JP2002141309A - Dicing sheet and method of using the same - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract description 21
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 26
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 22
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- -1 polyol compound Chemical class 0.000 description 19
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 12
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 9
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 5
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- CCJVHHBXARCZQQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexa-1,3,5-triene styrene Chemical compound C(=C)C=CC(C)=C.C=CC1=CC=CC=C1 CCJVHHBXARCZQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical class C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 150000004291 polyenes Chemical class 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 3
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHONXVMOPDJLEY-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-3-phenylpropyl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCC(O)C1=CC=CC=C1 PHONXVMOPDJLEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=C(CN=C=O)C=C1 OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FWWWRCRHNMOYQY-UHFFFAOYSA-N 1,5-diisocyanato-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(N=C=O)C=C1N=C=O FWWWRCRHNMOYQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical compound CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;isocyanic acid Chemical group N=C=O.CCOC(N)=O RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229940117841 methacrylic acid copolymer Drugs 0.000 description 2
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920000346 polystyrene-polyisoprene block-polystyrene Polymers 0.000 description 2
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)CO GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPWGXYXJMQAWSX-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexa-1,3,5-triene Chemical class CC(=C)C=CC=C PPWGXYXJMQAWSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001334 alicyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- JQRRFDWXQOQICD-UHFFFAOYSA-N biphenylen-1-ylboronic acid Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=C1C=CC=C2B(O)O JQRRFDWXQOQICD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNAAXKXXDQLJIX-UHFFFAOYSA-N bis(2-cyclohexyl-3-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1CCCCC1C=1C(O)=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC(O)=C1C1CCCCC1 ZNAAXKXXDQLJIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKFAPHHHWRMPGC-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol prop-2-enoic acid Chemical compound CCCCO.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C LKFAPHHHWRMPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- PESYEWKSBIWTAK-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;titanium(2+) Chemical class [Ti+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 PESYEWKSBIWTAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- QKQSRIKBWKJGHW-UHFFFAOYSA-N morpholine;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.C1COCCN1 QKQSRIKBWKJGHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- OCAAZRFBJBEVPS-UHFFFAOYSA-N prop-2-enyl carbamate Chemical class NC(=O)OCC=C OCAAZRFBJBEVPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000010971 suitability test Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
電子部品集合体の加工に用いられるダイシングシートに
関し、さらに詳しくはダイシング前に行われる研磨・研
削工程において電子部品集合体を保護・固定するために
用いられ、しかもこれに続くダイシング工程においても
使用できるダイシングシート並びにその使用方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing sheet used for processing an electronic component assembly such as a semiconductor wafer, and more particularly, to protecting and fixing the electronic component assembly in a polishing / grinding process performed before dicing. The present invention relates to a dicing sheet which is used for a dicing process and can be used in a subsequent dicing step, and a method of using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置は、一般的には次のような工
程を経て製造されている。 （１）半導体ウエハの表面にエッチング法等により回路
を形成する。 （２）半導体ウエハを所定の厚さまで研削・研磨する。
この際、ウエハ表面には表面保護シートと呼ばれる粘着
シートが貼付され、回路を保護する。 （３）半導体ウエハを固定し、ダイシングソーにより各
回路毎に切断分離し、半導体チップを得る。この際、ダ
イシングシートと呼ばれる粘着シートを用いて半導体ウ
エハを固定している。 （４）半導体チップを所定の基台上に実装、樹脂封止
し、半導体装置を得る。2. Description of the Related Art A semiconductor device is generally manufactured through the following steps. (1) A circuit is formed on the surface of a semiconductor wafer by an etching method or the like. (2) Grind and polish the semiconductor wafer to a predetermined thickness.
At this time, an adhesive sheet called a surface protection sheet is attached to the wafer surface to protect the circuit. (3) A semiconductor wafer is fixed and cut and separated for each circuit by a dicing saw to obtain semiconductor chips. At this time, the semiconductor wafer is fixed using an adhesive sheet called a dicing sheet. (4) A semiconductor chip is mounted on a predetermined base and sealed with a resin to obtain a semiconductor device.
【０００３】また、近年、次のような方法も提案されて
いる。 （１）半導体ウエハの表面にエッチング法等により回路
を形成する。 （２）半導体ウエハを固定し、ダイシングソーにより各
回路毎に切断分離し、半導体チップを得る。この際、ダ
イシングシートを用いて半導体ウエハを固定している。 （３）ピックアップした半導体チップを、ＴＡＢテープ
のような基台が連接してなる集合体の各基台上に搭載
し、一括して樹脂封止して電子部品集合体を得る。 （４）電子部品集合体を所定の厚さまで研削・研磨す
る。この際、電子部品集合体の一方の面には粘着シート
が貼付され、電子部品集合体を固定する。 （５）電子部品集合体を固定し、ダイシングソーにより
各部品毎に切断分離し、半導体装置を得る。この際、ダ
イシングシートを用いて電子部品集合体を固定してい
る。Further, in recent years, the following method has been proposed. (1) A circuit is formed on the surface of a semiconductor wafer by an etching method or the like. (2) A semiconductor wafer is fixed and cut and separated for each circuit by a dicing saw to obtain semiconductor chips. At this time, the semiconductor wafer is fixed using a dicing sheet. (3) The picked-up semiconductor chips are mounted on each base of an assembly formed by connecting bases such as TAB tapes, and are collectively sealed with resin to obtain an electronic component assembly. (4) The electronic component assembly is ground and polished to a predetermined thickness. At this time, an adhesive sheet is attached to one surface of the electronic component assembly to fix the electronic component assembly. (5) The electronic component assembly is fixed and cut and separated for each component by a dicing saw to obtain a semiconductor device. At this time, the electronic component assembly is fixed using a dicing sheet.
【０００４】しかし、上記いずれの方法を採るにせよ、
表面保護シート、ダイシングシート等の複数種の粘着シ
ートを使用するため、プロセス的に煩雑になる。また、
薄く研削された半導体ウエハ（または電子部品集合体）
を表面保護シート等の粘着シートからダイシングシート
に転写する必要がある。しかし、薄く研削された半導体
ウエハ等は極めて脆いため、転写時に半導体ウエハ等が
破損する虞もある。However, in either of the above methods,
Since a plurality of types of pressure-sensitive adhesive sheets such as a surface protection sheet and a dicing sheet are used, the process becomes complicated. Also,
Thinly ground semiconductor wafer (or assembly of electronic components)
Needs to be transferred from a pressure-sensitive adhesive sheet such as a surface protection sheet to a dicing sheet. However, a semiconductor wafer or the like that has been thinly ground is extremely brittle, and the semiconductor wafer or the like may be damaged during transfer.
【０００５】このため、半導体ウエハ等の研削・研磨工
程ならびにダイシング工程を１つの粘着シートを用い
て、粘着シートの貼り替えを行うことなく、一連のプロ
セスとして行うことが検討されている。しかし、従来用
いられてきたダイシングシートでは以下のような欠点が
ある。汎用ダイシングシートの粘着剤層は比較的接着力
が弱いため、凹凸のある回路面に対し、所望の接着力が
得られず、研削・研磨時の水圧、剪断力に耐えられず、
端部が剥離してしまい、この剥離部より切削水、切削屑
が浸入し、回路を損傷する虞がある。さらに回路面の凹
凸を吸収できないので、電子部品を平滑に研削できな
い。For this reason, it has been studied to perform a grinding / polishing process and a dicing process for a semiconductor wafer or the like as a series of processes using one adhesive sheet without replacing the adhesive sheet. However, the conventionally used dicing sheet has the following disadvantages. Since the adhesive layer of the general-purpose dicing sheet has relatively low adhesive strength, the desired adhesive strength cannot be obtained on the uneven circuit surface, and it cannot withstand water pressure and shearing force during grinding and polishing.
The ends are peeled off, and cutting water and cutting debris may enter the peeled parts and damage the circuit. Further, since the unevenness of the circuit surface cannot be absorbed, the electronic component cannot be ground smoothly.
【０００６】粘着剤層としてエネルギー線硬化型粘着剤
を膜厚を厚くして用いることで、ウエハを強固に保持で
きる。エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線照射
により接着力を低減できるので、チップのピックアップ
を行うこともできる。しかし、硬化した粘着剤層はエキ
スパンド性に劣るため、充分なエキスパンドができず、
チップ間隔が離間しない。またチップの整列性にも劣
る。このため、ピックアップ時の誤動作を招く虞があ
る。また、市販のウエハ保護用シートをダイシング工程
に用いると、エキスパンドが困難でチップ間隔が得られ
ない。By using an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive with a large thickness as the pressure-sensitive adhesive layer, the wafer can be firmly held. Since the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive can reduce the adhesive force by irradiating the energy ray, the chip can be picked up. However, because the cured pressure-sensitive adhesive layer is inferior in expandability, it cannot be expanded sufficiently,
Chip spacing is not separated. Also, the alignment of the chips is poor. For this reason, there is a possibility that a malfunction may occur at the time of pickup. In addition, when a commercially available sheet for protecting a wafer is used in the dicing step, it is difficult to expand and a chip interval cannot be obtained.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術に鑑みてなされたものであって、ダイシング
前に行われる研磨・研削工程において電子部品集合体を
保護・固定するために用いられ、しかもこれに続くダイ
シング工程においても使用できる研削工程兼用ダイシン
グシート並びにその使用方法を提供することを目的とし
ている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned prior art, and is intended to protect and fix an electronic component assembly in a polishing / grinding process performed before dicing. An object of the present invention is to provide a dicing sheet that is used and can be used in a subsequent dicing step, and is also used in a grinding step, and a method of using the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明に係るダイシング
シートは、基材と、その上に形成された中間層と、該中
間層の上に形成された粘着剤層であって、該粘着剤層の
２３℃における弾性率が5.0×104〜1.0×107Paの範囲に
あり、該中間層の２３℃における弾性率が粘着剤層の２
３℃における弾性率以下となることを特徴としている。A dicing sheet according to the present invention comprises a substrate, an intermediate layer formed thereon, and an adhesive layer formed on the intermediate layer, wherein the adhesive is The elastic modulus at 23 ° C. of the layer is in the range of 5.0 × 10 4 to 1.0 × 10 7 Pa, and the elastic modulus of the intermediate layer at 23 ° C. is 2
It is characterized by having an elastic modulus of 3 ° C. or less.
