JP2002252445A - 印刷配線板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁基板上の全面に触媒核形成後フルアディテ
ィブ法により導電回路を形成する印刷配線板の微細導電
回路間の絶縁性を向上する。 【解決手段】絶縁基板３の接着剤層２表面に触媒核５を
形成した後、めっきレジスト６をパターニングする。次
いで絶縁基板３をアニオン界面活性剤含有水溶液で処理
した後、Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド触媒溶液に浸漬し、続
いてアクセラレータ溶液に浸漬して、めっきレジスト非
被覆部の接着剤層２表面のＰｄ―Ｓｎ混合コロイドを活
性化し、触媒核７に変化させた後、無電解銅めっきによ
り導電回路８を形成する。アニオン界面活性剤によりめ
っきレジスト６上へのＰｄ―Ｓｎ混合コロイド触媒の吸
着が抑制され、また、触媒核５の濃度を４×１０-8原子
モル／ｃｍ2以下に制御することによって、Ｌ／Ｓ＝２
５μｍ／２５μｍの微細導電回路８間の高電気絶縁性が
維持できる。
ィブ法により導電回路を形成する印刷配線板の微細導電
回路間の絶縁性を向上する。 【解決手段】絶縁基板３の接着剤層２表面に触媒核５を
形成した後、めっきレジスト６をパターニングする。次
いで絶縁基板３をアニオン界面活性剤含有水溶液で処理
した後、Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド触媒溶液に浸漬し、続
いてアクセラレータ溶液に浸漬して、めっきレジスト非
被覆部の接着剤層２表面のＰｄ―Ｓｎ混合コロイドを活
性化し、触媒核７に変化させた後、無電解銅めっきによ
り導電回路８を形成する。アニオン界面活性剤によりめ
っきレジスト６上へのＰｄ―Ｓｎ混合コロイド触媒の吸
着が抑制され、また、触媒核５の濃度を４×１０-8原子
モル／ｃｍ2以下に制御することによって、Ｌ／Ｓ＝２
５μｍ／２５μｍの微細導電回路８間の高電気絶縁性が
維持できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は印刷配線板の製造方
法に関し、特に絶縁基板の表面に無電解銅めっきにより
付加的に導体パターンを形成する方法、所謂フルアディ
ティブ法による印刷配線板の製造方法に関する。
法に関し、特に絶縁基板の表面に無電解銅めっきにより
付加的に導体パターンを形成する方法、所謂フルアディ
ティブ法による印刷配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の電子機器の発達による電子部品の
高密度化、多機能化への移行は著しく、印刷配線板に対
しても高密度配線が要求され、回路幅、回路間隔共さら
に狭まる傾向にある。このような、印刷配線板の高密度
配線化に対して、絶縁基板の表面に無電解銅めっきによ
り付加的に導体パターンを形成する方法、所謂フルアデ
ィティブ法による印刷配線板の製造方法が注目されてい
る。
高密度化、多機能化への移行は著しく、印刷配線板に対
しても高密度配線が要求され、回路幅、回路間隔共さら
に狭まる傾向にある。このような、印刷配線板の高密度
配線化に対して、絶縁基板の表面に無電解銅めっきによ
り付加的に導体パターンを形成する方法、所謂フルアデ
ィティブ法による印刷配線板の製造方法が注目されてい
る。
【０００３】フルアディティブ法によって得られた印刷
配線板は、従来のめっきとエッチングで回路を形成する
方法であるサブトラクティブ法で製造された印刷配線板
と比較して、回路の寸法精度が良く、また回路の断面形
状も矩形であるために回路幅、回路間隔の狭い、高密度
配線に適している。フルアディティブ法における回路の
寸法精度は、めっきレジスト層の寸法精度によって決ま
るために、レジスト層の寸法精度を制御することによっ
て、導体回路の高い寸法精度が得られやすい。
配線板は、従来のめっきとエッチングで回路を形成する
方法であるサブトラクティブ法で製造された印刷配線板
と比較して、回路の寸法精度が良く、また回路の断面形
状も矩形であるために回路幅、回路間隔の狭い、高密度
配線に適している。フルアディティブ法における回路の
寸法精度は、めっきレジスト層の寸法精度によって決ま
るために、レジスト層の寸法精度を制御することによっ
て、導体回路の高い寸法精度が得られやすい。
【０００４】フルアディティブ法による印刷配線板の一
般的な製造工程について図６を参照して説明する。エポ
キシガラス基板等のベース基板１００の表面にめっきの
密着増進用の接着剤層１０１を形成した絶縁基板１０２
をアルカリ性過マンガン酸塩溶液等の粗化溶液で粗化処
理（図６（ａ））し、次いで粗化された接着剤層１０１
の表面に無電解銅めっき用の触媒核１０３を付着させる
（図６（ｂ））。次に必要回路部を除く領域を耐めっき
液性を有するレジスト（めっきレジスト１０５）で覆う
（図６（ｃ））。この後、この基板全体を無電解銅めっ
き液中に浸漬することにより、図６（ｄ）のように、め
っきレジスト１０５で覆われない部分、即ち必要回路部
分に無電解銅めっきにより銅めっき膜を析出させて導電
回路１０６を形成し、印刷配線板２００を製造する。
般的な製造工程について図６を参照して説明する。エポ
キシガラス基板等のベース基板１００の表面にめっきの
密着増進用の接着剤層１０１を形成した絶縁基板１０２
をアルカリ性過マンガン酸塩溶液等の粗化溶液で粗化処
理（図６（ａ））し、次いで粗化された接着剤層１０１
の表面に無電解銅めっき用の触媒核１０３を付着させる
（図６（ｂ））。次に必要回路部を除く領域を耐めっき
液性を有するレジスト（めっきレジスト１０５）で覆う
（図６（ｃ））。この後、この基板全体を無電解銅めっ
き液中に浸漬することにより、図６（ｄ）のように、め
っきレジスト１０５で覆われない部分、即ち必要回路部
分に無電解銅めっきにより銅めっき膜を析出させて導電
回路１０６を形成し、印刷配線板２００を製造する。
【０００５】印刷配線板２００に両面を導通するための
スルーホールが必要な場合には、接着剤層１０１の粗化
前に貫通孔１０４（図６（ｂ））を形成し、表面の導電
回路を形成すると同時に無電解銅めっきにより貫通孔壁
を銅めっき膜で被覆してスルーホール１０７（図６
（ｄ））を形成する。
スルーホールが必要な場合には、接着剤層１０１の粗化
前に貫通孔１０４（図６（ｂ））を形成し、表面の導電
回路を形成すると同時に無電解銅めっきにより貫通孔壁
を銅めっき膜で被覆してスルーホール１０７（図６
（ｄ））を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来のフルアディティブ法で製造した印刷配線板では、
めっきレジスト５の下にめっき触媒核４が存在するため
に、回路間隔が１００μｍよりも小さくなると、吸湿等
によって回路間の電気絶縁信頼性が低下する問題があっ
た。これは、吸湿によって回路間に存在していた触媒核
がイオン化して回路間に印加される電圧で移動するため
である。
従来のフルアディティブ法で製造した印刷配線板では、
めっきレジスト５の下にめっき触媒核４が存在するため
に、回路間隔が１００μｍよりも小さくなると、吸湿等
によって回路間の電気絶縁信頼性が低下する問題があっ
た。これは、吸湿によって回路間に存在していた触媒核
がイオン化して回路間に印加される電圧で移動するため
である。
【０００７】特開昭６２―６９６９６号公報（以下、第
１の従来技術という）には、めっきレジストにシリコー
ンオイルやフッ素オイルを添加し、レジストの撥水性を
高め、触媒液（パラジウム―錫コロイド溶液）のレジス
ト表面への吸着を抑制し、非レジスト被覆面、即ち回路
が形成される箇所に触媒核を選択的に形成する技術が開
示されている。この技術では、めっきレジスト表面はレ
ジストの撥水性のために触媒が吸着し難く、また級吸着
した場合でも、触媒核とめっきレジストの密着性が小さ
いために、めっきレジストの触媒核は、高圧水洗等によ
り容易に除去できるので、回路間の絶縁性が改善される
というものである。
１の従来技術という）には、めっきレジストにシリコー
ンオイルやフッ素オイルを添加し、レジストの撥水性を
高め、触媒液（パラジウム―錫コロイド溶液）のレジス
ト表面への吸着を抑制し、非レジスト被覆面、即ち回路
が形成される箇所に触媒核を選択的に形成する技術が開
