JP2002122977A - フォトマスクの作成法、フォトマスク、並びに露光方法 - Google Patents
フォトマスクの作成法、フォトマスク、並びに露光方法Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハ上の例えばゲート線幅制御性を向上
できるフォトマスクの作成を可能にする。 【解決手段】 フォトリソグラフィ工程及びエッチング
工程を経て得られたパターンのスペース依存性７に基い
てマスク補正単位３を決定し、このマスク補正単位３を
用いてフォトマスク作成用の設計データ１に対する補正
を行い、描画装置を用いてフォトマスクを作成する。
できるフォトマスクの作成を可能にする。 【解決手段】 フォトリソグラフィ工程及びエッチング
工程を経て得られたパターンのスペース依存性７に基い
てマスク補正単位３を決定し、このマスク補正単位３を
用いてフォトマスク作成用の設計データ１に対する補正
を行い、描画装置を用いてフォトマスクを作成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イスの製造工程に用いられるフォトマスクの作成法及び
フォトマスク、並びにこのフォトマスクを用いた露光方
法に関する。
イスの製造工程に用いられるフォトマスクの作成法及び
フォトマスク、並びにこのフォトマスクを用いた露光方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程に用いられる
フォトマスクは、ガラス基板上に所要パターンの遮光膜
（例えばＣｒ膜等）を形成して構成される。半導体デバ
イスの製造は、フォトリソグラフィ技術を用い、フォト
レジスト膜が形成された半導体ウェーハ上にフォトマス
クのパターンを投影露光し、現像処理して、半導体ウェ
ーハ上にレジストパターンを形成した後、このレジスト
パターンをマスクにして下地膜をエッチング処理する等
の工程を有して行われる。フォトマスクは、例えば描画
装置を用いて作成されるもので、設計された描画デー
タ、いわゆるＣＡＤデータを描画装置用のデータに変換
し、このデータに基いてガラス基板上の遮光膜を忠実に
パターニングして作成される。このフォトマスクを用い
て半導体ウェーハ上に露光するのがフォトリソグラフィ
工程である。
フォトマスクは、ガラス基板上に所要パターンの遮光膜
（例えばＣｒ膜等）を形成して構成される。半導体デバ
イスの製造は、フォトリソグラフィ技術を用い、フォト
レジスト膜が形成された半導体ウェーハ上にフォトマス
クのパターンを投影露光し、現像処理して、半導体ウェ
ーハ上にレジストパターンを形成した後、このレジスト
パターンをマスクにして下地膜をエッチング処理する等
の工程を有して行われる。フォトマスクは、例えば描画
装置を用いて作成されるもので、設計された描画デー
タ、いわゆるＣＡＤデータを描画装置用のデータに変換
し、このデータに基いてガラス基板上の遮光膜を忠実に
パターニングして作成される。このフォトマスクを用い
て半導体ウェーハ上に露光するのがフォトリソグラフィ
工程である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体デバ
イス製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程で
は、線幅が露光波長近傍のパターンを形成する必要から
光の干渉効果が顕著となり、設計パターンと転写レジス
トパターンの間に差異が生ずる光近接効果が問題となっ
ている。光近接効果は、孤立ラインと繰り返しラインの
線幅差やライン端縮み等の現象となってあらわれ、ゲー
ト線幅制御性劣化や合わせマージン減少をもたらす。同
様にエッチング工程においても、パターン間スペースの
距離に応じたテーパ角の違いからエッチングボトムの線
幅が異なり、ゲート線幅制御性が劣化する現象が発生す
る。
イス製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程で
は、線幅が露光波長近傍のパターンを形成する必要から
光の干渉効果が顕著となり、設計パターンと転写レジス
トパターンの間に差異が生ずる光近接効果が問題となっ
ている。光近接効果は、孤立ラインと繰り返しラインの
線幅差やライン端縮み等の現象となってあらわれ、ゲー
ト線幅制御性劣化や合わせマージン減少をもたらす。同
様にエッチング工程においても、パターン間スペースの
距離に応じたテーパ角の違いからエッチングボトムの線
幅が異なり、ゲート線幅制御性が劣化する現象が発生す
る。
【０００４】その結果トランジスタ特性のバラツキが増
大し、最終的に半導体チップの歩留り低下やスピード収
率低下となって生産効率及びチップ性能に対する設計マ
ージンに対して著しい悪影響を与える。この問題は高集
積性が要求される０．１８μｍ世代ロジック回路チップ
において顕著になってきたことから、各々のスペースに
依存した補正値を予め決定し、その補正をチップ全面に
行うことでゲート線幅制御性を向上させることが検討さ
れてきた。これを光近接効果補正（Ｏｐｔｉｃａｌ ｐ
ｒｏｘｉｍｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏ
ｎ ；ＯＰＣ）、もしくはプロセス近接効果補正（Ｐｒ
ｏｃｅｓｓ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔ ｃｏ
ｒｒｅｃｔｉｏｎ ；ＰＰＣ）と呼ぶ。
大し、最終的に半導体チップの歩留り低下やスピード収
率低下となって生産効率及びチップ性能に対する設計マ
ージンに対して著しい悪影響を与える。この問題は高集
積性が要求される０．１８μｍ世代ロジック回路チップ
において顕著になってきたことから、各々のスペースに
依存した補正値を予め決定し、その補正をチップ全面に
行うことでゲート線幅制御性を向上させることが検討さ
れてきた。これを光近接効果補正（Ｏｐｔｉｃａｌ ｐ
ｒｏｘｉｍｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏ
ｎ ；ＯＰＣ）、もしくはプロセス近接効果補正（Ｐｒ
ｏｃｅｓｓ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔ ｃｏ
ｒｒｅｃｔｉｏｎ ；ＰＰＣ）と呼ぶ。
【０００５】図１３は、光近接効果補正（ＯＰＣ）前と
