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JP2002151473A - プラズマ処理装置及びその組立方法 - Google Patents

プラズマ処理装置及びその組立方法

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Publication number
JP2002151473A
JP2002151473A JP2000345008A JP2000345008A JP2002151473A JP 2002151473 A JP2002151473 A JP 2002151473A JP 2000345008 A JP2000345008 A JP 2000345008A JP 2000345008 A JP2000345008 A JP 2000345008A JP 2002151473 A JP2002151473 A JP 2002151473A
Authority
JP
Japan
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resin plate
plasma
shielding member
processing apparatus
plasma processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000345008A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Tomoyoshi
力 友吉
Katsuyuki Koizumi
克之 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
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Priority to KR1020037006396A priority patent/KR100791652B1/ko
Priority to PCT/JP2001/009923 priority patent/WO2002039495A1/ja
Priority to US10/416,568 priority patent/US20040035364A1/en
Publication of JP2002151473A publication Critical patent/JP2002151473A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
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    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
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    • H01J37/32477Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 遮蔽部材9は表面の一部がプラズマにより削
り取られて表面処理膜が無くなると、プラズマ処理に悪
影響を及ぼす虞があるため、従来は削り取られた部分が
限られた部分であってもその時点で遮蔽部材9の寿命と
判断し、遮蔽部材9を交換しなけらばならなず、遮蔽部
材9の交換コストが高くなる。 【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置10は、チャ
ンバー11内でウエハWを支持する下部電極12と、こ
の下部電極12で支持されたウエハWを処理するための
プラズマからチャンバー11の内周面を遮蔽する遮蔽部
材19と、この遮蔽部材19と下部電極12との隙間に
配置され且つチャンバー11内のガスを分散して排出す
るバッフルプレート18とを備え、遮蔽部材19の内周
面に樹脂板20を交換可能に装着し、且つ樹脂板20に
周方向の圧縮応力を付与したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置及び
その組立方法に関し、更に詳しくは、処理容器の内周面
