JP2002289889A

JP2002289889A - 太陽電池モジュール

Info

Publication number: JP2002289889A
Application number: JP2001085007A
Authority: JP
Inventors: Mitsunori Nakatani; 光徳中谷; Hiroaki Morikawa; 浩昭森川; Teruhito Matsui; 輝仁松井
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2001-03-23
Filing date: 2001-03-23
Publication date: 2002-10-04

Abstract

(57)【要約】【課題】電極と半導体層との接触を良好にし、かつ耐
湿性に優れたバックシート構造にして、劣化の小さい寿
命に優れた太陽電池及び太陽電池モジュールを得る。【解決手段】ｎ層３のシート抵抗を８０Ω／□以下と
し、ハンダ被覆が施されていない表銀グリッド電極１０
によるｎ層３を侵食する最大深さを、３５ｎｍ以上１２
０ｎｍ以下の範囲として構成する他、バックシートを、
ポリビニルフルオライド５２／金属箔７１／ポリビニル
フルオライド５２の順に積層される積層構造からなるよ
うに構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池モジュー
ルに係り、詳しくは、例えば、太陽電池システムの発電
を司るシリコン太陽電池の信頼性確保に重要であった鉛
ハンダを省略しながらも信頼性を維持するため、太陽光
の受光面側表電極とシリコン基板の状態に関するもので
あり、また、太陽電池を保護するバックシートの構造に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】環境に優しくエネルギーを有効利用する
ため、近年、シリコン基板を主材料とする太陽電池シス
テムは、住宅用や高層ビル用等への普及が著しくなって
きている。今後、太陽電池システムは、さらに普及が予
測されているが、そのキーとなる技術開発項目として
は、低価格製造プロセスの開発や発電効率の向上、寿命
向上等が挙げられる。

【０００３】太陽電池システムの設置面積が限定される
場合には、発電効率の高い太陽電池システムが有効であ
る。また、消費者サイドにおける購入コストペイバック
の観点からは、太陽電池システム自体における低価格化
を図ることと、その寿命向上を図ることも重要である。
また、廃棄物処理を容易にするため、材料の鉛フリー化
は必然のことである。以下に、従来の太陽電池につい
て、具体的に図面を用いて説明する。

【０００４】図７は従来の住宅用等に使用されるシリコ
ン太陽電池の表面、裏面側の概略図であり、図７（Ａ）
はそのシリコン太陽電池の表面側の概略図、図７（Ｂ）
はそのシリコン太陽電池の裏面側の概略図である。図８
は図７（Ａ）に示すＡ１−Ａ２線におけるシリコン太陽
電池の断面図、図９、１０は図８に示すシリコン太陽電
池の主な製造工程を示す断面構造図である。

【０００５】図７〜１０において、１０１はｐ型シリコ
ン基板であり、１０２はｐ型シリコン基板１０１上部に
形成されたテクスチャーであり、１０３はｐ型シリコン
基板１０１とテクスチャー１０２間に形成されたｎ層で
ある。１０４はテクスチャー１０２上に形成された反射
防止膜であり、１１０はｎ層１０３と接続されるように
形成された焼結後の表銀グリッド電極である。

【０００６】１１１は反射防止膜１０４上に形成された
スクリーン印刷後の表銀グリッド電極用ペーストであ
り、１１２はｎ層１０３と接続されるように形成された
表銀バス電極である。１２０はｐ型シリコン基板１０１
裏面側に形成された焼結後の裏アルミ電極であり、１２
１はｐ型シリコン基板１０１裏面に形成されたスクリー
ン印刷後の裏アルミ電極用ペーストである。

【０００７】１２２はｐ型シリコン基板１０１と裏アル
ミ電極１２０間に形成されたｐ＋層であり、１３０はｐ
＋層１２２と接続されるように形成された焼結後の裏銀
バス電極である。１４０は表銀グリッド電極１１０表面
に形成されたハンダであり、ｔはｎ層１０３の厚みを示
しており、ｄは表銀グリッド電極１１０におけるｎ層１
０３への侵食深さを示している。

【０００８】図７（Ａ）に示す太陽電池の表側では、ｐ
型シリコン基板１０１上に太陽光をできるだけ多く発電
に寄与させるべく、通常、入射される光の反射を抑制さ
せるために、反射防止膜１０４を設けている。更に、太
陽電池の表側には、シリコン基板１０１中で発電された
電気を局所的に集電するための表銀グリッド電極１１０
と、表銀グリッド電極１１０で集電された電気を取り出
すための表銀バス電極１１２とが配置されている。

【０００９】ここで、太陽電池の表側電極となる表銀グ
リッド電極１１０と表銀バス電極１１２は、太陽電池の
表側に入射される太陽光を遮ってしまうため、太陽電池
の表側に可能な限り小さく配置することが、太陽電池に
おける発電効率の向上の観点で望ましい。

【００１０】そこで、太陽電池の表側に太陽光を多く入
射させることを考慮すると、例えば、図７（Ａ）のよう
な櫛型のグリッド電極１１０とバス電極１１２を、太陽
電池の表面に配置して構成するのが一般的である。ま
た、グリッド電極１１０とバス電極１１２の電極材料と
しては、例えば、銀を主成分として構成する場合がコス
ト及び性能の観点で一般的である。

【００１１】図７（Ｂ）に示す太陽電池の裏側では、裏
側で発生した電気が抵抗によるロスで低減してしまうこ
とを抑制するために、裏アルミ電極１２０を広範囲に設
け、裏アルミ電極１２０で発電された電気を集電させる
ために裏銀バス電極１３０を更に配置して構成してい
る。

【００１２】裏アルミ電極１２０は、ＢＳＦ（Back Su
rface Field）効果による発電能力を改善するために、
一般にアルミ材料を使用する場合が多い。裏銀バス電極
１３０は、裏アルミ電極１２０で発電された電気を引き
出すための電気引き出し導線として機能させる場合、半
田付き銅線を利用するのが一般的であるが、ここでは、
例えば、裏アルミ電極１２０との接着加工性が良好な裏
バス電極として、銀電極を用いて構成している。

【００１３】次に、図８に示す太陽電池ついて説明す
る。この太陽電池において、入射された太陽光によりシ
リコン中で電子とホールが発生するが、短波長光は、シ
リコン表層で大半が吸収されるが、長波長光は、シリコ
ン深くまで透過して吸収される特性がある。また、シリ
コン中で発生した電子は、シリコン中で拡散して移動で
きる距離が長い傾向があり、一方、シリコン中で発生し
たホールは、シリコン中で拡散移動できる距離が短い傾
向がある。

