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JP2002162332A - Method for producing near-field optical probe, apparatus for producing near-field optical probe, and near-field optical probe, near-field optical microscope, near-field optical fine processing apparatus, and near-field optical recording / reproducing apparatus - Google Patents

Method for producing near-field optical probe, apparatus for producing near-field optical probe, and near-field optical probe, near-field optical microscope, near-field optical fine processing apparatus, and near-field optical recording / reproducing apparatus

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Publication number
JP2002162332A
JP2002162332A JP2000358816A JP2000358816A JP2002162332A JP 2002162332 A JP2002162332 A JP 2002162332A JP 2000358816 A JP2000358816 A JP 2000358816A JP 2000358816 A JP2000358816 A JP 2000358816A JP 2002162332 A JP2002162332 A JP 2002162332A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
field optical
optical probe
probe
field
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000358816A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Kuroda
亮 黒田
Yasuhisa Inao
耕久 稲生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2000358816A priority Critical patent/JP2002162332A/en
Publication of JP2002162332A publication Critical patent/JP2002162332A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】近接場光プローブをレーザ光の照射により曲げ
加工を行う場合に、照射されるレーザ光によって探針先
端が溶融して丸まることが防止され、高い分解能の近接
場光プローブを作製することが可能となる近接場光プロ
ーブの作製方法と近接場光プローブの作製装置、及び近
接場光プローブ、近接場光学顕微鏡、近接場光微細加工
装置、近接場光記録再生装置を提供する。 【解決手段】レーザ光の照射により照射部分を溶融し、
根元部分に対して探針を有する先端部分を曲げるように
する曲げ加工を行って、近接場光プローブを作製する近
接場光プローブの作製方法において、前記近接場光プロ
ーブが、前記レーザ光の照射方向である垂直方向に対
し、ずらした角度から該レーザ光の照射を受けるように
して、曲げ加工を行う。
[PROBLEMS] When a near-field optical probe is bent by irradiating a laser beam, the tip of the probe is prevented from being melted and rounded by the irradiated laser beam, and a near-field with high resolution is provided. Near field optical probe manufacturing method and near field optical probe manufacturing apparatus capable of manufacturing optical probe, near field optical probe, near field optical microscope, near field optical fine processing apparatus, near field optical recording / reproducing apparatus I will provide a. An irradiation part is melted by irradiation with laser light,
In a method for producing a near-field optical probe, which performs a bending process so as to bend a tip portion having a probe with respect to a root portion, to produce a near-field optical probe, wherein the near-field optical probe is irradiated with the laser light. The bending process is performed so that the laser beam is irradiated from an angle shifted from the vertical direction.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、近接場光プローブ
の作製方法と近接場光プローブの作製装置、及び近接場
光プローブ、近接場光学顕微鏡、近接場光微細加工装
置、近接場光記録再生装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a near-field optical probe, an apparatus for manufacturing a near-field optical probe, a near-field optical probe, a near-field optical microscope, a near-field optical fine processing apparatus, and a near-field optical recording / reproduction. It concerns the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、STM(走査型トンネル顕微鏡)
やAFM(原子間力顕微鏡)に代表されるSPM(走査
型プローブ顕微鏡)技術の進展により、先端を尖らせた
プローブを試料に対して100nm以下の距離まで近づ
けることにより、顕微鏡としての分解能を飛躍的に向上
させることが可能となり、原子や分子サイズのものを観
察できるようになった。光に関してもSPMのファミリ
ーとして、尖鋭な光プローブ先端の微小開口から滲み出
すエバネッセント光を利用して試料表面状態を調べる近
接場光学顕微鏡(以下SNOMと略す)[EP0112
401,Durig他,J.Appl.Phys.vo
l.59,p.3318(1986)]や、試料裏面か
らプリズムを介して全反射の条件で光を入射させ、試料
表面へしみ出す近接場光を試料表面から光プローブで検
出して試料表面を調べるフォトンSTM(以下PSTM
と略す)[Reddick他,Phys.Rev.B
vol.39,p.767(1989)]も開発され
た。上記SNOMを用いることにより、100nm以下
の微小な領域にアクセスし、光学的情報を検出すること
ができる。SNOMに用いる光プローブの作製方法とし
て、光ファイバを化学エッチングし、コアとクラッドの
材質の違いによるエッチング速度の違いを利用して、光
ファイバの先端を尖鋭化する方法が提案されている(特
開平5−241076号公報)。また、光ファイバやピ
ペットを引張った状態でその一部分をヒーター加熱やレ
ーザー照射、放電により溶融し、延伸することにより尖
鋭化する方法も提案されている(米国特許第49174
62号明細書)。さて、SNOMにおいて試料表面に対
し、光プローブ先端の位置を近接場光の作用の及ぶ10
0nm以下の距離に制御するための方式として、いくつ
かの方式が提案されている。第1の方式は、光プローブ
を試料表面に対して平行方向に振動させ、光プローブ先
端と試料表面との間に働く横方向のファンデルワールス
力であるシアーフォースを検出し、これを一定に保つよ
うに距離制御を行うシアーフォース方式である。第2の
方式は、光プローブとしてカンチレバー形の光プローブ
を用い、光プローブ先端と試料表面の間に働くファンデ
ルワールス力や原子間力を検出し、これを一定に保つよ
うに距離制御行うAFM方式である。ここで、AFM方
式に用いるカンチレバータイプの光プローブとしては、
ピペットや光ファイバーの先端を加工して突起の先端に
光学的微小開口を形成し、さらに、CO2レーザー光等
を照射することによりピペットや光ファイバーを曲げて
カンチレバーとしての機能を持たせる方法が提案されて
いる(米国特許第5677978号明細書、特開平7−
174542号公報)。
2. Description of the Related Art In recent years, STM (scanning tunneling microscope)
With the development of SPM (scanning probe microscope) technology, which is represented by AFM (atomic force microscope), the resolution of the microscope is increased by bringing the probe with a sharpened tip closer to the sample to a distance of 100 nm or less. It has become possible to observe atomic and molecular sizes. As for light, as a family of SPMs, a near-field optical microscope (hereinafter abbreviated as SNOM) [EP0112] for examining the surface state of a sample using evanescent light oozing from a minute aperture at the tip of a sharp optical probe.
401, Durig et al. Appl. Phys. vo
l. 59, p. 3318 (1986)] or a photon STM (hereinafter, referred to as a probe) in which light is made incident from the back surface of a sample via a prism under the condition of total reflection, and near-field light seeping onto the sample surface is detected from the sample surface with an optical probe to inspect the sample surface. PSTM
[Reddick et al., Phys. Rev .. B
vol. 39, p. 767 (1989)]. By using the SNOM, it is possible to access a minute area of 100 nm or less and detect optical information. As a method of manufacturing an optical probe used for SNOM, a method has been proposed in which an optical fiber is chemically etched and the tip of the optical fiber is sharpened by utilizing a difference in etching rate due to a difference in material between a core and a clad. JP-A-5-241076). Also, a method has been proposed in which a portion of an optical fiber or a pipette is melted by heating with a heater, irradiating a laser beam, or discharging while a pipette is stretched, and is sharpened by stretching (US Pat. No. 49174).
62 specification). Now, in the SNOM, the position of the tip of the optical probe is determined by the influence of the near-field light on the sample surface.
Several methods have been proposed for controlling the distance to 0 nm or less. In the first method, the optical probe is vibrated in a direction parallel to the sample surface, and a shear force, which is a lateral van der Waals force acting between the tip of the optical probe and the sample surface, is detected, and this is fixed. This is a shear force method that performs distance control to maintain the distance. The second method uses an cantilever-type optical probe as an optical probe, detects van der Waals force or interatomic force acting between the tip of the optical probe and the sample surface, and performs an AFM that performs distance control to keep the force constant. It is a method. Here, as a cantilever type optical probe used in the AFM method,
A method has been proposed in which the tip of the pipette or optical fiber is processed to form an optical micro opening at the tip of the projection, and the pipette or optical fiber is bent by irradiating CO 2 laser light or the like to have a function as a cantilever. (U.S. Pat. No. 5,679,978;
174542).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような尖鋭化させた光ファイバやピペットを曲げてカン
チレバー化する光プローブ作製方法には、次のような問
題点を有している。図8にCO2レーザ照射の際に尖鋭
化した光ファイバ(細線化光ファイバ801)を水平に
支持した例を示す。図8において、水平に支持された細
線化光ファイバ801に対して、先端から少し手前の位
置にCO2レーザ光802を照射すると、レーザ光照射
位置805が溶融し、図中の上方に曲がる。この結果、
前工程の化学エッチングにおいて尖鋭化された探針先端
803がCO2レーザ光の照射範囲に入り、尖鋭化され
た先端が溶融して先端が丸まった探針804となる。こ
の結果、後述の開口形成工程で形成される開口径も大き
くなってしまい、近接場光プローブとしての分解能が低
下してしまう。
However, the above-mentioned method for manufacturing an optical probe in which a sharpened optical fiber or pipette is bent to form a cantilever has the following problems. FIG. 8 shows an example in which a sharpened optical fiber (thinned optical fiber 801) is horizontally supported during CO 2 laser irradiation. In FIG. 8, when the CO 2 laser beam 802 is irradiated to a position slightly short from the tip of the thinned optical fiber 801 supported horizontally, the laser beam irradiation position 805 is melted and bent upward in the figure. As a result,
The sharpened tip 803 in the chemical etching in the previous step enters the irradiation range of the CO 2 laser beam, and the sharpened tip melts to form a rounded tip 804. As a result, the diameter of an opening formed in an opening forming step to be described later becomes large, and the resolution as a near-field optical probe is reduced.