【０００９】本発明では、前記基材の−５〜８０℃の温
度範囲における動的粘弾性の tanδの最大値が０．５以
上であることが好ましい。また前記基材の厚みとヤング
率との積が、1.0×103〜1.0×106Ｎ／ｍであることが好
ましい。本発明に係るダイシングシートの第１の使用方
法は、上記ダイシングシートを、電子部品集合体の一方
の面に貼付して該電子部品集合体を固定した後、該電子
部品集合体を各電子部品毎に切断分離することを特徴と
している。In the present invention, the maximum value of the tan δ of the dynamic viscoelasticity of the substrate in the temperature range of -5 to 80 ° C. is preferably 0.5 or more. The product of the thickness of the substrate and the Young's modulus is preferably from 1.0 × 10 3 to 1.0 × 10 6 N / m. A first method of using the dicing sheet according to the present invention is as follows. The dicing sheet is attached to one surface of an electronic component assembly to fix the electronic component assembly, and then the electronic component assembly is attached to each electronic component. It is characterized by cutting and separating each time.
【００１０】また、本発明に係るダイシングシートは、
ダイシング前に行われる研磨・研削工程において電子部
品集合体を保護・固定するためにも用いられ、しかもこ
れに続くダイシング工程においても使用できる。すなわ
ち、本発明に係るダイシングシートの第２の使用方法
は、上記ダイシングシートを、電子部品集合体の一方の
面に貼付して該電子部品集合体を固定した後、該電子部
品集合体の他方の面を研削・研磨した後、そのままの状
態で各電子部品毎に切断分離することを特徴としてい
る。Further, the dicing sheet according to the present invention comprises:
It is also used for protecting and fixing an electronic component assembly in a polishing / grinding process performed before dicing, and can also be used in a subsequent dicing process. That is, the second usage of the dicing sheet according to the present invention is such that after the dicing sheet is attached to one surface of the electronic component assembly to fix the electronic component assembly, the other of the electronic component assembly is used. After the surface is ground and polished, it is cut and separated for each electronic component as it is.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明についてさらに具体
的に説明する。なお、本明細書において電子部品集合体
とは、表面に回路が形成された半導体ウエハ、あるい
は、ＴＡＢテープのような基台が連接してなる集合体の
各基台上に半導体チップを搭載し、一括して樹脂封止し
た平板状の半導体パッケージ、各種電子部品用セラミッ
クス等を意味するが、これらに限定されない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described more specifically. In this specification, an electronic component assembly refers to a semiconductor wafer having a circuit formed on its surface, or a semiconductor chip mounted on each base of an assembly formed by connecting bases such as TAB tape. A flat semiconductor package, ceramics for various electronic parts, etc., which are collectively sealed with resin, but are not limited to these.
【００１２】まず、本発明に係るダイシングシートにつ
いて説明する。本発明に係るダイシングシートシート１
０は、基材１１、中間層１２および粘着剤層１３がこの
順に積層されてなる。粘着剤層は、従来より公知の種々
の感圧性粘着剤により形成され得る。粘着剤層の２３℃
における弾性率が5.0×104〜1.0×107Paの範囲にあり、
好ましくは6.0×104〜5.0×106Pa、さらに好ましくは8.
0×104〜1.0×106Paの範囲にある。なお、粘着剤層を後
述するエネルギー線硬化型粘着剤で形成する場合には、
上記弾性率はエネルギー線照射前の粘着剤層の弾性率を
示す。First, the dicing sheet according to the present invention will be described. Dicing sheet sheet 1 according to the present invention
No. 0 is formed by laminating a base material 11, an intermediate layer 12, and an adhesive layer 13 in this order. The pressure-sensitive adhesive layer can be formed of various conventionally known pressure-sensitive pressure-sensitive adhesives. 23 ° C of adhesive layer
Elastic modulus in the range of 5.0 × 10 4 to 1.0 × 10 7 Pa,
Preferably 6.0 × 10 4 to 5.0 × 10 6 Pa, more preferably 8.
It is in the range of 0 × 10 4 to 1.0 × 10 6 Pa. When the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive described later,
The above-mentioned elastic modulus indicates the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation with energy rays.
【００１３】粘着剤層の２３℃における弾性率が5.0×1
04Paより低いとダイシングシートの端部より粘着剤がし
みだしたり、凝集力の不足により、研削による力に対
し、剪断変形しやすくなり、研削後のウエハの厚みのバ
ラツキが大きくなってしまう。また、ウエハ表面の凹部
にもぐりこんだ粘着剤に剪断力が加わると、ウエハ面に
粘着剤が残留するおそれが高くなる。反対に粘着剤層の
２３℃における弾性率が1.0×107Paよりも高くなると、
粘着剤層が硬くなり、ウエハの凹凸に追従しにくくな
り、研削後のウエハの厚みのバラツキを大きくしたり、
ウエハとダイシングシートのすきまから研削加工の冷却
水が侵入するなどの問題が起こりやすくなる。The elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at 23 ° C. is 5.0 × 1
When the pressure is lower than 0 4 Pa, the pressure-sensitive adhesive exudes from the edge of the dicing sheet, and due to insufficient cohesive force, shearing deformation easily occurs with respect to the force due to grinding, and the variation in the thickness of the wafer after grinding increases. . Further, when a shearing force is applied to the pressure-sensitive adhesive that has penetrated into the concave portion on the wafer surface, the possibility that the pressure-sensitive adhesive remains on the wafer surface increases. Conversely, when the elastic modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer is higher than 1.0 × 10 7 Pa,
The pressure-sensitive adhesive layer becomes hard, it is difficult to follow the unevenness of the wafer, and the variation in the thickness of the wafer after grinding is increased,
Problems such as intrusion of cooling water for grinding work from the gap between the wafer and the dicing sheet are likely to occur.
【００１４】このような粘着剤としては、何ら限定され
るものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリ
コーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられ
る。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型の粘着剤も
用いることができる。エネルギー線硬化（エネルギー線
硬化、紫外線硬化、電子線硬化）型粘着剤としては、特
に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。The pressure-sensitive adhesive is not particularly limited. For example, a pressure-sensitive adhesive such as a rubber-based, acrylic, silicone-based, or polyvinyl ether is used. In addition, an energy ray-curable or heat-foamable pressure-sensitive adhesive can also be used. As the energy ray-curable (energy ray-curable, ultraviolet ray-curable, electron beam-curable) type adhesive, it is particularly preferable to use an ultraviolet ray-curable adhesive.
【００１５】エネルギー線硬化型粘着剤は、一般的に
は、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物と
を主成分としてなる。エネルギー線硬化型粘着剤に用い
られるエネルギー線重合性化合物としては、たとえば特
開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２
３１３９号公報に開示されているような光照射によって
三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結
合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用
いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアク
リレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエ
リスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリト
ールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレ
ングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いら
れる。The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive generally comprises an acrylic pressure-sensitive adhesive and an energy ray-polymerizable compound as main components. Examples of the energy ray-polymerizable compound used in the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive include, for example, JP-A-60-196965 and JP-A-60-22.
Low molecular weight compounds having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule capable of forming a three-dimensional network by light irradiation as disclosed in Japanese Patent No. 3139 are widely used. Methylol propane triacrylate, tetramethylol methane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol Diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate and the like are used.
【００１６】さらにエネルギー線重合性化合物として、
上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタン
アクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレ
タンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型また
はポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソ
シアナート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシア
ナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−
キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイ
ソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナ
ートなどを反応させて得られる末端イソシアナートウレ
タンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレ
ートあるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエ
チルアクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒ
ドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコ
ールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレ
ートなどを反応させて得られる。Further, as an energy ray polymerizable compound,
In addition to the acrylate compounds described above, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-
Xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc. are reacted with urethane terminal isocyanate urethane prepolymer to obtain an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group, such as 2-hydroxyethyl acrylate. Alternatively, it is obtained by reacting 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, or the like.
【００１７】エネルギー線硬化型粘着剤中のアクリル系
粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アク
リル系粘着剤１００重量部に対してエネルギー線重合性
化合物は５０〜２００重量部、好ましくは５０〜１５０
重量部、特に好ましくは７０〜１２０重量部の範囲の量
で用いられることが望ましい。この場合には、得られる
ダイシングシートは初期の接着力が大きく、しかもエネ
ルギー線照射後には粘着力は大きく低下する。したがっ
て、ダイシング工程終了後におけるチップとエネルギー
線硬化型粘着剤層との界面での剥離が容易になる。The mixing ratio of the acrylic pressure-sensitive adhesive and the energy ray-polymerizable compound in the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive is preferably 50 to 200 parts by weight, more preferably 100 to 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive. Is 50-150
It is desirable to use it in parts by weight, particularly preferably in the range from 70 to 120 parts by weight. In this case, the resulting dicing sheet has a large initial adhesive strength, and the adhesive strength is greatly reduced after irradiation with energy rays. Therefore, peeling at the interface between the chip and the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer after the completion of the dicing step is facilitated.
