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JP2002161116A - Polymer compound, resist material, and pattern forming method - Google Patents

Polymer compound, resist material, and pattern forming method

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Publication number
JP2002161116A
JP2002161116A JP2001269745A JP2001269745A JP2002161116A JP 2002161116 A JP2002161116 A JP 2002161116A JP 2001269745 A JP2001269745 A JP 2001269745A JP 2001269745 A JP2001269745 A JP 2001269745A JP 2002161116 A JP2002161116 A JP 2002161116A
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JP
Japan
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group
repeating unit
unit represented
carbon atoms
general formula
Prior art date
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JP2001269745A
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Japanese (ja)
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Tsunehiro Nishi
恒寛 西
Mutsuo Nakajima
睦雄 中島
Seiichiro Tachibana
誠一郎 橘
Takeshi Kanou
剛 金生
Koji Hasegawa
幸士 長谷川
Takeshi Watanabe
武 渡辺
Jun Hatakeyama
畠山  潤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 下記一般式(1−1)又は(1−2)で
示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量
平均分子量1,000〜500,000の高分子化合
物。 【化1】 (式中、kは0又は1である。mは0、1、2、3又は
4である。nは1又は2である。) 【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレ
ジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像
性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外
線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレ
ーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が
小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターン
を容易に形成することができるという特徴を有する。
(57) Abstract: A polymer having a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000, comprising a repeating unit represented by the following general formula (1-1) or (1-2): Compound. Embedded image (In the formula, k is 0 or 1. m is 0, 1, 2, 3 or 4. n is 1 or 2.) Resist using the polymer compound of the present invention as a base resin. Since the material is sensitive to high energy rays and has excellent sensitivity, resolution, and etching resistance, it is useful for fine processing using electron beams or far ultraviolet rays. In particular, since the absorption at the exposure wavelength of an ArF excimer laser or a KrF excimer laser is small, a fine pattern perpendicular to the substrate can be easily formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、(1)特定の繰り
返し単位を含有する高分子化合物、(2)この高分子化
合物をベース樹脂として含有するレジスト材料、及び
(3)このレジスト材料を用いたパターン形成方法に関
する。
The present invention relates to (1) a polymer compound containing a specific repeating unit, (2) a resist material containing the polymer compound as a base resin, and (3) a resist material containing the polymer compound. A pattern forming method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、LSIの高集積化と高速度化に伴
い、パターンルールの微細化が求められているなか、次
世代の微細加工技術として遠紫外線リソグラフィーが有
望視されている。中でもKrFエキシマレーザー光、A
rFエキシマレーザー光を光源としたフォトリソグラフ
ィーは、0.3μm以下の超微細加工に不可欠な技術と
してその実現が切望されている。
2. Description of the Related Art In recent years, as the integration and speed of LSIs have been increased and the pattern rules have been required to be finer, far-ultraviolet lithography has been regarded as a promising next-generation fine processing technology. Among them, KrF excimer laser light, A
Photolithography using an rF excimer laser beam as a light source is required to be realized as a technology indispensable for ultrafine processing of 0.3 μm or less.

【0003】KrFエキシマレーザー用レジスト材料で
は、実用可能レベルの透明性とエッチング耐性を併せ持
つポリヒドロキシスチレンが事実上の標準ベース樹脂と
なっている。ArFエキシマレーザー用レジスト材料で
は、ポリアクリル酸又はポリメタクリル酸の誘導体や脂
肪族環状化合物を主鎖に含有する高分子化合物等の材料
が検討されているが、いずれのものについても長所と短
所があり、未だ標準ベース樹脂が定まっていないのが現
状である。
In a resist material for a KrF excimer laser, polyhydroxystyrene, which has both practically usable transparency and etching resistance, has become a practically standard base resin. In the case of resist materials for ArF excimer lasers, materials such as polyacrylic acid or polymethacrylic acid derivatives and high molecular weight compounds containing an aliphatic cyclic compound in the main chain have been studied, but all have advantages and disadvantages. Yes, the standard base resin has not yet been determined.

【0004】即ち、ポリアクリル酸又はポリメタクリル
酸の誘導体を用いたレジスト材料の場合、酸分解性基の
反応性が高い、基板密着性に優れる等の利点が有り、感
度と解像性については比較的良好な結果が得られるもの
の、樹脂の主鎖が軟弱なためにエッチング耐性が極めて
低く、実用的でない。一方、脂肪族環状化合物を主鎖に
含有する高分子化合物を用いたレジスト材料の場合、樹
脂の主鎖が十分剛直なためにエッチング耐性は実用レベ
ルにあるものの、酸分解性保護基の反応性がアクリル系
のものに比べて大きく劣るために低感度及び低解像性で
あり、また樹脂の主鎖が剛直過ぎるために基板密着性が
低く、やはり好適でない。パターンルールのより一層の
微細化が求められる中、感度、解像性、及びエッチング
耐性の全てにおいて優れた性能を発揮するレジスト材料
が必要とされているのである。
That is, a resist material using a derivative of polyacrylic acid or polymethacrylic acid has advantages such as high reactivity of an acid-decomposable group and excellent substrate adhesion. Although relatively good results are obtained, the etching resistance is extremely low due to the soft main chain of the resin, which is not practical. On the other hand, in the case of a resist material using a polymer compound containing an aliphatic cyclic compound in the main chain, although the etching resistance is at a practical level because the main chain of the resin is sufficiently rigid, the reactivity of the acid-decomposable protecting group is high. Is inferior to acrylics, resulting in low sensitivity and low resolution, and the main chain of the resin is too rigid, resulting in poor substrate adhesion, which is also not suitable. As pattern rules are required to be further miniaturized, resist materials that exhibit excellent performance in all of sensitivity, resolution, and etching resistance are required.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みなされたもので、(1)反応性、剛直性及び基板密着
性に優れる高分子化合物、(2)該高分子化合物をベー
ス樹脂とし、従来品を大きく上回る解像性及びエッチン
グ耐性を有するレジスト材料、及び(3)該レジスト材
料を用いたパターン形成方法を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and (1) a polymer compound having excellent reactivity, rigidity and substrate adhesion; It is another object of the present invention to provide a resist material having resolution and etching resistance which are significantly higher than those of conventional products, and (3) a pattern forming method using the resist material.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、後述する方法によって得られる下記一般式(1−
1)又は(1−2)で示される繰り返し単位を含有する
重量平均分子量1,000〜500,000の新規高分
子化合物が反応性、剛直性及び基板密着性に優れるこ
と、この化合物を用いて得られるベース樹脂として用い
たレジスト材料が高解像性及び高エッチング耐性を有す
ること、そしてこのレジスト材料が精密な微細加工に極
めて有効であることを知見した。
Means for Solving the Problems and Embodiments of the Invention The present inventors have made intensive studies in order to achieve the above object, and as a result, have obtained the following general formula (1-
The novel polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000 containing the repeating unit represented by 1) or (1-2) is excellent in reactivity, rigidity and substrate adhesion. It has been found that the resist material used as the obtained base resin has high resolution and high etching resistance, and that this resist material is extremely effective for precise fine processing.

【0007】即ち、本発明は下記の高分子化合物を提供
する。 [I]下記一般式(1−1)又は(1−2)で示される
繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子
量1,000〜500,000の高分子化合物。
That is, the present invention provides the following polymer compound. [I] A polymer having a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000, containing a repeating unit represented by the following general formula (1-1) or (1-2).

【化6】 (式中、kは0又は1である。mは0、1、2、3又は
4である。nは1又は2である。)
Embedded image (In the formula, k is 0 or 1. m is 0, 1, 2, 3, or 4. n is 1 or 2.)

【0008】[II]上記一般式(1−1)で示される
繰り返し単位に加え、下記一般式(2−1)で示される
繰り返し単位を含有することを特徴とする[I]に記載
の高分子化合物。
[II] The composition according to [I], further comprising a repeating unit represented by the following general formula (2-1) in addition to the repeating unit represented by the above general formula (1-1). Molecular compound.

【化7】 (式中、kは上記と同様である。R1は水素原子、メチ
ル基又はCH2CO23を示す。R2は水素原子、メチル
基又はCO23を示す。R3は炭素数1〜15の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示す。R4は酸
不安定基を示す。R5はハロゲン原子、水酸基、炭素数
1〜15の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシ
基、アシルオキシ基、アルキルスルフォニルオキシ基、
又は炭素数2〜15の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルコキシアルコキシ基又はアルコキシカルボニルオキシ
基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部が
ハロゲン原子に置換されていてもよい。Zは単結合又は
炭素数1〜5の直鎖状、分岐状もしくは環状の(p+
2)価の炭化水素基を示し、炭化水素基である場合に
は、1個以上のメチレン基が酸素原子に置換されて鎖状
もしくは環状のエーテルを形成してもよく、同一炭素上
の2個の水素原子が酸素原子に置換されてケトンを形成
してもよい。pは0、1又は2である。)
Embedded image (In the formula, k is the same as above. R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group or CH 2 CO 2 R 3. R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group or CO 2 R 3. R 3 is a carbon atom. R 4 represents an acid labile group, R 5 represents a halogen atom, a hydroxyl group, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms. Cyclic alkoxy group, acyloxy group, alkylsulfonyloxy group,
Or a linear, branched, or cyclic alkoxyalkoxy group or an alkoxycarbonyloxy group having 2 to 15 carbon atoms, in which part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbon atoms may be substituted with halogen atoms. Z is a single bond or a linear, branched or cyclic (p +
2) a valent hydrocarbon group, and when it is a hydrocarbon group, one or more methylene groups may be substituted with an oxygen atom to form a chain or cyclic ether; One hydrogen atom may be replaced by an oxygen atom to form a ketone. p is 0, 1 or 2. )

【0009】[III]上記一般式(1−1)で示され
る繰り返し単位に加え、下記一般式(2−1)及び
(3)で示される繰り返し単位を含有することを特徴と
する[I]に記載の高分子化合物。
[III] In addition to the repeating unit represented by the above general formula (1-1), the above [I] comprises repeating units represented by the following general formulas (2-1) and (3). 8. The polymer compound according to item 1.

【化8】 (式中、k、p、R1〜R5は上記と同様である。)Embedded image (In the formula, k, p, and R 1 to R 5 are the same as described above.)

【0010】[IV]上記一般式(1−1)で示される
繰り返し単位に加え、下記一般式(4)で示される繰り
返し単位又は下記一般式(2−1)で示される繰り返し
単位及び下記一般式(4)で示される繰り返し単位と、
下記一般式(3)で示される繰り返し単位とを含有する
ことを特徴とする[I]に記載の高分子化合物。
[IV] In addition to the repeating unit represented by the general formula (1-1), a repeating unit represented by the following general formula (4) or a repeating unit represented by the following general formula (2-1) A repeating unit represented by the formula (4);
The polymer compound according to [I], comprising a repeating unit represented by the following general formula (3).

【化9】 (式中、k、p、R1〜R5は上記と同様である。)Embedded image (In the formula, k, p, and R 1 to R 5 are the same as described above.)

【0011】[V]上記一般式(1−2)で示される繰
り返し単位に加え、下記一般式(2−2)で示される繰
り返し単位を含有することを特徴とする[I]に記載の
高分子化合物。
[V] In addition to the repeating unit represented by the general formula (1-2), the repeating unit represented by the following general formula (2-2) is contained. Molecular compound.

【化10】 (式中、k、p、R1〜R5は上記と同様である。)Embedded image (In the formula, k, p, and R 1 to R 5 are the same as described above.)

【0012】また、本発明は下記のレジスト材料を提供
する。 [VI][I]乃至[V]のいずれかに記載の高分子化
合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
Further, the present invention provides the following resist material. [VI] A resist material comprising the polymer compound according to any one of [I] to [V].

【0013】更に、本発明は下記のパターン形成方法を
提供する。 [VII][VI]に記載のレジスト材料を基板上に塗
布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネ
ルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じ
て加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含
むことを特徴とするパターン形成方法。
Further, the present invention provides the following pattern forming method. [VII] a step of applying the resist material according to [VI] on a substrate, a step of exposing with a high-energy ray or an electron beam through a photomask after the heat treatment, and, if necessary, a heat treatment and then a development. And developing with a liquid.

【0014】上記一般式(1−1)又は(1−2)で示
される繰り返し単位を含有する高分子化合物は、架橋を
持つ脂環を主鎖に含有しているため、高い剛直性を有す
る。また、極性の高い5員環又は6員環ラクトン構造を
有するため、基板密着性にも優れる。更に、ラクトン構
造と剛直な主鎖との間に導入された適当な長さのスペー
サーによって従来過剰であった剛直性が適度に緩和さ
れ、またラクトン構造部分が主鎖から離れて配置される
ために極性基としてより有効に働くようになり、結果と
して従来品を大きく上回る基板密着性を有するものとな
った。また、従来より大きな問題であった反応性の低さ
に関しても、スペーサー導入の効果で発生酸の拡散性が
高くなったことで改善され、同時にラインエッジラフネ
スの低減も達成された。従って、この高分子化合物をベ
ース樹脂としたレジスト材料は、感度、解像性及びエッ
チング耐性の全てにおいて優れた性能を有し、微細パタ
ーンの形成に極めて有用なものとなるのである。
The high molecular compound containing a repeating unit represented by the general formula (1-1) or (1-2) has a high rigidity because it contains an alicyclic ring having a crosslink in the main chain. . In addition, since it has a highly polar 5- or 6-membered lactone structure, it has excellent substrate adhesion. In addition, a spacer having an appropriate length introduced between the lactone structure and the rigid main chain appropriately moderates the rigidity which was conventionally excessive, and the lactone structure portion is disposed away from the main chain. As a result, it has become more effective as a polar group, and as a result, it has much higher substrate adhesion than conventional products. In addition, low reactivity, which was a bigger problem than in the past, was improved by increasing the diffusivity of the generated acid by the effect of introducing the spacer, and at the same time, the line edge roughness was reduced. Therefore, a resist material using this polymer compound as a base resin has excellent performance in all of sensitivity, resolution and etching resistance, and is extremely useful for forming a fine pattern.

【0015】以下、本発明につき更に詳細に説明する。
本発明の新規高分子化合物は、下記一般式(1−1)又
は(1−2)で示される繰り返し単位を含有することを
特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000
のものである。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
The novel polymer compound of the present invention contains a repeating unit represented by the following general formula (1-1) or (1-2), and has a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000.
belongs to.

【0016】[0016]

【化11】 (式中、kは0又は1である。mは0、1、2、3又は
4である。nは1又は2である。)
Embedded image (In the formula, k is 0 or 1. m is 0, 1, 2, 3, or 4. n is 1 or 2.)

【0017】また、本発明の高分子化合物は、より具体
的には次の4種類のものとすることができる。 (1)上記一般式(1−1)で示される繰り返し単位に
加え、下記一般式(2−1)で示される繰り返し単位を
含有するもの。
Further, the polymer compound of the present invention may be more specifically the following four types. (1) Those containing a repeating unit represented by the following general formula (2-1) in addition to a repeating unit represented by the above general formula (1-1).

【0018】[0018]

【化12】 (式中、kは上記と同様である。R1は水素原子、メチ
ル基又はCH2CO23を示す。R2は水素原子、メチル
基又はCO23を示す。R3は炭素数1〜15の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示す。R4は酸
不安定基を示す。R5はハロゲン原子、水酸基、炭素数
1〜15の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシ
基、アシルオキシ基、アルキルスルフォニルオキシ基、
又は炭素数2〜15の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルコキシアルコキシ基又はアルコキシカルボニルオキシ
基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部が
ハロゲン原子に置換されていてもよい。Zは単結合又は
炭素数1〜5の直鎖状、分岐状もしくは環状の(p+
2)価の炭化水素基を示し、炭化水素基である場合に
は、1個以上のメチレン基が酸素原子に置換されて鎖状
もしくは環状のエーテルを形成してもよく、同一炭素上
の2個の水素原子が酸素原子に置換されてケトンを形成
してもよい。pは0、1又は2である。)
Embedded image (In the formula, k is the same as above. R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group or CH 2 CO 2 R 3. R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group or CO 2 R 3. R 3 is a carbon atom. R 4 represents an acid labile group, R 5 represents a halogen atom, a hydroxyl group, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms. Cyclic alkoxy group, acyloxy group, alkylsulfonyloxy group,
Or a linear, branched, or cyclic alkoxyalkoxy group or an alkoxycarbonyloxy group having 2 to 15 carbon atoms, in which part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbon atoms may be substituted with halogen atoms. Z is a single bond or a linear, branched or cyclic (p +
2) a valent hydrocarbon group, and when it is a hydrocarbon group, one or more methylene groups may be substituted with an oxygen atom to form a chain or cyclic ether; One hydrogen atom may be replaced by an oxygen atom to form a ketone. p is 0, 1 or 2. )

【0019】(2)上記一般式(1−1)で示される繰
り返し単位に加え、下記一般式(2−1)及び(3)で
示される繰り返し単位を含有するもの。
(2) Those containing the repeating units represented by the following general formulas (2-1) and (3) in addition to the repeating units represented by the above general formula (1-1).

【0020】[0020]

【化13】 (式中、k、p、R1〜R5は上記と同様である。)Embedded image (In the formula, k, p, and R 1 to R 5 are the same as described above.)

【0021】(3)上記一般式(1−1)で示される繰
り返し単位に加え、下記一般式(4)で示される繰り返
し単位又は下記一般式(2−1)で示される繰り返し単
位及び下記一般式(4)で示される繰り返し単位と、下
記一般式(3)で示される繰り返し単位とを含有するも
の。
(3) In addition to the repeating unit represented by the general formula (1-1), a repeating unit represented by the following general formula (4) or a repeating unit represented by the following general formula (2-1) and One containing a repeating unit represented by the formula (4) and a repeating unit represented by the following general formula (3).

【0022】[0022]

【化14】 (式中、k、p、R1〜R5は上記と同様である。)Embedded image (In the formula, k, p, and R 1 to R 5 are the same as described above.)

【0023】(4)上記一般式(1−2)で示される繰
り返し単位に加え、下記一般式(2−2)で示される繰
り返し単位を含有するもの。
(4) Those containing a repeating unit represented by the following general formula (2-2) in addition to a repeating unit represented by the above general formula (1-2).

【0024】[0024]

【化15】 (式中、k、p、R1〜R5は上記と同様である。)Embedded image (In the formula, k, p, and R 1 to R 5 are the same as described above.)

【0025】ここで、R1は水素原子、メチル基又はC
2CO23を示す。R3の具体例については後述する。
2は水素原子、メチル基又はCO23を示す。R3は炭
素数1〜15の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル
基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル
基、tert−ブチル基、tert−アミル基、n−ペ
ンチル基、n−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシクロペ
ンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキ
シル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチ
ルアダマンチル基等を例示できる。R4は酸不安定基を
示し、その具体例については後述する。R5はハロゲン
原子、水酸基、炭素数1〜15の直鎖状、分岐状もしく
は環状のアルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルスル
フォニルオキシ基、又は炭素数2〜15の直鎖状、分岐
状もしくは環状のアルコキシアルコキシ基又はアルコキ
シカルボニルオキシ基を示し、構成炭素原子上の水素原
子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよ
く、具体的にはフッ素、塩素、臭素、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキ
シ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、t
ert−アミロキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキシ
ルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシル
オキシ基、エチルシクロペンチルオキシ基、ブチルシク
ロペンチルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、
ブチルシクロヘキシルオキシ基、アダマンチルオキシ
基、エチルアダマンチルオキシ基、ブチルアダマンチル
オキシ基、フォルミルオキシ基、アセトキシ基、エチル
カルボニルオキシ基、ピバロイルオキシ基、メトキシカ
ルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、te
rt−ブトキシカルボニルオキシ基、メタンスルフォニ
ルオキシ基、エタンスルフォニルオキシ基、n−ブタン
スルフォニルオキシ基、トリフルオロアセトキシ基、ト
リクロロアセトキシ基、3,3,3−トリフルオロエチ
ルカルボニルオキシ基、メトキシメトキシ基、1−エト
キシエトキシ基、1−エトキシプロポキシ基、1−te
rt−ブトキシエトキシ基、1−シクロヘキシルオキシ
エトキシ基、2−テトラヒドロフラニルオキシ基、2−
テトラヒドロピラニルオキシ基等を例示できる。Zは単
結合又は炭素数1〜5の直鎖状、分岐状もしくは環状の
(p+2)価の炭化水素基を示し、炭化水素基である場
合には、1個以上のメチレン基が酸素原子に置換されて
鎖状又は環状のエーテルを形成してもよく、同一炭素上
の2個の水素原子が酸素原子に置換されてケトンを形成
してもよく、例えばp=0の場合には、具体的にはメチ
レン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペン
タメチレン、1,2−プロパンジイル、1,3−ブタン
ジイル、1−オキソ−2−オキサプロパン−1,3−ジ
イル、3−メチル−1−オキソ−2−オキサブタン−
1,4−ジイル等を例示でき、p=0以外の場合には、
上記具体例からp個の水素原子を除いた(p+2)価の
基等を例示できる。
Here, R 1 is a hydrogen atom, a methyl group or C
H 2 CO 2 R 3 is shown. Specific examples of R 3 will be described later.
R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group or CO 2 R 3 . R 3 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, and tert. -Butyl group, tert-amyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, ethylcyclopentyl group, butylcyclopentyl group, ethylcyclohexyl group, butylcyclohexyl group, adamantyl group, ethyladamantyl group, butyladamantyl And the like. R 4 represents an acid labile group, and specific examples thereof will be described later. R 5 is a halogen atom, a hydroxyl group, of the straight, branched or cyclic alkoxy group, an acyloxy group, alkylsulfonyloxy group, or a C 2-15 linear, branched or cyclic Shows an alkoxyalkoxy group or an alkoxycarbonyloxy group, and a part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbon atoms may be substituted with a halogen atom.Specifically, fluorine, chlorine, bromine, a methoxy group, an ethoxy group, Propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, t
ert-amyloxy group, n-pentoxy group, n-hexyloxy group, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, ethylcyclopentyloxy group, butylcyclopentyloxy group, ethylcyclohexyloxy group,
Butylcyclohexyloxy group, adamantyloxy group, ethyladamantyloxy group, butyladamantyloxy group, formyloxy group, acetoxy group, ethylcarbonyloxy group, pivaloyloxy group, methoxycarbonyloxy group, ethoxycarbonyloxy group, te
rt-butoxycarbonyloxy group, methanesulfonyloxy group, ethanesulfonyloxy group, n-butanesulfonyloxy group, trifluoroacetoxy group, trichloroacetoxy group, 3,3,3-trifluoroethylcarbonyloxy group, methoxymethoxy group, 1-ethoxyethoxy group, 1-ethoxypropoxy group, 1-te
rt-butoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 2-tetrahydrofuranyloxy group, 2-
Examples thereof include a tetrahydropyranyloxy group. Z represents a single bond or a linear, branched, or cyclic (p + 2) -valent hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms, and when it is a hydrocarbon group, one or more methylene groups are substituted with an oxygen atom. It may be substituted to form a chain or cyclic ether, or two hydrogen atoms on the same carbon may be substituted with an oxygen atom to form a ketone. For example, when p = 0, Specifically, methylene, ethylene, trimethylene, tetramethylene, pentamethylene, 1,2-propanediyl, 1,3-butanediyl, 1-oxo-2-oxapropane-1,3-diyl, 3-methyl-1-oxo -2-oxabutane-
1,4-diyl and the like can be exemplified, and when p is other than 0,
Examples thereof include (p + 2) -valent groups excluding p hydrogen atoms from the above specific examples.

