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JP2002338232A - 二次凝集コロイダルシリカとその製造方法及びそれを用いた研磨剤組成物 - Google Patents

二次凝集コロイダルシリカとその製造方法及びそれを用いた研磨剤組成物

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Publication number
JP2002338232A
JP2002338232A JP2001148974A JP2001148974A JP2002338232A JP 2002338232 A JP2002338232 A JP 2002338232A JP 2001148974 A JP2001148974 A JP 2001148974A JP 2001148974 A JP2001148974 A JP 2001148974A JP 2002338232 A JP2002338232 A JP 2002338232A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
colloidal silica
particles
silica
aggregated
particle diameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001148974A
Other languages
English (en)
Inventor
Kuniaki Maejima
邦明 前島
Shinsuke Miyabe
慎介 宮部
Masahiro Izumi
昌弘 泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Chemical Industrial Co Ltd
Original Assignee
Nippon Chemical Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Chemical Industrial Co Ltd filed Critical Nippon Chemical Industrial Co Ltd
Priority to JP2001148974A priority Critical patent/JP2002338232A/ja
Publication of JP2002338232A publication Critical patent/JP2002338232A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Silicon Compounds (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子等の研磨剤として用いたときに高
い研磨速度が得られるコロイダルシリカおよび、その低
コストで製造する製造方法を提供すること。 【解決手段】 本発明は、単分散のコロイダルシリカに
シリカ粒子の凝集剤を添加して球状の凝集二次粒子を作
り、更に活性珪酸を添加して凝集粒子を一体化して得ら
れる二次凝集コロイダルシリカおよびその製造方法であ
る。本発明の二次凝集コロイダルシリカ粒子は、表面に
凹凸があり、TEM透過投影像より求めた幾何学的平均
粒子径(X1)と、シリカ粒子の表面積より算出した相
当粒子径(X2)との比Y(X1/X2)が1.3から
2.5の範囲で、かつその幾何学的平均粒子径が20〜
200nmの範囲である。半導体素子等の電子材料の表
面研磨加工時の研磨剤として優れた性質を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハ、
化合物半導体ウェハ、半導体デバイスウェハ、磁気ディ
スク基板、水晶基板等の電子材料の研磨加工時に用いら
れる二次凝集コロイダルシリカ、及びそれを低コストで
製造できる製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より市販の珪酸アルカリを原料とし
て製造されるコロイダルシリカはシリコンウエハの研磨
剤、ブラウン管製造における蛍光体の接着バインダー、
電池中の電解液のゲル化剤および揺変や飛散防止剤など
様々な用途に用いられてきた。このような用途に一般に
使用されているコロイダルシリカのシリカ粒子の形状は
真球状かそれに近いものであるため、研磨剤の用途では
研磨特性の向上を目的として、また、バインダー用途で
は密着性や造膜性の向上を目的としてシリカ粒子の形状
を球形から変化させたり,凝集させて粒子径を大きくす
る試みがなされてきた。
【0003】例えばバインダー用途では,特開平4-1875
12号公報や特開平7-118008号公報にCa塩等を添加して
製造した球状でない細長い形状の粒子が、特開平4-2140
22号公報に扁平な粒子が開示されている。また,特開20
01-11433号公報にはCa塩等を添加して細長い数珠状の
形状の粒子を製造し,これが良好な研磨特性を有すると
述べられている。一方、球状に凝集したコロイダルシリ
カに関しては米国特許第3591518号公報に金属シ
リコンよりの製法が記載されている。また、米国特許第
3607774号公報には、光散乱法による測定粒子径
とシアーズ法による測定粒子径が数倍異なる凝集コロイ
ダルシリカの製法が記載されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】シリコンウエハ、化合
物半導体ウェハ、半導体デバイスウェハ、磁気ディスク
基板、水晶基板等の電子材料の研磨剤としてコロイダル
シリカが使用されているが、研磨速度の高速化の要求に
対応して、次第に粒径の大きいグレードが好まれるよう
になってきた。しかし、真球状のコロイダルシリカの場
合、単一粒子のままで粒子径の大きいものを製造するに
は、粒子の表面に更にシリカを沈着させて粒子を成長さ
せる、いわゆるビルドアップの工程に長い時間を必要と
し、粒子の製造価格が高くなる。前記の電子材料の研磨
処理においては、研磨時間の短縮化と共に、研磨費用の
低減化も要求されており、従って短時間で効率的な研磨
ができかつ安価な比較的大きい粒子径を持ったコロイダ