【００１４】太陽電池は、シリコン中の不純物や欠陥等
に電子やホールが吸収されると発電性能が落ちる。光電
池の場合は、ｐｎ接合を有する半導体に光を照射して、
発生した電子とホールを分離する構造となっているのに
対し、太陽電池の場合は、太陽光のスペクトルに対応し
て、半導体側で発電効率が最適になるように構造を合わ
せなければならない。

【００１５】そこで、太陽電池は、太陽光のスペクトル
に対応して半導体側で発電効率を最適にすることを考慮
して、ｐ＋層１２２側のホール濃度を高め、ｎ層１０３
側の電子濃度を高めるように適宜構造設計するとよい。
これにより、太陽電池は、そのホール濃度を高めたｐ＋
層１２２と電子濃度を高めたｎ層１０３によるｐｎ接合
により、電子とホールを効率よく分離させることができ
る。

【００１６】一般的に、低価格の太陽電池は、シリコン
基板を使用して単純なｐｎ接合で太陽光を発電させ、数
百μｍ厚程度のｐ型シリコン基板１０１にリン（Ｐ）等
のＶ族元素による拡散等を行うことにより、数百ｎｍ厚
程度のｎ層１０３を形成する。ここでは、ｐ型シリコ
ン基板１０１は単結晶、多結晶のいずれであってもよい
が、以下の説明では（１００）面方位の単結晶基板を例
示して説明する。

【００１７】この太陽電池では、比抵抗０.１〜５Ω・
ｃｍ程度のｐ型シリコン１０１基板表面に、ｎ層１０３
と基板１０１側の光を閉じ込める凹凸構造のテクスチャ
ー１０２を設け、そのテクスチャー１０２上に反射防止
膜１０４を配置する。基板１０１裏側には裏アルミ電極
１２０を配置し、ＢＳＦ（Back Surface Field）効
果を期待してｐ＋層１２２を設けてｐ＋層１２２中の電
子が消滅しないように、バンド構造の電界でｐ＋層１２
２の電子濃度を高めるように構成する。

【００１８】また、裏アルミ電極１２０には、シリコン
基板１０１を通過する長波長光を反射させて発電に再利
用するＢＳＲ（Back Surface Reflection）効果も期
待している。但し、裏アルミ電極１２０は、シリコン基
板１０１の反りが顕著になる傾向があり、これに伴い基
板１０１の割れを誘発する。このため、裏アルミ電極１
２０は、基板１０１の割れを考慮して、熱処理でＰ＋層
２２を形成した後に除去する場合も多い。

【００１９】ここで、シリコン基板１０１が反る理由に
ついて説明する。シリコン基板１０１裏面に裏アルミ電
極１２０用のアルミニウム（Ａｌ）膜を形成すると、シ
リコン基板１０１中のＳｉとＡｌ膜中のＡｌによるＡｌ
−Ｓｉ合金化反応が生じる。その後、５７７℃程度の再
凝固を行ってＡｌ膜を焼結して裏アルミ電極１２０を形
成する。この熱処理により、熱膨張係数の異なるシリコ
ン基板１０１と裏アルミ電極１２０間で熱膨張差を生じ
て、裏アルミ電極１２０側で凹となるようにシリコン基
板１０１が反る。

【００２０】次に、図８に示す太陽電池の製造プロセス
について、図９、１０を用いて説明する。この図９、１
０は、低コスト化を考慮して製造工程数が少ない太陽電
池の製造プロセスを例示したものである。ここでは、表
銀グリッド電極１１０、表銀バス電極１１２は反射防止
膜１０４上に銀ペーストをスクリーン印刷法で付着乾燥
させ、さらに、裏アルミ電極１２０、裏銀バス電極１３
０もスクリーン印刷法で付着乾燥させる。

【００２１】続いて、表裏各電極ペーストを同時に焼成
することにより、各電極１１０、１１２、１２０、１３
０を形成する。この焼成により、表銀電極１１０、１１
２は反射防止膜１０４を貫通してｎ層１０３の中で留ま
る。また、裏アルミ電極１２０とシリコン基板１０１
は、この焼成により溶融かつ再凝固することにより、裏
アルミ電極１２０とシリコン基板１０１間にｐ＋層１２
２を形成する。以下に、この太陽電池の製造方法を具体
的に説明する。

【００２２】まず、図９（Ａ）に示すｐ型シリコン基板
１０１を用い、鋳造インゴットからスライスした際に発
生するシリコン基板１０１表面のダメージ層を、例えば
数〜２０wt％苛性ソーダや炭酸苛性ソーダで１０〜２０
μｍ厚程度除去した後、同様のアルカリ低濃度液にＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）を添加した溶液でシリコ
ン基板１０１表面の異方性エッチングを行ない、シリコ
ン（１１１）面が出るようにテクスチャー１０２をシリ
コン基板１０１表面に形成する（図９（Ｂ））。

【００２３】続いて、例えばオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ
３）、窒素、酸素の混合ガス雰囲気で８００〜９００℃
／数十分程度の熱処理を行うことにより、シリコン基板
１０１表面全面に一様にｎ層１０３を形成する。この
時、シリコン基板１０１表面に形成されたｎ層１０３に
おけるシート抵抗の範囲は、３０〜８０Ω／□程度と太
陽電池として良好な電気特性が得られる。

【００２４】このシリコン基板１０１表面からリン
（Ｐ）濃度がリン（Ｐ）濃度１Ｅ１６／ｃｍ３になって
いる所まで、シリコン基板１０１中にリン（Ｐ）が進入
しているシリコン基板１０１の深さ（ｔ）について、ｎ
層１０３をＳＩＭＳ（Secondary-Ion-Mass-Spectroscop
y）分析評価した。その結果、シート抵抗が３０、６
０、８０Ω／□の各々のｎ層１０３では、その深さ
（ｔ）がシリコン基板１０１表面から各々４５０、３５
０、２５０ｎｍであった。

【００２５】次に、受光面として必要な受光面側のｎ層
１０３を保護するために、その受光面部分のｎ層１０３
を覆うように、高分子レジストペーストをスクリーン印
刷法で付着して乾燥させる。この時、受光面部分のｎ層
１０３を覆うようにレジストマスクが選択的に形成され
るとともに、受光面部分以外の部分のｎ層１０３が露出
される。

