JP2002116546A - Chemical amplification type positive type resist composition and sulfonium salt - Google Patents
Chemical amplification type positive type resist composition and sulfonium saltInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好
であるとともに、特に改善されたラインエッジラフネス
を与える化学増幅型ポジ型レジスト組成物。
【解決手段】酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、そ
れ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用で
アルカリに可溶となる樹脂及び酸発生剤を含有する化学
増幅型ポジ型レジスト組成物であって、該酸発生剤とし
て、下式(I)で示されるスルホニウム塩
及び下式(I’)で示されるスルホニウム塩
から選ばれる少なくとも1種のスルホニウム塩と、
及び
から選ばれる少なくとも1種のオニウム塩とを併用す
る。(57) [Summary] A chemically amplified positive resist composition having excellent resist performance such as sensitivity and resolution, and giving particularly improved line edge roughness. Kind Code: A1 A chemical compound containing a resin and an acid generator, which has a polymerized unit having an acid-labile group and is itself insoluble or hardly soluble in alkali, but is soluble in alkali by the action of an acid. An amplification-type positive resist composition, wherein the acid generator is a sulfonium salt represented by the following formula (I): And a sulfonium salt represented by the following formula (I ') At least one sulfonium salt selected from: as well as And at least one onium salt selected from the group consisting of:
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の微細加工
に用いられる化学増幅型のポジ型レジスト組成物に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemically amplified positive resist composition used for fine processing of semiconductors.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体の微細加工には通常、レジスト組
成物を用いたリソグラフィプロセスが採用されており、
リソグラフィにおいては、レイリー (Rayleigh) の回折
限界の式で表されるように、原理的には露光波長が短い
ほど解像度を上げることが可能である。半導体の製造に
用いられるリソグラフィ用露光光源は、波長436nmの
g線、波長365nmのi線、波長248nmのKrFエキ
シマレーザー、波長193nmのArFエキシマレーザー
と、年々短波長になってきており、次世代の露光光源と
して、波長157nmのF2エキシマレーザーが有望視さ
れ、その後は波長13nm以下の軟X線(EUV)が光
源として提案されている。2. Description of the Related Art A lithography process using a resist composition is usually employed for fine processing of a semiconductor.
In lithography, the shorter the exposure wavelength, the higher the resolution in principle, as expressed by the Rayleigh diffraction limit equation. Exposure light sources for lithography used in the production of semiconductors are g-line at 436 nm, i-line at 365 nm, KrF excimer laser at 248 nm, and ArF excimer laser at 193 nm. As an exposure light source, an F 2 excimer laser having a wavelength of 157 nm is considered promising, and thereafter, soft X-rays (EUV) having a wavelength of 13 nm or less have been proposed as light sources.
【0003】エキシマレーザー等の、g線、i線より短
い波長の光源は照度が低いため、レジストの感度を高め
る必要があることから、露光により発生する酸の触媒作
用を利用し、その酸により解裂する基を有する樹脂を含
有するいわゆる化学増幅型レジストが用いられる。Light sources with wavelengths shorter than g-line and i-line, such as excimer lasers, have low illuminance, so that it is necessary to increase the sensitivity of the resist. A so-called chemically amplified resist containing a resin having a group that can be cleaved is used.
【0004】しかしながら、従来公知の化学増幅型レジ
スト組成物では、定在波の発生等によりラインエッジラ
フネスすなわちパターン側壁の平滑性が低下する結果、
線幅の均一性が悪くなるという問題点が生じる。However, in the conventionally known chemically amplified resist composition, the line edge roughness, that is, the smoothness of the pattern side wall is reduced due to the generation of standing waves and the like.
There is a problem that the uniformity of the line width is deteriorated.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、樹脂
成分と酸発生剤を含有し、ArFやKrFなどのエキシ
マレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レ
ジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジ
スト性能が良好であるとともに、特に改善されたライン
エッジラフネスを与えるポジ型レジスト組成物を提供す
ることにある。An object of the present invention is to provide a chemically amplified positive resist composition containing a resin component and an acid generator and suitable for excimer laser lithography such as ArF or KrF. It is an object of the present invention to provide a positive resist composition which has various resist performances such as high resolution and resolution, and gives particularly improved line edge roughness.