【0026】R4の酸不安定基としては、種々用いるこ
とができるが、具体的には下記一般式(L1)〜(L
4)で示される基、炭素数4〜20、好ましくは4〜1
5の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1
〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオキソ
アルキル基等を挙げることができる。
As the acid labile group for R 4 , various types can be used. Specifically, the following formulas (L1) to (L)
Group represented by 4), having 4 to 20 carbon atoms, preferably 4 to 1 carbon atoms
5 tertiary alkyl groups, each alkyl group having 1 carbon atom
And an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms.

【0027】[0027]

【化16】 Embedded image

【0028】ここで、鎖線は結合手を示す(以下、同
様)。式中、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1〜1
8、好ましくは1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のア
ルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチ
ル基、tert−ブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基等
が例示できる。RL03は炭素数1〜18、好ましくは1
〜10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の
炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル
基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、
オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換された
ものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキ
ル基等が例示できる。
Here, a chain line indicates a bond (the same applies hereinafter). In the formula, R L01 and R L02 represent a hydrogen atom or a carbon number of 1 to 1.
8, preferably 1 to 10 linear, branched or cyclic alkyl groups, specifically methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl, tert- Examples thereof include a butyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a 2-ethylhexyl group, and an n-octyl group. R L03 has 1 to 18 carbon atoms, preferably 1
Represents a monovalent hydrocarbon group which may have a hetero atom such as 10 to 10 oxygen atoms, a linear, branched or cyclic alkyl group, a part of these hydrogen atoms is a hydroxyl group, an alkoxy group,
Examples thereof include those substituted with an oxo group, an amino group, an alkylamino group, and the like, and specific examples include the following substituted alkyl groups.

【0029】[0029]

【化17】 Embedded image

【0030】RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とR
L03とは互いに結合して環を形成してもよく、環を形成
する場合にはRL01、RL02、RL03はそれぞれ炭素数1
〜18、好ましくは1〜10の直鎖状又は分岐状のアル
キレン基を示す。
R L01 and R L02 , R L01 and R L03 , R L02 and R
L03 and R03 may be bonded to each other to form a ring, and when forming a ring, R L01 , R L02 and R L03 each have 1 carbon atom.
-18, preferably 1-10, linear or branched alkylene groups.

【0031】RL04は炭素数4〜20、好ましくは4〜
15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数
1〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオキ
ソアルキル基又は上記一般式(L1)で示される基を示
し、三級アルキル基としては、具体的にはtert−ブ
チル基、tert−アミル基、1,1−ジエチルプロピ
ル基、2−シクロペンチルプロパン−2−イル基、2−
シクロヘキシルプロパン−2−イル基、2−(ビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル)プロパン−2−イ
ル基、2−(アダマンタン−1−イル)プロパン−2−
イル基、1−エチルシクロペンチル基、1−ブチルシク
ロペンチル基、1−エチルシクロヘキシル基、1−ブチ
ルシクロヘキシル基、1−エチル−2−シクロペンテニ
ル基、1−エチル−2−シクロヘキセニル基、2−メチ
ル−2−アダマンチル基、2−エチル−2−アダマンチ
ル基等が例示でき、トリアルキルシリル基としては、具
体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジ
メチル−tert−ブチルシリル基等が例示でき、オキ
ソアルキル基としては、具体的には3−オキソシクロヘ
キシル基、4−メチル−2−オキソオキサン−4−イル
基、5−メチル−2−オキソオキソラン−5−イル基等
が例示できる。yは0〜6の整数である。
R L04 has 4 to 20 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms.
15 tertiary alkyl groups, each alkyl group is a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms, an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms or a group represented by the above formula (L1), Specifically, tert-butyl group, tert-amyl group, 1,1-diethylpropyl group, 2-cyclopentylpropan-2-yl group, 2-
Cyclohexylpropan-2-yl group, 2- (bicyclo [2.2.1] heptane-2-yl) propan-2-yl group, 2- (adamantan-1-yl) propan-2-
Yl group, 1-ethylcyclopentyl group, 1-butylcyclopentyl group, 1-ethylcyclohexyl group, 1-butylcyclohexyl group, 1-ethyl-2-cyclopentenyl group, 1-ethyl-2-cyclohexenyl group, 2-methyl -2-adamantyl group, 2-ethyl-2-adamantyl group, and the like. Specific examples of the trialkylsilyl group include a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, and a dimethyl-tert-butylsilyl group. Specific examples of the group include a 3-oxocyclohexyl group, a 4-methyl-2-oxooxan-4-yl group, a 5-methyl-2-oxooxolan-5-yl group, and the like. y is an integer of 0-6.

【0032】RL05は炭素数1〜8のヘテロ原子を含ん
でもよい1価の炭化水素基又は炭素数6〜20の置換さ
れていてもよいアリール基を示し、ヘテロ原子を含んで
もよい1価の炭化水素基としては、具体的にはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ter
t−アミル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基等の直鎖状、分岐状又
は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸
基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニ
ル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ
基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換
されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリー
ル基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル
基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピ
レニル基等が例示できる。mは0又は1、nは0、1、
2、3のいずれかであり、2m+n=2又は3を満足す
る数である。
R L05 represents a monovalent hydrocarbon group which may contain a heteroatom having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group which may be substituted and has 6 to 20 carbon atoms. Specific examples of the hydrocarbon group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl, tert-butyl, and ter
t-amyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, cyclopentyl group, linear or branched or cyclic alkyl group such as cyclohexyl group, some of these hydrogen atoms are hydroxyl, alkoxy, carboxy, Examples thereof include those substituted with an alkoxycarbonyl group, an oxo group, an amino group, an alkylamino group, a cyano group, a mercapto group, an alkylthio group, a sulfo group, and the like.Specific examples of the optionally substituted aryl group include: Represents a phenyl group, a methylphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group or the like. m is 0 or 1, n is 0, 1,
It is either 2 or 3, and is a number that satisfies 2m + n = 2 or 3.

【0033】RL06は炭素数1〜8のヘテロ原子を含ん
でもよい1価の炭化水素基又は炭素数6〜20の置換さ
れていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL05
同様のもの等が例示できる。RL07〜RL16はそれぞれ独
立に水素原子又は炭素数1〜15のヘテロ原子を含んで
もよい1価の炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、tert
−アミル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基、n−デシル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シ
クロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シク
ロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロ
ヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキ
ル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ
基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ
基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプ
ト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等
が例示できる。RL07〜RL16は互いに結合して環を形成
していてもよく(例えば、RL07とRL08、RL07
L09、RL08とRL10、RL09とRL10、RL11とRL12
L13とRL14等)、その場合には炭素数1〜15のヘテ
ロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示し、具体的
には上記1価の炭化水素基で例示したものから水素原子
を1個除いたもの等が例示できる。また、RL07〜RL16
は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合
し、二重結合を形成してもよい(例えば、RL07
L09、RL09とRL15、RL13とRL15等)。
[0033] R L06 represents a optionally substituted aryl group having from 6 to 20 carbon hydrocarbon radical or carbon also may monovalent contain a hetero atom having 1 to 8 carbon atoms, like in particular the R L05 And the like. R L07 to R L16 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group which may contain a heteroatom having 1 to 15 carbon atoms, specifically, a methyl group,
Ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, tert
-Amyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclopentylmethyl group, cyclopentylethyl group, cyclopentylbutyl group, cyclohexylmethyl group Linear, branched or cyclic alkyl groups such as cyclohexylethyl group and cyclohexylbutyl group, and some of these hydrogen atoms are hydroxyl, alkoxy, carboxy, alkoxycarbonyl, oxo, amino, alkylamino And those substituted with a group, a cyano group, a mercapto group, an alkylthio group, a sulfo group, or the like. R L07 to R L16 may be bonded to each other to form a ring (for example, R L07 and R L08 , R L07 and R L09 , R L08 and R L10 , R L09 and R L10 , R L11 and R L12. ,
RL13 and RL14 ), in which case, a divalent hydrocarbon group which may contain a heteroatom having 1 to 15 carbon atoms is shown. One in which one atom is removed can be exemplified. In addition, R L07 to R L16
Binds without anything intervening in between those bonded to the adjacent carbon may also form a double bond (e.g., R L07 and R L09, R L09 and R L15, R L13 and R L15 and the like).

【0034】上記式(L1)で示される酸不安定基のう
ち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の
基が例示できる。
Specific examples of the linear or branched acid labile groups represented by the formula (L1) include the following groups.

【0035】[0035]

【化18】 Embedded image

【0036】上記式(L1)で示される酸不安定基のう
ち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン
−2−イル基、2−メチルテトラヒドロフラン−2−イ
ル基、テトラヒドロピラン−2−イル基、2−メチルテ
トラヒドロピラン−2−イル基等が例示できる。
As the cyclic group among the acid labile groups represented by the formula (L1), specifically, tetrahydrofuran-2-yl group, 2-methyltetrahydrofuran-2-yl group, tetrahydropyran-2-yl And 2-methyltetrahydropyran-2-yl group.

【0037】上記式(L2)の酸不安定基としては、具
体的にはtert−ブトキシカルボニル基、tert−
ブトキシカルボニルメチル基、tert−アミロキシカ
ルボニル基、tert−アミロキシカルボニルメチル
基、1,1−ジエチルプロピルオキシカルボニル基、
1,1−ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、
1−エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1−エ
チルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1−エ
チル−2−シクロペンテニルオキシカルボニル基、1−
エチル−2−シクロペンテニルオキシカルボニルメチル
基、1−エトキシエトキシカルボニルメチル基、2−テ
トラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2−テ
トラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示
できる。
Specific examples of the acid labile group of the above formula (L2) include a tert-butoxycarbonyl group and a tert-butoxycarbonyl group.
Butoxycarbonylmethyl group, tert-amyloxycarbonyl group, tert-amyloxycarbonylmethyl group, 1,1-diethylpropyloxycarbonyl group,
1,1-diethylpropyloxycarbonylmethyl group,
1-ethylcyclopentyloxycarbonyl group, 1-ethylcyclopentyloxycarbonylmethyl group, 1-ethyl-2-cyclopentenyloxycarbonyl group, 1-
Examples thereof include an ethyl-2-cyclopentenyloxycarbonylmethyl group, a 1-ethoxyethoxycarbonylmethyl group, a 2-tetrahydropyranyloxycarbonylmethyl group, and a 2-tetrahydrofuranyloxycarbonylmethyl group.

【0038】上記式(L3)の酸不安定基としては、具
体的には1−メチルシクロペンチル、1−エチルシクロ
ペンチル、1−n−プロピルシクロペンチル、1−イソ
プロピルシクロペンチル、1−n−ブチルシクロペンチ
ル、1−sec−ブチルシクロペンチル、1−シクロヘ
キシルシクロペンチル、1−(4−メトキシ−n−ブチ
ル)シクロペンチル、1−メチルシクロヘキシル、1−
エチルシクロヘキシル、3−メチル−1−シクロペンテ
ン−3−イル、3−エチル−1−シクロペンテン−3−
イル、3−メチル−1−シクロヘキセン−3−イル、3
−エチル−1−シクロヘキセン−3−イル等が例示でき
る。上記式(L4)の酸不安定基としては、具体的には
下記の基が例示できる。
Specific examples of the acid labile group of the above formula (L3) include 1-methylcyclopentyl, 1-ethylcyclopentyl, 1-n-propylcyclopentyl, 1-isopropylcyclopentyl, 1-n-butylcyclopentyl, -Sec-butylcyclopentyl, 1-cyclohexylcyclopentyl, 1- (4-methoxy-n-butyl) cyclopentyl, 1-methylcyclohexyl, 1-
Ethylcyclohexyl, 3-methyl-1-cyclopenten-3-yl, 3-ethyl-1-cyclopenten-3-
Yl, 3-methyl-1-cyclohexen-3-yl, 3
-Ethyl-1-cyclohexen-3-yl and the like. The following groups can be specifically exemplified as the acid labile group of the formula (L4).

【0039】[0039]

【化19】 Embedded image

【0040】また、炭素数4〜20の三級アルキル基、
各アルキル基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシ
リル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基としては、
具体的にはRL04で挙げたものと同様のもの等が例示で
きる。
A tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms;
As each alkyl group is a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms and an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms,
Specific examples include those similar to those described for RL04 .

【0041】上記一般式(1−1)で示される繰り返し
単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定され
るものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the above general formula (1-1) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0042】[0042]

【化20】 Embedded image

【0043】上記一般式(1−2)で示される繰り返し
単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定され
るものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the above general formula (1-2) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0044】[0044]

【化21】 Embedded image

【0045】上記一般式(2−1)で示される繰り返し
単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定され
るものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the above general formula (2-1) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0046】[0046]

【化22】 Embedded image

【0047】上記一般式(2−2)で示される繰り返し
単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定され
るものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the above general formula (2-2) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0048】[0048]

【化23】 Embedded image

【0049】上記一般式(4)で示される繰り返し単位
の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定されるも
のではない。
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (4) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0050】[0050]

【化24】 Embedded image

【0051】本発明の高分子化合物は、更に必要に応
じ、下記一般式(M1)〜(M8−2)で示される繰り
返し単位から選ばれる1種又は2種以上を含有するもの
であってもよい。
The polymer compound of the present invention may further contain, if necessary, one or more kinds selected from the repeating units represented by the following formulas (M1) to (M8-2). Good.

【0052】[0052]

【化25】 (式中、R001は水素原子、メチル基又はCH2CO2
003を示す。R002は水素原子、メチル基又はCO2003
を示す。R003は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は
環状のアルキル基を示す。R004は水素原子又は炭素数
1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭
化水素基を示す。R005〜R008の少なくとも1個は炭素
数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の
炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は
炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基
を示す。R005〜R008は互いに環を形成していてもよ
く、その場合にはR005〜R008の少なくとも1個は炭素
数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する2価の
炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭
素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基
を示す。R009は炭素数3〜15の−CO2−部分構造を
含有する1価の炭化水素基を示す。R010〜R01 3の少な
くとも1個は炭素数2〜15の−CO2−部分構造を含
有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に
水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状
のアルキル基を示す。R010〜R013は互いに環を形成し
ていてもよく、その場合にはR010〜R013の少なくとも
1個は炭素数1〜15の−CO2−部分構造を含有する
2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合
又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキ
レン基を示す。R014は炭素数7〜15の多環式炭化水
素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示
す。R015は酸不安定基を示す。XはCH2又は酸素原子
を示す。kは0又は1である。)
Embedded image (Wherein, R 001 is a hydrogen atom, a methyl group or CH 2 CO 2 R
003 is shown. R 002 is a hydrogen atom, a methyl group or CO 2 R 003
Is shown. R 003 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms. R 004 represents a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having a carboxy group or a hydroxyl group having 1 to 15 carbon atoms. At least one of R 005 to R 008 represents a carboxy group having 1 to 15 carbon atoms or a monovalent hydrocarbon group containing a hydroxyl group, and the rest are each independently a hydrogen atom or a linear group having 1 to 15 carbon atoms; It represents a branched or cyclic alkyl group. R 005 to R 008 may form a ring with each other, in which case at least one of R 005 to R 008 is a divalent hydrocarbon group having a carboxy group or a hydroxyl group having 1 to 15 carbon atoms. And the rest each independently represent a single bond or a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 15 carbon atoms. R 009 represents a monovalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure having 3 to 15 carbon atoms. R 010 to R 01 at least one 3 -CO 2 of 2 to 15 carbon atoms - a monovalent hydrocarbon group containing a partial structure, linear hydrogen atom or 1 to 15 carbon atoms in each remaining independently It represents a chain, branched or cyclic alkyl group. R 010 to R 013 may form a ring with each other, in which case at least one of R 010 to R 013 is a divalent hydrocarbon containing a —CO 2 — partial structure having 1 to 15 carbon atoms. And the rest each independently represent a single bond or a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 15 carbon atoms. R 014 represents a polycyclic hydrocarbon group having 7 to 15 carbon atoms or an alkyl group containing a polycyclic hydrocarbon group. R 015 represents an acid labile group. X represents CH 2 or an oxygen atom. k is 0 or 1. )

【0053】ここで、R001は水素原子、メチル基又は
CH2CO2003を示す。R003の具体例については後述
する。R002は水素原子、メチル基又はCO2003を示
す。R003は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状
のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−
ブチル基、tert−ブチル基、tert−アミル基、
n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシ
クロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシク
ロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル
基、ブチルアダマンチル基等を例示できる。R004は水
素原子又は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を
含有する1価の炭化水素基を示し、具体的にはカルボキ
シエチル、カルボキシブチル、カルボキシシクロペンチ
ル、カルボキシシクロヘキシル、カルボキシノルボルニ
ル、カルボキシアダマンチル、ヒドロキシエチル、ヒド
ロキシブチル、ヒドロキシシクロペンチル、ヒドロキシ
シクロヘキシル、ヒドロキシノルボルニル、ヒドロキシ
アダマンチル等が例示できる。R005〜R008の少なくと
も1個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含
有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に
水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状
のアルキル基を示す。炭素数1〜15のカルボキシ基又
は水酸基を含有する1価の炭化水素基としては、具体的
にはカルボキシ、カルボキシメチル、カルボキシエチ
ル、カルボキシブチル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシ
エチル、ヒドロキシブチル、2−カルボキシエトキシカ
ルボニル、4−カルボキシブトキシカルボニル、2−ヒ
ドロキシエトキシカルボニル、4−ヒドロキシブトキシ
カルボニル、カルボキシシクロペンチルオキシカルボニ
ル、カルボキシシクロヘキシルオキシカルボニル、カル
ボキシノルボルニルオキシカルボニル、カルボキシアダ
マンチルオキシカルボニル、ヒドロキシシクロペンチル
オキシカルボニル、ヒドロキシシクロヘキシルオキシカ
ルボニル、ヒドロキシノルボルニルオキシカルボニル、
ヒドロキシアダマンチルオキシカルボニル等が例示でき
る。炭素数1〜15の直鎖状、分岐状、環状のアルキル
基としては、具体的にはR003で例示したものと同様の
ものが例示できる。R005〜R008は互いに環を形成して
いてもよく、その場合にはR005〜R008の少なくとも1
個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有す
る2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結
合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアル
キレン基を示す。炭素数1〜15のカルボキシ基又は水
酸基を含有する2価の炭化水素基としては、具体的には
上記カルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素
基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例
示できる。炭素数1〜15の直鎖状、分岐状、環状のア
ルキレン基としては、具体的にはR3で例示したものか
ら水素原子を1個除いたもの等を例示できる。
Here, R 001 represents a hydrogen atom, a methyl group or CH 2 CO 2 R 003 . A specific example of R003 will be described later. R 002 represents a hydrogen atom, a methyl group or CO 2 R 003 . R 003 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group,
Propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-
Butyl group, tert-butyl group, tert-amyl group,
n-pentyl group, n-hexyl group, cyclopentyl group,
Examples thereof include a cyclohexyl group, an ethylcyclopentyl group, a butylcyclopentyl group, an ethylcyclohexyl group, a butylcyclohexyl group, an adamantyl group, an ethyladamantyl group, and a butyladamantyl group. R 004 represents a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having a carboxy group having 1 to 15 carbon atoms or a hydroxyl group, specifically, carboxyethyl, carboxybutyl, carboxycyclopentyl, carboxycyclohexyl, carboxynorbornyl, carboxy Adamantyl, hydroxyethyl, hydroxybutyl, hydroxycyclopentyl, hydroxycyclohexyl, hydroxynorbornyl, hydroxyadamantyl and the like can be exemplified. At least one of R 005 to R 008 represents a carboxy group having 1 to 15 carbon atoms or a monovalent hydrocarbon group containing a hydroxyl group, and the rest are each independently a hydrogen atom or a linear group having 1 to 15 carbon atoms; It represents a branched or cyclic alkyl group. Specific examples of the monovalent hydrocarbon group having a carboxy group or a hydroxyl group having 1 to 15 carbon atoms include carboxy, carboxymethyl, carboxyethyl, carboxybutyl, hydroxymethyl, hydroxyethyl, hydroxybutyl, and 2-carboxyethoxy. Carbonyl, 4-carboxybutoxycarbonyl, 2-hydroxyethoxycarbonyl, 4-hydroxybutoxycarbonyl, carboxycyclopentyloxycarbonyl, carboxycyclohexyloxycarbonyl, carboxynorbornyloxycarbonyl, carboxyadamantyloxycarbonyl, hydroxycyclopentyloxycarbonyl, hydroxycyclohexyloxy Carbonyl, hydroxynorbornyloxycarbonyl,
Examples thereof include hydroxyadamantyloxycarbonyl and the like. Examples of the straight, branched, the alkyl group of cyclic, specifically exemplified the same ones as exemplified for R 003. R 005 to R 008 may form a ring with each other, in which case at least one of R 005 to R 008
Represents a divalent hydrocarbon group containing a carboxy group or a hydroxyl group having 1 to 15 carbon atoms, and the rest each independently represent a single bond or a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 15 carbon atoms. Show. Specific examples of the divalent hydrocarbon group having a carboxy group or a hydroxyl group having 1 to 15 carbon atoms include one hydrogen atom from those exemplified as the monovalent hydrocarbon group having a carboxy group or a hydroxyl group. Excluded ones can be exemplified. Specific examples of the linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 to 15 carbon atoms include those exemplified for R 3 with one hydrogen atom removed.

【0054】R009は炭素数3〜15の−CO2−部分構
造を含有する1価の炭化水素基を示し、具体的には2−
オキソオキソラン−3−イル、4,4−ジメチル−2−
オキソオキソラン−3−イル、4−メチル−2−オキソ
オキサン−4−イル、2−オキソ−1,3−ジオキソラ
ン−4−イルメチル、5−メチル−2−オキソオキソラ
ン−5−イル等を例示できる。R010〜R013の少なくと
も1個は炭素数2〜15の−CO2−部分構造を含有す
る1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素
原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のア
ルキル基を示す。炭素数2〜15の−CO2−部分構造
を含有する1価の炭化水素基としては、具体的には2−
オキソオキソラン−3−イルオキシカルボニル、4,4
−ジメチル−2−オキソオキソラン−3−イルオキシカ
ルボニル、4−メチル−2−オキソオキサン−4−イル
オキシカルボニル、2−オキソ−1,3−ジオキソラン
−4−イルメチルオキシカルボニル、5−メチル−2−
オキソオキソラン−5−イルオキシカルボニル等を例示
できる。炭素数1〜15の直鎖状、分岐状、環状のアル
キル基としては、具体的にはR003で例示したものと同
様のものが例示できる。R010〜R013は互いに環を形成
していてもよく、その場合にはR010〜R013の少なくと
も1個は炭素数1〜15の−CO2−部分構造を含有す
る2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結
合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状、環状のアルキ
レン基を示す。炭素数1〜15の−CO2−部分構造を
含有する2価の炭化水素基としては、具体的には1−オ
キソ−2−オキサプロパン−1,3−ジイル、1,3−
ジオキソ−2−オキサプロパン−1,3−ジイル、1−
オキソ−2−オキサブタン−1,4−ジイル、1,3−
ジオキソ−2−オキサブタン−1,4−ジイル等の他、
上記−CO2−部分構造を含有する1価の炭化水素基で
例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示で
きる。炭素数1〜15の直鎖状、分岐状、環状のアルキ
レン基としては、具体的にはR003で例示したものから
水素原子を1個除いたもの等を例示できる。
R 009 represents a monovalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure having 3 to 15 carbon atoms.
Oxooxolan-3-yl, 4,4-dimethyl-2-
Examples include oxooxolan-3-yl, 4-methyl-2-oxooxan-4-yl, 2-oxo-1,3-dioxolan-4-ylmethyl, 5-methyl-2-oxooxolan-5-yl, and the like. it can. At least one of R 010 to R 013 represents a monovalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure having 2 to 15 carbon atoms, and the rest are each independently a hydrogen atom or a linear chain having 1 to 15 carbon atoms. A branched, branched or cyclic alkyl group. Specific examples of the monovalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure having 2 to 15 carbon atoms include 2-
Oxooxolan-3-yloxycarbonyl, 4,4
-Dimethyl-2-oxooxolan-3-yloxycarbonyl, 4-methyl-2-oxooxan-4-yloxycarbonyl, 2-oxo-1,3-dioxolan-4-ylmethyloxycarbonyl, 5-methyl- 2-
Oxooxolan-5-yloxycarbonyl and the like can be exemplified. Examples of the straight, branched, the alkyl group of cyclic, specifically exemplified the same ones as exemplified for R 003. R 010 to R 013 may form a ring with each other, in which case at least one of R 010 to R 013 is a divalent hydrocarbon containing a —CO 2 — partial structure having 1 to 15 carbon atoms. And the rest each independently represent a single bond or a linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 to 15 carbon atoms. Specific examples of the divalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure having 1 to 15 carbon atoms include 1-oxo-2-oxapropane-1,3-diyl, 1,3-
Dioxo-2-oxapropane-1,3-diyl, 1-
Oxo-2-oxabutane-1,4-diyl, 1,3-
In addition to dioxo-2-oxabutane-1,4-diyl,
The -CO 2 - a monovalent hydrogen atom from those exemplified in the hydrocarbon group containing a partial structure can be exemplified one eliminated therefrom. Specific examples of the linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 to 15 carbon atoms include those exemplified for R 003 with one hydrogen atom removed.

