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JP2002194085A - Polysiloxane - Google Patents

Polysiloxane

Info

Publication number
JP2002194085A
JP2002194085A JP2001300517A JP2001300517A JP2002194085A JP 2002194085 A JP2002194085 A JP 2002194085A JP 2001300517 A JP2001300517 A JP 2001300517A JP 2001300517 A JP2001300517 A JP 2001300517A JP 2002194085 A JP2002194085 A JP 2002194085A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
acid
hydrogen atom
structural unit
carbon atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001300517A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Haruo Iwazawa
晴生 岩沢
Noboru Yamahara
登 山原
Tsutomu Shimokawa
努 下川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP2001300517A priority Critical patent/JP2002194085A/en
Publication of JP2002194085A publication Critical patent/JP2002194085A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Silicon Polymers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライエッチング耐性に優れ、しかも放射線
に対する透明性、感度、解像度、現像性等のレジストと
しての基本物性にも優れたレジスト材料の樹脂成分等と
して有用な新規ポリシロキサンを提供する。 【解決手段】 下記一般式(1)に示す構造単位(I)
および/または構造単位(II)を有し、ポリスチレン換
算重量平均分子量が500〜1,000,000のポリ
シロキサン。 【化1】 〔一般式(1)において、各Rは相互に独立して水素原
子またはメチル基を示し、R’は水素原子、メチル基ま
たはトリフルオロメチル基を示し、Xは水素原子または
1価の酸解離性基を示し、R''は水素原子、炭素数1〜
20の1価の炭化水素基、炭素数1〜20の1価のハロ
ゲン化炭化水素基、ハロゲン原子または1級、2級もし
くは3級のアミノ基を示し、nは0〜3の整数であ
る。〕
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel polysiloxane which is excellent as a resin component of a resist material which has excellent dry etching resistance and also has excellent basic physical properties as a resist such as transparency to radiation, sensitivity, resolution and developability. I will provide a. SOLUTION: The structural unit (I) represented by the following general formula (1)
And / or a polysiloxane having a structural unit (II) and a weight average molecular weight in terms of polystyrene of 500 to 1,000,000. Embedded image [In the general formula (1), each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R ′ represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group, and X represents a hydrogen atom or a monovalent acid dissociation. R '' is a hydrogen atom, having 1 to 1 carbon atoms.
20 represents a monovalent hydrocarbon group, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a halogen atom, or a primary, secondary or tertiary amino group, and n is an integer of 0 to 3. . ]

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、放射線を
用いる微細加工に好適な感放射線性樹脂組成物の樹脂成
分等、として有用な新規ポリシロキサンに関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel polysiloxane useful as, for example, a resin component of a radiation-sensitive resin composition suitable for fine processing using radiation.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、LSI(高集積回路)の高密度
化、高集積化に対する要求が益々高まっており、それに
伴い配線パターンの微細化も急速に進行している。この
ような配線パターンの微細化に対応しうる手段の一つと
して、リソグラフィープロセスに用いる露光光線を短波
長化する方法があり、近年では、g線(波長436n
m)やi線(波長365nm)等の紫外線に替えて、K
rFエキシマレーザー(波長248nm)あるいはAr
Fエキシマレーザー(波長193nm)に代表される遠
紫外線や、電子線、X線等が用いられるようになってお
り、またF2 エキシマレーザー(波長157nm)の使
用も検討されている。ところで、従来のレジスト組成物
には、樹脂成分としてノボラック樹脂、ポリ(ビニルフ
ェノール)等が用いられてきたが、これらの材料は構造
中に芳香族環を含み、193nmの波長に強い吸収があ
るため、例えばArFエキシマレーザーを用いたリソグ
ラフィープロセスでは、高感度、高解像度、高アスペク
ト比に対応した高い精度が得られない。そこで、193
nm以下、特に157nmの波長に対して透明で、かつ
芳香族環と同等以上のドライエッチング耐性を有するレ
ジスト用樹脂成分が求められている。その一つとしてシ
ロキサン系ポリマーが考えられ、MIT R.R.Kunzらは、ポ
リシロキサン系ポリマーが、193nm以下の波長、特
に157nmでの透明性に優れるという測定結果を提示
しており、このポリマーが193nm以下の波長を用い
るリソグラフィープロセスにおけるレジスト材料に適し
ていると報告している(J. Photopolym. Sci. Techno
l., Vol.12, No.4, 1999) 。また、ポリシロキサン系ポ
リマーはドライエッチング耐性に優れ、中でもラダー構
造をもつポリオルガノシルセスキオキサンを含むレジス
トが高い耐プラズマ性を有することも知られている。
2. Description of the Related Art In recent years, demands for higher density and higher integration of LSIs (highly integrated circuits) have been increasing, and accordingly, miniaturization of wiring patterns has been rapidly progressing. As one of means that can cope with such miniaturization of wiring patterns, there is a method of shortening the wavelength of exposure light used in a lithography process.
m) or i-rays (wavelength 365 nm)
rF excimer laser (wavelength 248 nm) or Ar
Far ultraviolet rays typified by F excimer laser (wavelength 193 nm), electron beam, being adapted to X-rays or the like is used, also the use of F 2 excimer laser (wavelength 157 nm) has been studied. By the way, novolak resin, poly (vinylphenol) and the like have been used as resin components in conventional resist compositions, but these materials contain an aromatic ring in the structure and have strong absorption at a wavelength of 193 nm. Therefore, for example, in a lithography process using an ArF excimer laser, high accuracy corresponding to high sensitivity, high resolution, and high aspect ratio cannot be obtained. So, 193
There is a need for a resist resin component which is transparent to a wavelength of not more than nm, particularly 157 nm, and has a dry etching resistance equal to or higher than that of an aromatic ring. One such example is a siloxane-based polymer. MIT RRKunz et al. Have shown that polysiloxane-based polymers have excellent transparency at wavelengths of 193 nm or less, particularly at 157 nm. It is reported to be suitable as a resist material in wavelength-based lithography processes (J. Photopolym. Sci. Techno
l., Vol.12, No.4, 1999). It is also known that a polysiloxane-based polymer has excellent dry etching resistance, and that a resist containing a polyorganosilsesquioxane having a ladder structure has high plasma resistance.

【0003】一方、シロキサン系ポリマーを用いるレジ
スト材料についても既に幾つか報告されている。即ち、
特開平5−323611号公報には、カルボン酸エステ
ル基、フェノールエーテル基等の酸解離性基が1個以上
の炭素原子を介してケイ素原子に結合した、側鎖に酸解
離性基を有するポリシロキサンを用いた放射線感応性樹
脂組成物が、特開平8−160623号公報には、ポリ
(2−カルボキシエチルシロキサン)のカルボキシル基
をt−ブチル基等の酸解離性基で保護したポリマーを用
いたポジ型レジストが、特開平11−60733号公報
には、酸解離性エステル基を有するポリオルガノシルセ
スキオキサンを用いたレジスト樹脂組成物が、それぞれ
開示されている。しかし、これらの従来の酸解離性基含
有シロキサン系ポリマーを用いたレジスト材料では、放
射線に対する透明性、解像度、現像性等のレジストとし
ての基本物性の点で未だ満足できるレベルにあるとはい
えない。さらに、特開平11−302382号公報に
は、カルボキシル基を有する非芳香族系の単環式もしく
は多環式炭化水素基または有橋環式炭化水素基を側鎖に
有し、かつ該カルボキシル基の少なくとも1部が酸不安
定性基で置換されたシロキサン系ポリマー、および該ポ
リマーを用いたレジスト材料が開示されており、このレ
ジスト材料は、KrFエキシマレーザー(波長248n
m)あるいはArFエキシマレーザー(波長193n
m)の吸収が小さく、パターン形状が良好であり、また
感度、解像度、ドライエッチング耐性等にも優れている
とされている。しかしながら、特開平11−30238
2号公報のシロキサン系ポリマーを含めても、レジスト
材料の樹脂成分として有用なシロキサン系ポリマーの種
類は少なく、短波長の放射線に有効に感応し、高度のド
ライエッチング耐性を備えつつ、レジストとしての基本
物性に優れたレジスト材料をもたらしうる新たなシロキ
サン系ポリマーの開発は、半導体素子における急速な微
細化の進行に対応しうる技術開発の観点から重要な課題
となっている。
On the other hand, some resist materials using siloxane polymers have already been reported. That is,
JP-A-5-323611 discloses a polymer having an acid-dissociable group in a side chain in which an acid-dissociable group such as a carboxylic acid ester group and a phenol ether group is bonded to a silicon atom via one or more carbon atoms. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-160623 discloses a radiation-sensitive resin composition using siloxane, in which a polymer obtained by protecting a carboxyl group of poly (2-carboxyethylsiloxane) with an acid-dissociable group such as a t-butyl group is used. JP-A-11-60733 discloses a resist resin composition using a polyorganosilsesquioxane having an acid-dissociable ester group. However, resist materials using these conventional acid-dissociable group-containing siloxane-based polymers are not yet at a satisfactory level in terms of basic physical properties of the resist such as transparency to radiation, resolution, and developability. . Further, JP-A-11-302382 discloses a non-aromatic monocyclic or polycyclic hydrocarbon group having a carboxyl group or a bridged cyclic hydrocarbon group in a side chain and the carboxyl group. Discloses a siloxane-based polymer in which at least a part of the polymer is substituted with an acid labile group, and a resist material using the polymer. The resist material is a KrF excimer laser (wavelength: 248 n).
m) or ArF excimer laser (wavelength 193n)
m), the pattern shape is good, and the sensitivity, resolution, dry etching resistance and the like are also excellent. However, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-30238
Even if the siloxane-based polymer of JP-A No. 2 is included, the type of siloxane-based polymer useful as a resin component of the resist material is small, and it effectively responds to short-wavelength radiation, and has a high dry etching resistance, and as a resist, Development of a new siloxane-based polymer that can provide a resist material having excellent basic physical properties has become an important issue from the viewpoint of technology development that can respond to rapid progress in miniaturization of semiconductor devices.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、Kr
Fエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシ
マレーザー(波長193nm)あるいはF2 エキシマレ
ーザー(波長157nm)に代表される遠紫外線等の放
射線に有効に感応し、ドライエッチング耐性に優れ、し
かも放射線に対する透明性、感度、解像度、現像性等の
レジストとしての基本物性にも優れたレジスト材料の樹
脂成分等として有用な新規ポリシロキサンを提供するこ
とにある。
The problem to be solved by the present invention is that Kr
Effectively sensitive to far ultraviolet rays such as F excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm) or F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), has excellent dry etching resistance, and is transparent to radiation. Another object of the present invention is to provide a novel polysiloxane useful as a resin component of a resist material having excellent basic physical properties as a resist such as sensitivity, resolution and developability.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
(1)に示す構造単位(I)および/または構造単位
(II)を有し、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
(GPC)により測定したポリスチレン換算重量平均分
子量が500〜1,000,000のポリシロキサン
(以下、「ポリシロキサン(1)」という。)、からな
る。
Means for Solving the Problems The present invention has a structural unit (I) and / or a structural unit (II) represented by the following general formula (1) and has a polystyrene equivalent measured by gel permeation chromatography (GPC). It is composed of a polysiloxane having a weight average molecular weight of 500 to 1,000,000 (hereinafter, referred to as "polysiloxane (1)").

【0006】[0006]

【化2】 Embedded image

【0007】〔一般式(1)において、各Rは相互に独
立して水素原子またはメチル基を示し、R’は水素原
子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示し、Xは
水素原子または1価の酸解離性基を示し、R''は水素原
子、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、炭素数1〜2
0の1価のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン原子または
1級、2級もしくは3級のアミノ基を示し、nは0〜3
の整数であり、式中の各ケイ素原子は最上位にあるビシ
クロ[ 2.2.1 ]ヘプタン環の2−位または3−位に
結合している。〕
[In the general formula (1), each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R 'represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group, and X represents a hydrogen atom or a monovalent group. R '' represents a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and a carbon atom having 1 to 2 carbon atoms.
0 represents a monovalent halogenated hydrocarbon group, a halogen atom or a primary, secondary or tertiary amino group;
Wherein each silicon atom is bonded to the 2- or 3-position of the bicyclo [2.2.1] heptane ring at the top. ]

【0008】以下、本発明について詳細に説明する。ポ
リシロキサン(1)の構造単位(I)および構造単位
(II)において、R’としては、水素原子、メチル基お
よびトリフルオロメチル基の何れも好ましい。なお、構
造単位(I)におけるR’と構造単位(II)における
R’とは、相互に同一でも異なってもよい。
Hereinafter, the present invention will be described in detail. In the structural units (I) and (II) of the polysiloxane (1), R ′ is preferably any of a hydrogen atom, a methyl group and a trifluoromethyl group. Note that R ′ in the structural unit (I) and R ′ in the structural unit (II) may be the same or different from each other.

【0009】次に、構造単位(I)および構造単位(I
I)において、Xの1価の酸解離性基(以下、「酸解離
性基(α)」という。)としては、例えば、3級アルキ
ル基、Xが結合している酸素原子と共にアセタール基を
形成する基(以下、「アセタール形成基」という。)、
置換メチル基、1−置換エチル基、1−分岐アルキル基
(但し、3級アルキル基を除く。)、シリル基、ゲルミ
ル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離
性基等を挙げることができる。
Next, the structural unit (I) and the structural unit (I
In I), examples of the monovalent acid dissociable group of X (hereinafter referred to as “acid dissociable group (α)”) include a tertiary alkyl group and an acetal group together with an oxygen atom to which X is bonded. A group to be formed (hereinafter, referred to as an “acetal-forming group”);
Examples include a substituted methyl group, a 1-substituted ethyl group, a 1-branched alkyl group (excluding a tertiary alkyl group), a silyl group, a germyl group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, and a cyclic acid dissociable group. Can be.

【0010】酸解離性基(α)において、前記3級アル
キル基としては、例えば、t−ブチル基、1,1−ジメ
チルプロピル基、1−メチル−1−エチルプロピル基、
1,1−ジメチルブチル基、1−メチル−1−エチルブ
チル基、1,1−ジメチルペンチル基、1−メチル−1
−エチルペンチル基、1,1−ジメチルヘキシル基、
1,1−ジメチルヘプチル基、1,1−ジメチルオクチ
ル基等を挙げることができる。また、アセタール形成基
としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル
基、n−プロポキシメチル基、i−プロポキシメチル
基、n−ブトキシメチル基、t−ブトキシメチル基、n
−ペンチルオキシメチル基、n−ヘキシルオキシメチル
基、シクロペンチルオキシメチル基、シクロヘキシルオ
キシメチル基、1−メトキシエチル基、1−エトキシエ
チル基、1−n−プロポキシエチル基、1−i−プロポ
キシエチル基、1−n−ブトキシエチル基、1−t−ブ
トキシエチル基、1−n−ペンチルオキシエチル基、1
−n−ヘキシルオキシエチル基、1−シクロペンチルオ
キシエチル基、1−シクロヘキシルオキシエチル基、1
−メトキシプロピル基、1−エトキシプロピル基、(シ
クロヘキル)(メトキシ)メチル基、(シクロヘキル)
(エトキシ)メチル基、(シクロヘキル)(n−プロポ
キシ)メチル基、(シクロヘキル)(i−プロポキシ)
メチル基、(シクロヘキル)(シクロヘキシルオキシ)
メチル基等を挙げることができる。
In the acid dissociable group (α), the tertiary alkyl group includes, for example, t-butyl group, 1,1-dimethylpropyl group, 1-methyl-1-ethylpropyl group,
1,1-dimethylbutyl group, 1-methyl-1-ethylbutyl group, 1,1-dimethylpentyl group, 1-methyl-1
-Ethylpentyl group, 1,1-dimethylhexyl group,
Examples thereof include a 1,1-dimethylheptyl group and a 1,1-dimethyloctyl group. Examples of the acetal-forming group include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, an n-propoxymethyl group, an i-propoxymethyl group, an n-butoxymethyl group, a t-butoxymethyl group,
-Pentyloxymethyl group, n-hexyloxymethyl group, cyclopentyloxymethyl group, cyclohexyloxymethyl group, 1-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-i-propoxyethyl group , 1-n-butoxyethyl group, 1-t-butoxyethyl group, 1-n-pentyloxyethyl group, 1
-N-hexyloxyethyl group, 1-cyclopentyloxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, 1
-Methoxypropyl group, 1-ethoxypropyl group, (cyclohexyl) (methoxy) methyl group, (cyclohexyl)
(Ethoxy) methyl group, (cyclohexyl) (n-propoxy) methyl group, (cyclohexyl) (i-propoxy)
Methyl group, (cyclohexyl) (cyclohexyloxy)
Examples include a methyl group.

【0011】また、前記置換メチル基としては、例え
ば、フェナシル基、p−ブロモフェナシル基、p−メト
キシフェナシル基、p−メチルチオフェナシル基、α−
メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジ
ル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、p
−ブロモベンジル基、p−ニトロベンジル基、p−メト
キシベンジル基、p−メチルチオベンジル基、p−エト
キシベンジル基、p−エチルチオベンジル基、ピペロニ
ル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニ
ルメチル基、n−プロポキシカルボニルメチル基、i−
プロポキシカルボニルメチル基、n−ブトキシカルボニ
ルメチル基、t−ブトキシカルボニルメチル基等を挙げ
ることができる。また、前記1−置換エチル基として
は、例えば、1−シクロプロピルエチル基、1−フェニ
ルエチル基、1,1−ジフェニルエチル基、1−メトキ
シカルボニルエチル基、1−エトキシカルボニルエチル
基、1−n−プロポキシカルボニルエチル基、1−i−
プロポキシカルボニルエチル基、1−n−ブトキシカル
ボニルエチル基、1−t−ブトキシカルボニルエチル基
等を挙げることができる。
The substituted methyl group includes, for example, phenacyl group, p-bromophenacyl group, p-methoxyphenacyl group, p-methylthiophenacyl group, α-
Methylphenacyl group, cyclopropylmethyl group, benzyl group, diphenylmethyl group, triphenylmethyl group, p
-Bromobenzyl group, p-nitrobenzyl group, p-methoxybenzyl group, p-methylthiobenzyl group, p-ethoxybenzyl group, p-ethylthiobenzyl group, piperonyl group, methoxycarbonylmethyl group, ethoxycarbonylmethyl group, n -Propoxycarbonylmethyl group, i-
Examples thereof include a propoxycarbonylmethyl group, an n-butoxycarbonylmethyl group, and a t-butoxycarbonylmethyl group. Examples of the 1-substituted ethyl group include 1-cyclopropylethyl group, 1-phenylethyl group, 1,1-diphenylethyl group, 1-methoxycarbonylethyl group, 1-ethoxycarbonylethyl group, n-propoxycarbonylethyl group, 1-i-
Examples thereof include a propoxycarbonylethyl group, a 1-n-butoxycarbonylethyl group, and a 1-t-butoxycarbonylethyl group.

