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JP2002318638A - Information processing system and semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Information processing system and semiconductor integrated circuit device

Info

Publication number
JP2002318638A
JP2002318638A JP2001125599A JP2001125599A JP2002318638A JP 2002318638 A JP2002318638 A JP 2002318638A JP 2001125599 A JP2001125599 A JP 2001125599A JP 2001125599 A JP2001125599 A JP 2001125599A JP 2002318638 A JP2002318638 A JP 2002318638A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
signal
output
terminal
clock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001125599A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Motoi Ichihashi
基 市橋
Takanori Shimura
隆則 志村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001125599A priority Critical patent/JP2002318638A/en
Publication of JP2002318638A publication Critical patent/JP2002318638A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Synchronisation In Digital Transmission Systems (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速信号処理や柔軟なシステム構成が可能な
情報処理システムとそれに好適な半導体集積回路装置を
提供する。 【解決手段】 クロック信号に対応して信号処理を行う
第1の回路ブロックと、供給されたクロック信号に対応
して上記第1の回路ブロックとの間でデータの授受を行
う第2の回路ブロックを含む情報処理システムであっ
て、上記第1の回路ブロックに帰還形位相補償器を設け
て、第1の回路ブロックから上記第2の回路ブロックに
至る信号伝達経路での遅延時間を持つようにされた帰還
信号と上記クロック信号とを同期化させて上記第2の回
路ブロックに向けたクロック信号を生成する。
[PROBLEMS] To provide an information processing system capable of high-speed signal processing and a flexible system configuration, and a semiconductor integrated circuit device suitable for the information processing system. SOLUTION: A first circuit block for performing signal processing in response to a clock signal and a second circuit block for transmitting and receiving data between the first circuit block in response to a supplied clock signal. An information processing system including a feedback type phase compensator provided in the first circuit block so as to have a delay time in a signal transmission path from the first circuit block to the second circuit block. A clock signal for the second circuit block is generated by synchronizing the feedback signal and the clock signal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、情報処理システ
ムと半導体集積回路装置に関し、高速信号処理や柔軟な
システム構成が要求される情報処理システムとそれに好
適な半導体集積回路装置に利用して有効な技術に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information processing system and a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to an information processing system requiring high-speed signal processing and a flexible system configuration and a semiconductor integrated circuit device suitable for the information processing system. It is about technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】デジタル信号処理システムを複数のデジ
タル集積回路の組み合わせから構成する場合、例えば、
マイクロコンピュータシステムを複数のデジタル集積回
路から構成する場合、マイクロプロセッサ等のようなマ
スターデバイスで用いられるクロック信号を、メモリ回
路等のようなスレーブデバイスに供給することが必要と
される。この際、マスターデバイスでは、PLLやDL
Lといったような帰還形位相補償器(又は帰還形位相比
較器)によるクロック位相調整が行われる。このような
クロック分配に帰還形位相補償器を用いた例として、特
開平6−350440号公報、特開平10−19045
4号公報、特開平10−200515号公報等がある。
2. Description of the Related Art When a digital signal processing system is composed of a combination of a plurality of digital integrated circuits, for example,
When a microcomputer system includes a plurality of digital integrated circuits, it is necessary to supply a clock signal used in a master device such as a microprocessor to a slave device such as a memory circuit. At this time, the master device uses a PLL or DL
Clock phase adjustment is performed by a feedback type phase compensator (or feedback type phase comparator) such as L. Examples of using a feedback phase compensator for such clock distribution are disclosed in JP-A-6-350440 and JP-A-10-19045.
No. 4, JP-A-10-200515 and the like.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】特開平6−35044
0号公報、特開平10−190454号公報のように帰
還形位相補償器によるクロック位相調整を行っても、図
18のタイミング図に示すように、マスターデバイスか
らスレーブデバイスに至る信号経路でのクロック信号の
遅延時間tprop1 が生じる。このため、上記遅延時間t
prop1 だけ遅れてメモリ等のスレーブデバイスでのアク
セス時間tACの後に、スレーブデバイスが出力信号OU
Tを形成する。そして、この信号OUTは上記とは逆に
スレーブデバイスからマスターデバイスに至る信号経路
での遅延時間tprop2 の入力信号INとして伝えられ
る。したがって、マスターデバイスでの上記入力信号I
Nを取り込むためのセットアップ時間tsuが短くなって
しまう。
SUMMARY OF THE INVENTION Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-35044
However, even if the clock phase is adjusted by a feedback phase compensator as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-190454 and Japanese Patent Laid-Open No. Is generated. Therefore, the delay time t
After the access time tAC at the slave device such as a memory with a delay of prop1, the slave device outputs the output signal OU.
Form T. The signal OUT is transmitted as the input signal IN of the delay time tprop2 in the signal path from the slave device to the master device. Therefore, the input signal I
The setup time tsu for taking in N becomes short.

【0004】前記特開平10−200515号公報で
は、上記マスタとスレーブとの間の信号線での遅延によ
る位相差を回避する技術が開示されている。上記公報の
技術に従えば、マスタとスレーブの両方にPLL回路
と、スイッチ回路及び制御回路を設けて、マスタ側のP
LLの同期が完全にとれた後に、スイッチによりスレー
ブ側のPLLの出力をマスタ側に伝え、マスタ側の位相
比較器によりマスタ側のクロックとの位相検出し、スレ
ーブ側のPLLを制御して2つのPLLを同期化させ
る。しかし、かかる公報の技術では、上記マスターデバ
イスとスレーブデバイスのそれぞれにPLL回路やスイ
ッチの制御回路が必要となるばかりか、マスタ側にスレ
ーブ側のPLL回路の一部を構成する位相比較器を設け
るものであるために回路規模が複雑になり、しかもこの
ようなシステムに向けた専用デバイスの設計及び製造を
行うこととなり、システムの柔軟性に欠ける。
Japanese Patent Laid-Open No. Hei 10-200515 discloses a technique for avoiding a phase difference due to a delay in a signal line between the master and the slave. According to the technique disclosed in the above publication, a PLL circuit, a switch circuit, and a control circuit are provided in both the master and the slave, and the master side P
After the LL is completely synchronized, the output of the slave-side PLL is transmitted to the master side by the switch, the phase with the master-side clock is detected by the master-side phase comparator, and the slave-side PLL is controlled. Synchronize two PLLs. However, according to the technology disclosed in this publication, not only a PLL circuit and a switch control circuit are required for each of the master device and the slave device, but also a phase comparator that forms a part of the slave-side PLL circuit is provided on the master side. Therefore, the circuit scale becomes complicated, and a dedicated device for such a system is designed and manufactured, and the system lacks flexibility.

【0005】この発明の目的は、高速信号処理や柔軟な
システム構成が可能な情報処理システムとそれに好適な
半導体集積回路装置を提供することにある。この発明の
前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書
の記述および添付図面から明らかになるであろう。
An object of the present invention is to provide an information processing system capable of high-speed signal processing and a flexible system configuration, and a semiconductor integrated circuit device suitable for the information processing system. The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。クロック信号に対応して信号処理を行
う第1の回路ブロックと、供給されたクロック信号に対
応して上記第1の回路ブロックとの間でデータの授受を
行う第2の回路ブロックを含む情報処理システムであっ
て、上記第1の回路ブロックに帰還形位相補償器を設け
て、第1の回路ブロックから上記第2の回路ブロックに
至る信号伝達経路での遅延時間を持つようにされた帰還
信号と上記クロック信号とを同期化させて上記第2の回
路ブロックに向けたクロック信号を生成する。
The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application. Information processing including a first circuit block for performing signal processing in response to a clock signal, and a second circuit block for transmitting and receiving data between the first circuit block in response to a supplied clock signal A feedback signal, wherein a feedback phase compensator is provided in the first circuit block so as to have a delay time in a signal transmission path from the first circuit block to the second circuit block. And the clock signal are synchronized to generate a clock signal for the second circuit block.

【0007】本願において開示される発明のうち他の代
表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。内部クロック信号と帰還信号と帰還形位相補償器に
供給し、上記帰還形位相補償器によって上記クロック信
号と帰還信号とに基づいて位相ないしタイミングが補正
されたクロック信号を生成し、かかる位相ないしタイミ
ング補正のクロック信号を第1の出力回路を通して第1
の外部端子から出力させ、第2の外部端子のクロック信
号を入力回路に供給して、上記帰還形位相補償器の帰還
信号を形成する。
[0007] The outline of another typical invention disclosed in the present application will be briefly described as follows. An internal clock signal, a feedback signal, and a feedback-type phase compensator are supplied to each other, and the feedback-type phase compensator generates a clock signal whose phase or timing is corrected based on the clock signal and the feedback signal. The correction clock signal is supplied to the first output circuit through the first output circuit.
And a clock signal of the second external terminal is supplied to an input circuit to form a feedback signal of the feedback phase compensator.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】図1には、この発明に係る情報処
理システムの一実施例の概略ブロック図が示されてい
る。同図においては、情報処理システムのクロック系を
中心に示されている。この実施例の情報処理システム
は、例えば1チップのマイクロコンピュータのようなマ
スターデバイスと、シンクロナスDRAM(ダイナミッ
ク・ランデム・アクセス・メモリ)等のようなスレーブ
デバイスとから構成される。
FIG. 1 is a schematic block diagram showing one embodiment of an information processing system according to the present invention. FIG. 1 mainly shows a clock system of the information processing system. The information processing system of this embodiment includes a master device such as a one-chip microcomputer and a slave device such as a synchronous DRAM (Dynamic Random Access Memory).

【0009】マスターデバイスは、スレーブデバイスと
の信号授受や信号処理のためのバス周波数のクロック信
号CLKを有する。帰還形位相補償器は、上記クロック
信号CLKと、帰還信号CKIの2つの信号を受けて、
位相ないしタイミングが適当に補正されたクロック信号
CKOを生成し、それをスレーブデバイスに向けて送出
する。この実施例のマスターデバイスは、上記クロック
出力用の外部端子(CKO)と、帰還信号入力用の外部
端子(CKI)とを有する。なお、以下の説明において
は、文の複雑化を回避するために、信号名とそれに対応
する端子名とは、同じ符号を付すこととする。
The master device has a clock signal CLK having a bus frequency for transmitting and receiving signals to and from the slave devices. The feedback phase compensator receives two signals, the clock signal CLK and the feedback signal CKI,
A clock signal CKO whose phase or timing is appropriately corrected is generated and transmitted to the slave device. The master device of this embodiment has the external terminal (CKO) for clock output and the external terminal (CKI) for input of a feedback signal. In the following description, to avoid complication of a sentence, signal names and corresponding terminal names are denoted by the same reference numerals.

【0010】上記のように出力専用の外部端子(CK
O)と入力専用の外部端子(CKI)とを設け、スレー
ブデバイスのクロック入力用の外部端子(CKIn)と
の関係において、上記外部端子(CKO)から(CK
I)に至る配線と、上記外部端子(CKO)から(CK
In)に至る配線とを等長構成にする。言い換えるなら
ば、上記CKOからCKIに至る配線での信号伝搬遅延
時間と、上記外部端子(CKO)から(CKIn)に至
る配線での信号伝搬遅延時間とをほぼ等しくなるように
信号伝達経路を構成する。
As described above, the output-only external terminal (CK)
O) and an external terminal exclusively for input (CKI) are provided, and in relation to the external terminal for clock input of the slave device (CKIn), the external terminal (CKO) is connected to (CKO).
I) and the external terminal (CKO) to (CK)
The wiring leading to In) is made to have the same length. In other words, the signal transmission path is configured such that the signal propagation delay time on the wiring from CKO to CKI and the signal propagation delay time on the wiring from the external terminal (CKO) to (CKIn) are substantially equal. I do.

【0011】マスターデバイスでの帰還形位相補償器で
は、クロック信号CLKと、上記外部端子(CKO)か
ら(CKI)に至る配線での信号伝搬遅延時間を持つ帰
還信号CKIとを同期化するように動作する。つまり、
帰還形位相補償器においては、クロック信号CLKに対
して、上記信号伝搬遅延時間だけ位相を進めたクロック
CKOが生成される。この結果、マスターデバイスのク
ロック信号CLKと、スレーブデバイスに供給されるク
ロック信号CKInとの位相ないしはタイミングを適切
に合わせることができる。
The feedback phase compensator in the master device operates so as to synchronize the clock signal CLK with the feedback signal CKI having a signal propagation delay time on the wiring from the external terminal (CKO) to (CKI). I do. That is,
In the feedback phase compensator, a clock CKO whose phase is advanced with respect to the clock signal CLK by the signal propagation delay time is generated. As a result, the phase or timing of the clock signal CLK of the master device and the clock signal CKIn supplied to the slave device can be appropriately adjusted.

【0012】つまり、1つの半導体集積回路装置で形成
されたマスターデバイスには帰還形位相補償回路を設
け、内部のクロック信号CLKと、帰還信号CKIとの
位相補正ないし調整をして、スレーブデバイスに向けた
クロックCKOを生成している。このような位相の補償
動作を利用し、マスターデバイスのCKからCKIまで
の配線長と、CKOからスレーブデバイスのクロック入
力CKInまでの配線長を等しくする機構により、CL
KとCKI及びCKnのタイミングスキューは生じない
ようにできる。
That is, a feedback type phase compensation circuit is provided in a master device formed by one semiconductor integrated circuit device, and the phase of the internal clock signal CLK and the feedback signal CKI are corrected or adjusted to be directed to the slave device. Generated clock CKO. Utilizing such a phase compensation operation, a mechanism for equalizing the wiring length from CK to CKI of the master device and the wiring length from CKO to the clock input CKIn of the slave device is used to achieve CL.
Timing skew between K and CKI and CKn can be prevented from occurring.

【0013】図2には、この発明に係る情報処理システ
ムの他の一実施例の概略ブロック図が示されている。同
図においては、情報処理システムでのクロック信号の分
配構成を中心に示されている。半導体技術の進歩は、マ
イコン用チップ、DRAMチップ、フラッシュメモリ用
チップのような、電子システムを構成するための複数の
半導体チップを1つのパッケージ形態の半導体集積回路
装置として構成しようとする技術の方向性を生み出して
いる。
FIG. 2 is a schematic block diagram showing another embodiment of the information processing system according to the present invention. FIG. 1 mainly shows a clock signal distribution configuration in the information processing system. 2. Description of the Related Art Advances in semiconductor technology have led to a trend toward technology in which a plurality of semiconductor chips, such as a microcomputer chip, a DRAM chip, and a flash memory chip, for configuring an electronic system are configured as a semiconductor integrated circuit device in one package. It creates sex.

