JP2002174802A - 光アッテネータ - Google Patents
光アッテネータInfo
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 制御電流の変化に対して、ほぼ一定の減衰量
変化を示し、最大減衰量が大きい光アッテネータを得
る。 【解決手段】 偏光素子と、ファラデー回転子１１，１
２と、前記ファラデー回転子の磁化の方向を光路方向に
対して変化させるように制御する磁界印加手段を備える
光アッテネータにおいて、前記ファラデー回転子１１，
１２は略正方形板状のＢｉ置換希土類鉄ガーネット結晶
を用いて構成され、１枚のＢｉ置換希土類鉄ガーネット
結晶における光路方向の厚さａと略正方形の辺の長さｂ
との比ａ／ｂが０.５を超える値であり、好ましくは０.
６以上である光アッテネータとする。
変化を示し、最大減衰量が大きい光アッテネータを得
る。 【解決手段】 偏光素子と、ファラデー回転子１１，１
２と、前記ファラデー回転子の磁化の方向を光路方向に
対して変化させるように制御する磁界印加手段を備える
光アッテネータにおいて、前記ファラデー回転子１１，
１２は略正方形板状のＢｉ置換希土類鉄ガーネット結晶
を用いて構成され、１枚のＢｉ置換希土類鉄ガーネット
結晶における光路方向の厚さａと略正方形の辺の長さｂ
との比ａ／ｂが０.５を超える値であり、好ましくは０.
６以上である光アッテネータとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システム等
において光強度を減衰して調節する光アッテネータに係
り、特に、波長多重光通信装置に用いるのに好適な、フ
ァラデー回転子を備える可変型の光アッテネータに関す
る。
において光強度を減衰して調節する光アッテネータに係
り、特に、波長多重光通信装置に用いるのに好適な、フ
ァラデー回転子を備える可変型の光アッテネータに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電流によって、ファラデー回転角を制御
して、光の減衰を行う光アッテネータは、機械的な可動
部分を持たないために、信頼性の高い光アッテネータと
して動作する。特に、ファラデー回転子の磁化を飽和さ
せたまま、磁化の方向と光の透過方向のなす角度を変化
させて、ファラデー回転角を制御するファラデー回転子
を用いた光アッテネータは、磁区の変化による光の散乱
を起こさないので、偏波依存性と過剰損失の少ない減衰
器として動作する。
して、光の減衰を行う光アッテネータは、機械的な可動
部分を持たないために、信頼性の高い光アッテネータと
して動作する。特に、ファラデー回転子の磁化を飽和さ
せたまま、磁化の方向と光の透過方向のなす角度を変化
させて、ファラデー回転角を制御するファラデー回転子
を用いた光アッテネータは、磁区の変化による光の散乱
を起こさないので、偏波依存性と過剰損失の少ない減衰
器として動作する。
【０００３】図４は、従来の光アッテネータに使用され
る光学部品について、その配置を示す図である。図４に
示すように、光ファイバ４１ａを出射した光は、レンズ
４２ａにより平行光束に変換され、くさび形複屈折結晶
４３ａに入射する。この結晶を通過するとき、光の常光
成分と異常光成分は、それぞれの屈折率に応じた屈折を
受ける。次に、それぞれの光は可変ファラデー回転子４
４により、０〜９０°の偏光面の回転を受けた後、くさ
び形複屈折結晶４３ｂを透過して、レンズ４２ｂにより
収束光束に変換されて、一部の光が光ファイバ４１ｂに
結合する。
る光学部品について、その配置を示す図である。図４に
示すように、光ファイバ４１ａを出射した光は、レンズ
４２ａにより平行光束に変換され、くさび形複屈折結晶
４３ａに入射する。この結晶を通過するとき、光の常光
