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JP2002335107A - 伝送線路型コンポーネント - Google Patents

伝送線路型コンポーネント

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Publication number
JP2002335107A
JP2002335107A JP2001136955A JP2001136955A JP2002335107A JP 2002335107 A JP2002335107 A JP 2002335107A JP 2001136955 A JP2001136955 A JP 2001136955A JP 2001136955 A JP2001136955 A JP 2001136955A JP 2002335107 A JP2002335107 A JP 2002335107A
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JP
Japan
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transmission line
power supply
line type
type component
frequency
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001136955A
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English (en)
Inventor
Shiro Yoshida
史郎 吉田
Hirokazu Toya
弘和 遠矢
Masayuki Shimizu
政行 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
NEC Corp
Taiyo Yuden Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Priority to EP02722790A priority patent/EP1387431A4/en
Priority to US10/476,843 priority patent/US7064623B2/en
Priority to KR1020037014574A priority patent/KR100564928B1/ko
Priority to CNB028095685A priority patent/CN1253965C/zh
Priority to PCT/JP2002/004154 priority patent/WO2002091515A1/ja
Priority to TW091109648A priority patent/TW551017B/zh
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速・高周波回路素子における高速・高周波
動作時に発生する高周波電源電流の影響を容易にして適
確に回避できる低インピーダンスな伝送線路型コンポー
ネントを提供すること。 【解決手段】 このデカップリング回路では、導電性材
料による内部導体の表面上を覆うように高誘電率絶縁材
を介して内部導体よりも直径の大きな導電性材料による
円筒状の外部導体を同軸状に配備することで特性インピ
ーダンスが極めて低値な同軸線路を形成した構成の伝送
線路型コンポーネント１′をプリント回路基板上のＤＣ
源に接続された電源供給線８及びグランド線９とＬＳＩ
６の電源ポートとの間に直列に挿入しているので、ＬＳ
Ｉ６から発生する高周波電源電流の殆どをＬＳＩ６の電
源ポートに反射させ、コンポーネント１′に侵入する一
部の高周波電源電流は誘電損失で消費されて外部の電源
供給線８に到達しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として半導体ス
イッチング回路における高周波減結合器（デカップリン
グコンポーネント、所謂デカップラ）として好適な電子
部品であって、高速・高周波回路素子を搭載するデジタ
ル用プリント回路基板や半導体パッケージの電源供給線
として搭載される伝送線路型コンポーネントに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ（大規模集積回路）等に代
表されるような高速・高周波回路素子が搭載されるプリ
ント回路基板は、電磁ノイズを発生し、これに伴って誘
発される電磁干渉やＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅ
ｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）が基板を搭載した
電子機器自体や或いは他の電子機器に対して誤動作を引
き起こすような問題があることはよく知られている。
【０００３】ここで、電磁ノイズの発生にあって特に大
きなウェートを占めるのは、コモンモードと言われる大
地面又はグランド面を基準電位として生ずる高周波源に
起因するコモンモードノイズと呼ばれる電磁ノイズであ
る。このコモンモードノイズは、推定される発生原因が
多岐に亘るばかりでなく、それぞれの発生機構が複雑で
あり、発生源に近い箇所での有効な対策を図り難いた
め、通常コモンモードノイズの主たる伝搬線路又は放射
アンテナとなるケーブルに対して漏洩防止対策や放射防
止対策を施している。
【０００４】これに対し、高速デジタル回路におけるコ
モンモードノイズ発生の最たる原因の一つは、最近の研
究によりプリント回路基板に搭載される高速・高周波回
路素子の高周波電源電流であることが判っている。この
ような高速・高周波回路素子の高周波電源電流に起因す
るＥＭＩ抑制効果を図るための技術開発も行われてお
り、周知技術としては例えば特開平９−１３９５７３号
公報に開示された多層プリント基板や特開平１１−４０
９１５号に開示されたプリント配線板等が挙げられる。
【０００５】これらの技術は、プリント回路基板に搭載
されている高速・高周波回路素子に対する直流電源の供
給を途中に高周波時に高いインピーダンスを有するイン
ダクタを挿入した線路によって行ったり、或いは途中に
磁性体を挿入した特性インピーダンスの高い線路（以
下、デカップリングインダクタと呼ぶ）によって行うと
共に、これに合わせて高速・高周波回路素子における電
源供給線及びグランド線の間にコンデンサ（以下、バイ
パスコンデンサと呼ぶ）を接続することにより、高速・
高周波回路素子における高速・高周波動作を円滑に行わ
せつつ、これに伴って発生する高周波電源電流のプリン