のメンテナンス性を向上させたプラズマ処理装置及びそ
の組立方法に関する。
【0002】
【従来の技術】プラズマ処理装置は、例えば図6に示す
ように、所定の真空度を保持できる気密構造の処理容器
(以下、「チャンバー」と称す。)1と、このチャンバ
ー1の底面1Aに配置された載置台を兼ねる下部電極2
と、この下部電極2の上方に下部電極2と平行に配置さ
れた上部電極3とを備え、上部電極3からチャンバー1
内へエッチング等のプラズマ処理用ガスを同図のAで示
すように供給するようにしてある。下部電極2にはバイ
アス発生用の高周波電源4が整合器4Aを介して接続さ
れ、上部電極3にはプラズマ発生用の高周波電源5が整
合器5Aを介して接続されている。そして、上部電極3
からプラズマ処理用ガスを供給しながら上下両電極2、
3にそれぞれの高周波電力を印加して上下の電極2、3
間で所定のプラズマを発生させ、使用後のガスを矢印B
で示すように排気口1Bから排気する。
【0003】また、下部電極2にはチャンバー1の底面
1Aの中央孔を貫通する筒状の支持部材6Aが接続さ
れ、底面1Aの下方でボールネジ等を有する駆動機構6
Bに連結されている。支持部材6A上端の外周と底面1
A間にはベローズ7が取り付けられている。従って、下
部電極2はチャンバー1内で駆動機構6Bを介して昇降
し、プラズマ処理を行う時には下部電極2は上部電極3
との間で所定の隙間を形成するようにしてある。
【0004】下部電極2の上端近傍にはリング状のバッ
フルプレート8が取り付けられ、使用後のガスをバッフ
ルプレート8を介してチャンバー1内のプラズマ処理部
1Cから排気部1Bへ排出する。また、チャンバー1の
内周面には遮蔽部材9が着脱可能に取り付けられ、遮蔽
部材9によってチャンバー1の内周面を保護している。
遮蔽部材9はチャンバー1をイオン攻撃から防止し、ま
たプラズマ副生成物のチャンバー1内壁面への堆積を防
止してチャンバー1のクリーニング性を高めている。こ
の遮蔽部材9は基本的にはチャンバー1と同一材質の材
料によって形成され、その表面にはチャンバー1と同一
に表面処理が施されている。例えば、チャンバー1の表
面がアルマイト加工されたアルミニウム製のものであれ
ば、遮蔽部材9も同様にアルマイト処理されたアルミニ
ウムによって形成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、遮蔽部
材9は表面の一部がプラズマにより削り取られて表面処
理膜が無くなると、プラズマ処理に悪影響を及ぼす虞が
あるため、従来は削り取られた部分が限られた部分であ
ってもその時点で遮蔽部材9の寿命と判断し、遮蔽部材
9を交換しなけらばならないという課題があった。しか
も、遮蔽部材9自体の製作費が高価であるため、遮蔽部
材9の交換コストが高くなるという課題があった。
【0006】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、処理容器の内壁面または遮蔽部材のプラズ
マによる損傷から防止して遮蔽部材を繰り返し使用する
ことができ、ひいてはプラズマ処理コストの低減に寄与
することができ、しかもプラズマ副生成物の処理容器内
周面への堆積を防止してクリーニング性を高めることが
できるプラズマ処理装置及びその組立方法を提供するこ
とを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のプラズマ処理装置は、処理容器内でプラズマを発生さ
せ、上記処理容器内に配置された被処理体にプラズマ処
理を施すプラズマ処理装置において、上記処理容器のプ
ラズマと接触する内周面に樹脂板を交換可能に装着し、
且つ上記樹脂板に周方向の圧縮応力を付与したことを特
徴とするものである。
【0008】また、本発明の請求項2に記載のプラズマ
処理装置は、処理容器内で被処理体を支持する支持体
と、この支持体で支持された被処理体を処理するための
プラズマから上記処理容器の内周面を遮蔽する遮蔽部材
と、この遮蔽部材と上記支持体との隙間に配置され且つ
処理容器内のガスを分散して排出する分散板とを備えた
プラズマ処理装置において、上記遮蔽部材の内周面に樹
脂板を交換可能に装着し、且つ上記樹脂板に周方向の圧
縮応力を付与したことを特徴とするものである。