ルシリカ、あるいは粒子径がさほど大きくなくても高速
研磨の出来るコロイダルシリカが求められている。
【0005】比較的低コストでコロイダルシリカの粒子
径を大きくする方法として、シリカ粒子を凝集させる方
法が米国特許第3591518号公報に記載されている
が、この金属シリコンから製造する製法は、一次粒子径
が8nmと小さく、凝集体の表面の凹凸は平滑に近いた
め研磨特性の向上は期待できない。また、米国特許第3
607774号公報には、光散乱法による測定粒子径と
シアーズ法による測定粒子径とが数倍異なるコロイダル
シリカの製法が記載されている。光散乱法で測定した粒
子径とシアーズ法で測定した比表面積から算出した相当
径が数倍異なることは粒子形状が球形でないことを示唆
するが,米国特許第3607774号には粒子形状につ
いての具体的な記載がなく、また製法の原理も不明確で
あり、大量の水を蒸発させる工程があるなど実用不可能
に近い製法である。なお、シアーズ法は、G.W.Se
ars,Jr.が”Analytical Chemistry” 28,1981〜
1983(1956)に記載している異形状粒子の相当径を求める
方法であり、1.5gのSiO2に相当するコロイダル
シリカをpH4からpH9まで滴定するのに必要とした
0.1N−NaOHの量からコロイダルシリカの比表面
積を求め、これから算出した相当径である。
【0006】一方、Ca塩等を添加することによりシリ
カ粒子を細長い数珠状の形状として研磨特性を向上させ
る方法(特開2001-11433号公報)は、シリカ成分以外に
高濃度のCa塩等が不可避的に存在することから、それ
による研磨対象の電子材料の汚染や、研磨工程でのコロ
イダルシリカの循環使用時の濾過器の目詰まりが問題と
なる。従って、本発明の目的は、このように、シリコン
ウエハ、化合物半導体ウェハ、半導体デバイスウェハ、
磁気ディスク基板、水晶基板等の電子材料の研磨剤とし
て使用されるコロイダルシリカとして、安価に製造する
ことができ、かつ粒子形状が球形でなく比較的大きな粒
子径を有する、従って研磨効率に優れた研磨剤として好
適なコロイダルシリカ粒子、及びその製造方法を提供す
ることである。
【0007】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の発明者らは、鋭意研究した結果、単
分散のコロイダルシリカの凝集した、比較的大きな粒子
径を有し、かつシリカ粒子表面に凹凸があるシリカ粒
子、及びこのようなシリカ粒子を含有するコロイダルシ
リカを得る製造方法を見出した。
【0008】即ち、本発明は、コロイダルシリカのシリ
カ粒子の電子線による透過投影像より求めた幾何学的平
均粒子径(X1)と、シリカ粒子の表面積より算出した
相当粒子径(X2)との比Y(X1/X2)が1.3か
ら2.5の範囲であり、かつその幾何学的平均粒子径が
20〜200nmの範囲であることを特徴とする二次凝
集コロイダルシリカである。また、本発明は、単分散の
コロイダルシリカにシリカ粒子の凝集剤を添加してほぼ
球状の凝集二次粒子を作り、次いで活性珪酸を添加して
凝集粒子を一体化することを特徴とする二次凝集コロイ
ダルシリカの製造方法である。更に、本発明は、コロイ
ダルシリカのシリカ粒子の電子線による透過投影像より
求めた幾何学的平均粒子径(X1)と、シリカ粒子の表
面積より算出した相当粒子径(X2)との比Y(X1/
X2)が1.3から2.5の範囲であり、かつその幾何
学的平均粒子径が20〜200nmの範囲にある二次凝
集コロイダルシリカを含有することを特徴とする電子材
料用の研磨剤組成物である。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の二次凝集コロイダルシリ
カは、シリカ粒子の表面に一次粒子に起因した凹凸があ
る数個乃至十数個のシリカ一次粒子が凝集したシリカ粒
子を含有する二次凝集コロイダルシリカであって、シリ
カ粒子の電子線による透過投影像より求めた幾何学的平
均粒子径(X1)と窒素吸着BET法で測定したシリカ
粒子の表面積より算出した相当粒子径(X2)との比Y
(X1/X2)が1.3以上2.5以下のものであり、
かつその幾何学的平均粒子径が20〜200nmの範囲
であることが特徴である。また別の表現によれば本発明
の二次凝集コロイダルシリカは、粒子表面に凹凸があ
る、いわゆる「いがぐり状」の形状をしたシリカ粒子を
含有するコロイダルシリカであって、シリカ粒子の電子
線による透過投影像より求めた幾何学的平均粒子径(X
1)とシアーズ法で測定した粒子の表面積より算出した
相当粒子径(X2)との比Y(X1/X2)が1.3以
上2.5以下であり、かつその幾何学的平均粒子径が2
0〜200nmの範囲であることが特徴である。
【0010】ここで、比Yはシリカ粒子表面の凹凸の程
度を表わすものであり、比Yが1.3以上2.5以下の
範囲にあれば、表面に一定の程度の凹凸があり全体がほ
ぼ球状の形状をした粒子、即ち粒子1個あたり数個ない
し十数個の凸部を有する凝集粒子であり、例えば板状の
ものや紐状のもののような特殊な形状のものはこの値が
2.5を越え、本発明の粒子には含まれない。また、比
Yが1.0であれば完全な真球状の形状であるが、本発
明の粒子はこのような真球状のものは含まず、必ず粒子
の表面に一定の程度の凹凸を持つ、即ち粒子1個あたり
数個ないし十数個の凸部を有する凝集粒子で、いわゆる
「いがぐり状」の形状の粒子である。
【0011】この比Yは、シリカ粒子の電子線による透
過投影像より求めた幾何学的平均粒子径(X1)と、シ
リカ粒子の表面積を測定して算出した相当粒子径(X
2)を求めて、この比(X1/X2)を求めることによ
って得られる。まず、電子線による透過投影像より求め
た幾何学的平均粒子径とは、例えば、透過型電子顕微鏡
(TEM)写真よって、複数の箇所での全てのほぼ球形
の二次凝集したシリカ粒子の直径を計測し、これらの値
を平均して得られる数値である。尚、TEM写真による
方法では、真の凝集粒子と試料の調製時の乾燥による凝
集粒子が区別しにくい場合があるが、ここでは、粒子濃
度を限界まで薄くすることと、その希釈にイソプロピル
アルコールを使用することで、これらの誤認を避けてい