【0004】そこで、本発明は、上記従来のものにおけ
る課題を解決し、近接場光プローブをレーザ光の照射に
より曲げ加工を行う場合に、照射されるレーザ光によっ
て探針先端が溶融して丸まることが防止され、高い分解
能の近接場光プローブを作製することが可能となる近接
場光プローブの作製方法と近接場光プローブの作製装
置、及び近接場光プローブ、近接場光学顕微鏡、近接場
光微細加工装置、近接場光記録再生装置を提供すること
を目的とするものである。
In view of the above, the present invention solves the above-mentioned problems in the prior art. When a near-field optical probe is bent by irradiating a laser beam, the tip of the probe is melted and rounded by the irradiated laser beam. Near-field optical probe manufacturing method and near-field optical probe manufacturing apparatus, near-field optical probe, near-field optical probe, near-field optical microscope, near-field light It is an object of the present invention to provide a fine processing device and a near-field optical recording / reproducing device.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、つぎの(1)〜(12)のように構成し
た近接場光プローブの作製方法と近接場光プローブの作
製装置、及び近接場光プローブ、近接場光学顕微鏡、近
接場光微細加工装置、近接場光記録再生装置を提供する
ものである。 (1)レーザ光の照射により照射部分を溶融し、根元部
分に対して探針を有する先端部分を所定角度に曲げ加工
を行って、近接場光プローブを作製する近接場光プロー
ブの作製方法において、前記近接場光プローブが、前記
レーザ光の照射方向である垂直方向に対し、ずらした角
度から該レーザ光の照射を受けるようにして、曲げ加工
を行うことを特徴とする近接場光プローブの作製方法。 (2)前記曲げ加工において、曲げストッパーを配置
し、前記近接場光プローブの曲げ角度を制限することを
特徴とする上記(1)に記載の近接場光プローブの作製
方法。 (3)レーザ光の照射により照射部分を溶融して根元部
分に対して探針を有する先端部分を所定角度に曲げる曲
げ加工手段を備えた近接場光プローブの作製装置におい
て、前記曲げ加工手段が、前記レーザ光の照射方向であ
る垂直方向からずらした角度で、前記近接場光プローブ
を支持する支持手段を有し、該支持手段によって支持さ
れた近接場光プローブが該レーザ光の照射方向とずらし
た角度から該レーザ光の照射を受けるように構成されて
いることを特徴とする近接場光プローブの作製装置。 (4)前記曲げ加工手段が、曲げストッパーを備え、該
曲げストッパーによって前記近接場光プローブの曲げ角
度を制限するように構成されていることを特徴とする上
記(3)に記載の近接場光プローブの作製装置。 (5)上記(1)〜(2)のいずれかに記載の近接場光
プローブの作製方法、または上記(3)〜(4)のいず
れかに記載の近接場光プローブの作製装置によって作製
された近接場光プローブを用い、前記曲げ加工によって
曲げられた先端部分と該根元部分に対して遮光材料を成
膜する工程を、該先端部分に対する第1の成膜工程と該
根元部分に対する第2の成膜工程との二段階に分け、こ
れら各成膜工程での成膜に際し、それぞれの異なる軸回
りにプローブを回転させながら、その回転軸と垂直な方
向からプローブ表面に遮光材料による成膜を行うことを
特徴とする近接場光プローブの作製方法。 (6)前記第1の成膜工程において、前記回転軸に垂直
な方向に対して前記近接場光プローブの根元部分を支持
する角度を、該近接場光プローブを使用する装置に取り
付ける際に該近接場光プローブの根元部分が該近接場光
プローブ先端を対向させる試料表面に対してなす角度と
一致させることを特徴とする上記(5)に記載の近接場
光プローブの作製方法。 (7)上記(1)〜(2)のいずれかに記載の近接場光
プローブの作製方法、または上記(3)〜(4)のいず
れかに記載の近接場光プローブの作製装置、または上記
(5)〜(6)のいずれかに記載の近接場光プローブの
作製方法によって作製された近接場光プローブ。 (8)上記(7)に記載の近接場光プローブによって、
該近接場光プローブの先端が片持ち梁の自由端となるよ
うに基板に支持する一方、前記基板に一端が支持された
該近接場光プローブとは別の棒状部材の他端を、前記近
接場光プローブの先端近傍に接合して、該近接場光プロ
ーブと該棒状部材とでV字形が形成されるようにして構
成されていることを特徴とする近接場光プローブ。 (9)上記(7)に記載の近接場光プローブを用い、該
近接場光プローブの先端が片持ち梁の自由端となるよう
に基板に支持する工程と、該近接場光プローブとは別の
棒状部材の一端を該近接場光プローブの先端近傍へ接合
するに際し、該近接場光プローブに対して該棒状部材の
なす角度が所定の角度となるように接合する工程と、前
記基板に、前記棒状部材の他端を支持する工程と、を有
することを特徴とする近接場光プローブの作製方法。 (10)近接場光プローブによって試料表面を観察する
近接場光学顕微鏡において、前記近接場光プローブを上
記(7)〜(8)のいずれかに記載の近接場光プロー
ブ、または上記(9)に記載の近接場光プローブの作製
方法によって作製された近接場光プローブによって構成
したことを特徴とする近接場光学顕微鏡。 (11)近接場光プローブによって被加工面を微細加工
する近接場光微細加工装置において、前記近接場光プロ
ーブを上記(7)〜(8)のいずれかに記載の近接場光
プローブ、または上記(9)に記載の近接場光プローブ
の作製方法によって作製された近接場光プローブによっ
て構成したことを特徴とする近接場光微細加工装置。 (12)近接場光プローブによって情報の記録再生を行
う近接場光記録再生装置において、前記近接場光プロー
ブを上記(7)〜(8)のいずれかに記載の近接場光プ
ローブ、または上記(9)に記載の近接場光プローブの
作製方法によって作製された近接場光プローブによって
構成したことを特徴とする近接場光記録再生装置。
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a near-field optical probe and an apparatus for manufacturing a near-field optical probe configured as described in the following (1) to (12). And a near-field optical probe, a near-field optical microscope, a near-field optical fine processing device, and a near-field optical recording / reproducing device. (1) A method for producing a near-field optical probe in which an irradiated portion is melted by irradiating a laser beam and a tip portion having a probe is bent at a predetermined angle to a root portion to produce a near-field optical probe. The near-field optical probe, wherein the near-field optical probe performs bending processing so as to receive the irradiation of the laser light from a shifted angle with respect to a vertical direction which is the irradiation direction of the laser light. Production method. (2) The method for manufacturing a near-field optical probe according to the above (1), wherein a bending stopper is arranged in the bending process to limit a bending angle of the near-field optical probe. (3) In an apparatus for producing a near-field optical probe, comprising a bending processing means for melting an irradiated portion by laser light irradiation and bending a tip portion having a probe with respect to a root portion at a predetermined angle, wherein the bending processing means is Having support means for supporting the near-field light probe at an angle shifted from a vertical direction which is the irradiation direction of the laser light, and the near-field light probe supported by the support means has a direction in which the laser light is irradiated. An apparatus for manufacturing a near-field optical probe, wherein the apparatus is configured to receive irradiation of the laser light from a shifted angle. (4) The near-field light according to (3), wherein the bending means includes a bending stopper, and the bending stopper limits a bending angle of the near-field optical probe. Probe manufacturing equipment. (5) The method for producing a near-field optical probe according to any one of (1) and (2), or the method for producing a near-field optical probe according to any one of (3) and (4). Forming a light-shielding material on the tip portion and the root portion bent by the bending process using a near-field optical probe, wherein a first film-forming process on the tip portion and a second film-forming process on the root portion are performed. When forming a film in each of these film forming steps, the probe is rotated around different axes, and a film is formed on the probe surface from a direction perpendicular to the rotation axis using a light shielding material. A method for producing a near-field optical probe. (6) In the first film forming step, an angle for supporting a root portion of the near-field optical probe with respect to a direction perpendicular to the rotation axis is set when the apparatus is mounted on an apparatus using the near-field optical probe. (5) The method for producing a near-field optical probe according to the above (5), wherein an angle formed by a root portion of the near-field optical probe with respect to a sample surface facing the tip of the near-field optical probe. (7) The method for producing a near-field optical probe according to any of the above (1) and (2), or the apparatus for producing a near-field optical probe according to any of the above (3) and (4), or the above (5) A near-field optical probe produced by the method for producing a near-field optical probe according to any one of (5) and (6). (8) With the near-field optical probe according to (7),
The tip of the near-field light probe is supported on the substrate such that it is the free end of the cantilever, while the other end of a rod-shaped member different from the near-field light probe having one end supported by the substrate is connected to the proximity A near-field light probe which is joined to a vicinity of a tip of the field light probe so that a V-shape is formed by the near-field light probe and the rod-shaped member. (9) using the near-field optical probe described in (7) above, supporting the near-field optical probe on a substrate such that the tip of the near-field optical probe is the free end of the cantilever; When joining one end of the rod-shaped member to the vicinity of the tip of the near-field optical probe, joining the rod-shaped member to the near-field optical probe so that the angle formed by the rod-shaped member becomes a predetermined angle; and Supporting the other end of the rod-shaped member. (10) In a near-field optical microscope for observing a sample surface with a near-field optical probe, the near-field optical probe is replaced with the near-field optical probe according to any one of (7) to (8) or (9). A near-field optical microscope comprising a near-field optical probe manufactured by the above-described method for manufacturing a near-field optical probe. (11) In a near-field light microfabrication apparatus for finely processing a surface to be processed by a near-field light probe, the near-field light probe may be the near-field light probe according to any one of the above (7) to (8), or A near-field light microfabrication device comprising a near-field light probe manufactured by the method for manufacturing a near-field light probe according to (9). (12) In the near-field optical recording / reproducing apparatus for recording / reproducing information by using the near-field optical probe, the near-field optical probe may be the near-field optical probe according to any one of (7) to (8), or A near-field optical recording / reproducing apparatus comprising a near-field optical probe manufactured by the method for manufacturing a near-field optical probe described in 9).

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態においては、
本発明の上記構成を適用することにより、加工ビーム照
射部分を溶融し、カンチレバー形近接場光プローブの曲
げ加工を行う場合に、加工ビーム照射方向に対し、近接
場光プローブを垂直からずらした角度で加工ビーム照射
を行うことにより、溶融による先端の丸まりを避けるこ
とができ、高い分解能の近接場光プローブを作製するこ
とが可能となる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In an embodiment of the present invention,
By applying the above configuration of the present invention, when the processing beam irradiation portion is melted and the bending process of the cantilever type near-field optical probe is performed, the angle at which the near-field optical probe is shifted from the perpendicular with respect to the processing beam irradiation direction. By performing the processing beam irradiation, it is possible to avoid rounding of the tip due to melting, and it is possible to manufacture a near-field optical probe with high resolution.

【0007】[0007]

【実施例】以下に、本発明の実施例について図を用いて
説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0008】図1は、本発明の実施例における近接場光
プローブの構成を示す図であり、近接場光プローブの中
心軸を含む平面でこのプローブを切断した断面を示す。
図1において、101は直径20μmの円柱棒状形状を
有する細線化光ファイバAであり、102は同じく直径
20μmの円柱棒状形状の細線化光ファイバBである。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a near-field optical probe according to an embodiment of the present invention, and shows a cross section of the near-field optical probe cut along a plane including a central axis of the probe.
In FIG. 1, reference numeral 101 denotes a thinned optical fiber A having a cylindrical rod shape having a diameter of 20 μm, and reference numeral 102 denotes a thinned optical fiber B also having a cylindrical rod shape having a diameter of 20 μm.

【0009】細線化光ファイバA101の先端は、曲率
半径が1μm以下まで円錐形状に尖鋭化され、探針10
3を構成している。細線化光ファイバA101の周囲に
は遮光用のための金属コーテイングとして、膜厚150
nmの遮光用Alコーテイング104が施されている。
探針103の先端には、直径が100nm以下の大きさ
の微小開口105が設けられている。細線化光ファイバ
A101の先端近傍に細線化光ファイバB102の一端
が接着剤B106で接合され、接合部分107を構成し
ている。細線化光ファイバA101の根元部分は光プロ
ーブ支持基板108に接着剤A109で固定されてい
る。細線化光ファイバB102の接合部分107と反対
側の他端は光プローブ支持基板108に接着剤C110
で固定されている。
The tip of the thinned optical fiber A101 is sharpened to a conical shape with a radius of curvature of 1 μm or less, and the probe 10
3. Around the thinned optical fiber A101, a film thickness of 150
A nm light-shielding Al coating 104 is applied.
A small opening 105 having a diameter of 100 nm or less is provided at the tip of the probe 103. One end of the thinned optical fiber B102 is bonded to the vicinity of the distal end of the thinned optical fiber A101 with an adhesive B106 to form a bonded portion 107. The root portion of the thinned optical fiber A101 is fixed to the optical probe support substrate 108 with an adhesive A109. The other end of the thinned optical fiber B102 on the side opposite to the joint 107 is attached to the optical probe support substrate 108 with an adhesive C110.
It is fixed at.

【0010】上記の構成により、細線化光ファイバA1
01に図中に示すx方向への弾性変形を生じさせること
によって、先端の探針103部分はx方向に変位可能と
なる。しかしながら、細線化光ファイバB102がV字
形に接合されているため、y方向への弾性変形量は少な
くなり、探針103部分のy方向への変位量も小さくす
ることができる。
With the above configuration, the thinned optical fiber A1
By causing an elastic deformation in the x direction shown in the figure at 01, the probe 103 at the tip can be displaced in the x direction. However, since the thinned optical fiber B102 is joined in a V-shape, the amount of elastic deformation in the y direction decreases, and the amount of displacement of the probe 103 in the y direction can also be reduced.