示されている。この技術では、めっきレジスト表面はレ
ジストの撥水性のために触媒が吸着し難く、また級吸着
した場合でも、触媒核とめっきレジストの密着性が小さ
いために、めっきレジストの触媒核は、高圧水洗等によ
り容易に除去できるので、回路間の絶縁性が改善される
というものである。
【０００８】また、特開平７―２９７５２０号公報（以
下、第２の従来技術という）には、銅金属コロイド溶液
を使用した選択的触媒核の形成方法が開示されている。
この技術では、絶縁基板にめっきレジストを形成後、銅
金属コロイドの触媒液で処理して銅金属触媒を絶縁基板
表面およびめっきレジスト面に吸着させ、次いでアルカ
リ性過マンガン酸塩水溶液で処理してめっきレジスト上
に吸着した銅金属触媒を除去し、導電回路を形成する箇
所（レジストの被覆されていない箇所）に銅金属触媒を
残すようにしている。銅金属触媒は酸化されやすいため
に、Ｐｄイオンとの置換反応によってＰｄ触媒に置き換
えるようにしている。この技術では、めっきレジスト上
と絶縁基板表面の銅金属触媒の密着性の差を利用してい
る。即ち、アルカリ性過マンガン酸塩水溶液により、め
っきレジスト上に吸着した銅触媒金属は絶縁基板表面の
銅触媒金属よりも早く溶解するために、アルカリ性過マ
ンガン酸塩水溶液の濃度を制御することにより、絶縁基
板表面のみに、銅触媒金属を残すことができる。レジス
ト下に銅触媒金属が存在しないために、回路間の絶縁性
が向上する。
下、第２の従来技術という）には、銅金属コロイド溶液
を使用した選択的触媒核の形成方法が開示されている。
この技術では、絶縁基板にめっきレジストを形成後、銅
金属コロイドの触媒液で処理して銅金属触媒を絶縁基板
表面およびめっきレジスト面に吸着させ、次いでアルカ
リ性過マンガン酸塩水溶液で処理してめっきレジスト上
に吸着した銅金属触媒を除去し、導電回路を形成する箇
所（レジストの被覆されていない箇所）に銅金属触媒を
残すようにしている。銅金属触媒は酸化されやすいため
に、Ｐｄイオンとの置換反応によってＰｄ触媒に置き換
えるようにしている。この技術では、めっきレジスト上
と絶縁基板表面の銅金属触媒の密着性の差を利用してい
る。即ち、アルカリ性過マンガン酸塩水溶液により、め
っきレジスト上に吸着した銅触媒金属は絶縁基板表面の
銅触媒金属よりも早く溶解するために、アルカリ性過マ
ンガン酸塩水溶液の濃度を制御することにより、絶縁基
板表面のみに、銅触媒金属を残すことができる。レジス
ト下に銅触媒金属が存在しないために、回路間の絶縁性
が向上する。
【０００９】特開平６―６９６３２号公報（以下、第３
の従来技術という）には、Ｐｄ―Ｓｎコロイド液により
触媒核（Ｐｄ―Ｓｎ）を絶縁基板上に吸着させた後、吸
着したＳｎを部分的に除去し、次いでめっきレジストを
形成した後、無電解銅めっきで導電回路を形成する技術
が開示されている。この技術では、一旦絶縁基板上に吸
着した触媒核のＰｄの濃度が１〜１０μｇ／ｃｍ2、錫
濃度が０．１〜２μｇ／ｃｍ2になるように塩酸溶液等
で処理し、めっきレジスト下の触媒核濃度を制御し、回
路間の絶縁抵抗の劣化を防止している。
の従来技術という）には、Ｐｄ―Ｓｎコロイド液により
触媒核（Ｐｄ―Ｓｎ）を絶縁基板上に吸着させた後、吸
着したＳｎを部分的に除去し、次いでめっきレジストを
形成した後、無電解銅めっきで導電回路を形成する技術
が開示されている。この技術では、一旦絶縁基板上に吸
着した触媒核のＰｄの濃度が１〜１０μｇ／ｃｍ2、錫
濃度が０．１〜２μｇ／ｃｍ2になるように塩酸溶液等
で処理し、めっきレジスト下の触媒核濃度を制御し、回
路間の絶縁抵抗の劣化を防止している。
【００１０】しかしながら、上記の第1〜第３の従来技
術では次のような課題があった。（１）第１の従来技術
では、めっきレジスト表面から触媒核を完全に除去する
ことは困難であり、めっきレジスト表面への無電解銅め
っきの析出を回避することが難しかった。（２）第２の
従来技術では、アルカリ性過マンガン酸塩水溶液によっ
て回路形成する箇所の銅金属触媒もエッチングされるた
めに、アルカリ性過マンガン酸塩水溶液の処理条件を厳
しく管理する必要があり、作業性に課題があった。
（３）第３の従来技術では、めっきレジスト下にはＰ
ｄ，Ｓｎが存在するために、回路間隙が１００μｍ以下
の場合には、吸湿によって回路間の絶縁性が低下する課
題があった。
術では次のような課題があった。（１）第１の従来技術
では、めっきレジスト表面から触媒核を完全に除去する
ことは困難であり、めっきレジスト表面への無電解銅め
っきの析出を回避することが難しかった。（２）第２の
従来技術では、アルカリ性過マンガン酸塩水溶液によっ
て回路形成する箇所の銅金属触媒もエッチングされるた
めに、アルカリ性過マンガン酸塩水溶液の処理条件を厳
しく管理する必要があり、作業性に課題があった。
（３）第３の従来技術では、めっきレジスト下にはＰ
ｄ，Ｓｎが存在するために、回路間隙が１００μｍ以下
の場合には、吸湿によって回路間の絶縁性が低下する課
題があった。
【００１１】従って、本発明は上記の従来技術における
問題点を解決し、フルアディティブ法によって、回路間
絶縁性の改善された印刷配線板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
問題点を解決し、フルアディティブ法によって、回路間
絶縁性の改善された印刷配線板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の印刷配線板の製
造方法の第１の構成は、少なくとも表面が絶縁性である
基板の表面に単独金属粒子からなる無電解めっき用の第
１の触媒核を形成する第１の工程と、前記基板上にめっ
きレジストをパターニングする第２の工程と、前記めっ
きレジストの形成されていない前記基板の表面に合金粒
子からなる無電解めっき用の第２の触媒核を形成する第
３の工程と、前記第１の触媒核および第２の触媒核が形
成された前記基板の表面に無電解めっき膜からなる導電
回路を形成する第４の工程とを含むことを特徴とする。
造方法の第１の構成は、少なくとも表面が絶縁性である
基板の表面に単独金属粒子からなる無電解めっき用の第
１の触媒核を形成する第１の工程と、前記基板上にめっ
きレジストをパターニングする第２の工程と、前記めっ
きレジストの形成されていない前記基板の表面に合金粒
子からなる無電解めっき用の第２の触媒核を形成する第
３の工程と、前記第１の触媒核および第２の触媒核が形
成された前記基板の表面に無電解めっき膜からなる導電
回路を形成する第４の工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】前記第１の触媒核の前記基板表面への形成
濃度により、前記第４の工程で形成した前記導電回路間
の電気絶縁性が大きな影響を受ける。前記導電回路間の
電気絶縁信頼性を保持するためには、前記導電回路間の
電気絶縁抵抗は１０9Ω以上が必要とされる。そのため
の前記第１の触媒核の前記絶縁基板表面への好ましい形
成濃度は、４×１０-8原子モル／ｃｍ2以下である。
濃度により、前記第４の工程で形成した前記導電回路間
の電気絶縁性が大きな影響を受ける。前記導電回路間の
電気絶縁信頼性を保持するためには、前記導電回路間の
電気絶縁抵抗は１０9Ω以上が必要とされる。そのため
の前記第１の触媒核の前記絶縁基板表面への好ましい形
成濃度は、４×１０-8原子モル／ｃｍ2以下である。
【００１４】前記第１の触媒核の形成濃度が小さい程、
前記導電回路間の絶縁性は向上するが、本発明では、前
記第１の触媒核を前記めっきレジストのパターン間（め
っきレジストで覆われない前記基板表面領域で、無電解
銅めっきにより導電回路が形成される領域）に存在さ
せ、前記第３の工程における該領域への前記第２の触媒
核の形成を促進させるために使用するために、前記第１
の触媒核の形成濃度の下限を４．７×１０-9原子モル／
ｃｍ2とする。該第１の触媒核としては、パラジウム
（Ｐｄ）または銅（Ｃｕ）の金属粒子を使用することが
できる。
前記導電回路間の絶縁性は向上するが、本発明では、前
記第１の触媒核を前記めっきレジストのパターン間（め
っきレジストで覆われない前記基板表面領域で、無電解
銅めっきにより導電回路が形成される領域）に存在さ