【0012】また、前記1−分岐アルキル基としては、
例えば、i−プロピル基、1−メチルプロピル基、1−
メチルブチル基等を挙げることができる。また、前記シ
リル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチル
ジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチ
ルシリル基、i−プロピルジメチルシリル基、メチルジ
−i−プロピルシリル基、トリ−i−プロピルシリル
基、t−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−t−ブチ
ルシリル基、トリ−t−ブチルシリル基、フェニルジメ
チルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニ
ルシリル基等を挙げることができる。また、前記ゲルミ
ル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチル
ジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリ
エチルゲルミル基、i−プロピルジメチルゲルミル基、
メチルジ−i−プロピルゲルミル基、トリ−i−プロピ
ルゲルミル基、t−ブチルジメチルゲルミル基、メチル
ジ−t−ブチルゲルミル基、トリ−t−ブチルゲルミル
基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲ
ルミル基、トリフェニルゲルミル基等を挙げることがで
きる。また、前記アルコキシカルボニル基としては、例
えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、
i−プロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル
基等を挙げることができる。
Further, as the 1-branched alkyl group,
For example, i-propyl group, 1-methylpropyl group, 1-
Examples thereof include a methylbutyl group. Examples of the silyl group include, for example, a trimethylsilyl group, an ethyldimethylsilyl group, a methyldiethylsilyl group, a triethylsilyl group, an i-propyldimethylsilyl group, a methyldi-i-propylsilyl group, a tri-i-propylsilyl group, Examples thereof include a t-butyldimethylsilyl group, a methyldi-t-butylsilyl group, a tri-t-butylsilyl group, a phenyldimethylsilyl group, a methyldiphenylsilyl group, and a triphenylsilyl group. Examples of the germyl group include, for example, a trimethylgermyl group, an ethyldimethylgermyl group, a methyldiethylgermyl group, a triethylgermyl group, an i-propyldimethylgermyl group,
Methyl di-i-propylgermyl group, tri-i-propylgermyl group, t-butyldimethylgermyl group, methyldi-t-butylgermyl group, tri-t-butylgermyl group, phenyldimethylgermyl group, methyldiphenylgermyl And a triphenylgermyl group. Further, as the alkoxycarbonyl group, for example, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group,
Examples thereof include an i-propoxycarbonyl group and a t-butoxycarbonyl group.

【0013】また、前記アシル基としては、例えば、ア
セチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル
基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソ
バレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミ
トイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル
基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペ
ロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル
基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイ
ル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、
フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベン
ゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタ
ロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロ
ポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル
基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル
基、p−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げるこ
とができる。さらに、前記環式酸解離性基としては、例
えば、3−オキソシクロヘキシル基、テトラヒドロピラ
ニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピ
ラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、3−ブロモテ
トラヒドロピラニル基、4−メトキシテトラヒドロピラ
ニル基、2−オキソ−4−メチル−4−テトラヒドロピ
ラニル基、4−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、
3−テトラヒドロチオフェン−1,1−ジオキシド基等
を挙げることができる。
The acyl group includes, for example, acetyl, propionyl, butyryl, heptanoyl, hexanoyl, valeryl, pivaloyl, isovaleryl, lauryloyl, myristoyl, palmitoyl, stearoyl, oxalyl. Group, malonyl group, succinyl group, glutaryl group, adipoyl group, piperoyl group, suberoyl group, azelaoil group, sebacoil group, acryloyl group, propioloyl group, methacryloyl group, crotonoyl group, oleoyl group, maleoyl group,
Fumaroyl group, mesaconoyl group, camphoroyl group, benzoyl group, phthaloyl group, isophthaloyl group, terephthaloyl group, naphthoyl group, toluoyl group, hydroatropoyl group, atropoyl group, cinnamoyl group, furoyl group, tenoyl group, nicotinoyl group, isonicotinoyl group , P-toluenesulfonyl group, mesyl group and the like. Further, examples of the cyclic acid dissociable group include a 3-oxocyclohexyl group, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, a tetrahydrothiopyranyl group, a tetrahydrothiofuranyl group, a 3-bromotetrahydropyranyl group, -Methoxytetrahydropyranyl group, 2-oxo-4-methyl-4-tetrahydropyranyl group, 4-methoxytetrahydrothiopyranyl group,
Examples thereof include a 3-tetrahydrothiophene-1,1-dioxide group.

【0014】構造単位(I)および構造単位(II)にお
けるXとしては、特に、水素原子や、酸解離性基(α)
として、t−ブチル基、t−ブトキシカルボニル基、テ
トラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、メト
キシメチル基、エトキシメチル基、1−メトキシエチル
基、1−エトキシエチル基等が好ましい。なお、構造単
位(I)におけるXと構造単位(II)におけるXとは、
相互に同一でも異なってもよい。構造単位(I)および
構造単位(II)における酸解離性基(α)は、酸の存在
下で解離して水酸基を形成する基である。また、構造単
位(I)におけるnおよび構造単位(II)におけるnと
しては、それぞれ0または1が好ましい。なお、構造単
位(I)におけるnと構造単位(II)におけるnとは、
相互に同一でも異なってもよい。
X in the structural units (I) and (II) is particularly preferably a hydrogen atom or an acid dissociable group (α).
Preferred are t-butyl, t-butoxycarbonyl, tetrahydropyranyl, tetrahydrofuranyl, methoxymethyl, ethoxymethyl, 1-methoxyethyl, 1-ethoxyethyl and the like. Note that X in the structural unit (I) and X in the structural unit (II) are
They may be the same or different. The acid dissociable group (α) in the structural units (I) and (II) is a group that dissociates in the presence of an acid to form a hydroxyl group. Further, n in the structural unit (I) and n in the structural unit (II) are each preferably 0 or 1. Note that n in the structural unit (I) and n in the structural unit (II) are
They may be the same or different.

【0015】次に、構造単位(II)において、R''の炭
素数1〜20の1価の炭化水素としては、例えば、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n
−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピ
ル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル
基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサ
デシル基、n−オクタデシル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基等の直鎖状、分岐状も
しくは環状のアルキル基;フェニル基、o−トリル基、
m−トリル基、p−トリル基、ベンジル基、フェネチル
基、α−ナフチル基、β−ナフチル基等の芳香族炭化水
素基;ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラ
シクロデカニル基、アダマンチル基等の有橋式炭化水素
基等を挙げることができる。これらの1価の炭化水素基
のうち、メチル基、エチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル
基等が好ましい。
Next, in the structural unit (II), examples of the monovalent hydrocarbon of R ″ having 1 to 20 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group and an n-propyl group.
-Butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n Linear, branched or cyclic alkyl groups such as nonyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-hexadecyl group, n-octadecyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group A phenyl group, an o-tolyl group,
aromatic hydrocarbon groups such as m-tolyl group, p-tolyl group, benzyl group, phenethyl group, α-naphthyl group, β-naphthyl group; norbornyl group, tricyclodecanyl group, tetracyclodecanyl group, adamantyl group And the like. Among these monovalent hydrocarbon groups, a methyl group, an ethyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group and the like are preferable.

【0016】また、R''の炭素数1〜20の1価のハロ
ゲン化炭化水素基としては、例えば、前記1価の炭化水
素基を1種以上あるいは1個以上のハロゲン原子、好ま
しくは1個以上のフッ素原子で置換した基、より具体的
には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル
基、3,3,3,2,2−ペンタフルオロ−n−プロピ
ル基、ヘプタフルオロ−n−プロピル基、ヘプタフルオ
ロ−i−プロピル基、ペンタフルオロフェニル基、ペン
タフルオロベンジル基、ペンタフルオロフェネチル基、
パーフルオロノルボルニル基、下記式(a)
As the monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for R ″, for example, one or more halogen atoms, preferably one or more halogen atoms, Groups substituted with at least two fluorine atoms, more specifically, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, 3,3,3,2,2-pentafluoro-n-propyl group, heptafluoro-n-propyl group Group, heptafluoro-i-propyl group, pentafluorophenyl group, pentafluorobenzyl group, pentafluorophenethyl group,
Perfluoronorbornyl group, the following formula (a)

【0017】[0017]

【化3】 (式中、各Rfは相互に独立して、水素原子またはフッ
素原子を示し、かつ少なくとも1個のRfがフッ素原子
であり、jは0〜4の整数である。)
Embedded image (In the formula, each Rf independently represents a hydrogen atom or a fluorine atom, and at least one Rf is a fluorine atom, and j is an integer of 0 to 4.)

【0018】で表される基等を挙げることができる。こ
れらの1価のハロゲン化炭化水素基のうち、トリフルオ
ロメチル基、ペンタフルオロエチル基、3,3,3,
2,2−ペンタフルオロ−n−プロピル基、ペンタフル
オロフェニル基、o−フルオロフェニル基、m−フルオ
ロフェニル基、p−フルオロフェニル基、2,3−ジフ
ルオロフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、
2,5−ジフルオロフェニル基、2,6−ジフルオロフ
ェニル基、3,4−ジフルオロフェニル基、3,5−ジ
フルオロフェニル基、2,3,4−トリフルオロフェニ
ル基、2,3,5−トリフルオロフェニル基、2,3,
6−トリフルオロフェニル基、2,4,6−トリフルオ
ロフェニル基、3,4,5−トリフルオロフェニル基、
ペンタフルオロベンジル基、ペンタフルオロフェネチル
基等が好ましい。
And the like. Among these monovalent halogenated hydrocarbon groups, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, 3,3,3
2,2-pentafluoro-n-propyl group, pentafluorophenyl group, o-fluorophenyl group, m-fluorophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,3-difluorophenyl group, 2,4-difluorophenyl group ,
2,5-difluorophenyl group, 2,6-difluorophenyl group, 3,4-difluorophenyl group, 3,5-difluorophenyl group, 2,3,4-trifluorophenyl group, 2,3,5-triphenyl Fluorophenyl group, 2,3
6-trifluorophenyl group, 2,4,6-trifluorophenyl group, 3,4,5-trifluorophenyl group,
A pentafluorobenzyl group, a pentafluorophenethyl group and the like are preferable.

【0019】また、R''のハロゲン原子としては、例え
ば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等を挙げることが
できる。これらのハロゲン原子のうち、フッ素原子、塩
素原子が好ましい。また、R''の2級もしくは3級のア
ミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、n−プロピルアミノ基、i−プロピルアミノ基、
n−ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、シクロ
ヘキシルアミノ基、フェニルアミノ基、ベンジルアミノ
基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−i−プ
ロピルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、ジシクロ
ヘキシルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジベンジルア
ミノ基等を挙げることができる。R''のアミノ基として
は、アミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、
ジシクロペンチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ
基、ジフェニルアミノ基等が好ましい。
Examples of the halogen atom for R ″ include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom. Among these halogen atoms, a fluorine atom and a chlorine atom are preferred. Examples of the secondary or tertiary amino group for R ″ include a methylamino group, an ethylamino group, an n-propylamino group, an i-propylamino group,
n-butylamino group, cyclopentylamino group, cyclohexylamino group, phenylamino group, benzylamino group, dimethylamino group, diethylamino group, di-i-propylamino group, dicyclopentylamino group, dicyclohexylamino group, diphenylamino group, Examples thereof include a dibenzylamino group. As the amino group for R '', an amino group, a dimethylamino group, a diethylamino group,
Dicyclopentylamino, dicyclohexylamino, diphenylamino and the like are preferred.

【0020】構造単位(II)におけるR''としては、特
に、メチル基、エチル基、シクロヘキシル基、ペンタフ
ルオロエチル基、フッ素原子、塩素原子、ジメチルアミ
ノ基等が好ましい。
R '' in the structural unit (II) is particularly preferably a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, a pentafluoroethyl group, a fluorine atom, a chlorine atom, a dimethylamino group and the like.

【0021】構造単位(I)の好ましい具体例を示す
と、下記式(I-1-1) 〜(I-1-12)で表される構造単
位、式(I-2-1) 〜(I-2-12)で表される構造単位等を
挙げることができる。
Preferred specific examples of the structural unit (I) include structural units represented by the following formulas (I-1-1) to (I-1-12), and formulas (I-2-1) to (I-2-1). And the structural unit represented by I-2-12).

【0022】[0022]

【化4】 Embedded image

【0023】[0023]

【化5】 Embedded image

【0024】[0024]

【化6】 Embedded image

【0025】[0025]

【化7】 Embedded image

【0026】[0026]

【化8】 Embedded image

【0027】[0027]

【化9】 Embedded image

【0028】[0028]

【化10】 Embedded image

【0029】[0029]

【化11】 Embedded image

【0030】これらの構造単位(I)のうち、特に、式
(I-1-2) 、式(I-1-3) 、式(I-1-5) 、式(I-1-
6) 、式(I-1-8) 、式(I-1-9) 、式(I-2-2) 、式
(I-2-3) 、式(I-2-5) 、式(I-2-6) 、式(I-2-
8) または式(I-2-9) で表される構造単位等が好まし
い。
Among these structural units (I), in particular, the formulas (I-1-2), (I-1-3), (I-1-5), and (I-1-
6), Formula (I-1-8), Formula (I-1-9), Formula (I-2-2), Formula (I-2-3), Formula (I-2-5), Formula (I-2-5) I-2-6), the formula (I-2-6)
8) or a structural unit represented by the formula (I-2-9) is preferable.

【0031】次に、構造単位(II)の好ましい具体例を
示すと、下記式(II-1-1) 〜(II-1-48)で表される構造
単位、式(II-2-1) 〜(II-2-48)で表される構造単位等
を挙げることができる。
Next, preferred specific examples of the structural unit (II) are shown below: structural units represented by the following formulas (II-1-1) to (II-1-48); ) To (II-2-48).

【0032】[0032]

【化12】 Embedded image

【0033】[0033]

【化13】 Embedded image

【0034】[0034]

【化14】 Embedded image

【0035】[0035]

【化15】 Embedded image

【0036】[0036]

【化16】 Embedded image

【0037】[0037]

【化17】 Embedded image

【0038】[0038]

【化18】 Embedded image

【0039】[0039]

【化19】 Embedded image

【0040】[0040]

【化20】 Embedded image

【0041】[0041]

【化21】 Embedded image

【0042】[0042]

【化22】 Embedded image

【0043】[0043]

【化23】 Embedded image

【0044】[0044]

【化24】 Embedded image

【0045】[0045]

【化25】 Embedded image

【0046】[0046]

【化26】 Embedded image

【0047】[0047]

【化27】 Embedded image

【0048】[0048]

【化28】 Embedded image

【0049】[0049]

【化29】 Embedded image

【0050】[0050]

【化30】 Embedded image

【0051】[0051]

【化31】 Embedded image

【0052】[0052]

【化32】 Embedded image

【0053】[0053]

【化33】 Embedded image

【0054】[0054]

【化34】 Embedded image

【0055】[0055]

【化35】 Embedded image

【0056】[0056]

【化36】 Embedded image

【0057】[0057]

【化37】 Embedded image

【0058】[0058]

【化38】 Embedded image

【0059】[0059]

【化39】 Embedded image

【0060】[0060]

【化40】 Embedded image

【0061】[0061]

【化41】 Embedded image

【0062】[0062]

【化42】 Embedded image

【0063】[0063]

【化43】 Embedded image

【0064】これらの構造単位(II)のうち、特に、式
(II-1-14)、式(II-1-15)、式(II-1-17)、式(II-1-1
8)、式(II-1-20)、式(II-1-21)、式(II-1-26)、式
(II-1-27)、式(II-1-29)、式(II-1-30)、式(II-1-3
2)、式(II-1-33)、式(II-2-14)、式(II-2-15)、式
(II-2-17)、式(II-2-18)、式(II-2-20)、式(II-2-2
1)、式(II-2-26)、式(II-2-27)、式(II-2-29)、式
(II-2-30)、式(II-2-32)または式(II-2-33)で表され
る構造単位等が好ましい。ポリシロキサン(1)におい
て、構造単位(I)および構造単位(II)はそれぞれ、
単独でまたは2種以上が存在することができる。
Among these structural units (II), in particular, the formulas (II-1-14), (II-1-15), (II-1-17) and (II-1-1)
8), Formula (II-1-20), Formula (II-1-21), Formula (II-1-26), Formula (II-1-27), Formula (II-1-29), Formula (II-1-29) II-1-30), Formula (II-1-3
2), Formula (II-1-33), Formula (II-2-14), Formula (II-2-15), Formula (II-2-17), Formula (II-2-18), Formula (II-2-18) II-2-20), Formula (II-2-2
1), Formula (II-2-26), Formula (II-2-27), Formula (II-2-29), Formula (II-2-30), Formula (II-2-32) or Formula (II-2-32) The structural unit represented by II-2-33) is preferred. In the polysiloxane (1), the structural unit (I) and the structural unit (II) are
Alone or two or more can be present.

【0065】構造単位(I)を与える縮合成分として
は、例えば、下記一般式(2)に示すシラン化合物
(i)またはシラン化合物(ii) を挙げることができ、
また構造単位(II)を与える縮合成分としては、例え
ば、下記一般式(3)に示すシラン化合物(iii) または
シラン化合物(iv) を挙げることができる。
Examples of the condensation component for providing the structural unit (I) include a silane compound (i) or a silane compound (ii) represented by the following general formula (2).
Examples of the condensation component that provides the structural unit (II) include a silane compound (iii) or a silane compound (iv) represented by the following general formula (3).

