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JP2002319731A - Optical circuit and manufacturing method therefor - Google Patents

Optical circuit and manufacturing method therefor

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JP2002319731A
JP2002319731A JP2001124301A JP2001124301A JP2002319731A JP 2002319731 A JP2002319731 A JP 2002319731A JP 2001124301 A JP2001124301 A JP 2001124301A JP 2001124301 A JP2001124301 A JP 2001124301A JP 2002319731 A JP2002319731 A JP 2002319731A
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Japan
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optical
circuit
optical element
redundant
semiconductor
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JP2001124301A
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Tatsuo Kurobe
立郎 黒部
Shuichi Tamura
修一 田村
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Furukawa Electric Co Ltd
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical circuit which has a constitution for improving the product yield. SOLUTION: This wavelength-selecting light source optical circuit 30 comprises four DFB lasers 32A to 32D, having different oscillation wavelengths λ1 , λ2 , λ3 and λ4 , a first redundant circuit 34 connected to the DFB laser 32, a second redundant circuit 35 connected to the first redundant circuit, and a third redundant circuit 38 connected to the second redundant circuit. The first redundant circuit constituted of four first optical element circuits 44A to 44D, each having one of four first MMI couplers 40A to 40D, and an optical waveguide 42 for connecting adjacent two DFB lasers of the DFB lasers to one first MMI coupler. The second and third redundant circuits are similar. The two first optical element circuits 44B, 44D are selected from the first circuit 34, the two second optical element circuits 50B, 50C are selected from the second circuit 36, and further the one third optical element circuit 56C is selected from the third circuit 38.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数個の第1の光
素子と第1の光素子とは機能の異なる2種類以上の第2
の光素子とを有し、第1の光素子と2種類以上の第2の
光素子とを順次光導波路で光学的に接続してなる光回
路、例えば多波長光源光回路に関し、更に詳細には、製
品歩留りの高い構成を備えた光回路に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plurality of first optical elements and two or more second optical elements having different functions.
An optical circuit having a first optical element and two or more types of second optical elements sequentially optically connected by an optical waveguide, for example, a multi-wavelength light source optical circuit. The present invention relates to an optical circuit having a configuration with a high product yield.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、WDMシステムのバックアップ光
源として、波長の異なるDFBレーザとMMIカプラ
(Multi Model Interference)カプラを同一基板上に集
積し、波長選択が可能な光源として用いられる多波長光
源光回路が注目されている。多波長光源光回路は、一般
に、複数個の発振波長の相互に異なるDFBレーザを一
つのMMIカプラに接続し、光合波を行っている。MM
Iカプラとは、複数の光を一つの光に合波する光合波素
子、又は一つの光を複数の光に分波する光分波素子のこ
とであって、屈折率の大きな媒質を屈折率の小さな媒質
で囲った光導波路構造を有し、例えば光合波素子の場合
には、複数個の入力用光導波路と、入力用光導波路を一
体化した光合波部(多光波干渉部)と、光合波部を分岐
した複数の出力用光導波路とから構成されている。
2. Description of the Related Art In recent years, as a backup light source for a WDM system, a multi-wavelength light source optical circuit used as a light source capable of wavelength selection by integrating a DFB laser having different wavelengths and an MMI coupler (Multi Model Interference) coupler on the same substrate. Is attracting attention. The multi-wavelength light source optical circuit generally connects a plurality of DFB lasers having different oscillation wavelengths to one MMI coupler to perform optical multiplexing. MM
An I-coupler is an optical multiplexing element that multiplexes a plurality of lights into one light, or an optical multiplexing element that multiplexes one light into a plurality of lights. For example, in the case of an optical multiplexing element, a plurality of input optical waveguides, an optical multiplexing unit (multi-wave interference unit) integrating the input optical waveguides, And a plurality of output optical waveguides branched from the optical multiplexing section.

【0003】ここで、図4及び図5を参照して、波長選
択が可能な多波長選択光源として用いられる従来の光回
路及びその作製方法を説明する。従来の多波長光源光回
路(以下、光回路と言う)10は、図4に示すように、
基板12内にそれぞれ形成された、複数個の発光波長の
相互に異なる半導体レーザ素子、例えばそれぞれ発振波
長がλ1 、λ2 、λ3 、λ4 の4個のDFBレーザ14
A〜Dと、4個の光導波路16A〜Dを介してDFBレ
ーザ14A〜Dと光学的に接続された1個のMMIカプ
ラ18と、一本の光導波路20を介してMMIカプラ1
8と光学的に接続された1個の半導体光増幅器(以下、
SOAと言う)22とを備えている。
Here, a conventional optical circuit used as a multi-wavelength selection light source capable of wavelength selection and a method of manufacturing the same will be described with reference to FIGS. A conventional multi-wavelength light source optical circuit (hereinafter, referred to as an optical circuit) 10 is, as shown in FIG.
A plurality of semiconductor laser elements having mutually different emission wavelengths formed in the substrate 12, for example, four DFB lasers 14 having oscillation wavelengths of λ 1 , λ 2 , λ 3 and λ 4 respectively.
A to D, one MMI coupler 18 optically connected to the DFB lasers 14A to 14D via four optical waveguides 16A to 16D, and one MMI coupler 1 via one optical waveguide 20.
8, one semiconductor optical amplifier optically connected to the
22 (referred to as SOA).