【0014】すなわち、複数の半導体チップではなく、
各々1個ずつの半導体チップをQFP(Quad Flat Packa
ge) やCSP(Chip Size Package又はChip Scale Packa
ge),BGA(Ball Grid Array) といったパッケージ技術
によってパッケージした複数の半導体装置を用い、それ
ら複数の半導体装置をプリント基板のような実装基板上
に実装する場合には、半導体チップ間の距離及びその配
線距離を小さくすることが難しくなり、配線による信号
遅延が大きく、装置ないしシステムの高速化・小型化の
上での制約が生じてしまう。
That is, instead of a plurality of semiconductor chips,
QFP (Quad Flat Packa)
ge) or CSP (Chip Size Package or Chip Scale Packa)
ge) and BGA (Ball Grid Array), when using a plurality of semiconductor devices packaged by a packaging technology and mounting the plurality of semiconductor devices on a mounting substrate such as a printed circuit board, the distance between the semiconductor chips and the It is difficult to reduce the wiring distance, the signal delay due to the wiring is large, and restrictions are imposed on speeding up and miniaturizing the device or system.

【0015】これに対して、マルチチップモジュール
(Multi Chip Module)技術においては、ベアチップ、あ
るいはベアチップと実質的に対等な小型サイズとされる
ような著しく小型の形態にされた複数の半導体チップを
一つのパッケージの形態の半導体集積回路装置とするた
め、各チップ間の配線距離を短くすることができるとと
もに配線が有する容量も低減することができ、半導体装
置の特性を向上させることができる。また、複数のチッ
プを一つのパッケージとすることによって、半導体装置
を小型化でき、かつその実装面積を減少させて半導体装
置を小型化できる。
On the other hand, in the multi-chip module (Multi Chip Module) technology, a bare chip or a plurality of extremely small semiconductor chips having a small size substantially equivalent to a bare chip is integrated. Since the semiconductor integrated circuit device is in the form of one package, the wiring distance between the chips can be reduced, the capacitance of the wiring can be reduced, and the characteristics of the semiconductor device can be improved. In addition, by forming a plurality of chips into one package, the semiconductor device can be downsized, and the mounting area can be reduced, so that the semiconductor device can be downsized.

【0016】この実施例の情報処理システムは、上記の
ようなマルチチップモジュールとして構成するマイコン
用チップからなるマスターデバイスと、かかるマイコン
用チップに結合されるDRAMのようなスレーブデバイ
スが一つのパッケージの内に搭載される。このようなマ
ルチチップモジュールにおいても、上記マスターデバイ
スとスレーブデバイスとの間でのクロックスキューを低
減させるために、前記図1の実施例と同様にマスターデ
バイスにCKOとCKIを設け、スレーブデバイスのC
KInとの間において等長配線を行うようにするもので
ある。
In the information processing system of this embodiment, a master device including a microcomputer chip configured as a multi-chip module as described above and a slave device such as a DRAM coupled to the microcomputer chip are included in one package. Mounted on Also in such a multi-chip module, in order to reduce clock skew between the master device and the slave device, CKO and CKI are provided in the master device as in the embodiment of FIG.
In this case, equal-length wiring is performed between the wiring and KIn.

【0017】これによって、マルチチップモジュールに
設けられるマスターデバイスとスレーブデバイスにおい
て、マスターデバイスのCKOからCKIまでの配線長
と、CKOからスレーブデバイスのクロック入力CKI
nまでの配線長を等しくする機構により、マスタデバイ
ス無いのCLK(図1参照)とCKI及びCKnのタイ
ミングスキューを充分に低減することができる。これに
より、半導体装置の特性をいっそう向上させることがで
きるとともに、複数のチップを一つのパッケージとする
ことによって、半導体装置を小型化でき、かつその実装
面積を減少させることができる。
Thus, in the master device and the slave device provided in the multi-chip module, the wiring length from CKO to CKI of the master device and the clock input CKI from the CKO to the slave device
By a mechanism for equalizing the wiring lengths up to n, the timing skew between CLK (see FIG. 1) and CKI and CKn without the master device can be sufficiently reduced. Thus, the characteristics of the semiconductor device can be further improved, and the semiconductor device can be reduced in size and its mounting area can be reduced by forming a plurality of chips into one package.

【0018】図3には、この発明に係る情報処理システ
ムの一実施例の概略ブロック図が示されている。同図に
おいては、情報処理システムでのクロック信号分配構成
と、それにより動作さられる内部回路も合わせて示され
ている。この実施例では、チップ(Chip)Aが前記マス
ターデバイスを構成し、チップ(Chip)Bがスレーブデ
バイスを構成する。
FIG. 3 is a schematic block diagram of an embodiment of the information processing system according to the present invention. FIG. 1 also shows a clock signal distribution configuration in the information processing system and an internal circuit operated thereby. In this embodiment, the chip A constitutes the master device, and the chip B constitutes the slave device.

【0019】マスターデバイスであるチップAは、チッ
プBであるスレーブデバイスとの信号授受や信号処理の
ためのクロック信号CLKを有する。帰還形位相補償器
は、上記クロック信号CLKと、帰還信号CKIとを受
けて前記のような意味での同期化されたクロック信号C
KOを生成し、それをチップBに向けて送出する。この
実施例のチップAは、前記同様に上記クロック出力用の
外部端子(CKO)と、帰還信号入力用の外部端子(C
KI)とを有する。
A chip A as a master device has a clock signal CLK for transmitting and receiving signals to and from a slave device as a chip B for signal processing. The feedback phase compensator receives the clock signal CLK and the feedback signal CKI, and synchronizes the clock signal C
Generate KO and send it out to chip B. The chip A of this embodiment has an external terminal (CKO) for the clock output and an external terminal (C
KI).

【0020】上記のようにチップAにおいて、出力専用
の外部端子(CKO)と入力専用の外部端子(CKI)
とを設け、チップBのクロック入力用の外部端子(CK
In)との関係において、上記外部端子(CKO)から
(CKI)に至る配線と、上記外部端子(CKO)から
(CKIn)に至る配線とが等長構成にされる。これに
より、図4のタイミング図に示すように、チップA内の
図示しないバスラインのためのクロック信号を意味する
クロックCLKと、チップBに供給されるクロック信号
CKInとのタイミングを良好に合わせることができ
る。
As described above, in the chip A, the output-only external terminal (CKO) and the input-only external terminal (CKI)
Are provided, and an external terminal (CK) for clock input of the chip B is provided.
With respect to (In), the wiring from the external terminal (CKO) to (CKI) and the wiring from the external terminal (CKO) to (CKIn) have the same length. Thereby, as shown in the timing chart of FIG. 4, the timing of the clock CLK indicating a clock signal for a bus line (not shown) in the chip A and the timing of the clock signal CKIn supplied to the chip B are favorably adjusted. Can be.

【0021】チップAは、上記バス周波数のクロック信
号CLKによりフリップフロップ回路FF1等を動作さ
せて、チップBに向けたデータの送出を行う。例えば、
チップBが前記のようなメモリ回路ならアドレス信号、
リード/ライト制御信号及び書き込み動作なら書き込み
データを出力する。チップBでは、チップA側のクロッ
ク信号CLKと実質的にタイミングが合わされたクロッ
ク信号CKInにより、フリップフロップ回路FF2等
を制御して上記チップAから送られて信号の取り込みを
行う。
The chip A operates the flip-flop circuit FF1 and the like by the clock signal CLK of the bus frequency to transmit data to the chip B. For example,
If the chip B is a memory circuit as described above, an address signal;
If it is a read / write control signal and a write operation, it outputs write data. In the chip B, the flip-flop circuit FF2 and the like are controlled by the clock signal CKIn substantially synchronized in timing with the clock signal CLK on the chip A side, and the signal is sent from the chip A to capture the signal.

【0022】例えば、チップBがシンクロナスDRAM
を構成する場合、読み出し動作が指示されたなら、かか
るシンクロナスDRAMのメモリセルの選択と読み出し
データは、CASレイテンシィに従ってクロック信号C
LKnの複数サイクル後にフリップフロップ回路FF3
にセットされるようにかかるシンクロナスDRAMから
出力される。つまり、図4のタイミング図において、チ
ップBではクロックCKInの立ち上がりから上記フリ
ップフロップ回路FF3に出力データをセットするまで
の時間tACがアクセスタイムとなり、チップBから信号
伝達経路での信号伝搬遅延時間tprop2 を経過後にチッ
プAに到達する。このチップAによるデータ入力からバ
ス周波数の同期化クロックCLKの次サイクルの立ち上
がりまでの時間tsuがチップAにおける入力信号のセッ
トアップ時間とされる。
For example, the chip B is a synchronous DRAM
When the read operation is instructed, the selection of the memory cell of the synchronous DRAM and the read data are performed according to the clock signal C in accordance with the CAS latency.
Flip-flop circuit FF3 after a plurality of cycles of LKn
Is output from the synchronous DRAM such that That is, in the timing chart of FIG. 4, in the chip B, the time tAC from the rise of the clock CKIn to the setting of the output data in the flip-flop circuit FF3 becomes the access time, and the signal propagation delay time tprop2 from the chip B to the signal transmission path. , And reaches the chip A. The time tsu from the data input by the chip A to the rise of the next cycle of the synchronization clock CLK of the bus frequency is the setup time of the input signal in the chip A.

【0023】上記チップAとBの間の物理的な距離は、
信号の伝搬遅延時間をもたらす。前記図14のようにチ
ップAからチップBへの同期データ転送タイミングに伝
搬遅延時間(tprop1 )を有するシステムにおいて、例
えば133MHzを超えるような高いバス周波数になっ
てくると、オフチップに許される伝搬遅延時間(tpro
p)を極端に短くせざるを得なくなる。これに応じて信
号伝送線路は、例えば約3cm以下のような短い長さと
されることが求められ、実装基板上に複数チップからな
る情報処理システムを構成することが難しくなる。
The physical distance between the chips A and B is
This results in a signal propagation delay time. In a system having a propagation delay time (tprop1) in the synchronous data transfer timing from the chip A to the chip B as shown in FIG. 14, when a high bus frequency exceeding, for example, 133 MHz is reached, the propagation allowed off-chip Delay time (tpro
p) must be extremely short. Accordingly, the signal transmission line is required to have a short length of, for example, about 3 cm or less, which makes it difficult to configure an information processing system including a plurality of chips on a mounting board.

【0024】つまり、2つのチップAとBのみでシステ
ムが構成される場合には、クロック供給経路のみを上記
3cm以下にすることが可能であっても、それと同期し
て伝達される複数ビットからなるアドレス信号及び制御
信号やデータ信号を含めて、全てを上記3cm以下にす
ることは難しい上に、実際には1つのマスターデバイス
に対して、複数のスレーブデバイスが存在することが多
いので、上記のように上記3cmの範囲内にかかるスレ
ーブデバイス実装することは現実的ではない。
In other words, when the system is composed of only two chips A and B, even if only the clock supply path can be made 3 cm or less, even if the clock supply path can be made 3 cm or less, a plurality of bits transmitted in synchronism therewith are required. It is difficult to make all of them including the address signal, control signal, and data signal less than the above 3 cm. In addition, since there are often a plurality of slave devices for one master device, As described above, it is not realistic to mount the slave device within the range of 3 cm.

【0025】この実施例では、PLL(又はDLL)回
路のような帰還形位相補償器(又は帰還形位相比較器)
を用いたとき、PLL回路での位相補償を内部クロック
(バスクロックCLK)とCKIにおいて補償する。図
3のCKOとCKIまでの距離と、CKOとCKInま
での距離を等長配線とすることにより、チップAとBと
の間とのバス同期クロックのチップ間のタイミングスキ
ューは充分小さくなり、図4に示すようにチップAから
チップBに至るクロック信号の図18に示すような伝搬
遅延時間tprop1 に相当する時間がクロックサイクルt
cyc 中に不要となる。したがって、オフチップの設計に
余裕を持たせることができ、更なる高速化が実現しやす
くなる。つまり、上記伝搬遅延時間tprop1 をセットア
ップ時間tsuに振り向けて動作マージンを確保したり、
あるいはその分クロックサイクルtcyc を短くして高速
化に振り向けることができる。
In this embodiment, a feedback type phase compensator (or a feedback type phase comparator) such as a PLL (or DLL) circuit is used.
Is used, the phase compensation in the PLL circuit is compensated by the internal clock (bus clock CLK) and the CKI. By making the distance between CKO and CKI and the distance between CKO and CKIn equal length wiring in FIG. 3, the timing skew between the chips of the bus synchronization clock between the chips A and B becomes sufficiently small. As shown in FIG. 4, the time corresponding to the propagation delay time tprop1 of the clock signal from chip A to chip B as shown in FIG.
Not needed during cyc. Therefore, a margin can be given to the off-chip design, and a further increase in the speed can be easily realized. That is, the propagation delay time tprop1 is allocated to the setup time tsu to secure an operation margin,
Alternatively, the clock cycle tcyc can be shortened by that amount and can be directed to higher speed.

【0026】図5には、この発明に係る情報処理システ
ムの他の一実施例の概略ブロック図が示されている。同
図においては、前記図1と同様に情報処理システムのク
ロック系情報処理システムのクロック系を中心に示され
ている。この実施例の情報処理システムは、例えば1チ
ップのマイクロコンピュータのようなマスターデバイス
と、シンクロナスDRAM(ダイナミック・ランデム・
アクセス・メモリ)等のようなスレーブデバイスとから
構成される。
FIG. 5 is a schematic block diagram showing another embodiment of the information processing system according to the present invention. In this figure, the clock system of the information processing system is mainly shown in the same manner as FIG. The information processing system of this embodiment includes a master device such as a one-chip microcomputer and a synchronous DRAM (Dynamic Landem.
(Access memory) and the like.

【0027】この実施例では、マスターデバイスに遅延
回路が設けられる。つまり、端子CKIに入力される信
号を遅延させて、帰還形位相補償器に入力するような回
路が追加される。この構成は、マスターデバイスのクロ
ック出力CKOから帰還入力CKIまでの配線と、マス
ターデバイスのクロック出力CKOからスレーブデバイ
スのクロック入力CKInの配線を等長配線としなかっ
た場合、あるいは出来なかった場合でも、同期を補償す
るためにマスターデバイスを構成する半導体チップ内部
に対応する遅延量を調整できる機構が設けられる。
In this embodiment, a delay circuit is provided in the master device. That is, a circuit that delays the signal input to the terminal CKI and inputs the delayed signal to the feedback phase compensator is added. This configuration ensures synchronization even if the wiring from the clock output CKO of the master device to the feedback input CKI and the wiring from the clock output CKO of the master device to the clock input CKIn of the slave device are not equal-length wiring or cannot be performed. In order to compensate, a mechanism for adjusting the delay amount corresponding to the inside of the semiconductor chip constituting the master device is provided.