【００２６】その後、受光面部分のｎ層１０３を覆った
レジストマスクを用い、シリコン基板１０１裏面等の所
望以外(受光面部分以外)のシリコン基板１０１表面に形
成されたｎ層１０３を、例えば、２０wt％水酸化カリウ
ム溶液中へ数分間浸漬を施して選択的に除去した後、マ
スクとして使用したレジストを有機溶剤で除去する（図
９（Ｃ））。これにより、受光面部分のｎ層１０３が残
り、受光面部分以外のｎ層１０３が除去されてシリコン
基板１０１が露出される。

【００２７】さらに、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜
や酸化チタン膜などからなる反射防止膜１０４を、残さ
れた受光面部分のｎ層１０３表面に一様な厚みで形成す
る(図１０（Ａ）)。例えば、反射防止膜１０４をシリコ
ン酸化膜で形成する場合は、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ
４ガス及びＮＨ３ガスを原材料にして３００℃以上、減
圧下でシリコン酸化膜を成膜形成する。

【００２８】ここで形成されるシリコン酸化膜からなる
反射防止膜１０４の屈折率は、２〜２．２程度であり、
最適な反射防止膜１０４の厚さとしては、７０〜９０ｎ
ｍ程度である。そして、このようにして形成されるシリ
コン酸化膜からなる反射防止膜１０４は、絶縁体として
機能するため、この絶縁体の反射防止膜１０４上に表面
電極を単に形成しただけでは、太陽電池として動作させ
ることができない。そこで、以下に述べるような配線接
続等の工程を行う。

【００２９】次に、表銀グリッド電極１１０形成用と表
銀バス電極１１２形成用の銀ペーストをスクリーン印刷
法で反射防止膜１０４上に付着して乾燥させる。これに
より、反射防止膜１０４上に表銀グリッド電極用ペース
ト１１１及び表銀バス電極用ペーストが選択的に形成さ
れる。図１０（Ｂ）では、表銀グリッド電極用ペースト
１１１が反射防止膜１０４上に形成されていることを示
している。なお、表銀バス電極用ペーストは、断面箇所
の都合上、図１０（Ｂ）に図示されていない。

【００３０】さらに、裏アルミ電極１２０、裏銀バス電
極１３０を形成する場合も同様に、スクリーン印刷法で
裏アルミ電極１２０形成用のアルミペーストと裏銀バス
電極１３０形成用の銀ペーストを、シリコン基板１０１
裏面に各々付着して乾燥させる。これにより、シリコン
基板１０１裏面に裏アルミ電極形成用ペースト１２１と
裏銀バス電極形成用ペーストが選択的に形成される。

【００３１】図１０（Ｂ）では、裏アルミ電極用ペース
ト１２１がシリコン基板１０１裏面に形成されているこ
とを示している。なお、裏銀バス電極用ペーストは、断
面箇所の都合上、図１０（Ｂ）に図示されていない。ス
クリーン印刷では、通常、メッシュ数２００〜４００番
手のメッシュを用いる。通常、乾燥前のペースト厚み
は、十〜数十μｍ厚程度であるが、このペースト厚み
は、乾燥や焼成などで数割減少する。

【００３２】そして、最後に、表銀グリッド電極用ペー
スト１１１、表銀バス電極用ペースト、裏アルミ電極用
ペースト１２１及び裏銀バス電極用ペーストを含む表裏
電極用ペーストを、同時に６００℃〜９００℃程度で数
分間程度、焼成する。この焼成により、シリコン基板１
０１の表側では、表銀グリッド電極用ペースト１１１と
表銀バス電極用ペーストを含む表銀ペースト中に含まれ
ているガラス材料によって、反射防止膜１０４が溶融し
ている間に、銀ペースト中の銀材料がシリコン基板１０
１上部のｎ層１０３中のシリコンと接触して再凝固す
る。

【００３３】以上の焼成工程により、上記表裏電極用ペ
ーストが焼成されて、表銀グリッド電極１１０、表銀バ
ス電極１１２、裏アルミ電極１２０及び裏銀バス電極１
３０が形成される。図１０（Ｃ）では、表銀グリッド電
極１１０と裏アルミ電極１２０が形成されていることを
示しており、表銀バス電極１１２と裏銀バス電極１３０
は、断面箇所の都合上、図１０（Ｃ）に図示されていな
い。

【００３４】また、上記焼成工程により、表銀グリッド
電極１１０／表銀バス電極１１２による表銀電極とシリ
コンのｎ層１０３の導通が確保される。このようなプロ
セスは、ファイヤースルー法と呼ばれている。また、こ
の焼成工程により、裏アルミ電極用ペースト１２１もシ
リコン基板１０１中のシリコンと反応して、裏アルミ電
極１２０が形成されるとともに、シリコン基板１０１と
裏アルミ電極１２０間にｐ＋層１２２が形成される。

【００３５】ここで、ファイヤースルー法で重要なの
は、反射防止膜１０４が数十ｎｍ厚程度で形成され、ｎ
層１０３が数百ｎｍ厚程度でしか形成されないことであ
る。焼成中に銀ペースト中のガラスが反射防止膜１０４
のみならず、ｎ層１０３中のシリコンとも反応するのが
一般的であり、ガラス及び銀電極１１０、１１２をｎ層
１０３内で留めるように焼成温度、時間を制御しなけれ
ばならない。

【００３６】また、反射防止膜１０４が表面銀電極１１
０、１１２直下及びその近傍だけ予め除去しておく製造
方法や、反射防止膜１０４を後で形成する製造方法で
も、同様に焼成時の制御性は重要である。焼成温度が低
い、若しくは焼成時間が短い場合は、ｎ層１０３中のシ
リコンと銀電極１１０、１１２の接触が不十分で接触抵
抗が高くなる不具合が発生する。

【００３７】逆に、焼成温度が高い、若しくは焼成時間
が長い場合は、ｎ層１０３をガラス成分や銀電極１１
０、１１２が突き抜けて、太陽電池における電気的特性
の劣化を招き易い。また、表銀電極１１０、１１２直下
が一様にｎ層１０３中のシリコンと導通がとれていない
と、太陽電池における初期の電気的特性が劣化する。

【００３８】更には、樹脂やガラス等で太陽電池を密封
してモジュール化しても、長期間の使用中に封止樹脂を
透過した水分が太陽電池まで到達して、表銀電極１１
０、１１２とシリコン界面を、酸化等の反応で劣化させ
てしまい、太陽電池の寿命を短くすることがあった。