【0004】図5を参照して、以下に光回路10を作製
する方法を説明する。先ず、並列に配置した多数個のD
FBレーザ14、DFBレーザ14に対応して並列に配
置した多数個のMMIカプラ18、及び多数個のMMI
カプラ18に対応して並列に配置した多数個のSOA2
2をそれぞれ構成する化合物半導体層の積層構造を基板
24上に形成する。次いで、DFBレーザ12、MMI
カプラ18、及びSOA22を順次接続する光導波路1
6A〜D、光導波路20を形成して、図5に示すよう
に、劈開前の光回路体25を作製する。そして、劈開線
26に沿って劈開することにより、個々の光回路10を
作製することができる。
Referring to FIG. 5, a method of manufacturing the optical circuit 10 will be described below. First, a number of Ds arranged in parallel
FB laser 14, multiple MMI couplers 18 arranged in parallel corresponding to DFB laser 14, and multiple MMI couplers 18
Many SOAs 2 arranged in parallel corresponding to the coupler 18
2 are formed on the substrate 24. Next, the DFB laser 12, the MMI
Optical waveguide 1 for sequentially connecting coupler 18 and SOA 22
6A to 6D, the optical waveguide 20 is formed, and as shown in FIG. 5, an optical circuit body 25 before cleavage is manufactured. Then, by cleaving along the cleavage lines 26, individual optical circuits 10 can be manufactured.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光回路
には、以下に説明するように、光回路の作製に際して極
めて歩留りが悪いという問題ががあった。DFBレーザ
の発振波長への要求精度は、0.1nm以下の厳しい精
度が要求されており、一つのレーザバー28内の全ての
DFBレーザ・チップが要求精度内の発振波長で発振す
るように作製することは難しい。そのために、複数個の
DFBレーザを集積する波長選択光源では、集積した複
数個のDFBレーザのうちの一つでも不良があった場
合、光回路10自体が不良品となるので、MMIカプラ
やSOAは比較的製品歩留りが高く、しかも製作コスト
が低いものの、光回路の製品歩留まりをが低いという問
題である。
However, the conventional optical circuit has a problem in that the yield is extremely low when fabricating the optical circuit, as described below. The required accuracy of the oscillation wavelength of the DFB laser is required to be strictly less than 0.1 nm, and all the DFB laser chips in one laser bar 28 are manufactured so as to oscillate at the oscillation wavelength within the required accuracy. It is difficult. For this reason, in a wavelength selection light source that integrates a plurality of DFB lasers, if even one of the integrated DFB lasers has a defect, the optical circuit 10 itself becomes defective. However, although the product yield is relatively high and the production cost is low, there is a problem that the product yield of the optical circuit is low.

【0006】例えば、図6で、黒色のDFBレーザ14
が良品で、梨地のDFBレーザ14が不良品であるとす
ると、4個のDFBレーザ14をそれぞれ備えた、図6
に示す2個の光回路10A、Bは双方とも不良品とな
る。しかも、DFBレーザの製作コストは、他のMMI
カプラとかSOAの製作コストに比べて著しく高い。従
って、良品のDFBレーザまで不良品扱いになるのは、
極めて不合理である。
[0006] For example, in FIG.
Is a non-defective product, and the matte DFB laser 14 is a defective product.
Both optical circuits 10A and 10B are defective. Moreover, the manufacturing cost of the DFB laser is different from that of other MMIs.
It is significantly higher than the cost of manufacturing couplers and SOAs. Therefore, even a good DFB laser is treated as a defective product,
It is extremely unreasonable.

【0007】以上の説明では、多波長光源光回路を例に
して、複数個の光素子を集積させた光回路を説明した
が、これは、多波長光源光回路に限らず、複数個の光素
子を集積させた光回路に普遍的に該当する問題である。
そこで、本発明の目的は、製品歩留りを向上させる構成
を備えた光回路及びその作製方法を提供することであ
る。
In the above description, an optical circuit in which a plurality of optical elements are integrated has been described by taking a multi-wavelength light source optical circuit as an example. However, this is not limited to the multi-wavelength light source optical circuit. This is a problem universally applicable to an optical circuit in which elements are integrated.
Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical circuit having a configuration for improving the product yield and a method for manufacturing the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る光回路は、複数個の第1の光素子と2
種類以上の第2の光素子とを有し、第1の光素子と2種
類以上の第2の光素子とを順次光導波路で光学的に接続
してなる光回路において、第1の光素子が、複数個の光
素子回路からなる冗長回路から選択された光素子回路に
接続され、各光素子回路は、第2の光素子を有し、かつ
第1の光素子と第2の光素子とを、又は別の第2の光素
子を介して第2の光素子と第1の光素子とを光学的に接
続する光導波路を有することを特徴としている。
In order to achieve the above object, an optical circuit according to the present invention comprises a plurality of first optical elements and a plurality of first optical elements.
An optical circuit having at least two types of second optical elements, wherein the first optical element and two or more types of second optical elements are sequentially optically connected by an optical waveguide; Are connected to optical element circuits selected from a redundant circuit composed of a plurality of optical element circuits, each optical element circuit has a second optical element, and a first optical element and a second optical element. Or an optical waveguide for optically connecting the second optical element and the first optical element via another second optical element.

【0009】本発明で、第1の光素子及び第2の光素子
の種類には制約無い。また、第2の光素子が、第1の光
素子とは機能の異なる光素子でも良い。例えば、第1の
光素子が半導体レーザ素子であり、第2の光素子がMM
Iカプラである。
In the present invention, the types of the first optical element and the second optical element are not limited. Further, the second optical element may be an optical element having a different function from that of the first optical element. For example, the first optical element is a semiconductor laser element, and the second optical element is MM.
It is an I coupler.

【0010】例えば、本発明の光回路を適用した、本発
明に係る多波長光源光回路は、複数個の第1の光素子と
2種類以上の第2の光素子とを有し、第1の光素子と2
種類以上の第2の光素子とを順次光導波路で光学的に接
続してなる多波長光源光回路であって、第1の光素子が
相互に異なる発振波長の複数個の半導体レーザ素子であ
り、第2の光素子が、MMIカプラと、更に半導体光増
幅器及び光導波路出力部のいずれかとを有し、冗長回路
が、第1の冗長回路と、第1の冗長回路に接続された第
2の冗長回路とから構成され、第1の冗長回路が、MM
Iカプラ、及びMMIカプラと半導体レーザ素子とを接
続する光導波路を有する複数個の第1の光素子回路とし
て構成され、第2の冗長回路が、半導体光増幅器、及び
半導体光増幅器とMMIカプラとを接続する光導波路を
有する複数個の第2の光素子回路として構成され、半導
体レーザ素子が、第1の冗長回路から選択された第1の
光素子回路を介して、第2の冗長回路から選択された第
2の光素子回路に光学的に接続されていることを特徴と
している。
For example, a multi-wavelength light source optical circuit according to the present invention, to which the optical circuit of the present invention is applied, has a plurality of first optical elements and two or more types of second optical elements. Optical element and 2
A multi-wavelength light source optical circuit in which at least two types of second optical elements are optically connected in order by an optical waveguide, wherein the first optical element is a plurality of semiconductor laser elements having mutually different oscillation wavelengths. , The second optical element has an MMI coupler, and further includes one of a semiconductor optical amplifier and an optical waveguide output unit, and the redundant circuit is connected to the first redundant circuit and the second redundant circuit connected to the first redundant circuit. And the first redundant circuit is a MM.
A plurality of first optical element circuits each having an optical waveguide connecting the I-coupler and the MMI coupler to the semiconductor laser element, wherein the second redundant circuit includes a semiconductor optical amplifier, and the semiconductor optical amplifier and the MMI coupler; The semiconductor laser device is configured as a plurality of second optical element circuits having optical waveguides for connecting the first and second redundant circuits via the first optical element circuit selected from the first redundant circuit. It is characterized by being optically connected to the selected second optical element circuit.