【0028】つまり、マスターデバイスのクロック出力
CKOから帰還入力CKIまでの距離と、上記クロック
出力CKOからスレーブデバイスのクロック入力CKI
nに向けた配線のうちの中間部までの距離を等長とし、
かかる中間部からスレーブデバイスのクロック入力CK
Inまでの配線遅延分を、上記マスターデバイスに設け
られた遅延量と等しい遅延量にする。これにより、マス
ターデバイスのクロックCLKと、上記スレーブデバイ
スのクロック入力CKInとを同期化させることができ
る。
That is, the distance from the clock output CKO of the master device to the feedback input CKI, and the clock input CKI of the slave device from the clock output CKO.
The distance to the middle part of the wiring toward n is equal length,
From such an intermediate part, the clock input CK of the slave device
The wiring delay up to In is set to a delay amount equal to the delay amount provided in the master device. Thus, the clock CLK of the master device and the clock input CKIn of the slave device can be synchronized.

【0029】上記マスターデバイスに設けられる遅延回
路は、上記中間部からスレーブデバイスのクロック入力
CKInまでの配線遅延量が、システム構成や実装形態
により様々になるので、それらに対応できるよう可変遅
延回路とされる。特に制限されないが、この可変遅延回
路は、デジタル信号により遅延量が調整可能にされる。
上記デジタル信号は、レジスタ等の記憶回路に保持され
る。つまり、ソフトウェア的に上記デジタル信号を設定
することよりマスターデバイスに汎用性を持たせること
ができる。
The delay circuit provided in the master device has a variable delay circuit that can cope with the amount of wiring delay from the intermediate section to the clock input CKIn of the slave device depending on the system configuration and mounting form. You. Although not particularly limited, the delay amount of this variable delay circuit can be adjusted by a digital signal.
The digital signal is held in a storage circuit such as a register. In other words, the master device can be made versatile by setting the digital signal by software.

【0030】図6には、この発明に係る情報処理システ
ムの他の一実施例の概略ブロック図が示されている。同
図においては、前記図5と同様に情報処理システムのク
ロック系を中心に示されている。この実施例の情報処理
システムは、例えば1チップのマイクロコンピュータの
ような1つのマスターデバイスと、シンクロナスDRA
M(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)等の
ような3個のスレーブデバイス1ないし3から構成され
る。
FIG. 6 is a schematic block diagram showing another embodiment of the information processing system according to the present invention. In this figure, the clock system of the information processing system is mainly shown as in FIG. The information processing system of this embodiment includes one master device such as a one-chip microcomputer and a synchronous DRA.
It comprises three slave devices 1 to 3 such as M (dynamic random access memory).

【0031】この実施例のマスターデバイスは、前記図
5の実施例のマスターデバイスと同様にその内部に帰還
形位相補償器及び可変遅延回路を有している。マスター
デバイスのクロック出力CKOに対応した外部端子から
第1中間点aまでの距離は、上記クロック出力CKOか
ら帰還入力、あるいはスレーブデバイスのクロック入力
CKInに至る各配線経路において共通とされる。した
がって、上記第1中間点aから帰還入力CKIに対応し
た外部端子までの配線長と、上記第1中間点aから第2
中間点bまでの配線L1とが等長にされる。
The master device of this embodiment has a feedback phase compensator and a variable delay circuit therein similarly to the master device of the embodiment of FIG. The distance from the external terminal corresponding to the clock output CKO of the master device to the first intermediate point a is common to each wiring path from the clock output CKO to the feedback input or the clock input CKIn of the slave device. Therefore, the wiring length from the first intermediate point a to the external terminal corresponding to the feedback input CKI and the second intermediate point a to the second
The wiring L1 up to the intermediate point b is made equal in length.

【0032】上記3つのスレーブデバイスのクロック入
力CKInに至る配線経路のうち、上記第2中間点bか
らスレーブデバイス1に向けた第3中間点cと、上記第
2中間点bからスレーブデバイス2と3に向けた第4中
間点dの配線長がL2のように等しくされる。そして、
上記第3中間点cからスレーブデバイス1のクロック入
力CKInに対応した外部端子までの配線長と、上記第
4中間点dからスレーブデバイス2と3のクロック入力
CKInに対応した外部端子までの配線長とがL3のよ
うに等しくされる。つまり、第2中間点bからスレーブ
デバイス1、2、3の各クロック入力CKInに対応し
た外部端子に至る配線長は、互いに等しくされる。言い
換えるならば、上記第2中間点bに対してスレーブデバ
イス1、2、3の各クロック入力CKInに至る伝搬遅
延時間は等しくされる。
Of the wiring paths leading to the clock inputs CKIn of the three slave devices, the third intermediate point c from the second intermediate point b toward the slave device 1 and the third intermediate point b from the second intermediate point b to the slave device 2 The wiring length of the fourth intermediate point d toward No. 3 is equalized as L2. And
The wiring length from the third intermediate point c to the external terminal corresponding to the clock input CKIn of the slave device 1 and the wiring length from the fourth intermediate point d to the external terminal corresponding to the clock input CKIn of the slave devices 2 and 3 Are equalized as in L3. That is, the wiring lengths from the second intermediate point b to the external terminals corresponding to the clock inputs CKIn of the slave devices 1, 2, and 3 are equal to each other. In other words, the propagation delay time from the second intermediate point b to the clock input CKIn of each of the slave devices 1, 2, and 3 is made equal.

【0033】したがって、上記中間点bに対してスレー
ブデバイス1、2、3の各クロック入力CKInに至る
伝搬遅延時間に対応した遅延量をマスターデバイスに設
けられた図示しない可変遅延回路に設定することによ
り、マスターデバイスのクロックCLKと、上記スレー
ブデバイス1、2及び3の各クロック入力CKInの相
互のタイミングを良好に合わせることができる。このよ
うに、マスターデバイスに帰還入力CKIを遅延させる
可変遅延回路を設けることにより、マスターデバイスを
数や実装形態が異なる様々なスレーブデバイスを持つ情
報処理システムに用いることができる。
Therefore, by setting a delay amount corresponding to the propagation delay time from the intermediate point b to the clock input CKIn of each of the slave devices 1, 2, and 3 in a variable delay circuit (not shown) provided in the master device. , The master device clock CLK and the respective clock inputs CKIn of the slave devices 1, 2 and 3 can be satisfactorily synchronized with each other. Thus, by providing the master device with the variable delay circuit that delays the feedback input CKI, the master device can be used in an information processing system having various slave devices having different numbers and mounting forms.

【0034】図7には、この発明に係る情報処理システ
ムに好適な半導体集積回路装置の一実施例の要部ブロッ
ク図が示されている。この実施例の半導体集積回路装置
は、前記マスターデバイスに向けられており、スレーブ
デバイスに向けたクロック供給回路が例示的に示されて
いる。
FIG. 7 is a block diagram showing a main part of an embodiment of a semiconductor integrated circuit device suitable for the information processing system according to the present invention. The semiconductor integrated circuit device of this embodiment is directed to the master device, and a clock supply circuit directed to a slave device is illustratively shown.

【0035】上記クロック供給回路は、発振回路と制御
部から構成される。発振回路は、前記帰還形位相補償器
と、帰還信号CKIの遅延回路、つまり、遅延量を設定
する可変遅延回路から構成される。帰還形位相補償器で
形成されたクロック出力CKOは、外部端子から出力さ
れる。また、前記のような外部配線を通して帰還クロッ
クCKIが外部端子から入力される。この帰還信号CK
Iは、上記遅延量回路を通して帰還形位相補償器に入力
され、内部クロックCLKと位相同期化される。
The clock supply circuit includes an oscillation circuit and a control unit. The oscillation circuit includes the feedback phase compensator and a delay circuit for the feedback signal CKI, that is, a variable delay circuit for setting a delay amount. The clock output CKO formed by the feedback phase compensator is output from an external terminal. Further, the feedback clock CKI is input from an external terminal through the external wiring as described above. This feedback signal CK
I is input to the feedback phase compensator through the delay amount circuit, and is phase-synchronized with the internal clock CLK.

【0036】制御部は、バスインタフェースと遅延量制
御レジスタを備える。バスインタフェースは内部バスに
結合されており、かかる内部バス及びバスインタフェー
スを通して遅延量制御レジスタに、上記帰還信号CKI
の遅延量の設定が行われる。例えば、ROM等のメモリ
回路に上記遅延量に対応したデジタル信号が記憶されて
おり、システム電源投入時やシステムリセット時にRO
Mから上記デジタル信号が上記内部バスに読み出され、
上記バスインタフェースを通して図示のレジスタに書き
込まれる。これにより、図8のタイミング図に示すよう
に、前記マスターデバイスのクロックCLKと、スレー
ブデバイスの入力クロックCKInとのタイミングを合
わせることができる。
The control section has a bus interface and a delay amount control register. The bus interface is connected to the internal bus, and the feedback signal CKI is supplied to the delay amount control register through the internal bus and the bus interface.
Is set. For example, a digital signal corresponding to the above-described delay amount is stored in a memory circuit such as a ROM, and the RO signal is output when the system power is turned on or when the system is reset.
M reads the digital signal to the internal bus,
The data is written to the illustrated register through the bus interface. Thus, as shown in the timing chart of FIG. 8, the timing of the clock CLK of the master device and the timing of the input clock CKIn of the slave device can be matched.

【0037】図8に示すように、帰還形位相補償器は、
その入力に供給されるクロックCLKと帰還信号CKI
とのタイミングを合わせる。ここで、CKIは、前記外
部端子の帰還信号ではなく、便宜上遅延量回路により遅
延された信号を示している。前記実施例のようにクロッ
ク出力CKOからクロック入力CKIに至る配線経路と
上記遅延量回路との合計の遅延量(tprop) が、上記ク
ロック出力CKOからスレーブデバイスのクロック入力
CKInに至る信号経路での遅延量(tprop)と等しく
されることにより、帰還形位相比較器の帰還入力端子で
の帰還信号CKI、つまりはクロックCLKとスレーブ
デバイスのクロック入力CKInのタイミングを合わせ
ることができる。つまり、帰還形位相補償器は、上記遅
延量(tprop) 分を補償すべくクロック出力CKOの位
相を進めるように動作して、マスターデバイスとスレー
ブデバイスとの間に、伝搬遅延時間(tprop) が補償さ
れる。
As shown in FIG. 8, the feedback type phase compensator
The clock CLK supplied to the input and the feedback signal CKI
Synchronize with the timing. Here, CKI is not a feedback signal of the external terminal but a signal delayed by a delay amount circuit for convenience. The total delay amount (tprop) of the wiring path from the clock output CKO to the clock input CKI and the delay amount circuit as in the above-described embodiment is the signal path from the clock output CKO to the clock input CKIn of the slave device. By making the delay amount (tprop) equal, the timing of the feedback signal CKI at the feedback input terminal of the feedback phase comparator, that is, the clock CLK and the clock input CKIn of the slave device can be matched. That is, the feedback phase compensator operates to advance the phase of the clock output CKO to compensate for the delay amount (tprop), and the propagation delay time (tprop) is compensated between the master device and the slave device. Is done.

【0038】図9には、この発明に係る情報処理システ
ムに好適な半導体集積回路装置の他の一実施例の要部ブ
ロック図が示されている。この実施例の半導体集積回路
装置は、前記マスターデバイスに向けられており、種々
スレーブデバイスの結合形態に対応可能なクロック供給
回路が例示的に示されている。
FIG. 9 is a block diagram showing a main part of another embodiment of the semiconductor integrated circuit device suitable for the information processing system according to the present invention. The semiconductor integrated circuit device of this embodiment is directed to the master device, and a clock supply circuit capable of coping with various types of connection of slave devices is shown as an example.

【0039】この実施例では、帰還形位相補償器の出力
部に、クロック出力用の第1出力回路OB1と、上記帰
還形位相補償器で形成されたクロックの伝達を選択的に
行うスイッチSWと第2出力回路OB2とが設けられ
る。上記第1出力回路OB1の出力信号は外部端子CK
Oから送出され、上記第2出力回路OB2の出力信号
は、外部端子CKIO/CKIから出力される。つま
り、この外部端子CKIO/CKIは、上記スイッチS
Wをオフ状態にさせる第1動作モードでは、前記同様に
帰還入力CKIとして用いられ、上記スイッチSWをオ
ン状態にさせる第2動作モードでは、帰還入力とクロッ
ク出力用CKIOに用いられるようにスイッチSWによ
って使い分けられる。また、帰還信号を受ける入力回路
IBの出力部には、前記図7等で説明したレジスタで遅
延量が設定される遅延量回路が設けられる。
In this embodiment, a first output circuit OB1 for clock output and a switch SW for selectively transmitting a clock formed by the feedback phase compensator are provided at the output of the feedback phase compensator. And a second output circuit OB2. The output signal of the first output circuit OB1 is supplied to an external terminal CK.
O, and the output signal of the second output circuit OB2 is output from the external terminal CKIO / CKI. That is, the external terminal CKIO / CKI is connected to the switch S
In the first operation mode in which W is turned off, the switch SW is used as the feedback input CKI in the same manner as described above. It is used properly. The output section of the input circuit IB that receives the feedback signal is provided with a delay amount circuit whose delay amount is set by the register described with reference to FIG.

【0040】図10には、この発明に係る情報処理シス
テムの他の一実施例の概略ブロック図が示されている。
同図においては、前記図9の実施例の半導体集積回路装
置がマスターデバイスとして用いられる。この実施例の
情報処理システムでは、1つのマスターデバイスによ
り、比較的多くのスレーブデバイスが設けられる。この
ように比較的多くの数のスレーブデバイスが設けられる
場合、上記1つの出力回路OB1のみでは、これら全て
のスレーブデバイスに対してクロックの供給を行う充分
な能力を持たないので、クロックバッファ回路等を設け
ることが必要になる。
FIG. 10 is a schematic block diagram showing another embodiment of the information processing system according to the present invention.
In the figure, the semiconductor integrated circuit device of the embodiment of FIG. 9 is used as a master device. In the information processing system of this embodiment, one master device provides a relatively large number of slave devices. When a relatively large number of slave devices are provided, only one output circuit OB1 does not have a sufficient ability to supply a clock to all of these slave devices. Need to be provided.