成分と異常光成分は、それぞれの屈折率に応じた屈折を
受ける。次に、それぞれの光は可変ファラデー回転子４
４により、０〜９０°の偏光面の回転を受けた後、くさ
び形複屈折結晶４３ｂを透過して、レンズ４２ｂにより
収束光束に変換されて、一部の光が光ファイバ４１ｂに
結合する。
【０００４】ここで、くさび形複屈折結晶４３ａと４３
ｂのｃ軸（光学軸）の方向は、ほぼ直交している。従っ
て、可変ファラデー回転子４４によるファラデー回転角
が、ほぼ９０°のとき、くさび形複屈折結晶４３ａを常
光として通過した光は、くさび形複屈折結晶４３ｂを同
じく常光として通過する。その結果、くさび形複屈折結
晶４３ａと４３ｂで受ける光の進行方向の変化は打ち消
し合い、すべての常光成分は光ファイバ４１ｂに結合す
る。また、くさび形複屈折結晶４３ａを異常光として通
過する光に対しても状況は同じである。
ｂのｃ軸（光学軸）の方向は、ほぼ直交している。従っ
て、可変ファラデー回転子４４によるファラデー回転角
が、ほぼ９０°のとき、くさび形複屈折結晶４３ａを常
光として通過した光は、くさび形複屈折結晶４３ｂを同
じく常光として通過する。その結果、くさび形複屈折結
晶４３ａと４３ｂで受ける光の進行方向の変化は打ち消
し合い、すべての常光成分は光ファイバ４１ｂに結合す
る。また、くさび形複屈折結晶４３ａを異常光として通
過する光に対しても状況は同じである。
【０００５】それに対して、ファラデー回転角が０°の
ときには、くさび形複屈折結晶の一方を常光として通過
する光は、他方を異常光として通過するために、２つの
くさび形複屈折結晶を通過するときの進行方向の変化は
打ち消し合わない。その結果、光は光ファイバ４１ｂに
結合しない。
ときには、くさび形複屈折結晶の一方を常光として通過
する光は、他方を異常光として通過するために、２つの
くさび形複屈折結晶を通過するときの進行方向の変化は
打ち消し合わない。その結果、光は光ファイバ４１ｂに
結合しない。
【０００６】従って、ファラデー回転角が９０°のと
き、減衰量はゼロであり、ファラデー回転角が０°に近
づくにつれて、減衰量が増大する。
き、減衰量はゼロであり、ファラデー回転角が０°に近
づくにつれて、減衰量が増大する。
【０００７】図５は、従来の光アッテネータに使用され
るファラデー回転子と磁気回路を示す斜視図である。図
５に示すように、コイル５４とヨーク５３により電磁石
が構成され、光路に垂直な方向に強度可変の磁界が発生
させられ、ヨーク５３の間隙には、３枚からなるファラ
デー回転子が備えられている。一方、光路に平行な方向
には、固定磁界が加えられている。
るファラデー回転子と磁気回路を示す斜視図である。図
５に示すように、コイル５４とヨーク５３により電磁石
が構成され、光路に垂直な方向に強度可変の磁界が発生
させられ、ヨーク５３の間隙には、３枚からなるファラ
デー回転子が備えられている。一方、光路に平行な方向
には、固定磁界が加えられている。
【０００８】コイル５４に流す電流がゼロのときには、
ファラデー回転子に加えられる磁界の方向は光路の方向
と一致し、約９０°のファラデー回転が生じる。コイル
５４に流す電流が増加すると、磁界の方向は電磁石の発
生する磁界の方向に近づき、ファラデー回転角は減少す
る。
ファラデー回転子に加えられる磁界の方向は光路の方向
と一致し、約９０°のファラデー回転が生じる。コイル
５４に流す電流が増加すると、磁界の方向は電磁石の発
生する磁界の方向に近づき、ファラデー回転角は減少す
る。
【０００９】従って、減衰量のダイナミックレンジを大
きくとるためには、ファラデー回転角を０〜９０°に渡
って変化させなけれならない。また、結晶内部にマクロ
の欠陥があると、結晶内部で磁化の方向がなめらかに変
