JP2002176368A - Transmission power controller capable of controlling optimization of bias current of transmission output amplifier - Google Patents
Transmission power controller capable of controlling optimization of bias current of transmission output amplifierInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電池を電源として
使用する携帯電話機などに利用し、送信パワーアンプに
よる送信出力を可変制御するための無線送信電力制御に
関し、特に送信出力増幅器のバイアス電流最適化制御が
可能な送信電力制御装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radio transmission power control for variably controlling a transmission output by a transmission power amplifier using a battery as a power source for a portable telephone, and more particularly to an optimization of a bias current of a transmission output amplifier. The present invention relates to a transmission power control device capable of controlling activation.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種の携帯電話機では、充電電
池を電源としており、その充電ごとの使用可能時間(通
話時間)を長くするため、消費電流を、より少なくする
必要がある。この場合、送信時(通話中)の消費電流
は、その大部分が送信電力増幅部(高周波パワーIC)
によって消費される。したがって、この送信電力増幅部
での低消費電力化が最も重要である。2. Description of the Related Art Conventionally, in this type of portable telephone, a rechargeable battery is used as a power source, and it is necessary to reduce current consumption in order to extend a usable time (talk time) for each charge. In this case, most of the current consumed during transmission (during a call) is a transmission power amplifier (high-frequency power IC).
Consumed by Therefore, it is most important to reduce power consumption in the transmission power amplifier.
【0003】このような携帯電話機(移動端末)とし
て、実用化が開始されたIS95などのCDMA移動通
信システムでは、基地局と移動端末との間の距離の遠近
問題(基地局から遠方に位置する移動端末が、近くの移
動端末からの送信電波で干渉が発生する問題)を避ける
ために、移動端末の送信電力を80dBにわたって可変
制御することが要求されている。In a CDMA mobile communication system such as IS95, which has been put into practical use as such a mobile phone (mobile terminal), the distance problem between the base station and the mobile terminal (located far from the base station). The mobile terminal is required to variably control the transmission power of the mobile terminal over 80 dB in order to avoid the problem of interference caused by transmission radio waves from nearby mobile terminals.
【0004】このCDMA移動通信システムにおける送
信電力の可変制御では、この可変制御に用いる回路が複
雑であり装置規模や新処理規模が増大化し、CDMA移
動通信システムの弱点とされていた。しかし、このCD
MA移動通信システムは、移動端末での送信電力の可変
制御によって平均的な送信電力を小さくできるため、送
信電力増幅部の平均消費電流が低減する。したがって、
長時間の通話時間が可能になる。In the variable control of the transmission power in the CDMA mobile communication system, the circuit used for the variable control is complicated, and the scale of the apparatus and the new processing are increased, which has been regarded as a weak point of the CDMA mobile communication system. But this CD
In the MA mobile communication system, the average transmission power can be reduced by variably controlling the transmission power in the mobile terminal, so that the average current consumption of the transmission power amplifier is reduced. Therefore,
A long talk time becomes possible.
【0005】ところでCDMA移動通信システム以外の
移動端末では、従来の送信電力増幅部(高周波パワーI
C)における送信電力を小さくしても、バイアス電流が
低減できないため、消費電力を低減できない。このよう
な送信電力増幅部(高周波パワーIC)におけるバイア
ス制御を行う例として特開平3ー179926号公報例
が知られている。In mobile terminals other than CDMA mobile communication systems, conventional transmission power amplifiers (high-frequency power I
Even if the transmission power in (C) is reduced, the power consumption cannot be reduced because the bias current cannot be reduced. Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-179926 is known as an example of performing the bias control in such a transmission power amplifier (high-frequency power IC).
【0006】図6は、このような従来の無線送信電力制
御装置の構成例を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a configuration example of such a conventional radio transmission power control device.
【0007】この例は16値QAMなどの多値デジタル
変調による移動端末に適用されているものであり、送信
信号のアナログ多値信号に対して、多値QAM変調器1
でI信号及びQ信号の高周波信号に変調が施される。こ
の変調信号が電力増幅器(HPA)2で電力増幅されて
アンテナから送信電力として送出される。[0007] This example is applied to a mobile terminal using multi-level digital modulation such as 16-level QAM. A multi-level QAM modulator 1 is applied to an analog multi-level signal of a transmission signal.
Modulates the high frequency signals of the I signal and the Q signal. This modulated signal is power-amplified by the power amplifier (HPA) 2 and transmitted from the antenna as transmission power.
【0008】また、アナログ多値信号が、HPA飽和出
力制御回路3に入力される。HPA飽和出力制御回路3
は、送信信号点認識回路3aが送信シンボルが位相平面
上のいずれであるかを識別している。この識別結果に基
づいて送信シンボルの波高値が決定される。この決定に
基づいてバイアス制御回路3bが電力増幅器(HPA)
2の最適バイアス値(制御信号)を設定する。[0008] An analog multi-level signal is input to the HPA saturation output control circuit 3. HPA saturation output control circuit 3
Indicates that the transmission signal point recognition circuit 3a identifies which transmission symbol is on the phase plane. The peak value of the transmission symbol is determined based on the identification result. Based on this determination, the bias control circuit 3b switches the power amplifier (HPA)
2. An optimum bias value (control signal) of 2 is set.
【0009】この結果、多値デジタル信号を送信する場
合の電力増幅器(HPA)2での平均的な消費電流が低
減される。As a result, the average current consumption in the power amplifier (HPA) 2 when transmitting a multilevel digital signal is reduced.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の図6に示す構成では、多値デジタル変調方式によ
る送信シンボルの瞬間的な波高値に対応したバイアス値
(制御信号)を設定する制御を行っている。すなわち、
大きく送信電力を可変するためのバイアス制御方式では
ないため、CDMA移動通信システムのように移動端末
の送信電力を80dBにわたって可変制御する場合には
適用できない。換言すれば、従来例は電源に電池を用い
た移動端末での、より通話時間を伸ばすことが出来ない
という欠点がある。However, in the configuration shown in FIG. 6 of the conventional example, control for setting a bias value (control signal) corresponding to an instantaneous peak value of a transmission symbol by the multi-level digital modulation method is performed. Is going. That is,
Since this is not a bias control method for largely changing transmission power, it cannot be applied to a case where transmission power of a mobile terminal is variably controlled over 80 dB as in a CDMA mobile communication system. In other words, the conventional example has a drawback that the talk time cannot be further extended in a mobile terminal using a battery as a power supply.