【0011】本発明に係る光回路の作製方法は、複数個
の第1の光素子と第1の光素子とは機能の異なる2種類
以上の第2の光素子とを有し、第1の光素子と2種類以
上の第2の光素子とを順次光導波路で光学的に接続して
なる光回路の作製方法であって、基板上に複数個の第1
の光素子に形成し、かつ、第2の光素子に加えて、第1
の光素子と第2の光素子とを、又は別の第2の光素子を
介して第2の光素子と第1の光素子とを光学的に接続す
る光導波路を有する複数個の光素子回路からなる冗長回
路を基板上に形成する工程と、複数個の第1の光素子を
検査して、所定の性能を有する第1の光素子を特定する
工程と、特定された第1の光素子に接続する光素子回路
を冗長回路から選択して、光回路を構成する工程と、構
成された光回路を基板から分離する工程とを備えている
ことを特徴としている。
A method for manufacturing an optical circuit according to the present invention includes a plurality of first optical elements and two or more second optical elements having functions different from those of the first optical element. An optical circuit manufacturing method in which an optical element and two or more types of second optical elements are sequentially optically connected by an optical waveguide, wherein a plurality of first optical elements are provided on a substrate.
Of the first optical element and the first optical element in addition to the second optical element.
A plurality of optical elements having an optical waveguide for optically connecting the second optical element and the first optical element via the second optical element or the second optical element. Forming a redundant circuit composed of a circuit on a substrate; inspecting a plurality of first optical elements to identify a first optical element having predetermined performance; and identifying the identified first optical element. It is characterized by comprising a step of selecting an optical element circuit to be connected to the element from a redundant circuit to configure an optical circuit, and a step of separating the configured optical circuit from a substrate.

【0012】上述の光回路の作製方法を多波長光源光回
路の作製に適用することができる。つまり、本発明に係
る光回路の作製方法は、発振波長が相互に異なる半導体
レーザ素子、MMIカプラ、及び半導体光増幅器を有す
る多波長光源光回路の作製方法であって、並列に順次配
置され、発振波長が相互に異なる複数個の半導体レーザ
素子を基板上に形成し、かつ、MMIカプラ、及びMM
Iカプラと半導体レーザ素子とを接続する光導波路を有
する複数個の第1の光素子回路からなる第1の冗長回
路、並びに、半導体光増幅器、及び半導体光増幅器と第
1の光素子回路とを接続する光導波路を有する複数個の
第2の光素子回路からなる第2の冗長回路を基板上に形
成する工程と、半導体レーザ素子を検査して、所定のレ
ーザ特性を有する半導体レーザ素子を特定する工程と、
特定した半導体レーザ素子に接続する第1の光素子回路
を第1の冗長回路から選択し、選択した第1の光素子回
路に接続する第2の光素子回路を第2の冗長回路から選
択して、多波長光源光回路を構成する工程と、構成した
多波長光源光回路を基板から分離する工程とを有するこ
とを特徴としている。
The above-described method for producing an optical circuit can be applied to the production of a multi-wavelength light source optical circuit. In other words, the method of manufacturing an optical circuit according to the present invention is a method of manufacturing a multi-wavelength light source optical circuit having a semiconductor laser device, an MMI coupler, and a semiconductor optical amplifier having different oscillation wavelengths, which are sequentially arranged in parallel, A plurality of semiconductor laser devices having different oscillation wavelengths are formed on a substrate, and an MMI coupler and an MM
A first redundant circuit including a plurality of first optical element circuits each having an optical waveguide connecting the I-coupler and the semiconductor laser element; a semiconductor optical amplifier; and a semiconductor optical amplifier and the first optical element circuit. Forming a second redundant circuit comprising a plurality of second optical element circuits having optical waveguides to be connected on a substrate, and inspecting the semiconductor laser element to identify a semiconductor laser element having predetermined laser characteristics The process of
A first optical element circuit connected to the specified semiconductor laser element is selected from the first redundant circuit, and a second optical element circuit connected to the selected first optical element circuit is selected from the second redundant circuit. And a step of configuring the multi-wavelength light source optical circuit and a step of separating the configured multi-wavelength light source optical circuit from the substrate.