【0055】R014は炭素数7〜15の多環式炭化水素
基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示し、
具体的にはノルボルニル、ビシクロ[3.3.1]ノニ
ル、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル、アダマ
ンチル、エチルアダマンチル、ブチルアダマンチル、ノ
ルボルニルメチル、アダマンチルメチル等を例示でき
る。R015は酸不安定基を示し、具体的には先の説明で
挙げたものと同様のもの等を例示できる。XはCH2
は酸素原子を示す。kは0又は1である。
R 014 represents a polycyclic hydrocarbon group having 7 to 15 carbon atoms or an alkyl group containing a polycyclic hydrocarbon group;
Specific examples include norbornyl, bicyclo [3.3.1] nonyl, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl, adamantyl, ethyladamantyl, butyladamantyl, norbornylmethyl, adamantylmethyl and the like. . R 015 represents an acid labile group, and specific examples thereof include the same as those described in the above description. X represents CH 2 or an oxygen atom. k is 0 or 1.

【0056】上記一般式(M1)〜(M8−2)で示さ
れる繰り返し単位は、レジスト材料とした際の現像液親
和性、基板密着性、エッチング耐性等の諸特性を付与す
るものであり、これらの繰り返し単位の含有量を適宜調
整することにより、レジスト材料の性能を微調整するこ
とができる。
The repeating units represented by the general formulas (M1) to (M8-2) impart various properties such as developer affinity, substrate adhesion, and etching resistance when used as a resist material. By appropriately adjusting the content of these repeating units, the performance of the resist material can be finely adjusted.

【0057】なお、本発明の高分子化合物の重量平均分
子量は1,000〜500,000、好ましくは3,0
00〜100,000である。この範囲を外れると、エ
ッチング耐性が極端に低下したり、露光前後の溶解速度
差が確保できなくなって解像性が低下したりすることが
ある。
The polymer of the present invention has a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000, preferably 3.0 to 500,000.
00 to 100,000. Outside of this range, the etching resistance may be extremely reduced, or the difference in dissolution rate before and after exposure may not be ensured, resulting in reduced resolution.

【0058】本発明の高分子化合物の製造は、下記一般
式(1a)で示される化合物を第1の単量体に、下記一
般式(2a)〜(4a)で示される化合物から選ばれる
1〜3種を第2〜4の単量体に、更に必要に応じ、下記
一般式(M1a)〜(M8a)で示される化合物から選
ばれる1種又は2種以上をそれ以降の単量体に用いた共
重合反応により行うことができる。
In the production of the polymer compound of the present invention, a compound represented by the following general formula (1a) is used as a first monomer, and a compound selected from the compounds represented by the following general formulas (2a) to (4a) is used. To 3 to the second to fourth monomers, and, if necessary, one or more of the compounds represented by the following general formulas (M1a) to (M8a) to the subsequent monomers. It can be carried out by the copolymerization reaction used.

【0059】[0059]

【化26】 (式中、k、p、m、n、R1〜R5は上記と同様であ
る。)
Embedded image (In the formula, k, p, m, n, and R 1 to R 5 are the same as described above.)

【0060】[0060]

【化27】 (式中、k、R001〜R015、Xは上記と同様である。)Embedded image (In the formula, k, R 001 to R 015 , and X are the same as described above.)

【0061】共重合反応においては、各単量体の存在割
合を適宜調節することにより、レジスト材料とした時に
好ましい性能を発揮できるような高分子化合物とするこ
とができる。
In the copolymerization reaction, by appropriately adjusting the proportion of each monomer, it is possible to obtain a polymer compound capable of exhibiting preferable performance when used as a resist material.

【0062】この場合、本発明の高分子化合物は、 (i)上記式(1a)の単量体 (ii)上記式(2a)〜(4a)の単量体 (iii)上記式(M1a)〜(M8a)の単量体 に加え、更に、 (iv)上記(i)〜(iii)以外の炭素−炭素二重
結合を含有する単量体、例えば、メタクリル酸メチル、
クロトン酸メチル、マレイン酸ジメチル、イタコン酸ジ
メチル等の置換アクリル酸エステル類、マレイン酸、フ
マル酸、イタコン酸等の不飽和カルボン酸、ノルボルネ
ン、ノルボルネン−5−カルボン酸メチル等の置換ノル
ボルネン類、無水イタコン酸等の不飽和酸無水物、その
他の単量体を共重合しても差支えない。
In this case, the polymer compound of the present invention comprises: (i) a monomer of the above formula (1a); (ii) a monomer of the above formulas (2a) to (4a); To (M8a), and (iv) a monomer containing a carbon-carbon double bond other than the above (i) to (iii), for example, methyl methacrylate,
Substituted acrylic esters such as methyl crotonate, dimethyl maleate and dimethyl itaconate; unsaturated carboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid and itaconic acid; substituted norbornenes such as norbornene and methyl norbornene-5-carboxylate; anhydrous Unsaturated acid anhydrides such as itaconic acid and other monomers may be copolymerized.

【0063】本発明の高分子化合物において、各単量体
に基づく各繰り返し単位の好ましい含有割合は、例えば
以下に示す範囲(モル%)とすることができるが、これ
に限定されるものではない。 (I)高分子化合物が、上記一般式(1−1)で示され
る繰り返し単位と(2−1)で示される繰り返し単位を
含有するものである場合には、 式(1a)の単量体に基づく式(1−1)で示される
繰り返し単位を1〜90%、好ましくは5〜80%、よ
り好ましくは10〜70%、 式(2a)の単量体に基づく式(2−1)で示される
繰り返し単位を1〜90%、好ましくは5〜80%、よ
り好ましくは10〜70%、 式(M5a)〜(M8a)の単量体に基づく式(M5
−1)〜(M8−1)で示される繰り返し単位を0〜5
0%、好ましくは0〜40%、より好ましくは0〜30
%、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を0〜50%、
好ましくは0〜40%、より好ましくは0〜30%、 それぞれ含有することができる。 (II)高分子化合物が、上記一般式(1−1)で示さ
れる繰り返し単位と(2−1)で示される繰り返し単位
と(3)で示される繰り返し単位を含有するものである
場合には、 式(1a)の単量体に基づく式(1−1)で示される
繰り返し単位を1〜49%、好ましくは3〜45%、よ
り好ましくは5〜40%、 式(2a)の単量体に基づく式(2−1)で示される
繰り返し単位を1〜49%、好ましくは3〜45%、よ
り好ましくは5〜40%、 式(3a)の単量体に基づく式(3)で示される繰り
返し単位を50モル%、 式(M5a)〜(M8a)の単量体に基づく式(M5
−1)〜(M8−1)で示される繰り返し単位を0〜2
5%、好ましくは0〜20%、より好ましくは0〜15
%、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を0〜25%、
好ましくは0〜20%、より好ましくは0〜15%、 それぞれ含有することができる。 (III)高分子化合物が、上記一般式(1−1)で示
される繰り返し単位と(4)で示される繰り返し単位又
は(2−1)で示される繰り返し単位及び(4)で示さ
れる繰り返し単位と(3)で示される繰り返し単位を含
有するものである場合には、 式(1a)の単量体に基づく式(1−1)で示される
繰り返し単位を1〜49%、好ましくは3〜45%、よ
り好ましくは5〜40%、 式(2a)の単量体に基づく式(2−1)で示される
繰り返し単位を0〜40%、好ましくは0〜35%、よ
り好ましくは0〜30%、 式(4a)の単量体に基づく式(4)で示される繰り
返し単位を1〜80%、好ましくは1〜70%、より好
ましくは1〜50%、 式(3a)の単量体に基づく式(3)で示される繰り
返し単位を1〜49%、好ましくは5〜45%、より好
ましくは10〜40%、 式(M1a)〜(M8a)の単量体に基づく式(M
1)〜(M8−1)で示される繰り返し単位を0〜25
%、好ましくは0〜20%、より好ましくは0〜15
%、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を0〜25%、
好ましくは0〜20%、より好ましくは0〜15%、 それぞれ含有することができる。 (IV)高分子化合物が、上記一般式(1−2)で示さ
れる繰り返し単位と(2−2)で示される繰り返し単位
を含有するものである場合には、 式(1a)の単量体に基づく式(1−2)で示される
繰り返し単位を1〜90%、好ましくは5〜80%、よ
り好ましくは10〜70%、 式(2a)の単量体に基づく式(2−2)で示される
繰り返し単位を1〜90%、好ましくは5〜80%、よ
り好ましくは10〜70%、 式(M5a)〜(M8a)の単量体に基づく式(M5
−2)〜(M8−2)で示される繰り返し単位を0〜5
0%、好ましくは0〜40%、より好ましくは0〜30
%、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を0〜50%、
好ましくは0〜40%、より好ましくは0〜30%、 それぞれ含有することができる。
In the polymer compound of the present invention, a preferable content ratio of each repeating unit based on each monomer can be, for example, in the following range (mol%), but is not limited thereto. . (I) When the polymer compound contains a repeating unit represented by the general formula (1-1) and a repeating unit represented by the above (2-1), the monomer represented by the formula (1a) 1 to 90%, preferably 5 to 80%, more preferably 10 to 70% of the repeating unit represented by the formula (1-1) based on the formula (2-1): 1 to 90%, preferably 5 to 80%, more preferably 10 to 70% of the repeating unit represented by the formula (M5a) to the formula (M5) based on the monomers of the formulas (M5a) to (M8a).
-1) to (M8-1) represented by 0 to 5
0%, preferably 0-40%, more preferably 0-30
%, A repeating unit based on another monomer is 0 to 50%,
Preferably, it can be contained in an amount of 0 to 40%, more preferably 0 to 30%. (II) In the case where the polymer compound contains a repeating unit represented by the general formula (1-1), a repeating unit represented by (2-1), and a repeating unit represented by (3) 1 to 49%, preferably 3 to 45%, more preferably 5 to 40% of the repeating unit represented by the formula (1-1) based on the monomer of the formula (1a), 1 to 49%, preferably 3 to 45%, more preferably 5 to 40% of the repeating unit represented by the formula (2-1) based on the body, in the formula (3) based on the monomer of the formula (3a) The repeating unit represented by the formula (M5a) is based on a monomer represented by the formula (M5a) to (M8a).
-1) to 0 to 2 (M8-1)
5%, preferably 0-20%, more preferably 0-15
%, A repeating unit based on another monomer is 0 to 25%,
Preferably, it can be contained in an amount of 0 to 20%, more preferably 0 to 15%. (III) a polymer compound wherein the repeating unit represented by the general formula (1-1) and the repeating unit represented by the above (4) or the repeating unit represented by the above (2-1) and the repeating unit represented by the above (4) And a repeating unit represented by formula (1a) based on the monomer represented by formula (1a): 1 to 49%, preferably 3 to 49%. 45%, more preferably 5 to 40%, 0 to 40%, preferably 0 to 35%, more preferably 0 to 40% of the repeating unit represented by the formula (2-1) based on the monomer of the formula (2a) 30%, 1 to 80%, preferably 1 to 70%, more preferably 1 to 50% of the repeating unit represented by the formula (4) based on the monomer of the formula (4a); 1-49%, preferably a repeating unit represented by the formula (3) based on a body 5 to 45%, more preferably 10 to 40%, the formula (M) based on the monomers of the formulas (M1a) to (M8a)
1) to a repeating unit represented by (M8-1) of 0 to 25
%, Preferably 0 to 20%, more preferably 0 to 15%
%, A repeating unit based on another monomer is 0 to 25%,
Preferably, it can be contained in an amount of 0 to 20%, more preferably 0 to 15%. (IV) When the polymer compound contains a repeating unit represented by the general formula (1-2) and a repeating unit represented by the above (2-2), the monomer represented by the formula (1a) 1 to 90%, preferably 5 to 80%, more preferably 10 to 70% of the repeating unit represented by the formula (1-2) based on the formula (2-2) based on the monomer of the formula (2a) 1 to 90%, preferably 5 to 80%, more preferably 10 to 70% of the repeating unit represented by the formula (M5a) to the formula (M5) based on the monomers of the formulas (M5a) to (M8a).
-2) to 0 to 5 of the repeating unit represented by (M8-2).
0%, preferably 0-40%, more preferably 0-30
%, A repeating unit based on another monomer is 0 to 50%,
Preferably, it can be contained in an amount of 0 to 40%, more preferably 0 to 30%.

【0064】本発明の高分子化合物を製造する共重合反
応は種々例示することができるが、好ましくはラジカル
重合、アニオン重合又は配位重合である。
The copolymerization reaction for producing the polymer compound of the present invention can be variously exemplified, and is preferably a radical polymerization, an anionic polymerization or a coordination polymerization.

【0065】ラジカル重合反応の反応条件は、(ア)溶
剤としてベンゼン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン
等のエーテル類、エタノール等のアルコール類、又はメ
チルイソブチルケトン等のケトン類を用い、(イ)重合
開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル等
のアゾ化合物、又は過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイ
ル等の過酸化物を用い、(ウ)反応温度を0℃から10
0℃程度に保ち、(エ)反応時間を0.5時間から48
時間程度とするのが好ましいが、この範囲を外れる場合
を排除するものではない。
The reaction conditions for the radical polymerization reaction are as follows. An azo compound such as 2,2'-azobisisobutyronitrile or a peroxide such as benzoyl peroxide or lauroyl peroxide is used as an initiator.
(D) The reaction time is 0.5 to 48 hours.
It is preferable to set the time to about the time, but it is not excluded that the time is out of this range.

【0066】アニオン重合反応の反応条件は、(ア)溶
剤としてベンゼン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン
等のエーテル類、又は液体アンモニアを用い、(イ)重
合開始剤としてナトリウム、カリウム等の金属、n−ブ
チルリチウム、sec−ブチルリチウム等のアルキル金
属、ケチル、又はグリニャール反応剤を用い、(ウ)反
応温度を−78℃から0℃程度に保ち、(エ)反応時間
を0.5時間から48時間程度とし、(オ)停止剤とし
てメタノール等のプロトン供与性化合物、ヨウ化メチル
等のハロゲン化物、その他求電子性物質を用いるのが好
ましいが、この範囲を外れる場合を排除するものではな
い。
The reaction conditions for the anionic polymerization reaction are as follows: (a) a hydrocarbon such as benzene, an ether such as tetrahydrofuran, or liquid ammonia as a solvent; (a) a metal such as sodium or potassium as a polymerization initiator; Using an alkyl metal such as -butyllithium or sec-butyllithium, ketyl, or Grignard reagent, (c) maintaining the reaction temperature at about -78 ° C to 0 ° C, and (d) reducing the reaction time from 0.5 hour to 48 hours. It is preferable to use about a time, and (e) a proton-donating compound such as methanol, a halide such as methyl iodide, or another electrophilic substance is preferably used as a terminator, but a case outside this range is not excluded.

【0067】配位重合の反応条件は、(ア)溶剤として
n−ヘプタン、トルエン等の炭化水素類を用い、(イ)
触媒としてチタン等の遷移金属とアルキルアルミニウム
からなるチーグラー−ナッタ触媒、クロム及びニッケル
化合物を金属酸化物に担持したフィリップス触媒、タン
グステン及びレニウム混合触媒に代表されるオレフィン
−メタセシス混合触媒等を用い、(ウ)反応温度を0℃
から100℃程度に保ち、(エ)反応時間を0.5時間
から48時間程度とするのが好ましいが、この範囲を外
れる場合を排除するものではない。
The reaction conditions for the coordination polymerization are as follows: (a) using a solvent such as n-heptane and toluene as a solvent;
As a catalyst, a Ziegler-Natta catalyst comprising a transition metal such as titanium and an alkylaluminum, a Phillips catalyst in which chromium and nickel compounds are supported on a metal oxide, an olefin-metathesis mixed catalyst represented by a tungsten and rhenium mixed catalyst, and the like ( C) The reaction temperature is 0 ° C
To about 100 ° C., and (d) the reaction time is preferably about 0.5 to 48 hours, but a case outside this range is not excluded.

【0068】本発明の高分子化合物は、レジスト材料の
ベースポリマーとして有効であり、本発明は、この高分
子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料、特に化
学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。
The polymer compound of the present invention is effective as a base polymer of a resist material, and the present invention provides a resist material containing the polymer compound, in particular, a chemically amplified positive resist material.

【0069】本発明のレジスト材料には、高エネルギー
線もしくは電子線に感応して酸を発生する化合物(以
下、酸発生剤)、有機溶剤、必要に応じてその他の成分
を含有することができる。
The resist composition of the present invention may contain a compound capable of generating an acid in response to a high energy beam or an electron beam (hereinafter referred to as an acid generator), an organic solvent, and other components as required. .

【0070】本発明で使用される酸発生剤としては、 i.下記一般式(P1a−1)、(P1a−2)又は
(P1b)のオニウム塩、 ii.下記一般式(P2)のジアゾメタン誘導体、 iii.下記一般式(P3)のグリオキシム誘導体、 iv.下記一般式(P4)のビススルホン誘導体、 v.下記一般式(P5)のN−ヒドロキシイミド化合物
のスルホン酸エステル、 vi.β−ケトスルホン酸誘導体、 vii.ジスルホン誘導体、 viii.ニトロベンジルスルホネート誘導体、 ix.スルホン酸エステル誘導体 等が挙げられる。
The acid generator used in the present invention includes: i. An onium salt of the following general formula (P1a-1), (P1a-2) or (P1b); ii. A diazomethane derivative represented by the following general formula (P2), iii. A glyoxime derivative of the following general formula (P3), iv. A bissulfone derivative represented by the following general formula (P4); A sulfonic acid ester of an N-hydroxyimide compound represented by the following general formula (P5), vi. β-ketosulfonic acid derivatives, vii. Disulfone derivatives, viii. A nitrobenzylsulfonate derivative, ix. And sulfonic acid ester derivatives.

【0071】[0071]

【化28】 (式中、R101a、R101b、R101cはそれぞれ炭素数1〜
12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニ
ル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素
数6〜20のアリール基、又は炭素数7〜12のアラル
キル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの
基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基等によって
置換されていてもよい。また、R101bとR101cとは環を
形成してもよく、環を形成する場合には、R101b、R
101cはそれぞれ炭素数1〜6のアルキレン基を示す。K
-は非求核性対向イオンを表す。)
Embedded image (Wherein, R 101a , R 101b , and R 101c each have 1 to 1 carbon atoms)
12 linear, branched or cyclic alkyl group, alkenyl group, oxoalkyl group or oxoalkenyl group, aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or aralkyl group or aryloxoalkyl group having 7 to 12 carbon atoms. A part or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted by an alkoxy group or the like. R 101b and R 101c may form a ring, and when forming a ring, R 101b and R 101b
101c represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. K
- is a non-nucleophilic counter ion. )

【0072】上記R101a、R101b、R101cは互いに同一
であっても異なっていてもよく、具体的にはアルキル基
として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘ
プチル基、シクロプロピルメチル基、4−メチルシクロ
ヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル
基、アダマンチル基等が挙げられる。アルケニル基とし
ては、ビニル基、アリル基、プロぺニル基、ブテニル
基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられ
る。オキソアルキル基としては、2−オキソシクロペン
チル基、2−オキソシクロヘキシル基等が挙げられ、2
−オキソプロピル基、2−シクロペンチル−2−オキソ
エチル基、2−シクロヘキシル−2−オキソエチル基、
2−(4−メチルシクロヘキシル)−2−オキソエチル
基等を挙げることができる。アリール基としては、フェ
ニル基、ナフチル基等や、p−メトキシフェニル基、m
−メトキシフェニル基、o−メトキシフェニル基、エト
キシフェニル基、p−tert−ブトキシフェニル基、
m−tert−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェ
ニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル
基、4−メチルフェニル基、エチルフェニル基、4−t
ert−ブチルフェニル基、4−ブチルフェニル基、ジ
メチルフェニル基等のアルキルフェニル基、メチルナフ
チル基、エチルナフチル基等のアルキルナフチル基、メ
トキシナフチル基、エトキシナフチル基等のアルコキシ
ナフチル基、ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル基
等のジアルキルナフチル基、ジメトキシナフチル基、ジ
エトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基等が挙
げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェニル
エチル基、フェネチル基等が挙げられる。アリールオキ
ソアルキル基としては、2−フェニル−2−オキソエチ
ル基、2−(1−ナフチル)−2−オキソエチル基、2
−(2−ナフチル)−2−オキソエチル基等の2−アリ
ール−2−オキソエチル基等が挙げられる。K-の非求
核性対向イオンとしては塩化物イオン、臭化物イオン等
のハライドイオン、トリフレート、1,1,1−トリフ
ルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホ
ネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシレー
ト、ベンゼンスルホネート、4−フルオロベンゼンスル
ホネート、1,2,3,4,5−ペンタフルオロベンゼ
ンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレー
ト、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネートが挙
げられる。
The above-mentioned R 101a , R 101b and R 101c may be the same or different from each other. Specifically, as the alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopropylmethyl group, 4-methylcyclohexyl group, cyclohexylmethyl group, norbornyl group, And adamantyl groups. Examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a propenyl group, a butenyl group, a hexenyl group, and a cyclohexenyl group. Examples of the oxoalkyl group include a 2-oxocyclopentyl group and a 2-oxocyclohexyl group.
-Oxopropyl group, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl group, 2-cyclohexyl-2-oxoethyl group,
A 2- (4-methylcyclohexyl) -2-oxoethyl group and the like can be mentioned. Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a p-methoxyphenyl group, m
-Methoxyphenyl group, o-methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, p-tert-butoxyphenyl group,
alkoxyphenyl groups such as m-tert-butoxyphenyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, ethylphenyl group, 4-t
alk-naphthyl groups such as tert-butylphenyl group, 4-butylphenyl group and dimethylphenyl group, alkylnaphthyl groups such as methylnaphthyl group and ethylnaphthyl group, methoxynaphthyl group and ethoxynaphthyl group, and dimethylnaphthyl group And dialkylnaphthyl groups such as diethylnaphthyl group, and dialkoxynaphthyl groups such as dimethoxynaphthyl group and diethoxynaphthyl group. Examples of the aralkyl group include a benzyl group, a phenylethyl group, a phenethyl group and the like. Examples of the aryloxoalkyl group include a 2-phenyl-2-oxoethyl group, a 2- (1-naphthyl) -2-oxoethyl group,
And 2-aryl-2-oxoethyl groups such as-(2-naphthyl) -2-oxoethyl group. K - a non-nucleophilic counter chloride ions as the ion, halide ions such as bromide ion, triflate, 1,1,1-trifluoroethane sulfonate, fluoroalkyl sulfonate such as nonafluorobutanesulfonate, tosylate, benzenesulfonate , 4-fluorobenzenesulfonate, arylsulfonates such as 1,2,3,4,5-pentafluorobenzenesulfonate, and alkylsulfonates such as mesylate and butanesulfonate.

