JP2002182000A - 電子ビーム処理装置 - Google Patents
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の電子ビーム管から照射される電子ビー
ムを良好に重なり合わせて、被処理物の処理領域全体の
吸収線量が所定の分布状態になるようにすることによ
り、被処理物を動かさなくても、被処理物の処理領域全
体を一括処理することができる電子ビーム処理装置を提
供することにある。 【解決手段】 本発明の電子ビーム処理装置は、複数の
電子ビーム管１が、被処理物Ｗを処理するための処理室
２に、電子ビーム出射窓１５が露出するように配置され
た電子ビーム処理装置であって、各々の電子ビーム管１
は、被処理物Ｗの処理領域全体の吸収線量が所定の分布
状態になるように配置されていることを特徴とする。
ムを良好に重なり合わせて、被処理物の処理領域全体の
吸収線量が所定の分布状態になるようにすることによ
り、被処理物を動かさなくても、被処理物の処理領域全
体を一括処理することができる電子ビーム処理装置を提
供することにある。 【解決手段】 本発明の電子ビーム処理装置は、複数の
電子ビーム管１が、被処理物Ｗを処理するための処理室
２に、電子ビーム出射窓１５が露出するように配置され
た電子ビーム処理装置であって、各々の電子ビーム管１
は、被処理物Ｗの処理領域全体の吸収線量が所定の分布
状態になるように配置されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、表面改質、薄膜形
成、電子線硬化、ドライ洗浄等のプロセスに利用される
電子ビーム処理装置に関するものである。
成、電子線硬化、ドライ洗浄等のプロセスに利用される
電子ビーム処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、電子線照射技術は、その高い電
子エネルギーを利用し、比較的被処理物の深いところま
で電子を侵入させて処理を行なうことができ、この特徴
を活かした薄膜硬化技術が知られている。例えば、特表
平８−５１０８６４号では、電子ビーム管を直線状ある
いは千鳥状に配列し、複数の電子ビーム管から照射され
る電子ビームは全体的に直線状になるように重なり合っ
ており、この直線状の電子ビームによって被処理物を電
子ビームによって処理するものである。
子エネルギーを利用し、比較的被処理物の深いところま
で電子を侵入させて処理を行なうことができ、この特徴
を活かした薄膜硬化技術が知られている。例えば、特表
平８−５１０８６４号では、電子ビーム管を直線状ある
いは千鳥状に配列し、複数の電子ビーム管から照射され
る電子ビームは全体的に直線状になるように重なり合っ
ており、この直線状の電子ビームによって被処理物を電
子ビームによって処理するものである。
【０００３】このような装置の場合、電子ビーム全体が
直線状であるために、被処理物の処理領域全体を処理す
るためには、被処理物を電子ビーム管に対して移動させ
る必要がある。特表平８−５１０８６４号では、被処理
物は搬送系である回転ローラを用いて移動させられるも
のである。
直線状であるために、被処理物の処理領域全体を処理す
るためには、被処理物を電子ビーム管に対して移動させ
る必要がある。特表平８−５１０８６４号では、被処理
物は搬送系である回転ローラを用いて移動させられるも
のである。
【０００４】また、搬送系が電子ビーム管の直下にある
ため、電子ビームの照射雰囲気の制御が非常に困難なも
のであり、通常は空気中（大気中）で、被処理物に対し
て電子ビームが照射されるものである。
ため、電子ビームの照射雰囲気の制御が非常に困難なも
のであり、通常は空気中（大気中）で、被処理物に対し
て電子ビームが照射されるものである。
【０００５】近年、ＳＯＧ膜硬化技術が発達してきてお
り、この技術により形成した膜を半導体等の層間絶縁膜
として利用するようになってきている。従来、ＳＯＧ膜
の製造方法は、スピンコータでシリコンウエハ上に膜と
なる膜用液体物質を塗布し、４００〜４５０℃で約1時
間加熱することにより膜を生成するものであった。
り、この技術により形成した膜を半導体等の層間絶縁膜
として利用するようになってきている。従来、ＳＯＧ膜
の製造方法は、スピンコータでシリコンウエハ上に膜と
なる膜用液体物質を塗布し、４００〜４５０℃で約1時
間加熱することにより膜を生成するものであった。
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】しかし、加熱だけでは膜の硬化に１時間程
度もかかり、スループットの向上には、硬化時間を短く
する必要があった。そこで、高いエネルギーを有する電
子ビームを、シリコンウエハ上の膜用液体物質、又は、
予め約２００℃で加熱された膜用液体物質に照射し、内
部から膜用液体物質を硬化させると短時間で膜が硬化
し、所望の膜質が得られることを発見した。
度もかかり、スループットの向上には、硬化時間を短く
する必要があった。そこで、高いエネルギーを有する電
子ビームを、シリコンウエハ上の膜用液体物質、又は、
予め約２００℃で加熱された膜用液体物質に照射し、内
部から膜用液体物質を硬化させると短時間で膜が硬化
し、所望の膜質が得られることを発見した。
【０００７】しかし、前述したように、複数の電子ビー
ム管を直線的または千鳥状に配列した装置では、電子ビ
ームが全体的に広がらず直線状になるので、膜用液体物
質を塗布したシリコンウエハを電子ビーム管に対して移
動させなければならず、移動の際、搬送系から汚染粒子
が発生すると膜用液体物質が汚染され、ＳＯＧ膜に不良
が発生する問題があった。
ム管を直線的または千鳥状に配列した装置では、電子ビ
ームが全体的に広がらず直線状になるので、膜用液体物
質を塗布したシリコンウエハを電子ビーム管に対して移
動させなければならず、移動の際、搬送系から汚染粒子
が発生すると膜用液体物質が汚染され、ＳＯＧ膜に不良
が発生する問題があった。
【０００８】さらに、電子ビーム照射と同時に膜用液体
物質を塗布したシリコンウエハを加熱すると、相乗効果
が顕著に現れ、極めて短時間で膜を硬化することができ
ることを発見した。この場合、シリコンウエハを加熱し
ながら移動させる機構は極めて複雑であり、また、加熱
源からの汚染粒子の発生もあり、ＳＯＧ膜の不良率が上
がってしまうという問題があった。
物質を塗布したシリコンウエハを加熱すると、相乗効果
が顕著に現れ、極めて短時間で膜を硬化することができ
ることを発見した。この場合、シリコンウエハを加熱し
