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JP2002203885A - インターバック型基板処理装置 - Google Patents

インターバック型基板処理装置

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Publication number
JP2002203885A
JP2002203885A JP2000399444A JP2000399444A JP2002203885A JP 2002203885 A JP2002203885 A JP 2002203885A JP 2000399444 A JP2000399444 A JP 2000399444A JP 2000399444 A JP2000399444 A JP 2000399444A JP 2002203885 A JP2002203885 A JP 2002203885A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
chamber
processing
line
transfer line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000399444A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyuki Takahashi
信行 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anelva Corp filed Critical Anelva Corp
Priority to JP2000399444A priority Critical patent/JP2002203885A/ja
Priority to US10/015,601 priority patent/US7407358B2/en
Publication of JP2002203885A publication Critical patent/JP2002203885A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プロセス全体の複雑化や生産性の向上の要請
等に対応した実用的な基板処理装置を提供する。 【解決手段】 一方の側から基板9を搬入して装置内で
反転させて同じ側に戻して搬出するインターバック型の
装置であり、処理チャンバー21,22,23を含む複
数の真空チャンバーが気密に縦設され、各真空チャンバ
ーを通して設定された搬送ライン94,95L,95R
に沿って搬送系が基板9を搬送する。搬送ラインは、反
転位置に向かう往路搬送ライン94と反転位置から戻る
復路搬送ライン95L,95Rとから成り、往路搬送ラ
イン94と復路搬送ライン94,95L,95Rは平行
な異なる経路であり、復路搬送ライン95L,95Rは
平行な二つのラインに分岐している。往路搬送ライン9
4と復路搬送ライン95L,95Rは、三つの同じ処理
チャンバー21,22,23を通して設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本願の発明は、液晶ディスプ
レイ等の表示装置の製造に好適に使用される基板処理装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレイやプラズマディスプレ
イ等の各種表示装置の製造においては、装置の元になる
板状物(以下、基板と総称する)に対して表面処理等の
処理を施すことが必要である。例えば、液晶ディスプレ
イでは、ガラス製の基板の板面(端面でない面)に透明
電極を形成する処理等が必要となる。このような処理に
用いられる基板処理装置は、所定の雰囲気で基板を処理
するため、真空に排気したり又は内部に所定のガスを導
入したりすることができるよう構成されたチャンバーを
備えている。そして、異なる処理を連続して行ったり、
大気圧から徐々に圧力を下げる必要などから、複数のチ
ャンバーを備えた構成とされる。
【0003】このような従来の基板処理装置は、チャン
バーのレイアウトの考え方から、大きく二つに分けられ
る。一つはインライン型と呼ばれるものであり、もう一
つは、クラスターツール型と呼ばれるものである。図9
は、従来の代表的な基板処理装置の一つとして、インラ
イン型の装置の概略構成を示したものである。インライ
ン型では、一直線上に複数のチャンバー11,2,3,
12を縦設した構成である。複数のチャンバー11,
2,3,12を貫くようにして、基板9を搬送させる搬
送系が設けられる。また、各チャンバー11,2,3,
12間には、ゲートバルブ10が設けられる。
【0004】基板9は、トレイ91に載せられた状態で
搬送系によって各チャンバーに順次搬送され、処理が行
われる。複数のチャンバーのうちの一つは、基板9の搬
入の際に大気に開放されるロードロックチャンバー1
1、別の一つは、基板9の搬出の際に大気に開放される
アンロードロックチャンバー12である。残りのチャン
バーのうちの幾つかは、処理用のチャンバー(以下、処
理チャンバー)2である。また、処理チャンバー2とロ
ードロックチャンバー11又はアンドロードロックチャ
ンバー12との間に設けられたチャンバー3は、調圧用
チャンバーである。この調圧用チャンバー3は、ロード
ロックチャンバー11(又はアンロードロックチャンバ
ー12)と処理チャンバー2との圧力差が大きいため、
その中間の圧力に雰囲気を維持して調節するものであ
る。
【0005】図9に示すように、搬送系は、基板9を載
せたトレイ91を搬送コロ41により移動させる構成と
される。搬送コロ41は、搬送方向に垂直で水平な方向
に伸びる回転軸の両端に設けられた一対の小さな円盤状
の部材である。回転軸及び一対の搬送コロ41の組を、
搬送方向に所定間隔をおいて多数設けることにより、搬
送系は構成される。図9から解るように、基板9は水平
な姿勢で搬送され、処理される
【0006】一方、図10は、従来の代表的な基板処理
装置の別の一つとして、クラスターツール型の装置の概
略構成を示したものである。クラスターツール型では、
内部に搬送ロボット42を設けた搬送チャンバー5の周
囲に、ロードロックチャンバー11や複数の処理チャン
バー2を設けた構造である。図10に示す例では、ロー
ドロックチャンバー11は二つ設けられている。また、
搬送チャンバー5と各ロードロックチャンバー11及び
各処理チャンバー2との間には、ゲートバルブ10が設
けられている。
【0007】搬送ロボット42は、一方のロードロック
チャンバー11から基板9を取り出して各処置チャンバ
ーに順次搬送する。そして、搬送ロボット42は、処理
終了後、一方又は他方のロードロックチャンバー11に
基板9を戻す。尚、図10に示すロードロックチャンバ
ー11は、図9に示す装置におけるアンロードロックチ
ャンバー12の機能も有するものであるが、「ロードロ
ックチャンバー」の名称をそのまま使用する。
【0008】搬送ロボット42は、多関節型のロボット
であり、そのアームの先端に基板9を載せて搬送するよ
うになっている。搬送ロボット42は、アームの伸縮、
回転、上下の各運動を行って基板9を所定の位置まで搬
送する。基板9は、水平な姿勢でアームに載せられて搬
送される。また、処理チャンバー2内でも、基板9は水
平な姿勢を維持して処理される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このような基板処理装
置では、プロセス全体の複雑化や生産性の向上の要請等
を背景として、異種又は同種の処理工程を多く連続して
できるようにすることが必要になっている。即ち、プロ
セス全体の複雑化等により異なる処理工程を連続して行
ったり、生産性を向上させるため、同種の処理工程を分
散して行ったりすることが必要になっている。尚、この
際の「連続して」とは、基板を大気に取り出すことなく
次の処理工程を行うという意味である。このような処理
工程の数を増やす必要性において、上述した従来の基板
処理装置は、この点において以下のような問題を抱えて
いる。
【0010】まず、インライン型基板処理装置におい
て、処理工程の数を増やすため、処理チャンバーの数を
増やすと、搬送ライン方向の装置の長さがその分だけ長
くなってしまう。インライン型の装置では、装置の一方
の側から基板を搬入し、他方の側から搬出するから、装
置の長さが長くなると、基板の投入位置と回収位置とが
離れてしまい、操作性や能率等の点で問題が生ずる。ま
た、ライン方向に長い装置は、既存の生産ラインへの組
み込みが困難であるという問題もある。
【0011】一方、クラスターツール型の装置において
処理チャンバーの数を増やそうとすると、中央の搬送チ
ャンバーの辺を多くすることが必要になる。これに伴
い、搬送チャンバーの断面積が大きくなり、装置全体の
占有面積が大きくなってしまう欠点がある。搬送チャン
バーは、生産には直接的には寄与しない部分であるか
ら、そのような部分の大型化による占有面積の増大は好
ましくない。また、搬送チャンバーが大型化すると、内
部を排気する排気系が大がかりとなったり高価なものと
なったりする問題もある。さらに、搬送チャンバーが大
型化すると、各チャンバーに基板を搬送する搬送ロボッ
トの必要動作範囲が大きくなる。この結果、搬送ロボッ
トが大がかりで高価となったり、搬送ロボットのアーム
が長くなる結果、アームの撓みや搬送精度の低下等の問
題も生じやすい。
【0012】本願の発明は、係る課題を解決するために
成されたものであり、プロセス全体の複雑化や生産性の
向上の要請等に対応した実用的な基板処理装置を提供す
る技術的意義を有するものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の請求項1記載の発明は、装置の一方の側から
基板を装置内に搬入し、装置内で反転させて同じ側に戻
して搬出するインターバック型基板処理装置であって、
内部で基板に対して所定の処理を施す処理チャンバーを
含む複数の真空チャンバーが縦設されて気密に接続され
ているとともに、これらの真空チャンバーを通して設定
された搬送ラインに沿って基板を搬送する搬送系が設け
られており、前記搬送ラインは、装置への搬入位置から
装置内での反転位置に向かう往路搬送ラインと、反転位
置から搬出位置に向かう復路搬送ラインとから成り、往
路搬送ライン又は復路搬送ラインは異なる経路であって
その少なくとも一方は複数に分岐しているという構成を
有する。また、上記課題を解決するため、請求項2記載
の発明は、前記請求項1の構成において、前記往路搬送
ラインと前記復路搬送ラインとは、平行であるという構
成を有する。また、上記課題を解決するため、請求項3
記載の発明は、前記請求項1又は2の構成において、前
記往路搬送ライン又は前記復路搬送ラインは、平行な複
数のラインに分岐しているという構成を有する。また、