【0006】本発明者らは、既に、酸発生剤として、ト
リフェニルスルホニウム塩及びジフェニルヨードニウム
塩から選ばれる少なくとも1種のオニウム塩に、シクロ
ヘキシルメチル(2-オキソスルホニウム) パーフルオロ
アルキルスルホネート等の2-オキソスルホニウムのパー
フルオロアルキルスルホネート塩を併用することによ
り、解像度が改良され、また塩基性基板や低反射率基板
におけるプロファイルも改良されることを見出し提案し
ている(特願2000-060057号)。更に検討を加えた結果、2
-オキソスルホニウムのパーフルオロアルキルスルホネ
ート塩の代わりに特定のスルホニウム塩を併用すること
により、ラインエッジラフネスを改善し得ることを見出
し、本発明を完成した。The present inventors have already reported that at least one onium salt selected from a triphenylsulfonium salt and a diphenyliodonium salt as an acid generator is added to a cyclohexylmethyl (2-oxosulfonium) perfluoroalkyl sulfonate or the like. -By using peroxoalkylsulfonate salt of oxosulfonium, the resolution is improved, and the profile on a basic substrate or a low-reflectance substrate is also improved (Japanese Patent Application No. 2000-060057). . As a result of further examination, 2
The present inventors have found that line edge roughness can be improved by using a specific sulfonium salt in place of a perfluoroalkyl sulfonate salt of -oxosulfonium, and completed the present invention.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、
下式(I)で示されるスルホニウム塩及び下式(I’)
で示されるスルホニウム塩 (式中、Q1、Q2は、互いに独立に、炭素数1〜6のア
ルキル基、又は炭素数3〜10のシクロアルキル基を表
す。Q3は、水素原子を表し、Q4は炭素数1〜6のアル
キル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基を表すか、
又はQ3とQ4が隣接するCHC(O)基と一緒になって2
−オキソシクロアルキル基を表す。Q5SO3 -は有機ス
ルホナートイオンを表す。但し、Q5が炭素数1〜8の
パーフルオロアルキル基を表す場合は、Q1が炭素数1
〜6のアルキル基を表し、 Q2が炭素数1〜6のアルキ
ル基又は炭素数3〜10のシクロアルキル基を表し、Q
3とQ4が隣接するCHC(O)基と一緒になって2−オキ
ソシクロヘキシル基を表す場合を除く。)That is, the present invention provides:
The sulfonium salt represented by the following formula (I) and the following formula (I ′)
Sulfonium salt represented by (Wherein, Q 1 and Q 2 independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. Q 3 represents a hydrogen atom, and Q 4 represents a carbon atom. Represents an alkyl group of numbers 1 to 6, a cycloalkyl group of 3 to 10 carbon atoms,
Or Q 3 and Q 4 together with an adjacent CHC (O) group
-Represents an oxocycloalkyl group. Q 5 SO 3 - represents an organic sulfonate ions. However, when Q 5 represents a perfluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, Q 1 has 1 carbon atom.
