JP2002311693A

JP2002311693A - 電子写真装置

Info

Publication number: JP2002311693A
Application number: JP2001114100A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Ebara; 俊幸江原; Tetsuya Karaki; 哲也唐木; Masaya Kawada; 将也河田; Hironori Owaki; 弘憲大脇
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-04-12
Filing date: 2001-04-12
Publication date: 2002-10-23

Abstract

(57)【要約】【課題】ゴーストが実質的に皆無であり、十分な帯電
能が得られ、分解能を向上させ、さらなる高画質化を達
成した電子写真装置を得る。【解決手段】ａ−Ｓｉ系感光体を用い、画像形成光線
を露光する時点における感光体にかかる電界が１５０ｋ
Ｖ／ｃｍ以上であり、画像形成光線の波長が５００ｎｍ
以下である事を特微とする電子写真装置。画像形成光線
がレーザー光であり、レーザー光が感光体面上に直交入
射しないように露光すること、帯電手段とは別個に設け
られた現像手段を有し、帯電手段内において画像形成光
線で感光体が露光されること等が好ましい。感光体とし
ては、光導電層の光学的バンドギャップＥｇが２．０ｅ
Ｖ以下であること、感光体が複数の層からなる場合は最
も表面側の層のＥｇが、１．８３ｅＶ以上であること、
また表面層を有する場合は表面層のＥｇが２．３ｅＶ以
上であることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ａ−Ｓｉ系感光体
を用いた電子写真装置に係り、特に、プリンタ、複写
機、ファクシミリ等のデジタル式の電子写真装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ａ−Ｓｉ系感光体を用いた電子写
真装置は、その画質の良さおよび高速なプリントアウト
などの特徴で注目を浴びている。

【０００３】特にデジタル式の電子写真装置の高画質化
は急速に進んでおり、画像形成光線の小スポット化が進
められている。その際に注意すべき点は、画像形成光線
を絞った際のスポット径のゆらぎによる画素の安定度で
ある。図３に示すように、通常、光走査装置は、レーザ
ダイオード１００、回転多面鏡１０２、レーザダイオー
ド１００から出射されたレーザビームを回転多面鏡１０
２に導く光源光学系１０４、回転多面鏡１０２で偏向さ
れたレーザビームを感光体１０６に導き走査する走査光
学系１０８から成り立っている。また、回転多面鏡と入
射ビームとの関係で大きく分けて２つの方式がある。一
つは図６に示すように、回転多面鏡１１２の一つの反射
面１１２Ａの幅Ｗよりも入射する光ビームＬの幅Ｄが狭
く、入射した光ビームＬを全て走査レンズ１２０に出射
する形式の光学系（以下、アンダーフイールド型光学
系、若しくはＵＦＳという。）である。

【０００４】他方は図７に示すように、回転多面鏡１２
２の一つの反射面１１２Ａの幅Ｗよりも入射する光ビー
ムＬの幅Ｄが広い過露光型の光学系（以下、オーバーフ
イールド型光学系若しくはＯＦＳという。）である。同
じ走査レンズを用いる場合、ＯＦＳは、ＵＦＳよりも回
転多面鏡の径を小さくできるため、モータの回転数を低
くできるなどの特徴があるが、入射ビームの一部が切り
取られて走査レンズに出射するために、出射光量が感光
体上の位置によって差を生じ、画像の濃度が部分的に異
なる等の問題があるが、図１０に示すように、光源光学
系で回転多面鏡１１２へ入射する光ビームＬの幅を広く
することで、回転多面鏡の一つの反射面１１２Ａで反射
する光ビームのムラを小さくできることが知られてい
る。また、レーザーの発光分布は、１ドット内では近似
的にＧａｕｓｓ分布であり、ＵＦＳはそのまますべてド
ラム面に到達する為、有機光導電体（以下、ＯＰＣとい
う。）のようにキャリア伝導の原理からくる電界依存性
を有する感光体の場合、露光量に対する電位特性（横
軸：露光量、縦軸：電位。以下、ＥＶ特性という。）が
図２に示すように、下に凸の形状を有するため、小光量
での光量変化が電位に反映されやすい。即ち、Ｇａｕｓ
ｓ分布の光量分布に対して、お椀型の電位分布を形成す
るので、光量分布の裾が変化する場合、ドット径の変化
への影響度が大きく、画質に影響し易い、という問題が
有ったが、図１に示すような直線的なＥＶ特性を持つａ
−ＳｉとＯＦＳを用いた電子写真装置において、スポッ
ト光量分布を広げた位置に回転多面鏡面を設定する事
で、スポット光量分布中心付近の比較的光量の安定した
部分のみを使用する事が可能になる。具体的には回転多
面鏡の反射面における光ビーム幅Ｄと回転多面鏡の対向
面の主走査方向幅Ｗを、３．０≧Ｄ／Ｗ≧１．５なる関
係の構成にする事より、光量分布の裾の光量変化があっ
ても、電位揺らぎ（ドット径の揺らぎ）に影響しにく
く、安定したドット潜像を形成する事が可能である。

【０００５】高画質化を具現化するには、さらに現像特
性が重要である。潜像を忠実に再現できる能力が必要で
あり、最低限必要とされるのは、現像剤の粒径である。
現像方式は、モノクロ・カラー等、そのニーズによって
１成分現像・２成分ブラシ現像の様々な方式が考案若し
くは採用されており、一般に画像再現特性は１成分現像
より２成分ブラシ現像の方が優れているとされている
が、各方式にはそれぞれの特微がある。

【０００６】主な現像方式について、その特徴を挙げる
と、以下の様に様々であり、用途に応じて選択する必要
がある。（ａ）ＢＭＴ方式・ＦＥＥＤ方式（１成分・絶縁性・磁
性・接触）：特にＦＥＥＤ方式は２成分ブラシ現像とほ
ぼ同等の画像特性。（ｂ）タッチダウン方式（１成分・絶縁性・非磁性・接
触）：接触現像によるカブリが問題。（ｃ）ジヤンピング方式（１成分・絶緑性・磁性・非接
触）：非接触のため、カブリ・傷の問題が少ない。（ｄ）プロジェクション方式（１成分・絶縁性・非磁性
・非接触）：非接触のため、カブリ・傷の問題が少な
く、非磁性のため、カラー化可能。（ｅ）マグネダイナミック方式（１成分・導電性・磁性
・接触）：潜像電界による誘導帯電、ブラシ現像。正、
負いずれの潜像でも現像できるが、転写が困難。（ｆ）ＩＭＢ方式（２成分・絶緑性・非磁性・接触）：
絶緑性キャリアのため、現像後に逆極性電荷が蓄積され
る。べタ部の再現性は良くないが、細線の再現性は良
い。（ｇ）ＣＭＢ方式（２成分・導電性・非磁性・接触）：
導電性キャリアのため、現像後に逆極性電荷が蓄積され
ない。べタ部の再現性は良いが、低濃度の細線の再現性
が劣る。