【0009】また、本発明の請求項3に記載のプラズマ
処理装置は、請求項2に記載の発明において、少なくと
も上記分散板で区画されるプラズマ領域に位置する上記
遮蔽部材に上記樹脂板を装着したことを特徴とするもの
である。
【0010】また、本発明の請求項4に記載のプラズマ
処理装置は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載
の発明において、上記樹脂板を帯状または円筒状に形成
したことを特徴とするものである。
【0011】また、本発明の請求項5に記載のプラズマ
処理装置は、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載
の発明において、上記帯状の樹脂板から円筒状に形成さ
れた樹脂板または上記円筒状の樹脂板の外周長さを上記
処理容器の内周面または上記遮蔽部材の内周面の円周長
さより0.1〜0.4%長く設定したことを特徴とする
ものである。
【0012】また、本発明の請求項6に記載のプラズマ
処理装置の組立方法は、処理容器内でプラズマを発生さ
せ、上記処理容器内に配置された被処理体にプラズマ処
理を施すプラズマ処理装置を組み立てる方法であって、
帯状の樹脂板の両端部を重ねて上記処理容器の内周長さ
よりも長い外周長さを有する円筒状に形成する工程と、
上記円筒状の樹脂板の一部を内側に撓ませて上記処理容
器の内面に合わせる工程と、上記撓ませた樹脂板を元の
円筒状に復元させて上記樹脂板に周方向の圧縮応力を付
与する工程とを備えたことを特徴とするものである。
【0013】また、本発明の請求項7に記載のプラズマ
処理装置の組立方法は、処理容器内でプラズマを発生さ
せ、上記処理容器内に配置された被処理体にプラズマ処
理を施すプラズマ処理装置を組み立てる方法であって、
上記処理容器の内周長さよりも長い外周長さを有する円
筒状の樹脂板の一部を内側に撓ませて上記処理容器の内
面に合わせる工程と、上記撓ませた樹脂板を元の円筒状
に復元させて上記樹脂板に周方向の圧縮応力を付与する
工程とを備えたことを特徴とするものである。
【0014】また、本発明の請求項8に記載のプラズマ
処理装置の組立方法は、処理容器内で被処理体を支持す
る支持体と、この支持体で支持された被処理体を処理す
るためのプラズマから上記処理容器の内周面を遮蔽する
遮蔽部材と、この遮蔽部材の内周面に樹脂板を交換可能
に装着されたプラズマ処理装置を組み立てる方法であっ
て、帯状の樹脂板の両端部を重ねて上記遮蔽部材の内周
長さよりも長い外周長さを有する円筒状に形成する工程
と、上記円筒状の樹脂板の一部を内側に撓ませて上記遮
蔽部材の内面に合わせる工程と、上記撓ませた樹脂板を
元の円筒状に復元させて上記樹脂板に周方向の圧縮応力
を付与する工程とを備えたことを特徴とするものであ
る。
【0015】また、本発明の請求項9に記載のプラズマ
処理装置の組立方法は、処理容器内で被処理体を支持す
る支持体と、この支持体で支持された被処理体を処理す
るためのプラズマから上記処理容器の内周面を遮蔽する
遮蔽部材と、この遮蔽部材の内周面に樹脂板を交換可能
に装着されたプラズマ処理装置を組み立てる方法であっ
て、上記遮蔽部材の内周長さよりも長い外周長さを有す
る円筒状の樹脂板の一部を内側に撓ませて上記遮蔽部材
の内面に合わせる工程と、上記撓ませた樹脂板を元の円
筒状に復元させて上記樹脂板に周方向の圧縮応力を付与
する工程とを備えたことを特徴とするものである。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図5に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本実施形態のプラズマ処
理装置10は、例えば図1に示すように、チャンバー1
1と、チャンバー11内でウエハWを載置する昇降可能
な下部電極12と、この下部電極12の上方に下部電極
12と平行に配置された上部電極13とを備え、基本構
造は従来のプラズマ処理装置に準じて構成されている。
下部電極12にはバイアス発生用の高周波電源14が整
合器14Aを介して接続され、上部電極13にはプラズ
マ発生用の高周波電源15が整合器15Aを介して接続
されている。下部電極12の表面には静電チャック16
が装着され、直流電源16Aからの高電圧によってウエ