ト回路基板全体への拡散を防止できるものとなってい
る。
【０００６】図１０は、従来のＥＭＩ抑制効果を有する
デカップリング回路の基本構成（特開平９−１３９５７
３号公報に開示されたＥＭＩ抑制効果の技術的な原理を
表わす等価回路）を示したものである。
【０００７】このデカップリング回路の場合、直流電源
１０との間で入力側，出力側がそれぞれ電源供給線８，
グランド線９により接続されたＬＳＩ６において、電源
供給線８に対してコイルＬによるデカップリングインダ
クタ２２を挿入すると共に、電源供給線８，グランド線
９の間に静電容量Ｃのバイパスコンデンサ１９を挿入す
ることにより電源回路として構成されている。
【０００８】ところが、このようなデカップリング回路
（電源回路）を含む上述した高周波電源電流への対策の
場合、技術的な観点からは正しくても、実用面では実質
的に高速・高周波回路素子の高速・高周波動作に伴って
発生する高周波電源電流を考慮しておらず（高周波電源
電流の発生やそれを抑制するための技術は全く開示され
ていない）、実施化に際してはＬＳＩ毎にデカップリン
グインダクタとバイパスコンデンサとのパラメータを設
計しなければならない上、市販のコンデンサ特性がＬＳ
Ｉの高速化に追従していないために適用化が困難である
等、多くの課題を抱えている。
【０００９】一方、こうした電源回路では多くの課題が
あるにも拘らず、デジタル回路における高速化を進展さ
せる必要があるため、上述したデカップリング回路（電
源回路）に代わり、当面の高周波電源電流の対策を図り
得る比較的実用化が容易な技術が研究開発されている。
このような技術に関連すると思われる周知技術として、
特願平１１−２２９５２５号で提案されている直流電源
供給線路を備えた高誘電体内蔵多層プリント回路基板が
挙げられる。
【００１０】この技術は、プリント回路基板に搭載され
ているＬＳＩ等のような高速・高周波回路素子にとって
理想的な電源形態である広周波数帯域に亘って内部イン
ピーダンスが充分小さい値を有する直流電源が高速・高
周波回路素子毎に設けられることにより、高速・高周波
回路素子の高速・高周波動作に伴う高周波電源電流を円
滑に流し、その結果として信号波形の歪みを抑制するこ
とができる上、直流電源の共用により電圧を安定させて
高速・高周波回路素子間の相互干渉を排除することがで
きるものである。
【００１１】図１１は、従来のＥＭＩ抑制効果を有する
直流電源供給線路を備えた高誘電体内蔵多層プリント回
路基板の要部構成（特願平１１−２２９５２５号で提案
されたもの）を示した平面図である。
【００１２】この高誘電体内蔵多層プリント回路基板の
場合、隅部に配備された一つの直流電源１０に対して７
個のＬＳＩ６ｈ〜６ｎをそれぞれ異なる導線性パターン
により形成された７本の電源供給線８ｏ〜８ｕにより接
続すると共に、各ＬＳＩ６ｈ〜６ｎに対してそれぞれ表
面実装されて接地された７個のバイパスコンデンサ１９
ａ〜１９ｇを接続して構成されている。
【００１３】図１２は、この高誘電体内蔵多層プリント
回路基板における要部の基本構造を示した側面断面図で
ある。
【００１４】この高誘電体内蔵多層プリント回路基板で
は、電源供給線８を成す電源供給層が高誘電率絶縁材４
による高誘電率絶縁材層を介在してグランド線９を成す
グランドプレーン層により両側から挟まれた部分と、更
にこの部分がプリプレグ絶縁層２１を介在して信号層２
０により両側から挟まれた構造としたものであり、イン
ピーダンスの低い線路構造を具現している。
【００１５】この高誘電体内蔵多層プリント回路基板の
場合も、高速・高周波回路素子の高速・高周波動作に伴
って発生する高周波電源電流やそれを抑制するための技
術が開示されていない上、デカップリングインダクタや
バイパスコンデンサの高周波特性が不十分であるとみな
せるが、それでも高周波電源電流の影響を回避するため
に実用的に容易に採用できるもので、ＬＳＩ６ｈ〜６ｎ
のタイプや使用条件に大きく依存せず、ＬＳＩ６ｈ〜６
ｎの高速・高周波動作を可能にさせる電源供給線８ｏ〜
８ｕを備えた点を特色としている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上述したＥＭＩ抑制効
果を有するデカップリング回路や直流電源供給線路を備
えた高誘電体内蔵多層プリント回路基板の場合、デカッ
プリング回路に導入されているバイパスコンデンサは、
ＬＳＩ等の高速・高周波回路素子における高速・高周波
化に比べて材料技術や構造技術での向上がかなり立ち遅
れていることにより特性的に問題があり、高誘電体内蔵
多層プリント回路基板に用いられている高誘電率絶縁材
料は、通常のガラスエポキシ樹脂を主成分とするプリン
ト回路基板のプリプレグ絶縁材に対して部分的に使用す
る必要があって、現状のプリント回路基板の製造プロセ
スに対して大きな変更を伴うことにより実用化のために
相当の長い年月を要してしまうという難点があり、何れ
の場合も高速・高周波回路素子における高速・高周波動
作時に発生する高周波電源電流の影響を容易にして適確
に回避できないものとなっている。
【００１７】バイパスコンデンサの特性的な問題を具体
的に説明すれば、例えば最近のパーソナルコンピュータ
に使用されているＣＰＵのスイッチング周波数は１ＧＨ
ｚを超過するまでに高まっており、このような高速スイ
ッチングを可能とするためのＬＳＩの電源電流には数Ｇ
Ｈｚ以上の高次高調波が含まれるが、現在のコンデンサ
技術でバイパスコンデンサとして多く用いられる０．１
μＦ程度のコンデンサの共振周波数は数十ＭＨｚ以下で
あって、しかもコンデンサの電極パターンやリード線等
によるインダクタンス成分が容量成分に直列に存在する
（等価直列インダクタンスＥＳＬを有する）ため、キャ
パシタンスとの関係で決まる直列共振周波数以上、即
ち、数十ＭＨｚを越える周波数ではインダクタとして振
る舞うことになり、基本性能が損われてしまう。今後の
デジタル回路の高速化を可能とするため、バイパスコン
デンサにおける高周波化や広周波数帯域での低インピー
ダンス化は必須な課題となるが、近い将来に共振周波数
がＧＨｚを越えると共に、広周波数帯域で低インピーダ
ンスを示す特性を有する大容量で小型の構成のものが実
用的に製品開発された上、市場で入手可能になる見込み
は極めて少ない。
【００１８】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、高速・高周波回路
素子における高速・高周波動作時に発生する高周波電源
電流の影響を容易にして適確に回避できる低インピーダ
ンスな伝送線路型コンポーネントを提供することにあ
る。
【００１９】又、本発明の他の技術的課題は、半導体Ｌ
ＳＩの高周波電源電流によるコモンモードノイズ発生を