【０００７】電子写真において、感光体における感光層
を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光
電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射する電磁
波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトルを有する
こと、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無害であること、等の特性
が要求される。特に、事務機としてオフイスで使用され
る画像形成装置内に組み込まれる画像形成装置用感光体
の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点
である。この様な点に優れた性質を示す光導電材料に水
素化アモルフアスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と
表記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０５９号
公報には画像形成装置用感光体としての応用が記載され
ている。

【０００８】ａ−Ｓｉ：Ｈを用いた画像形成装置用感光
体は、一般的には、導電性基体を５０℃〜４００℃に加
熱し、該基体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーテイング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズ
マＣＶＤ法等の成膜法によりａ−Ｓｉ系材料からなる光
導電層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわ
ち、原料ガスを直流または高周波のグロー放電によって
分解し、基体上にａ−Ｓｉ系堆積膜を形成する方法が好
適なものとして実用に付されている。

【０００９】また、特開昭５４−８３７４６号公報にお
いては、導電性基体と、ハロゲン原子を構成要素として
含むａ−Ｓｉ系（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）
光導電層からなる画像形成装置用感光体が提案されてい
る。当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１
乃至４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、
画像形成装置用感光体の光導電層として良好な電気的、
光学的特性を得ることができるとしている。

【００１０】また、特開昭５７−１１５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ系堆積膜で構成された光導電層を有する光
導電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、
光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さ
らには経時的安定性について改善を図るため、シリコン
原子を母体としたアモルフアス材料で構成された光導電
層上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性の
アモルフアス材料で構成された表面層を設ける技術が記
載されている。

【００１１】更に、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルフアスシリコン、炭素、酸素及び弗素を含有
してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体
についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１６１
号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と
４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶
質材料を用いる技術が記載されている。

【００１２】さらに、特開昭５７−１５８６５０号公報
には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペク
トルの２１００ｃｍ^-1と２０００ｃｍ^-1の吸収ピークの
吸収係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導
電層に用いることにより高感度で高抵抗な画像形成装置
用感光体が得られることが記載されている。

【００１３】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルフアスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が開示されている。

【００１４】これらの技術により、画像形成装置用感光
体の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が
向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【００１５】図１１は、画像形成装置用感光体の層構成
を説明するための模式的構成図である。

【００１６】図１１（ａ）に示す画像形成装置用感光体
１１００は、感光体用としての基体１１０１の上に、感
光層１１０２が設けられている。該感光層１１０２はａ
−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなり光導電性を有する光導電層１１
０３で構成されている。

【００１７】図１１（ｂ）は、画像形成装置用感光体の
他の層構成を説明するための模式的構成図である。図１
１（ｂ）に示す画像形成装置用感光体１１００は、感光
体用としての基体１１０１の上に、感光層１１０２が設
けられている。該感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘか
らなり光導電性を有する光導電層１１０３と、アモルフ
アスシリコン系表面層１１０４とから構成されている。

【００１８】図１１（ｃ）は、画像形成装置用感光体の
他の層構成を説明するための模式的構成因である。図１
１（ｃ）に示す画像形成装置用感光体１１００は、感光
体用としての基体１１０１の上に、感光層１１０２が設
けられている。該感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘか
らなり光導電性を有する光導電層１１０３と、アモルフ
アスシリコン系表面層１１０４と、アモルフアスシリコ
ン系電荷注入阻止層１１０５とから構成されている。

【００１９】図１１（ｄ）は、画像形成装置用感光体の
さらに他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図１１（ｄ）に示す画像形成装置用感光体１１００
は、感光体用としての基体１１０１の上に、感光層１１
０２が設けられている。該感光層１１０２は光導電層１
１０３を構成するａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる電荷発生層
１１０６ならびに電荷輸送層１１０７と、アモルフアス
シリコン系表面層１１０４とから構成されている。

【００２０】感光体の基体としては、導電性でも電気絶
緑性であってもよい。導電性基体としては、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらを含む合金、例えば
ステンレス等が挙げられる。また、ボリエステル、ポリ
エチレン、ボリカーボネート、セルロースアセテート、
ボリプロピレン、ボリ塩化ビニル、ボリスチレン、ボリ
アミド等の合成樹脂のフイルムまたはシート、ガラス、
セラミック等の電気絶縁性基体の少なくとも感光層を形
成する側の表面を導電処理した基体も用いることができ
る。

【００２１】基体１１０１上、必要に応じて下引き層
（不図示）上に形成され、感光層１１０２の一部を構成
する光導電層１１０３は、真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーテイング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など
の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。こ
れらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷
程度、製造規模、作成される画像形成装置用感光体に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、所望の特性を有する画像形成装置用感光体を製造
するに当たっての条件の制御が比較的容易であることか
らしてグロー放電法、特にＲＦ帯またはＶＨＦ帯の電源
周波数を用いた高周波グロー放電法が好適である。

【００２２】次に、感光層を形成するための装置および
膜形成方法について高周波プラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤ）
法を例に詳述する。

【００２３】ＰＣＶＤ装置を図１２に示す。図１２に示
す装置は、電子写真用感光体の製造に使用する一般的な
ＰＣＶＤ装置である。このＰＣＶＤ装置は、堆積装置３
０、原料ガス供給装置及び排気装置（ともに図示せず）
を備えて構成されている。堆積装置３０には縦型の真空
容器からなる反応容器３１を有し、この反応容器３１内
には縦方向の原料ガス導入管３３が円周状に複数本配設
され、ガス導入管３３の側面には、長手方向に沿って多
数の細孔が設けられている。反応容器３１内の中心に
は、螺旋状に巻線したヒーター３２が縦方向に延設さ
れ、感光体ドラムの基体となる円筒体４２は、容器３１
内の上部の蓋３１ａを開けて挿入され、ヒータ３２を内
側にして容器３１内に垂直に設置される。また、反応容
器３１の側面の一方に設けた凸部３４から高周波電力が
供給される。