ながら移動させる機構は極めて複雑であり、また、加熱
源からの汚染粒子の発生もあり、ＳＯＧ膜の不良率が上
がってしまうという問題があった。
【０００９】本発明の目的は、上記の種々の問題に鑑み
て、複数の電子ビーム管から照射される電子ビームを良
好に重なり合わせて、被処理物の処理領域全体の吸収線
量が所定の分布状態になるようにすることにより、被処
理物を動かさなくても、被処理物の処理領域全体を一括
処理することができる電子ビーム処理装置を提供するこ
とにある。
て、複数の電子ビーム管から照射される電子ビームを良
好に重なり合わせて、被処理物の処理領域全体の吸収線
量が所定の分布状態になるようにすることにより、被処
理物を動かさなくても、被処理物の処理領域全体を一括
処理することができる電子ビーム処理装置を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の電子ビーム処理装置は、真空容器
の内部に電子ビーム発生器が設けられ前面に電子ビーム
発生器より発生した電子ビームが透過する電子ビーム出
射窓が形成された複数の電子ビーム管が、被処理物を処
理するための処理室に、電子ビーム出射窓が露出するよ
うに配置された電子ビーム処理装置であって、前記各々
の電子ビーム管は、被処理物の処理領域全体の吸収線量
が所定の分布状態になるように配置されていることを特
徴とする。
に、請求項１に記載の電子ビーム処理装置は、真空容器
の内部に電子ビーム発生器が設けられ前面に電子ビーム
発生器より発生した電子ビームが透過する電子ビーム出
射窓が形成された複数の電子ビーム管が、被処理物を処
理するための処理室に、電子ビーム出射窓が露出するよ
うに配置された電子ビーム処理装置であって、前記各々
の電子ビーム管は、被処理物の処理領域全体の吸収線量
が所定の分布状態になるように配置されていることを特
徴とする。
【００１１】請求項２に記載の電子ビーム処理装置は、
請求項１に記載の電子ビーム処理装置であって、特に、
前記処理室が圧力調整機構によって減圧されていること
を特徴とする。
請求項１に記載の電子ビーム処理装置であって、特に、
前記処理室が圧力調整機構によって減圧されていること
を特徴とする。
【００１２】請求項３に記載の電子ビーム処理装置は、
請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の電子ビ
ーム処理装置であって、特に、前記処理室には被処理物
を載置するための載置台が設けられており、当該載置台
は、前記電子ビーム出射窓との離間距離を可変すること
ができることを特徴とする。
請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の電子ビ
ーム処理装置であって、特に、前記処理室には被処理物
を載置するための載置台が設けられており、当該載置台
は、前記電子ビーム出射窓との離間距離を可変すること
ができることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の電子ビーム処理
装置に用いられる電子ビーム管の説明図である。電子ビ
ーム管１は、ガラスよりなる真空容器１１と、この真空
容器１１内に設けられた電子ビーム発生器１２を有する
ものである。
装置に用いられる電子ビーム管の説明図である。電子ビ
ーム管１は、ガラスよりなる真空容器１１と、この真空
容器１１内に設けられた電子ビーム発生器１２を有する
ものである。
【００１４】電子ビーム発生器１２は、フィラメント１
２１とグリッド１２２を有し、フィラメント１２１とグ
リッド１２２には、端子１３を介して直流高電圧電源か
ら例えば５〜７０ｋＶの高電圧が印加されている。ま
た、フィラメント１２１には端子１３を介して、別のフ
ィラメント電源から電流が供給されることによりフィラ
メントが加熱され、熱電子を放出する。放出された電子
はグリッド１２２によって生じる電界によりビーム形状
に整えられる。
２１とグリッド１２２を有し、フィラメント１２１とグ
リッド１２２には、端子１３を介して直流高電圧電源か
ら例えば５〜７０ｋＶの高電圧が印加されている。ま
た、フィラメント１２１には端子１３を介して、別のフ
ィラメント電源から電流が供給されることによりフィラ
メントが加熱され、熱電子を放出する。放出された電子
はグリッド１２２によって生じる電界によりビーム形状
に整えられる。
【００１５】真空容器１１の一端側にはシリコン製の蓋
部材１４が設けられており、この蓋部材１４は、電子ビ
ームが通過するスリット１４１が形成されている。この
スリット１４１前方には、スリット１４１を気密に覆う
ようにシリコンよりなる薄膜状の電子ビーム出射窓１５
が形成されており、電子ビーム発生器１２から発生した
電子ビームが、この電子ビーム出射窓１５を透過し、電
子ビーム管１の外に照射される。
部材１４が設けられており、この蓋部材１４は、電子ビ
ームが通過するスリット１４１が形成されている。この
スリット１４１前方には、スリット１４１を気密に覆う
ようにシリコンよりなる薄膜状の電子ビーム出射窓１５
が形成されており、電子ビーム発生器１２から発生した
電子ビームが、この電子ビーム出射窓１５を透過し、電
子ビーム管１の外に照射される。
【００１６】図２は、蓋部材１４の正面図である、蓋部
材１４には直線状にスリット１４１が５個設けられてお
り、それぞれのスリット１４１の間には橋部１４１ａが
形成されている。そして、全てのスリット１４１を覆う
ように、便宜上点線で示す外径長方形状の電子ビーム出
射窓１５が形成されている。
材１４には直線状にスリット１４１が５個設けられてお
り、それぞれのスリット１４１の間には橋部１４１ａが
形成されている。そして、全てのスリット１４１を覆う
ように、便宜上点線で示す外径長方形状の電子ビーム出
射窓１５が形成されている。
【００１７】この電子ビーム出射窓１５は、シリコン又
はシリコン化合物を主としたものよりなり、電子ビーム
発生器１２から発生した電子ビームを良好に透過するよ
うに厚みが０．３〜３μｍである。このように電子ビー
ム出射窓１５は、厚みが０．３〜３μｍと非常に薄いた
めスリット１４１の面積が大きくなると電子ビーム照射
窓１５が電子線の通過或いは電子ビーム出射窓１５に加
わる応力のために破れる可能性があり、これを防止する
ために、前述したようにと各スリット１４１の面積を小
さくし、それぞれのスリット１４１の間には橋部１４１
ａを設け、電子ビーム出射窓１５の破れを防止するもの
である。なお、スリット１４１が直線状に並んでいる理