せ、前記第３の工程における該領域への前記第２の触媒
核の形成を促進させるために使用するために、前記第１
の触媒核の形成濃度の下限を４．７×１０-9原子モル／
ｃｍ2とする。該第１の触媒核としては、パラジウム
（Ｐｄ）または銅（Ｃｕ）の金属粒子を使用することが
できる。
【００１５】前記第１の触媒核がＰｄ金属粒子の場合に
は、該Ｐｄ金属粒子は、パラジウムイオンにアンモニ
ア，ピリジン，ピリジン―３―スルフォン酸，２―アミ
ノピリジン等の配位子が結合したパラジウム錯イオンを
前記基板上に吸着させた後、ジメチルアミボラン、ホウ
化水素ナトリウム等の還元剤で還元して形成される。な
お、Ｐｄイオン１個に配位する配位子の数は２〜４個で
ある。
は、該Ｐｄ金属粒子は、パラジウムイオンにアンモニ
ア，ピリジン，ピリジン―３―スルフォン酸，２―アミ
ノピリジン等の配位子が結合したパラジウム錯イオンを
前記基板上に吸着させた後、ジメチルアミボラン、ホウ
化水素ナトリウム等の還元剤で還元して形成される。な
お、Ｐｄイオン１個に配位する配位子の数は２〜４個で
ある。
【００１６】前記第１の触媒核がＣｕ金属粒子の場合に
は、該Ｃｕ金属粒子は、前記基板に銅金属コロイドを吸
着して形成される。
は、該Ｃｕ金属粒子は、前記基板に銅金属コロイドを吸
着して形成される。
【００１７】上記の本発明の第１の構成においては、前
記第２の触媒核としては、パラジウム―錫合金粒子が使
用される。このパラジウム―錫合金粒子はパラジウム―
錫混合コロイドを含む触媒溶液に前記基板を接触させる
ことによって形成される。該合金粒子の前記めっきレジ
ストへの吸着を抑制するために、パラジウム―錫混合コ
ロイド水溶液に前記基板を接触させる前に、前記めっき
レジストをアニオン界面活性剤を含有する水溶液で処理
することができる。
記第２の触媒核としては、パラジウム―錫合金粒子が使
用される。このパラジウム―錫合金粒子はパラジウム―
錫混合コロイドを含む触媒溶液に前記基板を接触させる
ことによって形成される。該合金粒子の前記めっきレジ
ストへの吸着を抑制するために、パラジウム―錫混合コ
ロイド水溶液に前記基板を接触させる前に、前記めっき
レジストをアニオン界面活性剤を含有する水溶液で処理
することができる。
【００１８】本発明の印刷配線板の製造方法の第２の構
成は、少なくとも表面が絶縁性である基板の表面に単独
金属粒子からなる無電解めっき用の第１の触媒核を形成
する第１の工程と、前記基板上にめっきレジストをパタ
ーニングする第２の工程と、前記めっきレジストの形成
されていない前記基板の表面の前記第１の触媒核をイオ
ン置換反応により無電解めっき触媒性能を有する単独金
属粒子からなる第２の触媒核に置換する第３の工程と、
前記めっきレジストの形成されていない前記基板の表面
に合金粒子からなる無電解めっき用の第３の触媒核を形
成する第４の工程と、前記第２の触媒核および第３の触
媒核が形成された前記基板の表面に無電解めっき膜から
なる導電回路を形成する第５の工程とを含むことを特徴
とする。
成は、少なくとも表面が絶縁性である基板の表面に単独
金属粒子からなる無電解めっき用の第１の触媒核を形成
する第１の工程と、前記基板上にめっきレジストをパタ
ーニングする第２の工程と、前記めっきレジストの形成
されていない前記基板の表面の前記第１の触媒核をイオ
ン置換反応により無電解めっき触媒性能を有する単独金
属粒子からなる第２の触媒核に置換する第３の工程と、
前記めっきレジストの形成されていない前記基板の表面
に合金粒子からなる無電解めっき用の第３の触媒核を形
成する第４の工程と、前記第２の触媒核および第３の触
媒核が形成された前記基板の表面に無電解めっき膜から
なる導電回路を形成する第５の工程とを含むことを特徴
とする。
【００１９】上記の本発明の第２の構成では、前記第１
の工程で形成され、前記めっきレジストの形成されてい
ない前記基板表面に存在するＣｕ金属粒子からなる前記
第１の触媒核をイオン置換反応によってより安定なＰ
ｄ，ＡｇまたはＮｉの金属粒子からなる第２の触媒核に
転換し、前記めっきレジスト下の触媒核と前記めっきレ
ジストが形成されていない前記基板表面の触媒核を異な
る種類に変化させたことを特徴とする。本構成におけ
る、前記第１の触媒核の形成濃度も４．７×１０-9乃至
４×１０-8原子モル／ｃｍ2に設定される。
の工程で形成され、前記めっきレジストの形成されてい
ない前記基板表面に存在するＣｕ金属粒子からなる前記
第１の触媒核をイオン置換反応によってより安定なＰ
ｄ，ＡｇまたはＮｉの金属粒子からなる第２の触媒核に
転換し、前記めっきレジスト下の触媒核と前記めっきレ
ジストが形成されていない前記基板表面の触媒核を異な
る種類に変化させたことを特徴とする。本構成におけ
る、前記第１の触媒核の形成濃度も４．７×１０-9乃至
４×１０-8原子モル／ｃｍ2に設定される。
【００２０】上記の本発明の第２の構成においては、前
記第３の触媒核としては、パラジウム―錫合金粒子が使
用される。このパラジウム―錫合金粒子はパラジウム―
錫混合コロイドを含む触媒溶液に前記基板を接触させる
ことによって形成される。該合金粒子の前記めっきレジ
ストへの吸着を抑制するために、パラジウム―錫混合コ
ロイド水溶液に前記基板を接触させる前に、前記めっき
レジストをアニオン界面活性剤を含有する水溶液で処理
することができる。
記第３の触媒核としては、パラジウム―錫合金粒子が使
用される。このパラジウム―錫合金粒子はパラジウム―
錫混合コロイドを含む触媒溶液に前記基板を接触させる
ことによって形成される。該合金粒子の前記めっきレジ
ストへの吸着を抑制するために、パラジウム―錫混合コ
ロイド水溶液に前記基板を接触させる前に、前記めっき
レジストをアニオン界面活性剤を含有する水溶液で処理
することができる。
【００２１】本発明では、絶縁基板表面に触媒核を４×
１０-8原子モル／ｃｍ2以下の濃度に形成した後、めっ
きレジストをパターニングし、次いでアニオン界面活性
剤溶液で処理した後、パラジウム―錫混合コロイドを含
む触媒溶液で処理することに大きな技術的な特徴を有し
ている。アニオン界面活性剤溶液で処理することにより
めっきレジスト表面へのパラジウム―錫混合コロイドの
吸着が抑制され、また、めっきレジストパターン間に露
出した基板の表面に予め形成した触媒核は、パラジウム
―錫混合コロイドの吸着を促進する作用を有するため
に、めっきレジストパターン間への無電解めっき膜（無
電解銅めっき膜）の形成性が向上するとともに、優れた
導電回路間の電気絶縁信頼性を確保することができる。
１０-8原子モル／ｃｍ2以下の濃度に形成した後、めっ
きレジストをパターニングし、次いでアニオン界面活性
剤溶液で処理した後、パラジウム―錫混合コロイドを含
む触媒溶液で処理することに大きな技術的な特徴を有し
ている。アニオン界面活性剤溶液で処理することにより
めっきレジスト表面へのパラジウム―錫混合コロイドの
吸着が抑制され、また、めっきレジストパターン間に露
出した基板の表面に予め形成した触媒核は、パラジウム
―錫混合コロイドの吸着を促進する作用を有するため
に、めっきレジストパターン間への無電解めっき膜（無
電解銅めっき膜）の形成性が向上するとともに、優れた
導電回路間の電気絶縁信頼性を確保することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の印刷配線板の製造
方法の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明
する。
方法の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明
する。
【００２３】図１は、本発明の印刷配線板の製造方法の
第１の実施の形態を説明するための製造工程図であり、
図２は、本発明の印刷配線板の製造方法の第１の実施の
形態の触媒形成機構を説明するための工程図である。
第１の実施の形態を説明するための製造工程図であり、
図２は、本発明の印刷配線板の製造方法の第１の実施の
形態の触媒形成機構を説明するための工程図である。
【００２４】まず、図１（ａ）のように、エポキシ樹脂
ガラス基板のベース基板１の両面にエポキシ樹脂からな
る接着剤層２が形成された絶縁基板３を準備する。絶縁
基板３のエポキシ樹脂の代わりにポリイミド樹脂やエポ