【0011】本発明は、上記の点にかんがみてなされた
ものであり、送信出力の大幅な制御を行う場合に、送信
パワーアンプのバイアス電流を調整できる送信電力制御
装置を提供するものである。これによって、大出力時は
バイアス電流を増加させ、小出力時は減少させることに
よって平均的な消費電流を下げる送信電力制御装置を提
供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above points, and provides a transmission power control device capable of adjusting a bias current of a transmission power amplifier when performing large control of transmission output. Accordingly, it is an object to provide a transmission power control device that reduces the average current consumption by increasing the bias current at the time of high output and decreasing the bias current at the time of low output.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の送信出力増幅器のバイアス電流最適化制御
が可能な送信電力制御装置は、入力送信信号のレベルを
制御信号に基づいて可変する可変手段と、その可変手段
からの可変入力送信信号を増幅し送信出力信号を発生す
るトランジスタを用いた送信出力増幅器と、その送信出
力増幅器のトランジスタに流れる電流を検出した検出値
信号を出力する検出手段と、可変手段への前記制御信号
を送信出力増幅器に入力される可変入力送信信号のレベ
ルに対応する基準値に変換することで送信出力電力を可
変するごとのバイアス電流点となる基準値信号を出力す
る変換手段と、検出手段からの検出値信号と変換手段か
らの基準値信号とを比較し、この比較値に基づいて前記
送信出力増幅器へのバイアス電流点を設定するバイアス
電流設定手段とを備えることを特徴としている。To achieve the above object, a transmission power control apparatus capable of optimizing the bias current of a transmission output amplifier according to the present invention is capable of changing the level of an input transmission signal based on the control signal. And a transmission output amplifier using a transistor that amplifies a variable input transmission signal from the variable means and generates a transmission output signal, and outputs a detection value signal obtained by detecting a current flowing through the transistor of the transmission output amplifier. A detecting means, and a reference value serving as a bias current point each time the transmission output power is varied by converting the control signal to the variable means into a reference value corresponding to the level of the variable input transmission signal input to the transmission output amplifier. A conversion unit that outputs a signal, a detection value signal from the detection unit is compared with a reference value signal from the conversion unit, and based on the comparison value, It is characterized in that it comprises a bias current setting means for setting the bias current point.
【0013】また、本発明は好適な前記検出手段とし
て、送信出力増幅器のトランジスタへ電源ラインから流
れる電流経路に挿入された抵抗器を用い、この抵抗器で
の降下電圧を検出値信号として出力することを特徴とし
ている。Further, according to the present invention, a resistor inserted in a current path flowing from a power supply line to a transistor of a transmission output amplifier is used as the preferred detecting means, and a voltage drop at the resistor is output as a detection value signal. It is characterized by:
【0014】更に、本発明は送信出力増幅器の第1トラ
ンジスタと同一の直流バイアス電流条件で動作する第2
トランジスタと、この第2トランジスタへ電源ラインか
ら流れる電流経路に挿入された抵抗器とを備え、この抵
抗器での降下電圧を検出値信号として出力することを特
徴としている。Further, the present invention provides a second transistor operating under the same DC bias current condition as the first transistor of the transmission output amplifier.
It is characterized by comprising a transistor and a resistor inserted into a current path flowing from the power supply line to the second transistor, and outputting a voltage drop at the resistor as a detection value signal.
【0015】また、本発明は送信出力増幅器の第1トラ
ンジスタと第2トランジスタとが同一半導体チップに形
成されることを特徴としている。Further, the present invention is characterized in that the first transistor and the second transistor of the transmission output amplifier are formed on the same semiconductor chip.
【0016】更に、本発明は前記変換手段として、制御
信号のレベルごとのアドレスに、送信出力増幅器に入力
される可変入力送信信号レベルに対応する基準値信号の
データが予め記憶されるメモリと、メモリからの基準値
信号のデータをアナログ信号に変換してバイアス電流設
定手段へ出力するD/Aコンバータとを備えることを特
徴としている。Further, the present invention provides, as the conversion means, a memory in which data of a reference value signal corresponding to a variable input transmission signal level input to a transmission output amplifier is stored in advance at an address for each level of a control signal, A D / A converter that converts the data of the reference value signal from the memory into an analog signal and outputs the analog signal to the bias current setting means.
【0017】また、本発明は前記メモリとして、データ
書き替え可能な記憶素子を用い、使用する送信出力増幅
器のトランジスタの動作特性に整合したバイアス電流点
に対応した基準値信号のデータが予め記憶されることを
特徴としている。Further, in the present invention, a data rewritable storage element is used as the memory, and data of a reference value signal corresponding to a bias current point matched with the operating characteristics of a transistor of a transmission output amplifier to be used is stored in advance. It is characterized by that.
【0018】更に、本発明は前記バイアス電流設定手段
として、検出手段が検出した検出電圧と変換手段からの
基準値信号とを比較した信号を出力する比較手段と、比
較手段での比較値に基づいて、送信出力増幅器のバイア
ス電流点に対応するバイアス電圧を送信出力増幅器へ出
力する積分手段とを備えることを特徴としている。Further, according to the present invention, as the bias current setting means, a comparison means for outputting a signal obtained by comparing a detection voltage detected by the detection means with a reference value signal from the conversion means, And an integrator for outputting a bias voltage corresponding to a bias current point of the transmission output amplifier to the transmission output amplifier.
【0019】また、本発明は前記比較手段として、検出
手段が検出した検出電圧を変換手段が出力する基準値信
号から減算する減算手段を用いることを特徴としてい
る。Further, the present invention is characterized in that a subtraction means for subtracting a detection voltage detected by the detection means from a reference value signal output from the conversion means is used as the comparison means.
【0020】更に、本発明は前記可変手段として、入力
送信信号を制御信号のレベルに対応して可変増幅する可
変増幅器、入力送信信号を制御信号のレベルに対応して
減衰させるアッテネータの一方又は両方を備え、制御信
号として可変増幅器へ利得制御信号が入力され、また
は、アッテネータへアッテネータ制御信号が入力される
ことを特徴としている。Further, according to the present invention, as the variable means, one or both of a variable amplifier for variably amplifying an input transmission signal in accordance with a control signal level and an attenuator for attenuating an input transmission signal in accordance with a control signal level And a gain control signal is input to a variable amplifier as a control signal, or an attenuator control signal is input to an attenuator.
【0021】また、本発明は前記可変増幅器への利得制
御信号、アッテネータへアッテネータ制御信号の一方又
は両方を変換手段が基準値信号に変換して出力すること
を特徴としている。Further, the present invention is characterized in that one or both of the gain control signal to the variable amplifier and the attenuator control signal to the attenuator are converted into a reference value signal and output.
【0022】更に、本発明は前記可変手段と送信出力増
幅器との間に、入力送信信号を周波数変換するための周
波数変換手段を更に備えることを特徴としている。Further, the present invention is characterized in that a frequency conversion means for converting the frequency of an input transmission signal is further provided between the variable means and the transmission output amplifier.
【0023】また、本発明は前記周波数変換手段と送信
出力増幅器との間に周波数変換した信号を帯域制限して
不要波信号を除去するバンドパスフィルタを更に備える
ことを特徴としている。The present invention is further characterized by further comprising a band-pass filter between the frequency conversion means and the transmission output amplifier for band-limiting the frequency-converted signal to remove an unnecessary signal.
【0024】更に、本発明は前記の構成の無線送信電力
制御装置をCDMA移動通信システムにおける電池を電
源とする移動端末に設けることを特徴としている。Further, the present invention is characterized in that the radio transmission power control device having the above configuration is provided in a mobile terminal using a battery as a power source in a CDMA mobile communication system.
【0025】この発明の無線送信電力制御装置の構成で
は、電力増幅手段での入力送信信号の制御信号による可
変状態(レベル)に対応した電流の検出値信号と、入力
される制御信号から電力増幅手段のバイアス電流点に対
応して生成した基準値信号とを比較している。例えば、
基準値信号から検出値信号を減算した、より正確な値に
基づいて送信出力増幅器へ、可変する送信出力電力に対
応したバイアス電流点を設定している。In the configuration of the wireless transmission power control apparatus according to the present invention, the power amplifying means detects a current detection value signal corresponding to a variable state (level) by a control signal of an input transmission signal, and a power amplification signal from the input control signal. The reference value signal generated corresponding to the bias current point of the means is compared. For example,
A bias current point corresponding to a variable transmission output power is set in the transmission output amplifier based on a more accurate value obtained by subtracting the detection value signal from the reference value signal.