上記課題を解決するため、請求項4記載の発明は、前記
請求項1、2又は3の構成において、前記往路搬送ライ
ンと前記復路搬送ラインは、少なくとも一つの同じ真空
チャンバーを通して設定されているという構成を有す
る。また、上記課題を解決するため、請求項5記載の発
明は、前記請求項4の構成において、前記同じ真空チャ
ンバー内において、往路搬送ライン上又は前記復路搬送
ライン上において基板を加熱又は冷却する処理手段が設
けられているという構成を有する。また、上記課題を解
決するため、請求項6記載の発明は、前記請求項1乃至
5いずれかの構成において、前記搬送ラインは水平な面
内に延びるものであり、前記搬送系は、前記基板をその
板面が水平に対して45度以上90度以下の保持角度に
なるよう立てて保持した基板保持具と、この基板保持具
を前記経由チャンバーを経由して周囲の各真空チャンバ
ーに移動させる水平移動機構とから成るという構成を有
する。また、上記課題を解決するため、請求項7記載の
発明は、前記請求項6の構成において、前記基板保持具
は、基板を同時に2枚保持するものであるという構成を
有する。また、上記課題を解決するため、請求項8記載
の発明は、前記請求項7の構成において、前記基板保持
具は、各基板をその板面が水平に対して60度以上90
度以下の保持角度になるよう立てて保持するものである
という構成を有する。また、上記課題を解決するため、
請求項9記載の発明は、前記請求項1乃至8いずれかの
構成において、前記水平移動機構は、前記複数の真空チ
ャンバーの縦設の方向である縦方向の基板保持具の移動
を行う縦移動機構とともに、縦方向に垂直な水平方向で
ある横方向の移動を行う横移動機構を含んでいるという
構成を有する。また、上記課題を解決するため、請求項
10記載の発明は、前記請求項9の構成において、前記
縦移動系は、前記基板の板面が搬送の向きに対して側方
に向くようにして基板を搬送するものであるという構成
を有する。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態(以
下、実施形態)について説明する。まず、図1を使用し
て、実施形態の基板処理装置の全体の構成について説明
する。図1は、実施形態の基板処理装置の平面概略図で
ある。図1に示す基板処理装置は、内部で基板9に所定
の処理を施す処理チャンバー21,22,23を含む複
数の真空チャンバーを気密に接続した構造である。そし
て、装置は、複数の真空チャンバーに順次基板9を搬送
する搬送系(図1中不図示)を有している。
【0015】複数の真空チャンバーのうちの二つは、大
気側との間の基板9の出し入れの際に基板9が一時的に
滞留するロードロックチャンバー11L,11Rとなっ
ている。二つのロードロックチャンバー11L,11R
は、図1に示すように装置の同じ側に配置されている。
従って、装置の同じ側で基板の搬入搬出を行うようにな
っている。
【0016】二つのロードロックチャンバー11L,1
1Rは、横に並べて設けられている。そして、縦設され
た三つの処理チャンバー21,22,23と並設された
二つのロードロックチャンバー11L,11Rとの間に
は、中間チャンバー7が設けられている。また、中間チ
ャンバー7から最も遠い側の処理チャンバー23に対し
ては、反転チャンバー8が接続されている。中間チャン
バー7や反転チャンバー8も気密な真空チャンバーであ
る。
【0017】これらのチャンバー11L,11R,2
1,22,23,7,8は、図1中不図示の排気系を備
えている。排気系は、ターボ分子ポンプやクライオポン
プにより、10−3Pa〜10−5Pa程度まで排気で
きる構成とされる。各チャンバー11L,11R,2
1,22,23,7,8は、ゲートバルブ10を介して
気密に接続されている。ロードロックチャンバー11
L,11Rの外側には、基板保持具に未処理の基板9を
搭載したり、処理済みの基板9を基板保持具から回収し
たりする場所である不図示のロードステーションが設け
られている。
【0018】図2及び図3を使用して、図1に示す装置
が有する搬送系の構成について説明する。本実施形態で
は、基板9を垂直又は垂直に近い角度で保持して搬送及
び処理するようになっている。具体的には、搬送系は、
基板9をその板面が水平に対して45度以上90度以下
の保持角度になるよう立てて保持する基板保持具と、基
板保持具を水平方向に移動させて基板9を搬送する水平
移動機構とを有している。
【0019】本実施形態では、若干構成の異なる二種類
の基板保持具を用いている。二種類の基板保持具は、搬
送の向きに対して互いに異なる側に基板を保持する点が
異なるのみであり、それ以外の構成は同じである。以
下、説明の都合上、必要に応じて、搬送の向きに対して
左側に基板を保持する基板保持具を「左用基板保持具」
と呼び、右側に基板を保持する基板保持具を右用基板保
持具と呼ぶ。図2は、左用基板保持具の斜視概略図、図
3は右用基板保持具の斜視概略図である。
【0020】まず、図2を使用して、左用基板保持具に
ついて説明する。図2に示す左用基板保持具92は、水
平な姿勢の中間板921と、中間板921に固定された
受け板922と、中間板921の下面から下方に延びる
支持板923とから主に構成されている。中間板921
は、方形(長方形又は正方形)である。受け板922
は、その下端が折れ曲がり、その折れ曲がった部分(以
下、下端部)が中間板921の左辺に沿って固定され、
上方に延びている。受け板922の上方に延びた部分
(以下、主部)は垂直ではなく、少し中央寄りに傾いて
いる。即ち、受け板922の主部の水平に対する角度
(図2にθで示す)は、45度以上90度以下となって
いる。
【0021】受け板922の主部には、図2に示すよう
に、方形の開口924が設けられている。本実施形態で
は方形の基板9を搬送して処理することが想定されてい
る。基板9は、受け板922の開口924よりも少し大
きい。基板9は、図2に示すように、下縁が受け板92
2の下端部の上に載り、板面が受け板922の主部に接
触した形で(もたれかかった形で)受け板922に保持
される。尚、基板9は、受け板922の開口924を塞
ぐ位置で保持される。
【0022】基板9は、受け板922に接触していない
側の板面が被処理面である。図2において、基板9の搬
送の向きは、紙面上斜め右上に向かう向きである。従っ
て、左用基板保持具92は、基板9の被処理面である板
面を搬送の向きに対して左側方を向くようにして保持す
るものである。また、支持板923は、その上端面が中
間板921の下面の中央に固定され、垂直に下方に延び
ている。横から見ると、支持板923と中間板921と
によってT字が形成されている。支持板923の中間板
921に固定された辺の方向は、中間板921の一辺に
対して平行であり、保持された基板9の上縁及び下縁も
これと平行である。
【0023】次に、図3を使用して右用基板保持具93
の構成について説明する。右用基板保持具93も、同様
に、水平な姿勢の中間板931と、中間板931に固定
された受け板932と、中間板931の下面から下方に
延びる支持板933とから主に構成されている。図2と
図3とを比較すると解るように、右用基板保持具93
は、受け板932の取付位置が左用基板保持具92と異
なるのみである。即ち、右用基板保持具93の受け板9
32は、左用保持具92の受け板922とは反対側の右
辺に沿うようにして中間板931に固定されている。そ
して、右用基板保持具93の受け板932の主部も垂直
ではなく、中央より少し傾いている。傾き角θは、左用
基板保持具92の受け板922と同じである。その他の
構成は、全て同じである。図3において、搬送の向きは
図2と同様に紙面上斜め右上に設定されている。図3か
ら解るように、右用基板保持具93に保持された基板
は、被処理面が搬送の向きに対して右側方を向くように
なっている。
【0024】上述した左用基板保持具92及び右用基板
保持具93を水平移動させる水平移動機構は、水平な面
内に設定された搬送ラインに沿って設けられている。水
平移動機構は、処理チャンバー21,22,23の縦設
方向(以下、縦方向)に沿って基板保持具92,93を
移動させる縦移動機構と、縦方向に垂直で水平な方向で
ある横方向に基板保持具92,93を移動させる横移動
機構とを含んでいる。
【0025】縦移動機構の構成について、図2及び図3
を使用して説明する。縦移動機構は、本実施形態では、
ラックアンドピニオン機構により基板保持具92,93
を縦方向に移動させるようになっている。具体的に説明
すると、支持板923,933の両側の側面には、ラッ
ク43が設けられている。ラック43が延びる方向は水
平な方向であり、上述した中間板921,931の一辺
の方向に一致している。
【0026】縦移動機構は、上記ラック43に噛み合う
複数のピニオン44と、ピニオン44を駆動させるピニ
オン駆動機構45とから構成されている。ピニオン駆動
機構45は、各ピニオン44に駆動軸を介して連結され
た駆動ギヤ451と、駆動ギヤ451に懸架されたタイ
ミングベルト452と、駆動ギヤ451の一つに連結さ
れたモータ453と、残りの駆動ギヤ451の駆動軸を
受ける軸受け454とから主に構成されている。
【0027】図2及び図3において、モータ453が動
作すると、タイミングベルト452を介して駆動ギヤ4
51が回転し、この回転が駆動軸により各ピニオン44
に伝えられる。そして、各ピニオン44の回転により、
ラック43が水平方向に直線移動し、基板保持具92,
93も全体に縦方向に直線移動する。この結果、基板保
持具92,93に保持されている基板9が搬送される。
【0028】また、図2及び図3に示すように、基板保
持具92,93全体を支えるとともに基板保持具92,
93の移動をガイドするガイドレール48が設けられて
いる。ガイドレール48は、支持板923,933の下
端が填り込んだ溝を有する。基板保持具92,93の縦
方向に長い部材である。ガイドレール48の内面には、
不図示のベアリング等が設けられており、支持板92
3,933の下端の移動をスムーズなものにしている。
尚、磁気浮上機構を採用して支持板923,933の下
端とガイドレール48との非接触にすると、塵や埃等の
発生が防げるので好適である。
【0029】このような縦移動機構は、不図示のロード
ステーション、左右のロードロックチャンバー11L,
11R、中間チャンバー7、各処理チャンバー21,2
2,23及び反転チャンバー8に設けられている。各場
所で適宜縦移動機構が動作することで、基板保持具9
2,93は縦方向に移動するようになっている。
【0030】次に、中間チャンバー7及び反転チャンバ
ー8の構成について、図4を使用して説明する。図4
は、図1に示す中間チャンバー7の断面概略図である。
中間チャンバー7の構成と、反転チャンバー8の構成
は、ほぼ同様である。中間チャンバー7は、縦設された
三つの処理チャンバー21,22,23と、二つのロー
ドロックチャンバー11L,11Rとの間の基板9の搬
