JP2002175921A

JP2002175921A - 電子部品およびその製造方法

Info

Publication number: JP2002175921A
Application number: JP2001287264A
Authority: JP
Inventors: Minoru Takatani; 稔高谷; Toshiichi Endo; 敏一遠藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-09-20
Filing date: 2001-09-20
Publication date: 2002-06-21

Abstract

(57)【要約】【課題】小型で高性能の、ひいては総合的な電気特性
に優れた積層電子部品等の電子部品を提供する。【解決手段】平均粒径が０．１〜３０μm である、球
状の単結晶フェライトを樹脂中に分散させた複合磁性体
材料を用いた電子部品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリプレグおよび
基板を用いた積層電子部品や積層回路等の電子部品に関
し、磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とす
る使用に適したプリプレグおよび基板を用いた積層電子
部品または注型、モールド等の工法によって構成された
電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信用、民生用、産業用等の電子
機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指
向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより
優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求さ
れつつある。

【０００３】高周波用電子部品もしくは高周波用多層基
板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状
に多層化、成形したものが一般に知られている。これら
の材料を多層基板にすることは、小型化が図られるとい
うメリットがあることから従来より用いられてきた。

【０００４】しかしながら、焼成工程や厚膜印刷等、工
程数が多く、また、焼成時のクラックやそりなど、焼結
材料特有の問題点が多いことと、プリント基板との熱膨
張率の違い、等によるクラックなどの問題が多いため、
樹脂系の柔らかい材料への要求は年々高まっている。

【０００５】ところが、樹脂系の材料では、透磁率を上
げることができないなどで、それらを用いての電子部品
では十分な特性が得られない、または、非常に形状が大
きくなってしまうという問題があった。

【０００６】また、樹脂材料にセラミック磁性体粉末を
コンポジットする手法も特開平10-270255号公報、特開
平11-192620号公報などに開示されているが、いずれも
十分な透磁率を得ることができていない。

【０００７】そこで、さらに、電子部品の特性を向上さ
せるために、材料等の面からの検討が必要とされる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、小型
で高性能の、ひいては総合的な電気特性に優れた積層電
子部品等の電子部品を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明によって達成される。（１）平均粒径が０．１〜３０μm である、球状の単
結晶フェライトを樹脂中に分散させた複合磁性体材料を
用いた電子部品。（２）前記複合磁性体材料が強化繊維を含む上記
（１）の電子部品。（３）前記複合磁性体材料における単結晶フェライト
と樹脂との合計量を１００vol%としたとき、前記単結晶
フェライトの含有量が５vol%以上７０vol%未満である上
記（１）の電子部品。（４）溶剤中に平均粒径が０．１〜３０μm である、
球状の単結晶フェライト粉末、樹脂、必要により難燃剤
を含有するスラリーを調整し、これをガラスクロス上に
塗工し、乾燥して、樹脂含浸ガラスクロスとしてプリプ
レグを得、このプリプレグに金属箔を重ね加熱加圧して
箔付き基板を得る電子部品の製造方法。（５）溶剤中に平均粒径が０．１〜３０μm である、
球状の単結晶フェライト粉末、樹脂、必要により難燃剤
を含有するスラリーを調整し、このスラリーを金属箔上
に塗工し、乾燥して金属箔付きプリプレグを得、この金
属箔付きプリプレグとガラスクロスとを重ねて加熱加圧
して箔付き基板を得る電子部品の製造方法。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の電子部品は、平均粒径が０．１〜３０μ
m である、球状の単結晶フェライトを樹脂中に分散させ
た複合磁性体材料を用いたものであり、通常、このよう
な複合磁性体材料で構成される複合磁性体層（基板も含
む）を有する。

【００１１】本発明に用いる複合磁性体材料は、上記の
単結晶フェライトを使用しているので、透磁率と損失と
を大幅に改善することができ、高Ｑが得られる。このた
め、電子部品としたとき、ハイパワー化や性能の向上を
図ることができる。また、上記の単結晶フェライトは樹
脂に対する分散性が良好であり、高密度充填が可能にな
り、複合磁性体材料としたとき、上記の単結晶フェライ
トのもつ特徴を最大限に生かすことができる。

【００１２】本発明に用いるフェライトは、平均粒径が
０．１〜３０μm 、好ましくは０．３〜３０μm であ
り、粒子形状が球状で、かつ単結晶である。即ち、結晶
粒界や不純物による影響の少ない単結晶構造で、かつ凝
集性がなく、分散性と充填性に優れた球状微粉末とな
る。そして、平均粒径が０．１〜３０μm 程度、特に平
均粒径が０．３〜３０μm の範囲で、凝集が少なく、微
細で粒度、形状が揃っており、かつ表面活性の低い球状
の単結晶粉末となり、粉末自身が優れた磁気特性を有す
るとともに、均一分散が可能であるため、特性のばらつ
きが小さくなり、かつ充填密度をより高くすることがで
きる。

【００１３】これに対し、平均粒径が０．１μm 未満で
は、成形密度を上げることが難しく、平均粒径が３０μ
m を超えると、粒子の作製が難しい。また、従来の不定
形の粉末を用いると、分散性が悪くなり、例えば所定の
粒径の粒子を得るため破砕などすると表面活性が高くな
って粉末の凝集が生じやすくなる。

【００１４】平均粒径は、例えば光散乱理論（Ｍｉｅ散
乱）を応用することにより求めることができる。すなわ
ち、直径Ｄの単一粒子に光が入射した場合、その粒子か
ら観察される散乱光強度は、粒子の周長と入射光波長λ
との比で定義される粒径パラメータα（α＝πＤ／λ）
と粒子の屈折率ｍとによって決まる。粒子径が大きい場
合、散乱光は前方に集中し、粒子径が入射波長より小さ
い場合、散乱光は全方向に散乱する。この場合、散乱光
強度は、散乱角θ（入射方向と散乱方向の角度）に依存
して変化する。従って、散乱光強度の角度分布を求める
ことで粒子径分布が計算できる。

【００１５】また、球状平均径（平均体積径）として求
めることが好ましい。すなわち、球状平均径（平均体積径）＝（Σｎｄ³ ／Σｎ）^1/3
〔ｄ：粒子径、ｎ：サンプル数〕として求めることができる。また、粒径−累積体積分布
曲線から累積５０％における粒径（Xvm）としてもよ
い。

【００１６】本発明でいう「球状」は、表面が平滑な完
全な球状のほか、極めて真球に近い多面体も含むもので
ある。即ち、本発明の球状微粉末には、Wulffモデルで
表わされるような安定な結晶面で囲まれた等方的な対称
性を有し、かつ球形度が１に近い多面体粒子も含まれ
る。

【００１７】球形度は０．９５〜１の範囲であることが
好ましい。ここで、「球形度」は、Wadellの実用球形
度、即ち、粒子の投影面積に等しい円の直径の、粒子の
投影像に外接する最小円の直径に対する比で表わされ
る。球形度が小さくなると、分散性が悪化しやすくな
る。

【００１８】球形度は、粒子の断面を研磨等により出し
た（樹脂に粒子を埋め込み、樹脂ごと研磨）後、その粒
子形状（外周形状）を（ＯＣＲ等を用い画像情報とし
て）取り込み、画像処理によりその面積を求め、計算に
より直径を算出する。さらに、前記粒子形状に、外接円
を直径が最小となるように描かせた後、その直径を求め
る。これらにより求めた２つの直径からWadell の実用
球状度により球形度を算出する手法などにより求めるこ
とができる。なお、Wadell の実用球状度Ψ0 は、 Ψ0 ＝粒子の投影面積に等しい円の直径／粒子の投影像
に外接する最小円の直径として定義されている。

【００１９】本発明に用いるフェライトは、鉄酸化物ま
たは、鉄と鉄以外の金属を含む複合酸化物である。鉄と
共にフェライトを構成する金属としては、通常フェライ
トを作るものであれば特に制限はなく、例えばニッケ
ル、亜鉛、マンガン、マグネシウム、ストロンチウム、
バリウム、コバルト、銅、リチウム、イットリウムなど
が挙げられる。本発明のフェライトは、２種以上のフェ
ライトの固溶体も含むものである。

【００２０】代表的なフェライトとしては、Fe3O4、NiF
e2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、(Ni,Zn)Fe2O4、(Mn,Zn)Fe2O
4、(Mn,Mg)Fe2O4、CoFe2O4、Li0.5Fe2.5O4等がある。

【００２１】本発明のフェライト微粉末は、噴霧熱分解
法で有利に製造される。即ち、フェライトを構成する少
なくとも１種の金属の化合物を含む溶液または懸濁液を
微細な液滴とし、その液滴をおよそ1400℃以上の高温で
加熱してこの金属化合物を熱分解することにより、0.1
〜30μm 程度の平均粒径を有し、極めて真球に近い形状
で、凝集のない粒度の揃ったフェライトの単結晶微粉末
を得る。所望により更にアニーリング処理を施してもよ
い。生成粉末の粒径は噴霧条件等のプロセス制御により
容易にコントロールできる。加熱温度は、組成にもよる
が、1400℃より低いと球状かつ単結晶の粉末が得られな
い。加熱温度は、一般に、1400〜1700℃の範囲の温度か
ら選択される。