る。具体的には、例えば、試料のコロイダルシリカを、
イソプロピルアルコールを用いてシリカ濃度が0.1%
まで希釈した溶液を使用し、まず10000倍のTEM
(透過型電子顕微鏡)写真を撮影し、その視野内より1
0個以上のシリカ粒子が存在する部分を4箇所選択し、
このそれぞれの部分を40000倍で撮影する。これら
の写真映像から、端面にかかっていないすべての粒子の
直径を測定して、その平均値を求めて幾何学的平均粒子
径(X1)とする。
【0012】一方、シリカ粒子の表面積から求める相当
径は以下のように算出する。一般に試料表面に大きさの
わかった分子やイオンを吸着させて,その吸着量から粒
子の比表面積を求める方法が知られている。BET法で
は気相で吸着剤として窒素ガスを,シアーズ法では液相
で吸着剤としてNaイオンを吸着させる。シアーズ法に
ついては、前述の通りG.W.Sears,Jr.”An
alytical Chemistry”28,1981〜1983(1956)に記載して
いる。
【0013】比表面積は単位質量の粉体の全粒子表面積
を意味し,粉体は粉砕されると新たな表面が生成される
ので,粉砕が進行し粒子が細かくなるにつれて粉体の比
表面積も大きくなる。ここで,粉体が直径x、密度ρの
n個の球よりなると考えると、全粒子表面積はnπ
2,粉体の質量はρnπx3/6となるので、次の(1)
式の関係が導かれる。 比表面積S(m2/g)=6/{密度ρ(g/cm3)×直径x(cm)} (1) これをコロイダルシリカに適用すると、その密度ρが
2.2g/cm3であるので、単位をそろえて書き換え
ると次の(2)式のようになる。 直径x(nm)=2720/比表面積S(m2/g) (2) このようにBET法およびシアーズ法で測定したコロイ
ダルシリカの比表面積から相当径xを算出することがで
きる。
【0014】尚、コロイダルシリカの粒子径と比表面積
については、”THE CHEMISTRY OF SILICA Solubility,
Polymerization, Colloid and Surface Properties an
d Biochemistry”(P344-354, RALPH K. ILER著, A Wile
y-Interscience PublicationJOHN WILEY & SONS P )に
詳細に記載されている。
【0015】こうして求めた幾何学的平均粒子径(X
1)と比表面積より算出した相当径(X2)の比Yは粒
子が完全に真球の形状の場合は1となるが、本発明の凝
集粒子を一体化させたシリカ粒子は、ほぼ球形の粒子で
あるが表面に凹凸があるため比表面積は真球の場合より
大きくなり、上記の(2)式より算出される相当径は小さ
い値となる。従って、粒子の表面の凹凸の程度が大きい
ほどYの値は1から大きくなっていく。一般的に入手で
きる単分散したコロイダルシリカのYの値は1.05か
ら1.11であるのに対し、本発明の凝集・一体化した
表面に凹凸のあるコロイダルシリカ粒子のYの値は、
1.3以上で2.5以下であり、より好ましくは1.3
5から2.2の範囲である。
【0016】本発明の凝集・一体化したコロイダルシリ
カ粒子の幾何学的平均粒子径は、出発原料となる単分散
したコロイダルシリカのシリカ粒子の粒径と凝集させる
個数により決まるが、本発明の電子材料の研磨用途とし
ては、出発原料となる単分散したコロイダルシリカのシ
リカ粒子は5〜50nmであり、それらを数個〜十数個
を凝集・一体化させて得た本発明の二次凝集コロイダル
シリカ粒子の幾何学的平均粒子径は20〜200nm、
好ましくは30〜100nmである。
【0017】このような本発明の凝集・一体化したコロ
イダルシリカ粒子は、単分散のコロイダルシリカにシリ
カ粒子の凝集剤を添加してほぼ球状の凝集二次粒子を作
り、次いで活性珪酸を添加して凝集粒子を一体化するこ
とによって製造することができる。
【0018】まず、本発明の使用する単分散のコロイダ
ルシリカの原料としては、珪酸アルカリ水溶液が用いら
れ、通常水ガラス(水ガラス1号〜4号等)と呼ばれる
珪酸ナトリウム水溶液が好適に用いられる。このものは
比較的安価であり、容易に手に入れることができる。ま
た、Naイオンの存在が好ましくない半導体用途の製品
に使用する場合には、珪酸カリウム水溶液が高純度化の
対象にふさわしい。
【0019】本発明に使用する単分散のコロイダルシリ
カとしては、このような珪酸アルカリ水溶液をイオン交
換することによって得られるコロイダルシリカを使用す
ることもできる。このイオン交換法によるコロイダルシ
リカの製造工程では、まず珪酸アルカリ水溶液をシリカ
濃度3〜10%に水希釈し、次いでH型強酸性陽イオン
交換樹脂に接触させて脱アルカリし、必要に応じてOH
型強塩基性陰イオン交換樹脂に接触させて脱アニオン
し、活性珪酸を作成する。イオン交換樹脂の種類や諸条
件については既に様々な提案があり、それら公知のいか
なる方法も適用できる。次いで、常法に準じてコロイド
粒子を成長させる。即ち、この活性珪酸の水溶液にpH
が8以上となるようアルカリ剤を添加し60〜240℃
に加熱するか、pHが8以上の60〜240℃の種ゾル
に活性珪酸を添加していくビルドアップの方法か、或い
は、希釈した珪酸アルカリ水溶液に活性珪酸を添加して
いくビルドアップの方法の何れの方法でも良い。ここで
使用するアルカリ剤としてはNaOH、KOHなどのア
ルカリ金属水酸化物や、アミン、第4級アンモニウム水
酸化物などの有機塩基を使用することができる。またそ
れらの珪酸アルカリ水溶液も使用することができる。
【0020】これらの方法を用いてシリカの粒子径が5
〜50nmとなるように成長させる。シリカ粒子の分散
状態は単分散であるが、二次凝集が存在していてもよ
く、用途に応じて使い分けることが出来る。単分散した
シリカ粒子の形状は真球状であるが、二次凝集した非球
形状のものを含んでもよく用途に応じて使い分けること
が出来る。このようなイオン交換法によるコロイダルシ
リカを使用する代わりに、出発原料となるコロイダルシ
リカとして、市販のコロイダルシリカを利用することも
できる。この場合は、市販品をシリカ濃度3〜20%に
希釈して使用する。
【0021】以上のような単分散のコロイダルシリカを
含む希薄なコロイダルシリカの水溶液に、シリカ粒子の