送の経由空間となっている。中間チャンバー7は、排気
系701によって内部が排気されるようになっている。
中間チャンバー7内には、前述した横移動機構が設けら
れている。
【0031】具体的に説明すると、図4に示すように、
中間チャンバー7内には、ピニオン44、ピニオン駆動
機構45及びガイドレール48から成る縦移動機構が、
左右に二つ設けられている。横移動機構は、左右の各縦
移動機構にそれぞれ設けられており、縦移動機構全体を
それぞれ一体に横方向に直線移動させるようになってい
る。以下の説明では、中間チャンバー7内の左側に設け
られた縦移動機構を左側縦移動機構4Lとし、右側に設
けられた縦移動機構を右側縦移動機構4Rとする。
【0032】図5は、中間チャンバー7内の縦移動機構
及び横移動機構の斜視概略図である。図5では、一例と
して、右側縦移動機構4R及びこれを横方向に移動させ
る横移動機構が示されている。また、図5では、右側縦
移動機構4R上に右用基板保持具93が位置する状態を
示している。
【0033】図4に示すように、横移動機構は、各縦移
動機構4L,4Rを上面に固定したベース板46と、ベ
ース板46に固定された駆動ロッド475,476と、
駆動ロッド475,476を介してベース板46を直線
移動させる直線駆動源477,478とから構成されて
いる。直線駆動源477,478には、エアシリンダ
や、モータとボールネジの組み合わせ等が使用される。
【0034】各縦移動機構を固定したベース板46は水
平な姿勢であり、同一平面上に設けられている。図4に
示すように、ベース板46の下側には、ガイドロッド4
71が設けられている。図5に示すように、ガイドロッ
ド471は、二本平行に設けられて横方向に延びてい
る。二本のガイドロッド471の間隔は、ベース板46
の幅よりも少し短い。そして、各ベース板46の下面に
は、ガイドロッド471を挿通させたリニア軸受け47
2が設けられている。リニア軸受け472は、各ベース
板46の下面の四隅に設けられている。
【0035】そして、図4に示すように、右側縦移動機
構4Rのベース板46の右端には、右側固定板473を
介して右側駆動ロッド475が固定され、左側縦移動機
構4Lのベース板46の左端には、左側固定板474を
介して左側駆動ロッド476が固定されている。右側駆
動ロッド475にはエアシリンダのような右側直線駆動
源477が接続されており、左側駆動ロッド476にも
同様の左側直線駆動源478が接続されている。尚、左
右の直線駆動源477,478は中間チャンバー7の外
側に設けられている。左右の駆動ロッド475,476
は、中間チャンバー7(図4及び図5中不図示)を貫通
して直線駆動源477,478に連結されている。駆動
ロッド475,476の貫通箇所には、磁性流体を用い
たメカニカルシールのような不図示の真空シールが設け
られている。
【0036】右側直線駆動源477が動作すると、右側
駆動ロッド475を介して右側縦移動機構4R全体がガ
イドロッド471にガイドされながら横方向に直線移動
する。この結果、右側縦移動機構4R上にある基板保持
具93も一体に移動し、この基板保持具93に保持され
た基板9はこの方向に搬送される。また、左側直線駆動
源478が動作すると、左側駆動ロッド476を介して
左側縦移動機構4L全体がガイドロッド471にガイド
されながら横方向に直線移動する。この結果、左側縦移
動機構4L上にある基板保持具92も一体に移動し、こ
の基板保持具92に保持された基板9はこの方向に搬送
される。尚、反転チャンバー8も、上記中間チャンバー
7内の横移動機構と同様のものを有している。
【0037】次に、上述した構成の搬送系による搬送ラ
インについて、再び図1を使用して説明する。本実施形
態の装置は、装置内で基板9が反転して同じ側に戻って
くるインターバック型の装置である。以下の搬送ライン
の説明において、反転箇所までの搬送ラインを往路搬送
ラインと呼び、反転箇所から戻ってくる搬送ラインと復
路搬送ラインと呼ぶ。
【0038】図1に示すように、往路搬送ライン94は
一つであるが、復路搬送ラインは反転チャンバーにおい
て左右に分岐している。以下、分岐した左側の復路搬送
ラインを左側復路搬送ライン95Lとし、右側の復路搬
送ラインを右側復路搬送ライン95Rとする。図1に示
すように、往路搬送ライン94と二つの復路搬送ライン
95L,95Rは平行である。また、復路搬送ライン9
5L,95R同士も互いに平行である。そして、三つの
搬送ライン94,95L,95Rは、三つの縦設された
処理チャンバー21,22,23を通して設定されてい
る。
【0039】本実施形態では、左用基板保持具92と右
用基板保持具93は、同じ往路搬送ライン94を通って
反転箇所まで移動するが、左用保持具92は左側復路搬
送ライン95Lを通って中間チャンバー7に戻り、右用
基板保持具93は右側復路搬送ライン95Rを通って中
間チャンバー7に戻るようになっている。
【0040】図6は、図1に示す搬送ライン94,95
L,95Rに沿った基板保持具92,93の移動につい
て説明する図である。図6中(1)は、左用基板保持具
92の移動について示し、(2)は右用基板保持具93
の移動について示している。まず、図6(1)を使用し
て左用基板保持具92の移動について説明する。左用基
板保持具92は、装置内では基本的に同じ搬送ラインを
通って搬送されるが、大気側と中間チャンバー7との間
では、二通りの搬送ラインがある。即ち、図6(1)中
に実線で示すように、左側ロードロックチャンバー11
Lを経由して搬入搬出を行う搬送ラインと、点線で示す
ように右側ロードロックチャンバー11Rを通って搬入
搬出を行う搬送ラインである。
【0041】実線で示す左用ロードロックチャンバー1
1Lを通る場合を例にして、左用基板保持具92の移動
について説明する。左用基板保持具92は、不図示のロ
ードステーションから左側ロードロックチャンバー11
Lを通って中間チャンバー7に移動する。そして、中間
チャンバー内で右に折れ、中間チャンバー内の中央位置
に達する。そして、左用基板保持具92は、中間チャン
バー内の中央位置から往路搬送ライン94上を移動し、
三つの処理チャンバー21,22,23の中央を順次通
って反転チャンバー8の中央に達する。そして、反転チ
ャンバー8において横方向左側に折れ、反転チャンバー
8内の左寄りの位置に達する。そして、反転チャンバー
8の左寄りの位置から左側復路搬送ライン95L上を移
動し、三つの処理チャンバー23,22,21を順に通
過して中間チャンバー7の左寄りの位置に達する。そし
て、中間チャンバー7内の左寄りの位置から左側ロード
ロックチャンバー11Lを通って不図示のロードステー
ションに戻る。
【0042】右用基板保持具93の大気側と中間チャン
バー7との間の移動も、同様にいずれかのロードロック
チャンバー11L,11Rを経由したものである。即
ち、図6(2)に実線で示すように右側ロードロックチ
ャンバー11Rを通るか、点線で示すように左側ロード
ロックチャンバー11Lを通るラインかである。右側ロ
ードロックチャンバー11Rを通る場合を例にして、右
用基板保持具93の移動について説明する。
【0043】図6(2)に実線で示すように、右用基板
保持具93は、不図示のロードステーションから右側ロ
ードロックチャンバー11Rを通って中間チャンバー7
内の右寄り7の位置に移動する。そして、中間チャンバ
ー7内で左に折れ、中間チャンバー7内の中央位置に達
する。そして、右用基板保持具93は、中間チャンバー
7内の中央位置から往路搬送ライン94上を移動し、三
つの処理チャンバー21,22,23の中央を順次通っ
て反転チャンバー8の中央に達する。そして、反転チャ
ンバー8において横方向右側に折れ、反転チャンバー8
内の右寄りの位置に達する。そして、反転チャンバー8
の右寄りの位置から右側復路搬送ライン95R上を移動
し、三つの処理チャンバー23,22,21を順に通っ
て中間チャンバー7の右寄りの位置に移動する。そし
て、中間チャンバー7内の右寄りの位置から右側ロード
ロックチャンバー11Rを通って不図示のロードステー
ションに戻る。
【0044】次に、図7を使用して処理チャンバー2
1,22,23内の構成について説明する。図7は、図
1に示す処理チャンバー21の断面概略図である。図7
に示すように、処理チャンバー21は、内部を所定の雰
囲気にするため、排気系201とともにガス導入系20
2を備えている。また、処理チャンバー21は、内部に
位置する基板9への処理を可能にする処理手段203を
備えている。
【0045】処理手段203の構成は、基板9に施す処
理の内容に応じて最適化される。例えば、スパッタリン
グによる成膜を行う場合、処理手段203としてスパッ
タリングカソードが設けられる。スパッタリングカソー
ドは、処理チャンバー21内に被スパッタ面を露出させ
て設けられたターゲットと、ターゲットに背後に設けら
れる磁石ユニットとから構成される。磁石ユニットは、
マグネトロンスパッタリングを可能にするものである。
ターゲットには、負直流電圧又は高周波電圧を印加する
スパッタ電源が接続される。ガス導入系によりアルゴン
等のスパッタ用ガスを導入しながら、ターゲットに負の
直流電圧又は高周波電圧を印加すると、スパッタ放電が
生じ、ターゲットがスパッタされる。スパッタされたタ
ーゲットの材料の薄膜が基板9の表面に達し、ターゲッ
トの材料の薄膜が堆積する。処理の均一性のため、ター
ゲットは、基板9と平行な姿勢となるよう設けられるこ
とが望ましい。
【0046】また、CVD(化学蒸着)による成膜処理
を行うよう構成する場合もある。この場合は、気相反応
により膜堆積作用のある原料ガスを導入するようガス導
入系202を構成する。プラズマCVDを行う場合に
は、処理手段203としては、原料ガスのプラズマを形
成するプラズマ形成手段が採用される。高周波放電によ
りプラズマを形成する場合、プラズマ形成手段として
は、高周波電源が接続された高周波電極が採用される。
この高周波電極も、処理の均一性のため、基板9と平行
な姿勢で設けられることが望ましい。原料ガスのプラズ
マ中での気相反応を利用し、基板9の表面に薄膜を作成
する。例えば、アモルファスシリコン膜を作成する場
合、シランと水素の混合ガスを原料ガスとして導入し、
プラズマCVDにより水素化アモルファスシリコン膜を
基板9の表面に作成する。その他、熱CVDによる成膜
を行う場合もある。
【0047】さらに、エッチング処理を行う場合もあ
る。エッチング処理を行う場合、フッ素系ガスなどのエ
ッチング作用のあるガスを導入する。プラズマエッチン
グを行う場合、同様に高周波放電等によりプラズマを形
成し、プラズマ中で生成される活性種やイオンの作用に
より基板9の表面をエッチングする。この場合には、処
理手段203は、同様に高周波電極が該当する。
【0048】本実施形態の処理チャンバー21の大きな
特徴点は、復路搬送ライン95L,95R上に位置する
基板9を処理しつつ、往路搬送ライン94上に位置する