由は、電子ビームが略均一にそれぞれのスリット１４１
にかかるようにするためである。
はシリコン化合物を主としたものよりなり、電子ビーム
発生器１２から発生した電子ビームを良好に透過するよ
うに厚みが０．３〜３μｍである。このように電子ビー
ム出射窓１５は、厚みが０．３〜３μｍと非常に薄いた
めスリット１４１の面積が大きくなると電子ビーム照射
窓１５が電子線の通過或いは電子ビーム出射窓１５に加
わる応力のために破れる可能性があり、これを防止する
ために、前述したようにと各スリット１４１の面積を小
さくし、それぞれのスリット１４１の間には橋部１４１
ａを設け、電子ビーム出射窓１５の破れを防止するもの
である。なお、スリット１４１が直線状に並んでいる理
由は、電子ビームが略均一にそれぞれのスリット１４１
にかかるようにするためである。
【００１８】図３は、本発明の電子ビーム処理装置の説
明図である。電子ビーム管１は、前述した真空容器１１
の一端側に形成された蓋部材１４が処理室２の上壁２１
に密閉固定され、電子ビーム出射窓１５が処理室２に露
出している。被処理物Ｗは、処理室２内に設けられた載
置台３に載置され、電子ビーム出射窓１５と対向するよ
うに配置されている。なお、載置台３は、電子ビーム管
１の電子ビーム出射窓１５と被処理物Ｗとの離間距離を
変えることができるものである。
明図である。電子ビーム管１は、前述した真空容器１１
の一端側に形成された蓋部材１４が処理室２の上壁２１
に密閉固定され、電子ビーム出射窓１５が処理室２に露
出している。被処理物Ｗは、処理室２内に設けられた載
置台３に載置され、電子ビーム出射窓１５と対向するよ
うに配置されている。なお、載置台３は、電子ビーム管
１の電子ビーム出射窓１５と被処理物Ｗとの離間距離を
変えることができるものである。
【００１９】また、処理室２には、処理室２内を減圧に
するための排気口４０とこの排気口４０に続く排気管４
１が設けられ、これらからなる排気系４を備えている。
排気系４を設ける理由は、電子ビーム出射窓１５を透過
した電子ビームは、処理室２内の空間を通過して被処理
物Ｗに照射される。この時、処理室２内の圧力によっ
て、電子ビームの広がりや到達距離が決まり、所望の電
子ビームの広がりや到達距離を出すために排気管４１を
通して処理室２内の内圧を制御するものである。
するための排気口４０とこの排気口４０に続く排気管４
１が設けられ、これらからなる排気系４を備えている。
排気系４を設ける理由は、電子ビーム出射窓１５を透過
した電子ビームは、処理室２内の空間を通過して被処理
物Ｗに照射される。この時、処理室２内の圧力によっ
て、電子ビームの広がりや到達距離が決まり、所望の電
子ビームの広がりや到達距離を出すために排気管４１を
通して処理室２内の内圧を制御するものである。
【００２０】また、処理室２には、処理室２内に被処理
物Ｗの所望の反応以外の反応が起こらないようにするた
めの窒素などの抑制ガスや、処理室２内で紫外線を発生
させるなどの所望の反応を起こさせるためのアルゴンな
どのガスを導入するするガス導入口５０と、このガス導
入口５０に続く導入管５１が設けられ、これからなるガ
ス導入系５を備えている。例えば、排気系４により、処
理室２内を所望の減圧状態にして、次に、ガス導入系５
により、窒素ガスを処理室２内に導入し、処理室２内を
窒素ガス充填し、減圧状態にするものである。つまり、
処理室２には排気系４とガス導入系５からなる圧力調整
機構Ｋが設けられ、この圧力調整機構Ｋにより、処理室
２内のガス種や減圧状態を決定し、電子ビームの広がり
や到達距離を調整するものである。
物Ｗの所望の反応以外の反応が起こらないようにするた
めの窒素などの抑制ガスや、処理室２内で紫外線を発生
させるなどの所望の反応を起こさせるためのアルゴンな
どのガスを導入するするガス導入口５０と、このガス導
入口５０に続く導入管５１が設けられ、これからなるガ
ス導入系５を備えている。例えば、排気系４により、処
理室２内を所望の減圧状態にして、次に、ガス導入系５
により、窒素ガスを処理室２内に導入し、処理室２内を
窒素ガス充填し、減圧状態にするものである。つまり、
処理室２には排気系４とガス導入系５からなる圧力調整
機構Ｋが設けられ、この圧力調整機構Ｋにより、処理室
２内のガス種や減圧状態を決定し、電子ビームの広がり
や到達距離を調整するものである。
【００２１】図４は、本発明の電子ビーム処理装置の電
子ビーム管の配置状態を説明する説明図であり、図３の
被処理物Ｗ側から各々の電子ビーム管の配置状態を示す
ものであり、それぞれの電子ビーム管１の蓋部材１４と
電子ビーム出射窓１５が描かれており電子ビーム管の配
置状態と円形の被処理物との関係がわかるように被処理
部物Ｗも合わせて描いた説明図である。
子ビーム管の配置状態を説明する説明図であり、図３の
被処理物Ｗ側から各々の電子ビーム管の配置状態を示す
ものであり、それぞれの電子ビーム管１の蓋部材１４と
電子ビーム出射窓１５が描かれており電子ビーム管の配
置状態と円形の被処理物との関係がわかるように被処理
部物Ｗも合わせて描いた説明図である。
【００２２】図４では、各電子ビーム管の蓋部材１４
は、中心の電子ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中
心点Ｐ１を中心に、６０°の間隔をもって他の電子ビー
ム管の電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４
が同心円上に位置するように配置されており、隣り合う
電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４
との離間距離が全て６０ｍｍになるように配置されてい
る。
は、中心の電子ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中
心点Ｐ１を中心に、６０°の間隔をもって他の電子ビー
ム管の電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４
が同心円上に位置するように配置されており、隣り合う
電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４
との離間距離が全て６０ｍｍになるように配置されてい
る。
【００２３】具体的に、各電子ビーム管１は、中心の電
子ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１を中
心として、この中心点Ｐ１から電子ビーム出射窓１５の
