JP2002287107A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 106
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 3
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 27
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 27
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 27
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 24
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 24
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/07—Cutting armoured, multi-layered, coated or laminated, glass products
- C03B33/076—Laminated glass comprising interlayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
- C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板の端面に信頼性を有するものを得
る。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各ガラス基
板と、該液晶を封止するとともに一方のガラス基板に対
する他方のガラス基板の固着を行うシール材とを備え、
前記各ガラス基板の端面はレーザ光の走査によって切断
された面となっている。
る。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各ガラス基
板と、該液晶を封止するとともに一方のガラス基板に対
する他方のガラス基板の固着を行うシール材とを備え、
前記各ガラス基板の端面はレーザ光の走査によって切断
された面となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、液晶を介して配置される一対のガラス基板か
らなる外囲器の改良に関する。
り、特に、液晶を介して配置される一対のガラス基板か
らなる外囲器の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、層状の液晶の広がり方
向に多数の画素を構成し、これら各画素に所定の電界を
印加することにより、各画素の液晶に該電界に応じた量
の光透過を起こさせるようになっている。
向に多数の画素を構成し、これら各画素に所定の電界を
印加することにより、各画素の液晶に該電界に応じた量
の光透過を起こさせるようになっている。
【０００３】前記液晶は、それを介在させて対向配置さ
れる一対のガラス基板、および一方のガラス基板に対す
る他方のガラス基板の固着を図るシール材によって封止
されている。
れる一対のガラス基板、および一方のガラス基板に対す
る他方のガラス基板の固着を図るシール材によって封止
されている。
【０００４】液晶に電界を印加する手段は、各ガラス基
板の液晶側の面に、フォトリソグラフィ技術によって形
成される所定のパターンの導電層、半導体層、および絶
縁層等との積層体からなる電子回路によって形成されて
いる。
板の液晶側の面に、フォトリソグラフィ技術によって形
成される所定のパターンの導電層、半導体層、および絶
縁層等との積層体からなる電子回路によって形成されて
いる。
【０００５】このことから、液晶表示装置は、各ガラス
基板の面に上述した加工処理等を施し、それらを対向さ
せて固着させ、液晶を封入した後に、該各ガラス基板を
所定の大きさとなるように前記シール材の外側をカッテ
ング（切断）する工程を経て製造されるのが通常であ
る。
基板の面に上述した加工処理等を施し、それらを対向さ
せて固着させ、液晶を封入した後に、該各ガラス基板を
所定の大きさとなるように前記シール材の外側をカッテ
ング（切断）する工程を経て製造されるのが通常であ
る。
【０００６】そして、このカッテングの方法としては、
所定の切断ラインにカッタホイールを押し当て走行させ
て（カッタスクライブ）垂直クラックを形成する。その
後、スクライブされたガラス基板の反対面からゴムブレ
ード等で該基板を叩き衝撃を与える（衝撃ブレーク）。
これにより、垂直クラックが発生した部分はそのクラッ
クを進展させ、ガラス基板が分断される。
所定の切断ラインにカッタホイールを押し当て走行させ
て（カッタスクライブ）垂直クラックを形成する。その
後、スクライブされたガラス基板の反対面からゴムブレ
ード等で該基板を叩き衝撃を与える（衝撃ブレーク）。
これにより、垂直クラックが発生した部分はそのクラッ
クを進展させ、ガラス基板が分断される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにして製造された液晶表示装置には、前記スクライブ