Q 2 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms;
Except when 3 and Q 4 together with the adjacent CHC (O) group represent a 2-oxocyclohexyl group. )
【0008】 (式中、Qは、記載のS+とともに環を完成する炭素数
3〜7の 脂環式炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素
基は、ケトン基を有していてもよく、また該脂環式炭化
水素基の少なくとも1個の−CH2−が酸素原子もしく
は硫黄原子に置換されていてもよい。Q3は、水素原子
を表し、Q4は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜
10のシクロアルキル基を表すか、又はQ3とQ4が隣接
するCHC(O)基と一緒になって2−オキソシクロアル
キル基を表す。Q5SO3 -は有機スルホナートイオンを
表す。)から選ばれる少なくとも1種のスルホニウム塩
と、下式(IIa)で示されるトリフェニルスルホニウム
塩及び下式(IIb)で示されるジフェニルヨードニウム
塩 (式中、P1〜P3は、互いに独立に、水素、水酸基、炭
素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ
基を表し、P6SO3 -は、有機スルホナートイオンを表
す。) (式中、P4、P5は、互いに独立に、水素、水酸基、炭
素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ
基を表し、P7SO3 -は、有機スルホナートイオンを表
す。)から選ばれる少なくとも1種のオニウム塩とを含
む酸発生剤、並びに、酸に不安定な基を持つ重合単位を
有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸
の作用でアルカリに可溶となる樹脂を含有する実用的に
優れた化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供するもの
である。[0008] (In the formula, Q represents an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms which completes a ring together with the described S + . The alicyclic hydrocarbon group may have a ketone group, Further, at least one —CH 2 — of the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an oxygen atom or a sulfur atom, Q 3 represents a hydrogen atom, and Q 4 represents an alkyl having 1 to 6 carbon atoms. Group, carbon number 3 ~
10 represents a cycloalkyl group, or Q 3 and Q 4 together with an adjacent CHC (O) group represent a 2-oxocycloalkyl group. Q 5 SO 3 - represents an organic sulfonate ions. At least one sulfonium salt selected from the group consisting of a triphenylsulfonium salt represented by the following formula (IIa) and a diphenyliodonium salt represented by the following formula (IIb) (Wherein, P 1 to P 3 independently represent hydrogen, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and P 6 SO 3 − represents an organic sulfonate ion. Represents.) (In the formula, P 4 and P 5 independently represent hydrogen, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and P 7 SO 3 − represents an organic sulfonate ion. And an acid generator containing at least one onium salt selected from the group consisting of an onium salt and a polymerized unit having an acid-labile group, which itself is insoluble or hardly soluble in alkali, It is intended to provide a practically excellent chemically amplified positive resist composition containing a resin which becomes soluble in alkali by the action of (1).
【0009】また、本発明は、式(Ia) (式中、Q6は、炭素数1〜8のパーフルオロアルキル
基、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数6〜12の芳香
族基又はカンファー基を表す。Q6が、炭素数1〜8の
パーフルオロアルキル基を表す場合は、Q1、Q2は、互
いに独立に、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜1
0のシクロアルキル基を表す。Q3は水素原子を、Q4は
炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10のシクロア
ルキル基を表す。Q6が、炭素数1〜8のアルキル基、
炭素数6〜12の芳香族基又はカンファー基を表す場合
は、Q1、Q2は、互いに独立に、炭素数1〜6のアルキ
ル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基を表す。Q3
は水素原子を、Q4は炭素数1〜6のアルキル基、炭素
数3〜10のシクロアルキル基を表すか、又はQ3とQ4
が隣接するCHC(O)基と一緒になって2−オキソシク
ロアルキル基を表す。)で示されるスルホニウム塩を提
供する。Further, the present invention provides a compound of the formula (Ia) (Wherein, Q 6 is perfluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, .Q 6 which represents an aromatic group or a camphor group having 6 to 12 carbon atoms, 1 to 4 carbon atoms When it represents a perfluoroalkyl group having from 8 to 8, Q 1 and Q 2 each independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and 3 to 1 carbon atoms.
Represents a cycloalkyl group of 0. Q 3 represents a hydrogen atom, and Q 4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. Q 6 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms,
When representing an aromatic group having 6 to 12 carbon atoms or a camphor group, Q 1 and Q 2 independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. Q 3
Represents a hydrogen atom, Q 4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or Q 3 and Q 4
Represents a 2-oxocycloalkyl group together with an adjacent CHC (O) group. ) Is provided.