凝集剤を添加して凝集二次粒子を作成する。本発明で使
用される凝集剤としては、ポリ塩化アルミニウム、硫酸
アルミニウムのようなアルミニウム化合物、塩基性塩化
鉄、硫酸鉄のような鉄化合物、石灰や苦灰石のようなア
ルカリ土類金属化合物、等の水に可溶性の無機化合物、
或いはポリエチレンアミンのようなポリアミン、水酸化
テトラメチルアンモニウムのような4級アンモニウム
塩、等のカチオン性高分子などがある。これらはいずれ
も電荷による吸着型の凝集剤であって、適切な量の添加
であれば、コロイド全体をゲル化させることなく、シリ
カ粒子複数個の凝集二次粒子をつくり、二次粒子の安定
なコロイド状態を得ることが出来る。その添加量は凝集
剤によってまちまちである。例えば、ポリ塩化アルミニ
ウムではppmオーダーで充分であり過剰の添加は沈殿
物の発生やコロイド全体のゲル化を生じる。ポリアミ
ン、4級アンモニウム塩の場合は、%オーダーでの添加
が適量域である。また、これらの凝集剤には最適pH域
があり、良好な凝集性能を得るためには、添加に先立っ
てコロイダルシリカのpHを調節することが好ましい。
例えば、ポリ塩化アルミニウムの最適pH域はpH7〜
9であり、水酸化テトラメチルアンモニウムではpH9
〜11である。ポリ塩化アルミニウムは安価であり、少
量で効果が大きく、アルカリ域で使用出来るため、本発
明に使用する凝集剤として特に好ましい。
【0022】次いで、得られた凝集二次粒子に活性珪酸
を添加して凝集二次粒子を一体化する。この凝集二次粒
子の一体化とは、凝集二次粒子の水分散液にpHが8以
上、好ましくはpH9〜10を保つようにアルカリ剤を
添加しながら、60〜240℃、好ましくは90〜10
0℃に加温した状態で、活性珪酸をその目的とする粒子
径に相当する添加量に応じた時間をかけて添加すること
により凝集二次粒子の表面にシリカを沈着させて、凝集
した粒子を更に成長させ、補強するためのものである。
このようにして凝集二次粒子を成長させる方法は、元の
コロイダルシリカをそのまま成長させる場合と比べて、
短い時間で大きな粒子径を得ることができる。ここで使
用するアルカリ剤としては、前記したものと同一のもの
が使用することができる。
【0023】次いで、限外濾過膜によってシリカの濃度
が10〜60%となるように濃縮し、精製する。ただ
し、この工程は余分なイオンの洗い出し効果もあるの
で、必要に応じて、目標濃度に達した後も純水を加える
などして、更に洗い出し除去を行って、余分なイオンの
除去率を高める作業を行うこともできる。
【0024】限外濾過膜が適用される分離は対象粒子が
1nmから数ミクロンであるが、溶解した高分子物質を
も対象とするため、ナノメータ域では濾過精度を分画分
子量で表現している。本発明によるコロイダルシリカの
濃縮では、分画分子量15000以下の限外濾過膜を使
用する。この範囲の膜を使用すると1nm以上の粒子を
分離することが出来る。更に好ましくは分画分子量30
00〜15000の限外濾過膜を使用する。3000未
満の膜では濾過抵抗が大きすぎて処理時間が長くなり不
経済であり、15000以上では精製の程度が低くなり
目的を達成できない。膜の材質はポリスルホン、ポリア
クリルニトリル、燒結金属、セラミック、カーボンなど
あり、いずれも使用できるが、耐熱性や濾過速度などか
らポリスルホン製の膜が使用しやすい。膜の形状はスパ
イラル型、チューブラー型、中空糸型などあり、どれで
も使用できるが、中空糸型がコンパクトで使用しやす
い。
【0025】また、限外濾過膜による濃縮の前後いずれ
かに、必要に応じてイオン交換樹脂による精製工程を加
えることができる。即ち、H型強酸性陽イオン交換樹脂
に接触させて粒子成長工程で使用したアルカリを除去す
ることができ、OH型強塩基性陰イオン交換樹脂に接触
させて脱アニオンして精製することで、一層の高純度化
を計ることができる。
【0026】また、本発明は、このようにして得られる
本発明の二次凝集コロイダルシリカを含有する電子材料
用研磨剤組成物である。本発明の二次凝集コロイダルシ
リカは、単分散コロイダルシリカの一次粒子が数個乃至
十数個凝集し、一体化されたもので、その表面が凹凸状
をした、いわゆるいがぐり状の形状の粒子であり、かつ
平均粒子径が20nm乃至200nmと比較的大きな粒
子である。このような特殊な形状を有し比較的大きな凝
集粒子であるため、電子材料用の研磨加工に使用すると
優れた研磨特性を発揮する。
【0027】本発明の電子材料用研磨剤組成物は、この
二次凝集コロイダルシリカを1〜15重量%、好ましく
は1〜10重量%の割合で含むコロイダルシリカ粒子の
水性分散液である。本発明の電子材料用研磨剤組成物に
は、更に研磨対象の材料の種類や研磨条件等に応じて、
その他のコロイド、例えばアルミナゾル、酸化セリウム
ゾル、酸化ジルコニウムゾルなども加えることもでき、
それらの微粒子粉体を加えることもできる。また、研磨
面やパッドの濡れ性の改善には、界面活性剤や水溶性高
分子を加えることができる。同様に、酸化剤、キレート
剤、腐食防止剤、殺菌剤などを必要に応じて加えること
ができる。本発明の研磨剤が使用できる研磨対象材料は
種々の電子材料であるが、特にシリコンウエハ、化合物
半導体ウェハ、半導体デバイスウェハ、磁気ディスク基
板、又は水晶基板の研磨に有用である。
【0028】
【実施例】以下に、実施例によって本発明をさらに詳細
に説明する。実施例中「%」は重量基準である。
【0029】実施例1:脱イオン水5450gにJIS
3号珪酸ソーダ(SiO2 :29.0%、Na 2O:
9.7%、H2O:61.3%)1000gを加えて均
一に混合し、SiO 2を4.5%含む希釈珪酸ソーダを
作成した。この希釈珪酸ソーダを予め塩酸によって再生
したH型強酸性陽イオン交換樹脂のカラムに通して脱ア
ルカリし、シリカ濃度3.8%でpH2.9の活性珪酸
7250gを得た。活性珪酸の一部の330gに攪拌下
10%NaOHを添加してpHを8.0とし、95℃に
加熱して1時間この温度を保った後、残部の活性珪酸6
920gを8時間かけて添加した。添加中は95℃を保
ち、pHも10を保つように10%NaOHを30分お
きに添加した。活性珪酸の添加終了後95℃に1時間保
った。このようにしてコロイダルシリカの一次粒子を形