【００２２】真球性のより高い単結晶微粉末を得るため
には、熱分解を目的とするフェライトの融点近傍または
それ以上の温度で行うことが望ましい。本法によれば特
に0.3〜30μm 程度の平均粒径を有し、個々の粒子の球
形度が0.95〜1である球状単結晶フェライト微粉末を容
易に製造することができる。

【００２３】出発金属化合物としては、フェライトを構
成する金属元素の硝酸塩、硫酸塩、塩化物、炭酸塩、ア
ンモニウム塩、リン酸塩、カルボン酸塩、金属アルコラ
ート、樹脂酸塩、これらの複塩や錯塩、酸化物コロイド
等などの熱分解性の化合物を適宜選択して使用すること
ができる。これらの化合物を、水や、アルコール、アセ
トン、エーテル等の有機溶剤あるいはこれらの混合溶剤
中に溶解するかまたは懸濁させ、その溶液または懸濁液
を超音波式、二流体ノズル式等の噴霧器により微細な液
滴とする。熱分解時の雰囲気は、目的とするフェライト
の種類に応じて酸化性雰囲気、還元性雰囲気または不活
性雰囲気が適宜選択される。

【００２４】このようにして得られるフェライトの透磁
率μは、２〜２０，０００である。

【００２５】本発明に用いる樹脂は、特に制限されない
が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ゴム系樹脂、アク
リル樹脂、テフロン（登録商標）樹脂などが挙げられ、
エポキシ樹脂などが好ましく用いられる。これらの樹脂
は、１種のみ用いても２種以上併用しても良い。

【００２６】また、樹脂のほか、ガラスなどを用いてフ
ェライトを分散させることもできる。

【００２７】本発明の複合磁性体材料における樹脂とフ
ェライトとの比率は、樹脂とフェライトとの合計量を１
００vol%としたとき、フェライトの含有量が５vol%以上
７０vol%未満が好ましく、さらに好ましくは１０〜６５
vol%、特に好ましくは２０〜６０vol%である。

【００２８】フェライトの含有量を上記範囲とすること
で、十分な磁気特性が得られ、複合磁性体材料の基板等
の使用形態への加工性が容易になる。これに対し、フェ
ライトの含有量が多くなるとスラリー化して塗工するこ
とが困難になるなど、基板、プリプレグの作製等が困難
になる。一方、フェライトの含有量が少なくなると透磁
率を確保できなくなる場合があり、磁気特性が低下して
しまう。

【００２９】本発明の複合磁性体材料の透磁率は１．０
１〜５０であることが好ましい。

【００３０】本発明の複合磁性体材料には、難燃剤を含
有させて難燃化することが好ましい。

【００３１】難燃剤としては、通常基板の難燃化のため
に用いられている種々の難燃剤を用いることができる。
具体的には、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポ
キシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミ
ド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アル
ミニウム等の無機材料を用いることができる。これらの
なかでも、ハロゲン化リン酸エステル、リン酸エステル
アミド系等が好ましく、特にハロゲン化リン酸エステル
が好ましい。

【００３２】難燃剤の複合磁性体材料における含有量
は、樹脂と難燃剤との混合比を質量比で示した場合、樹
脂／難燃剤が９０／１０〜１０／９０であることが好ま
しく、より好ましくは６０／４０〜４０／６０である。
これにより、特にＵＬ規格の９４Ｖ−０を満足すること
ができるなど、十分な効果が得られるとともに、複合磁
性体材料としての特性が十分に確保できる。

【００３３】こうした複合磁性体材料は、本発明の電子
部品において、一般的には、基板等も含む層状体（複合
磁性体層）として用いられる。基板としては、強化繊維
を用いたプリプレグによるもの、成形によるもの、金属
箔を用いたもの、など種々の形態が可能であり、目的に
応じて選択することができる。

【００３４】本発明において、プリプレグを得るには、
所定の配合比としたフェライト粉末と、樹脂と、必要に
より難燃剤とを含み、溶剤に混練してスラリー化したペ
ーストを強化繊維に含浸ないし塗布して、乾燥（Ｂステ
ージ化）する工程に従う。この場合に用いられる溶剤は
揮発性溶剤が好ましく、極性中性溶媒（例えばメチルエ
チルケトン）が特に好ましく、ペーストの粘度を調整し
塗工しやすくする目的で用いられる。混練はボールミ
ル、撹拌等により公知の方法によって行えばよい。

【００３５】本発明に用いられる強化繊維は、目的・用
途に応じて種々のものであってよく、市販品をそのまま
用いることができる。このときの強化繊維は、ガラスク
ロスの使用が一般的であり、例えば、Ｅガラスクロス、
Ｄガラスクロス、Ｈガラスクロスなどがある。また、ガ
ラスクロスは、積層するときの層間密着力向上のため、
カップリング処理などを行ってもよい。その厚さは１０
０μm 以下、特に２０〜６０μm であることが好まし
い。布重量としては、１２０g／m² 以下、特に２０〜７
０g／m² が好ましい。

【００３６】また、樹脂とガラスクロスとの配合比は、
強度の確保および基板としての平滑性や金属箔との密着
性などを考慮すると、樹脂／ガラスクロスが、質量比
で、４／１〜１／１であることが好ましい。

【００３７】プリプレグの乾燥（Ｂステージ化）条件
は、フェライト粉末や、必要により添加される難燃剤の
含有量などにより適宜調整すればよいが、通常、１００
〜１２０℃、０．５〜３時間とすればよい。乾燥、Ｂス
テージ化した後の厚みは５０〜３００μm 程度が好まし
く、その用途や要求される特性（パターン幅および精
度、直流抵抗）等により最適な膜厚に調整すればよい。

【００３８】なお、ガラスクロス等の強化繊維は、プリ
プレグとしてのみならず、それ自体を層間に介在させる
などして補強材として用いることができる。

【００３９】また、基板の作製にあたり、金属箔上に上
記のペースト等を塗工した金属箔塗工物を用意しておく
ことが好ましい。

【００４０】使用する金属箔としては、金、銀、銅、ア
ルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なも
のを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好まし
い。

【００４１】金属箔を作製する方法としては、電解、圧
延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピ
ール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重
視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少
ない圧延箔を使用するとよい。

【００４２】金属箔の厚みとしては、８〜７０μm が好
ましく、特に１２〜３５μm が好ましい。

【００４３】プリプレグは、図１または図２に示すよう
な方法により製造することができる。これらは、強化繊
維としてガラスクロスを用いた例であり、さらに金属箔
を用いたものである。この場合、図１の方法は比較的量
産に適しており、図２の方法は、膜厚制御を行い易く、
特性の調整が比較的容易に行えるという特徴を有してい
る。図１において、（ａ）に示すように、ロール状に巻
回されたガラスクロス１０１は、このロール１０１ａか
ら繰り出され、ガイドローラ１１１ｒを介して塗工槽１
１０ｔに搬送される。この塗工槽１１０ｔには、溶剤中
にフェライト粉末、樹脂、必要により難燃剤を含有する
スラリーが収納されており、この塗工槽１１０ｔをガラ
スクロスが通過すると、上記スラリー中に浸漬され、ガ
ラスクロスに塗工されるとともに、その中のすきまが埋
められることになる。

【００４４】塗工槽１１０ｔを通過したガラスクロス
は、ガイドローラー１１２ａ，１１２ｂを介して乾燥炉
１２０に導入される。乾燥炉に導入された樹脂含浸ガラ
スクロスは、所定の温度と時間乾燥され、Ｂステージ化
されるとともに、ガイドローラー１２１により方向転換
して巻取ローラ１３０ｒに巻回される。

【００４５】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、ガラスクロス１０１の両面にフェ
ライト粉末、必要により難燃剤を含有した樹脂層１０２
が配置されたプリプレグが得られる。

【００４６】さらに、（ｃ）に示すように、得られたプ
リプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔１０３ｆを配
置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すよ
うな両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は１
００〜２００℃の温度、９．８×１０⁵〜７．８４×１
０⁶Pa（１０〜８０kgf/cm²）の圧力とすればよく、この
ような条件下で０．５〜２０時間程度成形することが好
ましい。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うこと
ができる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を
配置することなく加熱・加圧プレスすればよい。

【００４７】次に、図２の製造方法について説明する。
図２において、（ａ）に示すように、フェライト粉末、
樹脂、必要により難燃剤を溶剤中に含有したスラリー１
０２ａをドクターブレード１５０ｄ等によってクリアラ
ンスを一定に保ちながら銅箔などの金属箔上に塗工す
る。そして、乾燥炉１５１を介して巻取ローラ１６０ｒ
に巻回される。