光近接効果補正（ＯＰＣ）後の夫々の、フォトマスク３
１〔３１１、３１２〕とこれを用いて露光、現像して得
たレジストパターンイメージ３５〔３５１、３５２〕を
示す。フォトマスク３１〔３１１、３１２〕では、マス
クパターンとしてラインＬが孤立している部分、いわゆ
る孤立ライン３２と、ラインＬとスペースＳが繰り返さ
れてラインＬが密の部分、いわゆる密ライン３３が形成
されている。図１３Ａの孤立ライン３２及び密ライン３
３共に同じ線幅Ｗｏで形成されている補正前のフォトマ
スク３１１を用いて露光、現像したときには、レジスト
パターン３５１のレジスト線幅が孤立ライン３６の部分
で太る。これに対して、図１３Ｂの孤立ライン３２を密
ライン３３より線幅を細くした補正後のフォトマスク３
１２を用いて露光、現像したときには、レジストパター
ン３５２のレジスト線幅が孤立ライン３２及び密ライン
３３共に同じ線幅になる。
光近接効果補正（ＯＰＣ）後の夫々の、フォトマスク３
１〔３１１、３１２〕とこれを用いて露光、現像して得
たレジストパターンイメージ３５〔３５１、３５２〕を
示す。フォトマスク３１〔３１１、３１２〕では、マス
クパターンとしてラインＬが孤立している部分、いわゆ
る孤立ライン３２と、ラインＬとスペースＳが繰り返さ
れてラインＬが密の部分、いわゆる密ライン３３が形成
されている。図１３Ａの孤立ライン３２及び密ライン３
３共に同じ線幅Ｗｏで形成されている補正前のフォトマ
スク３１１を用いて露光、現像したときには、レジスト
パターン３５１のレジスト線幅が孤立ライン３６の部分
で太る。これに対して、図１３Ｂの孤立ライン３２を密
ライン３３より線幅を細くした補正後のフォトマスク３
１２を用いて露光、現像したときには、レジストパター
ン３５２のレジスト線幅が孤立ライン３２及び密ライン
３３共に同じ線幅になる。
【０００６】ここで、マスクの補正を行うには最初に補
正グリッドを明確にする必要がある。補正グリッドと
は、補正値を決める刻み単位（いわゆるマスク補正単
位）を示す。近年の高精度なマスク描画装置において
は、ウェーハ換算（いわゆるウェーハ上に投影露光した
ときの寸法）で０．５ｎｍの描画グリッド（描画装置で
の刻み単位）が可能になり、補正グリッドも小さくし、
補正精度を向上させることが可能になってきた。
正グリッドを明確にする必要がある。補正グリッドと
は、補正値を決める刻み単位（いわゆるマスク補正単
位）を示す。近年の高精度なマスク描画装置において
は、ウェーハ換算（いわゆるウェーハ上に投影露光した
ときの寸法）で０．５ｎｍの描画グリッド（描画装置で
の刻み単位）が可能になり、補正グリッドも小さくし、
補正精度を向上させることが可能になってきた。
【０００７】しかし、補正グリッドを限りなく０に近づ
けるということは、補正テーブルを作成する工数と光近
接効果補正（ＯＰＣ）処理時間が膨大に増加していくこ
ともあり、補正精度を体系的にとらえながら補正グリッ
ドを決定していく必要がある。一般的には、光近接効果
補正（ＯＰＣ）はデータ処理の議論に終始しがちであ
り、光近接効果補正（ＯＰＣ）でどこまでプロセスを改
善できるのか、ゲート線幅制御をどこまで抑えることが
できるのかに関する議論が少ない。
けるということは、補正テーブルを作成する工数と光近
接効果補正（ＯＰＣ）処理時間が膨大に増加していくこ
ともあり、補正精度を体系的にとらえながら補正グリッ
ドを決定していく必要がある。一般的には、光近接効果
補正（ＯＰＣ）はデータ処理の議論に終始しがちであ
り、光近接効果補正（ＯＰＣ）でどこまでプロセスを改
善できるのか、ゲート線幅制御をどこまで抑えることが
できるのかに関する議論が少ない。
【０００８】補正グリッドを限りなく０に近づけること
で補正精度が向上する訳ではなく、その補正グリッドを
決定する物差しが存在しない。また、補正グリッドを限
りなく０に近づけることで補正精度がいくらでも向上す
ると勘違いをし、無駄な工数とマスク代を費やす危険性
もあり、結果的にウェーハ上のゲート線幅制御性が向上
しないため歩留り低下の状態が長く継続してしまうこと
にもなる。また、プロセスの実力に見合った設計を行う
ことができず、顧客を満足させる半導体チップを提供で
きない。
で補正精度が向上する訳ではなく、その補正グリッドを
決定する物差しが存在しない。また、補正グリッドを限
りなく０に近づけることで補正精度がいくらでも向上す
ると勘違いをし、無駄な工数とマスク代を費やす危険性
もあり、結果的にウェーハ上のゲート線幅制御性が向上
しないため歩留り低下の状態が長く継続してしまうこと
にもなる。また、プロセスの実力に見合った設計を行う
ことができず、顧客を満足させる半導体チップを提供で
きない。
【０００９】本発明は上述の点に鑑み、光近接効果補正
技術における、補正精度の定義、及び補正グリッド要求
値の設定手法に関して提案し、ウェーハ上の線幅制御性
が向上する高精度のフォトマスク作成法、フォトマス
ク、並びにこのフォトマスクを用いた露光方法を提供す
るものである。
技術における、補正精度の定義、及び補正グリッド要求
値の設定手法に関して提案し、ウェーハ上の線幅制御性
が向上する高精度のフォトマスク作成法、フォトマス
ク、並びにこのフォトマスクを用いた露光方法を提供す
るものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフォトマス
クの作成法は、フォトリソグラフィ工程及びエッチング
工程を経て得られたパターンのスペース依存性に基いて
補正グリッド、いわゆるマスク補正単位を決定し、この
マスク補正単位を用いてフォトマスク作成用の設計デー
タに対する補正を行うようにする。
クの作成法は、フォトリソグラフィ工程及びエッチング
工程を経て得られたパターンのスペース依存性に基いて
補正グリッド、いわゆるマスク補正単位を決定し、この
マスク補正単位を用いてフォトマスク作成用の設計デー
タに対する補正を行うようにする。
【００１１】本発明のフォトマスクの作成法では、フォ
トリソグラフィ工程及びエッチング工程を経て得られた
パターンのスペース依存性に基いてマスク補正単位を決
定するので、光近接効果補正、プロセス近接効果補正に
おける適切なマスク補正単位の設定が可能になる。この
マスク補正単位をフィードバックして設計データを補正
してフォトマスクが作成されるので、フォトマスク試作
に要する無駄な工数が削減される。ウェーハ上の線幅制
御性がより向上するフォトマスクの作成が可能になる。