成させた。この時点でのシリカの粒子径は、TEM映像
によると20nm、BET法によると19nmで、コロ
イド液は青白味を帯びた透明であった。次いで、1N−
HClを滴下してpHを8.5とし、凝集剤としてAl
23で1%の濃度のポリ塩化アルミニウム水溶液(日本
化学工業(株)製ポリ塩化アルミニウム(Al23;1
0重量%)の10倍希釈液)を30g添加した。添加に
よりコロイド液は白色が濃くなり半透明となった。
【0030】次に、このコロイド液に攪拌下10%Na
OHを添加してpHを10に戻し、再び活性珪酸200
0gを2時間かけて添加した。添加中は95℃を保ち、
pHも10を保つように10%NaOHを30分おきに
添加した。添加終了後も95℃に加熱して1時間この温
度を保った後、50℃まで放冷した。このようにして凝
集シリカ粒子の一体化処理を行なって、本発明の二次凝
集コロイダルシリカ分散液を得た。得られた二次凝集コ
ロイダルシリカ分散液を、分画分子量6000の中空糸
型限外濾過膜(旭化成(株)製マイクローザUFモジュ
ールSIP−1013)を用いてポンプ循環送液による
加圧濾過を行い、シリカ濃度30%の二次凝集コロイダ
ルシリカ約900gを得た。このコロイダルシリカはT
EM映像によると一次粒子数個が凝集した二次粒子を構
成し、粒子表面には凹凸があり、幾何学的粒子径の平均
値(X1)は40nmであった。また、窒素吸着BET
法による粒子径(X2)は21nmであり、その比Y
(X1/X2)が1.90であった。
【0031】尚、透過型電子顕微鏡(TEM)による幾
何学的平均粒子径の測定は以下のようにして行なった。
まず、試料をイソプロピルアルコールを用いてシリカ濃
度が0.1%まで希釈し、この希釈液を10000倍で
TEM写真を撮影した。次に、その視野内より10個以
上の粒子の存在する部分を4箇所選択し、それらの部分
をそれぞれ40000倍で撮影した。これらの写真か
ら、画面の端部にかかっていないすべての粒子の直径を
測定して平均値を求めた。測定した粒子の総個数は50
個前後であった。実施例1について得られた凝集粒子の
40000倍のTEM写真を図1に示す。
【0032】実施例2:脱イオン水13.0kgにJI
S3号珪酸ソーダ(SiO2:28.8%、Na 2O:
9.7%、H2O:61.5%)2.4kgを加えて均
一に混合し、SiO 2を4.5%含む希釈珪酸ソーダを
作成した。この希釈珪酸ソーダを予め塩酸によって再生
したH型強酸性陽イオン交換樹脂のカラムに通して脱ア
ルカリし、シリカ濃度3.8%でpH2.9の活性珪酸
18kgを得た。活性珪酸の一部の1.0kgに攪拌下
10%水酸化テトラメチルアンモニウムを添加してpH
を10とし、95℃に加熱して1時間この温度を保った
後、残部の活性珪酸14kgを8時間かけて添加した。
添加中は95℃を保ち、pHも10を保つように10%
水酸化テトラメチルアンモニウムを30分おきに添加し
た。活性珪酸の添加終了後95℃に1時間保った後、5
0℃まで放冷した。次いで分画分子量6000の中空糸
型限外濾過膜(旭化成(株)製マイクローザUFモジュ
ールSIP−1013)を用いてポンプ循環送液による
加圧濾過を行い、シリカ濃度10%まで濃縮した。この
ようにしてコロイダルシリカの一次粒子を形成させた。
このコロイダルシリカのシリカの粒子径は、TEM映像
によると20nm、シアーズ法によると18nmであ
り、pHは9.8であった。
【0033】このコロイダルシリカ5000gに1N−
HClを滴下してpHを8.7とし、凝集剤としてAl
23で1%の濃度のポリ塩化アルミニウム水溶液(日本
化学工業(株)製ポリ塩化アルミニウム(Al23;1
0%)の10倍希釈液)を60g添加した。添加後のp
Hは7.9となり、コロイド液は白色が濃くなり半透明
となった。これに活性珪酸3kgを加えた後、10%水
酸化テトラメチルアンモニウムを加えてpHを10と
し、160℃、620kPaに加熱して1時間この温度
を保った。放冷後、上記と同じ限外濾過器を用いてポン
プ循環送液による加圧濾過を行い、シリカ濃度40%ま
で濃縮した。このようにして凝集シリカ粒子の一体化処
理を行なって、本発明の二次凝集コロイダルシリカ分散
液を得た。このコロイダルシリカは、TEM映像による
と大半の粒子が一次粒子数個の凝集二次粒子で、粒子表
面には凹凸があり、幾何学的粒子径の平均値(X1)は
40nmであった。また、シアーズ法による粒子径(X
2)は19nmであり、その比Y(X1/X2)は2.
11であった。
【0034】実施例3:市販のコロイダルシリカ(日本
化学工業(株)製「シリカドール40L」SiO2;4
0重量%、シリカの粒子径は、TEM映像によると20
nm、BET法によると21nmであり、pHは9.
9)5kgに、脱イオン水15kgを加えてSiO2
度10%に希釈し、攪拌下1N−HClを滴下してpH
を8.7とし、凝集剤としてAl23として1%の濃度
のポリ塩化アルミニウム水溶液(日本化学工業(株)製
ポリ塩化アルミニウム(Al23;10%)の10倍希
釈液)を250g添加した。添加後のpHは7.9とな
り、コロイド液は白色が濃くなり半透明の凝集コロイダ
ルシリカを得た。
【0035】別途、脱イオン水149kgに市販の珪酸
カリウム水溶液(日本化学工業(株)製「A珪酸カリ」
SiO2;26.5%、K2O;13.5%)26.4k
gを添加し均一に混合し、SiO2を4.0%含む希釈
珪酸カリを作成した。この希釈珪酸カリを予め塩酸によ
って再生したH型強酸性陽イオン交換樹脂のカラムに通
して脱アルカリし、シリカ濃度3.5%でpH2.8の
活性珪酸200kgを得た。先の凝集コロイダルシリカ
を攪拌下98℃に加熱して、この温度を保つようにし、
活性珪酸と10%KOHをSiO2/K2Oのモル比が4
0となる割合で同時添加を行った。活性珪酸200kg
と10%KOH3268gを約7時間で添加した。添加
終了後95℃に1時間保った後、放冷した。次いで分画
分子量10000の中空糸型限外濾過膜(旭化成(株)
製マイクローザUFモジュールSLP−3053)を用
いてポンプ循環送液による加圧濾過を行い、シリカ濃度
30%まで濃縮した。このようにして凝集シリカ粒子の
一体化処理を行なって、本発明の二次凝集コロイダルシ