【0026】したがって、従来例のように入力送信信号
を可変して送信出力電力を低減した際に、そのバイアス
電流が低減されずに、消費電力が低下しないということ
がなくなる。すなわち、送信出力増幅器での送信出力電
力を入力送信信号を可変して送信出力電力を低減した際
にバイアス電流も減少し、消費電力も低減する。Therefore, when the transmission output power is reduced by changing the input transmission signal as in the conventional example, the bias current is not reduced and the power consumption does not decrease. That is, when the transmission output power of the transmission output amplifier is reduced by varying the input transmission signal to reduce the transmission output power, the bias current is also reduced and the power consumption is also reduced.
【0027】また、本発明では、データ書き替え可能な
記憶素子を用いて、多種の送信出力増幅器のトランジス
タごとの動作特性に整合するバイアス電流点に対応する
基準値信号のデータを記憶している。Further, in the present invention, the data of the reference value signal corresponding to the bias current point matching the operating characteristics of each transistor of the various transmission output amplifiers is stored by using a data rewritable storage element. .
【0028】したがって、多種多様な送信出力増幅器の
構成が可能になり、設計の自由度が向上する。Therefore, various types of transmission output amplifiers can be configured, and the degree of freedom in design is improved.
【0029】更に、本発明は、前記の構成がCDMA移
動通信システムで用いる移動端末などに適用されてい
る。Further, the present invention is applied to a mobile terminal or the like having the above configuration used in a CDMA mobile communication system.
【0030】したがって、CDMA移動通信システムで
用いる移動端末などのように送信電力の大幅な可変制御
が正確かつ確実に行われるようになり、特に電源に電池
を用いた移動端末での通話時間を、より伸ばすことが出
来るようになる。Therefore, a large variable control of the transmission power can be performed accurately and reliably, such as a mobile terminal used in a CDMA mobile communication system. In particular, the talk time at a mobile terminal using a battery as a power source can be reduced. You will be able to stretch it further.
【0031】[0031]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【0032】図1は本発明のバイアス電流最適化制御が
可能な送信電力制御装置の実施形態における構成を示す
ブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of a transmission power control apparatus capable of performing bias current optimization control according to the present invention.
【0033】この無線送信電力制御装置では、入力され
る中間周波数(IF)信号Saを利得制御信号Sbに基
づいて可変増幅する可変利得IF増幅器11が設けられ
ている。この可変利得IF増幅器11の出力側にIF信
号Saを所定周波数の高周波信号に変換して出力するミ
キサ12が設けられている。また、このミキサ12に
は、周波数変換用のローカル発振信号を出力するローカ
ル発振器13が接続されている。This radio transmission power control device is provided with a variable gain IF amplifier 11 for variably amplifying an input intermediate frequency (IF) signal Sa based on a gain control signal Sb. On the output side of the variable gain IF amplifier 11, there is provided a mixer 12 for converting the IF signal Sa into a high frequency signal of a predetermined frequency and outputting the same. The mixer 12 is connected to a local oscillator 13 that outputs a local oscillation signal for frequency conversion.
【0034】更に、ミキサ12の出力側には高周波信号
の帯域制限を行って不要波を除去するバンドパスフィル
タ(BPF)14が設けられ、このBPF14には、こ
こからの高周波信号を、入力されるアッテネータ制御信
号Scで所定値に減衰して出力するステップアッテネー
タ(ATT)15が接続されている。更に、このATT
15の出力側にはバイアス電圧Snに基づいた送信出力
電力Seを送出する電界効果型トランジスタ(FET)
を用いた電力増幅器16が設けられている。Further, on the output side of the mixer 12, a band-pass filter (BPF) 14 for limiting the band of the high-frequency signal and removing unnecessary waves is provided, and the high-frequency signal from the BPF 14 is input to the BPF 14. A step attenuator (ATT) 15 that attenuates to a predetermined value and outputs the signal with an attenuator control signal Sc is connected. Furthermore, this ATT
A field-effect transistor (FET) for transmitting the transmission output power Se based on the bias voltage Sn is provided on the output side of the reference numeral 15.
Is provided.
【0035】また、電源から流れる電流に基づいた検出
値信号としてのバイアス電流測定値信号Sdを出力する
バイアス電流検出回路17が電力増幅器16に接続され
ている。更に、入力される利得制御信号Sb及びアッテ
ネータ制御信号Scに基づいて、電力増幅器16へのI
F信号Saのレベル、すなわち、送信出力電力を可変す
るごとのバイアス電流点の基準値となる基準値信号Sv
を出力する変換回路18が設けられている。また、この
変換回路18の出力側にバイアス電流測定値信号Sdを
基準値信号Svから減算(負帰還ループ)して出力する
減算器(加算器)19が接続され、かつ、この減算器1
9の出力側に減算値の信号を積分したバイアス電圧Sn
を電力増幅器16へ出力する積分器20が設けられてい
る。A bias current detection circuit 17 for outputting a bias current measurement value signal Sd as a detection value signal based on a current flowing from a power supply is connected to the power amplifier 16. Further, based on the input gain control signal Sb and attenuator control signal Sc, I
The level of the F signal Sa, that is, the reference value signal Sv which is the reference value of the bias current point each time the transmission output power is varied
Is provided. Further, a subtractor (adder) 19 for subtracting (negative feedback loop) the measured bias current value signal Sd from the reference value signal Sv and outputting the subtracted signal is connected to the output side of the conversion circuit 18.
9 is a bias voltage Sn obtained by integrating the signal of the subtraction value on the output side.
Is provided to the power amplifier 16.
【0036】図2は、図1中の電力増幅器16及びバイ
アス電流検出回路17の詳細な構成を示す回路図であ
る。FIG. 2 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the power amplifier 16 and the bias current detection circuit 17 in FIG.
【0037】この電力増幅器16には、図1に示すAT
T15からの高周波信号を電力増幅するFETQ1のゲ
ートに入力するための同調回路(LC)などで構成され
る入力インピーダンス整合用のマッチング回路24が直
列に接続されている。また、FETQ1のドレインに出
力インピーダンス整合用のマッチング回路25が接続さ
れている。FETQ1のソースが接地され、かつ、ドレ
インには、バイアス電流検出回路17への高周波信号の
漏洩を防止するためのコイルL1が設けられている。な
お、コイルL1はバイアス電流検出回路17の内部に設
けても良い。更に、FETQ1のゲートにはバイアス電
圧Snラインへの高周波信号の漏洩を防止するためのコ
イルL2及び高周波信号バイパス用のコンデンサC2が
設けられている。The power amplifier 16 has an AT shown in FIG.
A matching circuit 24 for input impedance matching, which includes a tuning circuit (LC) for inputting the high-frequency signal from T15 to the gate of the FET Q1 for power amplification, is connected in series. Further, a matching circuit 25 for output impedance matching is connected to the drain of the FET Q1. The source of the FET Q1 is grounded, and the drain is provided with a coil L1 for preventing leakage of a high-frequency signal to the bias current detection circuit 17. Note that the coil L1 may be provided inside the bias current detection circuit 17. Further, the gate of the FET Q1 is provided with a coil L2 for preventing leakage of a high-frequency signal to the bias voltage Sn line and a capacitor C2 for bypassing the high-frequency signal.
