JP2002151885A - Radio wave absorbing panel and method for manufacturing the same - Google Patents
Radio wave absorbing panel and method for manufacturing the sameInfo
- Publication number
- JP2002151885A JP2002151885A JP2001263805A JP2001263805A JP2002151885A JP 2002151885 A JP2002151885 A JP 2002151885A JP 2001263805 A JP2001263805 A JP 2001263805A JP 2001263805 A JP2001263805 A JP 2001263805A JP 2002151885 A JP2002151885 A JP 2002151885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- radio wave
- glass
- absorbing panel
- wave absorbing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 427
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims abstract description 120
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 157
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 114
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 114
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 110
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 73
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 65
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 56
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 34
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 25
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 18
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 17
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical group O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- 229910018194 SF 6 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 6
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 183
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 25
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 13
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 11
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 2
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 2
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 2
- YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K butyltin trichloride Chemical compound CCCC[Sn](Cl)(Cl)Cl YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 102100024222 B-lymphocyte antigen CD19 Human genes 0.000 description 1
- 102100032768 Complement receptor type 2 Human genes 0.000 description 1
- 101000980825 Homo sapiens B-lymphocyte antigen CD19 Proteins 0.000 description 1
- 101000941929 Homo sapiens Complement receptor type 2 Proteins 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M Trifluoroacetate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000276425 Xiphophorus maculatus Species 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- -1 gold nitride Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特定周波数の電波
を吸収する特性を有する電波吸収性パネルに関し、特
に、建造物に到来する電波を吸収し電波反射障害を生じ
ないようにする目的、およびオフィス内の無線通信の不
要電波を吸収して電磁波環境を悪化させないようにする
目的として用いられる電波吸収性パネルに関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radio wave absorbing panel having a characteristic of absorbing radio waves of a specific frequency, and more particularly, to an object of absorbing radio waves arriving at a building to prevent radio wave reflection interference, and BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radio wave absorbing panel used for absorbing unnecessary radio waves of wireless communication in an office so as not to deteriorate the electromagnetic wave environment.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、高層建築物の増加に伴い、VHF
やUHF等のTV周波数帯域の電波が高層建築物によっ
て反射され、TV受像機のアンテナにTV局から直接に
到来した電波と建造物によって反射した電波とが同時に
入射することによって、TV画面に生ずるゴースト等の
受信障害が発生するケースが多くなり、大きな社会問題
になっている。2. Description of the Related Art In recent years, with the increase of high-rise buildings, VHF
Radio waves in the TV frequency band such as UHF and UHF are reflected by high-rise buildings, and the radio waves directly arriving from the TV station and the radio waves reflected by the buildings are simultaneously incident on the antenna of the TV receiver, resulting in a TV screen. In many cases, reception failures such as ghosts occur, which is a major social problem.
【0003】また最近では、無線LAN等が利用される
オフィスの普及や無線LANの標準化を企図したBlueto
oth(通信プロトコル)が新たな通信ネットワークとし
て組み込まれることによって、利用される電波の周波数
帯域が1GHz以上に急激に拡大している。このような
限られた狭い空間で多数の電波が伝搬する状況では、近
くに配置された機器間の電磁ノイズが相互に影響し合っ
て誤動作したり、電波の判別処理に時間を要してデータ
の通信速度に著しい影響が出る場合のあることが知られ
ている。さらに、電波の使用頻度(発生頻度)が高まる
と、機器から発生する電波の人体に対する影響も無視で
きなくなる。[0003] Recently, Bluetomo has attempted to spread offices using wireless LAN and the like and to standardize wireless LAN.
With the incorporation of oth (communication protocol) as a new communication network, the frequency band of radio waves used is rapidly expanding to 1 GHz or more. In a situation where a large number of radio waves propagate in such a limited space, electromagnetic noise between nearby devices affects each other and causes malfunctions. It is known that the communication speed of the communication may be significantly affected. Further, as the frequency of use (frequency of occurrence) of radio waves increases, the influence of radio waves generated from devices on the human body cannot be ignored.
【0004】従来、これらの対策のため、建造物の外壁
に電波吸収性パネルを貼り付けて到来した電波の反射を
低減することが行われており、オフィス内の仕切壁に電
波吸収性パネルを用いて不要電波を吸収することが提案
されてきた。Conventionally, as a countermeasure against these problems, a radio wave absorbing panel is attached to an outer wall of a building to reduce the reflection of an incoming radio wave, and the radio wave absorbing panel is mounted on a partition wall in an office. It has been proposed to use it to absorb unwanted radio waves.
【0005】これらに用いられる電波吸収性パネルとし
て、現在、フェライト等の磁性粉末をシート状のゴムま
たはウレタン樹脂の発泡体に混入したシート状の電波吸
収性パネルが知られている。また、電波の干渉により反
射を抑えるλ/4型電波吸収体がVIEW(NHKエン
ジニアリングサービス友の会会誌)Vol.19,N
o.1(2000年1月25日発行)の第13〜15頁
の「電波吸収パネルの動向」、およびEMC1993.
12.5,No.68,第95頁に開示されている。さ
らに、導電性被膜が形成された2枚の絶縁性基板の間に
ストライプ形状または格子形状の導電性被膜形成された
絶縁性基板を平行に配置する構造の電波吸収性パネル
が、特開平10−275997号公報に開示されてい
る。[0005] As a radio wave absorbing panel used for these, a sheet radio wave absorbing panel in which magnetic powder such as ferrite is mixed in a sheet rubber or urethane resin foam is known. Further, a λ / 4 type radio wave absorber that suppresses reflection due to radio wave interference is disclosed in VIEW (A journal of NHK Engineering Service Friends) Vol. 19, N
o. 1 (issued on Jan. 25, 2000), “Trends in Electromagnetic Absorption Panels” on pages 13 to 15, and EMC 1993.
12.5, No. 68, page 95. Further, a radio wave absorbing panel having a structure in which an insulating substrate having a stripe-shaped or lattice-shaped conductive film formed thereon is arranged in parallel between two insulating substrates having a conductive film formed thereon, is disclosed in No. 275997.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術には次のような問題点を有していることが分か
った。However, it has been found that the above-mentioned prior art has the following problems.
【0007】すなわち、フェライト等の磁性粉末をシー
ト状のゴムあるいはウレタン樹脂の発泡体に混入した電
波吸収体は重量があり、また不燃材料ではないので一般
の建築工事では制約条件が多く、使用し難いという問題
点を有している。また、フェライトは光を透過しないの
で、この電波吸収体を窓として使用することはできな
い。That is, a radio wave absorber in which a magnetic powder such as ferrite is mixed into a sheet-like rubber or urethane resin foam is heavy and is not a non-combustible material, so that there are many restrictions in general construction work and it is used. There is a problem that it is difficult. Further, since the ferrite does not transmit light, the radio wave absorber cannot be used as a window.
【0008】一方、λ/4型電波吸収体は、2枚の導電
性被膜とそれらを保持する基板に透明材料を用いること
により透視性を得ることができ、窓として使用すること
が可能である。しかし、λ/4型電波吸収体は、その電
波吸収体の厚さが波長の1/4の大きさを必要とするた
め、TV電波のVHF帯の場合には100〜200MH
zに対応して約75〜38cm、UHF帯の場合には4
70〜770MHzに対応して約16〜10cmの厚さ
が必要となり、その電波吸収体を窓に組み込むためには
特別の壁とサッシが必要となる。また、対象の電波が無
線LANに用いられる例えば2.4GHzである場合で
あっても、電波吸収体は約3cmの厚さとなり、オフィ
スの仕切板に組み込もうとしても、電波吸収体が厚すぎ
るためかさばってしまうという問題点を有している。On the other hand, the λ / 4 type electromagnetic wave absorber can obtain transparency by using a transparent material for two conductive films and a substrate holding them, and can be used as a window. . However, since the λ / 4 type radio wave absorber requires the thickness of the radio wave absorber to be 1 / of the wavelength, it is 100 to 200 MHz in the case of the VHF band of the TV radio wave.
about 75-38cm corresponding to z, 4 in case of UHF band
A thickness of about 16 to 10 cm is required corresponding to 70 to 770 MHz, and a special wall and sash are required to incorporate the radio wave absorber into a window. Further, even if the target radio wave is, for example, 2.4 GHz used for a wireless LAN, the radio wave absorber has a thickness of about 3 cm. There is a problem that it is bulky because it is too large.
【0009】上記のような問題点を解決するため、前述
の特開平10−275997号公報では、全構成を透明
材料で構成し、不燃材料のガラスを用いて、ストライプ
形状または格子形状の導電性被膜に巨大な実効比誘電率
を持たせてパネルの厚さを薄くする構成の電波吸収性パ
ネルが開示されている。In order to solve the above-mentioned problems, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-275997 mentioned above discloses that the entire structure is made of a transparent material, and a non-combustible material glass is used to form a stripe-shaped or lattice-shaped conductive material. A radio wave absorbing panel having a configuration in which a coating has a large effective relative permittivity to reduce the thickness of the panel is disclosed.
【0010】ところが、電波吸収性パネルの構成として
上述の特開平10−275997号公報においては、具
体的には次の配置が提案されているだけであった。 ガラス/第1導電被膜+空気層+第2導電被膜/ガラ
ス+空気層+第3導電被膜/ガラス または、 ガラス/第1導電被膜+樹脂層+第2導電被膜/ガラ
ス+樹脂層+第3導電被膜/ガラス ここで、導電被膜は、吸収すべき電波の到来方向から順
に、第1、第2、第3導電被膜とし、第2導電被膜がス
トライプ形状または格子形状の導電性被膜である。上記
の構成では、第1導電被膜と第2導電膜の間が空気層
であるが、空気層を保持するためにはスペーサが必要で
あり、このスペーサは最低厚さが限られていて、それ以
下の空気層厚さにするとガラス中央部が接触して第1導
電被膜と第2導電被膜との絶縁状態を保てなくなるとい
う問題点がある。また、上記の構成では、第1導電被
膜と第2導電被膜の間だけでなく、第2導電被膜を保持
しているガラスと第3導電被膜の間も樹脂層であるた
め、特定の電波を吸収するための間隔をガラスと第3導
電被膜の間での樹脂層で確保しなければならないため、
そのための樹脂の量が多くなりコストと手間がかかると
いう問題点がある。However, as the configuration of the radio wave absorbing panel, the following arrangement has only been specifically proposed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-275997. Glass / first conductive film + air layer + second conductive film / glass + air layer + third conductive film / glass or Glass / first conductive film + resin layer + second conductive film / glass + resin layer + third Conductive film / glass Here, the conductive film is a first, second, and third conductive film in order from the arrival direction of the radio wave to be absorbed, and the second conductive film is a stripe-shaped or lattice-shaped conductive film. In the above configuration, an air layer is provided between the first conductive film and the second conductive film. However, a spacer is required to hold the air layer, and the spacer has a minimum thickness. If the thickness of the air layer is less than the above, there is a problem that the central portion of the glass comes into contact and the insulating state between the first conductive film and the second conductive film cannot be maintained. Further, in the above configuration, not only between the first conductive film and the second conductive film, but also between the glass holding the second conductive film and the third conductive film is a resin layer. Because the space for absorption must be secured by the resin layer between the glass and the third conductive film,
Therefore, there is a problem that the amount of resin is increased, and cost and labor are required.
【0011】さらに、従来のλ/4型電波吸収体は、前
述のEMC1993.12.5,No.68によると、
電波の入射角度によって電波の吸収特性が大きく変化す
るという問題点を有している。これは、電波の吸収が2
枚の導電性被膜で反射する電波の干渉により生じるた
め、入射角度に依存して干渉する波の行路長が変化して
しまうためと考えられる。Further, the conventional λ / 4 type radio wave absorber is disclosed in the above-mentioned EMC 1993.12.5, According to 68,
There is a problem that the absorption characteristic of the radio wave changes greatly depending on the incident angle of the radio wave. This is because the radio wave absorption is 2
This is considered to be caused by interference of radio waves reflected by the conductive films, so that the path length of the interfering wave changes depending on the incident angle.
【0012】本発明の目的は、上記問題を解決するた
め、不燃性を有したまま、軽量で薄く、第1の導電体と
第2の導電体の間を安定に保持し絶縁状態を保つことが
でき、コストと手間がかからず、電波吸収特性が入射角
度によって変化し難い電波吸収性パネルとその製造方法
を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problem by maintaining a non-flammable, lightweight, thin, stable and insulated state between a first conductor and a second conductor. It is an object of the present invention to provide a radio wave absorbing panel and a method for manufacturing the same, which can reduce the cost and labor and whose radio wave absorption characteristics are hardly changed by the incident angle.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段および作用】本発明に係る
電波吸収性パネルおよびその製造方法は、上記の目的を
達成するために、次のように構成される。The radio wave absorbing panel and the method of manufacturing the same according to the present invention are configured as follows to achieve the above object.
【0014】第1の電波吸収性パネル(請求項1に対
応)は、吸収すべき電波の到来方向から順に、電波の一
部を反射し他の一部を透過させる第1の導電体と、第1
の導電体に近接して配置され少なくとも吸収すべき電波
の電界方向に複数に切断された第2の導電体と、吸収す
べき電波の周波数に合わせて第2の導電体とは距離を隔
てて配置され吸収すべき電波を反射する第3の導電体と
が設けられ、さらに、第1の導電体と第2の導電体の間
に第1の絶縁層、第2の導電体と第3の導電体の間に第
2の絶縁層が設けられ、第1の導電体と第2の導電体と
第3の導電体のうち少なくとも1つは板ガラスに直接設
けられていることで特徴づけられる。The first radio wave absorbing panel (corresponding to claim 1) comprises: a first conductor which reflects a part of the radio wave and transmits the other part in order from the arrival direction of the radio wave to be absorbed; First
The second conductor, which is arranged in close proximity to the conductor and cut at least in the direction of the electric field of the radio wave to be absorbed, is separated from the second conductor in accordance with the frequency of the radio wave to be absorbed. A third conductor that is disposed and reflects a radio wave to be absorbed; and a first insulating layer between the first conductor and the second conductor, and a second conductor and a third conductor. A second insulating layer is provided between the conductors, and at least one of the first conductor, the second conductor, and the third conductor is directly provided on the glass sheet.
【0015】第1の電波吸収性パネルによれば、吸収す
べき電波の電界方向に複数に切断された第2の導電体
が、第1の導電体とは接近して配置され、第3の導電体
とは吸収すべき電波の周波数に合わせて距離を隔てて配
置されているため、発明者らによって見出された第1の
導電体と第2の導電体の間隔を電波吸収特性をあまり変
化させずに狭くすることができ、第2の導電体と第3の
導電体の間隔に比べて充分狭くすると電波の吸収特性が
入射角に依存し難くなるという知見に基づいて、電波吸
収特性が入射角度によって変化し難い電波吸収性パネル
を提供することができる。また、第1の導電体と第2の
導電体と第3の導電体のうち少なくとも1つは板ガラス
に直接設けられているため、板状形状を強固に保つこと
ができ、不燃性も確保することができる。According to the first radio wave absorbing panel, the second conductor cut into a plurality in the direction of the electric field of the radio wave to be absorbed is arranged close to the first conductor, Since the conductor is arranged at a distance in accordance with the frequency of the radio wave to be absorbed, the distance between the first conductor and the second conductor found by the present inventors may be reduced by the radio wave absorption characteristics. Based on the finding that if the distance between the second conductor and the third conductor is sufficiently narrower than the distance between the second conductor and the third conductor, the absorption characteristics of the radio wave hardly depend on the incident angle, It is possible to provide a radio wave absorbing panel that does not easily change depending on the incident angle. In addition, since at least one of the first conductor, the second conductor, and the third conductor is provided directly on the glass sheet, the plate shape can be firmly maintained, and nonflammability is also ensured. be able to.
【0016】第2の電波吸収性パネル(請求項2に対
応)は、上記の構成において、好ましくは第1の導電体
と第2の導電体と第3の導電体および第1の絶縁層と第
2の絶縁層は、可視光を透過する性質を有していること
で特徴づけられる。In the above structure, the second radio wave absorbing panel (corresponding to claim 2) preferably has a first conductor, a second conductor, a third conductor, and a first insulating layer. The second insulating layer is characterized by having a property of transmitting visible light.
【0017】第2の電波吸収性パネルによれば、第1の
導電体と第2の導電体と第3の導電体および第1の絶縁
層と第2の絶縁層は、可視光を透過する性質を有してい
るため、窓として電波吸収性パネルを用いることができ
る。According to the second radio wave absorbing panel, the first conductor, the second conductor, the third conductor, and the first insulating layer and the second insulating layer transmit visible light. Since it has properties, a radio wave absorbing panel can be used as the window.
【0018】第3の電波吸収性パネル(請求項3に対
応)は、上記の構成において、好ましくは第2の絶縁層
は、気体により形成された層から成ることで特徴づけら
れる。A third radio wave absorbing panel (corresponding to claim 3) is characterized in that, in the above configuration, preferably, the second insulating layer comprises a layer formed of a gas.
【0019】第3の電波吸収性パネルによれば、第2の
絶縁層は、気体により形成された層から成るため、特定
の電波を吸収するための間隔をガラスと第3導電被膜の
間での樹脂層で確保する必要がないので、コストと手間
がかからない。また、第1の導電体と第2の導電体の間
隔に比べ第2の導電体と第3の導電体の間隔を広くとり
易い。According to the third radio wave absorbing panel, since the second insulating layer is composed of a layer formed of gas, a space for absorbing a specific radio wave is provided between the glass and the third conductive film. Since it is not necessary to secure with a resin layer, cost and labor are not required. Further, it is easy to make the distance between the second conductor and the third conductor wider than the distance between the first conductor and the second conductor.
【0020】第4の電波吸収性パネル(請求項4に対
応)は、上記の構成において、好ましくは気体は、空気
であることで特徴づけられる。A fourth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 4) is characterized in that, in the above configuration, preferably, the gas is air.
【0021】第4の電波吸収性パネルによれば、気体が
空気であるため、特定の電波を吸収するための間隔をガ
ラスと第3導電被膜の間での樹脂層で確保する必要がな
いので、コストと手間がかからない。また、第1の導電
体と第2の導電体の間隔に比べ第2の導電体と第3の導
電体の間隔を広くとり易く、建築物の窓として用いた場
合、優れた断熱性を併せ持たせることができる。さら
に、第3の導電体が空気に面しているため、導電体の有
する遠赤外線反射能(=低放射率)によって断熱性が高
まる。また、空気として乾燥空気を用いることによっ
て、第2の導電体と第3の導電体を外気と遮断して保持
することができ、電波吸収特性を長期間安定させること
ができる。According to the fourth radio wave absorbing panel, since the gas is air, it is not necessary to secure an interval for absorbing a specific radio wave with the resin layer between the glass and the third conductive film. No cost and hassle. In addition, the distance between the second conductor and the third conductor is easily widened as compared with the distance between the first conductor and the second conductor. You can have. Further, since the third conductor faces the air, the heat insulating property is enhanced by the far-infrared reflectivity (= low emissivity) of the conductor. In addition, by using dry air as the air, the second conductor and the third conductor can be isolated from the outside air and held, and radio wave absorption characteristics can be stabilized for a long time.