ハWを静電吸着する。
【0017】また、下部電極12の外周縁部には炭化珪
素等のセラミックからなるフォーカスリング12Aが配
設され、フォーカスリング12Aを介して下部電極12
と上部電極13間で発生したプラズマをウエハWに集め
るようにしている。また、下部電極12のプラズマと接
触する部分には例えば石英からなる保護カバー12Bが
被覆され、保護カバー12Bによって下部電極12をプ
ラズマから保護している。上部電極13は例えば中空部
13Aを有し、その上面中央のガス受給孔13Bから処
理用ガスを受給し、その下部13Cに形成された供給孔
13Dからチャンバー11内へ処理用ガスを供給するよ
うになっている。尚、図1において、17はベローズで
ある。
【0018】上記下部電極12の上端部には円環状の分
散板(バッフルプレート)18が取り付けられ、プラズ
マ処理後のガスをバッフルプレート18の全周に渡って
形成された孔18Aを介してプラズマ処理部11Aから
排気部11B側へ排出するようにしている。このバッフ
ルプレート18は例えばアルマイト加工されたアルミニ
ウムによって形成されている。
【0019】而して、図1に示すように上記チャンバー
11の上部内周面には上端にフランジ部を有する筒状の
遮蔽部材19が装着されている。この遮蔽部材19は、
例えば表面がアルマイト加工されたアルミニウムによっ
て形成され、チャンバー11の内周面を被覆している。
更に、本実施形態では、遮蔽部材19の内周面には樹脂
板20が交換可能に装着されている。この樹脂板20
は、例えば耐熱性樹脂によって形成されている。耐熱性
樹脂であれば特に制限されないが、例えばベスペル(デ
ュポン社の商品名)等のポリイミド系樹脂、セラゾール
(クラリアント社の商品名)等のポリイミドアミド系樹
脂及び四フッ化エチレン系樹脂等が樹脂板20として好
ましく用いられる。尚、遮蔽部材19の材料は例えばチ
ャンバー11の材質に合わせて選択される。
【0020】上記樹脂板20は、例えば図2に示すよう
に帯状に形成されている。その両端には同図の(a)、
(b)に示すように重合部20A、20Bとなる薄肉部
が形成されている。そして、樹脂板20を遮蔽部材19
に装着する際に、樹脂板20を同図の(c)に示すよう
丸めた後、同図(d)に示すよう両端の重合部20A、
20Bを重ね合わせて円筒状に形成する。帯状の樹脂板
20は円筒状に形成された段階で遮蔽部材19へ装着す
る前の外周長さが遮蔽部材19の内周長さより0.1〜
0.4%長く設定されている。このように重合部20
A、20Bを重ねて円筒状に形成された樹脂板20の外
周長さを遮蔽部材19の内周長さより長く設定すること
により、樹脂板20が遮蔽部材19に装着された場合
に、重合部20A、20Bが重なった部分では一方の端
面が他方の重合部の段部に当接しているため、樹脂板2
0内に同図(d)の矢印で示す周方向の圧縮応力が働い
て樹脂板20が遮蔽部材19に密着し、遮蔽部材19か
ら外れないようになる。また、樹脂板20の幅方向の長
さは、少なくともプラズマ処理時のバッフルプレート1
8よりも上方の領域で遮蔽部材19の内周面を被覆する
寸法に設定され、遮蔽部材19が直にプラズマに曝され
ないようにしてある。この幅寸法より長く設定し、バッ
フルプレート18よりも下方に達していることが好まし
い。樹脂板20の厚さは適宜設定することができるが、
製作上1.5〜2.0mm程度に設定することが好まし
い。尚、図2において、20Cは終点検出用の窓に対応
する孔である。
【0021】ところで、上記帯状の樹脂板20は長手方
向の寸法を高精度に設定することが極めて重要である。
その長さが長すぎても短すぎても樹脂板20を遮蔽部材
19に対して密着した状態で装着させることが難しい。
そこで、本実施形態では図3に示す治具50を用いて樹
脂板20の長さを厳密に設定する。この治具50は、例
えばアルミニウムによって長尺状に形成された一対のプ
レート51、51と、これら両プレート51、51によ
って挟持された肉厚設定部材52と、肉厚設定部材52
を挟持した状態で両プレート51、51を連結固定する
複数のネジ部材53と、両プレート51、51の一端を
塞ぐ係止プレート54とを有している。また、両プレー
ト51、51の幅方向上端の内側にはテーパ面51A、