基板を加熱できるよう、ヒータ204を備えている点で
ある。即ち、図7に示すように、処理チャンバー21内
にヒータ204が設けられている。
【0049】ヒータ204としては、本実施形態ではセ
ラミックヒータが使用されている。ヒータ204は、パ
ネル状であり、ヒータ取付具205によって処理チャン
バー21の上壁部に取り付けられている。ヒータ取付具
205は、二つのヒータ204を取り付けている。二つ
のヒータ204は、処理チャンバー21の中心を通る垂
直な面に対して面対称な配置となっている。そして、左
側のヒータ204は、左用基板保持具92に保持された
基板9に対して平行になるよう取り付けられ、右側のヒ
ータ204は、右用基板保持具93に保持された基板9
に対して平行になるよう取り付けられている。
【0050】尚、図7に示すように、処理チャンバー2
1内には、三つの縦移動機構4c,4l,4rが設けら
れている。中央の縦移動機構4cは、図6に示す往路搬
送ライン94に沿って基板保持具92,93を搬送する
ためのものである。そして、左側の縦移動機構4lは、
図6に示す左側復路搬送ライン95Lに沿って左用基板
保持具92を搬送するもの、右側の縦移動機構4rは、
図6に示す右側復路搬送ライン95Rに沿って右用基板
保持具93を搬送するものである。第二、第三処理チャ
ンバー22,23の構成も、図7に示す第一処理チャン
バー21と同様である。尚、処理手段203について
は、第一処理チャンバー21と異なるものが使用される
ことがあるのは、言うまでもない。
【0051】次に、上記構成に係る本実施形態の装置の
全体の動作について、図8を使用して説明する。図8
は、実施形態の装置の動作について説明する図である。
図8中、(1)〜(4)の順で動作が進むことを示して
いる。本実施形態の装置は、上述した説明から解るよう
に、基板保持具92,93に基板9を搭載し、この基板
保持具92,93を各チャンバー11L,11R,7,
21,22,23,8に順次搬送することにより処理を
行う。以下の説明では、図8(1)に示す状態を初期状
態として説明する。
【0052】図8(1)に示す状態では、第一処理チャ
ンバー21内では、左側復路搬送ライン95L上に左用
基板保持具92が、右側復路搬送ライン95R上に右用
基板保持具93が位置し、往路搬送ライン94上に左用
基板保持具92が位置している。第二処理チャンバー2
2内では、左側復路搬送ライン95L上に左用基板保持
具92が、右側復路搬送ライン95R上に右用基板保持
具93が位置し、往路搬送ライン94上に右用基板保持
具93が位置している。第三処理チャンバー22内で
は、左側復路搬送ライン95L上に左用基板保持具92
が、右側復路搬送ライン95R上に右用基板保持具93
が位置し、往路搬送ライン94上に左用基板保持具92
が位置している。
【0053】また、中間チャンバー7内では、左寄りの
位置において左用基板保持具92が位置しており、右寄
りの位置に右用基板保持具93が位置している。これら
中間チャンバー7内に位置する基板保持具92,93
は、未処理の基板9を保持している。
【0054】図8(1)に示す状態で、各処理チャンバ
ー21,22,23内で基板9に対して処理が行われ
る。即ち、左側復路搬送ライン95L上の各左用基板保
持具92に保持された基板9及び右側復路搬送ライン9
5R上の各右用基板保持具93に保持された基板9が各
処理チャンバー21,22,23で同時に処理される。
この際、特徴的なことは、同時に、往路搬送ライン94
上の三つの基板保持具92,93に保持された基板9に
対しては、ヒータ204により加熱処理が行われる。
【0055】1タクトタイムが経過すると、装置は、図
8(2)に示す状態となる。即ち、第三処理チャンバー
23内の往路搬送ライン94上にあった左用基板保持具
92は、反転チャンバー8に移動して左に折れ、反転チ
ャンバー8内の左寄りの位置に停止する。また、第二処
理チャンバー22内の往路搬送ライン94上にあった右
用基板保持具93は、第三処理チャンバー23を経由し
て反転チャンバー8に達し、右に折れて反転チャンバー
8内の右寄りの位置に停止する。
【0056】次に、第一処理チャンバー21内の往路搬
送ライン94上にあった左用基板保持具92は第二処理
チャンバー22を経由して往路搬送ライン94上を第三
処理チャンバー23に進む。そして、中間チャンバー7
内の右寄りの位置にあった右用基板保持具93が、中間
チャンバー7の中央位置から往路搬送ライン94を進
み、第一処理チャンバー21を経由して第二処理チャン
バー22に進む。次に、中間チャンバー7内の左寄りの
位置にあった左用基板保持具92は、中間チャンバー7
の中央位置を通って第一処理チャンバー21内の往路搬
送ライン94上に進む。この結果、装置は、図8(3)
に示す状態となる。
【0057】次に、第一処理チャンバー21内の左側復
路搬送ライン95L上の左用基板保持具92が前進して
中間チャンバー7内の左寄りの位置に移動する。同時
に、第一処理チャンバー21内の右側復路搬送ライン9
5R上の右用基板保持具93が前進して中間チャンバー
7内の右寄りの位置に移動する。この後、第二処理チャ
ンバー22内の左側復路搬送ライン95L上の左用基板
保持具92が前進して第一処理チャンバー21内に移動
する。同時に、第二処理チャンバー22内の右側復路搬
送ライン95R上の右用基板保持具93が前進して第一
処理チャンバー21内に移動する。
【0058】さらにこの後、第三処理チャンバー23内
の左側復路搬送ライン95L上の左用基板保持具92が
前進して第二処理チャンバー22内に移動する。同時
に、第三処理チャンバー23内の右側復路搬送ライン9
5R上の右用基板保持具93が前進して第二処理チャン
バー22内に移動する。この結果、図8(4)に示す状
態となる。
【0059】図8(4)に示す状態において、中間チャ
ンバー7内の基板保持具92,93が保持する基板9は
処理済みであるから、これらを装置外に出す搬出動作が
行われる。例えば、前述したように、中間チャンバー7
内の左用基板保持具92は、左側ロードロックチャンバ
ー11Lを経由して大気側の不図示のロードステーショ
ンに搬出され、右用基板保持具93は、右側ロードロッ
クチャンバー11Rを経由して大気側の不図示のロード
ステーションに搬出される。
【0060】この後、不図示のロードステーションにお
いて、左用基板保持具92及び右用基板保持具93にそ
れぞれ未処理の基板9を搭載する。そして、いずれかの
ロードロックチャンバー11L,11Rを経由して装置
内に搬入する。二つの基板保持具92,93は、中間チ
ャンバー7内に達し、再び図8(1)に示す状態とな
る。この状態で、次のタクトの処理が行われる。そし
て、処理が終了すると、再び図8(2)〜(4)の動作
を繰り返す。尚、基板9の搬出搬入動作は、処理チャン
バー21,22,23での処理中に並行して行う方が、
生産性が向上するので望ましい。
【0061】このようにして、1タクト毎に、処理済み
の基板9を保持した左用基板保持具92及び右用基板保
持具93を装置から搬出し、未処理の基板9を保持した
左用基板保持具92及び右用基板保持具93を装置に搬
入する。そして、未処理の基板9は、左又は右の復路搬
送ライン95L,95R上において、1タクトタイム毎
に、第三処理チャンバー23、第二処理チャンバー2
2、第一処理チャンバー21の順に移動し、連続して処
理が行われる。
【0062】さらに、未処理の基板9を保持した基板保
持具92,93は、往路搬送ライン94上で、第一第二
第三処理チャンバー21,22,23のいずれかに位置
し、基板9の加熱が行われる。この加熱は、処理前に基
板9を所定温度まで加熱する予備加熱である。基板処理
では、処理速度を高める等の理由から、基板9を室温よ
り高い所定温度に加熱した状態で処理をする必要があ
る。この場合、処理チャンバー21,22,23内に基
板を搬入してから加熱するのでは、処理再開までに時間
を要し、生産性が低下してしまう。しかしながら、本実
施形態の構成では、処理チャンバー21,22,23内
での処理の前に往路搬送ライン94上に予備加熱が行わ
れるので、生産性が低下することはない。
【0063】尚、上記説明から解る通り、左用基板保持
具92に保持された基板9は第一処理チャンバー21及
び第三処理チャンバー23で加熱される(即ち、2タク
トタイムの時間分加熱される)。一方、右用基板保持具
93に保持された基板9は第二処理チャンバー22内で
の1タクトタイムの加熱のみである。従って、加熱を均
等にする意味から、第一第三処理チャンバー21,23
内のヒータ204による加熱量は、第二処理チャンバー
22内のヒータ204の半分にすることが好ましい。但
し、処理チャンバーが四つであれば、各基板保持具9
2,93の基板9を同じ2タクトタイム分加熱できるの
で、各ヒータ204は同じ加熱量で良い。
【0064】上記動作において、ゲートバルブ10は、
基板保持具92,93の通過の際には開けられるが、そ
れ以外は閉じられる。また、各処理チャンバー21,2
2,23は、ゲートバルブ10を開ける前に排気系によ
って充分排気されることが好ましい。雰囲気ガスが他の
チャンバーに拡散するのを防止するためである。また、
上記動作において、縦方向の基板保持具92,93の移
動は、前述した縦移動機構により行われる。即ち、ピニ
オン駆動機構45が同時に動作し、基板保持具92,9
3が移動する。中間チャンバー7や反転チャンバー8内
における基板保持具92,93の横方向の移動は、前述
した横移動機構により行われる。
【0065】また、縦方向の移動の後に横方向の移動が
行われる場合(又はその逆)、二つの縦移動機構が縦方
向の搬送ライン上で一直線上となるよう駆動される。こ
の点を、例えば、未処理の基板9を保持した左用基板保
持具92を左側ロードロックチャンバー11L及び中間
チャンバーの中央位置を経由し、第一処理チャンバー2
1まで搬送する場合について説明する。
【0066】図4に示す左側縦移動機構4Lが、左側ロ
ードロックチャンバー11L内の縦移動機構に対して同
一直線上に並ぶ位置に予め位置している。この状態で、
左側ロードロックチャンバー11L内の縦移動機構と、
中間チャンバー7内の左側縦移動機構4Lが同時に動作
して、左用基板保持具92が左側ロードロックチャンバ
ー11L内の縦移動機構から中間チャンバー7内の左側
縦移動機構4Lに受け渡される。基板保持具92が左側
縦移動機構4Lのベース板46上の所定位置に達した時
点で、各ピニオン駆動機構45が動作を停止する。
【0067】そして、図4に示す左側直線駆動源478
が再び動作し、基板保持具92を中間チャンバー7の中
央位置まで移動させる。これにより、第一処理チャンバ
ー21内の中央の縦移動機構4cと、中間チャンバー7
内の左側縦移動機構4Lとが一直線上に並ぶ。この状態
で、第一処理チャンバー21内の縦移動機構4cと、中
間チャンバー7内の左側縦移動機構4Lとが同時に動作
し、左用基板保持具92が第一処理チャンバー21内に