【0038】バイアス電流検出回路17は、電源ライン
(Vcc)と電力増幅器16のFETQ1との間に抵抗
器R1が接続され、かつ、高周波信号バイパス用のコン
デンサC1を有し、この抵抗器R1の降下電圧であるバ
イアス電流測定値信号Sdを図1に示す減算器19へ出
力する構成となっている。The bias current detection circuit 17 has a resistor R1 connected between the power supply line (Vcc) and the FET Q1 of the power amplifier 16, and has a capacitor C1 for high frequency signal bypass. The configuration is such that the bias current measurement value signal Sd, which is a voltage drop, is output to the subtractor 19 shown in FIG.
【0039】図3は、図1に示す電力増幅器16及びバ
イアス電流検出回路17の詳細な他の構成例を示す回路
図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing another detailed configuration example of the power amplifier 16 and the bias current detection circuit 17 shown in FIG.
【0040】この電力増幅器16A及びバイアス電流検
出回路17Aでは、電力増幅用であり第1トランジスタ
としてのFETQ11と、このFETQ11を比例縮
小、例えば、ゲート幅を1/10に設定した第2トラン
ジスタとしての補助FETQ12を用いている。この補
助FETQ12はFETQ11と精密な比例関係が得ら
れるように同一の半導体チップ26として構成する。す
なわち、FETQ11及び補助FETQ12の両方の直
流バイアス電流条件を同一にすることによって、補助F
ETQ12には、電力増幅用のFETQ11の略1/1
00の少ないバイアス電流が流れる。In the power amplifier 16A and the bias current detection circuit 17A, an FET Q11 for power amplification and as a first transistor, and a FET Q11 as a second transistor having a proportionally reduced size, for example, a gate width set to 1/10, are used. The auxiliary FET Q12 is used. The auxiliary FET Q12 is configured as the same semiconductor chip 26 so as to obtain a precise proportional relationship with the FET Q11. That is, by making the DC bias current conditions of both the FET Q11 and the auxiliary FET Q12 the same, the auxiliary F
ETQ12 has approximately 1/1 of FET Q11 for power amplification.
A small bias current of 00 flows.
【0041】電力増幅器16Aは、図2に示す電力増幅
器16と同様の構成であり、入力側のマッチング回路2
4,出力側のマッチング回路25,FETQ11、コイ
ルL1,L2、コンデンサC2が設けられている。な
お、電力増幅器16Aは、FETQ11のソースが接地
されるとともに、ドレインがコイルL1を通じて電前ラ
イン(Vcc)に接続されている。かつ、高周波信号バ
イパス用のコンデンサC4が設けられている。バイアス
電流検出回路17Aは、補助FETQ12のソースが接
地され、かつ、ドレインと電前ライン(Vcc)との間
に抵抗器R1及び高周波信号バイパス用のコンデンサC
1が設けられており、この抵抗器R1の降下電圧である
バイアス電流測定値信号Sdを図1に示す減算器19へ
出力する構成となっている。The power amplifier 16A has the same configuration as the power amplifier 16 shown in FIG.
4, an output-side matching circuit 25, an FET Q11, coils L1 and L2, and a capacitor C2 are provided. In the power amplifier 16A, the source of the FET Q11 is grounded, and the drain is connected to the power line (Vcc) through the coil L1. In addition, a high frequency signal bypass capacitor C4 is provided. The bias current detecting circuit 17A includes a resistor R1 and a high-frequency signal bypass capacitor C connected between the drain of the auxiliary FET Q12 and the drain of the auxiliary FET Q12.
1 is provided, and the bias current measurement value signal Sd, which is the voltage drop of the resistor R1, is output to the subtractor 19 shown in FIG.
【0042】図4は図1中の変換回路18の詳細な構成
を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the conversion circuit 18 in FIG.
【0043】この構成の変換回路18には、デジタル値
の利得制御信号Sb及びアッテネータ制御信号Scがア
ドレスとして入力され、このアドレスに対応してFET
Q1(Q11)へのIF信号Saのレベル、すなわち、
送信出力電力を可変するごとのバイアス電流点の基準値
となる基準値信号Svを出力するための変換テーブルを
備えたROM27を有している。更に、このROM27
からのデジタル値の基準値信号Svをアナログ信号に変
換して減算器19に送出するD/Aコンバータ28が設
けられている。The gain control signal Sb and the attenuator control signal Sc of the digital value are input as addresses to the conversion circuit 18 having this configuration, and the FETs corresponding to the addresses are input.
The level of the IF signal Sa to Q1 (Q11),
The ROM 27 includes a conversion table for outputting a reference value signal Sv that is a reference value of a bias current point every time the transmission output power is changed. Furthermore, this ROM 27
A D / A converter 28 for converting the digital reference value signal Sv from the analog signal into an analog signal and sending the analog signal to the subtracter 19 is provided.
【0044】次に、この実施形態の動作について説明す
る。Next, the operation of this embodiment will be described.
【0045】図5は、この動作における電力増幅器16
のバイアス電圧Sn対送信出力電力Seの特性図であ
る。図1及び図5において、IF信号Saが可変利得I
F増幅器11に入力される。可変利得IF増幅器11
は、利得制御信号Sbに対応した増幅率でIF信号Sa
を増幅してミキサ12に出力する。ミキサ12はローカ
ル発振器13からのローカル発振信号と混合して変換し
た所定周波数の高周波信号をBPF14に出力する。FIG. 5 shows the power amplifier 16 in this operation.
FIG. 4 is a characteristic diagram of the bias voltage Sn versus the transmission output power Se of FIG. 1 and 5, the IF signal Sa has a variable gain I
The signal is input to the F amplifier 11. Variable gain IF amplifier 11
Is an IF signal Sa at an amplification factor corresponding to the gain control signal Sb.
Is amplified and output to the mixer 12. The mixer 12 outputs to the BPF 14 a high-frequency signal of a predetermined frequency which is mixed with the local oscillation signal from the local oscillator 13 and converted.
【0046】BPF14ではミキサ12からの高周波信
号を帯域制限して不要波を除去してATT15に出力す
る。ATT15はアッテネータ制御信号Scでオン/オ
フ(動作/非動作)し、オン時にBPF14からの高周
波信号を所定値に減衰して電力増幅器16に出力する。In the BPF 14, the high frequency signal from the mixer 12 is band-limited to remove unnecessary waves and output to the ATT 15. The ATT 15 is turned on / off (operation / non-operation) by the attenuator control signal Sc, and when turned on, attenuates the high-frequency signal from the BPF 14 to a predetermined value and outputs it to the power amplifier 16.
【0047】この動作にあって、電力増幅器16のFE
TQ1(Q11)への電源ライン(Vcc)からの電流
がバイアス電流検出回路17で検出される。このバイア
ス電流検出回路17では、検出した電流を電圧に変換し
たバイアス電流測定値信号Sdを減算器19に送出す
る。In this operation, the FE of the power amplifier 16
The current from the power supply line (Vcc) to TQ1 (Q11) is detected by the bias current detection circuit 17. The bias current detection circuit 17 sends a bias current measurement value signal Sd obtained by converting the detected current to a voltage to the subtractor 19.
