is an electric circuit diagram of an element circuit in an organic EL display according to a fourth embodiment of the present invention.

【図17】図16で示す素子回路を用いた有機ELディ
スプレイの駆動方法の一例を示す図である。
17 is a diagram illustrating an example of a method of driving an organic EL display using the element circuit illustrated in FIG.

【図18】図17で示す駆動方法を消去期間および電流
測定期間を設定しない構成に用いる場合の図である。
18 is a diagram illustrating a case where the driving method illustrated in FIG. 17 is used in a configuration in which an erasing period and a current measuring period are not set.

【図19】図16で示す素子回路を用いた有機ELディ
スプレイにおいて、発光が不連続となる場合の駆動方法
の一例を示す図である。
FIG. 19 is a diagram showing an example of a driving method in a case where light emission is discontinuous in an organic EL display using the element circuit shown in FIG.

【図20】図19で示す駆動方法を消去期間および電流
測定期間を設定しない構成に用いる場合の図である。
20 is a diagram illustrating a case where the driving method illustrated in FIG. 19 is used in a configuration in which an erasing period and a current measuring period are not set.

【図21】本発明の実施の第5の形態の有機ELディス
プレイにおける素子回路の電気回路図である。
FIG. 21 is an electric circuit diagram of an element circuit in an organic EL display according to a fifth embodiment of the present invention.

【図22】図21で示す素子回路を用いた有機ELディ
スプレイの駆動方法の一例を示す図である。
FIG. 22 is a diagram illustrating an example of a driving method of an organic EL display using the element circuit illustrated in FIG. 21.

【図23】図22で示す駆動方法を消去期間および電流
測定期間を設定しない構成に用いる場合の図である。
FIG. 23 is a diagram showing a case where the driving method shown in FIG. 22 is used for a configuration in which an erasing period and a current measuring period are not set.

【図24】本発明の実施の第6の形態の有機ELディス
プレイにおける素子回路の電気回路図である。
FIG. 24 is an electric circuit diagram of an element circuit in an organic EL display according to a sixth embodiment of the present invention.

【図25】図24で示す素子回路を用いた有機ELディ
スプレイの駆動方法の一例を示す図である。
25 is a diagram illustrating an example of a method for driving an organic EL display using the element circuit illustrated in FIG.

【図26】図25で示す駆動方法を消去期間および電流
測定期間を設定しない構成に用いる場合の図である。
26 is a diagram when the driving method shown in FIG. 25 is used in a configuration in which an erasing period and a current measuring period are not set.

【図27】本発明の実施の第7の形態の有機ELディス
プレイにおける素子回路の電気回路図である。
FIG. 27 is an electric circuit diagram of an element circuit in an organic EL display according to a seventh embodiment of the present invention.

【図28】図27で示す素子回路の類似構成を示す電気
回路図である。
FIG. 28 is an electric circuit diagram showing a similar configuration of the element circuit shown in FIG. 27.

【図29】本発明の実施の第8の形態の有機ELディス
プレイにおける素子回路の電気回路図である。
FIG. 29 is an electric circuit diagram of an element circuit in an organic EL display according to an eighth embodiment of the present invention.

【図30】図29で示す素子回路を用いた有機ELディ
スプレイの駆動方法の一例を示す図である。
30 is a diagram illustrating an example of a method for driving an organic EL display using the element circuit illustrated in FIG. 29.

【図31】図30で示す駆動方法を消去期間および電流
測定期間を設定しない構成に用いる場合の図である。
31 is a diagram in the case where the driving method shown in FIG. 30 is used in a configuration in which an erasing period and a current measuring period are not set.

【図32】電流検出手段を用いて輝度補正を行うように
した従来の有機ELディスプレイの一例を示す図であ
る。
FIG. 32 is a diagram showing an example of a conventional organic EL display in which luminance correction is performed using current detection means.

【図33】図32で示す有機ELディスプレイに用いら
れる電流検出回路のブロック図である。
FIG. 33 is a block diagram of a current detection circuit used in the organic EL display shown in FIG.