【0022】第5の電波吸収性パネル(請求項5に対
応)は、上記の構成において、好ましくは気体は、アル
ゴン、クリプトン、キセノン、SF6ガスのうちいずれ
か1つの気体であることで特徴づけられる。A fifth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 5) is characterized in that, in the above configuration, the gas is preferably any one of argon, krypton, xenon, and SF 6 gas. Attached.
【0023】第5の電波吸収性パネルによれば、気体
が、アルゴン、クリプトン、キセノン、SF6ガスのう
ちいずれか1つの気体であるため、断熱性をより高める
ことができ、また、SF6の場合には、防音性能も高め
ることができる。According to the fifth wave absorbing panel, gas, argon, krypton, xenon, since it is one of the gases of the SF 6 gas, it is possible to improve the thermal insulation properties, also, SF 6 In this case, the soundproofing performance can also be improved.
【0024】第6の電波吸収性パネル(請求項6に対
応)は、上記の構成において、好ましくは第1の絶縁層
が可視光を透過する樹脂から形成された層から成ること
で特徴づけられる。A sixth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 6) is characterized in that, in the above configuration, the first insulating layer preferably comprises a layer formed of a resin transmitting visible light. .
【0025】第6の電波吸収性パネルによれば、第1の
絶縁層が可視光を透過する樹脂から形成された層から成
るため、第1の導電体と第2の導電体を良好な絶縁状態
を保ったまま近接して配置することができる。また、樹
脂層の厚さによって第1の導電体と第2の導電体の間隔
の微調整が容易で、しかも長期間安定に保つことができ
る。また、第1の導電体と第2の導電体が樹脂により封
着されることにより、導電体が外気に触れることが無
く、電波吸収特性が長期間安定する。さらに、第1の導
電体または第2の導電体が直接板ガラスに設けられてい
る場合、ガラスが導電体を介し樹脂と接着しているの
で、ガラスが割れても飛び散ることが無く安全である。
また、第2の導電体が直接板ガラスに設けられている場
合、板ガラスの屈折率に近い値を有する透明な樹脂を選
択することにより、電界方向に複数に切断された第2の
導電体の切断線が見え難くなり、優れた外観を得易い。According to the sixth radio wave absorbing panel, since the first insulating layer is formed of a layer formed of a resin that transmits visible light, the first and second conductors can be insulated well. They can be placed close together while maintaining their state. Further, fine adjustment of the distance between the first conductor and the second conductor can be easily performed depending on the thickness of the resin layer, and can be kept stable for a long period of time. Further, since the first conductor and the second conductor are sealed with the resin, the conductor does not come into contact with the outside air, and the radio wave absorption characteristics are stabilized for a long time. Furthermore, when the first conductor or the second conductor is provided directly on the plate glass, the glass is bonded to the resin via the conductor, so that even if the glass is broken, the glass does not scatter and is safe.
In the case where the second conductor is provided directly on the glass sheet, by selecting a transparent resin having a value close to the refractive index of the glass sheet, the cutting of the second conductor cut into a plurality of pieces in the direction of the electric field can be performed. Lines are difficult to see and an excellent appearance is easily obtained.
【0026】第7の電波吸収性パネル(請求項7に対
応)は、上記の構成において、好ましくは第1の導電体
の電波の到来方向側に板ガラスが設けられ、第2の導電
体の電波の到来方向とは逆方向側にもう1枚の板ガラス
が設けられ、第1の絶縁層がピラーで支えられた真空層
から成り、ピラーは、少なくとも一部が絶縁性物質から
成るか、または第2の導電体の切断線に沿って配されて
いることで特徴づけられる。The seventh radio wave absorbing panel (corresponding to claim 7) preferably has a configuration in which the sheet glass is provided on the side of the radio wave arrival direction of the first conductor, and the radio wave of the second conductor is provided. Another glass sheet is provided on the side opposite to the arrival direction of the first and second layers, and the first insulating layer comprises a vacuum layer supported by pillars, and the pillars are at least partially made of an insulating material, or It is characterized by being arranged along the cutting line of the two conductors.
【0027】第7の電波吸収性パネルによれば、第1の
導電体と第2の導電体の2面がピラーを介して近距離に
強固に保持され、また2つの導電体が真空中に保持され
るため、第1の導電体と第2の導電体が劣化せず電波吸
収性パネルの電波吸収特性が長期間安定する。さらに、
真空層の有する断熱性のため、建築物の窓として用いた
場合、優れた断熱性を併せ持たせることができる。ま
た、真空層に接している第1の導電体と第2の導電体は
遠赤外線反射能(低放射率)を有しているため、断熱性
を向上することができる。According to the seventh radio wave absorbing panel, the two surfaces of the first conductor and the second conductor are firmly held at a short distance via the pillar, and the two conductors are placed in a vacuum. Since the first and second conductors are retained, the radio wave absorption characteristics of the radio wave absorbing panel are stable for a long time without deterioration. further,
Due to the heat insulating property of the vacuum layer, when used as a window in a building, excellent heat insulating properties can be provided. In addition, since the first conductor and the second conductor that are in contact with the vacuum layer have far-infrared reflectivity (low emissivity), heat insulation can be improved.
【0028】第8の電波吸収性パネル(請求項8に対
応)は、上記の構成において、好ましくは第1の絶縁層
は、少なくとも1枚の板ガラスから成ることで特徴づけ
られる。An eighth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 8) is characterized in that, in the above-described configuration, preferably, the first insulating layer is made of at least one sheet glass.
【0029】第8の電波吸収性パネルによれば、第1の
絶縁層は、少なくとも1枚の板ガラスから成るため、1
枚の板ガラスの表裏両面に第1の導電体と第2の導電体
を設けることができ、そのときには、ガラスの総枚数を
少なくすることができ、電波吸収性パネルを軽量化する
ことができる。また、第1の導電体と第2の導電体の間
隔を安定に保持することができる。According to the eighth radio wave absorbing panel, the first insulating layer is made of at least one sheet glass,
A first conductor and a second conductor can be provided on both front and back surfaces of a single sheet of glass. At that time, the total number of glasses can be reduced, and the weight of the radio wave absorbing panel can be reduced. Further, the distance between the first conductor and the second conductor can be stably maintained.
【0030】第9の電波吸収性パネル(請求項9に対
応)は、上記の構成において、好ましくは第1の絶縁層
は、少なくとも1層の無機物薄膜から成ることで特徴づ
けられる。A ninth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 9) is characterized in that, in the above configuration, preferably, the first insulating layer comprises at least one inorganic thin film.
【0031】第9の電波吸収性パネルによれば、第1の
絶縁層は、少なくとも1層の無機物薄膜から成るため、
第1の導電体、無機物薄膜、第2の導電体の順に連続し
て形成することや、または第2の導電体、無機物薄膜、
第1の導電体の順に連続して形成することが可能とな
り、生産上のメリットが多い上、自動的に第1の導電体
または第2の導電体が上層の無機物薄膜により保護され
て長期安定性が保証される。この構成は、第1の絶縁体
を最も薄く良好な絶縁状態で安定に実現する手段の一つ
である。According to the ninth radio wave absorbing panel, since the first insulating layer is composed of at least one inorganic thin film,
Forming a first conductor, an inorganic thin film, and a second conductor in this order; or forming a second conductor, an inorganic thin film,
It is possible to continuously form the first conductor in order, and there are many advantages in production. In addition, the first conductor or the second conductor is automatically protected by the upper inorganic thin film and stable for a long time. Is guaranteed. This configuration is one of the means for stably realizing the first insulator in the thinnest and good insulating state.
【0032】第10の電波吸収性パネル(請求項10に
対応)は、上記の構成において、好ましくは第1の導電
体が、100Ω/□以上かつ700Ω/□以下の表面抵
抗値を有することで特徴づけられる。In a tenth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 10), in the above structure, preferably, the first conductor has a surface resistance of 100 Ω / □ or more and 700 Ω / □ or less. Characterized.
【0033】第10の電波吸収性パネルによれば、第1
の導電体は、100Ω/□以上かつ700Ω/□以下の
表面抵抗値を有するため、良好に真空のインピーダンス
と整合して電波の一部を反射し、他の一部を透過させる
ことができる。According to the tenth radio wave absorbing panel, the first
Has a surface resistance value of 100 Ω / □ or more and 700 Ω / □ or less, so that it is possible to reflect a part of radio waves and transmit the other part in good matching with vacuum impedance.
【0034】第11の電波吸収性パネル(請求項11に
対応)は、上記の構成において、好ましくは第2の導電
体は、50Ω/□以下の表面抵抗値を有することで特徴
づけられる。An eleventh radio wave absorbing panel (corresponding to claim 11) is characterized in that, in the above configuration, preferably, the second conductor has a surface resistance value of 50Ω / □ or less.
【0035】第11の電波吸収性パネルによれば、第2
の導電体は、50Ω/□以下の表面抵抗値を有するた
め、優れた電波吸収性能を有する。According to the eleventh radio wave absorbing panel, the second
Has a surface resistance value of 50Ω / □ or less, and thus has excellent radio wave absorption performance.
【0036】第12の電波吸収性パネル(請求項12に
対応)は、上記の構成において、好ましくは第3の導電
体は、50Ω/□以下の表面抵抗値を有することで特徴
づけられる。A twelfth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 12) is characterized in that, in the above-described configuration, preferably, the third conductor has a surface resistance of 50Ω / □ or less.
【0037】第12の電波吸収性パネルによれば、第3
の導電体は、50Ω/□以下の表面抵抗値を有するた
め、第3の導電体で良好に電波を反射することができる
ので、優れた電波吸収特性を有する電波吸収性パネルを
得ることができる。According to the twelfth radio wave absorbing panel, the third
Since the conductor has a surface resistance of 50Ω / □ or less, the third conductor can favorably reflect radio waves, so that it is possible to obtain a radio wave absorbing panel having excellent radio wave absorption characteristics. .
【0038】第13の電波吸収性パネル(請求項13に
対応)は、上記の構成において、好ましくは第1の導電
体が、透明酸化物半導体または金属窒化物であることで
特徴づけられる。A thirteenth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 13) is characterized in that, in the above structure, the first conductor is preferably a transparent oxide semiconductor or a metal nitride.
【0039】第13の電波吸収性パネルによれば、第1
の導電体が、透明酸化物半導体または金属窒化物である
ため、第1の導電体に対して100Ω/□以上かつ70
0Ω/□以下の表面抵抗値を比較的安定して得ることが
できる。According to the thirteenth radio wave absorbing panel, the first
Is 100 Ω / □ or more and 70% or more with respect to the first conductor, because the conductor is a transparent oxide semiconductor or a metal nitride.
A surface resistance value of 0 Ω / □ or less can be obtained relatively stably.
【0040】第14の電波吸収性パネル(請求項14に
対応)は、上記の構成において、好ましくは第2および
/または第3の導電体が、金属薄膜、透明酸化物半導体
または金属−誘電体多層膜から成ることで特徴づけられ
る。In a fourteenth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 14), in the above structure, preferably, the second and / or third conductor is a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal-dielectric. It is characterized by comprising a multilayer film.
【0041】第14の電波吸収性パネルによれば、第2
および/または第3の導電体が、金属薄膜、透明酸化物
半導体または金属−誘電体多層膜から成るため、透明酸
化物半導体を用いたときは20Ω/□以下の表面抵抗値
を安定して得ることができ、金属−誘電体多層膜を用い
たときは10Ω/□以下の表面抵抗値を安定して得るこ
とができる。According to the fourteenth radio wave absorbing panel, the second
And / or the third conductor is made of a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal-dielectric multilayer film, so that when a transparent oxide semiconductor is used, a surface resistance of 20 Ω / □ or less can be stably obtained. When a metal-dielectric multilayer film is used, a surface resistance value of 10Ω / □ or less can be stably obtained.
【0042】第15の電波吸収性パネル(請求項15に
対応)は、上記の構成において、好ましくは酸化物半導
体は、フッ素を添加した酸化スズであることで特徴づけ
られる。A fifteenth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 15) is characterized in that, in the above structure, the oxide semiconductor is preferably tin oxide to which fluorine has been added.
【0043】第15の電波吸収性パネルによれば、酸化
物半導体は、フッ素を添加した酸化スズであるため、熱
CVD法で形成することができるので、大量生産に向
き、化学的に安定である。According to the fifteenth radio wave absorbing panel, since the oxide semiconductor is tin oxide to which fluorine has been added, it can be formed by a thermal CVD method, so that it is suitable for mass production and is chemically stable. is there.
【0044】第16の電波吸収性パネル(請求項16に
対応)は、上記の構成において、好ましくは第1および
/または第3の導電体は、吸収すべき電波の波長に比べ
て細かいメッシュの導電性繊維織物体であることで特徴
づけられる。In a sixteenth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 16), in the above structure, preferably, the first and / or third conductor has a mesh finer than a wavelength of a radio wave to be absorbed. It is characterized by being a conductive fiber woven body.
【0045】第16の電波吸収性パネルによれば、第1
および/または第3の導電体は、吸収すべき電波の波長
に比べて細かいメッシュの導電性繊維織物体であるた
め、数々の特性の導電性繊維を自由に選択することがで
き、導電体の特性を調整し易い。また、吸収すべき電波
は、その多くは可視光に比べて充分波長が長いので、可
視光の透視性に影響せず、吸収すべき電波に比べて充分
細かいために吸収すべき電波の透過・反射特性には影響
しないようなメッシュの大きさを選択することができ
る。According to the sixteenth radio wave absorbing panel, the first
And / or the third conductor is a conductive fiber woven body having a mesh finer than the wavelength of the radio wave to be absorbed, so that conductive fibers having various characteristics can be freely selected, and Easy to adjust characteristics. Also, most of the radio waves to be absorbed have sufficiently longer wavelengths than visible light, so they do not affect the visibility of visible light, and are sufficiently fine compared to the radio waves to be absorbed. A mesh size that does not affect the reflection characteristics can be selected.
【0046】第17の電波吸収性パネル(請求項17に
対応)は、上記の構成において、好ましくは日射熱取得
率0.50以下の日射遮蔽性を有することで特徴づけら
れる。The seventeenth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 17) is characterized in that in the above-described configuration, it preferably has a solar shading property with a solar heat gain of 0.50 or less.
【0047】第17の電波吸収性パネルによれば、日射
熱取得率0.50以下の日射遮蔽性を有するため、室内
に入る日射を弱めることができる。According to the seventeenth radio wave absorbing panel, the solar radiation absorbing property is 0.50 or less, so that solar radiation entering the room can be reduced.
【0048】第18の電波吸収性パネル(請求項18に
対応)は、上記の構成において、好ましくは熱貫流率
3.0W/(m2・K)以下の断熱性を有することで特
徴づけられる。The eighteenth radio wave absorbing panel (corresponding to claim 18) is characterized in that, in the above-described configuration, the heat insulating property preferably has a heat transmission coefficient of 3.0 W / (m 2 · K) or less. .
【0049】第18の電波吸収性パネルによれば、熱貫
流率3.0W/(m2・K)以下の断熱性を有するた
め、断熱性を保ちながら電波を吸収することができる。According to the eighteenth radio wave absorbing panel, since it has heat insulation of not more than 3.0 W / (m 2 · K), it can absorb radio waves while maintaining heat insulation.
【0050】第1の電波吸収性パネルの製造方法(請求
項19に対応)は、第1の板ガラスの片面に第1の導電
体を形成する工程と、第2の板ガラスの片面に第2の導
電体を形成する工程と、第3の板ガラスの片面に第3の
導電体を形成する工程と、第1の導電体を形成した第1
の板ガラスと第2の導電体を形成した第2の板ガラスを
第1の絶縁層を介して接合する工程と、第1の絶縁層を
介して接合した第1の導電体を形成した第1の板ガラス
と第2の導電体を形成した第2の板ガラスを第3の絶縁
層を介して第3の導電体を形成した第3の板ガラスを接
合する工程と、から成ることで特徴づけられる。A first method of manufacturing a radio wave absorbing panel (corresponding to claim 19) includes a step of forming a first conductor on one surface of a first sheet glass and a step of forming a second conductor on one surface of a second sheet glass. A step of forming a conductor, a step of forming a third conductor on one surface of a third glass sheet, and a step of forming a first conductor.
Joining the first glass sheet and the second sheet glass on which the second conductor is formed via the first insulating layer, and the first sheet glass forming the first conductor on which the second conductor sheet is joined via the first insulating layer. Joining the plate glass and the second plate glass on which the second conductor is formed to the third plate glass on which the third conductor is formed via a third insulating layer.
【0051】第1の電波吸収性パネルの製造方法によれ
ば、第1の板ガラスの片面に第1の導電体を形成する工
程と、第2の板ガラスの片面に第2の導電体を形成する
工程と、第3の板ガラスの片面に第3の導電体を形成す
る工程と、第1の導電体を形成した第1の板ガラスと第
2の導電体を形成した第2の板ガラスを第1の絶縁層を
介して接合する工程と、第1の絶縁層を介して接合した
第1の導電体を形成した第1の板ガラスと第2の導電体
を形成した第2の板ガラスを第3の絶縁層を介して第3
の導電体を形成した第3の板ガラスを接合する工程と、
から成るため、優れた電波吸収特性を持つ電波吸収性パ
ネルを製造することができる。According to the first method of manufacturing a radio wave absorbing panel, a step of forming a first conductor on one side of a first sheet glass and a step of forming a second conductor on one side of a second sheet glass. A step of forming a third conductor on one surface of the third sheet glass, and a step of forming the first sheet glass on which the first conductor is formed and the second sheet glass on which the second conductor is formed by the first sheet glass. A step of bonding via an insulating layer, and a step of bonding the first sheet glass on which the first conductor is formed and the second sheet glass on which the second conductor is bonded via the first insulating layer to a third insulating layer. Third through the layers
Joining a third sheet glass having the conductor of
, A radio wave absorbing panel having excellent radio wave absorbing characteristics can be manufactured.