中心Ｐ２が６０ｍｍ離間し、かつ、中心点Ｐ１を中心に
６０°の間隔を保った位置に電子ビーム出射窓１５の中
心Ｐ２が位置する６つの電子ビーム管ｂと、中心の電子
ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１を中心
として、この中心点Ｐ１から電子ビーム出射窓１５の中
心Ｐ３が１０４ｍｍ離間し、かつ、中心点Ｐ１を中心に
６０°の間隔を保った位置に電子ビーム出射窓１５の中
心Ｐ３が位置する６つの電子ビーム管ｃと、中心の電子
ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１を中心
として、この中心点Ｐ１から電子ビーム出射窓１５の中
心Ｐ４が１２０ｍｍ離間し、かつ、中心点Ｐ１を中心に
６０°の間隔を保った位置に電子ビーム出射窓１５の中
心Ｐ４が位置する６つの電子ビーム管ｄとなるように、
合計１９個の電子ビーム管１が配置されている。
子ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１を中
心として、この中心点Ｐ１から電子ビーム出射窓１５の
中心Ｐ２が６０ｍｍ離間し、かつ、中心点Ｐ１を中心に
６０°の間隔を保った位置に電子ビーム出射窓１５の中
心Ｐ２が位置する６つの電子ビーム管ｂと、中心の電子
ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１を中心
として、この中心点Ｐ１から電子ビーム出射窓１５の中
心Ｐ３が１０４ｍｍ離間し、かつ、中心点Ｐ１を中心に
６０°の間隔を保った位置に電子ビーム出射窓１５の中
心Ｐ３が位置する６つの電子ビーム管ｃと、中心の電子
ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１を中心
として、この中心点Ｐ１から電子ビーム出射窓１５の中
心Ｐ４が１２０ｍｍ離間し、かつ、中心点Ｐ１を中心に
６０°の間隔を保った位置に電子ビーム出射窓１５の中
心Ｐ４が位置する６つの電子ビーム管ｄとなるように、
合計１９個の電子ビーム管１が配置されている。
【００２４】このように、電子ビーム管ａを中心とし
て、同心円状に、電子ビーム管ｂ、ｃ、ｄが配置されて
いる。そして、電子ビーム管ａの出力は４５μＡであ
り、電子ビーム管ｂの出力は５０μＡであり、電子ビー
ム管ｃの出力は６０μＡであり、電子ビーム管ｄの出力
は６５μＡであり、中心の電子ビーム管ａから離れるに
したがって、それぞれの電子ビーム管の出力が大きくな
っている。
て、同心円状に、電子ビーム管ｂ、ｃ、ｄが配置されて
いる。そして、電子ビーム管ａの出力は４５μＡであ
り、電子ビーム管ｂの出力は５０μＡであり、電子ビー
ム管ｃの出力は６０μＡであり、電子ビーム管ｄの出力
は６５μＡであり、中心の電子ビーム管ａから離れるに
したがって、それぞれの電子ビーム管の出力が大きくな
っている。
【００２５】つまり、中心の電子ビーム管ａの周りには
複数の電子ビーム管が存在することになり、この電子ビ
ーム管ａの直下の被処理物上には周囲の電子ビーム管
ｂ、電子ビーム管ｃ、電子ビーム管ｄからの電子ビーム
の一部が照射されるので、電子ビーム管ａの出力を抑
え、反対に、最外位置に存在する電子ビーム管ｄの周り
には一部他の電子ビーム管が存在し、一部他の電子ビー
ム管が存在していないので、図４中、一番上方の電子ビ
ーム管ｄは、図中、下方には電子ビーム管ｂ、ｃが存在
し、上方には電子ビーム管が存在していないでの、電子
ビーム管ｄの直下の被処理物上では電子ビーム管ａの直
下の電子ビームの量に比べ少なくなるので電子ビーム管
ｄの出力を上げている。
複数の電子ビーム管が存在することになり、この電子ビ
ーム管ａの直下の被処理物上には周囲の電子ビーム管
ｂ、電子ビーム管ｃ、電子ビーム管ｄからの電子ビーム
の一部が照射されるので、電子ビーム管ａの出力を抑
え、反対に、最外位置に存在する電子ビーム管ｄの周り
には一部他の電子ビーム管が存在し、一部他の電子ビー
ム管が存在していないので、図４中、一番上方の電子ビ
ーム管ｄは、図中、下方には電子ビーム管ｂ、ｃが存在
し、上方には電子ビーム管が存在していないでの、電子
ビーム管ｄの直下の被処理物上では電子ビーム管ａの直
下の電子ビームの量に比べ少なくなるので電子ビーム管
ｄの出力を上げている。
【００２６】つまり、この実施例においては、全ての電
子ビーム管の離間距離が等しいという条件下において、
電子ビーム管ａの出力を４５μＡ、電子ビーム管ｂの出
力を５０μＡ、電子ビーム管ｃの出力を６０μＡ、電子
ビーム管ｄの出力を６５μＡというように被処理物の処
理領域全体の吸収線量が均一になるように、各電子ビー
ム管から照射される照射電子線量を規定するものであ
る。
子ビーム管の離間距離が等しいという条件下において、
電子ビーム管ａの出力を４５μＡ、電子ビーム管ｂの出
力を５０μＡ、電子ビーム管ｃの出力を６０μＡ、電子
ビーム管ｄの出力を６５μＡというように被処理物の処
理領域全体の吸収線量が均一になるように、各電子ビー
ム管から照射される照射電子線量を規定するものであ
る。
【００２７】この結果、被処理物Ｗ上の処理領域全体の
吸収線量を均一にでき被処理物Ｗを移動させることなく
均一に一括処理することができる。なお、処理室２内の
圧力状態或いは被処理物Ｗと電子ビーム管１の電子ビー
ム出射窓１５との離間距離によっては、各々の電子ビー
ム管１から照射される照射線量が全て等しい場合もあ
る。このような電子ビーム管の配置状態は、被処理物の
処理領域が円形のものに適している。また、各々の電子
ビーム管から照射される照射電子線量は、周囲の他の電
子ビーム管から照射される照射電子線量及び周囲の他の
電子ビーム管との離間距離や電子ビーム管の個数、ある
いは処理室内壁との間隔などを考慮して、被処理物の処
理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるように設
定されている。
吸収線量を均一にでき被処理物Ｗを移動させることなく
均一に一括処理することができる。なお、処理室２内の
圧力状態或いは被処理物Ｗと電子ビーム管１の電子ビー
ム出射窓１５との離間距離によっては、各々の電子ビー
ム管１から照射される照射線量が全て等しい場合もあ
る。このような電子ビーム管の配置状態は、被処理物の
処理領域が円形のものに適している。また、各々の電子
ビーム管から照射される照射電子線量は、周囲の他の電
子ビーム管から照射される照射電子線量及び周囲の他の