の際に該ガラス基板にマイクロクラックが残存するもの
があり、これにより衝撃ブレークを与えた際に該ガラス
基板に割れ、あるいは欠けが発生するものがあることが
指摘されていた。
うにして製造された液晶表示装置には、前記スクライブ
の際に該ガラス基板にマイクロクラックが残存するもの
があり、これにより衝撃ブレークを与えた際に該ガラス
基板に割れ、あるいは欠けが発生するものがあることが
指摘されていた。
【０００８】このようにガラス基板に割れ、あるいは欠
けが生じた液晶表示装置は、その時点でその弊害がなく
ても、その後それが広がりだし液晶表示部に悪影響を与
える憂いが生じる。
けが生じた液晶表示装置は、その時点でその弊害がなく
ても、その後それが広がりだし液晶表示部に悪影響を与
える憂いが生じる。
【０００９】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、ガラス基板の端面に信頼
性を有する液晶表示装置およびその製造方法を提供する
ことにある。
れたものであり、その目的は、ガラス基板の端面に信頼
性を有する液晶表示装置およびその製造方法を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】本発明による液晶表示装置は、たとえば、
液晶を介して対向配置される各ガラス基板と、該液晶を
封止するとともに一方のガラス基板に対する他方のガラ
ス基板の固着を行うシール材とを備え、前記各ガラス基
板の端面はレーザ光の走査によって切断された面となっ
ていることを特徴とするものである。
液晶を介して対向配置される各ガラス基板と、該液晶を
封止するとともに一方のガラス基板に対する他方のガラ
ス基板の固着を行うシール材とを備え、前記各ガラス基
板の端面はレーザ光の走査によって切断された面となっ
ていることを特徴とするものである。
【００１２】このように構成された液晶表示装置は、レ
ーザ光の走査によって切断されたガラス基板の端面は、
いわゆるマイクロクラックの発生が大幅に抑制され、該
マイクロクラックによる割れ、欠けの発生を防止できる
ようになる。
ーザ光の走査によって切断されたガラス基板の端面は、
いわゆるマイクロクラックの発生が大幅に抑制され、該
マイクロクラックによる割れ、欠けの発生を防止できる
ようになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。実施例１．図２は
本発明による液晶表示装置の等価回路を示す図である。
同図は等価回路であるが、実際の幾何学配置に対応した
図となっている。
の実施例を図面を用いて説明をする。実施例１．図２は
本発明による液晶表示装置の等価回路を示す図である。
同図は等価回路であるが、実際の幾何学配置に対応した
図となっている。
【００１４】同図において、ガラス基板ＳＵＢ１があ
り、このガラス基板ＳＵＢ１は液晶を介して他のガラス
基板ＳＵＢ２と対向して配置されている。
り、このガラス基板ＳＵＢ１は液晶を介して他のガラス
基板ＳＵＢ２と対向して配置されている。
【００１５】前記ガラス基板ＳＵＢ１の液晶側の面に
は、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号
線ＧＬと、このゲート信号線ＧＬと絶縁されてｙ方向に
延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成
され、これら各信号線で囲まれる矩形状の領域が画素領
域となり、これら各画素領域の集合によって表示部ＡＲ
を構成するようになっている。
は、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号
線ＧＬと、このゲート信号線ＧＬと絶縁されてｙ方向に
延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成
され、これら各信号線で囲まれる矩形状の領域が画素領
域となり、これら各画素領域の集合によって表示部ＡＲ
を構成するようになっている。
【００１６】各画素領域には、一方のゲート信号線ＧＬ
からの走査信号（電圧）の供給によって駆動される薄膜
トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを
介して一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電
圧）が供給される画素電極ＰＩＸが形成されている。
からの走査信号（電圧）の供給によって駆動される薄膜
トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを
介して一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電
圧）が供給される画素電極ＰＩＸが形成されている。
【００１７】また、画素電極ＰＩＸと前記一方のゲート
信号線ＧＬに対して該画素電極ＰＩＸを間にして配置さ
れる他方のゲート信号線ＧＬとの間には容量素子Ｃａｄ
ｄが形成され、この容量素子Ｃａｄｄによって、前記薄
膜トランジスタＴＦＴがオフした際に、画素電極ＰＩＸ
に供給された映像信号を長く蓄積させるようになってい
る。
信号線ＧＬに対して該画素電極ＰＩＸを間にして配置さ
れる他方のゲート信号線ＧＬとの間には容量素子Ｃａｄ