【0052】第2の電波吸収性パネルの製造方法(請求
項20に対応)は、上記の方法において、好ましくは第
1の板ガラスの片面に第1の導電体を形成する工程は、
第1の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半導体ま
たは金属窒化物を堆積する工程から成ることで特徴づけ
られる。In a second method for producing a radio wave absorbing panel (corresponding to claim 20), in the above method, preferably, the step of forming the first conductor on one surface of the first sheet glass comprises the following steps:
The method is characterized by comprising a step of depositing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride on one surface of the first glass sheet.
【0053】第2の電波吸収性パネルの製造方法によれ
ば、第1の板ガラスの片面に第1の導電体を形成する工
程は、第1の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半
導体または金属窒化物を堆積する工程から成るため、化
学的に安定した導電体を大量生産することができる。According to the second method for manufacturing a radio wave absorbing panel, the step of forming the first conductor on one surface of the first sheet glass includes the step of forming a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a transparent oxide semiconductor on one surface of the first sheet glass. Since the method includes a step of depositing a metal nitride, a chemically stable conductor can be mass-produced.
【0054】第3の電波吸収性パネルの製造方法(請求
項21に対応)は、上記の方法において、好ましくは第
2の板ガラスの片面に第2の導電体を形成する工程は、
第2の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半導体ま
たは金属窒化物を堆積する工程と、第2の板ガラスの片
面に堆積した金属薄膜、透明酸化物または金属窒化物を
サンドブラストによって吸収すべき電波の電界方向に複
数の切断を行う工程から成ることで特徴づけられる。In a third method of manufacturing a radio wave absorbing panel (corresponding to claim 21), in the above method, preferably, the step of forming the second conductor on one surface of the second glass sheet includes the steps of:
A step of depositing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride on one surface of the second glass sheet, and a radio wave to absorb the metal thin film, the transparent oxide or the metal nitride deposited on one surface of the second glass sheet by sandblasting In the direction of the electric field.
【0055】第3の電波吸収性パネルの製造方法によれ
ば、第2の板ガラスの片面に第2の導電体を形成する工
程は、第2の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半
導体または金属窒化物を堆積する工程と、第2の板ガラ
スの片面に堆積した金属薄膜、透明酸化物または金属窒
化物をサンドブラストによって吸収すべき電波の電界方
向に複数の切断を行う工程から成るため、吸収すべき電
波の電界方向に複数に切断された第2の導電体を容易に
形成することができる。According to the third method for manufacturing a radio wave absorbing panel, the step of forming the second conductor on one surface of the second glass sheet includes the step of forming a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a transparent oxide semiconductor on one surface of the second glass sheet. The method includes a step of depositing a metal nitride and a step of performing a plurality of cuts in a direction of an electric field of a radio wave to be absorbed by sandblasting the metal thin film, the transparent oxide or the metal nitride deposited on one surface of the second glass sheet. The second conductor cut into a plurality in the direction of the electric field of the radio wave to be formed can be easily formed.
【0056】第4の電波吸収性パネルの製造方法(請求
項22に対応)は、上記の方法において、好ましくは第
2の板ガラスの片面に第2の導電体を形成する工程は、
第2の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半導体ま
たは金属窒化物を堆積する工程と、第2の板ガラスの片
面に堆積した金属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒
化物を吸収すべき電波の電界方向の複数のラインに沿っ
てレーザを照射し加熱することによりライン上の金属薄
膜、透明酸化物半導体または金属窒化物を蒸発させる工
程から成ることで特徴づけられる。In a fourth method of manufacturing a radio wave absorbing panel (corresponding to claim 22), in the above method, preferably, the step of forming the second conductor on one surface of the second sheet glass includes:
A step of depositing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride on one surface of the second glass sheet; and a step of absorbing a radio wave to absorb the metal thin film, the transparent oxide semiconductor or the metal nitride deposited on one surface of the second glass sheet. The method is characterized by comprising a step of irradiating and heating a laser along a plurality of lines in the direction of the electric field to evaporate a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride on the lines.
【0057】第4の電波吸収性パネルの製造方法によれ
ば、第2の板ガラスの片面に第2の導電体を形成する工
程は、第2の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半
導体または金属窒化物を堆積する工程と、第2の板ガラ
スの片面に堆積した金属薄膜、透明酸化物半導体または
金属窒化物を吸収すべき電波の電界方向の複数のライン
に沿ってレーザを照射し加熱することによりライン上の
金属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒化物を蒸発さ
せる工程から成るため、吸収すべき電波の電界方向に複
数に切断された第2の導電体を容易に形成することがで
きる。また、金属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒
化物の蒸発のためにレーザを用いるため、マスキングも
不要であり、ダストや廃液が生じず環境負荷が少ない。
さらに、蒸発することによる切断形状をコンピュータ制
御することができので、形状を自由に選択することがで
きる。According to the fourth method of manufacturing a radio wave absorbing panel, the step of forming the second conductor on one surface of the second glass sheet includes the step of forming a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a transparent oxide semiconductor on one surface of the second glass sheet. A step of depositing a metal nitride, and irradiating and heating a laser along a plurality of lines in a direction of an electric field of a radio wave to absorb the metal thin film, the transparent oxide semiconductor or the metal nitride deposited on one surface of the second sheet glass. Accordingly, the method comprises a step of evaporating the metal thin film, the transparent oxide semiconductor or the metal nitride on the line, so that the second conductor cut into a plurality in the direction of the electric field of the radio wave to be absorbed can be easily formed. . In addition, since a laser is used for evaporating a metal thin film, a transparent oxide semiconductor, or a metal nitride, masking is not required, and dust and waste liquid are not generated and the environmental load is small.
Further, since the cut shape by evaporation can be controlled by computer, the shape can be freely selected.
【0058】第5の電波吸収性パネルの製造方法(請求
項23に対応)は、上記の方法において、好ましくは第
2の板ガラスの片面に第2の導電体を形成する工程は、
第2の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半導体ま
たは金属窒化物を堆積する工程と、第2の板ガラスの片
面に堆積した金属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒
化物を吸収すべき電波の電界方向の複数のラインに沿っ
てレーザを照射し加熱することによりライン上の金属薄
膜、透明酸化物半導体または金属窒化物を変質、変形さ
せ、ライン上の金属薄膜、透明酸化物半導体または金属
窒化物の電気抵抗率を所定の値以上にする工程から成る
ことで特徴づけられる。According to a fifth method for producing a radio wave absorbing panel (corresponding to claim 23), in the above method, preferably, the step of forming the second conductor on one surface of the second glass sheet comprises the following steps:
A step of depositing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride on one surface of the second glass sheet; and a step of absorbing a radio wave to absorb the metal thin film, the transparent oxide semiconductor or the metal nitride deposited on one surface of the second glass sheet. By irradiating and heating a laser along a plurality of lines in the direction of the electric field, the metal thin film, transparent oxide semiconductor or metal nitride on the line is altered and deformed, and the metal thin film, transparent oxide semiconductor or metal nitride on the line is deformed. The method is characterized in that it comprises a step of setting the electrical resistivity of the object to a predetermined value or more.
【0059】第5の電波吸収性パネルの製造方法によれ
ば、第2の板ガラスの片面に第2の導電体を形成する工
程は、第2の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半
導体または金属窒化物を堆積する工程と、第2の板ガラ
スの片面に堆積した金属薄膜、透明酸化物半導体または
金属窒化物を吸収すべき電波の電界方向の複数のライン
に沿ってレーザを照射し加熱することによりライン上の
金属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒化物を変質、
変形させ、ライン上の金属薄膜、透明酸化物半導体また
は金属窒化物の電気抵抗率を所定の値以上にする工程か
ら成るため、吸収すべき電波の電界方向に複数に切断さ
れた第2の導電体を容易に形成することができる。ま
た、金属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒化物の蒸
発のためにレーザを用いるため、マスキングも不要であ
り、ダストや廃液が生じず環境負荷が少ない。さらに、
蒸発することによる切断形状をコンピュータ制御するこ
とができので、形状を自由に選択することができる。According to the fifth method of manufacturing a radio wave absorbing panel, the step of forming the second conductor on one surface of the second glass sheet includes the step of forming a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a transparent oxide semiconductor on one surface of the second glass sheet. A step of depositing a metal nitride, and irradiating and heating a laser along a plurality of lines in a direction of an electric field of a radio wave to absorb the metal thin film, the transparent oxide semiconductor or the metal nitride deposited on one surface of the second sheet glass. Transforms metal thin films, transparent oxide semiconductors or metal nitrides on the line,
Deforming the metal thin film, the transparent oxide semiconductor, or the metal nitride on the line to have an electrical resistivity of a predetermined value or more. The body can be easily formed. In addition, since a laser is used for evaporating a metal thin film, a transparent oxide semiconductor, or a metal nitride, masking is not required, and dust and waste liquid are not generated and the environmental load is small. further,
Since the shape of the cut due to evaporation can be controlled by computer, the shape can be freely selected.
【0060】第6の電波吸収性パネルの製造方法(請求
項24に対応)は、上記の方法において、好ましくは第
2の板ガラスの片面に第2の導電体を形成する工程は、
第2の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半導体ま
たは金属窒化膜を堆積する工程と、第2の板ガラスの片
面に堆積した金属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒
化物の上に吸収すべき電波の電界方向の複数のラインに
沿った開口を有する保護マスクを形成する工程と、保護
マスクによりマスクした金属薄膜、透明酸化物半導体ま
たは金属窒化物を堆積した第2の板ガラスをエッチャン
トに浸けることによりウェットエッチングし、開口によ
り露出した金属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒化
物を除去する工程から成ることで特徴づけられる。According to a sixth method of manufacturing a radio wave absorbing panel (corresponding to claim 24), in the above method, preferably, the step of forming the second conductor on one surface of the second glass sheet includes the steps of:
Depositing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride film on one side of the second glass sheet, and absorbing the metal thin film, the transparent oxide semiconductor or the metal nitride on one side of the second glass sheet; Forming a protective mask having openings along a plurality of lines in the direction of the electric field of a radio wave, and immersing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride deposited on the second plate glass masked by the protective mask in an etchant. And a step of removing the metal thin film, the transparent oxide semiconductor or the metal nitride exposed through the opening by wet etching.
【0061】第6の電波吸収性パネルの製造方法によれ
ば、第2の板ガラスの片面に第2の導電体を形成する工
程は、第2の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半
導体または金属窒化膜を堆積する工程と、第2の板ガラ
スの片面に堆積した金属薄膜、透明酸化物半導体または
金属窒化物の上に吸収すべき電波の電界方向の複数のラ
インに沿った開口を有する保護マスクを形成する工程
と、保護マスクによりマスクした金属薄膜、透明酸化物
半導体または金属窒化物を堆積した第2の板ガラスをエ
ッチャントに浸けることによりウェットエッチングし、
開口により露出した金属薄膜、透明酸化物半導体または
金属窒化物を除去する工程から成るため、吸収すべき電
波の電界方向に複数に切断された第2の導電体を容易に
形成することができる。According to the sixth method for manufacturing a radio wave absorbing panel, the step of forming the second conductor on one surface of the second glass sheet includes the step of forming a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a transparent oxide semiconductor on one surface of the second glass sheet. A step of depositing a metal nitride film and a protection having openings along a plurality of lines in the electric field direction of a radio wave to be absorbed on a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride deposited on one surface of a second glass sheet Step of forming a mask, wet etching by immersing a metal thin film masked with a protective mask, a second plate glass on which a transparent oxide semiconductor or a metal nitride is deposited in an etchant,
Since the method includes a step of removing the metal thin film, the transparent oxide semiconductor, or the metal nitride exposed through the opening, the second conductor that is cut into a plurality in the direction of the electric field of the radio wave to be absorbed can be easily formed.
【0062】第7の電波吸収性パネルの製造方法(請求
項25に対応)は、上記の方法において、好ましくは第
3の板ガラスの片面に第3の導電体を形成する工程は、
第3の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半導体ま
たは金属−誘電体多層膜を堆積する工程から成ることで
特徴づけられる。According to a seventh method of manufacturing a radio wave absorbing panel (corresponding to claim 25), in the above method, preferably, the step of forming the third conductor on one surface of the third plate glass comprises the following steps:
The method is characterized by comprising a step of depositing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal-dielectric multilayer film on one surface of the third glass sheet.
【0063】第7の電波吸収性パネルの製造方法によれ
ば、第3の板ガラスの片面に第3の導電体を形成する工
程は、第3の板ガラスの片面に金属薄膜、透明酸化物半
導体または金属−誘電体多層膜を堆積する工程から成る
ため、化学的に安定した導電体を大量生産することがで
きる。According to the seventh method of manufacturing the radio wave absorbing panel, the step of forming the third conductor on one surface of the third glass sheet includes the step of forming a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a transparent oxide semiconductor on one surface of the third glass sheet. Since the method comprises a step of depositing a metal-dielectric multilayer film, a chemically stable conductor can be mass-produced.
【0064】第8の電波吸収性パネルの製造方法(請求
項26に対応)は、上記の方法において、好ましくは第
1の導電体を形成した第1の板ガラスと第2の導電体を
形成した第2の板ガラスを第1の絶縁層を介して接合す
る工程は、第1の導電体を形成した第1の板ガラスと第
2の導電体を形成した第2の板ガラスの間にピラーを介
して接合する工程と、ピラーを介して接合することによ
って第1の板ガラスと第2の板ガラスの間に形成された
空間を真空にする工程と、から成ることで特徴づけられ
る。An eighth method of manufacturing a radio wave absorbing panel (corresponding to claim 26) is a method according to the above method, wherein the first plate glass on which the first conductor is preferably formed and the second conductor are formed. The step of bonding the second glass sheet via the first insulating layer is performed via a pillar between the first glass sheet forming the first conductor and the second glass sheet forming the second conductor. It is characterized by comprising a joining step and a step of evacuating a space formed between the first sheet glass and the second sheet glass by joining via a pillar.
【0065】第8の電波吸収性パネルの製造方法によれ
ば、第1の導電体を形成した第1の板ガラスと第2の導
電体を形成した第2の板ガラスを第1の絶縁層を介して
接合する工程は、第1の導電体を形成した第1の板ガラ
スと第2の導電体を形成した第2の板ガラスの間にピラ
ーを介して接合する工程と、ピラーを介して接合するこ
とによって第1の板ガラスと第2の板ガラスの間に形成
された空間を真空にする工程とから成るため、近距離に
強固に保持された第1の導電体と第2の導電体の2面を
形成することができ、また、導電体の電波吸収特性が長
期間安定な電波吸収性パネルを製造することができる。According to the eighth method of manufacturing a radio wave absorbing panel, the first sheet glass on which the first conductor is formed and the second sheet glass on which the second conductor is formed are interposed via the first insulating layer. Joining by a pillar between the first sheet glass on which the first conductor is formed and the second sheet glass on which the second conductor is formed; and joining via the pillar. Vacuuming the space formed between the first glass sheet and the second glass sheet by the first and second glass sheets, so that the two surfaces of the first and second conductors that are firmly held at a short distance are separated from each other. In addition, it is possible to manufacture a radio wave absorbing panel in which the conductor can have stable radio wave absorbing characteristics for a long period of time.
【0066】第9の電波吸収性パネルの製造方法(請求
項27に対応)は、上記の方法において、好ましくは第
1の導電体を形成した第1の板ガラスと第2の導電体を
形成した第2の板ガラスを第1の絶縁層を介して接合す
る工程は、第1の板ガラスと第2の板ガラスの間に樹脂
をはさみ圧着する工程と、樹脂をはさみ圧着した第1の
板ガラスと第2の板ガラスを加熱し加圧する工程から成
ることで特徴づけられる。In a ninth method of manufacturing a radio wave absorbing panel (corresponding to claim 27), in the above method, preferably, the first plate glass on which the first conductor is formed and the second conductor are formed. The step of joining the second sheet glass via the first insulating layer includes the step of inserting a resin between the first sheet glass and the second sheet glass and pressing the same, and the step of joining the first sheet glass and the second sheet glass which are inserted and joined by the resin. And a step of heating and pressurizing the sheet glass.
【0067】第9の電波吸収性パネルの製造方法によれ
ば、第1の導電体を形成した第1の板ガラスと第2の導
電体を形成した第2の板ガラスを第1の絶縁層を介して
接合する工程は、第1の板ガラスと第2の板ガラスの間
に樹脂をはさみ圧着する工程と、樹脂をはさみ圧着した
第1の板ガラスと第2の板ガラスを加熱し加圧する工程
から成るため、2つの導電体を近距離に保持し、2つの
導電体間の電気絶縁性が高く構造的に安定した電波吸収
性パネルを製造することができる。According to the ninth method for manufacturing a radio wave absorbing panel, the first sheet glass on which the first conductor is formed and the second sheet glass on which the second conductor is formed are interposed via the first insulating layer. The step of bonding by joining the resin between the first sheet glass and the second sheet glass, and the step of heating and pressurizing the first sheet glass and the second sheet glass sandwiched by the resin, By holding the two conductors at a short distance, it is possible to manufacture a radio wave absorbing panel that has high electrical insulation between the two conductors and is structurally stable.
【0068】第10の電波吸収性パネルの製造方法(請
求項28に対応)は、上記の方法において、好ましくは
第1の絶縁層を介して接合した第1の導電体を形成した
第1の板ガラスと第2の導電体を形成した第2の板ガラ
スを第3の絶縁層を介して第3の導電体を形成した第3
の板ガラスを接合する工程は、第1の絶縁層を介して接
合した第1の導電体を形成した第1の板ガラスと第2の
導電体を形成した第2の板ガラスを板周辺をスペーサを
介して第3の導電体を形成した第3の板ガラスを接合す
る工程と、スペーサを介して接合した第1の板ガラスお
よび第2の板ガラスと第3の板ガラスが形成する空間に
気体を封入する工程と、から成ることで特徴づけられ
る。A tenth method for manufacturing a radio wave absorbing panel (corresponding to claim 28) is a method for manufacturing a radio wave absorbing panel according to the first method, wherein the first conductor is preferably formed by bonding a first conductor through a first insulating layer. A third sheet glass on which a third conductor is formed via a third insulating layer is formed on the second sheet glass on which the sheet glass and the second conductor are formed.