【0010】さらに、本発明は、式(I’a) (式中、Qは、記載のS+とともに環を完成する炭素数
3〜7の脂環式炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基
は、ケトン基を有していてもよく、また該脂環式炭化水
素基の少なくとも1個の−CH2−が酸素原子もしくは
硫黄原子に置換されていてもよい。Q3は、水素原子を
表し、Q4は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜1
0のシクロアルキル基を表すか、又はQ3とQ4が隣接す
るCHC(O)基と一緒になって2−オキソシクロアルキ
ル基を表す。Q5SO3 -は有機スルホナートイオンを表
す。)で示されるスルホニウム塩を提供する。ここで、
カンファー基とは、下記の基をいう。 Further, the present invention provides a compound of the formula (I'a) (In the formula, Q represents an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms that completes a ring together with the described S + . The alicyclic hydrocarbon group may have a ketone group, Further, at least one —CH 2 — of the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an oxygen atom or a sulfur atom, Q 3 represents a hydrogen atom, and Q 4 represents an alkyl having 1 to 6 carbon atoms. Group, having 3 to 1 carbon atoms
0 represents a cycloalkyl group, or Q 3 and Q 4 together with an adjacent CHC (O) group represent a 2-oxocycloalkyl group. Q 5 SO 3 - represents an organic sulfonate ions. ) Is provided. here,
The camphor group refers to the following groups.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】化学増幅型のレジスト組成物に用
いられる酸発生剤は、その物質自体に、あるいはその物
質を含むレジスト組成物に、光や電子線などの放射線を
作用させることにより、その物質が分解して酸を発生す
るものである。本発明における組成物では、かかる酸発
生剤として、前記式(I)で示されるスルホニウム塩及
び前記式(I’)で示されるスルホニウム塩から選ばれ
る少なくとも1種のスルホニウム塩と、前記式(IIa)
で示されるトリフェニルスルホニウム塩及び前記式(II
b)で示されるジフェニルヨードニウム塩から選ばれる
少なくとも1種のオニウム塩とを併用する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An acid generator used in a chemically amplified resist composition is obtained by applying radiation such as light or an electron beam to the substance itself or a resist composition containing the substance. The substance is decomposed to generate an acid. In the composition according to the present invention, as the acid generator, at least one sulfonium salt selected from the sulfonium salt represented by the formula (I) and the sulfonium salt represented by the formula (I ′), and the acid generator represented by the formula (IIa) )
And a triphenylsulfonium salt represented by the formula (II)
and at least one onium salt selected from the diphenyliodonium salts shown in b).
【0012】式(I)において、Q1、Q2は、互いに独
立に炭素数1〜6のアルキル基、又は炭素数3〜10の
シクロアルキル基であることができ、炭素数3以上の場
合は、直鎖でも分岐していてもよい。具体的なアルキル
基、シクロアルキル基の例としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基な
どが挙げられる。また、式(I)において、Q3は水素
原子を、Q4は炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐のアル
キル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基を表すか、
又はQ3とQ4が隣接するCHC(O)基と一緒になって2
−オキソシクロアルキル基を表すことができる。Q4に
おける具体的なアルキル基、シクロアルキル基の例とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、シクロヘキシル基などが挙げられる。Q3とQ4が隣
接するCHC(O)基と一緒になって2−オキソシクロア
ルキル基を表すことができる場合、このような2−オキ
ソシクロアルキル基としては、例えば2−オキソシクロ
ヘキシル基、2−オキソシクロペンチル基、カンファー
基などが挙げられる。In the formula (I), Q 1 and Q 2 can be each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. May be linear or branched. Specific examples of the alkyl group and the cycloalkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, and a cyclohexyl group. In the formula (I), Q 3 represents a hydrogen atom, Q 4 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms,
Or Q 3 and Q 4 together with an adjacent CHC (O) group
—Oxocycloalkyl group can be represented. Specific alkyl group for Q 4, and examples of the cycloalkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, tert- butyl group, a pentyl group, a hexyl group, and cyclohexyl group. When Q 3 and Q 4 can be taken together with an adjacent CHC (O) group to represent a 2-oxocycloalkyl group, examples of such a 2-oxocycloalkyl group include a 2-oxocyclohexyl group, Examples include a 2-oxocyclopentyl group and a camphor group.