【0013】本実施態様では、MMIカプラ、光導波
路、半導体光増幅器に対して冗長設計を行うことによ
り、製造コストの高い半導体レーザ素子を基準にして、
良品の半導体レーザ素子と冗長回路から選択した光素子
回路とからなる波長選択光源回路を構成することがで
き、これにより製品歩留りを向上させることができる。
In this embodiment, a redundant design is performed for the MMI coupler, the optical waveguide, and the semiconductor optical amplifier, so that a semiconductor laser device having a high manufacturing cost is used as a reference.
A wavelength-selective light source circuit comprising a non-defective semiconductor laser element and an optical element circuit selected from a redundant circuit can be configured, thereby improving the product yield.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。尚、以下の実施形態例で示した膜種、膜厚、
成膜方法、その他寸法等は、本発明の理解を容易にする
ための例示であって、本発明はこれら例示に限定される
ものではない。光回路の実施形態例1 本実施形態例は、本発明に係る光回路を波長選択光源回
路に適用した実施形態の一例であって、図1は本実施形
態例の光回路の模式的平面図、及び図2は本実施形態例
の光回路を作製する段階での平面図である。本実施形態
例の多波長光源光回路(以下、光回路と言う)30は、
図1に示すように、発振波長が相互に異なるλ1
λ2 、λ3 、λ4 の4個のDFBレーザ32A〜Dと、
DFBレーザ32と接続された第1の冗長回路34と、
第1の冗長回路34と接続された第2の冗長回路36
と、第2の冗長回路36と接続された第3の冗長回路3
8とを基板39上に備えている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the film type, film thickness,
The film forming method, other dimensions, and the like are examples for facilitating the understanding of the present invention, and the present invention is not limited to these examples. Embodiment 1 of Optical Circuit This embodiment is an example of an embodiment in which the optical circuit according to the present invention is applied to a wavelength selection light source circuit, and FIG. 1 is a schematic plan view of the optical circuit of this embodiment. 2 and FIG. 2 are plan views at the stage of manufacturing the optical circuit of this embodiment. The multi-wavelength light source optical circuit (hereinafter, referred to as an optical circuit) 30 of the present embodiment includes:
As shown in FIG. 1, λ 1 , whose oscillation wavelengths are different from each other,
four DFB lasers 32A-D of λ 2 , λ 3 , λ 4 ;
A first redundant circuit 34 connected to the DFB laser 32;
Second redundant circuit 36 connected to first redundant circuit 34
And the third redundant circuit 3 connected to the second redundant circuit 36
8 are provided on a substrate 39.

【0015】第1の冗長回路34は、それぞれ、4個の
第1のMMIカプラ40A〜Dのうちの1個と、DFB
レーザ32A〜Dの隣り合う2個のDFBレーザ32と
1個の第1のMMIカプラ40とを接続する光導波路4
2とを有する4個の第1の光素子回路44A〜Dから構
成されている。第2の冗長回路36は、それぞれ、4個
の第2のMMIカプラ46A〜Dのうちの1個と、4個
の第1のMMIカプラ40A〜Dの隣り合う2個の第1
のMMIカプラ40と1個の第2のMMIカプラ46と
を接続する光導波路48とを有する4個の第2の光素子
回路50A〜Dから構成されている。第3の冗長回路3
8は、それぞれ、4個のSOA52A〜Dのうちの1個
と、4個の第2のMMIカプラ46A〜Dの隣り合う2
個の第2のMMIカプラ46と1個のSOA52とを接
続する光導波路54とを有する4個の第3の光素子回路
56A〜Dから構成されている。
Each of the first redundant circuits 34 includes one of the four first MMI couplers 40A to 40D,
Optical waveguide 4 connecting two adjacent DFB lasers 32 of lasers 32A to 32D and one first MMI coupler 40
2 and four first optical element circuits 44A to 44D. The second redundant circuit 36 includes one of the four second MMI couplers 46A to 46D and two adjacent first MMI couplers 40A to 40D.
, And four second optical element circuits 50 </ b> A to 50 </ b> D each having an optical waveguide 48 that connects one MMI coupler 40 to one second MMI coupler 46. Third redundant circuit 3
8 is one of the four SOAs 52A-D and two adjacent ones of the four second MMI couplers 46A-D, respectively.
It is composed of four third optical element circuits 56A to 56D each having an optical waveguide 54 connecting the second MMI coupler 46 and one SOA 52.

【0016】本実施形態例の光回路30では、図1に示
すように、第1の冗長回路34から2個の第1の光素子
回路44B、Dが選択され、また、第2の冗長回路36
から2個の第2の光素子回路50B、Cが選択され、更
に、第3の冗長回路38から1個の第3の光素子回路5
6Cが選択されている。第2の冗長回路36から2個の
第2の光素子回路50B、Cを選択した際、更に、第2
のMMIカプラ46B、Cが、隣り合う第1のMMIカ
プラ40にそれぞれ接続する2本の光導波路48のうち
の一つが選択されている。図1中、実線は選択された光
導波路を示し、また破線は選択されなかった光導波路を
示す。
In the optical circuit 30 of the present embodiment, as shown in FIG. 1, two first optical element circuits 44B and 44D are selected from the first redundant circuit 34, and the second redundant circuit 36
, Two second optical element circuits 50B and 50C are selected. Further, one third optical element circuit 5 is output from the third redundant circuit 38.
6C is selected. When two second optical element circuits 50B and 50C are selected from the second redundant circuit 36,
One of the two optical waveguides 48 connected to the adjacent first MMI couplers 40 by the MMI couplers 46B and 46C is selected. In FIG. 1, a solid line indicates a selected optical waveguide, and a broken line indicates an unselected optical waveguide.

【0017】光回路の作製方法の実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る光回路の作製方法を上述
の多波長光源光回路30の作製に適用した実施形態の一
例であって、図2は本実施形態例の方法で作製した光回
路30の劈開前の状態を示す平面図である。図示しない
が、先ず、有機金属気相成長法(MOCVD法)によ
り、n−InP基板上に、n−InP下部クラッド層、
InGaAsPMQW活性層、及びp−InP上部クラ
ッド層をその順で成長させて、DFBレーザ部、第1の
MMIカプラ部、第2のMMIカプラ部、及びSOA部
の積層構造を形成する。次いで、ドライエッチング法に
より積層構造をエッチングして、DFBレーザ部とSO
A部以外のp−InPクラッド層及びInGaAsPM
QW活性層を除去する。
Embodiment of an Optical Circuit Fabrication Method This embodiment is an example of an embodiment in which the optical circuit fabrication method according to the present invention is applied to the fabrication of the above-described multi-wavelength light source optical circuit 30. FIG. 2 is a plan view showing a state before cleavage of the optical circuit 30 manufactured by the method of the present embodiment. Although not shown, first, an n-InP lower cladding layer was formed on an n-InP substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
An InGaAs PMQW active layer and a p-InP upper cladding layer are grown in this order to form a stacked structure of a DFB laser unit, a first MMI coupler unit, a second MMI coupler unit, and an SOA unit. Next, the DFB laser portion and the SO
P-InP cladding layer and InGaAsPM other than part A
The QW active layer is removed.