【0011】具体的数値例として、直径がいずれも20
μmの細線化光ファイバA101及び、細線化光ファイ
バB102の材質を石英とし、光プローブ支持基板10
8から細線化光ファイバA101及び、細線化光ファイ
バB102が突き出ている長さをいずれも500μm、
細線化光ファイバA101と細線化光ファイバB102
のなす角度を45°とすると、本近接場光プローブの先
端に力を加えた場合、先端のx方向の変位に関する弾性
定数は20N/mとなるのに対し、y方向の変位に関す
る弾性定数は20000N/mと1000倍に固くな
る。このため、同じような力が加わる場合に探針103
部分のx方向の変位に比べ、y方向の変位は極めて小さ
くなることがわかる。
As a specific numerical example, the diameter is 20
The material of the thinned optical fiber A101 and the thinned optical fiber B102 of μm is quartz, and the optical probe support substrate 10
8, the length from which the thinned optical fiber A101 and the thinned optical fiber B102 protrude is 500 μm,
Thinned optical fiber A101 and thinned optical fiber B102
Is 45 °, when a force is applied to the tip of the near-field optical probe, the elastic constant of the tip in the x direction is 20 N / m, whereas the elastic constant of the tip in the y direction is It becomes 20,000 N / m and becomes 1000 times harder. Therefore, when a similar force is applied, the probe 103
It can be seen that the displacement in the y direction is much smaller than the displacement in the x direction of the portion.

【0012】細線化光ファイバA101の根元部分は、
細線化される前の元の光ファイバ111につながってお
り、この元の光ファイバ111の端から光112を入射
させることにより、微小開口105から近接場光を発生
させることができる。また、微小開口105で検出した
エバネッセント光が細線化光ファイバA101内で変換
された伝搬光を元の光ファイバ111の端から出射させ
ることにより、近接場光の強度を検出することが可能と
なる。
The root of the thinned optical fiber A101 is
The optical fiber 111 is connected to the original optical fiber 111 before being thinned, and the near-field light can be generated from the minute aperture 105 by making the light 112 incident from the end of the original optical fiber 111. In addition, the intensity of the near-field light can be detected by emitting the propagating light obtained by converting the evanescent light detected by the minute aperture 105 in the thinned optical fiber A101 from the end of the original optical fiber 111. .

【0013】次に図2〜図4を用いて、本実施例におけ
る近接場光プローブの作製方法を説明する。図2は化学
エッチングを用いて光ファイバを細線化する工程を説明
する図である。50mm程度の長さの端面へき開した光
ファイバ203の先端から10mm程度をテフロン(登
録商標)容器201内のエッチング液202に浸潤させ
る。ここで用いる光ファイバの構成は次のとおりであ
る。クラッド204径が125μm、コア205径が2
0μm、クラッド材質は純粋石英、コア材質は純粋石英
にGeO2を濃度16mol%でドープしたものであ
る。
Next, a method of manufacturing a near-field optical probe in this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a diagram illustrating a process of thinning an optical fiber by using chemical etching. About 10 mm from the tip of the optical fiber 203 cleaved into the end face having a length of about 50 mm is immersed in the etching solution 202 in the Teflon (registered trademark) container 201. The configuration of the optical fiber used here is as follows. Cladding 204 diameter is 125 μm, core 205 diameter is 2
0 μm, the cladding material is pure quartz, and the core material is pure quartz doped with GeO 2 at a concentration of 16 mol%.

【0014】エッチング液202の組成は、NH4
(40%水溶液):HF(50%水溶液):H2O=1
0:1:1である。光ファイバ203をエッチング液2
02に浸潤すると、浸潤部分のクラッド及びコアがエッ
チングされ、図中のエッチング途中の光ファイバ209
に示すようにクラッド径が小さくなるとともにコア先端
が尖鋭化する。これは、石英がエッチングされる際、
(1)GeO2がドープされているコア部分はクラッド
部分に比べてエッチングレートが低いことと、(2)光
ファイバは延伸して作製されているため、延伸方向とそ
れに垂直な方向とで異方性が生じ、延伸方向と垂直方向
との間でエッチングレートが異なることの2つが原因と
なっている。エッチング開始後、約10時間経過する
と、エッチングによりクラッド部分がなくなってコア部
分が露出し(コア露出部分206)、円錐状に尖鋭化し
たコア部分(尖鋭化部分208)のみが残る。この時の
様子を図中のエッチング終了時の光ファイバ207に示
す。
The composition of the etching solution 202 is NH 4 F
(40% aqueous solution): HF (50% aqueous solution): H 2 O = 1
0: 1: 1. Optical fiber 203 is etched with etchant 2
02, the cladding and core of the infiltrated portion are etched, and the optical fiber 209 in the middle of the etching in the figure is etched.
As shown in (1), the core tip becomes sharper as the clad diameter becomes smaller. This is because when quartz is etched,
(1) The core portion doped with GeO 2 has a lower etching rate than the clad portion, and (2) since the optical fiber is formed by stretching, it differs in the stretching direction and the direction perpendicular thereto. Anisotropy occurs and the etching rate differs between the stretching direction and the vertical direction. About 10 hours after the start of the etching, the clad portion disappears due to the etching, the core portion is exposed (the core exposed portion 206), and only the core portion sharpened conically (the sharpened portion 208) remains. The state at this time is shown in the optical fiber 207 at the end of the etching in the figure.

【0015】以上の工程により、直径20μmのコア露
出部分206及び、曲率半径が1μm以下の尖鋭化部分
208を有する円錐状の先端形状を持つ細線化光ファイ
バを得ることができる。この細線化光ファイバは元の光
ファイバのコア部分のみから構成されているので、元の
光ファイバがステップインデックス(SI)型の場合
は、コア材料は均質な材料からなり、先端は円錐状とな
る。また、元の光ファイバがグレイデッドインデックス
(GI)型の場合は、コア材料は中心から外周に向かっ
て緩やかに成分構成比が変化したものとなり、先端はほ
ぼ円錐状であるが少しずれた形状となる。
Through the above steps, a thinned optical fiber having a conical tip shape having a core exposed portion 206 having a diameter of 20 μm and a sharpened portion 208 having a radius of curvature of 1 μm or less can be obtained. Since this thinned optical fiber is composed of only the core portion of the original optical fiber, when the original optical fiber is of the step index (SI) type, the core material is made of a homogeneous material and the tip is conical. Become. Also, when the original optical fiber is a graded index (GI) type, the core material has a gradual change in the component composition ratio from the center to the outer periphery, and the tip is almost conical but slightly displaced. Becomes

【0016】以上説明したように、コアが露出するまで
エッチングを行うことにより得られる細線化光ファイバ
は、先端にほぼ円錐状の探針を形成でき、探針根元と細
線化光ファイバ側面の境界付近に中心軸に対して垂直な
面を有することがない。このため、次に述べる横方向か
らの遮光用金属蒸着によって、先端の微小開口形成部分
以外の部分膜厚が薄くなることがなく、不要な漏れ光が
なくなる。また、単一工程で細線化及び尖鋭化加工を行
うことが可能であるため、複数の組成のエッチング液を
多段階に用いることがなく、コストが低減される。
As described above, the thinned optical fiber obtained by etching until the core is exposed can form a substantially conical probe at the tip, and the boundary between the probe root and the side of the thinned optical fiber. There is no plane perpendicular to the central axis in the vicinity. For this reason, the metal film for shielding from the lateral direction described below does not reduce the thickness of the portion other than the portion where the fine opening is formed at the tip, and eliminates unnecessary leakage light. Further, since thinning and sharpening can be performed in a single step, an etching solution having a plurality of compositions is not used in multiple steps, and the cost is reduced.

【0017】次に、本実施例における光ファイバーの先
端に光学的微小開口を有する近接場光プローブの形成方
法について説明する。図3に示すように細線化光ファイ
バ301に対して中心軸303回りに回転させながら横
方向からAl蒸着302を行い、厚さ150nmの遮光
用Al膜305を形成する。細線化光ファイバ301の
先端は1μm以下の曲率半径を有する球面になってお
り、これに対して横方向から金属蒸着を行うと、先端の
膜厚が側面に比べて薄くなるため、光学的開口304が
形成される。このとき開口のサイズは、先端の曲率半径
とほぼ同程度である。このようにして近接場光プローブ
を形成した後、細線化光ファイバの探針とは反対側の端
に十分な長さの光ファイバを融着接続し、この光ファイ
バを通して、近接場光プローブとして使用する際の光の
出し入れを行う。
Next, a method of forming a near-field optical probe having an optical aperture at the tip of an optical fiber in this embodiment will be described. As shown in FIG. 3, an Al vapor deposition 302 is performed on the thinned optical fiber 301 from the lateral direction while rotating the optical fiber 301 about a central axis 303, thereby forming a 150 nm thick light shielding Al film 305. The distal end of the thinned optical fiber 301 is a spherical surface having a radius of curvature of 1 μm or less. On the other hand, when metal deposition is performed from the lateral direction, the thickness of the distal end becomes thinner than that of the side surface. 304 is formed. At this time, the size of the opening is substantially the same as the radius of curvature of the tip. After forming the near-field optical probe in this way, a sufficiently long optical fiber is fusion-spliced to the end of the thinned optical fiber opposite to the probe, and through this optical fiber, a near-field optical probe is formed. Takes light in and out when used.

【0018】次に、上記のように形成された近接場光プ
ローブを用いて、プローブを走査する場合、探針先端の
横方向の位置ずれが生じないようにするための構成例に
ついて説明する。従来において、光ファイバやピペット
を尖鋭化させて作製した光プローブをシアーフォース方
式の距離制御に用いた場合、次のような問題が生じる。
まず、図17(a)に示すようにシアーフォース方式の
距離制御では、試料表面1701に先端を近づけて配置
した光プローブ1702にピエゾ素子1703を取り付
け、図中x方向に光プローブ1702を振動させる。こ
のとき、理想的には、光プローブ先端は試料側から見た
図である図17(b)に示した矢印のようにx方向に往
復振動する。しかしながら、光ファイバやピペットを尖
鋭化させて作製した光プローブは円柱状であるため、x
方向とy方向の撓みに関する弾性定数が同じになる。そ
のため、x方向に振動するうちにy方向の振動成分が励
起され、図17(c)に示すように光プローブ先端が楕
円状に回転したり、図17(d)に示すように8の字状
に運動する。このため、光プローブ先端がy方向に位置
ずれを起こし、SNOMを用いた観察や加工・記録の位
置分解能が低下してしまう。
Next, a description will be given of an example of a configuration for preventing the lateral displacement of the tip of the probe when scanning the probe using the near-field light probe formed as described above. Conventionally, when an optical probe manufactured by sharpening an optical fiber or a pipette is used for the distance control of the shear force method, the following problem occurs.
First, in the distance control of the shear force method as shown in FIG. 17A, a piezo element 1703 is attached to an optical probe 1702 whose tip is arranged close to the sample surface 1701, and the optical probe 1702 is vibrated in the x direction in the figure. . At this time, ideally, the tip of the optical probe reciprocates in the x direction as indicated by the arrow shown in FIG. 17B as viewed from the sample side. However, since an optical probe manufactured by sharpening an optical fiber or a pipette is cylindrical, x
The elastic constant for the deflection in the y-direction is the same as the elastic constant in the y-direction. Therefore, a vibration component in the y direction is excited while vibrating in the x direction, and the tip of the optical probe rotates in an elliptical shape as shown in FIG. 17C, or a figure of eight as shown in FIG. Exercise in shape. For this reason, the tip of the optical probe is displaced in the y direction, and the position resolution of observation, processing, and recording using SNOM is reduced.