搬入される。
【0068】上記動作において、左側ロードロックチャ
ンバー11Lは左用基板保持具92が保持する基板9の
搬入搬出用、右側ロードロックチャンバー11Rは右用
基板保持具92が保持する基板9の搬入搬出用として使
用されたが、これに限られるものではない。左側ロード
ロックチャンバー11Lを未処理の基板9の搬入用に使
用し、右側ロードロックチャンバー11Rは処理済みの
基板9の搬出用に使用しても良い。左右の基板保持具9
2,93に限定されず、搬入用及び搬出用に兼用して用
いても良い。
【0069】上述した構成及び動作に係る本実施形態の
装置は、以下のような顕著な技術的意義を有する。
【0070】まず、本実施形態の装置は、前述したよう
にインターバック型、即ち、基板9が装置内で反転して
同じ側に戻ってくる構成となっている。インターバック
型では、装置への基板9の搬入搬出が装置の同じ側で行
える。従って、既存の製造ラインへの組み込みが容易で
あるというメリットがある。しかしながら、従来のイン
ターバック型では、基板9が同じ搬送ラインを通って戻
ってくるので、処理チャンバーを複数縦設した場合、全
く同じ処理を繰り返して行う場合を除き、基板9を戻す
間は、処理チャンバーでは処理はできない。従って、イ
ンターバック型装置は、実験用の装置等のような限られ
た用途に多く用いられている。
【0071】また、従来のインターバック型の装置で
も、処理工程の数を多くしようとして処理チャンバーの
数を増やすと、通常のインライン型装置と同様、ライン
方向の長さが長くなる欠点がある。本実施形態の構成
は、ライン方向の長さを長くすることなく処理工程の数
を増やせるよう、インターバック型の搬送ラインのう
ち、復路搬送ラインを往路搬送ライン94とは異なる経
路とするとともに、復路搬送ラインを複数に分岐させて
いる。復路搬送ラインが往路搬送ライン94と異なる経
路とすることで、復路搬送ライン上でも処理の異同を問
わず基板9に対して処理を施すことができ、処理工程の
数を増やすことができる。そして、その復路搬送ライン
が二つに分岐しているので、二つの復路搬送ライン95
L,95Rを通って基板9を戻す際に処理することがで
き、生産性が大きく向上する。
【0072】尚、本願の特許請求の範囲には含まれない
が、単に復路搬送ライン95L,95Rが往路搬送ライ
ン94と異なる経路である構成であっても、処理工程の
数を増やすという効果が得られる。例えば、図1に示す
構成において、右側復路搬送ライン95Rを無くし、全
ての基板が左側復路搬送ライン95Lを通って戻ってく
るようにしても良い。そして、この場合、全て左用基板
保持具92を使用する。
【0073】また、往路搬送ライン94と復路搬送ライ
ン95L,95Rとが平行である構成は、チャンバーの
レイアウトを整然とさせ、横方向の占有面積の不必要な
増大を抑制する技術的意義がある。同様に、分岐した復
路搬送ライン95L,95Rが互いに平行である点も、
チャンバーのレイアウトを整然とさせ、横方向の占有面
積の不必要な増大を抑制する技術的意義がある。とはい
え、往路搬送ライン94と復路搬送ライン95L,95
Rとを非平行としたり、分岐させた往路搬送ライン94
又は復路搬送ライン95L,95Rを非平行とすること
を、本願発明は除外するものではない。
【0074】また、本実施形態では、前述した通り、往
路搬送ライン94と復路搬送ライン95L,95Rとが
同じ処理チャンバー21,22,23内を通るよう設定
されており、往路搬送ライン94上では加熱処理が行わ
れるようになっている。この構成は、チャンバーの数の
増大を抑制して装置の構造の複雑化を避ける技術的意義
がある。
【0075】処理工程の数を多くする場合、その分だけ
処理チャンバーを多くするのが一般的である。本実施形
態の構成では、各処理チャンバー21,22,23を横
方向に三分割し、計九つの処理チャンバーとすることが
考えられる。この場合、各処理チャンバーに個別に排気
系及びガス導入系を設けて雰囲気ガスを独立して制御す
れば、それぞれ異なる処理を行うことができる(ただ、
実際には両側の復路搬送ライン95L,95R上の処理
チャンバーは同じ処理を行うから、処理工程の数として
は三つ増えて六つである)。
【0076】しかしながら、このように処理チャンバー
を多くすると、構造的に複雑になり、ゲートバルブの開
閉回数が多くなる等、動作も複雑になる。本実施形態で
は、往路搬送ライン94上における処理を加熱処理に限
定することで、処理チャンバーを増やすことなく、処理
工程の数を増やしている。勿論、処理チャンバー21,
22,23で使用されるガスの種類によっては、加熱時
の基板9の汚損等の問題が生ずることがある。
【0077】例えば、処理チャンバーで化学的に活性な
ガスが使用される場合、往路搬送ライン94上で基板9
が加熱される際、基板9の表面が気相反応等によって変
性を受ける場合もある。このようなことが問題になると
きは、本実施形態の構成は採用が難しいが、窒素やアル
ゴンのような化学的に安定なガスを使用し、基板9がガ
ラスのような比較的安定な材質である場合、本実施形態
の構成は有効に採用し得る。
【0078】尚、構造や動作を簡略化させる上記効果
は、往路搬送ライン94と復路搬送ラインとが少なくと
も一つの同じ処理チャンバーを通して設定されていれば
得られる。但し、本実施形態のように三つの同じ処理チ
ャンバー21,22,23を通して設定すると、その効
果は著しい。
【0079】また、上記実施形態では、復路搬送ライン
95L,95R上での処理は加熱であったが、冷却処理
であっても良い。冷却処理を行う場合、所定の低温に冷
却された低温ブロックを基板保持具92,93に接触さ
せ、基板保持具92を介して冷却したり、直接低温ブロ
ックを基板9の裏面に接触させて冷却する構成が考えら
れる。尚、処理の内容によっては、加熱又は冷却以外の
処理を同じ処理チャンバー21,22,23内で往路搬
送ライン94上と復路搬送ライン95L,95R上とで
行うことができる場合もある。
【0080】また、上記実施形態では、復路搬送ライン
が二つに分岐していたが、往路搬送ライン94が分岐し
ていても良く、往路復路とも分岐していても良い。さら
に、上記実施形態では、分岐した復路搬送ライン95
L,95Rが往路搬送ライン94の両側に位置したが、
往路搬送ライン95の片側に、分岐した復路搬送ライン
95L,95Rが位置しても良い。尚、基板9の加熱処
理又は冷却処理は、復路搬送ライン95L,95R上で
行うようにしても良い。特に、往路搬送ライン94上で
成膜等の処理を行い、復路搬送ライン95L,95R上
で冷却処理する構成が実用的な構成として挙げられる。
【0081】次に、基板9が垂直又は垂直に近い角度で
保持された状態で搬送されて処理される構成は、装置の
占有面積増大の抑制に顕著な効果を有する。即ち、基板
9が垂直又は垂直に近い角度で保持された状態で搬送さ
れて処理されるので、ロードロックチャンバー11L,
11Rや中間チャンバー7、処理チャンバー21,2
2,23の占有面積は、基板9が水平に搬送されて処理
される場合に比べて格段に小さくて済む。特に、基板9
が水平に搬送されて処理される場合には、基板9が大型
化するとその分だけ各チャンバーの占有面積が大きくな
らざるを得ないが、本実施形態では、垂直方向のスペー
スは多く必要になるものの、占有面積は本質的に大きく
なることはない。このため、装置全体の占有面積も大き
くなることはない。
【0082】本実施形態のような装置は、クリーンルー
ム内に配置されることが多い。装置の占有面積が増大す
るとことは、それだけ大きなクリーンルームを必要とす
ることにつながり、施工コストやランニングコストが高
くなってしまう欠点がある。本実施形態の装置によれ
ば、占有面積の増大が抑制されるため、クリーンルーム
の施工コストやランニングコストの低減に有利である。
【0083】また、基板9が垂直又は垂直に近い角度で
保持された状態で搬送されて処理される構成は、基板9
の撓みを防止する上でも顕著な技術的意義を有する。即
ち、本実施形態では、前述したように基板9は基板保持
具92にもたれかかった状態で載置されて保持されるの
で、水平な姿勢で保持される場合のような自重による撓
みは発生しない。このため、処理の不均一化や表示ムラ
等の製品の性能障害、不均一な残留内部応力による基板
9の割れ等の破損が生じる恐れがない。
【0084】さらに、基板9が垂直又は垂直に近い角度
で保持された状態で搬送されて処理される構成は、装置
のメンテナンスを容易にするという技術的意義を有す
る。前述したように、装置を構成する各チャンバーは、
内部のメンテナンスのため開閉扉を設ける必要がある
が、チャンバーの占有面積が小さくなるため、上板部に
開閉扉を設けても、開閉扉がそれ程大きくなることはな
い。また、基板9の板面が側方に向いていることから、
開閉扉はチャンバーの側板部に設けてもよく、この場合
には大きな開閉扉であっても開閉は容易である。
【0085】上記実施形態において、基板9の保持角度
θは45度〜90度であるとしたが、これは、45度以
下であると、水平に近くなり、上述したような技術的意
義が充分に得られないからである。尚、この範囲におい
て、θは、70度〜85度とすることが、より好まし
い。θが85度を超えると、90度にあまりにも近くな
り、基板保持具92にもたれかかった状態のみでは基板
9の保持が充分でなくなる恐れがある。つまり、何らか
の衝撃により基板9が倒れる可能性が高くなる。これを
防止するには、基板9を基板保持具92に押さえつける
クランプ機構等が別途設けると良いが、構造が複雑にな
るし、基板9の着脱動作が煩雑になる欠点がある。ま
た、θが70度より大きくしておくと、上述した垂直保
持の技術的意義がより大きくなる。
【0086】また、中間チャンバー7及び反転チャンバ
ー8内で基板保持具92,93が縦方向に加え横方向に
移動可能である点は、上記のような搬送ラインの構成と
密接な関連を有する。まず、中間チャンバー7について
いうと、往路搬送ライン94と復路搬送ライン95L,
95Rとが異なる経路であることから、そのようなライ
ンに基板9を乗せたりラインから基板9を回収したりす
る必要から、基板保持具92,93が横方向に移動する
ことが必要となる。また、反転チャンバー8について
も、異なる経路への反転動作のためには、横方向の移動
が必要である。但し、基板保持具92,93を垂直な回
転軸の周りに180度回転させる動作によっても反転は
可能である。
【0087】また、中間チャンバー7内で基板保持具9
2,93が横方向に移動可能であるという点は、ロード
ロックチャンバー等の数を増やすことを可能にする技術
的意義もある。即ち、本実施形態のように、横方向に基
板9の搬送が可能な場合、左右のロードロックチャンバ
ー11L,11Rのように、中間チャンバー7に対して
複数のロードロックチャンバーを横に並べて設ける(並
設する)ことができる。このようにすると、大気側との
