JP2002319196A - 光ディスクおよびそのトラック間の磁気的遮断処理方法 - Google Patents
光ディスクおよびそのトラック間の磁気的遮断処理方法Info
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- G11B7/00745—Sectoring or header formats within a track
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＤＷＤＤ動作のために、隣接する記録再生ト
ラック間が磁気的に遮断された構成を有しながら、反射
光の強度分布に基づくチルト検出が可能な光ディスクを
提供する。 【解決手段】 半径方向の所定範囲を記録再生用のデー
タ領域とした円盤状の基板上に、第１の誘電体層207、
磁性層208、および第２の誘電体層209が設けられ、デー
タ領域は、その最内周から最外周に至る複数本の断続し
たグルーブ202またはランド203で構成された記録再生ト
ラックを有する。各記録再生トラック間に位置する磁性
層の磁気異方性を、記録再生トラック上に位置する磁性
層の磁気異方性より低下させることにより、記録再生ト
ラック間のみに磁気的遮断処理が施され、グルーブのな
い平坦な部分103には、磁気的遮断処理が施されていな
い。それにより平坦部は反射率が均一になり、チルト検
出が可能となる。
ラック間が磁気的に遮断された構成を有しながら、反射
光の強度分布に基づくチルト検出が可能な光ディスクを
提供する。 【解決手段】 半径方向の所定範囲を記録再生用のデー
タ領域とした円盤状の基板上に、第１の誘電体層207、
磁性層208、および第２の誘電体層209が設けられ、デー
タ領域は、その最内周から最外周に至る複数本の断続し
たグルーブ202またはランド203で構成された記録再生ト
ラックを有する。各記録再生トラック間に位置する磁性
層の磁気異方性を、記録再生トラック上に位置する磁性
層の磁気異方性より低下させることにより、記録再生ト
ラック間のみに磁気的遮断処理が施され、グルーブのな
い平坦な部分103には、磁気的遮断処理が施されていな
い。それにより平坦部は反射率が均一になり、チルト検
出が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報の記録または
再生に用いられる円盤状の光ディスクに関する。
再生に用いられる円盤状の光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクの分野では、より高密度に情
報を記録することが求められている。このような高密度
記録を実現する方法として、ＤＷＤＤ（Domain Wall Di
splacement Detection）方式（磁壁移動検出方式）の光
ディスクが提案されている。
報を記録することが求められている。このような高密度
記録を実現する方法として、ＤＷＤＤ（Domain Wall Di
splacement Detection）方式（磁壁移動検出方式）の光
ディスクが提案されている。
【０００３】ＤＷＤＤ方式の光ディスクでは、隣接する
記録トラック間の磁気的な結合を弱める必要がある。従
って、ＤＷＤＤ方式の光ディスクを製造する場合には、
情報信号の記録を行う前に、隣接する記録トラック間の
磁気的な結合を弱めるための磁気結合遮断処理を行う。
このような遮断処理の方法については、特開平６−２９
０４９６号公報、特開平１０−３４０４９３号公報等に
開示されている。
記録トラック間の磁気的な結合を弱める必要がある。従
って、ＤＷＤＤ方式の光ディスクを製造する場合には、
情報信号の記録を行う前に、隣接する記録トラック間の
磁気的な結合を弱めるための磁気結合遮断処理を行う。
このような遮断処理の方法については、特開平６−２９
０４９６号公報、特開平１０−３４０４９３号公報等に
開示されている。
【０００４】従来のＤＷＤＤ方式の光ディスクの構造、
および遮断処理の方法について、その一例を図５を参照
して説明する。図５に示す光ディスクは、基板501上に
順次積層された、第１の誘電体層502、磁性層503、第２
の誘電体層504および保護コート層505を備える。基板50
1の薄膜層側の表面には、グルーブ506が形成されてい
る。径方向に隣接する２つのグルーブ506間は、ランド5
07と呼ばれる部分であり、このランド507が記録トラッ
クとなる。グルーブ506の幅はたとえば０．２μｍであ
り、ランド507の幅は１．４μｍである。磁性層503は、
ＤＷＤＤ方式で再生を行うための３層以上の磁性薄膜を
含む。ＤＷＤＤ方式を行うためには、記録再生に用いら
れるトラックである各ランド507間を磁気的に遮断する
必要がある。
および遮断処理の方法について、その一例を図５を参照
して説明する。図５に示す光ディスクは、基板501上に
順次積層された、第１の誘電体層502、磁性層503、第２
の誘電体層504および保護コート層505を備える。基板50
1の薄膜層側の表面には、グルーブ506が形成されてい
る。径方向に隣接する２つのグルーブ506間は、ランド5
07と呼ばれる部分であり、このランド507が記録トラッ
クとなる。グルーブ506の幅はたとえば０．２μｍであ
り、ランド507の幅は１．４μｍである。磁性層503は、
ＤＷＤＤ方式で再生を行うための３層以上の磁性薄膜を
含む。ＤＷＤＤ方式を行うためには、記録再生に用いら
れるトラックである各ランド507間を磁気的に遮断する
必要がある。
【０００５】次に、この光ディスクの磁気的遮断処理方
法について説明する。磁気的遮断処理においては、アニ
ール用のレーザ光508を、対物レンズ509によりグルーブ
506上に集光し、グルーブ506に沿って走査させる。それ
により、グルーブ506上の磁性層503の磁気的結合を消失
させる。その結果、アニールされたグルーブ506に挟ま
れたランド507領域は、両サイドからの磁気的結合が遮
断され、ＤＷＤＤ動作を行うことができる。この処理に
用いるレーザ光508は、例えば、レーザパワー：１０ｍ
Ｗ、波長λ＝７８０ｎｍであり、対物レンズ509はＮＡ
＝０．５、光スポットの直径は約８００ｎｍである。レ
ーザ光508の光スポットの移動速度は、たとえば２ｍ／s
ecである。
法について説明する。磁気的遮断処理においては、アニ
ール用のレーザ光508を、対物レンズ509によりグルーブ
506上に集光し、グルーブ506に沿って走査させる。それ
により、グルーブ506上の磁性層503の磁気的結合を消失
させる。その結果、アニールされたグルーブ506に挟ま
れたランド507領域は、両サイドからの磁気的結合が遮
断され、ＤＷＤＤ動作を行うことができる。この処理に
用いるレーザ光508は、例えば、レーザパワー：１０ｍ
Ｗ、波長λ＝７８０ｎｍであり、対物レンズ509はＮＡ
＝０．５、光スポットの直径は約８００ｎｍである。レ
ーザ光508の光スポットの移動速度は、たとえば２ｍ／s
ecである。
【０００６】上記のように、グルーブ506に挟まれたラ
ンド507部を記録再生トラックとして用いる場合、記録
再生トラック領域の最内周、あるいは最外周端には、グ
ルーブ506が位置することになる。すなわち、最内周、
あるいは最外周端のランド507であっても、その両サイ
ドにグルーブ506が配置される。従って、全てのグルー
ブ506上をアニール用のレーザ光508で走査することによ