【0066】[0066]

【化44】 〔一般式(2)において、R、R’、Xおよびnは、一
般式(1)におけるそれぞれR、R’、Xおよびnと同
義であり、Yは炭素数1〜20の1価の炭化水素基、炭
素数1〜20の1価のハロゲン化炭化水素基または下記
式(b)で表される基を示す。〕
Embedded image [In the general formula (2), R, R ', X and n have the same meanings as R, R', X and n in the general formula (1), respectively, and Y is a monovalent carbon having 1 to 20 carbon atoms. It represents a hydrogen group, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a group represented by the following formula (b). ]

【0067】[0067]

【化45】 〔一般式(3)において、R、R’、X、nおよびR''
は、一般式(2)におけるそれぞれR、R’、X、nお
よびR''と同義であり、Yは炭素数1〜20の1価の炭
化水素基、炭素数1〜20の1価のハロゲン化炭化水素
基または下記式(b)で表される基を示す。〕
Embedded image [In the general formula (3), R, R ′, X, n and R ″
Is synonymous with R, R ′, X, n and R ″ in the general formula (2), and Y is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. It represents a halogenated hydrocarbon group or a group represented by the following formula (b). ]

【0068】[0068]

【化46】 (式中、各Y’は相互に独立して、水素原子、炭素数1
〜20の1価の炭化水素基、炭素数1〜20の1価のハ
ロゲン化炭化水素基または炭素数1〜20の直鎖状、分
岐状もしくは環状のアルコキシル基を示し、kは1〜1
0の整数である。)
Embedded image (Wherein each Y ′ is independently a hydrogen atom, a carbon atom 1)
A monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a linear, branched or cyclic alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, and k represents 1 to 1
It is an integer of 0. )

【0069】なお、シラン化合物(i)〜(iii)におけ
るYは相互に同一でも異なってもよく、またシラン化合
物(iii)とシラン化合物(iv) におけるR''は相互に同
一でも異なってもよい。
It is to be noted that Y in the silane compounds (i) to (iii) may be the same or different from each other, and R ″ in the silane compound (iii) and the silane compound (iv) may be the same or different from each other. Good.

【0070】Xが水素原子であるシラン化合物(i)乃
至(iv)は、例えば、各化合物に対応するノルボルネン
(即ち、ビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−2−エン)誘
導体と、各化合物に対応するヒドロシラン化合物とを、
常法のヒドロシリル化反応に従い、ヒドロシリル化触媒
の存在下、無溶媒下あるいは適当な溶媒中で反応させる
方法等により合成することができる。
The silane compounds (i) to (iv) in which X is a hydrogen atom include, for example, a norbornene (that is, bicyclo [2.2.1] hept-2-ene) derivative corresponding to each compound, And a hydrosilane compound corresponding to
According to a conventional hydrosilylation reaction, it can be synthesized by a method in which the reaction is carried out in the presence of a hydrosilylation catalyst, without a solvent or in an appropriate solvent.

【0071】また、Xが酸解離性基(α)であるシラン
化合物(i)乃至(iv)は、例えば、下記〜の方法
等により合成することができる。 Xがt−ブトキシカルボニル基の場合、Xが水素原
子であるシラン化合物(i)乃至(iv)中の水酸基を、
触媒量の4−ジメチルアミノピリジンの存在下で、ジ−
t−ブチルジカーボネートによりエステル化する方法; Xがt−ブチル基の場合、Xが水素原子であるシラ
ン化合物(i)乃至(iv)中の水酸基をナトリウムオキ
シド基に変換した化合物と、t−ブチルクロライドと
を、常法により脱塩化ナトリウム反応させるか、あるい
はシラン化合物(i)乃至(iv)中の水酸基を酸無水物
基に変換した化合物と、t−ブチルアルコールとを、常
法により縮合させる方法; Xがテトラヒドロピラニル基である場合、Xが水素
原子であるシラン化合物(i)乃至(iv)中の水酸基
を、2,3−ジヒドロ−4H−ピランと、常法により付
加反応させる方法; Xがアセタール形成基である場合、Xが水素原子で
あるシラン化合物(i)乃至(iv)中の水酸基を、対応
するビニルエーテルと、常法により付加反応させる方
法。
The silane compounds (i) to (iv) wherein X is an acid dissociable group (α) can be synthesized by, for example, the following methods. When X is a t-butoxycarbonyl group, a hydroxyl group in the silane compounds (i) to (iv) wherein X is a hydrogen atom is
In the presence of a catalytic amount of 4-dimethylaminopyridine,
a method of esterification with t-butyl dicarbonate; when X is a t-butyl group, a compound obtained by converting a hydroxyl group in a silane compound (i) to (iv) wherein X is a hydrogen atom into a sodium oxide group; A butyl chloride is subjected to a sodium chloride dechlorination reaction by a conventional method, or a compound obtained by converting a hydroxyl group in a silane compound (i) to (iv) into an acid anhydride group and t-butyl alcohol is condensed by a conventional method. When X is a tetrahydropyranyl group, a hydroxyl group in the silane compounds (i) to (iv) wherein X is a hydrogen atom is subjected to an addition reaction with 2,3-dihydro-4H-pyran by a conventional method. When X is an acetal-forming group, the hydroxyl group in the silane compounds (i) to (iv) wherein X is a hydrogen atom is subjected to an addition reaction with a corresponding vinyl ether by a conventional method. How to.

【0072】ポリシロキサン(1)は、シラン化合物
(i)乃至(iv)を、酸性触媒または塩基性触媒の存在
下、無溶媒または溶媒中で、常法により重縮合させるこ
とによって製造することができる。この重縮合に際して
は、シラン化合物(i)乃至(iv)はそれぞれ、一部ま
たは全部を部分縮合物として用いることもできる。
The polysiloxane (1) can be produced by subjecting the silane compounds (i) to (iv) to polycondensation in the presence of an acidic catalyst or a basic catalyst in the absence of a solvent or in a solvent by a conventional method. it can. At the time of the polycondensation, a part or all of the silane compounds (i) to (iv) can be used as partial condensates.

【0073】以下、ポリシロキサン(1)を製造する重
縮合法について説明する。前記酸性触媒としては、例え
ば、塩酸、硫酸、硝酸、蟻酸、酢酸、n−プロピオン
酸、酪酸、吉草酸、しゅう酸、マロン酸、琥珀酸、マレ
イン酸、フマル酸、アジピン酸、フタル酸、テレフタル
酸、無水酢酸、無水マレイン酸、クエン酸、ホウ酸、燐
酸、四塩化チタン、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、ベン
ゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスル
ホン酸等を挙げることができる。これらの酸性触媒は、
単独でまたは2種以上を混合して使用することができ
る。
Hereinafter, the polycondensation method for producing the polysiloxane (1) will be described. Examples of the acidic catalyst include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, formic acid, acetic acid, n-propionic acid, butyric acid, valeric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, maleic acid, fumaric acid, adipic acid, phthalic acid, and terephthalic acid. Examples include acid, acetic anhydride, maleic anhydride, citric acid, boric acid, phosphoric acid, titanium tetrachloride, zinc chloride, aluminum chloride, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, and the like. These acidic catalysts
They can be used alone or in combination of two or more.

【0074】前記塩基性触媒のうち、無機塩基類として
は、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、炭酸
水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム等を挙げることができる。
Among the basic catalysts, inorganic bases include, for example, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, calcium hydroxide, barium hydroxide, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium carbonate,
Potassium carbonate and the like can be mentioned.

【0075】また、前記塩基性触媒のうち、有機塩基類
としては、例えば、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチル
アミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−
デシルアミン、シクロヘキシルアミン等の直鎖状、分岐
状もしくは環状のモノアルキルアミン類;ジ−n−ブチ
ルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、ジ−n−ヘキシル
アミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルア
ミン、ジ−n−ノニルアミン、ジ−n−デシルアミン、
シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン
等の直鎖状、分岐状もしくは環状のジアルキルアミン
類;トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、ト
リ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、ト
リ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、
トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、
トリ−n−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミ
ン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシ
ルアミン等の直鎖状、分岐状もしくは環状のトリアルキ
ルアミン類;
In the basic catalyst, examples of the organic base include n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, and n-hexylamine.
Linear, branched or cyclic monoalkylamines such as decylamine and cyclohexylamine; di-n-butylamine, di-n-pentylamine, di-n-hexylamine, di-n-heptylamine, di-n -Octylamine, di-n-nonylamine, di-n-decylamine,
Linear, branched or cyclic dialkylamines such as cyclohexylmethylamine and dicyclohexylamine; triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, Tri-n-heptylamine,
Tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine,
Linear, branched or cyclic trialkylamines such as tri-n-decylamine, cyclohexyldimethylamine, dicyclohexylmethylamine and tricyclohexylamine;

【0076】アニリン、N−メチルアニリン、N,N−
ジメチルアニリン、2−メチルアニリン、3−メチルア
ニリン、4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、ジ
フェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン
等の芳香族アミン類;エチレンジアミン、N,N,N',
N’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレン
ジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエ
ーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’
−ジアミノジフェニルアミン、2,2−ビス(4’−ア
ミノフェニル)プロパン、2−(3’−アミノフェニ
ル)−2−(4’−アミノフェニル)プロパン、2−
(4’−アミノフェニル)−2−(3’−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン、2−(4’−アミノフェニル)−2
−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,4−ビ
ス [1’−(4''−アミノフェニル)−1’−メチルエ
チル] ベンゼン、1,3−ビス [1’−(4''−アミノ
フェニル)−1’−メチルエチル ]ベンゼン等のジアミ
ン類;
Aniline, N-methylaniline, N, N-
Aromatic amines such as dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, 4-nitroaniline, diphenylamine, triphenylamine and naphthylamine; ethylenediamine, N, N, N ',
N'-tetramethylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4 '
-Diaminodiphenylamine, 2,2-bis (4'-aminophenyl) propane, 2- (3'-aminophenyl) -2- (4'-aminophenyl) propane, 2-
(4'-aminophenyl) -2- (3'-hydroxyphenyl) propane, 2- (4'-aminophenyl) -2
-(4′-hydroxyphenyl) propane, 1,4-bis [1 ′-(4 ″ -aminophenyl) -1′-methylethyl] benzene, 1,3-bis [1 ′-(4 ″-) Diamines such as [aminophenyl) -1′-methylethyl] benzene;

【0077】イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−
メチルイミダゾール、4−メチル−2−フェニルイミダ
ゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2−メチルピリ
ジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−
エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニル
ピリジン、2−メチル−4−フェニルピリジン、ニコチ
ン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、4−ヒ
ドロキシキノリン、8−オキシキノリン、アクリジン等
のピリジン類;ピペラジン、1−(2’−ヒドロキシエ
チル)ピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、
ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリ
ジン、ピペリジン、モルホリン、4−メチルモルホリ
ン、1,4−ジメチルピペラジン、1,4−ジアザビシ
クロ [2.2.2] オクタン等の他の含窒素複素環化合
物等を挙げることができる。これらの塩基性触媒は、単
独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
Imidazole, benzimidazole, 4-
Imidazoles such as methylimidazole and 4-methyl-2-phenylimidazole; pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-
Pyridines such as ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, 2-methyl-4-phenylpyridine, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 4-hydroxyquinoline, 8-oxyquinoline and acridine; piperazine , 1- (2'-hydroxyethyl) piperazine and the like, as well as pyrazine,
Other nitrogen-containing heterocyclic compounds such as pyrazole, pyridazine, quinosaline, purine, pyrrolidine, piperidine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,4-dimethylpiperazine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, etc. Can be mentioned. These basic catalysts can be used alone or in combination of two or more.

【0078】前記酸性触媒および塩基性触媒のうち、塩
酸、硫酸、酢酸、しゅう酸、マロン酸、マレイン酸、フ
マル酸、無水酢酸、無水マレイン酸、トリエチルアミ
ン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミ
ン、ピリジン等が好ましい。酸性触媒または塩基性触媒
の使用量は、シラン化合物の全量100重量部に対し
て、通常、0.01〜10,000重量部である。
Of the above acidic catalysts and basic catalysts, hydrochloric acid, sulfuric acid, acetic acid, oxalic acid, malonic acid, maleic acid, fumaric acid, acetic anhydride, maleic anhydride, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n -Butylamine, pyridine and the like are preferred. The used amount of the acidic catalyst or the basic catalyst is usually 0.01 to 10,000 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the silane compound.

【0079】また、重縮合に用いられる溶媒としては、
例えば、2−ブタノン、2−ペンタノン、3−メチル−
2−ブタノン、2−ヘキサノン、4−メチル−2−ペン
タノン、3−メチル−2−ペンタノン、3,3−ジメチ
ル−2−ブタノン、2−ヘプタノン、2−オクタノン等
の直鎖状もしくは分岐状のケトン類;シクロペンタノ
ン、3−メチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、
2−メチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロ
ヘキサノン、イソホロン等の環状のケトン類;プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノ−i−プロピルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテ
ルアセテート、プロピレングリコールモノ−i−ブチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−se
c−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノ−t−ブチルエーテルアセテート等のプロピレング
リコールモノアルキルエーテルアセテート類;2−ヒド
ロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン
酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸n−プロピル、
2−ヒドロキシプロピオン酸i−プロピル、2−ヒドロ
キシプロピオン酸n−ブチル、2−ヒドロキシプロピオ
ン酸i−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸sec−
ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸t−ブチル等の2
−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類;3−メトキシプ
ロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、
3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピ
オン酸エチル等の3−アルコキシプロピオン酸アルキル
類;
The solvent used for the polycondensation includes
For example, 2-butanone, 2-pentanone, 3-methyl-
Linear or branched such as 2-butanone, 2-hexanone, 4-methyl-2-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 3,3-dimethyl-2-butanone, 2-heptanone and 2-octanone Ketones; cyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, cyclohexanone,
Cyclic ketones such as 2-methylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone and isophorone; propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol mono-n-propyl ether acetate;
Propylene glycol mono-i-propyl ether acetate, propylene glycol mono-n-butyl ether acetate, propylene glycol mono-i-butyl ether acetate, propylene glycol mono-se
propylene glycol monoalkyl ether acetates such as c-butyl ether acetate and propylene glycol mono-t-butyl ether acetate; methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, n-propyl 2-hydroxypropionate;
I-propyl 2-hydroxypropionate, n-butyl 2-hydroxypropionate, i-butyl 2-hydroxypropionate, sec- 2-hydroxypropionate
2 such as butyl and t-butyl 2-hydroxypropionate;
-Alkyl hydroxypropionates; methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate,
Alkyl 3-alkoxypropionates such as methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-ethoxypropionate;

【0080】n−プロピルアルコール、i−プロピルア
ルコール、n−ブチルアルコール、t−ブチルアルコー
ル、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチ
レングリコールモノ−n−ブチルエーテル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール
モノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−
プロピルエーテル等のアルコール類;ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチル
エーテル、ジエチレングリコールジ−n−プロピルエー
テル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル等
のジアルキレングリコールジアルキルエーテル類;エチ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレン
グリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート等の
エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;
N-propyl alcohol, i-propyl alcohol, n-butyl alcohol, t-butyl alcohol, cyclohexanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether,
Ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-
Alcohols such as propyl ether; dialkylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di-n-propyl ether and diethylene glycol di-n-butyl ether; ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate; Ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol mono-n-propyl ether acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene;

【0081】2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸
エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、
2−ヒドロキシ−3−メチル酪酸メチル、3−メトキシ
ブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルア
セテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネ
ート、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、酢
酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、アセト
酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピ
ルビン酸エチル等の他のエステル類のほか、N−メチル
ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−
ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエーテル、ジ−
n−ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−
ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、
γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等
を挙げることができる。これらの溶媒は、単独でまたは
2種以上を混合して使用することができる。溶媒の使用
量は、シラン化合物の全量100重量部に対して、通
常、2,000重量部以下である。
Ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate,
Methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxybutyl butyrate, acetic acid In addition to other esters such as ethyl, n-propyl acetate, n-butyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-
Dimethylacetamide, benzylethyl ether, di-
n-hexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-
Nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate,
γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate and the like. These solvents can be used alone or in combination of two or more. The amount of the solvent used is usually 2,000 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total amount of the silane compound.

【0082】ポリシロキサン(1)を製造する重縮合
は、無溶媒下、あるいは2−ブタノン、2−ペンタノ
ン、3−メチル−2−ブタノン、2−ヘキサノン、4−
メチル−2−ペンタノン、3−メチル−2−ペンタノ
ン、3,3−ジメチル−2−ブタノン、2−ヘプタノ
ン、2−オクタノン、シクロペンタノン、3−メチルシ
クロペンタノン、シクロヘキサノン、2−メチルシクロ
ヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−
プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテ
ルアセテート等の溶媒中で実施することが好ましい。
The polycondensation for producing the polysiloxane (1) can be carried out without solvent or with 2-butanone, 2-pentanone, 3-methyl-2-butanone, 2-hexanone, or 4-hexanone.
Methyl-2-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 3,3-dimethyl-2-butanone, 2-heptanone, 2-octanone, cyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, cyclohexanone, 2-methylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di-n-
It is preferably carried out in a solvent such as propyl ether, diethylene glycol di-n-butyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono-n-propyl ether acetate.

【0083】また、重縮合に際しては、反応系に水を添
加することもできる。この場合の水の添加量は、シラン
化合物の全量100重量部に対して、通常、10,00
0重量部以下である。重縮合における反応温度は、通
常、−50〜+300℃、好ましくは20〜100℃で
あり、反応時間は、通常、1分〜100時間程度であ
る。
In the polycondensation, water can be added to the reaction system. The amount of water added in this case is usually 10,000, based on 100 parts by weight of the total amount of the silane compound.
0 parts by weight or less. The reaction temperature in the polycondensation is generally -50 to + 300C, preferably 20 to 100C, and the reaction time is generally about 1 minute to 100 hours.