化することができない。そこで、結晶成長上の要請か
ら、３枚のファラデー回転子が用いられている。
きくとるためには、ファラデー回転角を０〜９０°に渡
って変化させなけれならない。また、結晶内部にマクロ
の欠陥があると、結晶内部で磁化の方向がなめらかに変
化することができない。そこで、結晶成長上の要請か
ら、３枚のファラデー回転子が用いられている。
【００１０】従来の、可変ファラデー回転子を備えた光
アッテネータは、このように構成されていた。
アッテネータは、このように構成されていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光アッ
テネータにおいては、コイルに流す電流の変化に対する
減衰量の変化が一定でなく、また最大の減衰量が十分に
とれないということがあった。従来の光アッテネータに
おける減衰特性曲線を図３（ｂ）に示す。横軸は電磁石
に流す電流を示し、縦軸は光の減衰量を示す。電流が５
〜４０ｍＡにおいては、減衰量の立ち上がりは大きい
が、電流を増加させていっても、最大の減衰量が伸びて
行かない傾向を持っている。
テネータにおいては、コイルに流す電流の変化に対する
減衰量の変化が一定でなく、また最大の減衰量が十分に
とれないということがあった。従来の光アッテネータに
おける減衰特性曲線を図３（ｂ）に示す。横軸は電磁石
に流す電流を示し、縦軸は光の減衰量を示す。電流が５
〜４０ｍＡにおいては、減衰量の立ち上がりは大きい
が、電流を増加させていっても、最大の減衰量が伸びて
行かない傾向を持っている。
【００１２】従って、本発明の目的は、制御電流の変化
に対して、ほぼ一定の減衰量変化を示し、最大減衰量が
大きい光アッテネータを提供することである。
に対して、ほぼ一定の減衰量変化を示し、最大減衰量が
大きい光アッテネータを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、ファラデー回転子内の内部磁界をなめらかに変化さ
せる方法が考えられる。この観点からは、結晶の形状
は、反磁界が結晶内部で一定である回転楕円体であるこ
とが望ましい。しかし、実際には、この形状では、ファ
ラデー回転子が光に対する屈折力を持つことになり、使
いにくい面もあり、直方体状のファラデー回転子の方が
使い易い。
に、ファラデー回転子内の内部磁界をなめらかに変化さ
せる方法が考えられる。この観点からは、結晶の形状
は、反磁界が結晶内部で一定である回転楕円体であるこ
とが望ましい。しかし、実際には、この形状では、ファ
ラデー回転子が光に対する屈折力を持つことになり、使
いにくい面もあり、直方体状のファラデー回転子の方が
使い易い。
【００１４】そこで、本発明においては、ファラデー回
転子の結晶成長の条件を改善し、ファラデー回転子の光
路方向の厚さを増加させ、直方体形状において、その寸
法比率の選択の自由度を増加させた上で、結晶内部での
合成磁界ベクトルの方向をなめらかに変化させるよう
に、ファラデー回転子の形状を定める。
転子の結晶成長の条件を改善し、ファラデー回転子の光
路方向の厚さを増加させ、直方体形状において、その寸
法比率の選択の自由度を増加させた上で、結晶内部での
合成磁界ベクトルの方向をなめらかに変化させるよう
に、ファラデー回転子の形状を定める。
【００１５】即ち、本発明の光アッテネータは、偏光素
子と、ファラデー回転子と、前記ファラデー回転子の磁
化の方向を光路方向に対して変化させるように制御する
磁界印加手段を備える光アッテネータであって、前記フ
ァラデー回転子は略正方形板状のＢi置換希土類鉄ガー
ネット結晶を用いて構成され、１枚のＢｉ置換希土類鉄
ガーネット結晶における光路方向の厚さａと略正方形の
辺の長さｂとの比ａ／ｂが０.５を超える値であり、好
ましくは０.６以上である光アッテネータである。