キシ樹脂で変性されたポリイミド樹脂も使用することが
できる。
ガラス基板のベース基板１の両面にエポキシ樹脂からな
る接着剤層２が形成された絶縁基板３を準備する。絶縁
基板３のエポキシ樹脂の代わりにポリイミド樹脂やエポ
キシ樹脂で変性されたポリイミド樹脂も使用することが
できる。
【００２５】次に図１（ｂ）のように、Ｎ／Ｃドリルを
用いてスルーホール形成用の貫通孔４を形成した後、ア
ルカリ性過マンガン酸塩水溶液等の化学粗化水溶液を使
用して貫通孔４壁および接着剤層２の表面を親水化す
る。
用いてスルーホール形成用の貫通孔４を形成した後、ア
ルカリ性過マンガン酸塩水溶液等の化学粗化水溶液を使
用して貫通孔４壁および接着剤層２の表面を親水化す
る。
【００２６】次いで、ＰｄまたはＣｕの単独金属粒子か
らなる無電解めっき用触媒核５を接着剤２表面および貫
通孔壁４表面に形成する。ここで重要なことは、触媒核
５がめっきレジストに残存する場合、回路形成後の回路
間絶縁抵抗が１０9Ω以上になるように触媒核５の接着
剤層２上の形成濃度を規定することである。
らなる無電解めっき用触媒核５を接着剤２表面および貫
通孔壁４表面に形成する。ここで重要なことは、触媒核
５がめっきレジストに残存する場合、回路形成後の回路
間絶縁抵抗が１０9Ω以上になるように触媒核５の接着
剤層２上の形成濃度を規定することである。
【００２７】図４は、エポキシ樹脂系接着剤層上に形成
した触媒吸着濃度（μｇ／ｃｍ2）と回路間絶縁抵抗
（Ω）の関係の測定結果（回路幅（Ｌ）／回路間隙
（Ｓ）＝２５μｍ／２５μｍの場合）を示すグラフであ
る。
した触媒吸着濃度（μｇ／ｃｍ2）と回路間絶縁抵抗
（Ω）の関係の測定結果（回路幅（Ｌ）／回路間隙
（Ｓ）＝２５μｍ／２５μｍの場合）を示すグラフであ
る。
【００２８】図４において、曲線Ａは本発明で使用した
Ｐｄ単独粒子からなる触媒核を形成した場合の測定結果
であり、曲線Ｂは、従来のＰｄ−Ｓｎ混合コロイドの触
媒液を使用してＰｄ−Ｓｎ合金からなる触媒核を形成し
た場合の測定結果である。同じ触媒吸着量（重量）の場
合、本発明で使用するＰｄ単独金属粒子からなる触媒核
を形成した方が絶縁抵抗の低下は小さい。
Ｐｄ単独粒子からなる触媒核を形成した場合の測定結果
であり、曲線Ｂは、従来のＰｄ−Ｓｎ混合コロイドの触
媒液を使用してＰｄ−Ｓｎ合金からなる触媒核を形成し
た場合の測定結果である。同じ触媒吸着量（重量）の場
合、本発明で使用するＰｄ単独金属粒子からなる触媒核
を形成した方が絶縁抵抗の低下は小さい。
【００２９】図５は、図４の曲線Ａの触媒吸着濃度の単
位を原子モル／ｃｍ2に換算して回路間絶縁抵抗（Ω）
との関係を示したグラフである。なお、Ｃｕの単独金属
粒子の触媒核５を形成した場合にも図５の関係が成立す
る。
位を原子モル／ｃｍ2に換算して回路間絶縁抵抗（Ω）
との関係を示したグラフである。なお、Ｃｕの単独金属
粒子の触媒核５を形成した場合にも図５の関係が成立す
る。
【００３０】本発明では、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍ
の導電回路を形成した場合、回路間絶縁抵抗が１０9Ω
以上の値が得られるように、安全性を考慮して４×１０
-8原子モル／ｃｍ2以下に触媒吸着量（第１の触媒核５
の濃度）を制御する。なお、触媒核５の形成濃度の下限
は、４．７×１０-9原子モル／ｃｍ2とする。この理由
については後述する。
の導電回路を形成した場合、回路間絶縁抵抗が１０9Ω
以上の値が得られるように、安全性を考慮して４×１０
-8原子モル／ｃｍ2以下に触媒吸着量（第１の触媒核５
の濃度）を制御する。なお、触媒核５の形成濃度の下限
は、４．７×１０-9原子モル／ｃｍ2とする。この理由
については後述する。
【００３１】触媒核５は、接着剤層２上へ次のような方
法によって形成できる。 （１）触媒核５がＰｄの単独金属粒子の場合には、パラ
ジウムイオンのアンモニア，ピリジン，ピリジン―３―
スルフォン酸，２―アミノピリジンなどの配位子の結合
したＰｄ錯イオンを絶縁基板３表面に吸着させ、これを
ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）や水素化ホウ素塩含
有水溶液に浸漬して化学的に還元して、Ｐｄの触媒核５
を形成する。 （２）触媒核５がＣｕの単独金属粒子の場合には、上記
の第２の従来技術に記載の銅触媒液等を使用して接着剤
層２の表面にＣｕ粒子からなる触媒核５を形成できる。
法によって形成できる。 （１）触媒核５がＰｄの単独金属粒子の場合には、パラ
ジウムイオンのアンモニア，ピリジン，ピリジン―３―
スルフォン酸，２―アミノピリジンなどの配位子の結合
したＰｄ錯イオンを絶縁基板３表面に吸着させ、これを
ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）や水素化ホウ素塩含
有水溶液に浸漬して化学的に還元して、Ｐｄの触媒核５
を形成する。 （２）触媒核５がＣｕの単独金属粒子の場合には、上記
の第２の従来技術に記載の銅触媒液等を使用して接着剤
層２の表面にＣｕ粒子からなる触媒核５を形成できる。
【００３２】触媒核５を形成後、図１（ｃ）のように、
めっきレジスト６を接着剤層２上にパターニングする。
めっきレジスト６の材料としては、エポキシ樹脂系の液
状またはドライフィルム状の感光性レジストを使用する
ことができる。めっきレジスト６をパターニング後、無
電解銅めっき液の耐性を向上させるために、１００℃以
上の温度で熱処理する。
めっきレジスト６を接着剤層２上にパターニングする。
めっきレジスト６の材料としては、エポキシ樹脂系の液
状またはドライフィルム状の感光性レジストを使用する
ことができる。めっきレジスト６をパターニング後、無
電解銅めっき液の耐性を向上させるために、１００℃以
上の温度で熱処理する。
【００３３】次に、めっきレジスト６が表面にパターニ
ングされた絶縁基板３を脱脂し、水洗した後、硫酸水溶
液で酸洗する。続いて、絶縁基板３を水洗後、アニオン
界面活性剤含有水溶液（一般にコンデイショナー溶液と
も呼ばれる）に浸漬した後、水洗する。アニオン界面活
性剤としては、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム
のようなアルキルフェニルスルホン酸塩、ポリオキシエ
チレンラウリルエーテル硫酸ナトリウムのようなポリオ
キシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチ
レンノニルフェニルエーテル硫酸ナトリウムのようなポ
リオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩等が
使用できる。これらの中から選ばれたアニオン界面活性
剤を２００〜３０００ｐｐｍの濃度に調整した水溶液を
使用する。アニオン界面活性剤含有水溶液は、液温１０
〜６０℃の範囲で使用される。
ングされた絶縁基板３を脱脂し、水洗した後、硫酸水溶
液で酸洗する。続いて、絶縁基板３を水洗後、アニオン
界面活性剤含有水溶液（一般にコンデイショナー溶液と
も呼ばれる）に浸漬した後、水洗する。アニオン界面活
性剤としては、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム
のようなアルキルフェニルスルホン酸塩、ポリオキシエ
チレンラウリルエーテル硫酸ナトリウムのようなポリオ
キシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチ
レンノニルフェニルエーテル硫酸ナトリウムのようなポ
リオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩等が
使用できる。これらの中から選ばれたアニオン界面活性
剤を２００〜３０００ｐｐｍの濃度に調整した水溶液を
使用する。アニオン界面活性剤含有水溶液は、液温１０
〜６０℃の範囲で使用される。
【００３４】次に、塩酸水溶液に浸漬後、酸性のＰｄ−
Ｓｎ混合コロイド触媒水溶液に浸漬してＰｄ―Ｓｎ混合
コロイドを貫通孔４壁表面および絶縁基板３表面に吸着
させる。続いて、水洗した後、硫酸水溶液またはホウフ
ッ酸水溶液で処理し、絶縁基板３表面に吸着したＰｄ―
Ｓｎ混合コロイドを活性化する。この処理によって絶縁