【0084】ポリシロキサン(1)は、構造単位(I)
および構造単位(II)以外の構造単位(以下、「他の構
造単位」という。)を1種以上有することができる。他
の構造単位を与えるシラン化合物としては、例えば、下
記一般式(4)で表されるシラン化合物(以下、「シラ
ン化合物(4)」という。)、下記一般式(5)で表さ
れるシラン化合物(以下、「シラン化合物(5)」とい
う。)等の酸素原子を有する1価の有機基を有するシラ
ン化合物や、下記一般式(6)で表されるシラン化合物
(以下、「シラン化合物(6)」という。)、下記一般
式(7)で表されるシラン化合物(以下、「シラン化合
物(7)」という。)、下記一般式(8)で表されるシ
ラン化合物(以下、「シラン化合物(8)」という。)
等を挙げることができる。これらのシラン化合物(4)
〜(8)はそれぞれ、一部または全部を部分縮合物とし
て用いることもできる。
The polysiloxane (1) has the structural unit (I)
And at least one structural unit other than structural unit (II) (hereinafter, referred to as “other structural units”). Examples of the silane compound that provides another structural unit include a silane compound represented by the following general formula (4) (hereinafter, referred to as “silane compound (4)”) and a silane compound represented by the following general formula (5) A silane compound having a monovalent organic group having an oxygen atom such as a compound (hereinafter, referred to as a “silane compound (5)”) or a silane compound represented by the following general formula (6) (hereinafter, a “silane compound ( 6) "), a silane compound represented by the following general formula (7) (hereinafter, referred to as" silane compound (7) "), and a silane compound represented by the following general formula (8) (hereinafter," silane "). Compound (8) ").
And the like. These silane compounds (4)
Each of (8) to (8) can also be used partially or entirely as a partial condensate.

【0085】[0085]

【化47】 Embedded image

【0086】〔一般式(4)および一般式(5)におい
て、Aは酸素原子を有する1価の有機基を示し、各R1
は相互に独立して炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もし
くは環状のアルキル基または炭素数1〜10の直鎖状、
分岐状もしくは環状のハロゲン化アルキル基を示し、R
2 は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状
のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状
のハロゲン化アルキル基、炭素数6〜20の1価の芳香
族炭化水素基または炭素数6〜20の1価のハロゲン化
芳香族炭化水素基を示す。〕
[0086] In [Formula (4) and the general formula (5), A represents a monovalent organic group having an oxygen atom, each R 1
Are independently of each other a straight-chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a linear chain having 1 to 10 carbon atoms,
A branched or cyclic halogenated alkyl group;
2 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear or branched halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a monovalent aromatic group having 6 to 20 carbon atoms. It represents a hydrocarbon group or a monovalent halogenated aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms. ]

【0087】[0087]

【化48】 Embedded image

【0088】〔一般式(6)〜(8)において、各R1
は相互に独立して炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もし
くは環状のアルキル基または炭素数1〜10の直鎖状、
分岐状もしくは環状のハロゲン化アルキル基を示し、各
3 は相互に独立して水素原子、水酸基、ハロゲン原
子、置換されていてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分
岐状もしくは環状のアルキル基、置換されていてもよい
炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコ
キシル基、置換されていてもよいアセトキシ基または置
換されていてもよい炭素数6〜20の芳香族炭化水素基
を示す。但し、各R3 は、一般式(4)および一般式
(5)におけるAを含まない。〕
[In the general formulas (6) to (8), each R 1
Are independently of each other a straight-chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a linear chain having 1 to 10 carbon atoms,
A branched or cyclic halogenated alkyl group; each R 3 is independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom, a linear, branched or cyclic C 1-20 carbon atom which may be substituted; An alkyl group, an optionally substituted linear, branched or cyclic alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an optionally substituted acetoxy group, or an optionally substituted aromatic group having 6 to 20 carbon atoms Shows a hydrocarbon group. However, each R 3 does not include A in the general formulas (4) and (5). ]

【0089】以下、これらのシラン化合物(4)〜
(8)について順次説明する。一般式(4)および一般
式(5)において、Aの酸素原子を有する1価の有機基
としては、例えば、下記一般式(9)で表される基(以
下、「水酸基含有有機基(9)」という。)、下記一般
式(10)で表される基(以下、「カルボキシル基含有
有機基(10)」という。)、酸解離性基を有する1価
の有機基等を挙げることができる。
Hereinafter, these silane compounds (4) to (4)
(8) will be described sequentially. In the general formulas (4) and (5), as the monovalent organic group having an oxygen atom of A, for example, a group represented by the following general formula (9) (hereinafter referred to as “hydroxyl-containing organic group (9 ) ")), A group represented by the following general formula (10) (hereinafter referred to as" carboxyl group-containing organic group (10) "), a monovalent organic group having an acid dissociable group, and the like. it can.

【0090】[0090]

【化49】 〔一般式(9)および一般式(10)において、Pは、
メチレン基、ジフルオロメチレン基、炭素数2〜20の
直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、炭素数2
〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフルオロアルキ
レン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基または炭素数
3〜20の2価の他の脂環式基を示す。〕
Embedded image [In the general formulas (9) and (10), P is
Methylene group, difluoromethylene group, linear, branched or cyclic alkylene group having 2 to 20 carbon atoms, 2 carbon atoms
A linear, branched or cyclic fluoroalkylene group having from 20 to 20; a divalent aromatic group having 6 to 20 carbon atoms; or another divalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms. ]

【0091】一般式(9)および一般式(10)におい
て、Pの炭素数2〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、トリメ
チレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、シクロヘ
キシレン基等を挙げることができ、炭素数2〜20の直
鎖状、分岐状もしくは環状のフルオロアルキレン基とし
ては、例えば、テトラフルオロエチレン基、ヘキサフル
オロトリメチレン基、オクタフルオロテトラメチレン基
等を挙げることができ、炭素数6〜20の2価の芳香族
基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、テ
トラフルオロフェニレン基、パーフルオロナフチレン基
等を挙げることができ、また炭素数3〜20の2価の他
の脂環式基としては、ノルボルネン骨格、トリシクロデ
カン骨格あるいはアダマンタン骨格を有する2価の炭化
水素基や、これらの基のハロゲン化物等を挙げることが
できる。一般式(9)および一般式(10)におけるP
としては、メチレン基、トリフルオロメチレン基、ノル
ボルネン骨格を有する2価の炭化水素基やそのハロゲン
化物、アダマンタン骨格を有する2価の炭化水素基やそ
のハロゲン化物等が好ましい。
In the general formulas (9) and (10), examples of the linear, branched or cyclic alkylene group having 2 to 20 carbon atoms of P include ethylene, trimethylene, propylene and tetraalkylene. Examples thereof include a methylene group, a cyclohexylene group, and the like, and examples of the linear, branched, or cyclic fluoroalkylene group having 2 to 20 carbon atoms include a tetrafluoroethylene group, a hexafluorotrimethylene group, and an octafluorotetrane group. Examples of the methylene group include divalent aromatic groups having 6 to 20 carbon atoms, such as phenylene, naphthylene, tetrafluorophenylene, and perfluoronaphthylene. Examples of the other divalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms include a norbornene skeleton, a tricyclodecane skeleton, And a divalent hydrocarbon group having adamantane skeleton include a halide thereof and the like groups. P in the general formulas (9) and (10)
Preferable examples include a methylene group, a trifluoromethylene group, a divalent hydrocarbon group having a norbornene skeleton and a halide thereof, a divalent hydrocarbon group having an adamantane skeleton and a halide thereof, and the like.

【0092】また、一般式(4)および一般式(5)に
おいて、Aにおける酸解離性基を有する1価の有機基と
しては、酸により解離して、好ましくは、カルボキシル
基、フェノール性水酸基またはアルコール性水酸基を生
じる酸解離性基を有する炭素数1〜20の直鎖状もしく
は分岐状のアルキル基、該酸解離性基を有する炭素数4
〜30の1価の脂環式炭化水素基等の、ポリシロキサン
(1)を製造する反応条件下で安定な基を挙げることが
できる。Aにおける酸解離性基としては、例えば、下記
一般式(11)または一般式(12)で表される基(以
下、これらの基をまとめて「酸解離性基(β)」とい
う。)等が好ましい。
In the general formulas (4) and (5), the monovalent organic group having an acid-dissociable group in A is dissociated by an acid, and is preferably a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group or A linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms having an acid dissociable group capable of forming an alcoholic hydroxyl group, and 4 carbon atoms having the acid dissociable group
Stable groups under the reaction conditions for producing polysiloxane (1), such as monovalent alicyclic hydrocarbon groups of from 30 to 30, may be mentioned. As the acid dissociable group in A, for example, a group represented by the following general formula (11) or (12) (hereinafter, these groups are collectively referred to as “acid dissociable group (β)”) and the like. Is preferred.

【0093】[0093]

【化50】 Embedded image

【0094】〔一般式(11)および一般式(12)に
おいて、Qは単結合、メチレン基、ジフルオロメチレン
基、炭素数2〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルキレン基、炭素数2〜20の直鎖状、分岐状もしくは
環状のフルオロアルキレン基、炭素数6〜20の2価の
芳香族基または炭素数3〜20の2価の他の脂環式基を
示し、Zは酸により解離して水素原子を生じる1価の有
機基を示す。〕
[In the general formulas (11) and (12), Q represents a single bond, a methylene group, a difluoromethylene group, a linear, branched or cyclic alkylene group having 2 to 20 carbon atoms; Represents a linear, branched or cyclic fluoroalkylene group having from 20 to 20 carbon atoms, a divalent aromatic group having 6 to 20 carbon atoms or another divalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms, and Z represents an acid. Represents a monovalent organic group which dissociates to generate a hydrogen atom. ]

【0095】一般式(11)および一般式(12)にお
いて、Qの炭素数2〜20の直鎖状、分岐状もしくは環
状のアルキレン基、炭素数2〜20の直鎖状、分岐状も
しくは環状のフルオロアルキレン基、炭素数6〜20の
2価の芳香族基および炭素数3〜20の2価の他の脂環
式基としては、例えば、一般式(9)および一般式(1
0)におけるPのそれぞれ対応する基等を挙げることが
できる。一般式(10)および一般式(11)における
Qとしては、エチレン基、シクロヘキシレン基、フェニ
レン基、テトラフルオロフェニレン基、ノルボルネン骨
格を有する2価の炭化水素基やそのハロゲン化物、アダ
マンタン骨格を有する2価の炭化水素基やそのハロゲン
化物等が好ましい。
In the general formulas (11) and (12), Q represents a linear, branched or cyclic alkylene group having 2 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkylene group having 2 to 20 carbon atoms. Examples of the fluoroalkylene group, a divalent aromatic group having 6 to 20 carbon atoms and another divalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms include the general formula (9) and the general formula (1).
And groups corresponding to P in 0). Q in the general formulas (10) and (11) represents an ethylene group, a cyclohexylene group, a phenylene group, a tetrafluorophenylene group, a divalent hydrocarbon group having a norbornene skeleton, a halide thereof, or an adamantane skeleton. Divalent hydrocarbon groups and their halides are preferred.

【0096】また、Zの酸により解離して水素原子を生
じる1価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、
2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブ
チル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチ
ル基、n−オクチル基、n−デシル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、4−t−ブチルシクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の直鎖状、
分岐状もしくは環状のアルキル基;フェノキシカルボニ
ル基、4−t−ブチルフェノキシカルボニル基、1−ナ
フチルオキシカルボニル基等のアリーロキシカルボニル
基;ベンジル基、4−t−ブチルベンジル基、フェネチ
ル基、4−t−ブチルフェネチル基等のアラルキル基;
t−ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、9
−フルオレニルメチルカルボニル基、2,2,2−トリ
クロロエチルカルボニル基、2−(トリメチルシリル)
エチルカルボニル基、i−ブチルカルボニル基、ビニル
カルボニル基、アリルカルボニル基、ベンジルカルボニ
ル基、4−エトキシ−1−ナフチルカルボニル基、メチ
ルジチオカルボニル基等の有機カルボニル基;
Examples of the monovalent organic group which is dissociated by the acid of Z to generate a hydrogen atom include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group,
2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-decyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, 4- t-butylcyclohexyl group, cycloheptyl group, straight-chain such as cyclooctyl group,
Branched or cyclic alkyl group; aryloxycarbonyl group such as phenoxycarbonyl group, 4-t-butylphenoxycarbonyl group, 1-naphthyloxycarbonyl group; benzyl group, 4-t-butylbenzyl group, phenethyl group, 4- an aralkyl group such as a t-butylphenethyl group;
t-butoxycarbonyl group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, 9
-Fluorenylmethylcarbonyl group, 2,2,2-trichloroethylcarbonyl group, 2- (trimethylsilyl)
Organic carbonyl groups such as an ethylcarbonyl group, an i-butylcarbonyl group, a vinylcarbonyl group, an allylcarbonyl group, a benzylcarbonyl group, a 4-ethoxy-1-naphthylcarbonyl group, and a methyldithiocarbonyl group;

【0097】メトキシメチル基、メチルチオメチル基、
t−ブチルチオメチル基、(フェニルジメチルシリル)
メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、t−ブト
キシメチル基、シロキシメチル基、2−メトキシエトキ
シメチル基、2,2,2−トリクロロエトキシメチル
基、ビス(2−クロロエトキシ)メチル基、2−(トリ
メチルシリル)エトキシメチル基、1−メトキシシクロ
ヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、4−メトキシテ
トラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テト
ラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル
基、1−エトキシエチル基、1−メチル−1−メトキシ
エチル基、1−メチル−1−ベンジルオキシエチル基、
1−(2’−クロロエトキシ)エチル基、1−メチル−
1−ベンジルオキシ−2−フルオロエチル基、2,2,
2−トリクロロエチル基、2−トリメチルシリルエチル
基、2−(フェニルセレニル)エチル基等の、一般式
(11)中の酸素原子と結合してアセタール基を形成す
る有機基;トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、
トリ−i−プロピルシリル基、ジメチル−i−プロピル
シリル基、ジエチル−i−プロピルシリル基、ジメチル
エチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、t−ブ
チルジフェニルシリル基、トリベンジルシリル基、トリ
−p−キシリルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフ
ェニルメチルシリル基、t−ブチルメトキシフェニルシ
リル基等の有機シリル基等を挙げることができる。
A methoxymethyl group, a methylthiomethyl group,
t-butylthiomethyl group, (phenyldimethylsilyl)
Methoxymethyl group, benzyloxymethyl group, t-butoxymethyl group, siloxymethyl group, 2-methoxyethoxymethyl group, 2,2,2-trichloroethoxymethyl group, bis (2-chloroethoxy) methyl group, 2- ( Trimethylsilyl) ethoxymethyl group, 1-methoxycyclohexyl group, tetrahydropyranyl group, 4-methoxytetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydrothiopyranyl group, tetrahydrothiofuranyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-methyl -1-methoxyethyl group, 1-methyl-1-benzyloxyethyl group,
1- (2′-chloroethoxy) ethyl group, 1-methyl-
1-benzyloxy-2-fluoroethyl group, 2,2
Organic groups such as 2-trichloroethyl group, 2-trimethylsilylethyl group and 2- (phenylselenyl) ethyl group which form an acetal group by bonding to an oxygen atom in the general formula (11); trimethylsilyl group, triethylsilyl Group,
Tri-i-propylsilyl group, dimethyl-i-propylsilyl group, diethyl-i-propylsilyl group, dimethylethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, t-butyldiphenylsilyl group, tribenzylsilyl group, tri- Examples thereof include organic silyl groups such as a p-xylylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylmethylsilyl group, and a t-butylmethoxyphenylsilyl group.

【0098】これらの酸により解離して水素原子を生じ
る1価の有機基のうち、t−ブチル基、テトラヒドロピ
ラニル基、1−エトキシエチル基、t−ブチルジメチル
シリル基等が好ましい。一般式(4)および一般式
(5)におけるAとしては、2−t−t−ブトキシカル
ボニルエチル基、4−t−ブトキシカルボニルシクロヘ
キシル基、4−t−ブトキシカルボニルフェニル基、4
−t−ブトキシカルボニル−2,3,5,6−テトラフ
ルオロフェニル基、5−t−ブトキシカルボニルノルボ
ニル基、5−t−ブトキシカルボニルアダマンチル基等
が好ましい。なお、一般式(4)におけるAと一般式
(5)におけるAとは、相互に同一でも異なってもよ
い。
Among the monovalent organic groups which dissociate with these acids to generate hydrogen atoms, a t-butyl group, a tetrahydropyranyl group, a 1-ethoxyethyl group, a t-butyldimethylsilyl group and the like are preferable. A in the general formulas (4) and (5) includes a 2-tert-butoxycarbonylethyl group, a 4-tert-butoxycarbonylcyclohexyl group, a 4-tert-butoxycarbonylphenyl group,
-T-butoxycarbonyl-2,3,5,6-tetrafluorophenyl group, 5-t-butoxycarbonylnorbonyl group, 5-t-butoxycarbonyladamantyl group and the like are preferable. Note that A in the general formula (4) and A in the general formula (5) may be the same or different from each other.

【0099】また、R1 の炭素数1〜10の直鎖状、分
岐状もしくは環状のアルキル基としては、例えば、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n
−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピ
ル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル
基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、
n−デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等
を挙げることができ、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状
もしくは環状のハロゲン化アルキル基としては、例え
ば、フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル
基、ジフルオロメチル基、ジクロロメチル基、トリフル
オロメチル基等を挙げることができる。一般式(4)お
よび一般式(5)におけるR1 としては、メチル基、エ
チル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル
基等が好ましい。なお、一般式(4)におけるR1 と一
般式(5)におけるR1 とは、相互に同一でも異なって
もよい。
Examples of the linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for R 1 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group and an n-propyl group.
-Butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group,
Examples thereof include an n-decyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group. Examples of the linear, branched, or cyclic halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a fluoromethyl group, a chloromethyl group, and a bromomethyl group. Group, difluoromethyl group, dichloromethyl group, trifluoromethyl group and the like. As R 1 in the general formulas (4) and (5), a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group and the like are preferable. Note that the R 1 in R 1 of the general formula in formula (4) (5) may be the same or different from each other.