【００３９】そこで、その対策の１つとして、銀電極１
１０、１１２の耐湿性向上を図るために、２００〜２５
０℃程度の鉛・スズ共晶ハンダ溶融槽に上記太陽電池を
浸漬処理して、図８に示すように、表銀電極１１０、１
１２上にハンダ１４０で被覆処理を行っている。これに
より、表銀電極１１０、１１２における耐湿性の向上を
図ることができる。

【００４０】図１１は従来の太陽電池モジュールの全体
構造を示す斜視図、図１２は図１１に示すＢ１−Ｂ２線
における太陽電池モジュールの断面構造図である。図１
１、１２において、１５１は太陽電池であり、１５２は
太陽電池１５１の裏側に配置されるＰＶＦ(ポリビニル
フルオライド)樹脂などが良く用いられる耐湿性バック
シートであり、１５３は太陽電池１５１を相互接続する
ための銅が主成分の太陽電池相互接続タブ配線である。

【００４１】１５４は太陽電池１５１を相互接続する横
タブ配線であり、１５５は太陽電池モジュールのプラス
取り出し電極であり、１５６は太陽電池モジュールのマ
イナス取り出し電極である。１５７は太陽電池１５１の
表側に配置される強化カバーガラスであり、１５８は太
陽電池１５１を保護するように耐湿性バックシート１５
２と強化カバーガラス１５７間に配置される太陽電池密
封材（ＥＶＡ：Ethylene-Vinyl-Acetateなど）である。

【００４２】太陽電池１５１は、受光面側がマイナス電
極、裏面側がプラス電極となって構成されるので、図１
１では、横方向に隣接する太陽電池１５１の上下を銅が
主成分のタブ配線１５３で相互接続を行なう。同様に、
横方向に連なる太陽電池アレイも横タブ線１５４で電気
的に接続し、最終的にプラス取り出し電極１５５、マイ
ナス取り出し電極１５６で電気を取り出せるように構成
する。

【００４３】また、太陽電池モジュールは、長期信頼性
が要求されるため、図１１、１２に示すように、太陽電
池アレイは、最表面に太陽光を透過させながら、雨等の
侵入を防ぎ、落下物等の衝撃を吸収する機能を備えた強
化カバーガラス１５７で覆うように構成する。

【００４４】また、太陽電池アレイの裏面側は、バック
シート５２を設ける。太陽電池１５１と強化カバーガラ
ス１５７やバックシート１５２の間隙は、密封材５８で
充填されている。密封材１５８は一般的には、ＥＶＡ
（Ethylene-Vinyl-Acetate）などという光透過性が高い
熱硬化型樹脂が用いられる。ＥＶＡ剤は、作業性の良い
シート状のものが好ましい。

【００４５】ここで、この従来の太陽電池モジュールの
作製工程について説明する。まず、太陽電池１５１に相
互接続タブ線１５３を接続して、横方向の太陽電池アレ
イを作製する。次に、太陽電池アレイに横タブ配線１５
４とプラス、マイナス取り出し電極１５５、１５６を接
続する。

【００４６】そして、最後に、太陽電池１５１を２枚の
ＥＶＡ等のシートで挿み、更に、太陽電池１５１の上下
に配置された強化ガラス５７とバックシート１５２で挿
み込んで、脱泡と同時に加熱を行うと、図１２に示すよ
うな間隙のない構造の太陽電池モジュールを得ることが
できる。

【００４７】図１３は、図８の太陽電池で作製した図１
１、１２の太陽電池モジュールを作製し、「ＪＩＳＣ
８９１７」に準拠して耐湿性試験を実施した結果を示
す図である。また、図１０（ｆ）の製造工程図に示す鉛
半田被覆を施さない太陽電池モジュールの結果も、併せ
て示した。ＪＩＳ試験では、１０００時間後のセル効率
変化率が９５％以上であることが合否基準となるので、
鉛ハンダ被覆による効果が大きいことが判る。

【００４８】しかしながら、太陽電池モジュールが寿命
等で産業廃棄物として廃却した際に、材料として使用し
ている鉛ハンダは、雨水等と反応して鉛が溶出してくる
可能性が高く、環境汚染が懸念される。また、耐湿性試
験で太陽電池モジュールが劣化するのは、太陽電池密封
材のＥＶＡやバックシート材のＰＶＦが、水分を比較的
良く透過させ、銀電極、特に表銀グリッド電極とシリコ
ン基板との界面が酸化等の侵食を受けて、この部分の接
触抵抗が増大することによるものと考えられる。

【００４９】

【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
シリコン太陽電池では、表銀電極とシリコンの表面の反
応が十分に考慮されておらず、太陽電池の寿命を短じか
くしているなどの問題があった。また、太陽電池モジュ
ール構造においては、バックシートが耐湿性を考慮した
構造になっていないという問題があった。

【００５０】そこで、本発明は、電極と半導体層との接
触を良好にし、かつ耐湿性に優れたバックシート構造に
して、劣化の小さい寿命に優れた太陽電池モジュールを
提供することを目的とする。

【００５１】

【課題を解決するための手段】本発明による太陽電池モ
ジュールは、第１導電型のシリコン基板と、前記第１導
電型のシリコン基板の受光面に形成された第２導電型の
半導体層と、前記第２導電型の半導体層を侵食して前記
第２導電型の半導体層と接触するように形成された金属
電極とを有する太陽電池モジュールにおいて、前記第２
導電型の半導体層のシート抵抗を８０Ω／□以下とし、
前記金属電極による前記第２導電型の半導体層を侵食す
る最大深さを３５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲とし、
前記金属電極は、ハンダ被覆が施されていないものであ
る。

【００５２】上記太陽電池モジュールにおいては、太陽
電池と、前記太陽電池を密封する密封材と、前記太陽電
池裏側の前記密封材に接着されたバックシートとを有
し、前記バックシートが、ポリビニルフルオライド／金
属箔／ポリビニルフルオライドの順に積層される積層構
造からなるものである。

【００５３】上記太陽電池モジュールにおいては、太陽
電池と、前記太陽電池を密封する密封材と、前記太陽電
池裏側の前記密封材に接着されたバックシートとを有
し、前記バックシートが、ポリエチレンテレフタレート
／シリカの積層構造を含むものである。

【００５４】上記太陽電池モジュールにおいて、前記バ
ックシートは、前記太陽電池側よりポリエチレンテレフ
タレート／シリカ／耐湿性樹脂／シリカ／ポリエチレン
テレフタレート／耐候性樹脂の順に並べられた積層構造
からなるものである。

【００５５】上記太陽電池モジュールにおいて、前記バ
ックシートは、前記太陽電池側よりポリエチレンテレフ
タレート／シリカ／耐湿性樹脂／シリカ／耐候性樹脂の
順に並べられた積層構造からなるものである。