り、全てのランドトラックについて、その両サイドを磁
気的に遮断することが可能である。
ンド507部を記録再生トラックとして用いる場合、記録
再生トラック領域の最内周、あるいは最外周端には、グ
ルーブ506が位置することになる。すなわち、最内周、
あるいは最外周端のランド507であっても、その両サイ
ドにグルーブ506が配置される。従って、全てのグルー
ブ506上をアニール用のレーザ光508で走査することによ
り、全てのランドトラックについて、その両サイドを磁
気的に遮断することが可能である。
【０００７】ところで、トラッキングガイド用のグルー
ブが設けてある多くの記録型光ディスクにおいて、トラ
ック番号やセクタ番号といったアドレスは、長さ数十ミ
クロンのピット列で構成されており、その領域でグルー
ブは断続している。つまり、これらのピットはグルーブ
のない、平坦な面に設けられている。
ブが設けてある多くの記録型光ディスクにおいて、トラ
ック番号やセクタ番号といったアドレスは、長さ数十ミ
クロンのピット列で構成されており、その領域でグルー
ブは断続している。つまり、これらのピットはグルーブ
のない、平坦な面に設けられている。
【０００８】本来光ディスクは、記録／再生にかかわら
ず、光ビームがディスク面に対し垂直に入射するよう設
計されており、これらが傾くと（チルトが発生すると）
記録感度、再生感度、分解能、クロストーク、クロスイ
レーズ等、さまざまな悪影響をもたらす。
ず、光ビームがディスク面に対し垂直に入射するよう設
計されており、これらが傾くと（チルトが発生すると）
記録感度、再生感度、分解能、クロストーク、クロスイ
レーズ等、さまざまな悪影響をもたらす。
【０００９】一方、光ディスクは情報化社会の進展とと
もに、より高密度が求められ、高ＮＡや薄型基板といっ
た要求が増している。また、光ディスクの応用展開が進
む中、スチルカメラやビデオカメラといった、携帯使用
する環境も増えつつある。これらの環境は、光ビームと
ディスクとの間で、より多くのチルトを発生させる要因
となるもので、いくつかのチルト補正方法も提案されて
きた。
もに、より高密度が求められ、高ＮＡや薄型基板といっ
た要求が増している。また、光ディスクの応用展開が進
む中、スチルカメラやビデオカメラといった、携帯使用
する環境も増えつつある。これらの環境は、光ビームと
ディスクとの間で、より多くのチルトを発生させる要因
となるもので、いくつかのチルト補正方法も提案されて
きた。
【００１０】その中で、最も簡便で実用に供されている
方式は、図６に示す方式であり、チルトによって反射光
の強度分布が異なることを利用している。記録再生に用
いられるレーザ光508は、ビームスプリッタ601を介して
対物レンズ509により集光され、光ディスク501に照射さ
れる。しかしながら、光ディスク501がレーザ光508のビ
ームに対し垂直ではなく、図示するようにチルトがあっ
た場合、光ディスク501からの反射光602は、対物レンズ
509において一部蹴られ、２分割ディテクタ603の差動出
力604からは、チルトに対応する量が検出される。
方式は、図６に示す方式であり、チルトによって反射光
の強度分布が異なることを利用している。記録再生に用
いられるレーザ光508は、ビームスプリッタ601を介して
対物レンズ509により集光され、光ディスク501に照射さ
れる。しかしながら、光ディスク501がレーザ光508のビ
ームに対し垂直ではなく、図示するようにチルトがあっ
た場合、光ディスク501からの反射光602は、対物レンズ
509において一部蹴られ、２分割ディテクタ603の差動出
力604からは、チルトに対応する量が検出される。
【００１１】しかしながら、この方式は、反射光602が
光ディスク501から反射されるとき、ビームスポット内
で回折や反射むらが生じないことが、前提として必要で
ある。したがって、光ディスク501上の溝のない、平坦
な部分（以下ミラー部と称する）を利用してチルト検出
が行われる。
光ディスク501から反射されるとき、ビームスポット内
で回折や反射むらが生じないことが、前提として必要で
ある。したがって、光ディスク501上の溝のない、平坦
な部分（以下ミラー部と称する）を利用してチルト検出
が行われる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図５に示したように、
光ビームの走査でトラック間に磁気的遮断処理を施した
場合、トラック間の磁性膜は、磁気異方性が低下すると
ともに、その中心部では物質構造的な変化がもたらされ
る。そのため、複素屈折率が変化し、結果として反射率
が減少する。したがって、このような構成のディスクで
は、溝を断続させ、単にミラー部を設けただけでは、記
録再生ビームがトラック上を通過するとき、両サイドの
トラック間の反射率が変化するため、チルトのみを正確
に検出することができない。
光ビームの走査でトラック間に磁気的遮断処理を施した
場合、トラック間の磁性膜は、磁気異方性が低下すると
ともに、その中心部では物質構造的な変化がもたらされ
る。そのため、複素屈折率が変化し、結果として反射率
が減少する。したがって、このような構成のディスクで
は、溝を断続させ、単にミラー部を設けただけでは、記
録再生ビームがトラック上を通過するとき、両サイドの
トラック間の反射率が変化するため、チルトのみを正確
に検出することができない。
【００１３】本発明は、ＤＷＤＤ動作のために、隣接す
る記録再生トラック間が磁気的に遮断された構成を有し
ながら、反射光の強度分布に基づくチルト検出が可能な
光ディスクを提供することを目的とする。
る記録再生トラック間が磁気的に遮断された構成を有し
ながら、反射光の強度分布に基づくチルト検出が可能な
光ディスクを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクは、
半径方向の所定範囲をデータの記録再生に用いられるデ
ータ領域とした円盤状の基板基板と、基板上に形成され
た少なくとも第１の誘電体層、磁性層、および第２の誘
電体層とを備え、データ領域は、その最内周から最外周
に至る複数本の断続したランドまたはグルーブで構成さ
れた記録再生トラックを有する。各記録再生トラック間
に位置する磁性層の磁気異方性を、記録再生トラック上
に位置する磁性層の磁気異方性より低下させることによ
り、記録再生トラック間のみに磁気的遮断処理が施さ
れ、グルーブの断絶部である平坦な部分には、磁気的遮
断処理が施されていない。
半径方向の所定範囲をデータの記録再生に用いられるデ
ータ領域とした円盤状の基板基板と、基板上に形成され
た少なくとも第１の誘電体層、磁性層、および第２の誘
電体層とを備え、データ領域は、その最内周から最外周
に至る複数本の断続したランドまたはグルーブで構成さ
れた記録再生トラックを有する。各記録再生トラック間
に位置する磁性層の磁気異方性を、記録再生トラック上
に位置する磁性層の磁気異方性より低下させることによ
り、記録再生トラック間のみに磁気的遮断処理が施さ
れ、グルーブの断絶部である平坦な部分には、磁気的遮
断処理が施されていない。
【００１５】この構成によれば、記録再生トラックが途
切れた平坦な部分（ミラー部）では磁気的な遮断処理が
施されていないので、部分的な反射率の変化は生じてい
ない。したがって、均一に保持された反射率に基づき、
記録あるいは再生時に、ミラー部からの反射光を利用し