【0100】また、一般式(5)において、R2 の炭素
数1〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基として
は、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、
1−メチルプロピル基、t−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基等を挙げることができ、炭素数1〜2
0の直鎖状もしくは分岐状のハロゲン化アルキル基とし
ては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ヘプタフルオロ−n−プロピル基、ヘプタフ
ルオロ−i−プロピル基等を挙げることができ、炭素数
6〜20の1価の芳香族炭化水素基としては、例えば、
フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、ベンジ
ル基、フェネチル基等を挙げることができ、炭素数6〜
20の1価のハロゲン化芳香族炭化水素基としては、例
えば、ペンタフルオロフェニル基、パーフルオロベンジ
ル基、パーフルオロフェネチル基、2−(ペンタフルオ
ロフェニル)ヘキサフルオロ−n−プロピル基、3−
(ペンタフルオロフェニル)ヘキサフルオロ−n−プロ
ピル基等を挙げることができる。一般式(5)における
2 としては、メチル基、エチル基、トリフルオロメチ
ル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロフェネチ
ル基、3−(ペンタフルオロフェニル)ヘキサフルオロ
−n−プロピル基等が好ましい。
[0100] In the general formula (5), as the linear or branched alkyl group having a carbon number 1 to 20 R 2, for example, a methyl group, an ethyl group, n- propyl group, i
-Propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group,
1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, cyclopentyl group,
And a cyclohexyl group, etc., having 1 to 2 carbon atoms.
Examples of the straight-chain or branched halogenated alkyl group of 0 include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a heptafluoro-n-propyl group, and a heptafluoro-i-propyl group. Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include:
Examples thereof include a phenyl group, an α-naphthyl group, a β-naphthyl group, a benzyl group, a phenethyl group, and the like.
Examples of the 20 monovalent halogenated aromatic hydrocarbon group include, for example, a pentafluorophenyl group, a perfluorobenzyl group, a perfluorophenethyl group, a 2- (pentafluorophenyl) hexafluoro-n-propyl group,
(Pentafluorophenyl) hexafluoro-n-propyl group and the like. As R 2 in the general formula (5), a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluorophenethyl group, a 3- (pentafluorophenyl) hexafluoro-n-propyl group and the like are preferable.

【0101】次に、一般式(6)〜(8)において、R
1 の炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルキル基および炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしく
は環状のハロゲン化アルキル基としては、例えば、一般
式(4)および一般式(5)におけるR1 のそれぞれ対
応する基等を挙げることができる。一般式(6)〜
(8)におけるR1 としては、メチル基、エチル基、n
−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基等が好ま
しい。なお、一般式(6)におけるR1 、一般式(7)
におけるR1 および一般式(8)におけるR1 は、相互
に同一でも異なってもよく、またこれらの各R1 は、一
般式(4)におけるR1 および一般式(5)におけるR
1 と相互に同一でも異なってもよい。
Next, in the general formulas (6) to (8), R
1 of a straight, branched or cyclic alkyl group and a straight, as the halogenated alkyl group branched or cyclic, for example, the general formula (4) and The groups corresponding to R 1 in the general formula (5) can be exemplified. General formula (6)
As R 1 in (8), a methyl group, an ethyl group, n
-Propyl, i-propyl, n-butyl and the like are preferred. In addition, R 1 in the general formula (6) and the general formula (7)
R 1 in formula (8) and R 1 in formula (8) may be the same or different from each other, and these R 1 are the same as R 1 in formula (4) and R 1 in formula (5).
It may be the same as or different from 1 .

【0102】また、R3 のハロゲン原子としては、例え
ば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等を
挙げることができる。また、R3 の置換されていてもよ
い炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアル
キル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチル
プロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基、n
−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−
オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、トリフルオロメチル基、ペ
ンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−n−プロピル
基、ヘプタフルオロ−i−プロピル基、ヒドロキシメチ
ル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロピ
ル基、4−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシシクロ
ヘキシル基、メトキシメチル基、2−メトキシエチル
基、3−メトキシプロピル基、4−メトキシブチル基、
4−メトキシシクロヘキシル基、アセトキシメチル基、
2−アセトキシエチル基、3−アセトキシプロピル基、
4−アセトキシブチル基、4−アセトキシシクロヘキシ
ル基、メルカプトメチル基、2−メルカプトエチル基、
3−メルカプトプロピル基、4−メルカプトブチル基、
4−メルカプトシクロヘキシル基、シアノメチル基、2
−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、4−シアノ
シクロヘキシル基、3−グリシドキシプロピル基、2−
(3’,4’−エポキシ)シクロヘキシル基、2−
(3’,4’−エポキシ)シクロヘキシルエチル基、3
−モルフォリノプロピル基等を挙げることができる。
Examples of the halogen atom for R 3 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Examples of the optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms of R 3 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, and an n-type alkyl group. -Butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n
-Pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-
Octyl, n-nonyl, n-decyl, cyclopentyl, cyclohexyl, trifluoromethyl, pentafluoroethyl, heptafluoro-n-propyl, heptafluoro-i-propyl, hydroxymethyl, 2 -Hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group, 4-hydroxybutyl group, 4-hydroxycyclohexyl group, methoxymethyl group, 2-methoxyethyl group, 3-methoxypropyl group, 4-methoxybutyl group,
4-methoxycyclohexyl group, acetoxymethyl group,
2-acetoxyethyl group, 3-acetoxypropyl group,
4-acetoxybutyl group, 4-acetoxycyclohexyl group, mercaptomethyl group, 2-mercaptoethyl group,
3-mercaptopropyl group, 4-mercaptobutyl group,
4-mercaptocyclohexyl group, cyanomethyl group, 2
-Cyanoethyl group, 3-cyanopropyl group, 4-cyanocyclohexyl group, 3-glycidoxypropyl group, 2-
(3 ′, 4′-epoxy) cyclohexyl group, 2-
(3 ′, 4′-epoxy) cyclohexylethyl group, 3
-Morpholinopropyl group and the like.

【0103】また、R3 の置換されていてもよい炭素数
1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル
基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プ
ロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−
メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブ
トキシ基、シクロヘキシルオキシ基、フルオロメトキシ
基、クロロメトキシ基、2−クロロエトキシ基、2−ブ
ロモエトキシ基、3−クロロプロポキシ基、3−ブロモ
プロポキシ基、3−グリシドキシプロポキシ基、4−フ
ルオロシクロヘキシルオキシ基、3,4−エポキシシク
ロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。また、R
3 の置換されていてもよいアセトキシ基としては、例え
ば、アセトキシ基、トリフルオロアセトキ基、クロロア
セトキシ基、ブロモアセトキシ基等を挙げることができ
る。
Examples of the optionally substituted linear, branched or cyclic alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms for R 3 include methoxy, ethoxy, n-propoxy and i-propoxy. Group, n-butoxy group, 2-
Methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, cyclohexyloxy group, fluoromethoxy group, chloromethoxy group, 2-chloroethoxy group, 2-bromoethoxy group, 3-chloropropoxy group, 3-bromopropoxy group , 3-glycidoxypropoxy, 4-fluorocyclohexyloxy, 3,4-epoxycyclohexyloxy and the like. Also, R
The 3 an optionally substituted acetoxy group, for example, an acetoxy group, trifluoroacetoxy key group, chloro acetoxy group, and bromoacetoxy group.

【0104】また、R3 の置換されていてもよい炭素数
6〜20の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニ
ル基、α−ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基、2
−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル基、4−
フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、4−
クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、パーフルオ
ロベンジル基、パーフルオロフェネチル基、2−(ペン
タフルオロフェニル)ヘキサフルオロ−n−プロピル
基、3−(ペンタフルオロフェニル)ヘキサフルオロ−
n−プロピル基、2−ヒドロキシフェニル基、3−ヒド
ロキシフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、2−メ
トキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メト
キシフェニル基、2−アセトキシフェニル基、3−アセ
トキシフェニル基、4−アセトキシフェニル基、2−ト
リメチルシロキシフェニル基、3−トリメチルシロキシ
フェニル基、4−トリメチルシロキシフェニル基、2−
フルオロベンジル基、3−フルオロベンジル基、4−フ
ルオロベンジル基、4−クロロベンジル基、4−ブロモ
ベンジル基、2−ヒドロキシベンジル基、3−ヒドロキ
シベンジル基、4−ヒドロキシベンジル基、2−メトキ
シベンジル基、3−メトキシベンジル基、4−メトキシ
ベンジル基、2−アセトキシベンジル基、3−アセトキ
シベンジル基、4−アセトキシベンジル基、2−トリメ
チルシロキシベンジル基、3−トリメチルシロキシベン
ジル基、4−トリメチルシロキシベンジル基等を挙げる
ことができる。
Examples of the optionally substituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms for R 3 include phenyl, α -naphthyl, benzyl, phenethyl and 2-phenyl.
-Fluorophenyl group, 3-fluorophenyl group, 4-
Fluorophenyl group, pentafluorophenyl group, 4-
Chlorophenyl group, 4-bromophenyl group, perfluorobenzyl group, perfluorophenethyl group, 2- (pentafluorophenyl) hexafluoro-n-propyl group, 3- (pentafluorophenyl) hexafluoro-
n-propyl, 2-hydroxyphenyl, 3-hydroxyphenyl, 4-hydroxyphenyl, 2-methoxyphenyl, 3-methoxyphenyl, 4-methoxyphenyl, 2-acetoxyphenyl, 3-acetoxy Phenyl group, 4-acetoxyphenyl group, 2-trimethylsiloxyphenyl group, 3-trimethylsiloxyphenyl group, 4-trimethylsiloxyphenyl group, 2-
Fluorobenzyl group, 3-fluorobenzyl group, 4-fluorobenzyl group, 4-chlorobenzyl group, 4-bromobenzyl group, 2-hydroxybenzyl group, 3-hydroxybenzyl group, 4-hydroxybenzyl group, 2-methoxybenzyl Group, 3-methoxybenzyl group, 4-methoxybenzyl group, 2-acetoxybenzyl group, 3-acetoxybenzyl group, 4-acetoxybenzyl group, 2-trimethylsiloxybenzyl group, 3-trimethylsiloxybenzyl group, 4-trimethylsiloxy A benzyl group and the like can be mentioned.

【0105】一般式(6)〜(8)におけるR3 として
は、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、ペン
タフルオロエチル基、パーフルオロフェネチル基、3−
(ペンタフルオロフェニル)ヘキサフルオロ−n−プロ
ピル基等が好ましい。なお、一般式(6)における
3 、一般式(7)におけるR3 および一般式(8)に
おけるR3 は、相互に同一でも異なってもよい。
R 3 in the general formulas (6) to (8) represents a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluorophenethyl group,
(Pentafluorophenyl) hexafluoro-n-propyl group and the like are preferable. Incidentally, R 3 in the general formula (6), R in R 3 and the formula in the formula (7) (8) 3 may be the same or different.

【0106】前記シラン化合物(4)〜(8)は、それ
ぞれ単独でまたは2種以上を混合して使用することがで
き、またそれらの2種以上を組み合わせて使用すること
ができ、それらを適切に選択しあるいは適切に組み合わ
せることにより、得られるポリシロキサン(1)の分子
量およびガラス転移温度(Tg)を制御でき、また19
3nm以下、特に157nmの波長における透明性をさ
らに向上させることができる。さらに、ポリシロキサン
(1)を製造する重縮合に際しては、得られるポリマー
の分子量を制御し、また得られるポリマーの安定性を向
上させるために、ヘキサメチルジシロキサンを添加する
ことができる。ヘキサメチルジシロキサンの添加量は、
シラン化合物の全量100重量部に対して、通常、50
0重量部以下、好ましくは50重量部以下である。この
場合、ヘキサメチルジシロキサンの添加量が500重量
部を超えると、得られるポリマーの分子量が小さくな
り、ガラス転移温度(Tg)が低下する傾向がある。
The silane compounds (4) to (8) can be used alone or in admixture of two or more, or two or more of them can be used in combination. The molecular weight and glass transition temperature (Tg) of the resulting polysiloxane (1) can be controlled by selecting
Transparency at a wavelength of 3 nm or less, especially at a wavelength of 157 nm, can be further improved. Further, at the time of polycondensation for producing the polysiloxane (1), hexamethyldisiloxane can be added to control the molecular weight of the obtained polymer and improve the stability of the obtained polymer. The amount of hexamethyldisiloxane added is
Usually, 50 parts with respect to 100 parts by weight of the total amount of the silane compound.
0 parts by weight or less, preferably 50 parts by weight or less. In this case, if the addition amount of hexamethyldisiloxane exceeds 500 parts by weight, the molecular weight of the obtained polymer tends to decrease, and the glass transition temperature (Tg) tends to decrease.

【0107】ポリシロキサン(1)は、通常、部分的に
ラダー構造を有する。このラダー構造は、基本的に、重
縮合反応に関して3官能であるシラン化合物(i)やシ
ラン化合物(4)、重縮合反応に関して3官能ないし4
官能(但し、R3 が水酸基またはハロゲン原子である場
合)であるシラン化合物(6)、重縮合反応に関して3
官能(但し、1個のR3 が水酸基またはハロゲン原子で
ある場合)ないし4官能(但し、2個のR3 が水酸基ま
たはハロゲン原子である場合)であるシラン化合物
(7)、あるいは重縮合反応に関して3官能(但し、2
個のR3 が水酸基またはハロゲン原子である場合)ない
し4官能(但し、3個のR3 が水酸基またはハロゲン原
子である場合)であるシラン化合物(8)の反応により
導入されるものである。
The polysiloxane (1) usually has a partial ladder structure. This ladder structure is basically composed of a silane compound (i) or a silane compound (4) which is trifunctional for a polycondensation reaction,
A silane compound (6) which is functional (provided that R 3 is a hydroxyl group or a halogen atom);
Functional (However, one when R 3 is hydroxyl group or a halogen atom) to tetrafunctional (However, if the two R 3 is a hydroxyl group or a halogen atom) in which the silane compound (7), or a polycondensation reaction Trifunctional (but 2
When R 3 is a hydroxyl group or a halogen atom, it is introduced by the reaction of a silane compound (8) which is tetrafunctional (when 3 R 3 is a hydroxyl group or a halogen atom).

【0108】ポリシロキサン(1)における各構造単位
の具体的な含有率は、それらの種類や組み合わせ、ポリ
シロキサン(1)の用途等に応じて変わり、それぞれの
場合における各構造単位の好適な含有率は、試験等によ
り当業者が適宜に選定することができるが、構造単位
(I)の含有率は、全構造単位に対して、一般に、1〜
100モル%、好ましくは2〜100モル%、特に好ま
しくは5〜100モル%であり、構造単位(II)の含有
率は、全構造単位に対して、一般に、0〜100モル
%、好ましくは1〜100モル%、特に好ましくは2〜
100モル%であり、かつ構造単位(I)と構造単位
(II)との合計含有率は、全構造単位に対して、一般
に、1〜100モル%、好ましくは2〜100モル%、
特に好ましくは5〜100モル%である。また、他の構
造単位の含有率は、全構造単位に対して、一般に、99
モル%以下、好ましくは95モル%以下である。また、
重縮合反応に関して2官能である構造単位の合計含有率
は、全構造単位に対して、一般に、0〜100モル%、
好ましくは1〜100モル%であり、重縮合反応に関し
て3官能である構造単位の合計含有率は、全構造単位に
対して、一般に、1〜100モル%、好ましくは2〜1
00モル%であり、重縮合反応に関して4官能である構
造単位の合計含有率は、全構造単位に対して、一般に、
98モル%以下、好ましくは95モル%以下である。
The specific content of each structural unit in the polysiloxane (1) varies depending on the kind and combination thereof, the use of the polysiloxane (1), and the like. The ratio can be appropriately selected by those skilled in the art through tests and the like, but the content of the structural unit (I) is generally 1 to
It is 100 mol%, preferably 2 to 100 mol%, particularly preferably 5 to 100 mol%, and the content of the structural unit (II) is generally 0 to 100 mol%, preferably 1 to 100 mol%, particularly preferably 2 to
100 mol%, and the total content of the structural units (I) and (II) is generally from 1 to 100 mol%, preferably from 2 to 100 mol%, based on all structural units.
Particularly preferably, it is 5 to 100 mol%. The content of other structural units is generally 99% with respect to all structural units.
Mol% or less, preferably 95 mol% or less. Also,
The total content of structural units that are bifunctional with respect to the polycondensation reaction is generally from 0 to 100 mol%, based on all structural units,
It is preferably from 1 to 100 mol%, and the total content of the structural units which are trifunctional with respect to the polycondensation reaction is generally from 1 to 100 mol%, preferably from 2 to 1 with respect to all the structural units.
The total content of structural units that is 00 mol% and is tetrafunctional with respect to the polycondensation reaction is generally
It is at most 98 mol%, preferably at most 95 mol%.

【0109】ポリシロキサン(1)を、例えば、遠紫外
線、電子線、X線等の放射線を用いる微細加工用のレジ
スト材料におけるアルカリ可溶性樹脂成分として使用す
る場合、そのXが水素原子である構造単位(I)の含有
率は、全構造単位に対して、通常、1〜99モル%、好
ましくは1〜98モル%、特に好ましくは5〜95モル
%であり、そのXが水素原子である構造単位(II) の含
有率は、全構造単位に対して、通常、100モル%以
下、好ましくは1〜98モル%、特に好ましくは5〜9
5モル%であり、かつ該構造単位(I)と該構造単位
(II)との合計含有率は、全構造単位に対して、通常、
1〜100モル%、好ましくは2〜100モル%、特に
好ましくは5〜100モル%である。また、この場合の
他の構造単位の含有率は、全構造単位に対して、通常、
99モル%以下、好ましくは95モル%以下であり、該
構造単位(I)、該構造単位(II)、水酸基含有有機基
(9)を有する他の構造単位およびカルボキシル基含有
有機基(10)を有する他の構造単位の合計含有率は、
通常、1〜100モル%、好ましくは2〜100モル
%、特に好ましくは5〜100モル%である。またこの
場合、重縮合反応に関して2官能である構造単位の合計
含有率は、全構造単位に対して、通常、99モル%以
下、好ましくは90モル%以下、特に好ましくは80モ
ル%以下であり、重縮合反応に関して3官能である構造
単位の合計含有率は、全構造単位に対して、通常、1〜
100モル%、好ましくは5〜100モル%であり、重
縮合反応に関して4官能である構造単位の合計含有率
は、全構造単位に対して、通常、98モル%以下、好ま
しくは95モル%以下である。
When the polysiloxane (1) is used as an alkali-soluble resin component in a resist material for microfabrication using radiation such as far ultraviolet rays, an electron beam, or an X-ray, a structural unit in which X is a hydrogen atom The content of (I) is usually from 1 to 99 mol%, preferably from 1 to 98 mol%, particularly preferably from 5 to 95 mol%, based on all structural units, and the structure in which X is a hydrogen atom. The content of the unit (II) is usually 100 mol% or less, preferably 1 to 98 mol%, particularly preferably 5 to 9 mol%, based on all structural units.
5 mol%, and the total content of the structural unit (I) and the structural unit (II) is usually
It is 1 to 100 mol%, preferably 2 to 100 mol%, particularly preferably 5 to 100 mol%. In this case, the content of other structural units is usually
99 mol% or less, preferably 95 mol% or less, the structural unit (I), the structural unit (II), another structural unit having a hydroxyl group-containing organic group (9), and a carboxyl group-containing organic group (10). The total content of other structural units having
Usually, it is 1 to 100 mol%, preferably 2 to 100 mol%, particularly preferably 5 to 100 mol%. In this case, the total content of the structural units that are bifunctional with respect to the polycondensation reaction is usually 99 mol% or less, preferably 90 mol% or less, particularly preferably 80 mol% or less, based on all the structural units. The total content of the structural units that are trifunctional with respect to the polycondensation reaction is usually 1 to
100 mol%, preferably 5 to 100 mol%, and the total content of the structural units that are tetrafunctional with respect to the polycondensation reaction is usually 98 mol% or less, preferably 95 mol% or less, based on all structural units. It is.