トリソグラフィ工程及びエッチング工程を経て得られた
パターンのスペース依存性に基いてマスク補正単位を決
定するので、光近接効果補正、プロセス近接効果補正に
おける適切なマスク補正単位の設定が可能になる。この
マスク補正単位をフィードバックして設計データを補正
してフォトマスクが作成されるので、フォトマスク試作
に要する無駄な工数が削減される。ウェーハ上の線幅制
御性がより向上するフォトマスクの作成が可能になる。
【００１２】本発明に係るフォトマスクは、フォトリソ
グラフィ工程及びエッチング工程を経て得られたパター
ンのスペース依存性に基いて決定したマスク補正単位を
用いて補正された設計データにより作成して成る。
グラフィ工程及びエッチング工程を経て得られたパター
ンのスペース依存性に基いて決定したマスク補正単位を
用いて補正された設計データにより作成して成る。
【００１３】本発明のフォトマスクでは、パターンのス
ペース依存性に基いて決定したマスク補正単位を用いて
補正された設計データにより作成されるので、求められ
る線幅制御を達成できる高精度のフォトマスクを構成す
ることができる。
ペース依存性に基いて決定したマスク補正単位を用いて
補正された設計データにより作成されるので、求められ
る線幅制御を達成できる高精度のフォトマスクを構成す
ることができる。
【００１４】本発明に係る露光方法は、ウェーハに対し
て上述のフォトマスクを用いて露光処理する。
て上述のフォトマスクを用いて露光処理する。
【００１５】本発明の露光方法では、上記のようにして
作成されたフォトマスクを用いるので、ウェーハ上の露
光パターンの線幅制御性が向上する。
作成されたフォトマスクを用いるので、ウェーハ上の露
光パターンの線幅制御性が向上する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００１７】図１は、本発明の実施の形態に係るフォト
マスク作成及びそのフォトマスクを用いてウェーハ上に
所要のパターンを形成する一連のフローチャートを示
す。フォトマスクの作成は、本例では描画装置を用いて
行うこととする。図１において、１は設計されたＣＡＤ
データ、いわゆる設計データ、２は設計データ１に対す
る光近接効果補正（ＯＰＣ）処理、３は補正グリッド
（補正値を決める刻み単位、いわゆるマスク補正単
位）、４は補正グリッドで記述された補正テーブル、５
は光近接効果補正（ＯＰＣ）処置されたデータに基いて
描画装置で作成されたフォトマスク、６はフォトマスク
５を用いた露光装置で露光、現像し、更にエッチング処
理して表面上に所要のパターンを形成したウェーハ、本
例では所要のゲート線幅のゲート電極が形成された半導
体ウェーハを示す。なお、フォトマスク５では、便宜的
に描画装置を指す場合を含む。また、ウェーハ６では、
便宜的に露光装置を指す場合を含む。
マスク作成及びそのフォトマスクを用いてウェーハ上に
所要のパターンを形成する一連のフローチャートを示
す。フォトマスクの作成は、本例では描画装置を用いて
行うこととする。図１において、１は設計されたＣＡＤ
データ、いわゆる設計データ、２は設計データ１に対す
る光近接効果補正（ＯＰＣ）処理、３は補正グリッド
（補正値を決める刻み単位、いわゆるマスク補正単
位）、４は補正グリッドで記述された補正テーブル、５
は光近接効果補正（ＯＰＣ）処置されたデータに基いて
描画装置で作成されたフォトマスク、６はフォトマスク
５を用いた露光装置で露光、現像し、更にエッチング処
理して表面上に所要のパターンを形成したウェーハ、本
例では所要のゲート線幅のゲート電極が形成された半導
体ウェーハを示す。なお、フォトマスク５では、便宜的
に描画装置を指す場合を含む。また、ウェーハ６では、
便宜的に露光装置を指す場合を含む。
【００１８】先ず、本実施の形態に係るフォトマスクの
作成について説明する。最初に補正グリッド３を所定の
補正値に設定し、この初期補正値の補正グリッド３で補
正テーブル４を作成する。例えば、図２に示す補正テー
ブル４1 （ここでは、補正グリッドを５ｎｍとした場合
の模式的な補正テーブルの要部を示す。なお、スペー
ス、ゲート線幅は標記の数値以下を表す。）を作成す
る。この補正テーブル４1 をもとに設計データ１に対し
て光近接効果補正（ＯＰＣ）処理２を行い、ＯＰＣ処理
されたデータに基いて描画装置を駆動してフォトマスク
５を作成する。なお、フォトマスク５は、通常のように
透明基板である例えばガラス基板上に遮光膜である例え
ばＣｒ膜を所要の厚さに被着形成してなる基材を用意
し、Ｃｒ膜上にフォトレジスト膜を形成し、描画装置で
の電子線を走査してフォトレジスト膜に所望のマスクパ
ターンを描画（即ち露光し、現像処理）した後、パター
ニングされたレジストマスクを介してＣｒ膜を選択エッ
チングして、作成される。
作成について説明する。最初に補正グリッド３を所定の
補正値に設定し、この初期補正値の補正グリッド３で補
正テーブル４を作成する。例えば、図２に示す補正テー
ブル４1 （ここでは、補正グリッドを５ｎｍとした場合
の模式的な補正テーブルの要部を示す。なお、スペー
ス、ゲート線幅は標記の数値以下を表す。）を作成す
る。この補正テーブル４1 をもとに設計データ１に対し
て光近接効果補正（ＯＰＣ）処理２を行い、ＯＰＣ処理
されたデータに基いて描画装置を駆動してフォトマスク
５を作成する。なお、フォトマスク５は、通常のように
透明基板である例えばガラス基板上に遮光膜である例え
ばＣｒ膜を所要の厚さに被着形成してなる基材を用意
し、Ｃｒ膜上にフォトレジスト膜を形成し、描画装置で
の電子線を走査してフォトレジスト膜に所望のマスクパ
ターンを描画（即ち露光し、現像処理）した後、パター
ニングされたレジストマスクを介してＣｒ膜を選択エッ
チングして、作成される。
【００１９】次に、上記作成されたフォトマスク５を用
いた露光装置により、ウェーハ６上のフォトレジスト膜
を露光し、現像処理してレジストマスクを形成し（フォ
トリソグラフィ工程）、このレジストマスクを介して下
地膜、例えばゲート電極材料膜を選択エッチングして複
数配列されたゲート電極を形成する（エッチング工
程）。
いた露光装置により、ウェーハ６上のフォトレジスト膜
を露光し、現像処理してレジストマスクを形成し（フォ
トリソグラフィ工程）、このレジストマスクを介して下
地膜、例えばゲート電極材料膜を選択エッチングして複
数配列されたゲート電極を形成する（エッチング工
程）。