てディスクの傾きを検出することができる。それによ
り、チルトによって発生する光学系の変化を補正して、
最適記録パワー、あるいは最適再生パワーを維持するこ
とができる。このようなチルト補正は、再生時に温度分
布を利用して磁壁を移動させて検出するＤＷＤＤを用い
た光ディスクにおいては、特に有効である。
切れた平坦な部分（ミラー部）では磁気的な遮断処理が
施されていないので、部分的な反射率の変化は生じてい
ない。したがって、均一に保持された反射率に基づき、
記録あるいは再生時に、ミラー部からの反射光を利用し
てディスクの傾きを検出することができる。それによ
り、チルトによって発生する光学系の変化を補正して、
最適記録パワー、あるいは最適再生パワーを維持するこ
とができる。このようなチルト補正は、再生時に温度分
布を利用して磁壁を移動させて検出するＤＷＤＤを用い
た光ディスクにおいては、特に有効である。
【００１６】本発明の他の構成の光ディスクは、ピット
とグルーブがエンボス加工され、半径方向の所定範囲を
データの記録再生に用いられるデータ領域とした円盤状
の基板と、基板上に形成された少なくとも第１の誘電体
層、磁性層、および第２の誘電体層とを備える。データ
領域は、その最内周から最外周に至る複数本の記録再生
トラックを有するとともに、周方向に複数個のセグメン
トに分割され、各セグメントはピット領域とグルーブ領
域とを含む。ピット領域には、サンプルサーボ用の少な
くとも一対のウォブルピットが配置され、グルーブ領域
には、記録再生トラックが配置される。記録再生トラッ
クはグルーブで構成され、各記録再生トラック間に対応
するランド上に位置する磁性層の磁気異方性を、グルー
ブ上に位置する磁性層の磁気異方性より低下させること
により、記録再生トラック間のみに磁気的遮断処理が施
され、ピット領域におけるランドの延長線上には、磁気
的遮断処理が施されていない。
とグルーブがエンボス加工され、半径方向の所定範囲を
データの記録再生に用いられるデータ領域とした円盤状
の基板と、基板上に形成された少なくとも第１の誘電体
層、磁性層、および第２の誘電体層とを備える。データ
領域は、その最内周から最外周に至る複数本の記録再生
トラックを有するとともに、周方向に複数個のセグメン
トに分割され、各セグメントはピット領域とグルーブ領
域とを含む。ピット領域には、サンプルサーボ用の少な
くとも一対のウォブルピットが配置され、グルーブ領域
には、記録再生トラックが配置される。記録再生トラッ
クはグルーブで構成され、各記録再生トラック間に対応
するランド上に位置する磁性層の磁気異方性を、グルー
ブ上に位置する磁性層の磁気異方性より低下させること
により、記録再生トラック間のみに磁気的遮断処理が施
され、ピット領域におけるランドの延長線上には、磁気
的遮断処理が施されていない。
【００１７】本発明の光ディスクのトラック間の磁気的
遮断処理方法は、上記構成の光ディスクの記録再生トラ
ック間に対して磁気的遮断処理を施す方法であって、記
録再生に用いる光ビームより更に小さく絞った光ビーム
で、記録再生トラック間に対応するランド上を走査する
ことにより、ランド上、もしくはランド上およびその延
長線上に位置する磁性層の磁気異方性を、グルーブ上に
位置する磁性層の磁気異方性より低下させる処理を含
み、その処理に際して、光ビームがピット領域を通過す
るときは、光ビームのパワーを、磁性層に不可逆的変化
を生じさせない範囲に低下させる。
遮断処理方法は、上記構成の光ディスクの記録再生トラ
ック間に対して磁気的遮断処理を施す方法であって、記
録再生に用いる光ビームより更に小さく絞った光ビーム
で、記録再生トラック間に対応するランド上を走査する
ことにより、ランド上、もしくはランド上およびその延
長線上に位置する磁性層の磁気異方性を、グルーブ上に
位置する磁性層の磁気異方性より低下させる処理を含
み、その処理に際して、光ビームがピット領域を通過す
るときは、光ビームのパワーを、磁性層に不可逆的変化
を生じさせない範囲に低下させる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態におけ
る光ディスクを示す平面図である。この光ディスクは、
例えば、外径は50.8ミリで、中心部には内径11ミリの穴
が設けられた円盤状である。ディスクの主要部分をなす
データ領域101では、最内周トラックが半径11.5ミリの
位置にあり、その内側には内周ダミートラック105が設
けられている。更にその内側には、リードイン領域106
が設けられている。リードイン領域106は、ピット列か
らなる情報が構成された再生専用領域である。データ領
域101の最外周トラックの外側には、最内周と同様に外
周ダミ−トラック107が設けられている。更にその外周
側には、リードアウト領域108が設けられている。
る光ディスクを示す平面図である。この光ディスクは、
例えば、外径は50.8ミリで、中心部には内径11ミリの穴
が設けられた円盤状である。ディスクの主要部分をなす
データ領域101では、最内周トラックが半径11.5ミリの
位置にあり、その内側には内周ダミートラック105が設
けられている。更にその内側には、リードイン領域106
が設けられている。リードイン領域106は、ピット列か
らなる情報が構成された再生専用領域である。データ領
域101の最外周トラックの外側には、最内周と同様に外
周ダミ−トラック107が設けられている。更にその外周
側には、リードアウト領域108が設けられている。
【００１９】データ領域101は、全周で1280個のセグメ
ント102に等分割され、各セグメント102は、先頭部のピ
ット領域103と、それに続くグルーブ領域104から構成さ
れている。各セグメント102のピット領域103の周方向長
さは、半径位置に拘わらず約5.5ミクロンである。各セ
グメント102のグルーブ領域104の周方向長さは、外周に
向かうほど長くなっており、従って、１つのセグメント
102に格納されるデータ量は外周に向かうほど多くなっ
ている。径方向は26ゾーンに分割され、グルーブ領域10
4に格納されるデータ量は、ゾーン毎に切り替えられる
構成となっている。
ント102に等分割され、各セグメント102は、先頭部のピ
ット領域103と、それに続くグルーブ領域104から構成さ
れている。各セグメント102のピット領域103の周方向長
さは、半径位置に拘わらず約5.5ミクロンである。各セ
グメント102のグルーブ領域104の周方向長さは、外周に
向かうほど長くなっており、従って、１つのセグメント
102に格納されるデータ量は外周に向かうほど多くなっ
ている。径方向は26ゾーンに分割され、グルーブ領域10
4に格納されるデータ量は、ゾーン毎に切り替えられる
構成となっている。
【００２０】データ領域101における各セグメント102の
境界部分の詳細を、ディスクの断面構造と共に図２に示
す。本実施形態では、厚さ0.6ミリのポリカーボネート
基板201に、ピット及びグルーブがエンボス加工され、
周方向に沿って、各セグメント先頭部のピット領域103
と、それに続くグルーブ領域104が繰り返す構成となっ
ている。基板201上には、窒化シリコンからなる第１の
誘電体層207、磁性層208、および窒化シリコンからなる
第２の誘電体層208が形成されている。更にこの上に
は、図示していないが、必要に応じて保護層、潤滑層等
が設けられる。磁性層208は、図３に示すとおり、磁壁
