JP2002231503A - チップ形抵抗器およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表裏電極膜範囲を均一化でき、セルフアライ
メント効果が発揮できるとともに、平坦性の確保により
ツームストン現象の発生を抑制可能にする。 【解決手段】 裏電極膜３と、抵抗体膜４と、アンダー
コート膜５と、トリミング溝６と、オーバーコート膜
と、表電極膜上層８とを設け、絶縁基板１の左右端面を
覆うように、または該左右端面を覆いかつ前記裏電極膜
２および表電極膜上層８の一部に重畳するようにスパッ
タ工法による端面電極膜９を形成し、前記裏電極膜２、
表電極膜上層８および端面電極膜９を電極めっき膜１０
により覆う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗体膜を配置し
た絶縁基板を分割して形成されるチップ形抵抗器および
そのチップ形抵抗器の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】昨今、携帯端末等の小形化と普及に伴っ
て極小寸法を有するチップ形抵抗器の供給が要請される
ようになった。そして、この極小寸法を有するチップ形
抵抗器の、小形電子機器における回路基板への採用と実
装に際しては、実装の効率化とはんだ接合の信頼性の確
保に向けて、部品メーカおよび機器メーカが協力するこ
とが望まれる。

【０００３】一方、部品メーカ等における前記チップ形
抵抗器の製造方法は、例えば下記の手順にて形成され
る。すなわち、まず、両面分割スリッド入りの絶縁基板
を用意し、これにメタルグレーズ（ＡｇまたはＡｇ・Ｐ
ｄ系グレーズ）の印刷を行って例えば約８５０℃で焼成
し、膜厚が８〜１２μｍの裏面電極を形成形成する。こ
の裏面電極は、一次方向分割スリッドを跨ぎ、さらに二
次方向分割スリッドから離間して形成するか、または一
次方向および二次方向の分割スリッドを跨いでスクリー
ン印刷により形成する。

【０００４】次に、絶縁基板にメタルグレーズ（Ａｇ・
Ｐｄ系グレーズ）を印刷、例えば８５０℃で焼成し、膜
層が８〜１２μｍの表電極膜下層を形成する。すなわ
ち、表電極膜下層は一次方向分割スリッドを跨ぎ、さら
に二次方向分割スリッドから離間して形成する。続い
て、一対の表電極膜下層間にＲｕＯ２ 系グレーズをス
クリーン印刷し、これを８５０℃で焼成して抵抗体膜を
形成し、その抵抗体膜上に硼珪酸鉛ガラスで二層化した
コート膜を形成する。

【０００５】このコート膜は抵抗体膜を覆い、二次方向
分割スリッドを跨いで形成して６００℃で焼成するアン
ダーコート膜と、このアンダーコート膜を覆い、二次方
向分割スリッドから離間して形成して６００℃で焼成す
るオーバーコート膜とからなる。なお、レーザ工法によ
る抵抗値調整のためのトリミング溝の刻設が、オーバー
コート膜形成前のアンダーコート膜上から行われる。続
いて、ＡｇまたはＡｇ・Ｐｄ系グレーズで一次方向およ
び二次方向の分割スリッドを跨いで、表電極膜下層上に
スクリーン印刷をし、これを６００℃で焼成して、約８
〜１２μｍの膜厚の表電極膜上層を形成した、いわゆる
表電極が二層化した構造に形成されている。

【０００６】短冊状に絶縁基板の分割基板に続き、Ａｇ
またはＡｇ・Ｐｄ系グレーズで表電極膜上層および裏電
極膜の一部に重畳するように印刷塗布し、約６００℃で
焼成して端面電極膜を形成し、この焼成後に個々のチッ
プに分割を行って、Ｎｉめっき膜に続くＳｎ系めっき膜
又はＳｎ・Ｐｂめっき膜を電極めっき膜として形成す
る。