【0048】一方、変換回路18には、デジタル値の利
得制御信号Sb及びアッテネータ制御信号Scがアドレ
スとして入力される。このアドレスに対応して変換回路
18は、FETQ1(Q11)へのIF信号Saのレベ
ル、すなわち、送信出力電力を可変するごとのバイアス
電流点の基準値となる基準値信号SvのデータをROM
27の変換テーブルから読み出し、更にD/Aコンバー
タ28でアナログ信号に変換した基準値信号Svを減算
器19に出力する。この減算器19ではバイアス電流測
定値信号Sdを基準値信号Svから減算する負帰還ルー
プによって、この値の信号を積分器20に出力し、ここ
で積分する。この積分器20の積分値の電圧を電力増幅
器16のゲートへ図5に示すバイアス電圧Snとして出
力する。電力増幅器16から、このバイアス電圧Snで
設定したバイアス電流点に対応した送信出力電力Seが
送出される。On the other hand, the gain control signal Sb of digital value and the attenuator control signal Sc are input to the conversion circuit 18 as addresses. In accordance with this address, the conversion circuit 18 stores the level of the IF signal Sa to the FET Q1 (Q11), that is, the data of the reference value signal Sv, which becomes the reference value of the bias current point each time the transmission output power is varied, in the ROM.
The reference value signal Sv read out from the conversion table 27 and converted into an analog signal by the D / A converter 28 is output to the subtractor 19. In the subtracter 19, a signal of this value is output to the integrator 20 by a negative feedback loop for subtracting the measured bias current signal Sd from the reference value signal Sv, and is integrated there. The voltage of the integrated value of the integrator 20 is output to the gate of the power amplifier 16 as the bias voltage Sn shown in FIG. The transmission output power Se corresponding to the bias current point set by the bias voltage Sn is transmitted from the power amplifier 16.
【0049】このように基準値信号Svに対して、FE
TQ1(Q11)へ実際に流れる電流に対応したバイア
ス電流測定値信号Sdを減算(負帰還ループ)して、正
確なバイアス電圧Sn(バイアス電流点)を得ている。As described above, with respect to the reference value signal Sv, FE
An accurate bias voltage Sn (bias current point) is obtained by subtracting (negative feedback loop) the bias current measurement value signal Sd corresponding to the current actually flowing to TQ1 (Q11).
【0050】次に、図2に示す電力増幅器16及びバイ
アス電流検出回路17での詳細な動作について説明す
る。Next, detailed operations of the power amplifier 16 and the bias current detection circuit 17 shown in FIG. 2 will be described.
【0051】図1及び図2において、電力増幅器16に
はATT15からの高周波信号(IF信号Sa)がマッ
チング回路24を通じてFETQ1のゲートに入力され
る。また、FETQ1のゲートにはバイアス電圧Snが
高周波信号の漏洩防止用のコイルL2及び高周波信号バ
イパス用のコンデンサC2を通じて入力され、このバイ
アス電圧Snに基づいて、ATT15からの高周波信号
(IF信号Sa)を電力増幅し、この送信出力電力Se
をマッチング回路25を通じて送出する。1 and 2, a high-frequency signal (IF signal Sa) from the ATT 15 is input to the power amplifier 16 through the matching circuit 24 to the gate of the FET Q1. A bias voltage Sn is input to the gate of the FET Q1 through a coil L2 for preventing leakage of a high-frequency signal and a capacitor C2 for bypassing a high-frequency signal, and based on the bias voltage Sn, a high-frequency signal (IF signal Sa) from the ATT 15 And the transmission output power Se is amplified.
Through the matching circuit 25.
【0052】この場合、バイアス電流検出回路17は、
FETQ1への電流が抵抗器R1で電圧降下し、この降
下電圧であるバイアス電流測定値信号Sdを図1に示す
減算器19へ出力する。減算器19は変換回路18が出
力する基準値信号Svからバイアス電流検出回路17が
出力するバイアス電流測定値信号Sdを減算(負帰還ル
ープ)し、更に、積分器20で積分したバイアス電圧S
nをFETQ1のゲートに出力する。In this case, the bias current detection circuit 17
The current to the FET Q1 drops by the resistor R1, and the bias current measurement signal Sd, which is the drop voltage, is output to the subtractor 19 shown in FIG. The subtractor 19 subtracts (negative feedback loop) the measured bias current value signal Sd output from the bias current detection circuit 17 from the reference value signal Sv output from the conversion circuit 18, and further, the bias voltage S integrated by the integrator 20.
n is output to the gate of the FET Q1.
【0053】この図2に示す電力増幅器16及びバイア
ス電流検出回路17を用いる動作では、バイアス電流検
出回路17の抵抗器R1にFETQ1に流れる比較的大
きな電流が流れる。したがって、抵抗器R1の抵抗値は
極めて小さくする必要がある。このため配線などの抵抗
値が無視できなくなり、バイアス電流測定値信号Sdの
誤差が大きくなる。また、FETQ1に印加される電源
ライン(Vcc)の電圧が抵抗器R1の電圧降下で低下
するため、電力増幅器16の増幅の直線性などの特性が
悪化し易くなる。この問題が図3に示す電力増幅器16
A及びバイアス電流検出回路17Aの動作では解決され
る。In the operation using the power amplifier 16 and the bias current detection circuit 17 shown in FIG. 2, a relatively large current flowing through the FET Q1 flows through the resistor R1 of the bias current detection circuit 17. Therefore, the resistance value of the resistor R1 needs to be extremely small. Therefore, the resistance value of the wiring and the like cannot be ignored, and the error of the bias current measurement value signal Sd increases. Further, since the voltage of the power supply line (Vcc) applied to the FET Q1 decreases due to the voltage drop of the resistor R1, characteristics such as the linearity of amplification of the power amplifier 16 are likely to deteriorate. This problem is caused by the power amplifier 16 shown in FIG.
The operation of the A and bias current detection circuit 17A solves the problem.
【0054】次に、この図3に示す電力増幅器16A及
びバイアス電流検出回路17Aの場合の動作について説
明する。Next, the operation in the case of the power amplifier 16A and the bias current detection circuit 17A shown in FIG. 3 will be described.
【0055】電力増幅器16Aの動作は図2に示す電力
増幅器16と同様の動作である。すなわち、ATT15
からのIF信号Saがマッチング回路24を通じてFE
TQ11のゲートに入力される。また、FETQ11の
ゲートにはバイアス電圧SnがコイルL2及びコンデン
サC2を通じて入力され、このバイアス電圧Snのバイ
アス電流点に基づいて、可変利得IF増幅器11で可変
増幅され、かつ、ATT15で減衰したIF信号Saを
電力増幅し、この送信出力電力Seをマッチング回路2
5を通じて送出する。The operation of power amplifier 16A is similar to that of power amplifier 16 shown in FIG. That is, ATT15
Signal Sa from the FE through the matching circuit 24
Input to the gate of TQ11. A bias voltage Sn is input to the gate of the FET Q11 through the coil L2 and the capacitor C2. Based on the bias current point of the bias voltage Sn, the IF signal that is variably amplified by the variable gain IF amplifier 11 and attenuated by the ATT15. Sa is amplified by power and the transmission output power Se is matched to the matching circuit 2
Send out through 5.