【0041】このようにスレーブデバイスの数が多くな
って、上記出力回路OB1のみでは全てのスレーブデバ
イスに向けてクロック出力を行うことが困難なシステム
では、マスターデバイスは前記第2動作モードで動作さ
せられる。特に制限されないが、動作制御端子Cを一方
のレベルに設定し、上記スイッチSWをオン状態にし、
かつ第2の出力回路OB2を動作状態にさせる。
As described above, in a system in which the number of slave devices is large and it is difficult to output a clock to all the slave devices using only the output circuit OB1, the master device is operated in the second operation mode. . Although not particularly limited, the operation control terminal C is set to one level, the switch SW is turned on,
Further, the second output circuit OB2 is brought into an operating state.

【0042】この第2動作モードにおいては、第2の出
力回路OB2を介して端子CKIO/CKIからもクロ
ック出力を行うことができる。それ故、スレーブデバイ
スは、第1組と第2組に分けられて、上記第1の出力回
路OB1により第1組を構成する複数のスレーブデバイ
スに対してクロック供給が行われ、上記第2の出力回路
OB2により第2組を構成する複数のスレーブデバイス
に対してクロック供給が行われる。このようにスレーブ
デバイスを2つのグループに分けて、上記第1の出力回
路OB1と第2の出力回路OB2に振り分けてクロック
供給を行うようにすることにより、上記のようなクロッ
クバッファはその必要がない。
In the second operation mode, a clock can be output from the terminals CKIO / CKI via the second output circuit OB2. Therefore, the slave devices are divided into a first set and a second set, and the first output circuit OB1 supplies a clock to a plurality of slave devices constituting the first set, and the second output circuit OB1 supplies the clock to the second set. The output circuit OB2 supplies a clock to a plurality of slave devices forming the second set. By dividing the slave devices into two groups and distributing the clocks to the first output circuit OB1 and the second output circuit OB2, the clock buffer as described above is necessary. Absent.

【0043】この実施例の情報処理システムにおいて
は、マスターデバイスに設けられた遅延回路の遅延量
を、上記マスターデバイスからスレーブデバイスに至る
クロックの伝搬遅延時間に近い遅延時間に設定すること
により、マスターデバイスのクロックCLKと、スレー
ブデバイスのクロック入力CKInとの位相差を充分小
さくすることができるものとなる。厳密には、上記2つ
のグループに分けられたスレーブデバイスに至る信号経
路を互いに等しくすることは困難であるので、データ転
送に誤動作が生じないような伝搬遅延時間に設定され
る。
In the information processing system of this embodiment, the delay amount of the delay circuit provided in the master device is set to a delay time close to the propagation delay time of the clock from the master device to the slave device. The phase difference between CLK and the clock input CKIn of the slave device can be made sufficiently small. Strictly speaking, since it is difficult to make the signal paths to the slave devices divided into the two groups equal, it is set to a propagation delay time that does not cause a malfunction in data transfer.

【0044】上記マスターデバイスの出力回路OB1に
よりクロック供給が可能なシステムでは、マスターデバ
イスは前記第1動作モードで動作させられる。特に制限
されないが、上記動作制御端子Cが他方のレベルに設定
され、上記スイッチSWがオフ状態に第2の出力回路O
B2は非動作状態、つまりは外部端子CKIO/CKI
から帰還信号の入力を妨げ無いように出力ハイインピー
ダンス状態にされる。
In a system in which a clock can be supplied by the output circuit OB1 of the master device, the master device is operated in the first operation mode. Although not particularly limited, the operation control terminal C is set to the other level, and the switch SW is turned off so that the second output circuit O
B2 is in a non-operating state, that is, external terminals CKIO / CKI
The output is set to a high impedance state so as not to hinder the input of the feedback signal from the input terminal.

【0045】前記図1〜図3等の実施例回路や、前記図
9の実施例でも第2動作モードのときには、クロック同
期のための帰還信号の取り込みは、全て信号線の受端側
で行われており、インピーダンス整合を行うことで、反
射による波形形状の影響を考える必要がない。つまり、
反射ノイズ等によりPLLやDLLのロックが外れてし
まうという誤動作が生じない。
In the circuit of the embodiment shown in FIGS. 1 to 3 and the embodiment of FIG. 9 as well, in the second operation mode, the capture of the feedback signal for clock synchronization is all performed on the receiving end side of the signal line. Therefore, by performing impedance matching, it is not necessary to consider the influence of the waveform shape due to reflection. That is,
There is no erroneous operation in which the PLL or DLL is unlocked due to reflection noise or the like.

【0046】しかしながら、前記図11の実施例のよう
に上記第2動作モードで動作させた場合には、図11に
示すように、マスターデバイスを構成するチップ(Chi
p)Aでは、帰還形位相補償器でクロックCLKに同期し
たクロック信号(O1)を生成し、それを出力回路OB
2から入出力端子CKIOと、それに接続された伝送線
路を通してスレーブデバイスであるチップ(Chip)Bの
受端デバイスに供給する。上記入出力端子CKIOの出
力信号は入力回路IBを介して上記帰還形位相補償器に
帰還される。このとき、出力回路OB2の出力インピー
ダンスは、上記伝送線路の特性インピーダンスと整合が
とられる。このため、入出力端子CKIOの信号は、波
形(S1)のように、信号振幅の半分のレベルまで立ち
上がり、それが伝送線路を通して受端デバイスの入力に
伝えられて、かかる受端デバイスでの入力容量で発生し
た負極性のノイズが反射によって帰ってくる。
However, when operating in the second operation mode as in the embodiment of FIG. 11, the chip (Chi) constituting the master device is operated as shown in FIG.
In p) A, the feedback phase compensator generates a clock signal (O1) synchronized with the clock CLK, and outputs it to the output circuit OB.
2 through the input / output terminal CKIO and the transmission line connected to the input / output terminal CKIO to the receiving device of the chip B as a slave device. The output signal of the input / output terminal CKIO is fed back to the feedback phase compensator through the input circuit IB. At this time, the output impedance of the output circuit OB2 is matched with the characteristic impedance of the transmission line. For this reason, the signal at the input / output terminal CKIO rises to a level that is half the signal amplitude as shown in the waveform (S1), which is transmitted to the input of the receiving device through the transmission line, and the input at the receiving device is input. Negative noise generated by the capacitance is returned by reflection.

【0047】高速のシステムでは、上記伝送線路も短く
形成され、上記クロック信号の立ち上がりや立ち下がり
も高速にされているので、上記インピーダンスの整合に
より入出力端子CKIOの電圧が信号振幅の半分の付近
にあるタイミングで上記反射ノイズが重畳されてしま
う。上記入力回路IBは、そのスレッショクド電圧が、
信号振幅の1/2付近に設定されているので、上記入出
力端子CKIOに生じる波形(S1)の負極性の反射ノ
イズ部分をロウレベルと見做した波形(S2)を形成し
て帰還形位相補償器に帰還させるものとなり、帰還形位
相補償器での位相ロックが外れてしまうという誤動作が
生じる場合がある。
In a high-speed system, the transmission line is also formed short, and the rise and fall of the clock signal are made fast, so that the impedance matching causes the voltage of the input / output terminal CKIO to be close to half the signal amplitude. The reflected noise is superimposed at a certain timing. The input circuit IB has a threshold voltage of
Since the signal amplitude is set to about 1/2 of the signal amplitude, the negative feedback noise portion of the waveform (S1) generated at the input / output terminal CKIO is formed as a low level waveform (S2) to form a feedback type phase compensation. In this case, a malfunction may occur, in which the phase lock in the feedback phase compensator is released.

【0048】図12には、この発明に係る情報処理シス
テムに好適な半導体集積回路装置の他の一実施例の要部
ブロック図が示されている。この実施例の半導体集積回
路装置は、前記図9のマスターデバイスに向けられてお
り、スレーブデバイスに向けたクロック供給回路が例示
的に示されている。
FIG. 12 is a block diagram showing a main part of another embodiment of the semiconductor integrated circuit device suitable for the information processing system according to the present invention. The semiconductor integrated circuit device of this embodiment is directed to the master device of FIG. 9 and exemplarily shows a clock supply circuit directed to a slave device.

【0049】この実施例は、前記第2動作モードで使用
したときの帰還形位相補償器での位相ロックが外れてし
まうという誤動作を防止するために、第2の出力回路O
B2は、メインバッファとサブバッファとから構成され
る。メインバッファとサブバッファの入力には、前記ス
イッチSWを介して帰還形位相補償器の出力信号が供給
され、それぞれの出力端子は前記外部端子CKIO/C
KIに接続される。上記サブバッファは、サブバッファ
コントロールにより駆動される。サブバッファコントロ
ールは、制御レジスタにより設定された制御信号より、
メインバッファに対して上記制御レジスタにより設定さ
れた遅延時間を持って遅れてサブバッファを動作状態に
させる。
In this embodiment, the second output circuit O is used in order to prevent a malfunction such that the phase lock in the feedback phase compensator is lost when used in the second operation mode.
B2 is composed of a main buffer and a sub-buffer. Output signals of the feedback phase compensator are supplied to the inputs of the main buffer and the sub-buffer via the switch SW, and the respective output terminals are connected to the external terminal CKIO / C.
Connected to KI. The sub-buffer is driven by sub-buffer control. The sub-buffer control is based on the control signal set by the control register.
The sub-buffer is activated with a delay time set by the control register with respect to the main buffer.

【0050】図13には、前記図12の出力回路OB2
の一実施例の回路図が示されている。メインバッファ
は、Pチャンネル型MOSFETQ1とNチャンネル型
MOSFETQ2から構成される。Pチャンネル型MO
SFETQ1のゲートには駆動用の入力信号P1が供給
され、Nチャンネル型MOSFETQ2のゲートには駆
動用の入力信号N1が供給される。
FIG. 13 shows the output circuit OB2 of FIG.
The circuit diagram of one embodiment is shown. The main buffer includes a P-channel MOSFET Q1 and an N-channel MOSFET Q2. P-channel type MO
The input signal P1 for driving is supplied to the gate of the SFET Q1, and the input signal N1 for driving is supplied to the gate of the N-channel MOSFET Q2.

【0051】出力端子CKIOからハイレベルを出力さ
せるときには、上記入力信号P1とN1が共にロウレベ
ルにされる。つまり、入力信号P1のロウレベルにより
Pチャンネル型MOSFETQ1がオン状態に、入力信
号N1のロウレベルによりNチャンネル型MOSFET
Q2がオフ状態になるので、出力端子CKIからはMO
SFETQ1のオン状態により電源電圧VDDに対応し
たハイレベルが出力される。
To output a high level from the output terminal CKIO, both the input signals P1 and N1 are set to a low level. That is, the P-channel MOSFET Q1 is turned on by the low level of the input signal P1, and the N-channel MOSFET Q1 is turned on by the low level of the input signal N1.
Since Q2 is turned off, MO is output from the output terminal CKI.
A high level corresponding to the power supply voltage VDD is output according to the ON state of the SFET Q1.

【0052】出力端子CKIOからロウレベルを出力さ
せるときには、上記入力信号P1とN1が共にハイレベ
ルにされる。つまり、入力信号P1ハイレベルルにより
Pチャンネル型MOSFETQ1がオフ状態に、入力信
号N1のハイレベルによりNチャンネル型MOSFET
Q2がオン状態になるので、出力端子CKIからはMO
SFETQ2のオン状態により接地電位VSSに対応し
たロウレベルが出力される。
To output a low level from the output terminal CKIO, both the input signals P1 and N1 are set to a high level. That is, the P-channel MOSFET Q1 is turned off by the high level of the input signal P1, and the N-channel MOSFET Q1 is turned off by the high level of the input signal N1.
Since Q2 is turned on, MO is output from the output terminal CKI.
A low level corresponding to the ground potential VSS is output according to the ON state of the SFET Q2.

【0053】サブバッファは、Pチャンネル型MOSF
ETQ3とNチャンネル型MOSFETQ4から構成さ
れる。Pチャンネル型MOSFETQ3のゲートには、
サブバッファコントロールで形成された駆動用の入力信
号P3が供給され、Nチャンネル型MOSFETQ2の
ゲートには、上記サブバッファコントロールで形成され
た駆動用の入力信号N3が供給される。
The sub-buffer is a P-channel type MOSF
ETQ3 and N-channel MOSFET Q4. The gate of the P-channel MOSFET Q3
The drive input signal P3 formed by the sub-buffer control is supplied, and the drive input signal N3 formed by the sub-buffer control is supplied to the gate of the N-channel MOSFET Q2.

【0054】サブバッファコントロールは、制御レジス
タに設定された第1の制御信号により可変遅延回路D1
の遅延時間が決定される。上記可変遅延回路D1は、上
記メインバッファの駆動用の入力信号P1とN1をそれ
ぞれ遅延させた遅延信号P2とN2を形成する。上記遅
延信号P2は、インバータ回路N1により反転されてナ
ンド(NAND)ゲート回路の一方の入力に供給され
る。上記遅延信号N2は、インバータ回路N2により反
転されてノア(NOR)ゲート回路G2の一方の入力に
供給される。
The sub-buffer control is performed by a variable delay circuit D1 according to a first control signal set in a control register.
Is determined. The variable delay circuit D1 forms delay signals P2 and N2 obtained by respectively delaying the input signals P1 and N1 for driving the main buffer. The delay signal P2 is inverted by an inverter circuit N1 and supplied to one input of a NAND (NAND) gate circuit. The delay signal N2 is inverted by an inverter circuit N2 and supplied to one input of a NOR (NOR) gate circuit G2.