【0110】ポリシロキサン(1)を、例えば、前記と
同様の微細加工用のレジスト材料において、酸解離性基
を有し、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性
となる樹脂成分として使用する場合、そのXが酸解離性
基(α)である構造単位(I)の含有率は、全構造単位
に対して、通常、1〜100モル%、好ましくは2〜1
00モル%、特に好ましくは5〜100モル%であり、
そのXが酸解離性基(α)である構造単位(II) の含有
率は、全構造単位に対して、通常、0〜100モル%、
好ましくは1〜100モル%、特に好ましくは2〜10
0モル%であり、かつ該構造単位(I)と該構造単位
(II)との合計含有率は、全構造単位に対して、通常、
1〜100モル%、好ましくは2〜100モル%、特に
好ましくは5〜100モル%である。また、この場合の
他の構造単位の含有率は、全構造単位に対して、通常、
99モル%以下、好ましくは95モル%以下であり、該
構造単位(I)、該構造単位(II)および酸解離性基
(β)を有する他の構造単位の合計含有率は、全構造単
位に対して、通常、1〜100モル%、好ましくは2〜
100モル%、特に好ましくは5〜100モル%であ
る。またこの場合、重縮合反応に関して2官能である構
造単位の合計含有率は、全構造単位に対して、通常、1
00モル%以下、好ましくは99モル%以下であり、重
縮合反応に関して3官能である構造単位の合計含有率
は、全構造単位に対して、通常、1〜100モル%、好
ましくは5〜100モル%であり、重縮合反応に関して
4官能である構造単位の合計含有率は、全構造単位に対
して、通常、98モル%以下、好ましくは95モル%以
下である。
The polysiloxane (1) is used, for example, as a resin component having an acid-dissociable group and becoming alkali-soluble when the acid-dissociable group is dissociated in the same resist material for fine processing as described above. In this case, the content of the structural unit (I) in which X is an acid dissociable group (α) is usually 1 to 100 mol%, preferably 2 to 1 mol%, based on all structural units.
00 mol%, particularly preferably 5 to 100 mol%,
The content of the structural unit (II) in which X is an acid-dissociable group (α) is usually from 0 to 100 mol%, based on all structural units.
Preferably 1 to 100 mol%, particularly preferably 2 to 10
0 mol%, and the total content of the structural unit (I) and the structural unit (II) is usually
It is 1 to 100 mol%, preferably 2 to 100 mol%, particularly preferably 5 to 100 mol%. In this case, the content of other structural units is usually
The total content of the structural unit (I), the structural unit (II) and the other structural unit having an acid dissociable group (β) is 99 mol% or less, preferably 95 mol% or less. To 1 to 100 mol%, preferably 2 to 100 mol%
It is 100 mol%, particularly preferably 5 to 100 mol%. In this case, the total content of the structural units that are bifunctional with respect to the polycondensation reaction is usually 1 to the total structural units.
The total content of the structural units that are trifunctional with respect to the polycondensation reaction is usually 1 to 100 mol%, preferably 5 to 100 mol%, preferably 99 mol% or less. Mol%, and the total content of the structural units that are tetrafunctional with respect to the polycondensation reaction is usually 98 mol% or less, preferably 95 mol% or less, based on all the structural units.

【0111】ポリシロキサン(1)のゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィ(GPC)により測定したポリス
チレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」という。)
は、500〜1,000,000、好ましくは500〜
500,000、特に好ましくは800〜100,00
0である。この場合、Mwが500未満では、得られる
ポリマーのガラス転移温度(Tg)が低下する傾向があ
り、一方1,000,000を超えると、得られるポリ
マーの溶剤への溶解性が低下する傾向がある。また、ポ
リシロキサン(1)のガラス転移温度(Tg)は、通
常、−50〜+500℃、好ましくは0〜300℃であ
る。この場合、ガラス転移温度(Tg)が−50℃未満
では、レジスト材料としたときにパターンの形成が困難
となる傾向があり、一方500℃を越えると、得られる
ポリマーの溶剤への溶解性が低下する傾向がある。
The polysiloxane (1) has a weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter referred to as “Mw”) measured by gel permeation chromatography (GPC).
Is from 500 to 1,000,000, preferably from 500 to 1,000,000
500,000, particularly preferably 800 to 100,00
0. In this case, if Mw is less than 500, the glass transition temperature (Tg) of the obtained polymer tends to decrease, while if it exceeds 1,000,000, the solubility of the obtained polymer in a solvent tends to decrease. is there. The glass transition temperature (Tg) of the polysiloxane (1) is generally -50 to + 500C, preferably 0 to 300C. In this case, if the glass transition temperature (Tg) is lower than −50 ° C., it tends to be difficult to form a pattern when used as a resist material. Tends to decrease.

【0112】ポリシロキサン(1)の用途 Xが水素原子である構造単位(I)および/またはXが
水素原子である構造単位(II)を有し、場合により、A
が水酸基含有有機基(9)あるいはカルボキシル基含有
有機基(10)であるシラン化合物(4)に由来する他
の構造単位および/またはAが水酸基含有有機基(9)
あるいはカルボキシル基含有有機基(10)であるシラ
ン化合物(5)に由来する他の構造単位をさらに有する
ポリシロキサン(1)は、通常、アルカリ可溶性を有
し、特に、遠紫外線、電子線、X線等の放射線を用いる
微細加工用のレジスト材料(以下、「レジスト材料
(イ)」という。)におけるアルカリ可溶性樹脂成分と
して有用である。このレジスト材料(イ)は、ドライエ
ッチング耐性に優れ、しかも放射線に対する透明性、感
度、解像度、現像性等のレジストとしての基本物性にも
優れている。
Uses of the polysiloxane (1) X has a structural unit (I) in which a hydrogen atom is present and / or a structural unit (II) in which X is a hydrogen atom.
Is a hydroxyl group-containing organic group (9) or a carboxyl group-containing organic group (10), and other structural units derived from the silane compound (4) and / or A is a hydroxyl group-containing organic group (9)
Alternatively, the polysiloxane (1) further having another structural unit derived from the silane compound (5), which is a carboxyl group-containing organic group (10), is usually alkali-soluble, and particularly includes far ultraviolet rays, an electron beam, X It is useful as an alkali-soluble resin component in a resist material for fine processing using radiation such as radiation (hereinafter, referred to as “resist material (a)”). This resist material (a) has excellent dry etching resistance and also has excellent basic physical properties as a resist such as transparency to radiation, sensitivity, resolution, and developability.

【0113】また、Xが酸解離性基(α)である構造単
位(I)および/またはXが酸解離性基(α)である構
造単位(II)を有し、場合により、Aが酸解離性基
(β)を有する1価の有機基であるシラン化合物(4)
に由来する他の構造単位および/またはAが酸解離性基
(β)を有する1価の有機基であるシラン化合物(5)
に由来する他の構造単位をさらに有するポリシロキサン
(1)は、通常、これらの酸解離性基が解離したときに
アルカリ可溶性となり、特に、遠紫外線、電子線、X線
等の放射線を用いる微細加工用のレジスト材料(以下、
「レジスト材料(ロ)」という。)における酸解離性基
含有樹脂成分として有用である。このレジスト材料
(ロ)は、ドライエッチング耐性に優れ、しかも放射線
に対する透明性、感度、解像度、現像性等のレジストと
しての基本物性にも優れている。
Further, it has a structural unit (I) in which X is an acid-dissociable group (α) and / or a structural unit (II) in which X is an acid-dissociable group (α). Silane compound (4), which is a monovalent organic group having a dissociable group (β)
A silane compound (5) in which the other structural unit derived from and / or A is a monovalent organic group having an acid dissociable group (β)
The polysiloxane (1) further having another structural unit derived from is usually alkali-soluble when these acid-dissociable groups are dissociated. Processing resist materials (hereinafter referred to as
It is called "resist material (b)." It is useful as the acid-dissociable group-containing resin component in (1). This resist material (b) has excellent dry etching resistance and also has excellent basic physical properties as a resist such as transparency to radiation, sensitivity, resolution, and developability.

【0114】レジスト材料(イ)は、アルカリ可溶性の
ポリシロキサン(1)のほか、通常、露光により酸を発
生する感放射線性酸発生剤、アルカリ溶解性制御剤等を
さらに含有する。また、レジスト材料(ロ)は、酸解離
性基を有するポリシロキサン(1)のほか、通常、露光
により酸を発生する感放射線性酸発生剤等をさらに含有
する。前記感放射線性酸発生剤としては、としては、例
えば、オニウム塩、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン
化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等を挙げる
ことができる。また、前記アルカリ溶解性制御剤として
は、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基等の
酸性官能基に酸の存在下で解離しうる置換基を導入した
化合物等を挙げることができる。さらに、レジスト材料
(イ)およびレジスト材料(ロ)には、酸拡散制御剤、
界面活性剤、増感剤、ハレーション防止剤、接着助剤、
保存安定化剤、消泡剤等を配合することもできる。
The resist material (a) further contains, in addition to the alkali-soluble polysiloxane (1), usually a radiation-sensitive acid generator that generates an acid upon exposure, an alkali solubility controller, and the like. The resist material (b) further contains, in addition to the polysiloxane (1) having an acid-dissociable group, a radiation-sensitive acid generator that usually generates an acid upon exposure. Examples of the radiation-sensitive acid generator include an onium salt, a halogen-containing compound, a diazoketone compound, a sulfone compound, and a sulfonic acid compound. Examples of the alkali solubility controlling agent include, for example, compounds in which a substituent capable of dissociating in the presence of an acid is introduced into an acidic functional group such as a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group. Further, the resist material (a) and the resist material (b) include an acid diffusion controller,
Surfactants, sensitizers, antihalation agents, adhesion aids,
A storage stabilizer, an antifoaming agent, and the like can be added.

【0115】[0115]

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明を
さらに具体的に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

【実施例】合成例1 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、トリエトキシシラン38.8gおよび5−[2−ヒ
ドロキシ−2,2−ジ(トリフルオロメチル)エチル]
ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン43.2gを
加え、室温にて攪拌したのち、塩化白金酸の0.2モル
i−プロピルアルコール溶液0.1ミリリットルを加え
て、反応を開始させ、100℃で30時間加熱還流し
た。その後、反応溶液を室温に戻し、n−ヘキサンで希
釈した後、セライト上で吸引ろ過し、さらに溶媒を減圧
留去して、粗生成物を得た。その後、粗生成物を3mm
Hgおよび105℃で減圧蒸留して精製し、化合物5
9.8gを得た。この化合物について、 1H−NMRス
ペクトル(化学シフト「σH」)、13C−NMRスペク
トル(化学シフト「σC」)、29Si−NMRスペクト
ル(化学シフト「σSi」)、19F−NMRスペクトル
(化学シフト「σF」)、赤外吸収スペクトル(I
R)、質量スペクトル(FABMS)を測定したところ、測定
値は以下の通りであり、前記式(i)(但し、R=水素
原子、R’=トリフルオロメチル基、X=水素原子、Y
=エチル基、n=0)で表されるシラン化合物と同定さ
れた。 σH :3.8ppm(エトキシ基)、1,2ppm
(エトキシ基)。 σC :123ppm(トリフルオロメチル基)、59
ppm(エトキシ基)、18ppm(メチル基)。 σSi :−48ppm。 σF :−76〜−79ppm。 IR :3400cm−1(水酸基)、2878cm-1
(エトキシ基)、1215cm-1(C―F結合)、10
82cm-1(シロキサン基)。 FABMS :m/z=439(M+ +1)
EXAMPLES Synthesis Example 1 38.8 g of triethoxysilane and 5- [2-hydroxy-2,2-di (trifluoromethyl) ethyl were placed in a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer. ]
After adding 43.2 g of bicyclo [2.2.1] hept-2-ene and stirring at room temperature, 0.1 ml of a 0.2 mol solution of chloroplatinic acid in i-propyl alcohol was added to start the reaction. The mixture was heated and refluxed at 100 ° C. for 30 hours. Thereafter, the reaction solution was returned to room temperature, diluted with n-hexane, filtered with suction on celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Then, the crude product was
Purified by distillation under reduced pressure at Hg and 105 ° C. to give Compound 5
9.8 g were obtained. About this compound, 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), 13 C-NMR spectrum (chemical shift “σC”), 29 Si-NMR spectrum (chemical shift “σSi”), 19 F-NMR spectrum (chemical Shift “σF”), infrared absorption spectrum (I
R) and mass spectrum (FABMS) were measured, and the measured values were as follows, and the above formula (i) (where R = hydrogen atom, R ′ = trifluoromethyl group, X = hydrogen atom, Y
= Ethyl group, n = 0). σH: 3.8 ppm (ethoxy group), 1, 2 ppm
(Ethoxy group). σC: 123 ppm (trifluoromethyl group), 59
ppm (ethoxy group), 18 ppm (methyl group). σSi: -48 ppm. ? F: -76 to -79 ppm. IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 2878 cm -1
(Ethoxy group), 1215 cm -1 (CF bond), 10
82 cm -1 (siloxane group). FABMS: m / z = 439 (M ++ 1)

【0116】合成例2 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例1で得られたシラン化合物3.0gおよびテ
トラヒドロフラン10ミリリットルを加え、窒素気流
中、氷冷下で攪拌し、反応溶液の温度が5℃以下に達し
た時点で、4−ジメチルアミノピリジン16.7mgを
加えたのち、ジ−t−ブチルジカーボネート1.64g
をテトラヒドロフラン5ミリリットルに溶解した溶液を
15分間かけて滴下した。滴下が終了してから1時間後
に反応溶液を室温に戻し、さらに5時間攪拌した。その
後、反応溶液にn−ヘキサン50ミリリットルを加えて
分液ロートに移したのち、有機層を氷水で3回洗浄し
た。その後、有機層をビーカーに注ぎ、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥して、ろ過したのち、溶媒を減圧留去し
て、粗生成物を得た。その後、粗生成物をシリカゲルク
ロマトグラフィーにかけて、n−ヘキサン留分から、化
合物3.5gを得た。この化合物について、 1H−NM
Rスペクトル(化学シフト「σH」)、13C−NMRス
ペクトル(化学シフト「σC」)、29Si−NMRスペ
クトル(化学シフト「σSi」)、19F−NMRスペクト
ル(化学シフト「σF」)、赤外吸収スペクトル(I
R)、質量スペクトル(FABMS)を測定したところ、測定
値は以下の通りであり、前記式(i)(但し、R=水素
原子、R’=トリフルオロメチル基、X=t−ブトキシ
カルボニル基、Y=エチル基、n=0)で表されるシラ
ン化合物と同定された。 σH :3.8ppm(エトキシ基)、1.2ppm
(エトキシ基)。 σC :149ppm(炭酸エステル基)、123pp
m(トリフルオロメチル基)、85ppm(t−ブトキ
シ基)、59ppm(エトキシ基)、28ppm(t−
ブチル基)、18ppm(メチル基)。 σSi :−48ppm。 σF :−72.7〜−73.3ppm。 IR :2879cm-1(エトキシ基)、1774cm
-1(炭酸エステル基)、1221cm-1(C−F結
合)、1082cm-1(シロキサン基)。 FABMS :m/z=537(M+ +1)
Synthesis Example 2 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer, 3.0 g of the silane compound obtained in Synthesis Example 1 and 10 ml of tetrahydrofuran were added. When the temperature of the reaction solution reaches 5 ° C. or lower, 16.7 mg of 4-dimethylaminopyridine is added, and then 1.64 g of di-t-butyl dicarbonate is added.
Was dissolved in 5 ml of tetrahydrofuran and added dropwise over 15 minutes. One hour after the completion of the dropwise addition, the reaction solution was returned to room temperature, and further stirred for 5 hours. Thereafter, 50 ml of n-hexane was added to the reaction solution, and the mixture was transferred to a separating funnel. The organic layer was washed three times with ice water. Thereafter, the organic layer was poured into a beaker, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and then the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Thereafter, the crude product was subjected to silica gel chromatography to obtain 3.5 g of a compound from the n-hexane fraction. For this compound, 1 H-NM
R spectrum (chemical shift “σH”), 13 C-NMR spectrum (chemical shift “σC”), 29 Si-NMR spectrum (chemical shift “σSi”), 19 F-NMR spectrum (chemical shift “σF”), red External absorption spectrum (I
R) and mass spectrum (FABMS) were measured, and the measured values were as follows, and the above formula (i) (where R = hydrogen atom, R ′ = trifluoromethyl group, X = t-butoxycarbonyl group) , Y = ethyl group, n = 0). σH: 3.8 ppm (ethoxy group), 1.2 ppm
(Ethoxy group). σC: 149 ppm (carbonate group), 123 pp
m (trifluoromethyl group), 85 ppm (t-butoxy group), 59 ppm (ethoxy group), 28 ppm (t-
Butyl group), 18 ppm (methyl group). σSi: -48 ppm. ? F: -72.7 to -73.3 ppm. IR: 2879 cm -1 (ethoxy group), 1774 cm
-1 (carbonate group), 1221 cm -1 (CF bond), 1082 cm -1 (siloxane group). FABMS: m / z = 537 (M ++ 1)

【0117】合成例3 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、トリエトキシシラン18.1gおよび8−[2−ヒ
ドロキシ−2,2−ジ(トリフルオロメチル)エチル]
テトラシクロ[4.4.0.12,5 .17,10]ドデカ−
3−エン25.0gを加え、室温にて攪拌したのち、塩
化白金酸の0.2モルi−プロピルアルコール溶液0.
2ミリリットルを加えて、反応を開始させ、150℃で
70時間加熱還流した。その後、反応溶液を室温に戻
し、n−ヘキサンで希釈したのち、セライト上で吸引ろ
過し、さらに溶媒を減圧留去して、粗生成物を得た。そ
の後、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
にかけて、n−ヘキサン留分から、化合物19.4g得
た。この化合物について、 1H−NMRスペクトル(化
学シフト「σH」)、赤外吸収スペクトル(IR)を測
定したところ、測定値は以下の通りであり、前記式
(i)(但し、R=水素原子、R’=トリフルオロメチ
ル基、X=水素原子、Y=エチル基、n=1)で表され
るシラン化合物と同定された。 σH :3.8ppm(エトキシ基)、1.2ppm
(エトキシ基)。 IR :3400cm-1(水酸基)、1220cm
-1(C―F結合)、1098cm-1(シロキサン基)。
Synthesis Example 3 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 18.1 g of triethoxysilane and 8- [2-hydroxy-2,2-di (trifluoromethyl) ethyl] were added.
Tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] Dodeca
After adding 25.0 g of 3-ene and stirring at room temperature, 0.2 mol of chloroplatinic acid in 0.2 mol of i-propyl alcohol was added.
The reaction was started by adding 2 ml, and the mixture was heated and refluxed at 150 ° C. for 70 hours. Thereafter, the reaction solution was returned to room temperature, diluted with n-hexane, filtered by suction on celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Thereafter, the crude product was subjected to silica gel column chromatography to obtain 19.4 g of a compound from the n-hexane fraction. When this compound was measured for 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and infrared absorption spectrum (IR), the measured values were as follows, and the above formula (i) (where R = hydrogen atom) , R ′ = trifluoromethyl group, X = hydrogen atom, Y = ethyl group, n = 1). σH: 3.8 ppm (ethoxy group), 1.2 ppm
(Ethoxy group). IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 1220 cm
-1 (CF bond), 1098 cm -1 (siloxane group).