【0013】また、式(I)において、Q5SO3 -は有
機スルホナートイオンを表す。ここで、Q5は、炭素数
1〜12程度の有機基であれば良く、例えば炭素数1〜8
のパーフルオロアルキル基、炭素数1〜8のアルキル
基、炭素数6〜12の芳香族基、カンファー基であるこ
とができる。パーフルオロアルキル基に該当する具体例
としては、トリフルオロメチル基、パーフルオロブチル
基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、炭素数1
〜8のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキ
シル基、シクロヘキシル基、オクチル基などが挙げら
れ、芳香族基としては、フェニル基、トリル基、キシリ
ル基、メジチル基、ナフチル基などが挙げられる。[0013] Further, in the equation (I), Q 5 SO 3 - represents an organic sulfonate ions. Here, Q 5 may be an organic group having about 1 to 12 carbon atoms, for example, 1 to 8 carbon atoms.
, An alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aromatic group having 6 to 12 carbon atoms, and a camphor group. Specific examples corresponding to the perfluoroalkyl group include a trifluoromethyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorooctyl group, and the like.
Examples of the alkyl group of No. 8 to 8 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, and an octyl group. As the aromatic group, a phenyl group, a tolyl group , A xylyl group, a medityl group, a naphthyl group and the like.
【0014】次に、式(I’)において、Qは、記載の
S+とともに環を完成する炭素数5〜7の脂環式炭化水
素基を表す。該脂環式炭化水素基は、ケトン基を有して
いてもよく、また該脂環式炭化水素基の少なくとも1個
の−CH2−が酸素原子もしくは硫黄原子に置換されて
いてもよい。記載の硫黄原子とともに環を完成する炭素
数5〜7の脂環式炭化水素としては、テトラヒドロチオ
フェン、チオキサン、ジチアン、テトラヒドロチオフェ
ン−3−オン、テトラヒドロチオピラン−4−オンなど
が挙げられる。これらのうち、式(I’)で示される脂
環式炭化水素基を有するスルホニウム塩が熱安定性の点
で好ましい。該スルホニウム塩を用いると、ベーク温度
(PEB温度)を上げることが可能となり、ラインエッジラ
フネスが良くなるので好ましい。Next, in the formula (I '), Q represents an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 7 carbon atoms which completes a ring together with the described S + . The alicyclic hydrocarbon group may have a ketone group, and at least one —CH 2 — of the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an oxygen atom or a sulfur atom. Examples of the alicyclic hydrocarbon having 5 to 7 carbon atoms that completes a ring together with the described sulfur atom include tetrahydrothiophene, thioxane, dithiane, tetrahydrothiophen-3-one, and tetrahydrothiopyran-4-one. Among these, a sulfonium salt having an alicyclic hydrocarbon group represented by the formula (I ′) is preferable in terms of thermal stability. When the sulfonium salt is used, the baking temperature
(PEB temperature) can be increased, and line edge roughness is improved.
【0015】式(I’)において、Q3は、水素原子を
表し、Q4は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜1
0のシクロアルキル基を表すか、又はQ3とQ4が隣接す
るCHC(O)基と一緒になって2−オキソシクロアルキ
ル基を表す。Q5SO3 -は有機スルホナートイオンを表
す。Q4における具体的なアルキル基、シクロアルキル
基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
Q3とQ4が隣接するCHC(O)基と一緒になって2−オ
キソシクロアルキル基を表すことができる場合、このよ
うな2−オキソシクロアルキル基としては、例えば2−
オキソシクロヘキシル基、2−オキソシクロペンチル
基、カンファー基などが挙げられる。In the formula (I ′), Q 3 represents a hydrogen atom, Q 4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and 3 to 1 carbon atoms.
0 represents a cycloalkyl group, or Q 3 and Q 4 together with an adjacent CHC (O) group represent a 2-oxocycloalkyl group. Q 5 SO 3 - represents an organic sulfonate ions. Specific alkyl group for Q 4, and examples of the cycloalkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, tert- butyl group, a pentyl group, a hexyl group, and cyclohexyl group.