【００１８】また、エネルギー線硬化型粘着剤は、側鎖
にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共
重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギ
ー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性と
を兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性
基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、
特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号
公報等にその詳細が記載されている。The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may be formed of an energy ray-curable copolymer having an energy ray-polymerizable group in a side chain. Such an energy ray-curable copolymer has the property of having both adhesiveness and energy ray-curability. An energy ray-curable copolymer having an energy ray polymerizable group in a side chain is, for example,
Details thereof are described in JP-A-5-32946, JP-A-8-27239, and the like.
【００１９】エネルギー線硬化型粘着剤に光重合開始剤
を混入することにより、光照射による重合硬化時間なら
びに光照射量を少なくすることができる。このような光
重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノ
ン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタ
ノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド
化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤など
が挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシ
ルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエー
テル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロ
ピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テト
ラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチ
ロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールア
ンスラキノンなどが例示できる。By mixing a photopolymerization initiator into the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, it is possible to reduce the polymerization curing time by light irradiation and the amount of light irradiation. Examples of such a photopolymerization initiator include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Specifically, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β- Chloranthraquinone can be exemplified.
【００２０】光重合開始剤の使用量は、粘着剤の合計１
００重量部に対して、好ましくは０．０５〜１５重量
部、さらに好ましくは０．１〜１０重量部、特に好まし
くは０．５〜５重量部である。上記のようなアクリル系
エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線照射前には
ウエハに対して充分な接着力を有し、エネルギー線照射
後には接着力が著しく減少する。すなわち、エネルギー
線照射前には、ダイシングシートとウエハとを充分な接
着力で密着させ表面保護、ダイシング時の固定を可能に
し、エネルギー線照射後には、切断分離されたチップか
ら容易に剥離することができる。The amount of the photopolymerization initiator used is a total of 1
The amount is preferably 0.05 to 15 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, particularly preferably 0.5 to 5 parts by weight with respect to 00 parts by weight. The acrylic energy ray-curable pressure-sensitive adhesive as described above has a sufficient adhesive strength to the wafer before the energy ray irradiation, and the adhesive strength is significantly reduced after the energy ray irradiation. In other words, before energy beam irradiation, the dicing sheet and the wafer are brought into close contact with sufficient adhesive force to enable surface protection and fixation during dicing, and after energy beam irradiation, they can be easily separated from the cut and separated chips. Can be.
【００２１】中間層の２３℃における弾性率は、前述し
た粘着剤層の２３℃における弾性率以下であり、好まし
くは粘着剤層の弾性率の０．１〜１００％、さらに好ま
しくは１〜９０％、特に好ましくは５〜６０％の範囲に
ある。粘着剤層と中間層の２３℃における弾性率が前記
の関係であれば、ウエハの凹凸に充分に追従して貼付が
可能となる上、粘着剤層に対する剪断力も分散するた
め、剥離の際に粘着剤が残留しにくくなる。The elastic modulus of the intermediate layer at 23 ° C. is equal to or less than the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at 23 ° C., preferably 0.1 to 100% of the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer, more preferably 1 to 90%. %, Particularly preferably in the range from 5 to 60%. If the elastic modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer and the intermediate layer is in the above relationship, the pressure-sensitive adhesive layer can be adhered sufficiently following the unevenness of the wafer, and the shearing force on the pressure-sensitive adhesive layer is also dispersed. The adhesive hardly remains.
【００２２】中間層の材質としては、上記物性を満たす
限り特に限定はされず、たとえばアクリル系、ゴム系、
シリコーン系などの各種の粘着剤組成物、および後述す
る基材の調製に用いられ得るエネルギー線硬化型樹脂な
らびに熱可塑性エラストマーなどが用いられる。また中
間層としては、特に、０〜６０℃の温度範囲における動
的粘弾性の tanδの最大値（以下、単に「tanδ値」と
略記する）が０．３以上、好ましくは０．４〜２．０、
特に好ましくは０．５〜１．２の範囲のものが好ましく
用いられる。ここで、 tanδは、損失正接とよばれ、損
失弾性率／貯蔵弾性率で定義される。具体的には、動的
粘弾性測定装置により対象物に与えた引張、ねじり等の
応力に対する応答によって測定される。The material of the intermediate layer is not particularly limited as long as the above properties are satisfied.
Various pressure-sensitive adhesive compositions such as silicones, and energy ray-curable resins and thermoplastic elastomers that can be used for preparing a base material described later are used. The intermediate layer has a dynamic viscoelasticity tan δ maximum value (hereinafter simply referred to as “tan δ value”) of at least 0.3, preferably from 0.4 to 2 in the temperature range of 0 to 60 ° C. .0,
Particularly preferably, those having a range of 0.5 to 1.2 are used. Here, tan δ is called a loss tangent and is defined as loss elastic modulus / storage elastic modulus. More specifically, the dynamic viscoelasticity is measured by a response to a stress such as tension or torsion applied to an object by a dynamic viscoelasticity measuring device.
【００２３】さらに上記中間層の上面、すなわち粘着剤
層が設けられる側の面には粘着剤との密着性を向上する
ために、コロナ処理を施したりプライマー等の他の層を
設けてもよい。また中間層の厚みは、好ましくは５〜２
００μｍ、さらに好ましくは１０〜１６０μｍ、特に好
ましくは２０〜１２０μｍの範囲にある。さらに粘着剤
層の厚さは、その材質にもよるが、通常は５〜２００μ
ｍ程度であり、好ましくは１０〜１６０μｍ、特に好ま
しくは２０〜１２０μｍ程度である。Further, a corona treatment or another layer such as a primer may be provided on the upper surface of the intermediate layer, that is, on the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is provided, in order to improve the adhesiveness with the pressure-sensitive adhesive. . The thickness of the intermediate layer is preferably 5 to 2
It is in the range of 00 μm, more preferably 10 to 160 μm, particularly preferably 20 to 120 μm. Further, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is usually 5 to 200 μm, though it depends on its material.
m, preferably about 10 to 160 μm, particularly preferably about 20 to 120 μm.
【００２４】中間層と粘着剤層の合計厚さは、ダイシン
グシートが貼着される電子部品集合体の表面状態を考慮
して適宜に選定され、一般的には、中間層と粘着剤層の
合計厚さは、電子部品集合体表面の高低差の５０％以
上、好ましくは６０〜１５０％となるように選定するこ
とが望ましい。このように中間層と粘着剤層の合計厚さ
を選定すると、電子部品集合体表面の凹凸にダイシング
シートが追随して凹凸差を解消できる。The total thickness of the intermediate layer and the pressure-sensitive adhesive layer is appropriately selected in consideration of the surface condition of the electronic component assembly to which the dicing sheet is to be attached. The total thickness is desirably selected so as to be 50% or more, preferably 60 to 150%, of the height difference of the electronic component assembly surface. When the total thickness of the intermediate layer and the pressure-sensitive adhesive layer is selected as described above, the dicing sheet can follow the unevenness of the surface of the electronic component assembly, thereby eliminating the unevenness difference.
【００２５】基材としては、従来ダイシングシートに使
用されている各種のフィルムが特に制限されることなく
用いられるが、特に、−５〜８０℃の温度範囲における
動的粘弾性の「tanδ値」が０．５以上、好ましくは
０．５〜２．０、特に好ましくは０．７〜１．８の範囲
にフィルムが好ましく用いられる。また上記基材の厚み
とヤング率との積が、好ましくは1.0×103〜1.0×106Ｎ
／ｍ、さらに好ましくは3.0×103〜5.0×105Ｎ／ｍ、特
に好ましく5.0×103〜1.0×105Ｎ／ｍの範囲にあること
が望ましい。As the substrate, various films conventionally used for dicing sheets are used without any particular limitation. In particular, the “tan δ value” of dynamic viscoelasticity in a temperature range of -5 to 80 ° C. Is 0.5 or more, preferably 0.5 to 2.0, particularly preferably 0.7 to 1.8. The product of the thickness of the base material and the Young's modulus is preferably 1.0 × 10 3 to 1.0 × 10 6 N
/ M, more preferably 3.0 × 10 3 to 5.0 × 10 5 N / m, and particularly preferably 5.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 N / m.
【００２６】基材の厚みとヤング率の積がこの範囲であ
れば、ダイシングシートの貼付適性などの機械適性が向
上し、作業効率が向上する。基材は、好ましくは樹脂フ
ィルムからなり、硬化性樹脂を製膜、硬化したものであ
っても、熱可塑性樹脂を製膜したものであっても良い。
硬化性樹脂としては、エネルギー線硬化型樹脂、熱硬化
型樹脂等が用いられ、好ましくはエネルギー線硬化型樹
脂が用いられる。When the product of the thickness of the substrate and the Young's modulus is in this range, the suitability of the dicing sheet and other mechanical properties are improved, and the working efficiency is improved. The substrate is preferably made of a resin film, and may be a film formed and cured of a curable resin, or may be a film formed of a thermoplastic resin.
As the curable resin, an energy ray-curable resin, a thermosetting resin, or the like is used, and preferably, an energy ray-curable resin is used.