間の基板9の搬入搬出動作の効率が向上し、この結果、
装置の生産性も向上する。
【0088】また、同様に、中間チャンバー7に対して
横方向に二以上処理チャンバー又は二以上のグループの
縦設された処理チャンバー群を接続する場合もできる。
このため、処理チャンバーの数をさらに多くしてさらに
処理工程の数を増やすことができる。
【0089】また、本実施形態のように、基板保持具9
2,93が中間チャンバー7内で横方向に移動可能であ
る構成は、中間チャンバー7にバッファ機能を持たせる
ことができるという技術的意義もある。即ち、縦方向の
移動のみであると、搬送ライン上に基板9が位置してし
まうので、その基板9を処理チャンバーに移動させる
か、ロードロックチャンバーから大気側に戻すかしない
と、次の基板の搬入又は搬出動作ができない。しかしな
がら、横方向に移動可能であると、その基板9を縦方向
の搬送ラインからずれた適当な退避位置に退避させるこ
とができる。即ち、中間チャンバー7にバッファ機能を
持たせることができる。尚、この技術的意義は、ロード
ロックチャンバーが一つの場合でも基本的に同様であ
る。
【0090】また、前述した通り、縦移動機構は、基板
9の板面が搬送の向きに対して側方に向くようにして基
板9を搬送するものである。この構成は、搬送に要する
水平方向のスペースの占有面積を小さくする技術的意義
がある。即ち、基板9の板面を移動方向に対して前方又
は後方に向けた状態で搬送する構成だと、搬送に要する
スペースの幅は、基板9の板面の幅に一致してしまう。
従って、搬送に要する水平方向のスペースの大きさは、
本実施形態の場合に比べて大きくなってしまう。このた
め、装置全体の大型化につながり、これは基板9が大型
化した場合により深刻となる。一方、本実施形態の構成
によれば、このような問題はなく、搬送に要する水平方
向のスペースは最小化される。
【0091】また、上記構成は、ゲートバルブ10の簡
略化にも貢献している。即ち、基板9の板面を移動方向
に対して前方又は後方に向けた状態で搬送する構成の場
合、ロードロックチャンバー11L,11Rや処理チャ
ンバー21,22,23はその方形の輪郭のうちの長辺
の部分で中間チャンバー7に接続される構成となる。こ
のため、ゲートバルブ10が開閉すべき開口の大きさが
大きくなってしまう。従って、バルブ開閉に大きな駆動
力を必要とする等、ゲートバルブ10が大がかりとな
る。一方、本実施形態の構成によれば、このような問題
はなく、ゲートバルブ10を簡略化できる。
【0092】上記説明から解るように、本実施形態で
は、装置内に九つの基板保持具92,93が常時搬入さ
れており、処理チャンバー21,22,23内での処理
中に、左右のロードロックチャンバー11L,11Rを
経由した基板9の搬送を行っている。従って、生産性が
高い。尚、中間チャンバー7内で基板9の予備加熱を行
っても良い。
【0093】また、上記中間チャンバー7に、調圧チャ
ンバーの機能を持たせることも可能である。即ち、ロー
ドロックチャンバー11L,11Rと処理チャンバー2
1,22,23との圧力差が大きい場合、中間チャンバ
ー7内をその中間の圧力に維持して調節すると好適であ
る。また、中間チャンバー7に、必要に応じて処理後の
基板9を冷却する冷却手段を設けることがある。
【0094】尚、上記縦移動機構の構成において、ガイ
ドレール48の入り口側の構成は、基板保持具92,9
3の支持板923,933の下端を受け入れやすくする
ようにすることが好ましい。即ち、縦移動機構におい
て、基板保持具92,93は、手前側のガイドレール4
8から前方のガイドレール48に乗り移るようにして移
動するが、この際、前方のガイドレール48に支持板9
23,933の下端が正しく填り込まないと、搬送エラ
ーになってしまう。これを防止するには、ガイドレール
48の入り口側の溝の側面にテーパを設けて入り口側の
開口を広げる等して、支持板923,933の下端を受
け入れやすくすると良い。
【0095】上記実施形態では、三つの処理チャンバー
21,22,23を縦設したが、四つ又はそれ以上の処
理チャンバーを縦設しても良い。また、縦設された三つ
の処理チャンバー21,22,23において、例えば第
三処理チャンバー23内のガスが第二処理チャンバー2
2に拡散することによる雰囲気汚損の問題がある場合、
第三処理チャンバー23の圧力が第二処理チャンバー2
2の圧力に比べて常に低くなるように排気する差動排気
を行うことがある。
【0096】また、上記実施形態では、左用基板保持具
92と右用基板保持具93という異なる構成の基板保持
具を使用したが、全く同じ構成の基板保持具を使用して
も良い。この場合は、各基板保持具を交互に左側復路搬
送ライン95Lと右側復路搬送ライン95Rのいずれか
に沿って移動させて戻すようにする。この際の「交互」
とは、一つずつ交互でも良いし、二つ又はそれ以上のま
とめて交互でも良い。尚、全く同じ構成の基板保持具と
しては、図2に示す左用基板保持具92の受け板922
と、図3に示す右用基板保持具93の受け板932との
両方を中間板に固定した構成の基板保持具が挙げられ
る。二つの受け板922,923は、正面から見ると
「ハ」の字になる。
【0097】尚、本願発明において処理される基板9と
しては、半導体デバイス製造用の半導体ウェーハ、液晶
ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置用の
基板、ハードディスク等の情報記録媒体用の基板、プリ
ント配線盤用の基板等が挙げられる。
【0098】
【発明の効果】以上説明した通り、本願の請求項1記載
の発明によれば、インターバック型、即ち、基板が装置
内で反転して同じ側に戻ってくる構成となっているの
で、装置への基板の搬入搬出が装置の同じ側で行え、既
存の製造ラインへの組み込みが容易である。また、復路
搬送ラインが往路搬送ラインとは異なる経路とするとと
もに、少なくと一方が複数の分岐しているので、ライン
方向の長さを長くすることなく処理工程の数を増やすこ
とができ、また生産性が向上する。また、請求項2記載
の発明によれば、上記効果に加え、往路搬送ラインと復
路搬送ラインとが平行であるので、チャンバーのレイア
ウトが整然となり占有面積の不必要な増大を抑制するこ
とができる。また、請求項3記載の発明によれば、上記
効果に加え、分岐した復路搬送ライン又は往路搬送ライ
ンが互いに平行である点も、さらにチャンバーのレイア
ウトを整然とさせたり占有面積の不必要な増大を抑制し
たりする効果をもたらす。また、請求項4記載の発明に
よれば、上記効果に加え、往路搬送ラインと復路搬送ラ
インが、少なくとも一つの同じ真空チャンバーを通して
設定されているので、構造や動作が簡略化される効果が
得られる。また、請求項5記載の発明によれば、上記効
果に加え、同一処理チャンバー内での処理が加熱処理又
は冷却処理になるので、処理の汚損の問題が生ずる可能
性が低い。また、請求項6記載の発明によれば、基板が
垂直又は垂直に近い角度で保持された状態で搬送されて
処理されるので、占有面積の増大の抑制、基板の撓みの
問題の解消、メンテナンスの容易化等の顕著な効果が得
られる。また、請求項7記載の発明によれば、上記効果
に加え、基板保持具が二枚の基板を同時に保持するの
で、一枚の場合に比べて生産性が倍増する。また、請求
項8記載の発明によれば、上記効果に加え、基板保持具
が60度以上の角度で基板を保持するので、二枚保持で
はあっても一枚保持に比べて水平方向の占有面積が大き
くなることはない。また、請求項9記載の発明によれ
ば、上記効果に加え、ライン方向の長さを長くすること
なしに処理チャンバーの数を増やしたり、生産性を向上
させたりすることができるという効果が得られる。ま
た、請求項10記載の発明によれば、上記効果に加え、
基板の板面が搬送ラインの向きに対して側方に向くよう
にして基板が搬送されるので、搬送に要する水平方向の
スペースの占有面積を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態の基板処理装置の平面概略図である。
【図2】左用基板保持具の斜視概略図である。
【図3】右用基板保持具の斜視概略図である。
【図4】図1に示す中間チャンバー7の断面概略図であ
る。
【図5】中間チャンバー7内の縦移動機構及び横移動機
構の斜視概略図である。
【図6】図1に示す搬送ライン94,95L,95Rに
沿った基板保持具92,93の移動について説明する図
である。
【図7】図1に示す処理チャンバー21の断面概略図で
ある。
【図8】実施形態の装置の動作について説明する図であ
る。
【図9】従来の代表的な基板処理装置の一つとして、イ
ンライン型の装置の概略構成を示したものである。
【図10】従来の代表的な基板処理装置の別の一つとし
て、クラスターツール型の装置の概略構成を示したもの
である。
【符号の説明】
10 ゲートバルブ 11L ロードロックチャンバー 11R ロードロックチャンバー 21 処理チャンバー 22 処理チャンバー 23 処理チャンバー 201 排気系 202 ガス導入系 203 処理手段 204 ヒータ 43 ラック 44 ピニオン 45 ピニオン駆動機構 46 ベース板 471 ガイドロッド 48 ガイドレール 7 中間チャンバー 8 反転チャンバー 9 基板 92 左用基板保持具 93 右用基板保持具 94 往路搬送ライン 95L 左側復路搬送ライン 95R 右側復路搬送ライン
フロントページの続き Fターム(参考) 5F004 BB26 BC05 BC06 BD04 BD05 5F031 CA01 CA02 CA04 CA05 FA01 FA02 FA07 FA09 FA18 FA21 GA30 GA57 HA09 HA37 HA38 HA44 HA45 HA57 HA60 LA04 LA12 LA13 LA14 LA15 MA03 MA06 MA13 MA28 MA29 MA32 NA02 NA05 NA07 PA05 PA06 PA18 5F045 AA08 AB04 AF07 BB08 EB08 EK09 EM09 EN04 HA24 5F103 AA08 BB14 BB35 BB36 BB49 HH04

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 装置の一方の側から基板を装置内に搬入
    し、装置内で反転させて同じ側に戻して搬出するインタ
    ーバック型基板処理装置であって、 内部で基板に対して所定の処理を施す処理チャンバーを
    含む複数の真空チャンバーが縦設されて気密に接続され
    ているとともに、これらの真空チャンバーを通して設定
    された搬送ラインに沿って基板を搬送する搬送系が設け
    られており、 前記搬送ラインは、装置への搬入位置から装置内での反
    転位置に向かう往路搬送ラインと、反転位置から搬出位
    置に向かう復路搬送ラインとから成り、往路搬送ライン
    又は復路搬送ラインは異なる経路であってその少なくと