【0073】[0073]

【化29】 (式中、R102a、R102bはそれぞれ炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R103は炭素
数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を
示す。R104a、R104bはそれぞれ炭素数3〜7の2−オ
キソアルキル基を示す。K-は非求核性対向イオンを表
す。)
Embedded image (Wherein, R 102a and R 102b each represent a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. R 103 represents a linear, branched or cyclic alkylene having 1 to 10 carbon atoms. R 104a and R 104b each represent a 2-oxoalkyl group having 3 to 7 carbon atoms. K represents a non-nucleophilic counter ion.)

【0074】上記R102a、R102bとして具体的には、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチ
ル基、4−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメ
チル基等が挙げられる。R103としては、メチレン基、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン
基、へキシレン基、へプチレン基、オクチレン基、ノニ
レン基、1,4−シクロへキシレン基、1,2−シクロ
へキシレン基、1,3−シクロペンチレン基、1,4−
シクロオクチレン基、1,4−シクロヘキサンジメチレ
ン基等が挙げられる。R104a、R104bとしては、2−オ
キソプロピル基、2−オキソシクロペンチル基、2−オ
キソシクロヘキシル基、2−オキソシクロヘプチル基等
が挙げられる。K-は式(P1a−1)及び(P1a−
2)で説明したものと同様のものを挙げることができ
る。
Specific examples of the above R 102a and R 102b include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-
Butyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cyclopropylmethyl, 4-methylcyclohexyl, cyclohexylmethyl and the like. R 103 includes a methylene group,
Ethylene, propylene, butylene, pentylene, hexylene, heptylene, octylene, nonylene, 1,4-cyclohexylene, 1,2-cyclohexylene, 1,3-cyclopentene Len group, 1,4-
Examples thereof include a cyclooctylene group and a 1,4-cyclohexanedimethylene group. Examples of R 104a and R 104b include a 2-oxopropyl group, a 2-oxocyclopentyl group, a 2-oxocyclohexyl group, and a 2-oxocycloheptyl group. K - is determined by the formulas (P1a-1) and (P1a-
Examples similar to those described in 2) can be given.

【0075】[0075]

【化30】 (式中、R105、R106は炭素数1〜12の直鎖状、分岐
状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭
素数6〜20のアリール基又はハロゲン化アリール基、
又は炭素数7〜12のアラルキル基を示す。)
Embedded image (Wherein, R 105 and R 106 represent a linear, branched or cyclic alkyl group or halogenated alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group or a halogenated aryl group having 6 to 20 carbon atoms,
Or an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms. )

【0076】R105、R106のアルキル基としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、アミル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられ
る。ハロゲン化アルキル基としてはトリフルオロメチル
基、1,1,1−トリフルオロエチル基、1,1,1−
トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げら
れる。アリール基としてはフェニル基、p−メトキシフ
ェニル基、m−メトキシフェニル基、o−メトキシフェ
ニル基、エトキシフェニル基、p−tert−ブトキシ
フェニル基、m−tert−ブトキシフェニル基等のア
ルコキシフェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチ
ルフェニル基、4−メチルフェニル基、エチルフェニル
基、4−tert−ブチルフェニル基、4−ブチルフェ
ニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基が
挙げられる。ハロゲン化アリール基としてはフルオロフ
ェニル基、クロロフェニル基、1,2,3,4,5−ペ
ンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アラルキル基
としてはベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group for R 105 and R 106 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group and an octyl group. Group, amyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like. Examples of the halogenated alkyl group include a trifluoromethyl group, a 1,1,1-trifluoroethyl group, and a 1,1,1-
Examples thereof include a trichloroethyl group and a nonafluorobutyl group. Examples of the aryl group include an alkoxyphenyl group such as a phenyl group, a p-methoxyphenyl group, an m-methoxyphenyl group, an o-methoxyphenyl group, an ethoxyphenyl group, a p-tert-butoxyphenyl group, and a m-tert-butoxyphenyl group. Examples thereof include an alkylphenyl group such as a 2-methylphenyl group, a 3-methylphenyl group, a 4-methylphenyl group, an ethylphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, a 4-butylphenyl group, and a dimethylphenyl group. Examples of the halogenated aryl group include a fluorophenyl group, a chlorophenyl group, a 1,2,3,4,5-pentafluorophenyl group, and the like. Examples of the aralkyl group include a benzyl group and a phenethyl group.

【0077】[0077]

【化31】 (式中、R107、R108、R109は炭素数1〜12の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキ
ル基、炭素数6〜20のアリール基又はハロゲン化アリ
ール基、又は炭素数7〜12のアラルキル基を示す。R
108、R109は互いに結合して環状構造を形成してもよ
く、環状構造を形成する場合、R108、R109はそれぞれ
炭素数1〜6の直鎖状、分岐状のアルキレン基を示
す。)
Embedded image (Wherein, R 107 , R 108 and R 109 are a linear, branched or cyclic alkyl group or halogenated alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group or a halogenated aryl group having 6 to 20 carbon atoms, Or an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms.
108, R 109 may form a cyclic structure bonded to each other, indicating when they form a ring, R 108, R 109 each represent 1-6 linear, a branched alkylene group. )

【0078】R107、R108、R109のアルキル基、ハロ
ゲン化アルキル基、アリール基、ハロゲン化アリール
基、アラルキル基としては、R105、R106で説明したも
のと同様の基が挙げられる。なお、R108、R109のアル
キレン基としてはメチレン基、エチレン基、プロピレン
基、ブチレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, halogenated aryl group and aralkyl group of R 107 , R 108 and R 109 include the same groups as described for R 105 and R 106 . The alkylene group for R 108 and R 109 includes a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group and the like.

【0079】[0079]

【化32】 (式中、R101a、R101bは上記と同じである。)Embedded image (In the formula, R 101a and R 101b are the same as described above.)

【0080】[0080]

【化33】 (式中、R110は炭素数6〜10のアリーレン基、炭素
数1〜6のアルキレン基又は炭素数2〜6のアルケニレ
ン基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更
に炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はア
ルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、又はフェニル基で
置換されていてもよい。R111は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は置換のアルキル基、アルケニル基又はア
ルコキシアルキル基、フェニル基、又はナフチル基を示
し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更に炭素数
1〜4のアルキル基又はアルコキシ基;炭素数1〜4の
アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で
置換されていてもよいフェニル基;炭素数3〜5のヘテ
ロ芳香族基;又は塩素原子、フッ素原子で置換されてい
てもよい。)
Embedded image (Wherein, R 110 represents an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms, and some or all of the hydrogen atoms of these groups further have carbon atoms. It may be substituted by a linear or branched alkyl or alkoxy group, a nitro group, an acetyl group, or a phenyl group having from 1 to 4. R 111 has 1 to 8 carbon atoms. Or a substituted alkyl group, alkenyl group or alkoxyalkyl group, phenyl group or naphthyl group, and a part or all of the hydrogen atoms of these groups are further an alkyl group or alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms; Or a phenyl group which may be substituted by an alkyl group, an alkoxy group, a nitro group or an acetyl group; a heteroaromatic group having 3 to 5 carbon atoms; or a chlorine atom or a fluorine atom.)

【0081】ここで、R110のアリーレン基としては、
1,2−フェニレン基、1,8−ナフチレン基等が、ア
ルキレン基としては、メチレン基、1,2−エチレン
基、1,3−プロピレン基、1,4−ブチレン基、1−
フェニル−1,2−エチレン基、ノルボルナン−2,3
−ジイル基等が、アルケニレン基としては、1,2−ビ
ニレン基、1−フェニル−1,2−ビニレン基、5−ノ
ルボルネン−2,3−ジイル基等が挙げられる。R111
のアルキル基としては、R101a〜R101cと同様のもの
が、アルケニル基としては、ビニル基、1−プロペニル
基、アリル基、1−ブテニル基、3−ブテニル基、イソ
プレニル基、1−ペンテニル基、3−ペンテニル基、4
−ペンテニル基、ジメチルアリル基、1−ヘキセニル
基、3−ヘキセニル基、5−ヘキセニル基、1−ヘプテ
ニル基、3−ヘプテニル基、6−ヘプテニル基、7−オ
クテニル基等が、アルコキシアルキル基としては、メト
キシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、ペンチロキシメチル基、ヘキシ
ロキシメチル基、ヘプチロキシメチル基、メトキシエチ
ル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキ
シエチル基、ペンチロキシエチル基、ヘキシロキシエチ
ル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロ
ポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブチ
ル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メトキ
シペンチル基、エトキシペンチル基、メトキシヘキシル
基、メトキシヘプチル基等が挙げられる。
Here, the arylene group for R 110 includes:
1,2-phenylene group, 1,8-naphthylene group and the like, alkylene groups include methylene group, 1,2-ethylene group, 1,3-propylene group, 1,4-butylene group, 1-
Phenyl-1,2-ethylene group, norbornane-2,3
Examples of the -diyl group and the alkenylene group include a 1,2-vinylene group, a 1-phenyl-1,2-vinylene group, and a 5-norbornene-2,3-diyl group. R 111
Examples of the alkyl group are the same as R 101a to R 101c, and examples of the alkenyl group include a vinyl group, a 1-propenyl group, an allyl group, a 1-butenyl group, a 3-butenyl group, an isoprenyl group and a 1-pentenyl group. , 3-pentenyl group, 4
-Pentenyl group, dimethylallyl group, 1-hexenyl group, 3-hexenyl group, 5-hexenyl group, 1-heptenyl group, 3-heptenyl group, 6-heptenyl group, 7-octenyl group, etc. , Methoxymethyl group, ethoxymethyl group, propoxymethyl group, butoxymethyl group, pentoxymethyl group, hexyloxymethyl group, heptyloxymethyl group, methoxyethyl group, ethoxyethyl group, propoxyethyl group, butoxyethyl group, pli Roxyethyl, hexyloxyethyl, methoxypropyl, ethoxypropyl, propoxypropyl, butoxypropyl, methoxybutyl, ethoxybutyl, propoxybutyl, methoxypentyl, ethoxypentyl, methoxyhexyl, methoxy Heptyl Etc. The.

【0082】なお、更に置換されていてもよい炭素数1
〜4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル
基、tert−ブチル基等が、炭素数1〜4のアルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ
基、tert−ブトキシ基等が、炭素数1〜4のアルキ
ル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換さ
れていてもよいフェニル基としては、フェニル基、トリ
ル基、p−tert−ブトキシフェニル基、p−アセチ
ルフェニル基、p−ニトロフェニル基等が、炭素数3〜
5のヘテロ芳香族基としては、ピリジル基、フリル基等
が挙げられる。
It is to be noted that carbon atoms which may be further substituted
Examples of the alkyl group having 4 to 4 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, and a tert-butyl group. Group, propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, tert-butoxy group, etc. may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, a nitro group or an acetyl group. A phenyl group, a tolyl group, a p-tert-butoxyphenyl group, a p-acetylphenyl group, a p-nitrophenyl group, etc.
Examples of the heteroaromatic group 5 include a pyridyl group and a furyl group.

【0083】具体的には、例えばトリフルオロメタンス
ルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタン
スルホン酸(p−tert−ブトキシフェニル)フェニ
ルヨードニウム、p−トルエンスルホン酸ジフェニルヨ
ードニウム、p−トルエンスルホン酸(p−tert−
ブトキシフェニル)フェニルヨードニウム、トリフルオ
ロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェ
ニル)ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸ビス(p−tert−ブトキシフェニル)フェ
ニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリ
ス(p−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、
p−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、p
−トルエンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェニ
ル)ジフェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸
ビス(p−tert−ブトキシフェニル)フェニルスル
ホニウム、p−トルエンスルホン酸トリス(p−ter
t−ブトキシフェニル)スルホニウム、ノナフルオロブ
タンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスル
ホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタン
スルホン酸トリメチルスルホニウム、p−トルエンスル
ホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキ
シル)スルホニウム、p−トルエンスルホン酸シクロヘ
キシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルス
ルホニウム、p−トルエンスルホン酸ジメチルフェニル
スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロ
ヘキシルフェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン
酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、トリフルオ
ロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル(2−オ
キソシクロヘキシル)スルホニウム、トリフルオロメタ
ンスルホン酸(2−ノルボニル)メチル(2−オキソシ
クロヘキシル)スルホニウム、エチレンビス[メチル
(2−オキソシクロペンチル)スルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホナート]、1,2’−ナフチルカルボニ
ルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート等の
オニウム塩、ビス(ベンゼンスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビ
ス(キシレンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロ
ヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロペン
チルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n−ブチルスル
ホニル)ジアゾメタン、ビス(イソブチルスルホニル)
ジアゾメタン、ビス(sec−ブチルスルホニル)ジア
ゾメタン、ビス(n−プロピルスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビ
ス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(n−アミルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソア
ミルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(sec−アミル
スルホニル)ジアゾメタン、ビス(tert−アミルス
ルホニル)ジアゾメタン、1−シクロヘキシルスルホニ
ル−1−(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタ
ン、1−シクロヘキシルスルホニル−1−(tert−
アミルスルホニル)ジアゾメタン、1−tert−アミ
ルスルホニル−1−(tert−ブチルスルホニル)ジ
アゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス−O−(p−
トルエンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビ
ス−O−(p−トルエンスルホニル)−α−ジフェニル
グリオキシム、ビス−O−(p−トルエンスルホニル)
−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−O−(p
−トルエンスルホニル)−2,3−ペンタンジオングリ
オキシム、ビス−O−(p−トルエンスルホニル)−2
−メチル−3,4−ペンタンジオングリオキシム、ビス
−O−(n−ブタンスルホニル)−α−ジメチルグリオ
キシム、ビス−O−(n−ブタンスルホニル)−α−ジ
フェニルグリオキシム、ビス−O−(n−ブタンスルホ
ニル)−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−O
−(n−ブタンスルホニル)−2,3−ペンタンジオン
グリオキシム、ビス−O−(n−ブタンスルホニル)−
2−メチル−3,4−ペンタンジオングリオキシム、ビ
ス−O−(メタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキ
シム、ビス−O−(トリフルオロメタンスルホニル)−
α−ジメチルグリオキシム、ビス−O−(1,1,1−
トリフルオロエタンスルホニル)−α−ジメチルグリオ
キシム、ビス−O−(tert−ブタンスルホニル)−
α−ジメチルグリオキシム、ビス−O−(パーフルオロ
オクタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビ
ス−O−(シクロヘキサンスルホニル)−α−ジメチル
グリオキシム、ビス−O−(ベンゼンスルホニル)−α
−ジメチルグリオキシム、ビス−O−(p−フルオロベ
ンゼンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス
−O−(p−tert−ブチルベンゼンスルホニル)−
α−ジメチルグリオキシム、ビス−O−(キシレンスル
ホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−O−(カ
ンファースルホニル)−α−ジメチルグリオキシム等の
グリオキシム誘導体、ビスナフチルスルホニルメタン、
ビストリフルオロメチルスルホニルメタン、ビスメチル
スルホニルメタン、ビスエチルスルホニルメタン、ビス
プロピルスルホニルメタン、ビスイソプロピルスルホニ
ルメタン、ビス−p−トルエンスルホニルメタン、ビス
ベンゼンスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、2
−シクロヘキシルカルボニル−2−(p−トルエンスル
ホニル)プロパン、2−イソプロピルカルボニル−2−
(p−トルエンスルホニル)プロパン等のβ−ケトスル
ホン誘導体、ジフェニルジスルホン、ジシクロヘキシル
ジスルホン等のジスルホン誘導体、p−トルエンスルホ
ン酸2,6−ジニトロベンジル、p−トルエンスルホン
酸2,4−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホ
ネート誘導体、1,2,3−トリス(メタンスルホニル
オキシ)ベンゼン、1,2,3−トリス(トリフルオロ
メタンスルホニルオキシ)ベンゼン、1,2,3−トリ
ス(p−トルエンスルホニルオキシ)ベンゼン等のスル
ホン酸エステル誘導体、N−ヒドロキシスクシンイミド
メタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイ
ミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、N−ヒド
ロキシスクシンイミドエタンスルホン酸エステル、N−
ヒドロキシスクシンイミド1−プロパンスルホン酸エス
テル、N−ヒドロキシスクシンイミド2−プロパンスル
ホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド1−ペ
ンタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイ
ミド1−オクタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシ
スクシンイミドp−トルエンスルホン酸エステル、N−
ヒドロキシスクシンイミドp−メトキシベンゼンスルホ
ン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド2−クロ
ロエタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシン
イミドベンゼンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシス
クシンイミド−2,4,6−トリメチルベンゼンスルホ
ン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド1−ナフ
タレンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイ
ミド2−ナフタレンスルホン酸エステル、N−ヒドロキ
シ−2−フェニルスクシンイミドメタンスルホン酸エス
テル、N−ヒドロキシマレイミドメタンスルホン酸エス
テル、N−ヒドロキシマレイミドエタンスルホン酸エス
テル、N−ヒドロキシ−2−フェニルマレイミドメタン
スルホン酸エステル、N−ヒドロキシグルタルイミドメ
タンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシグルタルイミ
ドベンゼンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシフタル
イミドメタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシフタ
ルイミドベンゼンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシ
フタルイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、
N−ヒドロキシフタルイミドp−トルエンスルホン酸エ
ステル、N−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン
酸エステル、N−ヒドロキシナフタルイミドベンゼンス
ルホン酸エステル、N−ヒドロキシ−5−ノルボルネン
−2,3−ジカルボキシイミドメタンスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカ
ルボキシイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカ
ルボキシイミドp−トルエンスルホン酸エステル等のN
−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体
等が挙げられるが、トリフルオロメタンスルホン酸トリ
フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸
(p−tert−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホ
ニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス(p−t
ert−ブトキシフェニル)スルホニウム、p−トルエ
ンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、p−トルエン
スルホン酸(p−tert−ブトキシフェニル)ジフェ
ニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸トリス(p
−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、ト
リフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル(2
−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、トリフルオロ
メタンスルホン酸(2−ノルボニル)メチル(2−オキ
ソシクロヘキシル)スルホニウム、1,2’−ナフチル
カルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレ
ート等のオニウム塩、ビス(ベンゼンスルホニル)ジア
ゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(n−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イ
ソブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(sec−ブ
チルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n−プロピルス
ルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソプロピルスルホニ
ル)ジアゾメタン、ビス(tert−ブチルスルホニ
ル)ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス−O−
(p−トルエンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシ
ム、ビス−O−(n−ブタンスルホニル)−α−ジメチ
ルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビスナフチル
スルホニルメタン等のビススルホン誘導体、N−ヒドロ
キシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、N−ヒ
ドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸
エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド1−プロパン
スルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド2
−プロパンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシ
ンイミド1−ペンタンスルホン酸エステル、N−ヒドロ
キシスクシンイミドp−トルエンスルホン酸エステル、
N−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸
エステル等のN−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸
エステル誘導体が好ましく用いられる。なお、上記酸発
生剤は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いる
ことができる。オニウム塩は矩形性向上効果に優れ、ジ
アゾメタン誘導体及びグリオキシム誘導体は定在波低減
効果に優れるため、両者を組み合わせることによりプロ
ファイルの微調整を行うことが可能である。
Specifically, for example, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, phenyliodonium trifluoromethanesulfonate (p-tert-butoxyphenyl), diphenyliodonium p-toluenesulfonate, p-toluenesulfonic acid (p-tert-
(Butoxyphenyl) phenyliodonium, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, trifluoromethanesulfonic acid (p-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, bis (p-tert-butoxyphenyl) phenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, tris trifluoromethanesulfonate (P-tert-butoxyphenyl) sulfonium,
triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, p
-(P-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium toluenesulfonate, bis (p-tert-butoxyphenyl) phenylsulfonium p-toluenesulfonate, tris (p-tert-toluenesulfonate)
(t-butoxyphenyl) sulfonium, triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate, triphenylsulfonium butanesulfonate, trimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, trimethylsulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexylmethyl trifluoromethanesulfonate (2-oxocyclohexyl) Sulfonium, cyclohexylmethyl p-toluenesulfonate (2-oxocyclohexyl) sulfonium, dimethylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethylphenylsulfonium p-toluenesulfonate, dicyclohexylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexylphenylsulfonium p-toluenesulfonate , Trifluoromethane sulfone Trinaphthylsulfonium, cyclohexylmethyl trifluoromethanesulfonate (2-oxocyclohexyl) sulfonium, (2-norbonyl) methyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium, ethylenebis [methyl (2-oxocyclopentyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate Onium salts such as 1,2′-naphthylcarbonylmethyltetrahydrothiophenium triflate, bis (benzenesulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (xylenesulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) Diazomethane, bis (cyclopentylsulfonyl) diazomethane, bis (n-butylsulfonyl) diazomethane, bis (isobutyl) Ruhoniru)
Diazomethane, bis (sec-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-propylsulfonyl) diazomethane, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-amylsulfonyl) diazomethane, bis (isoamylsulfonyl) Diazomethane, bis (sec-amylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-amylsulfonyl) diazomethane, 1-cyclohexylsulfonyl-1- (tert-butylsulfonyl) diazomethane, 1-cyclohexylsulfonyl-1- (tert-
Diazomethane derivatives such as amylsulfonyl) diazomethane, 1-tert-amylsulfonyl-1- (tert-butylsulfonyl) diazomethane, bis-O- (p-
Toluenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (p-toluenesulfonyl) -α-diphenylglyoxime, bis-O- (p-toluenesulfonyl)
-Α-dicyclohexylglyoxime, bis-O- (p
-Toluenesulfonyl) -2,3-pentanedione glyoxime, bis-O- (p-toluenesulfonyl) -2
-Methyl-3,4-pentanedione glyoxime, bis-O- (n-butanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (n-butanesulfonyl) -α-diphenylglyoxime, bis-O- (N-butanesulfonyl) -α-dicyclohexylglyoxime, bis-O
-(N-butanesulfonyl) -2,3-pentanedione glyoxime, bis-O- (n-butanesulfonyl)-
2-methyl-3,4-pentanedione glyoxime, bis-O- (methanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (trifluoromethanesulfonyl)-
α-dimethylglyoxime, bis-O- (1,1,1-
Trifluoroethanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (tert-butanesulfonyl)-
α-dimethylglyoxime, bis-O- (perfluorooctanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (cyclohexanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (benzenesulfonyl) -α
-Dimethylglyoxime, bis-O- (p-fluorobenzenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (p-tert-butylbenzenesulfonyl)-
glyoxime derivatives such as α-dimethylglyoxime, bis-O- (xylenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (camphorsulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bisnaphthylsulfonylmethane,
Bissulfone derivatives such as bistrifluoromethylsulfonylmethane, bismethylsulfonylmethane, bisethylsulfonylmethane, bispropylsulfonylmethane, bisisopropylsulfonylmethane, bis-p-toluenesulfonylmethane, and bisbenzenesulfonylmethane;
-Cyclohexylcarbonyl-2- (p-toluenesulfonyl) propane, 2-isopropylcarbonyl-2-
Β-ketosulfone derivatives such as (p-toluenesulfonyl) propane; disulfone derivatives such as diphenyldisulfone and dicyclohexyldisulfone; nitro such as 2,6-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate and 2,4-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate. Benzyl sulfonate derivatives, 1,2,3-tris (methanesulfonyloxy) benzene, 1,2,3-tris (trifluoromethanesulfonyloxy) benzene, 1,2,3-tris (p-toluenesulfonyloxy) benzene and the like Sulfonic acid ester derivatives, N-hydroxysuccinimide methanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide ethanesulfonic acid ester, N-
Hydroxysuccinimide 1-propanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 2-propanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 1-pentanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 1-octanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide p-toluenesulfone Acid ester, N-
Hydroxysuccinimide p-methoxybenzenesulfonate, N-hydroxysuccinimide 2-chloroethanesulfonate, N-hydroxysuccinimidebenzenesulfonate, N-hydroxysuccinimide-2,4,6-trimethylbenzenesulfonate, N-hydroxy Succinimide 1-naphthalenesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 2-naphthalenesulfonic acid ester, N-hydroxy-2-phenylsuccinimide methanesulfonic acid ester, N-hydroxymaleimide methanesulfonic acid ester, N-hydroxymaleimidoethanesulfonic acid ester, N-hydroxy-2-phenylmaleimide methanesulfonic acid ester, N-hydroxyglutarimide methanesulfonic acid ester Ether, N- hydroxy glutarimide benzenesulfonate ester, N- hydroxyphthalimide methanesulfonate ester, N- hydroxyphthalimide benzenesulfonate ester, N- hydroxyphthalimide trifluoromethanesulfonate ester,
N-hydroxyphthalimide p-toluenesulfonic acid ester, N-hydroxynaphthalimide methanesulfonic acid ester, N-hydroxynaphthalimidebenzenesulfonic acid ester, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide methanesulfonic acid ester N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide p-toluenesulfonic acid ester, etc.
Sulfonic acid ester derivatives of a hydroxyimide compound, such as triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, (p-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, and tris (pt) trifluoromethanesulfonate;
tert-butoxyphenyl) sulfonium, triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, diphenylsulfonium p-toluenesulfonate (p-tert-butoxyphenyl), tris (p-toluenesulfonate)
-Tert-butoxyphenyl) sulfonium, trinaphthylsulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl trifluoromethanesulfonate (2
Onium salts such as -oxocyclohexyl) sulfonium, (2-norbonyl) methyl trifluoromethanesulfonate (2-oxocyclohexyl) sulfonium, 1,2'-naphthylcarbonylmethyltetrahydrothiophenium triflate, bis (benzenesulfonyl) diazomethane, Bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane,
Bis (n-butylsulfonyl) diazomethane, bis (isobutylsulfonyl) diazomethane, bis (sec-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-propylsulfonyl) diazomethane, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-butylsulfonyl) diazomethane, etc. Diazomethane derivative of bis-O-
Glyoxime derivatives such as (p-toluenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-O- (n-butanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bissulfone derivatives such as bisnaphthylsulfonylmethane, N-hydroxysuccinimide methanesulfonic acid Ester, N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 1-propanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 2
-Propanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide 1-pentanesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide p-toluenesulfonic acid ester,
Sulfonate derivatives of N-hydroxyimide compounds such as N-hydroxynaphthalimide methanesulfonate and N-hydroxynaphthalimidobenzenesulfonate are preferably used. The acid generators may be used alone or in combination of two or more. Onium salts are excellent in the effect of improving rectangularity, and diazomethane derivatives and glyoxime derivatives are excellent in the effect of reducing standing waves. Therefore, fine adjustment of the profile can be performed by combining the two.