ｄが形成され、この容量素子Ｃａｄｄによって、前記薄
膜トランジスタＴＦＴがオフした際に、画素電極ＰＩＸ
に供給された映像信号を長く蓄積させるようになってい
る。
【００１８】各画素領域における画素電極ＰＩＸは、ガ
ラス基板ＳＵＢ２側に形成された対向電極ＣＴとの間に
電界を発生せしめるようになっており、この電界によっ
て液晶の光透過率を制御するようになっている。
ラス基板ＳＵＢ２側に形成された対向電極ＣＴとの間に
電界を発生せしめるようになっており、この電界によっ
て液晶の光透過率を制御するようになっている。
【００１９】各ゲート信号線ＧＬの一端はガラス基板の
一辺側（図中左側）に延在され、その延在部は該ガラス
基板ＳＵＢ１に搭載される垂直走査回路からなる半導体
集積回路ＧＤＲＣのバンプと接続される端子部ＧＴＭが
形成され、また、各ドレイン信号線ＤＬの一端もガラス
基板ＳＵＢ１の一辺側（図中上側）に延在され、その延
在部は該ガラス基板ＳＵＢ１に搭載される映像信号駆動
回路からなる半導体集積回路ＤＤＲＣのバンプと接続さ
れる端子部ＤＴＭが形成されている。
一辺側（図中左側）に延在され、その延在部は該ガラス
基板ＳＵＢ１に搭載される垂直走査回路からなる半導体
集積回路ＧＤＲＣのバンプと接続される端子部ＧＴＭが
形成され、また、各ドレイン信号線ＤＬの一端もガラス
基板ＳＵＢ１の一辺側（図中上側）に延在され、その延
在部は該ガラス基板ＳＵＢ１に搭載される映像信号駆動
回路からなる半導体集積回路ＤＤＲＣのバンプと接続さ
れる端子部ＤＴＭが形成されている。
【００２０】半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣはそれ
ぞれ、それ自体がガラス基板ＳＵＢ１上に完全に搭載さ
れたもので、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）方式
と称されている。
ぞれ、それ自体がガラス基板ＳＵＢ１上に完全に搭載さ
れたもので、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）方式
と称されている。
【００２１】半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの入力
側の各バンプもガラス基板ＳＵＢ１に形成された端子部
ＧＴＭ２、ＤＴＭ２にそれぞれ接続されるようになって
おり、これら各端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２は各配線層を
介してガラス基板ＳＵＢ１の周辺のうち最も端面に近い
部分にそれぞれ配置された端子部ＧＴＭ３、ＤＴＭ３に
接続されるようになっている。
側の各バンプもガラス基板ＳＵＢ１に形成された端子部
ＧＴＭ２、ＤＴＭ２にそれぞれ接続されるようになって
おり、これら各端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２は各配線層を
介してガラス基板ＳＵＢ１の周辺のうち最も端面に近い
部分にそれぞれ配置された端子部ＧＴＭ３、ＤＴＭ３に
接続されるようになっている。
【００２２】また、各対向電圧信号線ＣＬの一端（右
端）は、それぞれ共通に接続されてガラス基板ＳＵＢ１
の端辺にまで延在されて端子部ＣＴＭに接続されてい
る。
端）は、それぞれ共通に接続されてガラス基板ＳＵＢ１
の端辺にまで延在されて端子部ＣＴＭに接続されてい
る。
【００２３】前記ガラス基板ＳＵＢ２は、前記半導体集
積回路が搭載される領域を回避するようにしてガラス基
板ＳＵＢ１と対向配置され、該ガラス基板ＳＵＢ１より
も小さな面積となっている。
積回路が搭載される領域を回避するようにしてガラス基
板ＳＵＢ１と対向配置され、該ガラス基板ＳＵＢ１より
も小さな面積となっている。
【００２４】そして、ガラス基板ＳＵＢ１に対するガラ
ス基板ＳＵＢ２の固定は、該ガラス基板ＳＵＢ２の周辺
に形成されたシール材ＳＬによってなされ、このシール
材ＳＬはガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶を封
止する機能も兼ねている。
ス基板ＳＵＢ２の固定は、該ガラス基板ＳＵＢ２の周辺
に形成されたシール材ＳＬによってなされ、このシール
材ＳＬはガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶を封
止する機能も兼ねている。
【００２５】図２に示した液晶表示装置は、そのガラス
基板ＳＵＢ１およびガラス基板ＳＵＢ２がそれぞれ所定
どおりの大きさにカッテングされた後の状態を示してい
るものである。
基板ＳＵＢ１およびガラス基板ＳＵＢ２がそれぞれ所定
どおりの大きさにカッテングされた後の状態を示してい
るものである。
【００２６】しかし、そのカッテング前の工程におい
て、ガラス基板ＳＵＢ１およびガラス基板ＳＵＢ２はい
ずれも図２に示した場合よりも大きな面積を有してい
る。
て、ガラス基板ＳＵＢ１およびガラス基板ＳＵＢ２はい
ずれも図２に示した場合よりも大きな面積を有してい
る。
【００２７】場合によっては、複数枚取りと称される一
枚のガラス基板面の異なる領域にそれぞれ一つの液晶表
示装置に相当する加工処理をし、同様に加工処理された
