JP2002280621A

JP2002280621A - レーザーモジュール、ペルチェモジュールおよびペルチェモジュール一体型ヒートスプレッダー

Info

Publication number: JP2002280621A
Application number: JP2001126218A
Authority: JP
Inventors: Mamoru Shimada; 守島田; Naoki Kimura; 直樹木村; Hajime Noda; 一野田; Yoshio Nakamura; 芳雄中村
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2001-01-15
Filing date: 2001-04-24
Publication date: 2002-09-27

Abstract

(57)【要約】【課題】ペルチェ素子モジュールの基板の中央部と端部
とにおいて温度のむらが生じて、熱輸送効率が低下する
ことがなく、ペルチェ素子モジュールの基板が破損する
ことなく、且つ、消費電力が小さい、信頼性の高いペル
チェ素子モジュール、ペルチェモジュール一体型ヒート
スプレッダー、および、レーザーモジュールを提供す
る。【解決手段】ｐ型およびｎ型熱電素子が交互に複数個配
列された熱電素子と、前記熱電素子を直列に接続するた
めに、前記熱電素子の両端部に配置された金属電極と、
前記金属電極と接続し、前記金属電極および前記熱電素
子を挟持するように対向して配置される、その表面の少
なくとも一部に、絶縁薄膜が形成された金属基板とから
なる、ペルチェ素子モジュ−ル。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザーチ
ップ及び光学系の温度を一定に保持するために使用され
る電子調温装置であるペルチェ素子モジュール、ペルチ
ェモジュール一体型ヒートスプレッダー、および、ペル
チェ素子モジュールを調温装置として備えたレーザーモ
ジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、レーザダイオードモジュールは、
光ファイバ通信、特に幹線系・ＣＡＴＶの信号光源やフ
ァイバアンプの励起光源として用いられている。このよ
うなレーザダイオードモジュールは、高出力および安定
動作を実現するために、ペルチェ素子モジュールを内蔵
し、そのペルチェ素子モジュール上部に搭載された基板
上にレーザダイオードチップ、フォトダイオードチッ
プ、レンズ等の光学部品、サーミスタ素子、インダク
タ、抵抗等の電気部品を配置している。

【０００３】一般に、２種の導体Ａ、Ｂを接続し、温度
一定で電流を流すと、導体Ａ、Ｂの接点で熱の発生また
は吸収がある。これをペルチェ効果という。この原理を
利用したものにペルチェ素子モジュールがある。図４に
従来のペルチェ素子モジュールを示す。図４に示すよう
に、熱電素子であるｐ型半導体エレメント１０１とｎ型
半導体エレメント１０２とを並列に交互に並べ、各半導
体エレメントの両端部には電極１０３、１０４が配置さ
れている。各半導体エレメントの両端部と電極とは、は
んだによって接合されている。ｐ型半導体エレメント１
０１とn型半導体１０２とは、交互に電極を介して、電
気的に直列に接合されている。

【０００４】更に、電極１０３、１０４と、熱電素子で
あるｐ型半導体エレメント１０１およびn型半導体１０
２とによって形成される電気回路を外部から電気的に絶
縁するために、１対の電気絶縁性基板１０５、１０６が
電極１０３、１０４のそれぞれの外側に設けられ、電極
と電気絶縁性基板とは、はんだによって接合されてい
る。このように、ペルチェ素子モジュールは、電極、ｐ
型半導体エレメントおよびn型半導体によって形成され
る電気回路が、２枚の電気絶縁性基板によって挟み込ま
れた構造を形成している。上述した電気絶縁性基板とし
て、通常セラミックが使用されている。上述したペルチ
ェ素子モジュールによって、電気絶縁性基板１０５側の
熱が電気絶縁性基板１０６側に移動され、電気絶縁性基
板１０５側が冷却される。

【０００５】レーザーダイオードモジュールは、光源で
ある半導体レーザーチップを安定的に発振させ、さらに
は熱による性能劣化を防ぐことが重要である。このため
に、半導体レーザーチップをマウント台を介してペルチ
ェ素子モジュールに接続し、半導体レーザーチップの温
度を常に一定に保持している。特に光ファイバー通信シ
ステムの一部として信号増幅用に使用されるポンプレー
ザーにおいては、波長と出力の安定性が要求されるため
に、特に精密な温度制御が必要とされている。

【０００６】光信号増幅器に使用されるポンプレーザー
においては、ペルチェ素子モジュールの基板には、通
常、セラミック材料であるアルミナ（A1₂Ｏ₃）が使用さ
れており、（このセラミック基板の上には、あらかじめ
金属メッキ層、あるいは金属薄膜層が設けられてい
る）。ペルチェ素子モジュールの下部基板とレーザーモ
ジュール底板との間は、はんだによって接合され、さら
にペルチェ素子モジュールの上部基板と半導体レーザー
マウント台との間も、はんだによって接合されている。

【０００７】

【発明が解決しょうとする課題】ペルチェ素子モジュー
ルの絶縁基板として使用されるアルミナ（A1₂Ｏ₃）は熱
伝導率が小さいために、半導体レーザーチップからマウ
ント台を介してアルミナ基板へ伝導してきた熱は、基板
外周部の全体にわたって十分に伝わらず、アルミナ基板
中央部では温度が高いけれども、アルミナ基板端部では
中央部に比べて温度が低くなる、いわゆる温度のむらが
生じる。

【０００８】このようなアルミナ基板面内において温度
のむらが生じた状況でペルチェ素子モジュールを駆動さ
せると、ペルチェ素子モジュールの中央部では、適度に
熱の輸送が行われるが、ペルチェ素子モジュールの辺縁
部においては熱輸送量が小さくなる。その結果、ペルチ
ェ素子モジュール全体としての熱輸送量が小さくなり、
ペルチェ素子モジュール駆動電力に対する熱輸送量、即
ち、熱輸送効率が低下するという問題が生じる。従っ
て、半導体レーザーチップから発生する熱を輸送するた
めに、より多くの電流エネルギーを消費することにな
る。

【０００９】上述した問題点を解決するために、マウン
ト台の底面の形状をペルチェ素子モジュールの基板の形
状と同一にするか、または、マウント台の底面の外形を
ペルチェ素子モジュールの基板の外形よりも大きくし
て、ペルチェ素子モジユールの基板の全面をマウント台
に接触させることによって、ペルチェ素子モジユールの
基板面内における温度分布を小さくするという手法も提
案されている。