【0055】上記制御レジスタにより設定された第2の
制御信号により可変遅延回路D2の遅延時間が決定され
る。上記可変遅延回路D2は、上記遅延信号P2とN2
をそれぞれ遅延させた遅延信号を形成して、上記ナンド
ゲート回路G1とノアゲート回路G2の他方の入力に供
給される。つまり、上記ナンドゲート回路G1は、上記
遅延信号P2の反転信号と、それを可変遅延回路D2で
遅延させた信号との論理信号P3を形成して上記サブバ
ッファのPチャンネル型MOSFETQ3を駆動する。
上記ノアゲート回路G2は、上記遅延信号N2の反転信
号と、それを可変遅延回路D2で遅延させた信号との論
理信号N3を形成して上記サブバッファのNチャンネル
型MOSFETQ4を駆動する。
The delay time of the variable delay circuit D2 is determined by the second control signal set by the control register. The variable delay circuit D2 is connected to the delay signals P2 and N2.
Are respectively delayed and supplied to the other inputs of the NAND gate circuit G1 and the NOR gate circuit G2. That is, the NAND gate circuit G1 forms a logical signal P3 of an inverted signal of the delay signal P2 and a signal obtained by delaying the inverted signal by the variable delay circuit D2, and drives the P-channel MOSFET Q3 of the sub-buffer.
The NOR gate circuit G2 forms a logical signal N3 of an inverted signal of the delayed signal N2 and a signal obtained by delaying the inverted signal by the variable delay circuit D2, and drives the N-channel MOSFET Q4 of the sub-buffer.

【0056】上記可変遅延回路D1及びD2は、それぞ
れプログラム可能な複数ビットからなる制御レジスタに
よって遅延量の調整が可能とされる。上記可変遅延回路
D1は、出力部につく配線の時間長さに対する調整量で
あり、可変遅延回路D2は反射による影響の時間の長さ
に対する調整量である。同図においては、遅延量の調整
は制御レジスタにより設定するものであるが、この構成
に代えてレイアウトにおいてメタルオプションによる設
定,外部モードピンによる設定などの実施形態を取るこ
とも可能である.
The variable delay circuits D1 and D2 can be adjusted in delay amount by a control register comprising a plurality of programmable bits. The variable delay circuit D1 is an adjustment amount for the time length of the wiring connected to the output unit, and the variable delay circuit D2 is an adjustment amount for the time length of the influence of the reflection. In the figure, the adjustment of the delay amount is set by a control register. However, instead of this configuration, it is also possible to adopt an embodiment such as setting by a metal option or setting by an external mode pin in the layout.

【0057】図15には、上記出力回路OB2の動作の
一例を説明するための波形図が示されている。同図には
出力信号をL(ロウレベル)からH(ハイレベル)に変
化させるときの波形が示されている。入力信号P1とN
1をハイレベルからロウレベルに変化させると、遅延信
号P2とN2は、遅延時間D1だけ遅延させられる。こ
の遅延信号P2の反転信号(H)と、遅延信号P2を遅
延時間D2だけ遅れた信号がナンドゲート回路G1に供
給されるので、その出力信号P3は、上記遅延時間D1
の経過後にロウレベルに変化し、更に遅延時間D2の経
過後にハイレベルの信号になる。この信号P3に対応し
てサブバッファのPチャンネル型MOSFETQ3がオ
ン状態になるので、外部端子CKIOの出力レベルは、
MOSFETQ3のオン状態により前記中間電位をプル
アップする。
FIG. 15 is a waveform chart for explaining an example of the operation of the output circuit OB2. The figure shows a waveform when the output signal is changed from L (low level) to H (high level). Input signals P1 and N
When 1 changes from the high level to the low level, the delay signals P2 and N2 are delayed by the delay time D1. The inverted signal (H) of the delay signal P2 and a signal obtained by delaying the delay signal P2 by the delay time D2 are supplied to the NAND gate circuit G1, and the output signal P3 is output from the delay time D1.
Changes to a low level after the elapse of the delay time, and becomes a high level signal after the elapse of the delay time D2. Since the P-channel MOSFET Q3 of the sub-buffer is turned on in response to the signal P3, the output level of the external terminal CKIO becomes
The intermediate potential is pulled up by the ON state of the MOSFET Q3.

【0058】つまり、前記図13において、MOSFE
TQ1のオン状態での出力インピーダンスと、MOSF
ETQ3のオン状態での出力インピーダンスが並列形態
にされて前記インピーダンス整合による中間電位をプル
アップさせるので、同図に点線で示したような反射ノイ
ズが生じても、それを吸収して中間電位より電源電圧V
DDに向かうよう変化させられる。これにより、外部端
子CKIOの信号を受ける入力回路においては、前記の
ようなグリッチの発生を防止できる。
That is, in FIG.
The output impedance in the ON state of TQ1 and the MOSF
Since the output impedance in the ON state of the ETQ3 is made parallel to pull up the intermediate potential due to the impedance matching, even if reflection noise as shown by a dotted line in FIG. Power supply voltage V
It is changed toward DD. Thus, in the input circuit that receives the signal of the external terminal CKIO, it is possible to prevent the occurrence of the glitch as described above.

【0059】図16には、上記出力回路OB2の動作の
他の一例を説明するための波形図が示されている。同図
には出力信号をH(ハイレベル)からL(ロウレベル)
に変化させるときの波形が示されている。入力信号P1
とN1をロウレベルからハイレベルに変化させると、遅
延信号P2とN2は、遅延時間D1だけ遅延させられ
る。この遅延信号N2の反転信号(L)と、遅延信号N
2を遅延時間D2だけ遅れた信号がノアドゲート回路G
2に供給されるので、その出力信号N3は、上記遅延時
間D1の経過後にハイレベルに変化し、更に遅延時間D
2の経過後にロウレベルの信号になる。
FIG. 16 is a waveform chart for explaining another example of the operation of the output circuit OB2. In the figure, the output signal is changed from H (high level) to L (low level).
The waveform when changing to is shown. Input signal P1
And N1 are changed from the low level to the high level, the delay signals P2 and N2 are delayed by the delay time D1. The inverted signal (L) of the delay signal N2 and the delay signal N
2 is delayed by the delay time D2.
2, the output signal N3 changes to a high level after the elapse of the delay time D1, and furthermore, the output signal N3
After the lapse of 2, the signal becomes low level.

【0060】上記信号N3に対応してサブバッファのN
チャンネル型MOSFETQ4がオン状態になって、M
OSFETQ4のオン状態により前記MOSFETQ2
のオン状態による出力インピーダンスと、伝送線路の特
性インピーダンスとのインピーダンス整合による外部端
子CKIOの中間電位をプルダウンさせるように作用す
るので、同図に点線で示したような反射ノイズが生じて
も、それを吸収して中間電位より回路の接地電位VSS
に向かうよう変化させられる。これにより、外部端子C
KIOの信号を受ける入力回路において、前記のような
グリッチの発生を防止することができる。
The N of the sub-buffer corresponds to the signal N3.
When the channel type MOSFET Q4 is turned on, M
By the ON state of OSFET Q4, the MOSFET Q2
Of the external terminal CKIO by pulling down the intermediate potential of the external terminal CKIO due to the impedance matching between the output impedance due to the ON state of the transmission line and the characteristic impedance of the transmission line. To the ground potential VSS of the circuit from the intermediate potential.
It is changed to go to. Thereby, the external terminal C
In the input circuit receiving the KIO signal, it is possible to prevent the occurrence of the glitch as described above.

【0061】図12において、上記クロック位相調整の
ために、マスターデバイスが第2動作モードに設定され
ているときには、帰還形位相補償器で形成されたクロッ
クCKO1は、出力回路OB2を通して外部端子CKI
O/CKIからスレーブデバイスに向けて出力される。
上記外部端子CKIO/CKIから出力される信号は、
入力回路IBにより上記帰還形位相補償器の入力側に帰
還される。このとき、前記のように外部端子CKIO/
CKIにおいて、反射ノイズによるグリッチが発生して
も、帰還形位相補償器での位相ロックが外れてしまうこ
とが無いように、グリッチ除去回路が設けられる。
In FIG. 12, when the master device is set to the second operation mode for the clock phase adjustment, the clock CKO1 formed by the feedback phase compensator is supplied to the external terminal CKI through the output circuit OB2.
Output from O / CKI to slave device.
The signal output from the external terminal CKIO / CKI is
The signal is fed back to the input side of the feedback type phase compensator by the input circuit IB. At this time, as described above, the external terminal CKIO /
In the CKI, a glitch elimination circuit is provided so that even if glitches due to reflection noise occur, the phase lock in the feedback phase compensator is not lost.

【0062】グリッチ除去回路は、立上がりグリッチ除
去回路と、立下がりグリッチ除去回路とに分けられる。
立下り時に発生するグリッチの除去は、帰還型位相補償
器の出力信号、つまりは出力バッファOB1の入力信号
O1によってゲートが制御されるアンド(AND)ゲー
ト回路G3が用いられる。入力バッファIBの出力信号
I1は、上記アンドゲート回路G3を通して伝達され
る。立上がりに発生するグリッチの除去は、上記アンド
ゲート回路の出力信号I2を受けるオア(OR)ゲート
回路G4が用いられる。オアゲート回路G4は、上記信
号I2と、それを遅延回路Delayにより遅延させた信号
I3を受けて帰還型位相補償器に帰還される入力信号I
4を形成する。上記遅延回路Delayは、制御レジスタに
よりその遅延時間の調整が可能にされる。この遅延時間
は、立上がりグリッチの幅に対応した遅延量にされる。
The glitch removing circuit is divided into a rising glitch removing circuit and a falling glitch removing circuit.
To remove glitches generated at the time of falling, an AND gate circuit G3 whose gate is controlled by the output signal of the feedback phase compensator, that is, the input signal O1 of the output buffer OB1 is used. An output signal I1 of the input buffer IB is transmitted through the AND gate circuit G3. An OR gate circuit G4 receiving the output signal I2 of the AND gate circuit is used to remove the glitch generated at the rising edge. The OR gate circuit G4 receives the signal I2 and the signal I3 obtained by delaying the signal I2 by the delay circuit Delay and feeds the signal I2 back to the feedback phase compensator.
4 is formed. The delay time of the delay circuit Delay can be adjusted by a control register. This delay time is set to a delay amount corresponding to the width of the rising glitch.

【0063】図14には、上記グリッチ除去回路の動作
を説明するための波形図が示されている。信号O1がハ
イレベルからロウレベル変化する立下がり時において
は、信号O1がハイレベルからロウレベルに変化して、
アンドゲート回路G3のゲートを閉じてしまう。これに
より、この立下がり時において前記反射ノイズに入力バ
ッファIBが応答して信号I1に発生したグリッチの伝
達が禁止される。これにより、上記ゲート回路G3の出
力信号I2において、その立下がり時にはグリッチが生
じない。
FIG. 14 is a waveform chart for explaining the operation of the glitch removing circuit. When the signal O1 falls from the high level to the low level, the signal O1 changes from the high level to the low level,
The gate of the AND gate circuit G3 is closed. As a result, the transmission of the glitch generated in the signal I1 in response to the reflected noise by the input buffer IB at the time of the fall is inhibited. As a result, no glitch occurs in the output signal I2 of the gate circuit G3 when it falls.

【0064】信号O1がロウレベルからハイレベル変化
する立上がり時においては、信号O1がロウレベルから
ハイレベルに変化して、アンドゲート回路G3のゲート
を開いてしまう。これにより、この立上がり時において
前記反射ノイズに入力バッファIBが応答して信号I1
に発生したグリッチがそのままゲート回路G3を通して
しまうので信号I2の立上がりにはグリッチが発生す
る。この信号I2の立上がり時のグリッチは、信号I2
とその遅延信号I3を受けるオア(OR)ゲート回路G
4により除去されて、グリッチの無い帰還信号I4が帰
還型位相補償器に入力されるものとなる。つまり、信号
I2のグリッチによるロウレベルの部分が、遅延信号I
3の遅延によるハイレベルの部分と重なってオアゲート
G4により除去される。
When the signal O1 rises from the low level to the high level, the signal O1 changes from the low level to the high level, and the gate of the AND gate circuit G3 is opened. As a result, at the time of the rise, the input buffer IB responds to the reflection noise and the signal I1
Is passed through the gate circuit G3 as it is, a glitch occurs at the rising edge of the signal I2. The glitch at the rise of the signal I2 is caused by the signal I2
(OR) gate circuit G receiving the delay signal I3
4, and the glitch-free feedback signal I4 is input to the feedback phase compensator. That is, the low level portion of the signal I2 due to the glitch is the delayed signal I2.
The signal overlaps with the high level portion due to the delay of 3 and is removed by the OR gate G4.

【0065】前記のように、この発明に係るマスターデ
バイスでは、PLLやDLLといったような帰還形位相
補償器によるクロック位相調整を行なって、外部端子C
KIO/CKIから図示しないメモリ等のようなスレー
ブデバイスに供給する動作モードを有する。このような
動作モードを持つマスターデバイスにおいて、出力回路
OB2として、前記メインバッファとサブバッファ及び
サブバッファコントロールとの組み合わせによりグリッ
チの発生を予防し、入力バッファとしてグリッチを除去
回路を付加するものである。この実施例では、出力回路
側ではグリッチの発生を防止ないし発生量を小さくし、
入力回路側では上記グリッチの発生量が小さくなること
に対応して遅延回路Delayによって調整する遅延調整量
が小さくて済むものとなる。
As described above, in the master device according to the present invention, the clock phase is adjusted by the feedback type phase compensator such as PLL or DLL, and the external terminal C is adjusted.
It has an operation mode for supplying from a KIO / CKI to a slave device such as a memory (not shown). In a master device having such an operation mode, a glitch is prevented from being generated as an output circuit OB2 by a combination of the main buffer, a sub-buffer, and a sub-buffer control, and a glitch removing circuit is added as an input buffer. In this embodiment, on the output circuit side, the generation of glitch is prevented or the amount of generation is reduced,
On the input circuit side, the amount of delay adjustment to be adjusted by the delay circuit Delay in response to the decrease in the amount of glitch generation can be reduced.

【0066】図17には、この発明に係る半導体集積回
路装置における前記クロック同期化(グリッチの防止な
いし低減と除去)を行うための手順を説明するためのフ
ローチャート図が示されている。システム構成に対応し
て外部負荷確定により、配線遅延量の計算が行われる。
この遅延量は、配線等長による同期化分から外れた部
分、つまり、マスターデバイスのクロック出力からスレ
ーブデバイスに至る中間部からスレーブデバイスの入力
に至る配線量が計算される。また、グリッチの防止ない
し低減と除去の場合には前記反射の計算が行われる。上
記の計算結果に対応してレジスタ値を決定する。つま
り、同期化のためのレジスタ値、前記サブバッファの動
作タイミングを設定するレジスタ値、遅延回路の遅延時
間を設定するレジスタ値が求められる。
FIG. 17 is a flowchart for explaining a procedure for performing the clock synchronization (prevention, reduction, and elimination of glitches) in the semiconductor integrated circuit device according to the present invention. The wiring delay amount is calculated by determining the external load corresponding to the system configuration.
This delay amount is calculated as a portion deviated from the synchronization by the wiring equal length, that is, a wiring amount from an intermediate portion from the clock output of the master device to the slave device to an input of the slave device. In the case of prevention or reduction and removal of glitches, the reflection is calculated. The register value is determined according to the above calculation result. That is, a register value for synchronization, a register value for setting the operation timing of the sub-buffer, and a register value for setting the delay time of the delay circuit are obtained.