他方のガラス基板を対向配置させた後に、各液晶表示装
置を分断するような場合においてもこのカッテングの作
業を経ることになる。
枚のガラス基板面の異なる領域にそれぞれ一つの液晶表
示装置に相当する加工処理をし、同様に加工処理された
他方のガラス基板を対向配置させた後に、各液晶表示装
置を分断するような場合においてもこのカッテングの作
業を経ることになる。
【００２８】図１は、このカッテングを示す説明図で、
ガラス基板ＳＵＢ１はすでに所定の大きさにカッテング
がなされ、これからガラス基板ＳＵＢ２のカッテングを
行う段階の平面図（同図（ａ））、図中ｘ方向の線に沿
った断面を示す図（同図（ｂ））、図中ｙ方向の線に沿
った断面を示す図（同図（ｃ））を示している。
ガラス基板ＳＵＢ１はすでに所定の大きさにカッテング
がなされ、これからガラス基板ＳＵＢ２のカッテングを
行う段階の平面図（同図（ａ））、図中ｘ方向の線に沿
った断面を示す図（同図（ｂ））、図中ｙ方向の線に沿
った断面を示す図（同図（ｃ））を示している。
【００２９】図１において、ガラス基板ＳＵＢ２は、図
中の切断線ＣＬに沿ってレーザ光を走査するようになっ
ている。
中の切断線ＣＬに沿ってレーザ光を走査するようになっ
ている。
【００３０】なお、該切断線ＣＬはシール材ＳＬの各辺
の外側であって該シール材ＳＬと平行となるように設定
され、このうち、液晶封入孔が形成される部分において
該液晶封入孔を形成する該シール材ＳＬを横切るように
して設定されている。
の外側であって該シール材ＳＬと平行となるように設定
され、このうち、液晶封入孔が形成される部分において
該液晶封入孔を形成する該シール材ＳＬを横切るように
して設定されている。
【００３１】レーザ光の走査によってガラス基板ＳＵＢ
２は、該レーザ光の熱応力で叩くことなく非接触状態で
分断させることができる。
２は、該レーザ光の熱応力で叩くことなく非接触状態で
分断させることができる。
【００３２】そして、該ガラス基板ＳＵＢ２の分断面は
たとえばマイクロクラック等の後の障害となるものが形
成されることがなくなる。このため、該ガラス基板ＳＵ
Ｂ２の分断後において、該ガラス基板ＳＵＢ２の分断面
から割れ、欠け等が生じる憂いを無くすことができる。
たとえばマイクロクラック等の後の障害となるものが形
成されることがなくなる。このため、該ガラス基板ＳＵ
Ｂ２の分断後において、該ガラス基板ＳＵＢ２の分断面
から割れ、欠け等が生じる憂いを無くすことができる。
【００３３】なお、この実施例では、ガラス基板ＳＵＢ
２における切断を説明したものであるが、ガラス基板Ｓ
ＵＢ１においても同様にレーザ光の走査によって分断さ
せ、所定の大きさにしているものである。
２における切断を説明したものであるが、ガラス基板Ｓ
ＵＢ１においても同様にレーザ光の走査によって分断さ
せ、所定の大きさにしているものである。
【００３４】なお、このレーザ走査によるガラス基板Ｓ
ＵＢの切断を詳細に説明すると、スクライブ工程とブレ
ーク工程とに分けられ、まず、スクライブ工程は、波長
１０．６μｍのＣＯ2を用い、レーザ出力を２００Ｗと
し、その加工速度を２００ｍｍ／ｓとし、さらに、ブレ
ーク工程は、波長１０．６μｍのＣＯ2レーザを用い、
レーザ出力を２５０Ｗとし、その加工速度を２００ｍｍ
／ｓとした。
ＵＢの切断を詳細に説明すると、スクライブ工程とブレ
ーク工程とに分けられ、まず、スクライブ工程は、波長
１０．６μｍのＣＯ2を用い、レーザ出力を２００Ｗと
し、その加工速度を２００ｍｍ／ｓとし、さらに、ブレ
ーク工程は、波長１０．６μｍのＣＯ2レーザを用い、
レーザ出力を２５０Ｗとし、その加工速度を２００ｍｍ
／ｓとした。
【００３５】これにより、切断面はいわゆるガラス粉の
発生もなく、表面とほぼ同様な平坦面として形成され
た。
発生もなく、表面とほぼ同様な平坦面として形成され
た。
【００３６】実施例２．図３は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す図で、図１に対応した図であ
る。
装置の他の実施例を示す図で、図１に対応した図であ
る。
【００３７】この場合、図１と異なる構成はシール材Ｓ
Ｌにあり、このシール材ＳＬの線膨張率は１０×１０-6
℃以下の範囲にあり、いわゆる低線膨張率の材料から構
成されている。
Ｌにあり、このシール材ＳＬの線膨張率は１０×１０-6
℃以下の範囲にあり、いわゆる低線膨張率の材料から構
成されている。
【００３８】このようなシール材ＳＬとしては、まず、
エポキシ樹脂：１０ｗｔ％、充填材：８０ｗｔ％、溶
媒：１０ｗｔ％の材料組成のもので、９×１０-6／℃の
線膨張率が得られた。また、ガラスフリット（PbO-B２O
３系）：９２．３ｗｔ％、バインダ：０．４ｗｔ％、溶
媒：７．３ｗｔ％の材料組成のもので、７×１０-6／℃
の線膨張率が得られた。
エポキシ樹脂：１０ｗｔ％、充填材：８０ｗｔ％、溶
媒：１０ｗｔ％の材料組成のもので、９×１０-6／℃の
線膨張率が得られた。また、ガラスフリット（PbO-B２O
３系）：９２．３ｗｔ％、バインダ：０．４ｗｔ％、溶
媒：７．３ｗｔ％の材料組成のもので、７×１０-6／℃
の線膨張率が得られた。
【００３９】このようなシール材ＳＬを用いることによ
り、該シール材ＳＬの線膨張率をガラス基板ＳＵＢ１あ