【0084】酸発生剤の添加量は、ベース樹脂100部
(重量部、以下同様)に対して好ましくは0.1〜15
部、より好ましくは0.5〜8部である。0.1部より
少ないと感度が悪い場合があり、15部より多いと透明
性が低くなり解像性が低下する場合がある。
The acid generator is preferably added in an amount of 0.1 to 15 parts by weight per 100 parts of the base resin (parts by weight, hereinafter the same).
Parts, more preferably 0.5 to 8 parts. If the amount is less than 0.1 part, the sensitivity may be poor. If the amount is more than 15 parts, the transparency may be reduced and the resolution may be reduced.

【0085】本発明で使用される有機溶剤としては、ベ
ース樹脂、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有
機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤と
しては、例えばシクロヘキサノン、メチル−2−n−ア
ミルケトン等のケトン類、3−メトキシブタノール、3
−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2
−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール等の
アルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエ
ーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチ
ル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプ
ロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチル、プロピオン
酸tert−ブチル、プロピレングリコールモノter
t−ブチルエーテルアセテート等のエステル類が挙げら
れ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用
することができるが、これらに限定されるものではな
い。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成
分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレング
リコールジメチルエーテルや1−エトキシ−2−プロパ
ノールの他、安全溶剤であるプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく
使用される。
The organic solvent used in the present invention may be any organic solvent that can dissolve the base resin, the acid generator, and other additives. Examples of such an organic solvent include ketones such as cyclohexanone and methyl-2-n-amyl ketone, 3-methoxybutanol,
-Methyl-3-methoxybutanol, 1-methoxy-2
Alcohols such as -propanol, 1-ethoxy-2-propanol, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethers such as ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol Monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl lactate, ethyl pyruvate, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, tert-butyl acetate, tert-butyl propionate, propylene glycol monoter
Esters such as t-butyl ether acetate are mentioned, and one of these can be used alone or a mixture of two or more thereof, but is not limited thereto. In the present invention, among these organic solvents, in addition to diethylene glycol dimethyl ether and 1-ethoxy-2-propanol in which the solubility of the acid generator in the resist component is the most excellent, propylene glycol monomethyl ether acetate as a safe solvent and a mixture thereof Solvents are preferably used.

【0086】有機溶剤の使用量は、ベース樹脂100部
に対して200〜1,000部、特に400〜800部
が好適である。
The amount of the organic solvent to be used is preferably 200 to 1,000 parts, more preferably 400 to 800 parts, per 100 parts of the base resin.

【0087】本発明のレジスト材料には、上記一般式
(1−1)又は(1−2)で示される繰り返し単位を含
有する高分子化合物とは別の高分子化合物を添加するこ
とができる。
In the resist composition of the present invention, a polymer compound different from the polymer compound containing a repeating unit represented by the above formula (1-1) or (1-2) can be added.

【0088】該高分子化合物の具体的な例としては下記
式(R1)及び/又は下記式(R2)で示される重量平
均分子量1,000〜500,000、好ましくは5,
000〜100,000のものを挙げることができる
が、これらに限定されるものではない。
As specific examples of the polymer compound, a weight average molecular weight represented by the following formula (R1) and / or (R2) is from 1,000 to 500,000, preferably 5,
000 to 100,000, but are not limited thereto.

【0089】[0089]

【化34】 (式中、R001は水素原子、メチル基又はCH2CO2
003を示す。R002は水素原子、メチル基又はCO2003
を示す。R003は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は
環状のアルキル基を示す。R004は水素原子又は炭素数
1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭
化水素基を示す。R005〜R008の少なくとも1個は炭素
数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の
炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は
炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基
を示す。R005〜R008は互いに環を形成していてもよ
く、その場合にはR005〜R008の少なくとも1個は炭素
数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する2価の
炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭
素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基
を示す。R009は炭素数3〜15の−CO2−部分構造を
含有する1価の炭化水素基を示す。R010〜R01 3の少な
くとも1個は炭素数2〜15の−CO2−部分構造を含
有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に
水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状
のアルキル基を示す。R010〜R013は互いに環を形成し
ていてもよく、その場合にはR010〜R013の少なくとも
1個は炭素数1〜15の−CO2−部分構造を含有する
2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合
又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキ
レン基を示す。R014は炭素数7〜15の多環式炭化水
素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示
す。R015は酸不安定基を示す。R016は水素原子又はメ
チル基を示す。R017は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状
又は環状のアルキル基を示す。XはCH2又は酸素原子
を示す。k’は0又は1である。a1’、a2’、a
3’、b1’、b2’、b3’、c1’、c2’、c
3’、d1’、d2’、d3’、e’は0以上1未満の
数であり、a1’+a2’+a3’+b1’+b2’+
b3’+c1’+c2’+c3’+d1’+d2’+d
3’+e’=1を満足する。f’、g’、h’、i’、
j’は0以上1未満の数であり、f’+g’+h’+
i’+j’=1を満足する。)なお、それぞれの基の具
体例については、先の説明と同様である。
Embedded image (Wherein, R 001 is a hydrogen atom, a methyl group or CH 2 CO 2 R
003 is shown. R 002 is a hydrogen atom, a methyl group or CO 2 R 003
Is shown. R 003 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms. R 004 represents a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having a carboxy group or a hydroxyl group having 1 to 15 carbon atoms. At least one of R 005 to R 008 represents a carboxy group having 1 to 15 carbon atoms or a monovalent hydrocarbon group containing a hydroxyl group, and the rest are each independently a hydrogen atom or a linear group having 1 to 15 carbon atoms; It represents a branched or cyclic alkyl group. R 005 to R 008 may form a ring with each other, in which case at least one of R 005 to R 008 is a divalent hydrocarbon group having a carboxy group or a hydroxyl group having 1 to 15 carbon atoms. And the rest each independently represent a single bond or a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 15 carbon atoms. R 009 represents a monovalent hydrocarbon group having a —CO 2 — partial structure having 3 to 15 carbon atoms. R 010 to R 01 at least one 3 -CO 2 of 2 to 15 carbon atoms - a monovalent hydrocarbon group containing a partial structure, linear hydrogen atom or 1 to 15 carbon atoms in each remaining independently It represents a chain, branched or cyclic alkyl group. R 010 to R 013 may form a ring with each other, in which case at least one of R 010 to R 013 is a divalent hydrocarbon containing a —CO 2 — partial structure having 1 to 15 carbon atoms. And the rest each independently represent a single bond or a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 15 carbon atoms. R 014 represents a polycyclic hydrocarbon group having 7 to 15 carbon atoms or an alkyl group containing a polycyclic hydrocarbon group. R 015 represents an acid labile group. R 016 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 017 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. X represents CH 2 or an oxygen atom. k ′ is 0 or 1. a1 ', a2', a
3 ′, b1 ′, b2 ′, b3 ′, c1 ′, c2 ′, c
3 ′, d1 ′, d2 ′, d3 ′, e ′ are numbers of 0 or more and less than 1, and a1 ′ + a2 ′ + a3 ′ + b1 ′ + b2 ′ +
b3 '+ c1' + c2 '+ c3' + d1 '+ d2' + d
3 ′ + e ′ = 1 is satisfied. f ', g', h ', i',
j ′ is a number from 0 to less than 1, and f ′ + g ′ + h ′ +
i ′ + j ′ = 1 is satisfied. In addition, specific examples of each group are the same as those described above.

【0090】上記一般式(1−1)又は(1−2)で示
される繰り返し単位を含有する高分子化合物と別の高分
子化合物との配合比率は、100:0〜10:90、特
に100:0〜20:80の重量比の範囲内にあること
が好ましい。上記一般式(1−1)又は(1−2)で示
される繰り返し単位を含有する高分子化合物の配合比が
これより少ないと、レジスト材料として好ましい性能が
得られないことがある。上記の配合比率を適宜変えるこ
とにより、レジスト材料の性能を調整することができ
る。
The compounding ratio of the high molecular compound containing the repeating unit represented by the general formula (1-1) or (1-2) to another high molecular compound is from 100: 0 to 10:90, particularly 100 : 0 to 20:80 by weight. If the blending ratio of the polymer compound containing the repeating unit represented by the above general formula (1-1) or (1-2) is less than this, favorable performance as a resist material may not be obtained. The performance of the resist material can be adjusted by appropriately changing the above mixing ratio.

【0091】なお、上記高分子化合物は1種に限らず2
種以上を添加することができる。複数種の高分子化合物
を用いることにより、レジスト材料の性能を調整するこ
とができる。
The polymer compound is not limited to one kind,
More than one species can be added. By using a plurality of types of polymer compounds, the performance of the resist material can be adjusted.

【0092】本発明のレジスト材料には、更に溶解制御
剤を添加することができる。溶解制御剤としては、平均
分子量が100〜1,000、好ましくは150〜80
0で、かつ分子内にフェノール性水酸基を2つ以上有す
る化合物の該フェノール性水酸基の水素原子を酸不安定
基により全体として平均0〜100モル%の割合で置換
した化合物又は分子内にカルボキシ基を有する化合物の
該カルボキシ基の水素原子を酸不安定基により全体とし
て平均50〜100モル%の割合で置換した化合物を配
合する。
The resist composition of the present invention may further contain a dissolution controlling agent. The dissolution controlling agent has an average molecular weight of 100 to 1,000, preferably 150 to 80.
0 and a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule, wherein the hydrogen atom of the phenolic hydroxyl group is substituted by an acid labile group at an average rate of 0 to 100 mol% or a carboxy group in the molecule. And a compound in which the hydrogen atom of the carboxy group of the compound having the formula (1) is substituted with an acid labile group at an average ratio of 50 to 100 mol% as a whole.

【0093】なお、フェノール性水酸基の水素原子の酸
不安定基による置換率は、平均でフェノール性水酸基全
体の0モル%以上、好ましくは30モル%以上であり、
その上限は100モル%、より好ましくは80モル%で
ある。カルボキシ基の水素原子の酸不安定基による置換
率は、平均でカルボキシ基全体の50モル%以上、好ま
しくは70モル%以上であり、その上限は100モル%
である。
Incidentally, the substitution rate of the hydrogen atom of the phenolic hydroxyl group by the acid labile group is 0 mol% or more, preferably 30 mol% or more of the entire phenolic hydroxyl group on average.
The upper limit is 100 mol%, more preferably 80 mol%. The substitution rate of the hydrogen atom of the carboxy group by the acid labile group is 50 mol% or more, preferably 70 mol% or more of the whole carboxy group on average, and the upper limit is 100 mol%.
It is.

【0094】この場合、かかるフェノール性水酸基を2
つ以上有する化合物又はカルボキシ基を有する化合物と
しては、下記式(D1)〜(D14)で示されるものが
好ましい。
In this case, such a phenolic hydroxyl group is
As the compound having one or more compounds or the compound having a carboxy group, compounds represented by the following formulas (D1) to (D14) are preferable.

【0095】[0095]

【化35】 (但し、式中R201、R202はそれぞれ水素原子、又は炭
素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケ
ニル基を示す。R203は水素原子、又は炭素数1〜8の
直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、或い
は−(R207hCOOHを示す。R204は−(CH2i
−(i=2〜10)、炭素数6〜10のアリーレン基、
カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を
示す。R20 5は炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数
6〜10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル
基、酸素原子又は硫黄原子を示す。R206は水素原子、
炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケ
ニル基、又はそれぞれ水酸基で置換されたフェニル基又
はナフチル基を示す。R207は炭素数1〜10の直鎖状
又は分岐状のアルキレン基を示す。R208は水素原子又
は水酸基を示す。jは0〜5の整数である。u、hは0
又は1である。s、t、s’、t’、s’’、t’’は
それぞれs+t=8、s’+t’=5、s’’+t’’
=4を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくとも1つ
の水酸基を有するような数である。αは式(D8)、
(D9)の化合物の分子量を100〜1,000とする
数である。)
Embedded image (Wherein, R 201 and R 202 each represent a hydrogen atom or a linear or branched alkyl or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms. R 203 represents a hydrogen atom or a 1 to 8 carbon atom. Represents a linear or branched alkyl or alkenyl group or — (R 207 ) h COOH, wherein R 204 is — (CH 2 ) i
-(I = 2 to 10), an arylene group having 6 to 10 carbon atoms,
It represents a carbonyl group, a sulfonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom. R 20 5 represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, a carbonyl group, a sulfonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom. R 206 is a hydrogen atom,
It represents a linear or branched alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group or a naphthyl group each substituted with a hydroxyl group. R 207 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms. R 208 represents a hydrogen atom or a hydroxyl group. j is an integer of 0-5. u and h are 0
Or 1. s, t, s ′, t ′, s ″, and t ″ are s + t = 8, s ′ + t ′ = 5, and s ″ + t ″, respectively.
= 4 and has at least one hydroxyl group in each phenyl skeleton. α is the equation (D8),
The number is such that the molecular weight of the compound (D9) is 100 to 1,000. )

【0096】上記式中R201、R202としては、例えば水
素原子、メチル基、エチル基、ブチル基、プロピル基、
エチニル基、シクロヘキシル基、R203としては、例え
ばR2 01、R202と同様なもの、或いは−COOH、−C
2COOH、R204としては、例えばエチレン基、フェ
ニレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子、硫
黄原子等、R205としては、例えばメチレン基、或いは
204と同様なもの、R 206としては例えば水素原子、メ
チル基、エチル基、ブチル基、プロピル基、エチニル
基、シクロヘキシル基、それぞれ水酸基で置換されたフ
ェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
In the above formula, R201, R202As, for example, water
Element atom, methyl group, ethyl group, butyl group, propyl group,
Ethynyl group, cyclohexyl group, R203For example,
RTwo 01, R202The same as above, or -COOH, -C
HTwoCOOH, R204Are, for example, ethylene group,
Nylene, carbonyl, sulfonyl, oxygen, sulfur
Yellow atom, R205As, for example, a methylene group, or
R204The same as R 206As a hydrogen atom,
Tyl, ethyl, butyl, propyl, ethynyl
Group, cyclohexyl group, and hydroxyl group, respectively.
Phenyl, naphthyl and the like.

【0097】溶解制御剤の酸不安定基としては、種々用
いることができるが、具体的には下記一般式(L1)〜
(L4)で示される基、炭素数4〜20の三級アルキル
基、各アルキル基の炭素数がそれぞれ1〜6のトリアル
キルシリル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基等を
挙げることができる。
As the acid labile group of the dissolution controlling agent, various types can be used, and specifically, the following general formula (L1)
Examples include the group represented by (L4), a tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms, a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group, and an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms. it can.

【0098】[0098]

【化36】 (式中、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1〜18の
直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。RL03
炭素数1〜18の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよ
い1価の炭化水素基を示す。RL01とRL02、RL01とR
L03、RL02とRL03とは互いに結合して環を形成しても
よく、環を形成する場合にはRL01、RL02、RL03はそ
れぞれ炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキレン
基を示す。RL 04は炭素数4〜20の三級アルキル基、
各アルキル基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシ
リル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基又は上記一
般式(L1)で示される基を示す。RL05は炭素数1〜
8のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基又は炭
素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示
す。RL06は炭素数1〜8のヘテロ原子を含んでもよい
1価の炭化水素基又は炭素数6〜20の置換されていて
もよいアリール基を示す。RL07〜RL16はそれぞれ独立
に水素原子又は炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでも
よい1価の炭化水素基を示す。RL07〜RL16は互いに結
合して環を形成していてもよく、その場合には炭素数1
〜15のヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を
示す。また、R L07〜RL16は隣接する炭素に結合するも
の同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよ
い。yは0〜6の整数である。mは0又は1、nは0、
1、2、3のいずれかであり、2m+n=2又は3を満
足する数である。)なお、それぞれの基の具体例につい
ては、先の説明と同様である。
Embedded image(Where RL01, RL02Is a hydrogen atom or a C1-18
Shows a linear, branched or cyclic alkyl group. RL03Is
It may have a hetero atom such as an oxygen atom having 1 to 18 carbon atoms.
A monovalent hydrocarbon group. RL01And RL02, RL01And R
L03, RL02And RL03Is bonded to each other to form a ring
When a ring is formed, RL01, RL02, RL03Haso
Linear or branched alkylene having 1 to 18 carbon atoms, respectively
Represents a group. RL 04Is a tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms,
Each alkyl group is a trialkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
A lyl group, an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms or
A group represented by the general formula (L1) is shown. RL05Has 1 to 1 carbon atoms
Monovalent hydrocarbon groups or carbons which may contain 8 heteroatoms
Represents an optionally substituted aryl group having a prime number of 6 to 20
You. RL06May contain a heteroatom having 1 to 8 carbon atoms
A monovalent hydrocarbon group or substituted having 6 to 20 carbon atoms
Represents an aryl group. RL07~ RL16Are independent
Containing a hydrogen atom or a heteroatom having 1 to 15 carbon atoms
Shows good monovalent hydrocarbon groups. RL07~ RL16Are connected to each other
May form a ring, in which case the carbon number is 1
A divalent hydrocarbon group which may contain up to 15 heteroatoms
Show. Also, R L07~ RL16Binds to an adjacent carbon
May be bonded to each other without any intervening to form a double bond.
No. y is an integer of 0-6. m is 0 or 1, n is 0,
1, 2 or 3, 2m + n = 2 or 3
This is the number to be added. Note that specific examples of each group
Are the same as described above.

【0099】上記溶解制御剤の配合量は、ベース樹脂1
00部に対し、0〜50部、好ましくは0〜40部、よ
り好ましくは0〜30部であり、単独又は2種以上を混
合して使用できる。配合量が50部を超えるとパターン
の膜減りが生じ、解像度が低下する場合がある。
The blending amount of the above-mentioned dissolution controlling agent depends on the amount of the base resin 1
It is 0 to 50 parts, preferably 0 to 40 parts, more preferably 0 to 30 parts with respect to 00 parts, and can be used alone or in combination of two or more. If the compounding amount exceeds 50 parts, the film of the pattern is reduced, and the resolution may be reduced.

【0100】なお、上記のような溶解制御剤は、フェノ
ール性水酸基又はカルボキシ基を有する化合物に対し、
有機化学的処方を用いて酸不安定基を導入することによ
り合成される。
The dissolution controlling agent as described above is used for a compound having a phenolic hydroxyl group or a carboxy group.
It is synthesized by introducing an acid labile group using an organic chemical formulation.

【0101】更に、本発明のレジスト材料には、塩基性
化合物を配合することができる。塩基性化合物として
は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する
際の拡散速度を抑制することができる化合物が適してい
る。塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸の
拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変
化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余
裕度やパターンプロファイル等を向上することができ
る。
Further, a basic compound can be added to the resist composition of the present invention. As the basic compound, a compound capable of suppressing the diffusion rate when the acid generated from the acid generator diffuses into the resist film is suitable. By compounding a basic compound, the diffusion rate of acid in the resist film is suppressed and the resolution is improved. Etc. can be improved.

【0102】このような塩基性化合物としては、第一
級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、
芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有す
る含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、
水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を
有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミ
ド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。
Such basic compounds include primary, secondary and tertiary aliphatic amines, hybrid amines,
Aromatic amines, heterocyclic amines, nitrogen-containing compounds having a carboxy group, nitrogen-containing compounds having a sulfonyl group,
Examples include a nitrogen-containing compound having a hydroxyl group, a nitrogen-containing compound having a hydroxyphenyl group, an alcoholic nitrogen-containing compound, an amide derivative, and an imide derivative.