【００２７】エネルギー線硬化型樹脂としては、たとえ
ば、光重合性のウレタンアクリレート系オリゴマーを主
剤とした樹脂組成物あるいは、ポリエン・チオール系樹
脂等が好ましく用いられる。ウレタンアクリレート系オ
リゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型など
のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物たと
えば２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリ
レンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシア
ナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェ
ニルメタン４，４−ジイソシアナートなどを反応させて
得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、
ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリ
レートたとえば２−ヒドロキシエチルアクリレートまた
は２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキ
シプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタ
クリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポ
リエチレングリコールメタクリレートなどを反応させて
得られる。このようなウレタンアクリレート系オリゴマ
ーは、分子内に光重合性の二重結合を有し、光照射によ
り重合硬化し、皮膜を形成する。As the energy ray-curable resin, for example, a resin composition mainly composed of a photopolymerizable urethane acrylate oligomer or a polyene / thiol resin is preferably used. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, and 1,3-xylylene diisocyanate. , 1,4-xylylene diisocyanate, terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting diphenylmethane 4,4-diisocyanate and the like,
It is obtained by reacting an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group, for example, 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, or the like. Such a urethane acrylate oligomer has a photopolymerizable double bond in the molecule and is polymerized and cured by light irradiation to form a film.
【００２８】本発明で好ましく用いられるウレタンアク
リレート系オリゴマーの分子量は、１０００〜５０００
０、さらに好ましくは２０００〜３００００の範囲にあ
る。上記のウレタンアクリレート系オリゴマーは一種単
独で、または二種以上を組み合わせて用いることができ
る。上記のようなウレタンアクリレート系オリゴマーの
みでは、製膜が困難な場合が多いため、通常は、光重合
性のモノマーで稀釈して製膜した後、これを硬化してフ
ィルムを得る。光重合性モノマーは、分子内に光重合性
の二重結合を有し、特に本発明では、比較的嵩高い基を
有するアクリルエステル系化合物が好ましく用いられ
る。The urethane acrylate oligomer preferably used in the present invention has a molecular weight of 1,000 to 5,000.
0, more preferably in the range of 2,000 to 30,000. The above urethane acrylate oligomers can be used alone or in combination of two or more. In many cases, it is difficult to form a film only with the urethane acrylate-based oligomer as described above. Therefore, usually, a film is formed by diluting with a photopolymerizable monomer and then curing the film. The photopolymerizable monomer has a photopolymerizable double bond in the molecule, and in particular, in the present invention, an acrylic ester compound having a relatively bulky group is preferably used.
【００２９】このようなウレタンアクリレート系オリゴ
マーを稀釈するために用いられる光重合性のモノマーの
具体例としては、イソボルニル（メタ）アクリレート、
ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペ
ンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオ
キシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）ア
クリレート、アダマンタン（メタ）アクリレートなどの
脂環式化合物、フェニルヒドロキシプロピルアクリレー
ト、ベンジルアクリレート、フェノールエチレンオキシ
ド変性アクリレートなどの芳香族化合物、もしくはテト
ラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリン
アクリレート、Ｎ−ビニルピロリドンまたはＮ−ビニル
カプロラクタムなどの複素環式化合物が挙げられる。ま
た必要に応じて多官能（メタ）アクリレートを用いても
よい。Specific examples of the photopolymerizable monomer used for diluting such a urethane acrylate oligomer include isobornyl (meth) acrylate,
Alicyclic compounds such as dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxy (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, and adamantane (meth) acrylate, phenylhydroxypropyl acrylate, and benzyl Aromatic compounds such as acrylates, phenol-ethylene oxide-modified acrylates, and heterocyclic compounds such as tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, morpholine acrylate, N-vinylpyrrolidone, and N-vinylcaprolactam are exemplified. Moreover, you may use a polyfunctional (meth) acrylate as needed.
【００３０】上記光重合性モノマーは、ウレタンアクリ
レート系オリゴマー１００重量部に対して、好ましくは
５〜９００重量部、さらに好ましくは１０〜５００重量
部、特に好ましくは３０〜２００重量部の割合で用いら
れる。また、基材の製造に用いられる光重合性のポリエ
ン・チオール系樹脂は、アクリロイル基を有しないポリ
エン化合物と、多価チオール化合物とからなる。具体的
には、ポリエン化合物としては例えばジアクロレインペ
ンタエリスリトール、トリレンジイソシアナートのトリ
メチロールプロパンジアリルエーテル付加物、不飽和ア
リルウレタンオリゴマー等を挙げることができ、また多
価チオール化合物としては、ペンタエリスリトールのメ
ルカプトプロピオン酸又はメルカプト酢酸のエステル等
を好ましく挙げることができる他、市販のポリエンポリ
チオール系オリゴマーを用いることもできる。本発明で
用いられるポリエン・チオール系樹脂の分子量は好まし
くは３０００〜５００００、さらに好ましくは５０００
〜３００００である。The photopolymerizable monomer is used in an amount of preferably 5 to 900 parts by weight, more preferably 10 to 500 parts by weight, particularly preferably 30 to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the urethane acrylate oligomer. Can be Further, the photopolymerizable polyene / thiol-based resin used in the production of the base material is composed of a polyene compound having no acryloyl group and a polyvalent thiol compound. Specifically, examples of the polyene compound include diacrolein pentaerythritol, trimethylolpropane diallyl ether adduct of tolylene diisocyanate, unsaturated allyl urethane oligomer, and the like.As the polyvalent thiol compound, pentaerythritol And the like, esters of mercaptopropionic acid or mercaptoacetic acid, and commercially available polyenepolythiol-based oligomers can also be used. The molecular weight of the polyene / thiol resin used in the present invention is preferably 3,000 to 50,000, more preferably 5,000.
~ 30000.
【００３１】基材を、エネルギー線硬化型樹脂から形成
する場合には、該樹脂に光重合開始剤を混入することに
より、光照射による重合硬化時間ならびに光照射量を少
なくすることができる。このような光重合開始剤として
は、前記と同様のものが挙げられ、その使用量は、樹脂
の合計１００重量部に対して、好ましくは０．０５〜１
５重量部、さらに好ましくは０．１〜１０重量部、特に
好ましくは０．５〜５重量部である。When the substrate is formed from an energy ray-curable resin, the polymerization curing time and the amount of light irradiation by light irradiation can be reduced by mixing a photopolymerization initiator into the resin. Examples of such a photopolymerization initiator include the same ones as described above. The amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.05 to 1 based on 100 parts by weight of the resin in total.
The amount is 5 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, particularly preferably 0.5 to 5 parts by weight.
【００３２】上記のような硬化性樹脂は、オリゴマーま
たはモノマーを前述の物性値となるよう種々の組合せの
配合より選択することができる。基材に用いられる熱可
塑性樹脂としては、たとえば、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペン
テン、ポリメチルメタクリレート、エチレン・メタクリ
ル酸共重合体等のポリオレフィン系樹脂や、スチレン−
ビニルイソプレンブロック共重合体あるいはスチレン−
ビニルイソプレンブロック共重合体水素添加物が用いら
れ、特にスチレン−ビニルイソプレンブロック共重合体
およびスチレン−ビニルイソプレンブロック共重合体水
素添加物が好ましい。このような熱可塑性樹脂フィルム
の中でも、特に電子線架橋した樹脂フィルムが好まし
い。The curable resin as described above can be selected from various combinations of oligomers or monomers so as to have the above-mentioned physical properties. Examples of the thermoplastic resin used for the substrate include, for example, polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polymethyl methacrylate, and ethylene / methacrylic acid copolymer, and styrene-
Vinyl isoprene block copolymer or styrene
A hydrogenated vinyl isoprene block copolymer is used, and a styrene-vinyl isoprene block copolymer and a hydrogenated styrene-vinyl isoprene block copolymer are particularly preferable. Among such thermoplastic resin films, an electron beam crosslinked resin film is particularly preferable.
【００３３】スチレン−ビニルイソプレンブロック共重
合体は、一般的に高ビニル結合のＳＩＳ（スチレン−イ
ソプレン−スチレンブロックコポリマー）であり、その
水素添加物とともに、ポリマー単独で室温付近に大きな
tanδのピークを有している。また、上述の樹脂中に t
anδ値を向上させることが可能な添加物を添加すること
が好ましい。このような tanδ値を向上させることが可
能な添加物としては、炭酸カルシウム、シリカ、雲母な
どの無機フィラー、鉄、鉛等の金属フィラーが挙げら
れ、特に比重の大きな金属フィラーが有効である。The styrene-vinyl isoprene block copolymer is generally SIS (styrene-isoprene-styrene block copolymer) having a high vinyl bond, and together with its hydrogenated product, the polymer alone becomes large near room temperature.
It has a peak of tan δ. Also, t in the above resin
It is preferable to add an additive capable of improving the an δ value. Examples of such additives capable of improving the tan δ value include inorganic fillers such as calcium carbonate, silica and mica, and metal fillers such as iron and lead. Particularly, a metal filler having a large specific gravity is effective.
【００３４】さらに、上記成分の他にも、基材には顔料
や染料等の着色剤等の添加物が含有されていてもよい。
製膜方法としては、液状の樹脂（硬化前の樹脂、樹脂の
溶液等）を、たとえば工程シート上に薄膜状にキャスト
した後に、これを所定の手段によりフィルム化すること
で基材を製造できる。このような製法によれば、製膜時
に樹脂にかかる応力が少なく、フィッシュアイの形成が
少ない。また、膜厚の均一性も高く、厚み精度は、通常
２％以内になる。Further, in addition to the above components, the base material may contain additives such as coloring agents such as pigments and dyes.
As a film forming method, a substrate can be manufactured by casting a liquid resin (a resin before curing, a resin solution, or the like) into a thin film on a process sheet, for example, and then forming a film by a predetermined means. . According to such a manufacturing method, the stress applied to the resin during film formation is small, and the formation of fish eyes is small. In addition, the uniformity of the film thickness is high, and the thickness accuracy is usually within 2%.