【0067】上記のようなレジスタ値は、半導体集積回
路装置に設けられるROMに記憶される。このROM
は、最も代表的なマスクROMの他に、電気的に書き込
みが可能な不揮発性メモリや、レーザー光線による切断
によって書き込みが行われるヒューズ素子を用いるもの
であってもよい。上記のようなROMに対して前記レジ
スタ値が書き込まれているので、半導体集積回路装置に
電源投入が行われた際の初期設定において、値の読み込
み、つまりはROMの読み出しが行われて、前記同期化
のための遅延回路の遅延時間の設定のためのレジスタ、
前記サブバッファコントロール及び立上がりグリッチ除
去のための制御レジスタにそれぞれの値が設定されて、
半導体集積回路装置の動作が開始される。
The register values as described above are stored in a ROM provided in the semiconductor integrated circuit device. This ROM
In addition to the most typical mask ROM, an electrically writable non-volatile memory or a fuse element to which writing is performed by cutting with a laser beam may be used. Since the register value is written in the ROM as described above, in the initial setting when the power is turned on to the semiconductor integrated circuit device, the reading of the value, that is, the reading of the ROM is performed. A register for setting a delay time of a delay circuit for synchronization,
Each value is set in the sub-buffer control and the control register for removing the rising glitch,
The operation of the semiconductor integrated circuit device starts.

【0068】上記の実施例から得られる作用効果は、下
記の通りである。 (1) クロック信号に対応して信号処理を行う第1の
回路ブロックと、供給されたクロック信号に対応して上
記第1の回路ブロックとの間でデータの授受を行う第2
の回路ブロックを含む情報処理システムであって、上記
第1の回路ブロックに帰還形位相補償器を設けて、第1
の回路ブロックから上記第2の回路ブロックに至る信号
伝達経路での遅延時間を持つようにされた帰還信号と上
記クロック信号とを同期化させて上記第2の回路ブロッ
クに向けたクロック信号を生成することにより、クロッ
ク配線を工夫することでデバイス間のクロックスキュー
がなくなるので、簡単な構成により高速同期設計のシス
テム形態を実現することができるという効果が得られ
る。
The operation and effect obtained from the above embodiment are as follows. (1) A second circuit for exchanging data between a first circuit block that performs signal processing in response to a clock signal and the first circuit block in response to a supplied clock signal.
An information processing system including a feedback type phase compensator provided in the first circuit block;
Generating a clock signal directed to the second circuit block by synchronizing the clock signal with the feedback signal having a delay time in a signal transmission path from the circuit block to the second circuit block. By doing so, the clock skew between the devices is eliminated by devising the clock wiring, so that an effect that a system configuration of high-speed synchronous design can be realized with a simple configuration is obtained.

【0069】(2) 上記に加えて、上記帰還形位相補
償器の出力端子から上記帰還信号の入力端子に至る信号
伝達経路と、上記出力端子から上記第2の回路ブロック
のクロック入力端子に至る信号伝達経路とを等長構成に
すると簡単な実装形態によって、高速同期設計のシステ
ムを実現できるという効果が得られる。
(2) In addition to the above, a signal transmission path from the output terminal of the feedback phase compensator to the input terminal of the feedback signal, and from the output terminal to the clock input terminal of the second circuit block. When the signal transmission path and the signal transmission path are configured to have the same length, an effect that a system of a high-speed synchronous design can be realized by a simple mounting form is obtained.

【0070】(3) 上記に加えて、上記帰還形位相補
償器の出力端子から上記帰還信号の入力端子に至る信号
伝達経路と、上記出力端子から上記第2の回路ブロック
のクロック入力端子に至る途中の中間点までの信号伝達
経路とを等長構成とし、かかる中間点から第2の回路ブ
ロックのクロック入力端子に至る信号伝達経路での遅延
時間に対応した遅延時間に設定された遅延回路を上記帰
還形位相補償器の出力端子と帰還信号の入力端子に至る
信号伝達経路に設けるようにすることにより、システム
の実装形態に柔軟性を持たせることができるという効果
が得られる。
(3) In addition to the above, a signal transmission path from an output terminal of the feedback type phase compensator to an input terminal of the feedback signal, and a signal transmission path from the output terminal to a clock input terminal of the second circuit block. A signal transmission path from the intermediate point to the intermediate point has an equal length, and a delay circuit set to a delay time corresponding to the delay time in the signal transmission path from the intermediate point to the clock input terminal of the second circuit block is provided. By providing the feedback type phase compensator in the signal transmission path extending from the output terminal to the input terminal of the feedback signal, it is possible to obtain an effect that the mounting form of the system can have flexibility.

【0071】(4) 上記に加えて、上記第1の回路ブ
ロックと第2の回路ブロックとは、外観上1つの半導体
集積回路装置と見做せるようなパッケージに形成するこ
とにより、システムの小型化と高速化を実現できるとい
う効果が得られる。
(4) In addition to the above, the first circuit block and the second circuit block are formed in a package that can be regarded as a single semiconductor integrated circuit device in appearance, thereby reducing the size of the system. And speeding up can be achieved.

【0072】(5) 上記に加えて、上記第1の回路ブ
ロックと第2の回路ブロックをそれぞれ半導体集積回路
装置に構成することにより、実装基板上での組み立てに
よりシステムが構成できるという効果が得られる。
(5) In addition to the above, by forming the first circuit block and the second circuit block in a semiconductor integrated circuit device, respectively, an effect is obtained that a system can be formed by assembling on a mounting board. Can be

【0073】(6) 上記に加えて、上記第1の半導体
集積回路装置に上記帰還形位相補償器で形成されたクロ
ック信号を第1の出力回路を通して出力させる第1の外
部端子と、上記第1の外部端子から出力されたクロック
信号を帰還信号として入力させる第2の外部端子とを持
たせることにより、柔軟なシステムの実現を行うととも
に帰還信号にグリッチが生じることがないので帰還形位
相補償器の安定的な動作を実現できるという効果が得ら
れる。
(6) In addition to the above, a first external terminal for causing the first semiconductor integrated circuit device to output a clock signal formed by the feedback type phase compensator through a first output circuit; By providing a second external terminal for inputting a clock signal output from the first external terminal as a feedback signal, a flexible system can be realized, and no feedback signal glitch occurs. The effect that a stable operation of the vessel can be realized is obtained.

【0074】(7) 上記に加えて、上記遅延回路をデ
ジタル信号に対応して遅延時間が設定される可変遅延回
路とし、上記第1の半導体集積回路装置に内蔵させるこ
とにより、システムの拡張や変更にも対応できるという
効果が得られる。
(7) In addition to the above, by extending the delay circuit into a variable delay circuit having a delay time set corresponding to a digital signal and incorporating the variable delay circuit in the first semiconductor integrated circuit device, it is possible to expand the system. The effect of being able to respond to changes is obtained.

【0075】(8) 上記に加えて、上記帰還形位相補
償器で形成されたクロック信号を選択的に信号伝達を行
うスイッチ手段と、上記スイッチ手段により伝達された
クロック信号を受ける第2の出力回路と、上記第2の出
力回路の出力信号を上記第2の外部端子から出力させる
信号出力経路を更に設けることにより、上記第2の出力
回路からもクロック供給が可能となり、システムの拡張
や変更にも対応できるという効果が得られる。
(8) In addition to the above, a switch means for selectively transmitting a clock signal formed by the feedback phase compensator, and a second output for receiving the clock signal transmitted by the switch means By further providing a circuit and a signal output path for outputting an output signal of the second output circuit from the second external terminal, a clock can be supplied also from the second output circuit, thereby expanding or changing the system. The effect that it can respond also is obtained.

【0076】(9) 上記に加えて、上記スイッチ手段
が信号伝達を行うように設定され、上記第1と第2の外
部端子のそれぞれには1ないし複数の第2の半導体集積
回路装置のクロック入力端子を接続させることにより、
多数のスレーブデバイスを持つシステムを構築すること
ができるという効果が得られる。
(9) In addition to the above, the switch means is set to transmit a signal, and the first and second external terminals each have one or more clocks of the second semiconductor integrated circuit device. By connecting the input terminals,
The effect is obtained that a system having a large number of slave devices can be constructed.

【0077】(10) 上記に加えて、上記第2の出力
回路として、上記第2の外部端子に出力端子が接続さ
れ、かかる出力端子に接続せされる信号伝達経路の特性
インピーダンスと整合する出力インピーダンスを持つメ
インバッファと、上記第2の外部端子に出力端子が接続
されたサブバッファと、上記サブバッァの動作タイミン
グを上記出力バッファの動作タイミングよりも遅らせる
制御回路を用いることにより、帰還信号のグリッチを防
止して帰還形位相補償器の安定的な動作を実現できると
いう効果が得られる。
(10) In addition to the above, as the second output circuit, an output terminal is connected to the second external terminal, and the output matches the characteristic impedance of a signal transmission path connected to the output terminal. By using a main buffer having impedance, a sub-buffer having an output terminal connected to the second external terminal, and a control circuit for delaying the operation timing of the sub-buffer from the operation timing of the output buffer, the glitch of the feedback signal is reduced. Is obtained, and a stable operation of the feedback phase compensator can be realized.

【0078】(11) 上記に加えて、上記第2の外部
端子に入力端子が接続された入力回路を更に備え、かか
る入力回路の出力部に、上記入力回路の出力信号と上記
第2の出力回路の入力信号とを受けて、上記入力回路の
出力信号が第1レベルから第2レベルに変化する際のグ
リッチを除去する第1の論理ゲート回路と、上記第1の
論理ゲート回路の出力信号と、その遅延信号とを受けて
上記入力回路の出力信号が第2レベルから第1レベルに
変化する際のグリッチを除去する第2の論理ゲート回路
とを設けることにより、帰還信号に発生するグリッチを
除去して帰還形位相補償器の安定的な動作を実現できる
という効果が得られる。
(11) In addition to the above, an input circuit having an input terminal connected to the second external terminal is further provided, and an output signal of the input circuit and the second output are provided at an output section of the input circuit. A first logic gate circuit receiving an input signal of the circuit and removing a glitch when the output signal of the input circuit changes from a first level to a second level; and an output signal of the first logic gate circuit And a second logic gate circuit that receives the delay signal and removes a glitch when the output signal of the input circuit changes from the second level to the first level, thereby providing a glitch generated in the feedback signal. Is removed, and an effect that a stable operation of the feedback phase compensator can be realized is obtained.

【0079】(12) 内部クロック信号と帰還信号と
帰還形位相補償器に供給して、上記クロック信号と帰還
信号とを同期化させたクロック信号を生成し、第1の出
力回路を通して第1の外部端子から出力させ、第2の外
部端子のクロック信号を入力回路に供給して、上記帰還
形位相補償器の帰還信号を形成することにより、クロッ
ク配線の工夫によってデバイス間のクロックスキューを
なくして安定的な高速同期設計のシステムに好適な半導
体集積回路装置を得ることができるという効果が得られ
る。
(12) An internal clock signal, a feedback signal, and a feedback type phase compensator are supplied to generate a clock signal in which the clock signal and the feedback signal are synchronized, and the first clock signal is fed through a first output circuit. The clock signal of the second external terminal is supplied to an input circuit to generate a feedback signal of the feedback phase compensator, thereby eliminating clock skew between devices by contriving clock wiring. The effect is obtained that a semiconductor integrated circuit device suitable for a stable high-speed synchronous design system can be obtained.

【0080】(13) 上記に加えて、上記帰還形位相
補償器で形成されたクロック信号を選択的に信号伝達を
行うスイッチ手段と、上記スイッチ手段により伝達され
たクロック信号を受ける第2の出力回路と、上記第2の
出力回路の出力信号を上記第2の外部端子から出力させ
る信号出力経路を更に設けることにより、高速同期設計
システムや多くのスレーブデバイスを持つシステム等の
ような多様なシステムに用いることができる半導体集積
回路装置を得ることができるという効果が得られる。
(13) In addition to the above, a switch means for selectively transmitting a clock signal formed by the feedback phase compensator, and a second output receiving the clock signal transmitted by the switch means Circuit and a signal output path for outputting the output signal of the second output circuit from the second external terminal, thereby providing various systems such as a high-speed synchronous design system and a system having many slave devices. An advantage is obtained that a semiconductor integrated circuit device that can be used for a semiconductor device can be obtained.

【0081】(14) 上記に加えて、上記スイッチ手
段が信号伝達を行う第1動作モードのときに上記第2の
出力回路を動作状態とし、上記スイッチ手段が信号伝達
を行わない第2動作モードのときには上記第2の出力回
路は出力ハイインピーダンス状態とするという使い分け
によって、高速同期設計システムや多くのスレーブデバ
イスを持つシステム等のような多様なシステムに用いる
ことができる半導体集積回路装置を得ることができると
いう効果が得られる。
(14) In addition to the above, in the first operation mode in which the switch means performs signal transmission, the second output circuit is set to the operating state, and the second operation mode in which the switch means does not perform signal transmission. In this case, a semiconductor integrated circuit device that can be used in various systems such as a high-speed synchronous design system and a system having many slave devices is selectively obtained by selectively using the second output circuit in an output high impedance state. Is obtained.

【0082】(15) 上記に加えて、上記入力回路の
出力端子と上記帰還形位相補償器の帰還入力端子との間
には、遅延時間が変化させられる可変遅延回路を更に設
けることにより、システムの実装形態に対応させて同期
化設計を行うことができるという効果が得られる。
(15) In addition to the above, a variable delay circuit for changing a delay time is further provided between the output terminal of the input circuit and the feedback input terminal of the feedback phase compensator, thereby providing a system. The effect that the synchronization design can be performed in correspondence with the mounting form of (1) is obtained.

【0083】(16) 上記に加えて、上記可変遅延回
路の遅延時間を設定するレジスタを更に設けることによ
り、システムの実装形態に対応させた同期化設計をソフ
トウェア的に行うことができるという効果が得られる。
(16) In addition to the above, by further providing a register for setting the delay time of the variable delay circuit, there is an effect that a synchronization design corresponding to a system implementation can be performed by software. can get.