子と、ファラデー回転子と、前記ファラデー回転子の磁
化の方向を光路方向に対して変化させるように制御する
磁界印加手段を備える光アッテネータであって、前記フ
ァラデー回転子は略正方形板状のＢi置換希土類鉄ガー
ネット結晶を用いて構成され、１枚のＢｉ置換希土類鉄
ガーネット結晶における光路方向の厚さａと略正方形の
辺の長さｂとの比ａ／ｂが０.５を超える値であり、好
ましくは０.６以上である光アッテネータである。
【００１６】また、本発明は、前記Ｂｉ置換希土類鉄ガ
ーネット結晶は、液相エピタキシャル法によって作製さ
れ、この結晶成長過程において生じた、構成元素の選択
的な配列に起因する磁気異方性を結晶成長後の熱処理に
よって除去した光アッテネータである。
ーネット結晶は、液相エピタキシャル法によって作製さ
れ、この結晶成長過程において生じた、構成元素の選択
的な配列に起因する磁気異方性を結晶成長後の熱処理に
よって除去した光アッテネータである。
【００１７】また、本発明は、前記ファラデー回転子の
保磁力Ｈcを２０Ｏe以下にする 光アッテネータであ
る。
保磁力Ｈcを２０Ｏe以下にする 光アッテネータであ
る。
【００１８】また、本発明は、前記磁界印加手段を、永
久磁石による光路方向の固定磁界と、光路方向に略垂直
な磁界を発生する電磁石と、この電磁石に流す電流を調
節できる可変電流電源から構成する光アッテネータであ
る。
久磁石による光路方向の固定磁界と、光路方向に略垂直
な磁界を発生する電磁石と、この電磁石に流す電流を調
節できる可変電流電源から構成する光アッテネータであ
る。
【００１９】また、本発明は、前記ファラデー回転子
を、Ｇd３−ｘＢiｘＦe５−ｙ−ｚＡl ｙＧaｚＯ
１２（ただし、０＜ｘ＜１.５，０≦ｙ＜０.５，０≦ｚ
＜０.５）である結晶を用いる光アッテネータである。
を、Ｇd３−ｘＢiｘＦe５−ｙ−ｚＡl ｙＧaｚＯ
１２（ただし、０＜ｘ＜１.５，０≦ｙ＜０.５，０≦ｚ
＜０.５）である結晶を用いる光アッテネータである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施に形態によ
る光アッテネータについて説明する。
る光アッテネータについて説明する。
【００２１】図１は、本発明の実施の形態による光アッ
テネータを示す斜視図である。
テネータを示す斜視図である。
【００２２】図２は、本発明の実施の形態による光アッ
テネータに使用される光学部品の配置を示す斜視図であ
る。２１ａ，２１ｂは光ファイバ、２２ａ，２２ｂはレ
ンズ、２３ａ，２３ｂはくさび形複屈折結晶であり、２
４はファラデー回転子の組であり、２枚のファラデー回
転子１１および１２から成る。
テネータに使用される光学部品の配置を示す斜視図であ
る。２１ａ，２１ｂは光ファイバ、２２ａ，２２ｂはレ
ンズ、２３ａ，２３ｂはくさび形複屈折結晶であり、２
４はファラデー回転子の組であり、２枚のファラデー回
転子１１および１２から成る。
【００２３】ファラデー回転子を、図１を参照して、さ
らに詳しく説明する。ファラデー回転子１１，１２に
は、光路に平行な固定磁界と、ヨーク１３およびコイル
１４によって構成される電磁石の磁界が印加されてい
る。なお、ヨーク１３は、ケイ素鋼を素材として作製し
た。また、コイル１４に流す電流は、可変電流電源によ
り変化させた。
らに詳しく説明する。ファラデー回転子１１，１２に
は、光路に平行な固定磁界と、ヨーク１３およびコイル
１４によって構成される電磁石の磁界が印加されてい
る。なお、ヨーク１３は、ケイ素鋼を素材として作製し
た。また、コイル１４に流す電流は、可変電流電源によ
り変化させた。
【００２４】ファラデー回転子１１，１２の素材結晶
は、（ＧdＢi)３(ＦeＡlＧa)５Ｏ１２単結晶であり、非
磁性のガーネット基板上に液相エピタキシャル法で作製