【0018】次に、波長1.3μmの光導波路構造層を
再成長させて、DFBレーザ及びSOA部との突き合わ
せ構造(Butt Joint構造)で、光導波路、第1のMMI
カプラ及び第2のMMIカプラを形成する。続いて、D
FBレーザ領域、光導波路領域、第1のMMIカプラ領
域、光導波路領域、第2のMMIカプラ領域、光導波路
領域、及びSOA領域の積層構造をドライエッチング法
によりエッチングしてメサ形成を行う。pn電流ブロッ
キング層を再成長させた後、3回目の再成長によりp−
InPクラッド層を再成長させる。次いで、パッシベー
ション及び電極形成を行い、図2に示す多波長光源光回
路体を完成することができる。
Next, an optical waveguide structure layer having a wavelength of 1.3 μm is regrown, and the optical waveguide and the first MMI are formed in a butted joint structure with a DFB laser and an SOA part.
Form a coupler and a second MMI coupler. Then, D
The mesa formation is performed by etching the laminated structure of the FB laser region, the optical waveguide region, the first MMI coupler region, the optical waveguide region, the second MMI coupler region, the optical waveguide region, and the SOA region by a dry etching method. After the pn current blocking layer was regrown, p-
Regrow the InP cladding layer. Next, passivation and electrode formation are performed to complete the multi-wavelength light source optical circuit shown in FIG.

【0019】即ち、図2に示すように、発振波長が相互
に異なるλ1 、λ2 、λ3 、λ4 の4個のDFBレーザ
32A〜Dを順次並列に配列させたレーザ領域58と、
各DFBレーザ32と接続された複数個の第1の冗長回
路34の領域と、第1の冗長回路34と接続された複数
個の第2の冗長回路36の領域と、第2の冗長回路36
と接続された複数個の第3の冗長回路38の領域とを基
板60上に備えた光回路体61を形成する。
That is, as shown in FIG. 2, a laser area 58 in which four DFB lasers 32A to 32D of λ 1 , λ 2 , λ 3 , and λ 4 having different oscillation wavelengths are sequentially arranged in parallel.
A region of a plurality of first redundant circuits connected to each DFB laser 32, a region of a plurality of second redundant circuits connected to the first redundant circuit, and a second redundant circuit
An optical circuit body 61 having a plurality of third redundant circuits 38 connected thereto on a substrate 60 is formed.

【0020】第1の冗長回路34は、それぞれ、第1の
MMIカプラ40と、隣り合う2個のDFBレーザ32
と第1のMMIカプラ40とを接続する光導波路42と
を有する複数個の第1の光素子回路44から構成されて
いる。第2の冗長回路36は、それぞれ、第2のMMI
カプラ46と、隣り合う2個の第1のMMIカプラ40
と第2のMMIカプラ46とを接続する光導波路48と
を有する第2の光素子回路50から構成されている。第
3の冗長回路38は、それぞれ、SOA52と、隣り合
う2個の第2のMMIカプラ46とSOA52とを接続
する光導波路54を有する第3の光素子回路56から構
成されている。
Each of the first redundant circuits 34 includes a first MMI coupler 40 and two adjacent DFB lasers 32.
And a plurality of first optical element circuits 44 each having an optical waveguide 42 connecting the first MMI coupler 40 and the first MMI coupler 40. Each of the second redundant circuits 36 has a second MMI
A coupler 46 and two adjacent first MMI couplers 40
And a second optical element circuit 50 having an optical waveguide 48 connecting the second MMI coupler 46 to the second optical element circuit 50. Each of the third redundant circuits 38 includes an SOA 52 and a third optical element circuit 56 having an optical waveguide 54 that connects two adjacent second MMI couplers 46 and the SOA 52.

【0021】次いで、DFBレーザ32を検査して、所
定のレーザ特性を有するDFBレーザ32を特定する。
例えば、図3に示すようなDFBレーザ32の検査結果
を得たとする。図3で黒色及び梨地は、それぞれ、所定
のレーザ特性を有する良品のDFBレーザ32及び不良
のDFBレーザ32を示す。特定したDFBレーザ32
D、A、B、C(図3で62として示す)を基準にし
て、図1に示すように、第1の冗長回路34から2個の
第1の光素子回路44を選択し、第2の冗長回路36か
ら2個の第2の光素子回路50を選択し、更に、第3の
冗長回路38から1個の第3の光素子回路56を選択
し、劈開線64で区画された所定の性能を有する光回路
30を決定する。続いて、図6に示すように、劈開線6
4に沿って光回路30を劈開することにより、図1に示
す光回路30を作製することができる。但し、図1の光
回路30のDFBレーザ32A〜Dの順序と、図3の光
回路30のDFBレーザ32D〜Cの順序が説明の都合
上から異なっている。冗長となるSOA部分はモニター
PDとしても使用することもできる。
Next, the DFB laser 32 is inspected to specify a DFB laser 32 having predetermined laser characteristics.
For example, it is assumed that the inspection result of the DFB laser 32 as shown in FIG. 3 is obtained. In FIG. 3, black and matte areas indicate a good DFB laser 32 and a defective DFB laser 32 having predetermined laser characteristics, respectively. DFB laser 32 specified
Based on D, A, B, and C (shown as 62 in FIG. 3), two first optical element circuits 44 are selected from the first redundant circuit 34 as shown in FIG. The two second optical element circuits 50 are selected from the redundant circuit 36, and one third optical element circuit 56 is further selected from the third redundant circuit 38. The optical circuit 30 having the above performance is determined. Subsequently, as shown in FIG.
By cleaving the optical circuit 30 along 4, the optical circuit 30 shown in FIG. 1 can be manufactured. However, the order of the DFB lasers 32A to 32D of the optical circuit 30 in FIG. 1 is different from the order of the DFB lasers 32D to 32C of the optical circuit 30 in FIG. The redundant SOA portion can also be used as a monitor PD.