【0084】(17) 上記に加えて、上記第2の出力
回路として、上記第2の外部端子に出力端子が接続さ
れ、かかる出力端子に接続せされる信号伝達経路の特性
インピーダンスと整合する出力インピーダンスを持つメ
インバッファと、上記第2の外部端子に出力端子が接続
されたサブバッファと、上記サブバッァの動作タイミン
グを上記出力バッファの動作タイミングよりも遅らせる
制御回路を用いることにより、帰還信号のグリッチを防
止して帰還形位相補償器の安定的な動作を実現できると
いう効果が得られる。
(17) In addition to the above, as the second output circuit, an output terminal is connected to the second external terminal, and the output matches the characteristic impedance of a signal transmission path connected to the output terminal. By using a main buffer having impedance, a sub-buffer having an output terminal connected to the second external terminal, and a control circuit for delaying the operation timing of the sub-buffer from the operation timing of the output buffer, the glitch of the feedback signal is reduced. Is obtained, and a stable operation of the feedback phase compensator can be realized.

【0085】(18) 上記に加えて、上記入力回路の
出力部には、上記入力回路の出力信号と上記第2の出力
回路の入力信号とを受けて、上記入力回路の出力信号が
第1レベルから第2レベルに変化する際のグリッチを除
去する第1の論理ゲート回路と、上記第1の論理ゲート
回路の出力信号と、その遅延信号とを受けて上記入力回
路の出力信号が第2レベルから第1レベルに変化する際
のグリッチを除去する第2の論理ゲート回路とを設ける
ことにより、帰還信号に発生するグリッチを除去して帰
還形位相補償器の安定的な動作を実現できるという効果
が得られる。
(18) In addition to the above, the output section of the input circuit receives the output signal of the input circuit and the input signal of the second output circuit, and outputs the output signal of the input circuit to the first section. A first logic gate circuit for removing a glitch when the level changes from the second level to the second level; an output signal of the first logic gate circuit and a delay signal thereof; By providing the second logic gate circuit for removing glitches when the level changes from the first level to the first level, it is possible to remove glitches generated in the feedback signal and realize a stable operation of the feedback phase compensator. The effect is obtained.

【0086】以上本発明者よりなされた発明を実施例に
基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。例えば、第1
の回路ブロックと第2の回路ブロックとは、一つの半導
体基板上に形成されるものであってもよい。例えば、半
導体集積回路の製造技術の進展により、システムLSI
のような大規模集積回路では、マイクロプロッセッサの
ようなマスターブロックと、メモリ等のようなスレーブ
ブロックとが組み合わされてシステムが構成されるの
で、この発明の適用により同一集積回路内での信号伝搬
遅延時間を補償した高速同期化を実現することができ
る。
The invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments. However, the invention of the present application is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say. For example, the first
And the second circuit block may be formed on one semiconductor substrate. For example, with the development of semiconductor integrated circuit manufacturing technology, system LSI
In a large-scale integrated circuit such as that described above, a system is configured by combining a master block such as a microprocessor and a slave block such as a memory. High-speed synchronization that compensates for the propagation delay time can be realized.

【0087】図12において、グリッチを除去する回路
は、グリッチが発生する立上がりと立下がりのタイミン
グに同期してパルスを発生させ、このパルスを用いてグ
リッチの伝達を禁止するものであれば何であってもよ
い。前記制御レジスタに設定される情報は、ROM等の
ような記憶装置に記憶させておいて自動的に読み出して
設定するもの他、外部端子から入力するもの、あるいは
複数の外部端子をデジタル信号に対応したハイレベルと
ロウレベルの固定電圧を供給するものであってもよい。
この発明は、クロックに同期してデータの授受を行う機
能を有する情報処理システムと半導体集積回路装置に広
く利用できる。
In FIG. 12, the circuit for removing glitches is any circuit that generates a pulse in synchronization with the rising and falling timings at which the glitch occurs, and prohibits the transmission of the glitch using this pulse. You may. The information set in the control register is stored in a storage device such as a ROM and automatically read out and set, as well as input from an external terminal or a plurality of external terminals corresponding to digital signals. A fixed voltage of a high level and a low level may be supplied.
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely used for information processing systems and semiconductor integrated circuit devices having a function of transmitting and receiving data in synchronization with a clock.

【0088】[0088]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。クロック信号に対応して信号処理を行
う第1の回路ブロックと、供給されたクロック信号に対
応して上記第1の回路ブロックとの間でデータの授受を
行う第2の回路ブロックを含む情報処理システムであっ
て、上記第1の回路ブロックに帰還形位相補償器を設け
て、第1の回路ブロックから上記第2の回路ブロックに
至る信号伝達経路での遅延時間を持つようにされた帰還
信号と上記クロック信号とを同期化させて上記第2の回
路ブロックに向けたクロック信号を生成することによ
り、クロック配線を工夫することでデバイス間のクロッ
クスキューがなくなるので、簡単な構成により高速同期
設計のシステム形態を実現することができる。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. Information processing including a first circuit block for performing signal processing in response to a clock signal, and a second circuit block for transmitting and receiving data between the first circuit block in response to a supplied clock signal A feedback signal, wherein a feedback phase compensator is provided in the first circuit block so as to have a delay time in a signal transmission path from the first circuit block to the second circuit block. By generating a clock signal for the second circuit block by synchronizing the clock signal and the clock signal, clock skew between devices is eliminated by devising a clock wiring, so that a high-speed synchronous design can be achieved with a simple configuration. Can be realized.

【0089】内部クロック信号と帰還信号と帰還形位相
補償器に供給して、上記クロック信号と帰還信号とを同
期化させたクロック信号を生成し、第1の出力回路を通
して第1の外部端子から出力させ、第2の外部端子のク
ロック信号を入力回路に供給して、上記帰還形位相補償
器の帰還信号を形成することにより、クロック配線の工
夫によってデバイス間のクロックスキューをなくして安
定的な高速同期設計のシステムに好適な半導体集積回路
装置を得ることができる。
The internal clock signal, the feedback signal, and the feedback type phase compensator are supplied to generate a clock signal in which the clock signal and the feedback signal are synchronized. The clock signal is supplied from a first external terminal through a first output circuit. By outputting the clock signal of the second external terminal to the input circuit and forming the feedback signal of the feedback type phase compensator, the clock skew between devices can be eliminated by contriving the clock wiring to achieve stable operation. A semiconductor integrated circuit device suitable for a high-speed synchronous design system can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明に係る情報処理システムの一実施例を
示す概略ブロック図である。
FIG. 1 is a schematic block diagram showing one embodiment of an information processing system according to the present invention.

【図2】この発明に係る情報処理システムの他の一実施
例を示す概略ブロック図である。
FIG. 2 is a schematic block diagram showing another embodiment of the information processing system according to the present invention.

【図3】この発明に係る情報処理システムの一実施例を
示す概略ブロック図である。
FIG. 3 is a schematic block diagram showing one embodiment of an information processing system according to the present invention.

【図4】図3の情報処理システムの動作の一例を説明す
るめのタイミング図である。
FIG. 4 is a timing chart for explaining an example of the operation of the information processing system of FIG. 3;

【図5】この発明に係る情報処理システムの他の一実施
例を示す概略ブロック図である。
FIG. 5 is a schematic block diagram showing another embodiment of the information processing system according to the present invention.

【図6】この発明に係る情報処理システムの他の一実施
例を示す概略ブロック図である。
FIG. 6 is a schematic block diagram showing another embodiment of the information processing system according to the present invention.

【図7】この発明に係る情報処理システムに好適な半導
体集積回路装置の一実施例を示す要部ブロック図であ
る。
FIG. 7 is a main block diagram showing one embodiment of a semiconductor integrated circuit device suitable for the information processing system according to the present invention.

【図8】この発明に係る半導体集積回路装置に設けられ
る帰還形位相比較器の動作を説明するためのタイミング
図である。
FIG. 8 is a timing chart for explaining the operation of the feedback phase comparator provided in the semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

【図9】この発明に係る情報処理システムに好適な半導
体集積回路装置の他の一実施例を示す要部ブロック図で
ある。
FIG. 9 is a main part block diagram showing another embodiment of a semiconductor integrated circuit device suitable for the information processing system according to the present invention.

【図10】この発明に係る情報処理システムの他の一実
施例を示す概略ブロック図である。
FIG. 10 is a schematic block diagram showing another embodiment of the information processing system according to the present invention.

【図11】帰還形位相補償器を用いたクロック供給回路
での問題点を説明するための構成図である。
FIG. 11 is a configuration diagram for describing a problem in a clock supply circuit using a feedback phase compensator.

【図12】この発明に係る情報処理システムに好適な半
導体集積回路装置の他の一実施例を示す要部ブロック図
である。
FIG. 12 is a main part block diagram showing another embodiment of a semiconductor integrated circuit device suitable for the information processing system according to the present invention.

【図13】図12の出力回路OB2の一実施例を示す回
路図である。
FIG. 13 is a circuit diagram showing one embodiment of the output circuit OB2 of FIG.

【図14】図12におけるグリッチ除去回路の動作を説
明するための波形図である。
14 is a waveform chart for explaining the operation of the glitch removal circuit in FIG.

【図15】図12の出力回路OB2の動作の一例を説明
するための波形図である。
15 is a waveform chart for explaining an example of the operation of the output circuit OB2 of FIG.

【図16】図12の出力回路OB2の動作の他の一例を
説明するための波形図である。
FIG. 16 is a waveform chart for explaining another example of the operation of the output circuit OB2 of FIG.

【図17】この発明に係る半導体集積回路装置における
前記クロック同期化(グリッチの防止ないし低減と除
去)を行うための手順を説明するためのフローチャート
図である。
FIG. 17 is a flowchart illustrating a procedure for performing the clock synchronization (prevention, reduction, and removal of glitches) in the semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

【図18】従来の情報処理システムの動作の一例を説明
するためのタイミング図である。
FIG. 18 is a timing chart for explaining an example of the operation of the conventional information processing system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

FF1〜FF4…フリップフロップ回路、IB…入力回
路、OB1…第1の出力回路、OB2…第2の出力回
路、D1,D2,Delay…遅延回路、Q1〜Q4…MO
SFET、G1〜G4…ゲート回路、N1,N2…イン
バータ回路。
FF1 to FF4: flip-flop circuit, IB: input circuit, OB1: first output circuit, OB2: second output circuit, D1, D2, Delay: delay circuit, Q1 to Q4: MO
SFETs, G1 to G4 ... gate circuits, N1, N2 ... inverter circuits.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5B079 BA20 CC14 DD08 DD20 5J056 AA01 AA04 AA39 AA40 BB34 BB54 CC00 CC05 DD28 FF01 GG03 KK01 5J106 AA03 CC59 DD24 DD29 GG14 HH02 KK02 5K047 AA07 AA08 GG01 GG09 GG41 MM24 MM36 MM49 MM53  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference)