抑制し得るＥＭＩ抑制効果を有する直流電源供給線路構
造の伝送線路型コンポーネントを提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、導電性
材料から成る一軸方向に延びた円柱状又は円筒状の内部
導体の表面上を覆うように絶縁材を介して該内部導体よ
りも直径の大きな導電性材料から成る円筒状の外部導体
を同軸状に配備することで同軸線路を形成して構成され
ると共に、該同軸線路の特性インピーダンスが１００ｍ
ｍΩ以下の低値である伝送線路型コンポーネントが得ら
れる。
【００２１】又、本発明によれば、上記伝送線路型コン
ポーネントにおいて、内部導体は、絶縁材により覆われ
た箇所を第１の部分とし、且つ該第１の部分から該絶縁
材の端部を覆って外部導体側へ延びた第２の部分、及び
該外部導体と同じ直径で該第２の部分から該外部導体側
に近接するように延在する第３の部分を一体的に形成し
て成る伝送線路型コンポーネントが得られる。
【００２２】更に、本発明によれば、上記何れかの伝送
線路型コンポーネントにおいて、外部導体表面における
対向する局部には、表面積を大きくするために電流伝播
の一様な連続性が保たれるような形状で凹凸化処理が施
された伝送線路型コンポーネントが得られる。
【００２３】加えて、本発明によれば、上記伝送線路型
コンポーネントにおいて、外部導体表面における対向す
る局部は、凹凸化処理により形成された凹部で絶縁材が
露呈されている伝送線路型コンポーネントが得られる。
【００２４】一方、本発明によれば、上記何れか一つの
伝送線路型コンポーネントにおいて、絶縁材は、薄い中
間層として構成されている伝送線路型コンポーネントが
得られる。この伝送線路型コンポーネントにおいて、絶
縁材は、広周波数帯域で高誘電率を示すこと、更に絶縁
材は、周波数１ＭＨｚで比誘電率１００以上であること
はそれぞれ好ましい。
【００２５】他方、本発明によれば、上記何れか一つの
伝送線路型コンポーネントにおいて、絶縁材は、広周波
数帯域で大きな誘電体損失を示す伝送線路型コンポーネ
ントが得られる。この伝送線路型コンポーネントにおい
て、絶縁材は、使用周波数に対する伝送損失の特性中に
あっての勾配を示すｔａｎδが１％以上であることは好
ましい。
【００２６】又、本発明によれば、上記何れか一つの伝
送線路型コンポーネントにおいて、前記同軸状に配備さ
れた内部導体及び外部導体の誘電体による波長圧縮効果
を含む等価長は、印加される電磁波の波長の１／４より
も充分長い伝送線路型コンポーネントが得られる。
【００２７】更に、本発明によれば、上記何れか一つの
伝送線路型コンポーネントにおいて、同軸状に配備され
た内部導体及び外部導体の電気抵抗値は、半導体スイッ
チング回路に供給する直流電源電流を充分に流し得る１
００ｍｍΩ以下である伝送線路型コンポーネントが得ら
れる。
【００２８】加えて、本発明によれば、上記何れか一つ
の伝送線路型コンポーネントにおいて、半導体スイッチ
ング回路の直流電源分配回路に結合される高周波減結合
器として使用された伝送線路型コンポーネントが得られ
る。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げ、本発明の伝
送線路型コンポーネントについて、図面を参照して詳細
に説明する。
【００３０】図１は、本発明の一実施例に係る伝送線路
型コンポーネント１の基本構成を示したもので、同図
（ａ）は外観斜視図に関するもの，同図（ｂ）は側面断
面図に関するもの，同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ′
線方向における端面に平行な断面図に関するものであ
る。
【００３１】この伝送線路型コンポーネント１は、プリ
ント回路基板搭載用であり、半導体スイッチング回路の
直流電源分配回路に結合される高周波減結合器（デカッ
プラ）として好適なもので、導電性材料から成る一軸方
向に延びた円筒状の内部導体としての信号導体２の表面
上を覆うように高誘電率絶縁材４を介して信号導体２よ
りも直径の大きな導電性材料から成る円筒状の外部導体
としてのグランド導体３を同軸状に配備することで同軸
線路を形成して構成されると共に、同軸線路の特性イン
ピーダンスが１００ｍｍΩ以下の低値として構成されて
いる。
【００３２】このうち、信号導体２は、高誘電率絶縁材
４により覆われた箇所を第１の部分とし、且つ第１の部
分から高誘電率絶縁材４の端部を覆ってグランド導体３
側へ延びた第２の部分、及びグランド導体３と同じ直径
で第２の部分からグランド導体３側に近接するように延
在する第３の部分を一体的に形成して構成されている。
但し、信号導体２及びグランド導体３に関して、外観上
の構成により外部に露呈している導体部分を外部導体と
みなせば、ここでのグランド導体３と信号導体２におけ
る第２の部分及び第３の部分とによる３つの部分が外部
導体となり、これらの外部導体のうちの信号導体２にお
ける第２の部分が内部導体となる第１の部分と電気的に
接続された構成として説明することもできる。
【００３３】このように、外部導体が３つの部分の部分
に分離されてプリント回路基板への搭載用電極を形成す
ると共に、両端部のものが端部を経由して内部導体と電
気に接続される構成とすれば、プリント回路基板上の半
導体スイッチング回路の直流電源分配回路に高周波減結
合器（デカップラ）として容易に直列に搭載することが
できる。
【００３４】何れにしても、この伝送線路型コンポーネ
ント１の場合、グランド導体３表面における対向する局
部には、表面積を大きくするために電流伝播の一様な連
続性が保たれるような形状で凹凸化処理が施されて形成
された凹部で高誘電率絶縁材４が露呈されており、これ
によってプリント回路基板へ実装するための電極である
電極端子５が形成されている。
【００３５】このように、グランド導体３の表面積を大
きくすれば、結果として同軸線路長を長くすることにな
るため、コンポーネントの電流伝播の一様な連続性が保
たれる。凹凸化処理は、エッチング等による施すことが
できる。因みに、電流伝播の一様な連続性とは、凹凸処
理により伝播路での反射等が引き起こされず、電流が一
定のモードで伝わることを意味する。
【００３６】又、高誘電率絶縁材４は、充分に薄い中間
層として構成されて広周波数帯域で高誘電率及び大きな
誘電体損失を示すもので、周波数１ＭＨｚで比誘電率１
００以上であると共に、使用周波数に対する伝送損失の
特性中にあっての勾配を示すｔａｎδが１％以上である
とする。
【００３７】このように、高誘電率絶縁材４を電源供給
配線の特性インピーダンスを低くするために薄くし、且
つ広周波数帯域で高誘電率及び大きな誘電体損失を示す
ものとすれば、更に伝送線路の特性インピーダンスを低