【0103】具体的には、第一級の脂肪族アミン類とし
て、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n−プ
ロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミ
ン、イソブチルアミン、sec−ブチルアミン、ter
t−ブチルアミン、ペンチルアミン、tert−アミル
アミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シク
ロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、
ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチル
アミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラ
エチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミ
ン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−n
−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−n−ブ
チルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−sec−ブチル
アミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、
ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチ
ルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシ
ルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N
−ジメチルメチレンジアミン、N,N−ジメチルエチレ
ンジアミン、N,N−ジメチルテトラエチレンペンタミ
ン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピル
アミン、トリイソプロピルアミン、トリ−n−ブチルア
ミン、トリイソブチルアミン、トリ−sec−ブチルア
ミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミ
ン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、
トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニル
アミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリ
セチルアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルメチ
レンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチ
レンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルテト
ラエチレンペンタミン等が例示される。
Specifically, the primary aliphatic amines include ammonia, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, sec-butylamine, tertiary aliphatic amines.
t-butylamine, pentylamine, tert-amylamine, cyclopentylamine, hexylamine, cyclohexylamine, heptylamine, octylamine,
Nonylamine, decylamine, dodecylamine, cetylamine, methylenediamine, ethylenediamine, tetraethylenepentamine and the like are exemplified. As secondary aliphatic amines, dimethylamine, diethylamine, di-n
-Propylamine, diisopropylamine, di-n-butylamine, diisobutylamine, di-sec-butylamine, dipentylamine, dicyclopentylamine,
Dihexylamine, dicyclohexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, didodecylamine, dicetylamine, N, N
-Dimethylmethylenediamine, N, N-dimethylethylenediamine, N, N-dimethyltetraethylenepentamine, and the like. Examples of the tertiary aliphatic amines include trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, and triisopropylamine. , Tri-n-butylamine, triisobutylamine, tri-sec-butylamine, tripentylamine, tricyclopentylamine, trihexylamine, tricyclohexylamine,
Triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, tridodecylamine, tricetylamine, N, N, N ', N'-tetramethylmethylenediamine, N, N, N', N'-tetra Examples include methylethylenediamine, N, N, N ', N'-tetramethyltetraethylenepentamine and the like.

【0104】また、混成アミン類としては、例えばジメ
チルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベン
ジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類
の具体例としては、アニリン誘導体(例えばアニリン、
N−メチルアニリン、N−エチルアニリン、N−プロピ
ルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、2−メチルア
ニリン、3−メチルアニリン、4−メチルアニリン、エ
チルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリ
ン、2−ニトロアニリン、3−ニトロアニリン、4−ニ
トロアニリン、2,4−ジニトロアニリン、2,6−ジ
ニトロアニリン、3,5−ジニトロアニリン、N,N−
ジメチルトルイジン等)、ジフェニル(p−トリル)ア
ミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、
フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタ
レン、ピロール誘導体(例えばピロール、2H−ピロー
ル、1−メチルピロール、2,4−ジメチルピロール、
2,5−ジメチルピロール、N−メチルピロール等)、
オキサゾール誘導体(例えばオキサゾール、イソオキサ
ゾール等)、チアゾール誘導体(例えばチアゾール、イ
ソチアゾール等)、イミダゾール誘導体(例えばイミダ
ゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチル−2−フ
ェニルイミダゾール等)、ピラゾール誘導体、フラザン
誘導体、ピロリン誘導体(例えばピロリン、2−メチル
−1−ピロリン等)、ピロリジン誘導体(例えばピロリ
ジン、N−メチルピロリジン、ピロリジノン、N−メチ
ルピロリドン等)、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジ
ン誘導体、ピリジン誘導体(例えばピリジン、メチルピ
リジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピ
リジン、4−(1−ブチルペンチル)ピリジン、ジメチ
ルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジ
ン、フェニルピリジン、3−メチル−2−フェニルピリ
ジン、4−tert−ブチルピリジン、ジフェニルピリ
ジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシ
ピリジン、ジメトキシピリジン、1−メチル−2−ピリ
ドン、4−ピロリジノピリジン、1−メチル−4−フェ
ニルピリジン、2−(1−エチルプロピル)ピリジン、
アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等)、ピリダ
ジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラ
ゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導
体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール
誘導体、イソインドール誘導体、1H−インダゾール誘
導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体(例えばキノ
リン、3−キノリンカルボニトリル等)、イソキノリン
誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテ
リジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン
誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,1
0−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノ
シン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラ
シル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
Examples of the mixed amines include dimethylethylamine, methylethylpropylamine, benzylamine, phenethylamine and benzyldimethylamine. Specific examples of aromatic amines and heterocyclic amines include aniline derivatives (for example, aniline,
N-methylaniline, N-ethylaniline, N-propylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, ethylaniline, propylaniline, trimethylaniline, 2-nitroaniline , 3-nitroaniline, 4-nitroaniline, 2,4-dinitroaniline, 2,6-dinitroaniline, 3,5-dinitroaniline, N, N-
Dimethyl toluidine, etc.), diphenyl (p-tolyl) amine, methyl diphenylamine, triphenylamine,
Phenylenediamine, naphthylamine, diaminonaphthalene, pyrrole derivatives (e.g., pyrrole, 2H-pyrrole, 1-methylpyrrole, 2,4-dimethylpyrrole,
2,5-dimethylpyrrole, N-methylpyrrole, etc.),
Oxazole derivatives (eg, oxazole, isoxazole, etc.), thiazole derivatives (eg, thiazole, isothiazole, etc.), imidazole derivatives (eg, imidazole, 4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, etc.), pyrazole derivatives, furazane derivatives, Pyrroline derivatives (eg, pyrroline, 2-methyl-1-pyrroline, etc.), pyrrolidine derivatives (eg, pyrrolidine, N-methylpyrrolidine, pyrrolidinone, N-methylpyrrolidone, etc.), imidazoline derivatives, imidazolidine derivatives, pyridine derivatives (eg, pyridine, methyl) Pyridine, ethylpyridine, propylpyridine, butylpyridine, 4- (1-butylpentyl) pyridine, dimethylpyridine, trimethylpyridine, triethylpyridine, phenylpyridyl , 3-methyl-2-phenylpyridine, 4-tert-butylpyridine, diphenylpyridine, benzylpyridine, methoxypyridine, butoxypyridine, dimethoxypyridine, 1-methyl-2-pyridone, 4-pyrrolidinopyridine, 1-methyl- 4-phenylpyridine, 2- (1-ethylpropyl) pyridine,
Aminopyridine, dimethylaminopyridine, etc.), pyridazine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolidine derivatives, piperidine derivatives, piperazine derivatives, morpholine derivatives, indole derivatives, isoindole derivatives, 1H-indazole derivatives, indoline derivatives, quinoline derivatives (Eg, quinoline, 3-quinolinecarbonitrile), isoquinoline derivatives, cinnoline derivatives, quinazoline derivatives, quinoxaline derivatives, phthalazine derivatives, purine derivatives, pteridine derivatives, carbazole derivatives, phenanthridine derivatives, acridine derivatives, phenazine derivatives, 1,1
Examples thereof include 0-phenanthroline derivatives, adenine derivatives, adenosine derivatives, guanine derivatives, guanosine derivatives, uracil derivatives, uridine derivatives and the like.

【0105】更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物
としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン
酸、アミノ酸誘導体(例えばニコチン酸、アラニン、ア
ルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、
ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシ
ン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジ
ン、3−アミノピラジン−2−カルボン酸、メトキシア
ラニン)等が例示され、スルホニル基を有する含窒素化
合物として3−ピリジンスルホン酸、p−トルエンスル
ホン酸ピリジニウム等が例示され、水酸基を有する含窒
素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合
物、アルコール性含窒素化合物としては、2−ヒドロキ
シピリジン、アミノクレゾール、2,4−キノリンジオ
ール、3−インドールメタノールヒドレート、モノエタ
ノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールア
ミン、N−エチルジエタノールアミン、N,N−ジエチ
ルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、
2,2’−イミノジエタノール、2−アミノエタノ−
ル、3−アミノ−1−プロパノール、4−アミノ−1−
ブタノール、4−(2−ヒドロキシエチル)モルホリ
ン、2−(2−ヒドロキシエチル)ピリジン、1−(2
−ヒドロキシエチル)ピペラジン、1−[2−(2−ヒ
ドロキシエトキシ)エチル]ピペラジン、ピペリジンエ
タノール、1−(2−ヒドロキシエチル)ピロリジン、
1−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリジノン、3
−ピペリジノ−1,2−プロパンジオール、3−ピロリ
ジノ−1,2−プロパンジオール、8−ヒドロキシユロ
リジン、3−クイヌクリジノール、3−トロパノール、
1−メチル−2−ピロリジンエタノール、1−アジリジ
ンエタノール、N−(2−ヒドロキシエチル)フタルイ
ミド、N−(2−ヒドロキシエチル)イソニコチンアミ
ド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミ
ド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズ
アミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタル
イミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
Further, examples of the nitrogen-containing compound having a carboxy group include aminobenzoic acid, indolecarboxylic acid, and amino acid derivatives (eg, nicotinic acid, alanine, arginine, aspartic acid, glutamic acid, glycine,
Histidine, isoleucine, glycylleucine, leucine, methionine, phenylalanine, threonine, lysine, 3-aminopyrazine-2-carboxylic acid, methoxyalanine), and the like. Examples of pyridinium p-toluenesulfonate include a nitrogen-containing compound having a hydroxyl group, a nitrogen-containing compound having a hydroxyphenyl group, and alcoholic nitrogen-containing compounds such as 2-hydroxypyridine, aminocresol, 2,4-quinolinediol, 3-indole methanol hydrate, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N, N-diethylethanolamine, triisopropanolamine,
2,2′-iminodiethanol, 2-aminoethanol
3-amino-1-propanol, 4-amino-1-
Butanol, 4- (2-hydroxyethyl) morpholine, 2- (2-hydroxyethyl) pyridine, 1- (2
-Hydroxyethyl) piperazine, 1- [2- (2-hydroxyethoxy) ethyl] piperazine, piperidineethanol, 1- (2-hydroxyethyl) pyrrolidine,
1- (2-hydroxyethyl) -2-pyrrolidinone, 3
-Piperidino-1,2-propanediol, 3-pyrrolidino-1,2-propanediol, 8-hydroxyurolidine, 3-quinuclidinol, 3-tropanol,
Examples thereof include 1-methyl-2-pyrrolidineethanol, 1-aziridineethanol, N- (2-hydroxyethyl) phthalimide, and N- (2-hydroxyethyl) isonicotinamide. Examples of amide derivatives include formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamido, N-methylacetamido,
Examples include N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide and the like. Examples of the imide derivative include phthalimide, succinimide, and maleimide.

【0106】更に、下記一般式(B1)で示される塩基
性化合物から選ばれる1種又は2種以上を配合すること
もできる。
Further, one or more selected from basic compounds represented by the following general formula (B1) may be blended.

【0107】[0107]

【化37】 (式中、n=1、2又は3である。Yは各々独立に水素
原子又は直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜20のア
ルキル基を示し、水酸基又はエーテル構造を含んでもよ
い。Xは各々独立に下記一般式(X1)〜(X3)で表
される基を示し、2個又は3個のXが結合して環を形成
してもよい。)
Embedded image (In the formula, n = 1, 2, or 3. Each Y independently represents a hydrogen atom or a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and may include a hydroxyl group or an ether structure. X each independently represents a group represented by the following general formulas (X1) to (X3), and two or three Xs may combine to form a ring)

【0108】[0108]

【化38】 (式中R300、R302、R305は炭素数1〜4の直鎖状又
は分岐状のアルキレン基を示す。R301、R304は水素原
子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキル基を示し、ヒドロキシ基、エーテル構造、エ
ステル構造又はラクトン環を1個又は複数個含んでいて
もよい。R303は単結合又は炭素数1〜4の直鎖状又は
分岐状のアルキレン基を示す。)
Embedded image (Wherein, R 300 , R 302 , and R 305 represent a linear or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms. R 301 and R 304 represent a hydrogen atom or a linear alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; R 303 represents a branched or cyclic alkyl group, and may contain one or more hydroxy groups, ether structures, ester structures, or lactone rings, and R 303 is a single bond or a linear or branched group having 1 to 4 carbon atoms. Represents an alkylene group in the form of

【0109】上記一般式(B1)で示される塩基性化合
物として具体的には、トリス(2−メトキシメトキシエ
チル)アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシ)
エチル}アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシ
メトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキ
シエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エト
キシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エ
トキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{2
−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミ
ン、4,7,13,16,21,24−ヘキサオキサ−
1,10−ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサ
ン、4,7,13,18−テトラオキサ−1,10−ジ
アザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,1
0,13−テトラオキサ−7,16−ジアザビシクロオ
クタデカン、1−アザ−12−クラウン−4、1−アザ
−15−クラウン−5、1−アザ−18−クラウン−
6、トリス(2−フォルミルオキシエチル)アミン、ト
リス(2−ホルミルオキシエチル)アミン、トリス(2
−アセトキシエチル)アミン、トリス(2−プロピオニ
ルオキシエチル)アミン、トリス(2−ブチリルオキシ
エチル)アミン、トリス(2−イソブチリルオキシエチ
ル)アミン、トリス(2−バレリルオキシエチル)アミ
ン、トリス(2−ピバロイルオキシキシエチル)アミ
ン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(アセ
トキシアセトキシ)エチルアミン、トリス(2−メトキ
シカルボニルオキシエチル)アミン、トリス(2−te
rt−ブトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリ
ス[2−(2−オキソプロポキシ)エチル]アミン、ト
リス[2−(メトキシカルボニルメチル)オキシエチ
ル]アミン、トリス[2−(tert−ブトキシカルボ
ニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス[2−(シ
クロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ)エチル]
アミン、トリス(2−メトキシカルボニルエチル)アミ
ン、トリス(2−エトキシカルボニルエチル)アミン、
N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(メトキシ
カルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセト
キシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミ
ン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(エト
キシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ア
セトキシエチル)2−(エトキシカルボニル)エチルア
ミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2
−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N
−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−メトキシエ
トキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−
ヒドロキシエチル)2−(2−ヒドロキシエトキシカル
ボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシ
エチル)2−(2−アセトキシエトキシカルボニル)エ
チルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2
−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチ
ルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−
[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチル
アミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−
(2−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、
N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−オキ
ソプロポキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス
(2−ヒドロキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリ
ルオキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2
−アセトキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリルオ
キシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒ
ドロキシエチル)2−[(2−オキソテトラヒドロフラ
ン−3−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、N,
N−ビス(2−アセトキシエチル)2−[(2−オキソ
テトラヒドロフラン−3−イル)オキシカルボニル]エ
チルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2
−(4−ヒドロキシブトキシカルボニル)エチルアミ
ン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−
(4−ホルミルオキシブトキシカルボニル)エチルアミ
ン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−
(2−ホルミルオキシエトキシカルボニル)エチルアミ
ン、N,N−ビス(2−メトキシエチル)2−(メトキ
シカルボニル)エチルアミン、N−(2−ヒドロキシエ
チル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミ
ン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(メトキ
シカルボニル)エチル]アミン、N−(2−ヒドロキシ
エチル)ビス[2−(エトキシカルボニル)エチル]ア
ミン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(エト
キシカルボニル)エチル]アミン、N−(3−ヒドロキ
シ−1−プロピル)ビス[2−(メトキシカルボニル)
エチル]アミン、N−(3−アセトキシ−1−プロピ
ル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミ
ン、N−(2−メトキシエチル)ビス[2−(メトキシ
カルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビス[2−
(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビ
ス[2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチル]
アミン、N−メチルビス(2−アセトキシエチル)アミ
ン、N−エチルビス(2−アセトキシエチル)アミン、
N−メチルビス(2−ピバロイルオキシキシエチル)ア
ミン、N−エチルビス[2−(メトキシカルボニルオキ
シ)エチル]アミン、N−エチルビス[2−(tert
−ブトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、トリス
(メトキシカルボニルメチル)アミン、トリス(エトキ
シカルボニルメチル)アミン、N−ブチルビス(メトキ
シカルボニルメチル)アミン、N−ヘキシルビス(メト
キシカルボニルメチル)アミン、β−(ジエチルアミ
ノ)−δ−バレロラクトン等が例示できる。
Specific examples of the basic compound represented by the general formula (B1) include tris (2-methoxymethoxyethyl) amine and tris {2- (2-methoxyethoxy) amine.
Ethylamine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris2 -(1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2- {2
-(2-hydroxyethoxy) ethoxydiethyl] amine, 4,7,13,16,21,24-hexaoxa-
1,10-diazabicyclo [8.8.8] hexacosan, 4,7,13,18-tetraoxa-1,10-diazabicyclo [8.5.5] eicosan, 1,4,1
0,13-tetraoxa-7,16-diazabicyclooctadecane, 1-aza-12-crown-4, 1-aza-15-crown-5, 1-aza-18-crown-
6, tris (2-formyloxyethyl) amine, tris (2-formyloxyethyl) amine, tris (2
-Acetoxyethyl) amine, tris (2-propionyloxyethyl) amine, tris (2-butyryloxyethyl) amine, tris (2-isobutyryloxyethyl) amine, tris (2-valeryloxyethyl) amine, Tris (2-pivaloyloxyxyethyl) amine, N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2- (acetoxyacetoxy) ethylamine, tris (2-methoxycarbonyloxyethyl) amine, tris (2-te
rt-butoxycarbonyloxyethyl) amine, tris [2- (2-oxopropoxy) ethyl] amine, tris [2- (methoxycarbonylmethyl) oxyethyl] amine, tris [2- (tert-butoxycarbonylmethyloxy) ethyl] Amine, tris [2- (cyclohexyloxycarbonylmethyloxy) ethyl]
Amine, tris (2-methoxycarbonylethyl) amine, tris (2-ethoxycarbonylethyl) amine,
N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2- (methoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2- (methoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2 -(Ethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2- (ethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2- (2
-Methoxyethoxycarbonyl) ethylamine, N, N
-Bis (2-acetoxyethyl) 2- (2-methoxyethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-
(Hydroxyethyl) 2- (2-hydroxyethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2- (2-acetoxyethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2
-[(Methoxycarbonyl) methoxycarbonyl] ethylamine, N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2-
[(Methoxycarbonyl) methoxycarbonyl] ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2-
(2-oxopropoxycarbonyl) ethylamine,
N, N-bis (2-acetoxyethyl) 2- (2-oxopropoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2- (tetrahydrofurfuryloxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis ( 2
-Acetoxyethyl) 2- (tetrahydrofurfuryloxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2-[(2-oxotetrahydrofuran-3-yl) oxycarbonyl] ethylamine, N,
N-bis (2-acetoxyethyl) 2-[(2-oxotetrahydrofuran-3-yl) oxycarbonyl] ethylamine, N, N-bis (2-hydroxyethyl) 2
-(4-hydroxybutoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-formyloxyethyl) 2-
(4-formyloxybutoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-formyloxyethyl) 2-
(2-formyloxyethoxycarbonyl) ethylamine, N, N-bis (2-methoxyethyl) 2- (methoxycarbonyl) ethylamine, N- (2-hydroxyethyl) bis [2- (methoxycarbonyl) ethyl] amine, N -(2-acetoxyethyl) bis [2- (methoxycarbonyl) ethyl] amine, N- (2-hydroxyethyl) bis [2- (ethoxycarbonyl) ethyl] amine, N- (2-acetoxyethyl) bis [2 -(Ethoxycarbonyl) ethyl] amine, N- (3-hydroxy-1-propyl) bis [2- (methoxycarbonyl)
Ethyl] amine, N- (3-acetoxy-1-propyl) bis [2- (methoxycarbonyl) ethyl] amine, N- (2-methoxyethyl) bis [2- (methoxycarbonyl) ethyl] amine, N-butylbis [2-
(Methoxycarbonyl) ethyl] amine, N-butylbis [2- (2-methoxyethoxycarbonyl) ethyl]
Amine, N-methylbis (2-acetoxyethyl) amine, N-ethylbis (2-acetoxyethyl) amine,
N-methylbis (2-pivaloyloxyxyethyl) amine, N-ethylbis [2- (methoxycarbonyloxy) ethyl] amine, N-ethylbis [2- (tert
-Butoxycarbonyloxy) ethyl] amine, tris (methoxycarbonylmethyl) amine, tris (ethoxycarbonylmethyl) amine, N-butylbis (methoxycarbonylmethyl) amine, N-hexylbis (methoxycarbonylmethyl) amine, β- (diethylamino) -Δ-valerolactone and the like.

【0110】更に、下記一般式(B2)で示される環状
構造を有する塩基性化合物から選ばれる1種又は2種以
上を配合することもできる。
Further, one or more kinds of basic compounds having a cyclic structure represented by the following formula (B2) may be blended.

【0111】[0111]

【化39】 (式中、Xは上記と同様である。R307は炭素数2〜2
0の直鎖状、分岐状のアルキレン基であり、カルボニル
基、エーテル構造、エステル構造又はスルフィド構造を
1個あるいは複数個含んでいてもよい。)
Embedded image (Wherein X is the same as above. R 307 has 2 to 2 carbon atoms)
0 is a linear or branched alkylene group, and may contain one or more carbonyl groups, ether structures, ester structures or sulfide structures. )

【0112】上記一般式(B2)で示される環状構造を
有する塩基性化合物として具体的には、1−[2−(メ
トキシメトキシ)エチル]ピロリジン、1−[2−(メ
トキシメトキシ)エチル]ピペリジン、4−[2−(メ
トキシメトキシ)エチル]モルホリン、1−[2−
[(2−メトキシエトキシ)メトキシ]エチル]ピロリ
ジン、1−[2−[(2−メトキシエトキシ)メトキ
シ]エチル]ピペリジン、4−[2−[(2−メトキシ
エトキシ)メトキシ]エチル]モルホリン、酢酸2−
(1−ピロリジニル)エチル、酢酸2−ピペリジノエチ
ル、酢酸2−モルホリノエチル、ギ酸2−(1−ピロリ
ジニル)エチル、プロピオン酸2−ピペリジノエチル、
アセトキシ酢酸2−モルホリノエチル、メトキシ酢酸2
−(1−ピロリジニル)エチル、4−[2−(メトキシ
カルボニルオキシ)エチル]モルホリン、1−[2−
(t−ブトキシカルボニルオキシ)エチル]ピペリジ
ン、4−[2−(2−メトキシエトキシカルボニルオキ
シ)エチル]モルホリン、3−(1−ピロリジニル)プ
ロピオン酸メチル、3−ピペリジノプロピオン酸メチ
ル、3−モルホリノプロピオン酸メチル、3−(チオモ
ルホリノ)プロピオン酸メチル、2−メチル−3−(1
−ピロリジニル)プロピオン酸メチル、3−モルホリノ
プロピオン酸エチル、3−ピペリジノプロピオン酸メト
キシカルボニルメチル、3−(1−ピロリジニル)プロ
ピオン酸2−ヒドロキシエチル、3−モルホリノプロピ
オン酸2−アセトキシエチル、3−(1−ピロリジニ
ル)プロピオン酸2−オキソテトラヒドロフラン−3−
イル、3−モルホリノプロピオン酸テトラヒドロフルフ
リル、3−ピペリジノプロピオン酸グリシジル、3−モ
ルホリノプロピオン酸2−メトキシエチル、3−(1−
ピロリジニル)プロピオン酸2−(2−メトキシエトキ
シ)エチル、3−モルホリノプロピオン酸ブチル、3−
ピペリジノプロピオン酸シクロヘキシル、α−(1−ピ
ロリジニル)メチル−γ−ブチロラクトン、β−ピペリ
ジノ−γ−ブチロラクトン、β−モルホリノ−δ−バレ
ロラクトン、1−ピロリジニル酢酸メチル、ピペリジノ
酢酸メチル、モルホリノ酢酸メチル、チオモルホリノ酢
酸メチル、1−ピロリジニル酢酸エチル、モルホリノ酢
酸2−メトキシエチル等が例示できる。
Specific examples of the basic compound having a cyclic structure represented by the general formula (B2) include 1- [2- (methoxymethoxy) ethyl] pyrrolidine and 1- [2- (methoxymethoxy) ethyl] piperidine. , 4- [2- (methoxymethoxy) ethyl] morpholine, 1- [2-
[(2-methoxyethoxy) methoxy] ethyl] pyrrolidine, 1- [2-[(2-methoxyethoxy) methoxy] ethyl] piperidine, 4- [2-[(2-methoxyethoxy) methoxy] ethyl] morpholine, acetic acid 2-
(1-pyrrolidinyl) ethyl, 2-piperidinoethyl acetate, 2-morpholinoethyl acetate, 2- (1-pyrrolidinyl) ethyl formate, 2-piperidinoethyl propionate,
2-morpholinoethyl acetoxyacetate, methoxyacetic acid 2
-(1-pyrrolidinyl) ethyl, 4- [2- (methoxycarbonyloxy) ethyl] morpholine, 1- [2-
(T-butoxycarbonyloxy) ethyl] piperidine, 4- [2- (2-methoxyethoxycarbonyloxy) ethyl] morpholine, methyl 3- (1-pyrrolidinyl) propionate, methyl 3-piperidinopropionate, 3- Methyl morpholinopropionate, methyl 3- (thiomorpholino) propionate, 2-methyl-3- (1
Methyl-pyrrolidinyl) propionate, ethyl 3-morpholinopropionate, methoxycarbonylmethyl 3-piperidinopropionate, 2-hydroxyethyl 3- (1-pyrrolidinyl) propionate, 2-acetoxyethyl 3-morpholinopropionate, 3 -(1-Pyrrolidinyl) propionic acid 2-oxotetrahydrofuran-3-
Yl, tetrahydrofurfuryl 3-morpholinopropionate, glycidyl 3-piperidinopropionate, 2-methoxyethyl 3-morpholinopropionate, 3- (1-
2- (2-methoxyethoxy) ethyl pyrrolidinyl) propionate, butyl 3-morpholinopropionate, 3-
Cyclohexyl piperidinopropionate, α- (1-pyrrolidinyl) methyl-γ-butyrolactone, β-piperidino-γ-butyrolactone, β-morpholino-δ-valerolactone, methyl 1-pyrrolidinyl acetate, methyl piperidinoacetate, methyl morpholinoacetate And methyl thiomorpholinoacetate, ethyl 1-pyrrolidinyl acetate, 2-methoxyethyl morpholinoacetate, and the like.