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1クロック信号に対応して信号処理を
行うとともに、上記第1クロック信号に対応するクロッ
ク信号を第1端子に供給する第1の回路ブロックと、 上記第1端子のクロック信号に対応して上記第1の回路
ブロックとの間でデータの授受を行う第2の回路ブロッ
クとを備え、 上記第1の回路ブロックは、 上記第1端子のクロックに対して遅延された信号を帰還
信号として受けて、上記第1端子に供給されるクロック
信号の位相を制御する帰還形位相補償器を備え、 上記帰還信号の上記第1クロック信号に対する遅延時間
が、上記第1の回路ブロックと上記第2の回路ブロック
との間に設けられるべき信号伝達経路での遅延時間を補
償する遅延時間をを持つようにされてなることを特徴と
する情報処理システム。
A first circuit block that performs signal processing in response to a first clock signal and supplies a clock signal corresponding to the first clock signal to a first terminal; and a clock signal of the first terminal. And a second circuit block for transmitting and receiving data to and from the first circuit block, wherein the first circuit block transmits a signal delayed with respect to a clock of the first terminal. A feedback type phase compensator that receives the feedback signal and controls the phase of the clock signal supplied to the first terminal, wherein a delay time of the feedback signal with respect to the first clock signal is equal to the first circuit block; An information processing system having a delay time for compensating for a delay time in a signal transmission path to be provided between the information processing system and the second circuit block.
【請求項2】 請求項1において、 上記第1端子から上記第2の回路ブロックのクロック入
力端子に至る第1信号伝達経路と、 上記第1信号伝達経路の途中から信号を取り出し、上記
帰還信号のための入力端子に供給する第2信号伝達経路
とが設定されてなることを特徴とする情報処理システ
ム。
2. The feedback signal according to claim 1, wherein a first signal transmission path from the first terminal to the clock input terminal of the second circuit block is extracted, and a signal is taken out of the first signal transmission path. And a second signal transmission path to be supplied to an input terminal for the information processing.
【請求項3】 請求項1において、 上記第1端子から上記帰還信号のための入力端子に至る
信号伝達経路と、上記第1端子から上記第2の回路ブロ
ックのクロック入力端子に至る信号伝達経路とが等長構
成とされてなることを特徴とする情報処理システム。
3. A signal transmission path from the first terminal to an input terminal for the feedback signal, and a signal transmission path from the first terminal to a clock input terminal of the second circuit block. The information processing system is characterized by having the same length.
【請求項4】 請求項1において、 上記第1端子から上記帰還信号のための入力端子に至る
信号伝達経路と、上記第1端子から上記第2の回路ブロ
ックのクロック入力端子に至る途中の中間点までの信号
伝達経路とが等長構成とされ、かかる中間点から第2の
回路ブロックのクロック入力端子に至る信号伝達経路で
の遅延時間に対応した遅延時間に設定された遅延回路が
上記第1端子と帰還信号のための入力端子に至る信号伝
達経路に設けられてなることを特徴とする情報処理シス
テム。
4. The signal transmission path according to claim 1, wherein the signal transmission path extends from the first terminal to the input terminal for the feedback signal, and a signal transmission path extends from the first terminal to a clock input terminal of the second circuit block. The signal transmission path to the point is of equal length, and the delay circuit set to a delay time corresponding to the delay time in the signal transmission path from the intermediate point to the clock input terminal of the second circuit block is the same as the delay circuit described above. An information processing system provided on a signal transmission path leading to one terminal and an input terminal for a feedback signal.
【請求項5】 請求項2ないし4のいずれかにおいて、 上記第1の回路ブロックと第2の回路ブロックとは、1
つの半導体集積回路装置と見做されるところの1つのパ
ッケージに形成されてなることを特徴とする情報処理シ
ステム。
5. The semiconductor device according to claim 2, wherein the first circuit block and the second circuit block are one
An information processing system formed in one package which is regarded as one semiconductor integrated circuit device.
【請求項6】 請求項2ないし4のいずれかにおいて、 上記第1の回路ブロックは第1の半導体集積回路装置に
形成され、 上記第2の回路ブロックは第2の半導体集積回路装置に
形成されてなることを特徴とする情報処理システム。
6. The semiconductor device according to claim 2, wherein the first circuit block is formed in a first semiconductor integrated circuit device, and the second circuit block is formed in a second semiconductor integrated circuit device. An information processing system, comprising:
【請求項7】 請求項6において、 上記第1の半導体集積回路装置は、上記帰還形位相補償
器で形成されたクロック信号が供給される上記第1端子
としての第1の外部端子と、 上記帰還信号のための上記入力端子としての第2の外部
端子とを有することを特徴とする情報処理システム。
7. The first semiconductor integrated circuit device according to claim 6, wherein the first semiconductor integrated circuit device comprises: a first external terminal as the first terminal to which a clock signal formed by the feedback phase compensator is supplied; An information processing system having a second external terminal as the input terminal for a feedback signal.
【請求項8】 請求項7において、 上記遅延回路は、上記第1の半導体集積回路装置に内蔵
され、かつ、その遅延時間がデジタル信号によって設定
される可変遅延回路からなることを特徴とする情報処理
システム。
8. The information according to claim 7, wherein the delay circuit is a variable delay circuit built in the first semiconductor integrated circuit device and having a delay time set by a digital signal. Processing system.
【請求項9】 請求項7又は8において、 上記第1の半導体集積回路装置は、 上記帰還形位相補償器の出力と上記第1の外部端子との
間に設けられ、上記帰還形位相補償器の出力に対応する
出力を上記第1の外部端子に供給せしめる第1の出力回
路と、 上記帰還形位相補償器の出力と上記第2の外部端子との
間に設けられた第2の出力回路と、 上記帰還形位相補償器の出力の上記第2の出力回路を介
しての上記第2の外部端子への伝達を可能にする第1ス
イッチ状態と、上記帰還形位相補償器の出力の上記第2
の出力回路を介しての上記第2の外部端子への伝達を不
能にする第2スイッチ状態とを持つスイッチ手段と更に
備えてなることを特徴とする情報処理システム。
9. The feedback type phase compensator according to claim 7, wherein the first semiconductor integrated circuit device is provided between an output of the feedback type phase compensator and the first external terminal. And a second output circuit provided between the output of the feedback phase compensator and the second external terminal. A first switch state enabling transmission of the output of the feedback phase compensator to the second external terminal via the second output circuit; and Second
An information processing system, further comprising a switch having a second switch state for disabling transmission to the second external terminal via the output circuit of (1).
【請求項10】 請求項9において、 上記スイッチ手段が信号伝達を行うように設定され、 上記第1と第2の外部端子のそれぞれには、1ないし複
数の第2の半導体集積回路装置のクロック入力端子が接
続されるものであることを特徴とする情報処理システ
ム。
10. The clock of one or more second semiconductor integrated circuit devices according to claim 9, wherein said switch means is set so as to transmit a signal, and said first and second external terminals each have a clock of one or more second semiconductor integrated circuit devices. An information processing system to which an input terminal is connected.
【請求項11】 請求項10において、 上記第2の出力回路は、 上記第2の外部端子に出力端子が接続され、かかる出力
端子に接続されるべき信号伝達経路の特性インピーダン
スと整合する出力インピーダンスを持つ第1出力バッフ
ァ回路と、 上記第2の外部端子に出力端子が接続された第2出力バ
ッファ回路と、 上記第2出力バッァ回路の動作タイミングを上記第1出
力バッファ回路の動作タイミングよりも遅らせる制御回
路とを備えるものであることを特徴とする情報処理シス
テム。
11. The output impedance according to claim 10, wherein an output terminal is connected to the second external terminal, and the second output circuit matches a characteristic impedance of a signal transmission path to be connected to the output terminal. A first output buffer circuit having an output terminal connected to the second external terminal, and an operation timing of the second output buffer circuit being shorter than an operation timing of the first output buffer circuit. An information processing system, comprising: a control circuit for delaying.
【請求項12】 請求項10又は11において、 上記第2の外部端子に入力端子が接続された入力回路を
更に備え、 上記入力回路の出力部には、 上記入力回路の出力信号と上記第2の出力回路の入力信
号とを受けて、上記入力回路の出力信号が第1レベルか
ら第2レベルに変化する際のグリッチを除去する第1の
論理回路と、 上記第1の論理回路の出力信号と、その遅延信号とを受
けて上記入力回路の出力信号が第2レベルから第1レベ
ルに変化する際のグリッチを除去する第2の論理回路と
が設けられることを特徴する情報処理システム。
12. The input circuit according to claim 10, further comprising: an input circuit having an input terminal connected to the second external terminal, wherein an output section of the input circuit includes an output signal of the input circuit and the second output terminal. A first logic circuit receiving the input signal of the output circuit, and removing a glitch when the output signal of the input circuit changes from the first level to the second level; and an output signal of the first logic circuit. And a second logic circuit for receiving the delay signal and removing a glitch when the output signal of the input circuit changes from the second level to the first level.
【請求項13】 内部クロック信号と帰還信号とを受け
て、上記クロック信号と帰還信号とを同期化させたクロ
ック信号を生成する帰還形位相補償器と、 上記帰還形位相補償器で形成されたクロック信号を受け
る第1の出力回路と、 上記第1の出力回路の出力端子に接続された第1の外部
端子と、 第2の外部端子のクロック信号を受けて、上記帰還形位
相補償器のための上記帰還信号を形成する入力回路とを
備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
13. A feedback phase compensator for receiving an internal clock signal and a feedback signal to generate a clock signal in which the clock signal and the feedback signal are synchronized, and formed by the feedback phase compensator. A first output circuit for receiving a clock signal, a first external terminal connected to an output terminal of the first output circuit, and a clock signal for receiving a clock signal from a second external terminal; A semiconductor integrated circuit device comprising: an input circuit for forming the feedback signal.
【請求項14】 請求項13において、 上記帰還形位相補償器の出力と上記第2の外部端子との
間に設けられた第2の出力回路と、 上記帰還形位相補償器の出力の上記第2の出力回路を介
しての上記第2の外部端子への伝達を可能にする第1の
動作モードと、上記帰還形位相補償器の出力の上記第2
の出力回路を介しての上記第2の外部端子への伝達を不
能にする第2の動作モードとを持つスイッチ手段と更に
備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
14. The feedback type phase compensator according to claim 13, wherein a second output circuit provided between an output of the feedback type phase compensator and the second external terminal; A first operation mode enabling transmission to the second external terminal via the second output circuit, and a second operation mode for outputting the output of the feedback phase compensator.
And a switch having a second operation mode for disabling transmission to the second external terminal via the output circuit.
【請求項15】 請求項14において、 上記スイッチ手段が信号伝達を行う上記第1動作モード
のときに上記第2の出力回路は動作状態にされ、 上記スイッチ手段が信号伝達を行わない上記第2動作モ
ードのときには上記第2の出力回路は出力ハイインピー
ダンス状態にされることを特徴とする半導体集積回路装
置。
15. The second output circuit according to claim 14, wherein the second output circuit is activated when the switch is in the first operation mode in which the switch transmits signals. A semiconductor integrated circuit device, wherein the second output circuit is in an output high impedance state in an operation mode.
【請求項16】 請求項13ないし15のいずれかにお
いて、 上記入力回路の出力端子と上記帰還形位相補償器の帰還
入力端子との間には、遅延時間の制御が可能な可変遅延
回路を更に有することを特徴とする半導体集積回路装
置。
16. A variable delay circuit capable of controlling a delay time between an output terminal of the input circuit and a feedback input terminal of the feedback phase compensator according to any one of claims 13 to 15. A semiconductor integrated circuit device comprising:
【請求項17】 請求項16において、 上記可変遅延回路の遅延時間を設定するレジスタを更に
備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
17. The semiconductor integrated circuit device according to claim 16, further comprising a register for setting a delay time of said variable delay circuit.
【請求項18】 請求項14ないし17のいずれかにお
いて、 上記第2の出力回路は、 上記第2の外部端子に出力端子が接続され、かかる出力
端子に接続されるべき信号伝達経路の特性インピーダン
スと整合する出力インピーダンスを持つ第1出力バッフ
ァ回路と、 上記第2の外部端子に出力端子が接続された第2出力バ
ッファ回路と、 上記第2出力バッァ回路の動作タイミングを上記第1出
力バッファ回路の動作タイミングよりも遅らせる制御回
路とを備えるものであることを特徴とする半導体集積回
路装置。
18. The second output circuit according to claim 14, wherein an output terminal is connected to the second external terminal, and a characteristic impedance of a signal transmission path to be connected to the output terminal. A first output buffer circuit having an output impedance matching the first output buffer circuit, an output terminal connected to the second external terminal, and an operation timing of the second output buffer circuit. And a control circuit that delays the operation timing of the semiconductor integrated circuit.
【請求項19】 請求項18において、 上記入力回路の出力部には、 上記入力回路の出力信号と上記第2の出力回路の入力信
号とを受けて、上記入力回路の出力信号が第1レベルか
ら第2レベルに変化する際のグリッチを除去する第1の
論理回路と、 上記第1の論理回路の出力信号と、その遅延信号とを受
けて上記入力回路の出力信号が第2レベルから第1レベ
ルに変化する際のグリッチを除去する第2の論理回路と
が設けられることを特徴とする半導体集積回路装置。
19. The output circuit according to claim 18, wherein the output section of the input circuit receives an output signal of the input circuit and an input signal of the second output circuit, and outputs an output signal of the input circuit to a first level. A first logic circuit for removing a glitch when the signal changes from the second level to the second level, and an output signal of the input circuit receiving the output signal of the first logic circuit and its delay signal from the second level. A second logic circuit that removes a glitch when the level changes to one level.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006101455A (en) * 2004-09-30 2006-04-13 Tamura Seisakusho Co Ltd Digital audio adjustment device
JPWO2005013107A1 (en) * 2003-07-31 2006-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device and driving method of semiconductor device
JP2008065884A (en) * 2006-09-05 2008-03-21 Elpida Memory Inc Semiconductor memory device and semiconductor device
WO2009107443A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
JP2010177786A (en) * 2009-01-27 2010-08-12 Fujitsu Semiconductor Ltd Semiconductor integrated circuit
JP2010534962A (en) * 2007-07-26 2010-11-11 ローデ ウント シュワルツ ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー Method for synchronizing several channel measuring components and / or measuring devices and corresponding measuring device
JP2012023571A (en) * 2010-07-14 2012-02-02 Ricoh Co Ltd Communication unit, communication system, and control method of communication unit
WO2012026087A1 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 株式会社ニコン Imaging device
JP2013190835A (en) * 2012-03-12 2013-09-26 Renesas Mobile Corp Semiconductor device and portable terminal device
CN118779272A (en) * 2024-09-05 2024-10-15 鼎道智芯(上海)半导体有限公司 Signal transmission method and system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07326950A (en) * 1994-06-02 1995-12-12 Fujitsu Ltd Timing signal skew adjusting apparatus and method
JPH08191237A (en) * 1995-01-09 1996-07-23 Mitsubishi Electric Corp Clock signal generation device
JPH08251149A (en) * 1995-03-13 1996-09-27 Toshiba Corp Clock signal distribution system
JP2000029561A (en) * 1998-07-08 2000-01-28 Nec Kofu Ltd Clock supply circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07326950A (en) * 1994-06-02 1995-12-12 Fujitsu Ltd Timing signal skew adjusting apparatus and method
JPH08191237A (en) * 1995-01-09 1996-07-23 Mitsubishi Electric Corp Clock signal generation device
JPH08251149A (en) * 1995-03-13 1996-09-27 Toshiba Corp Clock signal distribution system
JP2000029561A (en) * 1998-07-08 2000-01-28 Nec Kofu Ltd Clock supply circuit

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2005013107A1 (en) * 2003-07-31 2006-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device and driving method of semiconductor device
JP2006101455A (en) * 2004-09-30 2006-04-13 Tamura Seisakusho Co Ltd Digital audio adjustment device
JP2008065884A (en) * 2006-09-05 2008-03-21 Elpida Memory Inc Semiconductor memory device and semiconductor device
US7623398B2 (en) 2006-09-05 2009-11-24 Elpida Memory, Inc Semiconductor memory device and semiconductor device
JP2010534962A (en) * 2007-07-26 2010-11-11 ローデ ウント シュワルツ ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー Method for synchronizing several channel measuring components and / or measuring devices and corresponding measuring device
WO2009107443A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
JP2009211208A (en) * 2008-02-29 2009-09-17 Toshiba Corp Memory system
US8103920B2 (en) 2008-02-29 2012-01-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system configured by using a nonvolatile semiconductor memory
JP2010177786A (en) * 2009-01-27 2010-08-12 Fujitsu Semiconductor Ltd Semiconductor integrated circuit
JP2012023571A (en) * 2010-07-14 2012-02-02 Ricoh Co Ltd Communication unit, communication system, and control method of communication unit
WO2012026087A1 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 株式会社ニコン Imaging device
JP2012049597A (en) * 2010-08-24 2012-03-08 Nikon Corp Imaging apparatus
CN103069792A (en) * 2010-08-24 2013-04-24 株式会社尼康 Imaging device
US9210337B2 (en) 2010-08-24 2015-12-08 Nikon Corporation Imaging device
US9743028B2 (en) 2010-08-24 2017-08-22 Nikon Corporation Imaging device
US10375339B2 (en) 2010-08-24 2019-08-06 Nikon Corporation Imaging device
US10721428B2 (en) 2010-08-24 2020-07-21 Nikon Corporation Imaging device
JP2013190835A (en) * 2012-03-12 2013-09-26 Renesas Mobile Corp Semiconductor device and portable terminal device
US9111043B2 (en) 2012-03-12 2015-08-18 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and mobile terminal device
US9471530B2 (en) 2012-03-12 2016-10-18 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and mobile terminal device
CN118779272A (en) * 2024-09-05 2024-10-15 鼎道智芯(上海)半导体有限公司 Signal transmission method and system

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