The step of bonding the sheet glass of the above is performed by connecting the first sheet glass formed with the first conductor and the second sheet glass formed with the second conductor, which are bonded via the first insulating layer, to the periphery of the sheet via a spacer. Bonding the third glass sheet having the third conductor formed thereon, and sealing the gas into the space formed by the first and second glass sheets and the third glass sheet bonded via the spacer. , Consisting of:
【0069】第10の電波吸収性パネルの製造方法によ
れば、第1の絶縁層を介して接合した第1の導電体を形
成した第1の板ガラスと第2の導電体を形成した第2の
板ガラスを第3の絶縁層を介して第3の導電体を形成し
た第3の板ガラスを接合する工程は、第1の絶縁層を介
して接合した第1の導電体を形成した第1の板ガラスと
第2の導電体を形成した第2の板ガラスを板周辺をスペ
ーサを介して第3の導電体を形成した第3の板ガラスを
接合する工程と、スペーサを介して接合した第1の板ガ
ラスおよび第2の板ガラスと第3の板ガラスが形成する
空間に気体を封入する工程とから成るため、コストと手
間がかからずに、第2の導電体と第3の導電体の間隔が
広い、優れた断熱性を持つ電波吸収性パネルを製造する
ことができる。According to the tenth method for manufacturing a radio wave absorbing panel, the first plate glass on which the first conductor is formed and the second plate on which the second conductor is formed are bonded via the first insulating layer. Bonding the third glass sheet on which the third conductor is formed via the third insulating layer to the third glass sheet via the first insulating layer. A step of joining the sheet glass and the second sheet glass on which the second conductor is formed to the periphery of the sheet with a third sheet glass on which the third conductor is formed via a spacer, and the step of joining the first sheet glass via the spacer And a step of filling a gas into a space formed by the second glass sheet and the third glass sheet, so that the space between the second conductor and the third conductor is wide without cost and labor. A radio wave absorbing panel having excellent heat insulating properties can be manufactured.
【0070】第11の電波吸収性パネルの製造方法(請
求項29に対応)は、上記の方法において、好ましくは
気体は、乾燥空気、アルゴン、クリプトン、キセノン、
またはSF6であることで特徴づけられる。An eleventh method of manufacturing a radio wave absorbing panel (corresponding to claim 29) is characterized in that, in the above method, the gas is preferably dry air, argon, krypton, xenon,
Or characterized by an SF 6.
【0071】第11の電波吸収性パネルの製造方法によ
れば、気体は、乾燥空気、アルゴン、クリプトン、キセ
ノン、またはSF6であるため、断熱性に優れ防音性能
も高い電波吸収性パネルを製造することができる。According to the eleventh method for producing a radio wave absorbing panel, since the gas is dry air, argon, krypton, xenon, or SF 6 , the radio wave absorbing panel having excellent heat insulation and high soundproofing performance is manufactured. can do.
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【0072】図1および図2に従って本発明の第1の実
施形態を説明する。図1および図2では、第1の板ガラ
ス1と、この第1の板ガラス1の片面(内側面)に一様
に形成された第1の導電体2と、第1の板ガラス1と平
行に配置された第3の板ガラス3と、この第3の板ガラ
ス3の片面(内側面)に一様に形成された電波反射用の
第3の導電体4が示されている。また、第1の板ガラス
1と第3の板ガラス3の間に平行に配置された第2の板
ガラス5と、この第2の板ガラス5の片面(第1の板ガ
ラス1側の面)に形成された少なくとも吸収すべき電波
の電界方向に複数に切断された第2の導電体6が示され
ている。さらに、第1の導電体2と第2の導電体6の間
に第1の絶縁層7と、第2の導電体6と第3の導電体4
の間に第2の絶縁層8が示されている。第1の導電体2
と第3の導電体4との距離がdで示されている。第1の
板ガラス1と第3の板ガラス5と第2の板ガラス3は互
いに平行であることが望ましいが、厳密に平行である必
要はない。対面関係が維持されれば十分である。A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 1 and FIG. 2, a first glass sheet 1, a first conductor 2 uniformly formed on one surface (inner side) of the first glass sheet 1, and a first glass sheet 1 are arranged in parallel to the first glass sheet 1. The illustrated third plate glass 3 and a third conductor 4 for radio wave reflection uniformly formed on one surface (inner surface) of the third plate glass 3 are shown. Further, a second glass sheet 5 arranged in parallel between the first glass sheet 1 and the third glass sheet 3 and one surface of the second glass sheet 5 (the surface on the first glass sheet 1 side) are formed. The second conductor 6 is shown cut at least in the direction of the electric field of the radio wave to be absorbed. Furthermore, a first insulating layer 7 between the first conductor 2 and the second conductor 6, a second conductor 6 and a third conductor 4
The second insulating layer 8 is shown between them. First conductor 2
The distance between the first conductor 4 and the third conductor 4 is indicated by d. The first glass plate 1, the third glass plate 5, and the second glass plate 3 are preferably parallel to each other, but need not be strictly parallel. It is enough if the face-to-face relationship is maintained.
【0073】第2の板ガラス5には、5mm程度の厚さ
で、強度を保つために十分な厚さがあればよい。第1の
板ガラス1と第3の板ガラス3の厚さは、強度を保てる
程度の厚さであればよい。The second glass sheet 5 should have a thickness of about 5 mm and a thickness sufficient to maintain the strength. The thickness of the first sheet glass 1 and the third sheet glass 3 may be any thickness as long as the strength can be maintained.
【0074】第1の導電体2は、真空のインピーダンス
と整合して電波の一部を反射し、他の一部を透過させる
役割を有する。真空のインピーダンスは、120πすな
わち約377Ω/□であるが、本発明の電波吸収性パネ
ルの場合、他の要素によって第1の導電体の最適値が変
化するので、それらの要素を考慮すると表面抵抗値が1
00〜700Ω/□である導電性を有するのが望まし
い。The first conductor 2 has a function of reflecting a part of the radio wave and transmitting the other part in accordance with the impedance of the vacuum. Although the vacuum impedance is 120π, that is, about 377 Ω / □, in the case of the radio wave absorbing panel of the present invention, the optimum value of the first conductor changes depending on other factors. Value is 1
It is desirable to have a conductivity of 00 to 700 Ω / □.
【0075】第2の導電体6は、少なくとも吸収すべき
電波の電界方向に複数に切断されているため、前述の特
開平10−275997号公報に説明されているように
実効誘電率が巨大となり電波吸収性パネルの厚さを薄く
する効果を有する。第2の導電体6の切断形状は、図
3、図4に示すようなストライプ形状や格子形状が考え
られる。しかし、必ずしもストライプ状または格子状で
なくとも良く、そのときには、吸収すべき電波の周波数
に合わせて膜幅や切断幅の大きさを設計することが必要
である。また、切断形状は、他の構成要素の設計にも影
響する。第2の導電体6の切断されていない部分は、で
きるだけ高い導電性を有する方が一般に優れた電波吸収
性能を有するので、表面抵抗値が少なくとも50Ω/□
以下、好ましくは20Ω/□以下、更に好ましくは10
Ω/□以下である導電性を有することが望ましい。Since the second conductor 6 is cut at least in the direction of the electric field of the radio wave to be absorbed, the effective dielectric constant becomes large as described in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-275997. This has the effect of reducing the thickness of the radio wave absorbing panel. The cut shape of the second conductor 6 may be a stripe shape or a lattice shape as shown in FIGS. However, it is not always necessary to use a stripe shape or a grid shape. In such a case, it is necessary to design the film width and the cutting width in accordance with the frequency of the radio wave to be absorbed. Also, the cut shape affects the design of other components. The uncut portion of the second conductor 6 generally has excellent electric wave absorption performance if it has as high conductivity as possible, and therefore has a surface resistance of at least 50 Ω / □.
Or less, preferably 20Ω / □ or less, more preferably 10Ω / □ or less.
It is desirable to have a conductivity of Ω / □ or less.
【0076】第3の導電体4は、電波の反射層である。
吸収すべき電波の到来方向とは逆方向から到来した電波
は、まずこの反射層に入射するので、そのままほとんど
全て反射されてしまう。第3の導電体4は、できるだけ
高い導電性を有する方が一般に優れた電波吸収性能を有
するので、表面抵抗値が少なくとも50Ω/□以下、好
ましくは20Ω/□以下、更に好ましくは10Ω/□以
下、もっと望ましくは5Ω/□以下である導電性を有す
ることが望ましい。The third conductor 4 is a radio wave reflection layer.
Radio waves arriving from a direction opposite to the direction of arrival of radio waves to be absorbed first enter this reflective layer, and are almost completely reflected as they are. Since the third conductor 4 has higher electric conductivity as much as possible and generally has better radio wave absorption performance, the third conductor 4 has a surface resistance of at least 50 Ω / □ or less, preferably 20 Ω / □ or less, more preferably 10 Ω / □ or less. , More desirably having a conductivity of 5Ω / □ or less.
【0077】第1の導電体2は、透明酸化物半導体また
は金属窒化物により形成することが望ましい。また、金
属薄膜によっても形成することができるが、表面抵抗値
が100〜700Ω/□の領域の導電性を得るためには
金属薄膜を非常に薄くすることが必要で、特性の成膜時
の安定性や長期安定性に問題が生じやすい。金属窒化物
や透明酸化物半導体はこの領域の導電性を比較的安定し
て得ることができる。The first conductor 2 is desirably formed of a transparent oxide semiconductor or a metal nitride. In addition, although it can be formed by a metal thin film, it is necessary to make the metal thin film very thin in order to obtain conductivity in a region having a surface resistance of 100 to 700 Ω / □. Problems tend to occur in stability and long-term stability. The metal nitride and the transparent oxide semiconductor can obtain the conductivity in this region relatively stably.
【0078】第2の導電体6および第3の導電体4は、
金属薄膜、透明酸化物半導体または金属−誘電体多層膜
であることが望ましい。透明酸化物半導体を用いると表
面抵抗値が20Ω/□以下である導電性を安定して得る
ことができ、金属−誘電体多層膜を用いると表面抵抗値
が10Ω/□以下である導電性を安定して得ることがで
きる。The second conductor 6 and the third conductor 4 are
It is desirable to be a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal-dielectric multilayer film. When a transparent oxide semiconductor is used, the conductivity having a surface resistance of 20 Ω / □ or less can be obtained stably, and when the metal-dielectric multilayer film is used, the conductivity having a surface resistance of 10 Ω / □ or less can be obtained. It can be obtained stably.
【0079】第1の導電体2および第3の導電体4は、
吸収すべき電波の波長に比べて充分細かなメッシュの導
電性繊維織物体を選択することができる。このような構
成にすると、数々の特性の導電性繊維を自由に選択する
ことができ、導電体の電波吸収性能に対する特性を調整
し易い特徴がある。また、吸収すべき電波は、その多く
は可視光に比べて充分波長が長いので、可視光の透視性
に影響せず、吸収すべき電波に比べて充分細かいために
吸収すべき電波の透過・反射特性には影響しない、その
ようなメッシュの大きさを選択することができる。繊維
織物体は、そのままでは形状的に安定しないので、樹脂
層に挟んで、最終的には板ガラスに貼り付けて板状形状
を保持するのが望ましい。The first conductor 3 and the third conductor 4 are
It is possible to select a conductive fiber woven body having a mesh that is sufficiently fine compared to the wavelength of the radio wave to be absorbed. With such a configuration, conductive fibers having various characteristics can be freely selected, and the characteristics of the conductor with respect to the radio wave absorption performance can be easily adjusted. Also, most of the radio waves to be absorbed have sufficiently longer wavelengths than visible light, so they do not affect the visibility of visible light, and are sufficiently fine compared to the radio waves to be absorbed. Such a mesh size can be selected that does not affect the reflection properties. Since the fibrous woven fabric is not stable in shape as it is, it is preferable that the fibrous woven body is sandwiched between resin layers and finally adhered to a sheet glass to maintain the plate shape.
【0080】第1、第2および第3の導電体に酸化物半
導体を用いる場合、インジウム酸化物、インジウム酸化
物にスズ若しくはアンチモンをドープした酸化物、酸化
亜鉛、酸化亜鉛にアルミニウムをドープした酸化物また
はフッ素を添加した酸化スズを用いることができる。In the case where an oxide semiconductor is used for the first, second and third conductors, indium oxide, an oxide obtained by doping tin or antimony into indium oxide, zinc oxide, or an oxide obtained by doping aluminum to zinc oxide Or tin oxide to which fluorine is added can be used.
【0081】これらは、ゾルゲル法、熱スプレー法、熱
CVD法、真空法等で形成することができるが、フッ素
を添加した酸化スズは、熱CVD法で形成することがで
きるので大量生産に向き、化学的に安定な構造を有する
ので最も望ましい。酸化物半導体を特に第2および第3
の導電体に用いる場合、高い導電性が要求されるため、
膜厚が100nmを越える場合があるが、酸化物半導体
単一層では反射色の調整に制限があるため、酸化物半導
体層とガラスとの間に反射色を調整するための層が挿入
されていることが望ましい。そうすることによって、特
に第2の導電体6に用いる場合、導電体の切断線が目立
ち難くなり外観的に望ましい。These can be formed by a sol-gel method, a thermal spray method, a thermal CVD method, a vacuum method or the like. However, tin oxide to which fluorine is added can be formed by a thermal CVD method and is suitable for mass production. Most preferably, it has a chemically stable structure. Oxide semiconductors, particularly second and third oxide semiconductors
When used for conductors, because high conductivity is required,
Although the film thickness may exceed 100 nm, the adjustment of the reflection color is limited in the single oxide semiconductor layer; therefore, a layer for adjusting the reflection color is inserted between the oxide semiconductor layer and the glass. It is desirable. By doing so, especially when used for the second conductor 6, the cutting line of the conductor becomes less noticeable, which is desirable in appearance.
【0082】第1の導電体2に金属窒化物を用いると、
導電性の他、日射を反射・吸収することができるので、
日射遮蔽性を付与することができ、また、可視光反射を
制御することができるので意匠性を向上させることがで
きる。これらの特性は、建築物の外装窓ガラスに本発明
の電波吸収性パネルを用いる場合、特に望ましい特性で
ある。When metal nitride is used for the first conductor 2,
In addition to conductivity, it can reflect and absorb solar radiation,
It is possible to provide solar shading and to control the reflection of visible light, so that the design can be improved. These characteristics are particularly desirable when the radio wave absorbing panel of the present invention is used for an exterior window glass of a building.
【0083】第1の導電体2に金属窒化物を用いる場
合、膜形成には真空法を用いることが適している。特に
金属ターゲットを用い、反応性ガスの少なくとも一部に
窒素ガスを用いて金属窒化物を得る反応性スパッタ法
が、安定した特性の導電体を得ることができるので望ま
しい。When a metal nitride is used for the first conductor 2, it is suitable to use a vacuum method for forming a film. In particular, a reactive sputtering method using a metal target and using a nitrogen gas as at least a part of the reactive gas to obtain a metal nitride is preferable because a conductor having stable characteristics can be obtained.
【0084】第1の導電体2は、外気に直接面して配さ
れる場合があるので、金属薄膜、透明酸化物半導体また
は金属窒化物層には保護層をオーバーコートするのが望
ましい。保護層には、主に透明な金属酸化物、金蔵窒化
物または金属酸窒化物が用いられる。Since the first conductor 2 may be arranged directly facing the outside air, it is desirable to overcoat the metal thin film, the transparent oxide semiconductor or the metal nitride layer with a protective layer. For the protective layer, a transparent metal oxide, gold nitride or metal oxynitride is mainly used.
【0085】第2および第3の導電体として金属−誘電
体多層膜を用いる場合、透明性と導電性の組み合わせに
おいて最適の特性が得やすいため、金属は貴金属、特に
銀を主体とした貴金属を用いるのが望ましい。金属−誘
電体多層膜の構造としては、誘電体−金属−誘電体また
は誘電体−金属−誘電体−金属−誘電体の構造が代表的
であるが、誘電体−金属−誘電体−金属−誘電体の構造
の方が高い導電性が高可視光透過率で得やすい。これら
の構造の膜の形成方法としては、スパッタリング法が適
している。When a metal-dielectric multilayer film is used as the second and third conductors, optimal characteristics are easily obtained in a combination of transparency and conductivity. Therefore, the metal is a noble metal, particularly a noble metal mainly composed of silver. It is desirable to use. A typical structure of the metal-dielectric multilayer film is a dielectric-metal-dielectric or dielectric-metal-dielectric-metal-dielectric structure. Higher conductivity is easily obtained with a high visible light transmittance in the dielectric structure. As a method for forming a film having these structures, a sputtering method is suitable.
【0086】第1の絶縁層7は、可視光を透過する樹脂
であり、第2の絶縁層8は、空気層から成る。このよう
にして、第1の導電体2と第2の導電体6と第3の導電
体4および第1の絶縁層7と第2の絶縁層8は、可視光
を透過する性質を有している。The first insulating layer 7 is a resin that transmits visible light, and the second insulating layer 8 is an air layer. Thus, the first conductor 2, the second conductor 6, the third conductor 4, and the first insulating layer 7 and the second insulating layer 8 have a property of transmitting visible light. ing.
【0087】また、第2の導電体6は、前述の特開平1
0−275997号公報に説明されているように、第1
の導電体2と第3の導電体4の間に、大きな比誘電率ε
を持つ一様な誘電体膜が配置されている場合と同様な機
能を持たせるために設けられたものである。第1の板ガ
ラス1と第2の板ガラス3は、第1の導電膜2と第3の
導電膜4の間の距離dが、到来する電波Eの第1の導電
体2と第3の導電体4の間での多重反射の干渉による共
鳴が発生するように配置されている。The second conductor 6 is made of the same material as that described in
As described in Japanese Patent Application Publication No. 0-275997,
Between the second conductor 3 and the third conductor 4 has a large relative dielectric constant ε.
This is provided so as to have the same function as in the case where a uniform dielectric film having The distance d between the first conductive film 2 and the third conductive film 4 is such that the distance between the first conductive film 2 and the third conductive film 4 is equal to the distance between the first conductive glass 2 and the third conductive glass 4. 4 are arranged so as to generate resonance due to interference of multiple reflections between them.
【0088】次に、図5、6を用いて上記実施形態によ
る電波吸収性パネルの作用を説明するために、上記電波
吸収性パネルに波長λの電波Eが入射された場合を考え
る。Next, in order to explain the operation of the radio wave absorbing panel according to the above embodiment with reference to FIGS. 5 and 6, a case where a radio wave E having a wavelength λ is incident on the radio wave absorbing panel will be considered.
【0089】第1の板ガラス1に入射された電波Eの一
部は、第1の導電体2の表面で反射され、一部は、第1
の導電体2を透過する。その電波は、樹脂7、第2の導
電体6、第2の板ガラス5、第2の絶縁層8を透過し、
第1の板ガラス1と平行に配置された第3の板ガラス3
上に導電体によって形成された第3の導電体4によって
反射される。A part of the radio wave E incident on the first glass sheet 1 is reflected on the surface of the first conductor 2, and a part is
Through the conductor 2. The radio wave passes through the resin 7, the second conductor 6, the second glass sheet 5, and the second insulating layer 8,
Third glass sheet 3 arranged parallel to first glass sheet 1
The light is reflected by a third conductor 4 formed by a conductor thereon.