【００４８】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、金属箔１０３ｆの上面にフェライ
ト粉末、必要により難燃剤を含有した樹脂層１０２が配
置された金属箔塗工物が得られる。

【００４９】さらに、（ｃ）に示すように、ガラスクロ
ス１０１の上下両面に得られた金属箔塗工物をそれぞれ
樹脂層１０２側を内面にして配置し、これを加熱・加圧
プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属箔付き基板
が得られる。加熱加圧条件は上記と同様でよい。

【００５０】電子部品を構成する基板は、上記塗工法以
外に材料を混練し、固体状とした混練物を成形すること
によっても得ることができる。この場合、原料が固体状
であるため、厚みをとりやすく、比較的厚みのある基板
を形成する方法として適している。

【００５１】混練は、少なくとも用いる樹脂の融点以上
である必要がある。混練は、ボールミル、撹拌・混練機
などの公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶
媒を用いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉
末化してもよい。

【００５２】得られた、ペレット化、粉末化等された混
練物を金型を用いて加熱・加圧成形する。成形条件とし
ては、１００〜２００℃、０．５〜３時間、４．９×１
０⁵〜７．８４×１０⁶Pa（５〜８０kgf/cm²）圧力とす
ればよい。

【００５３】この場合に得られる成形基板の厚みとして
は、０．０５〜５mm程度である。成形基板の厚みは、所
望する板厚やフェライトの含有率に応じて適宜調整すれ
ばよい。

【００５４】さらに、上記同様に得られた成形基板の上
下両面上に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・加
圧プレスすると両面金属箔付き基板が得られる。加熱加
圧条件は１００〜２００℃の温度、９．８×１０⁵〜
７．８４×１０⁶Pa（１０〜８０kgf/cm²）の圧力とすれ
ばよく、このような条件下で０．５〜２０時間程度成形
することが好ましい。成形は条件をかえて複数段階に分
けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合に
は、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすれば
よい。

【００５５】次に、プリプレグと銅箔とを重ねて加熱加
圧して成形することにより銅箔付き基板を形成する例に
ついて、両面パターンニング基板および多層基板を挙
げ、図面に従って説明する。

【００５６】図３、図４には両面パターンニング基板形
成例の工程図を示す。図３、図４に示されるように、所
定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２１ｍ
を有する銅箔付き樹脂膜２ｍとを重ねて加圧加熱して成
形し、両面銅箔付き基板１０ｚを得る（工程Ａ）。次に
スルーホール３をドリリングにより形成する（工程
Ｂ）。形成したスルーホール３に銅（Ｃｕ）メッキを施
し、メッキ膜２３ｍを形成する（工程Ｃ）。さらに両面
の銅箔２１ｍにパターニングを施し、導体パターン２１
１を形成する（工程Ｄ）。その後、図３に示されるよう
に、外部端子等の接続のためのメッキを施す（工程
Ｅ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメ
ッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施
す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベ
ラーを用いる方法により行われる。

【００５７】図５、図６には多層基板形成例の工程図で
あり、４層積層する例が示されている。図５、図６に示
されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅
（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程
ａ）。次に両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パ
ターン２１ｐを形成する（工程ｂ）。このようにして得
られた両面パターンニング基板の両面に、さらに所定厚
さのプリプレグ１と銅箔２とを重ねて、同時に加圧加熱
して成形する（工程ｃ）。次にスルーホール３をドリリ
ングにより形成する（工程ｄ）。形成したスルーホール
３に銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する
（工程ｅ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施
し、導体パターン２１ｐを形成する（工程ｆ）。その
後、図５に示されるように、外部端子との接続のための
メッキを施す（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッ
キ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさ
らにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解
メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。

【００５８】上記の加熱加圧の成形条件は、１００〜２
００℃の温度、９．８×１０⁵〜７．８４×１０⁶Pa（１
０〜８０kgf/cm²）の圧力で、０．５〜２０時間とする
ことが好ましい。

【００５９】本発明では、前記例に限らず、種々の基板
を形成することができる。例えば、成形基板や、銅箔付
き基板とプリプレグとを用い、プリプレグを接着層とし
て多層化することも可能である。

【００６０】また、プリプレグや成形基板と銅箔とを接
着する態様において、前述のフェライト粉末と、樹脂
と、必要により難燃剤と、ブチルカルビトールアセテー
ト等の高沸点溶剤とを混練して得られた複合磁性体材料
ペーストをパターニングした基板の上にスクリーン印刷
等にて形成してもよい。

【００６１】このようなプリプレグ、成形基板、積層基
板、強化繊維等と素子構成パターン、構成材料を組み合
わせることにより、電子部品を得ることができる。

【００６２】本発明の電子部品は、１MHz〜３GHzの周波
数領域の使用に適し、例えば、コイル（インダクタ）、
フィルター等であり、この他、これらと、あるいはそれ
以外に配線パターン、増幅素子、機能素子を組み合わせ
て得られるアンテナや、ＲＦユニット（ＲＦ増幅段）、
ＶＣＯ（電圧制御発振回路）、パワーアンプ（電力増幅
段）等の高周波電子回路、光ピックアップなどに用いら
れる重畳モジュール等の高周波用電子部品などがある。

【００６３】なお、難燃剤の添加は、前述のように、複
合磁性体材料に対してのみならず、他の電子部品の構成
材料に対して行うことができる。

【００６４】以下、本発明の電子部品の具体例を図面に
従って説明する。

【００６５】＜インダクタ＞図７、図８は、本発明の第
１の態様のチップインダクタを示した図であり、図７は
透視斜視図、図８は断面図を表している。

【００６６】図において、チップインダクタ１０はベー
ス基材である構成層１０ａ〜１０ｅと、この構成層１０
ｂ〜１０ｅ上に形成されている内部導体（コイルパター
ン）１３（１３ａ〜１３ｄからなる）と、この内部導体
１３を電気的に接続するためのインナービア１４とを有
する。銅、金、銀、パラジウム、白金、アルミニウムま
たはそれらの化合物等の内部導体１３は、エッチング、
印刷、スパッタ、蒸着、めっき等により、インナービア
１４はドリル、レーザー加工、エッチング等により形成
することができる。内部導体１３は、インナービア14に
より上下層で接続され、全体として積層方向へ巻き上げ
られる、ヘリカル状のインダクタとなるように横成され
ている。

【００６７】さらに、コイル状導体の終端部は、貫通ビ
ア12に接続され、それらを構成するためのランドパター
ン11は、部品接続および固着用の端子として使用され
る。このとき、貫通ビア12は、ダイシング、Ｖカット等
により、それぞれ半分づつに切られた状態となってい
る。これは、部品の作成方法によるもので、通常、この
ような部品は、集合基板で構成し、最終的に、個偏に切
断されてなるものであり、その際に、貫通ビア12を中心
から真っ二つに切断することによって構成される。

【００６８】このような部品においては、ベース基材で
ある構成層１０ａ〜１０ｅに、本発明の複合磁性体材料
を用いることが好ましく、目的に応じて、各構成層すべ
てを同一材料としてもよく、異なるものを組み合わせて
もよく、さらには他の材料と組み合わせることもでき
る。

【００６９】本発明の複合磁性材料を用いる場合は、ノ
イズ除去の用途に適する。即ち、ＥＭＣ対策用として使
用する場合、インピーダンスを高く取るためには、でき
るだけ透磁率を上げる必要があるが、本発明の複合磁性
体材料を用いることにより、小型でインピーダンスが高
いものとなる。

【００７０】図９、図１０は、本発明の第２の態様のチ
ップインダクタを示した図であり、図９は透視斜視図、
図１０は断面図を表している。

【００７１】この例では、図７、図８において上下方向
に巻回されていたコイルパターンを、横方向に巻回した
ヘリカル巻とした構成態様を表している。即ち、ヘリカ
ル状のインダクタであり、そのコイルの進行方向が、積
層方向と垂直な面となるものである。その他の構成要素
は図７、図８と同様であり、同一構成要素には同一符号
を付して説明を省略する。本発明の複合磁性体材料の用
い方についても同様であり、同様の効果が得られる。

【００７２】図１１、図１２は、本発明の第３の態様の
チップインダクタを示した図であり、図１１は透視斜視
図、図１２は層構成の断面図を表している。

【００７３】この例では、図７、８において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラ
ルを連結した構成態様としたものを表している。即ち、
内部導体１３が、スパイラル状に構成されたものであ
り、より大きなインダクタンス値を得るために、積層面
上下の最外層に構成したスパイラル導体１３を部品中心
に構成したスルーホール１４により接続したものであ
る。その他の構成要素は図７、８と同様であり、同一構
成要素には同一符号を付して説明を省略する。本発明の
複合磁性体材料の用い方についても同様であり、同様の
効果が得られる。