くすることができ、半導体スイッチング回路からの高周
波電源電流をコンポーネント内部で誘電損失させ、外部
に洩れ出ないようにすることができるので、この場合は
線路利用に特有の終端処理が不要となる。又、プリント
回路基板の直流電源に対する電源供給線のインピーダン
スを伝送線路型コンポーネント１の特性インピーダンス
に比べて非常に高い値を有するように設計すれば、イン
ピーダンスの差により高周波電源電流の透過率を低減さ
せることができ、この結果として高周波電源電流がプリ
ント回路基板上の他の回路（ＬＳＩ）や外部コネクタに
結合して接続ケーブルにコモンモード電流として漏出す
ることを防止することが可能となる。
【００３８】更に、同軸状に配備された信号導体２及び
グランド導体３における誘電体による波長圧縮効果を含
む等価長は、印加される電磁波の波長の１／４よりも充
分長いものとし、信号導体２及びグランド導体３におけ
る電気抵抗値は、半導体スイッチング回路に供給する直
流電源電流を充分に流し得る１００ｍｍΩ以下であると
する。
【００３９】このように、信号導体２及びグランド導体
３の誘電体による波長圧縮効果を含む等価長を印加され
る電磁波の波長の１／４よりも充分長い値とすると共
に、広周波数帯域に亘って特性インピーダンスを１００
ｍｍΩ以下の充分小さな値とすれば、プリント回路基板
に搭載されるＬＳＩ等のような高速・高周波回路素子に
とっての理想的な直流電源の形態となる。
【００４０】このような構成の伝送線路型コンポーネン
ト１は、プリント回路基板の電源供給線に直列に挿入す
ることが有効である。その理由は、高速・高周波回路素
子であるＬＳＩ側の配線長が集中定数として取り扱える
ように高周波電源電流の波長よりも充分に小さく設計さ
れていない場合に並列挿入とすると、ＬＳＩを励振源と
する高周波電源電流の殆どが特性インピーダンスの充分
小さいコンポーネント部品のＬＳＩ側接続端で反射して
しまい、逆に、これに比べて特性インピーダンスが高い
電源供給線に大部分の高周波電源電流が流れ出る可能性
があるためである。直列挿入を前提にしているため、上
述したように信号導体２及びグランド導体３の電気抵抗
は、半導体スイッチング回路に供給する直流電源電流を
充分流し得ることが可能な１００ｍｍΩ以下の充分低い
値とする必要がある。
【００４１】又、この伝送線路型コンポーネント１を搭
載するプリント回路基板の電源供給回路は、ＬＳＩから
伝送線路型コンポーネント１のＬＳＩ側ポートまで集中
定数として見える充分短い配線で接続され、伝送線路型
コンポーネント１の反対側ポート（直流電源側）は全面
平板のプレーン構造となっている。
【００４２】このような構造の意味するところは、ＬＳ
Ｉからの高周波電源電流が伝送線路型コンポーネント１
のＬＳＩ側ポートで反射し、その分が伝送線路型コンポ
ーネント１内部に入り込まないようにするためであり、
或る一部分が伝送線路型コンポーネント１内部に入り込
んでも誘電損失により損失してしまい、伝送線路型コン
ポーネント１外部には洩れないようにすることが狙いで
ある。仮に、伝送線路型コンポーネント１の誘電損失が
不十分である場合には、直流電源の受電部から適当な規
模の回路単位毎に充分長い独立し、直流電圧降下の小さ
い線路構造で構成されていることが好ましい。
【００４３】ところで、伝送線路型コンポーネント１を
低インピーダンスな線路構造とする理由は、プリント回
路基板に搭載されているＬＳＩ等のような高速・高周波
回路素子にとっての理想的な直流電源の形態が広周波数
帯域に亘って内部インピーダンスが充分小さい値を有
し、そのような電源が高速・高周波回路素子毎に設けら
れる構成にあって、これによって高速・高周波回路素子
の高速・高周波動作に伴う高周波電源電流を円滑に流
し、その結果として信号波形の歪みを抑制することがで
きる上、直流電源を共用することで電圧を安定させて高
速・高周波回路素子間の相互干渉を排除することができ
るためである。
【００４４】ここで、電源の独立設置は回路部品数が増
大し、機器のコストやサイズを大きくする上、故障率を
高めるといった問題があるため現実的ではないので、特
に事情がない限り比較的小規模の電子機器においては同
一電圧を印加するための電源は一つに集約し、例えばプ
リント回路基板用の直流電源はプリント回路基板と独立
したユニットで発生させ、高周波についての配慮が払わ
れていない電線によって供給するのが普通となってい
る。
【００４５】そこで、伝送線路型コンポーネント１をプ
リント回路基板の電源供給線に直列に挿入すれば、プリ
ント回路基板に供給される直流電源をプリント回路基板
内で理想に近い形態で高速・高周波回路素子に供給する
ことができる。
【００４６】尚、上述した伝送線路型コンポーネント１
では、内部導体としての信号導体２（上述した第１の部
分）を円筒状の形状として説明したが、この部分を円柱
状としても良い。又、上述した伝送線路型コンポーネン
ト１は、プリント回路基板に搭載する場合を説明した
が、このようなコンポーネントを一層小型化して半導体
パッケージ内電源分配回路のリードに搭載することも可
能である。この場合、高周波電源電流源により近い場所
にコンポーネントを搭載すれば一層効果が期待でき、プ
リント回路基板の電源層の構造を従来の多層構造のもの
を適用することにより、上述したプリント回路基板搭載
用の電極構造を一層簡素な構成のものにできる。
【００４７】図２は、本発明の他の実施例に係る伝送線
路型コンポーネント１′の基本構成を示したもので、同
図（ａ）は外観斜視図に関するもの，同図（ｂ）は側面
断面図に関するもの，同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ−
Ａ′線方向における端面に平行な断面図に関するもので
ある。
【００４８】この伝送線路型コンポーネント１′の場合
も、半導体パッケージ搭載用のものであり、半導体スイ
ッチング回路の直流電源分配回路に結合される高周波減
結合器（デカップラ）として好適なもの（直接ＬＳＩ等
における電源リードやグランドリードに対して接続され
る）で、導電性材料から成る一軸方向に延びた円筒状の
内部導体としての信号導体２′の表面上を覆うように高
誘電率絶縁材４′を介して信号導体２′よりも直径の大
きな導電性材料から成る円筒状の外部導体としてのグラ
ンド導体３′を同軸状に配備することで同軸線路を形成
して構成されると共に、同軸線路の特性インピーダンス
が１００ｍｍΩ以下の低値として構成されている。
【００４９】この伝送線路型コンポーネント１′の場
合、図１（ａ）〜（ｃ）で説明した一実施例の伝送線路
型コンポーネント１と比較すれば、外部導体を凹凸処理
して形成された電極端子５を持たず、外部導体が分離さ
れた構造でなく、各部が同軸状に順次配備されただけの