【0022】MMIカプラ単体及びSOA単体の歩留り
を100%とし、DFBレーザ単体の歩留りを77%と
した時、従来の多波長光源光回路10及び本実施形態例
の多波長光源光回路30の製品歩留りは、それぞれ、2
2%及び68%になった。つまり、本実施形態例では、
多波長光源光回路の製品歩留まりが大幅に改善されるこ
とが判る。また、本実施形態例では、4素子を集積させ
た光回路30を例にして本発明を説明しているが、素子
数が増加してもMMIカプラの段数を増やすことにより
同様の効果が得られることは図2よりあきらかである。
When the yield of the MMI coupler alone and the SOA alone is set to 100% and the yield of the DFB laser alone is set to 77%, the products of the conventional multi-wavelength light source optical circuit 10 and the multi-wavelength light source optical circuit 30 of the present embodiment are obtained. The yield is 2
2% and 68%. That is, in this embodiment,
It can be seen that the product yield of the multi-wavelength light source optical circuit is greatly improved. Further, in the present embodiment, the present invention is described by taking the optical circuit 30 in which four elements are integrated as an example. However, even if the number of elements increases, the same effect can be obtained by increasing the number of stages of the MMI coupler. This is apparent from FIG.

【0023】光回路の実施形態例2 本実施形態例は、本発明に係る光回路の実施形態の別の
例であって、図7は本実施形態例の光回路の模式的平面
図である。本実施形態例の光回路70は、図7に示すよ
うに、波長が相互に異なるλ1 、λ2 、λ3 の3個の光
入力を、それぞれ、増幅する半導体光増幅器72A、
B、Cと、2個のMMIカプラ74A、Bと、増幅した
光出力を出力する1個の半導体光増幅器76と、半導体
光増幅器72とMMIカプラ74とを接続する第1の冗
長回路78と、MMIカプラ74と半導体光増幅器78
とを接続する第2の冗長回路80とを備えている。
Second Embodiment of Optical Circuit This embodiment is another example of the embodiment of the optical circuit according to the present invention, and FIG. 7 is a schematic plan view of the optical circuit of this embodiment. . As shown in FIG. 7, the optical circuit 70 of the present embodiment includes three semiconductor optical amplifiers 72A for amplifying three optical inputs λ 1 , λ 2 , and λ 3 having different wavelengths, respectively.
B, C, two MMI couplers 74A, B, one semiconductor optical amplifier 76 for outputting an amplified optical output, and a first redundant circuit 78 connecting the semiconductor optical amplifier 72 and the MMI coupler 74. , MMI coupler 74 and semiconductor optical amplifier 78
And a second redundant circuit 80 for connecting the same.

【0024】第1の冗長回路78は、半導体光増幅器7
2A、Bと選択的に接続される2個の光導波路を有し、
MMIカプラ74Aと接続する第1の冗長回路76A
と、半導体光増幅器72B、Cと選択的に接続される2
個の光導波路を有し、MMIカプラ74Aと接続するよ
うに構成されている。第2の冗長回路80は、MMIカ
プラ74A、Bと選択的に接続する2個の光導波路を有
し、半導体光増幅器78と接続するように構成されてい
る。
The first redundant circuit 78 includes the semiconductor optical amplifier 7
2A, two optical waveguides selectively connected to B,
First redundant circuit 76A connected to MMI coupler 74A
And 2 selectively connected to the semiconductor optical amplifiers 72B and 72C.
It is configured so as to be connected to the MMI coupler 74A. The second redundant circuit 80 has two optical waveguides selectively connected to the MMI couplers 74A and 74B, and is configured to be connected to the semiconductor optical amplifier 78.

【0025】光回路の実施形態例3 本実施形態例は、本発明に係る光回路の実施形態の更に
別の例であって、図8は本実施形態例の光回路の模式的
平面図である。図8に示す部位のうち、図1と同じもの
には同じ符合を付している。本実施形態例の光回路82
は、波長選択光受動回路であって、実施形態例1の多波
長光源光回路30のDFBレーザ32に代えて、フォト
ディテクタ84を備えていることを除いて、多波長光源
光回路30と同じ構成を備えている。
Third Embodiment of Optical Circuit This embodiment is still another example of the embodiment of the optical circuit according to the present invention. FIG. 8 is a schematic plan view of the optical circuit according to the present embodiment. is there. 8, parts that are the same as those in FIG. 1 are given the same reference numerals. Optical circuit 82 of this embodiment
Is a wavelength-selective optical passive circuit, and has the same configuration as the multi-wavelength light source optical circuit 30 except that a photodetector 84 is provided instead of the DFB laser 32 of the multi-wavelength light source optical circuit 30 of the first embodiment. It has.

【0026】フォトディテクタ84A〜Dは、それぞ
れ、相互に波長の異なる回折格子86A〜Dを入力側に
備え、回折格子86で決まる波長λ1 、λ2 、λ3 、λ
4 の光がフォトディテクタ84に入力されるようになっ
ている。本実施形態例の光回路82では、λ1 、λ2
λ3 、λ4 の波長の光を含む光を同時に受光し、フォト
ディテクタ84の出力信号をモニターすることにより、
良品のフォトディテクタの特定が可能となる。この検査
工程で、相互に隣接した4個の良品のフォトディテクタ
84を選びだし、光回路30の作製と同様にして、素子
分離を行うことにより、歩留り良く、波長選択光受動回
路82を作製することができる。尚、本実施形態例の波
長選択光受動回路82では、実施形態例1の光回路30
とは異なり、SOA52で光を受光しているものの、S
OAに代えてMMIカプラで受光しても良い。
The photodetectors 84A to 84D have diffraction gratings 86A to 86D having different wavelengths on the input side, respectively, and have wavelengths λ 1 , λ 2 , λ 3 , λ determined by the diffraction grating 86.
4 is input to the photodetector 84. In the optical circuit 82 of the present embodiment, λ 1 , λ 2 ,
By simultaneously receiving light including light having wavelengths of λ 3 and λ 4 and monitoring the output signal of the photodetector 84,
Non-defective photodetectors can be specified. In this inspection process, four non-defective photodetectors 84 adjacent to each other are selected, and element isolation is performed in the same manner as in the production of the optical circuit 30 to produce a wavelength-selective optical passive circuit 82 with good yield. Can be. In the wavelength selective optical passive circuit 82 of the present embodiment, the optical circuit 30 of the first embodiment is used.
Unlike the case where the SOA 52 receives light,
Light may be received by an MMI coupler instead of OA.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明によれば、第1の光素子と、第2
の光素子及び光導波路を有し、冗長回路から選択された
光素子回路とから光回路を構成することにより、光回
路、例えば多波長光源光回路の製品歩留りの大幅な向上
と低コスト化を実現できる。また、本発明方法は、本発
明に係る光回路の経済的な作製方法を実現している。
According to the present invention, the first optical element and the second
By forming an optical circuit from an optical element circuit and an optical element circuit selected from a redundant circuit, the optical circuit, for example, a multi-wavelength light source optical circuit can significantly improve the product yield and reduce the cost. realizable. Further, the method of the present invention realizes an economical method for manufacturing the optical circuit according to the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態例1の光回路の模式的平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of an optical circuit according to a first embodiment.