【００７４】図１３、図１４は、本発明の第４の態様の
チップインダクタを示した図であり、図１３は透視斜視
図、図１４は断面図を表している。

【００７５】この例では、図７、８において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミ
アンダー状のパターンとして構成したものを表してい
る。その他の構成要素は図７、８と同様であり、同一構
成要素には同一符号を付して説明を省略する。本発明の
複合磁性体材料の用い方についても同様であり、同様の
効果が得られる。

【００７６】図１５は本発明の第５の態様のインダクタ
アレイを示した透視斜視図である。

【００７７】この例では、図７、８のインダクタを複数
アレイ状としたものであり、図７、８において単独で構
成されていたコイルを、４連とした態様を表している。
このような構成とすることにより、省スペース化を図る
ことができる。その他の構成要素は図７、８と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。本発明の複合磁性体材料の用い方についても同様で
あり、同様の効果が得られる。

【００７８】図１６に、チップインダクタの等価回路図
を示す。図１６（ａ）は図７〜図１４に対応し、インダ
クタ３１が単体で配置されており、図１６（ｂ）は図１
５に対応し、インダクタ３１ａ〜３１ｄが複数（４連）
配置されている。

【００７９】＜バルントランス＞図１７〜図２０は、本
発明のバルントランスを示している。ここで図１７は透
視斜視図、図１８は断面図、図１９は各構成層の分解平
面図、図２０は等価回路図である。

【００８０】図１７〜１９において、バルントランス４
０は、ベース基材である構成層４０ａ〜４０ｏが積層さ
れた積層体の上下および中間に配置された内部ＧＮＤ導
体４５と、この内部ＧＮＤ導体４５間に形成されている
内部導体４３を有する。この内部導体４３は、図１９に
示すようなλg ／４長のスパイラル状導体を、図２０の
等価回路に示される結合ライン５３ａ〜５３ｄの構成と
なるようにインナービア４４等で連結している。また、
ＧＮＤ導体45は、前記結合ライン５３(内部導体４３)を
挿むように横成する。これによって、全体として図２０
に示すバルントランス回路を構成する。

【００８１】さらに、スパイラル状導体の終端部および
ＧＮＤ電極の引き出し部は、貫通ビア４２に接続され、
それらを構成するためのランドパターン４１は、部品接
続および固着用の端子として使用される。

【００８２】このときの、電極構成方法、層構成方法、
ビア構成方法、端子構成方法は、前記図７、８の説明と
同様である。

【００８３】このような部品においては、ベース基材で
ある構成層４０ａ〜４０ｏに、本発明の複合磁性体材料
を用いることが好ましく、目的に応じて、各構成層すべ
てを同一材料としてもよく、異なるものを組み合わせて
もよく、さらには他の材料と組み合わせることもでき
る。

【００８４】このものは、数百MHz以下の帯域での使用
が好ましく、本発明の複合磁性体材料を用いることによ
り、インダクタンス値を稼げ、また結合も上げることが
でき、高特性化、小型化が可能になる。

【００８５】＜フィルター＞図２１〜図２４は、本発明
の第１の態様の積層フィルターを示している。ここで図
２１は斜視図、図２２は分解斜視図、図２３は等価回路
図、図２４は伝達特性図である。なお、この積層フィル
ターは２ポールとして構成されている。

【００８６】図２１〜２３において、積層フィルター６
０は、ベース基材である構成層６０ａ〜６０ｅが積層さ
れた積層体のほぼ中央に一対のストリップ導体６８と、
一対のコンデンサ導体６７とを有する。コンデンサ導体
６７は下部構成層群６０ｄ上に形成され、ストリップ導
体６８はその上の構成層６０ｃ上に形成されている。構
成層６０ａ〜６０ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形
成されていて、前記ストリップ導体６８とコンデンサ導
体６７とを挟み込むようになっている。

【００８７】ストリップ導体６８は、図２３の等価回路
図に示すようなλg ／４長またはそれ以下のある特性イ
ンピーダンスをもったストリップ線路７４ａ、７４ｂで
あり、それらを挿むように、ＧＮＤ導体６５を形成す
る。また、コンデンサ導体６７は図２３の等価回路図に
示された入出力結合容量Ｃｉを構成するものであり、前
記ストリップ導体６８との間で、容量を構成するもので
ある。これによって、全体として図２３に示すフィルタ
回路を構成する。即ち、それぞれのストリップ線路７４
ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより
結合されている。このような等価回路により、図２４に
示すような２ポール型の伝達特性を有する積層フィルタ
を得ることができる。

【００８８】さらに、ストリップ導体６８の終端部、Ｇ
ＮＤ導体６５の引き出し部およびコンデンサ導体６７の
引き出し部は、端部電極（外部端子）６２、６６に接続
され、それらを構成するためのランドパターン６１は、
部品接続および固着用の端子として使用される。このと
き、端部電極６２は、ダイシング、Ｖカット等により、
それぞれ半分づつに切られた状態となっている。

【００８９】このときの、電極構成方法、層構成方法、
ビア構成方法、端子構成方法は、前記図７、８の説明と
同様である。

【００９０】このような部品においては、構成層６０ａ
〜６０ｅに、本発明の複合磁性体材料を用いることが好
ましく、目的に応じて、各構成層すべてを同一材料とし
てもよく、異なるものを組み合わせてもよく、さらには
他の材料と組み合わせることもできる。

【００９１】このものは、数百MHz以下の帯域での使用
が好ましく、本発明の複合磁性体材料を用いることによ
り、インダクタンス値を稼げ、また結合も上げることが
でき、高特性化、小型化が可能になる。

【００９２】図２５〜図２８は、本発明の第２の態様の
積層フィルターを示している。ここで図２５は斜視図、
図２６は分解斜視図、図２７は等価回路図、図２８は伝
達特性図である。なお、この積層フィルターは４ポール
として構成されている。

【００９３】図２５〜２８において、積層フィルター６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に４つのストリップ導体６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。その他の構成要素は図２１〜２３
と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明
を省略する。本発明の複合磁性体材料の用い方も同様で
あり、同様の効果が得られる。

【００９４】なお、図２４、図２８に示されるように、
２ポールよりも、４ポールのほうが急峻なカーブとな
る。

【００９５】図２９〜図３４は、本発明の第３の態様の
ブロックフィルターを示している。ここで図２９は透視
斜視図、図３０は正面断面図、図３１は側面断面図、図
３２は平面断面図、図３３は等価回路図、図３４は金型
の構造を示した透過側面図である。なお、このブロック
フィルターは２ポールとして構成されている。

【００９６】図２９〜図３３において、ブロックフィル
ター８０は、ベース基材である構成ブロック８０ａに形
成された一対の同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２
とを有する。この同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８
２とは、構成ブロック８０ａをくりぬくように中空状に
形成された導電体で構成されている。また、構成ブロッ
ク８０ａの周囲には、これを覆うように表面ＧＮＤ導体
８７が形成されている。そしてコンデンサ同軸導体８２
に対応する部分にコンデンサ形成導体８３が形成されて
いる。また、コンデンサ形成導体８３と表面ＧＮＤ導体
８７は、入出力端子、および部品固着用端子としても使
用される。なお、同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８
２とは、構成ブロック８０ａをくりぬくように形成され
た中空状の孔の内部に、導電材料を無電解メッキ、蒸着
などで付着させ伝送路を形成する。

【００９７】ブロックフィルター８０の構成ブロック８
０ａは、図３４に示される金型によって作製される。金
型は鉄などの金属ベース１０３の内部に、樹脂注入口１
０４および注入穴１０６が形成され、これと連結して部
品成形部１０５ａ，１０５ｂが形成されている。構成ブ
ロック８０ａを形成するための複合磁性体材料は、液体
の状態で樹脂注入口１０４から注入され、注入穴１０６
を通って部品成形部１０５ａ、１０５ｂに達する。そし
て、この金型の内部に複合磁性体材料が満たされた状態
で、冷却または加熱処理を行い複合磁性体材料を固化し
て金型から取り出し、注入口部分で固まった部分を切り
取る。こうして、図２９〜図３２に示される構成ブロッ
ク８０ａが形成される。

【００９８】このようにして形成された構成ブロック８
０ａに、めっき、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等
により、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等に
より形成された表面ＧＮＤ導体８７、同軸導体８１とコ
ンデンサ同軸導体８２、コンデンサ形成導体８３を形成
する。

【００９９】同軸導体８１は、図３３の等価回路図に示
すような、約λg ／４長またはそれ以下のある特性イン
ピーダンスをもった同軸線路９４ａ、９４ｂであり、そ
れらを囲むように、表面ＧＮＤ導体８７を形成する。ま
た、コンデンサ同軸導体８２とコンデンサ導体８３は入
出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれの同軸導
体８１間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合
されている。このような構成により、図３３に示すよう
な等価回路（フィルター回路）となり、２ポール型の伝
達特性を有するブロックフィルターを得ることができ
る。