リカ分散液を得た。
【0036】このコロイダルシリカはTEM映像による
と一次粒子数個が凝集した二次粒子を構成し、粒子表面
には凹凸があり、幾何学的粒子径の平均値(X1)は4
5nmであった。また、窒素吸着BET法による粒子径
(X2)は33nmであり、その比Y(X1/X2)が
1.36であった。実施例3で得られた二次凝集コロイ
ダルシリカ粒子の10000倍と40000倍のTEM
写真をそれぞれ図2及び図3に示す。
【0037】実施例4:実施例1〜3で得た本発明のコ
ロイダルシリカ及び市販のコロイダルシリカを用いて、
表1に示す研磨剤組成物を調製した。
【0038】
【表1】
【0039】これらの研磨剤組成物1〜4を用いて、下
記の研磨条件で、シリコン単結晶(シリコン矩形ミラー
ウェハー、方位:<100>±1゜)の研磨試験を行った。これ
らの結果を表2に示す。 <研磨条件> 研磨機 ; 片面研磨機 研磨パッド; ロデール(株)製SUBA400 定盤回転数; 150rpm 自転数 ; 100rpm 加工圧力; 230g/cm2 研磨時間; 10分 研磨液供給量;20ml/分 <研磨性能の評価> 研磨速度;加工完了後のシリコンを洗浄・乾燥し、加工
前後の重量減から研磨速度を求めた。 研磨痕 ;暗室で目視により研磨痕の有無を判定した。
【0040】
【表2】
【0041】表2に示したように,本発明のコロイダル
シリカを使用した研磨材組成物(No.1〜3)の研磨
速度は、市販のコロイダルシリカを使用したものと比べ
17〜34%の向上が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1で得た本発明の二次凝集コロイダル
シリカの倍率40000倍の電子顕微鏡写真である。
【図2】 実施例3で得た本発明の二次凝集コロイダル
シリカの倍率10000倍の電子顕微鏡写真である。
【図3】 実施例3で得た本発明の二次凝集コロイダル
シリカの倍率40000倍の電子顕微鏡写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 泉 昌弘 東京都江東区亀戸9丁目11番1号 日本化 学工業株式会社内 Fターム(参考) 3C058 AA07 CA01 DA02 4G072 AA28 BB05 BB07 CC13 DD06 DD07 EE01 GG01 MM40 TT01 TT06 UU01 UU30

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コロイダルシリカのシリカ粒子の電子線
    による透過投影像より求めた幾何学的平均粒子径(X
    1)と、シリカ粒子の表面積より算出した相当粒子径
    (X2)との比Y(X1/X2)が1.3から2.5の
    範囲であり、かつその幾何学的平均粒子径が20〜20
    0nmの範囲であることを特徴とする二次凝集コロイダ
    ルシリカ。
  2. 【請求項2】 シリカ粒子の表面積の測定方法がシアー
    ズ法であることを特徴とする、請求項1記載の二次凝集
    コロイダルシリカ。
  3. 【請求項3】 シリカ粒子の表面積の測定方法が窒素吸
    着BET法であることを特徴とする、請求項1記載の二
    次凝集コロイダルシリカ。
  4. 【請求項4】 電子線による透過投影像より求めた幾何
    学的平均粒子径(X1)が、透過型電子顕微鏡の投影像
    から求めた粒子の直径の平均値であることを特徴とす
    る、請求項1記載の二次凝集コロイダルシリカ。
  5. 【請求項5】 単分散のコロイダルシリカにシリカ粒子
    の凝集剤を添加してほぼ球状の凝集二次粒子を作り、次
    いで活性珪酸を添加して凝集粒子を一体化することを特
    徴とする二次凝集コロイダルシリカの製造方法。
  6. 【請求項6】 コロイダルシリカのシリカ粒子の電子線
    による透過投影像より求めた幾何学的平均粒子径(X
    1)と、シリカ粒子の表面積より算出した相当粒子径
    (X2)との比Y(X1/X2)が1.3から2.5の
    範囲であり、かつその幾何学的平均粒子径が20〜20
    0nmの範囲にある二次凝集コロイダルシリカを含有す
    ることを特徴とする電子材料用の研磨剤組成物。
  7. 【請求項7】 シリコンウエハ、化合物半導体ウェハ、
    半導体デバイスウェハ、磁気ディスク基板、又は水晶基
    板用である請求項6記載の研磨剤組成物。
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007153672A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 異方形状シリカゾルの製造方法
JP2007153692A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 異方形状シリカゾルの製造方法
US7267604B2 (en) 2004-03-19 2007-09-11 Hitachi Cable, Ltd. Grinding abrasive grains, abrasive, abrasive solution, abrasive solution preparation method, grinding method, and semiconductor device fabrication method
JP2008013655A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Kao Corp ガラス基板用の研磨液組成物
JP2008519177A (ja) * 2004-11-08 2008-06-05 アクゾ ノーベル エヌ.ブイ. 水性分散液の形態の顔料組成物
WO2008072637A1 (ja) * 2006-12-12 2008-06-19 Fuso Chemical Co. Ltd. コロイダルシリカの製造方法
JP2008169102A (ja) * 2006-10-12 2008-07-24 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 金平糖状シリカ系ゾルおよびその製造方法