シンプルな構造となっている。
【００５０】この伝送線路型コンポーネント１′におい
ても、高誘電率絶縁材４′は、充分に薄い中間層として
構成されて広周波数帯域で高誘電率及び大きな誘電体損
失を示すもので、周波数１ＭＨｚで比誘電率１００以上
であると共に、使用周波数に対する伝送損失の特性中に
あっての勾配を示すｔａｎδが１％以上であるとし、同
軸状に配備された信号導体２′及びグランド導体３′に
おける誘電体による波長圧縮効果を含む等価長は、印加
される電磁波の波長の１／４よりも充分長いものとし、
信号導体２′及びグランド導体３′における電気抵抗値
は、半導体スイッチング回路に供給する直流電源電流を
充分に流し得る１００ｍｍΩ以下であるとする。尚、こ
の伝送線路型コンポーネント１′の場合も、内部導体と
しての信号導体２′を円筒状の形状として説明したが、
この部分を円柱状の形状として構成しても良い。
【００５１】ところで、上述した伝送線路型コンポーネ
ント１，１′は、従来のテレビ，チューナ，携帯電話等
の高周波用途のために使用されている円筒型コンデンサ
の製造プロセス技術を適用することで容易に作製するこ
とができる。
【００５２】図３は、伝送線路型コンポーネント１，
１′の作製に適用される従来の円筒型コンデンサの外観
構成を示したもので、同図（ａ）は側面図に関するも
の，同図（ｂ）は端面方向での平面図に関するものであ
る。
【００５３】この円筒型コンデンサは、一軸方向に延び
た導電性材料から成る円柱状の電極端子１８の表面の両
端部及びその近傍の外周側面局部を除く外周側面の全体
に電極端子１８よりも直径の大きな円筒状となるように
樹脂コート１７を同軸状に配備して構成されている。こ
こでは、電極端子１８の一軸方向における長さＬが約
２．０ｍｍ、電極端子１８の一軸方向両側における露呈
部分の幅Ｗが約０．３ｍｍ、樹脂コート１７の直径φＤ
が約１．２５ｍｍである場合を例示できる。
【００５４】何れにしても、伝送線路型コンポーネント
１，１′は、伝送線路の特性インピーダンスＺ0 を高周
波の広周波数帯域で充分低くするために、図１（ａ）〜
（ｃ）や図２（ａ）〜（ｃ）に示したようにマイクロ波
等の通信機器で用いられる同軸線路構造としており、こ
れによって伝送線路からの漏洩電磁界も抑制される。
【００５５】図４は、上述した伝送線路型コンポーネン
ト１，１′をプリント回路基板に搭載して構成されるＥ
ＭＩ抑制効果を有するデカップリング回路の等価回路図
である。
【００５６】このデカップリング回路では、伝送線路型
コンポーネント１，１′をプリント回路基板上の直流電
源（ＤＣ源）に接続された電源供給線８及びグランド線
９とＬＳＩ６の電源ポートとの間に直列に挿入すること
により、ＬＳＩ６が高速スイッチング動作により発生す
る高周波電源電流の殆どをＬＳＩ６の電源ポートに反射
させ、且つ伝送線路型コンポーネント１，１′に侵入す
る一部の高周波電源電流を誘電損失で消費させることで
終端コンデンサ７よりも外部のプリント回路基板の電源
供給線８にまで到達させない機能を有するものとなる
が、直流電源（ＤＣ源）からの直流電流はそのまま通過
されてＬＳＩ６へ供給される。
【００５７】因みに、図１０で説明した従来のデカップ
リング回路におけるバイパスコンデンサ１９の搭載は、
電源供給線８及びグランド線９の間に電源供給線８に対
して並列に挿入しているが、伝送線路型コンポーネント
１，１′をプリント回路基板へ搭載する場合には図４に
示したように電源供給線８及びグランド線９とＬＳＩ６
の電源ポートとの間に直列に挿入している。このような
構成とすれば、仮にＬＳＩ６及び伝送線路型コンポーネ
ント１，１′における入力端の配線長が集中定数として
取り扱えるように高周波電流の波長よりも充分に小さく
設計されていない場合でも、ＬＳＩ６を励振源とする高
周波電源電流の殆どが特性インピーダンスの充分小さい
伝送線路型コンポーネント１，１′のＬＳＩ６側接続端
で反射され、これとは逆に比較的特性インピーダンスが
高い電源分配線路に大部分の高周波電源電流が流れ出る
ような問題を解消することができる。
【００５８】図５は、上述した伝送線路型コンポーネン
ト１，１′の何れかを複数個（総計７個）の伝送線路型
コンポーネント１ａ〜１ｇとして選定した上で複数個
（総計７個）のＬＳＩ６ａ〜６ｇが搭載される多層構造
のプリント回路基板へ搭載して複数本（総計７本）の電
源供給線８ａ〜８ｇにより配線接続した場合の電源層局
部における配線構造の一例を示した平面図である。
【００５９】ここでの多層構造のプリント回路基板にお
ける電源層は、各ＬＳＩ６ａ〜６ｇの電源端子から各伝
送線路型コンポーネント１ａ〜１ｇの各ＬＳＩ６ａ〜６
ｇ側のポートまでが配線化されて各電源供給線８ａ〜８
ｇが配設されており、各伝送線路型コンポーネント１ａ
〜１ｇにおける直流電源１０側の反対側ポートから直流
電源１０までが電源平板（プレーン）８′となっている
ことを示している。
【００６０】この多層構造のプリント回路基板では、各
ＬＳＩ６ａ〜６ｇからの高周波電源電流が各伝送線路型
コンポーネント１ａ〜１ｇ内部で全て誘電損失により消
滅されるため、外部に洩れ出ない。
【００６１】しかしながら、この構成によっても各伝送
線路型コンポーネント１ａ〜１ｇ内部での誘電損失が不
十分である場合、若干の高周波電源電流が各伝送線路型
コンポーネント１ａ〜１ｇ外部に洩れ出す可能性もあり
得る。
【００６２】図６は、上述した伝送線路型コンポーネン
ト１，１′の何れかを複数個（総計７個）の伝送線路型
コンポーネント１ａ〜１ｇとして選定した上で複数個
（総計７個）のＬＳＩ６ａ〜６ｇが搭載される多層構造
のプリント回路基板へ搭載して複数本（総計７本）の電
源供給線８ａ〜８ｇにより配線接続した場合の電源層局
部における配線構造の一例を示した平面図である。
【００６３】ここでの多層構造のプリント回路基板にお
ける電源層は、直流電源１０から各伝送線路型コンポー
ネント１ａ〜１ｇの直流電源側のポートまでが１対１で
配線化されて各電源供給線８ｈ〜８ｎが配設されている
ことにより、理想的な直流電源１０を見かけ上個別に提
供しつつ、洩れ出た高周波電源電流の他回路（各ＬＳＩ
６ａ〜６ｇ）への廻り込みを防止することができる。
【００６４】図７は、上述した伝送線路型コンポーネン
ト１′を複数個（総計８個）の伝送線路型コンポーネン
ト１ｈ〜１ｏとして選定した上で半導体パッケージ内部
に搭載した場合の様子を示したもので、同図（ａ）は上
面方向からの平面図に関するもの，同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ′線方向における一部（要部）を抜粋し
て示した側面断面図に関するものである。
【００６５】この半導体パッケージは、パッケージ本体