【００２０】次に、ウェーハ６のチップ内にて、様々な
スペースをもった実ゲートパターンの測長を行い、スペ
ース毎のゲート線幅バラツキの分布（測長結果）７を得
る。即ち、ゲート線幅バラツキをサンプリングし、スペ
ース毎に寸法乖離量を測定する（例えば後述の図７参
照）。様々なスペース毎に補正値が決まっているので、
スペース毎に平均をとり、平均が±補正グリッドの２倍
以内に入っていれば（補正後線幅は補正グリッドの２倍
で変化するので）、補正結果は良好と判断し、マスク作
成の条件とする。平均が±補正グリッドの２倍以内に入
っていなければ、補正値が違っていると判断し、図１の
経路１１に示すように、測長結果７に基づき補正テーブ
ル４の補正値を修正する。即ち、例えば図２の補正テー
ブル４1 から図３の補正テーブル４2 に修正する（四角
で囲まれた補正値を修正する）。この補正結果は、上記
平均が±補正グリッドの２倍以内に抑えられており、初
期の補正グリッドで補正された結果として良好である
（後述の図８参照）。これ以上に補正値修正を行うと全
体のバラツキは逆に劣化する。そして、この補正結果
は、良好と判断したときにはマスク作成の条件とされ
る。この補正値修正された補正テーブル４2 をもとに設
計データ１に対して光近接効果補正（ＯＰＣ）処理２を
行いフォトマスク５を作成する。
スペースをもった実ゲートパターンの測長を行い、スペ
ース毎のゲート線幅バラツキの分布（測長結果）７を得
る。即ち、ゲート線幅バラツキをサンプリングし、スペ
ース毎に寸法乖離量を測定する（例えば後述の図７参
照）。様々なスペース毎に補正値が決まっているので、
スペース毎に平均をとり、平均が±補正グリッドの２倍
以内に入っていれば（補正後線幅は補正グリッドの２倍
で変化するので）、補正結果は良好と判断し、マスク作
成の条件とする。平均が±補正グリッドの２倍以内に入
っていなければ、補正値が違っていると判断し、図１の
経路１１に示すように、測長結果７に基づき補正テーブ
ル４の補正値を修正する。即ち、例えば図２の補正テー
ブル４1 から図３の補正テーブル４2 に修正する（四角
で囲まれた補正値を修正する）。この補正結果は、上記
平均が±補正グリッドの２倍以内に抑えられており、初
期の補正グリッドで補正された結果として良好である
（後述の図８参照）。これ以上に補正値修正を行うと全
体のバラツキは逆に劣化する。そして、この補正結果
は、良好と判断したときにはマスク作成の条件とされ
る。この補正値修正された補正テーブル４2 をもとに設
計データ１に対して光近接効果補正（ＯＰＣ）処理２を
行いフォトマスク５を作成する。
【００２１】次に、さらに全体のゲート線幅バラツキを
抑えるときには、補正グリッド３そのものを変更する必
要がある。即ち、図１の経路１２に示すように、測長結
果７に基き補正グリッド３を初期補正グリッドより小さ
い値の補正グリッドに変更し（つまり、ゲート線幅のス
ペース依存性に基いて補正グリッドを決定し）、この変
更補正グリッド３で補正テーブル４を変更する。即ち、
例えば図３の補正テーブル４2 から図４の補正テーブル
４3 に変更する。この変更補正テーブル４3 をもとに設
計データに対して光近接効果補正（ＯＰＣ）処理を行い
フォトマスク５を作成する。このフォトマスク５を用い
ることにより、より全体のゲート線幅バラツキを抑える
ことができる（後述の図９参照）。なお、補正グリッド
そのものを変更は、描画装置の描画グリッドの値を超え
ない範囲内で行うようにする。
抑えるときには、補正グリッド３そのものを変更する必
要がある。即ち、図１の経路１２に示すように、測長結
果７に基き補正グリッド３を初期補正グリッドより小さ
い値の補正グリッドに変更し（つまり、ゲート線幅のス
ペース依存性に基いて補正グリッドを決定し）、この変
更補正グリッド３で補正テーブル４を変更する。即ち、
例えば図３の補正テーブル４2 から図４の補正テーブル
４3 に変更する。この変更補正テーブル４3 をもとに設
計データに対して光近接効果補正（ＯＰＣ）処理を行い
フォトマスク５を作成する。このフォトマスク５を用い
ることにより、より全体のゲート線幅バラツキを抑える
ことができる（後述の図９参照）。なお、補正グリッド
そのものを変更は、描画装置の描画グリッドの値を超え
ない範囲内で行うようにする。
【００２２】一方、図５に示すように、チップ６Ａ内の
ゲート電極として、Ｘ方向に長いゲート電極８ｘとＹ方
向に長いゲート電極８ｙとが混在する場合がある。この
とき、フォトマスクにおいて両ゲート線幅を同じ幅に設
計しても、Ｘ方向のゲート電極８ｘのゲート線幅Ｗｘと
Ｙ方向のゲート電極８ｙのゲート線幅Ｗｙとで差が生じ
る。上述の補正テーブル４は、Ｘ、Ｙ方向のゲート電極
８ｘ、８ｙに対して同じ条件で作成されている。従っ
て、補正グリッドをより微細化しても、ゲート線幅Ｗｘ
とＷｙの差、いわゆるＸＹ差が大きければゲート線幅制
御性は向上しない。
ゲート電極として、Ｘ方向に長いゲート電極８ｘとＹ方
向に長いゲート電極８ｙとが混在する場合がある。この
とき、フォトマスクにおいて両ゲート線幅を同じ幅に設
計しても、Ｘ方向のゲート電極８ｘのゲート線幅Ｗｘと
Ｙ方向のゲート電極８ｙのゲート線幅Ｗｙとで差が生じ
る。上述の補正テーブル４は、Ｘ、Ｙ方向のゲート電極
８ｘ、８ｙに対して同じ条件で作成されている。従っ
て、補正グリッドをより微細化しても、ゲート線幅Ｗｘ
とＷｙの差、いわゆるＸＹ差が大きければゲート線幅制
御性は向上しない。
【００２３】そこで、図１において、前述したようにフ
ォトリソグラフィ工程及びエッチング工程後のウェーハ
６に対してそのチップ内の様々なスペースをもった実ゲ
ートパターンの線幅の測長を行う（測長結果７を得
る）。様々なスペース毎に補正値が決まっているので、
スペース毎に平均をとり、平均が±補正グリッドの２倍
以内に入っていれば、補正結果は良好と判断される。同
条件において、Ｘ方向ゲート線幅Ｗｘと方向ゲート線幅
Ｗｙの平均をとり、そのＸＹ差を調べる。ＸとＹの差が
±補正グリッドの２倍より小さければ、そのフォトマス
ク５のＸＹ差は優位ではないと判断する（後述の図１０
参照）。しかし、ＸＹ差が±補正グリッドの２倍より大
きければ、フォトマスクのＸＹ差、若しくは露光装置の
ＸＹ差が大きすぎると判断する（後述の図１１参照）。
このときには、図１の例えば経路１３に示すように、測
長結果７（この場合ＸＹ差の測長）の基きマスク作成の
描画装置（フォトマスクの位置に対応する）５の設定パ