US7507668B2 (en) 2005-09-30 2009-03-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Polishing slurry, method of treating surface of GaxIn1-xAsyP1-y crystal and GaxIn1-xAsyP1-y crystal substrate
JP2009155180A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd 粒子連結型アルミナ−シリカ複合ゾルおよびその製造方法
JP2009161371A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd シリカゾルおよびその製造方法
WO2009128494A1 (ja) * 2008-04-16 2009-10-22 日立化成工業株式会社 Cmp用研磨液及び研磨方法
JP2010024119A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd 金平糖状シリカゾルの製造方法
WO2012050044A1 (ja) 2010-10-12 2012-04-19 株式会社 フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2013091589A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Nissan Chem Ind Ltd 多孔質2次凝集シリカゾル及びその製造方法
JP2013227168A (ja) * 2012-04-25 2013-11-07 Nippon Chem Ind Co Ltd 表面に凹凸のあるシリカ粒子を有するコロイダルシリカ、その製造方法及びそれを用いた研磨剤
EP2915859A4 (en) * 2012-10-31 2015-10-28 Fujimi Inc POLISHING COMPOSITION
JP2016011224A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 日揮触媒化成株式会社 疎水性シリカ系粉末、それを含むゴム成型用組成物およびその製造方法
JP2017105980A (ja) * 2015-09-25 2017-06-15 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated ストップ‐オンシリコンコーティング層添加剤
JP2017527104A (ja) * 2014-06-25 2017-09-14 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション コロイダルシリカ化学機械研磨濃縮物
JP2018177576A (ja) * 2017-04-10 2018-11-15 日揮触媒化成株式会社 異形シリカ粒子の製造方法
CN113436654A (zh) * 2017-09-29 2021-09-24 富士胶片株式会社 磁带及磁记录回放装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04187512A (ja) * 1990-11-21 1992-07-06 Catalysts & Chem Ind Co Ltd シリカゾルとその製法
JPH06316407A (ja) * 1993-03-03 1994-11-15 Nissan Chem Ind Ltd シリカゾルの製造方法
JP2000178020A (ja) * 1998-12-15 2000-06-27 Nippon Chem Ind Co Ltd 高純度シリカ水性ゾル及びその製造方法
JP2000247625A (ja) * 1999-03-04 2000-09-12 Nippon Chem Ind Co Ltd 高純度シリカゾル及びその製造方法
JP2001011433A (ja) * 1999-07-02 2001-01-16 Nissan Chem Ind Ltd 研磨用組成物
JP2001118815A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Speedfam Co Ltd 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04187512A (ja) * 1990-11-21 1992-07-06 Catalysts & Chem Ind Co Ltd シリカゾルとその製法
JPH06316407A (ja) * 1993-03-03 1994-11-15 Nissan Chem Ind Ltd シリカゾルの製造方法
JP2000178020A (ja) * 1998-12-15 2000-06-27 Nippon Chem Ind Co Ltd 高純度シリカ水性ゾル及びその製造方法
JP2000247625A (ja) * 1999-03-04 2000-09-12 Nippon Chem Ind Co Ltd 高純度シリカゾル及びその製造方法
JP2001011433A (ja) * 1999-07-02 2001-01-16 Nissan Chem Ind Ltd 研磨用組成物
JP2001118815A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Speedfam Co Ltd 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7267604B2 (en) 2004-03-19 2007-09-11 Hitachi Cable, Ltd. Grinding abrasive grains, abrasive, abrasive solution, abrasive solution preparation method, grinding method, and semiconductor device fabrication method