51Aが形成され、これらのテーパ面51A、51Aが
樹脂板20を治具50内に挿入する際のガイド面になっ
ている。この治具50は恒温室(図示せず)内で保存さ
れ、常に一定の温度(例えば、23±3℃)で使用して
樹脂板20の長さを厳密に設定できる状態にしてある。
樹脂板20の寸法を設定する場合には、樹脂板20を治
具50の両プレート51、51間に挿入し、その一端を
係止プレート54に当接させる。治具50の他端から樹
脂板20に他端が僅かに突出し、突出部分を裁断するこ
とで樹脂板20を所定の長さに厳密に設定することがで
きる。また、この治具50は出荷検査用の治具として用
いることもできる。
【0022】次に、帯状の樹脂板20を遮蔽部材19に
装着する方法について図4を参照しながら説明する。帯
状の樹脂板20の両端の重合部20A、20Bを重ね合
わせて円筒状にする。この状態で図4にしめすように、
円筒状の一部を内側に撓ませて遮蔽部材19内へ入り易
いようにする。次いで、同図の矢印で示すように樹脂板
20の円筒状の部分を遮蔽部材19の内周面に重ねた
後、内側に撓んだ部分を遮蔽部材19の内周面側へ押し
戻して円筒状態に復元し、樹脂板20全周を遮蔽部材1
9の内周面に密着させる。円筒状の樹脂板20の外周長
さは遮蔽部材19の内周長さより0.1〜0.4%を長
く設定されているため、樹脂板20は遮蔽部材19と密
着した状態でその周方向に圧縮応力が働くと共にその反
力が円筒状の樹脂板20の周方向に働き、ひいては樹脂
板20が拡径して遮蔽部材19の内周面に強固に密着
し、このままでは遮蔽部材19から簡単には外れない状
態になる。尚、図4において、遮蔽部材19の内周面に
形成された段部19Aは樹脂部材20の下端が当接する
段部である。
【0023】上記樹脂板20が装着された遮蔽部材19
をチャンバー11の内周面に装着すると、図1に示すよ
うにプラズマ発生領域のチャンバー11の内周面は樹脂
板20によって被覆されたプラズマ処理装置10が構成
される。このプラズマ処理装置10を用いてウエハWに
対してプラズマ処理を施すと、プラズマ電位とチャンバ
ー11のグランド電位との電位差によってプラズマ中の
イオンがチャンバー11の内周面を攻撃する。ところ
が、本実施形態ではチャンバー11の内周面に装着され
た遮蔽部材19が樹脂板20によって被覆されているた
め、樹脂板20が犠牲になって遮蔽部材19の損傷を防
止する。また、従来のようにイオンが遮蔽部材19を直
接攻撃しないため、イオンスパッタに起因するパーティ
クルが遮蔽部材19から発生することがなく、プラズマ
処理の歩留まりを向上させることができる。プラズマ処
理で樹脂板20が消耗した場合には、樹脂板20を交換
するだけで遮蔽部材19自体は繰り返し使用することが
できる。しかも樹脂板20を遮蔽部材19に対して簡単
に着脱することができるため、装置現場において簡単に
樹脂板20を交換することができる。
【0024】また、プラズマ中に副生成物が発生する
と、この副生成物は樹脂板20の内周面に堆積し、副生
成物が遮蔽部材19に直接堆積することはない。従っ
て、チャンバー11をクリーニングする際には樹脂板2
0を交換するだけでこの部分のクリーニングを行わなく
ても良く、クリーニング性を高めることができる。
【0025】以上説明したように本実施形態によれば、
遮蔽部材19の内周面に樹脂板20を交換可能に装着
し、且つ樹脂板20に周方向の圧縮応力を付与したた
め、樹脂板20と遮蔽部材19の間にプラズマが回り込
んで遮蔽部材19が損傷することを防止することができ
る。また、樹脂板20が摩滅しても樹脂板20を交換す
るだけで高価な遮蔽部材19をそのまま繰り返し使用す
ることができるため、プラズマ処理のコスト低減に寄与
することができる。樹脂板20の交換自体も装置現場で
簡単に行うことができる。また、プラズマ副生成物は樹
脂板20に堆積し、遮蔽部材19には直接堆積しないた
め、プラズマ損傷による樹脂板20の交換によりチャン
バー11内周面のクリーニングを省略することができ、
クリーニング性を高めることができる。また、樹脂板1
0は軽量であり、しかもスペースを取らないため、予備
品としての保管が容易である。
【0026】また、図5は本発明の他の実施形態に係る
樹脂板20’を遮蔽部材19に装着する状態を示す図で