ラメータ（例えば、品質保証パターン、アパーチャーの
ＸＹシフト量等）を修正する。または、図１の例えば経
路１３に示すように、測長結果７の基きウェーハに対す
る露光装置（ウェーハの位置に対応する）６の設定パラ
メータ（例えば、コマ収差、球面収差、同期精度等）を
修正する。この補正によりさらに補正精度が向上し、高
精度のゲートパターンの形成が可能になる。
ォトリソグラフィ工程及びエッチング工程後のウェーハ
６に対してそのチップ内の様々なスペースをもった実ゲ
ートパターンの線幅の測長を行う（測長結果７を得
る）。様々なスペース毎に補正値が決まっているので、
スペース毎に平均をとり、平均が±補正グリッドの２倍
以内に入っていれば、補正結果は良好と判断される。同
条件において、Ｘ方向ゲート線幅Ｗｘと方向ゲート線幅
Ｗｙの平均をとり、そのＸＹ差を調べる。ＸとＹの差が
±補正グリッドの２倍より小さければ、そのフォトマス
ク５のＸＹ差は優位ではないと判断する（後述の図１０
参照）。しかし、ＸＹ差が±補正グリッドの２倍より大
きければ、フォトマスクのＸＹ差、若しくは露光装置の
ＸＹ差が大きすぎると判断する（後述の図１１参照）。
このときには、図１の例えば経路１３に示すように、測
長結果７（この場合ＸＹ差の測長）の基きマスク作成の
描画装置（フォトマスクの位置に対応する）５の設定パ
ラメータ（例えば、品質保証パターン、アパーチャーの
ＸＹシフト量等）を修正する。または、図１の例えば経
路１３に示すように、測長結果７の基きウェーハに対す
る露光装置（ウェーハの位置に対応する）６の設定パラ
メータ（例えば、コマ収差、球面収差、同期精度等）を
修正する。この補正によりさらに補正精度が向上し、高
精度のゲートパターンの形成が可能になる。
【００２４】一方、図１の経路１１、１２で補正テーブ
ル４を修正、変更して同一マスクデータで複数のフォト
マスク５を作成し、各フォトマスク５のスペース依存性
を調べた結果、実ゲート線幅バラツキの原因がマスクＣ
Ｄ（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）（つまり
マスク線幅そのもの）、フォトマスクの透過部及び遮光
部を透過する光の位相差、フォトマスクの遮光部の透過
率（いずれも位相シフト型フォトマスクの場合）にあっ
たときには、フォトマスクの作成プロセスで補正するこ
とができる。例えばマスクＣＤの場合は、フォトマスク
作成工程の遮光膜となるＣｒ膜のエッチング条件等を変
更する。位相シフト型フォトマスクでの位相差、遮光膜
の透過率の場合は、Ｃｒ膜厚を変更する。
ル４を修正、変更して同一マスクデータで複数のフォト
マスク５を作成し、各フォトマスク５のスペース依存性
を調べた結果、実ゲート線幅バラツキの原因がマスクＣ
Ｄ（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）（つまり
マスク線幅そのもの）、フォトマスクの透過部及び遮光
部を透過する光の位相差、フォトマスクの遮光部の透過
率（いずれも位相シフト型フォトマスクの場合）にあっ
たときには、フォトマスクの作成プロセスで補正するこ
とができる。例えばマスクＣＤの場合は、フォトマスク
作成工程の遮光膜となるＣｒ膜のエッチング条件等を変
更する。位相シフト型フォトマスクでの位相差、遮光膜
の透過率の場合は、Ｃｒ膜厚を変更する。
【００２５】本実施の形態では、このようにして様々な
スペースをもったゲートパターンを有し、ゲート線幅バ
ラツキの低減したウェーハ５を得た後、さらに所要の工
程を経て半導体デバイスを製造する。
スペースをもったゲートパターンを有し、ゲート線幅バ
ラツキの低減したウェーハ５を得た後、さらに所要の工
程を経て半導体デバイスを製造する。
【００２６】更に、具体例を用いて詳細説明する。フォ
トマスク作成に際し、通常、光近接効果補正（ＯＰＣ）
処理２を行う前には補正テーブル４を作成するが、補正
テーブル４は補正グリッド単位で記述されている。その
ため、新規プロセスを開発する場合には、最初に補正グ
リッド３を決定して置く必要がある。本例では、その最
初に補正グリッド３を所要の値、例えば５ｎｍと設定す
る。５ｎｍ補正グリッド３における、スペース毎補正値
（補正テーブル４）とその補正後のフォトマスク５を用
いてウェーハ６に対して転写（露光、現像）及びエッチ
ングした後の線幅をターゲット線幅（設計線幅）から引
いた値を図６に示す。図６において、曲線Ｉはスペース
毎補正値（補正テーブル）、曲線IIはその転写／加工後
の線幅とターゲット線幅との差（△ＣＤ）である。この
線幅の結果は、スペースを振ったＬ／Ｓ（ライン／スペ
ース）５本バーによるものであり、両側スペースが同等
であるため、片側５ｎｍ、両側で１０ｎｍ単位でマスク
データが推移しているのが判る。図１における補正テー
ブル４はこのようにして作成される。
トマスク作成に際し、通常、光近接効果補正（ＯＰＣ）
処理２を行う前には補正テーブル４を作成するが、補正
テーブル４は補正グリッド単位で記述されている。その
ため、新規プロセスを開発する場合には、最初に補正グ
リッド３を決定して置く必要がある。本例では、その最
初に補正グリッド３を所要の値、例えば５ｎｍと設定す
る。５ｎｍ補正グリッド３における、スペース毎補正値
（補正テーブル４）とその補正後のフォトマスク５を用
いてウェーハ６に対して転写（露光、現像）及びエッチ
ングした後の線幅をターゲット線幅（設計線幅）から引
いた値を図６に示す。図６において、曲線Ｉはスペース
毎補正値（補正テーブル）、曲線IIはその転写／加工後
の線幅とターゲット線幅との差（△ＣＤ）である。この
線幅の結果は、スペースを振ったＬ／Ｓ（ライン／スペ
ース）５本バーによるものであり、両側スペースが同等
であるため、片側５ｎｍ、両側で１０ｎｍ単位でマスク
データが推移しているのが判る。図１における補正テー
ブル４はこのようにして作成される。
【００２７】次に、この補正テーブル４を基に設計デー
タ１に対して光近接効果補正（ＯＰＣ）処理２を行い、
描画装置を用いて補正後フォトマスク５を作成する。こ
の補正後フォトマスク５を備えた露光装置を用いてウェ
ーハ６に対する転写（露光、現像）及びエッチング処理
を行ってウェーハ上に複数のゲート電極を形成する。こ
のときの、ゲート線幅のバラツキをサンプリングし、ス
ペース毎に寸法乖離量を測定した結果の一例を図７に示
す。図７を見るとスペース１．７μｍに相当するゲート