【０００７】図１０はこのような従来のチップ形抵抗器
の製造工程を示し、以下、これを説明する。このチップ
形抵抗器は一次方向および二次方向に形成された分割ス
リットに絶縁基板を分割して、矩形のチップに形成され
る。図１０（ａ）乃至図１０（ｊ）はそのチップ単位で
見たチップ抵抗器の製造工程を示す。まず、図１０
（ａ）に示すように、矩形状に区画された絶縁基板１の
裏側の左右両端部に位置するように、該絶縁基板１の左
右の両端および前後両端までの領域、または図１０
（ｂ）に示すように、この前後両端から所定距離だけ離
間した領域に裏電極膜２を形成する。一方、前記絶縁基
板１の表側の左右両端部に位置するように、該絶縁基板
１の前後両端からそれぞれ所定距離離間した位置までの
領域に、図１０（ｃ）に示すような表電極膜下層３を形
成する。そして、図１０（ｄ）に示すように、前記の左
右両端部の表電極膜下層３どうしをこれらの一部に重な
るように抵抗体膜４により接続し、さらにその抵抗体膜
４を前記絶縁基板１の前後両端までアンダーコート膜５
にて、図１０（ｅ）に示すように覆う。また、このアン
ダーコート膜５の上から前記抵抗体膜４の抵抗値調整の
ために、図１０（ｆ）に示すようにトリミング溝６を刻
設し、前記絶縁基板１の前後両端まで、図１０（ｇ）に
示すように、前記アンダーコート膜５およびトリミング
溝６をオーバーコート膜７により覆う。

【０００８】次に、図１０（ｈ）に示すように、前記絶
縁基板１の左右両端および前後両端まで、前記表電極膜
下層３を表電極膜上層８にて覆い、前記絶縁基板１の左
右端面を覆うように、または、その左右端面を覆いかつ
前記裏電極膜２および表電極膜上層８の一部とに重畳す
るように、図１０（ｉ）に示すような端面電極膜９を形
成し、最後に、図１０（ｊ）に示すように、前記裏電極
膜２、表電極膜上層８および端面電極膜９を電極めっき
膜１０にて覆い、チップ形抵抗器を形成する。図１１は
このような工程を経て製造されたチップ抵抗器の図１０
（ｊ）のＡ−Ａ線における断面図であり、図１２は図１
１のＣ−Ｃ線における断面図である。また、図１３は、
裏電極にあって、図１０（ｂ）の実施態様における図１
１のＣーＣ線対応部位の断面図である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような従来のチップ抵抗器の製造方法では、両面分割ス
リッド入り絶縁基板を採用して、図１０（ａ）及び図１
０（ｈ）に図示するようにメタルグレーズの表裏電極膜
が分割スリッドに表裏電極膜材料が入り込んだ状態で機
械的応力で分割するので、分割面の仕上がり精度が得ら
れず、また絶縁基板、表裏電極膜のバリ、欠けが発生
し、仕上がり精度と寸法が厳密に要求される微小寸法を
有するチップ形抵抗器の製造には適さないという問題が
あった。

【００１０】また、図１０（ｂ）のように裏電極膜の形
成において、二次方向の分割スリッドから離間して形成
した実施態様もあるが、微小寸法のチップ形抵抗器にあ
っては、印刷の位置ズレが無視できず、確保すべき裏電
極膜範囲にバラツキが生じ、回路基板取付ランドへのは
んだ接合の際にセルフアライメント効果が希薄になり、
回路基板ランド、取付ランドに対して位置ズレが生じた
状態ではんだ結合されたり、はんだ結合強度の信頼性が
低下したり、回路基板の実装における部品隣接間隔が十
分に確保できないなどの不具合が生じていた。

【００１１】さらに、表裏電極膜の一部に重畳する所定
の膜厚を有するグレーズ系の端面電極膜の形成によっ
て、表裏電極上で不均一な段差を生じ、特に微小寸法を
有するチップ形抵抗器にあっては、回路基板ランドとの
はんだ溶融の際に、はんだの濡れ応力によって、ツーム
ストン現象（チップ立ち）が生じる要因になるという問
題があった。