【００１０】しかしながら、加熱および冷却によって、
ペルチェ素子モジユールの基板にそり変形が生じた場合
には、マウント台の板にまでそり変形が及び、半導体レ
ーザ、レンズ、光ファイバからなる光学系にずれが生じ
るという致命的欠陥が起きる危験性がより大きくなる。
このようなレーザーモジュールの光学系は、極めて精密
に調整がなされているため、わずかでも光学系にずれが
生じた場合には、レーザーモジュールとしての出力が顕
著に低下する。

【００１１】更に、ペルチェ素子モジュールの絶縁基板
として、熱伝導率の小さなアルミナ（A1₂Ｏ₃）を使用す
ると、基板の深度方向（即ち、板厚方向）における温度
勾配が大きくなり、結果として、ペルチェ素子モジュー
ルの駆動時における、熱電素子（回路）の高温側接合部
と低温側接合部との温度差が大きくなる。このように熱
電素子（回路）の高温側接合部と低温側接合都との温度
差が大きい状況で、一定の熱量を輸送するためには、ペ
ルチェ素子モジュールを駆動するために必要な電力がよ
り大きくなり、結果として、ペルチェ素子モジュールの
駆動電力に対する熱輸送量、即ち、熱輸送効率が低下す
るという問題が生じる。

【００１２】更に、ペルチェ素子モジュールの絶縁基板
として、熱伝導率の高い窒化アルミニウム（AｌN）を使
用することも提案されている。ペルチェ素子モジュール
の基板に窒化アルミニウム（AｌN）を使用することによ
って、ペルチェ素子モジュールの基板にアルミナ（A1₂
Ｏ₃）を使用した場合に、熱輸送効率が低下するという
従来の問題点を解決することはできる。

【００１３】しかしながら、窒化アルミニウム（AｌN）
は、レーザーモジュールの底板（即ちケース底板）およ
びマウント台に使用されているCuWと熱膨張率が異なる
ため、レーザーモジュールの駆動時に加熱または冷却に
よって膨張収縮した場合にも、ペルチェ素子モジュール
の絶縁基板とケース底板、または、マウント台との間の
膨張収縮量が異なり、接合はんだ面にかかる熱応力が大
きくなるという問題点がある。

【００１４】従って、繰り返し、はんだ接合面に熱応力
がかかった場合には、接合面においてクリープが生じ
る、または、剥離するといった問題点がある。更に、窒
化アルミニウム（AｌN）は、アルミナ（A1₂Ｏ₃）に比較
して、機械的強度が弱いという特性があるために、レー
ザーモジュールの駆動時に、加熱または冷却によって、
ペルチェ素子モジュールの絶縁基板に膨張収縮が生じた
場合に、ペルチェ素子モジュールの絶縁基板自体が破損
する危険性がより高まるという問題点があった。

【００１５】更に、レーザーモジュールは、一層高い出
力、および、少ない消費電力が要求されるようになって
きている。従って、ペルチェ素子モジュールの消費電力
そのものも小さくすることが要求されている。従って、
ペルチェ素子モジュールの基板の中央部と端部とにおい
て温度のむらが生じて、熱輸送効率が低下することがな
く、ペルチェ素子モジュールの基板が破損することな
く、且つ、消費電力が小さい、信頼性の高いペルチェ素
子モジュール、および、レーザーモジュールの提供が望
まれている。

【００１６】従って、この発明の目的は、ペルチェ素子
モジュールの基板の中央部と端部とにおいて温度のむら
が生じて、熱輸送効率が低下することがなく、ペルチェ
素子モジュールの基板が破損することなく、且つ、消費
電力が小さい、信頼性の高いペルチェ素子モジュール、
ペルチェモジュール一体型ヒートスプレッダー、およ
び、レーザーモジュールを提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した従
来の問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた。その結果、
ペルチェ素子モジュールの基板に、熱伝導率が高く、熱
膨張係数の小さい金属基板を使用し、金属電極と接合さ
れる金属基板の表面に特定の方法によって絶縁薄膜を形
成することによって、基板が破損することなく、消費電
力が小さく、熱輸送効率に優れた信頼性の高いペルチェ
素子モジュール、および、そのペルチェ素子モジュール
を備えたレーザーモジュールを提供することを知見し
た。更に、ヒートスプレッダーとして、上述したペルチ
ェ素子モジュールをＣＰＵとヒートスプレッダーとの間
に組み込んだペルチェモジュール一体型ヒートスプレッ
ダーを使用することによって、発熱量の大きなＣＰＵ等
の熱を効率的に放熱することができることを知見した。

【００１８】この発明は、上述した知見に基づいてなさ
れたものであって、この発明のペルチェ素子モジュ−ル
の第１の態様は、ｐ型およびｎ型熱電素子が交互に複数
個配列された熱電素子と、前記熱電素子を直列に接続す
るために、前記熱電素子の両端部に配置された金属電極
と、前記金属電極と接続し、前記金属電極および前記熱
電素子を挟持するように対向して配置される、その表面
の少なくとも一部に、絶縁薄膜が形成された金属基板と
からなる、ペルチェ素子モジュ−ルである。

【００１９】この発明のペルチェ素子モジュ−ルの第２
の態様は、前記絶縁薄膜が前記金属基板の表面のうち、
前記金属電極と接合する面に形成されていることを特徴
とする、ペルチェ素子モジュールである。

【００２０】この発明のペルチェ素子モジュ−ルの第３
の態様は、前記絶縁薄膜が前記金属基板の表面に、高周
波励起方式イオンプレーティングによって形成されてい
ることを特徴とする、ペルチェ素子モジュールである。

【００２１】この発明のペルチェ素子モジュ−ルのその
他の態様は、前記金属基板が、銅、銅合金、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、
タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合
金、ニッケル、ニッケル合金、銀、銀合金のいずれか１
つからなっていることを特徴とする、ペルチェ素子モジ
ュールである。

【００２２】この発明のペルチェ素子モジュ−ルのその
他の態様は、前記絶縁薄膜がシリカ（ＳｉＯ₂）、アル
ミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）また
は、ＭｇＯからなっていることを特徴とする、ペルチェ
素子モジュールである。