【００５６】上記太陽電池モジュールにおいて、前記耐
湿性樹脂は、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニ
レンサルファイド及びポリエチレンナフサレートの何れ
からなるものである。上記太陽電池モジュールにおい
て、前記耐候性樹脂は、ポリフェニレンサルファイド及
びポリエチレンナフサレートの何れからなるものであ
る。

【００５７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明における実施の形
態を、図面を参照して説明する。実施の形態１．図１は本発明に係る実施の形態１におけ
る太陽電池を示す断面構造図である。図１において、１
はｐ型シリコン基板であり、２はｐ型シリコン基板１上
部に形成されたテクスチャーであり、３はｐ型シリコン
基板１とテクスチャー２間に形成されたｎ層である。

【００５８】４はテクスチャー２上に形成された反射防
止膜であり、１０は反射防止膜４を突き破ってｎ層３と
接続されるように形成された焼結後の表銀グリッド電極
である。表銀バス電極は、前述した従来例と同様、断面
箇所の都合上、図１には図示されていない。２０はｐ型
シリコン基板１裏面側に形成された焼結後の裏アルミ電
極であり、２２はｐ型シリコン基板１と裏アルミ電極２
０間に形成されたｐ＋層である。

【００５９】裏銀バス電極は、前述した従来例と同様、
断面箇所の都合上、図１には図示されていない。ここ
で、ｔはｎ層３の厚みを示しており、ｄは表銀グリッド
電極１０におけるｎ層３への最大侵食深さである。本実
施の形態における太陽電池は、図８に示す従来例の構造
のものと比較して、主に、表銀グリッド電極１０表面に
鉛ハンダ被覆がない点と、シリコンからなるｎ層３への
表銀グリッド電極１０の最大侵食量を３５ｎｍ以上１２
０ｎｍ以下に制御している点で異なる。

【００６０】なお、表銀グリッド電極１０、表銀バス電
極、裏アルミ電極２０及び裏銀バス電極は、前述した従
来例と同様、銀、アルミのペーストを印刷技術により選
択的に形成した後、焼成することにより形成する。表銀
グリッド電極１０、表銀バス電極は、反射防止膜４を突
き破ってｎ層３を侵食してｎ層３と接触するように形成
されている。

【００６１】表銀グリッド電極１０及び表銀バス電極
は、スクリーン印刷で形成され、その材料である銀ペー
ストは銀粒子が主成分であるが、焼成時にシリコンと反
応性を高めるガラス材を含有している。このガラスの含
有量や材料組成変更による軟化温度、および、銀粒子サ
イズ、焼成条件等を厳密に微調整することにより、表銀
グリッド電極１０とシリコンｎ層３への侵食最大深さｄ
を、適宜制御することができる。

【００６２】本実施の形態では、表銀グリッド電極１
０、表銀バス電極によるｎ層３を侵食する深さを、３５
ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲で制御している。ここ
で、銀電極によるｎ層３の侵食深さの下限を３５ｎｍと
したのは、侵食深さを３５ｎｍより小さくすると、銀電
極とｎ層３との接触が不十分となり、接触抵抗が大きく
なって劣化し易くなり、太陽電池の寿命が短くなって実
用上好ましくないからである。

【００６３】銀電極によるｎ層３の侵食深さの上限を１
２０ｎｍとしたのは、侵食深さを１２０ｎｍより大きく
なると、銀電極がｎ層３を局所的に突き抜けたりして太
陽電池のセル特性が劣化して実用上好ましくないからで
ある。従って、銀電極とｎ層３との接触抵抗が低減して
劣化し太陽電池の寿命が短くなることを抑える点と、銀
電極がｎ層３を局所的に突き抜けて太陽電池のセル特性
が劣化してしまうことを抑える点を考慮すると、電極に
よるｎ層３を侵食する深さは、３５ｎｍ以上１２０ｎｍ
以下の範囲であればよい。この侵食深さについては、実
験結果を基に後述する。

【００６４】本実施の形態におけるｎ層３のシート抵抗
は、８０Ω／□以下である。ここで、ｎ層３のシート抵
抗を８０Ω／□としたのは、シート抵抗を８０Ω／□よ
りも大きくすると、太陽電池のセル特性（セルファクタ
ーの低下など）が劣化して実用上好ましくないので、８
０Ω／□以下としている。

【００６５】本実施の形態では、表銀グリッド電極１０
及び表銀バス電極を、ハンダ被覆が施されていないもの
で構成している。これにより、ハンダ被覆された電極で
構成する場合と比較して、環境に有害なハンダを使用し
ないで済ませることができるので、環境に易しい太陽電
池を実現することができ、しかも、ハンダを使用しない
分、工程数／材料費を低減して安価な太陽電池を得るこ
とができる。

【００６６】ここで、銀電極によるｎ層３を侵食する深
さを、３５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲にしたことに
ついて、実験結果を基に説明する。まず、微調整を施し
て試作した３種類の銀ペーストＡ、Ｂ、Ｃを用い、前述
した従来と同様な製造工程により、図１に示すような太
陽電池を作成する。この時、銀ペーストＡによる太陽電
池は、表銀グリッド電極１０によるｎ層３への侵食深さ
が２０ｎｍであった。また、銀ペーストＢによる太陽電
池は、表銀グリッド電極１０によるｎ層３への侵食深さ
が４０ｎｍであった。また、銀ペーストＣによる太陽電
池は、表銀グリッド電極１０によるｎ層３への侵食深さ
が９０ｎｍであった。

【００６７】次に、この３種類の銀ペーストＡ、Ｂ、Ｃ
から各々作成された太陽電池を用い、従来と同様な製造
工程により、太陽電池モジュールを各々作製した。この
３種類の太陽電池モジュールは、図１１、１２の従来構
成と比較し、電極をハンダで被覆していない点と、上記
侵食深さで行った点で相違するが、その他の構成は同様
である。図２は各銀ペーストＡ、Ｂ、Ｃから構成される
３種類の表銀グリッド銀電極におけるｎ層の最大侵食深
さと「ＪＩＳＣ８９１７」に準拠した耐湿性試験結
果の関係を示す図である。

【００６８】このときの試験条件は、温度８５℃、湿度
８５％である。本試験に使用したバックシートは、ポリ
ビニルフルオライド（ＰＶＦ）樹脂からなる単層であ
る。なお、これ以外にも銀ペーストを多数試作し、同様
の試験をした結果、図２に示す実線のように、グリッド
銀電極最大侵食深さと変換効率変化率の間で、対応関係
があることが判った。ここでの変換効率変化率は、太陽
電池に光エネルギーを照射すると電気エネルギーに変換
されるが、そのエネルギーの変換された割合のことを意
味する。