【００１２】本発明は前記のような問題を解決するもの
であり、その目的とするところは、表側または裏側のい
ずれでも回路基板へ実装でき、すなわち、テーピング加
工してまたはバルクによるいずれの方法による供給も可
能にし、また、一次方向および二次方向の分割時に絶縁
基板、表裏電極膜およびコート膜のバリや欠けの発生を
抑制でき、しかも寸法（長さ方向および幅方向）の仕上
がり精度が安定する、小型化が可能なチップ形抵抗器お
よびその製造方法を提供することにある。

【００１３】また、本発明の他の目的は、表裏電極膜範
囲が均一に確保でき、セルフアライメント効果が発揮で
きるとともに、表裏電極面上の平坦性が確保されツーム
ストン現象の発生を抑制でき、さらにチップ形抵抗器の
各製造工程における供給シュートでの搬送を円滑にして
製造効率を向上できるとともに、テーピング加工供給方
式におけるキャビティからのチップ形抵抗器の、実装機
ノズルによる吸着取り出しを容易にできるチップ形抵抗
器およびその製造方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】前記目的達成のため、請
求項１の発明にかかるチップ形抵抗器は、矩形状に区画
された絶縁基板の裏側の左右両端部に位置するように、
該絶縁基板の左右の両端および前後両端までの領域に形
成された裏電極膜と、前記絶縁基板の表側の左右両端部
に位置するように、該絶縁基板の左右両端および前後両
端からそれぞれ所定距離離間した位置までの領域に形成
された表電極膜下層と、該表電極膜下層どうしを接続
し、これらの一部を覆う抵抗体膜と、該抵抗体膜を前記
絶縁基板の前後両端まで覆うアンダーコート膜と、該ア
ンダーコート膜の上から前記抵抗体膜の抵抗値調整のた
めに刻設されるトリミング溝と、前記絶縁基板の前後両
端まで、または一部が前記絶縁基板の前後両端まで、前
記アンダーコート膜およびトリミング溝を覆うオーバー
コート膜と、前記絶縁基板の左右両端および前後両端ま
で、前記表電極膜下層を覆う表電極膜上層と、前記絶縁
基板の左右端面を覆うように、または該左右端面を覆う
前記裏電極膜および表電極膜上層の各一部とに重畳する
ように形成されたスパッタ工法による端面電極膜とを有
し、前記裏電極膜、表電極膜上層および端面電極膜を電
極めっき膜で覆うことを特徴とする。

【００１５】また、請求項２の発明にかかるチップ形抵
抗器は、前記裏電極膜および表電極膜下層を導電性のメ
タルグレーズ系の膜とし、前記表電極膜上層を導電性レ
ジン系の膜とし、前記アンダーコート膜をガラス系の膜
とし、前記オーバーコート膜をレジン系の膜とすること
を特徴とする。