の周縁部に隣接されるか、或いはほぼ隣接して総計８箇
所に対で設けられた電源端子１６ａ，グランド端子１６
ｂに接続された電源供給リード線，グランドリード線に
総計８個の伝送線路型コンポーネント１ｈ〜１ｏが直接
的に接続され、これらの各電源供給リード線，各グラン
ドリード線の先端側やパッケージ本体の周縁部のその他
の部分の端子に接続された複数の信号リード線の先端側
に接続された複数のリード１５とアイランド１４上に搭
載されたペレット１１の周縁部に設けられた複数のボン
ディングパッド１２とをそれぞれ複数のボンディングワ
イヤ１３で接続して構成されており、高周波電源電流源
に一層近い位置に各伝送線路型コンポーネント１ｈ〜１
ｏを配備して高周波電源電流を対策している。
【００６６】図８は、上述した伝送線路型コンポーネン
ト１′を全長（線路長）約１００ｍｍとし、比誘電率ε
r がそれぞれ１５０，３５００，１００００と異なる材
料を用いて試作した３種類の試作品の伝送特性（所謂Ｓ
２１特性と呼ばれるもの）を従来のバイパスコンデンサ
として用いられる静電容量がそれぞれ１０００ｐＦ，１
０００００ｐＦと異なる２種類の積層チップコンデンサ
のものと比較して周波数（ＭＨｚ）に対する伝送損失
（ｄＢ）の関係で示したものである。但し、ここでの伝
送特性は、何れもネットワークアナライザ（ＨＰ８７５
３Ｄ）を用いて測定した結果である。
【００６７】図８からは、各試作品は、何れも各積層チ
ップコンデンサと比べて広周波数帯域で伝送損失が非常
に大きくなっていること、即ち、換言すれば低周波数か
ら高周波数までのインピーダンスが非常に小さくなって
ことが判る。又、各試作品の場合、比誘電率εr が高い
もの程、伝送損失が顕著に大きくなっており、特に比誘
電率εr ＝１００００のものでは約１００ＭＨｚで３桁
もインピーダンスが小さくなっていることが判る。
【００６８】各試作品は、何れも全長約１００ｍｍであ
り、プリント回路基板に直接搭載することは困難である
が、伝送線路型コンポーネント１′の容量を小さくする
ために高誘電率絶縁材４′の厚さを薄くするか、或いは
周波数特性の良い高誘電率な材料を用いれば、同じ伝送
特性を有する上で全長を短くするように構成することが
可能である。又、ここでの伝送特性は、低い周波数から
の特性を示しているが、伝送線路型コンポーネント１′
を例えば１００ＭＨｚ以上の高速ＬＳＩ対応部品として
位置付け（適用周波数下限を数ＭＨｚから１００ＭＨｚ
とする）、高誘電率の材料の波長圧縮効果を考慮すれ
ば、全長を実用的な長さまで短くすることが可能であ
る。
【００６９】このような観点より、プリント回路基板へ
の搭載に適用可能な程度まで全長を短くした全長５．４
ｍｍの試作品を作製した。
【００７０】図９は、上述した伝送線路型コンポーネン
ト１′を全長（線路長）５．４ｍｍと短くして比誘電率
εr ＝１００００として試作した試作品の伝送特性（所
謂Ｓ２１特性と呼ばれるもの）を図８に示した全長（線
路長）１００ｍｍで同じ比誘電率εr ＝１００００の試
作品、並びに従来のバイパスコンデンサとして用いられ
る静電容量が１０００００ｐＦの積層チップコンデンサ
のものと比較して周波数（ＭＨｚ）に対する伝送損失
（ｄＢ）の関係で示したものである。但し、ここでの伝
送特性も、何れもネットワークアナライザ（ＨＰ８７５
３Ｄ）を用いて測定した結果である。
【００７１】図９からは、全長が短い試作品は、全長を
一定長（そのまま）とした試作品と較べ、全長（線路
長）が短くなった分、誘電損失も小さくなって伝送損失
が小さい線路として構成され、１００ＭＨｚを下限周波
数とすると線路の特性インピーダンスが約２桁小さくな
ることが判る。
【００７２】何れにしても、上述した伝送線路型コンポ
ーネント１，１′とこれらを搭載するプリント回路基板
や半導体パッケージを上述した構成とすることにより、
ＬＳＩ等の高速・高周波回路素子に対して理想的な直流
電源を見かけ上個別に提供できるため、高速・高周波回
路素子から高速スイッチング動作により発生する高周波
電源電流を伝送線路型コンポーネント１，１′内部で誘
電損失させ、電源供給線８及び信号線の間の電磁結合と
プリント回路基板の電源供給線８から装置内の電源供給
ケーブルへの高周波電源電流の流出とを抑制することが
可能となる。これにより、プリント回路基板に搭載され
る高速・高周波回路素子の高速・高周波動作を促進しつ
つ、デジタル機器に代表される高速・高周波電子機器か
らの電磁放射を抑制して充分なＥＭＩ抑制効果を持ち、
又外部からの電気的又は電磁気的外乱への耐久性を高め
ることができる。
【００７３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の伝送線
路型コンポーネントによれば、導電性材料から成る内部
導体の表面上を覆うように高誘電率絶縁材を介して内部
導体よりも直径の大きな導電性材料から成る円筒状の外
部導体を同軸状に配備することで特性インピーダンスが
極めて低値な同軸線路を形成した構成とし、これをプリ
ント回路基板の電源供給線とＬＳＩ等の高速・高周波回
路素子の電源ポートとの間に直列に挿入することによ
り、プリント回路基板に搭載される高速・高周波回路素
子毎に個別に低インピーダンスの独立した電源を設ける
場合と同様な状態で直流電源を供給でき、しかも高速・
高周波回路素子から高速スイッチング動作により発生す
る高周波電源電流を伝送線路型コンポーネント内部で誘
電損失させ、電源供給線及び信号線の間の電磁結合とプ
リント回路基板の電源供給線から装置内の電源供給ケー
ブルへの高周波電源電流の流出とを抑制することが可能
になるので、この結果としてプリント回路基板に搭載さ
れる高速・高周波回路素子の高速・高周波動作を促進し
つつ、デジタル機器に代表される高速・高周波電子機器
からの電磁放射を抑制して充分なＥＭＩ抑制効果を持
ち、又外部からの電気的又は電磁気的外乱への耐久性を
高めることができるようになる。即ち、この伝送線路型
コンポーネントは、高速・高周波回路素子における高速
・高周波動作時に発生する高周波電源電流の影響を容易
にして適確に回避できる低インピーダンスなものである
ため、特に高周波電源電流源である半導体パッケージ内
部に搭載すれば、一層高い効果が得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る伝送線路型コンポーネ
ントの基本構成を示したもので、（ａ）は外観斜視図に
関するもの，（ｂ）は側面断面図に関するもの，（ｃ）
は（ｂ）のＡ−Ａ′線方向における端面に平行な断面図
に関するものである。
【図２】本発明の他の実施例に係る伝送線路型コンポー
ネントの基本構成を示したもので、（ａ）は外観斜視図
に関するもの，（ｂ）は側面断面図に関するもの，