【００２４】反応容器３１の下部には、原料ガス導入管
３３に接続された原料ガス供給管３５が取り付けられ、
この供給管３５は、原料ガス供給バルブ３６を介して図
示しないガス供給装置に接続されている。また、反応容
器３１下部には排気管３７が取り付けられ、この排気管
３７はメイン排気バルブ３８を介して図示しない排気装
置（真空ボンプ）に接続されている。排気管３７には、
他に真空計３９、サブ排気バルブ４０が取り付けられて
いる。

【００２５】上記の装置を用いたＰＣＶＤ法によるａ−
Ｓｉ系感光層の形成は次のように行なわれる。まず、反
応容器３１内に感光体ドラムの基体となる円筒体４２を
セットし、蓋３１ａを閉じた後、図示しない排気装置に
より容器３１内を所定の低圧以下の圧力まで排気し、以
後排気を続けながら、ヒーター３２により円筒体４２を
内側から加熱して、円筒体４２を２０℃〜４５０℃の範
囲内の所定の温度に制御する。円筒体４２が所定の温度
に維持されたら、所望の原料ガスをそれぞれの流量制御
器（図示せず）により調節しながら、導入管３３を通っ
て反応容器３１内に導入する。導入された原料ガスは反
応容器３１内を満たした後、排気管３７を通って容器３
１外に排気される。

【００２６】このようにして、原料ガスが満たされた反
応容器３１内が所定の圧力になって安定したことを真空
計３９により確認したら、図示しない高周波電源（１
３．５６ＭＨｚのＲＦ帯域、または５０〜１５０ＭＨｚ
のＶＨＦ帯域、等）により、高周波を所望の投入電力量
で容器３１内に導入し、容器３１内にグロー放電を発生
させる。このグロー放電のエネルギーによって、原料ガ
スの成分が分解してプラズマイオンが生成し、円筒体４
２の表面に珪素を主体としたａ−Ｓｉ系堆積層が形成さ
れる。この際、ガス種、ガス導入量、ガス導入比率、圧
力、基体温度、投入電カ、膜厚などのパラメータを調整
することにより様々な特性のａ−Ｓｉ系堆積層を形成す
ることにより、電子写真特性を制御することが出来る。

【００２７】このようにして円筒体４２の表面にａ−Ｓ
ｉ系堆積層が所望の膜厚で形成されたら、高周波電力の
供給を止め、供給バルブ３６等を閉じて、反応容器３１
内への原料ガスの導入を停止し、一層分のａ−Ｓｉ系堆
積層の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
により所望の多層構造のａ−Ｓｉ系堆積層、つまりａ−
Ｓｉ系感光層が形成され、円筒体４２の表面に多層構造
のａ−Ｓｉ系感光層を有する感光体ドラムが製造され
る。

【００２８】以上において、ガス導入管３３の長手方向
上に分布した細孔から反応容器３１内に導入される原料
ガスの導入管３３長手方向での流量分布、排気管からの
排ガスの流出速度、放電エネルギー等を調整することに
よって、円筒体４２上のａ−Ｓｉ系堆積層の長手方向に
沿った電子写真特性を制御することが出来る。

【００２９】

【発明が解決しようとする課題】ａ−Ｓｉ系感光体を用
いた電子写真装置において、古くから悩みの種であった
点は、画像形成による露光パターンが次回画像形成する
際に残存してしまう光メモリー（以下、ゴーストと称
す）であった。高画質を進める上で、ゴースト解消は回
避できない項目であるにもかかわらず、実際ゴーストを
皆無にする事は困難であり、通常、除電光の波長を長く
したり、光量を増加させて、ゴーストを軽減する事が一
般的な手投として用いられていた。ところが、除電光の
波長を長くしたり、光量を増加させることは、同時に帯
電電位を確保する為に必要な帯電パワーの増加を招く
為、該手段は異常放電、感光体破壊等の制約があり、ゴ
ーストと帯電能のバランスを考慮して使用できる範囲は
限定されていた。すなわち、ゴースト消去を重点化すれ
ば、ハイパワーの帯電工程が必要になり、帯電による集
塵効果で帯電器が汚れたり、オゾン生成物の増加に伴っ
て感光体表面が低抵抗化し画像がボケる、いわゆる画像
流れを悪化させるといった弊害が生じる為、それを克服
する為に、さらに他の補助手投を必要とするなど、装置
の大型化、コストアップを引き起こす場合が多かった。

【００３０】一方、画像形成光線の波長を短くする事
も、ゴーストと帯電能を同時に向上させる手段ではある
が、いくつかの障害を克服する必要があった。

【００３１】１つめは、画像形成光線用としての波長の
短い発光素子の実用化であったが、ＬＥＤに次いで、レ
ーザーに関しても、ここ数年の間に実用化の見通しが立
ちつつある。２つめは、図４に例示するようにａ−Ｓｉ
系感光体の感度が短波長では急激に落ち込む事である。
図４（ａ）、（ｂ）はいずれも最大感度を１としたとき
の相対値を縦軸にした分光感度曲線であるが、図４
（ａ）は単位エネルギーあたりの感度、図４（ｂ）は単
位光子数あたりの感度を示している。ａ−Ｓｉ系感光体
の感度は、素直に半導体特性に従って考察できる。即ち
材料の持つ光学的バンドギャップ以上のエネルギーを有
する波長の光を吸収するが、露光波長を短くすると吸収
領域が膜厚方向で極めて薄い領域に集中してキヤリアを
発生する為、再給合確率が高くなり、層内を走って感度
に寄与するキャリアが相対的に減少する。その給果、短
波長の感度が落ち込むと言った特性になっている。光学
的バンドギャップを大きくして、キヤリアの発生領域を
広げる事は可能であるが、キャリアの発生領域を広げる
ことによって、前述の様なａ−Ｓｉ系の特微であるとこ
ろの直線的なＥＶ特性を損なう場合があり、決定的な手
投とは言えない。