【００１６】また、請求項３の発明にかかるチップ形抵
抗器の製造方法は、矩形状に区画するように一次方向お
よび二次方向の分割スリッドが表裏面に刻設された絶縁
基板の裏面に、前記一次方向および二次方向の分割スリ
ッドを跨いで裏電極膜を形成する裏電極膜形成工程と、
前記絶縁基板の表面に、前記一次方向の分割スリッドを
跨ぎ、かつ前記二次方向の分割スリッドから離間するよ
うに表電極膜下層を形成する表電極膜下層形成工程と、
該表電極膜下層どうしを接続し、これらの一部を覆う抵
抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜を
覆うように、前記二次方向の分割スリッドを跨いでアン
ダーコート膜を形成するアンダーコート膜形成工程と、
前記アンダーコート膜上から前記抵抗体膜の抵抗値調整
のためのトリミング溝を刻設するトリミング溝刻設工程
と、前記アンダーコート膜とトリミング溝を覆うよう
に、前記絶縁基板の二次方向の分割スリッドを跨ぐか、
または前記絶縁基板の二次方向の分割スリッドの一部を
跨いでオーバーコート膜を形成するオーバーコート膜形
成工程と、前記表電極膜下層を被うように、前記絶縁基
板の一次方向および二次方向の分割スリッドを跨いで表
面電極膜上層を形成する表面電極膜上層形成工程と、前
記裏電極膜または／および前記表電極膜下層、表電極膜
上層、アンダーコート膜、オーバーコート膜を、前記絶
縁基板の一次方向の分割スリッドに沿って分断する分断
工程と、前記絶縁基板を一次方向の分割スリッドに沿っ
て、機械敵応力を利用して短冊状に分割する絶縁基板分
割工程と、前記絶縁基板の左右端面を覆うように、また
はその左右端面を覆い、前記裏電極膜および表電極膜上
層の一部に重畳するように、スパッタ工法により端面電
極膜を形成する端面電極膜形成工程と、前記絶縁基板を
二次方向の分割スリッドに沿って機械的応力を利用して
チップ状に分割するチップ状分割工程と、前記裏電極
膜、表電極膜上層および端面電極膜を覆うように電極め
っき膜を形成する電極めっき膜形成工程とを実行するこ
とを特徴とする。

【００１７】また、請求項４の発明にかかるチップ形抵
抗器の製造方法は、前記裏電極膜および表電極膜下層を
導電性のメタルグレーズ系の膜とし、前記表電極膜上層
を導電性レジン系の膜とし、前記アンダーコート膜をガ
ラス系の膜とし、前記オーバーコート膜をレジン系の膜
とし、前記裏電極膜、表電極膜下層、表電極膜上層、ア
ンダーコート膜およびオーバーコート膜の各形成工程の
いずれかに続いて、レーザ工法によって一次方向二次方
向の分割スリッドをなぞるように裏電極膜のみの分断を
行うことを特徴とする。

【００１８】また、請求項５の発明にかかるチップ形抵
抗器の製造方法は、前記裏電極膜、表電極膜下層および
表電極膜上層をメタルグレーズ系の膜とし、前記アンダ
ーコート膜およびオーバーコート膜をガラス系の膜と
し、前記オーバーコート膜の形成工程に続いて、レーザ
工法によって一次方向二次方向の分割スリッドをなぞる
ように前記裏面電極膜、表電極膜下層、表電極膜上層、
アンダーコート膜およびオーバーコート膜の分断を行う
ことを特徴とする。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の一形態を詳
細に説明する。まず、本発明の抵抗チップの製造方法を
概念的に述べる。まず、９６％以上のアルミナを含有
し、かつ表裏面に一次方向および二次方向の分割スリッ
ドが入った絶縁基板を用意し、これの裏面に、Ａｇまた
はＡｇ・Ｐｄ系のグレーズで印刷をし、これを約８５０
℃で焼成して８〜１２μｍの膜厚の裏面電極を形成す
る。ここでは、一次方向および二次方向の分割スリッド
を跨いで、スクリーン印刷を行う。次に、絶縁基板の表
面にＡｇ・Ｐｄ系グレーズで印刷を行い、約８５０℃で
焼成して表電極膜下層を形成する。このとき、一次方向
および二次方向の分割スリッドから離間してスクリーン
印刷を行う。

【００２０】次に、一対の表電極膜下層にＲｕＯ₂ 系グ
レーズにより抵抗体膜の両端をスクリーン印刷にて接続
し、これを約８５０℃で焼成し、その抵抗体膜の上に、
硼珪酸鉛ガラスを二次方向の分割スリッドを跨いでスク
リーン印刷して、アンダーコート膜としてこれを約６０
０℃で焼成する。続いて、このアンダーコート膜上から
レーザ工法により抵抗値調整のためのトリミングを行
い、その上にエポキシ系樹脂塗料を二次方向の分割スリ
ットから離間して、アンダーコート膜を覆うようにスク
リーン印刷を行った後、約２００℃で硬化させてオーバ
ーコート膜とする。また、この外のオーバーコート膜と
して、硼珪酸鉛ガラスを二次方向の分割スリッドの一部
または全部を跨いで、アンダーコート膜を覆うようにス
クリーン印刷して、約６００℃で焼成したものとしても
よい。