【０１００】また、コンデンサ形成導体８３および表面
ＧＮＤ導体８７は、入出力端子および部品固着用端子と
しても使用される。

【０１０１】ここにおいては、上述のように、構成ブロ
ック８０ａを本発明の複合磁性体材料で構成することが
好ましい。こうした部品では、波長短縮効果を考慮する
と、透磁率をある程度高くする方が好ましく、本発明の
複合磁性体材料により、小型で高特性のブロックフィル
ターを得ることができる。

【０１０２】＜カプラ＞図３５〜図３９は、本発明のカ
プラを示している。ここで図３５は透視斜視図、図３６
は断面図、図３７は各構成層の分解平面図、図３８は内
部結線図、図３９は等価回路図である。

【０１０３】図３５〜３９において、カプラ１１０は、
ベース基材である構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層され
た積層体の上下に形成、配置されたＧＮＤ電極１１５
と、このＧＮＤ電極１１５間に形成されている内部導体
１１３を有する。

【０１０４】内部導体１１３は、図３９の等価回路図に
示されるトランス１２５ａ、１２５ｂの構成となるよう
に、ビア導体114を用いて、スパイラル状に構成する。
また、ＧＮＤ電極１１５は、前記トランス１２５（内部
導体１１３）を挿むように構成する。これによって、全
体として図３９に示すカプラ回路を構成する。さらに、
スパイラル状導体の終端部およびＧＮＤ電極の引き出し
部は貫通ビア１１２に接続され、それらを構成するため
のランドパターン１１１は、部品接続および固着用の端
子として使用され、結果的に、図３８に示す内部結線の
ようになる。

【０１０５】このときの、電極構成方法、層構成方法、
ビア構成方法、端子構成方法は、前記図７、８の説明と
同様である。

【０１０６】ここでは、構成層１１０ａ〜１１０ｃに、
本発明の複合磁性体材料を用いることが好ましく、目的
に応じて、各構成層すべてを同一材料としてもよく、異
なるものを組み合わせてもよく、さらには他の材料と組
み合わせることもできる。

【０１０７】カプラについても、基本的にはバルントラ
ンスやフィルタと同様に、数百MHz以下の帯域では透磁
率を上げることにより小型で高特性のカプラを得ること
ができる。このため、本発明の複合磁性体材料の使用は
好ましい。

【０１０８】＜アンテナ＞図４０〜図４２は、本発明の
第１の態様のアンテナを示した図であり、図４０は透視
斜視図、図４１（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、
（ｃ）は正面図、図４２は各構成層の分解斜視図を表し
ている。

【０１０９】図において、アンテナ１３０は、ベース基
材である構成層１３０ａ〜１３０ｃと、この構成層１３
０ｂと１３０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体
（アンテナパターン）１３３を有する。そして、内部導
体１３３は、使用周波数に対し、約λg ／４長となるよ
うなリアクタンス素子であり、ミアンダ状に形成されて
いる。

【０１１０】これによって、全体としてミアンダ状のア
ンテナ素子を構成する。さらに、ミアンダ状導体１３３
の終端部は、貫通ビア１３２に接続され、それらを構成
するためのランドパターン１３１は、部品接続および固
着用の端子として使用される。このとき、貫通ビア１３
２は、ダイシング、Ｖカット等により、それぞれ半分づ
つに切られた状態となっている．これは、部品の作成方
法によるもので、通常、このような部品は、集合基板で
構成し、最終的に、個偏に切断されてなるものであり、
その際に、貫通ビア１３２を中心から真っ二つに切断す
ることによって構成される。

【０１１１】このときの、電極構成方法、層構成方法、
ビア構成方法、端子構成方法は、前記図７、８の説明と
同様である。

【０１１２】ここでは、構成層１３０ａ〜１３０ｃに、
本発明の複合磁性体材料を用いることが好ましく、目的
に応じて、各構成層すべてを同一材料としてもよく、異
なるものを組み合わせてもよく、さらには他の材料と組
み合わせることもできる。数百MHz以下の帯域の使用に
適し、本発明の複合磁性体材料を用いることによって、
小型化を図ることができる。

【０１１３】図４３、図４４は、本発明の第２の態様の
アンテナを示している。ここで図４３は透視斜視図、図
４４は分解斜視図である。なお、この例のアンテナは内
部導体をヘリカル状に構成している。

【０１１４】図４３、４４において、アンテナ１４０
は、ベース基材である構成層１４０ａ〜１４０ｃと、こ
の構成層１４０ｂと１４０ｃ上にそれぞれ形成されてい
る内部導体（アンテナパターン）１４３ａと１４３ｂを
有する。そして、上下の内部導体１４３ａ、１４３ｂは
インナービア１４４によって接続することによって、ヘ
リカル状のインダクタンス素子（リアクタンス素子）を
構成している。その他の構成要素は図４０〜４２と同様
であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略
する。

【０１１５】ここでは、構成層１４０ａ〜１４０ｃに、
本発明の複合磁性体材料を用いることが好ましく、目的
に応じて、各構成層をすべてを同一材料としてもよく、
異なるものを組み合わせてもよく、さらには他の材料と
組み合わせることもできる。図４０〜４２のアンテナと
同様の効果を得ることができる。

【０１１６】図４５、図４６は、本発明の第３の態様の
パッチアンテナを示した図であり、図４５は透視斜視
図、図４６は断面図を表している。

【０１１７】図において、パッチアンテナ１５０は、ベ
ース基材である構成層１５０ａと、この構成層１５０ａ
上に形成されているパッチ導体１５９（アンテナパター
ン）と、このパッチ導体１５９に対向するように構成層
１５０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有す
る。また、パッチ導体１５９はスルー導体１５４によっ
て給電部１５３を介して電気的に接続され、そこから給
電されたものである。また、スルー導体１５４は、ＧＮ
Ｄ導体１５５とは接続されないように、ＧＮＤ導体１５
５上にギャップ１５６を設け、その内側をスルー導体１
５４が通って給電するように構成する。

【０１１８】これによって、全体としてパッチアンテナ
を構成する。

【０１１９】ここでは、構成層１５０ａに、本発明の複
合磁性体材料を用いることができる。これにより、数百
MHz以下の帯域の使用に適し、小型化を図ることができ
る。

【０１２０】なお、電極構成方法、層構成方法、ビア構
成方法、端子構成方法は、前記図４０〜４２の説明と同
様である。

【０１２１】図４７、図４８は、本発明の第４の態様の
容量結合給電のパッチアンテナを示した図であり、図４
７は透視斜視図、図４８は断面図を表している。

【０１２２】図において、パッチアンテナ１６０は、ベ
ース基材である構成層１６０ａと、この構成層１６０ａ
上に形成されているパッチ導体１６９（アンテナパター
ン）と、このパッチ導体１６９に対向するように構成層
１６０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１６５とを有す
る。また、パッチ導体１６９の脇にこれと接続しないよ
うに給電用導体１６１を配置し、さらに、給電用導体１
６１は、給電用端子１６２に電気的に接続され、これら
で、パッチ導体１６９への給電を行うように構成したも
のである。

【０１２３】このとき、給電端子１６２は、めっき、タ
ーミネート、印刷、スパッタ、蒸着等によって、銅、
金、銀、パラジウム、白金、アルミニウム等の金属導体
により形成することができる。その他の構成要素は図４
５、４６と同様であり、同一構成要素には同一符号を付
して説明を省略する。これによって、全体としてパッチ
アンテナを構成する。

【０１２４】ここでは、構成層１６０ａに、本発明の複
合磁性体材料を用いることができる。これにより、数百
MHz以下の帯域の使用に適し、小型化を図ることができ
る。

【０１２５】なお、電極構成方法、層構成方法、ビア構
成方法、端子構成方法は、前記図４０〜４２の説明と同
様である。

【０１２６】図４９、図５０は、本発明の第５の態様の
多層型のパッチアンテナを示した図であり、図４９は透
視斜視図、図５０は断面図を表している。

【０１２７】図において、パッチアンテナ１７０は、ベ
ース基材である構成層１５０ａ、１５０ｂと、この構成
層１５０ａ、１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１
５９ａ，１５９ｅと、このパッチ導体１５９ａ，１５９
ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成された
ＧＮＤ導体１５５とを有する。そして、パッチ導体１５
９ａは、スルー導体１５４によって給電部１５３ａを介
して電気的に接続され、そこから給電される。また、パ
ッチ導体１５９ｅおよびＧＮＤ導体１５５は、スルー導
体１５４とは接続されないように、ギャップ１５６を設
け、その内側をスルー導体１５４が通って給電するよう
に構成する。このときパッチ導体１５９ｅへの給電は、
パッチ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５
４とのギャップによって形成される容量によって行われ
る。その他の構成要素は図４５、４６と同様であり、同
一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。これ
によって、全体としてパッチアンテナを構成する。