【0113】更に、下記一般式(B3)〜(B6)で示
されるシアノ基を有する塩基性化合物から選ばれる1種
又は2種以上を配合することもできる。
Furthermore, one or more selected from basic compounds having a cyano group represented by the following general formulas (B3) to (B6) may be blended.

【0114】[0114]

【化40】 (式中、X、R307、nは上記と同様である。R308、R
309は各々独立に炭素数1〜4の直鎖状、分岐状のアル
キレン基である。) 上記一般式(B3)〜(B6)で示されるシアノ基を有
する塩基性化合物として具体的には、3−(ジエチルア
ミノ)プロピオノニトリル、N,N−ビス(2−ヒドロ
キシエチル)−3−アミノプロピオノニトリル、N,N
−ビス(2−アセトキシエチル)−3−アミノプロピオ
ノニトリル、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチ
ル)−3−アミノプロピオノニトリル、N,N−ビス
(2−メトキシエチル)−3−アミノプロピオノニトリ
ル、N,N−ビス[2−(メトキシメトキシ)エチル]
−3−アミノプロピオノニトリル、N−(2−シアノエ
チル)−N−(2−メトキシエチル)−3−アミノプロ
ピオン酸メチル、N−(2−シアノエチル)−N−(2
−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピオン酸メチ
ル、N−(2−アセトキシエチル)−N−(2−シアノ
エチル)−3−アミノプロピオン酸メチル、N−(2−
シアノエチル)−N−エチル−3−アミノプロピオノニ
トリル、N−(2−シアノエチル)−N−(2−ヒドロ
キシエチル)−3−アミノプロピオノニトリル、N−
(2−アセトキシエチル)−N−(2−シアノエチル)
−3−アミノプロピオノニトリル、N−(2−シアノエ
チル)−N−(2−ホルミルオキシエチル)−3−アミ
ノプロピオノニトリル、N−(2−シアノエチル)−N
−(2−メトキシエチル)−3−アミノプロピオノニト
リル、N−(2−シアノエチル)−N−[2−(メトキ
シメトキシ)エチル]−3−アミノプロピオノニトリ
ル、N−(2−シアノエチル)−N−(3−ヒドロキシ
−1−プロピル)−3−アミノプロピオノニトリル、N
−(3−アセトキシ−1−プロピル)−N−(2−シア
ノエチル)−3−アミノプロピオノニトリル、N−(2
−シアノエチル)−N−(3−ホルミルオキシ−1−プ
ロピル)−3−アミノプロピオノニトリル、N−(2−
シアノエチル)−N−テトラヒドロフルフリル−3−ア
ミノプロピオノニトリル、N,N−ビス(2−シアノエ
チル)−3−アミノプロピオノニトリル、ジエチルアミ
ノアセトニトリル、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチ
ル)アミノアセトニトリル、N,N−ビス(2−アセト
キシエチル)アミノアセトニトリル、N,N−ビス(2
−ホルミルオキシエチル)アミノアセトニトリル、N,
N−ビス(2−メトキシエチル)アミノアセトニトリ
ル、N,N−ビス[2−(メトキシメトキシ)エチル]
アミノアセトニトリル、N−シアノメチル−N−(2−
メトキシエチル)−3−アミノプロピオン酸メチル、N
−シアノメチル−N−(2−ヒドロキシエチル)−3−
アミノプロピオン酸メチル、N−(2−アセトキシエチ
ル)−N−シアノメチル−3−アミノプロピオン酸メチ
ル、N−シアノメチル−N−(2−ヒドロキシエチル)
アミノアセトニトリル、N−(2−アセトキシエチル)
−N−(シアノメチル)アミノアセトニトリル、N−シ
アノメチル−N−(2−ホルミルオキシエチル)アミノ
アセトニトリル、N−シアノメチル−N−(2−メトキ
シエチル)アミノアセトニトリル、N−シアノメチル−
N−[2−(メトキシメトキシ)エチル]アミノアセト
ニトリル、N−(シアノメチル)−N−(3−ヒドロキ
シ−1−プロピル)アミノアセトニトリル、N−(3−
アセトキシ−1−プロピル)−N−(シアノメチル)ア
ミノアセトニトリル、N−シアノメチル−N−(3−ホ
ルミルオキシ−1−プロピル)アミノアセトニトリル、
N,N−ビス(シアノメチル)アミノアセトニトリル、
1−ピロリジンプロピオノニトリル、1−ピペリジンプ
ロピオノニトリル、4−モルホリンプロピオノニトリ
ル、1−ピロリジンアセトニトリル、1−ピペリジンア
セトニトリル、4−モルホリンアセトニトリル、3−ジ
エチルアミノプロピオン酸シアノメチル、N,N−ビス
(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピオン酸シ
アノメチル、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)−
3−アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N−ビス
(2−ホルミルオキシエチル)−3−アミノプロピオン
酸シアノメチル、N,N−ビス(2−メトキシエチル)
−3−アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N−ビス
[2−(メトキシメトキシ)エチル]−3−アミノプロ
ピオン酸シアノメチル、3−ジエチルアミノプロピオン
酸(2−シアノエチル)、N,N−ビス(2−ヒドロキ
シエチル)−3−アミノプロピオン酸(2−シアノエチ
ル)、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)−3−ア
ミノプロピオン酸(2−シアノエチル)、N,N−ビス
(2−ホルミルオキシエチル)−3−アミノプロピオン
酸(2−シアノエチル)、N,N−ビス(2−メトキシ
エチル)−3−アミノプロピオン酸(2−シアノエチ
ル)、N,N−ビス[2−(メトキシメトキシ)エチ
ル]−3−アミノプロピオン酸(2−シアノエチル)、
1−ピロリジンプロピオン酸シアノメチル、1−ピペリ
ジンプロピオン酸シアノメチル、4−モルホリンプロピ
オン酸シアノメチル、1−ピロリジンプロピオン酸(2
−シアノエチル)、1−ピペリジンプロピオン酸(2−
シアノエチル)、4−モルホリンプロピオン酸(2−シ
アノエチル)等が例示できる。
Embedded image (Wherein X, R 307 and n are the same as above. R 308 and R
Reference numerals 309 each independently represent a linear or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the basic compounds having a cyano group represented by the general formulas (B3) to (B6) include 3- (diethylamino) propiononitrile, N, N-bis (2-hydroxyethyl) -3- Aminopropiononitrile, N, N
-Bis (2-acetoxyethyl) -3-aminopropiononitrile, N, N-bis (2-formyloxyethyl) -3-aminopropiononitrile, N, N-bis (2-methoxyethyl) -3- Aminopropiononitrile, N, N-bis [2- (methoxymethoxy) ethyl]
-3-Aminopropiononitrile, methyl N- (2-cyanoethyl) -N- (2-methoxyethyl) -3-aminopropionate, N- (2-cyanoethyl) -N- (2
Methyl-hydroxyethyl) -3-aminopropionate, methyl N- (2-acetoxyethyl) -N- (2-cyanoethyl) -3-aminopropionate, N- (2-
(Cyanoethyl) -N-ethyl-3-aminopropiononitrile, N- (2-cyanoethyl) -N- (2-hydroxyethyl) -3-aminopropiononitrile, N-
(2-acetoxyethyl) -N- (2-cyanoethyl)
-3-Aminopropiononitrile, N- (2-cyanoethyl) -N- (2-formyloxyethyl) -3-aminopropiononitrile, N- (2-cyanoethyl) -N
-(2-methoxyethyl) -3-aminopropiononitrile, N- (2-cyanoethyl) -N- [2- (methoxymethoxy) ethyl] -3-aminopropiononitrile, N- (2-cyanoethyl)- N- (3-hydroxy-1-propyl) -3-aminopropiononitrile, N
-(3-acetoxy-1-propyl) -N- (2-cyanoethyl) -3-aminopropiononitrile, N- (2
-Cyanoethyl) -N- (3-formyloxy-1-propyl) -3-aminopropiononitrile, N- (2-
(Cyanoethyl) -N-tetrahydrofurfuryl-3-aminopropiononitrile, N, N-bis (2-cyanoethyl) -3-aminopropiononitrile, diethylaminoacetonitrile, N, N-bis (2-hydroxyethyl) aminoacetonitrile , N, N-bis (2-acetoxyethyl) aminoacetonitrile, N, N-bis (2
-Formyloxyethyl) aminoacetonitrile, N,
N-bis (2-methoxyethyl) aminoacetonitrile, N, N-bis [2- (methoxymethoxy) ethyl]
Aminoacetonitrile, N-cyanomethyl-N- (2-
Methoxyethyl) -3-aminopropionate methyl, N
-Cyanomethyl-N- (2-hydroxyethyl) -3-
Methyl aminopropionate, N- (2-acetoxyethyl) -N-cyanomethyl-3-methylaminopropionate, N-cyanomethyl-N- (2-hydroxyethyl)
Aminoacetonitrile, N- (2-acetoxyethyl)
-N- (cyanomethyl) aminoacetonitrile, N-cyanomethyl-N- (2-formyloxyethyl) aminoacetonitrile, N-cyanomethyl-N- (2-methoxyethyl) aminoacetonitrile, N-cyanomethyl-
N- [2- (methoxymethoxy) ethyl] aminoacetonitrile, N- (cyanomethyl) -N- (3-hydroxy-1-propyl) aminoacetonitrile, N- (3-
Acetoxy-1-propyl) -N- (cyanomethyl) aminoacetonitrile, N-cyanomethyl-N- (3-formyloxy-1-propyl) aminoacetonitrile,
N, N-bis (cyanomethyl) aminoacetonitrile,
1-pyrrolidinepropiononitrile, 1-piperidinepropiononitrile, 4-morpholinepropiononitrile, 1-pyrrolidineacetonitrile, 1-piperidineacetonitrile, 4-morpholineacetonitrile, cyanomethyl 3-diethylaminopropionate, N, N-bis (2 -Hydroxyethyl) -3-cyanomethyl 3-aminopropionate, N, N-bis (2-acetoxyethyl)-
Cyanomethyl 3-aminopropionate, N, N-bis (2-formyloxyethyl) -3-cyanomethyl 3-aminopropionate, N, N-bis (2-methoxyethyl)
Cyanomethyl-3-aminopropionate, cyanomethyl N, N-bis [2- (methoxymethoxy) ethyl] -3-aminopropionate, 2-cyanoethyl 3-diethylaminopropionate, N, N-bis (2-hydroxy Ethyl) -3-aminopropionic acid (2-cyanoethyl), N, N-bis (2-acetoxyethyl) -3-aminopropionic acid (2-cyanoethyl), N, N-bis (2-formyloxyethyl)- 3-aminopropionic acid (2-cyanoethyl), N, N-bis (2-methoxyethyl) -3-aminopropionic acid (2-cyanoethyl), N, N-bis [2- (methoxymethoxy) ethyl] -3 -Aminopropionic acid (2-cyanoethyl),
Cyanomethyl 1-pyrrolidinepropionate, cyanomethyl 1-piperidinepropionate, cyanomethyl 4-morpholinepropionate, 1-pyrrolidinepropionate (2
-Cyanoethyl), 1-piperidinepropionic acid (2-
Cyanoethyl), 4-morpholinepropionic acid (2-cyanoethyl) and the like.

【0115】上記塩基性化合物の配合量は、酸発生剤1
部に対して0.001〜10部、好ましくは0.01〜
1部である。配合量が0.001部未満であると添加剤
としての効果が十分に得られない場合があり、10部を
超えると解像度や感度が低下する場合がある。
The compounding amount of the above-mentioned basic compound is based on the amount of the acid generator 1
0.001 to 10 parts, preferably 0.01 to 10 parts by weight
One copy. If the amount is less than 0.001 part, the effect as an additive may not be sufficiently obtained, and if it exceeds 10 parts, the resolution and sensitivity may be reduced.

【0116】更に、本発明のレジスト材料には、分子内
に≡C−COOHで示される基を有する化合物を配合す
ることができる。
Further, a compound having a group represented by ≡C-COOH in the molecule can be blended with the resist composition of the present invention.

【0117】分子内に≡C−COOHで示される基を有
する化合物としては、例えば下記I群及びII群から選
ばれる1種又は2種以上の化合物を使用することができ
るが、これらに限定されるものではない。本成分の配合
により、レジストのPED安定性が向上し、窒化膜基板
上でのエッジラフネスが改善されるのである。 [I群]下記一般式(A1)〜(A10)で示される化
合物のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部を
−R401−COOH(R401は炭素数1〜10の直鎖状又
は分岐状のアルキレン基)により置換してなり、かつ分
子中のフェノール性水酸基(C)と≡C−COOHで示
される基(D)とのモル比率がC/(C+D)=0.1
〜1.0である化合物。 [II群]下記一般式(A11)〜(A15)で示され
る化合物。
As the compound having a group represented by ≡C-COOH in the molecule, for example, one or more compounds selected from the following groups I and II can be used, but are not limited thereto. Not something. By blending this component, the PED stability of the resist is improved, and the edge roughness on the nitride film substrate is improved. [Group I] Part or all of the hydrogen atoms of the phenolic hydroxyl group of the compounds represented by the following general formulas (A1) to (A10) is -R 401 -COOH (R 401 is a linear or And the molar ratio of the phenolic hydroxyl group (C) to the group (D) represented by ≡C-COOH in the molecule is C / (C + D) = 0.1.
-1.0. [Group II] Compounds represented by the following general formulas (A11) to (A15).

【0118】[0118]

【化41】 (但し、式中R408は水素原子又はメチル基を示す。R
402、R403はそれぞれ水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基を示す。R
404は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状の
アルキル基又はアルケニル基、或いは−(R409h−C
OOR’基(R’は水素原子又は−R409−COOH)
を示す。R405は−(CH2i−(i=2〜10)、炭
素数6〜10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニ
ル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。R406は炭素数1
〜10のアルキレン基、炭素数6〜10のアリーレン
基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原
子を示す。R407は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状
又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、それぞれ水酸
基で置換されたフェニル基又はナフチル基を示す。R
409は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン
基を示す。R410は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状
又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基又は−R411
−COOH基を示す。R411は炭素数1〜10の直鎖状
又は分岐状のアルキレン基を示す。jは0〜5の整数で
ある。u、hは0又は1である。s1、t1、s2、t
2、s3、t3、s4、t4はそれぞれs1+t1=
8、s2+t2=5、s3+t3=4、s4+t4=6
を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくとも1つの水
酸基を有するような数である。κは式(A6)の化合物
を重量平均分子量1,000〜5,000とする数であ
る。λは式(A7)の化合物を重量平均分子量1,00
0〜10,000とする数である。)
Embedded image (Wherein, R 408 represents a hydrogen atom or a methyl group. R
402 and R 403 each represent a hydrogen atom or a linear or branched alkyl or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms. R
404 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, or-(R 409 ) h -C
OOR 'group (R' is a hydrogen atom or -R 409 -COOH)
Is shown. R 405 represents — (CH 2 ) i — (i = 2 to 10), an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, a carbonyl group, a sulfonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom. R 406 has 1 carbon atom
Represents an alkylene group having 10 to 10, an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, a carbonyl group, a sulfonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom. R 407 represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, a phenyl group or a naphthyl group each substituted with a hydroxyl group. R
409 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms. R 410 represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, or —R 411.
-COOH group is shown. R 411 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms. j is an integer of 0-5. u and h are 0 or 1. s1, t1, s2, t
2, s3, t3, s4, and t4 are s1 + t1 =
8, s2 + t2 = 5, s3 + t3 = 4, s4 + t4 = 6
And at least one hydroxyl group in each phenyl skeleton. κ is a number that makes the compound of the formula (A6) have a weight average molecular weight of 1,000 to 5,000. λ represents the compound of the formula (A7) having a weight average molecular weight of 1,000.
This is a number from 0 to 10,000. )

【0119】[0119]

【化42】 (R402、R403、R411は上記と同様の意味を示す。R
412は水素原子又は水酸基を示す。s5、t5は、s5
≧0、t5≧0で、s5+t5=5を満足する数であ
る。h’は0又は1である。)
Embedded image ( R402 , R403 , and R411 have the same meaning as described above.
412 represents a hydrogen atom or a hydroxyl group. s5 and t5 are s5
≧ 0 and t5 ≧ 0, which are numbers that satisfy s5 + t5 = 5. h ′ is 0 or 1. )

【0120】本成分として、具体的には下記一般式AI
−1〜14及びAII−1〜10で示される化合物を挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。
As this component, specifically, the following general formula AI
Compounds represented by -1 to 14 and AII-1 to 10 can be exemplified, but are not limited thereto.

【0121】[0121]

【化43】 (R’’は水素原子又はCH2COOH基を示し、各化
合物においてR’’の10〜100モル%はCH2CO
OH基である。α、κは上記と同様の意味を示す。)
Embedded image (R '' represents a hydrogen atom or CH 2 COOH radical, R "in each compound from 10 to 100 mol% 'of CH 2 CO
OH group. α and κ have the same meanings as described above. )

【0122】[0122]

【化44】 Embedded image

【0123】なお、上記分子内に≡C−COOHで示さ
れる基を有する化合物は、1種を単独で又は2種以上を
組み合わせて用いることができる。
The compounds having a group represented by ≡C—COOH in the molecule can be used alone or in combination of two or more.

【0124】上記分子内に≡C−COOHで示される基
を有する化合物の添加量は、ベース樹脂100部に対し
て0〜5部、好ましくは0.1〜5部、より好ましくは
0.1〜3部、更に好ましくは0.1〜2部である。5
部より多いとレジスト材料の解像性が低下する場合があ
る。
The amount of the compound having a group represented by ≡C-COOH in the molecule is 0 to 5 parts, preferably 0.1 to 5 parts, more preferably 0.1 to 5 parts, based on 100 parts of the base resin. To 3 parts, more preferably 0.1 to 2 parts. 5
If the number is more than the number, the resolution of the resist material may be reduced.

【0125】更に、本発明のレジスト材料には、添加剤
としてアセチレンアルコール誘導体を配合することがで
き、これにより保存安定性を向上させることができる。
Further, an acetylene alcohol derivative can be added to the resist composition of the present invention as an additive, whereby the storage stability can be improved.

【0126】アセチレンアルコール誘導体としては、下
記一般式(S1)、(S2)で示されるものを好適に使
用することができる。
As the acetylene alcohol derivative, those represented by the following formulas (S1) and (S2) can be suitably used.

【0127】[0127]

【化45】 (式中、R501、R502、R503、R504、R505はそれぞ
れ水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキル基であり、X、Yは0又は正数を示し、下
記値を満足する。0≦X≦30、0≦Y≦30、0≦X
+Y≦40である。)
Embedded image (Wherein, R 501 , R 502 , R 503 , R 504 , and R 505 are each a hydrogen atom or a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and X and Y are 0 or Indicates a positive number and satisfies the following values: 0 ≦ X ≦ 30, 0 ≦ Y ≦ 30, 0 ≦ X
+ Y ≦ 40. )

【0128】アセチレンアルコール誘導体として好まし
くは、サーフィノール61、サーフィノール82、サー
フィノール104、サーフィノール104E、サーフィ
ノール104H、サーフィノール104A、サーフィノ
ールTG、サーフィノールPC、サーフィノール44
0、サーフィノール465、サーフィノール485(A
ir Products and Chemicals
Inc.製)、サーフィノールE1004(日信化学
工業(株)製)等が挙げられる。
As acetylene alcohol derivatives, Surfynol 61, Surfynol 82, Surfynol 104, Surfynol 104E, Surfynol 104H, Surfynol 104A, Surfynol TG, Surfynol PC, Surfynol 44 are preferred.
0, Surfynol 465, Surfynol 485 (A
ir Products and Chemicals
Inc. And Surfynol E1004 (manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.).

【0129】上記アセチレンアルコール誘導体の添加量
は、レジスト組成物100重量%中0.01〜2重量
%、より好ましくは0.02〜1重量%である。0.0
1重量%より少ないと塗布性及び保存安定性の改善効果
が十分に得られない場合があり、2重量%より多いとレ
ジスト材料の解像性が低下する場合がある。
The acetylene alcohol derivative is added in an amount of 0.01 to 2% by weight, more preferably 0.02 to 1% by weight, based on 100% by weight of the resist composition. 0.0
If the amount is less than 1% by weight, the effect of improving coating properties and storage stability may not be sufficiently obtained.

【0130】本発明のレジスト材料には、上記成分以外
に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されて
いる界面活性剤を添加することができる。なお、任意成
分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量と
することができる。
The resist composition of the present invention may contain, as an optional component, other than the above components, a surfactant which is commonly used to improve coating properties. In addition, the addition amount of the optional component can be a normal amount as long as the effect of the present invention is not impaired.