【００２３】この発明のペルチェ素子モジュ−ルのその
他の態様は、前記金属基板の厚さが１０マイクロメート
ル以上であり、そして、前記絶縁薄膜の厚さが１０ナノ
メートル以上１００マイクロメートル以下の範囲内であ
ることを特徴とする、ペルチェ素子モジュールである。

【００２４】この発明のレーザーモジュールの第１の態
様は、下記部材を備えたレーザーモジュールである。即
ち、（１）レイザーダイオード（ＬＤ）素子と、（２）
前記ＬＤ素子からのレーザ光を光ファイバに結合させる
ための光結合部材と、（３）前記ＬＤ素子の発振状態を
安定させるための、ｐ型およびｎ型熱電素子が交互に複
数個配列された熱電素子と、前記熱電素子を直列に接続
するために、前記熱電素子の両端部に配置された金属電
極と、前記金属電極と接続し、前記金属電極および前記
熱電素子を挟持するように対向して配置される、その表
面の少なくとも一部に、絶縁薄膜が形成された金属基板
とからなる、ペルチェ素子モジュ−ルとを備えた温度コ
ントロール部材。

【００２５】この発明のレーザーモジュールの第２の態
様は、前記ペルチェ素子モジュールの前記絶縁薄膜が前
記金属基板の表面のうち、前記金属電極と接合する面に
形成されていることを特徴とする、レーザーモジュール
である。

【００２６】この発明のレーザーモジュールの第３の態
様は、前記ペルチェ素子モジュールの前記絶縁薄膜が前
記金属基板の表面に、高周波励起方式イオンプレーティ
ングによって形成されていることを特徴とする、レーザ
ーモジュールである。

【００２７】この発明のペルチェモジュール一体型ヒー
トスプレッダーの第１の態様は、ｐ型およびｎ型熱電素
子が交互に複数個配列された熱電素子と、前記熱電素子
を直列に接続するために、前記熱電素子の両端部に配置
された金属電極と、前記金属電極と接続し、前記金属電
極および前記熱電素子を挟持するように対向して配置さ
れる、その表面の少なくとも一部に、絶縁薄膜が形成さ
れた２枚の金属基板とからなる、ペルチェ素子モジュ−
ルの、一方の側の前記金属基板が発熱素子に接続され、
他方の側の前記金属基板の端部が延伸されて脚部を形成
し、前記脚部が電子基板上に配置された前記発熱素子を
覆うように形成されたペルチェモジュール一体型ヒート
スプレッダーである。

【００２８】この発明のペルチェモジュール一体型ヒー
トスプレッダーの第２の態様は、前記他方の側の前記金
属基板の全周の端部が延伸されて脚部を形成し、前記脚
部が電子基板上に配置された前記発熱素子を完全に覆う
ように形成されたペルチェモジュール一体型ヒートスプ
レッダーである。

【００２９】この発明のペルチェモジュール一体型ヒー
トスプレッダーの第３の態様は、前記他方の側の前記金
属基板の一部の端部が延伸されて脚部を形成し、前記脚
部が電子基板上に配置された前記発熱素子を部分的に覆
うように形成されたペルチェモジュール一体型ヒートス
プレッダーである。

【００３０】この発明のペルチェモジュール一体型ヒー
トスプレッダーの第４の態様は、前記ペルチェモジュー
ル一体型ヒートスプレッダーに更に放熱フィンが設けら
れている、ペルチェモジュール一体型ヒートスプレッダ
ーである。

【００３１】この発明のレーザーモジュールのその他の
態様は、前記ペルチェ素子モジュールの前記金属基板
が、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、モ
リブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステ
ン合金、チタン、チタン合金、ニッケル、ニッケル合
金、銀、銀合金のいずれか１つからなっていることを特
徴とする、レーザーモジュールである。

【００３２】この発明のレーザーモジュールのその他の
態様は、前記ペルチェ素子モジュールの前記金属基板の
厚さが１０マイクロメートル以上であり、そして、前記
絶縁薄膜の厚さが１０ナノメートル以上１００マイクロ
メートル以下の範囲内であることを特徴とする、レーザ
ーモジュールである。

【００３３】

【発明の実施の形態】この発明のペルチェ素子モジュー
ルおよびレーザーモジュールについて図を参照しながら
詳細に説明する。この発明のペルチェ素子モジュ−ル
は、ｐ型およびｎ型熱電素子が交互に複数個配列された
熱電素子と、熱電素子を直列に接続するために、熱電素
子の両端部に配置された金属電極と、金属電極と接続
し、金属電極および熱電素子を挟持するように対向して
配置される、その表面の少なくとも一部に、絶縁薄膜が
形成された金属基板とからなる、ペルチェ素子モジュ−
ルである。図１は、この発明のペルチェ素子モジュール
を説明する概略図である。図１に示すように、熱電素子
であるｐ型半導体素子２とｎ型半導体素子３とを並列に
交互に並べ、各半導体素子の両端部には電極４、５が接
続して配置されている。各半導体素子の両端部と電極と
は、はんだによって接合されている。ｐ型半導体素子２
とn型半導体３とは、電極を介して、電気的に直列回路
を形成している。

【００３４】更に、電極４、５と、熱電素子であるｐ型
半導体素子２およびn型半導体３とによって形成される
電気回路を外部から電気的に絶縁するために、その表面
に絶縁薄膜８、９が形成された金属基板６、７が、電極
４、５のそれぞれの外側に設けられ、電極と絶縁薄膜が
形成された金属基板とは、はんだによって接合されてい
る。このように、この発明のペルチェ素子モジュール
は、電極、ｐ型半導体素子およびn型半導体素子によっ
て形成される電気回路が、その表面に絶縁薄膜が形成さ
れた２枚の金属基板によってサンドイッチ状に挟み込ま
れた構造を形成している。

【００３５】更に、上述した絶縁薄膜が金属基板の表面
のうち、金属電極と接合する面に形成されている。更
に、上述した絶縁薄膜が金属基板の表面に、高周波励起
方式イオンプレーティングによって形成されている。絶
縁薄膜として、セッラミック薄膜を使用することがで
き、例えば、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＭｇＯ等の
薄膜がある。更に、絶縁薄膜として、非伝導性の有機材
料の薄膜を使用してもよい。