【0056】この場合、バイアス電流検出回路17Aで
は、電力増幅用のFETQ11と、このFETQ11を
比例縮小、例えば、ゲート幅を1/10にした補助FE
TQ12を用いている。FETQ11及び補助FETQ
12の両方の直流バイアス電流条件を同一にすることに
よって、補助FETQ12には、電力増幅用のFETQ
11の略1/100のバイアス電流が流れる。In this case, in the bias current detecting circuit 17A, the power amplifying FET Q11 and the auxiliary FE whose gate width is reduced to 1/10 by proportionally reducing the FET Q11.
TQ12 is used. FET Q11 and auxiliary FET Q
12 has the same DC bias current conditions, so that the auxiliary FET Q12 has a power amplification FET Q12.
A bias current of about 1/100 of 11 flows.
【0057】このバイアス電圧Snに対応して補助FE
TQ12のドレインへ抵抗器R1を通じて電流が流れ、
抵抗器R1で電圧降下が発生する。この降下電圧である
バイアス電流測定値信号Sdが図1に示す減算器19へ
出力される。減算器19からは変換回路18からの基準
値信号Svに対してバイアス電流検出回路17が出力す
るバイアス電流測定値信号Sdを減算し、更に、積分器
20で積分したバイアス電圧SnをFETQ1のゲート
に出力する。The auxiliary FE corresponds to the bias voltage Sn.
A current flows through the resistor R1 to the drain of TQ12,
A voltage drop occurs in the resistor R1. The bias current measurement value signal Sd, which is the voltage drop, is output to the subtractor 19 shown in FIG. The subtractor 19 subtracts the bias current measurement value signal Sd output from the bias current detection circuit 17 from the reference value signal Sv from the conversion circuit 18, and furthermore, applies the bias voltage Sn integrated by the integrator 20 to the gate of the FET Q1. Output to
【0058】この場合の電力増幅器16A及びバイアス
電流検出回路17Aの動作では、バイアス電流検出回路
17Aの抵抗器R1へ補助FETQ12への電流が流れ
る。補助FETQ12には、電力増幅用のFETQ11
の略1/100のバイアス電流が流れる。すなわち、バ
イアス電流検出回路17Aの抵抗器R1に流れる電流が
少なくなり、抵抗器R1の抵抗値を大きく出来るように
なる。したがって、配線などの抵抗値を無視できるよう
になり、誤差が少ない正確なバイアス電流測定値信号S
dが得られる。また、FETQ11に電源ライン(Vc
c)から印加される電圧は、図2に示すバイアス電流検
出回路17の構成のように抵抗器R1がFETQ11の
ドレインに接続されていないため、電圧低下が発生せず
に、その電力増幅器16Aの増幅の直線性などの特性が
悪化しなくなる。In the operation of the power amplifier 16A and the bias current detection circuit 17A in this case, a current flows to the resistor R1 of the bias current detection circuit 17A and to the auxiliary FET Q12. The auxiliary FET Q12 includes a power amplification FET Q11.
Of the bias current flows. That is, the current flowing through the resistor R1 of the bias current detection circuit 17A decreases, and the resistance value of the resistor R1 can be increased. Therefore, the resistance value of the wiring and the like can be ignored, and the accurate bias current measurement signal S
d is obtained. The power line (Vc) is connected to the FET Q11.
Since the resistor R1 is not connected to the drain of the FET Q11 as in the configuration of the bias current detection circuit 17 shown in FIG. 2, the voltage applied from c) does not drop and the power amplifier 16A Characteristics such as amplification linearity do not deteriorate.
【0059】次に、変換回路18の動作について説明す
る。Next, the operation of the conversion circuit 18 will be described.
【0060】変換回路18は、デジタル値の利得制御信
号Sb及びアッテネータ制御信号Scがアドレスとして
ROM27に入力される。ROM27には、FETQ1
(Q11)へのIF信号Saのレベル、すなわち、送信
出力電力を可変するごとのバイアス電流点の基準値とな
る基準値信号Svのデータを格納した変換テーブルを備
えている。この変換テーブルのデータは図5に示す電力
増幅器16の特性、すなわち、バイアス電圧Sn対送信
出力電力Seの特性に対応するものである。ROM27
からアドレス値に対応した基準値信号Svを減算器19
へ出力する。この場合、ROM27からのデジタル値の
利得制御信号Sb及びアッテネータ制御信号Scをアド
レスとしてROM27の変換テーブルから読み出したデ
ータ(基準値信号Sv)をD/Aコンバータ28でアナ
ログ信号に変換して減算器19へ送出する。The conversion circuit 18 inputs the gain control signal Sb and the attenuator control signal Sc of the digital value to the ROM 27 as addresses. In the ROM 27, the FET Q1
A conversion table is provided which stores the level of the IF signal Sa to (Q11), that is, the data of the reference value signal Sv that becomes the reference value of the bias current point each time the transmission output power is varied. The data of this conversion table corresponds to the characteristics of the power amplifier 16 shown in FIG. 5, that is, the characteristics of the bias voltage Sn versus the transmission output power Se. ROM27
Subtracts the reference value signal Sv corresponding to the address value from the
Output to In this case, the data (reference value signal Sv) read from the conversion table of the ROM 27 using the digital value gain control signal Sb and the attenuator control signal Sc from the ROM 27 as addresses are converted into analog signals by the D / A converter 28 and subtracted. Send to 19.
【0061】このように、この実施形態では、電力増幅
器16(16A)のバイアス電流点が、可変利得IF増
幅器11で可変増幅し、かつ、ATT15で減衰したI
F信号Saに対応して変化する。したがって、送信出力
電力Seを減少させた際に、バイアス電流点に対応して
消費電力も低減する。すなわち、常に送信出力電力Se
に最適なバイアス電圧(バイアス電流点)Snで電力増
幅器16(16A)が動作するようになる。As described above, in this embodiment, the bias current point of the power amplifier 16 (16A) is variably amplified by the variable gain IF amplifier 11 and is attenuated by the ATT 15
It changes according to the F signal Sa. Therefore, when the transmission output power Se is reduced, the power consumption is also reduced corresponding to the bias current point. That is, the transmission output power Se is always
The power amplifier 16 (16A) operates at the optimum bias voltage (bias current point) Sn.
【0062】また、この実施形態では、ミキサ12及び
ローカル発振器13によってIF信号Saを周波数変換
しているが、この周波数変換を行わない構成でも前記同
様の効果が得られる。また、この実施形態ではIF信号
Saを可変利得IF増幅器11で可変増幅し、ATT1
5で減衰させて送信出力電力Seを変化させているが、
この一方のみでも前記と同様の効果が得られる。この場
合、利得制御信号Sb、アッテネータ制御信号Scの一
方から変換回路18が基準値信号Svを生成することに
なる。Further, in this embodiment, the IF signal Sa is frequency-converted by the mixer 12 and the local oscillator 13, but the same effect as described above can be obtained even if this frequency conversion is not performed. In this embodiment, the IF signal Sa is variably amplified by the variable gain IF amplifier 11, and the ATT1
Although the transmission output power Se is changed by attenuating at 5,
The same effect as described above can be obtained with only one of them. In this case, the conversion circuit 18 generates the reference value signal Sv from one of the gain control signal Sb and the attenuator control signal Sc.