【0090】その反射された電波は、第2の絶縁層8、
第2の板ガラス5、第2の導電体6、第1の絶縁層7を
透過し、第1の導電体2で、一部は反射され、一部は透
過して空気中に出る。The reflected radio waves are transmitted to the second insulating layer 8,
The light passes through the second glass sheet 5, the second conductor 6, and the first insulating layer 7, and is partially reflected by the first conductor 2 and partially transmitted to the air.
【0091】そのとき、第1の絶縁層7と第2の絶縁層
8と第2の板ガラス5と第2の導電体6のそれぞれの持
つ誘電率から波長短縮が生じて空気中での電波の波長λ
よりも短くなる。特に、第2の導電体6を通過するとき
の電波の波長は、第2の導電体6の作用により、比誘電
率εが大きくなっているために、電波の波長は大幅に短
くなる。At this time, the dielectric constant of each of the first insulating layer 7, the second insulating layer 8, the second glass plate 5, and the second conductor 6 shortens the wavelength, and the radio wave in the air is reduced. Wavelength λ
Shorter than In particular, the wavelength of the radio wave when passing through the second conductor 6 is greatly reduced because the relative permittivity ε is increased by the action of the second conductor 6.
【0092】第1の導電体2と第3の導電体4との間の
距離dが、電波の多重反射の干渉による共鳴が発生する
ような距離、すなわち、第1の導電体2と第3の導電体
4の間での電波の波長の1/4の距離になっているの
で、第1の導電体2と第3の導電体4で反射された電波
の多重反射によって干渉による共鳴が起こり、第1の導
電体2から外側には、出射せず、100%第1の導電体
2により、第2の導電体6の方向に反射される。これに
より、電波吸収性パネルに入射された電波Eは、第1の
導電体2と第3の導電体4の間に閉じこめられ、第1の
導電体2と第3の導電体4の間に存在する第2の板ガラ
ス5と第1の絶縁層7と第2の絶縁層8によって吸収さ
れる。このようにして、電波吸収性パネルに入射した電
波は電波吸収性パネルにより吸収される。The distance d between the first conductor 2 and the third conductor 4 is such that resonance occurs due to interference of multiple reflections of radio waves, that is, the first conductor 2 and the third conductor 4.導電 of the wavelength of the radio wave between the first and second conductors 4 and 4, resonance occurs due to interference due to multiple reflections of the radio waves reflected by the first and third conductors 2 and 4. The light is not emitted to the outside from the first conductor 2 and is reflected by the first conductor 2 in the direction of the second conductor 6 by 100%. As a result, the radio wave E incident on the radio wave absorbing panel is confined between the first conductor 2 and the third conductor 4, and between the first conductor 2 and the third conductor 4. It is absorbed by the existing second glass sheet 5, first insulating layer 7 and second insulating layer 8. Thus, the radio wave incident on the radio wave absorbing panel is absorbed by the radio wave absorbing panel.
【0093】また図6に示すように、電波Eの入射角度
を考えた場合、第3の導電体4に角度θで入射し、角度
θで反射する。そのとき、第1の導電体2と第3の導電
体4の間で多重反射する電波の行路長の差は、第1の導
電体2と第3の導電体4の間の距離をdとしたとき、d
(1/cosθ−1)の整数倍となり、dが小さいほ
ど、すなわち、第1の導電体2と第3の導電体4の間の
距離dが小さいほど、角度変化による行路長の差の変化
も小さくなる。さらに、第1の導電体2と第3の導電体
4の間での比誘電率が大きいため、屈折率が高くなり、
入射角度が高くなっても、電波吸収性パネルの第1の導
電体2の面で大きく屈折するため、行路長の差の入射角
度依存性も小さくなる。そのため、電波の入射角度を多
少変化させても電波の多重反射の干渉による共鳴が発生
する。その結果、電波の入射角度による電波の吸収率の
変化が少なくなる。また、第1の導電体2と第2の導電
体6との距離が小さいほど、電波の入射角度による電波
の吸収率の変化がより少なくなる。As shown in FIG. 6, when considering the incident angle of the radio wave E, the electric wave E enters the third conductor 4 at an angle θ and is reflected at an angle θ. At that time, the difference between the path lengths of the radio waves that are multiple-reflected between the first conductor 2 and the third conductor 4 is represented by a distance d between the first conductor 2 and the third conductor 4. When d
(1 / cos θ−1), and the smaller the d, that is, the smaller the distance d between the first conductor 3 and the third conductor 4, the more the difference in the path length difference due to the angle change. Is also smaller. Furthermore, since the relative permittivity between the first conductor 2 and the third conductor 4 is large, the refractive index increases,
Even if the incident angle is increased, the light is largely refracted on the surface of the first conductor 2 of the radio wave absorbing panel, so that the dependence of the difference in path length on the incident angle is reduced. Therefore, even if the incident angle of the radio wave is slightly changed, resonance occurs due to interference of multiple reflections of the radio wave. As a result, a change in the absorptivity of the radio wave due to the incident angle of the radio wave is reduced. Also, as the distance between the first conductor 2 and the second conductor 6 is smaller, the change in the absorptivity of the radio wave due to the incident angle of the radio wave is smaller.
【0094】以上で説明したように、本実施形態による
電波吸収性パネルは、吸収すべき電波の電界方向に複数
に切断された第2の導電体が、第1の導電体とは近接し
て配置され、第3の導電体とは吸収すべき電波の周波数
に合わせて距離を隔てて配置されているので、電波吸収
特性が入射角度によって変化し難い電波吸収性パネルを
提供することができる。また、少なくとも導電体の内1
つは板ガラスに直接設けられているので、板状形状を強
固に保つことができ、不燃性も確保できる。As described above, in the radio wave absorbing panel according to the present embodiment, the second conductor cut into a plurality in the direction of the electric field of the radio wave to be absorbed is close to the first conductor. Since it is arranged and is spaced apart from the third conductor in accordance with the frequency of the radio wave to be absorbed, it is possible to provide a radio wave absorbing panel whose radio wave absorption characteristics are hardly changed by the incident angle. Also, at least one of the conductors
Since the fin is directly provided on the glass sheet, the platy shape can be firmly maintained and the nonflammability can be secured.
【0095】また、第1の絶縁層が可視光を透過する樹
脂であり、第2の絶縁層が空気層であるため、第1の導
電体と第2の導電体の間隙は樹脂で保持されるため、良
好な絶縁状態を保ったまま近接して配置することができ
る。また、樹脂層の厚さによって第1の導電体と第2の
導電体の間隔の微調整が容易で、しかも長期間安定に保
つことができる。また、第1の導電体と第2の導電体が
樹脂により封着されることにより、導電体が外気に触れ
ることがなく、電波吸収特性が長期間安定する。また、
第1の導電体または第2の導電体が直接板ガラスに設け
られている場合、ガラスが導電体を介し樹脂と接着して
いるので、ガラスが割れても飛び散ることがなく安全で
ある。また、第2の導電体が直接板ガラスに設けられて
いる場合、板ガラスの屈折率に近い値を有する透明な樹
脂を選択することにより、電界方向に複数に切断された
第2の導電体の切断線が見え難くなり、優れた外観を得
やすい。また、第2の導電体と第3の導電体との間に少
なくとも1つの空気層を有することにより、第1の導電
体と第2の導電体の間隔に比べ第2の導電体と第3の導
電体の間隔を広くとり易く、建築物の窓として用いた場
合、優れた断熱性を併せ持たせることができる。第3の
導電体が空気層に面している場合、導電体の有する遠赤
外線反射能(=低放射率)によって断熱性が更に高ま
る。また、板周辺をスペーサを介し封着して乾燥空気を
封入する構造により空気層を保持すると、導電体を外気
と遮断して保持することができ、電波吸収特性を長期間
安定させることができる。Further, since the first insulating layer is a resin that transmits visible light and the second insulating layer is an air layer, the gap between the first conductor and the second conductor is held by the resin. Therefore, they can be arranged close to each other while maintaining a good insulating state. Further, fine adjustment of the distance between the first conductor and the second conductor can be easily performed depending on the thickness of the resin layer, and can be kept stable for a long period of time. In addition, since the first conductor and the second conductor are sealed with the resin, the conductor does not come into contact with the outside air, and the radio wave absorption characteristics are stabilized for a long time. Also,
In the case where the first conductor or the second conductor is directly provided on the sheet glass, the glass is bonded to the resin via the conductor, so that even if the glass is broken, it does not scatter and is safe. In the case where the second conductor is provided directly on the glass sheet, by selecting a transparent resin having a value close to the refractive index of the glass sheet, the cutting of the second conductor cut into a plurality of pieces in the direction of the electric field can be performed. Lines are difficult to see and an excellent appearance is easily obtained. Further, by providing at least one air layer between the second conductor and the third conductor, the distance between the second conductor and the third conductor is larger than the distance between the first conductor and the second conductor. It is easy to widen the distance between the conductors, and when used as a window in a building, it can also have excellent heat insulating properties. When the third conductor faces the air layer, the heat insulating property is further enhanced by the far-infrared reflectivity (= low emissivity) of the conductor. Further, when the air layer is held by a structure in which the periphery of the plate is sealed via a spacer and the dry air is sealed, the conductor can be kept shut off from the outside air, and the electric wave absorption characteristics can be stabilized for a long time. .
【0096】なお第1の実施形態では、第2の絶縁層が
空気層であったが、空気層に代えてアルゴン、クリプト
ン、キセノン、SF6等と一部または全部を置き換える
ことができる。これらとおきかえることにより断熱性を
更に高めることができ、SF 6と置き換えた場合、防音
性能も高めることができる。In the first embodiment, the second insulating layer is
It was an air layer, but instead of an air layer, argon and crypto
Xenon, SF6Replace some or all with etc.
be able to. Insulation by replacing these
Can be further enhanced, SF 6If replaced, soundproof
Performance can also be enhanced.
【0097】また、第1の実施形態では、第1の絶縁層
は樹脂であったが、第1の絶縁層の別の構成として、第
1の導電体の電波の到来方向側に板ガラスが設けられ、
第2の導電体の電波の到来方向とは逆方向側にもう1枚
の板ガラスが設けられ、第1の絶縁層すなわち第1と第
2の導電体の間がピラーで支えられた真空層であり、ピ
ラーが少なくとも一部が絶縁性物質でできているか、ま
たは第2の導電体の切断線に沿って配されるようにして
もよい。In the first embodiment, the first insulating layer is made of resin. However, as another configuration of the first insulating layer, a sheet glass is provided on the side of the first conductor on which the radio wave arrives. And
Another sheet glass is provided on the side opposite to the direction of arrival of radio waves of the second conductor, and a first insulating layer, that is, a vacuum layer supported by pillars between the first and second conductors. Yes, the pillars may be at least partially made of an insulating material, or may be arranged along a cutting line of the second conductor.
【0098】このように構成することで、第1の導電体
と第2の導電体の2面がピラーを介して近距離に強固に
保持され、また2つの導電体が真空中に保持されるので
膜の特性が長期間安定する。また、真空層の有する断熱
性のため、建築物の窓として用いた場合、優れた断熱性
を併せ持たせることができる。良好な断熱性を発揮させ
るためには、真空層の真空度は1Pa以下であることが
望ましい。真空層に接している第1の導電体と第2の導
電体は遠赤外線反射能(低放射率)を有しているので、
これも断熱性向上に寄与する。第1の導電体と第2の導
電体は、互いに絶縁状態を保つ必要があるため、2面の
間隔を保つピラーは、少なくとも2面に接する面間が電
気的に絶縁されているか、または第2の導電体の切断線
に沿って配され、結果的に2つの導電体の絶縁を保つ構
造でなければならない。With this configuration, the two surfaces of the first conductor and the second conductor are firmly held at a short distance via the pillar, and the two conductors are held in a vacuum. Therefore, the characteristics of the film are stable for a long time. In addition, due to the heat insulating property of the vacuum layer, when used as a window of a building, excellent heat insulating properties can be provided. In order to exhibit good heat insulating properties, the degree of vacuum of the vacuum layer is desirably 1 Pa or less. Since the first conductor and the second conductor in contact with the vacuum layer have far-infrared reflectivity (low emissivity),
This also contributes to improving the heat insulation. Since the first conductor and the second conductor need to be kept insulated from each other, the pillar that keeps the space between the two surfaces is electrically insulated at least between the surfaces that are in contact with the two surfaces, or The structure must be arranged along the cutting line of the two conductors and, as a result, keep the insulation of the two conductors.
【0099】さらに、第1の絶縁層の別の構成として、
第1と第2の導電体の間に少なくとも1枚の板ガラスが
配されているようにしてもよい。Further, as another configuration of the first insulating layer,
At least one sheet glass may be arranged between the first and second conductors.
【0100】このような1枚の板ガラスの表裏両面に第
1の導電体と第2の導電体が設けられている場合、ガラ
スの総枚数が少なくなるため、電波吸収性パネルを軽量
化することが可能である。また、第1の導電体と第2の
導電体の間隔を安定に保持できる。When the first conductor and the second conductor are provided on both the front and back surfaces of such a single sheet of glass, the total number of glass is reduced, so that the weight of the radio wave absorbing panel can be reduced. Is possible. Further, the distance between the first conductor and the second conductor can be stably maintained.
【0101】また、第1の絶縁層の別の構成として、第
1と第2の導電体の間に少なくとも1層の可視光を透過
する絶縁性の無機物薄膜が配されるようにしてもよい。Further, as another configuration of the first insulating layer, at least one insulating inorganic thin film that transmits visible light may be disposed between the first and second conductors. .
【0102】このように構成すると、第1の導電体、無
機物薄膜、第2の導電体の順に連続して形成する、また
は第2の導電体、無機物薄膜、第1の導電体の順に連続
して形成する工程が可能となり、生産上のメリットが多
い上、自動的に第1の導電体または第2の導電体が上層
の無機物薄膜により保護されて長期安定性が保証され易
い。この構成は、第1の絶縁層を最も薄く良好な絶縁状
態で安定に実現する手段の一つである。With this configuration, the first conductor, the inorganic thin film, and the second conductor are successively formed in this order, or the second conductor, the inorganic thin film, and the first conductor are successively formed in this order. In addition to this, there are many advantages in production, and the first conductor or the second conductor is automatically protected by the upper inorganic thin film, so that long-term stability is easily guaranteed. This configuration is one of the means for stably realizing the first insulating layer in the thinnest and good insulating state.
【0103】また、電波吸収性パネルに、日射熱取得率
0.50以下の日射遮蔽性を有するようにすることで室
内に入る日射を弱めることができる。さらに、熱貫流率
3.0W/(m2・K)以下の断熱性を有するようにす
ることで、断熱性を保ちながら電波を吸収することがで
きる。Further, by making the radio wave absorbing panel have a solar shading property with a solar heat gain of 0.50 or less, the solar radiation entering the room can be reduced. Furthermore, by having heat insulation of not more than 3.0 W / (m 2 · K), it is possible to absorb radio waves while maintaining heat insulation.
【0104】以上のように、本発明の電波吸収性パネル
は、第1の絶縁層を真空層、樹脂層、少なくとも1枚の
板ガラス、または少なくとも1層の無機物薄膜としたの
で、2つの導電体間を高い電気絶縁性と構造的安定性を
確保したまま近距離に保持することができる。As described above, in the radio wave absorbing panel of the present invention, the first insulating layer is a vacuum layer, a resin layer, at least one sheet glass, or at least one layer of an inorganic thin film. The gap can be maintained at a short distance while ensuring high electrical insulation and structural stability.
【0105】なお、順に第1の導電体、第2の導電体、
第3の導電体、第2の導電体、第1の導電体と配設した
場合、第3の導電体両方向からの電波の反射層を兼ねる
ことができるので、両方向からの電波を吸収する電波吸
収性パネルとなる。この構成も本発明の範囲内である。The first conductor, the second conductor,
When the third conductor, the second conductor, and the first conductor are provided, the third conductor can also serve as a reflection layer of radio waves from both directions, so that radio waves absorbing radio waves from both directions can be used. It becomes an absorbent panel. This configuration is also within the scope of the present invention.
【0106】次に、本発明の電波吸収性パネルの製造方
法の第1実施形態を説明する。図7は、電波吸収性パネ
ルの製造方法の第1実施形態を示すフローチャートであ
る。電波吸収性パネルは、第1の板ガラスの片面に第1
の導電体を形成する工程(ST10)と、第2の板ガラ
スの片面に第2の導電体を形成する工程(ST11)
と、第3の板ガラスの片面に第3の導電体を形成する工
程(ST12)と、第1の導電体を形成した第1の板ガ
ラスと第2の導電体を形成した第2の板ガラスを第1の
絶縁層を介して接合する工程(ST13)と、第1の絶
縁層を介して接合した第1の導電体を形成した第1の板
ガラスと第2の導電体を形成した第2の板ガラスを第3
の絶縁層を介して第3の導電体を形成した第3の板ガラ
スを接合する工程(ST14)から成っている。Next, a first embodiment of the method for manufacturing a radio wave absorbing panel of the present invention will be described. FIG. 7 is a flowchart illustrating a first embodiment of a method for manufacturing a radio wave absorbing panel. The radio wave absorbing panel has a first sheet glass on one side.
Forming a conductor (ST10) and forming a second conductor on one surface of the second glass sheet (ST11).
Forming a third conductor on one surface of the third glass sheet (ST12); and forming the first glass sheet on which the first conductor is formed and the second glass sheet on which the second conductor is formed by the second step. A step (ST13) of joining via the first insulating layer, and a first sheet glass on which the first conductor is formed and a second sheet glass on which the second conductor is joined via the first insulating layer The third
(ST14) in which the third glass sheet on which the third conductor is formed is joined via the insulating layer.
【0107】第1の板ガラスの片面に第1の導電体を形
成する工程(ST10)は、次のようにして行われる。
厚さ3mmの通常のフロートガラスの片側表面に、図8
に示すようなカソードを4セット有した、いわゆるロー
ドロック式インライン型マグネトロンスパッタ装置によ
り、金属窒化物膜からなる導電体コーティングを膜付け
した。膜付けは、洗浄した板ガラス10を図8に示した
コーティング装置の入口からロードロックチャンバー1
4に搬送して所定の圧力まで真空排気し、コーティング
チャンバー15に搬送した後、コーティングチャンバー
15中にスパッタガスを導入し、排気ポンプとバランス
させて所定の圧力に調整した後、カソード16に電圧を
印加し放電を発生させて、各カソードにセットされた材
料をスパッタすることにより実施される。なお、本実施
形態ではコーティング時のガラスは特に加熱せず室温に
て膜付けした。The step (ST10) of forming the first conductor on one side of the first glass sheet is performed as follows.