【００３２】以上の障害、特に２つめのａ−Ｓｉ系感光
体の短波長感度向上を可能にする事ができれば、短い波
長の画像形成光線を用いる事ができ、ゴーストと帯電能
を同時に向上させる事が可能になるばかりでなく、レー
ザーの特性として、スポット径の絞れる限界は、波長に
ほぼ比例する為、波長を短くすることによって、画像形
成光線の１画素の大きさを小さくする事ができるので、
分解能を向上させ、さらなる高画質化を達成することが
できる。

【００３３】すなわち現状では、最もキーになる１つめ
の画像形成光線は、短波長化の見通しが立ち、書き込み
画素の小スポット化の実現が可能になっても、２つめの
ａ−Ｓｉ系感光体の短波長での感度不足は解決する技術
がなく、ａ−Ｓｉ系感光体のもつポテンシヤルを引き出
す高画質化を目前に、指をくわえて見ているしかない、
といった状況にあった。

【００３４】本発明の第１の目的は、ａ−Ｓｉ系感光体
を用いた電子写真装置において、ゴーストを実質的に皆
無としながらも、装置の大型化、コストアップを引き起
こすことなく、十分な帯電能が得られる電子写真装置を
得ることである。

【００３５】本発明の第２の目的は、ａ−Ｓｉ系感光体
を用いた電子写真装置において、画像形成光線の１画素
の大きさを小さくし、分解能を向上させ、さらなる高画
質化を達成することにある。

【００３６】一般的に膜厚の厚い方が、帯電能、感度は
良い事が知られているが、本発明の構成においては膜厚
はあまり支配的ではない為、むしろ膜厚を低く抑える事
とが可能となり、コストダウンを図れると言った第３の
目的もある。

【００３７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に係
る電子写真装置にて達成される。

【００３８】本発明は、ａ−Ｓｉ系感光体を用い、画像
形成光線を露光する時点における該感光体にかかる電界
が１５０ｋＶ／ｃｍ以上であり、該画像形成光線の波長
が５００ｎｍ以下である事を特徴とする。

【００３９】本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、短い
波長の画像形成光線によって極薄い領域にキャリアを発
生させる事でゴーストは大幅に軽減でき、かつ高電界が
かかった状態で露光することにより、発生したキャリア
にドライヴイングフオースを与えて走らせるため、短波
長の感度が向上し実用に供す事が可能になる事を見出し
た。

【００４０】但し、感光体にかかる電界が８００ｋＶ／
ｃｍ以上になると絶縁破壊を生ずるケースがあるので、
あまり高すぎるのは実用的ではない。

【００４１】さらに画像形成光線はレーザー光であり、
該レーザー光が感光体面上に直交入射すると反射光がレ
ーザーに戻ってしまうため、レーザー発光が不安定にな
る傾向があるという点で不利であるので、直交入光しな
いように露光することが好ましい。

【００４２】また、電子写真装置が、少なくとも帯電手
段と、該帯電手段とは別個に設けられた現像手段とを有
し、該帯電手段内において画像形成光線で感光体が露光
される構成であることが好ましい。ここで帯電手段とは
電界をかけて感光体を帯電するもので、この内側で画像
形成光線が感光体に照射されること以外は、本発明によ
る特段の制限はなく、電子写真装置に用いられる帯電器
であれば使用可能である。現像手段とは、画像形成光線
で感光体を露光することにより形成された潜像をトナー
により顕像化するもので、これ自体には本発明による特
段の制限はなく、電子写真装置に用いられる現像器であ
れば使用可能である。このような構成とすることによ
り、帯電工程中に露光し、その後に現像することができ
る。

【００４３】レーザーからの観点で言えば、波長が短く
なるほどビームスポット径を絞れる事は、光学の分野で
は理論的に証明されている為、短波長のレーザーを用い
た本発明の構成においては、分解能を向上させ、さらな
る高画質化を達成することが可能である。具体的には５
００ｎｍ以下にすることで、現在使用されている６７０
ｎｍ付近の可視レーザーに比べて約２倍、７８０ｎｍ付
近の廉価な赤外レーザーに比べると概ね３倍の分解能が
得られる。しかし、ａ−Ｓｉ系感光体は、この波長域に
おいては上述の通りゴーストには有利になるものの、感
度が不十分になる。従って、両者を両立する為に、高電
界で露光する構成が重要になる。該感光体にかかる露光
時電界を増加させて感度アップが可能かどうか検討した
ところ、５０ｋＶ／ｃｍに対して、８０ｋＶ／ｃｍでは
約２割、１５０ｋＶ／ｃｍでは約４割の感度アップが可
能になることがわかった。２〜３割レベルの感度アップ
ではなく、有為な感度アップ効果の期待できる１５０ｋ
Ｖ／ｃｍ以上であれば、５００ｎｍ以下の波長でも電子
写真として使用するのに充分なコントラストを得られる
ことがわかった。

【００４４】また、帯電方式がコロナ帯電である場合に
は、画像形成光線の露光位置は１本乃至複数本の帯電線
の最も回転下流側と帯電器ハウスとの間が好ましい。ま
た、波長が４００〜６５０ｎｍの除電光を発生する除電
光源を備えること、平均粒径が１０μｍ以下の現像剤を
用いることも好ましい。

【００４５】特開昭６３−１２５９６７号公報及び米国
特許４８５１８６５号には、帯電器内で露光を行う技術
について記載されているが、該公報においては、ａ−Ｓ
ｉ系感光体のメモリー効果、即ち露光した部分は露光し
ない部分に対して、その後の帯電能力が低減するという
現象を利用し、装置の小型化を目的としている。本発明
は露光波長及び露光時の電界を規定する事により、前述
の様な効果を得、目的を達成するものであり、該公報に
は言及されていないものである。また、特開平５−６０
６０号公報等には、帯電同時露光に関する技術が記載さ
れているが、該公報は帯電露光に加え、現像も同時であ
り、本発明とは構成が異なる上、作像原理を異にするも
のである。