基板３の表面にはＰｄ―Ｓｎ合金からなる触媒核７が形
成される（図１（ｄ））。なお、貫通孔４壁表面にも触
媒核７が同時に形成される。
Ｓｎ混合コロイド触媒水溶液に浸漬してＰｄ―Ｓｎ混合
コロイドを貫通孔４壁表面および絶縁基板３表面に吸着
させる。続いて、水洗した後、硫酸水溶液またはホウフ
ッ酸水溶液で処理し、絶縁基板３表面に吸着したＰｄ―
Ｓｎ混合コロイドを活性化する。この処理によって絶縁
基板３の表面にはＰｄ―Ｓｎ合金からなる触媒核７が形
成される（図１（ｄ））。なお、貫通孔４壁表面にも触
媒核７が同時に形成される。
【００３５】Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド触媒水溶液は塩化
パラジウムを塩化第１錫で還元して形成された酸性のコ
ロイド水溶液である。Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド粒子は、
Ｐｄ金属粒子の周囲にＳｎ2+イオン、Ｓｎ4+イオンが吸
着し、さらに一番外側に塩素イオン等の負イオンが過剰
に吸着して全体に負に帯電したコロイド粒子であり、該
コロイド粒子は、水溶液中で互いに反発し合って安定に
存在している。
パラジウムを塩化第１錫で還元して形成された酸性のコ
ロイド水溶液である。Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド粒子は、
Ｐｄ金属粒子の周囲にＳｎ2+イオン、Ｓｎ4+イオンが吸
着し、さらに一番外側に塩素イオン等の負イオンが過剰
に吸着して全体に負に帯電したコロイド粒子であり、該
コロイド粒子は、水溶液中で互いに反発し合って安定に
存在している。
【００３６】硫酸水溶液またはホウフッ酸水溶液等の酸
性水溶液（以下、アクセラレータ溶液という）で絶縁基
板３の表面を処理すると、絶縁基板３の表面に過剰に吸
着されたＰｄ―Ｓｎ混合コロイド粒子は、アクセラレー
タ溶液に溶解すると同時に、絶縁基板３表面に残存した
Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド粒子は再配置して無電解めっき
の触媒性能を有する活性なＰｄ―Ｓｎ合金からなる触媒
核７となる。
性水溶液（以下、アクセラレータ溶液という）で絶縁基
板３の表面を処理すると、絶縁基板３の表面に過剰に吸
着されたＰｄ―Ｓｎ混合コロイド粒子は、アクセラレー
タ溶液に溶解すると同時に、絶縁基板３表面に残存した
Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド粒子は再配置して無電解めっき
の触媒性能を有する活性なＰｄ―Ｓｎ合金からなる触媒
核７となる。
【００３７】めっきレジスト６表面には、アニオン界面
活性剤含有水溶液で処理した際に、アニオン界面活性剤
分子が吸着される。Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド溶液で絶縁
基板３を処理する時に、このアニオン界面活性剤分子が
めっきレジスト６表面に残存しており、めっきレジスト
６表面へのＰｄ―Ｓｎ混合コロイドの吸着を妨害する働
きをする。めっきレジスト６表面に万一付着したＰｄ―
Ｓｎ混合コロイドはアクセラレータ溶液に溶解してめっ
きレジスト６表面から除去される。なお、Ｐｄ―Ｓｎ混
合コロイド触媒水溶液としては市販の塩化パラジウム―
塩化錫混合コロイド触媒水溶液が使用できる。
活性剤含有水溶液で処理した際に、アニオン界面活性剤
分子が吸着される。Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド溶液で絶縁
基板３を処理する時に、このアニオン界面活性剤分子が
めっきレジスト６表面に残存しており、めっきレジスト
６表面へのＰｄ―Ｓｎ混合コロイドの吸着を妨害する働
きをする。めっきレジスト６表面に万一付着したＰｄ―
Ｓｎ混合コロイドはアクセラレータ溶液に溶解してめっ
きレジスト６表面から除去される。なお、Ｐｄ―Ｓｎ混
合コロイド触媒水溶液としては市販の塩化パラジウム―
塩化錫混合コロイド触媒水溶液が使用できる。
【００３８】次に、図１（ｅ）のように、ＥＤＴＡを錯
化剤、ホルムアルデヒドを還元剤とする無電解銅めっき
液に浸漬して、貫通孔４壁表面とめっきレジスト６間に
銅めっき膜を厚さ１０〜２０μｍ被覆し、導電回路８と
スルーホール９を形成して印刷配線板１０が製造され
る。
化剤、ホルムアルデヒドを還元剤とする無電解銅めっき
液に浸漬して、貫通孔４壁表面とめっきレジスト６間に
銅めっき膜を厚さ１０〜２０μｍ被覆し、導電回路８と
スルーホール９を形成して印刷配線板１０が製造され
る。
【００３９】本発明は、ＰｄまたはＣｕの単独金属粒子
からなる触媒核５を４．７×１０-9乃至４×１０-8原子
モル／ｃｍ2接着剤層２上に形成後、めっきレジスト６
を形成し、次いでアニオン界面活性剤を含む水溶液で処
理後、Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド水溶液で処理した後、酸
洗し、めっきレジスト６間にＰｄ―Ｓｎ合金からなる触
媒核７を選択的に形成したことを大きな特徴とするもの
である。
からなる触媒核５を４．７×１０-9乃至４×１０-8原子
モル／ｃｍ2接着剤層２上に形成後、めっきレジスト６
を形成し、次いでアニオン界面活性剤を含む水溶液で処
理後、Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド水溶液で処理した後、酸
洗し、めっきレジスト６間にＰｄ―Ｓｎ合金からなる触
媒核７を選択的に形成したことを大きな特徴とするもの
である。
【００４０】次に、触媒核７の形成機構について説明す
る。図２は、本発明の印刷配線板の製造方法の第１の実
施の形態の触媒核７の形成機構を説明するための工程図
である。
る。図２は、本発明の印刷配線板の製造方法の第１の実
施の形態の触媒核７の形成機構を説明するための工程図
である。
【００４１】図２（ａ）は、接着剤層２上に触媒核５を
形成後、めっきレジスト６をパターニングした基板の状
態を示す。この基板をアニオン界面活性剤を含有する水
溶液（一般にコンデイショナー溶液とも呼ばれる）で処
理して水洗した後には、図２（ｂ）のように、めっきレ
ジスト６表面にはアニオン界面活性剤分子１２が吸着
し、マイナス電荷を帯びることになる。接着剤層２表面
は親水化され、マイナス電荷を帯びており、接着剤層２
表面にはアニオン界面活性剤分子１２は吸着しにくい。
形成後、めっきレジスト６をパターニングした基板の状
態を示す。この基板をアニオン界面活性剤を含有する水
溶液（一般にコンデイショナー溶液とも呼ばれる）で処
理して水洗した後には、図２（ｂ）のように、めっきレ
ジスト６表面にはアニオン界面活性剤分子１２が吸着
し、マイナス電荷を帯びることになる。接着剤層２表面
は親水化され、マイナス電荷を帯びており、接着剤層２
表面にはアニオン界面活性剤分子１２は吸着しにくい。
【００４２】次いで、水洗後、Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド
の触媒溶液に浸漬すると、Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイドは全
体で負に帯電しているために、めっきレジスト６上への
吸着は抑制され、接着剤層２上に吸着する（図２
（ｃ））。符号１３は接着剤層２上に吸着したＰｄ―Ｓ
ｎ混合コロイドからなる触媒核イオンを示す。接着剤層
２表面には触媒核５が存在し、これがＰｄ−Ｓｎ混合コ
ロイドの吸着を促進する働きをする。
の触媒溶液に浸漬すると、Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイドは全
体で負に帯電しているために、めっきレジスト６上への
吸着は抑制され、接着剤層２上に吸着する（図２
（ｃ））。符号１３は接着剤層２上に吸着したＰｄ―Ｓ
ｎ混合コロイドからなる触媒核イオンを示す。接着剤層
２表面には触媒核５が存在し、これがＰｄ−Ｓｎ混合コ
ロイドの吸着を促進する働きをする。
【００４３】上記のように、接着剤層２表面に吸着する
触媒核５の濃度が小さい程、回路間の絶縁性は向上する
が、Ｐｄ−Ｓｎ混合コロイドの吸着を促進するために
は、ある濃度以上存在する必要がある。この濃度は、実