【００６９】この図２の結果から、バックシートにＰＶ
Ｆ樹脂単層の場合は、表銀グリッド電極１０の最大侵食
深さが、３５ｎｍより小さいと、ＪＩＳ耐湿性試験に合
格せず、また、１２０ｎｍより大きいと、耐湿性試験前
の変換効率が著しく低くなり、商品価値がなくなること
が判った。侵食深さが３５ｎｍより小さいと、ＪＩＳ耐
湿性試験に合格しなかったのは、銀電極とｎ層３との接
触が不十分となり、接触抵抗が大きくなったことによる
ものと推定される。また、侵食深さが１２０ｎｍより大
きいと、耐湿性試験前の変換効率が著しく低くなったの
は、銀電極がｎ層３を局所的に突き抜けたりして太陽電
池のセル特性が劣化したことによるものと推定される。

【００７０】上記実施の形態では、（１００）面方位の
単結晶基板を例示して説明したが、例えば、他の面方位
の単結晶あるいは様々な面方位のグレインを有する多結
晶シリコンにおいても、同等の効果を奏することを確認
している。また、ｐ型基板の受光面側にｎ層を配置して
構成したが、逆に、ｎ型基板にｐ層を配置した構造で構
成しても構わない。更に、上記実施の形態では、受光面
側電極形成において、焼成前にシリコンｎ層３と各銀電
極の間に反射防止膜４を設ける構成の場合を例示した
が、例えば、反射防止膜４がない構造で構成してもよ
く、この場合も、電極のシリコン侵食最大深さの最適な
範囲は、上記実施の形態と同じであり、同等の効果を得
ることができる。

【００７１】実施の形態２.図３は本発明に係る実施の
形態２における太陽電池モジュールのバックシート構造
を示す模式図である。図３において、５１は太陽電池で
あり、５２は太陽電池５１の裏側に配置されるポリビニ
ルフルオライド（ＰＶＦ）である。太陽電池５１として
は、グリッド銀電極最大侵食深さが３５ｎｍ以上１２０
ｎｍ以下の範囲にある実施の形態１における構造のもの
を用いるが、これ以外の例えば、ハンダ被覆された従来
例で説明した構造のものを用いてもよい。

【００７２】５３は太陽電池５１を相互接続するための
銅等からなるタブ配線であり、５７は太陽電池５１の表
側に配置される強化カバーガラスであり、５８は太陽電
池５１を保護するようにバックシートと強化カバーガラ
ス５７間に配置される密封材（ＥＶＡ）である。７１は
ＰＶＦ５２間に配置されるアルミ、鉄等の金属箔であ
り、バックシートは、太陽電池５１側よりＰＶＦ５２／
金属箔７１／ＰＶＦ５２の順に積層される積層構造から
なっている。

【００７３】太陽電池５１の密封材５８のＥＶＡとバッ
クシートのＰＶＦ５２は、水分を透過させ易い材料であ
る。このため、バックシートをＰＶＦのみで構成する
と、表銀グリッド電極１０／表銀バス電極とシリコンｎ
層３の界面に水分が侵入して、酸化等の反応により接触
抵抗が増大し易い。密封材５８のＥＶＡは、他の部材と
の密着性が悪く、耐湿性の点でも不充分でり、加水分解
して酢酸を発生して黄変する等の短所があるものの、現
状、太陽電池５１の密封材５８としては、ＥＶＡが一般
的であり、ＥＶＡに勝る材料は未だ開発されていない。

【００７４】そこで、本実施の形態では、バックシート
を、ＰＶＦ５２のみで構成するのではなく、太陽電池５
１側からＰＶＦ５２／金属箔７１／ＰＶＦ５２の順に積
層される積層構造からなるように構成している。このた
め、金属箔７１で太陽電池５１側への水分の透過を抑え
ることができるので、バックシートを、ＰＶＦ５２のみ
で構成する場合よりも、水分の透過を抑えて、太陽電池
５１の電極と半導体層の界面が水分により酸化されるの
を抑えることができ、太陽電池の寿命が短くなるのを抑
えることができる。

【００７５】実施の形態２では、バックシートに金属箔
７１を用いているため、密封材５８のＥＶＡに熱をかけ
て、太陽電池５１とタブ配線５３を密封する際に、タブ
配線５３がＥＶＡ密封材５８を貫通してしまうことがあ
る。これにより、タブ配線５３と金属箔７１が短絡し
て、リーク不良が生じる恐れがある。また、金属箔７１
は、一般的にコストが高い。そこで、後述する実施の形
態３、４では、バックシートを、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）／シリカ（ＳｉＯｘ）の積層構造を含
むように構成することにより、上記課題を解決してい
る。以下に図面を用いて具体的に説明する。

【００７６】実施の形態３.図４は本発明に係る実施の
形態３における太陽電池モジュールのバックシート構造
を示す模式図である。図４において、図３と同一符号は
同一又は相当部分を示し、７２はＰＥＴであり、７２ａ
は耐湿性に優れたポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）及びポリ
エチレンナフサレート（ＰＥＮ）の何れからなる耐湿性
樹脂である。７３はシリカであり、７４は耐候性に優れ
たポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）及びポリエチ
レンナフサレート（ＰＥＮ）の何れからなる耐候性樹脂
である。

【００７７】バックシートは、太陽電池５１側からＰＥ
Ｔ７２／シリカ７３／耐湿性樹脂７２ａ／シリカ７３／
ＰＥＴ７２／耐候性樹脂７４の順に並べられた積層構造
からなるように構成している。ここで、ＰＥＴ７２は、
低コストで耐湿性、耐水性が高いが、ＰＥＴ７２は、加
水分解反応によりフィルム性能が大きく劣化してしまう
ため、耐候性の点で劣る。また、ＰＥＴ７２は、密封材
５８のＥＶＡ樹脂との密着性は良い。

【００７８】本実施の形態では、バックシートを、太陽
電池５１側よりＰＥＴ７２／シリカ７３／耐湿性樹脂７
２ａ／シリカ７３／ＰＥＴ７２／耐候性樹脂７４の順に
並べられた積層構造からなるように構成している。この
積層構造のうち、ＰＥＴ７２、シリカ７３及び耐湿性樹
脂７２ａにより、水分の透過を抑えて、太陽電池５１の
電極と半導体層の界面が水分により酸化されるのを抑え
ることができ、太陽電池５１の寿命が短くなるのを抑え
ることができ、しかも、リークが発生しない安定した電
気的特性を実現することができる。更に、この積層構造
のうち、耐候性樹脂７４により、加水分解反応によりフ
ィルム性能が劣化することを抑えて、耐候性の良好な太
陽電池を得ることができる。