When Q 3 and Q 4 can be taken together with an adjacent CHC (O) group to represent a 2-oxocycloalkyl group, examples of such a 2-oxocycloalkyl group include 2-oxocycloalkyl group.
Examples thereof include an oxocyclohexyl group, a 2-oxocyclopentyl group, and a camphor group.
【0016】式(I)、(Ia)で示されるスルホニウ
ム塩は、公知の方法に準じて製造することが可能であ
る。例えば、J. V. Crivello et al., J. Polymer Scie
nce.,Polymer Chemistry Edition, Vol.17, 2877-2892
(1979) に記載の方法を応用して、次の反応スキームに
従って製造することができる。The sulfonium salts represented by the formulas (I) and (Ia) can be produced according to a known method. For example, JV Crivello et al., J. Polymer Scie
nce., Polymer Chemistry Edition, Vol. 17, 2877-2892
(1979), and can be produced according to the following reaction scheme.
【0017】 [0017]
【0018】式中、Q1、Q2、Q3、Q4及びQ5は先に
定義したとおりであり、Xは臭素や沃素のようなハロゲ
ンを表し、Mはナトリウム、カリウムのようなアルカリ
金属、銀もしくは水素を表す。In the formula, Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 and Q 5 are as defined above, X represents a halogen such as bromine or iodine, and M represents an alkali such as sodium or potassium. Represents metal, silver or hydrogen.
【0019】すなわち、上記式(A1)に相当するスルフ
ィド化合物に(A2)に相当するβ−ハロゲノケトンを作用
させて、上記式(B)に相当するスルホニウムハライド
を生成させ、さらに式Q5SO3M に相当するスルホン
酸金属塩もしくはスルホン酸を作用させることにより、
式(I)で示されるスルホニウム塩を得ることができ
る。これらの反応は、適当な溶媒中、例えば、アセト
ン、アセトニトリル、ニトロメタンなどの溶媒中で行わ
れる。式(A1)のスルフィド化合物は、式(A2)に相当す
るβ−ハロゲノケトンに対して、好ましくは0.7〜
1.5モル比用い、さらに好ましくは、0.8〜1.1
モル比用いる。また、式Q5SO3M に相当するスルホ
ン酸金属塩もしくはスルホン酸は、式(B)のスルホニ
ウムハライド生成のために用いた式(A1)のスルフィド
化合物に対して、0.7〜1.2モル比、好ましくは
0.8〜1.0モル比用いればよい。反応終了後は、生
成したハロゲン化金属塩等を濾過等により除去し、次い
で濃縮や再結晶等の後処理を施すことにより、式(I)
のスルホニウム塩を得ることができる。That is, a β-halogenoketone corresponding to (A2) is allowed to act on a sulfide compound corresponding to the above formula (A1) to form a sulfonium halide corresponding to the above formula (B), and further to a formula Q 5 SO By reacting a sulfonic acid metal salt or sulfonic acid corresponding to 3 M,
The sulfonium salt represented by the formula (I) can be obtained. These reactions are carried out in a suitable solvent, for example, a solvent such as acetone, acetonitrile, nitromethane and the like. The sulfide compound of the formula (A1) is preferably used in an amount of from 0.7 to 0 relative to the β-halogenoketone corresponding to the formula (A2).
1.5 molar ratio, more preferably 0.8 to 1.1
Use the molar ratio. Further, the sulfonic acid metal salt or sulfonic acid corresponding to the formula Q 5 SO 3 M is 0.7 to 1.1 with respect to the sulfide compound of the formula (A1) used for forming the sulfonium halide of the formula (B). A 2 mole ratio, preferably 0.8 to 1.0 mole ratio may be used. After completion of the reaction, the produced metal halide salt and the like are removed by filtration or the like, and then subjected to post-treatment such as concentration or recrystallization, whereby the compound represented by formula (I)
Can be obtained.