【００４６】感光体については、該感光体が、導電性基
体と、シリコン原子を母体として水素原子とハロゲン原
子のうちの少なくとも一方を含有する非単結晶材料を有
し光導電性を示す光導電層とを備え、該光導電層の光学
的バンドギャップが２．０ｅＶ以下であることが好まし
く、さらには１．６５ｅＶ以上が好ましい。何故なら小
さくなりすぎると暗抵抗が下がって暗減衰が大きくなっ
てしまう為、電子写真としての充分なコントラストが得
にくくなるという点で不利であるからである。また、水
素原子とハロゲン原子のうちの少なくとも一方を含有す
ることが良い理由は、非単結晶材料の未結合手を水素原
子やハロゲン原子で補償することにより局在準位を減少
させることができるからである。光導電層が複数の層か
らなる場合には、最も表面側の層の光学的バンドギャッ
プが１．８３ｅＶ以上であるとさらに良く、表面層を有
する場合には表面層の光学的バンドギャップが２．３ｅ
Ｖ以上であることが好ましい。

【００４７】光学的バンドギャップが大きく、キヤリア
の局在準位への捕獲率を小さくした層領域を光導電層と
表面層の界面領域に介在させることにより、帯電能を大
幅に向上させつつ、かつ光メモリーを低減することがで
きる。

【００４８】表面層は、画像形成光線を効率よく透過
し、光導電層でのキャリア発生に有効に寄与する様、画
像形成光線を吸収し難くくする為、バンドギャップを大
きくしておく事が好ましい。

【００４９】

【発明の実施の形態】以下、図に基づいて本発明の実施
形態を説明する。

【００５０】図３に示すような光走査装置、及び感光体
１０６の周りには、図１８に示すような帯電、露光、現
像、紙搬送等の配置された電子写真装置は本発明の一実
施形態である。

【００５１】図３の光走査装置は、レーザダイオード１
００、回転多面鏡１０２、レーザダイオード１００から
出射されたレーザビームを回転多面鏡１０２に導く光源
光学系１０４、回転多面鏡１０２で偏向されたレーザビ
ームを感光体１０６に導き走査する走査光学系１０８か
ら成り立っている。

【００５２】図１８は電子写真装置の画像形成プロセス
を示す概略図であって、Ｘ方向に回転する紙面に垂直方
向の回転円筒状の感光体１８０１の周辺には該感光体に
近接して主帯電器１８０２、画像形成光線１８０３、現
像器１８０４、転写紙給送系１８１０、転写・分離帯電
器１８１２、クリーニング装置１８０５、主除電光源１
８０６、搬送系１８１３などが配設してある。

【００５３】感光体１８０１は主帯電器１８０２によっ
て一様に帯電され、これに原稿の情報を有した画像形成
光線１８０３を露光する事によって、感光体１８０１上
に静電潜像が形成される。画像形成光線は５００ｎｍ以
下の波長をもち、露光される時点において感光体にかか
る電圧は１５０ｋＶ／ｃｍ以上である。例えば、膜厚３
０μｍの場合には、露光部の電位が４５０ｖ以上になる
様に、帯電設定及び露光位置などを設定すれば、露光時
電界１５０ｋＶ／ｃｍ以上を得ることが可能である。

【００５４】該潜像は現像器１８０４からトナーが供給
されて可視像、すなわち、トナー像となる。

【００５５】一方、転写材Ｐは転写紙通路１８１１、レ
ジストローラ１８０９よりなる転写紙供給系１８１０を
通って、感光体１８０１方向へと供給され、転写・分離
帯電器１８１２の転写帯電器と感光体１８０１との間隙
において、背面からトナーとは反対極性の電界を与えら
れ、これによって、感光体表面のトナー像は転写材Ｐに
転移する。

【００５６】転写・分離帯電器１８１２の分離帯電器に
より感光体から分離された転写材Ｐは、転写紙給送系１
８１３を通って定着装置（図示せず）に至って装置外に
排出される。

【００５７】尚、転写部位において転写に寄与せず感光
体表面に残る残留トナーは、クリーニング装置１８０５
に至りクリーニングブレード１８０７によってクリーニ
ングされ、クリーニングにより更新された感光体１８０
１は、更に主除電光源１８０６から除電光を与えられて
再び次の画像形成プロセスに供せられる。

【００５８】

【実施例】以下、実験例および実施例により、本発明を
さらに詳細に説明する。

【００５９】［実験例１］上記のような装置において、
図３の光走査装置における光ビーム幅と回転多面鏡１０
２の関係が、図６に示すような関係の光学系を用い、画
像部を露光する潜像形成方式（ＩｍａｇｅＡｒｅａ
Ｅｘｐｏｓｕｒｅの略、以下ＩＡＥと称す）にて、１画
素を１ドットで形成するドット画像を作成し、各々のド
ットの平均面積に対する、ドツト面積の標準偏差を、ド
ットゆらぎと定義し、ドット面積を変えてドットゆらぎ
を測定した結果を、図９に示す。図１に示すような感光
特性を有するａ−Ｓｉ系感光体を用いた場合の方が、図
２に示すような感光特性を有するＯＰＣ感光体を用いた
場合よりも、ドット径Ｘを小さくしていく際のドットゆ
らぎの悪化は少ないことが分かる。

【００６０】［実験例２］実験例１の装置と、図７に示
すような光学系を用いた以外は実験例１と同様の装置に
ａ−Ｓｉ系感光体を用い、画像背景部を露光する潜像形
成方式（ＢａｃｋＡｒｅａＥｘｐｏｓｕｒｅの略、以
下ＢＡＥと称す）とＩＡＥについて、回転多面鏡の反射
面における光ビーム幅Ｄと回転多面鏡の対向面の主走査
方向幅Ｗの関係を変えて、ドット径３０μｍ上にて画像
形成方式を比較した結果を、図８に示す。ＩＡＥよりＢ
ＡＥの方が、Ｄ／Ｗを大きくして、ドットゆらぎが小さ
くなる効果が顕著である事が分かる。

【００６１】［実験例３］実験例１と同様の装置におい
て、一定暗部電位から一定明部電位まで光減衰させる光
量の逆数を感度とし、露光波長を変えた時の感度を測定
して、ピーク値を１として規格化したグラフを相対分光
感度曲線とする。さらに露光位置を変更できるように実
験例１の装置を改造し、露光位置を変更する事によって
露光時電界を変化させて測定した相対分光感度曲線を図
１３に示す。露光時電界を５０ｋＶ／ｃｍとしたものが
Ｃａｓｅｌ、８０ｋＶ／ｃｍとしたものがＣａｓｅ２、
１５０ｋＶ／ｃｍとしたものがＣａｓｅ３の曲線であ
る。露光時電界が高い、即ち露光位置が感光体回転上流
側に行くほど、短波長側の相対分光感度が上昇すること
がわかる。