験によると４．７×１０-9原子モル／ｃｍ2以上の濃度
であることがわかった。
触媒核５の濃度が小さい程、回路間の絶縁性は向上する
が、Ｐｄ−Ｓｎ混合コロイドの吸着を促進するために
は、ある濃度以上存在する必要がある。この濃度は、実
験によると４．７×１０-9原子モル／ｃｍ2以上の濃度
であることがわかった。
【００４４】次いで、アクセラレータ溶液に浸漬して、
めっきレジスト６間の接着剤層２表面に過剰に吸着され
たＰｄ−Ｓｎ混合コロイドの除去と同時にめっきレジス
ト６間の接着剤層２表面に残ったＰｄ−Ｓｎ混合コロイ
ドが活性化され、ＰｄリッチのＰｄ−Ｓｎ合金からなる
触媒核７がめっきレジスト６間に形成される（図２
（ｄ））。めっきレジスト６上にＰｄ−Ｓｎ混合コロイ
ドが吸着された場合には、このアクセラレータ溶液によ
り除去される。めっきレジスト６間には触媒核５および
触媒核７が存在することにより、無電解銅めっきが析出
しやすくなる効果がある。
めっきレジスト６間の接着剤層２表面に過剰に吸着され
たＰｄ−Ｓｎ混合コロイドの除去と同時にめっきレジス
ト６間の接着剤層２表面に残ったＰｄ−Ｓｎ混合コロイ
ドが活性化され、ＰｄリッチのＰｄ−Ｓｎ合金からなる
触媒核７がめっきレジスト６間に形成される（図２
（ｄ））。めっきレジスト６上にＰｄ−Ｓｎ混合コロイ
ドが吸着された場合には、このアクセラレータ溶液によ
り除去される。めっきレジスト６間には触媒核５および
触媒核７が存在することにより、無電解銅めっきが析出
しやすくなる効果がある。
【００４５】本発明では、めっきレジスト６下にはＰｄ
またはＣｕの単独金属粒子からなる触媒核５が存在する
ことになるが、その濃度は、従来の触媒残留量の１／２
〜１／３倍であり、回路間の絶縁信頼性が十分確保でき
る。
またはＣｕの単独金属粒子からなる触媒核５が存在する
ことになるが、その濃度は、従来の触媒残留量の１／２
〜１／３倍であり、回路間の絶縁信頼性が十分確保でき
る。
【００４６】次に、本発明の印刷配線板の製造方法の第
２の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明す
る。
２の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明す
る。
【００４７】図３は、本発明の印刷配線板の製造方法の
第２の実施の形態の触媒核形成機構を説明するための工
程図である。本実施の形態の印刷配線板の製造方法は、
上記の第１の実施の形態における触媒核５の形成を２段
階で行なう場合に相当する。即ち、図１（ａ）と同じよ
うに、表面に接着剤層２の形成された絶縁基板３に貫通
孔４（表示していない）を形成した後、化学粗化して接
着剤層２表面を親水化する。
第２の実施の形態の触媒核形成機構を説明するための工
程図である。本実施の形態の印刷配線板の製造方法は、
上記の第１の実施の形態における触媒核５の形成を２段
階で行なう場合に相当する。即ち、図１（ａ）と同じよ
うに、表面に接着剤層２の形成された絶縁基板３に貫通
孔４（表示していない）を形成した後、化学粗化して接
着剤層２表面を親水化する。
【００４８】次いで上記の第２の従来技術に記載の銅触
媒液等を使用して接着剤層２の表面にＣｕ金属粒子から
なる触媒核５ａを形成する。次に、めっきレジスト６を
パターニングする（図３（ａ））。触媒核５ａの接着剤
層２表面の濃度は、上記の第１の実施の形態と同様に、
４．７×１０-9乃至４×１０-8原子モル／ｃｍ2とす
る。
媒液等を使用して接着剤層２の表面にＣｕ金属粒子から
なる触媒核５ａを形成する。次に、めっきレジスト６を
パターニングする（図３（ａ））。触媒核５ａの接着剤
層２表面の濃度は、上記の第１の実施の形態と同様に、
４．７×１０-9乃至４×１０-8原子モル／ｃｍ2とす
る。
【００４９】次に、めっきレジスト６間のＣｕ金属から
なる触媒核５ａをイオンの置換反応によりＰｄ，Ａｇま
たはＮｉからなる触媒核５ｂに変換する（図３
（ｂ））。ＰｄおよびＡｇへの変換はそれぞれ塩化パラ
ジウム水溶液や硝酸銀水溶液に触媒核５ａを接触させる
ことによって通常の置換反応によってなされる。Ｎｉへ
の変換は、ＮｉがＣｕよりもイオン化傾向が大きいため
に、通常の置換反応では変換できない。そのために、塩
化ニッケル水溶液にチオ尿素などを添加してＣｕとＮｉ
のイオン化電位を逆転させる必要がある。即ち、触媒核
５ａをチオ尿素を含む塩化ニッケル水溶液に接触させる
と、銅の１価イオンがチオ尿素とキレートを形成するた
めに銅の酸化還元電位がニッケルの酸化還元電位よりも
卑となるために、Ｃｕの触媒核５ａをＮｉの触媒核５ｂ
に変換できる。触媒核５ｂは触媒核５ａよりも酸化しに
くいために、次の工程における触媒核イオン１３の吸着
性を促進する。
なる触媒核５ａをイオンの置換反応によりＰｄ，Ａｇま
たはＮｉからなる触媒核５ｂに変換する（図３
（ｂ））。ＰｄおよびＡｇへの変換はそれぞれ塩化パラ
ジウム水溶液や硝酸銀水溶液に触媒核５ａを接触させる
ことによって通常の置換反応によってなされる。Ｎｉへ
の変換は、ＮｉがＣｕよりもイオン化傾向が大きいため
に、通常の置換反応では変換できない。そのために、塩
化ニッケル水溶液にチオ尿素などを添加してＣｕとＮｉ
のイオン化電位を逆転させる必要がある。即ち、触媒核
５ａをチオ尿素を含む塩化ニッケル水溶液に接触させる
と、銅の１価イオンがチオ尿素とキレートを形成するた
めに銅の酸化還元電位がニッケルの酸化還元電位よりも
卑となるために、Ｃｕの触媒核５ａをＮｉの触媒核５ｂ
に変換できる。触媒核５ｂは触媒核５ａよりも酸化しに
くいために、次の工程における触媒核イオン１３の吸着
性を促進する。
【００５０】次いで、水洗後、Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイド
の触媒溶液に浸漬すると、Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイドは全
体で負に帯電しているために、めっきレジスト６上への
吸着は抑制され、接着剤層２上に吸着する（図３
（ｃ））。符号１３は接着剤層２上に吸着したＰｄ―Ｓ
ｎ混合コロイドからなる触媒核イオンを示す。接着剤層
２表面には触媒核５ｂが存在し、これがＰｄ―Ｓｎ混合
コロイドの吸着を促進する働きをする。
の触媒溶液に浸漬すると、Ｐｄ―Ｓｎ混合コロイドは全
体で負に帯電しているために、めっきレジスト６上への
吸着は抑制され、接着剤層２上に吸着する（図３
（ｃ））。符号１３は接着剤層２上に吸着したＰｄ―Ｓ
ｎ混合コロイドからなる触媒核イオンを示す。接着剤層
２表面には触媒核５ｂが存在し、これがＰｄ―Ｓｎ混合
コロイドの吸着を促進する働きをする。
【００５１】次いで、アクセラレータ溶液に浸漬して、
めっきレジスト６間の接着剤層２表面に過剰に吸着され
たＰｄ―Ｓｎ混合コロイドの除去と同時にめっきレジス
ト６間の接着剤層２表面に残ったＰｄ―Ｓｎ混合コロイ
ドが活性化され、ＰｄリッチのＰｄ―Ｓｎ合金からなる
触媒核７がめっきレジスト６間に形成される（図３
（ｄ））。めっきレジスト６上にＰｄ―Ｓｎ混合コロイ
ドが吸着された場合には、このアクセラレータ溶液によ
り除去される。めっきレジスト６間には触媒核５ｂおよ
び触媒核７が存在することにより、無電解銅めっきが析
出しやすくなる効果がある。
めっきレジスト６間の接着剤層２表面に過剰に吸着され
たＰｄ―Ｓｎ混合コロイドの除去と同時にめっきレジス
ト６間の接着剤層２表面に残ったＰｄ―Ｓｎ混合コロイ
ドが活性化され、ＰｄリッチのＰｄ―Ｓｎ合金からなる
触媒核７がめっきレジスト６間に形成される（図３
（ｄ））。めっきレジスト６上にＰｄ―Ｓｎ混合コロイ
ドが吸着された場合には、このアクセラレータ溶液によ
り除去される。めっきレジスト６間には触媒核５ｂおよ
び触媒核７が存在することにより、無電解銅めっきが析
出しやすくなる効果がある。
【００５２】上記の本発明の実施の形態では、絶縁基板
としてはエポキシ樹脂等の有機基板について説明した
が、本発明はセラミック基板についても適用でき、また
ベース基板には多層基板も使用することができる。ま
た、接着剤層が形成された絶縁基板の代わりに、接着剤
層を使用しない表面樹脂リッチのベース基板も使用する
ことができる。
としてはエポキシ樹脂等の有機基板について説明した