【０１２８】ここでは、構成層１５０ａ〜１５０ｂに、
本発明の複合磁性体材料を用いることが好ましく、目的
に応じて、各構成層をすべて同一材料としてもよく、異
なるものを組み合わせてもよく、さらには他の材料と組
み合わせることもできる。数百MHz帯域の使用に適し、
本発明の複合磁性体材料を用いることにより小型化を図
ることができる。

【０１２９】なお、電極構成方法、層構成方法、ビア構
成方法、端子構成方法は、前記図４０〜４２の説明と同
様である。

【０１３０】図５１、図５２は本発明の第６の態様６多
連型のパッチアンテナを示した図であり、図５１は透視
斜視図、図５２は断面図を表している。

【０１３１】この例では、図４９、５０において単独で
構成されていたパッチアンテナを、複数アレイ状に並べ
て４連とした態様を表している。図において、構成層１
５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ上に形成され
ているパッチ導体１５９ａ、１５９ｂ、１５９ｃ、１５
９ｄと、構成層１５０ｂ上に形成されているパッチ導体
１５９ｅ、１５９ｆ、１５９ｇ、１５９ｈと、このパッ
チ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５
０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。
その他の構成要素は図４９、５０と同様であり、同一構
成要素には同一符号を付して説明を省略する。本発明の
複合磁性体材料は構成層１５０ａ、１５０ｂに適用する
ことができる。

【０１３２】このようにアレイ状に形成することによ
り、セットの小型化と部品点数の削減が可能となる。

【０１３３】＜ＲＦユニット＞図５３〜図５６は、本発
明のＲＦユニットを示している。ここで図５３は斜視
図、図５４は外装部材を外した状態での斜視図、図５５
は各構成層の分解斜視図、図５６は断面図である。

【０１３４】図５３〜５６において、ＲＦユニットは、
ベース基材である構成層５００ａ〜５００ｉ（５００）
が積層された積層体の上に形成、配置されたコンデン
サ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品５６１
と、この構成層５００ａ〜５００ｉ中およびその上下面
に形成されている導体パターン５１３、５１５、５７２
と、アンテナパターン５７３を有する。特に、ＲＦユニ
ットの場合は、アンテナ、フィルター、コンデンサ、イ
ンダクタ、信号線、半導体への電源ライン等からなって
いるので、それぞれの機能に適した材料を層毎に適用す
る方が効果的である。

【０１３５】ここで示すのはその１例であり、他にも構
成方法は複数ある。ここで示すのはその１例であり、ア
ンテナ構成、ストリップライン構成および配線層５００
ａ〜５００ｄ、５００ｇには、使用周波数に合わせて調
整された誘電体材料を用い、コンデンサ構成層５００ｅ
〜５００ｆには、高誘電率の誘電体材料を用い、電源ラ
イン層５００ｈ〜５００ｉには、本発明の複合磁性体材
料を用いることが好ましい。

【０１３６】そして、これらの構成層５００ａ〜５００
ｉの表面には、アンテナ導体５７３、ＧＮＤ導体５１
５、共振器導体５１３、コンデンサ導体５７２、電源導
体５７１、インダクタ導体５７４が形成されている。ま
た、それぞれの内部導体はビアホール５１４により上下
層で接続され、表面にはマウントされた電子部品５６１
が搭載される。これにより、ＲＦユニットの機能を果す
ように構成する。

【０１３７】本発明の複合磁性体材料も含め、それぞれ
の機能に適した材料を選択することができ、高性能化、
小型、薄型化が可能となる。

【０１３８】＜共振器＞図５７、図５８は、本発明の第
１の態様の共振器を示している。ここで図５７は透視斜
視図、図５８は断面図である。

【０１３９】図５７、５８において、共振器は、ベース
基材６１０に貫通孔状の同軸型導電体６４１が形成され
ている。その形成方法は、図２９〜３３のブロックフィ
ルタと同様に、図３４に示されるような金型によって作
製され、作製方法についても図２９〜３３のブロックフ
ィルタと同様である。このようにして形成されたベース
基材６１０に、めっき、エッチング、印刷、スパッタ、
蒸着等により、銅、金、銀、パラジウム、白金、アルミ
ニウム等の表面ＧＮＤ導体６４７、およびこの表面ＧＮ
Ｄ導体６４７と端部電極６８２で接続された同軸導体６
４１と、同軸導体６４１と接続されている共振器用ＨＯ
Ｔ端子６８１等を形成する。そして、同軸導体６４１
は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であ
り、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体６４７が形成さ
れている。これによって、図６３（後述）に示す共振器
回路を構成する。

【０１４０】この場合は、共振器のベース基材６１０
に、本発明の複合磁性体材料を用いることができる。透
磁率を上げ、これにより、数百MHz以下の帯域で小型化
を図ることができる。

【０１４１】図５９、図６０は、本発明の第２の態様の
ストリップ共振器を示している。ここで図５９は透視斜
視図、図６０は断面図である。

【０１４２】図５９、６０において、ストリップ共振器
は、長方形状のストリップ導体７８４と、矩形状のＧＮ
Ｄ導体７８３とを、基材７１０内部に有し、前記長方形
状のストリップ導体７８４を挟むようにして矩形状のＧ
ＮＤ導体７８３を配置し、ストリップライン構造にした
ものである。そして、ストリップ導体７８４の両端に
は、共振器用ＨＯＴ端子７８１、およびＧＮＤ端子７８
２が接続されている。その他の形成方法は、図７、８の
インダクタと同様である。

【０１４３】この場合、共振器のベース基材７１０の材
料として、本発明の複合誘電体材料を用いることができ
る。透磁率を上げ、これにより、数百MHz以下の帯域で
小型化を図ることができる。

【０１４４】図６１は、本発明の第３の態様の共振器を
示す透視斜視図である。

【０１４５】図６１において、共振器は図５７、５８と
同様に、ベース基材８１０に２つの貫通孔状の同軸導電
体８４１，８４２が形成されている。このように、図５
７、５８と違うところは、同軸導体８４１をおり返して
いるところである。同軸導体８４１、８４２は、前記同
様、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であ
り、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体８４７が形成さ
れている。この際、ＨＯＴ端子８８１およびＧＮＤ端子
８８２が構成される側面と対向する側面に表面ＧＮＤ導
体８４７と接続しないように、同軸接続導体８８５を構
成する。これによって、全体として図６３に示す共振器
回路を構成する。

【０１４６】この場合、共振器のベース基材８１０に、
本発明の複合磁性体材料を用いることができる。透磁率
を上げ、これにより、数百MHz以下の帯域で、小型化を
図ることができる。

【０１４７】図６２は、本発明の第３の態様のストリッ
プ共振器を示す透視斜視図である。

【０１４８】図６２において、ストリップ共振器は図５
９、６０と同様であるが、図５９、６０と違うところ
は、ストリップ導体８８４をおり返しているところであ
り、コ字状のストリップ導体８８４を有する。ストリッ
プ導体８８４は、前記同様、ある特性インピーダンスを
もったストリップ線路であり、それをはさむように、ベ
ース基材８１０内に、内部ＧＮＤ導体８８３を形成す
る。この際、ＨＯＴ端子８８１およびＧＮＤ端子８８２
は、ベース基材８１０の側面に形成され、それらにスト
リップ導体８８４の両端が接続されるように折り曲げた
形状を持ったストリップ導体とする。これによって、全
体として図６３に示す共振器回路を構成する。

【０１４９】この場合、共振器のベース基材８１０に、
本発明の複合磁性体材料を用いることができる。透磁率
を上げ、これにより、数百MHz以下の帯域で、小型化を
図ることができる。

【０１５０】図６３は、図５７〜６２の共振器の等価回
路図を示している。図において、共振器用ＨＯＴ端子９
８１は同軸路、またはストリップラインから構成される
共振器９８４，９４１の一端に接続され、その他端には
ＧＮＤ端子９８２が接続されている。

【０１５１】これらと同様に、本発明の複合磁性体材料
を用いることにより、これらのほか、アイソレータ、サ
ーキュレータも多層化された小型のものを作製すること
が可能である。また、これまで説明した電子部品をさら
に複合化することにより、より高集積化、小型化が可能
である。

【０１５２】例えば、アンテナフロントエンドモジュー
ルや、アイソレータ・パワーアンプモジュール等の製品
も本発明の複合磁性体材料を使うことにより、小型化、
高集積化が可能となる。

【０１５３】例えば、このようなものとしては、図６４
のものを挙げることができる。

【０１５４】図６４は、本発明の携帯端末機器の高周波
部を示したブロック構成図である。

【０１５５】図において、ベースバンドユニット１０１
０から送出された送信信号は、ミキサー１００１により
混成回路１０２１からのＲＦ信号と混合される。この混
成回路１０２１には電圧制御発信回路（ＶＣＯ）１０２
０が接続されていて、フェーズロックループ回路１０１
９と共にシンセサイザー回路を構成し、所定の周波数の
ＲＦ信号が供給されるようになっている。