移動層301、遮断層302、制御層303、および記録層304の
４層の磁性膜で構成される。これら各層の構成は、特開
平１１−１３４７３０号公報に開示されているものと同
様であり、ＤＷＤＤ再生方式に適合するように設定され
ている。
境界部分の詳細を、ディスクの断面構造と共に図２に示
す。本実施形態では、厚さ0.6ミリのポリカーボネート
基板201に、ピット及びグルーブがエンボス加工され、
周方向に沿って、各セグメント先頭部のピット領域103
と、それに続くグルーブ領域104が繰り返す構成となっ
ている。基板201上には、窒化シリコンからなる第１の
誘電体層207、磁性層208、および窒化シリコンからなる
第２の誘電体層208が形成されている。更にこの上に
は、図示していないが、必要に応じて保護層、潤滑層等
が設けられる。磁性層208は、図３に示すとおり、磁壁
移動層301、遮断層302、制御層303、および記録層304の
４層の磁性膜で構成される。これら各層の構成は、特開
平１１−１３４７３０号公報に開示されているものと同
様であり、ＤＷＤＤ再生方式に適合するように設定され
ている。
【００２１】この構成の光ディスクは、以下の工程を順
に行うことにより作製される。 １）厚さ6mmのガラス原盤にフォトレジストを塗布し、 ２）波長351nmのレーザ、ＮＡ0.9の対物レンズを用いて
カッティング（露光）し、 ３）現像し、前工程で露光された部分を除去する。 ４）次に、150℃で30分ほど加熱処理し、 ５）続いてニッケルをスパッタ成膜し、 ６）メッキを施す。 ７）その後剥離し、それをスタンパとして用いる。 ８）作製されたスタンパを型として、成型によりポリカ
ーボネート基板を作製する。 ９）次にその基板上に、窒化シリコン、磁壁移動層、遮
断層、制御層、記録層、窒化シリコンの順に成膜した
後、 １０）磁気的遮断層を形成する。
に行うことにより作製される。 １）厚さ6mmのガラス原盤にフォトレジストを塗布し、 ２）波長351nmのレーザ、ＮＡ0.9の対物レンズを用いて
カッティング（露光）し、 ３）現像し、前工程で露光された部分を除去する。 ４）次に、150℃で30分ほど加熱処理し、 ５）続いてニッケルをスパッタ成膜し、 ６）メッキを施す。 ７）その後剥離し、それをスタンパとして用いる。 ８）作製されたスタンパを型として、成型によりポリカ
ーボネート基板を作製する。 ９）次にその基板上に、窒化シリコン、磁壁移動層、遮
断層、制御層、記録層、窒化シリコンの順に成膜した
後、 １０）磁気的遮断層を形成する。
【００２２】以上の工程により、図２、図３に示される
構成の光ディスクが作製される。
構成の光ディスクが作製される。
【００２３】再び図２に戻って、データ領域101におけ
る各セグメント102の境界部分の構造について、詳細に
説明する。本実施形態では、ピット領域103は、グルー
ブ202が形成されず平坦な部分であり、第１のウォブル
ピット204、第２のウォブルピット205、およびアドレス
ピット206が設けられている。第１のウォブルピット20
4、および第２のウォブルピット205は、サンプルサーボ
用のトラッキングエラー信号を得るためのピットであ
り、隣接するグルーブトラックがそれぞれ共用する構成
となっている。したがって第１のウォブルピット204、
および第２のウォブルピット205は、すべてのセグメン
トに存在する。しかしながら、アドレスピット206は、
存在するセグメントと、存在しないセグメントがある。
周方向に連続して配置された80セグメントを１セクタと
し、そのセクタ毎に、80ヶ所のアドレスピット206の位
置におけるピットの有無の組み合わせで、トラック番
号、およびセクタ番号で表されるアドレスが特定される
構成となっている。
る各セグメント102の境界部分の構造について、詳細に
説明する。本実施形態では、ピット領域103は、グルー
ブ202が形成されず平坦な部分であり、第１のウォブル
ピット204、第２のウォブルピット205、およびアドレス
ピット206が設けられている。第１のウォブルピット20
4、および第２のウォブルピット205は、サンプルサーボ
用のトラッキングエラー信号を得るためのピットであ
り、隣接するグルーブトラックがそれぞれ共用する構成
となっている。したがって第１のウォブルピット204、
および第２のウォブルピット205は、すべてのセグメン
トに存在する。しかしながら、アドレスピット206は、
存在するセグメントと、存在しないセグメントがある。
周方向に連続して配置された80セグメントを１セクタと
し、そのセクタ毎に、80ヶ所のアドレスピット206の位
置におけるピットの有無の組み合わせで、トラック番
号、およびセクタ番号で表されるアドレスが特定される
構成となっている。
【００２４】記録再生の際のクロック抽出は、ウォブル
ピット、もしくはグルーブエッジの位置を検出し、クロ
ックと同期をかけることにより達成される。したがっ
て、特別にクロックピットを設ける必要はない。このよ
うな構成、つまり、各セグメントのピット領域103に、
１対のウォブルピット204、205と１個のアドレスピット
206のみを配置することにより、ピット領域103の周方向
長さ、つまり、ランド203の途切れる長さを、ディスク
全域にわたって約5.5ミクロンにすることができる。
ピット、もしくはグルーブエッジの位置を検出し、クロ
ックと同期をかけることにより達成される。したがっ
て、特別にクロックピットを設ける必要はない。このよ
うな構成、つまり、各セグメントのピット領域103に、
１対のウォブルピット204、205と１個のアドレスピット
206のみを配置することにより、ピット領域103の周方向
長さ、つまり、ランド203の途切れる長さを、ディスク
全域にわたって約5.5ミクロンにすることができる。
【００２５】ここで、ピット領域の長さを約5.5ミクロ
ンにすることの効果について、図４を参照して詳述す
る。本発明では後述のとおり、データを記録再生するト
ラックとしては、グルーブ202が用いられる。従って、
磁気結合を遮断する際には、グルーブ202間に形成され
たランド203上を、光スポットにより走査する。磁気結
合を遮断する手段として、波長405nmのレーザと、ＮＡ
0.85の対物レンズを用いて、レーザ光を光ディスク上に
集光させ、磁気的遮断処理用の光スポット401を形成さ
せる。なお、同一の光スポット401の異なる位置にある
状態を、それぞれ401a、401b、401cで示す。スポット40
1の径は0.28ミクロンである。フォーカスエラー検出に
はナイフエッジ法、トラッキングエラー検出にはプッシ
ュプル法（いずれも公知の技術）を用い、スポット401
により、各グルーブ202間に形成されたランド203上を走
査させる。
ンにすることの効果について、図４を参照して詳述す
る。本発明では後述のとおり、データを記録再生するト
ラックとしては、グルーブ202が用いられる。従って、
磁気結合を遮断する際には、グルーブ202間に形成され
たランド203上を、光スポットにより走査する。磁気結
合を遮断する手段として、波長405nmのレーザと、ＮＡ
0.85の対物レンズを用いて、レーザ光を光ディスク上に
集光させ、磁気的遮断処理用の光スポット401を形成さ
せる。なお、同一の光スポット401の異なる位置にある
状態を、それぞれ401a、401b、401cで示す。スポット40
1の径は0.28ミクロンである。フォーカスエラー検出に