【0019】また、光ファイバやピペットを尖鋭化さ
せ、さらにカンチレバー化して作製した光プローブを試
料面にプローブ先端を接触させ、ファンデルワールス力
の斥力を検出するコンタクトモードAFM方式の距離制
御に用いた場合、次のような問題が生じる。試料表面に
対して先端を近接させて配置したカンチレバー形光プロ
ーブを試料面とは反対側の面から見た図である図18に
示すように、光プローブを+y方向に走査させる際、光
プローブ先端は試料表面からの摩擦力を受け、走査方向
と反対の−y方向に撓みを生じる。このため、光プロー
ブ先端が−y方向に位置ずれを起こし、SNOMを用い
た観察や加工・記録の位置分解能が低下することとな
る。
An optical probe prepared by sharpening an optical fiber or a pipette and further forming a cantilever is brought into contact with the tip of the probe to the sample surface, and is used for distance control of a contact mode AFM system for detecting repulsive force of van der Waals force. If so, the following problems occur. As shown in FIG. 18, which is a view of a cantilever-type optical probe whose tip is arranged close to the sample surface as viewed from the surface opposite to the sample surface, the optical probe is scanned in the + y direction. The tip receives a frictional force from the sample surface and bends in the −y direction opposite to the scanning direction. For this reason, the tip of the optical probe is displaced in the -y direction, and the positional resolution of observation, processing, and recording using SNOM is reduced.

【0020】これに対して、本実施例のように、別の細
線化光ファイバを前記のようにして形成した細線化光フ
ァイバの先端近傍にV字形が形成されるように接合する
ことで、探針先端の横方向の位置ずれを防止することが
可能となる。具体的には、図4に示す装置を用いて、こ
れまで説明したようにして作製した細線化光ファイバA
401と、同様に化学エッチングを用いて細線化を行っ
た別の細線化光ファイバB402とをV字形に接合す
る。まず、接着剤A404を用いて、細線化光ファイバ
A401をプローブ支持基板403に固定する。次に細
線化光ファイバB402をxyzθステージ405にテ
ープ406で仮止めし、細線化光ファイバB402の先
端に接着剤B407を塗布する。最後に、図中z方向及
びy方向の2方向から顕微鏡やビデオカメラ等を用いて
モニターしながら、xyzステージ405を駆動し、細
線化光ファイバA401の先端近傍に所定の角度をな
し、接着剤B407が塗布された細線化光ファイバB4
02の先端がくるように位置合わせを行い、接合を行
う。十分に接着剤B407が固化したのちに、テープ4
06を剥がし、接着剤C408を用いて、細線化光ファ
イバB402をプローブ支持基板403に固定する。
On the other hand, as in this embodiment, another thinned optical fiber is joined so that a V-shape is formed near the tip of the thinned optical fiber formed as described above. It is possible to prevent lateral displacement of the tip of the probe. Specifically, a thinned optical fiber A manufactured as described above using the apparatus shown in FIG.
401 and another optical fiber B402, which is similarly thinned using chemical etching, is joined in a V-shape. First, the thinned optical fiber A401 is fixed to the probe support substrate 403 using the adhesive A404. Next, the thinned optical fiber B402 is temporarily fixed to the xyzθ stage 405 with a tape 406, and an adhesive B407 is applied to the tip of the thinned optical fiber B402. Lastly, the xyz stage 405 is driven while monitoring using a microscope or a video camera from two directions, the z direction and the y direction in the figure, to form a predetermined angle near the tip of the thinned optical fiber A401, and the adhesive is formed. Thinned optical fiber B4 coated with B407
Positioning is carried out so that the tip of 02 comes, and bonding is performed. After the adhesive B407 has sufficiently hardened, the tape 4
06 is peeled off, and the thinned optical fiber B402 is fixed to the probe support substrate 403 using an adhesive C408.

【0021】ここでは、接着剤を用いてV字形接合行う
装置例を示したが、この他にも2本の針状電極を向かい
合わせた間に接合部分を設置し、2本の針状電極間に放
電を行い、放電融着により接合を行っても良い。また、
接合部分にCO2レーザービームを照射してレーザー融
着により接合を行っても良い。
Here, an example of an apparatus for performing V-shaped joining using an adhesive has been described. In addition to this, a joining portion is provided between two needle-like electrodes facing each other to form two needle-like electrodes. Discharge may be performed in the interim, and bonding may be performed by discharge fusion. Also,
The bonding may be performed by irradiating a CO 2 laser beam to the bonding portion and performing laser fusion.

【0022】以上の工程により作製したV字形の近接場
光プローブを用いたシアーフォース距離制御型の近接場
光学顕微鏡の構成を図5に示す。図5においてV字形の
近接場光プローブ501を支持するプローブ支持基板5
02をピエゾ素子503に取り付け、ファンクションジ
ェネレータ504から正弦波信号を印加することにより
図中x方向に振動させる。このとき、正弦波信号の振動
数をV字形の近接場光プローブ501のx方向の撓みに
関する共振周波数に一致させると、近接場プローブ50
1先端が共振する。この共振状態の近接場光プローブ5
01先端近傍にy方向からレーザB505からレーザを
照射しその透過光ビームスポットの位置変化を二分割セ
ンサ506で検出し、二分割センサ506の差信号が近
接場光プローブ501先端の振動量に対応した信号を出
力する。
FIG. 5 shows the configuration of a near-field optical microscope of the shear force distance control type using the V-shaped near-field optical probe manufactured by the above steps. In FIG. 5, a probe support substrate 5 for supporting a V-shaped near-field optical probe 501 is provided.
02 is attached to the piezo element 503, and a sine wave signal is applied from the function generator 504 to vibrate in the x direction in the figure. At this time, if the frequency of the sine wave signal is made to match the resonance frequency related to the deflection of the V-shaped near-field optical probe 501 in the x direction, the near-field probe 50
One tip resonates. Near-field optical probe 5 in this resonance state
The laser B 505 irradiates the laser beam from the laser B 505 in the vicinity of the tip 01 in the y direction, and the position change of the transmitted light beam spot is detected by the split sensor 506. The output signal is output.

【0023】一方、V字形の近接場光プローブ501の
先端にxyzステージ507上に搭載した試料508表
面を100nm以下の距離まで近づける。このとき、近
接場光プローブ501の先端と試料508表面との間に
シアーフォース(ファンデルワールス力)が作用し、近
接場光プローブ501先端の振動の振幅が減少する。こ
の振動の振幅を二分割センサ506の差信号とファンク
ションジェネレータ504の参照信号をもとにロックイ
ンアンプ509で検出し、これが一定となるように距離
制御回路510を用いてxyzステージ507のz方向
フィードバック距離制御を行う。このとき、z方向フィ
ードバック距離制御信号は、同時に試料508表面の形
状信号としてコンピュータ517に入力される。
On the other hand, the surface of the sample 508 mounted on the xyz stage 507 is brought close to the tip of the V-shaped near-field optical probe 501 to a distance of 100 nm or less. At this time, a shear force (Van der Waals force) acts between the tip of the near-field optical probe 501 and the surface of the sample 508, and the amplitude of the vibration of the tip of the near-field optical probe 501 decreases. The amplitude of this vibration is detected by the lock-in amplifier 509 based on the difference signal of the two-divided sensor 506 and the reference signal of the function generator 504, and the distance control circuit 510 is used so that the amplitude becomes constant. Performs feedback distance control. At this time, the z-direction feedback distance control signal is simultaneously input to the computer 517 as a shape signal of the surface of the sample 508.

【0024】さらに、近接場光プローブ501に接続し
た光ファイバ511にレーザA512からのレーザ光を
集光レンズA513で入射し、近接場光プローブ501
先端に設けられた微小開口から近接場光を発生させる。
この近接場光を試料508表面で散乱させ、この散乱光
514を集光レンズB515で集光し、光電子増倍管5
16で検出する。光電子増倍管516から出力される近
接場光信号をコンピュータ517に入力する。
Further, the laser light from the laser A 512 is incident on the optical fiber 511 connected to the near-field optical probe 501 by the condenser lens A 513, and
Near-field light is generated from a minute aperture provided at the tip.
The near-field light is scattered on the surface of the sample 508, and the scattered light 514 is condensed by the condensing lens B515.
Detect at 16. The near-field optical signal output from the photomultiplier tube 516 is input to the computer 517.

【0025】コンピュータ517からはxyzステージ
507のxy方向走査信号が出力され、試料508表面
に対する近接場光プローブ501先端の位置に応じて、
近接場光信号及び形状信号の大きさをディスプレイ51
8上にマッピングすることにより、近接場光学顕微鏡像
及びシアーフォース(原子間力)顕微鏡像を同時に得る
ことができる。
The computer 517 outputs a scanning signal in the xy direction of the xyz stage 507, and outputs the signal in accordance with the position of the tip of the near-field optical probe 501 with respect to the surface of the sample 508.
The magnitude of the near-field light signal and the shape signal is displayed on the display 51.
By mapping on 8, a near-field optical microscope image and a shear force (atomic force) microscope image can be obtained simultaneously.

【0026】前述したV字形に接合された近接場光プロ
ーブを用いることにより、シアーフォース検出のための
近接場光プローブのx方向振動時にy方向へのぶれ量が
ほとんど無視できるほど小さく低減でき、近接場光学顕
微鏡像及び、シアーフォース顕微鏡像の分解能が向上し
た。なお、ここで説明した近接場光プローブは顕微鏡以
外に近接場光を用いた微細加工装置や記録再生装置にも
用いることができ、同様の効果を有している。
By using the near-field optical probe joined in a V-shape as described above, the amount of shake of the near-field optical probe in the y-direction during the x-direction oscillation of the near-field optical probe for shear force detection can be reduced to a negligibly small amount, The resolution of the near-field optical microscope image and the shear force microscope image has been improved. Note that the near-field light probe described here can be used for a microfabrication device or a recording / reproducing device using near-field light other than the microscope, and has the same effect.

【0027】図6は、根元部分に対して探針を有する先
端部分を所定角度に曲げ加工を行っプローブを用いた近
接場光プローブの構成を示す図である。図6(a)は上
方から見た断面図、図6(b)は側方から見た断面図で
ある。図6において601は直径20μmの円柱棒状形
状を有する細線化光ファイバAであり、602は同じく
直径20μmの円柱棒状形状の細線化光ファイバBであ
る。細線化光ファイバA601の先端から100μmの
位置で細線化光ファイバA601はθ1=75°の角度
に曲げられている。この様子を図6(b)に示す。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a near-field optical probe using a probe by bending a tip portion having a probe at a predetermined angle with respect to a root portion. FIG. 6A is a cross-sectional view as viewed from above, and FIG. 6B is a cross-sectional view as viewed from the side. In FIG. 6, reference numeral 601 denotes a thinned optical fiber A having a cylindrical rod shape having a diameter of 20 μm, and reference numeral 602 denotes a thinned optical fiber B also having a cylindrical rod shape having a diameter of 20 μm. At a position of 100 μm from the tip of the thinned optical fiber A601, the thinned optical fiber A601 is bent at an angle of θ1 = 75 °. This situation is shown in FIG.

【0028】曲げられた細線化光ファイバA601の先
端は曲率半径が1μm以下まで円錐形状に尖鋭化され、
探針603を構成している。細線化光ファイバA601
の周囲には遮光用のための金属コーティングとして、膜
厚150nmの遮光用Alコーティング604が施され
ている。探針603の先端には、直径が100nm以下
の大きさの微小開口605が設けられている。
The tip of the bent thinned optical fiber A601 is sharpened to a conical shape with a radius of curvature of 1 μm or less,
The probe 603 is configured. Thinned optical fiber A601
Is coated with a 150 nm-thick Al coating 604 as a metal coating for shielding. At the tip of the probe 603, a minute opening 605 having a diameter of 100 nm or less is provided.

【0029】細線化光ファイバA601の先端から15
0μmの位置に細線化光ファイバB602の一端が接着
剤B606で接合され、接合部分607を構成してい
る。細線化光ファイバA601の根元部分は光プローブ
支持基板608に接着剤A609で固定されている。細
線化光ファイバB602の接合部分607と反対側の他
端は光プローブ支持基板608に接着剤C610で固定
されている。
From the tip of the thinned optical fiber A601, 15
One end of the thinned optical fiber B 602 is bonded to the position of 0 μm with an adhesive B 606 to form a bonded portion 607. The root portion of the thinned optical fiber A601 is fixed to the optical probe support substrate 608 with an adhesive A609. The other end of the thinned optical fiber B 602 on the side opposite to the joint 607 is fixed to the optical probe support substrate 608 with an adhesive C610.