【図2】実施形態例の方法に従って光回路を作製する際
の最終段階である光回路中間体の模式的平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view of an optical circuit intermediate, which is the final stage when fabricating an optical circuit according to the method of the embodiment.

【図3】DFBレーザを検査した結果を示す光回路中間
体の模式的平面図である。
FIG. 3 is a schematic plan view of an optical circuit intermediate showing a result of inspecting a DFB laser.

【図4】従来の多波長光源光回路の構成を示す模式的平
面図である。
FIG. 4 is a schematic plan view showing a configuration of a conventional multi-wavelength light source optical circuit.

【図5】従来の方法に従って多波長光源光回路を作製す
る際の最終段階である光回路中間体の模式的平面図であ
る。
FIG. 5 is a schematic plan view of an optical circuit intermediate, which is the final stage when fabricating a multi-wavelength light source optical circuit according to a conventional method.

【図6】従来の多波長光源光回路及びその作製方法の問
題点を示す光回路中間体の模式的平面図である。
FIG. 6 is a schematic plan view of an optical circuit intermediate showing a problem of a conventional multi-wavelength light source optical circuit and a method of manufacturing the same.

【図7】実施形態例2の光回路の模式的平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view of an optical circuit according to a second embodiment.

【図8】実施形態例3の光回路の模式的平面図である。FIG. 8 is a schematic plan view of an optical circuit according to a third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 従来の多波長光源光回路 12 基板 14 DFBレーザ 16 光導波路 18 MMIカプラ 20 光導波路 22 半導体光増幅器(SOA) 24 半導体基板 26 劈開線 28 レーザバー 30 実施形態例の多波長光源光回路(光回路) 32A〜D DFBレーザ 34 第1の冗長回路 36 第2の冗長回路 38 第3の冗長回路 40A〜D 第1のMMIカプラ 42 光導波路 44A〜D 第1の光素子回路 46A〜D 第2のMMIカプラ 48 光導波路 50A〜D 第2の光素子回路 52A〜D 半導体光増幅器(SOA) 54 光導波路 56A〜D 第3の光素子回路 58 レーザ領域 60 基板 62 特定したDFBレーザ 64 劈開線 70 実施形態例2の光回路 72 半導体光増幅器 74 MMIカプラ 76 半導体光増幅器 78 第1の冗長回路 80 第2の冗長回路 82 実施形態例3の光回路 84 フォトディテクタ 86 回折格子 Reference Signs List 10 Conventional multi-wavelength light source optical circuit 12 Substrate 14 DFB laser 16 Optical waveguide 18 MMI coupler 20 Optical waveguide 22 Semiconductor optical amplifier (SOA) 24 Semiconductor substrate 26 Cleavage line 28 Laser bar 30 Multi-wavelength light source optical circuit (optical circuit) of the embodiment 32A-D DFB laser 34 First redundant circuit 36 Second redundant circuit 38 Third redundant circuit 40A-D First MMI coupler 42 Optical waveguide 44A-D First optical element circuit 46A-D Second MMI coupler 48 Optical waveguide 50A-D Second optical element circuit 52A-D Semiconductor optical amplifier (SOA) 54 Optical waveguide 56A-D Third optical element circuit 58 Laser region 60 Substrate 62 Specified DFB laser 64 Cleavage line 70 Implementation Optical Circuit of Embodiment 2 72 Semiconductor Optical Amplifier 74 MMI Coupler 76 Semiconductor Optical Amplifier 78 First Redundant Circuit 80 optical circuit 84 photodetector 86 the diffraction grating of the second redundant circuit 82 embodiment 3

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04B 10/16 H04B 9/00 J 10/17 10/18 Fターム(参考) 2H047 LA18 MA07 PA00 QA02 QA07 5F073 AA64 AA74 AB01 AB12 AB21 AB25 5K002 AA06 BA04 CA01 CA13 DA02 FA02 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) H04B 10/16 H04B 9/00 J 10/17 10/18 F term (Reference) 2H047 LA18 MA07 PA00 QA02 QA07 5F073 AA64 AA74 AB01 AB12 AB21 AB25 5K002 AA06 BA04 CA01 CA13 DA02 FA02