【００３６】この発明のペルチェ素子モジュ−ルにおけ
る上述した金属基板は、銅、銅合金、アルミニウム、ア
ルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、タング
ステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニッ
ケル、ニッケル合金、銀、銀合金のいずれか１つからな
っている。タングステン合金（ｃｕＷ）は、熱伝導率が
高いため、ペルチェモジュールの消費電力をより低下さ
せることができ、さらにはレーザーダイオードモジュー
ル全体の消費電力を低下させることができる。モリブデ
ン合金を使用した場合には、熱膨張力が小さいために、
ペルチェモジュールを駆動させた場合の基板の変形が小
さくなると言う利点がある。また銅を使用した場合には
熱伝導率がより大きいために、さらにペルチェモジュー
ルの熱輸送効率を高めることができる。

【００３７】金属基板は、熱伝導性に優れ、且つ、所定
の範囲内（６．５〜８．３ ^-6／Ｋ）の線膨張率を有す
る金属からなっていることが好ましい。更に、上述した
金属基板の厚さは、１０マイクロメートル以上であり、
そして、絶縁薄膜の厚さは、１０ナノメートル以上１０
０マイクロメートル以下の範囲内であることが望まし
い。

【００３８】図３は、高周波励起方式イオンプレーティ
ングによって金属基板の表面に絶縁薄膜を形成する方法
の一例を説明する図である。図３に示すように、真空槽
３０内に設置された、陰極としての基板支持台２１に
は、基板２３が取付けられる。基板には、熱電対２２が
接続されている。真空槽３０の下部にはＲＦコイル２４
が設置されている。真空槽３０の外部には、基板支持台
２１を負電荷にする加速用直流電源２９、加速用直流電
源と接続された高周波電源２６、高周波電源と同軸ケー
ブル２７で接続されたマッチングボックス２５が配置さ
れている。更に、蒸発用電源２８が配置されている。

【００３９】上述した金属基板の表面に絶縁薄膜を形成
する方法は、真空槽３０の中で、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、
ＭｇＯ等の粒子を蒸発させ、蒸発粒子を高周波電界を利
用してイオン化する。即ち、蒸発した粒子（原子）は、
イオン化され、負電荷の基板に対して加速衝突して、緻
密で付着力の強い薄膜が形成される。このように形成さ
れた薄膜は、不純物の無い真空中での原子堆積によって
形成される膜であるので、緻密で平滑であり、時経変化
が少ない。更に、上述したように、イオン化された粒子
が負に印加された基板に対し運動エネルギーをもって衝
突するため、基板との付着力が強い。更に、比較的低温
で処理されるので、基板の温度上昇が少なく、素材のな
まし現象を懸念する必要が無い。

【００４０】本発明においては、上述したように、ペル
チェ素子モジュールの基板に、従来のセラミックに換え
て、熱伝導率が高いという特徴を有する金属を使用する
ことによって、基板自体にヒートスプレツダーとしての
機能を持たせている。このように基板にヒートスプレッ
ダーとしての機能を付加的に持たせることによって、基
板表面内における温度勾配が小さくなる。ペルチェ素子
モジュールの基板面内における温度勾配が小さくなるこ
とによって、ペルチェ素子モジュール全面で均等に熱を
輸送することができるようになる。

【００４１】従って、ペルチェ素子モジュールでの電力
消費量に対する熱輸送量、即ち、熱輸送効率を更に高め
ることができ、ペルチェ素子モジュール自体の効率を向
上させることができる。ペルチェ素子モジュールの使用
される環境において、ペルチェ素子モジュールの消費電
力を更に少なくすることが要請されており、この発明に
よって、消費電力が少なく、熱輸送効率の高いペルチェ
素子モジュールが提供される。

【００４２】次に、この発明のレーザーモジュールにつ
いて説明する。図２は、この発明のレーザーモジュール
を概略説明する図である。この発明のレーザーモジュー
ルは、例えば、光アンプ励起用ＬＤモジュールである。
励起用ＬＤモジュールは、ＬＤ素子と、ＬＤ素子からの
レーザ光を光ファイバに結合させる光学結合部分と、Ｌ
Ｄ素子の発振状態を安定させるための温度コントロール
部分とからなっている。

【００４３】即ち、この発明のレーザーモジュールは、
下記部材を備えたレーザーモジュールである。即ち、
（１）レイザーダイオード（ＬＤ）素子と、（２）前記
ＬＤ素子からのレーザ光を光ファイバに結合させるため
の光結合部材と、（３）ＬＤ素子の発振状態を安定させ
るための、ｐ型およびｎ型熱電素子が交互に複数個配列
された熱電素子と、熱電素子を直列に接続するために、
熱電素子の両端部に配置された金属電極と、金属電極と
接続し、金属電極および熱電素子を挟持するように対向
して配置される、その表面の少なくとも一部に、絶縁薄
膜が形成された金属基板とからなる、ペルチェ素子モジ
ュ−ルとを備えた温度コントロール部材。ペルチェ素子
モジュールの特徴は、上述した通りである。

【００４４】図２に示すように、レーザーモジュール１
０は、ＬＤ素子１１、第１レンズ１３、第２レンズ１
４、コア拡大ファイバ１５および気密ケース１７を備え
ている。LD素子１１は、第１レンズ１３との間に所定の
間隔をおいて、ベース１８上にチップキャリア１９を介
して設けられている。ベース１８は、気密ケース１７内
に設けた温度制御用のペルチェ素子モジュール１の上方
に配置されている。

【００４５】第１レンズ１３は、（図示しない）レンズ
ホルダにコリメータレンズが保持されている。レンズホ
ルダは、ベース１８に溶接固定されている。コリメータ
レンズは、高結合効率を得るために非球面レンズが使用
されている。第２レンズ１４は、レンズホルダに上下部
分を削り出した球レンズが保持されている。レンズホル
ダは、光軸に垂直な面内で位置調整して気密ケース１７
の挿着円筒に固定されている。

【００４６】コア拡大ファイバ１５は、コアを拡大させ
た先端側が光軸に対して約６°傾斜させて斜めに研磨さ
れるとともに研磨面に反射防止コーティングが施され、
先端側が金属筒２０内に接着されて保護されている。金
属筒２０は、（図示しない）調整部材の最適位置に溶接
固定されている。金属筒２０は、調整部材内でコア拡大
ファイバ１５の光軸方向に沿って前後方向にスライドさ
せたり、光軸廻りに回転させることにって調整部材の最
適位置に調整される。