し、結晶成長のときの構成元素の選択的な配列によって
生じた磁気異方性を除去するために、１１００℃以上
で、１０時間以上の熱処理を行った。
は、（ＧdＢi)３(ＦeＡlＧa)５Ｏ１２単結晶であり、非
磁性のガーネット基板上に液相エピタキシャル法で作製
し、結晶成長のときの構成元素の選択的な配列によって
生じた磁気異方性を除去するために、１１００℃以上
で、１０時間以上の熱処理を行った。
【００２５】また、得られた（ＧdＢi)３(ＦeＡlＧa)５
Ｏ１２ 単結晶の飽和磁化４πＭsは１５０Ｇaussであ
り、保磁力Ｈcは約１０Ｏeであった。
Ｏ１２ 単結晶の飽和磁化４πＭsは１５０Ｇaussであ
り、保磁力Ｈcは約１０Ｏeであった。
【００２６】さらに、ファラデー回転子１１と１２の形
状は正方形板状であり、寸法は厚さａが０.５５ｍｍ、
光学面の辺の長さｂが０.８ｍｍであり、光学面には無
反射コートを行った。
状は正方形板状であり、寸法は厚さａが０.５５ｍｍ、
光学面の辺の長さｂが０.８ｍｍであり、光学面には無
反射コートを行った。
【００２７】図３は、本発明の実施の形態および従来の
光アッテネータにおける減衰特性を示す図である。図３
（ａ）は、本発明の実施の形態による光アッテネータに
おける減衰特性を示す図であり、また、図３（ｂ）は、
従来例として既に説明した光アッテネータの減衰特性を
示す図である。
光アッテネータにおける減衰特性を示す図である。図３
（ａ）は、本発明の実施の形態による光アッテネータに
おける減衰特性を示す図であり、また、図３（ｂ）は、
従来例として既に説明した光アッテネータの減衰特性を
示す図である。
【００２８】図３（ａ）において、横軸はコイルに流す
制御電流を示し、縦軸は光の減衰量を示している。電流
が５ｍＡから８０ｍＡの範囲において、減衰量は１.２
３ｄＢから２８.０ dＢまで、ほぼ直線的に変化してい
る。また、この図とは、別に、偏波依存性損失（ＰＤ
Ｌ）は、電流値とともに少しずつ増加するが、減衰量１
９.５ dＢにおける偏波依存性損失（ＰＤＬ）は０.５ｄ
Ｂであった。
制御電流を示し、縦軸は光の減衰量を示している。電流
が５ｍＡから８０ｍＡの範囲において、減衰量は１.２
３ｄＢから２８.０ dＢまで、ほぼ直線的に変化してい
る。また、この図とは、別に、偏波依存性損失（ＰＤ
Ｌ）は、電流値とともに少しずつ増加するが、減衰量１
９.５ dＢにおける偏波依存性損失（ＰＤＬ）は０.５ｄ
Ｂであった。
【００２９】一方、従来例を示す図３（ｂ）において
は、電流の増加とともに、減衰量が飽和する傾向を示
し、最大値も電流値８５ｍＡにおいて、２３.５ dＢに
留まっている。また、電流４０ｍＡ付近において、偏波
依存性損失（ＰＤＬ）が増大し、０.８ｄＢを越えた。
なお、このとき用いたファラデー回転子は正方形板状で
あり、正方形の辺の長さが０.８ｍｍであり、厚さが０.
３７ｍｍのものが３枚から成っている。
は、電流の増加とともに、減衰量が飽和する傾向を示
し、最大値も電流値８５ｍＡにおいて、２３.５ dＢに
留まっている。また、電流４０ｍＡ付近において、偏波
依存性損失（ＰＤＬ）が増大し、０.８ｄＢを越えた。
なお、このとき用いたファラデー回転子は正方形板状で
あり、正方形の辺の長さが０.８ｍｍであり、厚さが０.
３７ｍｍのものが３枚から成っている。
【００３０】次に、図１に示したファラデー回転子と同
様の可変ファラデー回転子を用いて、電流の変化に対し
て、ファラデー回転角がなめらかに変化する条件を見つ
けるために行った実験について説明する。
様の可変ファラデー回転子を用いて、電流の変化に対し
て、ファラデー回転角がなめらかに変化する条件を見つ
けるために行った実験について説明する。
【００３１】ａ＝０.４５〜０.６ｍｍ、ｂ＝０.６〜１.