【００２１】続いて、表電極膜下層に重なるように、フ
ェノール系導電性樹脂塗料を一次方向および二次方向の
分割スリッドを跨いでスクリーン印刷し、約２００℃で
硬化させて表電極膜上層を形成する。なお、前記オーバ
ーコート膜として前記硼珪酸ガラスを用いた場合には、
この表電極膜上層をＡｇ系またはＡｇ・Ｐｄ系グレーズ
を用い、一次方向および二次方向の分割スリッドを跨い
で表電極膜下層上からスクリーン印刷をし、これを６０
０℃で焼成して、膜厚８〜１２μｍの表電極膜上層を形
成する。

【００２２】このような表電極膜上層の形成後は、レー
ザ工法によって絶縁基板の一次方向および二次方向の分
割スリッドをなぞるように裏電極膜を分断し、続いて、
レーザ工法により前記一次方向および二次方向の分割ス
リッドをなぞるように、前記アンダーコート膜およびオ
ーバーコート膜、さらには表電極膜を分断する。そし
て、端面電極形成に伴う表電極膜上層および裏電極膜の
一部重畳部分を確保するように、マスキングレジストを
塗布した後、絶縁基板を一次方向の分割スリッドに沿っ
て短冊状にブレークする。そして、その上にスパッタ法
によって、Ｃｒ薄膜およびＮｉ膜を形成し、前記マスキ
ングレジストを除去し、絶縁基板を二次方向の分割スリ
ッドでブレークして、個々のチップ状に分割し、最後に
Ｎｉめっき膜とＳｎ系めっきまたはＳｎ・Ｐｂめっき膜
を電極めっき膜として施すことにより、チップ形抵抗器
を得る。

【００２３】図４、図５および図６は前記裏電極膜の分
断溝を示し、１１は裏電極膜の一次方向の分割スリッド
に沿った分断溝、１２は裏電極膜の二次方向の分割スリ
ッドに沿った分断溝、１３は絶縁基板上の二次方向の分
割スリッドである。また、図７、図８および図９は前記
表電極膜、アンダーコート膜、オーバーコート膜の分断
した例を示し、１４は一次方向の分割スリッドに沿った
レーザ分断溝、１５は二次方向の分割スリッドに沿った
レーザ分断溝である。なお、前記分断を行うためのレー
ザ工法では、レーザトリマーやレーザスクライバのいず
れを使用してもよい。裏電極膜の分断工程は、裏電極膜
形成後、表電極膜下層形成後、抵抗体膜形成後、アンダ
ーコート膜形成後、トリミング溝形成後、オーバーコー
ト膜形成後および表電極膜上層形成後のいずれかに行う
ことができる。また、レーザー工法による膜の分断は、
本実施の形態に示すように表電極上層膜とオーバコート
の材料によって適宜選択できる。