【００４７】特に、本発明によるベルチエ素子モジュー
ルを、上述したように、レーザーモジュールの半導体レ
ーザーチップ（ＬＤ素子）の冷却に使用した場合には、
小型の半導体レーザーチップやマウント台からの熱を、
ペルチェ素子モジュールの基板内において十分に且つ均
一に拡散させることができるので、ペルチェ素子モジュ
ールが効果的に熱輸送を行うことができ、従来に比べ
て、ペルチェ素子モジュールの消費電力を低減させるこ
とができ、その結果、レーザーモジュール全体としても
消費電力を低減させることができる。

【００４８】更に、本発明によるペルチェ素子モジュー
ルにおいては、ペルチェ素子モジュールの金属基板にヒ
ートスプレッダーとしての機能を持たせることによっ
て、基板内部における深度方向（即ち、板厚方向）の温
度差が小さくなる。更に、電気絶縁層として、金属基板
の表面に形成された薄膜を使用するので、熱伝導率の小
さな電気絶縁層における熱抵抗を十分に小さくすること
ができ、基板内部における深度方向の温度差が小さくな
る。

【００４９】このように基板内部における深度方向の温
度差を小さくすることによって、熱電素子回路の吸熱部
と発熱部との間の温度差が従来のペルチェ素子モジユー
ルと同一であっても、基板にセラミツクを使用した従来
のペルチェ素子モジュールに比べて、上部基板の上端部
と下部基板の下端部との間の温度差をより大きくするこ
とができる。その結果、熱移動効率を更に高めることが
できる。

【００５０】更に、本発明によるペルチェ素子モジュー
ルをレーザモジュールに使用した場合には、半導体レー
ザーチップとヒートシンクとの間の温度差を大きくする
ことが可能になり、外気温が高く、ヒートシンクの温度
が高い厳しい環境においても、安定的に半導体レーザー
チップの温度を一定に保つことができ、結果としてレー
ザーモジュールの出力を安定させることができる。

【００５１】更に、本発明のペルチェ素子モジュールに
おいては、基板の面内における熱拡散が十分に行われ
て、基板の中央部から周辺部へと十分に熱が拡散するの
で、従来に比べ、より大型のペルチェ素子モジュールを
製作した場合においても、ペルチェ素子モジュールの全
面（即ち、上部基板の全面から下部基板の全面）におい
て均一に熱輸送を行うことができる。その結果、従来よ
りも熱輸送量の大きなペルチェ素子モジュールをレーザ
ーモジュールに使用すると、より大出力の半導体レーザ
ーチップの調温に使用することができ、大出力でより安
定性の高いレーザーモジュールを製作することができ
る。

【００５２】本発明のペルチェ素子モジュールにおいて
は、基板として従来のセラミックと比較して、より弾性
が高い金属を使用しているので、基板または熱電材料の
加熱冷却によって基板に応力が生じた場合にも、割れや
破壊の生ずる危険性が小さくなり、本発明のペルチェ素
子モジュールをレザーモジュールに使用した場合には、
レーザーモジュールの信頼性を著しく向上させることが
できる。

【００５３】またこの発明のペルチェ素子モジュールに
おいて、絶縁層として、上述したように、高周波励起方
式イオンプレーティングによって金属基板の表面に形成
された絶縁薄膜を使用する。従って、ペルチェ素子モジ
ュールの駆動時に、加熱または冷却によって基板本体の
金属と絶縁層との間の線膨張率の相違によって基板に応
力が生じた場合においても、本発明における絶縁薄膜
は、緻密で、付着力が強く、且つ、十分に薄いので、絶
縁層が破壊する恐れがない。

【００５４】更に、本発明のペルチェ素子モジュールに
おいては、基板として、従来のセラミツクと比較してよ
り弾性が高い金属を使用しているので、基板の機械的強
度を維持しながら基板の薄型化を図ることができる。ま
た基板の薄型化を行った場合にも、基板がヒートスプレ
ツダーとしての機能を十分に果たすので、ペルチェ素子
モジュールとしての熱輸送効率が低下することがない。

【００５５】更に、従来のペルチェ素子モジュールで使
用されているセラミック絶縁基板の場合には、絶縁基板
は、レーザーモジュールの底板及び半導体レーザーのマ
ウント台と、はんだによって接合することができるよう
にするために、セラミツク基板の外表面に対して金属メ
ッキを行う必要があるけれども、本発明のペルチェ素子
モジュールにおいては、基板に金属を使用しているの
で、はんだによる接合が容易であり、メッキ処理などの
煩雑な表面処理を行う必要がない。

【００５６】ペルチェ素子モジュールの基板にCｕWを使
用するとき、はんだによって接合するマウント台及びケ
ース底面もCuWを使用すると、ペルチェ素子モジユール
の基板とマウント台及びケース底板との熱膨張係数が同
一であるので、レーザーモジュールを駆動し、加熱冷却
によって各部が膨張あるいは収縮した場合にも、それぞ
れの界面におけるはんだ接合部が破壊する懸念が小さく
なる。

【００５７】更に、この発明のペルチェモジュール一体
型ヒートスプレッダーは、ｐ型およびｎ型熱電素子が交
互に複数個配列された熱電素子と、熱電素子を直列に接
続するために、熱電素子の両端部に配置された金属電極
と、金属電極と接続し、金属電極および熱電素子を挟持
するように対向して配置される、その表面の少なくとも
一部に、絶縁薄膜が形成された２枚の金属基板とからな
る、ペルチェ素子モジュ−ルの、一方の側の金属基板が
発熱素子に接続され、他方の側の金属基板の端部が延伸
されて脚部を形成し、脚部が電子基板上に配置された発
熱素子を覆うように形成されたペルチェモジュール一体
型ヒートスプレッダーである。

【００５８】図４は、この発明のペルチェモジュール一
体型ヒートスプレッダーの１つの態様を示す図である。
図４に示すように、ｐ型熱電素子２およびｎ型熱電素子
３が交互に複数個配列された熱電素子を直列に接続する
金属電極４、５が熱電素子の両端部に配置されている。
更に、上述した金属電極４、５と接続し、そして、金属
電極４、５および熱電素子２、３を挟持するように、そ
の表面に絶縁薄膜８、９が形成された２枚の金属基板
６、７が対向して配置されている。