はナイフエッジ法、トラッキングエラー検出にはプッシ
ュプル法（いずれも公知の技術）を用い、スポット401
により、各グルーブ202間に形成されたランド203上を走
査させる。
【００２６】この走査に際して、光スポット401aが図に
おける左側のグルーブ領域104を通過し、ピット領域103
に進入したとき、光スポット401bは光ディスクに不可逆
的な変化を与えない程度にまでパワーダウンさせて、ピ
ット領域103を通過させる。このとき、トラッキングサ
ーボを一時的にオフさせることも有効であるが、前述の
通り、ピット領域103の長さが5.5ミクロン程度であれ
ば、あえてオフにしなくても良い。その場合、磁気的遮
断処理用の光スポット401は、軌跡402上を通過する。
おける左側のグルーブ領域104を通過し、ピット領域103
に進入したとき、光スポット401bは光ディスクに不可逆
的な変化を与えない程度にまでパワーダウンさせて、ピ
ット領域103を通過させる。このとき、トラッキングサ
ーボを一時的にオフさせることも有効であるが、前述の
通り、ピット領域103の長さが5.5ミクロン程度であれ
ば、あえてオフにしなくても良い。その場合、磁気的遮
断処理用の光スポット401は、軌跡402上を通過する。
【００２７】しかしながら、光スポット401は慣性で走
り、再びグルーブ領域104に進入する際（光スポット401
cの位置）大きなオフトラックを生じ、トラッキングが
蹴飛ばされる要因となる。これに対して本実施形態で
は、ピット領域の長さを約5.5ミクロンに設定すること
により、各セグメント毎にトラッキングサーボをオン、
オフするといった特別の操作をしなくても、常に安定し
たトラッキング動作を行うことができる。すなわち、ラ
ンド203の途切れる長さが短いので、ランドの途切れに
よる影響が緩和されて、再び次のランド203に光スポッ
ト401がスムーズに引き込まれるからである。それによ
り、偏芯が最大になった場合でも、ランド203が途切れ
ている間にオフトラックする量は、実用上問題のない範
囲に抑制され、ランド203が断続していてもトラッキン
グが外れることがない。
り、再びグルーブ領域104に進入する際（光スポット401
cの位置）大きなオフトラックを生じ、トラッキングが
蹴飛ばされる要因となる。これに対して本実施形態で
は、ピット領域の長さを約5.5ミクロンに設定すること
により、各セグメント毎にトラッキングサーボをオン、
オフするといった特別の操作をしなくても、常に安定し
たトラッキング動作を行うことができる。すなわち、ラ
ンド203の途切れる長さが短いので、ランドの途切れに
よる影響が緩和されて、再び次のランド203に光スポッ
ト401がスムーズに引き込まれるからである。それによ
り、偏芯が最大になった場合でも、ランド203が途切れ
ている間にオフトラックする量は、実用上問題のない範
囲に抑制され、ランド203が断続していてもトラッキン
グが外れることがない。
【００２８】光スポット401が次のランド203に進入する
ときに、そのパワーを、再び磁気的遮断処理に必要な大
きさに戻し、すぐさまランド203にトラックオンさせ
る。
ときに、そのパワーを、再び磁気的遮断処理に必要な大
きさに戻し、すぐさまランド203にトラックオンさせ
る。
【００２９】再び図２に戻って、説明を加える。図２に
おいて、データを記録再生するトラックとしては、グル
ーブ202が用いられる。２つのグルーブ202の中心線間の
距離、すなわちトラックピッチは0.54ミクロン、グルー
ブ202の幅は半値で0.44ミクロン、ランド203の幅（半
値）は0.1ミクロンである。また、溝の深さは60nm、溝
斜面の角度は50〜55度である。基板201をエンボス加工
するためのスタンパを作製する工程では、マスターとな
る原盤にフォトレジストを塗布し、グルーブ202に相当
する部分をレーザ露光する。そのときのレーザ波長は35
1nm、対物レンズのＮＡは0.9で、スポット径は0.23ミク
ロン程度である。それ以上狭いグルーブ202を形成しよ
うとすると、電子ビーム露光等、特別な装置を必要とす
る。しかしながら、本実施形態のように、グルーブ202
幅を広くし、ランド203を狭くすることで、特別な露光
装置を用いなくても0.54ミクロンという狭いトラックピ
ッチを実現することができる。なお、この光ディスク
は、波長650nmの半導体レーザとＮＡ0.6の対物レンズを
用いて、基板201を介した光スポットがグルーブ202上を
走査することにより記録再生する動作に適合させたもの
である。
おいて、データを記録再生するトラックとしては、グル
ーブ202が用いられる。２つのグルーブ202の中心線間の
距離、すなわちトラックピッチは0.54ミクロン、グルー
ブ202の幅は半値で0.44ミクロン、ランド203の幅（半
値）は0.1ミクロンである。また、溝の深さは60nm、溝
斜面の角度は50〜55度である。基板201をエンボス加工
するためのスタンパを作製する工程では、マスターとな
る原盤にフォトレジストを塗布し、グルーブ202に相当
する部分をレーザ露光する。そのときのレーザ波長は35
1nm、対物レンズのＮＡは0.9で、スポット径は0.23ミク
ロン程度である。それ以上狭いグルーブ202を形成しよ
うとすると、電子ビーム露光等、特別な装置を必要とす
る。しかしながら、本実施形態のように、グルーブ202
幅を広くし、ランド203を狭くすることで、特別な露光
装置を用いなくても0.54ミクロンという狭いトラックピ
ッチを実現することができる。なお、この光ディスク
は、波長650nmの半導体レーザとＮＡ0.6の対物レンズを
用いて、基板201を介した光スポットがグルーブ202上を
走査することにより記録再生する動作に適合させたもの
である。
【００３０】また、図２に示すように、本実施形態で
は、ランド203のみに磁気的遮断処理が施され、ピット
領域103に於けるランド203の延長線上に位置する部分
は、磁気的遮断処理が施されていない。磁気結合遮断領
域201の形成には、波長405nmのレーザ、及びＮＡ0.85の
対物レンズが用いられ、集光スポットをランド203に沿
って走査する。前述したように、ピット領域103通過時
は走査するレーザパワーを低下させることにより、上記
のような磁気的遮断処理が施される。一実施例では、ラ
ンド203通過時のレーザパワーを７mW、ピット領域103通
過時のパワーを１mWとした。
は、ランド203のみに磁気的遮断処理が施され、ピット
領域103に於けるランド203の延長線上に位置する部分
は、磁気的遮断処理が施されていない。磁気結合遮断領
域201の形成には、波長405nmのレーザ、及びＮＡ0.85の
対物レンズが用いられ、集光スポットをランド203に沿
って走査する。前述したように、ピット領域103通過時
は走査するレーザパワーを低下させることにより、上記
のような磁気的遮断処理が施される。一実施例では、ラ
ンド203通過時のレーザパワーを７mW、ピット領域103通
過時のパワーを１mWとした。
【００３１】このようにして形成された磁気結合遮断領
域210では、磁性膜の垂直異方性エネルギが減少し、反
磁界の影響で磁化容易軸が膜面に対し垂直から面内に変
化する。したがって垂直磁化膜としての磁気結合が遮断
された状態になり、垂直磁化膜における磁区の境界（磁
壁）が存在することができない。この磁気的遮断処理が