ある。この樹脂板20’は最初から円筒状に形成されて
いる。その周方向の長さは帯状の樹脂板20を円筒状に
した場合と同じ長さになっている。つまり、円筒状の樹
脂板20’は遮蔽部材19へ装着する前の外周長さが遮
蔽部材19の内周長さより0.1〜0.4%長く設定さ
れている。この円筒状の樹脂板20’を遮蔽部材19に
装着する場合には、図4に示す場合と同様に円筒状の樹
脂板20’の一部を内側に撓ませつつ、遮蔽部材19内
へ樹脂板20’を装着する。樹脂板20’が装着される
と、樹脂板20’には周方向の圧縮応力が作用すると共
に樹脂板20’を拡径させる力が作用し、樹脂板20’
が遮蔽部材19と密着する。本実施形態においても上記
実施形態と同様の作用効果を期することができる。尚、
図5において、遮蔽部材19の内周面に形成された段部
19Aは樹脂部材20の下端が当接する段部である。
【0027】尚、上記各実施形態では樹脂板20、2
0’を遮蔽部材19に装着する場合について説明した
が、遮蔽部材の無い場合には上記各実施形態と同様の方
法でチャンバー(処理容器)の内壁面に直接樹脂板を装
着すれば、上記各実施形態と同様の作用効果を期するこ
とができる。また、本発明はプラズマ処理装置の全てに
適用することができる。
【0028】
【発明の効果】本発明の請求項1〜請求項9に記載の発
明によれば、処理容器の内壁面または遮蔽部材のプラズ
マによる損傷から防止して処理容器または遮蔽部材を繰
り返し使用することができ、ひいてはプラズマ処理コス
トの低減に寄与することができ、しかもプラズマ副生成
物の処理容器内周面への堆積を防止して処理容器または
遮蔽部材のクリーニング性を高めることができるプラズ
マ処理装置及びその組立方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプラズマ処理装置の一実施形態の要部
を模式的に示す断面図である。
【図2】図1に示すプラズマ処理装置に用いられた樹脂
板を取り出して示す図で、(a)は帯状の樹脂板を示す
展開図、(b)は(a)に示す樹脂板を上方から見た示
す平面図、(c)は(a)に示す樹脂板を丸めた状態を
示す斜視図、(d)は(a)に示す樹脂板の両端を重ね
合わせた状態を示す長手方向の断面図である。
【図3】図1に示す樹脂板の長さを測定する治具を示す
図で、(a)は長手方向の断面図、(b)は治具の一端
を示す正面図、(c)は治具の他端を示す正面図、
(d)は治具の一端の一部を拡大して示す図である。
【図4】図2に示す樹脂板を遮蔽部材に装着する状態を
示す斜視図である。
【図5】本発明の他の実施形態に用いられる樹脂板を遮
蔽部材に装着する状態を示す斜視図である。
【図6】従来のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す
断面図である。
【符号の説明】
10 プラズマ処理装置 11 チャンバー(処理容器) 12 下部電極(支持体) 18 バッフルプレート(分散板) 19 遮蔽部材 20、20’ 樹脂板 W ウエハ(被処理体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G075 AA24 AA30 AA51 CA47 DA02 EB01 EC10 FB12 FC20 4K030 FA01 KA08 KA30 KA46 5F004 AA15 BA04 BB21 BB23 BB28 BB29 BC02 CA04

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理容器内でプラズマを発生させ、上記
    処理容器内に配置された被処理体にプラズマ処理を施す
    プラズマ処理装置において、上記処理容器のプラズマと
    接触する内周面に樹脂板を交換可能に装着し、且つ上記
    樹脂板に周方向の圧縮応力を付与したことを特徴とする
    プラズマ処理装置。
  2. 【請求項2】 処理容器内で被処理体を支持する支持体
    と、この支持体で支持された被処理体を処理するための
    プラズマから上記処理容器の内周面を遮蔽する遮蔽部材
    と、この遮蔽部材と上記支持体との隙間に配置され且つ
    処理容器内のガスを分散して排出する分散板とを備えた