電子ビーム管との離間距離や電子ビーム管の個数、ある
いは処理室内壁との間隔などを考慮して、被処理物の処
理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるように設
定されている。
【００２８】図５は、図４と同様に、それぞれの電子ビ
ーム管１の蓋部材１４と電子ビーム出射窓１５が描かれ
ており電子ビーム管の配置状態と四角形の被処理物との
関係がわかるように被処理部物Ｗも合わせて描いた説明
図である。図５では、電子ビーム管ａは、電子ビーム出
射窓１５の中心点Ｐ１を中心にこの電子ビーム管ａを囲
むように６０°の間隔をもって隣接するように他の電子
ビーム管（ｂ，ｃ，ｄ）が６つ配置されている。電子ビ
ーム管ｂは、電子ビーム出射窓１５の中心Ｐ２を中心に
この電子ビーム管ｂを囲むように６０°の間隔をもって
隣接するように他の電子ビーム管（ａ，ｄ）が５つ配置
されている。電子ビーム管ｃは、電子ビーム出射窓１５
の中心Ｐ３を中心にこの電子ビーム管ｃを囲むように６
０°の間隔をもって隣接するように他の電子ビーム管
（ａ，ｄ）が４つ配置されている。電子ビーム管ｄは、
配置されている場所によって異なるが電子ビーム出射窓
１５の中心Ｐ４を中心にこの電子ビーム管ｄを囲むよう
に６０°の間隔をもって隣接するように他の電子ビーム
管（ａ，ｂ，ｃ，ｄ）が３つ配置されている。また、隣
り合う電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ
３、Ｐ４との離間距離が全て６０ｍｍになるように配置
されている。
ーム管１の蓋部材１４と電子ビーム出射窓１５が描かれ
ており電子ビーム管の配置状態と四角形の被処理物との
関係がわかるように被処理部物Ｗも合わせて描いた説明
図である。図５では、電子ビーム管ａは、電子ビーム出
射窓１５の中心点Ｐ１を中心にこの電子ビーム管ａを囲
むように６０°の間隔をもって隣接するように他の電子
ビーム管（ｂ，ｃ，ｄ）が６つ配置されている。電子ビ
ーム管ｂは、電子ビーム出射窓１５の中心Ｐ２を中心に
この電子ビーム管ｂを囲むように６０°の間隔をもって
隣接するように他の電子ビーム管（ａ，ｄ）が５つ配置
されている。電子ビーム管ｃは、電子ビーム出射窓１５
の中心Ｐ３を中心にこの電子ビーム管ｃを囲むように６
０°の間隔をもって隣接するように他の電子ビーム管
（ａ，ｄ）が４つ配置されている。電子ビーム管ｄは、
配置されている場所によって異なるが電子ビーム出射窓
１５の中心Ｐ４を中心にこの電子ビーム管ｄを囲むよう
に６０°の間隔をもって隣接するように他の電子ビーム
管（ａ，ｂ，ｃ，ｄ）が３つ配置されている。また、隣
り合う電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ
３、Ｐ４との離間距離が全て６０ｍｍになるように配置
されている。
【００２９】そして、電子ビーム管ａの出力は５０μＡ
であり、電子ビーム管ｂの出力は５５μＡであり、電子
ビーム管ｃの出力は６０μＡであり、電子ビーム管ｄの
出力は６５μＡである。
であり、電子ビーム管ｂの出力は５５μＡであり、電子
ビーム管ｃの出力は６０μＡであり、電子ビーム管ｄの
出力は６５μＡである。
【００３０】つまり、電子ビーム管は、その電子ビーム
管の周りに隣接する他の電子ビーム管から照射される照
射電子線量や他の電子ビーム管との離間距離を考慮し
て、出力が調整され、具体的には、電子ビーム管ａは、
その電子ビーム管ａの周りに６つ存在することにより、
電子ビーム管ａの直下の被処理物上には周りの電子ビー
ム管からの電子ビームの一部が照射されるので電子ビー
ム管ａの出力を抑え、電子ビーム管ｄは、その電子ビー
ム管ｄの周りに隣接する電子ビーム管が３つしか存在し
ないで、電子ビーム管ｄの直下の被処理物上では電子ビ
ーム管ａの直下の電子ビーム量に比べ少なくなるので電
子ビーム管ｄの出力を上げている。
管の周りに隣接する他の電子ビーム管から照射される照
射電子線量や他の電子ビーム管との離間距離を考慮し
て、出力が調整され、具体的には、電子ビーム管ａは、
その電子ビーム管ａの周りに６つ存在することにより、
電子ビーム管ａの直下の被処理物上には周りの電子ビー
ム管からの電子ビームの一部が照射されるので電子ビー
ム管ａの出力を抑え、電子ビーム管ｄは、その電子ビー
ム管ｄの周りに隣接する電子ビーム管が３つしか存在し
ないで、電子ビーム管ｄの直下の被処理物上では電子ビ
ーム管ａの直下の電子ビーム量に比べ少なくなるので電
子ビーム管ｄの出力を上げている。
【００３１】つまり、この実施例においては、全ての電
子ビーム管の離間距離が等しいという条件下において、
電子ビーム管ａの出力を５０μＡ、電子ビーム管ｂの出
力を５５μＡ、電子ビーム管ｃの出力を６０μＡ、電子
ビーム管ｄの出力を６５μＡというように被処理物の処
理領域全体の吸収線量が均一になるように、各電子ビー
ム管から照射される照射電子線量を規定するものであ
る。
子ビーム管の離間距離が等しいという条件下において、
電子ビーム管ａの出力を５０μＡ、電子ビーム管ｂの出
力を５５μＡ、電子ビーム管ｃの出力を６０μＡ、電子
ビーム管ｄの出力を６５μＡというように被処理物の処
理領域全体の吸収線量が均一になるように、各電子ビー
ム管から照射される照射電子線量を規定するものであ
る。
【００３２】この結果、被処理物Ｗ上の処理領域全体の
吸収線量が均一になり被処理物Ｗを移動させることなく
均一に一括処理することができる。なお、処理室２内の
圧力状態或いは被処理物Ｗと電子ビーム管１の電子ビー
ム出射窓１５との離間距離によっては、各々の電子ビー
ム管１から照射される照射線量が全て等しい場合もあ
る。このような電子ビーム管の配置状態は、被処理物の
処理領域が四角形のものに適している。また、各々の電
子ビーム管から照射される照射電子線量は、周囲の他の
電子ビーム管から照射される照射電子線量及び周囲の他
の電子ビーム管との離間距離や電子ビーム管の個数、あ
るいは処理室内壁との間隔などを考慮して、被処理物の
処理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるように
設定されている。
吸収線量が均一になり被処理物Ｗを移動させることなく
均一に一括処理することができる。なお、処理室２内の
圧力状態或いは被処理物Ｗと電子ビーム管１の電子ビー
ム出射窓１５との離間距離によっては、各々の電子ビー
ム管１から照射される照射線量が全て等しい場合もあ
る。このような電子ビーム管の配置状態は、被処理物の
処理領域が四角形のものに適している。また、各々の電