０ｍｍの範囲で、２枚の正方形板状ファラデー回転子を
組み合わせて用い、電磁石の電流を変化させて、ファラ
デー回転角の変化を調べた。
０ｍｍの範囲で、２枚の正方形板状ファラデー回転子を
組み合わせて用い、電磁石の電流を変化させて、ファラ
デー回転角の変化を調べた。
【００３２】その結果、ａ/ｂが０.５未満では、１枚あ
たりのファラデー回転角が１０°付近において、ファラ
デー回転角の変化に不可逆的な振る舞いが観察された。
それに対して、ａ/ｂが０.５以上であると、ファラデー
回転角の変化は、なめらかになり、光アッテネータを製
作したところ、減衰量と偏波依存性損失（ＰＤＬ）にお
いて、実用的に使用可能なものができた。
たりのファラデー回転角が１０°付近において、ファラ
デー回転角の変化に不可逆的な振る舞いが観察された。
それに対して、ａ/ｂが０.５以上であると、ファラデー
回転角の変化は、なめらかになり、光アッテネータを製
作したところ、減衰量と偏波依存性損失（ＰＤＬ）にお
いて、実用的に使用可能なものができた。
【００３３】特に、ａ/ｂが０.６以上のとき、光減衰量
の電流値に対する直線性、最大減衰量、および偏波依存
性損失（ＰＤＬ）において、優れた特性が得られた。
の電流値に対する直線性、最大減衰量、および偏波依存
性損失（ＰＤＬ）において、優れた特性が得られた。
【００３４】なお、ａ/ｂが０.６以上であっても、結晶
成長条件の改善によって得られる、優れた均一性を持つ
結晶でなければ、実用的に使用可能な光アッテネータの
ファラデー回転子として用いることはできない。
成長条件の改善によって得られる、優れた均一性を持つ
結晶でなければ、実用的に使用可能な光アッテネータの
ファラデー回転子として用いることはできない。
【００３５】また、ガーネット単結晶の保磁力Ｈcが２
０Ｏeを越えると、電磁石の電流変化によって、ファラ
デー回転角をなめらかに変化させることができなくな
る。
０Ｏeを越えると、電磁石の電流変化によって、ファラ
デー回転角をなめらかに変化させることができなくな
る。
【００３６】以上説明したように、ガーネット厚膜を用
いたファラデー回転子において、その厚さを増加させる
ように寸法比を選択したところ、減衰特性の優れた光ア
ッテネータを作製することができた。
いたファラデー回転子において、その厚さを増加させる
ように寸法比を選択したところ、減衰特性の優れた光ア
ッテネータを作製することができた。
【００３７】ところで、ガーネット厚膜Ｇd３−ｘＢiｘ
Ｆe５−ｙ−ｚＡlｙＧaｚＯ１２の組成は、次のように
選ばれる。Ｂiの置換量ｘについては、大きいほうが、
ファラデー回転能を上げるので好ましいが、実際には結
晶成長上の制限から、１.５未満が選ばれる。
Ｆe５−ｙ−ｚＡlｙＧaｚＯ１２の組成は、次のように
選ばれる。Ｂiの置換量ｘについては、大きいほうが、
ファラデー回転能を上げるので好ましいが、実際には結
晶成長上の制限から、１.５未満が選ばれる。
【００３８】また、Ａlの置換量ｙとＧaの置換量ｚにつ
いては、いずれも大きくするほど、飽和磁化４πＭＳを
低下させるので、大きいほうが、電磁石の電流を減らす
ことができる。しかし、ファラデー回転能の温度依存性
の制限などから０.５未満が選ばれる。
いては、いずれも大きくするほど、飽和磁化４πＭＳを
低下させるので、大きいほうが、電磁石の電流を減らす
ことができる。しかし、ファラデー回転能の温度依存性
の制限などから０.５未満が選ばれる。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、光の減衰量を制御する
電流の変化に対して、ほぼ一定の減衰量変化を示し、最
大減衰量を大きくとることができる光アッテネータを提
供することができる。
電流の変化に対して、ほぼ一定の減衰量変化を示し、最
大減衰量を大きくとることができる光アッテネータを提
供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による光アッテネータに使
用されるファラデー回転子と磁気回路を示す斜視図。
用されるファラデー回転子と磁気回路を示す斜視図。
【図２】本発明の実施の形態による光アッテネータに使
用される光学部品について、その配置を示す斜視図。
用される光学部品について、その配置を示す斜視図。
【図３】本発明の実施の形態および従来の光アッテネー
タにおける減衰特性を示す図。図３(ａ)は 本発明の実
施の一形態の光アッテネータにおける減衰特性を示す
図、図３(ｂ)は従来の光アッテネータにおける減衰特性
を示す図。
タにおける減衰特性を示す図。図３(ａ)は 本発明の実
施の一形態の光アッテネータにおける減衰特性を示す
図、図３(ｂ)は従来の光アッテネータにおける減衰特性
を示す図。
【図４】従来の光アッテネータに使用される光学部品に
ついて、その配置を示す図。
ついて、その配置を示す図。
【図５】従来の光アッテネータに使用されるファラデー
回転子と磁気回路を示す斜視図。
回転子と磁気回路を示す斜視図。