【００３５】別の製膜方法として、Ｔダイやインフレー
ション法による押出成形やカレンダー法により製造する
ことが好ましい。本発明に係るダイシングシートは、上
記のような基材上に形成された中間層上に粘着剤層を設
けることで製造される。なお、粘着剤層を紫外線硬化型
粘着剤により構成する場合には、基材および中間層は透
明である必要がある。As another film forming method, it is preferable to manufacture the film by extrusion molding using a T-die or an inflation method or by a calender method. The dicing sheet according to the present invention is manufactured by providing a pressure-sensitive adhesive layer on an intermediate layer formed on a substrate as described above. When the pressure-sensitive adhesive layer is made of an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive, the substrate and the intermediate layer need to be transparent.
【００３６】本発明のダイシングシートにおいて、基材
の厚みは、好ましくは３０〜１０００μｍ、さらに好ま
しくは５０〜８００μｍ、特に好ましくは８０〜５００
μｍである。本発明のダイシングシートは、基材上に、
中間層を形成する樹脂を塗布後、所要の手段で樹脂を乾
燥または硬化させて中間層を形成し、該中間層上に、上
記粘着剤をロールコーター、ナイフコーター、グラビア
コーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に
公知の方法にしたがって適宜の厚さで塗工して乾燥させ
て粘着剤層を形成し、次いで必要に応じ粘着剤層上に離
型シートを貼り合わせることによって得られる。In the dicing sheet of the present invention, the thickness of the substrate is preferably 30 to 1000 μm, more preferably 50 to 800 μm, and particularly preferably 80 to 500 μm.
μm. Dicing sheet of the present invention, on a substrate,
After applying the resin for forming the intermediate layer, the resin is dried or cured by a required means to form an intermediate layer. On the intermediate layer, the above-mentioned adhesive is applied by a roll coater, a knife coater, a gravure coater, a die coater, a reverse coater. It is obtained by applying a coating having an appropriate thickness according to a generally known method such as a coater and drying to form a pressure-sensitive adhesive layer, and then, if necessary, laminating a release sheet on the pressure-sensitive adhesive layer.
【００３７】本発明のダイシングシートは、半導体ウエ
ハ等の電子部品集合体を切断分離する際に好ましく用い
られる。このようなプロセスはダイシング工程と呼ば
れ、半導体加工の分野においては、広く知られている。
本発明に係るダイシングシートの第１の使用方法は、上
記ダイシングシートを、電子部品集合体の一方の面に貼
付して該電子部品集合体を固定した後、該電子部品集合
体を各電子部品毎に切断分離することを特徴としてい
る。The dicing sheet of the present invention is preferably used when cutting and separating an assembly of electronic components such as a semiconductor wafer. Such a process is called a dicing step and is widely known in the field of semiconductor processing.
A first method of using the dicing sheet according to the present invention is as follows. The dicing sheet is attached to one surface of an electronic component assembly to fix the electronic component assembly, and then the electronic component assembly is attached to each electronic component. It is characterized by cutting and separating each time.
【００３８】ダイシングシートを貼付する面は電子部品
集合体の平坦な側の面でも良いが、回路が形成された凹
凸のある面でも良い。凹凸面を固定してダイシングする
ことは従来のダイシングシートには困難だったので、特
に効果的である。このような第１の使用方法において
は、切断分離を行った後、必要に応じダイシングシート
をエキスパンドして各電子部品の間隔を離間させた後、
電子部品のピックアップを行う。また、粘着剤層をエネ
ルギー線硬化型粘着剤で形成した場合には、粘着剤層に
エネルギー線を照射し、接着力を低減させた後、エキス
パンド、ピックアップを行うことが好ましい。The surface on which the dicing sheet is to be attached may be the flat surface of the electronic component assembly, or may be the uneven surface on which the circuit is formed. It is particularly effective because dicing with the uneven surface fixed is difficult with conventional dicing sheets. In the first method of use, after performing cutting and separation, the dicing sheet is expanded as necessary to separate the electronic components from each other, and then,
Pick up electronic components. When the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive, it is preferable to irradiate the pressure-sensitive adhesive layer with an energy ray to reduce the adhesive force, and then expand and pick up.
【００３９】各電子部品毎に切断分離する際には、電子
部品と粘着剤層をフルカットし、中間層の一部も切込む
ように切断を行うことが好ましい。このような切断分離
のしかたを行うことによって、粘着剤層の伸びにくさを
補って、エキスパンドしやすくなるとともに、チップ間
隔、チップの整列性を向上できる。さらにまた、本発明
のダイシングシートは、上記したように回路面の凹凸に
よく対応できるので、半導体ウエハ等の電子部品集合体
の研削・研磨工程における固定シートとして用いること
もできる。When cutting and separating each electronic component, it is preferable to cut the electronic component and the pressure-sensitive adhesive layer completely, and to cut a part of the intermediate layer. By performing such a cutting and separating method, it is possible to compensate for the difficulty of elongation of the pressure-sensitive adhesive layer, facilitate expansion, and improve chip spacing and chip alignment. Furthermore, since the dicing sheet of the present invention can cope with the unevenness of the circuit surface well as described above, it can be used as a fixing sheet in a grinding / polishing process of an electronic component assembly such as a semiconductor wafer.
【００４０】すなわち、本発明に係るダイシングシート
の第２の使用方法は、上記ダイシングシートを、電子部
品集合体の一方の面に貼付して該電子部品集合体を固定
した後、該電子部品集合体の他方の面を研削・研磨した
後、そのままの状態で各電子部品毎に切断分離すること
を特徴としている。第２の使用方法の好ましい態様等
は、上記第１の使用方法と同様である。That is, in a second method of using the dicing sheet according to the present invention, the dicing sheet is attached to one surface of the electronic component assembly to fix the electronic component assembly, and then the electronic component assembly is fixed. After the other surface of the body is ground and polished, it is cut and separated for each electronic component as it is. Preferred embodiments and the like of the second method of use are the same as those of the first method of use.
【００４１】このような第２の使用方法によれば、電子
部品集合体を１つのダイシングシートに固定した状態
で、粘着シートの貼り替えを行うことなく、研削・研磨
工程ならびに切断分離工程を連続して行えるので、プロ
セスの簡略化が可能になる。さらに、研削・研磨工程を
得て薄く脆くなった電子部品集合体をダイシングシート
に固定・保護した状態で次工程の切断分離工程に移送で
きるので、電子部品集合体の破損を防止できる。According to the second usage method, the grinding / polishing step and the cutting / separating step can be continuously performed without replacing the adhesive sheet in a state where the electronic component assembly is fixed to one dicing sheet. Therefore, the process can be simplified. Furthermore, since the electronic component aggregate that has become thin and brittle after the grinding / polishing process is fixed and protected on the dicing sheet, the electronic component aggregate can be transferred to the next cutting / separating step, thereby preventing damage to the electronic component aggregate.
【００４２】次に電子部品集合体が、表面に回路を有す
る半導体ウエハである場合を例にとって、第２の使用方
法の好ましい態様をさらに詳細に説明する。まず、図１
に示すように、ウエハ１の回路面（図中の凹凸面）を、
ダイシングシート１０の粘着剤層１３上に固定し、ダイ
シングシート１０の周縁部をリングフレーム２０に固定
する。Next, taking a case where the electronic component assembly is a semiconductor wafer having a circuit on its surface as an example, a preferred embodiment of the second method of use will be described in further detail. First, FIG.
As shown in the figure, the circuit surface (the uneven surface in the figure) of the wafer 1 is
The dicing sheet 10 is fixed on the pressure-sensitive adhesive layer 13, and the periphery of the dicing sheet 10 is fixed to the ring frame 20.
【００４３】次に図２に示すように、ウエハ１の裏面を
グラインダーの砥石Ｇによって、ウエハを所定の厚さに
まで研削する。上記したように、本発明のダイシングシ
ート１０によれば、回路面の凹凸によく追従して凹凸差
を吸収し、裏面研磨を行っても表面の凹凸に影響される
ことなく、厚みのバラツキがなく、平滑に裏面研磨を行
える。Next, as shown in FIG. 2, the back surface of the wafer 1 is ground to a predetermined thickness by a grindstone G of a grinder. As described above, according to the dicing sheet 10 of the present invention, the unevenness of the circuit surface is well tracked and the unevenness is absorbed, and even when the back surface is polished, the unevenness of the surface does not affect the unevenness of the thickness. And the back surface can be polished smoothly.
【００４４】次いで、このままの状態で、次工程である
切断分離工程に移送する。すなわち、ウエハ１表面をダ
イシングシート１０により固定、保護し、周辺部をリン
グフレーム２０により囲まれた状態で次工程への移送を
行う。このため、工程間を移送する間のウエハの損傷を
低減できる。また、ダイシングも上記の状態で行われる
ため、粘着シートを貼り替える手間もなくなり、しかも
ダイシングシートへの転写時のウエハの損傷もなくな
る。従来のプロセスでは、回路面に表面保護シートが貼
付されたウエハの裏面をダイシングシートに貼付・固定
していたが、薄く研削されたウエハは脆いため、ダイシ
ングシートへの貼付時に破損してしまうことがあった。
本発明では、ダイシングシートへの転写は行われないの
で、ウエハの破損を低減できる。Next, in this state, it is transferred to the next cutting and separating step. That is, the surface of the wafer 1 is fixed and protected by the dicing sheet 10, and the wafer 1 is transferred to the next process while being surrounded by the ring frame 20. For this reason, damage to the wafer during transfer between processes can be reduced. In addition, since dicing is performed in the above-described state, there is no need to replace the adhesive sheet, and there is no damage to the wafer during transfer to the dicing sheet. In the conventional process, the back surface of the wafer with the surface protection sheet attached to the circuit surface was attached and fixed to the dicing sheet, but the thinly ground wafer is brittle and may be damaged when attached to the dicing sheet was there.