    プラズマ処理装置において、上記遮蔽部材の内周面に樹
    脂板を交換可能に装着し、且つ上記樹脂板に周方向の圧
    縮応力を付与したことを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 【請求項3】 少なくとも上記分散板で区画されるプラ
    ズマ領域に位置する上記遮蔽部材に上記樹脂板を装着し
    たことを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装
    置。
  4. 【請求項4】 上記樹脂板を帯状または円筒状に形成し
    たことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項
    に記載のプラズマ処理装置。
  5. 【請求項5】 上記帯状の樹脂板から円筒状に形成され
    た樹脂板または上記円筒状の樹脂板の外周長さを上記処
    理容器の内周面または上記遮蔽部材の内周面の円周長さ
    より0.1〜0.4%長く設定したことを特徴とする請
    求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のプラズマ処理
    装置。
  6. 【請求項6】 処理容器内でプラズマを発生させ、上記
    処理容器内に配置された被処理体にプラズマ処理を施す
    プラズマ処理装置を組み立てる方法であって、帯状の樹
    脂板の両端部を重ねて上記処理容器の内周長さよりも長
    い外周長さを有する円筒状に形成する工程と、上記円筒
    状の樹脂板の一部を内側に撓ませて上記処理容器の内面
    に合わせる工程と、上記撓ませた樹脂板を元の円筒状に
    復元させて上記樹脂板に周方向の圧縮応力を付与する工
    程とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置の組立
    方法。
  7. 【請求項7】 処理容器内でプラズマを発生させ、上記
    処理容器内に配置された被処理体にプラズマ処理を施す
    プラズマ処理装置を組み立てる方法であって、上記処理
    容器の内周長さよりも長い外周長さを有する円筒状の樹
    脂板の一部を内側に撓ませて上記処理容器の内面に合わ
    せる工程と、上記撓ませた樹脂板を元の円筒状に復元さ
    せて上記樹脂板に周方向の圧縮応力を付与する工程とを
    備えたことを特徴とするプラズマ処理装置の組立方法。
  8. 【請求項8】 処理容器内で被処理体を支持する支持体
    と、この支持体で支持された被処理体を処理するための
    プラズマから上記処理容器の内周面を遮蔽する遮蔽部材
    と、この遮蔽部材の内周面に樹脂板を交換可能に装着さ
    れたプラズマ処理装置を組み立てる方法であって、帯状
    の樹脂板の両端部を重ねて上記遮蔽部材の内周長さより
    も長い外周長さを有する円筒状に形成する工程と、上記
    円筒状の樹脂板の一部を内側に撓ませて上記遮蔽部材の
    内面に合わせる工程と、上記撓ませた樹脂板を元の円筒
    状に復元させて上記樹脂板に周方向の圧縮応力を付与す
    る工程とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置の
    組立方法。
  9. 【請求項9】 処理容器内で被処理体を支持する支持体
    と、この支持体で支持された被処理体を処理するための
    プラズマから上記処理容器の内周面を遮蔽する遮蔽部材
    と、この遮蔽部材の内周面に樹脂板を交換可能に装着さ
    れたプラズマ処理装置を組み立てる方法であって、上記
    遮蔽部材の内周長さよりも長い外周長さを有する円筒状
    の樹脂板の一部を内側に撓ませて上記遮蔽部材の内面に
    合わせる工程と、上記撓ませた樹脂板を元の円筒状に復
    元させて上記樹脂板に周方向の圧縮応力を付与する工程
    とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置の組立方
    法。
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