【0063】また、この実施形態では、減算器19が、
変換回路18からの基準値信号Svに対してバイアス電
流検出回路17が出力するバイアス電流測定値信号Sd
を減算する負帰ループの例をもって説明したが、他の方
法でも良い。例えば、基準値信号SvをFETQ1(Q
11)に流れる電流で補正するために、基準値信号Sv
とバイアス電流測定値信号Sdとを加算したり、又は、
基準値信号Svとバイアス電流測定値信号Sdとの値を
比較して、その比較値に基づいて基準値信号Svを加減
算する構成でも良い。この場合、基準値信号Svとバイ
アス電流測定値信号Sdとを比較する比較器及び電圧可
変増幅器を用いた構成とする。In this embodiment, the subtractor 19
The bias current measurement value signal Sd output from the bias current detection circuit 17 with respect to the reference value signal Sv from the conversion circuit 18
Has been described using an example of a negative return loop for subtracting. For example, the reference value signal Sv is connected to the FET Q1 (Q
11), the reference value signal Sv
And the bias current measurement value signal Sd, or
A configuration may be adopted in which the value of the reference value signal Sv is compared with the value of the bias current measurement value signal Sd, and the reference value signal Sv is added or subtracted based on the comparison value. In this case, the configuration uses a comparator for comparing the reference value signal Sv with the measured bias current value signal Sd and a voltage variable amplifier.
【0064】更に、この実施形態にあってROM27
は、変換テーブルのデータが書き替え可能な記憶素子
(EEPROM)を用いると、多種多様な16(16
A)の構成が可能になる。すなわち、多種多様なFET
を含むトランジスタのバイアス電圧Sn対送信出力電力
Seの特性に対応可能になる。この場合、この無線送信
電力制御装置の設計が自由に出来るようになる。Further, in this embodiment, the ROM 27
When a storage element (EEPROM) in which data of a conversion table is rewritable is used, a variety of 16 (16
The configuration of A) becomes possible. That is, a wide variety of FETs
Can be adapted to the characteristics of the bias voltage Sn of the transistor including the transmission output power Se. In this case, the wireless transmission power control device can be designed freely.
【0065】[0065]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の無線送信
電力制御装置によれば、検出した電力増幅手段での入力
送信信号の可変状態に対応した電流と、入力される制御
信号から送信出力増幅器のバイアス電流最適化制御が可
能な送信電力制御装置のバイアス電流点に対応して生成
した基準値信号とを比較して、送信出力電力に対応する
バイアス電流点を設定している。As described above, according to the radio transmission power control apparatus of the present invention, the current corresponding to the variable state of the input transmission signal detected by the power amplification means and the transmission output from the input control signal are determined. A bias current point corresponding to the transmission output power is set by comparing with a reference value signal generated corresponding to the bias current point of the transmission power control device capable of performing the bias current optimization control of the amplifier.
【0066】この結果、送信出力増幅器のバイアス電流
最適化制御が可能な送信電力制御装置での送信出力電力
を入力送信信号を可変して送信出力電力を低減した際に
バイアス電流が減少し、消費電力を低減できるようにな
る。また、本発明によれば、データ書き替え可能な記憶
素子を用いて、多種多様な送信出力増幅器のバイアス電
流最適化制御が可能な送信電力制御装置のトランジスタ
ごとの動作特性に整合するバイアス電流点に対応する基
準値信号のデータを記憶しているため、多種多様な送信
出力増幅器のバイアス電流最適化制御が可能な送信電力
制御装置の構成が可能になり、設計の自由度が向上す
る。As a result, when the transmission output power of the transmission power control device capable of optimizing the bias current of the transmission output amplifier is reduced by reducing the transmission output power by changing the input transmission signal, the bias current decreases, and The power can be reduced. Also, according to the present invention, a bias current point matching the operating characteristics of each transistor of a transmission power control device capable of performing bias current optimization control of various transmission output amplifiers using a data rewritable storage element. Since the data of the reference value signal corresponding to the transmission power amplifier is stored, it is possible to configure a transmission power control device capable of performing bias current optimization control of various transmission output amplifiers, and the degree of freedom in design is improved.
【0067】更に、本発明によれば、前記の構成をCD
MA移動通信システムで用いる移動端末などに適用して
いるため、CDMA移動通信システムで用いる移動端末
などのように送信電力の大幅な可変制御が正確かつ確実
に行われるようになり、特に電源に電池を用いた移動端
末での通話時間を、より伸ばすことが出来るようにな
る。Further, according to the present invention, the above structure
Since the present invention is applied to a mobile terminal used in an MA mobile communication system, a large variable control of transmission power can be performed accurately and reliably as in a mobile terminal used in a CDMA mobile communication system. , It is possible to further extend the call time at the mobile terminal.
【図1】本発明の無線送信電力制御装置の実施形態にお
ける構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a wireless transmission power control device according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す電力増幅器及びバイアス電流検出回
路の詳細な構成を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a power amplifier and a bias current detection circuit shown in FIG.
【図3】図1に示す電力増幅器及びバイアス電流検出回
路の詳細な他の構成を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing another detailed configuration of the power amplifier and the bias current detection circuit shown in FIG. 1;
【図4】図1に示す変換回路の詳細な構成を示す回路図
である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the conversion circuit shown in FIG.
【図5】実施形態動作における電力増幅器の特性図であ
る。FIG. 5 is a characteristic diagram of the power amplifier in the operation of the embodiment.
【図6】従来の無線送信電力制御装置の構成例を示すブ
ロック図である。FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration example of a conventional wireless transmission power control device.
11 可変利得IF増幅器 12 ミキサ 13 ローカル発振器 14 BPF 15 ATT 16,16A 電力増幅器 17,17A バイアス電流検出回路 18 変換回路 19 減算器 20 積分器 26 半導体チップ 27 ROM27 Q1,Q11 FET Q12 補助FETQ R1 抵抗器R Sa IF信号 Sb 利得制御信号 Sc アッテネータ制御信号 Sd バイアス電流測定値信号 Se 送信出力電力 Sn バイアス電圧 Sv 基準値信号 Reference Signs List 11 variable gain IF amplifier 12 mixer 13 local oscillator 14 BPF 15 ATT 16, 16A power amplifier 17, 17A bias current detection circuit 18 conversion circuit 19 subtractor 20 integrator 26 semiconductor chip 27 ROM 27 Q1, Q11 FET Q12 auxiliary FET Q R1 resistor R Sa IF signal Sb Gain control signal Sc Attenuator control signal Sd Bias current measurement value signal Se Transmission output power Sn Bias voltage Sv Reference value signal
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J100 JA01 JA10 KA05 LA08 LA09 QA04 SA01 5K022 EE01 EE21 EE31 5K060 BB00 CC11 CC12 DD04 FF06 HH06 HH08 HH14 HH22 HH31 JJ02 JJ08 KK01 LL01 LL11 LL22 PP05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5J100 JA01 JA10 KA05 LA08 LA09 QA04 SA01 5K022 EE01 EE21 EE31 5K060 BB00 CC11 CC12 DD04 FF06 HH06 HH08 HH14 HH22 HH31 JJ02 JJ08 KK01 LL01 LL11 LL22 PP05
Claims (13)
いて可変する可変手段と、 前記可変手段からの可変入力送信信号を増幅し送信出力
信号を発生するトランジスタを用いた送信出力増幅器
と、 前記送信出力増幅器のトランジスタに流れる電流を検出
した検出値信号を出力する検出手段と、 前記可変手段への前記制御信号を前記送信出力増幅器に
入力される可変入力送信信号のレベルに対応する基準値
に変換することで送信出力電力を可変するごとのバイア
ス電流点となる基準値信号を出力する変換手段と、 前記検出手段からの検出値信号と前記変換手段からの基
準値信号とを比較し、 この比較値に基づいて前記送信出力増幅器へのバイアス
電流点を設定するバイアス電流設定手段と、 を備えることを特徴とする送信出力増幅器のバイアス電
流最適化制御が可能な送信電力制御装置。A variable means for varying a level of an input transmission signal based on a control signal; a transmission output amplifier using a transistor for amplifying a variable input transmission signal from the variable means to generate a transmission output signal; A detection unit that outputs a detection value signal that detects a current flowing through a transistor of the transmission output amplifier; and the control signal to the variable unit is set to a reference value corresponding to a level of the variable input transmission signal input to the transmission output amplifier. A conversion unit that outputs a reference value signal serving as a bias current point every time the transmission output power is changed by converting the signal; and comparing the detection value signal from the detection unit with the reference value signal from the conversion unit, Bias current setting means for setting a bias current point to the transmission output amplifier based on the comparison value. A transmission power control device that can perform current optimization control.