In the present invention, since the transfer to the dicing sheet is not performed, breakage of the wafer can be reduced.
【００４５】ウエハのダイシングは、ウエハ表面にダイ
シングシートが貼付された状態で、ウエハの裏面側から
行われる。この場合、ウエハ表面の回路パターンの認識
は、裏面側から赤外線を用いて行うことができる。ま
た、透明のダイシングテーブルおよびダイシングシート
を用いると、ウエハ表面側から回路パターンの認識を行
いつつ、裏面側からダイシングを行うこともできる。The dicing of the wafer is performed from the back side of the wafer with the dicing sheet adhered to the front surface of the wafer. In this case, recognition of the circuit pattern on the front surface of the wafer can be performed using infrared rays from the back side. When a transparent dicing table and a dicing sheet are used, dicing can be performed from the back surface side while the circuit pattern is recognized from the front surface side of the wafer.
【００４６】ダイシング後、必要に応じダイシングシー
トをエキスパンドして各チップの間隔を離間させた後、
吸引コレット等の汎用手段によりチップのピックアップ
を行う。また、粘着剤層をエネルギー線硬化型粘着剤で
形成した場合には、ダイシングの前または後に、粘着剤
層にエネルギー線を照射し、接着力を低減させた後、エ
キスパンド、ピックアップを行うことが好ましい。After dicing, the dicing sheet is expanded as necessary to separate the chips from each other.
The chip is picked up by a general-purpose means such as a suction collet. When the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive, before or after dicing, the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with energy rays to reduce the adhesive force, and then expand and pick up. preferable.
【００４７】[0047]
【発明の効果】このような本発明によれば、回路面のよ
うな凹凸のある面に対して貼付しても凹凸を吸収して密
着が可能であり、ダイシングの際の洗浄水、切削屑が回
路面に侵入しない。また本発明のダイシングシートは回
路面側に貼付が可能であるためダイシング工程の前に裏
面研削用の保護テープとして兼用できる。これにより１
枚のダイシングシートを貼り替えせずに裏面研削工程お
よびダイシング工程が可能となり、極薄の加工を施した
としても、電子部品を破損する可能性を小さくできる。According to the present invention as described above, even when affixed to a surface having irregularities such as a circuit surface, the irregularities can be absorbed and adhered to each other, and washing water and cutting chips at the time of dicing can be obtained. Does not enter the circuit surface. Further, since the dicing sheet of the present invention can be attached to the circuit surface side, it can be used also as a protective tape for grinding the back surface before the dicing step. This gives 1
The back surface grinding step and the dicing step can be performed without replacing the dicing sheets, and the possibility of damaging the electronic component can be reduced even if the processing is performed to be extremely thin.
【００４８】[0048]
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以
下の実施例および比較例において、「裏面研磨適性試
験」、「エキスパンド性」は次のようにして行った。裏面研磨適性試験 下記ドット状の印刷によるバッドマークをバンプとし、
これを６インチのミラーウエハ上に形成した。ウエハの
バッドマークが形成された面にダイシングシートを貼付
し、反対面を研磨した。ウエハ形状、研磨条件、評価方
法は以下のとおり。 （１）ウエハ形状 ウエハ径：６インチ ウエハ厚み（ドット印刷されていない部分の厚み）：６
５０〜７００μｍ ドット径：１００μｍ ドット高さ：８０μｍ ドットのピッチ：１．０mm間隔（ウエハ外周部２０mmま
ではドット印刷なし） （２）裏面研磨条件 仕上げ厚さ：２００μｍ 研磨装置：（株）ディスコ社製、グラインダーＤＦＧ８
４０ （３）評価方法 （3-1）ディンプル 研磨されたウエハ裏面を観測して、割れ・窪みが無いも
のを「優」、窪みがあったとしても窪みの最大深さが２
μｍ未満のものを「良」とし、最大深さが２μｍ以上の
窪みが発生していたものは「不良」とした。 （3-2）ウエハ厚みのバラツキ 裏面研磨後のウエハからテープを剥離して、厚みをウエ
ハ外周部２０mmまでの位置を含む３０箇所で測定して厚
みの最大値から最小値を引いた値をバラツキとした。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following examples and comparative examples, the “backside polishing suitability test” and the “expandability” were performed as follows. Backside polishing aptitude test Bad mark by dot printing below as bump,
This was formed on a 6-inch mirror wafer. A dicing sheet was attached to the surface of the wafer where the bad mark was formed, and the opposite surface was polished. The wafer shape, polishing conditions, and evaluation method are as follows. (1) Wafer shape Wafer diameter: 6 inches Wafer thickness (thickness of dot-unprinted portion): 6
50-700 μm Dot diameter: 100 μm Dot height: 80 μm Dot pitch: 1.0 mm interval (no dot printing up to 20 mm on the outer periphery of wafer) (2) Backside polishing conditions Finish thickness: 200 μm Polishing device: Disco Corporation Made, grinder DFG8
40 (3) Evaluation method (3-1) Dimple Observing the polished wafer back surface, if there is no crack or dent, “excellent”, and even if there is a dent, the maximum depth of the dent is 2
Those with a maximum depth of 2 μm or more were evaluated as “poor”, and those with a maximum depth of 2 μm or more were evaluated as “good”. (3-2) Variation in Wafer Thickness The tape is peeled off from the wafer after backside polishing, and the thickness is measured at 30 points including the position up to the outer peripheral portion of 20 mm, and the value obtained by subtracting the minimum value from the maximum value of the thickness is calculated. It was uneven.
【００４９】測定は、DIAL THICKNESS GAUGE (OZAKI MF
G. CO., LTD.)を使用した。エキスパンド性 裏面研削終了後、そのままダイサーにてウエハを１０mm
角にダイシングした後、引き落とし量１２mmでエキスパ
ンドした。なお、粘着剤層をエネルギー線硬化型粘着剤
で形成した場合には、エネルギー線照射後にダイボンダ
ーでエキスパンドを行った。 （条件） ダイサー：A-WD-4000B（東京精密製） ダイシング切込み量：５０μｍ ダイボンダー：CPS-100AS（日電機械製） （評価方法）オリエンテーションフラットに対し、水平
方向（ｘ軸）、垂直方向（ｙ軸）で、シリコンウエハの
ほぼ中心を通る任意の一列のチップ間隔を全て測定して
その平均値をチップ間隔とし、標準偏差（σn-1）を整
列性を示す数値とした。平均値が大きければチップ間隔
は広く、標準偏差が小さければ整列性に優れる。The measurement was performed using the DIAL THICKNESS GAUGE (OZAKI MF
G. CO., LTD.). After the expansion backside grinding is completed, the wafer is directly cut with a dicer to 10 mm.
After dicing into the corners, it was expanded at a withdrawal amount of 12 mm. In the case where the pressure-sensitive adhesive layer was formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, expansion was performed with a die bonder after irradiation with energy rays. (Conditions) Dicer: A-WD-4000B (manufactured by Tokyo Seimitsu) Dicing depth: 50 μm Die bonder: CPS-100AS (manufactured by Nidec Machinery) (Evaluation method) Horizontal (x-axis) and vertical (y) with respect to the orientation flat (Axis), all chip intervals in an arbitrary row passing substantially through the center of the silicon wafer were measured, the average value was set as the chip interval, and the standard deviation (σ n-1 ) was set as a numerical value indicating alignment. If the average value is large, the chip interval is wide, and if the standard deviation is small, the alignment is excellent.
【００５０】tanδ tanδは、動的粘弾性測定装置により１１Ｈｚの引張応
力で測定される。具体的には、基材を所定のサイズにサ
ンプリングして、オリエンテック社製Rheovibron DDV-I
I-EPを用いて周波数１１Ｈｚで−４０℃〜１５０℃の範
囲で tanδを測定し、基材については−５℃〜８０℃の
範囲における最大値を「 tanδ値」として採用し、中間
層については０℃〜６０℃の範囲における最大値を「 t
anδ値」として採用する。厚みとヤング率の積 ヤング率を試験速度２００mm／分でＪＩＳ Ｋ７１２７
に準拠して測定し、厚みとヤング率の積を求めた。弾性率 粘着剤、中間層の弾性率Ｇ'は、捻り剪断法により測定
した。 Tan δ tan δ is measured by a dynamic viscoelasticity measuring apparatus at a tensile stress of 11 Hz. Specifically, the base material is sampled to a predetermined size, and Orientec's Rheovibron DDV-I
Using I-EP, tan δ was measured at a frequency of 11 Hz in the range of −40 ° C. to 150 ° C., and for the substrate, the maximum value in the range of −5 ° C. to 80 ° C. was adopted as “tan δ value”. Represents the maximum value in the range of 0 ° C to 60 ° C as “t
an δ value ”. The product of the thickness and the Young's modulus is determined according to JIS K7127 at a test speed of 200 mm / min.
And the product of the thickness and the Young's modulus was determined. The modulus of elasticity G 'of the pressure-sensitive adhesive and the intermediate layer was measured by a torsional shear method.