【図34】電流検出手段を用いて輝度補正を行うように
した従来の有機ELディスプレイの他の例を示す図であ
る。
FIG. 34 is a diagram showing another example of a conventional organic EL display in which luminance correction is performed using current detection means.

【図35】図34で示す有機ELディスプレイに用いら
れる画素のブロック図である。
35 is a block diagram of a pixel used in the organic EL display shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,11,21 有機ELディスプレイ 2,2a,2b 有機ELパネル 3,3a,3b 走査コントローラ 4,4a,4b 信号コントローラ 5 ラッチ回路 A11〜Amn;Aa11〜Aamn 素子回路 Ab;Ac;Ad;Ae;Af;Ag;Ah 素子回
路 B1〜Bn 演算回路(補正手段) C1 コンデンサ(メモリ素子) C21,C22 コンデンサ D1〜Dn データ信号線(第2の信号線) E0 電源線 E1〜En 電源線(第1の電源線) Ea 電源線(第2の電源線) F1〜Fn D/A変換回路 G1〜Gm 走査信号線(第1の信号線) INV1,INV2 CMOSインバータ K0;K1〜Kn 電流測定回路 M1〜Mn メモリ(記憶手段) Ma1〜Man メモリ Mb1〜Mbn メモリ P 有機EL素子(電気光学素子) Q1 TFT(第1のアクティブ素子) Q2,Q10,Q11〜Q14,Q20〜Q22 T
FT Q3 TFT(第2のアクティブ素子) S1〜Sm 走査信号線(第3の信号線) Sa,Sb ビット選択線 Sc 選択線 R1,R2;R21,R22 画素メモリ
1,11,21 Organic EL display 2,2a, 2b Organic EL panel 3,3a, 3b Scan controller 4,4a, 4b Signal controller 5 Latch circuit A11-Amn; Aa11-Aamn Element circuit Ab; Ac; Ad; Ae; Af; Ag; Ah Element circuit B1 to Bn Arithmetic circuit (correction means) C1 capacitor (memory element) C21, C22 capacitor D1 to Dn Data signal line (second signal line) E0 power supply line E1 to En power supply line (first Ea power line (second power line) F1 to Fn D / A conversion circuit G1 to Gm scanning signal line (first signal line) INV1, INV2 CMOS inverter K0; K1 to Kn current measuring circuit M1 Mn memory (storage means) Ma1 to Man memory Mb1 to Mbn memory P Organic EL element (electro-optical element) Q TFT (first active element) Q2, Q10, Q11~Q14, Q20~Q22 T
FT Q3 TFT (second active element) S1 to Sm Scan signal line (third signal line) Sa, Sb Bit select line Sc Select line R1, R2; R21, R22 Pixel memory

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/22 G09G 3/22 E H05B 33/14 H05B 33/14 A ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09G 3/22 G09G 3/22 E H05B 33/14 H05B 33/14 A