【０１５６】ミキサー１００１によりＲＦ変調が行われ
た送信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１００２
を経て、パワーアンプ１００３により増幅される。この
パワーアンプ１００３の出力の一部は、カプラ１００４
から取り出され、減衰器１００５で所定のレベルに調整
された後、再びパワーアンプ１００３に入力され、パワ
ーアンプの利得が一定になるように調整される。カプラ
１００４から送出された送信信号は、逆流防止用のアイ
ソレータ１００６、ローパスフィルター１００７を経て
デュプレクサ１００８に入力され、これと接続されてい
るアンテナ１００９から送信される。

【０１５７】アンテナ１００９に入力された受信信号
は、デュプレクサ１００８からアンプ１０１１に入力さ
れ、所定のレベルに増幅される。アンプ１０１１から出
力された受信信号は、バンドパスフィルター１０１２を
経てミキサー１０１３に入力される。このミキサー１０
１３には、前記混成回路１０２１からのＲＦ信号が入力
され、ＲＦ信号成分が除去され、復調される。ミキサー
１０１３から出力された受信信号は、ＳＡＷフィルター
１０１４を経てアンプ１０１５で増幅された後、ミキサ
ー１０１６に入力される。ミキサー１０１６には局部発
信回路１０１８から所定の周波数の局部発信信号が入力
され、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ
１０１７で所定のレベルに増幅された後、ベースバンド
ユニットへ送出される。

【０１５８】本発明では、上記アンテナ１００９、デュ
プレクサ１００８、ローパスフィルター１００７を含む
アンテナフロントエンドモジュール１２００や、アイソ
レータ１００６、カプラ１００４、減衰器１００５、パ
ワーアンプ１００３を含むアイソレータパワーアンプモ
ジュール１１００等を上記と同様の手法によりハイブリ
ッドモジュールとして構成することができる。また、こ
れら以外の構成要素を含むものをＲＦユニットとして構
成できることは既に図５３〜５６で示した通りであり、
ＢＰＦ等も図２１〜３９に示した手法に倣って構成する
ことができる。

【０１５９】本発明は、上記に例示した電子部品以外
に、上記同様の手法で、コイルコア、トロイダルコア、
クランプフィルタ、コモンモードフィルタ、ＥＭＣフィ
ルタ、電源用フィルタ、パルストランス、ロータリート
ランス、偏向コイル、チョークコイル、ＤＣ−ＤＣコン
バータ、ディレイライン、電波吸収シート、薄型電波吸
収体、電磁シールド、ダイプレクサ、デュプレクサ、ア
ンテナスイッチモジュール、アンテナフロントエンドモ
ジュール、アイソレータ・パワーアンプモジュール、Ｐ
ＬＬモジュール、フロントエンドモジュール、チューナ
ーユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー
（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、フェライト磁
石、モーター等に応用することができる。

【０１６０】

【実施例】次に、実施例により本発明を具体的に説明す
る。

【０１６１】実施例１硝酸鉄九水和物、硝酸マンガン六水和物および硝酸亜鉛
六水和物を、酸化物換算のモル比でFe2O3：MnO：ZnO=5
2：38：10となるように混合し、この混合物をフェライ
ト複合酸化物としてのモル濃度が１mol／1となるように
水に溶解して原料溶液とした。この溶液を、超音波噴霧
器を用いて微細な液滴とし、窒素をキャリアガスとし
て、電気炉で1600℃に加熱されたセラミック管中に供給
した。液滴は加熱ゾーンを通って熱分解され、マンガン
および亜鉛を含むフェライト複合酸化物微粉末を生成し
た。なおキャリアガス流量により、加熱ゾーンでの液滴
あるいは生成粉末の滞留時間が1〜10秒程度となるよう
に調節した。

【０１６２】このようにして、Ｆｅ2Ｏ3５２．６モル
％、ＭｎＯ４０．６％、ＺｎＯ６．８モル％の組成をも
ち、平均粒径約１．５μm 、球形度約１の真球状の単結
晶Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト粒子を得た。組成は、蛍光Ｘ
線分析により、粒径はＦＥ−ＳＥＭ（電界放射型走査電
子顕微鏡）により、単結晶であることはＴＥＭ（透過電
子顕微鏡）による電子線回折によって確認した。

【０１６３】また、平均粒径は堀場製作所製、レーザー
回折／散乱式粒度分布測定装置、ＬＡ−９２０により求
めた粒度分布により計算した。また、球形度は粒子の断
面を、樹脂に粒子を埋め込み、樹脂ごと研磨して出した
後、その粒子形状（外周形状）をＯＣＲを用い画像情報
として取り込み、画像処理によりその面積を求め、計算
により直径を算出した。さらに、前記粒子形状に、外接
円を直径が最小となるように描かせた後、その直径を求
めた。そして、これらにより求めた２つの直径からWade
ll の実用球状度により球形度を算出した。以下の各実
施例においても同様である。

【０１６４】このフェライト粉末とエポキシ樹脂（フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂）とを、フェライト粉
末：エポキシ樹脂＝４５：５５（体積比）の混合比で混
練し、厚み２mm、縦１００mm、横１００mmの成形体を作
製した。これを外径７mm、内径３mmのトロイダル状に加
工した。

【０１６５】これについて、１００MHzでの比透磁率を
測定したところ、４．０であった。

【０１６６】さらに、上記のように、フェライト粉末と
エポキシ樹脂との合計量を１００vol%とし、フェライト
粉末の添加量を表１に示すように変えたときの比透磁率
を、上記結果とともに、表１に示す。

【０１６７】

【表１】

【０１６８】フェライト粉末の添加量により透磁率を変
化させることができることがわかる。

【０１６９】なお、上記において、固相反応法（焼結
法）により得られた同様の組成のＭｎ−Ｚｎ系フェライ
トを得、破砕により平均粒径約２．５μm の微細粉末
（不定形）を用いる他は同様にして成形体を得たが、こ
れらにおいては、１００MHzでの比透磁率が上記に比べ
２０〜３０％程度減少することがわかった。

【０１７０】実施例２硝酸鉄九水和物、硝酸ニッケル六水和物および硝酸亜鉛
六水和物を、酸化物換算のモル比でほばＦｅ2Ｏ3：Ｎｉ
Ｏ：ＺｎＯ＝４９：２３：２８となるように混合し、こ
の混合物をフェライト複合酸化物としての濃度が１mol/
1となるように水に溶解して原料溶液とした。この溶液
を、超音波噴霧器を用いて微細な液滴とし、キャリアガ
スとして空気を用いる以外は実施例１と同様にして、ニ
ッケルおよび亜鉛を含むフェライト複合酸化物微粉末を
製造した。

【０１７１】得られた粉末は、Ｆｅ2Ｏ3５０．３モル
％、ＮｉＯ２７．０モル％、ＺｎＯ２２．７モル％の組
成をもち、平均粒径約１．５μm 、球形度約０．９８の
真球状の単結晶Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトであった。

【０１７２】このフェライト粉末とエポキシ樹脂（フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂）とを、フェライト粉
末：エポキシ樹脂＝４５：５５（体積比）の混合比で混
練し、実施例１と同様にして、成形体を得た。これにつ
いて、１００MHzでの比透磁率を測定したところ、３．
５であった。

【０１７３】さらに、実施例１と同様の基準で、フェラ
イト粉末の添加量を表２に示すようにかえたときの比透
磁率を、上記結果とともに、表２に示す。

【０１７４】

【表２】

【０１７５】フェライト粉末の添加量により透磁率を変
化させることができることがわかる。

【０１７６】なお、上記において、固相反応法（焼結
法）により得られた同様の組成のＮｉ−Ｚｎ系フェライ
トを得、破砕により平均粒径約２．５μm の微細粉末
（不定形）を用いる他は同様にして成形体を得たが、こ
れらにおいては、１００MHzでの比透磁率が上記に比べ
１０〜２０％程度減少することがわかった。

【０１７７】実施例３実施例２において、フェライト粉末の添加量を４５vol%
とした成形体の単結晶フェライト（Ｎｉ−Ｚｎ系）添加
複合材料と、固相反応法（焼結法）により得られた同様
の組成のフェライト破砕粉（不定形、平均粒径約２．５
μm ）を用いて同様にして得られた成形体であるフェラ
イト破砕粉（Ｎｉ−Ｚｎ系）添加複合材料とについて周
波数特性を調べた。Ｑについての結果を図６５に示す。
図６５より、単結晶フェライト粉末を用いる方が、従来
のフェライト破砕粉を用いたものに比べてＱ特性が改善
することがわかる。

【０１７８】実施例４実施例１と同じＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライト７５部
（質量）を、実施例１と同じエポキシ樹脂２５部（質
量）を含有するメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に加え、
ボールミルで混練してスラリー状のペーストを得た。