【００５１】試験片：８mmφ×３mmの円柱 測定器：DYNAMIC ANALYZER RDA II (REOMETRIC社製) 周波数：１ＨｚTest piece: 8 mmφ × 3 mm cylinder Measurement device: DYNAMIC ANALYZER RDA II (manufactured by REOMETRIC) Frequency: 1 Hz
【００５２】[0052]
【実施例１】重量平均分子量５０００のウレタンアクリ
レート系オリゴマー（荒川化学社製）５０重量部と、イ
ソボルニルアクリレート２５重量部と、フェニルヒドロ
キシプロピルアクリレート２５重量部と、光重合開始剤
として1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（イ
ルガキュア１８４、チバ・ガイギー社製）２．０重量部
と、フタロシアニン系顔料０．２重量部とを配合してエ
ネルギー線硬化型樹脂組成物を得た。Example 1 50 parts by weight of a urethane acrylate oligomer having a weight average molecular weight of 5,000 (manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd.), 25 parts by weight of isobornyl acrylate, 25 parts by weight of phenylhydroxypropyl acrylate, 2.0 parts by weight of hydroxycyclohexylphenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by Ciba-Geigy) and 0.2 parts by weight of a phthalocyanine pigment were blended to obtain an energy ray-curable resin composition.
【００５３】得られた樹脂組成物を、ファウンテンダイ
方式により、キャスト用工程シートであるポリエチレン
テレフタレートフィルム（東レ社製：厚み３８μｍ）の
上に厚みが１１０μｍとなるように塗工して樹脂組成物
層を形成した。塗工直後に、樹脂組成物層の上にさらに
同じポリエチレンテレフタレートフィルムをラミネート
し、その後、高圧水銀ランプ（１６０Ｗ／cm、高さ１０
cm）を用いて、光量２５０ｍＪ／cm2 の条件で紫外線照
射を行うことにより樹脂組成物層を架橋・硬化させて、
厚さ１１０μｍの基材フィルムを得た。この基材フィル
ムの tanδおよび厚みとヤング率の積を上記の方法で測
定した。結果を表１に示す。The obtained resin composition was applied by a fountain die method onto a polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc .: 38 μm in thickness) as a casting process sheet so as to have a thickness of 110 μm. A layer was formed. Immediately after coating, the same polyethylene terephthalate film was further laminated on the resin composition layer, and thereafter, a high-pressure mercury lamp (160 W / cm, height 10
cm), the resin composition layer is cross-linked and cured by performing ultraviolet irradiation under the condition of a light quantity of 250 mJ / cm 2 ,
A substrate film having a thickness of 110 μm was obtained. The tan δ and the product of the thickness and the Young's modulus of the substrate film were measured by the above method. Table 1 shows the results.
【００５４】この基材フィルムの片面に、重量平均分子
量３５００のウレタンアクリレート系オリゴマー（東亜
合成社製）６０重量部と、フェノールエチレンオキシド
変性アクリレート（商品名M-101、東亜合成社製）２０
重量部と、イソボルニルアクリレート１０重量部と、光
重合開始剤（イルガキュア184）２．０重量部を配合し
て、ファウンテンダイ方式によりキャストし、厚さ４０
μmの中間層を形成した。中間層の tanδおよび弾性率
を上記の方法で測定した。結果を表１に示す。On one surface of the base film, 60 parts by weight of a urethane acrylate oligomer having a weight average molecular weight of 3,500 (manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.) and phenol ethylene oxide modified acrylate (trade name: M-101, manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.)
Parts by weight, 10 parts by weight of isobornyl acrylate, and 2.0 parts by weight of a photopolymerization initiator (Irgacure 184), and cast by a fountain die method to obtain a thickness of 40 parts.
A μm intermediate layer was formed. The tan δ and elastic modulus of the intermediate layer were measured by the methods described above. Table 1 shows the results.
【００５５】中間層上に、アクリル系粘着剤（n-ブチル
アクリレートとアクリル酸との共重合体）１００重量部
と、分子量８０００のウレタンアクリレート系オリゴマ
ー１２０重量部と、硬化剤（ジイソシアナート系）１０
重量部と、光重合開始剤（ベンゾフェノン系）５重量部
とを混合した粘着剤組成物を塗布乾燥し、厚さ４０μｍ
の粘着剤層を形成し、ダイシングシートを得た。On the intermediate layer, 100 parts by weight of an acrylic pressure-sensitive adhesive (copolymer of n-butyl acrylate and acrylic acid), 120 parts by weight of a urethane acrylate oligomer having a molecular weight of 8000, and a curing agent (diisocyanate type) ) 10
Part by weight and 5 parts by weight of a photopolymerization initiator (benzophenone type) were mixed and dried by applying a pressure-sensitive adhesive composition to a thickness of 40 μm.
To form a dicing sheet.
【００５６】得られたダイシングシートを用いて、前記
の条件で裏面研削、ダイシング、エキスパンドを行い評
価した。結果を表１に示す。Using the obtained dicing sheet, back surface grinding, dicing and expanding were performed under the above-mentioned conditions, and evaluated. Table 1 shows the results.
【００５７】[0057]
【実施例２】基材として厚さ１４０μｍのエチレン・メ
タクリル酸共重合体フィルム（メタクリル酸含量９％）
を用い、中間層として厚さ４０μｍのアクリル系粘着剤
（n-ブチルアクリレートと酢酸ビニルとアクリル酸との
共重合体１００重量部と、硬化剤（ジイソシアナート
系）２重量部との混合物）を用い、基材の片面に塗布乾
燥し、粘着剤層として厚さ４０μｍの紫外線硬化型粘着
剤（n-ブチルアクリレートとメタクリル酸メチルとヒド
ロキシエチルアクリレートとの共重合体１００重量部
と、分子量５０００のウレタンアクリレート系オリゴマ
ー１２０重量部と、ジイソシアナート５．０重量部と、
光重合開始剤５重量部との混合物）を用いてダイシング
シートを得た。Example 2 140 μm thick ethylene / methacrylic acid copolymer film (methacrylic acid content 9%) as a substrate
And an acrylic pressure-sensitive adhesive having a thickness of 40 μm as an intermediate layer (a mixture of 100 parts by weight of a copolymer of n-butyl acrylate, vinyl acetate and acrylic acid, and 2 parts by weight of a curing agent (diisocyanate)) And dried on one side of the substrate using a UV-curable pressure-sensitive adhesive having a thickness of 40 μm (100 parts by weight of a copolymer of n-butyl acrylate, methyl methacrylate and hydroxyethyl acrylate, and a molecular weight of 5000). 120 parts by weight of a urethane acrylate oligomer, 5.0 parts by weight of diisocyanate,
A mixture with 5 parts by weight of a photopolymerization initiator) was used to obtain a dicing sheet.
【００５８】得られたダイシングシートを用いて、前記
の条件で裏面研削、ダイシング、エキスパンドを行い評
価した。結果を表１に示す。Using the obtained dicing sheet, back surface grinding, dicing and expanding were performed under the above-mentioned conditions, and evaluated. Table 1 shows the results.
【００５９】[0059]
【実施例３】粘着剤層をアクリル系再剥離型粘着剤（2-
エチルヘキシルアクリレートとn-ブチルアクリレートと
アクリル酸との共重合体１００重量部とジイソシアナー
ト１０重量部との混合物）で形成した以外は、実施例１
と同様の操作を行った。得られたダイシングシートを用
いて、前記の条件で裏面研削、ダイシング、エキスパン
ドを行い評価した。結果を表１に示す。Example 3 The pressure-sensitive adhesive layer was formed of an acrylic removable pressure-sensitive adhesive (2-
Example 1 except that it was formed from a mixture of 100 parts by weight of a copolymer of ethylhexyl acrylate, n-butyl acrylate and acrylic acid and 10 parts by weight of diisocyanate.
The same operation as described above was performed. Using the obtained dicing sheet, back surface grinding, dicing, and expanding were performed under the above-described conditions, and evaluation was performed. Table 1 shows the results.
【００６０】[0060]
【比較例１】中間層を形成しなかった以外は、実施例２
と同様の操作を行った。得られたダイシングシートを用
いて、前記の条件で裏面研削、ダイシング、エキスパン
ドを行い評価した。結果を表１に示す。Comparative Example 1 Example 2 was repeated except that no intermediate layer was formed.
The same operation as described above was performed. Using the obtained dicing sheet, back surface grinding, dicing, and expanding were performed under the above-described conditions, and evaluation was performed. Table 1 shows the results.
【００６１】[0061]
【表１】 [Table 1]
【図１】 本発明のダイシングシートの使用方法を示
す。FIG. 1 shows a method for using a dicing sheet of the present invention.
【図２】 本発明のダイシングシートの使用方法を示
す。FIG. 2 shows a method for using the dicing sheet of the present invention.
【図３】 本発明のダイシングシートの使用方法を示
す。FIG. 3 shows a method for using the dicing sheet of the present invention.
１…半導体ウエハ（電子部品集合体） １０…ダイシングシート ２０…リングフレーム Ｇ…グラインダーの砥石 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor wafer (electronic component aggregate) 10 ... Dicing sheet 20 ... Ring frame G ... Grinder grindstone
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J004 AA04 AA05 AA08 AA10 AA11 AA14 AB01 AB06 CA03 CA04 CC03 CC04 CD03 CD04 CD05 CD06 CE01 FA08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4J004 AA04 AA05 AA08 AA10 AA11 AA14 AB01 AB06 CA03 CA04 CC03 CC04 CD03 CD04 CD05 CD06 CE01 FA08
Claims (5)
該中間層の上に形成された粘着剤層とからなるダイシン
グシートであって、 粘着剤層の２３℃における弾性率が5.0×104〜1.0×107
Paの範囲にあり、中間層の２３℃における弾性率が粘着
剤層の２３℃における弾性率以下となることを特徴とす
るダイシングシート。1. A substrate, and an intermediate layer formed thereon,
A dicing sheet comprising an adhesive layer formed on the intermediate layer, wherein the adhesive layer has an elastic modulus at 23 ° C of 5.0 × 10 4 to 1.0 × 10 7.