１１，１２，５１ ファラデー回転子 １３，５３ ヨーク １４，５４ コイル ２１ａ，２１ｂ，４１ａ，４１ｂ 光ファイバ ２２ａ，２２ｂ，４２ａ，４２ｂ レンズ ２３ａ，２３ｂ，４３ａ，４３ｂ くさび形複屈折結
晶 ２４ ファラデー回転子の組 ４４ 可変ファラデー回転子
晶 ２４ ファラデー回転子の組 ４４ 可変ファラデー回転子
Claims (5)
- 【請求項１】 偏光素子と、ファラデー回転子と、前記
ファラデー回転子の磁化の方向を光路方向に対して変化
させるように制御する磁界印加手段を備える光アッテネ
ータにおいて、前記ファラデー回転子は略正方形板状の
Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット結晶を用いて構成され、１
枚のＢｉ置換希土類鉄ガーネット結晶における光路方向
の厚さａと略正方形の辺の長さｂとの比ａ／ｂが０.５
以上であることを特徴とする光アッテネータ。 - 【請求項２】 前記Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット結晶
は、液相エピタキシャル法によって作製され、この結晶
成長過程において生じた、構成元素の選択的な配列に起
因する磁気異方性を結晶成長後の熱処理によって除去し
たものであることを特徴とする請求項１記載の光アッテ
ネータ。 - 【請求項３】 前記Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット結晶の
保持力Ｈｃが２０Ｏe以下であることを特徴とする請求
項１または２のいずれかに記載の光アッテネータ。 - 【請求項４】 前記磁界印加手段は、永久磁石による光
路方向の固定磁界と、光路方向に略垂直な磁界を発生す
る電磁石と、この電磁石に流す電流を調節できる可変電
流電源とから成ることを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の光アッテネータ。 - 【請求項５】 前記Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット結晶
は、Ｇd３−ｘＢiｘＦe５−ｙ−ｚＡlｙＧaｚＯ
１２（ただし、０＜ｘ＜１.５，０≦ｙ＜０.５，０≦ｚ
＜０.５）であることを特徴とする請求項１ないし４の
いずれかに記載の光アッテネータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374677A JP2002174802A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 光アッテネータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374677A JP2002174802A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 光アッテネータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002174802A true JP2002174802A (ja) | 2002-06-21 |
Family
ID=18843819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000374677A Pending JP2002174802A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 光アッテネータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002174802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141492A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Casio Computer Co Ltd | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
-
2000
- 2000-12-08 JP JP2000374677A patent/JP2002174802A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141492A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Casio Computer Co Ltd | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
| JP4645732B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2011-03-09 | カシオ計算機株式会社 | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
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