ＤＷＤＤ動作を行う上で重要なことは、特開平１１‐２
１３３７５号公報等に示された通りである。
域210では、磁性膜の垂直異方性エネルギが減少し、反
磁界の影響で磁化容易軸が膜面に対し垂直から面内に変
化する。したがって垂直磁化膜としての磁気結合が遮断
された状態になり、垂直磁化膜における磁区の境界（磁
壁）が存在することができない。この磁気的遮断処理が
ＤＷＤＤ動作を行う上で重要なことは、特開平１１‐２
１３３７５号公報等に示された通りである。
【００３２】本実施形態の光ディスクを用い、データ領
域101に存在するグルーブ202を記録トラックとして記録
再生の実験を行った。光学系としては、波長650nmの半
導体レーザと、ＮＡ0.6の対物レンズを用い、一対のウ
ォブルピットを利用して、サンプルサーボによりトラッ
キングサーボを動作させた。線速度は3m/sec、デューテ
ィ比50％、ピークパワー8mWの光パルスを用い、記録情
報に応じて印加磁界が変調される磁界変調記録を行っ
た。記録周波数は15MHzとした。その結果、データ領域1
01の最内周から最外周に至るまで、いずれのトラックに
おいても、良好なＤＷＤＤ特性が得られた。これによ
り、データ領域101の最内周から最外周に至るまで、グ
ルーブトラックの両サイドのランド203に、磁気結合遮
断領域が適切に形成されていることが確認された。
域101に存在するグルーブ202を記録トラックとして記録
再生の実験を行った。光学系としては、波長650nmの半
導体レーザと、ＮＡ0.6の対物レンズを用い、一対のウ
ォブルピットを利用して、サンプルサーボによりトラッ
キングサーボを動作させた。線速度は3m/sec、デューテ
ィ比50％、ピークパワー8mWの光パルスを用い、記録情
報に応じて印加磁界が変調される磁界変調記録を行っ
た。記録周波数は15MHzとした。その結果、データ領域1
01の最内周から最外周に至るまで、いずれのトラックに
おいても、良好なＤＷＤＤ特性が得られた。これによ
り、データ領域101の最内周から最外周に至るまで、グ
ルーブトラックの両サイドのランド203に、磁気結合遮
断領域が適切に形成されていることが確認された。
【００３３】このように構成された光ディスクを用い、
光学ヘッドをチルトさせながら、チルト補償型のレーザ
駆動回路を用いて記録を行った。その結果、チルト補正
なしの場合、および磁気的遮断処理を施した平坦部から
の反射光を利用してチルト補償をした場合のチルトマー
ジンは、いずれも±0.5degであった。これに対し、磁気
的遮断処理を施さない平坦部からの反射光を利用してチ
ルト補償をした場合は、チルトマージンを±0.8degに向
上させることができた。このことは、平坦部も磁気的遮
断処理を施してしまうと、チルト補償の効果はなくなる
が、磁気的遮断処理を施さないようにすればチルト補償
の効果が発揮されることを示す。
光学ヘッドをチルトさせながら、チルト補償型のレーザ
駆動回路を用いて記録を行った。その結果、チルト補正
なしの場合、および磁気的遮断処理を施した平坦部から
の反射光を利用してチルト補償をした場合のチルトマー
ジンは、いずれも±0.5degであった。これに対し、磁気
的遮断処理を施さない平坦部からの反射光を利用してチ
ルト補償をした場合は、チルトマージンを±0.8degに向
上させることができた。このことは、平坦部も磁気的遮
断処理を施してしまうと、チルト補償の効果はなくなる
が、磁気的遮断処理を施さないようにすればチルト補償
の効果が発揮されることを示す。
【００３４】なお、以上の実施形態では、ディスクの外
径を50.8ミリとしたが、本発明はディスクの大きさにつ
いて限定を要するものではなく、また制限を受けるもの
でもない。また、中心穴径についても11ミリに限定され
ることなく、どのような穴径の場合にも本発明は適用可
能である。さらに、上記の実施形態では、基板として厚
さ0.6ミリのポリカーボネート基板を用いたが、基板厚
さは0.5ミリ、0.6ミリ、1.2ミリ等、いかなる厚さの場
合にも本発明は適用できる。基板の材質に関しても、ポ
リカーボネートに限定されるものではなく、他のプラス
チック材料、フォトポリマーを塗布したガラス基板等、
ピットとグルーブがエンボス加工されたいかなる基板に
対しても、本発明を適用できる。
径を50.8ミリとしたが、本発明はディスクの大きさにつ
いて限定を要するものではなく、また制限を受けるもの
でもない。また、中心穴径についても11ミリに限定され
ることなく、どのような穴径の場合にも本発明は適用可
能である。さらに、上記の実施形態では、基板として厚
さ0.6ミリのポリカーボネート基板を用いたが、基板厚
さは0.5ミリ、0.6ミリ、1.2ミリ等、いかなる厚さの場
合にも本発明は適用できる。基板の材質に関しても、ポ
リカーボネートに限定されるものではなく、他のプラス
チック材料、フォトポリマーを塗布したガラス基板等、
ピットとグルーブがエンボス加工されたいかなる基板に
対しても、本発明を適用できる。
【００３５】また、上記の実施形態では、第１の誘電体
層、第２の誘電体層として窒化シリコン薄膜を用いた
が、その他の材料、例えばＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、
ＺｎＳ、ＭｇＦなどの透明誘電体材料、あるいはそれら
の複合材料等の場合にも、本発明を適用できる。
層、第２の誘電体層として窒化シリコン薄膜を用いた
が、その他の材料、例えばＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、
ＺｎＳ、ＭｇＦなどの透明誘電体材料、あるいはそれら
の複合材料等の場合にも、本発明を適用できる。
【００３６】また、上記の実施形態では、磁性層を、磁
壁移動層、遮断層、制御層、および記録層の４層構成と
したが、制御層は、記録層と磁壁移動層の交換結合力を
調整するためのものである。交換結合力は、成膜装置や
成膜条件に依存するので、これらの条件によっては、制
御層は必ずしも必要ではない。また、磁壁移動層は、温
度勾配に起因する磁壁駆動力が大きいこと、カー回転角
が大きいこと、という少なくとも２つの要求を満足させ
る必要があり、そのためには、磁壁移動層を更にいくつ
かの層で構成させることも、本発明を適用する上で有効
である。
壁移動層、遮断層、制御層、および記録層の４層構成と
したが、制御層は、記録層と磁壁移動層の交換結合力を
調整するためのものである。交換結合力は、成膜装置や
成膜条件に依存するので、これらの条件によっては、制
御層は必ずしも必要ではない。また、磁壁移動層は、温
度勾配に起因する磁壁駆動力が大きいこと、カー回転角
が大きいこと、という少なくとも２つの要求を満足させ
る必要があり、そのためには、磁壁移動層を更にいくつ
かの層で構成させることも、本発明を適用する上で有効
である。
【００３７】また、上記の実施形態では、径方向が26ゾ
ーンに分割されているが、本発明はゾーン分割に関係な
く適用可能である。さらに、上記の実施形態では、１ト
ラック当たり1280個のセグメント、80セグメントで１組
のアドレスが定義される構成としたが、本発明はこれら
の数値に限定されるものではない。
ーンに分割されているが、本発明はゾーン分割に関係な
く適用可能である。さらに、上記の実施形態では、１ト
ラック当たり1280個のセグメント、80セグメントで１組
のアドレスが定義される構成としたが、本発明はこれら