【００５９】回路基板４１上には発熱素子（ＣＰＵ）４
２が搭載されており、金属基板７と、接着剤（例えば、
エポキシ接着剤）４３を介して熱的に接続されている。
金属基板６は、その端部が（例えば、下方に）延伸され
て、脚部を形成し、脚部の端部が電子（回路）基板４１
上に配置された発熱素子４２を覆っている。このように
脚部によってヒートスプレッダーと回路基板との間に発
熱素子とペルチェ素子を挟むことによって、熱的接合を
より確実にすることができる。

【００６０】ＣＰＵとペルチェモジュールとの間の接合
は、エポキシ接着剤を使用し、ペルチェモジュールとヒ
ートスプレッダーとの間は、はんだによって接合する。
この場合には、ＣＰＵにエポキシ接着剤を介して接触す
るペルチェ基板（即ち、金属基板７）から熱を奪い、Ｃ
ＰＵとの間の温度差を大きくすることができる。温度差
が大きくなれば熱伝導率の低いエポキシ接着剤を介して
も十分に熱を伝えることができる。従って、ＣＰＵの温
度を十分に低下させることができる。これに対して、図
７に示す従来のヒートスプレッダーは、銅製であり、Ｃ
ＰＵ１１２とヒートスプレッダー１１０とはエポキシ系
接着剤１１３によって強固に結合されているが、エポキ
シ系接着剤の熱伝導率は１Ｗ／ｍ・℃と小さく、熱抵抗
が大きく、ＣＰＵの温度を十分に低下させることができ
ない。

【００６１】更に、この発明のペルチェモジュール一体
型ヒートスプレッダーにおいては、上述した金属基板の
全周の端部が延伸されて脚部を形成し、脚部が電子基板
上に配置された発熱素子を完全に覆ってもよい。更に、
上述した金属基板の一部の端部が延伸されて脚部を形成
し、脚部が電子基板上に配置された発熱素子を部分的に
覆ってもよい。このようにＣＰＵ（発熱素子）を金属基
板で覆うことによって、パソコン等の組立時にＣＰＵが
他の部材と機械的に接触して破壊されるのを防止するこ
とができると共に、他の電子部品から発生する電磁波か
らＣＰＵを保護する機能を付与することができる。即
ち、発熱素子およびペルチェモジュールを四方から囲む
キャップ状のヒートスプレッダーであるので、電磁ノイ
ズの出入を防ぎ、周囲へのＥＭＩ対策が期待できる。更
に、表面積が大きくなるので、放熱効果も向上する。

【００６２】図５は、この発明のペルチェモジュール一
体型ヒートスプレッダーの別の態様を示す図である。こ
の態様においては、ｐ型熱電素子２およびｎ型熱電素子
３が交互に複数個配列された熱電素子を直列に接続する
金属電極４、５が熱電素子の両端部に配置されている。
更に、上述した金属電極４、５と接続し、そして、金属
電極４、５および熱電素子２、３を挟持するように、そ
の表面に絶縁薄膜８、９が形成された２枚の金属基板
６、７が対向して配置されている。回路基板４１上には
発熱素子（ＣＰＵ）４２が搭載されており、金属基板７
と、接着剤（例えば、エポキシ接着剤）４３を介して熱
的に接続されている。金属基板６は、その端部が（例え
ば、下方に）延伸されて、脚部を形成し、脚部の端部が
電子（回路）基板４１上に配置された発熱素子４２を覆
っている。更に、上述した金属基板６に更に、熱伝導シ
ートを介して、放熱フィン４５が設けられている。

【００６３】上述したように、この発明によると、ペル
チェ素子モジュールの基板の中央部と端部とにおいて温
度のむらが生じて、熱輸送効率が低下することがなく、
ペルチェ素子モジュールの基板が破損することなく、且
つ、消費電力が小さい、信頼性の高いペルチェ素子モジ
ュール、ペルチェモジュール一体型ヒートスプレッダ
ー、および、レーザーモジュールを提供することができ
る。

【００６４】

【実施例】以下に、実施例によって本発明を更に詳細に
説明する。実施例１図１に示すように、熱電素子であるp型半導体素子２とn
型半導体素子３とを並列に交互に配置し、熱電素子の端
部に電極を配置し、熱電素子の端部と銅製の電極とをは
んだによって接合した。この場合、ｐ型半導体素子およ
びn型半導体素子が電極を介して、電気的に直列回路を
構成している。このように接合された熱電素子および電
極によって形成される電気回路を、外部から電気的に絶
縁するために、電気絶縁性基板をそれぞれの電極の外側
に、熱電素子および電極をサンドイッチ状に挟持するよ
うに配置した。

【００６５】電気絶縁性基板として、縦１２ｍｍ、横１
０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの直方体状のCuWの板に、厚さ
１．７μｍのアルミナ（A1₂Ｏ₃）の薄膜を、真空蒸着に
よって形成して、基板の表面に電気絶縁薄膜が形成され
た基板を調製した。電気絶縁薄膜は、基板の6面のうち
の電極・熱電素子回路に接する面と、当該面に隣接する
4面の合計5面に形成された。

【００６６】このように調製された基板を電極とはんだ
で接合して、縦１２ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ１．６ｍｍ
のこの発明のペルチェ素子モジュールを作製した。この
ように作製されたこの発明のペルチェ素子モジュール
を、図２に示すようにレーザモジュールに組み込んで、
その作動状況を調査した。その結果、発振波長１．４８
μｍで、出力４００ｍＷのＬＤ（チップ単体の発熱量は
約６ｗ）の駆動が周囲温度７５℃において可能であっ
た。上述したところから明らかなように、この発明によ
ると、熱輸送効率に優れたペルチェ素子モジュール、お
よび、高出力の励起用ＬＤモジュールを得ることができ
る。

【００６７】実施例２図１に示すように、熱電素子であるp型半導体素子２とn
型半導体素子３とを並列に交互に配置し、熱電素子の端
部に電極を配置し、熱電素子の端部と銅製の電極とをは
んだによって接合した。この場合、ｐ型半導体素子およ
びn型半導体素子が電極を介して、電気的に直列回路を
構成している。このように接合された熱電素子および電
極によって形成される電気回路を、外部から電気的に絶
縁するために、電気絶縁性基板をそれぞれの電極の外側
に、熱電素子および電極をサンドイッチ状に挟持するよ
うに配置した。