【0030】上記の構成により、細線化光ファイバA6
01に図中に示すz方向への弾性変形を生じさせること
により、先端の探針603部分はz方向に変位可能とな
る。しかしながら、細線化光ファイバB602がV字形
に接合されているため、x方向への弾性変形量は少なく
なり、探針603部分のx方向への変位量も小さくする
ことができる。
With the above configuration, the thinned optical fiber A6
By causing an elastic deformation in the z direction shown in the figure at 01, the probe 603 at the tip can be displaced in the z direction. However, since the thinned optical fiber B602 is joined in a V-shape, the amount of elastic deformation in the x direction is reduced, and the amount of displacement of the probe 603 in the x direction can be reduced.

【0031】具体的数値例として、直径がいずれも20
μmの細線化光ファイバA601及び、細線化光ファイ
バB602の材質を石英とし、光プローブ支持基板60
8から細線化光ファイバA601及び、細線化光ファイ
バB602が突き出ている長さをいずれも3mm、細線
化光ファイバA601と細線化光ファイバB602のな
す角度を45°とすると、本近接場光プローブの先端に
力を加えた場合、先端のx方向の変位に関する弾性定数
は0.1N/mとなるのに対し、y方向の変位に関する
弾性定数は3500N/mと35000倍に固くなる。
このため、同じような力が加わる場合に探針603部分
のz方向の変位に比ベ、x方向の変位は極めて小さくな
ることがわかる。
As a specific numerical example, the diameter is 20 in each case.
The material of the thinned optical fiber A 601 and the thinned optical fiber B 602 is quartz, and the optical probe support substrate 60
Assuming that the lengths of the thinned optical fiber A 601 and the thinned optical fiber B 602 protruding from FIG. 8 are 3 mm and the angle between the thinned optical fiber A 601 and the thinned optical fiber B 602 is 45 °, the near-field optical probe When a force is applied to the tip, the elastic constant for the displacement of the tip in the x direction is 0.1 N / m, while the elastic constant for the displacement in the y direction is 3500 N / m, which is 35,000 times harder.
For this reason, it can be seen that when the same force is applied, the displacement of the probe 603 in the x direction is extremely smaller than the displacement in the z direction.

【0032】細線化光ファイバA601の根元部分は、
細線化される前の元の光ファイバ611につながってお
り、この元の光ファイバ611の端から光612を入射
させることにより、微小開口605からエバネッセント
光を発生させることができる。また、微小開口605で
検出した近接場光が細線化光ファイバA601内で変換
された伝搬光を元の光ファイバ611の端から出射させ
ることにより、近接場光の強度を検出することが可能と
なる。
The root portion of the thinned optical fiber A601 is as follows:
The light is connected to the original optical fiber 611 before being thinned, and evanescent light can be generated from the minute aperture 605 by making light 612 incident from the end of the original optical fiber 611. In addition, it is possible to detect the intensity of the near-field light by emitting the propagating light obtained by converting the near-field light detected by the minute aperture 605 in the thinned optical fiber A601 from the end of the original optical fiber 611. Become.

【0033】次に図7〜図15を用いて、本実施例の先
端が曲げられた近接場光プローブの作製方法を説明す
る。図7はCO2レーザ光照射により細線化光ファイバ
先端を曲げる工程を説明する図である。本実施例におい
て図2を用いて説明したのと同様に化学エッチングを用
いて細線化した光ファイバ701を水平面に対し、θ2
=45°の角度をなす細線化光ファイバ支持部材702
に固定する。先端から140(=100×√2)μmの
位置に集光レンズ703を用いてビームスポット径を5
0μmに集光したCO2レーザ光704を照射する。こ
れにより、細線化光ファイバ701のレーザ光照射位置
705が溶融し、表面張力のため探針706先端が図中
z方向に曲がろうとする。
Next, a method for manufacturing a near-field optical probe having a bent tip according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a diagram illustrating a process of bending the tip of the thinned optical fiber by irradiating a CO 2 laser beam. In this embodiment, the optical fiber 701 thinned by chemical etching in the same manner as described with reference to FIG.
= 45 ° thinned optical fiber support member 702
Fixed to. The beam spot diameter is set to 5 using a condenser lens 703 at a position of 140 (= 100 × √2) μm from the tip.
The CO 2 laser light 704 focused to 0 μm is applied. As a result, the laser beam irradiation position 705 of the thinned optical fiber 701 melts, and the tip of the probe 706 tends to bend in the z direction in the drawing due to surface tension.

【0034】このとき、あらかじめxyzステージ70
7上に水平面に対しθ3=30°の角度をなす曲がりス
トッパー708を取り付け、曲がりストッパー708の
先端を探針706の曲がり経路の途中に配置しておくこ
とにより、探針706の曲がりが曲がりストッパー70
8によって拘束される。このあとCO2レーザ光704
照射を停止することにより、細線化光ファイバ701の
先端を75°(=45°+30°)の角度で曲げること
ができる。ここで、細線化光支持部材702や曲がりス
トッパー708の角度を調整することにより、所望の角
度での曲がり加工を行うことができる。
At this time, the xyz stage 70
By attaching a bending stopper 708 forming an angle of θ3 = 30 ° with respect to the horizontal plane on the horizontal axis 7 and arranging the tip of the bending stopper 708 in the middle of the bending path of the probe 706, the bending of the probe 706 is bent. 70
8 bound. After this, the CO 2 laser light 704
By stopping the irradiation, the tip of the thinned optical fiber 701 can be bent at an angle of 75 ° (= 45 ° + 30 °). Here, by adjusting the angles of the thinned light supporting member 702 and the bending stopper 708, it is possible to perform bending at a desired angle.

【0035】ここで、CO2レーザを照射する際、斜め
(本実施例では45°)に細線化光ファイバを支持して
加工を行う利点について説明する。図8は、CO2レー
ザ照射の際に細線化光ファイバを水平に支持した例を示
す図である。
Here, the advantage of performing the processing while irradiating the CO 2 laser with the thinned optical fiber obliquely (45 ° in this embodiment) will be described. FIG. 8 is a diagram illustrating an example in which a thinned optical fiber is horizontally supported during CO 2 laser irradiation.

【0036】図8において、水平に支持された細線化光
ファイバ801に対して、先端から少し手前の位置にC
2レーザ光802を照射すると、レーザ光照射位置8
05が溶融し、図中の上方に曲がる。この結果、前工程
の化学エッチングにおいて尖鋭化された探針先端803
がCO2レーザ光の照射範囲に入り、尖鋭化された先端
が溶融して先端が丸まった探針804となる。この結
果、後述の開口形成工程で形成される開口径も大きくな
ってしまい、近接場光プローブとしての分解能が低下し
てしまう。
In FIG. 8, with respect to the thinned optical fiber 801 supported horizontally, the C is positioned slightly before the tip.
When the O 2 laser beam 802 is irradiated, the laser beam irradiation position 8
05 melts and bends upward in the figure. As a result, the probe tip 803 sharpened in the chemical etching in the previous process.
Enters the irradiation range of the CO 2 laser beam, and the sharpened tip melts to form a probe 804 with a rounded tip. As a result, the diameter of an opening formed in an opening forming step to be described later becomes large, and the resolution as a near-field optical probe is reduced.

【0037】これに対して、図7に示すようにCO2
ーザ光照射方向に対して細線化光ファイバ701の中心
軸を垂直からずらした角度に斜めに支持すれば、(曲が
りストッパーがない場合でも、)75°程度に曲がった
のちも先端がCO2レーザ照射範囲に入ることなく、尖
鋭化先端が丸まることを避けることができる。また、C
2レーザを照射する際、曲がりストッパーを用いて加
工を行う利点について説明する。図9は、CO2レーザ
照射の際に曲がりストッパーがない例を示す図である。
On the other hand, as shown in FIG. 7, if the center axis of the thinned optical fiber 701 is supported obliquely at an angle shifted from the vertical with respect to the CO 2 laser beam irradiation direction, (when there is no bending stopper) However, it is possible to prevent the sharpened tip from being rounded without turning the tip into the CO 2 laser irradiation range even after bending about 75 °. Also, C
The advantage of performing processing using a bending stopper when irradiating O 2 laser will be described. FIG. 9 is a diagram showing an example in which there is no bending stopper during CO 2 laser irradiation.

【0038】図9において、細線化光ファイバ支持部材
901を用いて斜めに支持した細線化光ファイバ902
に対して、先端から少し手前の位置にCO2レーザ光9
03を照射すると、レーザ光照射位置904が溶融し、
図中の上方に曲がる。その後、レーザ照射を停止して曲
がりを停止させるが、曲がり速度は曲がり角度が大きく
なるにつれて急激に大きくなるため、所望の角度に曲が
り角度を制御することは難しく、結果として、図9に
A、B、Cで示したように先端の曲がり角度が大きく異
なったプローブが得られがちである。これに対して、図
7に示すように曲がりストッパーを用いれば、所望の角
度の曲がり角度を有するプローブを歩留まり良く作製す
ることができる。
Referring to FIG. 9, a thinned optical fiber 902 supported obliquely by using a thinned optical fiber support member 901.
The CO 2 laser beam 9 slightly before the tip.
03, the laser beam irradiation position 904 is melted,
Bend upward in the figure. Thereafter, the laser irradiation is stopped to stop the bend. However, since the bend speed increases sharply as the bend angle increases, it is difficult to control the bend angle to a desired angle. As a result, FIG. As shown in B and C, it is easy to obtain a probe in which the bending angle of the tip greatly differs. On the other hand, if a bending stopper is used as shown in FIG. 7, a probe having a desired bending angle can be manufactured with high yield.

【0039】次に、図10に示すように先端が曲げられ
た細線化光ファイバ1001を回転ステージ1006に
対してθ4=15°の角度に傾けられた回転コーティン
グ時細線化光ファイバ支持部材1007に支持する。こ
のとき、細線化光ファイバ1001の曲げられた先端を
回転ステージ面の法線方向に向けて配置する。回転ステ
ージ1006はステージ面の法線方向を中心軸1003
にして回転を行う。この状態で横方向からAl蒸着10
02を行い、厚さ150nmの遮光用Al膜1005を
形成する。細線化光ファイバ1001の先端は1μm以
下の曲率半径を有する球面になっており、これに対して
横方向から金属蒸着を行うと、先端の膜厚が側面に比べ
て薄くなるため、光学的開口1004が形成される。こ
のとき開口のサイズは、先端の曲率半径とほぼ同程度で
ある。
Next, as shown in FIG. 10, the thinned optical fiber 1001 whose tip is bent is attached to the thinning optical fiber support member 1007 at the time of rotation coating which is inclined at an angle of θ4 = 15 ° with respect to the rotary stage 1006. To support. At this time, the bent distal end of the thinned optical fiber 1001 is arranged in the direction normal to the rotating stage surface. The rotation stage 1006 has a center axis 1003 in the direction normal to the stage surface.
And rotate. In this state, Al deposition 10 is performed from the lateral direction.
02 is performed to form a light-shielding Al film 1005 having a thickness of 150 nm. The distal end of the thinned optical fiber 1001 is a spherical surface having a radius of curvature of 1 μm or less. On the other hand, when metal deposition is performed from the lateral direction, the thickness of the distal end becomes smaller than that of the side surface. 1004 is formed. At this time, the size of the opening is substantially the same as the radius of curvature of the tip.