【0118】合成例4 撹拌機、滴下ロート、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例3で得られた化合物3gおよびテトラヒドロ
フラン10ミリリットルを加え、窒素気流中、氷冷下で
撹拌し、反応溶液の温度が5℃以下に達したところで、
4―ジメチルアミノピリジン4.5mgを加え、次いで
ジ−t―ブチルジカーボネート1.43gをテトラヒド
ロフラン5ミリリットルに溶解した溶液を15分間かけ
て滴下した。1時間攪拌したのち、反応溶液を室温に戻
し、さらに5時間室温で撹拌した。その後、反応溶液に
n−ヘキサン50ミリリットルを加えて分液ロートに移
し、氷水で有機層を3度洗浄した。その後、有機層をビ
ーカーに注ぎ、無水硫酸マグネシウムで乾燥して、ろ過
したのち、溶媒を減圧留去して、粗生成物を得た。その
後、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
かけて、化合物3.2gを得た。この化合物について、
1H−NMRスペクトル(化学シフト「σH」)、赤外
吸収スペクトル(IR)を測定したところ、測定値は以
下の通りであり、前記式(i)(但し、R=水素原子、
R’=トリフルオロメチル基、X=t−ブトキシカルボ
ニル基、Y=エチル基、n=1)で表されるシラン化合
物と同定された。 σH :3.8ppm(エトキシ基)、1.5ppm
(t−ブトキシカルボニル基)、1.2ppm(エトキ
シ基)。 IR :1771cm-1(炭酸エステル基)、1218
cm-1(C―F結合)、1098cm-1(シロキサン
基)。
Synthesis Example 4 To a three-necked flask equipped with a stirrer, a dropping funnel and a thermometer, 3 g of the compound obtained in Synthesis Example 3 and 10 ml of tetrahydrofuran were added, and the mixture was stirred in a nitrogen stream under ice cooling. When the temperature of the reaction solution reaches 5 ° C. or less,
4.5 mg of 4-dimethylaminopyridine was added, and then a solution of 1.43 g of di-tert-butyl dicarbonate in 5 ml of tetrahydrofuran was added dropwise over 15 minutes. After stirring for 1 hour, the reaction solution was returned to room temperature, and further stirred at room temperature for 5 hours. Thereafter, 50 ml of n-hexane was added to the reaction solution, transferred to a separating funnel, and the organic layer was washed three times with ice water. Thereafter, the organic layer was poured into a beaker, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and then the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Thereafter, the crude product was subjected to silica gel column chromatography to obtain 3.2 g of a compound. For this compound,
When the 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and infrared absorption spectrum (IR) were measured, the measured values were as follows, and the above formula (i) (where R = hydrogen atom,
It was identified as a silane compound represented by R ′ = trifluoromethyl group, X = t-butoxycarbonyl group, Y = ethyl group, n = 1). σH: 3.8 ppm (ethoxy group), 1.5 ppm
(T-butoxycarbonyl group), 1.2 ppm (ethoxy group). IR: 1771 cm -1 (carbonate group), 1218
cm -1 (C-F bond), 1098cm -1 (siloxane group).

【0119】合成例5 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、メチルヒドロシクロシロキサン12.0gおよび5
−[2−ヒドロキシ−2,2−ジ(トリフルオロメチ
ル)エチル]ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
54.8gを加え、室温にて攪拌したのち、塩化白金酸
の0.2モルi−プロピルアルコール溶液5.0ミリリ
ットルを加えて、反応を開始させ、150℃で100時
間加熱還流した。その後、反応溶液を室温に戻し、n−
ヘキサンで希釈した後、セライト上で吸引ろ過し、さら
に溶媒を減圧留去して、化合物66.0g得た。この化
合物について、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」)、赤外吸収スペクトル(IR)を測定したと
ころ、測定値は以下のとおりであり、前記式(iv)(但
し、R=水素原子、R’=トリフルオロメチル基、X=
水素原子、R”=メチル基、n=0)で表されるシラン
化合物と同定された。 σH :0.2ppm(SiCH3 基)。 IR :3400cm-1(水酸基)、2847cm
-1(メトキシ基)、1218cm-1(C―F結合)、1
098cm-1(シロキサン基)。
Synthesis Example 5 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 12.0 g of methylhydrocyclosiloxane and 5
After adding 54.8 g of-[2-hydroxy-2,2-di (trifluoromethyl) ethyl] bicyclo [2.2.1] hept-2-ene and stirring at room temperature, 0.1 ml of chloroplatinic acid was added. The reaction was started by adding 5.0 ml of a 2 mol i-propyl alcohol solution, and the mixture was heated and refluxed at 150 ° C. for 100 hours. Thereafter, the reaction solution was returned to room temperature, and n-
After dilution with hexane, the mixture was subjected to suction filtration on Celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain 66.0 g of a compound. When this compound was measured for 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and infrared absorption spectrum (IR), the measured values were as follows, and the above formula (iv) (where R = hydrogen atom) , R '= trifluoromethyl group, X =
A silane compound represented by a hydrogen atom, R ″ = methyl group, n = 0). ΣH: 0.2 ppm (SiCH 3 group) IR: 3400 cm −1 (hydroxyl group), 2847 cm
-1 (methoxy group), 1218 cm -1 (CF bond), 1
098 cm -1 (siloxane group).

【0120】合成例6 撹拌機、滴下ロート、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例5で得られた化合物5gおよびテトラヒドロ
フラン15ミリリットルを加え、窒素気流中、氷冷下で
撹拌し、反応溶液の温度が5℃以下に達したところで、
4―ジメチルアミノピリジン36.6mgを加え、次い
でジ−t―ブチルジカーボネート3.6gをテトラヒド
ロフラン5ミリリットルに溶解した溶液を15分間かけ
て滴下した。1時間攪拌したのち、反応容器を室温に戻
し、さらに5時間室温で撹拌した。その後、反応溶液に
n−ヘキサン70ミリリットルを加えて分液ロートに移
し、氷水で有機層を3度洗浄した。その後、有機層をビ
ーカーに注ぎ無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過した
のち、溶媒を減圧留去して、化合物5.5gを得た。こ
の化合物について、 1H−NMRスペクトル(化学シフ
ト「σH」)を測定したところ、以下のとおりであり、
前記式(iv)(但し、R=水素原子、R’=トリフルオ
ロメチル基、X=t−ブトキシカルボニル基、R”=メ
チル基、n=0)で表されるシラン化合物と同定され
た。 σH :1.5ppm(t−ブトキシカルボニル基)、
0.2ppm(SiCH3 基)。
Synthesis Example 6 To a three-necked flask equipped with a stirrer, a dropping funnel and a thermometer, 5 g of the compound obtained in Synthesis Example 5 and 15 ml of tetrahydrofuran were added, and the mixture was stirred in a nitrogen stream under ice cooling. When the temperature of the reaction solution reaches 5 ° C. or less,
36.6 mg of 4-dimethylaminopyridine was added, and then a solution of 3.6 g of di-tert-butyl dicarbonate in 5 ml of tetrahydrofuran was added dropwise over 15 minutes. After stirring for 1 hour, the reaction vessel was returned to room temperature, and further stirred at room temperature for 5 hours. Thereafter, 70 ml of n-hexane was added to the reaction solution, transferred to a separating funnel, and the organic layer was washed three times with ice water. Thereafter, the organic layer was poured into a beaker, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and then the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain 5.5 g of a compound. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) of this compound was measured.
It was identified as a silane compound represented by the formula (iv) (where R = hydrogen atom, R ′ = trifluoromethyl group, X = t-butoxycarbonyl group, R ″ = methyl group, n = 0). σH: 1.5 ppm (t-butoxycarbonyl group),
0.2 ppm (SiCH 3 groups).

【0121】合成例7 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、ジエトキシメチルシラン13.8gおよび5−[2
−ヒドロキシ−2,2−ジ(トリフルオロメチル)エチ
ル]ビシクロ [2.2.1] ヘプトー2−エン40g加
え、室温にて攪拌したのち、塩化白金酸の0.2モルi
−プロピルアルコール溶液0.2ミリリットルを加え
て、反応を開始させた。その後、100℃で48時間加
熱還流したのち、室温に戻し、n−ヘキサンで希釈し
て、反応溶液をセライト上で吸引ろ過し、さらに溶媒を
減圧留去して、粗生成物を得た。その後、粗生成物を3
mmHgおよび98℃で減圧蒸留することにより精製し
て、化合物41gを得た。この化合物について、 1H−
NMRスペクトル(化学シフト「σH」)、赤外吸収ス
ペクトル(IR)を測定したところ、測定値は以下の通
りであり、前記式(iii)(但し、R=水素原子、R’=
トリフルオロメチル基、X=水素原子、Y=エチル基、
R”=メチル基、n=0)で表されるシラン化合物と同
定された。 σH :3.8ppm(エトキシ基)、1.2ppm
(エトキシ基)、0.2ppm(SiCH3 基)。 IR :3400cm-1(水酸基)、1218cm
-1(C―F結合)、1098cm-1(シロキサン基)。
Synthesis Example 7 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer, 13.8 g of diethoxymethylsilane and 5- [2
-Hydroxy-2,2-di (trifluoromethyl) ethyl] bicyclo [2.2.1] Hept-2-ene (40 g) was added, and the mixture was stirred at room temperature.
The reaction was started by adding 0.2 ml of a propyl alcohol solution. Thereafter, the mixture was heated under reflux at 100 ° C. for 48 hours, returned to room temperature, diluted with n-hexane, the reaction solution was subjected to suction filtration on Celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Then, the crude product was
Purification by vacuum distillation at mmHg and 98 ° C. gave 41 g of compound. For this compound, 1 H-
When the NMR spectrum (chemical shift “σH”) and the infrared absorption spectrum (IR) were measured, the measured values were as follows, and the above formula (iii) (where R = hydrogen atom, R ′ =
Trifluoromethyl group, X = hydrogen atom, Y = ethyl group,
R "= methyl group, n = 0). ΣH: 3.8 ppm (ethoxy group), 1.2 ppm
(Ethoxy group), 0.2 ppm (SiCH 3 group). IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 1218 cm
-1 (CF bond), 1098 cm -1 (siloxane group).

【0122】実施例1 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例1で得られた化合物2.5g、4−メチル−
2−ペンタノン2.5gおよび1.75重量%蓚酸水溶
液0.42gを加えて、撹拌しつつ、80℃で6時間反
応させた。その後、反応容器を氷冷して反応を停止さ
せ、反応溶液を分液ロートに移して、水層を廃棄し、さ
らにイオン交換水で反応溶液が中性になるまで水洗を繰
り返したのち、有機層を減圧留去して、樹脂を得た。こ
の樹脂について、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」)、赤外吸収スペクトル(IR)およびMwを
測定したところ、以下のとおりであった。 σH :2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)。 IR :3400cm-1(水酸基)、1221cm
-1(C−F結合)、1130cm-1(シロキサン基)、
1080cm-1(シロキサン基)。 Mw:3,300。
Example 1 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer, 2.5 g of the compound obtained in Synthesis Example 1 was added.
2.5 g of 2-pentanone and 0.42 g of a 1.75% by weight aqueous oxalic acid solution were added, and the mixture was reacted at 80 ° C. for 6 hours with stirring. Thereafter, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and the water was repeatedly washed with ion-exchanged water until the reaction solution became neutral. The layer was distilled off under reduced pressure to obtain a resin. 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), infrared absorption spectrum (IR) and Mw of this resin were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups). IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 1221 cm
-1 (CF bond), 1130 cm -1 (siloxane group),
1080 cm -1 (siloxane group). Mw: 3,300.

【0123】実施例2 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例2で得られた化合物1.5g、4−メチル−
2−ペンタノン1.5gおよび1.75重量%蓚酸水溶
液0.20gを加えて、撹拌しつつ、80℃で5時間反
応させた。その後、反応容器を氷冷して反応を停止さ
せ、反応溶液を分液ロートに移して、水層を廃棄し、さ
らにイオン交換水で反応溶液が中性になるまで水洗を繰
り返したのち、有機層を減圧留去して、樹脂を得た。こ
の樹脂について、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」)、赤外吸収スペクトル(IR)およびMwを
測定したところ、以下のとおりであった。 σH :2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.
5ppm(t−ブトキシカルボニル基)。 IR :1774cm-1(炭酸エステル基)、1217
cm-1(C−F結合)、1132cm-1(シロキサン
基)、1082cm-1(シロキサン基)。 Mw:7,500。
Example 2 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 1.5 g of the compound obtained in Synthesis Example 2 and 4-methyl-
1.5 g of 2-pentanone and 0.20 g of a 1.75% by weight aqueous oxalic acid solution were added, and the mixture was reacted at 80 ° C. for 5 hours with stirring. Thereafter, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and the water was repeatedly washed with ion-exchanged water until the reaction solution became neutral. The layer was distilled off under reduced pressure to obtain a resin. 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), infrared absorption spectrum (IR) and Mw of this resin were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups);
5 ppm (t-butoxycarbonyl group). IR: 1774 cm -1 (carbonate group), 1217
cm -1 (C-F bond), 1132cm -1 (siloxane group), 1082cm -1 (siloxane group). Mw: 7,500.

【0124】実施例3 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例1で得られた化合物1.98g、2−t−ブ
トキシカルボニルエチルトリエトキシシラン1.62
g、メチルトリエトキシシラン2.41g、4−メチル
−2−ペンタノン6.0gおよび1.75重量%蓚酸水
溶液1.65gを加えて、撹拌しつつ、80℃で6時間
反応させた。その後、反応容器を氷冷して反応を停止さ
せ、反応溶液を分液ロートに移して、水層を廃棄し、さ
らにイオン交換水で反応溶液が中性になるまで水洗を繰
り返したのち、有機層を減圧留去して、樹脂を得た。こ
の樹脂について、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」)、赤外吸収スペクトル(IR)およびMwを
測定したところ、以下のとおりであった。 σH :2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.
5ppm(t−ブトキシカルボニル基)、0.2ppm
(SiCH3 基)。 IR :3400cm-1(水酸基)、1703cm
-1(カルボニル基)、1213cm-1(C−F結合)、
1130cm-1(シロキサン基)、1080cm-1(シ
ロキサン基)。 Mw :2,500。
Example 3 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 1.98 g of the compound obtained in Synthesis Example 1 and 1.62 of 2-t-butoxycarbonylethyltriethoxysilane were prepared.
g, 2.41 g of methyltriethoxysilane, 6.0 g of 4-methyl-2-pentanone and 1.65 g of a 1.75% by weight aqueous oxalic acid solution were added, and the mixture was reacted at 80 ° C. for 6 hours with stirring. Thereafter, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and the water was repeatedly washed with ion-exchanged water until the reaction solution became neutral. The layer was distilled off under reduced pressure to obtain a resin. 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), infrared absorption spectrum (IR) and Mw of this resin were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups);
5 ppm (t-butoxycarbonyl group), 0.2 ppm
(SiCH 3 group). IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 1703 cm
-1 (carbonyl group), 1213 cm -1 (CF bond),
1130 cm -1 (siloxane group), 1080 cm -1 (siloxane group). Mw: 2,500.

【0125】実施例4 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例3で得られた化合物4.0g、4−メチル−
2−ペンタノン4.0gおよび1.75重量%蓚酸水溶
液0.58gを加えて、撹拌しつつ、80℃で6時間反
応させた。その後、反応容器を氷冷して反応を停止さ
せ、反応溶液を分液ロートに移して、水層を廃棄し、さ
らにイオン交換水で反応溶液が中性になるまで水洗を繰
り返したのち、有機層を減圧留去して、樹脂を得た。こ
の樹脂について、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」)、赤外吸収スペクトル(IR)およびMwを
測定したところ、以下のとおりであった。 σH :2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)。 IR :3400cm-1(水酸基)、1220cm
-1(C−F結合)、1130cm-1(シロキサン基)、
1080cm-1(シロキサン基)。 Mw:2,200。
Example 4 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer, 4.0 g of the compound obtained in Synthesis Example 3 was added.
4.0 g of 2-pentanone and 0.58 g of a 1.75% by weight aqueous oxalic acid solution were added, and the mixture was reacted at 80 ° C. for 6 hours with stirring. Thereafter, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and the water was repeatedly washed with ion-exchanged water until the reaction solution became neutral. The layer was distilled off under reduced pressure to obtain a resin. 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), infrared absorption spectrum (IR) and Mw of this resin were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups). IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 1220 cm
-1 (CF bond), 1130 cm -1 (siloxane group),
1080 cm -1 (siloxane group). Mw: 2,200.