【００７９】なお、本実施の形態における太陽電池モジ
ュールを用い、ＪＩＳ耐湿性試験を実施したところ、図
５に示すように、バックシートに従来のＰＶＦ単層の場
合と比較して、積層フィルムの効果が大きく表れている
ことが判った。即ち、本実施の形態の方が、ＰＶＦ単層
の場合と比較し、試験時間に対して変換効率変化率が小
さく、耐湿性の点で劣化し難いことが判った。また、前
述した実施の形態２のものでも、後述する実施の形態４
のものでも、本実施の形態と概ね同じ劣化傾向であり、
耐湿性向上が認められた。

【００８０】実施の形態４.図６は本発明に係る実施の
形態４における太陽電池モジュールのバックシート構造
を示す模式図である。図６において、図５と同一符号は
同一又は相当部分を示す。バックシートの耐候性樹脂７
４としては、ＰＰＳ、ＰＥＮ等が好適であるが他の耐候
性樹脂であってもよい。他の耐候性樹脂としては、防湿
性や耐薬品性を付与するものが挙げられる。防湿性に効
果のあるものとしては、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合
物、塩化ビニリデン系樹脂、硝酸セルロース系樹脂、ス
チレンブタジエンゴム等が挙げられる。耐薬品性に効果
のあるものとしては、アルキッド樹脂やエポキシ系樹脂
が挙げられ、これらを有機溶剤に溶解して塗布して乾燥
させたものや、着色にカーボンや酸化チタン等の顔料を
添加するものも挙げられる。

【００８１】本実施の形態では、バックシートを、太陽
電池５１側よりＰＥＴ７２／シリカ７３／耐湿性樹脂７
２ａ／シリカ７３／耐候性樹脂７４の順に並べられた積
層構造から構成している。この積層構造のうち、ＰＥＴ
７２、シリカ７３及び耐湿性樹脂７２ａにより、水分の
透過を抑えて、太陽電池５１の電極と半導体層の界面が
水分により酸化されるのを抑えることができ、太陽電池
５１の寿命が短くなるのを抑えることができ、しかも、
リークが発生しない安定した電気的特性を実現すること
ができる。更に、この積層構造のうち、耐候性樹脂７４
により、加水分解反応によりフィルム性能が劣化するこ
とを抑えて、耐候性の良好な太陽電池を得ることができ
る。

【００８２】なお、上記実施の形態２〜４では、バック
シートの積層構造において、バックシートの各層の間に
接着層や、層間の溶融混合を抑制性する層等の他の機能
を果たす層を挿入してもよい。例えば、接着剤（ドライ
ラミ）に関して、フィルム同志を貼り合せて複合フィル
ムを製造するための接着剤としては、ポリウレタン系、
ポリエステル系、ポリエーテル系が挙げられ、溶剤であ
っても無溶剤であってもよい。

【００８３】また、保護層を入れる場合は、フィルム表
面やシリカガラス（ＳｉＯｘ）の保護として、塩化ビニ
ルポリマー、アクリルポリマー、エポキシ樹脂、ポリウ
レタン樹脂の単体あるいは配合系が挙げられる。これら
は、有機溶剤に溶解、塗布して用いる。保護層として
は、少し流動性や弾性がある方がよい。他に粘着性を与
える材料を用いてもよく、その材料としては、テープ等
にゴムエラストマー（天然ゴム、合成ゴム、ロジン、ア
クリル樹脂等）が挙げられる。

【００８４】

【発明の効果】本発明による太陽電池モジュールは、第
１導電型のシリコン基板と、前記第１導電型のシリコン
基板の受光面に形成された第２導電型の半導体層と、前
記第２導電型の半導体層を侵食して前記第２導電型の半
導体層と接触するように形成された金属電極とを有する
太陽電池モジュールにおいて、前記第２導電型の半導体
層のシート抵抗を８０Ω／□以下として構成することに
より、太陽電池のセル特性(セルファクターの低下など)
の劣化を抑えることができる。更に、前記金属電極によ
る前記第２導電型の半導体層を侵食する深さを、３５ｎ
ｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲として構成することによ
り、金属電極と半導体層との接触を十分とって接触抵抗
を低減して劣化を抑えることができ、太陽電池の寿命を
十分とることができるとともに、金属電極が半導体層を
局所的に突き抜けて、太陽電池のセル特性が劣化してし
まうことを抑えることができる。従って、寿命に優れ、
かつ良好なセル特性の太陽電池を得ることができる。

【００８５】また、前記金属電極を、ハンダ被覆が施さ
れていないもので構成することにより、環境に有害なハ
ンダを使用しないで済ませることができ、ハンダを使用
しない分、コストを低減することができる。

【００８６】上記太陽電池モジュールは、太陽電池と、
前記太陽電池を密封する密封材と、前記太陽電池裏側の
前記密封材に接着されたバックシートとを有する太陽電
池モジュールにおいて、前記バックシートを、ポリビニ
ルフルオライド／金属箔／ポリビニルフルオライドの順
に積層される積層構造からなるように構成することによ
り、バックシートを、ポリビニルフルオライドのみで構
成する場合よりも、水分の透過を抑えて、太陽電池の電
極と半導体層の界面が水分により酸化されるのを抑える
ことができ、太陽電池の寿命が短くなるのを抑えること
ができる。

【００８７】上記太陽電池モジュールは、太陽電池と、
前記太陽電池を密封する密封材と、前記太陽電池裏側の
前記密封材に接着されたバックシートとを有する太陽電
池モジュールにおいて、前記バックシートを、ポリエチ
レンテレフタレート／シリカの積層構造を含むように構
成することにより、水分の透過を抑えて、太陽電池の電
極と半導体層の界面が水分により酸化されるのを抑える
ことができ、太陽電池の寿命が短くなるのを抑えること
ができる。しかも、金属箔を用いる場合は、金属箔が他
の電気配線と接触してリークを生じる恐れがあるが、ポ
リエチレンテレフタレート／シリカの積層構造によれ
ば、リークが発生しない安定した電気的特性を実現する
ことができる。