電流経路に挿入された抵抗器を用い、この抵抗器での降
下電圧を検出値信号として出力することを特徴とする請
求項1に記載のバイアス電流最適化制御が可能な送信電
力制御装置。2. The method according to claim 1, wherein a resistor inserted in a current path flowing from a power supply line to a transistor of the transmission output amplifier is used as the detection unit, and a voltage drop at the resistor is output as a detection value signal. A transmission power control device according to claim 1, wherein the bias power optimization control is possible.
ス電流条件で動作する第2トランジスタと、この第2ト
ランジスタへ電源ラインから流れる電流経路に挿入され
た抵抗器とを備え、 この抵抗器での降下電圧を検出値信号として出力するこ
とを特徴とする請求項1に記載のバイアス電流最適化制
御が可能な送信電力制御装置。3. A detecting device comprising: a second transistor operating under the same DC bias current condition as a first transistor of a transmission output amplifier; and a resistor inserted into a current path flowing from a power supply line to the second transistor. The transmission power control device according to claim 1, further comprising: outputting a voltage drop at the resistor as a detection value signal.
と第2トランジスタとが同一半導体チップに形成される
ことを特徴とする請求項3に記載のバイアス電流最適化
制御が可能な送信電力制御装置。4. The transmission power control device according to claim 3, wherein the first transistor and the second transistor of the transmission output amplifier are formed on the same semiconductor chip.
器に入力される可変入力送信信号レベルに対応する基準
値信号のデータが予め記憶されるメモリと、 前記メモリからの基準値信号のデータをアナログ信号に
変換してバイアス電流設定手段へ出力するA/Dコンバ
ータと、 を備えることを特徴とする請求項1に記載のバイアス電
流最適化制御が可能な送信電力制御装置。5. A memory in which data of a reference value signal corresponding to a variable input transmission signal level input to the transmission output amplifier is stored in advance at an address for each level of a control signal as the conversion means, And an A / D converter for converting the data of the reference value signal from the analog signal into an analog signal and outputting the analog signal to the bias current setting means. Control device.
記憶される前記基準値信号のデータが、使用する送信出
力増幅器のトランジスタの動作特性に整合したバイアス
電流点に対応したデータであることを特徴とする請求項
5に記載のバイアス電流最適化制御が可能な送信電力制
御装置。6. A memory according to claim 6, wherein a data rewritable storage element is used as the memory, and the data of the reference value signal stored in advance in the memory is a bias current point matched to the operating characteristics of the transistor of the transmission output amplifier to be used. The transmission power control device capable of performing bias current optimization control according to claim 5, wherein the transmission power control device is data corresponding to (1).
値信号とを比較した信号を出力する比較手段と、 前記比較手段での比較値に基づいて、前記送信出力増幅
器のトランジスタのバイアス電流点に対応するバイアス
電圧を前記送信出力増幅器へ出力する積分手段と、 を備えることを特徴とする請求項1に記載のバイアス電
流最適化制御が可能な送信電力制御装置。7. A comparing means for outputting a signal obtained by comparing a detection voltage detected by the detecting means with a reference value signal from a converting means, wherein the bias current setting means comprises: The transmission device capable of performing the bias current optimization control according to claim 1, further comprising: an integration unit that outputs a bias voltage corresponding to a bias current point of a transistor of the transmission output amplifier to the transmission output amplifier. Power control device.
基準値信号から減算する減算手段を用いることを特徴と
する請求項7に記載のバイアス電流最適化制御が可能な
送信電力制御装置。8. The bias current optimization control according to claim 7, wherein said comparing means uses a subtracting means for subtracting a detection voltage detected by said detecting means from a reference value signal output from a converting means. Transmission power control device capable of
る可変増幅器、入力送信信号を制御信号のレベルに対応
して減衰させるアッテネータの一方又は両方を備え、 前記アッテネータのみを備えた場合には、前記制御信号
として前記アッテネータへアッテネータ制御信号が入力
され、 前記可変増幅器および前記アッテネータの両方を備えた
場合には、前記制御信号として、前記可変増幅器へは利
得制御信号が、前記アッテネータへはアッテネータ制御
信号が入力されることを特徴とする請求項1に記載のバ
イアス電流最適化制御が可能な送信電力制御装置。9. The variable means includes one or both of a variable amplifier that variably amplifies an input transmission signal in accordance with a level of a control signal, and an attenuator that attenuates an input transmission signal in accordance with a level of a control signal. When only the attenuator is provided, an attenuator control signal is input to the attenuator as the control signal. 2. The transmission power control device according to claim 1, wherein a control signal is an attenuator control signal input to the attenuator.
ッテネータへアッテネータ制御信号の一方又は両方を変
換手段が基準値信号に変換して出力することを特徴とす
る請求項9に記載のバイアス電流最適化制御が可能な送
信電力制御装置。10. The bias current optimization according to claim 9, wherein a converter converts one or both of a gain control signal to the variable amplifier and an attenuator control signal to the attenuator into a reference value signal and outputs the reference value signal. Transmission power control device that can control activation.
の間に、入力送信信号を周波数変換するための周波数変
換手段を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の
バイアス電流最適化制御が可能な送信電力制御装置。11. The bias current optimization control according to claim 1, further comprising frequency conversion means for frequency-converting an input transmission signal between the variable means and the transmission output amplifier. Possible transmission power control.
幅器との間に周波数変換した信号を帯域制限して不要波
信号を除去するバンドパスフィルタを更に備えることを
特徴とする請求項11に記載のバイアス電流最適化制御
が可能な送信電力制御装置。12. The apparatus according to claim 11, further comprising a band-pass filter between the frequency conversion unit and the transmission output amplifier for band-limiting a signal subjected to frequency conversion to remove an unnecessary signal. Transmission power control device capable of bias current optimization control.
信電力制御装置をCDMA移動通信システムにおける電
池を電源とする移動端末に設けることを特徴とするバイ
アス電流最適化制御が可能な送信電力制御装置。13. A transmission power control capable of performing bias current optimization control, wherein the wireless transmission power control device according to claim 1 is provided in a mobile terminal powered by a battery in a CDMA mobile communication system. apparatus.
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