子ビーム管から照射される照射電子線量は、周囲の他の
電子ビーム管から照射される照射電子線量及び周囲の他
の電子ビーム管との離間距離や電子ビーム管の個数、あ
るいは処理室内壁との間隔などを考慮して、被処理物の
処理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるように
設定されている。
【００３３】次に、図３に示す本発明の電子ビーム処理
装置を用いて電子処理を行う技術について説明する。な
お、この装置の電子ビーム管の配置状態は、図４で示す
電子ビーム管の配置状態と同じである。処理室２内は、
十分に排気系４により排気した後、ガス導入系５より窒
素ガスを導入し、内圧が５Ｔｏｒｒとなるようにした。
そして、図３に示す各電子ビーム管１の電子ビーム出射
窓１５と載置台３のシリコンウエハである被処理物Ｗと
の離間距離を６０ｍｍに設定した。
装置を用いて電子処理を行う技術について説明する。な
お、この装置の電子ビーム管の配置状態は、図４で示す
電子ビーム管の配置状態と同じである。処理室２内は、
十分に排気系４により排気した後、ガス導入系５より窒
素ガスを導入し、内圧が５Ｔｏｒｒとなるようにした。
そして、図３に示す各電子ビーム管１の電子ビーム出射
窓１５と載置台３のシリコンウエハである被処理物Ｗと
の離間距離を６０ｍｍに設定した。
【００３４】電子ビーム管は、図４に示すようにそれぞ
れの電子ビーム管の離間距離が６０ｍｍであり、電子ビ
ーム管ａ、電子ビーム管ｂ、電子ビーム管ｃ、電子ビー
ム管ｄは、全て電子ビーム出射窓１５が厚み３μｍのシ
リコンで、加速電圧が２５ｋＶで、５０μＡの出力を有
するものである。
れの電子ビーム管の離間距離が６０ｍｍであり、電子ビ
ーム管ａ、電子ビーム管ｂ、電子ビーム管ｃ、電子ビー
ム管ｄは、全て電子ビーム出射窓１５が厚み３μｍのシ
リコンで、加速電圧が２５ｋＶで、５０μＡの出力を有
するものである。
【００３５】そして、被処理物Ｗ上に厚み２０μｍ、直
径２００ｍｍの円形の電子線量測定シートであるＥＢ感
光フィルムを貼り、このＥＢ感光フィルムに向けてすべ
ての電子ビーム管から電子ビームを７０秒照射した。こ
の時の、ＥＢ感光フィルム上での吸収線量は１４μＣ／
ｃｍ2であった。
径２００ｍｍの円形の電子線量測定シートであるＥＢ感
光フィルムを貼り、このＥＢ感光フィルムに向けてすべ
ての電子ビーム管から電子ビームを７０秒照射した。こ
の時の、ＥＢ感光フィルム上での吸収線量は１４μＣ／
ｃｍ2であった。
【００３６】そして、ＥＢ感光フィルムの感光度合いか
ら処理領域全領体の最大吸収線量値と最小吸収線量値を
実測し、以下の評価式を用いて処理領域全体の吸収線量
の振幅度を判定し、この振幅度を用いて均一性を評価し
た。なお、下記の評価式より、振幅度が０に近づくほど
均一性が高くなるものである。
ら処理領域全領体の最大吸収線量値と最小吸収線量値を
実測し、以下の評価式を用いて処理領域全体の吸収線量
の振幅度を判定し、この振幅度を用いて均一性を評価し
た。なお、下記の評価式より、振幅度が０に近づくほど
均一性が高くなるものである。
【００３７】
【数１】
【００３８】均一性を表す振幅度は、７％であり、被処
理物にほぼ均一に電子ビームが照射されていることがわ
かる。
理物にほぼ均一に電子ビームが照射されていることがわ
かる。
【００３９】一方、上記の電子ビーム処理装置におい
て、処理室２内の圧力のみ大気圧状態にした場合、電子
ビームは、電子ビーム出射窓１５の前方６ｍｍまでしか
到達せず、電子ビーム照射窓１５から６０ｍｍ離れた被
処理物Ｗまでは電子が到達せず、被処理物を処理するこ
とができなかった。
て、処理室２内の圧力のみ大気圧状態にした場合、電子
ビームは、電子ビーム出射窓１５の前方６ｍｍまでしか
到達せず、電子ビーム照射窓１５から６０ｍｍ離れた被
処理物Ｗまでは電子が到達せず、被処理物を処理するこ
とができなかった。
【００４０】従って、処理室２内を５Ｔｏｒｒの窒素減
圧状態にし、電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１５と
被処理物Ｗの離間距離を６０ｍｍとし、各電子ビーム管
の配置状態と出力を前述した通りにすることにより、被
処理物Ｗ上の処理領域全体の吸収線量が均一になり被処
理物Ｗを均一に一括処理することができる。
圧状態にし、電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１５と
被処理物Ｗの離間距離を６０ｍｍとし、各電子ビーム管
の配置状態と出力を前述した通りにすることにより、被
処理物Ｗ上の処理領域全体の吸収線量が均一になり被処
理物Ｗを均一に一括処理することができる。
【００４１】次に、図３に示す本発明の電子ビーム処理
装置を用いて電子処理を行う他の例について説明する。
なお、この装置の電子ビーム管の配置状態は、図４に示
すようにそれぞれの電子ビーム管の離間距離が６０ｍｍ
であり、電子ビーム管ａ、電子ビーム管ｂ、電子ビーム
管ｃ、電子ビーム管ｄは、全て電子ビーム出射窓１５が
厚み３μｍのシリコンで、加速電圧が４０ｋＶで、５０
μＡの出力を有するものである。処理室２内は、十分に
排気系４により排気した後、ガス導入系５より窒素ガス
を導入し、内圧が５Ｔｏｒｒとなるようにした。そし
て、図３に示す各電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１
５と載置台３との距離を２通りに設定した。つまり、シ
リコンウエハである被処理物Ｗとの離間距離を６０ｍｍ
と７５ｍｍに設定した。
装置を用いて電子処理を行う他の例について説明する。
なお、この装置の電子ビーム管の配置状態は、図４に示
すようにそれぞれの電子ビーム管の離間距離が６０ｍｍ
であり、電子ビーム管ａ、電子ビーム管ｂ、電子ビーム
管ｃ、電子ビーム管ｄは、全て電子ビーム出射窓１５が
厚み３μｍのシリコンで、加速電圧が４０ｋＶで、５０
μＡの出力を有するものである。処理室２内は、十分に
排気系４により排気した後、ガス導入系５より窒素ガス
を導入し、内圧が５Ｔｏｒｒとなるようにした。そし
て、図３に示す各電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１
５と載置台３との距離を２通りに設定した。つまり、シ
リコンウエハである被処理物Ｗとの離間距離を６０ｍｍ
と７５ｍｍに設定した。
【００４２】そして、被処理物Ｗ上に厚み２０μｍ、直
径２００ｍｍの円形の電子線量測定シートであるＥＢ感