【0131】ここで、界面活性剤としては非イオン性の
ものが好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチ
レンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフル
オロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキル
EO付加物、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が
挙げられる。例えばフロラード「FC−430」、「F
C−431」(いずれも住友スリーエム(株)製)、サ
ーフロン「S−141」、「S−145」(いずれも旭
硝子(株)製)、ユニダイン「DS−401」、「DS
−403」、「DS−451」(いずれもダイキン工業
(株)製)、メガファック「F−8151」(大日本イ
ンキ工業(株)製)、「X−70−092」、「X−7
0−093」(いずれも信越化学工業(株)製)等を挙
げることができる。好ましくは、フロラード「FC−4
30」(住友スリーエム(株)製)、「X−70−09
3」(信越化学工業(株)製)が挙げられる。
The surfactant is preferably a nonionic surfactant, and is preferably a perfluoroalkylpolyoxyethylene ethanol, a fluorinated alkyl ester, a perfluoroalkylamine oxide, a perfluoroalkylEO adduct, or a fluorine-containing organosiloxane-based surfactant. And the like. For example, Florad “FC-430”, “F
C-431 "(all manufactured by Sumitomo 3M Limited), Surflon" S-141 "," S-145 "(all manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Unidyne" DS-401 "," DS
-403 "," DS-451 "(all manufactured by Daikin Industries, Ltd.), MegaFac" F-8151 "(manufactured by Dainippon Ink Industries, Ltd.)," X-70-092 "," X-7 "
0-093 "(all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like. Preferably, Florad “FC-4”
30 "(manufactured by Sumitomo 3M Limited)," X-70-09 "
3 "(manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

【0132】本発明のレジスト材料を使用してパターン
を形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して
行うことができ、例えばシリコンウエハー等の基板上に
スピンコーティング等の手法で膜厚が0.2〜2.0μ
mとなるように塗布し、これをホットプレート上で60
〜150℃、1〜10分間、好ましくは80〜130
℃、1〜5分間プリベークする。次いで目的のパターン
を形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざ
し、遠紫外線、エキシマレーザー、X線等の高エネルギ
ー線もしくは電子線を露光量1〜200mJ/cm2
度、好ましくは5〜100mJ/cm2程度となるよう
に照射した後、ホットプレート上で60〜150℃、1
〜5分間、好ましくは80〜130℃、1〜3分間ポス
トエクスポージャベーク(PEB)する。更に、0.1
〜5%、好ましくは2〜3%テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド(TMAH)等のアルカリ水溶液の現像液
を用い、0.1〜3分間、好ましくは0.5〜2分間、
浸漬(dip)法、パドル(puddle)法、スプレ
ー(spray)法等の常法により現像することにより
基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明材
料は、特に高エネルギー線の中でも248〜193nm
の遠紫外線又はエキシマレーザー、X線及び電子線によ
る微細パターンニングに最適である。また、上記範囲を
上限及び下限から外れる場合は、目的のパターンを得る
ことができない場合がある。
A pattern can be formed using the resist material of the present invention by a known lithography technique. For example, a film having a thickness of 0 is formed on a substrate such as a silicon wafer by a method such as spin coating. 0.2-2.0μ
m on a hot plate.
150150 ° C., 1-10 minutes, preferably 80-130
Pre-bake at ℃ for 1-5 minutes. Next, a mask for forming a target pattern is held over the resist film, and a high energy ray such as far ultraviolet rays, excimer laser, or X-rays or an electron beam is exposed at a dose of about 1 to 200 mJ / cm 2 , preferably 5 to 200 mJ / cm 2. After irradiating to about 100 mJ / cm 2 , the temperature is 60 to 150 ° C. on a hot plate.
Post-exposure bake (PEB) for 805 minutes, preferably 80-130 ° C. for 1-3 minutes. Furthermore, 0.1
0.1 to 3 minutes, preferably 0.5 to 2 minutes, using a developing solution of an aqueous alkali solution such as 5 to 5%, preferably 2 to 3% tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
The target pattern is formed on the substrate by developing by a conventional method such as a dipping method, a paddle method, a spray method or the like. In addition, the material of the present invention is 248 to 193 nm even among high energy rays.
It is most suitable for fine patterning by deep ultraviolet ray or excimer laser, X-ray and electron beam. In addition, when the above range is out of the upper limit and the lower limit, a desired pattern may not be obtained.

【0133】[0133]

【発明の効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂とし
たレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解
像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫
外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマ
レーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収
が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパター
ンを容易に形成することができるという特徴を有する。
The resist material using the polymer compound of the present invention as a base resin is sensitive to high-energy rays, and has excellent sensitivity, resolution and etching resistance. Useful. In particular, since the absorption at the exposure wavelength of an ArF excimer laser or a KrF excimer laser is small, a fine pattern perpendicular to the substrate can be easily formed.

【0134】[0134]

【実施例】以下、合成例及び実施例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。 [合成例]本発明の高分子化合物を、以下に示す処方で
合成した。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to Synthesis Examples and Examples, but the present invention is not limited to the following Examples. [Synthesis Example] The polymer compound of the present invention was synthesized according to the following formulation.

【0135】[合成例1]Polymer1の合成 35.6gの4−(5−ノルボルネン−2−イル)−4
−ブタノリド(5−ノルボルネン−2−カルバルデヒド
から3段階で合成)、78.0gの5−ノルボルネン−
2−カルボン酸2−エチル−2−ノルボルニル及び4
9.0gの無水マレイン酸を150mlのテトラヒドロ
フランに溶解し、1.8gの2,2’−アゾビスイソブ
チロニトリルを加えた。60℃で15時間撹拌した後、
減圧下濃縮した。得られた残さを400mlのテトラヒ
ドロフランに溶解し、10Lのn−ヘキサンに滴下し
た。生じた固形物を濾過して取り、更に10Lのn−ヘ
キサンで洗浄し、40℃で6時間真空乾燥したところ、
77.1gの下記式Polymer1で示される高分子
化合物が得られた。収率は47.4%であった。
[Synthesis Example 1] Synthesis of Polymer 1 35.6 g of 4- (5-norbornen-2-yl) -4
-Butanolide (synthesized from 5-norbornene-2-carbaldehyde in three steps), 78.0 g of 5-norbornene-
2-ethyl-2-norbornyl 2-carboxylate and 4
9.0 g of maleic anhydride was dissolved in 150 ml of tetrahydrofuran, and 1.8 g of 2,2'-azobisisobutyronitrile was added. After stirring at 60 ° C. for 15 hours,
It was concentrated under reduced pressure. The obtained residue was dissolved in 400 ml of tetrahydrofuran and added dropwise to 10 L of n-hexane. The resulting solid was collected by filtration, washed with 10 L of n-hexane, and vacuum-dried at 40 ° C. for 6 hours.
As a result, 77.1 g of a polymer compound represented by the following formula Polymer 1 was obtained. The yield was 47.4%.

【0136】[合成例2〜12]Polymer2〜1
2の合成 上記と同様にして、又は公知の処方で、Polymer
2〜12を合成した。
[Synthesis Examples 2 to 12] Polymers 2-1
Synthesis of 2 In the same manner as described above or by a known formulation, Polymer
2 to 12 were synthesized.

【0137】[0137]

【化46】 Embedded image

【0138】[0138]

【化47】 Embedded image

【0139】[0139]

【化48】 Embedded image

【0140】[実施例I]本発明の高分子化合物につい
て、ベース樹脂としてレジスト材料に配合した際の基板
密着性の評価を行った。 [実施例I−1〜5及び比較例1、2]上記式で示され
るポリマー(Polymer1〜5)及び比較として下
記式で示されるポリマー(Polymer13、14)
をベース樹脂とし、下記式で示される酸発生剤(PAG
1)、塩基性化合物及び溶剤を、表1に示す組成で混合
した。次にそれらをテフロン(登録商標)製フィルター
(孔径0.2μm)で濾過し、レジスト材料とした。
Example I The polymer compound of the present invention was evaluated for adhesion to a substrate when blended in a resist material as a base resin. [Examples I-1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2] Polymers (Polymers 1 to 5) represented by the above formula and polymers represented by the following formulas (Polymer 13, 14) for comparison
Is a base resin, and an acid generator represented by the following formula (PAG)
1), a basic compound and a solvent were mixed in the composition shown in Table 1. Next, they were filtered with a Teflon (registered trademark) filter (pore size: 0.2 μm) to obtain a resist material.

【0141】[0141]

【化49】 Embedded image

【0142】[0142]

【化50】 Embedded image

【0143】レジスト液を90℃、40秒間ヘキサメチ
ルジシラザンを噴霧したシリコンウエハー上へ回転塗布
し、110℃、90秒間の熱処理を施して、厚さ0.5
μmのレジスト膜を形成した。これをKrFエキシマレ
ーザーステッパー(ニコン社製、NA=0.5)を用い
て露光し、110℃、90秒間の熱処理を施した後、
2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液を用いて60秒間パドル現像を行い、1:1のライ
ンアンドスペースパターンを形成した。現像済ウエハー
を上空SEM(走査型電子顕微鏡)で観察し、剥れずに
残っている最小線幅(μm)を評価レジストの密着限界
とした。
The resist solution was spin-coated on a silicon wafer sprayed with hexamethyldisilazane at 90 ° C. for 40 seconds, and heat-treated at 110 ° C. for 90 seconds to form a film having a thickness of 0.5
A μm resist film was formed. This was exposed using a KrF excimer laser stepper (manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.5), and after a heat treatment at 110 ° C. for 90 seconds,
Paddle development was performed for 60 seconds using a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide to form a 1: 1 line and space pattern. The developed wafer was observed with an overhead SEM (scanning electron microscope), and the minimum line width (μm) remaining without peeling was defined as the adhesion limit of the evaluation resist.

【0144】各レジストの組成及び評価結果を表1に示
す。なお、表1において、溶剤及び塩基性化合物は下記
の通りである。また、溶剤は全てFC−430(住友ス
リーエム(株)製)を0.01重量%含むものを用い
た。 PGMEA:プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート TBA:トリブチルアミン 表1の結果より、本発明の高分子化合物が、高い基板密
着性を有していることが確認された。
Table 1 shows the composition of each resist and the evaluation results. In Table 1, the solvent and the basic compound are as follows. All solvents used contained 0.01% by weight of FC-430 (manufactured by Sumitomo 3M Limited). PGMEA: propylene glycol methyl ether acetate TBA: tributylamine From the results in Table 1, it was confirmed that the polymer compound of the present invention had high substrate adhesion.

【0145】[実施例II]本発明のレジスト材料につ
いて、KrFエキシマレーザー露光における解像性の評
価を行った。 [実施例II−1〜21]レジストの解像性の評価 上記式で示されるポリマー(Polymer1〜12)
をベース樹脂とし、下記式で示される酸発生剤(PAG
1、2)、下記式で示される溶解制御剤(DRR1〜
4)、塩基性化合物、下記式で示される分子内に≡C−
COOHで示される基を有する化合物(ACC1、2)
及び溶剤を、表1に示す組成で混合した。次にそれらを
テフロン製フィルター(孔径0.2μm)で濾過し、レ
ジスト材料とした。
Example II The resist composition of the present invention was evaluated for its resolution in KrF excimer laser exposure. [Examples II-1 to 21] Evaluation of resolution of resist Polymers represented by the above formula (Polymers 1 to 12)
Is a base resin, and an acid generator represented by the following formula (PAG)
1, 2), a dissolution controlling agent represented by the following formula (DRR1 to
4), a basic compound, a compound represented by the following formula:
Compound having a group represented by COOH (ACC1, 2)
And the solvent were mixed in the composition shown in Table 1. Next, they were filtered with a Teflon filter (pore size: 0.2 μm) to obtain a resist material.

【0146】[0146]

【化51】 Embedded image

【0147】[0147]

【化52】 Embedded image

【0148】[0148]

【化53】 Embedded image

【0149】レジスト液を90℃、90秒間ヘキサメチ
ルジシラザンを噴霧したシリコンウエハー上へ回転塗布
し、110℃、90秒間の熱処理を施して、厚さ0.5
μmのレジスト膜を形成した。これをKrFエキシマレ
ーザーステッパー(ニコン社製、NA=0.5)を用い
て露光し、110℃、90秒間の熱処理を施した後、
2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液を用いて60秒間パドル現像を行い、1:1のライ
ンアンドスペースパターンを形成した。現像済ウエハー
を割断したものを断面SEM(走査型電子顕微鏡)で観
察し、0.30μmのラインアンドスペースを1:1で
解像する露光量(最適露光量=Eop、mJ/cm2
における分離しているラインアンドスペースの最小線幅
(μm)を評価レジストの解像度とした。
The resist solution was spin-coated on a silicon wafer sprayed with hexamethyldisilazane at 90 ° C. for 90 seconds, and heat-treated at 110 ° C. for 90 seconds to form a film having a thickness of 0.5
A μm resist film was formed. This was exposed using a KrF excimer laser stepper (manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.5), and after a heat treatment at 110 ° C. for 90 seconds,
Paddle development was performed for 60 seconds using a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide to form a 1: 1 line and space pattern. The developed wafer is cut and observed with a cross-sectional SEM (scanning electron microscope), and an exposure amount for resolving a 0.30 μm line and space at 1: 1 (optimal exposure amount = Eop, mJ / cm 2 ).
The minimum line width (μm) of the separated line and space in was used as the resolution of the evaluation resist.

【0150】各レジストの組成及び評価結果を表2に示
す。なお、表2において、溶剤及び塩基性化合物は下記
の通りである。また、溶剤は全てFC−430(住友ス
リーエム(株)製)を0.01重量%含むものを用い
た。 PGMEA:プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート TEA:トリエタノールアミン TMMEA:トリスメトキシメトキシエチルアミン TMEMEA:トリスメトキシエトキシメトキシエチル
アミン 表2の結果より、本発明のレジスト材料が、KrFエキ
シマレーザー露光において、高感度かつ高解像性である
ことが確認された。
Table 2 shows the composition of each resist and the evaluation results. In Table 2, the solvent and the basic compound are as follows. All solvents used contained 0.01% by weight of FC-430 (manufactured by Sumitomo 3M Limited). PGMEA: Propylene glycol methyl ether acetate TEA: Triethanolamine TMMEA: Trismethoxymethoxymethoxyethylamine TMMEA: Trismethoxyethoxymethoxyethylamine From the results in Table 2, the resist material of the present invention shows that the resist material of the present invention has high sensitivity and high resolution in KrF excimer laser exposure. Sex was confirmed.

【0151】[実施例III]本発明のレジスト材料に
ついて、ArFエキシマレーザー露光における解像性の
評価を行った。 [実施例III−1、2]レジストの解像性の評価 上記と同様に、表3に示す組成でレジスト材料を調製し
た。
Example III The resist material of the present invention was evaluated for resolution in ArF excimer laser exposure. [Examples III-1 and II] Evaluation of resist resolution In the same manner as described above, resist materials having the compositions shown in Table 3 were prepared.

【0152】レジスト液を90℃、90秒間ヘキサメチ
ルジシラザンを噴霧したシリコンウエハー上へ回転塗布
し、110℃、90秒間の熱処理を施して、厚さ0.5
μmのレジスト膜を形成した。これをArFエキシマレ
ーザーステッパー(ニコン社製、NA=0.55)を用
いて露光し、110℃、90秒間の熱処理を施した後、
2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液を用いて60秒間パドル現像を行い、1:1のライ
ンアンドスペースパターンを形成した。現像済ウエハー
を割断したものを断面SEM(走査型電子顕微鏡)で観
察し、0.25μmのラインアンドスペースを1:1で
解像する露光量(最適露光量=Eop、mJ/cm2
における分離しているラインアンドスペースの最小線幅
(μm)を評価レジストの解像度とした。
The resist solution was spin-coated on a silicon wafer sprayed with hexamethyldisilazane at 90 ° C. for 90 seconds, and heat-treated at 110 ° C. for 90 seconds to form a film having a thickness of 0.5
A μm resist film was formed. This was exposed using an ArF excimer laser stepper (manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.55), and subjected to a heat treatment at 110 ° C. for 90 seconds.
Paddle development was performed for 60 seconds using a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide to form a 1: 1 line and space pattern. The developed wafer is cut and observed with a cross-sectional SEM (scanning electron microscope), and an exposure amount (optimal exposure amount = Eop, mJ / cm 2 ) that resolves a 0.25 μm line and space at a ratio of 1: 1.
The minimum line width (μm) of the separated line and space in was used as the resolution of the evaluation resist.

【0153】各レジストの組成及び評価結果を表3に示
す。なお、表3において、溶剤及び塩基性化合物は下記
の通りである。また、溶剤は全てFC−430(住友ス
リーエム(株)製)を0.01重量%含むものを用い
た。 PGMEA:プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート TEA:トリエタノールアミン TMMEA:トリスメトキシメトキシエチルアミン
Table 3 shows the composition and evaluation results of each resist. In Table 3, the solvent and the basic compound are as follows. All solvents used contained 0.01% by weight of FC-430 (manufactured by Sumitomo 3M Limited). PGMEA: Propylene glycol methyl ether acetate TEA: Triethanolamine TMMEA: Trismethoxymethoxyethylamine

【0154】表3の結果より、本発明のレジスト材料
が、ArFエキシマレーザー露光において、高感度かつ
高解像性であることが確認された。
From the results shown in Table 3, it was confirmed that the resist material of the present invention had high sensitivity and high resolution in ArF excimer laser exposure.

【0155】[0155]

【表1】 [Table 1]

【0156】[0156]

【表2】 [Table 2]

【0157】[0157]

【表3】 [Table 3]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橘 誠一郎 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−1 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 (72)発明者 金生 剛 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−1 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 (72)発明者 長谷川 幸士 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−1 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 (72)発明者 渡辺 武 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−1 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 (72)発明者 畠山 潤 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−1 信越化学工業株式会社新機能材料技術研究 所内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA09 AB16 AC04 AC06 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB08 CB10 CB41 CB55 CB56 FA17 4J032 BA07 BB06 BC01 BC03 CA36 CA46 CB01 CB04 CB05 CB12 CD00 CD09 CE03 CG06 4J100 AK32R AL08Q AR09P AR09Q AR11P AR11Q BA05Q BA06Q BA10Q BA11P BA15Q BC03Q BC04Q BC08Q BC09Q BC22Q BC53P BC53Q CA01 CA04 CA05 DA01 JA38  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Seiichiro Tachibana 28-1 Nishifukushima, Oku-ku, Nakakushiro-mura, Niigata Pref. Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 28-1 Nishifukushima, Gunsu-gun Castle Village Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (72) Inventor Satoshi Hasegawa 28-1 Nishi-Fukushima, Kutsujo-mura, Nakakubiki-gun, Niigata Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. In-house (72) Inventor Takeshi Watanabe 28-1 Nishifukushima, Oaza, Kushiro-mura, Nakakushijo-gun, Niigata Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. -1 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. New Functional Materials Technology Research Institute F-term (reference) 2H025 AA01 AA02 AA09 AB16 AC04 AC06 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB08 CB10 CB41 CB55 CB56 FA17 4J032 BA07 BB06 BC01 BC03 CA36 CA46 CB01 CB04 CB05 CB12 CD00 CD09 CE03 CG06 4J100 AK32R AL08Q AR09P AR09Q AR11P AR11Q BA05Q BA06Q BA10Q CA11 BC03Q01 BC03 BC03 BC03 BC03 BC01 BC03

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(1−1)又は(1−2)で
示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量
平均分子量1,000〜500,000の高分子化合
物。 【化1】 (式中、kは0又は1である。mは0、1、2、3又は
4である。nは1又は2である。)
1. A polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000, comprising a repeating unit represented by the following general formula (1-1) or (1-2). Embedded image (In the formula, k is 0 or 1. m is 0, 1, 2, 3, or 4. n is 1 or 2.)
【請求項2】 上記一般式(1−1)で示される繰り返
し単位に加え、下記一般式(2−1)で示される繰り返
し単位を含有することを特徴とする請求項1記載の高分
子化合物。 【化2】 (式中、kは上記と同様である。R1は水素原子、メチ
ル基又はCH2CO23を示す。R2は水素原子、メチル
基又はCO23を示す。R3は炭素数1〜15の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示す。R4は酸
不安定基を示す。R5はハロゲン原子、水酸基、炭素数
1〜15の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシ
基、アシルオキシ基、アルキルスルフォニルオキシ基、
又は炭素数2〜15の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルコキシアルコキシ基又はアルコキシカルボニルオキシ
基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部が
ハロゲン原子に置換されていてもよい。Zは単結合又は
炭素数1〜5の直鎖状、分岐状もしくは環状の(p+
2)価の炭化水素基を示し、炭化水素基である場合に
は、1個以上のメチレン基が酸素原子に置換されて鎖状
もしくは環状のエーテルを形成してもよく、同一炭素上
の2個の水素原子が酸素原子に置換されてケトンを形成
してもよい。pは0、1又は2である。)
2. The polymer compound according to claim 1, further comprising a repeating unit represented by the following general formula (2-1) in addition to the repeating unit represented by the general formula (1-1). . Embedded image (In the formula, k is the same as above. R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group or CH 2 CO 2 R 3. R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group or CO 2 R 3. R 3 is a carbon atom. R 4 represents an acid labile group, R 5 represents a halogen atom, a hydroxyl group, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms. Cyclic alkoxy group, acyloxy group, alkylsulfonyloxy group,
Or a linear, branched, or cyclic alkoxyalkoxy group or an alkoxycarbonyloxy group having 2 to 15 carbon atoms, in which part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbon atoms may be substituted with halogen atoms. Z is a single bond or a linear, branched or cyclic (p +
2) a valent hydrocarbon group, and when it is a hydrocarbon group, one or more methylene groups may be substituted with an oxygen atom to form a chain or cyclic ether; One hydrogen atom may be replaced by an oxygen atom to form a ketone. p is 0, 1 or 2. )
【請求項3】 上記一般式(1−1)で示される繰り返
し単位に加え、下記一般式(2−1)及び(3)で示さ
れる繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1
記載の高分子化合物。 【化3】 (式中、k、p、R1〜R5は上記と同様である。)
3. The method according to claim 1, further comprising a repeating unit represented by the following general formulas (2-1) and (3) in addition to the repeating unit represented by the general formula (1-1).
The polymer compound as described in the above. Embedded image (In the formula, k, p, and R 1 to R 5 are the same as described above.)
【請求項4】 上記一般式(1−1)で示される繰り返
し単位に加え、下記一般式(4)で示される繰り返し単
位又は下記一般式(2−1)で示される繰り返し単位及
び下記一般式(4)で示される繰り返し単位と、下記一
般式(3)で示される繰り返し単位とを含有することを
特徴とする請求項1記載の高分子化合物。 【化4】 (式中、k、p、R1〜R5は上記と同様である。)
4. A repeating unit represented by the following general formula (4), a repeating unit represented by the following general formula (2-1), and a repeating unit represented by the following general formula (2-1) in addition to the repeating unit represented by the above general formula (1-1). The polymer compound according to claim 1, comprising a repeating unit represented by (4) and a repeating unit represented by the following general formula (3). Embedded image (In the formula, k, p, and R 1 to R 5 are the same as described above.)
【請求項5】 上記一般式(1−2)で示される繰り返
し単位に加え、下記一般式(2−2)で示される繰り返
し単位を含有することを特徴とする請求項1記載の高分
子化合物。 【化5】 (式中、k、p、R1〜R5は上記と同様である。)
5. The polymer compound according to claim 1, further comprising a repeating unit represented by the following general formula (2-2) in addition to the repeating unit represented by the general formula (1-2). . Embedded image (In the formula, k, p, and R 1 to R 5 are the same as described above.)
【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の
高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
6. A resist material comprising the polymer compound according to claim 1. Description:
【請求項7】 請求項6に記載のレジスト材料を基板上
に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高
エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に
応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
7. A step of applying the resist material according to claim 6 on a substrate, a step of exposing with a high energy ray or an electron beam through a photomask after the heat treatment, and a step of subjecting to a heat treatment if necessary. And developing using a developing solution.
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