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数個の第1の光素子と2種類以上の第
2の光素子とを有し、第1の光素子と2種類以上の第2
の光素子とを順次光導波路で光学的に接続してなる光回
路において、 第1の光素子が、複数個の光素子回路からなる冗長回路
から選択された光素子回路に接続され、 各光素子回路は、第2の光素子を有し、かつ第1の光素
子と第2の光素子とを、又は別の第2の光素子を介して
第2の光素子と第1の光素子とを光学的に接続する光導
波路を有することを特徴とする光回路。
An optical device includes a plurality of first optical elements and two or more types of second optical elements, and the first optical element and two or more types of second optical elements.
In the optical circuit, the first optical element is connected to an optical element circuit selected from a redundant circuit composed of a plurality of optical element circuits, The element circuit has a second optical element and the first optical element and the second optical element, or the second optical element and the first optical element via another second optical element. An optical circuit, comprising: an optical waveguide that optically connects the optical circuit and the optical waveguide.
【請求項2】 第2の光素子が、第1の光素子とは機能
の異なる光素子であることを特徴とする請求項1に記載
の光回路。
2. The optical circuit according to claim 1, wherein the second optical element is an optical element having a different function from that of the first optical element.
【請求項3】 第1の光素子が半導体レーザ素子であ
り、第2の光素子がMMIカプラであることを特徴とす
る請求項2に記載の光回路。
3. The optical circuit according to claim 2, wherein the first optical device is a semiconductor laser device, and the second optical device is an MMI coupler.
【請求項4】 第1の光素子が半導体光増幅器素子であ
り、第2の光素子がMMIカプラであることを特徴とす
る請求項2に記載の光回路。
4. The optical circuit according to claim 2, wherein the first optical element is a semiconductor optical amplifier element, and the second optical element is an MMI coupler.
【請求項5】 複数個の第1の光素子と2種類以上の第
2の光素子とを有し、第1の光素子と2種類以上の第2
の光素子とを順次光導波路で光学的に接続してなる多波
長光源光回路であって、 第1の光素子が相互に異なる発振波長の複数個の半導体
レーザ素子であり、 第2の光素子が、MMIカプラと、更に半導体光増幅器
及び光導波路出力部のいずれかとを有し、 冗長回路が、第1の冗長回路と、第1の冗長回路に接続
された第2の冗長回路とから構成され、 第1の冗長回路が、MMIカプラ、及びMMIカプラと
半導体レーザ素子とを接続する光導波路を有する複数個
の第1の光素子回路として構成され、 第2の冗長回路が、半導体光増幅器、及び半導体光増幅
器とMMIカプラとを接続する光導波路を有する複数個
の第2の光素子回路として構成され、 半導体レーザ素子が、第1の冗長回路から選択された第
1の光素子回路を介して、第2の冗長回路から選択され
た第2の光素子回路に光学的に接続されていることを特
徴とする多波長光源光回路。
5. A semiconductor device comprising a plurality of first optical elements and two or more second optical elements, wherein the first optical element and two or more second optical elements are provided.
A multi-wavelength light source optical circuit in which the optical elements are sequentially optically connected by an optical waveguide, wherein the first optical element is a plurality of semiconductor laser elements having oscillation wavelengths different from each other; The element has an MMI coupler and one of a semiconductor optical amplifier and an optical waveguide output unit, and the redundant circuit is composed of a first redundant circuit and a second redundant circuit connected to the first redundant circuit. Wherein the first redundant circuit is configured as a plurality of first optical element circuits having an MMI coupler and an optical waveguide connecting the MMI coupler and the semiconductor laser element, and the second redundant circuit is configured as a semiconductor optical circuit. A first optical element circuit configured as a plurality of second optical element circuits having an amplifier and an optical waveguide connecting the semiconductor optical amplifier and the MMI coupler, wherein the semiconductor laser element is selected from a first redundant circuit; Through the second Multi-wavelength light source optical circuit, characterized in that it is optically connected to the second optical element circuit selected from the long circuit.
【請求項6】 複数個の第1の光素子と第1の光素子と
は機能の異なる2種類以上の第2の光素子とを有し、第
1の光素子と2種類以上の第2の光素子とを順次光導波
路で光学的に接続してなる光回路の作製方法であって、 基板上に複数個の第1の光素子に形成し、かつ、第2の
光素子に加えて、第1の光素子と第2の光素子とを、又
は別の第2の光素子を介して第2の光素子と第1の光素
子とを光学的に接続する光導波路を有する複数個の光素
子回路からなる冗長回路を基板上に形成する工程と、 複数個の第1の光素子を検査して、所定の性能を有する
第1の光素子を特定する工程と、 特定された第1の光素子に接続する光素子回路を冗長回
路から選択して、光回路を構成する工程と、 構成された光回路を基板から分離する工程とを備えてい
ることを特徴とする光回路の作製方法。
6. The plurality of first optical elements and the first optical element include two or more types of second optical elements having different functions, and the first optical element and the two or more types of second optical elements. A method for producing an optical circuit, comprising: forming a plurality of first optical elements on a substrate and optically connecting the first optical element to the second optical element; A plurality of optical waveguides that optically connect the first optical element and the second optical element, or the second optical element and the first optical element via another second optical element. Forming a redundant circuit composed of optical element circuits on a substrate; inspecting a plurality of first optical elements to identify a first optical element having predetermined performance; A step of selecting an optical element circuit connected to one optical element from a redundant circuit to configure an optical circuit, and a step of separating the configured optical circuit from a substrate Manufacturing method of the optical circuit, characterized in that there.
【請求項7】 発振波長が相互に異なる半導体レーザ素
子、MMIカプラ、及び半導体光増幅器を有する多波長
光源光回路の作製方法であって、 並列に順次配置され、発振波長が相互に異なる複数個の
半導体レーザ素子を基板上に形成し、かつ、MMIカプ
ラ、及びMMIカプラと半導体レーザ素子とを接続する
光導波路を有する複数個の第1の光素子回路からなる第
1の冗長回路、並びに、半導体光増幅器、及び半導体光
増幅器と第1の光素子回路とを接続する光導波路を有す
る複数個の第2の光素子回路からなる第2の冗長回路を
基板上に形成する工程と、 半導体レーザ素子を検査して、所定のレーザ特性を有す
る半導体レーザ素子を特定する工程と、 特定した半導体レーザ素子に接続する第1の光素子回路
を第1の冗長回路から選択し、選択した第1の光素子回
路に接続する第2の光素子回路を第2の冗長回路から選
択して、多波長光源光回路を構成する工程と、 構成した多波長光源光回路を基板から分離する工程とを
有することを特徴とする多波長光源光回路の作製方法。
7. A method for fabricating a multi-wavelength light source optical circuit having a semiconductor laser device, an MMI coupler, and a semiconductor optical amplifier having oscillation wavelengths different from each other, comprising: A first redundant circuit including a plurality of first optical element circuits having an MMI coupler, and an optical waveguide connecting the MMI coupler and the semiconductor laser element; and Forming a semiconductor optical amplifier and a second redundant circuit including a plurality of second optical element circuits having an optical waveguide connecting the semiconductor optical amplifier and the first optical element circuit on a substrate; Inspecting the device to specify a semiconductor laser device having predetermined laser characteristics; and selecting a first optical device circuit connected to the specified semiconductor laser device from the first redundant circuit. Selecting a second optical element circuit to be connected to the selected first optical element circuit from the second redundant circuit to configure a multi-wavelength light source optical circuit; And a method of manufacturing a multi-wavelength light source optical circuit.
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