線幅が全体と比較して細めに仕上がっていることが判
る。太線は測長結果のスペース毎平均値である。
タ１に対して光近接効果補正（ＯＰＣ）処理２を行い、
描画装置を用いて補正後フォトマスク５を作成する。こ
の補正後フォトマスク５を備えた露光装置を用いてウェ
ーハ６に対する転写（露光、現像）及びエッチング処理
を行ってウェーハ上に複数のゲート電極を形成する。こ
のときの、ゲート線幅のバラツキをサンプリングし、ス
ペース毎に寸法乖離量を測定した結果の一例を図７に示
す。図７を見るとスペース１．７μｍに相当するゲート
線幅が全体と比較して細めに仕上がっていることが判
る。太線は測長結果のスペース毎平均値である。
【００２８】この図７のデータからは、スペース１．７
μｍの補正値を片側５ｎｍ、両側で１０ｎｍ追加するこ
とで全てのスペースを含んだトータルとしてのゲート線
幅バラツキは向上すると予測される。つまり、補正値の
修正により、補正精度を向上できる可能性がある。但
し、マスク／ショット／ウェーハ間のバラツキが反映さ
れないように、充分なデータを基に補正値修正を判断す
べきである。つまり、図７は５ｎｍ補正グリッドで補正
値修正が可能な例である。
μｍの補正値を片側５ｎｍ、両側で１０ｎｍ追加するこ
とで全てのスペースを含んだトータルとしてのゲート線
幅バラツキは向上すると予測される。つまり、補正値の
修正により、補正精度を向上できる可能性がある。但
し、マスク／ショット／ウェーハ間のバラツキが反映さ
れないように、充分なデータを基に補正値修正を判断す
べきである。つまり、図７は５ｎｍ補正グリッドで補正
値修正が可能な例である。
【００２９】この補正テーブル４の補正値修正によりゲ
ート線幅の補正精度を向上させた例が図８である。即
ち、図７のデータを補正テーブル４にフィードバックし
て補正値を５ｎｍ補正グリッドで修正し、この補正値修
正された補正テーブル４を基に設計データ１に対する光
近接効果補正（ＯＰＣ）処理２を行い、補正後フォトマ
スク５を作成する。このフォトマスクを用いて転写／エ
ッチングして図８の結果を得る。
ート線幅の補正精度を向上させた例が図８である。即
ち、図７のデータを補正テーブル４にフィードバックし
て補正値を５ｎｍ補正グリッドで修正し、この補正値修
正された補正テーブル４を基に設計データ１に対する光
近接効果補正（ＯＰＣ）処理２を行い、補正後フォトマ
スク５を作成する。このフォトマスクを用いて転写／エ
ッチングして図８の結果を得る。
【００３０】次に、図８に示す結果が得られたが、更に
トータルのゲート線幅バラツキを抑える必要があり、補
正精度をより向上させる必要があったとする。その場
合、例えば２．５μｍスペースが他より細いため、２．
５μｍスペースに相当する補正値を片側５ｎｍ、両側で
１０ｎｍ太らせたとすると、逆に２．５μｍスペースの
箇所のゲート線幅が太り過ぎてしまい、全体としての線
幅バラツキは逆に大きくなってしまう。つまり、図８は
５ｎｍ補正グリッドで補正値を修正すべきではない。換
言すれば、図８は５ｎｍ補正グリッドで補正値が正しい
例である。
トータルのゲート線幅バラツキを抑える必要があり、補
正精度をより向上させる必要があったとする。その場
合、例えば２．５μｍスペースが他より細いため、２．
５μｍスペースに相当する補正値を片側５ｎｍ、両側で
１０ｎｍ太らせたとすると、逆に２．５μｍスペースの
箇所のゲート線幅が太り過ぎてしまい、全体としての線
幅バラツキは逆に大きくなってしまう。つまり、図８は
５ｎｍ補正グリッドで補正値を修正すべきではない。換
言すれば、図８は５ｎｍ補正グリッドで補正値が正しい
例である。
【００３１】そして、これ以上のゲート線幅バラツキの
改善を望ならば、補正グリッドを小さくする検討を行う
ことができる。図９は、補正グリッドを２．５ｎｍと
し、補正値を最適化して図８よりもゲート線幅バラツキ
を低減させた例である。即ち、図８のデータを補正グリ
ッド３にフィードバックして補正グリッドを２．５ｎｍ
に変更し、この変更補正グリッドで補正テーブル４を変
更し、この変更された補正テーブル４を基に設計データ
１に対する光近接効果補正（ＯＰＣ）処理２を行い、補
正後フォトマスク５を作成する。このフォトマスクを用
いて転写／エッチングして図９の結果を得る。図９は、
２．５ｎｍ補正グリッドで補正値が正しい例である。
改善を望ならば、補正グリッドを小さくする検討を行う
ことができる。図９は、補正グリッドを２．５ｎｍと
し、補正値を最適化して図８よりもゲート線幅バラツキ
を低減させた例である。即ち、図８のデータを補正グリ
ッド３にフィードバックして補正グリッドを２．５ｎｍ
に変更し、この変更補正グリッドで補正テーブル４を変
更し、この変更された補正テーブル４を基に設計データ
１に対する光近接効果補正（ＯＰＣ）処理２を行い、補
正後フォトマスク５を作成する。このフォトマスクを用
いて転写／エッチングして図９の結果を得る。図９は、
２．５ｎｍ補正グリッドで補正値が正しい例である。
【００３２】理論的な補正精度は、補正グリッドの２倍
で決定される。逆に、補正精度は全スペースに対しスペ
ース毎平均値が±補正グリッドの２倍以内に入っていれ
ば補正値は問題なしと判断できる。但し、トランジスタ
制御に関して重要と判断されるスペース、またはトラン
ジスタが多数存在するスペースに関して特にサンプリン
グし、スペース刻みの変更などで補正結果を厳しく追い
込んでいくことも行える。実際、図８も図９も補正グリ
ッドの１倍程度の補正精度を達成している。このよう
に、チップ内のゲート線幅におけるスペース依存性を調
べることで、補正値修正が必要かどうか、補正グリッド
微細化の効果も調べることができる。
で決定される。逆に、補正精度は全スペースに対しスペ
ース毎平均値が±補正グリッドの２倍以内に入っていれ
ば補正値は問題なしと判断できる。但し、トランジスタ
制御に関して重要と判断されるスペース、またはトラン
ジスタが多数存在するスペースに関して特にサンプリン
グし、スペース刻みの変更などで補正結果を厳しく追い
込んでいくことも行える。実際、図８も図９も補正グリ
ッドの１倍程度の補正精度を達成している。このよう
に、チップ内のゲート線幅におけるスペース依存性を調
べることで、補正値修正が必要かどうか、補正グリッド
微細化の効果も調べることができる。
【００３３】次に、光近接効果補正（ＯＰＣ）の補正精
度とフォトマスク仕様との関係について説明する。前述