【００８８】上記太陽電池モジュールにおいて、前記バ
ックシートを、前記太陽電池側よりポリエチレンテレフ
タレート／シリカ／耐湿性樹脂／シリカ／ポリエチレン
テレフタレート／耐候性樹脂の順に並べられた積層構造
からなるように構成している。この積層構造のうち、ポ
リエチレンテレフタレート、シリカ及び耐湿性樹脂によ
り、水分の透過を抑えて、太陽電池の電極と半導体層の
界面が水分により酸化されるのを抑えることができ、太
陽電池の寿命が短くなるのを抑えることができ、しか
も、リークが発生しない安定した電気的特性を実現する
ことができる。更に、この積層構造のうち、耐候性樹脂
により、加水分解反応によりフィルム性能が劣化するこ
とを抑えて、耐候性の良好な太陽電池を得ることができ
る。

【００８９】上記太陽電池モジュールにおいて、前記バ
ックシートを、前記太陽電池側よりポリエチレンテレフ
タレート／シリカ／耐湿性樹脂／シリカ／耐候性樹脂の
順に並べられた積層構造から構成している。この積層構
造のうち、ポリエチレンテレフタレート、シリカ及び耐
湿性樹脂により、水分の透過を抑えて、太陽電池の電極
と半導体層の界面が水分により酸化されるのを抑えるこ
とができ、太陽電池の寿命が短くなるのを抑えることが
でき、しかも、リークが発生しない安定した電気的特性
を実現することができる。更に、この積層構造のうち、
耐候性樹脂により、加水分解反応によりフィルム性能が
劣化することを抑えて、耐候性の良好な太陽電池を得る
ことができる。

【００９０】上記太陽電池モジュールにおいて、前記耐
湿性樹脂を、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニ
レンサルファイド及びポリエチレンナフサレートの何れ
からなるように構成することにより、耐湿性を向上させ
ることができる。

【００９１】上記太陽電池モジュールにおいて、前記耐
候性樹脂を、ポリフェニレンサルファイド及びポリエチ
レンナフサレートの何れからなるように構成することに
より、耐候性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る実施の形態１における太陽電
池を示す断面構造図である。

【図２】本発明を説明するための各種銀ペーストによ
る太陽電池の銀電極によるシリコン最大侵食深さとＪＩ
Ｓ耐湿性試験結果の関係を示す図である。

【図３】本発明に係る実施の形態２における太陽電池
モジュールのバックシート構造を示す模式図である。

【図４】本発明に係る実施の形態３における太陽電池
モジュールのバックシート構造を示す模式図である。

【図５】本発明を説明するための太陽電池モジュール
のバックシート構造とＪＩＳ耐湿性試験結果の関係を示
す図である。

【図６】本発明に係る実施の形態４における太陽電池
モジュールのバックシート構造を示す模式図である。

【図７】従来の住宅用等に使用されるシリコン太陽電
池の表面、裏面側の概略図である。

【図８】図７（Ａ）に示すＡ１−Ａ２線におけるシリ
コン太陽電池の断面図である。

【図９】図８に示すシリコン太陽電池の主な製造工程
を示す断面構造図である。

【図１０】図８に示すシリコン太陽電池の主な製造工
程を示す断面構造図である。

【図１１】従来の太陽電池モジュールの全体構造を示
す斜視図である。

【図１２】図１１に示すＢ１−Ｂ２線における太陽電
池モジュールの断面構造図である。

【図１３】図１１、１２に示す太陽電池モジュールに
おける「ＪＩＳＣ８９１７」に準拠して耐湿性試験を
実施した結果を示す図である。

【符号の説明】

１ｐ型シリコン基板、２テクスチャー、３ｎ層、
４反射防止膜、１０表銀グリッド電極、２０裏アル
ミ電極、２２ｐ＋層、５１太陽電池、５２ＰＶ
Ｆ、５３タブ配線、５７強化カバーガラス、５８
密封材、７１金属箔、７２ＰＥＴ、７２ａ耐湿性樹
脂、７３シリカ、７４耐候性樹脂。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者松井輝仁東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内Ｆターム(参考） 5F051 AA02 AA03 BA18 CB27 DA03 FA06 FA13 FA15 GA04 GA14 HA01 JA04 JA05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１導電型のシリコン基板と、前記第１
導電型のシリコン基板の受光面に形成された第２導電型
の半導体層と、前記第２導電型の半導体層を侵食して前
記第２導電型の半導体層と接触するように形成された金
属電極とを有する太陽電池モジュールにおいて、前記第
２導電型の半導体層のシート抵抗を８０Ω／□以下と
し、前記金属電極による前記第２導電型の半導体層を侵
食する最大深さを３５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲と
し、前記金属電極は、ハンダ被覆が施されていないこと
を特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】請求項１に記載の太陽電池モジュールに
おいて、太陽電池と、前記太陽電池を密封する密封材
と、前記太陽電池裏側の前記密封材に接着されたバック
シートとを有し、前記バックシートは、ポリビニルフル
オライド／金属箔／ポリビニルフルオライドの順に積層
される積層構造からなることを特徴とする太陽電池モジ
ュール。
【請求項３】請求項１に記載の太陽電池モジュールに
おいて、太陽電池と、前記太陽電池を密封する密封材
と、前記太陽電池裏側の前記密封材に接着されたバック
シートとを有し、前記バックシートは、ポリエチレンテ
レフタレート／シリカの積層構造を含むことを特徴とす
る太陽電池モジュール。
【請求項４】請求項３に記載の太陽電池モジュールに
おいて、前記バックシートは、前記太陽電池側よりポリ
エチレンテレフタレート／シリカ／耐湿性樹脂／シリカ
／ポリエチレンテレフタレート／耐候性樹脂の順に並べ
られた積層構造からなることを特徴とする太陽電池モジ
ュール。
【請求項５】請求項３に記載の太陽電池モジュールに
おいて、前記バックシートは、前記太陽電池側よりポリ
エチレンテレフタレート／シリカ／耐湿性樹脂／シリカ
／耐候性樹脂の順に並べられた積層構造からなることを
特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項６】請求項４、５の何れかに記載の太陽電池
モジュールにおいて、前記耐湿性樹脂は、ポリエチレン
テレフタレート、ポリフェニレンサルファイド及びポリ
エチレンナフサレートの何れからなることを特徴とする
太陽電池モジュール。
【請求項７】請求項４、５の何れかに記載の太陽電池
モジュールにおいて、前記耐候性樹脂は、ポリフェニレ
ンサルファイド及びポリエチレンナフサレートの何れか
らなることを特徴とする太陽電池モジュール。