FIG. 8 shows one side surface of a normal float glass having a thickness of 3 mm.
A conductive coating made of a metal nitride film was applied by a so-called load-lock type in-line magnetron sputtering apparatus having four sets of cathodes as shown in FIG. The film is applied by loading the washed plate glass 10 from the entrance of the coating apparatus shown in FIG.
4 and evacuated to a predetermined pressure. After being conveyed to the coating chamber 15, a sputtering gas is introduced into the coating chamber 15, adjusted to a predetermined pressure by balancing with an exhaust pump, and then a voltage is applied to the cathode 16. Is applied to generate a discharge, and the material set for each cathode is sputtered. In this embodiment, the glass at the time of coating was applied at room temperature without heating.
【0108】コーティングは次のようにして行った。ま
ず、チャンバー中に窒素ガスを圧力0.3Paとなるよ
うに導入し、チタンターゲットをセットしたカソード1
6cに直流電圧460Vを印加することにより、窒化チ
タン膜を形成した。膜の厚さはガラスを往復させる速度
と往復回数により調節し、18nmとした。The coating was performed as follows. First, a cathode 1 in which nitrogen gas was introduced into the chamber so as to have a pressure of 0.3 Pa and a titanium target was set.
By applying a DC voltage of 460 V to 6c, a titanium nitride film was formed. The thickness of the film was adjusted to 18 nm by adjusting the speed of reciprocating the glass and the number of reciprocations.
【0109】第2の板ガラスの片面に第2の導電体を形
成する工程(ST11)は、次のようにして行われる。
厚さ3mmの通常のフロートガラスの片側表面に、図9
に示すようなコーティングノズルを3セット有したCV
D装置により、酸化スズ膜を主体とする低放射率コーテ
ィングを膜付けした。膜付けは、洗浄した板ガラス10
をコーティング装置の入口にセットし、所定のコーティ
ング領域に搬送する間にヒータ11によって所定温度ま
で加熱し、加熱されたガラス表面にコーティングノズル
12によって原料ガスが導入され、ガスが熱分解反応を
起こすことにより実施される。なお、本実施形態ではコ
ーティング時のガラス表面温度が650℃になるように
ヒータを制御した。以下に、コーティングの詳細につい
て記述する。The step (ST11) of forming the second conductor on one surface of the second glass sheet is performed as follows.
FIG. 9 shows one side surface of a normal float glass having a thickness of 3 mm.
CV with three sets of coating nozzles as shown in
A low emissivity coating mainly composed of a tin oxide film was applied by a D apparatus. The film is applied to the washed plate glass 10
Is set at the entrance of the coating apparatus, and heated to a predetermined temperature by the heater 11 while being transported to a predetermined coating area, and the raw material gas is introduced into the heated glass surface by the coating nozzle 12, and the gas causes a thermal decomposition reaction. It is implemented by doing. In this embodiment, the heater is controlled so that the glass surface temperature during coating becomes 650 ° C. The details of the coating are described below.
【0110】まず、ガラスを第1ノズル12aに搬送
し、第1層として酸化スズ膜を形成した。次に、第2ノ
ズル12bにて第2層として酸化珪素膜を形成し、引き
続いて、第3ノズル12cにて第3層としてフッ素添加
した酸化スズ膜を形成した。形成された膜の厚さは、第
1層が約25nm、第2層が約25nm、第3層が約3
50nmであった。First, the glass was transported to the first nozzle 12a, and a tin oxide film was formed as a first layer. Next, a silicon oxide film was formed as a second layer by the second nozzle 12b, and subsequently, a tin oxide film doped with fluorine was formed as a third layer by the third nozzle 12c. The thickness of the formed film is about 25 nm for the first layer, about 25 nm for the second layer, and about 3 nm for the third layer.
It was 50 nm.
【0111】それぞれの膜の作製条件は以下の通りであ
る。第1層目の酸化スズ膜は、スズ原料としてのモノブ
チルスズトリクロライド(C4H9SnCl3)を150
℃に加熱し、その蒸気を窒素ガスを搬送ガスとして搬送
ガス1モル当たり0.001モルの濃度にて搬送し、第
1ノズルに導入すると共に、酸化ガスとしての酸素ガス
を同ノズルに別系統から導入し、ガラス表面上にて熱分
解反応および酸化反応を起こさせることにより形成し
た。The conditions for producing each film are as follows. The tin oxide film of the first layer is made of monobutyltin trichloride (C 4 H 9 SnCl 3 ) as a tin raw material for 150 minutes.
C., and the vapor is transported using nitrogen gas as a carrier gas at a concentration of 0.001 mol per mol of the carrier gas, introduced into the first nozzle, and oxygen gas as an oxidizing gas is supplied to the same nozzle through another system. And formed by causing a thermal decomposition reaction and an oxidation reaction on the glass surface.
【0112】第2層目の酸化珪素膜は、珪素原料として
のモノシラン(SiH4)ガスをボンベから直接第2ノ
ズルに導入し、酸化ガスとしての酸素ガスを前述の酸化
スズ膜の場合と同様に別系統からノズルに導入し、ガラ
ス表面上にて熱分解反応および酸化反応を起こさせるこ
とにより形成した。The silicon oxide film of the second layer is formed by introducing monosilane (SiH 4 ) gas as a silicon raw material directly into the second nozzle from a cylinder and supplying oxygen gas as an oxidizing gas in the same manner as in the case of the above-described tin oxide film. Was formed by introducing a thermal decomposition reaction and an oxidation reaction on a glass surface.
【0113】第3層目のフッ素添加した酸化スズ膜は、
第3ノズルにて第1層目の酸化スズ膜と基本的に同じ方
法で形成した。ただし、モノブチルスズトリクロライド
蒸気は搬送ガス1モル当たり0.01モル濃度と第1層
目の10倍の濃度とした。また、フッ素原料としてトリ
フルオロアセテート(CF3COOH)を加熱し、その
蒸気を窒素ガスを搬送ガスとして第3ノズルに別系統か
ら導入した。なお、スズ原料の分解反応促進のため、水
蒸気を窒素ガスを搬送ガスとして搬送ガス1モル当たり
5モル濃度にて搬送し、別系統からノズルに供給した。The third fluorine-containing tin oxide film is
The third nozzle was formed basically in the same manner as the first tin oxide film. However, the concentration of the monobutyltin trichloride vapor was 0.01 mol per mol of the carrier gas and 10 times the concentration of the first layer. Further, trifluoroacetate (CF 3 COOH) was heated as a fluorine raw material, and the vapor was introduced from a separate system into a third nozzle using nitrogen gas as a carrier gas. In order to promote the decomposition reaction of the tin raw material, water vapor was transported using nitrogen gas as a carrier gas at a concentration of 5 mol per mol of the carrier gas, and supplied to the nozzle from another system.
【0114】このようにして得られたフッ素添加した酸
化スズ主体のコーティングでは、第1層の酸化スズと第
2層の酸化珪素はガラスと第3層のフッ素添加した酸化
スズ膜の間の屈折率調整層として機能するため、フッ素
添加した酸化スズ層の光の干渉によって生じる虹色の反
射色を低減する効果を有する。第3層のフッ素添加した
酸化スズ膜は、酸化物半導体としての性質により良好な
可視光透過性と共に導電性を有しており、電波を制御す
る積極的な役割を担う。In the fluorinated tin oxide-based coating thus obtained, the first layer of tin oxide and the second layer of silicon oxide are refracted between the glass and the third layer of fluorinated tin oxide film. Since it functions as a rate adjusting layer, it has an effect of reducing a rainbow-like reflected color caused by light interference of the fluorine-added tin oxide layer. The fluorine doped tin oxide film of the third layer has good visible light transmittance and conductivity due to its properties as an oxide semiconductor, and plays an active role in controlling radio waves.
【0115】この導電膜コーティングされたガラスを吸
収すべき電波の電界方向に複数に切断するため、まず切
断部分以外の導電膜をマスキングテープで保護してサン
ドブラストで切断部分の膜を除去した。マスキングテー
プはニチバン(株)のNo.251を用い、サンドブラ
スト装置としては厚地鉄工(株)のアスコンドレスター
スポットブラスター4520型を用い、ブラスト圧力6
000hPaで粒度180番の金剛砂を吹き付けた。作
業後、良好に切断されていることを目視および抵抗計で
確認した。In order to cut the glass coated with the conductive film into a plurality of pieces in the direction of the electric field of a radio wave to be absorbed, first, the conductive film other than the cut portion was protected with a masking tape, and the film at the cut portion was removed by sandblasting. Masking tape is available from Nichiban No. 251 as a sand blasting machine, using an Ascondester spot blaster type 4520 manufactured by Atsushi Tekko Co., Ltd. at a blast pressure of 6
At 000 hPa, 180 grit sand was sprayed. After the operation, it was confirmed visually and by a resistance meter that the cutting was good.
【0116】第3の板ガラスの片面に第3の導電体を形
成する工程(ST12)は、厚さ3mmの通常のフロー
トガラスの片側表面に、図8に示すような、カソードを
4セット有した、いわゆるロードロック式インライン型
マグネトロンスパッタ装置により、誘電体/銀/誘電体
/銀/誘電体サンドイッチ構造膜からなる導電体コーテ
ィングを膜付けした。膜付けは、洗浄した板ガラス10
を図8に示したコーティング装置の入口からロードロッ
クチャンバー14に搬送して所定の圧力まで真空排気
し、コーティングチャンバー15に搬送した後、コーテ
ィングチャンバー15中にスパッタガスを導入し、排気
ポンプとバランスさせて所定の圧力に調整した後、カソ
ード16に電圧を印加し放電を発生させて、各カソード
にセットされた材料をスパッタすることにより実施され
る。なお、本実施形態ではコーティング持のガラスは特
に加熱せず室温にて膜付けした。以下に、コーティング
の詳細について記述する。In the step (ST12) of forming the third conductor on one surface of the third glass sheet, four sets of cathodes as shown in FIG. 8 were provided on one surface of a normal float glass having a thickness of 3 mm. A conductor coating composed of a dielectric / silver / dielectric / silver / dielectric sandwich structure film was applied by a so-called load lock type in-line magnetron sputtering apparatus. The film is applied to the washed plate glass 10
Is transported from the entrance of the coating apparatus shown in FIG. 8 to the load lock chamber 14 and evacuated to a predetermined pressure. After the pressure is adjusted to a predetermined value, a voltage is applied to the cathode 16 to generate a discharge and the material set for each cathode is sputtered. In the present embodiment, the glass with the coating was applied at room temperature without heating. The details of the coating are described below.
【0117】まず、チャンバー中に酸素ガスを圧力0.
3Paとなるように導入し、亜鉛ターゲットをセットし
たカソード16aに直流電圧440Vを印加して酸素ガ
スとの反応性スパッタリングを引き起こして、カソード
下をガラスを往復させることにより、第1層として酸化
亜鉛膜を形成した。First, oxygen gas was introduced into the chamber at a pressure of 0.
3 Pa, a DC voltage of 440 V was applied to the cathode 16a on which the zinc target was set to cause reactive sputtering with oxygen gas, and the glass was reciprocated under the cathode, whereby zinc oxide was used as the first layer. A film was formed.
【0118】次に、チャンバ中のガスをアルゴン(A
r)ガスに切り替え圧力0.3Paとなるようにし、銀
ターゲットをセットしたカソード16bに直流電圧48
5Vを印加してスパッタリングにより、第2層として銀
膜を形成した。その次に、第2層と同じアルゴンガス雰
囲気中で、チタンターゲットをセットしたカソード16
cに直流電圧310Vを印加することにより、第3層と
してチタン膜を形成した。次に、第1層と同様の方法で
第4層の酸化亜鉛膜、第2層と同様の方法で第5層の銀
膜、第3層と同様の方法で第6層の銀膜、第1層と同様
の方法で第7層の酸化亜鉛膜を形成した。Next, the gas in the chamber was changed to argon (A
r) The gas was switched to a pressure of 0.3 Pa, and a DC voltage of 48 was applied to the cathode 16b on which a silver target was set.
By applying a voltage of 5 V, a silver film was formed as a second layer by sputtering. Next, in the same argon gas atmosphere as the second layer, the cathode 16 with the titanium target set thereon was used.
By applying a DC voltage of 310 V to c, a titanium film was formed as a third layer. Next, the fourth layer zinc oxide film is formed in the same manner as the first layer, the fifth layer silver film is formed in the same manner as the second layer, the sixth layer silver film is formed in the same manner as the third layer. A seventh layer of a zinc oxide film was formed in the same manner as the first layer.
【0119】最後に、チャンバー中のガスをN2ガスに
切り替え圧力0.3Paとなるようにし、アルミニウム
を10wt%添加した珪素ターゲットをセットしたカソ
ード26dに直流電圧440Vを印加してスパッタリン
グにより、第8層としてアルミニウムが添加された窒化
珪素膜を形成した。膜の厚さはガラスを往復させる速度
と往復回数により調節し、第1層を16nm、第2層を
6nm、第3層を3nm、第4層を72nm、第5層を
13nm、第6層を3nm、第7層を19nm、第8層
を10nmとした。Finally, the gas in the chamber was switched to N 2 gas so that the pressure became 0.3 Pa, and a DC voltage of 440 V was applied to the cathode 26 d on which a silicon target to which aluminum was added at 10 wt% was set, and sputtering was performed. A silicon nitride film to which aluminum was added was formed as eight layers. The thickness of the film is adjusted by the speed and the number of reciprocations of the glass. The first layer is 16 nm, the second layer is 6 nm, the third layer is 3 nm, the fourth layer is 72 nm, the fifth layer is 13 nm, and the sixth layer. Was 3 nm, the seventh layer was 19 nm, and the eighth layer was 10 nm.
【0120】このようにして得られたコーティングで
は、第1層の酸化亜鉛膜はガラスと第2層の銀膜との間
の屈折率を調整する誘電体層として機能し、可視光透過
率を高める効果がある。第3層と第6層の薄いチタン膜
は、第4層と第7層の酸化亜鉛膜を膜付けする際に第2
層と第5層の銀膜を保護する働きを有しており、その時
に酸化物に変化する。第3層の酸化したチタン膜は第4
層の酸化亜鉛膜と共に第2層と第5層の銀膜の間で誘電
体キャビティ層として働き、可視光透過率を高める効果
を有する。第6層の酸化したチタン膜は第7層の酸化亜
鉛膜、第8層のアルミニウムが添加された窒化珪素膜と
共に、第5層の銀膜と空気との間の屈折率を調整する誘
電体層として機能するため、可視光透過率を高める効果
を有する。第2層と第5層の銀膜は良好な導電性を有し
ており、電波を制御する役割を担う。第8層のアルミニ
ウムが添加された窒化チタン膜はコーティングの化学的
機械的耐久性を増すオーバーコートとしての働きもあ
る。In the coating thus obtained, the zinc oxide film of the first layer functions as a dielectric layer for adjusting the refractive index between the glass and the silver film of the second layer, and reduces the visible light transmittance. Has the effect of increasing. The thin titanium film of the third layer and the sixth layer becomes the second layer when the zinc oxide film of the fourth layer and the seventh layer is deposited.
It has a function of protecting the silver film of the layer and the fifth layer, and at that time, it changes into an oxide. The third layer of oxidized titanium film is
It works as a dielectric cavity layer between the second layer and the fifth layer silver film together with the layer zinc oxide film, and has the effect of increasing the visible light transmittance. The oxidized titanium film of the sixth layer, together with the zinc oxide film of the seventh layer and the silicon nitride film to which aluminum is added, is a dielectric material for adjusting the refractive index between the silver film of the fifth layer and air. Since it functions as a layer, it has an effect of increasing visible light transmittance. The silver films of the second and fifth layers have good conductivity and play a role of controlling radio waves. The eighth layer of aluminum nitride-added titanium nitride also acts as an overcoat to increase the chemical and mechanical durability of the coating.
【0121】第1の導電体を形成した第1の板ガラスと
第2の導電体を形成した第2の板ガラスを第1の絶縁層
を介して接合する工程(ST13)は、次のようにして
行われる。第1の導電体として作製された金属窒化物膜
と、第2の導電体として作製した切断された酸化スズ膜
を内側にして、第1の絶縁体となる厚さ0.38mmの
ポリビニルブチラールシートを2枚のガラスでサンドイ
ッチしてローラーで圧着した。次に、オートクレーブ装
置で熱を加えながら加圧した。この工程により、ポリビ
ニルブチラールシートは透視性が生まれ、導電体に密着
した。The step (ST13) of joining the first sheet glass on which the first conductor is formed and the second sheet glass on which the second conductor is formed via the first insulating layer (ST13) is as follows. Done. A 0.38-mm-thick polyvinyl butyral sheet serving as a first insulator, with a metal nitride film produced as a first conductor and a cut tin oxide film produced as a second conductor inside. Was sandwiched between two sheets of glass and pressed with a roller. Next, pressure was applied while applying heat with an autoclave apparatus. By this step, the polyvinyl butyral sheet was made transparent and adhered to the conductor.
【0122】第1の絶縁層を介して接合した第1の導電
体を形成した第1の板ガラスと第2の導電体を形成した
第2の板ガラスを第3の絶縁層を介して第3の導電体を
形成した第3の板ガラスを接合する工程(ST14)に
より、樹脂によって一体化された2枚の板ガラスと第3
の導電体がコーティングされた板ガラスを間に第3の絶
縁体の一部となる空気層を設けて組み合わせて、図1の
電波吸収性パネルを完成させた。その際、第3の導電体
がコーティングされた面は空気層側になるように配し、
一体化された第1の導電体と第2の導電体は、第1、第
2、第3の導電体がこの順に並ぶように方向を選ばなけ
ればならない。空気層の形状を保持するためガラスの周
辺にアルミニウム製スペーサをブチルゴムで接着した。
スペーサ中には、空気層を乾燥雰囲気に保つための乾燥
剤を充填した。また、第3の導電体は銀層を用いている
ので、周辺からの腐食が起こらないように、スペーサ接
触部分の膜を除去した。このようにして作製された電波
吸収性パネルは、電波吸収特性が入射角度にあまり依存
せず安定しており、建築物の外装の用いるに充分な耐久
性を備えており、日射遮蔽性と断熱性も併せて兼ね備え
ていた。The first glass sheet on which the first conductor is formed and the second glass sheet on which the second conductor is formed are bonded via the first insulating layer to the third glass sheet via the third insulating layer. In the step (ST14) of joining the third sheet glass on which the conductor is formed, the two sheet glasses integrated with the resin and the third sheet glass are joined together.