【００６８】縦１２ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ
の直方体状の銅板の表面に、厚さ２．０μｍのシリカ
（SiO₂）の薄膜を、高周波励起方式イオンプレーティン
グによって形成して、その表面に電気絶縁薄膜が形成さ
れた電気絶縁性基板を調製した。電気絶縁薄膜は、銅板
の6面のうちの電極・熱電素子回路に接する面と、当該
面に隣接する4面の合計５面に形成された。このように
調製された基板を電極とはんだで接合して、縦１２ｍ
ｍ、横１０ｍｍ、厚さ１．６ｍｍのこの発明のペルチェ
素子モジュールを作製した。

【００６９】このように作製されたこの発明のペルチェ
素子モジュールを、図２に示すようにレーザモジュール
に組み込んで、その作動状況を調査した。その結果、発
振波長１．４８μｍで、出力４００ｍＷのＬＤ（チップ
単体の発熱量は約６ｗ）の駆動が、周囲温度７５℃にお
いて可能であった。上述したところから明らかなよう
に、この発明によると、熱輸送効率に優れたペルチェ素
子モジュール、および、高出力の励起用ＬＤモジュール
を得ることができる。

【００７０】実施例３図１に示すように、熱電素子であるp型半導体素子２とn
型半導体素子３とを並列に交互に配置し、熱電素子の端
部に電極を配置し、熱電素子の端部と銅製の電極とをは
んだによって接合した。この場合、ｐ型半導体素子およ
びn型半導体素子が電極を介して、電気的に直列回路を
構成している。このように接合された熱電素子および電
極によって形成される電気回路を、外部から電気的に絶
縁するために、電気絶縁性基板をそれぞれの電極の外側
に、熱電素子および電極をサンドイッチ状に挟持するよ
うに配置した。

【００７１】縦１２ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ
の直方体状のモリブデン合金板の表面に、厚さ２．０μ
ｍの窒化アルミニウム（AｌN ）の薄膜を、高周波励起
方式イオンプレーティングによって形成して、その表面
に電気絶縁薄膜が形成された電気絶縁性基板を調製し
た。電気絶縁薄膜は、モリブデン合金板の6面のうちの
電極・熱電素子回路に接する面と、当該面に隣接する4
面の合計5面に形成された。このように調製された基板
を電極とはんだで接合して、縦１２ｍｍ、横１０ｍｍ、
厚さ１．６ｍｍのこの発明のペルチェ素子モジュールを
作製した。

【００７２】このように作製されたこの発明のペルチェ
素子モジュールを、図２に示すようにレーザモジュール
に組み込んで、その作動状況を調査した。その結果、発
振波長１．４８μｍで、出力４００ｍＷのＬＤ（チップ
単体の発熱量は約６ｗ）の駆動が周囲温度７５℃におい
て可能であった。

【００７３】実施例４図４に示すように、熱電素子であるp型半導体素子２とn
型半導体素子３とを並列に交互に配置し、熱電素子の端
部に電極を配置し、熱電素子の端部と銅製の電極とをは
んだによって接合した。この場合、ｐ型半導体素子およ
びn型半導体素子が電極を介して、電気的に直列回路を
構成している。このように接合された熱電素子および電
極によって形成される電気回路を、外部から電気的に絶
縁するために、電気絶縁性基板をそれぞれの電極の外側
に、熱電素子および電極をサンドイッチ状に挟持するよ
うに配置した。

【００７４】次いで、脚部で四周を覆った形状の縦４０
ｍｍ×横４０ｍｍ×高さ４．０ｍｍのヒートスプレッダ
ーの銅板の、電極と接続する内側表面、および、縦１２
ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの直方体状の銅板の
表面に、厚さ２．０μｍのシリカ（SiO₂）の薄膜を、高
周波励起方式イオンプレーティングによって形成して、
その表面に電気絶縁薄膜が形成された、ヒートスプレッ
ダー、および、電気絶縁性基板を調製した。即ち、電気
絶縁薄膜は、電極・熱電素子回路に接する銅板の面に形
成された。このように調製されたヒートスプレッダー、
および、電気絶縁性基板を電極とはんだで接合して、縦
１２ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ１．６ｍｍのこの発明のペ
ルチェモジュールが接合されたヒートスプレッダーを作
製した。

【００７５】このように作製されたこの発明のペルチェ
素子モジュールが接合されたヒートスプレッダーを、図
４に示すように、基板に搭載されたＣＰＵにエポキシ接
着剤を介して、接続させ、ヒートスプレッダーの脚部を
基板に固定して、その作動状況を調査した。その結果、
雰囲気温度４５℃において、動作時のＣＰＵ表面温度を
５５℃に保つことが可能であった。

【００７６】上述したところから明らかなように、この
発明によると、熱輸送効率に優れたペルチェ素子モジュ
ール、ペルチェモジュール一体型ヒートスプレッダー、
および、高出力の励起用ＬＤモジュールを得ることがで
きる。

【００７７】なお、実施例において示すように、絶縁性
薄膜を直方体型基板のうちの電極・熱電素子回路に接す
る面と、当該面に隣接する4面の合計5面の全面に形成し
ても、基板のうちの熱電素子回路と接触する面のみに限
定して形成しても良い。

【００７８】上述したように、本発明のペルチェ素子モ
ジュールにおいては、熱電素子と電極とを挟持する絶縁
基板として、金属板に絶縁薄膜を設けた構造体を使用
し、基板にヒートスプレッダーとしての機能を併せて持
たせて、レーザーモジュールにおける半導体レーザーチ
ップの調温に使用しているので、半導体レーザーチップ
及び光学部品からの熱をペルチェ素子モジュールの基板
内において十分に、かつ、速やかに拡散させることがで
き、結果として、ペルチェ素子モジュール全面において
均一に熱輸送を行うことができる。

【００７９】更に、ペルチェ素子モジュールの全面にお
いて均一に熱輸送を行うことによって、ペルチェ素子モ
ジュールを駆動する際の電力のロスが軽減され、レーザ
ーダイオードモジュール全体としての消費電力の低減を
図ることができる。また将来的に半導体チップから発熱
量が増大した場合、または、より環境温度が高い設置条
件においても、半導体チップの精密な調温を実現するこ
とができる。