るいはＳＵＢ２のそれと近付けることができ、該ガラス
基板ＳＵＢ１あるいはＳＵＢ２をスクライブする際に、
シール材ＳＬによるガラス基板の切断線ＣＬへの圧縮応
力が回避でき、マイクロクロックやかけの発生を抑制し
て分断することができるようになる。
り、該シール材ＳＬの線膨張率をガラス基板ＳＵＢ１あ
るいはＳＵＢ２のそれと近付けることができ、該ガラス
基板ＳＵＢ１あるいはＳＵＢ２をスクライブする際に、
シール材ＳＬによるガラス基板の切断線ＣＬへの圧縮応
力が回避でき、マイクロクロックやかけの発生を抑制し
て分断することができるようになる。
【００４０】なお、該シール材ＳＬを用いることによ
り、上述した効果を充分に奏することから、各ガラス基
板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のカッテングをする際に特にレー
ザ光線の走査によってスクライブする必要はなく、たと
えば従来行われていたカッタスクライブで分断のための
垂直クラックを形成後レーザ光線の走査によりブレーク
をするようにしてもよいことはいうまでもない。
り、上述した効果を充分に奏することから、各ガラス基
板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のカッテングをする際に特にレー
ザ光線の走査によってスクライブする必要はなく、たと
えば従来行われていたカッタスクライブで分断のための
垂直クラックを形成後レーザ光線の走査によりブレーク
をするようにしてもよいことはいうまでもない。
【００４１】実施例３．図４は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す図で、図１に対応した図であ
る。
装置の他の実施例を示す図で、図１に対応した図であ
る。
【００４２】図１と異なる構成は、たとえばガラス基板
ＳＵＢ２（ガラス基板ＳＵＢ１も同様）の液晶側の面で
あって、シール材ＳＬの形成領域の外方で、かつ切断線
ＣＬを超えた部分に、前記シール材ＳＬの各辺のそれぞ
れに平行な線状の膨張バランス皮膜ＢＣが形成されてい
る（この実施例では、シール材ＳＬの角の部分には形成
されていない）ことにある。
ＳＵＢ２（ガラス基板ＳＵＢ１も同様）の液晶側の面で
あって、シール材ＳＬの形成領域の外方で、かつ切断線
ＣＬを超えた部分に、前記シール材ＳＬの各辺のそれぞ
れに平行な線状の膨張バランス皮膜ＢＣが形成されてい
る（この実施例では、シール材ＳＬの角の部分には形成
されていない）ことにある。
【００４３】このことから、ガラス基板ＳＵＢ２におけ
る切断線ＣＬは、シール材ＳＬと膨張バランス皮膜ＢＣ
との間の領域に走行するようになっている。
る切断線ＣＬは、シール材ＳＬと膨張バランス皮膜ＢＣ
との間の領域に走行するようになっている。
【００４４】前記シール材ＳＬの線膨張係数は比較的大
きなものが用いられ、かつ、前記膨張バランス皮膜ＢＣ
はたとえばＳｉＯ2のように、ガラス基板ＳＵＢ２の膨
張係数よりも小さな膨張係数のものが用いられている。
きなものが用いられ、かつ、前記膨張バランス皮膜ＢＣ
はたとえばＳｉＯ2のように、ガラス基板ＳＵＢ２の膨
張係数よりも小さな膨張係数のものが用いられている。
【００４５】このようにした場合、ガラス基板ＳＵＢ２
の切断線ＣＬの近傍において、シール材ＳＬによって発
生する圧縮応力が前記膨張バランス皮膜ＢＣによって抑
制されることが確認される。
の切断線ＣＬの近傍において、シール材ＳＬによって発
生する圧縮応力が前記膨張バランス皮膜ＢＣによって抑
制されることが確認される。
【００４６】このため、該ガラス基板ＳＵＢ２に該切断
線ＣＬに沿ってスクライブを行った場合、その部分にマ
イクロクラック等の発生を回避させることができ、該ガ
ラス基板ＳＵＢ２の分離面での割れ、欠けを防止できる
ようになる。
線ＣＬに沿ってスクライブを行った場合、その部分にマ
イクロクラック等の発生を回避させることができ、該ガ
ラス基板ＳＵＢ２の分離面での割れ、欠けを防止できる
ようになる。
【００４７】なお、該シール材ＳＬを用いることによ
り、上述した効果を充分に奏することから、各ガラス基
板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のカッテングをする際に特にレー
ザ光線の走査によってスクライブする必要はなく、たと
えば従来行われていたカッタスクライブで分断のための
垂直クラックを形成後レーザ光線の走査によりブレーク
をするようにしてもよいことはいうまでもない。
り、上述した効果を充分に奏することから、各ガラス基
板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のカッテングをする際に特にレー
ザ光線の走査によってスクライブする必要はなく、たと
えば従来行われていたカッタスクライブで分断のための
垂直クラックを形成後レーザ光線の走査によりブレーク
をするようにしてもよいことはいうまでもない。
【００４８】図５は、図４と異なる他の実施例を示す図
で、図４と対応した図となっている。図４と異なる構成
は、たとえばガラス基板ＳＵＢ２（ガラス基板ＳＵＢ１
も同様）の液晶側と反対側の面において、シール材ＳＬ
の形成領域の外方で、かつ切断線ＣＬを超えた部分に、