A dicing sheet in the range of Pa, wherein the elastic modulus of the intermediate layer at 23 ° C. is lower than the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at 23 ° C.
ける動的粘弾性の tanδの最大値が０．５以上であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のダイシングシート。2. The dicing sheet according to claim 1, wherein the maximum value of tan δ of dynamic viscoelasticity of the substrate in a temperature range of -5 to 80 ° C. is 0.5 or more.
0×103〜1.0×106Ｎ／ｍであることを特徴とする請求項
１または２に記載のダイシングシート。3. The product of the thickness of the substrate and the Young's modulus is 1.
The dicing sheet according to claim 1, wherein the dicing sheet has a density of 0 × 10 3 to 1.0 × 10 6 N / m.
グシートを、電子部品集合体の一方の面に貼付して該電
子部品集合体を固定した後、該電子部品集合体を各電子
部品毎に切断分離することを特徴とするダイシングシー
トの使用方法。4. After attaching the dicing sheet according to claim 1 to one surface of an electronic component assembly to fix the electronic component assembly, the electronic component assembly is attached to each of the electronic components. A method of using a dicing sheet, which is cut and separated for each part.
グシートを、電子部品集合体の一方の面に貼付して該電
子部品集合体を固定した後、該電子部品集合体の他方の
面を研削・研磨した後、そのままの状態で各電子部品毎
に切断分離することを特徴とするダイシングシートの使
用方法。5. After attaching the dicing sheet according to claim 1 to one surface of an electronic component assembly to fix the electronic component assembly, the other of the electronic component assembly A method of using a dicing sheet, wherein a surface is ground and polished, and then cut and separated for each electronic component as it is.
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| JP (1) | JP2002141309A (en) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1384575A1 (en) * | 2002-07-24 | 2004-01-28 | LINTEC Corporation | Laminate sheet and producing methods therefor |
| JP2005276987A (en) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Lintec Corp | Ultra-thin chip manufacturing process and manufacturing apparatus therefor |
| JPWO2004065510A1 (en) * | 2003-01-22 | 2006-05-18 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet, semiconductor wafer surface protection method and workpiece processing method |
| JP2006160954A (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Sekisui Chem Co Ltd | Adhesive sheet |
| JPWO2005004216A1 (en) * | 2003-07-08 | 2006-08-17 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet for dicing and die bonding and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007045965A (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Nitto Denko Corp | Adhesive sheet, method for producing the same, and method for processing product |
| JP2007227810A (en) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sharp Corp | Surface protection sheet, and method for manufacturing semiconductor device using surface protection sheet |
| JP2009231738A (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Gunze Ltd | Substrate film for back grinding and method of manufacturing the same |
| JP2009231740A (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Gunze Ltd | Back grinding film and manufacturing method thereof |
| JP2009231735A (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Gunze Ltd | Back grinding film and method of manufacturing the same |
| JP2009231759A (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Gunze Ltd | Substrate film for back grinding and method of manufacturing the same |
| JP2010215769A (en) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Lintec Corp | Method for processing adhesive sheet and semiconductor wafer, and method for producing semiconductor chip |
| JP2010258426A (en) * | 2009-04-02 | 2010-11-11 | Nitto Denko Corp | Method for laminating adhesive sheet for protecting semiconductor wafer, and adhesive sheet for protecting semiconductor wafer used in this laminating method |
| KR101109878B1 (en) | 2003-08-08 | 2012-02-15 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Re-peelable Pressure-sensitive Adhesive Sheet |
| CN103087644A (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-08 | 琳得科株式会社 | Dicing sheet and a production method of a semiconductor chip |
| WO2013141251A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | リンテック株式会社 | Film, sheet substrate for processing workpiece, and sheet for processing workpiece |
| JP2013197390A (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Lintec Corp | Dicing sheet and method of manufacturing semiconductor chip |
| WO2017104478A1 (en) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | Dic株式会社 | Easily peelable adhesive tape, article, and method for dismantling article |
| JP2018074083A (en) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | Processing method of wafer |
| JP2018186119A (en) * | 2017-04-24 | 2018-11-22 | デンカ株式会社 | Adhesive tape for stealth dicing and method of manufacturing semiconductor chip using the same |
| US10529623B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-01-07 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06134941A (en) * | 1992-10-27 | 1994-05-17 | Kureha Chem Ind Co Ltd | Base material for adherent sheet for adhering wafer and the sheet |
| JPH0774131A (en) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dicing device and semiconductor chip processing method |
| JPH10284449A (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer backside polishing / dicing method and system |
| JP2000212530A (en) * | 1998-11-20 | 2000-08-02 | Lintec Corp | Adhesive sheet and its use |
| JP2000216123A (en) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Back surface grinding of wafer and dicing method |
-
2000
- 2000-11-02 JP JP2000335987A patent/JP2002141309A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06134941A (en) * | 1992-10-27 | 1994-05-17 | Kureha Chem Ind Co Ltd | Base material for adherent sheet for adhering wafer and the sheet |
| JPH0774131A (en) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dicing device and semiconductor chip processing method |
| JPH10284449A (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer backside polishing / dicing method and system |
| JP2000212530A (en) * | 1998-11-20 | 2000-08-02 | Lintec Corp | Adhesive sheet and its use |
| JP2000216123A (en) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Back surface grinding of wafer and dicing method |
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101023473B1 (en) | 2002-07-24 | 2011-03-25 | 린텍 가부시키가이샤 | Laminated sheet and its manufacturing method |
| EP1384575A1 (en) * | 2002-07-24 | 2004-01-28 | LINTEC Corporation | Laminate sheet and producing methods therefor |
| JPWO2004065510A1 (en) * | 2003-01-22 | 2006-05-18 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet, semiconductor wafer surface protection method and workpiece processing method |
| JP4804921B2 (en) * | 2003-01-22 | 2011-11-02 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet, semiconductor wafer surface protection method and workpiece processing method |
| JPWO2005004216A1 (en) * | 2003-07-08 | 2006-08-17 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet for dicing and die bonding and method for manufacturing semiconductor device |
| KR101109878B1 (en) | 2003-08-08 | 2012-02-15 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Re-peelable Pressure-sensitive Adhesive Sheet |
| JP2005276987A (en) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Lintec Corp | Ultra-thin chip manufacturing process and manufacturing apparatus therefor |
| JP2006160954A (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Sekisui Chem Co Ltd | Adhesive sheet |
| JP2007045965A (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Nitto Denko Corp | Adhesive sheet, method for producing the same, and method for processing product |
| JP2007227810A (en) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sharp Corp | Surface protection sheet, and method for manufacturing semiconductor device using surface protection sheet |
| JP2009231740A (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Gunze Ltd | Back grinding film and manufacturing method thereof |
| JP2009231759A (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Gunze Ltd | Substrate film for back grinding and method of manufacturing the same |
| JP2009231735A (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Gunze Ltd | Back grinding film and method of manufacturing the same |
| JP2009231738A (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Gunze Ltd | Substrate film for back grinding and method of manufacturing the same |
| JP2010215769A (en) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Lintec Corp | Method for processing adhesive sheet and semiconductor wafer, and method for producing semiconductor chip |
| JP2010258426A (en) * | 2009-04-02 | 2010-11-11 | Nitto Denko Corp | Method for laminating adhesive sheet for protecting semiconductor wafer, and adhesive sheet for protecting semiconductor wafer used in this laminating method |
| CN103087644A (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-08 | 琳得科株式会社 | Dicing sheet and a production method of a semiconductor chip |
| CN110079224A (en) * | 2011-11-02 | 2019-08-02 | 琳得科株式会社 | The manufacturing method of cutting sheet and semiconductor wafer |
| JP2013098408A (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Lintec Corp | Dicing sheet and manufacturing method of semiconductor chip |
| KR20130048708A (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | 린텍 코포레이션 | Dicing sheet and a production method of a semiconductor chip |
| KR101967444B1 (en) | 2011-11-02 | 2019-04-09 | 린텍 코포레이션 | Dicing sheet and a production method of a semiconductor chip |
| US9312162B2 (en) | 2011-11-02 | 2016-04-12 | Lintec Corporation | Dicing sheet and a production method of a semiconductor chip |
| TWI547985B (en) * | 2011-11-02 | 2016-09-01 | Lintec Corp | Cutting sheet and semiconductor wafer manufacturing method |
| JP2013197390A (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Lintec Corp | Dicing sheet and method of manufacturing semiconductor chip |
| WO2013141251A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | リンテック株式会社 | Film, sheet substrate for processing workpiece, and sheet for processing workpiece |
| WO2017104478A1 (en) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | Dic株式会社 | Easily peelable adhesive tape, article, and method for dismantling article |
| CN108291120A (en) * | 2015-12-17 | 2018-07-17 | Dic株式会社 | The disassembling method of release performance adhesive tape, article and article |
| JPWO2017104478A1 (en) * | 2015-12-17 | 2018-08-02 | Dic株式会社 | Easy-release adhesive tape, article and method for disassembling article |
| US10508224B2 (en) | 2015-12-17 | 2019-12-17 | Dic Corporation | Easily peelable adhesive tape, article, and method for disassembling article |
| CN108291120B (en) * | 2015-12-17 | 2021-02-12 | Dic株式会社 | Easily releasable adhesive tape, article, and method for disassembling article |
| JP2018074083A (en) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | Processing method of wafer |
| JP2018186119A (en) * | 2017-04-24 | 2018-11-22 | デンカ株式会社 | Adhesive tape for stealth dicing and method of manufacturing semiconductor chip using the same |
| US10529623B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-01-07 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element |
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| A977 | Report on retrieval |
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