【００２４】次に、チップ単位で見た本発明のチップ抵
抗器およびその製造工程を、図１（ａ）〜（ｍ）につい
て説明する。まず、図１（ａ）に示すように、矩形状に
区画された絶縁基板１の裏側の左右両端部に位置するよ
うに、該絶縁基板１の左右両端および前後両端までの領
域に裏電極膜２を形成する。一方、前記絶縁基板１の表
側の左右両端部に位置するように、該絶縁基板１の左右
両端および前後両端からそれぞれ所定距離離間した位置
までの領域に、図１（ｂ）に示すような表電極膜下層３
を形成する。そして、図１（ｃ）に示すように、前記の
左右両端部の表電極膜下層３どうしを、これらの一部に
重なるように抵抗体膜４により接続し、さらにその抵抗
体膜４を前記絶縁基板１の前後両端までアンダーコート
膜５にて図１（ｄ）に示すように覆う。また、このアン
ダーコート膜５の上から前記抵抗体膜４の抵抗値調整の
ために、図１（ｅ）に示すようなトリミング溝６を刻設
して、図１（ｆ）に示すように前記絶縁基板１の前後両
端まで、または図１（ｇ）に示すように一部が前記絶縁
基板１の前後両端に至るまで、前記アンダーコート膜５
およびトリミング溝６をオーバーコート膜７ａまたは７
ｂにより覆う。

【００２５】さらに、図１（ｈ）または（ｉ）に示すよ
うに、前記絶縁基板１の左右両端および前後両端まで、
前記表電極膜下層３を表電極膜上層８により覆い、前記
絶縁基板１の左右端面を覆うように、または該左右端面
を覆い、かつ前記裏電極膜２および表電極膜上層８の一
部に重畳するように、図１（ｊ）または図１（ｋ）に示
すようにスパッタ工法による端面電極膜９を形成し、最
後に、図１（ｌ）または（ｍ）に示すように、前記裏電
極膜２、表電極膜上層８および端面電極膜９を電極めっ
き膜１０により覆うようにしてチップ抵抗器を形成す
る。図２および図３はこのような工程を経て製造された
チップ抵抗器の正面断面図および図２のＤーＤ線におけ
る側面断面図であり、図２は図１（ｌ）又は（ｍ）のＢ
−Ｂ線の断面図、図３は図２のＤ−Ｄ線の断面図であ
る。

【００２６】従って、このようにして製造されるチップ
形抵抗器は、裏電極膜２および表電極膜上層８の一部に
重畳されたスパッタ膜としての端面電極膜９が、これら
の各電極膜上で不均一な段差の発生を抑制し、特に微小
寸法を有するチップ形抵抗器にあっては、回路基板１上
のランドとのはんだ溶融の際に、はんだの濡れ応力によ
って生じるツームストン現象（チップ立ち）の発生を抑
制することができる。

【００２７】また、表電極膜を表電極膜下層３と表電極
膜上層８との二層とし、表電極膜下層３を一次方向およ
び二次方向の分割スリッドから離間して形成し、表電極
膜上層８は一次方向および二次方向の分割スリッドまで
形成することによって、電気的接続の信頼性が確保され
る。裏電極膜２も一次方向および二次方向の分割スリッ
ドまで形成しているので、チップ形抵抗器の表裏面に拘
らず実装に適し、広い範囲の表裏電極膜と表裏電極面上
の平坦性を確保することができる。さらに、セルフアラ
イメント効果にも寄与し、回路基板実装の際の位置ずれ
も抑制できる。

【００２８】さらに、レーザ工程工法による裏電極膜２
または表電極膜３、８および各コート膜７ａ、７ｂの分
断を採用することにより、一次方向および二次方向の分
割スリッドに沿った機械的応力による絶縁基板の分割時
に、裏電極膜２または表電極膜３、８およびコート膜７
ａ、７ｂにバリや欠けが発生するのを抑制でき、分割ス
リッドに入り込んだ膜材を昇華させることで、機械的応
力による絶縁基板１の分割の際に刻設された絶縁基板の
分割スリッドを有効に活用でき、絶縁基板１の良好な分
割面の仕上がりおよび寸法精度の向上を確保できる。

【００２９】なお、前記導電性樹脂系塗料の表電極膜上
層を二次方向の分割スリッドの一部を跨ぎ、かつ一部か
ら離間して形成する場合には、表電極膜３、８およびコ
ート膜７ａ、７ｂのレーザによる分割が不要となり、工
程の簡略化が可能となる。