【0040】ここで、回転金属蒸着の際の回転軸を細線
化光ファイバ先端の曲げ部分の中心軸に一致させて回転
を行うようにすると、曲がり角度がばらついた近接場光
プローブの場合に、微小開口の方向を細線化光ファイバ
先端の曲げ部分の中心軸の方向に一致させることができ
る。しかしながら、図11に示すように、実際に使用す
る装置に異なる近接場光プローブC1101、D110
2を取り付けた際に微小開口C1103、D1104の
方向が被加工表面や試料表面、記録媒体表面1105の
法線方向と一致せず、まちまちの方向を向いてしまい、
発生する近接場光の分布方向が異なり、加工や観察、記
録再生の際に位置ずれを生じてしまう。
Here, if the rotation is performed with the rotation axis at the time of rotating metal deposition being coincident with the center axis of the bent portion of the tip of the thinned optical fiber, in the case of a near-field optical probe having a varied bending angle, The direction of the minute aperture can be made to coincide with the direction of the central axis of the bent portion at the tip of the thinned optical fiber. However, as shown in FIG. 11, different near-field optical probes C1101 and D110
2, the directions of the minute openings C1103 and D1104 do not match the normal directions of the surface to be processed, the surface of the sample, and the surface 1105 of the recording medium, and are directed in different directions.
The distribution direction of the generated near-field light is different, and a displacement occurs during processing, observation, recording and reproduction.

【0041】これに対して、先端が曲げられた細線化光
ファイバ1001を回転ステージ1006に固定する際
に傾ける角度θ4は、図12に示すように本実施例の近
接場光プローブを使用する装置に取り付ける際に被加工
表面や試料表面、記録媒体表面1201に対して近接場
光プローブの中心軸1206を傾ける角度と一致させる
ことができる。すなわち、これにより、CO2レーザ照
射による曲げ加工時に曲がりストッパーを用いず、図9
に示すように曲がり角度がばらついてしまった細線化光
ファイバに対しても、図10に示すように回転金属蒸着
を行い、開口形成を行ない、作製した近接場光プローブ
A1202、B1203先端の微小開口A1204、B
1205の方向は細線化光ファイバ先端の曲がり方向と
は異なるものの、被加工表面や試料表面、記録媒体表面
の法線方向とは必ず一致させることができる。
On the other hand, as shown in FIG. 12, the angle θ4 at which the thinned optical fiber 1001 having a bent end is fixed to the rotary stage 1006 is set to an angle θ4 as shown in FIG. At the time of attachment, the angle of inclination of the central axis 1206 of the near-field optical probe with respect to the surface to be processed, the surface of the sample, or the surface 1201 of the recording medium can be matched. That is, by this, the bending stopper is not used at the time of bending by CO 2 laser irradiation, and FIG.
As shown in FIG. 10, a thin metal optical fiber whose bending angle is varied as shown in FIG. 10 is also subjected to rotary metal vapor deposition as shown in FIG. 10 to form an opening, thereby forming a fine aperture at the tip of the manufactured near-field optical probes A1202 and B1203. A1204, B
Although the direction of 1205 is different from the bending direction of the tip of the thinned optical fiber, it can always match the normal direction of the surface to be processed, the surface of the sample, or the surface of the recording medium.

【0042】さて、これまでに説明したように、先端を
曲げ、微小開口を形成した細線化光プローブ1303に
対して、図13に示すように微小開口1301部分を覆
うように樹脂コート1302を行う。この樹脂コートに
より、後の2段回目のAl蒸着時に微小開口が塞がって
しまうことを避けることができる。樹脂コートを行う方
法を図14を用いて説明する。先端を曲げ、微小開口を
形成した細線化光プローブ1401をzステージ140
2上の支持台1403に固定する。zステージ1402
を図14の下方向に駆動し、細線化光ファイバ1401
先端の微小開口1405部分を樹脂溶液1404に浸潤
させる。その後、zステージ1402を図14の上方向
に駆動し、樹脂溶液1404から細線化光ファイバ14
01先端を引き上げることにより、先端に樹脂コートを
行う。
As described above, the thinned optical probe 1303 having the fine end formed by bending the tip is coated with the resin 1302 so as to cover the fine opening 1301 as shown in FIG. . With this resin coating, it is possible to prevent the minute opening from being closed during the second-stage Al deposition. A method for performing resin coating will be described with reference to FIG. The thinned optical probe 1401 with the tip bent and a minute aperture formed is connected to the z-stage 140
2 on the support 1403. z stage 1402
Is driven in the downward direction in FIG.
The small opening 1405 at the tip is infiltrated with the resin solution 1404. Thereafter, the z-stage 1402 is driven upward in FIG.
01 By pulling up the tip, resin coating is performed on the tip.

【0043】ここで、樹脂溶液としては、あとで溶媒に
より除去可能な樹脂、例えば、アクリル樹脂やレジスト
などを用いることができる。ここで、細線化光ファイバ
1401は図中z方向の撓みに関する弾性定数が小さい
ので、樹脂溶液1404の表面張力により、微小開口1
405部分だけでなく、根元までが浸潤してしまう。そ
こで、図14に示す沈みストッパー1406を取り付
け、細線化光1401の先端の曲がり部分に近い部分を
下方向から支えるように配置するようにする。これによ
り、細線化光ファイバ1401先端の微小開口1405
部分のみを選択的に樹脂コートすることができる。
Here, as the resin solution, a resin that can be removed later by a solvent, for example, an acrylic resin or a resist can be used. Here, since the thinned optical fiber 1401 has a small elastic constant with respect to the bending in the z direction in the figure, the minute opening 1 is caused by the surface tension of the resin solution 1404.
Not only the 405 part but also the root infiltrates. Therefore, a sinking stopper 1406 shown in FIG. 14 is attached, and a portion of the thinned light 1401 near the bent portion at the tip is supported so as to be supported from below. Thereby, the minute aperture 1405 at the tip of the thinned optical fiber 1401
Only a portion can be selectively resin-coated.

【0044】次に図15に示すように微小開口1501
部分に樹脂コート1502された細線化光ファイバ15
03の側面に対して中心軸1506回りに回転させなが
ら横方向からAl蒸着1504を行い、厚さ150nm
の遮光用Al膜1505を形成する。この後、樹脂コー
トを溶媒中で超音波洗浄により除去する。上述のような
順に2段階の回転させながらのAl蒸着を行うことによ
り、樹脂コート部分と被コート部分の境界部分からの不
要漏れ光の発生をさけることができる。
Next, as shown in FIG.
Thinned optical fiber 15 coated with resin 1502
Al deposition 1504 is performed from the lateral direction while rotating around the central axis 1506 with respect to the side surface of
A light shielding Al film 1505 is formed. Thereafter, the resin coat is removed by ultrasonic cleaning in a solvent. By performing Al vapor deposition while rotating in two stages in the order described above, generation of unnecessary leak light from the boundary between the resin coated portion and the coated portion can be avoided.

【0045】これから後の工程は、前述した様に細線化
光ファイバの探針とは反対側の端に十分な長さの光ファ
イバを融着接続し、この光ファイバを通して、近接場光
プローブとして使用する際の光の出し入れを行う。さら
に、図4に示す装置を用いて、これまで説明したように
して作製した細線化光ファイバAと、同様に化学エッチ
ングを用いて細線化を行った別の細線化光ファイバBと
をV字形に接合し、図6に示したV字カンチレバー形の
近接場光プローブを作製する。
In the subsequent steps, as described above, an optical fiber of a sufficient length is fusion-spliced to the end of the thinned optical fiber opposite to the probe, and a near-field optical probe is passed through this optical fiber. Takes light in and out when used. Further, using the apparatus shown in FIG. 4, a thinned optical fiber A manufactured as described above and another thinned optical fiber B similarly thinned using chemical etching are combined into a V-shape. Then, a V-shaped cantilever-shaped near-field optical probe shown in FIG. 6 is manufactured.

【0046】以上の工程により作製した先端部分に曲げ
加工を行っプローブによるV字カンチレバー形の近接場
光プローブを用いたコンタクトAFM距離制御型の近接
場光プローブ走査加工装置の構成を図16に示す。図1
6において、プローブ支持基板1602に取り付けたV
字カンチレバー形の近接場光プローブ1601の先端近
傍に背後からレーザB1603からレーザを照射し、そ
の反射光ビームスポットの位置変化を二分割センサ16
04で検出する。二分割センサ1604の差信号は近接
場光プローブ1601先端のz方向の撓み量に対応した
AFM信号であり、これをコンピュータ1608に入力
する。
FIG. 16 shows the configuration of a contact AFM distance control type near-field optical probe scanning and processing apparatus using a V-shaped cantilever type near-field optical probe by bending a tip portion manufactured by the above process and using a probe. . FIG.
6, the V attached to the probe support substrate 1602
A laser is emitted from the laser B1603 to the vicinity of the tip of the near-field optical probe 1601 in the shape of a cantilever from behind, and the position change of the reflected light beam spot is detected by the two-part sensor 16.
Detect at 04. The difference signal of the two-divided sensor 1604 is an AFM signal corresponding to the amount of deflection of the tip of the near-field optical probe 1601 in the z direction, and is input to the computer 1608.

【0047】一方、xyzステージ1605をz方向に
駆動することにより、近接場光プローブ1601の先端
をxyzステージ1605上に搭載した基板1607上
のレジスト1606表面に対し、10E−7[N]以下
のファンデルワールス力が働く程度に接触させる。この
状態で、コンピュータ1608からxyzステージ駆動
信号を出力し、xyzステージ1605をxy方向に2
次元走査させる。
On the other hand, by driving the xyz stage 1605 in the z direction, the tip of the near-field optical probe 1601 is moved below 10E-7 [N] with respect to the surface of the resist 1606 on the substrate 1607 mounted on the xyz stage 1605. Make contact so that van der Waals force works. In this state, an xyz stage drive signal is output from the computer 1608, and the xyz stage 1605 is moved two times in the xy direction.
Dimensionally scan.

【0048】コンピュータ1608において、xyzス
テージ1605のxy方向駆動信号に対し、AFM信号
の大きさをマッピングすることにより、レジスト160
6の表面形状を知ることができ、これを元にレジスト1
606、すなわち基板1607に対する近接場光プロー
ブ1601先端の位置合わせを行う。さらに、近接場光
プローブ1601に接続した光ファイバ1609にレー
ザA1610からのレーザ光を集光レンズA1611で
入射し、近接場光プローブ1601先端に設けられた微
小開口から近接場光を発生させる。
The computer 1608 maps the magnitude of the AFM signal to the xy-direction drive signal of the xyz stage 1605, so that the resist 160
6 can be known, and based on this, the resist 1
606, that is, positioning of the tip of the near-field optical probe 1601 with respect to the substrate 1607 is performed. Further, the laser light from the laser A 1610 is incident on the optical fiber 1609 connected to the near-field light probe 1601 by the condenser lens A 1611, and the near-field light is generated from a minute aperture provided at the tip of the near-field light probe 1601.

【0049】レジスト1606表面に対し、近接場光プ
ローブ1601先端を間に10E−7[N]以下のファ
ンデルワールス力が働く程度に接触させたとき、両者の
間隔は100nm以下になっており、レジスト1606
表面における近接場光の強度は十分大きい。コンピュー
タ1608から出力されるxyzステージ1605のx
y駆動信号及びAFM信号に基づき、レジスト1606
・基板1607に対し近接場光プローブ先端が所定の位
置に位置合わせされたとき、コンピュータ1608から
出力されるレーザー制御信号に基づき、レーザA161
0の光照射・非照射の制御を行い、露光、すなわち、レ
ジスト1606に潜像パターン1612形成を行う。こ
れ以後は通常の半導体プロセスと同様である。
When the tip of the near-field light probe 1601 is brought into contact with the surface of the resist 1606 so that a van der Waals force of 10E-7 [N] or less acts between them, the distance between them is 100 nm or less. Resist 1606
The intensity of the near-field light on the surface is sufficiently large. X of xyz stage 1605 output from computer 1608
resist 1606 based on the y drive signal and the AFM signal
When the tip of the near-field optical probe is positioned at a predetermined position with respect to the substrate 1607, the laser A 161 is output based on the laser control signal output from the computer 1608.
Light irradiation / non-irradiation control of 0 is performed, and exposure, that is, formation of a latent image pattern 1612 on the resist 1606 is performed. Subsequent processes are the same as those in a normal semiconductor process.