が、本発明はセラミック基板についても適用でき、また
ベース基板には多層基板も使用することができる。ま
た、接着剤層が形成された絶縁基板の代わりに、接着剤
層を使用しない表面樹脂リッチのベース基板も使用する
ことができる。
【００５３】上記の実施の形態では、無電解めっきは、
無電解銅めっきを使用した場合について説明したが、無
電解銅めっきの変わりに無電解ニッケルめっきの使用、
または無電解銅めっきと無電解ニッケルめっきの併用
（どちらが下地めっきでもよい）ができる。
無電解銅めっきを使用した場合について説明したが、無
電解銅めっきの変わりに無電解ニッケルめっきの使用、
または無電解銅めっきと無電解ニッケルめっきの併用
（どちらが下地めっきでもよい）ができる。
【００５４】以下、本発明を実施例を基にさらに具体的
に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はない。
に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はない。
【００５５】（実施例１）エポキシ樹脂ガラス基板上に
熱硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤層を厚さ５０μｍ
被覆して熱硬化し、絶縁基板を形成した。この絶縁基板
を液温６０℃のアルカリ性過マンガン酸ナトリウム水溶
液に５分間浸漬して接着剤層表面を親水化した。
熱硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤層を厚さ５０μｍ
被覆して熱硬化し、絶縁基板を形成した。この絶縁基板
を液温６０℃のアルカリ性過マンガン酸ナトリウム水溶
液に５分間浸漬して接着剤層表面を親水化した。
【００５６】次いで、水洗後、硫酸ヒドラジン水溶液で
接着剤層表面に残存している過マンガン酸イオンを還元
処理した。次いで水洗後、Ｐｄ錯化合物水溶液（ｐＨ＝
１０．５）に５分間浸漬後、水洗した。次に還元剤溶液
（ホウ化水素ナトリウム使用）で３分間還元して接着剤
層表面にＰｄを１．２μｇ／ｃｍ2（１．１２７×１０
-8原子モル／ｃｍ2）吸着形成した。このＰｄ吸着濃度
は、回路間絶縁抵抗（Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍの場
合）が約１０13Ωとなる場合に相当する。
接着剤層表面に残存している過マンガン酸イオンを還元
処理した。次いで水洗後、Ｐｄ錯化合物水溶液（ｐＨ＝
１０．５）に５分間浸漬後、水洗した。次に還元剤溶液
（ホウ化水素ナトリウム使用）で３分間還元して接着剤
層表面にＰｄを１．２μｇ／ｃｍ2（１．１２７×１０
-8原子モル／ｃｍ2）吸着形成した。このＰｄ吸着濃度
は、回路間絶縁抵抗（Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍの場
合）が約１０13Ωとなる場合に相当する。
【００５７】次に、水洗後、１２０℃で３０分間乾燥し
て冷却後、エポキシ樹脂系の液状感光性めっきレジスト
を厚さ約２０μｍ接着剤層上にＬ／Ｓ＝２５μｍ／２５
μｍでパターニングした。
て冷却後、エポキシ樹脂系の液状感光性めっきレジスト
を厚さ約２０μｍ接着剤層上にＬ／Ｓ＝２５μｍ／２５
μｍでパターニングした。
【００５８】次に、脱脂液に液温６０℃で５分間浸漬
後、水洗および酸洗した。次に、ドデシルベンゼンスル
ホン酸ナトリウムのアニオン界面活性剤含有コンデイシ
ョナー液に３分間浸漬した後水洗し、次いでＰｄ―Ｓｎ
混合コロイド水溶液に約３分間浸漬した。水洗後、アク
セラレータ（硫酸含有酸性溶液）に５分間浸漬した。水
洗した後、ＥＤＴＡを錯化剤とした無電解銅めっき液で
めっきし、めっきレジスト間に厚さ約２０μｍの無電解
銅めっき膜を析出させた。めっきレジスト上への無電解
銅めっきの析出が生じなかった。また、回路間の絶縁抵
抗も１０12Ω以上であり高絶縁性が確保できることが確
認された。
後、水洗および酸洗した。次に、ドデシルベンゼンスル
ホン酸ナトリウムのアニオン界面活性剤含有コンデイシ
ョナー液に３分間浸漬した後水洗し、次いでＰｄ―Ｓｎ
混合コロイド水溶液に約３分間浸漬した。水洗後、アク
セラレータ（硫酸含有酸性溶液）に５分間浸漬した。水
洗した後、ＥＤＴＡを錯化剤とした無電解銅めっき液で
めっきし、めっきレジスト間に厚さ約２０μｍの無電解
銅めっき膜を析出させた。めっきレジスト上への無電解
銅めっきの析出が生じなかった。また、回路間の絶縁抵
抗も１０12Ω以上であり高絶縁性が確保できることが確
認された。
【００５９】（実施例２）エポキシ樹脂ガラス基板上に
熱硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤層を厚さ５０μｍ
被覆して熱硬化し、絶縁基板を形成した。この絶縁基板
を液温６０℃のアルカリ性過マンガン酸ナトリウム水溶
液に５分間浸漬して接着剤層表面を粗化した。
熱硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤層を厚さ５０μｍ
被覆して熱硬化し、絶縁基板を形成した。この絶縁基板
を液温６０℃のアルカリ性過マンガン酸ナトリウム水溶
液に５分間浸漬して接着剤層表面を粗化した。
【００６０】次いで、水洗後、硫酸ヒドラジン水溶液で
接着剤層表面に残存している過マンガン酸イオンを還元
処理した。次いで水洗後、金属銅コロイド触媒溶液に浸
漬して接着剤層表面にＣｕ粒子からなる触媒核を約３×
１０-8原子モル／ｃｍ2（約１．９μｇ／ｃｍ2）濃度に
形成した。
接着剤層表面に残存している過マンガン酸イオンを還元
処理した。次いで水洗後、金属銅コロイド触媒溶液に浸
漬して接着剤層表面にＣｕ粒子からなる触媒核を約３×
１０-8原子モル／ｃｍ2（約１．９μｇ／ｃｍ2）濃度に
形成した。
【００６１】次に、水洗後、窒素雰囲気中で温度１２０
℃で３０分間乾燥して冷却後、エポキシ樹脂系の液状感
光性めっきレジストを厚さ約２０μｍ接着剤層上にＬ／
Ｓ＝２５μｍ／２５μｍでパターニングした。次に塩化
パラジウムの酸性水溶液に約３分間浸漬して、めっきレ
ジスト間のＣｕ粒子からなる触媒核をＰｄで置換した。
窒素雰囲気中で乾燥するのは、Ｃｕ粒子からなる触媒核
の酸化を抑制するためである。
℃で３０分間乾燥して冷却後、エポキシ樹脂系の液状感
光性めっきレジストを厚さ約２０μｍ接着剤層上にＬ／
Ｓ＝２５μｍ／２５μｍでパターニングした。次に塩化
パラジウムの酸性水溶液に約３分間浸漬して、めっきレ
ジスト間のＣｕ粒子からなる触媒核をＰｄで置換した。
窒素雰囲気中で乾燥するのは、Ｃｕ粒子からなる触媒核
の酸化を抑制するためである。
【００６２】次に、脱脂液に液温６０℃で５分間浸漬
後、水洗および酸洗した。次に、ドデシルベンゼンスル
ホン酸ナトリウムのアニオン界面活性剤含有コンデイシ
ョナー液に３分間浸漬した後水洗し、次いでＰｄ―Ｓｎ
混合コロイド触媒水溶液に約３分間浸漬した。水洗後、
アクセラレータ（硫酸含有酸性溶液）に５分間浸漬し
た。水洗した後、ＥＤＴＡを錯化剤とした無電解銅めっ
き液（液温約７０℃）でめっきし、めっきレジスト間に
厚さ約２０μｍの無電解銅めっき膜を析出させた。めっ
きレジスト上への無電解銅めっきの析出が生じなかっ
た。また、回路間の絶縁抵抗も１０11Ω以上であり高絶
縁性が確保できることが確認された。
後、水洗および酸洗した。次に、ドデシルベンゼンスル
ホン酸ナトリウムのアニオン界面活性剤含有コンデイシ
ョナー液に３分間浸漬した後水洗し、次いでＰｄ―Ｓｎ
混合コロイド触媒水溶液に約３分間浸漬した。水洗後、
アクセラレータ（硫酸含有酸性溶液）に５分間浸漬し
た。水洗した後、ＥＤＴＡを錯化剤とした無電解銅めっ
き液（液温約７０℃）でめっきし、めっきレジスト間に
厚さ約２０μｍの無電解銅めっき膜を析出させた。めっ
きレジスト上への無電解銅めっきの析出が生じなかっ
た。また、回路間の絶縁抵抗も１０11Ω以上であり高絶
縁性が確保できることが確認された。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、次の
効果が得られる。 （１）めっきレジストの下、即ち導体回路間に残存する
無電解銅めっき触媒の濃度を導体回路形成領域の触媒の
濃度の低下をなくして、従来の全面に触媒を形成する技