【００６２】［実験例４］図５のように帯電器内に露光
光路を有すること以外は実験例１と同様の装置を用い
た。本実験例では帯電線が１本の場合について記載する
が、帯電線の本数は特に限定されない。

【００６３】簡単に図５を説明する。１は感光体、２は
帯電器、３は画像形成光線、４は現像器、５はクリーナ
ー、６は除電光である。レーザー１４から発せられ、回
転多面体鏡１５により走査された画像形成光線３は、帯
電器ハウス（シールド板）の背面部にあけられたスリッ
ト状の隙間２−４から入射し、帯電器２内の１本の帯電
線２−１と帯電器２の下流側ハウスとの間であって、か
つ感光体１面上に直交入射しない様にしてある。高電圧
を印加した帯電器２により帯電すると同時に帯電器２ハ
ウスの背面部にあけられたスリット状の隙間から画像情
報をもったレーザー光により像露光を行う。この際、レ
ーザーのスポット径は一般的に２０〜２００μｍ、２０
０〜１２００ｄｐｉの解像度を有するものを用いられる
が、本例ではレーザースポット径２１μｍ、１２００ｄ
ｐｉのものを用いた。該帯電、露光を経て形成された静
電潜像に現像器４によりトナー像を形成し、該トナー像
は給紙部（図示せず）から供給される転写紙上に転写
し、該転写紙は定着器（図示せず）へ送られる。トナー
の残留している感光体１はクリーニング装置５によりト
ナーがかきとられ、除電光源６からの除電光により除電
され、再び帯電、露光位置にかえるようになっている。

【００６４】このような装置において、一定コントラス
ト（暗部電位−明部電位）のまま、暗部電位を変化させ
て、相対分光感度曲線を測定した結果を図１４に示す。
露光時電界を１５０ｋＶ／ｃｍとしたものがＣａｓｅ
３、２００ｋＶ／ｃｍとしたものがＣａｓｅ４、３００
ｋＶ／ｃｍとしたものがＣａｓｅ５の曲線である。露光
時電界が高い、即ち暗部電位が高いほど、短波長側の相
対分光感度が上昇することがわかる。

【００６５】［実験例５］実験例４と同様の装置を用
い、画像形成光線の波長を変えて、前述のゴーストを評
価した。ゴーストの評価は、帯電、露光、現像、除電な
どなどの複写プロセスと同等のプロセスを経て、一周し
た後にハーフトーン電位を形成し、前周に露光した部分
と露光しなかった部分の電位の差を評価した。画像形成
光線の波長に対するゴーストの依存性を除電光の波長を
パラメーターとして測定した結果を図１５に示す。除電
光の波長を変えた際、光量は同じに設定して測定した。
画像形成光線の波長が短いほどゴーストは良い事がわか
る。また、除電光の波長は長い方が、画像形成光線が長
波長になってもゴーストの良い状態が維持できる事がわ
かる。具体的には画像形成光線の波長が５００ｎｍ以下
の場合、除電光波長は４００ｎｍ以上であれば、実質的
にゴーストが無い、ランク４以上の状態が実現できる。
尚、除電光波長が４００ｎｍ未満の場合には、充分な除
電が行えない為、実験できなかった。

【００６６】［実験例６］実験例４と同様の装置を用
い、除電光の波長を変え、光量は同じに設定して、帯電
能力を評価した。帯電能力の評価は、帯電、露光、現
像、除電などなどの複写プロセスと同等のプロセスにお
いて、一定の帯電条件において現像位置でどれだけ電位
を確保できるかを評価した。除電光の波長に対する帯電
能力の依存性を測定した結果を図１６に示す。除電光の
波長は短い方が帯電能力が良い事がわかる。具体的には
除電光波長が６５０ｎｍ以下であれば、実質的に充分な
帯電能を有する、ランク４以上の状態が実現できる。

【００６７】［実験例７］実験例４と同様の装置を用
い、現像剤の粒径を変え、解像度およびカブリを評価し
た。解像度は、以下の方法で評価した。等間隔に近接し
た直線群で間隔のことなる何段階かの直線群が印刷して
ある原稿を用い、それをコピーした際の各々の直線が分
離して識別できる最小間隔の直線群をもって、解像度と
した。図１７は、解像度について、トナー粒径を変化し
た際の結果であるが、粒径の増加に伴い、解像度が悪化
する事がわかる。具体的には、平均粒径が１０μｍ以下
であれば、実質的に充分な解像度を有する状態が実現で
きる。一方、カブリは、暗部及び明部の電位設定を設計
値に合わせた際のべた白画像と未転写紙の反射率を比較
し、環境依存、耐久性をふくめてトータル的に５ランク
（５が良好）で評価した。図２２は、カブリについて、
トナー粒径を変化した際の結果であるが、粒径の減少に
伴い、カブリが悪化する事がわかる。具体的には、平均
粒径が４μｍ以上であれば、実質的にかぶりの無い状態
が実現できる。以上の結果から、トナー粒径は、４〜１
０μｍが好ましいことがわかる。

【００６８】［実験例８］図１２のような前述の感光体
製造装置を用い、ガス種、ガス導入量、ガス導入比率、
圧力、基体温度、投入電力、などのパラメータを変え、
光学的バンドギャップＥｇの異なる光導電層を作製し
た。

【００６９】Ｅｇは、長波長光多重干渉により測定す
る。具体的にはガラス基板（Ｃｏａｎｉｎｇ社製７０５
９）上に成膜したサンプルを可視分光器（日立３３０
等）で、２５００ｎｍ付近から短波長側に分光透過率を
測定し（極値が４〜５個判る波長範囲）、分光透過率の
データから膜厚を計算し、各波長ごとの吸収係数を計算
して、（αｈν）^1/2−ｈνプロットした際のｈν軸切
片から求めた。

【００７０】以上の様に作製した感光体について、実験
例４と同様の装置を用い、４００ｎｍの画像形成光線に
おける感度を測定し、Ｅｇ依存性を評価した結果を図１
９に示す。光導電層のＥｇが２．０ｅＶ以下の時、良好
な感度を有する、ランク５を実現できる事がわかる。