【００３０】また、前記のような絶縁基板の良好な分割
面の仕上がりおよび寸法精度の向上によって、チップ形
抵抗器の各製造工程における供給シュートでの搬送が円
滑になり、製造効率が向上するとともに、テーピング加
工供給方式におけるキャビティからのチップ形抵抗器の
実装機ノズルによる吸着取り出しが容易になる。

【００３１】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、チップ
形抵抗器の表側または裏側のいずれも回路基板への実装
が可能であり、テーピング加工およびバルクのいずれの
方法による供給も可能になるほか、一次方向および二次
方向のブレーク時における絶縁基板、表裏電極膜および
コート膜のバリや欠けが抑制され、かつ、チップ形抵抗
器の長さ方向、幅方向の仕上がり精度が安定化し、小形
化が可能になるという効果が得られる。

【００３２】また、表裏電極膜の領域の厚みの均一性が
確保できて、セルフアライメント効果を発揮でき、また
平坦性が確保されることで、ツームストン現象の発生を
抑制できるという効果が得られる。さらに、各製造工程
におけるチップ形抵抗器の供給シュートでの流れが円滑
に進むとともに、テーピング加工供給方式でのキャビテ
ィからのチップ形抵器の実装器ノズルによる吸着取り出
しが容易になるなどの効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態によるチップ形抵抗器の
製造工程を示す説明図である。

【図２】図１に示すチップ形抵抗器の縦断面図である。

【図３】図２のＤ−Ｄ線における断面図である。

【図４】本発明における絶縁基板上の裏電極膜の分断構
造を示す要部の平面図である。

【図５】図４のＥ−Ｅ線における縦断面図である。

【図６】図４のＦ−Ｆ線における縦断面図である。

【図７】本発明における絶縁基板上の表電極膜およびコ
ート膜の分断構造を示す要部の平面図である。

【図８】図７のＨ−Ｈ線における縦断面図である。

【図９】図７のＪ−Ｊ線における縦断面図である。

【図１０】従来のチップ形抵抗器の製造工程を示す説明
図である。

【図１１】従来のチップ形抵抗器を示す縦断面図であ
る。

【図１２】図１１のＣ−Ｃ線における縦断面図である。

【図１３】従来の他の例のチップ形抵抗器における前記
Ｃ−Ｃ線対応部位での縦断面図である。

【符号の説明】

１ 絶縁基板 ２ 裏電極膜 ３ 表電極膜下層 ４ 抵抗体膜 ５ アンダーコート膜 ６ トリミング溝 ７ オーバーコート膜 ８ 表電極膜上層 ９ 端面電極膜 １０ 電極めっき膜 １３ 二次方向の分割スリッド