（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ′線方向における端面に平行な
断面図に関するものである。
【図３】図１又は図２に示す伝送線路型コンポーネント
の作製に適用される従来の円筒型コンデンサの外観構成
を示したもので、（ａ）は側面図に関するもの，（ｂ）
は端面方向での平面図に関するものである。
【図４】図１又は図２に示す伝送線路型コンポーネント
をプリント回路基板に搭載して構成されるＥＭＩ抑制効
果を有するデカップリング回路の等価回路図である。
【図５】図１又は図２に示す伝送線路型コンポーネント
の何れかを選定した上でＬＳＩが搭載される多層構造の
プリント回路基板へ搭載して電源供給線により配線接続
した場合の電源層局部における配線構造要部の一例を示
した平面図である。
【図６】図１又は図２に示す伝送線路型コンポーネント
の何れかを選定した上でＬＳＩが搭載される多層構造の
プリント回路基板へ搭載して電源供給線により配線接続
した場合の電源層局部における配線構造要部の他例を示
した平面図である。
【図７】図２に示す伝送線路型コンポーネントを半導体
パッケージ内部に搭載した場合の様子を示したもので、
（ａ）は上面方向からの平面図に関するもの，（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ′線方向における一部（要部）を抜粋し
て示した側面断面図に関するものである。
【図８】図２に示す伝送線路型コンポーネントを比誘電
率が異なる材料を用いて試作した３種類の試作品の伝送
特性を従来のバイパスコンデンサとして用いられる静電
容量が異なる２種類の積層チップコンデンサのものと比
較して周波数に対する伝送損失の関係で示したものであ
る。
【図９】図２に示す伝送線路型コンポーネントの全長を
短くして試作した試作品の伝送特性を同じ比誘電率の図
８に示した全長の試作品、並びに従来のバイパスコンデ
ンサとして用いられる静電容量が１０００００ｐＦの積
層チップコンデンサのものと比較して周波数に対する伝
送損失の関係で示したものである。
【図１０】従来のＥＭＩ抑制効果を有するデカップリン
グ回路の基本構成を示したものである。
【図１１】従来のＥＭＩ抑制効果を有する直流電源供給
線路を備えた高誘電体内蔵多層プリント回路基板の要部
構成を示した平面図である。
【図１２】図１１に示す高誘電体内蔵多層プリント回路
基板における要部の基本構造を示した側面断面図であ
る。
【符号の説明】
１，１′，１ａ〜１ｏ 伝送線路型コンポーネント ２，２′ 信号導体 ３，３′ グランド導体 ４，４′ 高誘電率絶縁材 ５，１８ 電極端子 ６，６ａ〜６ｎ ＬＳＩ ７ 終端コンデンサ ８，８ａ〜８ｕ 電源供給線 ８′ 電源平板 ９ グランド線 １０ 直流電源 １１ ペレット １２ ボンディングパッド １３ ボンディングワイヤ １４ アイランド １５ リード １６ａ 電源端子 １６ｂ グランド端子 １７ 樹脂コート １９，１９ａ〜１９ｇ バイパスコンデンサ ２０ 信号層 ２１ プリプレグ絶縁層 ２２ デカップリングインダクタ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年８月２日（２００１．８．２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、導電性
材料から成る一軸方向に延びた円柱状又は円筒状の内部
導体の表面上を覆うように絶縁材を介して該内部導体よ
りも直径の大きな導電性材料から成る円筒状の外部導体
を同軸状に配備することで同軸線路を形成して構成され
ると共に、該同軸線路の特性インピーダンスが１００ｍ
Ω以下の低値である伝送線路型コンポーネントが得られ
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】更に、本発明によれば、上記何れか一つの
伝送線路型コンポーネントにおいて、同軸状に配備され
た内部導体及び外部導体の電気抵抗値は、半導体スイッ
チング回路に供給する直流電源電流を充分に流し得る１
００ｍΩ以下である伝送線路型コンポーネントが得られ
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】この伝送線路型コンポーネント１は、プリ
ント回路基板搭載用であり、半導体スイッチング回路の
直流電源分配回路に結合される高周波減結合器（デカッ
プラ）として好適なもので、導電性材料から成る一軸方
向に延びた円筒状の内部導体としての信号導体２の表面
上を覆うように高誘電率絶縁材４を介して信号導体２よ
りも直径の大きな導電性材料から成る円筒状の外部導体
としてのグランド導体３を同軸状に配備することで同軸
線路を形成して構成されると共に、同軸線路の特性イン
ピーダンスが１００ｍΩ以下の低値として構成されてい
る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３８】更に、同軸状に配備された信号導体２及び
グランド導体３における誘電体による波長圧縮効果を含
む等価長は、印加される電磁波の波長の１／４よりも充
分長いものとし、信号導体２及びグランド導体３におけ
る電気抵抗値は、半導体スイッチング回路に供給する直
流電源電流を充分に流し得る１００ｍΩ以下であるとす
る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】このように、信号導体２及びグランド導体
３の誘電体による波長圧縮効果を含む等価長を印加され
る電磁波の波長の１／４よりも充分長い値とすると共
に、広周波数帯域に亘って特性インピーダンスを１００
ｍΩ以下の充分小さな値とすれば、プリント回路基板に
搭載されるＬＳＩ等のような高速・高周波回路素子にと
っての理想的な直流電源の形態となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】このような構成の伝送線路型コンポーネン
ト１は、プリント回路基板の電源供給線に直列に挿入す
ることが有効である。その理由は、高速・高周波回路素
子であるＬＳＩ側の配線長が集中定数として取り扱える
ように高周波電源電流の波長よりも充分に小さく設計さ
れていない場合に並列挿入とすると、ＬＳＩを励振源と
する高周波電源電流の殆どが特性インピーダンスの充分
小さいコンポーネント部品のＬＳＩ側接続端で反射して
しまい、逆に、これに比べて特性インピーダンスが高い
電源供給線に大部分の高周波電源電流が流れ出る可能性
があるためである。直列挿入を前提にしているため、上
述したように信号導体２及びグランド導体３の電気抵抗
は、半導体スイッチング回路に供給する直流電源電流を
充分流し得ることが可能な１００ｍΩ以下の充分低い値