前記シール材ＳＬの各辺のそれぞれに平行な線状の膨張
バランス皮膜ＢＣが形成されていることにある。
で、図４と対応した図となっている。図４と異なる構成
は、たとえばガラス基板ＳＵＢ２（ガラス基板ＳＵＢ１
も同様）の液晶側と反対側の面において、シール材ＳＬ
の形成領域の外方で、かつ切断線ＣＬを超えた部分に、
前記シール材ＳＬの各辺のそれぞれに平行な線状の膨張
バランス皮膜ＢＣが形成されていることにある。
【００４９】この場合、膨張バランス皮膜ＢＣは、ガラ
ス基板ＳＵＢ２の膨張係数よりも大きな材料を選択する
ことができ、たとえばシール材ＳＬと同様の材料を用い
ることができる。
ス基板ＳＵＢ２の膨張係数よりも大きな材料を選択する
ことができ、たとえばシール材ＳＬと同様の材料を用い
ることができる。
【００５０】このようにした場合でも、ガラス基板ＳＵ
Ｂ２の切断線ＣＬの近傍において、シール材ＳＬによっ
て発生する圧縮応力が前記膨張バランス皮膜ＢＣによっ
て抑制されることが確認される。
Ｂ２の切断線ＣＬの近傍において、シール材ＳＬによっ
て発生する圧縮応力が前記膨張バランス皮膜ＢＣによっ
て抑制されることが確認される。
【００５１】このため、該ガラス基板ＳＵＢ２に該切断
線ＣＬに沿ってスクライブを行った場合、その部分にマ
イクロクラック等の発生を回避させることができ、該ガ
ラス基板ＳＵＢ２の分離面での割れ、欠けを防止できる
ようになる。
線ＣＬに沿ってスクライブを行った場合、その部分にマ
イクロクラック等の発生を回避させることができ、該ガ
ラス基板ＳＵＢ２の分離面での割れ、欠けを防止できる
ようになる。
【００５２】したがって、該シール材ＳＬを用いること
により、上述した効果を充分に奏することから、各ガラ
ス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のカッテングをする際に特に
レーザ光線の走査によってスクライブする必要はなく、
たとえば従来行われていたカッタスクライブで分断のた
めの垂直クラックを形成後レーザ光線の走査によりブレ
ークをするようにしてもよい。
により、上述した効果を充分に奏することから、各ガラ
ス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のカッテングをする際に特に
レーザ光線の走査によってスクライブする必要はなく、
たとえば従来行われていたカッタスクライブで分断のた
めの垂直クラックを形成後レーザ光線の走査によりブレ
ークをするようにしてもよい。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置およびその製造方法によれ
ば、ガラス基板の端面に信頼性を有するものが得られ
る。
本発明による液晶表示装置およびその製造方法によれ
ば、ガラス基板の端面に信頼性を有するものが得られ
る。
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す説
明図である。
明図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全
体等価回路図である。
体等価回路図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す説
明図である。
明図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す説
明図である。
明図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す説
明図である。
明図である。
ＳＵＢ…ガラス基板、ＳＬ…シール材、ＢＣ…膨張バラ
ンス皮膜、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号
線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＰＩＸ…画素電極。
ンス皮膜、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号
線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＰＩＸ…画素電極。
フロントページの続き (72)発明者 舘村 誠 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 沢 真司 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 2H088 FA04 FA07 FA10 HA01 MA20 2H089 NA56 PA07 QA01 QA16 2H090 JA08 JB02 JD18 4G015 FA06 FA07 FB02 FC02 FC10
Claims (5)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各ガラス基
板と、該液晶を封止するとともに一方のガラス基板に対
する他方のガラス基板の固着を行うシール材とを備え、 前記各ガラス基板の端面はレーザ光の走査によって切断
された面となっていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶を介して対向配置される各ガラス基