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 矩形状に区画された絶縁基板の裏側の左
   右両端部に位置するように、該絶縁基板の左右の両端お
   よび前後両端までの領域に形成された裏電極膜と、前記
   絶縁基板の表側の左右両端部に位置するように、該絶縁
   基板の左右両端および前後両端からそれぞれ所定距離離
   間した位置までの領域に形成された表電極膜下層と、該
   表電極膜下層どうしを接続して、これらの一部を覆う抵
   抗体膜と、該抵抗体膜を前記絶縁基板の前後両端まで覆
   うアンダーコート膜と、該アンダーコート膜の上から前
   記抵抗体膜の抵抗値調整のために刻設されるトリミング
   溝と、前記絶縁基板の前後両端まで、または一部が前記
   絶縁基板の前後両端まで前記アンダーコート膜およびト
   リミング溝を覆うオーバーコート膜と、前記絶縁基板の
   左右両端および前後両端まで、前記表電極膜下層を覆う
   表電極膜上層と、前記絶縁基板の左右端面、または該左
   右端面と前記裏電極膜および表電極膜上層の各一部に重
   畳するようにスパッタ工法により形成した端面電極膜
   と、前記裏電極膜、表電極膜上層および端面電極膜を覆
   う電極めっき膜とを備えたことを特徴とするチップ形抵
   抗器。
2. 【請求項２】 前記裏電極膜および表電極膜下層が導電
   性のメタルグレーズ系の膜であり、前記表電極膜上層が
   導電性レジン系の膜であり、前記アンダーコート膜がガ
   ラス系の膜であり、前記オーバーコート膜がレジン系の
   膜であることを特徴とする請求項１に記載のチップ形抵
   抗器。
3. 【請求項３】 矩形状に区画するように一次方向および
   二次方向の分割スリッドが表裏面に刻設された絶縁基板
   の裏面に、前記一次方向および二次方向の分割スリッド
   を跨いで裏電極膜を形成する裏電極膜形成工程と、前記
   絶縁基板の表面に、前記一次方向の分割スリッドを跨
   ぎ、かつ前記二次方向の分割スリッドから離間するよう
   に表電極膜下層を形成する表電極膜下層形成工程と、該
   表電極膜下層どうしを接続し、これらの一部を覆う抵抗
   体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜を覆
   うように、前記二次方向の分割スリッドを跨いでアンダ
   ーコート膜を形成するアンダーコート膜形成工程と、前
   記アンダーコート膜上から前記抵抗体膜の抵抗値調整の
   ためのトリミング溝を刻設するトリミング溝刻設工程
   と、前記アンダーコート膜とトリミング溝を覆うよう
   に、前記絶縁基板の二次方向の分割スリッドを跨ぐか、
   または前記絶縁基板の二次方向の分割スリッドの一部を
   跨いでオーバーコート膜を形成するオーバーコート膜形
   成工程と、前記表電極膜下層を被うように、前記絶縁基
   板の一次方向および二次方向の分割スリッドを跨いで表
   面電極膜上層を形成する表面電極膜上層形成工程と、前
   記裏電極膜または／および前記表電極膜下層、表電極膜
   上層、アンダーコート膜、オーバーコート膜を、前記絶
   縁基板の一次方向の分割スリッドに沿って分断する分断
   工程と、前記絶縁基板を一次方向の分割スリッドに沿っ
   て、機械敵応力を利用して短冊状に分割する絶縁基板分
   割工程と、前記絶縁基板の両端面を覆うように、または
   該左右端面を覆い前記裏電極膜および表電極膜上層の各
   一部に重畳するように、スパッタ工法により端面電極膜
   を形成する端面電極膜形成工程と、前記絶縁基板を二次
   方向の分割スリッドに沿って機械的応力を利用してチッ
   プ状に分割するチップ状分割工程と、前記裏電極膜、表
   電極膜上層および端面電極膜を覆うように電極めっき膜
   を形成する電極めっき膜形成工程とを実行することを特
   徴とするチップ形抵抗器の製造方法。
4. 【請求項４】 前記裏電極膜および表電極膜下層を導電
   性のメタルグレーズ系の膜とし、前記表電極膜上層を導
   電性レジン系の膜とし、前記アンダーコート膜をガラス
   系の膜とし、前記オーバーコート膜をレジン系の膜と
   し、前記裏電極膜、表電極膜下層、表電極膜上層、アン
   ダーコート膜およびオーバーコート膜の各形成工程のい
   ずれかに続いて、レーザ工法による裏電極膜のみの分断
   を行うことを特徴とする請求項３に記載のチップ形抵抗
   器の製造方法。
5. 【請求項５】 前記裏電極膜、表電極膜下層および表電
   極膜上層をメタルグレーズ系の膜とし、前記アンダーコ
   ート膜およびオーバーコート膜をガラス系の膜とし、前
   記オーバーコート膜の形成工程に続いて、レーザ工法に
   よる前記裏面電極膜、表電極膜下層、表電極膜上層、ア
   ンダーコート膜およびオーバーコート膜の分断を行うこ
   とを特徴とする請求項３に記載のチップ形抵抗器の製造
   方法。