【０１７９】ガラスクロス（２０μm 厚）を上記ペース
ト中に含浸させ、乾燥させて、全厚１００μm のプリプ
レグを得た。

【０１８０】このプリプレグを加圧成形して成形材料を
得た。

【０１８１】なお、このものにおけるフェライト含有量
は７２．４％（質量百分率）、樹脂含有量は２４．８％
（質量百分率）、ガラスクロス含有量は１．０％（質量
百分率）である。なお、フェライトと樹脂との合計量を
１００vol%としたときのフェライトの占める割合は３７
vol%である。

【０１８２】この成形材料の１００MHzでの比透磁率は
３．５であり、また、樹脂のみに比べて強度の改善がみ
られることがわかった。

【０１８３】実施例５実施例２と同じＮｉ−Ｚｎ系単結晶フェライト７５部
（質量）を、実施例２と同じエポキシ樹脂２０部（質
量）を含有するメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に加え、
ボールミルで混練してスラリー状のペーストを得た。

【０１８４】ガラスクロス（２０μm 厚）を上記ペース
ト中に含浸させ、乾燥させて、全厚１００μm のプリプ
レグを得た。

【０１８５】このプリプレグを加圧成形して成形材料を
得た。

【０１８６】なお、このものにおけるフェライト含有量
は７２．４％（質量百分率）、樹脂含有量は２４．８％
（質量百分率）、ガラスクロス含有量は１．０％（質量
百分率）である。なお、フェライトと樹脂との合計量を
１００vol%としたときのフェライトの占める割合は３７
vol%である。

【０１８７】この成形材料の１００MHzでの比透磁率は
３．２であり、また、樹脂のみに比べて強度の改善がみ
られることがわかった。

【０１８８】実施例６実施例４、５において、エポキシ樹脂に対し４０％（質
量百分率）となるように難燃剤（ハロゲン化リン酸エス
テル：大八化学製ＣＲ９００）を添加するほかは同様に
してスラリー状のペーストを調製し、同様にして成形材
料を得た。

【０１８９】これらの成形材料では、実施例４、５の成
形材料と同等の特性が得られるほか、難燃化が図られ、
ＵＬ規格の９４Ｖ−０を満たすことがわかった。

【０１９０】実施例７図２１、２２および図３５〜３７で説明した積層構成に
準じ、ＴＶ用トップフィルタ（ハイパスフィルタ：９０
MHz帯）を作製した。この場合、ベース材料に、実施例
３の単結晶フェライト（Ｎｉ−Ｚｎ系）添加複合材料を
用いるほかは、従来の構成に準じた。なお、この場合の
材料はフィルタを構成したときに成形体となっていれば
よく、その形成工程において、実施例３とフェライト含
有率を同じにするほかは、適宜、ペースト、コンパウン
ド、プリプレグ等として用いた。これをフィルタNo.１
（本発明例）とする。

【０１９１】フィルタNo.１において、実施例３のフェ
ライト破砕粉（Ｎｉ−Ｚｎ系）添加複合材料を用いるほ
かは、同様にしてフィルタNo.２（従来例）を得た。

【０１９２】これらのフィルタNo.１、No.２について周
波数特性（伝達特性）を調べた。結果を図６６に示す。

【０１９３】図６６から、従来の破砕粉を用いたものに
比べ、単結晶フェライトを用いると、Ｑ特性の改善、透
磁率の向上によって、切れの良い周波数特性が得られる
ことがわかる。

【０１９４】

【発明の効果】本発明によれば、小型で、高性能で、加
工性が良く、比重が軽く、柔軟性のある、多層回路基板
を含めた電子部品を得ることができる。また、多層化し
ても、高い柔軟性のため、クラック、はがれ、そり等の
問題が起きにくいので、高機能の電子部品を作ることが
できる。さらには、焼成、厚膜印刷等の工程がないた
め、製造しやすく、不具合の起きにくいライン設計が可
能となる。また、ガラスクロス材を埋設することによ
り、より強度の高い電子部品が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いる銅箔付き基板の形成例を示す工
程図である。

【図２】本発明に用いる銅箔付き基板の形成例を示す他
の工程図である。

【図３】銅箔付き基板の形成例を示す工程図である。

【図４】銅箔付き基板の形成例を示す工程図である。

【図５】多層基板の形成例を示す工程図である。

【図６】多層基板の形成例を示す工程図である。

【図７】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す透視斜視図である。

【図８】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す断面図である。

【図９】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す透視斜視図である。

【図１０】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す断面図である。

【図１１】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す透視斜視図である。

【図１２】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す断面図である。

【図１３】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す透視斜視図である。

【図１４】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す断面図である。

【図１５】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
アレイを示す透視斜視図である。

【図１６】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す等価回路図である。

【図１７】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す透視斜視図である。

【図１８】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す断面図である。

【図１９】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す分解平面図である。

【図２０】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す等価回路図である。

【図２１】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
ターを示す斜視図である。

【図２２】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
ターを示す分解斜視図である。

【図２３】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
ターを示す等価回路図である。

【図２４】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
ターの伝達特性を示す図である。

【図２５】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
ターを示す斜視図である。

【図２６】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
ターを示す分解斜視図である。

【図２７】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
ターを示す等価回路図である。

【図２８】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
ターの伝達特性を示す図である。

【図２９】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルターを示す透視斜視図である。

【図３０】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルターを示す正面断面図である。

【図３１】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルターを示す側面断面図である。

【図３２】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルターを示す平面断面図である。

【図３３】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルターの等価回路を示す図である。

【図３４】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルターの金型を示す透視側面図である。

【図３５】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す透視斜視図である。

【図３６】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す断面図である。

【図３７】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す分解平面図である。

【図３８】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内
部結線を示す図である。

【図３９】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等
価回路を示す図である。

【図４０】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す透視斜視図である。

【図４１】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
説明するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側
面図、（ｃ）は正面図である。

【図４２】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す分解斜視図である。

【図４３】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す透視斜視図である。

【図４４】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す分解斜視図である。

【図４５】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す透視斜視図である。

【図４６】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す断面図である。

【図４７】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す透視斜視図である。

【図４８】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す断面図である。

【図４９】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す透視斜視図である。

【図５０】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す断面図である。

【図５１】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す透視斜視図である。

【図５２】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す断面図である。

【図５３】本発明の電子部品の構成例であるＲＦユニッ
トを示す透視斜視図である。

【図５４】本発明の電子部品の構成例であるＲＦユニッ
トを示す斜視図である。

【図５５】本発明の電子部品の構成例であるＲＦユニッ
トを示す分解斜視図である。

【図５６】本発明の電子部品の構成例であるＲＦユニッ
トを示す断面図である。

【図５７】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す透視斜視図である。

【図５８】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す断面図である。

【図５９】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す透視斜視図である。

【図６０】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す断面図である。

【図６１】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す透視斜視図である。

【図６２】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す透視斜視図である。

【図６３】本発明の電子部品の構成例である共振器の等
価回路を示す図である。

【図６４】本発明の電子部品の構成例である携帯機器の
高周波部を示すブロック図である。

【図６５】本発明の複合材料および従来の複合材料のＱ
についての周波数特性を示すグラフである。

【図６６】本発明のフィルターおよび従来のフィルター
の伝達特性を示すグラフである。

【符号の説明】

１０インダクタ１０ａ〜１０ｅ構成層１１ランドパターン１２貫通ビア１３内部導体（コイルパターン）１４インナービア４０バルントランス４０ａ〜４０ｏ構成層４５ＧＮＤ導体４３内部導体６０積層フィルター８０ブロックフィルター１１０カプラ１３０、１４０アンテナ１５０、１６０、１７０パッチアンテナ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4F100 AA33A AB33B AG00A AH02A AK01A AK53A BA02 BA07 DG15A DH01A EJ15 GB41 GB43 JG10 5E070 AA05 AA11 CB01 CB04 CB13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】平均粒径が０．１〜３０μm である、球
状の単結晶フェライトを樹脂中に分散させた複合磁性体
材料を用いた電子部品。
【請求項２】前記複合磁性体材料が強化繊維を含む請
求項１の電子部品。
【請求項３】前記複合磁性体材料における単結晶フェ
ライトと樹脂との合計量を１００vol%としたとき、前記
単結晶フェライトの含有量が５vol%以上７０vol%未満で
ある請求項１の電子部品。
【請求項４】溶剤中に平均粒径が０．１〜３０μm で
ある、球状の単結晶フェライト粉末、樹脂、必要により
難燃剤を含有するスラリーを調整し、これをガラスクロス上に塗工し、乾燥して、樹脂含浸ガ
ラスクロスとしてプリプレグを得、このプリプレグに金属箔を重ね加熱加圧して箔付き基板
を得る電子部品の製造方法。
【請求項５】溶剤中に平均粒径が０．１〜３０μm で
ある、球状の単結晶フェライト粉末、樹脂、必要により
難燃剤を含有するスラリーを調整し、このスラリーを金属箔上に塗工し、乾燥して金属箔付き
プリプレグを得、この金属箔付きプリプレグとガラスクロスとを重ねて加
熱加圧して箔付き基板を得る電子部品の製造方法。