【００７１】［実験例９］実験例８と同様の手法で、光
導電層を２層積層し、さらに表面層を形成した。尚、本
実験例では光導電層が２層の場合について記載するが、
層数は特に限定しない。表面層に隣接する光導電層のＥ
ｇを変化させて、実験例４と同様の装置を用い、実験例
６と同様にして帯電能力を評価した。帯電能力の、表面
層に隣接する光導電層のＥｇ依存性を測定した結果を図
２０に示す。表面層に隣接する光導電層のＥｇが１．８
３ｅＶ以上の時、実質的に充分な帯電能力を有する、ラ
ンク４以上を実現できる事がわかる。

【００７２】［実験例１０］実験例８でＥｇの異なる光
導電層を作成したのと同様にして、Ｅｇの異なる表面層
を有する感光体を作成し、実験例４と同様の装置を用
い、実験例８と同様にして４００ｎｍの画像形成光線に
おける感度を測定し、Ｅｇ依存性を評価した結果を図２
１に示す。表面層のＥｇが２．３ｅＶ以上の時、良好な
感度を有する、ランク５を実現できる事がわかる。

【００７３】本発明を更に以下の実施例により説明する
が、本発明はこれらにより何ら制限されるものではな
い。

【００７４】［実施例１］実験例４と同様の装置を用
い、画像形成方式はＢＡＥ、図７に示すような回転多面
鏡面上でのＤ／Ｗを２．０、感光体表面でのドット径は
２１μｍ、現像剤の平均粒径を７μｍ、除電光の波長を
５６５ｎｍとし、画像形成光線として波長４００ｎｍの
レーザーを用い、露光時の感光体にかかる電界は２００
ｋＶ／ｃｍとし、Ｅｇがｌ．８ｅＶの均一な光導電層
と、Ｅｇが２．５ｅＶの表面層を積層した感光体を用
い、帯電能力、感度、ゴースト、ドット安定性、画質解
像度を、◎：非常に良好、○：良好、△：実用上問題な
し、×：実用上問題あり、にて判定した結果を表１に示
す。これからわかるように、本実施例の系では総合的に
良好、との結果が得られた。

【００７５】［実施例２］画像形成光線が帯電工程の後
に配置しているものを用いた以外は、実施例１と同様の
装置を用い、露光時の感光体にかかる電界は１５０ｋＶ
／ｃｍとし、帯電能力、感度、ゴースト、ドット安定
性、画質解像度を、◎：非常に良好、○：良好、△：実
用上問題なし、×：実用上問題あり、にて判定した結果
を表１に示す。これからわかるように、本実施例の系で
は総合的に良好、との結果が得られた。

【００７６】［実施例３］実施例１と同様の装置を用
い、Ｅｇがｌ．８ｅＶとＥｇがｌ．８５ｅＶの光導電層
と、Ｅｇが２．５ｅＶの表面層を順次積層した感光体を
用い、帯電能カ、感度、ゴースト、ドット安定性、画質
解像度を、◎：非常に良好、○：良好、△：実用上問題
なし、×：実用上問題あり、にて判定した結果を表１に
示す。これからわかるように、本実施例の系では総合的
に非常に良好、との結果が得られた。

【００７７】［比較例１］露光時の感光体にかかる電界
を５０ｋＶ／ｃｍとした以外は、実施例１と同様の装置
を用い、帯電能力、感度、ゴースト、ドット安定性、画
質解像度を、◎：非常に良好、○：良好、△：実用上問
題なし、×：実用上問題あり、にて判定した結果を表１
に示す。これからわかるように、本比較例の系では、感
度が不十分であり、総合的に実用上問題あり、との結果
が得られた。

【００７８】［比較例２］露光波長を６５０ｎｍ、ドッ
ト径を４２μｍとした以外は、実施例１と同様の装置を
用い、帯電能力、感度、ゴースト、ドット安定性、画質
解像度を、◎：非常に良好、○：良好、△：実用上問題
なし、×：実用上問題あり、にて判定した結果を表１に
示す。これからわかるように、本比較例の系では、ゴー
ストが不十分であり、総合的に実用上問題あり、との結
果が得られた。

【００７９】［実施例４］除電露光波長を７００ｎｍと
した以外は、実施例１と同様の装置を用い、帯電能力、
感度、ゴースト、ドット安定性、画質解像度を、◎：非
常に良好、○：良好、△：実用上問題なし、×：実用上
問題あり、にて判定した結果を表１に示す。これからわ
かるように、本比較例の系では、帯電能力が十分ではな
いが、総合的に実用上問題なし、との結果が得られた。

【００８０】［実施例５］表面層のＥｇを２．２ｅＶと
した以外は、実施例１と同様の装置を用い、帯電能力、
感度、ゴースト、ドット安定性、画質解像度を、◎：非
常に良好、○：良好、△：実用上問題なし、×：実用上
問題あり、にて判定した結果を表１に示す。これからわ
かるように、本比較例の系では、感度が十分ではない
が、総合的に実用上問題なし、との結果が得られた。

【００８１】［実施例６］画像形成方式をＩＡＥ、現像
剤の平均粒径を１２μｍとした以外は、実施例１と同様
の装置を用い、帯電能力、感度、ゴースト、ドット安定
性、画質解像度を、◎：非常に良好、○：良好、△：実
用上閏題なし、×：実用上問題あり、にて判定した結果
を表１に示す。これからわかるように、本比較例の系で
は、総合的に実用上問題なし、との結果が得られた。

【００８２】

【表１】

【００８３】

【発明の効果】以上説明したように、ａ−Ｓｉ系感光体
を用い、画像形成光線を露光する時点における該感光体
にかかる電界が１５０ｋＶ／ｃｍ以上、該画像形成光線
の波長が５００ｍｍ以下といった構成により、ゴースト
が実質的に皆無であるにもかかわらず、装置の大型化、
コストアップを引き起こすことなく、十分な帯電能が得
られる電子写真装置を得ることが可能になった。