板と、該液晶を封止するとともに一方のガラス基板に対
する他方のガラス基板の固着を行うシール材とを備え、 前記シール材は、その熱膨張率が前記各ガラス基板の熱
膨張率よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 シール材の熱膨張率は１０×１０-6／℃
以下であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項４】 一方のガラス基板に対し他方のガラス基
板が対向配置され、それら各ガラス基板の間に各ガラス
基板の固着を兼ねるシール材によって液晶が封入された
ものを用意する工程と、少なくとも一方のガラス基板を
前記シール材の外側にて切断する工程とからなり、 切断前の前記一方のガラス基板にはそのシール材側の面
において該シール材の外側であって切断する個所を超え
て該ガラス基板よりも熱膨張率の小さな膨張バランス皮
膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項５】 一方のガラス基板に対し他方のガラス基
板が対向配置され、それら各ガラス基板の間に各ガラス
基板の固着を兼ねるシール材によって液晶が封入された
ものを用意する工程と、少なくとも一方のガラス基板を
前記シール材の外側にて切断する工程とからなり、 切断前の前記一方のガラス基板にはそのシール材と反対
側の面において該シール材の外側であって切断する個所
を超えて該ガラス基板よりも熱膨張率の大きな膨張バラ
ンス皮膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092171A JP2002287107A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092171A JP2002287107A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002287107A true JP2002287107A (ja) | 2002-10-03 |
Family
ID=18946680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001092171A Pending JP2002287107A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002287107A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006220757A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Asahi Glass Co Ltd | 薄板ガラス積層体及び薄板ガラス積層体を用いた表示装置の製造方法 |
| JP2013032280A (ja) * | 2003-02-19 | 2013-02-14 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体パッケージ用カバーガラス |
| US9016091B2 (en) | 2009-11-25 | 2015-04-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| US9021836B2 (en) | 2009-11-25 | 2015-05-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| US9045365B2 (en) | 2008-06-23 | 2015-06-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Fusion-bonding process for glass |
| US9073778B2 (en) | 2009-11-12 | 2015-07-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method |
| US9181126B2 (en) | 2008-05-26 | 2015-11-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass fusion method |
| US9227871B2 (en) | 2009-11-25 | 2016-01-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| US9236213B2 (en) | 2009-11-25 | 2016-01-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| US9233872B2 (en) | 2009-11-25 | 2016-01-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| JP2016008172A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 貼り合わせ基板の分断方法 |