【0050】前述したV字形に接合されたカンチレバー
形近接場光プローブを用いることにより、露光時の近接
場光プローブのy方向走査時にy方向への撓み量がほと
んど無視できるほど小さく低減でき、近接場光微細加工
装置の加工精度が向上した。なお、本実施例で説明した
近接場光プローブは微細加工装置以外に近接場光を用い
た顕微鏡や記録再生装置にも用いることができ、同様の
効果を有している。
By using the above-described V-shaped cantilever type near-field optical probe, the amount of deflection in the y-direction of the near-field optical probe during scanning in the y-direction during exposure can be reduced to a negligibly small value. The processing accuracy of the field light fine processing equipment has been improved. The near-field optical probe described in this embodiment can be used for a microscope or a recording / reproducing apparatus using near-field light in addition to the fine processing apparatus, and has the same effect.

【0051】また、本実施例では、レジスト(試料、記
録媒体)表面に対する近接場光プローブの距離制御方式
として、コンタクトAFM制御方式を用いる場合につい
て説明したが、本実施例の近接場光プローブは、プロー
ブ径や長さを変えて撓み方向の弾性定数の値を変更する
ことにより、他に、タッピングAFM制御方式やノンコ
ンタクトAFM制御方式を用いることができる。
In the present embodiment, the case where the contact AFM control system is used as the distance control system of the near-field optical probe with respect to the resist (sample, recording medium) surface has been described. By changing the value of the elastic constant in the bending direction by changing the probe diameter or length, a tapping AFM control method or a non-contact AFM control method can be used.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、加工ビーム照射部分を溶融し、曲げ加工を行うカン
チレバー形近接場光プローブの作製方法において、加工
ビーム照射方向に対し、近接場光プローブを垂直からず
らした角度で加工ビーム照射を行うことにより、溶融に
よる先端丸まりを避けることができ、高い分解能の近接
場光プローブが実現される。
As described above, according to the present invention, in a method of manufacturing a cantilever type near-field optical probe for melting and bending a processing beam irradiation portion, a near-field By irradiating the processing beam at an angle shifted from the vertical, the rounding of the tip due to melting can be avoided, and a near-field optical probe with high resolution is realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例における近接場光プローブの構
成を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a near-field optical probe according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例における化学エッチングを用い
て光ファイバを細線化する工程の説明図。
FIG. 2 is an explanatory view of a step of thinning an optical fiber by using chemical etching in an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例における細線化光ファイバを回
転させながら横方向から遮光用金属膜を形成する工程の
説明図。
FIG. 3 is an explanatory view of a step of forming a light-shielding metal film from a lateral direction while rotating a thinned optical fiber in an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例における細線化光ファイバをV
字形に接合する工程の説明図。
FIG. 4 is a diagram illustrating a thinned optical fiber according to an embodiment of the present invention;
Explanatory drawing of the process of joining in a character shape.

【図5】本発明の実施例におけるV字形の近接場光プロ
ーブを用いたシアーフォース距離制御型の近接場光学顕
微鏡の構成図。
FIG. 5 is a configuration diagram of a shear force distance control type near-field optical microscope using a V-shaped near-field optical probe in an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施例における本発明の工程を用いて
作製した近接場光プローブの構成図。
FIG. 6 is a configuration diagram of a near-field optical probe manufactured by using the process of the present invention in the embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施例におけるCO2レーザ光照射に
より細線化光ファイバ先端を曲げる工程の説明図。
FIG. 7 is an explanatory view of a step of bending the tip of a thinned optical fiber by irradiating a CO 2 laser beam in the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施例におけるCO2レーザ照射の際
に細線化光ファイバを水平に支持した例を示す図。
FIG. 8 is a diagram illustrating an example in which a thinned optical fiber is horizontally supported during irradiation of a CO 2 laser in an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の実施例におけるCO2レーザ照射の際
に曲がりストッパーがない例を示す図。
FIG. 9 is a view showing an example in which a bending stopper is not provided during irradiation of a CO 2 laser in the embodiment of the present invention.

【図10】本発明の実施例における第1の成膜工程であ
る先端が曲げられた細線化光ファイバを回転させながら
横方向から遮光用金属膜を形成する工程の説明図。
FIG. 10 is an explanatory view of a step of forming a light-shielding metal film from the lateral direction while rotating a thinned optical fiber having a bent end, which is a first film forming step in the embodiment of the present invention.

【図11】本発明の実施例における近接場光プローブ先
端の微小開口の向きが被加工表面や試料表面、記録媒体
表面の法線方向と異なる様子を示す図。
FIG. 11 is a diagram showing a state in which the direction of a minute opening at the tip of a near-field optical probe in the embodiment of the present invention is different from the normal direction of the surface to be processed, the sample surface, or the recording medium surface.

【図12】本発明の実施例における近接場光プローブ先
端の微小開口の向きが被加工表面や試料表面、記録媒体
表面の法線方向と一致する様子を示す図。
FIG. 12 is a diagram showing a state in which the direction of a minute opening at the tip of the near-field optical probe in the embodiment of the present invention matches the normal direction of the surface to be processed, the surface of the sample, or the surface of the recording medium.

【図13】本発明の実施例における樹脂コートで覆われ
た細線化光ファイバ先端の微小開口の構成図。
FIG. 13 is a configuration diagram of a minute opening at the tip of a thinned optical fiber covered with a resin coat according to an embodiment of the present invention.

【図14】本発明の実施例における樹脂コート工程の説
明図。
FIG. 14 is an explanatory diagram of a resin coating step in the example of the present invention.

【図15】本発明の実施例における第2の成膜工程であ
る樹脂コートで先端を覆われた細線化光ファイバの側面
に横方向から遮光用金属膜を形成する工程の説明図。
FIG. 15 is an explanatory view of a step of forming a light-shielding metal film from a lateral direction on a side surface of a thinned optical fiber whose end is covered with a resin coat, which is a second film forming step in the embodiment of the present invention.

【図16】本発明の実施例におけるV字カンチレバー形
の近接場光プローブを用いたコンタクトAFM距離制御
型の近接場光プローブ走査加工装置の構成図。
FIG. 16 is a configuration diagram of a contact AFM distance control type near-field optical probe scanning and processing apparatus using a V-shaped cantilever type near-field optical probe in an embodiment of the present invention.

【図17】従来例におけるシアーフォース方式距離制御
において光プローブ先端が往復振動からずれた運動を行
う例の説明図。
FIG. 17 is an explanatory diagram of an example in which the tip of an optical probe performs a movement deviated from reciprocating vibration in a shear force distance control in a conventional example.

【図18】従来例における光プローブ先端が摩擦力を受
け、走査方向と反対方向に撓みを生じる場合の説明図。
FIG. 18 is an explanatory diagram of a conventional example in which the tip of an optical probe receives a frictional force and bends in a direction opposite to a scanning direction.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101:細線化光ファイバA 102:細線化光ファイバB 103:探針 104:遮光用Alコーティング 105:微小開口 106:接着剤B 107:接合部分 108:光プローブ支持基板 109:接着剤A 110:接着剤C 111:元の光ファイバ 112:光 201:テフロン容器 202:エッチング液 203:光ファイバ 204:クラッド 205:コア 206:コア露出部分 207:エッチング終了時の光ファイバ 208:尖鋭化部分 209:エッチング途中の光ファイバ 301:細線化光ファイバ 302:Al蒸着 303:中心軸 304:光学的開口 305:遮光用Al膜 401:細線化光ファイバA 402:細線化光ファイバB 403:プローブ支持基板 404:接着剤A 405:xyzθ駆動ステージ 406:テープ 407:接着剤B 408:接着剤C 501:V字形の近接場光プローブ 502:プローブ支持基板 503:ピエゾ素子 504:ファンクションジェネレータ 505:レーザB 506:二分割センサ 507:xyzステージ 508:試料 509:ロックインアンプ 510:距離制御回路 511:光ファイバ 512:レーザA 513:集光レンズA 514:散乱光 515:集光レンズB 516:光電子増倍管 517:コンピュータ 518:ディスプレイ 601:細線化光ファイバA 602:細線化光ファイバB 603:探針 604:遮光用Alコート 605:微小開口 606:接着剤B 607:接合部分 608:光プローブ支持基板 609:接着剤A 610:接着剤C 611:元の光ファイバ 612:光 701:細線化光ファイバ 702:細線化光ファイバ支持部材 703:集光レンズ 704:CO2レーザ光 705:レーザ光照射位置 706:探針 707:xyzステージ 708:曲がりストッパー 801:水平に支持された細線化光ファイバ 802:CO2レーザ光 803:化学エッチングにより尖鋭化された探針 804:先端が丸まった探針 805:レーザ光照射位置 901:細線化光ファイバ支持部材 902:細線化光ファイバ 903:CO2レーザ光 904:レーザ光照射位置 1001:先端が曲げられた細線化光ファイバ 1002:Al蒸着 1003:中心軸 1004:光学的開口 1005:遮光用Al膜 1006:回転ステージ 1007:回転コーテイング時細線化光ファイバ支持部
材 1101:近接場光プローブC 1102:近接場光プローブD 1103:微小開口C l104:微小開口D l105:被加工表面、試料表面、記録媒体表面 1201:被加工表面、試料表面、記録媒体表面 1202:近接場光プローブA 1203:近接場光プローブB 1204:微小開口A 1205:微小開口B 1206:近接場光プローブの中心軸 1301:微小開口 1302:樹脂コート 1303:先端を曲げ微小開口を形成した細線化光ファ
イバ 1401:先端を曲げ、微小開口を形成した細線化光フ
ァイバ 1402:zステージ 1403:支持台 1404:樹脂溶液 1405:微小開口 1406:沈みストッパー 1501:微小開口形成部分 1502:樹脂コート 1503:細線化光ファイバ 1504:Al蒸着 1505:遮光用Al膜 1506:中心軸 1601:V字カンチレバー形の近接場光プローブ 1602:プローブ支持基板 1603:レーザB 1604:二分割センサ 1605:xyzステージ 1606:レジスト 1607:基板 1608:コンピュータ 1609:光ファイバ 1610:レーザA 1611:集光レンズA 1612:潜像パターン 1701:試料表面 1702:光プローブ 1703:ピエゾ素子
101: thinned optical fiber A 102: thinned optical fiber B 103: probe 104: Al coating for light shielding 105: minute opening 106: adhesive B 107: bonding portion 108: optical probe support substrate 109: adhesive A 110: Adhesive C 111: Original optical fiber 112: Light 201: Teflon container 202: Etching solution 203: Optical fiber 204: Cladding 205: Core 206: Core exposed portion 207: Optical fiber at the end of etching 208: Sharpened portion 209: Optical fiber 301 during etching 301: thinned optical fiber 302: Al vapor deposition 303: central axis 304: optical aperture 305: light shielding Al film 401: thinned optical fiber A 402: thinned optical fiber B 403: probe support substrate 404 : Adhesive A 405: xyzθ drive stage 406: Loop 407: Adhesive B 408: Adhesive C 501: V-shaped near-field optical probe 502: Probe support substrate 503: Piezo element 504: Function generator 505: Laser B 506: Two-part sensor 507: xyz stage 508: Sample 509: Lock-in amplifier 510: Distance control circuit 511: Optical fiber 512: Laser A 513: Condensing lens A 514: Scattered light 515: Condensing lens B 516: Photomultiplier tube 517: Computer 518: Display 601: Fine line Optical fiber A 602: Thinned optical fiber B 603: Probe 604: Al coating for light shielding 605: Micro aperture 606: Adhesive B 607: Bonded portion 608: Optical probe support substrate 609: Adhesive A 610: Adhesive C 611 : Original optical fiber 612: Light 701: Fine Kahikari Fiber 702: thin line Kahikari fiber support member 703: condenser lens 704: CO 2 laser beam 705: laser light irradiation position 706: probe 707: xyz stage 708: Curved Stopper 801: horizontally supported thinned light Fiber 802: CO 2 laser beam 803: Probe sharpened by chemical etching 804: Probe with rounded tip 805: Laser beam irradiation position 901: Thin optical fiber support member 902: Thin optical fiber 903: CO 2 Laser light 904: Laser light irradiation position 1001: Thinned optical fiber bent at the tip 1002: Al vapor deposition 1003: Central axis 1004: Optical aperture 1005: Al film for light shielding 1006: Rotating stage 1007: Thinned light during rotary coating Fiber support member 1101: Near-field optical probe C 110 : Near-field optical probe D 1103: minute aperture C 1104: minute aperture D 1105: surface to be processed, sample surface, recording medium surface 1201: surface to be processed, sample surface, recording medium surface 1202: near-field optical probe A 1203: proximity Field light probe B 1204: minute aperture A 1205: minute aperture B 1206: central axis of near-field optical probe 1301: minute aperture 1302: resin coating 1303: thin end optical fiber with bent end and small opening 1401: bent end , Thinned optical fiber 1402: z-stage 1403: support base 1404: resin solution 1405: small opening 1406: sinking stopper 1501: small opening forming portion 1502: resin coating 1503: thinned optical fiber 1504: Al vapor deposition 1505: Al film for shielding light 1506: Central axis 1601: V-shaped cantilever type near-field optical probe 1602: Probe support substrate 1603: Laser B 1604: Two-part sensor 1605: Xyz stage 1606: Resist 1607: Substrate 1608: Computer 1609: Optical fiber 1610: Laser A 1611: Light collecting Lens A 1612: Latent image pattern 1701: Sample surface 1702: Optical probe 1703: Piezo element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G12B 21/06 G12B 1/00 601C // G01B 11/24 G01B 11/24 A Fターム(参考) 2F065 AA07 AA52 AA60 DD03 FF00 FF01 GG04 HH04 HH13 JJ01 JJ05 JJ07 JJ09 JJ17 JJ23 LL02 LL57 MM03 PP12 SS13 UU01 4E068 CA08 DA00 DA16 5D090 CC01 CC04 FF11 LL01 5D119 AA22 AA38 JA34 NA05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G12B 21/06 G12B 1/00 601C // G01B 11/24 G01B 11/24 A F-term (Reference) 2F065 AA07 AA52 AA60 DD03 FF00 FF01 GG04 HH04 HH13 JJ01 JJ05 JJ07 JJ09 JJ17 JJ23 LL02 LL57 MM03 PP12 SS13 UU01 4E068 CA08 DA00 DA16 5D090 CC01 CC04 FF11 LL01 5D119 AA22 AA38 JA34 NA05