術の１／２〜１／３に低下させることができる。 （２）そのために、フルアディティブ法によって、回路
間の電気絶縁性を損なうことなく、絶縁樹脂の表面に従
来困難であった極めて回路間隔の狭いＬ／Ｓ＝２５μｍ
／２５μｍの高密度な回路を有する印刷配線板を製造す
ることができる。
効果が得られる。 （１）めっきレジストの下、即ち導体回路間に残存する
無電解銅めっき触媒の濃度を導体回路形成領域の触媒の
濃度の低下をなくして、従来の全面に触媒を形成する技
術の１／２〜１／３に低下させることができる。 （２）そのために、フルアディティブ法によって、回路
間の電気絶縁性を損なうことなく、絶縁樹脂の表面に従
来困難であった極めて回路間隔の狭いＬ／Ｓ＝２５μｍ
／２５μｍの高密度な回路を有する印刷配線板を製造す
ることができる。
【図１】本発明の印刷配線板の製造方法の第１の実施の
形態を説明するための製造工程図である。
形態を説明するための製造工程図である。
【図２】本発明の印刷配線板の製造方法の第１の実施の
形態の触媒核形成機構を説明するための工程図である。
形態の触媒核形成機構を説明するための工程図である。
【図３】本発明の印刷配線板の製造方法の第２の実施の
形態の触媒核形成機構を説明するための工程図である。
形態の触媒核形成機構を説明するための工程図である。
【図４】触媒吸着量と回路間絶縁抵抗の関係を示すグラ
フである。
フである。
【図５】触媒吸着量と回路間絶縁抵抗の関係を示すグラ
フである。
フである。
【図６】従来のフルアディティブ法による印刷配線板方
法を説明する製造工程図である。
法を説明する製造工程図である。
１，１００ ベース基板 ２，１０１ 接着剤層 ３，１０２ 絶縁基板 ４，１０４ 貫通孔 ５，５ａ，５ｂ，７，１０３ 触媒核 ６，１０５ めっきレジスト ８，１０６ 導電回路 ９，１０７ スルーホール １０，２００ 印刷配線板 １２ アニオン界面活性剤分子 １３ 触媒核イオン
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K022 AA04 AA13 AA15 AA18 AA42 BA08 BA14 BA35 BA36 CA06 CA18 CA19 CA20 CA21 CA22 CA24 DB29 5E343 AA02 AA07 AA15 AA17 AA18 BB24 CC34 CC37 CC48 CC52 CC55 CC62 CC71 CC73 CC76 DD33 EE02 EE13 EE37 EE39 ER02 ER05 ER12 ER16 ER18 ER32 GG14
Claims (19)
- 【請求項１】 少なくとも表面が絶縁性である基板の表
面に単独金属粒子からなる無電解めっき用の第１の触媒
核を形成する第１の工程と、前記基板上にめっきレジス
トをパターニングする第２の工程と、前記めっきレジス
トの形成されていない前記基板の表面に無電解めっき用
の第２の触媒核を形成する第３の工程と、前記第１の触
媒核および第２の触媒核が形成された前記基板の表面に
無電解めっき膜からなる導電回路を形成する第４の工程
とを含むことを特徴とする印刷配線板の製造方法。 - 【請求項２】 前記第３の工程が前記第２の触媒核を形
成する前に前記めっきレジスト表面をアニオン界面活性
剤含有水溶液で処理する工程を含むことを特徴とする請
求項１記載の印刷配線板の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１の工程が前記基板の表面に前記
第１の触媒核を形成する前に、前記基板の表面を親水化
する工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載
の印刷配線板の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１の触媒核がパラジウム（Ｐｄ）
または銅（Ｃｕ）の単独金属粒子からなることを特徴と
する請求項１，２または３記載の印刷配線板の製造方
法。 - 【請求項５】 前記第１の触媒核の濃度は、４．７×１
０-9乃至４×１０-8原子モル／ｃｍ2であることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の印刷配線板の製
造方法。 - 【請求項６】 前記第１の触媒核がパラジウム金属粒子
からなり、該パラジウム金属粒子は、前記基板に吸着さ
れたパラジウム錯イオンを化学的に還元して形成された
ものであることを特徴とする請求項１，２，３または５
記載の印刷配線板の製造方法。 - 【請求項７】 前記パラジウム錯イオンの配位子はアン
モニア，ピリジン，ピリジン―３―スルフォン酸，２―
アミノピリジンから選択された一つである請求項６記載
の印刷配線板の製造方法。 - 【請求項８】 前記第１の触媒核が銅金属粒子からな
り、該銅金属粒子は、前記基板に銅金属コロイドを吸着
させて形成したものであることを特徴とする請求項請求
項１，２，３または５記載の印刷配線板の製造方法。 - 【請求項９】 前記第２の触媒核がパラジウム―錫混合
コロイドを含む触媒溶液を使用して形成されたパラジウ
ム―錫合金からなることを特徴とする請求項１〜８のい
ずれかに記載の印刷配線板の製造方法。 - 【請求項１０】 少なくとも表面が絶縁性である基板の
表面に単独金属粒子からなる無電解めっき用の第１の触
媒核を形成する第１の工程と、前記基板上にめっきレジ
ストをパターニングする第２の工程と、前記めっきレジ
ストの形成されていない前記基板の表面の前記第１の触
媒核をイオン置換反応により無電解めっき触媒性能を有
する単独金属粒子からなる第２の触媒核に置換する第３
の工程と、前記めっきレジストの形成されていない前記
基板の表面に無電解めっき用の第３の触媒核を形成する
第４の工程と、前記第２の触媒核および第３の触媒核が
形成された前記基板の表面に無電解めっき膜からなる導
電回路を形成する第５の工程とを含むことを特徴とする
印刷配線板の製造方法。 - 【請求項１１】 前記第４の工程が前記第３の触媒核を
形成する前に前記めっきレジスト表面をアニオン界面活
性剤含有水溶液で処理する工程を含むことを特徴とする
請求項１０記載の印刷配線板の製造方法。 - 【請求項１２】 前記第１の工程が前記基板の表面に前
記第１の触媒核を形成する前に、前記基板の表面を親水
化する工程を含むことを特徴とする請求項１０または１
１記載の印刷配線板の製造方法。 - 【請求項１３】 前記第１の触媒核は、前記絶縁基板に
銅金属コロイドを吸着させて形成したものであることを
特徴とする請求項１０，１１または１２記載の印刷配線
板の製造方法。 - 【請求項１４】 前記第２の触媒核がパラジウム，銀ま
たはニッケルの金属粒子からなることを特徴とする請求
項１０〜１３のいずれかに記載の印刷配線板の製造方
法。 - 【請求項１５】 前記第１の触媒核の濃度が４．７×１
０-9乃至４×１０-8原子モル／ｃｍ2であることを特徴
とする請求項１０〜１４のいずれかに記載の印刷配線板
の製造方法。 - 【請求項１６】 前記第３の触媒核がパラジウム―錫混
合コロイドを含む触媒溶液を使用して形成されたパラジ
ウム―錫合金からなることを特徴とする請求項１０〜１
５のいずれかに記載の印刷配線板の製造方法。 - 【請求項１７】 前記無電解めっき膜が無電解銅めっき
膜，無電解ニッケル膜またはこれらの多層膜からなるこ
とを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の印刷
配線板の製造方法。 - 【請求項１８】 前記基板が有機樹脂基板またはセラミ
ック基板である請求項１〜１７のいずれかに記載の印刷
配線板の製造方法。 - 【請求項１９】 前記めっきレジストの材料として感光
性の液状レジストまたは感光性のドライフィルムレジス
トを使用することを特徴とする請求項１〜１８のいずれ
かに記載の印刷配線板の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001050812A JP2002252445A (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 印刷配線板の製造方法 |
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