【発明の効果】上述したように、この発明によると、ペ
ルチェ素子モジュールの基板の中央部と端部とにおいて
温度のむらが生じて、熱輸送効率が低下することがな
く、ペルチェ素子モジュールの基板が破損することな
く、且つ、消費電力が小さい、信頼性の高いペルチェ素
子モジュール、ペルチェモジュール一体型ヒートスプレ
ッダー、および、レーザーモジュールを提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、この発明のペルチェ素子モジュールを
説明する概略図である。

【図２】図２は、この発明のレーザーモジュールを概略
説明する図である。

【図３】図３は、高周波励起方式イオンプレーティング
によって金属基板の表面に絶縁薄膜を形成する方法の一
例を説明する図である。

【図４】図４は、この発明のペルチェモジュール一体型
ヒートスプレッダーの１つの態様を示す図である。

【図５】図５は、この発明のペルチェモジュール一体型
ヒートスプレッダーの他の態様を示す図である。

【図６】図６は、従来のペルチェ素子モジュールを示す
図である。

【図７】図７は、従来のヒートスプレッダーを示す図で
ある。

【符号の説明】

１．この発明のペルチェ素子モジュール２．ｐ型半導体素子３．ｎ型半導体素子４．電極５．電極６．金属基板７．金属基板８．絶縁薄膜９．絶縁薄膜１０．レーザーモジュール１１．ＬＤ素子１２．サーミスタ１３．第１レンズ１４．第２レンズ１５．コア拡大ファイバ１６．ケース底板１７．気密ケース１８．ベース１９．チップキャリア２０．金属筒２１．基板支持台２２．熱電対２３．基板２４．ＲＦコイル２５．マッチングボックス２６．高周波電源２７．同軸ケーブル２８．蒸発用電源２９．加速用直流電源３０．真空槽３１．可変リークバブル３２．真空計４１．回路基板４２．ＣＰＵ４３．エポキシ接着剤４４．熱伝導シート４５．放熱フィン１０１．ｐ型半導体エレメント１０２．ｎ型半導体エレメント１０３．電極１０４．電極１０５．電気絶縁性基板（セラミック）１０６．電気絶縁性基板（セラミック）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｓ 5/024 Ｈ０１Ｓ 5/024 Ｈ０５Ｋ 7/20 Ｈ０５Ｋ 7/20 Ｓ (72)発明者野田一東京都千代田区丸の内２丁目６番１号古河電気工業株式会社内 (72)発明者中村芳雄東京都千代田区丸の内２丁目６番１号古河電気工業株式会社内Ｆターム(参考） 5E322 AA01 DC01 EA11 5F036 AA01 BA33 BB05 BB08 5F073 AB21 AB27 AB28 FA06 FA25

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ｐ型およびｎ型熱電素子が交互に複数個配
列された熱電素子と、前記熱電素子を直列に接続するために、前記熱電素子の
両端部に配置された金属電極と、前記金属電極と接続し、前記金属電極および前記熱電素
子を挟持するように対向して配置される、その表面の少
なくとも一部に、絶縁薄膜が形成された金属基板とから
なる、ペルチェ素子モジュ−ル。
【請求項２】前記絶縁薄膜が前記金属基板の表面のう
ち、前記金属電極と接合する面に形成されていることを
特徴とする、請求項1に記載のペルチェ素子モジュー
ル。
【請求項３】前記絶縁薄膜が前記金属基板の表面に、高
周波励起方式イオンプレーティングによって形成されて
いることを特徴とする、請求項１または２に記載のペル
チェ素子モジュール。
【請求項４】下記部材を備えたレーザーモジュール：（１）レイザーダイオード（ＬＤ）素子と、（２）前記
ＬＤ素子からのレーザ光を光ファイバに結合させるため
の光結合部材と、（３）前記ＬＤ素子の発振状態を安定
させるための、ｐ型およびｎ型熱電素子が交互に複数個
配列された熱電素子と、前記熱電素子を直列に接続する
ために、前記熱電素子の両端部に配置された金属電極
と、前記金属電極と接続し、前記金属電極および前記熱
電素子を挟持するように対向して配置される、その表面
の少なくとも一部に、絶縁薄膜が形成された金属基板と
からなる、ペルチェ素子モジュ−ルとを備えた温度コン
トロール部材。
【請求項５】前記ペルチェ素子モジュールの前記絶縁薄
膜が前記金属基板の表面のうち、前記金属電極と接合す
る面に形成されていることを特徴とする、請求項４に記
載のレーザーモジュール。
【請求項６】前記ペルチェ素子モジュールの前記絶縁薄
膜が前記金属基板の表面に、高周波励起方式イオンプレ
ーティングによって形成されていることを特徴とする、
請求項４または５に記載のレーザーモジュール。
【請求項７】ｐ型およびｎ型熱電素子が交互に複数個配
列された熱電素子と、前記熱電素子を直列に接続するた
めに、前記熱電素子の両端部に配置された金属電極と、
前記金属電極と接続し、前記金属電極および前記熱電素
子を挟持するように対向して配置される、その表面の少
なくとも一部に、絶縁薄膜が形成された２枚の金属基板
とからなる、ペルチェ素子モジュ−ルの、一方の側の前
記金属基板が発熱素子に接続され、他方の側の前記金属
基板の一部が延伸されて脚部を形成し、前記脚部が電子
基板上に配置された前記発熱素子を覆うように形成され
たペルチェモジュール一体型ヒートスプレッダー。
【請求項８】前記他方の側の前記金属基板の全周の端部
が延伸されて脚部を形成し、前記脚部が電子基板上に配
置された前記発熱素子を完全に覆うように形成された請
求項７に記載のペルチェモジュール一体型ヒートスプレ
ッダー。
【請求項９】前記他方の側の前記金属基板の一部の端部
が延伸されて脚部を形成し、前記脚部が電子基板上に配
置された前記発熱素子を部分的に覆うように形成された
請求項７に記載のペルチェモジュール一体型ヒートスプ
レッダー。
【請求項１０】前記ペルチェモジュール一体型ヒートス
プレッダーに更に放熱フィンが設けられている、請求項
７から９の何れか１項に記載のペルチェモジュール一体
型ヒートスプレッダー。