【００８４】また、画像形成光線としてレーザーを用
い、帯電工程中に感光体に露光するのが好ましく、波長
が４００〜６５０ｎｍの除電光を備え、平均粒径が１０
μｍ以下の現像剤を用い、光導電層の光学的バンドギャ
ップが２．０ｅＶ以下である感光体を用いると良く、さ
らに光導電層が複数の層からなる場合には、最も表面側
の層の光学的バンドギャップが１．８３ｅＶ以上である
とさらに良く、表面層を有する場合には光学的バンドギ
ャップが２．３ｅＶ以上であるとより一層の効果が期待
できる。

【００８５】一方、本発明の構成により、画像形成光線
の１画素の大きさを小さくし、分解能を向上させ、さら
なる高画質化を達成することが可能になるという優れた
効果を有する。

【００８６】また、本発明の構成においては、画像露光
の波長が短い為、感光層における吸収係数が高く、薄い
膜厚でも充分吸収されるため、感光層の膜厚を厚くする
必要が無く、膜厚を低く抑える事が可能となり、コスト
ダウンを図れると言った効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】ａ−Ｓｉ系感光体のＥＶ特性とガウシアン光量
分布に対する電位分布を示す模式図である。

【図２】ＯＰＣ感光体のＥＶ特性とガウシアン光量分布
に対する電位分布を示す模式図である。

【図３】光走査装置の概略図である。

【図４】ａ−Ｓｉ系感光体の相対分光感度の例を示す図
である。

【図５】帯電器内で画像形成光線を露光する電子写真装
置の該略図である。

【図６】ＵＦＳの模式図である。

【図７】ＯＦＳの模式図である。

【図８】ＯＦＳのＤ／Ｗを変化させた時のゆらぎを測定
した結果を示す図である。

【図９】ドット径を変化させた時のゆらぎを測定した結
果を示す図である。

【図１０】ＯＦＳの他の形態を説明する模式図である。

【図１１】ａ−Ｓｉ系感光体の模式的断面図である。

【図１２】ａ−Ｓｉ系感光体の製造装置の摸式的断面図
である。

【図１３】相対分光感度曲線の測定結果を示す図であ
る。

【図１４】他の相対分光感度曲線の測定結果を示す図で
ある。

【図１５】除電露光波長をパラメーターとして、ゴース
トの画像露光波長依存性を測定した結果を示す図であ
る。

【図１６】帯電能の除電露光波長依存性を測定した結果
を示す図である。

【図１７】解像度の現像剤平均粒径依存性を測定した結
果を示す図である。

【図１８】本発明の電子写真装置の模式的断面図であ
る。

【図１９】ＥＶ特性の光導電層Ｅｇ依存性を測定した結
果を示す図である。

【図２０】帯電能の表面側光導電層Ｅｇ依存性を測定し
た結果を示す図である。

【図２１】感度の表面層Ｅｇ依存性を測定した結果を示
す図である。

【図２２】カブリのトナー粒径依存性を測定した結果を
示す図である。

【符号の説明】

１感光体２帯電器３画像形成光線入射路４現像器５クリーニング装置６除電光源３０堆積装置３１反応容器３１ａ蓋３２ヒーター３３原料ガス導入管３４凸部３５原料ガス供給管３６原料ガス供給バルブ３７排気管３８メイン排気バルブ３９真空計４０サブ排気バルブ４２円筒体１００レーザーダイオード１０２回転多面鏡１０４光源光学系１０６感光体１０８走査光学系１１２回転多面鏡１１２Ａ反射面１２０走査レンズ１１００感光体１１０１基体１１０２感光層１１０３光導電層１１０４アモルファスシリコン系表面層１１０５アモルファスシリコン系電荷注入阻止層１８０１感光体１８０２主帯電器１８０３画像形成光線１８０４現像器１８０５クリーニング装置１８０６主除電光源１８０７クリーニングブレード１８０９レジストローラー１８１０転写紙供給系１８１１転写紙通路１８１２転写・分離帯電器１８１３搬送系Ｌ光ビームＤ光ビームの幅Ｗ反射面の幅

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｇ 15/02 １０１Ｇ０３Ｇ 15/02 １０２１０２ 15/04 １２０ 15/043 21/00 ３４２ 21/08 (72)発明者河田将也東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者大脇弘憲東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H005 EA05 2H035 AA09 AA10 AB03 2H068 DA00 DA01 DA24 DA41 FB07 FC01 FC05 FC08 FC17 2H076 AB05 AB09 AB12 AB18 AB60 DA37 DA41 2H200 FA17 GA18 GA23 GA34 GA35 GA36 GA44 GA49 GB02 GB04 GB38 GB41 HA12 HA29 PA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ａ−Ｓｉ系感光体を用いた電子写真装置
において、画像形成光線を露光する時点における該感光
体にかかる電界が１５０ｋＶ／ｃｍ以上であり、該画像
形成光線の波長が５００ｎｍ以下であることを特微とす
る電子写真装置。
【請求項２】画像形成光線がレーザー光であり、該レ
ーザー光が該感光体面上に直交入射しないように露光す
る請求項１記載の電子写真装置。
【請求項３】少なくとも帯電手段と、該帯電手段とは
別個に設けられた現像手段とを有し、該帯電手段内にお
いて画像形成光線で感光体が露光される請求項１又は２
記載の電子写真装置。
【請求項４】帯電方式はコロナ帯電であり、画像形成
光線の露光位置は１本乃至複数本の帯電線の最も回転下
流側と帯電器ハウスとの間である請求項３に記載の電子
写真装置。
【請求項５】波長が４００〜６５０ｎｍの除電光を発
生する除電光源を備える請求項１〜４何れか一項記載の
電子写真装置。
【請求項６】現像剤の平均粒径が１０μｍ以下である
請求項１〜５の何れか一項記載の電子写真装置。
【請求項７】該感光体が、導電性基体と、シリコン原
子を母体として水素原子とハロゲン原子のうちの少なく
とも一方を含有する非単結晶材料を有し光導電性を示す
光導電層とを備え、該光導電層の光学的バンドギャップ
が２．０ｅＶ以下である請求項１〜６の何れか一項記載
の電子写真装置。
【請求項８】該光導電層は、複数の層からなり、最も
表面側の層の光学的バンドギャップが１．８３ｅＶ以上
である請求項７記載の電子写真装置。
【請求項９】該感光体が表面層を有し、該表面層の光
学的バンドギャップが、２．３ｅＶ以上である請求項１
〜８の何れか一項記載の電子写真装置。