光フィルムを貼り、このＥＢ感光フィルムに向けてすべ
ての電子ビーム管から電子ビームを２５秒照射した。こ
の時の吸収線量は、電子ビーム出射窓１５と被処理物Ｗ
との離間距離が６０ｍｍの場合ＥＢ感光フィルム上で２
６μＣ／ｃｍ2であり、電子ビーム出射窓１５と被処理
物Ｗとの離間距離が７５ｍｍの場合ＥＢ感光フィルム上
で２０μＣ／ｃｍ2であった。
径２００ｍｍの円形の電子線量測定シートであるＥＢ感
光フィルムを貼り、このＥＢ感光フィルムに向けてすべ
ての電子ビーム管から電子ビームを２５秒照射した。こ
の時の吸収線量は、電子ビーム出射窓１５と被処理物Ｗ
との離間距離が６０ｍｍの場合ＥＢ感光フィルム上で２
６μＣ／ｃｍ2であり、電子ビーム出射窓１５と被処理
物Ｗとの離間距離が７５ｍｍの場合ＥＢ感光フィルム上
で２０μＣ／ｃｍ2であった。
【００４３】そして、前述した測定方法によって、ＥＢ
感光フィルムの感度度合いを測定することにより被処理
物上での電子ビームの振幅度を測定した。結果は、電子
ビーム出射窓と被処理物との離間距離が６０ｍｍの場
合、均一性を示す振幅度は１０％であり、電子ビーム出
射窓と被処理物との離間距離が７５ｍｍの場合、均一性
を示す振幅度は６．５％であった。
感光フィルムの感度度合いを測定することにより被処理
物上での電子ビームの振幅度を測定した。結果は、電子
ビーム出射窓と被処理物との離間距離が６０ｍｍの場
合、均一性を示す振幅度は１０％であり、電子ビーム出
射窓と被処理物との離間距離が７５ｍｍの場合、均一性
を示す振幅度は６．５％であった。
【００４４】この結果から、加速電圧が４０ｋＶという
高い加速電圧では、電子ビーム出射窓から照射される電
子ビームの広がりが狭く、電子ビーム出射窓と被処理物
との離間距離が６０ｍｍと接近している場合は、他の電
子ビーム管から照射される電子ビームの重なりが不十分
であるため被処理物上の処理領域全体の吸収線量が均一
にならず、電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離を
７５ｍｍと離した場合には、他の電子ビーム管から照射
される電子ビームの重なりが最適状態となるため被処理
物上の処理領域全体の吸収線量が均一になることがわか
る。
高い加速電圧では、電子ビーム出射窓から照射される電
子ビームの広がりが狭く、電子ビーム出射窓と被処理物
との離間距離が６０ｍｍと接近している場合は、他の電
子ビーム管から照射される電子ビームの重なりが不十分
であるため被処理物上の処理領域全体の吸収線量が均一
にならず、電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離を
７５ｍｍと離した場合には、他の電子ビーム管から照射
される電子ビームの重なりが最適状態となるため被処理
物上の処理領域全体の吸収線量が均一になることがわか
る。
【００４５】この結果からわかるように、処理室内の圧
力や加速電圧の大きさなど電子ビームの照射条件によっ
て、電子ビーム管の電子ビーム出射窓と被処理物との離
間距離を変えることにより、被処理物上の処理領域全体
の吸収線量の均一性を高めることができる。
力や加速電圧の大きさなど電子ビームの照射条件によっ
て、電子ビーム管の電子ビーム出射窓と被処理物との離
間距離を変えることにより、被処理物上の処理領域全体
の吸収線量の均一性を高めることができる。
【００４６】なお、均一性に一定の許容範囲がある場合
は、被処理物を電子ビームで処理する時に、電子ビーム
管の電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離を変え
て、被処理物に浸透する電子ビームの深さを調整するこ
とができる。具体的には、ＳＯＧ膜の硬化処理工程にお
いて、始めは、シリコンウエハ上に塗布されたＳＯＧ膜
用液体物質の表面を硬化させるために、電子ビーム出射
窓と被処理物との離間距離を一定に保っておき、ＳＯＧ
膜用液体物質の表面が硬化した段階で、電子ビーム出射
窓と被処理物との離間距離を縮め電子ビームがＳＯＧ膜
用液体物質の内部深くまで到達するようにして内部を硬
化させることもできる。
は、被処理物を電子ビームで処理する時に、電子ビーム
管の電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離を変え
て、被処理物に浸透する電子ビームの深さを調整するこ
とができる。具体的には、ＳＯＧ膜の硬化処理工程にお
いて、始めは、シリコンウエハ上に塗布されたＳＯＧ膜
用液体物質の表面を硬化させるために、電子ビーム出射
窓と被処理物との離間距離を一定に保っておき、ＳＯＧ
膜用液体物質の表面が硬化した段階で、電子ビーム出射
窓と被処理物との離間距離を縮め電子ビームがＳＯＧ膜
用液体物質の内部深くまで到達するようにして内部を硬
化させることもできる。
【００４７】次に、図３に示す本発明の電子ビーム処理
装置を用いて電子処理を行う他の例について説明する。
なお、この装置の電子ビーム管の配置状態は、図４に示
すようにそれぞれの電子ビーム管の離間距離が６０ｍｍ
であり、電子ビーム管ａの出力は４５μＡ、電子ビーム
管ｂの出力は５０μＡ、電子ビーム管ｃの出力は６０μ
Ａ、電子ビーム管ｄの出力は６５μＡであり、全て電子
ビーム出射窓１５が厚み３μｍのシリコンで、加速電圧
が２５ｋＶである。処理室２内は、十分に排気系４によ
り排気した後、ガス導入系５より窒素ガスを導入し、内
圧が５Ｔｏｒｒとなるようにした。そして、図３に示す
各電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１５と載置台３の
シリコンウエハである被処理物Ｗとの離間距離を６０ｍ
ｍに設定した。
装置を用いて電子処理を行う他の例について説明する。
なお、この装置の電子ビーム管の配置状態は、図４に示
すようにそれぞれの電子ビーム管の離間距離が６０ｍｍ
であり、電子ビーム管ａの出力は４５μＡ、電子ビーム
管ｂの出力は５０μＡ、電子ビーム管ｃの出力は６０μ
Ａ、電子ビーム管ｄの出力は６５μＡであり、全て電子
ビーム出射窓１５が厚み３μｍのシリコンで、加速電圧
が２５ｋＶである。処理室２内は、十分に排気系４によ
り排気した後、ガス導入系５より窒素ガスを導入し、内
圧が５Ｔｏｒｒとなるようにした。そして、図３に示す
各電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１５と載置台３の
シリコンウエハである被処理物Ｗとの離間距離を６０ｍ
ｍに設定した。