The electric wave-absorbing panel of FIG. 1 was completed by combining a sheet glass coated with the above-mentioned conductor with an air layer serving as a part of the third insulator provided therebetween. At this time, the surface coated with the third conductor is arranged to be on the air layer side,
The direction of the integrated first and second conductors must be selected so that the first, second, and third conductors are arranged in this order. An aluminum spacer was bonded to the periphery of the glass with butyl rubber to maintain the shape of the air layer.
The spacer was filled with a desiccant for keeping the air layer in a dry atmosphere. Further, since the third conductor uses a silver layer, the film at the spacer contact portion was removed so that corrosion from the periphery did not occur. The radio wave absorbing panel produced in this way has stable radio wave absorption characteristics independent of the angle of incidence, and has sufficient durability to be used for the exterior of buildings. He also had sex.
【0123】次に、電波吸収性パネルの製造方法の第2
実施形態について説明する。この実施形態では、第2導
電体を形成する方法において、レーザを利用して行う。
それ以外の工程は、第1実施形態と同様である。まず、
板ガラスの片面の一面に一様に導電体を形成する。その
後、YAGレーザまたはCO2レーザを導電膜の切断部
分に照射する。それにより、レーザ光を吸収して局所的
に加熱される。このレーザによる局所加熱により、導電
膜は、変質、変形、蒸発する。導電膜が蒸発したとき
は、完全に切断された状態となり、第2導電膜が形成さ
れる。また、導電膜を完全に除去できなくとも、変質、
変形により、切断部の所定の電気絶縁性が確保されるこ
とにより、切断と同様の効果が得られ、第2導電膜を形
成することができる。Next, a second method of manufacturing the radio wave absorbing panel will be described.
An embodiment will be described. In this embodiment, a method for forming the second conductor is performed using a laser.
Other steps are the same as in the first embodiment. First,
A conductor is uniformly formed on one side of the glass sheet. After that, a cut portion of the conductive film is irradiated with a YAG laser or a CO 2 laser. Thereby, the laser beam is absorbed and locally heated. Due to the local heating by the laser, the conductive film is altered, deformed, and evaporated. When the conductive film evaporates, it is completely cut, and the second conductive film is formed. In addition, even if the conductive film cannot be completely removed,
By the deformation, the predetermined electrical insulation of the cut portion is ensured, so that the same effect as that of the cut can be obtained, and the second conductive film can be formed.
【0124】レーザを用いる切断方法はマスクも不要で
ダストや廃液が生じず環境負荷が少ない点で優れてい
る。また、切断形状をコンピュータ制御することができ
るので、形状を自由に選択することが可能である。The cutting method using a laser is excellent in that a mask is not required, dust and waste liquid are not generated, and an environmental load is small. Further, since the cutting shape can be controlled by a computer, the shape can be freely selected.
【0125】次に、電波吸収性パネルの製造方法の第3
の実施形態を説明する。この実施形態では、第2の導電
膜を形成する方法において、湿式エッチングにより行
う。それ以外の工程は、第1実施形態と同様の方法で行
う。板ガラス17の片面の一面に一様に導電体18を堆
積させる(図10a)。その後、図10bで示すよう
に、フォトレジスト19を一様に塗布する。その上にエ
ッチングする部分を露出するようなマスクを密着させ、
露光する。その後、現像とリンスをすることにより、図
10cで示すようにエッチングしたい部分のレジストが
除去され、開口部20が形成される。その状態でエッチ
ャントに浸けることにより、レジストの開口部20によ
り露出した導電体がエッチングされ(図10d)、除去
される。その後、フォトレジストを取り除くことによ
り、第2の導電体が形成される(図10e)。Next, the third method of manufacturing the radio wave absorbing panel will be described.
An embodiment will be described. In this embodiment, the method for forming the second conductive film is performed by wet etching. Other steps are performed in the same manner as in the first embodiment. The conductor 18 is uniformly deposited on one surface of the glass plate 17 (FIG. 10A). Thereafter, as shown in FIG. 10B, a photoresist 19 is uniformly applied. A mask that exposes the part to be etched is adhered to it,
Expose. Thereafter, by performing development and rinsing, the resist at the portion to be etched is removed as shown in FIG. By immersing in the etchant in this state, the conductor exposed by the opening 20 of the resist is etched (FIG. 10D) and removed. Thereafter, a second conductor is formed by removing the photoresist (FIG. 10e).
【0126】本実施形態では、第2の導電体の切断を導
電膜形成後において行うため、膜形成後に切断部分の膜
を機械的、化学的または熱的に除去すればよいので、工
程の自由度が比較的大きい利点がある。機械的に除去す
る場合、第2の導電体が金属−誘電体多層膜であれば、
金属またはセラミックを除去したい部分に擦り付けるだ
けで、最下層の金属を含む、それより上層の膜を除去す
ることができるので、切断部分の必要な絶縁性を確保す
ることができる。また、第2の導電体が酸化物半導体の
場合、本実施形態では、サンドブラストで行ったが、砥
石で研磨して除去しても良い。In this embodiment, since the second conductor is cut after the formation of the conductive film, the cut portion may be mechanically, chemically or thermally removed after the formation of the film. There is the advantage that the degree is relatively large. When mechanically removed, if the second conductor is a metal-dielectric multilayer film,
By simply rubbing the portion where the metal or ceramic is desired to be removed, the upper layer film including the lowermost metal can be removed, so that the necessary insulation of the cut portion can be secured. In the case where the second conductor is an oxide semiconductor, sand blasting is performed in this embodiment, but it may be removed by polishing with a grindstone.
【0127】なお、本実施形態では、第2の導電体の切
断を導電膜形成後において行ったが、切断は、導電体を
形成する時に成されても良い。このときには、導電体形
成前に切断部分をマスキングしておくことが必要であ
る。In this embodiment, the cutting of the second conductor is performed after the formation of the conductive film. However, the cutting may be performed when the conductor is formed. In this case, it is necessary to mask the cut portion before forming the conductor.
【0128】なお、本実施形態では、第1絶縁層を樹脂
としたが、ピラーを用いて真空でも良い。そのときに
は、断熱性がより良くなる。また、第2の導電体と第3
の導電体の空間には、空気をいれたがアルゴンなどの他
の気体を用いてもよい。そのときには、断熱性や防音性
が向上する。Although the first insulating layer is made of resin in the present embodiment, a vacuum may be formed by using pillars. At that time, the heat insulation becomes better. In addition, the second conductor and the third conductor
Although air is filled in the space of the conductor, another gas such as argon may be used. At that time, heat insulation and soundproofing are improved.
【0129】[0129]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、次の効果を奏する。As apparent from the above description, the present invention has the following effects.
【0130】吸収すべき電波の電界方向に複数に切断さ
れた第2の導電体が、第1の導電体とは接近して配置さ
れ、第3の導電体とは吸収すべき電波の周波数に合わせ
て距離を隔てて配置されているため、電波吸収特性が入
射角度によって変化し難い電波吸収性パネルを提供する
ことができる。また、第1の導電体と第2の導電体と第
3の導電体のうち少なくとも1つは板ガラスに直接設け
られているため、板状形状を強固に保つことができ、不
燃性も確保することができる。A second conductor cut into a plurality of pieces in the direction of the electric field of the radio wave to be absorbed is disposed close to the first conductor, and the third conductor is defined by the frequency of the radio wave to be absorbed. Since they are arranged at a distance from each other, it is possible to provide a radio wave absorbing panel in which the radio wave absorption characteristics are hardly changed by the incident angle. In addition, since at least one of the first conductor, the second conductor, and the third conductor is provided directly on the glass sheet, the plate shape can be firmly maintained, and nonflammability is also ensured. be able to.
【0131】また、第1の導電体と第2の導電体と第3
の導電体および第1の絶縁層と第2の絶縁層は、可視光
を透過する性質を有しているため、窓として電波吸収性
パネルを用いることができる。Further, the first conductor, the second conductor, and the third
Since the conductor and the first insulating layer and the second insulating layer have a property of transmitting visible light, a radio wave absorbing panel can be used as a window.
【0132】さらに、第2の絶縁層は、気体により形成
された層から成るため、特定の電波を吸収するための間
隔をガラスと第3導電被膜の間での樹脂層で確保する必
要がないので、コストと手間がかからない。また、第1
の導電体と第2の導電体の間隔に比べ第2の導電体と第
3の導電体の間隔を広くとり易い。Further, since the second insulating layer is composed of a layer formed of gas, it is not necessary to secure an interval for absorbing a specific radio wave with the resin layer between the glass and the third conductive film. So it is not costly and troublesome. Also, the first
The distance between the second conductor and the third conductor can be made wider than the distance between the second conductor and the second conductor.
【0133】また、電波吸収性パネルの製造方法が、第
1の板ガラスの片面に第1の導電体を形成する工程と、
第2の板ガラスの片面に第2の導電体を形成する工程
と、第3の板ガラスの片面に第3の導電体を形成する工
程と、第1の導電体を形成した第1の板ガラスと第2の
導電体を形成した第2の板ガラスを第1の絶縁層を介し
て接合する工程と、第1の絶縁層を介して接合した第1
の導電体を形成した第1の板ガラスと第2の導電体を形
成した第2の板ガラスを第3の絶縁層を介して第3の導
電体を形成した第3の板ガラスを接合する工程と、から
成るため、優れた電波吸収特性を持つ電波吸収性パネル
を製造することができる。Further, the method for manufacturing a radio wave absorbing panel includes a step of forming a first conductor on one surface of a first sheet glass;
A step of forming a second conductor on one side of the second glass sheet, a step of forming a third conductor on one side of the third glass sheet, and a step of forming the first glass sheet on which the first conductor is formed, Bonding the second glass sheet on which the second conductor is formed via the first insulating layer; and bonding the first glass sheet via the first insulating layer to the first glass sheet.
Bonding the first sheet glass having the conductor formed thereon and the second sheet glass having the second conductor formed thereon via a third insulating layer to a third sheet glass having the third conductor formed thereon; , A radio wave absorbing panel having excellent radio wave absorbing characteristics can be manufactured.
【0134】また、第1導電体と第2導電体の間を真空
層、樹脂層、少なくとも1枚のガラス、または少なくと
も1層の無機物薄膜としたので、電気絶縁性が高く構造
的に安定していて2つの導電体を近距離に保持すること
ができる。In addition, since a vacuum layer, a resin layer, at least one sheet of glass, or at least one layer of an inorganic thin film is provided between the first conductor and the second conductor, high electrical insulation and high structural stability can be obtained. And the two conductors can be held at a short distance.
【0135】また、第1導電体と第2導電体の間が真空
層であるか第2導電体と第3導電体の間が空気または断
熱ガス層で構成されている場合は、建材としての優れた
断熱性を確保することができる。When the space between the first conductor and the second conductor is a vacuum layer or the space between the second conductor and the third conductor is an air or heat-insulating gas layer, the material may be used as a building material. Excellent heat insulation can be ensured.
【0136】また、第1導電体が金属窒化物で形成され
ている場合は、建材としての優れた日射遮蔽性と意匠性
を併せ持たせることができる。Further, when the first conductor is formed of metal nitride, it is possible to have both excellent solar shading and design properties as a building material.
【図1】本発明の電波吸収性パネルの一部の外観斜視図
である。FIG. 1 is an external perspective view of a part of a radio wave absorbing panel of the present invention.
【図2】本発明の電波吸収性パネルの内部構造を示した
要部縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view of a main part showing an internal structure of the radio wave absorbing panel of the present invention.
【図3】本発明の電波吸収性パネルのストライプ形状の
第2の導電体のパターン図である。FIG. 3 is a pattern diagram of a stripe-shaped second conductor of the radio wave absorbing panel of the present invention.
【図4】本発明の電波吸収性パネルの格子形状の第2の
導電体のパターン図である。FIG. 4 is a pattern diagram of a grid-shaped second conductor of the radio wave absorbing panel of the present invention.
【図5】本発明の電波吸収性パネルの作用を説明するた
めの縦断面図である。FIG. 5 is a longitudinal sectional view for explaining the operation of the radio wave absorbing panel of the present invention.
【図6】本発明の電波吸収性パネルの作用を説明するた
めの縦断面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional view for explaining the operation of the radio wave absorbing panel of the present invention.
【図7】本発明の電波吸収性パネルの製造方法を示すフ
ローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing a method for manufacturing a radio wave absorbing panel of the present invention.
【図8】導電体コーティングを施すために用いられるス
パッタ装置の模式断面図である。FIG. 8 is a schematic sectional view of a sputtering apparatus used for applying a conductor coating.
【図9】導電体コーティングを施すために用いられるC
VD装置の模式断面図である。FIG. 9: C used to apply a conductor coating
It is a schematic cross section of a VD device.
【図10】第2の導電体を湿式エッチングで形成すると
きの板ガラスの断面図であり、(a)は、板ガラスの片
面に一様に導電体を堆積した後の断面図であり、(b)
は、導電体の上にフォトレジストを一様に塗布したとき
の断面図であり、(c)は、エッチングしたい部分のフ
ォトレジストを除去したときの断面図であり、(d)
は、フォトレジストの開口部により露出した導電体がエ
ッチングされたときの断面図である。10A and 10B are cross-sectional views of a sheet glass when a second conductor is formed by wet etching. FIG. 10A is a cross-sectional view after a conductor is uniformly deposited on one surface of the sheet glass. )
Is a cross-sectional view when a photoresist is uniformly applied on a conductor, (c) is a cross-sectional view when a portion of the photoresist to be etched is removed, and (d) is
FIG. 4 is a cross-sectional view when a conductor exposed through an opening of a photoresist is etched.
1 第1の板ガラス 2 第1の導電体 3 第3の板ガラス 4 第3の導電体 5 第2の板ガラス 6 第2の導電体 7 第1の絶縁層 8 第2の絶縁層 10 板ガラス 11 ヒーター 12 コーティングノズル 13 CVD装置 14 ロードロックチャンバー 15 コーティングチャンバー 16 カソード C ガラス搬送方向 D ガラス搬送方向 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st sheet glass 2 1st conductor 3 3rd sheet glass 4 3rd conductor 5 2nd sheet glass 6 2nd conductor 7 1st insulating layer 8 2nd insulating layer 10 sheet glass 11 heater 12 Coating nozzle 13 CVD equipment 14 Load lock chamber 15 Coating chamber 16 Cathode C Glass transport direction D Glass transport direction
フロントページの続き (72)発明者 村田 健治 大阪府大阪市中央区北浜四丁目7番28号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 正影 道裕 大阪府大阪市中央区北浜四丁目7番28号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 冨樫 元康 東京都港区芝一丁目11番11号 日本板硝子 環境アメニティ株式会社内 (72)発明者 星野 康 東京都港区芝一丁目11番11号 日本板硝子 環境アメニティ株式会社内 (72)発明者 原川 健一 千葉県印西市大塚一丁目5番地1 株式会 社竹中工務店技術研究所内 (72)発明者 斎藤 俊夫 千葉県印西市大塚一丁目5番地1 株式会 社竹中工務店技術研究所内 Fターム(参考) 4G061 AA01 AA29 BA01 CB02 CB05 CB06 CB19 CD02 CD19 CD21 5E321 AA46 BB23 BB25 BB41 BB60 GG05 GG11 GG12 GH01 Continued on the front page (72) Inventor Kenji Murata 4-7-28 Kitahama, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Nippon Sheet Glass Co., Ltd. (72) Michihiro Masakage 4- 7-28 Kitahama, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Nippon Sheet Glass Co., Ltd. (72) Inventor Motoyasu Togashi 1-1-11, Shiba, Minato-ku, Tokyo Nippon Sheet Glass Environmental Amenity Co., Ltd. (72) Inventor Yasushi Hoshino 1-11-11, Shiba, Minato-ku, Tokyo Nippon Sheet Glass Inside Environmental Amenity Co., Ltd. (72) Inventor Kenichi Harakawa 1-5-1, Otsuka, Inzai City, Chiba Prefecture Inside the Research Institute of Takenaka Corporation (72) Inventor Toshio Saito 1-5-1, Otsuka 1, Inzai City, Chiba Prefecture Stock Company 4G061 AA01 AA29 BA01 CB02 CB05 CB06 CB19 CD02 CD19 CD21 5E321 AA46 BB23 BB25 BB41 BB60 GG05 GG11 GG12 GH01
Claims (29)
波の一部を反射し他の一部を透過させる第1の導電体
と、 前記第1の導電体に近接して配置され少なくとも吸収す
べき電波の電界方向に複数に切断された第2の導電体
と、 吸収すべき電波の周波数に合わせて前記第2の導電体と
は距離を隔てて配置され吸収すべき電波を反射する第3
の導電体とが設けられ、 さらに、第1の導電体と第2の導電体の間に第1の絶縁
層、第2の導電体と第3の導電体の間に第2の絶縁層が
設けられ、 前記第1の導電体と前記第2の導電体と前記第3の導電
体のうち少なくとも1つは板ガラスに直接設けられてい
ることを特徴とする電波吸収性パネル。1. A first conductor which reflects a part of a radio wave and transmits another part thereof in order from the arrival direction of a radio wave to be absorbed; A second conductor cut into a plurality in the direction of the electric field of the radio wave to be absorbed, and a second conductor which is arranged at a distance from the second conductor according to the frequency of the radio wave to be absorbed and reflects the radio wave to be absorbed. 3
And a first insulating layer between the first conductor and the second conductor, and a second insulating layer between the second conductor and the third conductor. A radio wave absorbing panel, wherein at least one of the first conductor, the second conductor, and the third conductor is provided directly on a sheet glass.
前記第3の導電体および前記第1の絶縁層と前記第2の
絶縁層は、可視光を透過する性質を有していることを特
徴とする請求項1記載の電波吸収性パネル。2. The first conductor, the second conductor, the third conductor, and the first insulating layer and the second insulating layer have a property of transmitting visible light. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein
れた層から成ることを特徴とする請求項1記載の電波吸
収性パネル。3. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein said second insulating layer comprises a layer formed of a gas.
る請求項3記載の電波吸収性パネル。4. The radio wave absorbing panel according to claim 3, wherein the gas is air.
セノン、SF6ガスのうちいずれか1つの気体であるこ
とを特徴とする請求項3記載の電波吸収性パネル。5. The radio wave absorbing panel according to claim 3, wherein the gas is one of argon, krypton, xenon, and SF 6 gas.
脂から形成された層から成ることを特徴とする請求項1
記載の電波吸収性パネル。6. The method according to claim 1, wherein the first insulating layer is formed of a layer formed of a resin transmitting visible light.