とする必要がある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４８】この伝送線路型コンポーネント１′の場合
も、半導体パッケージ搭載用のものであり、半導体スイ
ッチング回路の直流電源分配回路に結合される高周波減
結合器（デカップラ）として好適なもの（直接ＬＳＩ等
における電源リードやグランドリードに対して接続され
る）で、導電性材料から成る一軸方向に延びた円筒状の
内部導体としての信号導体２′の表面上を覆うように高
誘電率絶縁材４′を介して信号導体２′よりも直径の大
きな導電性材料から成る円筒状の外部導体としてのグラ
ンド導体３′を同軸状に配備することで同軸線路を形成
して構成されると共に、同軸線路の特性インピーダンス
が１００ｍΩ以下の低値として構成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５０】この伝送線路型コンポーネント１′におい
ても、高誘電率絶縁材４′は、充分に薄い中間層として
構成されて広周波数帯域で高誘電率及び大きな誘電体損
失を示すもので、周波数１ＭＨｚで比誘電率１００以上
であると共に、使用周波数に対する伝送損失の特性中に
あっての勾配を示すｔａｎδが１％以上であるとし、同
軸状に配備された信号導体２′及びグランド導体３′に
おける誘電体による波長圧縮効果を含む等価長は、印加
される電磁波の波長の１／４よりも充分長いものとし、
信号導体２′及びグランド導体３′における電気抵抗値
は、半導体スイッチング回路に供給する直流電源電流を
充分に流し得る１００ｍΩ以下であるとする。尚、この
伝送線路型コンポーネント１′の場合も、内部導体とし
ての信号導体２′を円筒状の形状として説明したが、こ
の部分を円柱状の形状として構成しても良い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠矢 弘和 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 清水 政行 東京都台東区上野六丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 Ｆターム(参考） 5J014 BA01

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電性材料から成る一軸方向に延びた円
    柱状又は円筒状の内部導体の表面上を覆うように絶縁材
    を介して該内部導体よりも直径の大きな導電性材料から
    成る円筒状の外部導体を同軸状に配備することで同軸線
    路を形成して構成されると共に、該同軸線路の特性イン
    ピーダンスが１００ｍｍΩ以下の低値であることを特徴
    とする伝送線路型コンポーネント。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の伝送線路型コンポーネン
    トにおいて、前記内部導体は、前記絶縁材により覆われ
    た箇所を第１の部分とし、且つ該第１の部分から該絶縁
    材の端部を覆って前記外部導体側へ延びた第２の部分、
    及び該外部導体と同じ直径で該第２の部分から該外部導
    体側に近接するように延在する第３の部分を一体的に形
    成して成ることを特徴とする伝送線路型コンポーネン
    ト。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の伝送線路型コンポ
    ーネントにおいて、前記外部導体表面における対向する
    局部には、表面積を大きくするために電流伝播の一様な
    連続性が保たれるような形状で凹凸化処理が施されたこ
    とを特徴とする伝送線路型コンポーネント。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の伝送線路型コンポーネン
    トにおいて、前記外部導体表面における対向する局部
    は、前記凹凸化処理により形成された凹部で前記絶縁材
    が露呈されていることを特徴とする伝送線路型コンポー
    ネント。
  5. 【請求項５】 請求項１〜４の何れか一つに記載の伝送
    線路型コンポーネントにおいて、前記絶縁材は、薄い中
    間層として構成されていることを特徴とする伝送線路型
    コンポーネント。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の伝送線路型コンポーネン
    トにおいて、前記絶縁材は、広周波数帯域で高誘電率を
    示すことを特徴とする伝送線路型コンポーネント。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の伝送線路型コンポーネン
    トにおいて、前記絶縁材は、周波数１ＭＨｚで比誘電率
    １００以上であることを特徴とする伝送線路型コンポー
    ネント。
  8. 【請求項８】 請求項１〜７の何れか一つに記載の伝送
    線路型コンポーネントにおいて、前記絶縁材は、広周波
    数帯域で大きな誘電体損失を示すことを特徴とする伝送
    線路型コンポーネント。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の伝送線路型コンポーネン
    トにおいて、前記絶縁材は、使用周波数に対する伝送損
    失の特性中にあっての勾配を示すｔａｎδが１％以上で
    あることを特徴とする伝送線路型コンポーネント。
  10. 【請求項１０】 請求項１〜９の何れか一つに記載の伝
    送線路型コンポーネントにおいて、前記同軸状に配備さ
    れた前記内部導体及び前記外部導体の誘電体による波長
    圧縮効果を含む等価長は、印加される電磁波の波長の１
    ／４よりも充分長いことを特徴とする伝送線路型コンポ
    ーネント。
  11. 【請求項１１】 請求項１〜１０の何れか一つに記載の
    伝送線路型コンポーネントにおいて、前記同軸状に配備
    された前記内部導体及び前記外部導体の電気抵抗値は、
    半導体スイッチング回路に供給する直流電源電流を充分
    に流し得る１００ｍｍΩ以下であることを特徴とする伝
    送線路型コンポーネント。
  12. 【請求項１２】 請求項１〜１１の何れか一つに記載の
    伝送線路型コンポーネントにおいて、半導体スイッチン
    グ回路の直流電源分配回路に結合される高周波減結合器
    として使用されたことを特徴とする伝送線路型コンポー
    ネント。
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