と同様にチップ内にて、実ゲートパターンの測長を行
う。様々なスペース毎に補正値が決まっているので、ス
ペース毎に平均をとり、平均が±補正グリッドの２倍以
内に入っていれば、補正効果は良好と判断される。図１
０はその例を示す。
度とフォトマスク仕様との関係について説明する。前述
と同様にチップ内にて、実ゲートパターンの測長を行
う。様々なスペース毎に補正値が決まっているので、ス
ペース毎に平均をとり、平均が±補正グリッドの２倍以
内に入っていれば、補正効果は良好と判断される。図１
０はその例を示す。
【００３４】次に、補正効果が良好と判断されたにも係
わらず、同一マスクデータにて次にフォトマスクを作成
したところ、図１１に示すような結果になったとする。
これは、図１０よりトータルとしてゲート線幅バラツキ
が悪化している。図１０、図１１のデータを詳細に見る
と、図１１はレイアウト上でＹ方向のゲート線幅（図５
の線幅Ｗｙ参照）のみが細く仕上がっているのが判る。
図１１の結果が出来上がりゲート線幅バラツキの設計許
容値を超えているのであれば、フォトマスクの出荷判断
を厳しくするしかない。つまり、図１０は補正精度確認
結果にてＸＹ差が小さい例である。図１１は補正精度確
認結果にてＸＹ差が大きい例である。
わらず、同一マスクデータにて次にフォトマスクを作成
したところ、図１１に示すような結果になったとする。
これは、図１０よりトータルとしてゲート線幅バラツキ
が悪化している。図１０、図１１のデータを詳細に見る
と、図１１はレイアウト上でＹ方向のゲート線幅（図５
の線幅Ｗｙ参照）のみが細く仕上がっているのが判る。
図１１の結果が出来上がりゲート線幅バラツキの設計許
容値を超えているのであれば、フォトマスクの出荷判断
を厳しくするしかない。つまり、図１０は補正精度確認
結果にてＸＹ差が小さい例である。図１１は補正精度確
認結果にてＸＹ差が大きい例である。
【００３５】上述において、補正グリッドとＸＹ差に関
する仕様を説明した。ＸＹ差と補正グリッドとの関係を
図１２に示す。図１２Ａで孤立ラインと密ラインのパタ
ーンがゲート線幅全体のバラツキの中で乖離している様
子を示す。２本の縦線２１及び２２はそれぞれの平均値
である。光近接効果補正（ＯＰＣ）によって孤立ライン
と密ラインのパターンの平均値を近づけることができ
る。ただし、その値は補正グリッドの２倍のオーダで規
制される。
する仕様を説明した。ＸＹ差と補正グリッドとの関係を
図１２に示す。図１２Ａで孤立ラインと密ラインのパタ
ーンがゲート線幅全体のバラツキの中で乖離している様
子を示す。２本の縦線２１及び２２はそれぞれの平均値
である。光近接効果補正（ＯＰＣ）によって孤立ライン
と密ラインのパターンの平均値を近づけることができ
る。ただし、その値は補正グリッドの２倍のオーダで規
制される。
【００３６】一方、図１２Ｂは、Ｘ方向とＹ方向のゲー
ト線幅が乖離している様子を示す。２本の縦線２３及び
２４はそれぞれの平均値である。図１２Ａ、図１２Ｂと
もゲート線幅バラツキ全体に対する影響としては同じで
あることが判る。このＸＹ差の議論はマスクＣＤ（ｃｒ
ｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）やリソグラフィの
ＣＤ、露光装置のＸＹ差といった色々な項目についても
同じである。
ト線幅が乖離している様子を示す。２本の縦線２３及び
２４はそれぞれの平均値である。図１２Ａ、図１２Ｂと
もゲート線幅バラツキ全体に対する影響としては同じで
あることが判る。このＸＹ差の議論はマスクＣＤ（ｃｒ
ｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）やリソグラフィの
ＣＤ、露光装置のＸＹ差といった色々な項目についても
同じである。
【００３７】即ち、補正精度とはマスクおよびウェーハ
プロセス全体の実力によって左右されるものであり、そ
れらと分離して議論してはならない。結論として、マス
ク及びウェーハプロセスの実力以上の補正精度を、補正
グリッド微細化に求めることは問題であるといえる。
プロセス全体の実力によって左右されるものであり、そ
れらと分離して議論してはならない。結論として、マス
ク及びウェーハプロセスの実力以上の補正精度を、補正
グリッド微細化に求めることは問題であるといえる。
【００３８】上述した本実施の形態によれば、フォトマ
スク作成に際しての光近接効果補正（ＯＰＣ）、プロセ
ス近接効果補正（ＰＰＣ）における適切な補正グリッド
の設定を可能にし、求められるゲート線幅制御を達成す
ることができる。ウェーハ上のゲート線幅制御性が向上
し得るフォトマスクが得られるので、高精度のチップ
（半導体デバイス）を製造でき、且つその製造歩留りを
向上することができる。設計マージンとプロセスマージ
ンの両方を考慮したチップの設計を行うことが可能とな
り、顧客の満足するチップの充分な供給が可能になる。
光近接効果補正（ＯＰＣ）、プロセス近接効果補正（Ｐ
ＰＣ）精度を明確にできると共に、フォトマスク寸法制
御性に関する仕様も明確にでき、フォトマスク試作に要
する無駄な工数を削減することができる。
スク作成に際しての光近接効果補正（ＯＰＣ）、プロセ
ス近接効果補正（ＰＰＣ）における適切な補正グリッド
の設定を可能にし、求められるゲート線幅制御を達成す
ることができる。ウェーハ上のゲート線幅制御性が向上
し得るフォトマスクが得られるので、高精度のチップ
（半導体デバイス）を製造でき、且つその製造歩留りを
向上することができる。設計マージンとプロセスマージ
ンの両方を考慮したチップの設計を行うことが可能とな
り、顧客の満足するチップの充分な供給が可能になる。
光近接効果補正（ＯＰＣ）、プロセス近接効果補正（Ｐ
ＰＣ）精度を明確にできると共に、フォトマスク寸法制
御性に関する仕様も明確にでき、フォトマスク試作に要
する無駄な工数を削減することができる。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係るフォトマスク作成法によれ
ば、光近接効果補正、プロセス近接効果補正における適
切なマスク補正単位の設定を可能にし、求められる線幅
制御を達成できるフォトマスクの作成を可能にする。光
近接効果補正、プロセス近接効果補正精度を明確にでき
ると共に、マスク寸法制御性に関する仕様も明確にで
き、フォトマスク試作に要する無駄な工数を削減でき
る。
ば、光近接効果補正、プロセス近接効果補正における適