【0126】実施例5 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例4で得られた化合物5.0g、4−メチル−
2−ペンタノン5.0gおよび1.75重量%蓚酸水溶
液0.61gを加えて、撹拌しつつ、80℃で6時間反
応させた。その後、反応容器を氷冷して反応を停止さ
せ、反応溶液を分液ロートに移して、水層を廃棄し、さ
らにイオン交換水で反応溶液が中性になるまで水洗を繰
り返したのち、有機層を減圧留去して、樹脂を得た。こ
の樹脂について、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」)、赤外吸収スペクトル(IR)およびMwを
測定したところ、以下のとおりであった。 σH :2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.
5ppm(t−ブトキシカルボニル基)。 IR :1775cm-1(炭酸エステル基)、1220
cm-1(C−F結合)、1130cm-1(シロキサン
基)、1080cm-1(シロキサン基)。 Mw:2,400。
Example 5 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer, 5.0 g of the compound obtained in Synthesis Example 4 was added.
5.0 g of 2-pentanone and 0.61 g of a 1.75% by weight aqueous oxalic acid solution were added, and the mixture was reacted at 80 ° C. for 6 hours with stirring. Thereafter, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and the water was repeatedly washed with ion-exchanged water until the reaction solution became neutral. The layer was distilled off under reduced pressure to obtain a resin. 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), infrared absorption spectrum (IR) and Mw of this resin were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups);
5 ppm (t-butoxycarbonyl group). IR: 1775 cm -1 (carbonate group), 1220
cm -1 (C-F bond), 1130 cm -1 (siloxane group), 1080 cm -1 (siloxane group). Mw: 2,400.

【0127】実施例6 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例5で得られた化合物2.22g、メチルトリ
エトキシシラン2.78g、4−メチル−2−ペンタノ
ン5.0gおよび1.75重量%蓚酸水溶液1.41g
を加えて、撹拌しつつ、80℃で6時間反応させた。そ
の後、反応容器を氷冷して反応を停止させ、反応溶液を
分液ロートに移して、水層を廃棄し、さらにイオン交換
水で反応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、
有機層を減圧留去して、樹脂を得た。この樹脂につい
て、 1H−NMRスペクトル(化学シフト「σH」)、
赤外吸収スペクトル(IR)およびMwを測定したとこ
ろ、以下のとおりであった。 σH :2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、0.
2ppm(SiCH3 基)。 IR :3400cm-1(水酸基)、1221cm
-1(C−F結合)、1131cm-1(シロキサン基)、
1078cm-1(シロキサン基)。 Mw:3,300。
Example 6 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 2.22 g of the compound obtained in Synthesis Example 5, 2.78 g of methyltriethoxysilane, and 4-methyl-2-methyl-2-ethoxysilane were obtained. 5.0 g of pentanone and 1.41 g of a 1.75% by weight aqueous oxalic acid solution
Was added and reacted at 80 ° C. for 6 hours with stirring. After that, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and the water was repeatedly washed with ion-exchanged water until the reaction solution became neutral.
The organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain a resin. About this resin, 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”),
When the infrared absorption spectrum (IR) and Mw were measured, they were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups);
2 ppm (SiCH 3 groups). IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 1221 cm
-1 (CF bond), 1311 cm -1 (siloxane group),
1078 cm -1 (siloxane group). Mw: 3,300.

【0128】実施例7 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例6で得られた化合物2.48g、メチルトリ
エトキシシラン2.52g、4−メチル−2−ペンタノ
ン5.0gおよび1.75重量%蓚酸水溶液1.28g
を加えて、撹拌しつつ、80℃で6時間反応させた。そ
の後反応容器を氷冷して、反応を停止させ、反応溶液を
分液ロートに移して、水層を廃棄し、さらにイオン交換
水で反応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、
有機層を減圧留去して、樹脂を得た。この樹脂につい
て、 1H−NMRスペクトル(化学シフト「σH」)、
赤外吸収スペクトル(IR)およびMwを測定したとこ
ろ、以下のとおりであった。 σH :2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.
5ppm(t−ブトキシカルボニル基)、0.2ppm
(SiCH3 基)。 IR :1775cm-1(炭酸エステル基)、1221
cm-1(C−F結合)、1131cm-1(シロキサン
基)、1078cm-1(シロキサン基)。 Mw:3,500。
Example 7 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 2.48 g of the compound obtained in Synthesis Example 6, 2.52 g of methyltriethoxysilane, and 4-methyl-2- 5.0 g of pentanone and 1.28 g of a 1.75% by weight aqueous oxalic acid solution
Was added and reacted at 80 ° C. for 6 hours with stirring. Thereafter, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and the water was repeatedly washed with ion-exchanged water until the reaction solution became neutral.
The organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain a resin. About this resin, 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”),
When the infrared absorption spectrum (IR) and Mw were measured, they were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups);
5 ppm (t-butoxycarbonyl group), 0.2 ppm
(SiCH 3 group). IR: 1775 cm -1 (carbonate group), 1221
cm -1 (C-F bond), 1131cm -1 (siloxane group), 1078cm -1 (siloxane group). Mw: 3,500.

【0129】実施例8 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例7で得られた化合物4.0g、4−メチル−
2−ペンタノン15gおよび1.75重量%蓚酸水溶液
0.72gを加えて、撹拌しつつ、80℃で6時間反応
させた。その後反応容器を氷冷して、反応を停止させ、
反応溶液を分液ロートに移して、水層を廃棄し、さらに
イオン交換水で反応溶液が中性になるまで水洗を繰り返
したのち、有機層を減圧留去して、樹脂を得た。この樹
脂について、 1H−NMRスペクトル(化学シフト「σ
H」)、赤外吸収スペクトル(IR)およびMwを測定
したところ、以下のとおりであった。 σH :2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、0.
2ppm(SiCH3 基)。 IR :3400cm-1(水酸基)、1220cm
-1(C−F結合)、1130cm-1(シロキサン基)、
1080cm-1(シロキサン基)。 Mw:2,200。
Example 8 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 4.0 g of the compound obtained in Synthesis Example 7, 4-methyl-
15 g of 2-pentanone and 0.72 g of 1.75 wt% oxalic acid aqueous solution were added, and the mixture was reacted at 80 ° C. for 6 hours with stirring. After that, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction,
The reaction solution was transferred to a separatory funnel, the aqueous layer was discarded, and water washing was repeated with ion-exchanged water until the reaction solution became neutral. Then, the organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain a resin. For this resin, the 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σ
H "), infrared absorption spectrum (IR) and Mw were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups);
2 ppm (SiCH 3 groups). IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 1220 cm
-1 (CF bond), 1130 cm -1 (siloxane group),
1080 cm -1 (siloxane group). Mw: 2,200.

【0130】比較例1 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、2−t―ブトキシカルボニルエチルトリエトキシシ
ラン20g、4−メチル−2−ペンタノン60gおよび
1.75重量%蓚酸水溶液4.09gを加えて、撹拌し
つつ、80℃で6時間反応させた。その後反応容器を氷
冷して、反応を停止させ、反応溶液を分液ロートに移し
て、水層を廃棄し、さらにイオン交換水で反応溶液が中
性になるまで水洗を繰り返したのち、有機層を減圧留去
して、樹脂を得た。この樹脂について、 1H−NMRス
ペクトル(化学シフト「σH」)、赤外吸収スペクトル
(IR)およびMwを測定したところ、以下のとおりで
あった。 σH :1.5ppm(t−ブトキシカルボニル基)。 IR :3400cm-1(水酸基)、1703cm
-1(カルボニル基)、1130cm-1(シロキサン
基)、1080cm-1(シロキサン基)。 Mw:2,700。
Comparative Example 1 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 20 g of 2-t-butoxycarbonylethyltriethoxysilane, 60 g of 4-methyl-2-pentanone and 1.75% by weight were added. 4.09 g of oxalic acid aqueous solution was added, and the mixture was reacted at 80 ° C. for 6 hours with stirring. After that, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and water washing was repeated with ion-exchanged water until the reaction solution became neutral. The layer was distilled off under reduced pressure to obtain a resin. 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), infrared absorption spectrum (IR) and Mw of this resin were measured, and the results were as follows. σH: 1.5 ppm (t-butoxycarbonyl group). IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 1703 cm
-1 (carbonyl group), 1130 cm -1 (siloxane group), 1080 cm -1 (siloxane group). Mw: 2,700.

【0131】評価例1(放射線透過率の評価) 実施例1、実施例2、実施例3、実施例4、実施例8お
よび比較例1で製造した各樹脂から形成した膜厚1,0
00Åの被膜について、波長が157nmおよび193
nmにおける放射線透過率を測定した。測定結果を、表
1に示す。
Evaluation Example 1 (Evaluation of Radiation Transmittance) A film thickness of 1,0 formed from each resin produced in Example 1, Example 2, Example 3, Example 4, Example 8, and Comparative Example 1.
For the 00 ° coating, the wavelengths were 157 nm and 193
The radiation transmittance in nm was measured. Table 1 shows the measurement results.

【0132】[0132]

【表1】 [Table 1]

【0133】表1から明らかなように、本発明のポリシ
ロキサン(1)は、基本骨格がポリシロキサン構造であ
るため、波長193nmにおける放射線透過率がいずれ
も、比較例1の樹脂の場合と同等以上の高い値を示して
いる。一方、波長157nmにおいては、比較例1の樹
脂の放射線透過率が30%であるのに対して、実施例
1、実施例2、実施例3、実施例4および実施例8の各
樹脂は、いずれも比較例1の樹脂に較べて高い放射線透
過率を有する。波長157nmにおける放射線透過率
は、一般にポリシロキサン中の炭化水素構造の割合が相
対的に増加することにより低下すると考えられるが、本
発明のポリシロキサン(1)は、炭化水素構造の割合が
比較的多いにもかかわらず、また樹脂中の部分構造が変
わっても、波長157nmにおける放射線透過率が高い
水準にある。
As is clear from Table 1, the polysiloxane (1) of the present invention has a polysiloxane structure as its basic skeleton, and thus has a radiation transmittance at a wavelength of 193 nm equivalent to that of the resin of Comparative Example 1. The above high values are shown. On the other hand, at a wavelength of 157 nm, while the radiation transmittance of the resin of Comparative Example 1 is 30%, the resins of Examples 1, 2, 3, 4, and 8 are: All have higher radiation transmittance than the resin of Comparative Example 1. Although the radiation transmittance at a wavelength of 157 nm is generally considered to decrease due to the relative increase in the proportion of the hydrocarbon structure in the polysiloxane, the polysiloxane (1) of the present invention has a relatively low proportion of the hydrocarbon structure. Despite the large number, even if the partial structure in the resin changes, the radiation transmittance at a wavelength of 157 nm is at a high level.

【0134】評価例2(レジスト性能の評価) 実施例1、実施例4および実施例8で得た各樹脂の2−
ヘプタノン溶液をスピンコーターによってシリコンウエ
ハー上に塗布し、130℃に保持したホットプレート上
で、90秒間加熱処理を行って、膜厚1,000Åの被
膜を形成した。その後、各被膜をイオン交換水に60秒
間浸したところ、被膜の膜厚はほとんど変化しなかっ
た。一方、各被膜を2.38重量%テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液に60秒間浸したところ、被
膜は完全にウエハー上から溶解除去された。この結果か
ら、本発明のポリシロキサン(1)は、イオン交換水に
対しては不溶ないし殆ど溶解しない特性を示す一方で、
通常のアルカリ現像液に対しては高い溶解性を有し、化
学増幅型レジストにおける樹脂成分として十分な有用性
を有するものであった。
Evaluation Example 2 (Evaluation of resist performance) 2-resins of each resin obtained in Examples 1, 4 and 8 were evaluated.
The heptanone solution was applied on a silicon wafer by a spin coater, and heated on a hot plate maintained at 130 ° C. for 90 seconds to form a film having a thickness of 1,000 °. Thereafter, when each coating was immersed in ion-exchanged water for 60 seconds, the thickness of the coating hardly changed. On the other hand, when each coating was immersed in a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 60 seconds, the coating was completely dissolved and removed from the wafer. From these results, the polysiloxane (1) of the present invention shows the property of being insoluble or hardly soluble in ion-exchanged water,
It has high solubility in ordinary alkaline developers and has sufficient utility as a resin component in chemically amplified resists.

【0135】さらに、実施例2および実施例3で得た各
樹脂100重量部、トリフェニルスルフォニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート(感放射線性酸発生剤)1重
量部、トリ−n−オクチルアミン(酸拡散制御剤)0.
02重量部および2−ヘプタノン(溶媒)900重量部
を均一に混合して、組成物溶液を調製した。次いで、各
組成物溶液を、シリコンウエハー上にスピンコートによ
り塗布し、130℃に保持したホットプレート上で、9
0秒間加熱処理を行って、膜厚100nmのレジスト被
膜を形成した。その後、各レジスト被膜に対して、Ar
Fエキシマレーザー(波長193nm)により露光量を
変えて露光し、110℃に保持したホットプレート上
で、90秒間加熱処理を行ったのち、2.38重量%の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を
行って、レジストパターンを形成した。得られた各レジ
ストパターンについて、走査型電子顕微鏡で観察した結
果、実施例2の樹脂の場合、0.30μmまで解像して
おり、また実施例3の樹脂の場合、0.15μmまで解
像していた。
Further, 100 parts by weight of each resin obtained in Examples 2 and 3, 1 part by weight of triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate (radiation-sensitive acid generator), and tri-n-octylamine (acid diffusion control) Agent) 0.
02 parts by weight and 900 parts by weight of 2-heptanone (solvent) were uniformly mixed to prepare a composition solution. Next, each composition solution was applied on a silicon wafer by spin coating, and was applied on a hot plate maintained at 130 ° C. for 9 hours.
A heat treatment was performed for 0 second to form a resist film having a thickness of 100 nm. Then, for each resist film, Ar
Exposure was performed by changing the exposure amount using an F excimer laser (wavelength: 193 nm), and heat treatment was performed on a hot plate maintained at 110 ° C. for 90 seconds, followed by development with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Then, a resist pattern was formed. As a result of observing each of the obtained resist patterns with a scanning electron microscope, the resin of Example 2 was resolved to 0.30 μm, and the resin of Example 3 was resolved to 0.15 μm. Was.

【0136】[0136]

【発明の効果】本発明のポリシロキサン(1)は、特
に、遠紫外線、電子線、X線等の放射線を用いる微細加
工用のレジスト材料におけるアルカリ可溶性樹脂成分あ
るいは酸解離性基含有樹脂成分として有用であり、これ
らのレジスト材料は、KrFエキシマレーザー(波長2
48nm)、ArFエキシマレーザー(波長193n
m)あるいはF2 エキシマレーザー(波長157nm)
に代表される遠紫外線等の放射線に有効に感応し、ドラ
イエッチング耐性に優れ、しかも放射線に対する透明
性、感度、解像度、現像性等のレジストとしての基本物
性にも優れている。また、ポリシロキサン(1)は、単
独であるいは一般のポリシロキサン樹脂と混合して、例
えば、成型品、フィルム、ラミネート材、塗料成分等と
しても有用である。
The polysiloxane (1) of the present invention is particularly useful as an alkali-soluble resin component or an acid-dissociable group-containing resin component in a resist material for fine processing using radiation such as far ultraviolet rays, electron beams, and X-rays. It is useful to use these resist materials with a KrF excimer laser (wavelength 2).
48 nm), ArF excimer laser (wavelength 193n)
m) or F 2 excimer laser (wavelength 157 nm)
It is effectively sensitive to radiation such as far ultraviolet rays represented by, and has excellent dry etching resistance, and also has excellent basic physical properties as a resist, such as transparency, sensitivity, resolution, and developability to radiation. Further, the polysiloxane (1) is useful alone or in combination with a general polysiloxane resin, for example, as a molded product, a film, a laminate material, a paint component and the like.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下川 努 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA04 AA09 AB16 AC04 AC05 AC06 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CC20 FA03 FA12 FA17 4J035 BA04 BA14 CA01N CA022 CA152 CA192 LA05 LB16 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Tsutomu Shimokawa 2--11-2 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo FSR term in JSR Co., Ltd. (reference) 2H025 AA01 AA02 AA04 AA09 AB16 AC04 AC05 AC06 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CC20 FA03 FA12 FA17 4J035 BA04 BA14 CA01N CA022 CA152 CA192 LA05 LB16

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(1)に示す構造単位(I)
および/または構造単位(II)を有し、ゲルパーミエー
ションクロマトグラフィ(GPC)により測定したポリ
スチレン換算重量平均分子量が500〜1,000,0
00のポリシロキサン。 【化1】 〔一般式(1)において、各Rは相互に独立して水素原
子またはメチル基を示し、R’は水素原子、メチル基ま
たはトリフルオロメチル基を示し、Xは水素原子または
1価の酸解離性基を示し、R''は水素原子、炭素数1〜
20の1価の炭化水素基、炭素数1〜20の1価のハロ
ゲン化炭化水素基、ハロゲン原子または1級、2級もし
くは3級のアミノ基を示し、nは0〜3の整数であり、
式中の各ケイ素原子は最上位にあるビシクロ[ 2.2.
1 ]ヘプタン環の2−位または3−位に結合してい
る。〕
1. A structural unit (I) represented by the following general formula (1)
And / or having a structural unit (II) and a weight average molecular weight in terms of polystyrene of 500 to 1,000,000 as measured by gel permeation chromatography (GPC).
00 polysiloxane. Embedded image [In the general formula (1), each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R ′ represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group, and X represents a hydrogen atom or a monovalent acid dissociation. R '' is a hydrogen atom, having 1 to 1 carbon atoms.
20 represents a monovalent hydrocarbon group, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a halogen atom or a primary, secondary or tertiary amino group, and n is an integer of 0 to 3. ,
Each silicon atom in the formula is a bicyclo [2.2.
1] attached to the 2- or 3-position of the heptane ring. ]
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