    も一方は複数に分岐していることを特徴とするインター
    バック型基板処理装置。
  2. 【請求項2】 前記往路搬送ラインと前記復路搬送ライ
    ンとは、平行であることを特徴とする請求項1記載のイ
    ンターバック型基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記往路搬送ライン又は前記復路搬送ラ
    インは、平行な複数のラインに分岐していることを特徴
    とする請求項1又は2記載のインバーバック型基板処理
    装置。
  4. 【請求項4】 前記往路搬送ラインと前記復路搬送ライ
    ンは、少なくとも一つの同じ真空チャンバーを通して設
    定されていることを特徴とする請求項1、2又は3記載
    のインターバック型基板処理装置。
  5. 【請求項5】 前記同じ真空チャンバー内において、往
    路搬送ライン上又は前記復路搬送ライン上において基板
    を加熱又は冷却する処理手段が設けられていることを特
    徴とする請求項4記載のインターバック型基板処理装
    置。
  6. 【請求項6】 前記搬送ラインは水平な面内に延びるも
    のであり、前記搬送系は、前記基板をその板面が水平に
    対して45度以上90度以下の保持角度になるよう立て
    て保持した基板保持具と、この基板保持具を前記経由チ
    ャンバーを経由して周囲の各真空チャンバーに移動させ
    る水平移動機構とから成ることを特徴とする請求項1乃
    至5いずれかに記載のインターバック型基板処理装置。
  7. 【請求項7】 前記基板保持具は、基板を同時に2枚保
    持するものであることを特徴とする請求項6記載のイン
    ターバック型基板処理装置。
  8. 【請求項8】 前記基板保持具は、各基板をその板面が
    水平に対して60度以上90度以下の保持角度になるよ
    う立てて保持するものであることを特徴とする請求項7
    に記載のインターバック型基板処理装置。
  9. 【請求項9】 前記水平移動機構は、前記複数の真空チ
    ャンバーの縦設の方向である縦方向の基板保持具の移動
    を行う縦移動機構とともに、縦方向に垂直な水平方向で
    ある横方向の移動を行う横移動機構を含んでいることを
    特徴とする請求項1乃至8いずれかに記載のインターバ
    ック型基板処理装置。
  10. 【請求項10】 前記縦移動系は、前記基板の板面が搬
    送の向きに対して側方に向くようにして基板を搬送する
    ものであることを特徴とする請求項9記載のインターバ
    ック型基板処理装置。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004097912A1 (ja) * 2003-05-02 2004-11-11 Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. 薄膜形成装置の基板搬送装置
JP2005340425A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
JP2006045618A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
JP2006077279A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
JP2009120937A (ja) * 2007-10-23 2009-06-04 Masato Toshima 処理装置および処理方法
WO2009119580A1 (ja) * 2008-03-25 2009-10-01 Toshima Masato 処理装置および処理方法
JP2011525712A (ja) * 2008-06-27 2011-09-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 処理システム及び処理システムを運転する方法
JP2012084861A (ja) * 2010-09-13 2012-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置、連続成膜装置、及び成膜方法
TWI391515B (zh) * 2004-05-26 2013-04-01 Ulvac Inc 真空處理裝置
JP5186563B2 (ja) * 2008-06-06 2013-04-17 株式会社アルバック 薄膜太陽電池製造装置
JP2013072132A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JPWO2011148633A1 (ja) * 2010-05-27 2013-07-25 株式会社アルバック トラバース装置及び基板処理装置
US8672603B2 (en) 2009-12-10 2014-03-18 Orbotech LT Solar, LLC. Auto-sequencing inline processing apparatus
US9462921B2 (en) 2011-05-24 2016-10-11 Orbotech LT Solar, LLC. Broken wafer recovery system
JP2018150611A (ja) * 2017-03-15 2018-09-27 日新電機株式会社 真空処理装置

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4856308B2 (ja) 2000-12-27 2012-01-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び経由チャンバー
JP2002203885A (ja) 2000-12-27 2002-07-19 Anelva Corp インターバック型基板処理装置
US7678198B2 (en) * 2004-08-12 2010-03-16 Cardinal Cg Company Vertical-offset coater
US20090022572A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-22 Thomas Pass Cluster tool with a linear source
DE102008019023B4 (de) * 2007-10-22 2009-09-24 Centrotherm Photovoltaics Ag Vakuum-Durchlaufanlage zur Prozessierung von Substraten
EP2238275B1 (en) 2007-12-27 2018-10-03 Exatec, LLC. Multi-pass vacuum coating systems
KR101221559B1 (ko) * 2008-06-06 2013-01-14 가부시키가이샤 아루박 성막 장치
US20090304907A1 (en) * 2008-06-09 2009-12-10 Applied Materials, Inc. Coating system and method for coating a substrate
US20090324368A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Processing system and method of operating a processing system
EP2141739A3 (en) * 2008-06-30 2011-01-12 Intevac, Inc. System and method for substrate transport
WO2010014761A1 (en) 2008-07-29 2010-02-04 Intevac, Inc. Processing tool with combined sputter and evaporation deposition sources
JP2010084207A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Canon Anelva Corp 処理装置及び画像表示装置
JP2010106360A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Canon Anelva Corp 基板保持装置、キャリヤ、基板処理装置、および画像表示装置の製造方法
JP2010084205A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Canon Anelva Corp 保持機構、当該保持機構を備えた処理装置、処理装置を用いた成膜方法及び画像表示装置の製造方法
US20120288355A1 (en) * 2011-05-11 2012-11-15 Ming-Teng Hsieh Method for storing wafers
EP3008224B1 (en) * 2013-06-10 2024-09-04 View, Inc. Glass pallet for sputtering systems
US11688589B2 (en) 2013-06-10 2023-06-27 View, Inc. Carrier with vertical grid for supporting substrates in coater
DE102015009861A1 (de) * 2015-08-04 2017-02-09 Manz Ag Substratbearbeitungsvorrichtung und Beschichtungsverfahren
JP2023074944A (ja) * 2021-11-18 2023-05-30 東京エレクトロン株式会社 連接処理容器及び基板処理方法。

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05283504A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Fujitac:Kk 半導体搬送装置のゲートバルブ開閉装置
JP2000129442A (ja) * 1998-10-29 2000-05-09 Sharp Corp 成膜装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4405435A (en) * 1980-08-27 1983-09-20 Hitachi, Ltd. Apparatus for performing continuous treatment in vacuum
US4500407A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Disk or wafer handling and coating system