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】レーザ光の照射により照射部分を溶融し、
根元部分に対して探針を有する先端部分を所定角度に曲
げ加工を行って、近接場光プローブを作製する近接場光
プローブの作製方法において、 前記近接場光プローブが、前記レーザ光の照射方向であ
る垂直方向に対し、ずらした角度から該レーザ光の照射
を受けるようにして、曲げ加工を行うことを特徴とする
近接場光プローブの作製方法。
1. An irradiation part is melted by irradiation of a laser beam,
A method for producing a near-field optical probe for producing a near-field optical probe by bending a tip portion having a probe at a predetermined angle with respect to a root portion, wherein the near-field optical probe has an irradiation direction of the laser light. A method for producing a near-field optical probe, wherein the laser beam is irradiated at an angle shifted from the vertical direction.
【請求項2】前記曲げ加工において、曲げストッパーを
配置し、前記近接場光プローブの曲げ角度を制限するこ
とを特徴とする請求項1に記載の近接場光プローブの作
製方法。
2. The method for manufacturing a near-field optical probe according to claim 1, wherein in the bending, a bending stopper is arranged to limit a bending angle of the near-field optical probe.
【請求項3】レーザ光の照射により照射部分を溶融して
根元部分に対して探針を有する先端部分を所定角度に曲
げる曲げ加工手段を備えた近接場光プローブの作製装置
において、 前記曲げ加工手段が、前記レーザ光の照射方向である垂
直方向からずらした角度で、前記近接場光プローブを支
持する支持手段を有し、該支持手段によって支持された
近接場光プローブが該レーザ光の照射方向とずらした角
度から該レーザ光の照射を受けるように構成されている
ことを特徴とする近接場光プローブの作製装置。
3. An apparatus for manufacturing a near-field optical probe, comprising: bending means for bending a tip portion having a probe with respect to a root portion at a predetermined angle by melting a portion irradiated by laser light. Means for supporting the near-field light probe at an angle shifted from a vertical direction which is the irradiation direction of the laser light, and the near-field light probe supported by the support means irradiates the near-field light probe with the laser light. An apparatus for producing a near-field optical probe, which is configured to receive irradiation of the laser light from an angle shifted from a direction.
【請求項4】前記曲げ加工手段が、曲げストッパーを備
え、該曲げストッパーによって前記近接場光プローブの
曲げ角度を制限するように構成されていることを特徴と
する請求項3に記載の近接場光プローブの作製装置。
4. The near-field according to claim 3, wherein the bending means has a bending stopper, and the bending stopper limits a bending angle of the near-field optical probe. Optical probe manufacturing equipment.
【請求項5】請求項1〜2のいずれか1項に記載の近接
場光プローブの作製方法、または請求項3〜4のいずれ
か1項に記載の近接場光プローブの作製装置によって作
製された近接場光プローブを用い、前記曲げ加工によっ
て曲げられた先端部分と該根元部分に対して遮光材料を
成膜する工程を、該先端部分に対する第1の成膜工程と
該根元部分に対する第2の成膜工程との二段階に分け、
これら各成膜工程での成膜に際し、それぞれの異なる軸
回りにプローブを回転させながら、その回転軸と垂直な
方向からプローブ表面に遮光材料による成膜を行うこと
を特徴とする近接場光プローブの作製方法。
5. A method for producing a near-field optical probe according to any one of claims 1 to 2, and a method for producing a near-field optical probe according to any one of claims 3 to 4. Forming a light-shielding material on the tip portion and the root portion bent by the bending process using a near-field optical probe, wherein a first film-forming process on the tip portion and a second film-forming process on the root portion are performed. Divided into two stages,
A near-field optical probe, wherein a film is formed with a light-shielding material on a probe surface in a direction perpendicular to the rotation axis while rotating the probe around different axes during film formation in each of these film formation steps. Method of manufacturing.
【請求項6】前記第1の成膜工程において、前記回転軸
に垂直な方向に対して前記近接場光プローブの根元部分
を支持する角度を、該近接場光プローブを使用する装置
に取り付ける際に該近接場光プローブの根元部分が該近
接場光プローブ先端を対向させる試料表面に対してなす
角度と一致させることを特徴とする請求項5に記載の近
接場光プローブの作製方法。
6. The method according to claim 1, wherein in the first film forming step, an angle for supporting a root portion of the near-field optical probe with respect to a direction perpendicular to the rotation axis is attached to an apparatus using the near-field optical probe. 6. The method for producing a near-field optical probe according to claim 5, wherein an angle formed by a root portion of the near-field optical probe with respect to a sample surface facing the tip of the near-field optical probe.
【請求項7】請求項1〜2のいずれか1項に記載の近接
場光プローブの作製方法、または請求項3〜4のいずれ
か1項に記載の近接場光プローブの作製装置、または請
求項5〜6のいずれか1項に記載の近接場光プローブの
作製方法によって作製された近接場光プローブ。
7. A method for producing a near-field optical probe according to any one of claims 1 to 2, or a device for producing a near-field optical probe according to any one of claims 3 to 4, or Item 7. A near-field optical probe produced by the method for producing a near-field optical probe according to any one of Items 5 to 6.
【請求項8】請求項7に記載の近接場光プローブによっ
て、該近接場光プローブの先端が片持ち梁の自由端とな
るように基板に支持する一方、前記基板に一端が支持さ
れた該近接場光プローブとは別の棒状部材の他端を、前
記近接場光プローブの先端近傍に接合して、該近接場光
プローブと該棒状部材とでV字形が形成されるようにし
て構成されていることを特徴とする近接場光プローブ。
8. The near-field optical probe according to claim 7, wherein the near-field optical probe is supported on a substrate such that the tip of the near-field optical probe is a free end of a cantilever, while one end is supported by the substrate. The other end of the rod-shaped member different from the near-field light probe is joined to the vicinity of the tip of the near-field light probe so that a V-shape is formed by the near-field light probe and the rod-shaped member. And a near-field optical probe.
【請求項9】請求項7に記載の近接場光プローブを用
い、該近接場光プローブの先端が片持ち梁の自由端とな
るように基板に支持する工程と、 該近接場光プローブとは別の棒状部材の一端を該近接場
光プローブの先端近傍へ接合するに際し、該近接場光プ
ローブに対して該棒状部材のなす角度が所定の角度とな
るように接合する工程と、 前記基板に、前記棒状部材の他端を支持する工程と、 を有することを特徴とする近接場光プローブの作製方
法。
9. A step of using the near-field optical probe according to claim 7 and supporting the near-field optical probe on a substrate such that the tip of the near-field optical probe is a free end of a cantilever; When joining one end of another rod-shaped member to the vicinity of the tip of the near-field optical probe, joining the rod-shaped member to the near-field optical probe so that the angle formed by the rod-shaped member becomes a predetermined angle; and And a step of supporting the other end of the rod-shaped member.
【請求項10】近接場光プローブによって試料表面を観
察する近接場光学顕微鏡において、前記近接場光プロー
ブを請求項7〜8のいずれか1項に記載の近接場光プロ
ーブ、または請求項9に記載の近接場光プローブの作製
方法によって作製された近接場光プローブによって構成
したことを特徴とする近接場光学顕微鏡。
10. A near-field optical probe for observing a sample surface with a near-field optical probe, wherein the near-field optical probe is the near-field optical probe according to any one of claims 7 to 8, or the ninth aspect. A near-field optical microscope comprising a near-field optical probe manufactured by the above-described method for manufacturing a near-field optical probe.
【請求項11】近接場光プローブによって被加工面を微
細加工する近接場光微細加工装置において、前記近接場
光プローブを請求項7〜8のいずれか1項に記載の近接
場光プローブ、または請求項9に記載の近接場光プロー
ブの作製方法によって作製された近接場光プローブによ
って構成したことを特徴とする近接場光微細加工装置。
11. A near-field light fine processing apparatus for finely processing a surface to be processed by a near-field light probe, wherein the near-field light probe is the near-field light probe according to any one of claims 7 to 8, or A near-field light microfabrication apparatus comprising a near-field light probe manufactured by the method for manufacturing a near-field light probe according to claim 9.
【請求項12】近接場光プローブによって情報の記録再
生を行う近接場光記録再生装置において、前記近接場光
プローブを請求項7〜8のいずれか1項に記載の近接場
光プローブ、または請求項9に記載の近接場光プローブ
の作製方法によって作製された近接場光プローブによっ
て構成したことを特徴とする近接場光記録再生装置。
12. A near-field optical probe according to claim 7, wherein said near-field optical probe is a near-field optical recording / reproducing apparatus for recording / reproducing information by using a near-field optical probe. Item 10. A near-field optical recording / reproducing apparatus comprising a near-field optical probe manufactured by the near-field optical probe manufacturing method according to Item 9.
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