The radio-absorbing panel described.
板ガラスが設けられ、 前記第2の導電体の電波の到来方向とは逆方向側にもう
1枚の板ガラスが設けられ、 前記第1の絶縁層がピラーで支えられた真空層から成
り、 前記ピラーは、少なくとも一部が絶縁性物質から成る
か、または前記第2の導電体の切断線に沿って配されて
いることを特徴とする請求項1記載の電波吸収性パネ
ル。7. A sheet glass is provided on the direction of arrival of radio waves of the first conductor, and another sheet of glass is provided on a side opposite to the direction of arrival of radio waves of the second conductor. Wherein the first insulating layer comprises a vacuum layer supported by pillars, wherein the pillars are at least partially made of an insulating material or are arranged along cutting lines of the second conductor. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein:
板ガラスから成ることを特徴とする請求項1記載の電波
吸収性パネル。8. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein the first insulating layer is made of at least one sheet glass.
無機物薄膜から成ることを特徴とする請求項1記載の電
波吸収性パネル。9. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein the first insulating layer comprises at least one inorganic thin film.
上かつ700Ω/□以下の表面抵抗値を有することを特
徴とする請求項1記載の電波吸収性パネル。10. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein the first conductor has a surface resistance of 100 Ω / □ or more and 700 Ω / □ or less.
の表面抵抗値を有することを特徴とする請求項1記載の
電波吸収性パネル。11. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein the second conductor has a surface resistance value of 50Ω / □ or less.
の表面抵抗値を有することを特徴とする請求項1記載の
電波吸収性パネル。12. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein the third conductor has a surface resistance of 50Ω / □ or less.
体または金属窒化物であることを特徴とする請求項1記
載の電波吸収性パネル。13. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein the first conductor is a transparent oxide semiconductor or a metal nitride.
は、金属薄膜、透明酸化物半導体または金属−誘電体多
層膜から成ることを特徴とする請求項1記載の電波吸収
性パネル。14. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein the second and / or third conductor is made of a metal thin film, a transparent oxide semiconductor, or a metal-dielectric multilayer film.
た酸化スズであることを特徴とする請求項13または1
4記載の電波吸収性パネル。15. The oxide semiconductor according to claim 13, wherein the oxide semiconductor is tin oxide to which fluorine is added.
4. The radio wave absorbing panel according to 4.
は、吸収すべき電波の波長に比べて細かいメッシュの導
電性繊維織物体であることを特徴とする請求項1記載の
電波吸収性パネル。16. The radio wave absorbent according to claim 1, wherein the first and / or third conductor is a conductive fiber woven fabric having a mesh finer than a wavelength of a radio wave to be absorbed. panel.
性を有することを特徴とする請求項1記載の電波吸収性
パネル。17. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein the panel has solar radiation shielding properties with a solar radiation heat acquisition rate of 0.50 or less.
の断熱性を有することを特徴とする請求項1記載の電波
吸収性パネル。18. The radio wave absorbing panel according to claim 1, wherein the panel has heat insulation properties of not more than 3.0 W / (m 2 · K).
を形成する工程と、 第2の板ガラスの片面に第2の導電体を形成する工程
と、 第3の板ガラスの片面に第3の導電体を形成する工程
と、 前記第1の導電体を形成した前記第1の板ガラスと前記
第2の導電体を形成した前記第2の板ガラスを第1の絶
縁層を介して接合する工程と、 前記第1の絶縁層を介して接合した前記第1の導電体を
形成した前記第1の板ガラスと前記第2の導電体を形成
した前記第2の板ガラスを第3の絶縁層を介して第3の
導電体を形成した第3の板ガラスを接合する工程と、か
ら成ることを特徴とする電波吸収性パネルの製造方法。19. A step of forming a first conductor on one side of a first sheet glass, a step of forming a second conductor on one side of a second sheet glass, and a step of forming a third conductor on one side of a third sheet glass. Forming the first conductor and bonding the first glass sheet on which the first conductor is formed and the second glass sheet on which the second conductor is formed via a first insulating layer. And the first sheet glass on which the first conductor is formed and the second sheet glass on which the second conductor is formed, which are joined via the first insulating layer, via a third insulating layer. Bonding a third glass sheet having a third conductor formed thereon by using a third conductor.
電体を形成する工程は、前記第1の板ガラスの片面に透
明酸化物半導体または金属窒化物を堆積する工程から成
ることを特徴とする請求項19記載の電波吸収性パネル
の製造方法。20. The step of forming a first conductor on one surface of the first plate glass comprises a step of depositing a transparent oxide semiconductor or a metal nitride on one surface of the first plate glass. The method for manufacturing a radio wave absorbing panel according to claim 19, wherein
電体を形成する工程は、前記第2の板ガラスの片面に金
属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒化物を堆積する
工程と、 前記第2の板ガラスの片面に堆積した金属薄膜、透明酸
化物または金属窒化物をサンドブラストによって吸収す
べき電波の電界方向に複数の切断を行う工程から成るこ
とを特徴とする請求項19記載の電波吸収性パネルの製
造方法。21. A step of forming a second conductor on one surface of the second plate glass, comprising: depositing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride on one surface of the second plate glass; 20. The radio wave absorption according to claim 19, comprising a step of performing a plurality of cuttings in a direction of an electric field of a radio wave to be absorbed by sandblasting the metal thin film, the transparent oxide or the metal nitride deposited on one surface of the second sheet glass. Manufacturing method of flexible panel.
電体を形成する工程は、前記第2の板ガラスの片面に金
属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒化物を堆積する
工程と、 前記第2の板ガラスの片面に堆積した金属薄膜、透明酸
化物半導体または金属窒化物を吸収すべき電波の電界方
向の複数のラインに沿ってレーザを照射し加熱すること
により前記ライン上の金属薄膜、透明酸化物半導体また
は金属窒化物を蒸発させる工程から成ることを特徴とす
る請求項19記載の電波吸収性パネルの製造方法。22. A step of forming a second conductor on one surface of the second plate glass, comprising: depositing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride on one surface of the second plate glass; A metal thin film deposited on one surface of the second glass sheet, a metal thin film on the line by irradiating a laser along a plurality of lines in the electric field direction of a radio wave to absorb a transparent oxide semiconductor or a metal nitride and heating the line, 20. The method according to claim 19, comprising a step of evaporating the transparent oxide semiconductor or the metal nitride.
電体を形成する工程は、前記第2の板ガラスの片面に金
属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒化物を堆積する
工程と、 前記第2の板ガラスの片面に堆積した金属薄膜、透明酸
化物半導体または金属窒化物を吸収すべき電波の電界方
向の複数のラインに沿ってレーザを照射し加熱すること
により前記ライン上の金属薄膜、透明酸化物半導体また
は金属窒化物を変質、変形させ、前記ライン上の金属薄
膜、透明酸化物半導体または金属窒化物の電気抵抗率を
所定の値以上にする工程から成ることを特徴とする請求
項19記載の電波吸収性パネルの製造方法。23. A step of forming a second conductor on one surface of the second glass sheet, comprising: depositing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride on one surface of the second glass sheet; A metal thin film deposited on one surface of the second glass sheet, a metal thin film on the line by irradiating a laser along a plurality of lines in the electric field direction of a radio wave to absorb a transparent oxide semiconductor or a metal nitride and heating the line, The method according to claim 1, further comprising the step of transforming and deforming the transparent oxide semiconductor or the metal nitride to make the electrical resistivity of the metal thin film, the transparent oxide semiconductor or the metal nitride on the line equal to or higher than a predetermined value. 20. The method for producing a radio wave absorbing panel according to item 19.
電体を形成する工程は、前記第2の板ガラスの片面に金
属薄膜、透明酸化物半導体または金属窒化膜を堆積する
工程と、 前記第2の板ガラスの片面に堆積した金属薄膜、透明酸
化物半導体または金属窒化物の上に吸収すべき電波の電
界方向の複数のラインに沿った開口を有する保護マスク
を形成する工程と、 前記保護マスクによりマスクした金属薄膜、透明酸化物
半導体または金属窒化物を堆積した前記第2の板ガラス
をエッチャントに浸けることによりウェットエッチング
し、前記開口により露出した金属薄膜、透明酸化物半導
体または金属窒化物を除去する工程から成ることを特徴
とする請求項19記載の電波吸収性パネルの製造方法。24. The step of forming a second conductor on one surface of the second plate glass, comprising: depositing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor or a metal nitride film on one surface of the second plate glass; Forming a protective mask having openings along a plurality of lines in a direction of an electric field of a radio wave to be absorbed on a metal thin film, a transparent oxide semiconductor, or a metal nitride deposited on one surface of a second glass sheet; The metal thin film masked by the mask, the second glass sheet on which the transparent oxide semiconductor or metal nitride is deposited is wet-etched by dipping in an etchant, and the metal thin film, transparent oxide semiconductor or metal nitride exposed through the opening is removed. 20. The method for manufacturing a radio wave absorbing panel according to claim 19, comprising a step of removing.
電体を形成する工程は、前記第3の板ガラスの片面に金
属薄膜、透明酸化物半導体または金属−誘電体多層膜を
堆積する工程から成ることを特徴とする請求項19記載
の電波吸収性パネルの製造方法。25. The step of forming a third conductor on one surface of the third glass sheet includes depositing a metal thin film, a transparent oxide semiconductor, or a metal-dielectric multilayer film on one surface of the third glass sheet. The method for manufacturing a radio wave absorbing panel according to claim 19, comprising:
の板ガラスと前記第2の導電体を形成した前記第2の板
ガラスを第1の絶縁層を介して接合する工程は、前記第
1の導電体を形成した前記第1の板ガラスと前記第2の
導電体を形成した前記第2の板ガラスの間にピラーを介
して接合する工程と、 前記ピラーを介して接合することによって前記第1の板
ガラスと前記第2の板ガラスの間に形成された空間を真
空にする工程と、から成ることを特徴とする請求項19
記載の電波吸収性パネルの製造方法。26. The method according to claim 26, wherein the first conductor is formed on the first conductor.
The step of bonding the plate glass and the second plate glass on which the second conductor is formed via a first insulating layer includes the step of joining the first plate glass on which the first conductor is formed and the second plate glass A step of bonding via a pillar between the second glass sheets on which the conductor is formed; and a space formed between the first glass sheet and the second glass sheet by bonding via the pillars. 20. The step of applying a vacuum.
A method for producing the radio wave absorbing panel according to the above.
の板ガラスと前記第2の導電体を形成した前記第2の板
ガラスを第1の絶縁層を介して接合する工程は、前記第
1の板ガラスと前記第2の板ガラスの間に樹脂をはさみ
圧着する工程と、 前記樹脂をはさみ圧着した前記第1の板ガラスと前記第
2の板ガラスを加熱し加圧する工程から成ることを特徴
とする請求項19記載の電波吸収性パネルの製造方法。27. The method according to claim 27, wherein the first conductor is formed on the first conductor.
The step of joining the first glass sheet and the second glass sheet, on which the second conductor is formed, via a first insulating layer, comprises sandwiching a resin between the first glass sheet and the second glass sheet and pressing them together. 20. The method of manufacturing a radio wave absorbing panel according to claim 19, comprising: a step of heating and pressurizing the first glass sheet and the second glass sheet that have been sandwiched and pressed with the resin.
記第1の導電体を形成した前記第1の板ガラスと前記第
2の導電体を形成した前記第2の板ガラスを第3の絶縁
層を介して第3の導電体を形成した第3の板ガラスを接
合する工程は、前記第1の絶縁層を介して接合した前記
第1の導電体を形成した前記第1の板ガラスと前記第2
の導電体を形成した前記第2の板ガラスを板周辺をスペ
ーサを介して第3の導電体を形成した第3の板ガラスを
接合する工程と、 前記スペーサを介して接合した第1の板ガラスおよび前
記第2の板ガラスと前記第3の板ガラスが形成する空間
に気体を封入する工程と、から成ることを特徴とする請
求項19記載の電波吸収性パネルの製造方法。28. A method according to claim 27, wherein the first glass sheet on which the first conductor is formed and the second glass sheet on which the second conductor is formed are joined by a third insulating layer. The step of bonding the third glass sheet having the third conductor formed thereon via a layer includes the step of bonding the first glass sheet having the first conductor formed via the first insulating layer and the third glass sheet. 2
Bonding the second plate glass having the conductor formed thereon to a third plate glass having a third conductor formed around the plate via a spacer; and bonding the first plate glass having the third conductor formed via the spacer and the 20. The method of manufacturing a radio wave absorbing panel according to claim 19, comprising: a step of filling a gas into a space formed by the second glass sheet and the third glass sheet.
リプトン、キセノン、またはSF6であることを特徴と
する請求項28記載の電波吸収性パネルの製造方法。29. The method according to claim 28, wherein the gas is dry air, argon, krypton, xenon, or SF 6 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001263805A JP2002151885A (en) | 2000-09-01 | 2001-08-31 | Radio wave absorbing panel and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000265807 | 2000-09-01 | ||
| JP2000-265807 | 2000-09-01 | ||
| JP2001263805A JP2002151885A (en) | 2000-09-01 | 2001-08-31 | Radio wave absorbing panel and method for manufacturing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002151885A true JP2002151885A (en) | 2002-05-24 |
Family
ID=26599096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001263805A Withdrawn JP2002151885A (en) | 2000-09-01 | 2001-08-31 | Radio wave absorbing panel and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002151885A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006211004A (en) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Radio wave absorber and manufacturing method thereof |
| JP2006282473A (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Nippon Sheet Glass Environment Amenity Co Ltd | Electromagnetic wave shielding glass |
| JP2006295101A (en) * | 2005-03-14 | 2006-10-26 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Noise suppressor, wiring member and multilayer circuit board |
| JP2008041947A (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Method for manufacturing wiring member |
| WO2008029776A1 (en) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Toray Industries, Inc. | Light transparent electromagnetic wave shield member and method for manufacturing the same |
| JP5452706B2 (en) * | 2010-02-23 | 2014-03-26 | 東急建設株式会社 | Reinforced concrete partition |
| JP2014138058A (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Panasonic Corp | Electromagnetic wave shield |
| JPWO2022102708A1 (en) * | 2020-11-13 | 2022-05-19 | ||
| WO2023243307A1 (en) * | 2022-06-13 | 2023-12-21 | 星和電機株式会社 | Electromagnetic wave inhibiting sheet, laminated electromagnetic wave inhibiting sheet, reflection loss adjusting method using electromagnetic wave inhibiting sheet, and reflection loss adjusting method using laminated electromagnetic wave inhibiting sheet |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001263805A patent/JP2002151885A/en not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006211004A (en) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Radio wave absorber and manufacturing method thereof |
| JP2006295101A (en) * | 2005-03-14 | 2006-10-26 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Noise suppressor, wiring member and multilayer circuit board |
| JP2006282473A (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Nippon Sheet Glass Environment Amenity Co Ltd | Electromagnetic wave shielding glass |
| JP2008041947A (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Method for manufacturing wiring member |
| WO2008029776A1 (en) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Toray Industries, Inc. | Light transparent electromagnetic wave shield member and method for manufacturing the same |
| US8695294B2 (en) | 2010-02-23 | 2014-04-15 | Tokyu Construction Co., Ltd. | Reinforced concrete partition body |
| JP5452706B2 (en) * | 2010-02-23 | 2014-03-26 | 東急建設株式会社 | Reinforced concrete partition |
| JP2014138058A (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Panasonic Corp | Electromagnetic wave shield |
| JPWO2022102708A1 (en) * | 2020-11-13 | 2022-05-19 | ||
| JP7798034B2 (en) | 2020-11-13 | 2026-01-14 | Agc株式会社 | electromagnetic wave shield |
| WO2023243307A1 (en) * | 2022-06-13 | 2023-12-21 | 星和電機株式会社 | Electromagnetic wave inhibiting sheet, laminated electromagnetic wave inhibiting sheet, reflection loss adjusting method using electromagnetic wave inhibiting sheet, and reflection loss adjusting method using laminated electromagnetic wave inhibiting sheet |
| JP2023181832A (en) * | 2022-06-13 | 2023-12-25 | 星和電機株式会社 | Electromagnetic wave suppression sheet, laminated electromagnetic wave suppression sheet, reflection loss adjustment method for electromagnetic wave suppression sheet, and reflection loss adjustment method for laminated electromagnetic wave suppression sheet |
| JP7703493B2 (en) | 2022-06-13 | 2025-07-07 | 星和電機株式会社 | Electromagnetic wave suppression sheet, laminated electromagnetic wave suppression sheet, reflection loss adjustment method for electromagnetic wave suppression sheet, and reflection loss adjustment method for laminated electromagnetic wave suppression sheet |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5364685A (en) | Laminated panel with low reflectance for radio waves | |
| JP3243789B2 (en) | Radio wave absorbing panel | |
| CN109843578A (en) | Film laminate and window product including film laminate | |
| EP3309343B1 (en) | Glazing arrangement | |
| CN107848874A (en) | Increase method of the radio frequency electromagnetic by the transmission of heat-intercepting glass plate | |
| JP2002151885A (en) | Radio wave absorbing panel and method for manufacturing the same | |
| EP4115042B1 (en) | Glazing unit | |
| JP7292540B1 (en) | glass body | |
| JPH0550548A (en) | Thermal ray-reflecting glass with radio wave-low reflecting property | |
| JP7479734B1 (en) | Radio-wave-transmitting heat-shielding double-glazed glass | |
| US12463327B2 (en) | 4G and/or 5G signal communication device | |
| JP2002076671A (en) | Electromagnetic wave absorber and method for absorbing electromagnetic wave | |
| JP2002076678A (en) | Electromagnetic wave absorber and method for absorbing electromagnetic wave | |
| US11677142B2 (en) | Glazing unit with a housing | |
| KR102579285B1 (en) | Glass Window Device for Selective Transmission of Electromagnetic Waves | |
| WO2024084748A1 (en) | Radio wave transmission-type heat-shielding multilayer glass | |
| JP2002076681A (en) | Electromagnetic wave absorbing body and method for absorbing the same | |
| JPH0542623A (en) | Laminated sheet having low radio reflectivity characteristic | |
| JPH06247745A (en) | Radio wave-transmissive and heat ray-reflecting glass | |
| JP2002076679A (en) | Electromagnetic wave absorber | |
| JP2002076672A (en) | Electromagnetic wave absorber | |
| US12057616B2 (en) | Glazing unit with a housing | |
| JP2002076676A (en) | Wave absorptive panel | |
| JPH03250797A (en) | Laminated plate with low radio wave reflection property | |
| JP2002033595A (en) | Electromagnetic wave absorber |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081104 |