切なマスク補正単位の設定を可能にし、求められる線幅
制御を達成できるフォトマスクの作成を可能にする。光
近接効果補正、プロセス近接効果補正精度を明確にでき
ると共に、マスク寸法制御性に関する仕様も明確にで
き、フォトマスク試作に要する無駄な工数を削減でき
る。
【００４０】本発明に係るフォトマスクによれば、ウェ
ーハ上で求められる線幅制御を達成できるフォトマスク
であるので、設計マージンとプロセスマージンの両方を
考慮した半導体チップの設計を可能とし、顧客の満足す
る半導体チップの製造を可能にし、且つその半導体チッ
プの充分な供給を可能にする。
ーハ上で求められる線幅制御を達成できるフォトマスク
であるので、設計マージンとプロセスマージンの両方を
考慮した半導体チップの設計を可能とし、顧客の満足す
る半導体チップの製造を可能にし、且つその半導体チッ
プの充分な供給を可能にする。
【００４１】本発明に係る露光方法によれば、上述の作
成法で得られたフォトマスクを用いるので、高精度のパ
ターン露光ができ、結果的にフォトリソグラフィ工程、
エッチング工程後のウェーハ上で高精度のパターン形成
ができる。従って、顧客の満足する半導体チップの製造
を可能にし、且つその半導体チップの充分な供給を可能
にする。
成法で得られたフォトマスクを用いるので、高精度のパ
ターン露光ができ、結果的にフォトリソグラフィ工程、
エッチング工程後のウェーハ上で高精度のパターン形成
ができる。従って、顧客の満足する半導体チップの製造
を可能にし、且つその半導体チップの充分な供給を可能
にする。
【図１】本発明に係るフォトマスク作成及びそのフォト
マスクを用いてウェーハ上に所要のパターンを形成する
一連のフローシャートである。
マスクを用いてウェーハ上に所要のパターンを形成する
一連のフローシャートである。
【図２】本発明の説明に供する補正テーブルの一例の要
部の構成図である。
部の構成図である。
【図３】本発明の説明に供する補正テーブルの他の例の
要部の構成図である。
要部の構成図である。
【図４】本発明の説明に供する補正テーブルの更に他の
例の要部の構成図である。
例の要部の構成図である。
【図５】本発明の説明に供する実ゲートパターンの構成
図である。
図である。
【図６】本発明の具体例の説明に供するスペース毎補正
値（補正テーブル）と、その転写／加工後線幅とターゲ
ット線幅との差（ΔＣＤ）を示すグラフである。
値（補正テーブル）と、その転写／加工後線幅とターゲ
ット線幅との差（ΔＣＤ）を示すグラフである。
【図７】本発明の具体例の説明に供する５ｎｍ補正グリ
ッドで補正値修正が必要な例を示すグラフである。
ッドで補正値修正が必要な例を示すグラフである。
【図８】本発明の具体例の説明に供する５ｎｍ補正グリ
ッドで補正値が正しい例を示すグラフである。
ッドで補正値が正しい例を示すグラフである。
【図９】本発明の具体例の説明に供する２．５ｎｍ補正
グリッドで補正値が正しい例を示すグラフである。
グリッドで補正値が正しい例を示すグラフである。
【図１０】本発明の具体例の説明に供する補正精度確認
結果にてＸＹ差が小さい例を示すグラフである。
結果にてＸＹ差が小さい例を示すグラフである。
【図１１】本発明の具体例の説明に供する補正精度確認
結果にてＸＹ差が大きい例を示すグラフである。
結果にてＸＹ差が大きい例を示すグラフである。
【図１２】Ａ 本発明の説明に供するゲート線幅のチッ
プ内頻度に孤立ラインと密ラインの線幅に差が生じてい
る例を示すグラフである。 Ｂ 本発明の説明に供するゲート線幅のチップ内頻度に
ＸＹ線幅差が生じている例を示すグラフである。
プ内頻度に孤立ラインと密ラインの線幅に差が生じてい
る例を示すグラフである。 Ｂ 本発明の説明に供するゲート線幅のチップ内頻度に
ＸＹ線幅差が生じている例を示すグラフである。
【図１３】Ａ 補正前のフォトマスク及びレジストパタ
ーンイメージを示す説明図である。 Ｂ 補正後のフォトマスク及びレジストパターンイメー
ジを示す説明図である。
ーンイメージを示す説明図である。 Ｂ 補正後のフォトマスク及びレジストパターンイメー
ジを示す説明図である。
１・・・設計データ、２・・・光近接効果補正（ＯＰ
Ｃ）処理、３・・・補正グリッドの決定、４補正テーブ
ルの作成、５・・・フォトマスク、６・・・ウェーハ、
７・・・ウェーハ上のスペース毎のゲート線幅の測定結
果。
Ｃ）処理、３・・・補正グリッドの決定、４補正テーブ
ルの作成、５・・・フォトマスク、６・・・ウェーハ、
７・・・ウェーハ上のスペース毎のゲート線幅の測定結
果。
Claims (6)
- 【請求項１】 フォトリソグラフィ工程及びエッチング
工程を経て得られたパターンのスペース依存性に基いて
マスク補正単位を決定し、 該マスク補正単位を用いてフォトマスク作成用の設計デ
ータに対する補正を行うことを特徴とするフォトマスク
の作成法。 - 【請求項２】 前記設計データに対する補正と共に、 前記パターンのスペース依存性に基く前記パターンのＸ
Ｙ差に応じて、マスク描画装置の設定パラメータを補正
することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの
作成法。 - 【請求項３】 フォトリソグラフィ工程及びエッチング
工程を経て得られたパターンのスペース依存性に基いて
決定したマスク補正単位を用いて補正された設計データ
により作成されて成ることを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項４】 前記マスク補正単位で設計データが補正
されると共に、 前記パターンのスペース依存性に基く前記パターンのＸ
Ｙ差に応じて、設定パラメータが補正されたマスク描画
装置により作成されて成ることを特徴とする請求項３に
記載のフォトマスク。 - 【請求項５】 ウェーハに対して請求項３記載のフォト
マスクを用いて露光処理することを特徴とする露光方
法。 - 【請求項６】 請求項３記載のフォトマスクを用いると
共に、 フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経て得ら
れたパターンのスペース依存性に基く前記パターンのＸ
Ｙ差に応じて、露光装置の設定パラメータを補正して、 ウェーハに対して露光処理を行うことを特徴とする露光
方法。
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