JPS61105853A (ja) * 1984-10-30 1986-05-23 Anelva Corp オ−トロ−ダ−
FR2573325B1 (fr) 1984-11-16 1993-08-20 Sony Corp Appareil et procede pour faire des depots de vapeur sur des plaquettes
DE3704505A1 (de) 1987-02-13 1988-08-25 Leybold Ag Einlegegeraet fuer vakuumanlagen
US4993559A (en) 1989-07-31 1991-02-19 Motorola, Inc. Wafer carrier
JP2948842B2 (ja) * 1989-11-24 1999-09-13 日本真空技術株式会社 インライン型cvd装置
US4981408A (en) * 1989-12-18 1991-01-01 Varian Associates, Inc. Dual track handling and processing system
KR100230697B1 (ko) * 1992-02-18 1999-11-15 이노우에 쥰이치 감압 처리 장치
JP3175333B2 (ja) 1992-06-15 2001-06-11 日新電機株式会社 基板処理装置
US5417537A (en) * 1993-05-07 1995-05-23 Miller; Kenneth C. Wafer transport device
US5379984A (en) * 1994-01-11 1995-01-10 Intevac, Inc. Gate valve for vacuum processing system
US5738767A (en) 1994-01-11 1998-04-14 Intevac, Inc. Substrate handling and processing system for flat panel displays
JP3732250B2 (ja) * 1995-03-30 2006-01-05 キヤノンアネルバ株式会社 インライン式成膜装置
US5705044A (en) 1995-08-07 1998-01-06 Akashic Memories Corporation Modular sputtering machine having batch processing and serial thin film sputtering
JPH09129569A (ja) 1995-10-27 1997-05-16 Hitachi Ltd 半導体製造装置
US6205870B1 (en) * 1997-10-10 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Automated substrate processing systems and methods
JP3582330B2 (ja) 1997-11-14 2004-10-27 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びこれを用いた処理システム
US6176932B1 (en) 1998-02-16 2001-01-23 Anelva Corporation Thin film deposition apparatus
TW461923B (en) 1998-02-17 2001-11-01 Sharp Kk Movable sputtering film forming apparatus
US6083566A (en) 1998-05-26 2000-07-04 Whitesell; Andrew B. Substrate handling and processing system and method
JP2000177842A (ja) 1998-12-10 2000-06-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 搬送装置及び真空処理システム
DE19900804C2 (de) * 1999-01-12 2000-10-19 Siemens Ag Fördersystem
US6451181B1 (en) * 1999-03-02 2002-09-17 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor device barrier layer
US6336999B1 (en) * 2000-10-11 2002-01-08 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et Al Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Apparatus for sputter-coating glass and corresponding method
JP4856308B2 (ja) 2000-12-27 2012-01-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び経由チャンバー
JP2002203885A (ja) 2000-12-27 2002-07-19 Anelva Corp インターバック型基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05283504A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Fujitac:Kk 半導体搬送装置のゲートバルブ開閉装置
JP2000129442A (ja) * 1998-10-29 2000-05-09 Sharp Corp 成膜装置

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100372064C (zh) * 2003-05-02 2008-02-27 石川岛播磨重工业株式会社 薄膜形成装置的基板输送装置
WO2004097912A1 (ja) * 2003-05-02 2004-11-11 Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. 薄膜形成装置の基板搬送装置
TWI391515B (zh) * 2004-05-26 2013-04-01 Ulvac Inc 真空處理裝置
JP2005340425A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
KR101270526B1 (ko) * 2004-05-26 2013-06-04 가부시키가이샤 아루박 진공처리장치
JP2006045618A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
JP2006077279A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
JP2009120937A (ja) * 2007-10-23 2009-06-04 Masato Toshima 処理装置および処理方法
US8998552B2 (en) 2007-10-23 2015-04-07 Orbotech LT Solar, LLC. Processing apparatus and processing method
WO2009119580A1 (ja) * 2008-03-25 2009-10-01 Toshima Masato 処理装置および処理方法
KR101669685B1 (ko) 2008-03-25 2016-10-27 오보텍 엘티 솔라 엘엘씨 처리장치 및 처리 방법
KR20100134062A (ko) * 2008-03-25 2010-12-22 오보텍 엘티 솔라 엘엘씨 처리장치 및 처리 방법
JP5186563B2 (ja) * 2008-06-06 2013-04-17 株式会社アルバック 薄膜太陽電池製造装置
JP2011525712A (ja) * 2008-06-27 2011-09-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 処理システム及び処理システムを運転する方法
US9287152B2 (en) 2009-12-10 2016-03-15 Orbotech LT Solar, LLC. Auto-sequencing multi-directional inline processing method
US8672603B2 (en) 2009-12-10 2014-03-18 Orbotech LT Solar, LLC. Auto-sequencing inline processing apparatus
JP5463417B2 (ja) * 2010-05-27 2014-04-09 株式会社アルバック トラバース装置及び基板処理装置
JPWO2011148633A1 (ja) * 2010-05-27 2013-07-25 株式会社アルバック トラバース装置及び基板処理装置
JP2012084861A (ja) * 2010-09-13 2012-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置、連続成膜装置、及び成膜方法
JP2016208044A (ja) * 2010-09-13 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置
KR101923363B1 (ko) * 2010-09-13 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 장치, 연속 성막 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
US9462921B2 (en) 2011-05-24 2016-10-11 Orbotech LT Solar, LLC. Broken wafer recovery system
JP2013072132A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JP2018150611A (ja) * 2017-03-15 2018-09-27 日新電機株式会社 真空処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20020080291A1 (en) 2002-06-27
US7407358B2 (en) 2008-08-05

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