【００４８】そして、前述した測定方法によって、ＥＢ
感光フィルムの感光度合いを測定することにより処理領
域全体の吸収線量の振幅度を測定した。均一性を表す振
幅度は、５．５％であり、処理室内で極めて良好に電子
ビームが重なり合っており、被処理物Ｗ上の処理領域全
体の吸収線量が極めて均一になり、被処理物を電子ビー
ムによって均一処理できることがわかる。
感光フィルムの感光度合いを測定することにより処理領
域全体の吸収線量の振幅度を測定した。均一性を表す振
幅度は、５．５％であり、処理室内で極めて良好に電子
ビームが重なり合っており、被処理物Ｗ上の処理領域全
体の吸収線量が極めて均一になり、被処理物を電子ビー
ムによって均一処理できることがわかる。
【００４９】つまり、図４に示すように、被処理物上の
処理領域全体の吸収線量が極めて均一になるように、各
電子ビーム管の離間距離を一定にし、電子ビーム管ａを
中心として、同心円状に、電子ビーム管ｂ、その外側に
電子ビーム管ｃ、その外側に電子ビーム管ｄとなるよう
に各電子ビーム管を配置し、外側の電子ビーム管にいく
につれて電子ビーム管からの出力値を上げることによ
り、処理室内で極めて良好に電子ビームが重なり合って
被処理物を電子ビームによって均一処理できることがわ
かる。なお、被処理物の種類、処理方法によっては、被
処理物上の処理領域全体の吸収線量の振幅度の許容範囲
は変化するものであり、この振幅度の許容範囲を超えな
いように電子ビーム出射窓１５と載置台３上の被処理物
Ｗとの離間距離を小さくすることによって、最大の照射
速度を得て、最適な照射条件を得ることができるもので
ある。なお、被処理物が小さい場合においては、載置台
３上に複数並べて一括処理することもできる。
処理領域全体の吸収線量が極めて均一になるように、各
電子ビーム管の離間距離を一定にし、電子ビーム管ａを
中心として、同心円状に、電子ビーム管ｂ、その外側に
電子ビーム管ｃ、その外側に電子ビーム管ｄとなるよう
に各電子ビーム管を配置し、外側の電子ビーム管にいく
につれて電子ビーム管からの出力値を上げることによ
り、処理室内で極めて良好に電子ビームが重なり合って
被処理物を電子ビームによって均一処理できることがわ
かる。なお、被処理物の種類、処理方法によっては、被
処理物上の処理領域全体の吸収線量の振幅度の許容範囲
は変化するものであり、この振幅度の許容範囲を超えな
いように電子ビーム出射窓１５と載置台３上の被処理物
Ｗとの離間距離を小さくすることによって、最大の照射
速度を得て、最適な照射条件を得ることができるもので
ある。なお、被処理物が小さい場合においては、載置台
３上に複数並べて一括処理することもできる。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子ビー
ム照射装置によれば、各々の電子ビーム管から照射され
る照射電子線量は、周囲の他の電子ビーム管から照射さ
れる照射電子線量及び周囲の他の電子ビーム管との離間
距離を考慮して、被処理物の処理領域全体の吸収線量が
所定の分布状態になるように配置されているので、所定
の分布状態が均一な状態の場合、被処理物の処理領域全
体の吸収線量が均一になり、被処理物を動かさなくて
も、被処理物の処理領域全体を均一に一括処理すること
ができる。
ム照射装置によれば、各々の電子ビーム管から照射され
る照射電子線量は、周囲の他の電子ビーム管から照射さ
れる照射電子線量及び周囲の他の電子ビーム管との離間
距離を考慮して、被処理物の処理領域全体の吸収線量が
所定の分布状態になるように配置されているので、所定
の分布状態が均一な状態の場合、被処理物の処理領域全
体の吸収線量が均一になり、被処理物を動かさなくて
も、被処理物の処理領域全体を均一に一括処理すること
ができる。
【００５１】さらに、処理室が圧力調整機構によって減
圧されているので、複数の電子ビーム管から照射される
電子ビームを最適に重ね合わせて、電子ビーム全体をよ
り均一に面状にすることができる。
圧されているので、複数の電子ビーム管から照射される
電子ビームを最適に重ね合わせて、電子ビーム全体をよ
り均一に面状にすることができる。
【００５２】さらに、電子ビーム管の電子ビーム出射窓
と被処理物との離間距離を変えて、被処理物に浸透する
電子ビームの深さや、被処理物上での電子ビームの均一
度を調整することができる。
と被処理物との離間距離を変えて、被処理物に浸透する
電子ビームの深さや、被処理物上での電子ビームの均一
度を調整することができる。
【図１】電子ビーム管の説明図である。
【図２】電子ビーム管の蓋部材の正面図である
【図３】本発明の電子ビーム処理装置の説明図である。
【図４】本発明の電子ビーム処理装置の電子ビーム管の
配置状態を説明する説明図である。
配置状態を説明する説明図である。
【図５】本発明の電子ビーム処理装置の他の電子ビーム
管の配置状態を説明する説明図である。
管の配置状態を説明する説明図である。
１ 電子ビーム管 １１ 真空容器 １２ 電子ビーム発生器 １２１ フィラメント １２２ グリッド １３ 端子 １４ 蓋部材 １４１ スリット １５ 電子ビーム出射窓 ２ 処理室 ２１ 処理室の上壁 ３ 載置台 ４ 排気系 ５ ガス導入系 Ｋ 圧力調整機構 Ｗ 被処理物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ２１Ｋ 5/00 Ｇ２１Ｋ 5/00 Ｂ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ａ
Claims (3)
- 【請求項１】 真空容器の内部に電子ビーム発生器が設
けられ前面に電子ビーム発生器より発生した電子ビーム
が透過する電子ビーム出射窓が形成された複数の電子ビ
ーム管が、被処理物を処理するための処理室に、電子ビ
ーム出射窓が露出するように配置された電子ビーム処理
装置であって、 前記各々の電子ビーム管は、被処理物の処理領域全体の
吸収線量が所定の分布状態になるように配置されている
ことを特徴とする電子ビーム処理装置。 - 【請求項２】 前記処理室が圧力調整機構によって減圧
されていることを特徴とする請求項１に記載の電子ビー
ム処理装置。 - 【請求項３】 前記処理室には被処理物を載置するため
の載置台が設けられており、 当該載置台は、前記電子ビーム出射窓との離間距離を可
変することができることを特徴とする請求項１または請
求項２のいずれか一項に記載の電子ビーム処理装置。
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