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】相互に交差する複数の第1および第2の信
号線で区画された各領域に電気光学素子を備え、その電
気光学素子が、それぞれ対応する第1のアクティブ素子
によって、前記第1の信号線で選択されている間に、第
2の信号線に出力される信号レベルに対応した表示を行
うように駆動される表示装置において、 前記第2の信号線に沿って配設されて前記電気光学素子
へ負荷電流を供給する第1の電源線の電流を測定する電
流測定手段と、 前記電流測定手段で測定されたデータを保持する記憶手
段と、 外部から入力される表示データを前記記憶手段から読出
されたデータを用いて補正し、前記第2の信号線に出力
すべき信号レベルを作成する補正手段とを含み、 前記第1の信号線による選択とともに、前記第2の信号
線に表示データに対応した信号レベルを出力してゆく単
位表示期間に対して、周期的に、前記第1の信号線によ
る選択とともに、前記第2の信号線に予め定める信号レ
ベルを出力し、前記電流測定手段で測定を行ってゆく期
間を含めることを特徴とする表示装置。
An electro-optical element is provided in each area defined by a plurality of first and second signal lines intersecting each other, and the electro-optical element is controlled by a corresponding first active element. A display device driven to perform a display corresponding to a signal level output to a second signal line while being selected by one signal line, wherein the display device is arranged along the second signal line. Current measuring means for measuring a current of a first power supply line for supplying a load current to the electro-optical element, a storage means for holding data measured by the current measuring means, and display data inputted from outside. Correction means for making corrections using data read from the storage means to create a signal level to be output to the second signal line, wherein the second signal is selected together with the selection by the first signal line. Display data on line For a unit display period in which a signal level corresponding to the current level is output, a predetermined signal level is periodically output to the second signal line together with the selection by the first signal line, A display device including a period in which the measurement is performed in the display device.
【請求項2】前記電気光学素子に関連して、前記第1の
アクティブ素子によって取込まれた信号レベルを保持す
るメモリ素子を有し、 前記第1の信号線に選択出力を導出する走査コントロー
ラおよび前記第2の信号線に信号レベルを出力する信号
コントローラは、測定期間の直前に、前記メモリ素子の
初期化および電気光学素子を非発光状態とする走査を行
うことを特徴とする請求項1記載の表示装置。
2. A scanning controller, having a memory element for holding a signal level captured by the first active element, associated with the electro-optical element, and outputting a selected output to the first signal line. And a signal controller that outputs a signal level to the second signal line, performs a scan immediately before a measurement period to initialize the memory element and make the electro-optical element emit no light. The display device according to the above.
【請求項3】前記メモリ素子に関連して、前記第1の信
号線とは択一的に選択出力が導出される第3の信号線か
らの選択出力に応答し、前記第2の信号線とは異なる信
号レベルを前記メモリ素子に与える第2のアクティブ素
子をさらに備え、 前記第1のアクティブ素子によって表示信号レベルが設
定され、前記第2のアクティブ素子によって消去信号レ
ベルが設定されることを特徴とする請求項2記載の表示
装置。
3. A second signal line in response to a selection output from a third signal line from which a selection output is derived as an alternative to the first signal line in connection with the memory element. A second active element for providing a signal level different from that of the memory element to the memory element, wherein a display signal level is set by the first active element, and an erase signal level is set by the second active element. 3. The display device according to claim 2, wherein:
【請求項4】前記メモリ素子に関連して、前記第1のア
クティブ素子によって取込まれた信号レベルを保持する
1または複数の画素メモリと、その画素メモリに個別的
に対応し、ビット選択線によって選択駆動される第3の
アクティブ素子とをさらに備え、 前記第1の信号線が選択状態で、第1のアクティブ素子
を介して前記メモリ素子に表示信号レベルが設定される
とともに、前記第3のアクティブ素子が選択駆動されて
前記画素メモリにその表示信号レベルが設定され、前記
第1の信号線の非選択状態で、前記第3のアクティブ素
子が選択駆動されて前記画素メモリからの表示信号レベ
ルに切換えられることを特徴とする請求項2または3記
載の表示装置。
4. In connection with said memory element, one or a plurality of pixel memories holding a signal level taken by said first active element, and a bit selection line individually corresponding to said pixel memory. And a third active element selectively driven by the third signal line. When the first signal line is in a selected state, a display signal level is set to the memory element via the first active element, and Is selectively driven to set a display signal level in the pixel memory, and in a state where the first signal line is not selected, the third active element is selectively driven to display a display signal from the pixel memory. The display device according to claim 2, wherein the display device is switched to a level.
【請求項5】前記メモリ素子には、前記電気光学素子へ
負荷電流を供給する第1の電源線とは個別に設けた第2
の電源線から電源供給を行うことを特徴とする請求項2
〜4の何れかに記載の表示装置。
5. A memory device comprising: a second power supply line provided separately from a first power supply line for supplying a load current to the electro-optical element;
3. A power supply is performed from the power supply line of claim 2.
The display device according to any one of claims 1 to 4.
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