の数値に限定されるものではない。
【００３８】また、上記の実施形態では、ピット領域に
は、第１のウォブルピット、第２のウォブルピット、お
よびアドレスピットのみが設けられている。しかしなが
ら、本発明においては、ランドがピット領域によって断
続される長さが20ミクロン以下、望ましくは7ミクロン
以下であればよい。この範囲に収まる限り、上記の他に
クロックピットを別個に設けたり、更に別のウォブルピ
ットを設けることも可能である。
は、第１のウォブルピット、第２のウォブルピット、お
よびアドレスピットのみが設けられている。しかしなが
ら、本発明においては、ランドがピット領域によって断
続される長さが20ミクロン以下、望ましくは7ミクロン
以下であればよい。この範囲に収まる限り、上記の他に
クロックピットを別個に設けたり、更に別のウォブルピ
ットを設けることも可能である。
【００３９】また、上記の実施形態では、周方向に連続
して位置する80セグメントを１セクタとし、そのセクタ
毎つまり80ヶ所のアドレスピット位置に、ピットが存在
するか否かの組み合わせで、トラック番号、セクタ番号
というアドレス番号が特定される構成となっている。こ
れは、ランドの断続長が20ミクロン以下、望ましくは7
ミクロン以下を実現する１つの実施形態であり、本発明
は必ずしもこれに限定されるものではない。
して位置する80セグメントを１セクタとし、そのセクタ
毎つまり80ヶ所のアドレスピット位置に、ピットが存在
するか否かの組み合わせで、トラック番号、セクタ番号
というアドレス番号が特定される構成となっている。こ
れは、ランドの断続長が20ミクロン以下、望ましくは7
ミクロン以下を実現する１つの実施形態であり、本発明
は必ずしもこれに限定されるものではない。
【００４０】また、上記の実施形態では、グルーブの幅
は半値で0.44ミクロン、ランドの幅（半値）は0.1ミク
ロンである。溝の深さは60nm、溝斜面の角度は50〜55度
である。しかしながら、本発明は、これらの数値に限定
されるものではなく、トラック間に対して光ビームの走
査によって磁気的遮断処理を行い、記録トラック上でＤ
ＷＤＤ動作を行わせるすべての構成に対し有効である。
は半値で0.44ミクロン、ランドの幅（半値）は0.1ミク
ロンである。溝の深さは60nm、溝斜面の角度は50〜55度
である。しかしながら、本発明は、これらの数値に限定
されるものではなく、トラック間に対して光ビームの走
査によって磁気的遮断処理を行い、記録トラック上でＤ
ＷＤＤ動作を行わせるすべての構成に対し有効である。
【００４１】また、上記の実施形態では、磁気結合遮断
領域の形成には、波長405nmのレーザ、及びＮＡ0.85の
対物レンズが用いられているが、これに限定されるもの
ではなく、赤色レーザを用いても良いし、紫外線レーザ
を用いても良い。しかしながら、ランドの幅を、集光さ
れるスポット径に適合させることが必要である。
領域の形成には、波長405nmのレーザ、及びＮＡ0.85の
対物レンズが用いられているが、これに限定されるもの
ではなく、赤色レーザを用いても良いし、紫外線レーザ
を用いても良い。しかしながら、ランドの幅を、集光さ
れるスポット径に適合させることが必要である。
【００４２】
【発明の効果】本発明の光ディスクによれば、ＤＷＤＤ
動作のために、隣接する記録再生トラック間が磁気的に
遮断された構成を有しながらも、反射光の強度分布に基
づくチルト検出が可能である。従って、光ディスクにチ
ルトが発生しても、それを検知し、記録あるいは再生パ
ワーを適切に補償することができ、結果としてチルトマ
ージンを拡大させることができる。
動作のために、隣接する記録再生トラック間が磁気的に
遮断された構成を有しながらも、反射光の強度分布に基
づくチルト検出が可能である。従って、光ディスクにチ
ルトが発生しても、それを検知し、記録あるいは再生パ
ワーを適切に補償することができ、結果としてチルトマ
ージンを拡大させることができる。
【図１】 本発明の実施形態における光ディスクの構成
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】 図１の光ディスクの一部を拡大して示した斜
視図である。
視図である。
【図３】 図１の光ディスクの一部を拡大して示した断
面図である。
面図である。
【図４】 図１の光ディスクの一部を拡大して磁気的遮
断処理を施す際の動作を示した平面図である。
断処理を施す際の動作を示した平面図である。
【図５】 従来の光ディスクの構成および磁気的遮断処
理を施す際の動作を示した断面図である。
理を施す際の動作を示した断面図である。
【図６】 光ビームと光ディスクとの間のチルトを補正
する方法を示す断面図である。
する方法を示す断面図である。
101 データ領域 102 セグメント 103 ピット領域 104 グルーブ領域 105 内周ダミートラック 106 リードイン領域 107 外周ダミートラック 108 リードアウト領域 201 基板 202 グルーブ 203 ランド 204 第１ウォブルピット 205 第２ウォブルピット 206 アドレスピット 207 第１誘電体層 208 磁性層 209 第２誘電体層 210 磁気結合遮断領域 301 磁壁移動層 302 遮断層 303 制御層 304 記録層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５３ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５３Ｅ (72)発明者 廣木 知之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 穂積 靖 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 EE03 FF20 FG18
Claims (3)
- 【請求項１】 半径方向の所定範囲をデータの記録再生
に用いられるデータ領域とした円盤状の基板と、前記基
板上に形成された少なくとも第１の誘電体層、磁性層、
および第２の誘電体層とを備え、前記データ領域は、そ
の最内周から最外周に至る複数本の断続したランドまた
はグルーブで構成された記録再生トラックを有する光デ
ィスクにおいて、 前記各記録再生トラック間に位置する前記磁性層の磁気
異方性を、前記記録再生トラック上に位置する磁性層の
磁気異方性より低下させることにより、前記記録再生ト
ラック間のみに磁気的遮断処理が施され、前記グルーブ
の断絶部である平坦な部分には、前記磁気的遮断処理が
施されていないことを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 ピットとグルーブがエンボス加工され、
半径方向の所定範囲をデータの記録再生に用いられるデ
ータ領域とした円盤状の基板と、前記基板上に形成され
た少なくとも第１の誘電体層、磁性層、および第２の誘
電体層とを備え、前記データ領域は、その最内周から最
外周に至る複数本の記録再生トラックを有するととも
に、周方向に複数個のセグメントに分割され、前記各セ
グメントはピット領域とグルーブ領域とを含み、前記ピ
ット領域には、サンプルサーボ用の少なくとも一対のウ
ォブルピットが配置され、前記グルーブ領域には、前記
記録再生トラックが配置された光ディスクにおいて、 前記記録再生トラックは前記グルーブで構成され、前記