| JP2016008171A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 貼り合わせ基板の分断方法 |
| US9701582B2 (en) | 2009-11-25 | 2017-07-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| US9887059B2 (en) | 2009-11-25 | 2018-02-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method |
| US9922790B2 (en) | 2009-11-25 | 2018-03-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method |
| US10322469B2 (en) | 2008-06-11 | 2019-06-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Fusion bonding process for glass |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001092171A patent/JP2002287107A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013032280A (ja) * | 2003-02-19 | 2013-02-14 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体パッケージ用カバーガラス |
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| US9181126B2 (en) | 2008-05-26 | 2015-11-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass fusion method |
| US10322469B2 (en) | 2008-06-11 | 2019-06-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Fusion bonding process for glass |
| US9045365B2 (en) | 2008-06-23 | 2015-06-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Fusion-bonding process for glass |
| US9073778B2 (en) | 2009-11-12 | 2015-07-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method |
| US9236213B2 (en) | 2009-11-25 | 2016-01-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| US9227871B2 (en) | 2009-11-25 | 2016-01-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| US9021836B2 (en) | 2009-11-25 | 2015-05-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| US9233872B2 (en) | 2009-11-25 | 2016-01-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| US9701582B2 (en) | 2009-11-25 | 2017-07-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| US9887059B2 (en) | 2009-11-25 | 2018-02-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method |
| US9922790B2 (en) | 2009-11-25 | 2018-03-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method |
| US9016091B2 (en) | 2009-11-25 | 2015-04-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Glass welding method and glass layer fixing method |
| JP2016008172A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 貼り合わせ基板の分断方法 |
| JP2016008171A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 貼り合わせ基板の分断方法 |
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