JP2008519177A (ja) * 2004-11-08 2008-06-05 アクゾ ノーベル エヌ.ブイ. 水性分散液の形態の顔料組成物
JP4897694B2 (ja) * 2004-11-08 2012-03-14 アクゾ ノーベル ナムローゼ フェンノートシャップ 水性分散液の形態の顔料組成物
US7507668B2 (en) 2005-09-30 2009-03-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Polishing slurry, method of treating surface of GaxIn1-xAsyP1-y crystal and GaxIn1-xAsyP1-y crystal substrate
JP2007153672A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 異方形状シリカゾルの製造方法
JP2007153692A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 異方形状シリカゾルの製造方法
JP2008013655A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Kao Corp ガラス基板用の研磨液組成物
JP2008169102A (ja) * 2006-10-12 2008-07-24 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 金平糖状シリカ系ゾルおよびその製造方法
JP2013047180A (ja) * 2006-10-12 2013-03-07 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd 金平糖状シリカ系ゾル
JP5155185B2 (ja) * 2006-12-12 2013-02-27 扶桑化学工業株式会社 コロイダルシリカの製造方法
WO2008072637A1 (ja) * 2006-12-12 2008-06-19 Fuso Chemical Co. Ltd. コロイダルシリカの製造方法
JP2009155180A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd 粒子連結型アルミナ−シリカ複合ゾルおよびその製造方法
JP2009161371A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd シリカゾルおよびその製造方法
KR101209990B1 (ko) 2008-04-16 2012-12-07 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Cmp용 연마액 및 연마방법
WO2009128494A1 (ja) * 2008-04-16 2009-10-22 日立化成工業株式会社 Cmp用研磨液及び研磨方法
JP2014057071A (ja) * 2008-04-16 2014-03-27 Hitachi Chemical Co Ltd Cmp用研磨液及び研磨方法
JP5513372B2 (ja) * 2008-04-16 2014-06-04 日立化成株式会社 Cmp用研磨液及び研磨方法
JP2010024119A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd 金平糖状シリカゾルの製造方法
WO2012050044A1 (ja) 2010-10-12 2012-04-19 株式会社 フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2013091589A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Nissan Chem Ind Ltd 多孔質2次凝集シリカゾル及びその製造方法
JP2013227168A (ja) * 2012-04-25 2013-11-07 Nippon Chem Ind Co Ltd 表面に凹凸のあるシリカ粒子を有するコロイダルシリカ、その製造方法及びそれを用いた研磨剤
EP2915859A4 (en) * 2012-10-31 2015-10-28 Fujimi Inc POLISHING COMPOSITION
JP2017527104A (ja) * 2014-06-25 2017-09-14 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション コロイダルシリカ化学機械研磨濃縮物
JP2016011224A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 日揮触媒化成株式会社 疎水性シリカ系粉末、それを含むゴム成型用組成物およびその製造方法
JP2017105980A (ja) * 2015-09-25 2017-06-15 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated ストップ‐オンシリコンコーティング層添加剤
US10144850B2 (en) 2015-09-25 2018-12-04 Versum Materials Us, Llc Stop-on silicon containing layer additive
JP2019049008A (ja) * 2015-09-25 2019-03-28 バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー ストップ‐オンシリコンコーティング層添加剤
JP2018177576A (ja) * 2017-04-10 2018-11-15 日揮触媒化成株式会社 異形シリカ粒子の製造方法
CN113436654A (zh) * 2017-09-29 2021-09-24 富士胶片株式会社 磁带及磁记录回放装置
CN113436654B (zh) * 2017-09-29 2022-12-02 富士胶片株式会社 磁带及磁记录回放装置

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