各記録再生トラック間に対応するランド上に位置する前
記磁性層の磁気異方性を、前記グルーブ上に位置する磁
性層の磁気異方性より低下させることにより、前記記録
再生トラック間のみに磁気的遮断処理が施され、前記ピ
ット領域における前記ランドの延長線上には、前記磁気
的遮断処理が施されていないことを特徴とする光ディス
ク。 - 【請求項３】 請求項２に記載の光ディスクの記録再生
トラック間に対して磁気的遮断処理を施す方法であっ
て、 記録再生に用いる光ビームより更に小さく絞った光ビー
ムで、前記記録再生トラック間に対応するランド上を走
査することにより、前記ランド上、もしくは前記ランド
上およびその延長線上に位置する磁性層の磁気異方性
を、グルーブ上に位置する前記磁性層の磁気異方性より
低下させる処理を含み、その処理に際して、前記光ビー
ムがピット領域を通過するときは、前記光ビームのパワ
ーを、前記磁性層に不可逆的変化を生じさせない範囲に
低下させることを特徴とする光ディスクのトラック間の
磁気的遮断処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001120686A JP2002319196A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | 光ディスクおよびそのトラック間の磁気的遮断処理方法 |
| US10/125,143 US6690626B2 (en) | 2001-04-19 | 2002-04-18 | Optical disk with magnetic layer separated magnetically between tracks and method of magnetically separating tracks of the optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001120686A JP2002319196A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | 光ディスクおよびそのトラック間の磁気的遮断処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002319196A true JP2002319196A (ja) | 2002-10-31 |
Family
ID=18970683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001120686A Pending JP2002319196A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | 光ディスクおよびそのトラック間の磁気的遮断処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2002319196A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2002319200A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスクおよびその製造方法 |
| AU2002349717A1 (en) * | 2001-11-29 | 2003-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof |
| JP2005038477A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体用スタンパーの製造方法および磁気記録媒体用スタンパーの製造装置 |
| JP2005174518A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Canon Inc | 磁性記録媒体及びその製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426944A3 (en) * | 1993-04-02 | 2008-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a magneto-optical recording medium |
| JP3332458B2 (ja) | 1993-04-02 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH08147777A (ja) | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体、記録再生方法および再生装置 |
| JPH10149592A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-06-02 | Canon Inc | 磁壁移動を利用して情報を再生する光磁気記録媒体および信号再生方法 |
| JPH1091938A (ja) | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Canon Inc | 磁気記録媒体、再生方法および再生装置 |
| JP3332750B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | 磁気記録媒体、記録方法、再生方法、及び、磁性記録媒体の製造方法 |
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| US5995472A (en) * | 1997-05-06 | 1999-11-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser beam forming temperature distribution of two peaks on a magneto-optical recording medium |
| JPH10340493A (ja) | 1997-06-04 | 1998-12-22 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH11134732A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-05-21 | Canon Inc | 情報記録再生方法 |
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| JPH11213375A (ja) | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Canon Inc | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-04-19 JP JP2001120686A patent/JP2002319196A/ja active Pending
-
2002
- 2002-04-18 US US10/125,143 patent/US6690626B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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