【0020】式(I’)、(I’a)で示されるスルホ
ニウム塩は、公知の方法に準じて製造することが可能で
ある。例えば、D. N. Kevill et al., J. Am. Chem. So
c.,Vol.108, 1579-1585 (1986) に記載の方法を応用し
て製造することができる。The sulfonium salts represented by formulas (I ') and (I'a) can be produced according to known methods. For example, DN Kevill et al., J. Am. Chem. So
c., Vol. 108, 1579-1585 (1986).
【0021】式(I)、(I’)、(Ia)、(I’
a)で示されるスルホニウム塩の具体的な例としては、
次のような化合物を挙げることができる。Formulas (I), (I '), (Ia) and (I')
Specific examples of the sulfonium salt represented by a) include:
The following compounds can be mentioned.
【0022】ジメチル(2−オキソプロピル)スルホニ
ウム トリフルオロメタンスルホナート、ジメチル(2
−オキソブチル)スルホニウム トリフルオロメタンス
ルホナート、ジメチル(2−オキソペンチル)スルホニ
ウム トリフルオロメタンスルホナート、ジメチル(2
−オキソヘキシル)スルホニウム トリフルオロメタン
スルホナート、ジメチル(2−オキソヘプチル)スルホ
ニウム トリフルオロメタンスルホナート、ジメチル
(2−オキソオクチル)スルホニウム トリフルオロメ
タンスルホナート、ジメチル(3−メチル−2−オキソ
ブチル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホナー
ト、3,3−ジメチル−2−オキソブチル ジメチルス
ルホニウム トリフルオロメタンスルホナート、2−シ
クロヘキシル−2−オキソエチル ジメチルスルホニウ
ム トリフルオロメタンスルホナート、2−シクロペン
チル−2−オキソエチル ジメチルスルホニウム トリ
フルオロメタンスルホナート、Dimethyl (2-oxopropyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethyl (2
-Oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethyl (2-oxopentyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethyl (2
-Oxohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethyl (2-oxoheptyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethyl (2-oxooctyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate Nato, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl dimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-cyclohexyl-2-oxoethyl dimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl dimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate,
【0023】ジエチル(2−オキソプロピル)スルホニ
ウム トリフルオロメタンスルホナート、ジエチル(2
−オキソブチル)スルホニウム トリフルオロメタンス
ルホナート、ジエチル(2−オキソペンチル)スルホニ
ウム トリフルオロメタンスルホナート、ジエチル(2
−オキソヘキシル)スルホニウム トリフルオロメタン
スルホナート、ジエチル(2−オキソヘプチル)スルホ
ニウム トリフルオロメタンスルホナート、ジエチル
(2−オキソオクチル)スルホニウム トリフルオロメ
タンスルホナート、ジエチル(3−メチル−2−オキソ
ブチル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホナー
ト、3,3−ジメチル−2−オキソブチル ジエチルス
ルホニウム トリフルオロメタンスルホナート、2−シ
クロヘキシル−2−オキソエチル ジエチルスルホニウ
ム トリフルオロメタンスルホナート、2−シクロペン
チル−2−オキソエチル ジエチルスルホニウム トリ
フルオロメタンスルホナート、Diethyl (2-oxopropyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diethyl (2
-Oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diethyl (2-oxopentyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diethyl (2
-Oxohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diethyl (2-oxoheptyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diethyl (2-oxooctyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate Nato, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl diethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-cyclohexyl-2-oxoethyl diethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl diethylsulfonium trifluoromethanesulfonate,
【0024】ジブチル(2−オキソプロピル)スルホニ
ウム トリフルオロメタンスルホナート、ジブチル(2
−オキソブチル)スルホニウム トリフルオロメタンス
ルホナート、ジブチル(2−オキソペンチル)スルホニ
ウム トリフルオロメタンスルホナート、ジブチル(2
−オキソヘキシル)スルホニウム トリフルオロメタン
スルホナート、ジブチル(2−オキソヘプチル)スルホ
ニウム トリフルオロメタンスルホナート、ジブチル
(2−オキソオクチル)スルホニウム トリフルオロメ
タンスルホナート、ジブチル(3−メチル−2−オキソ
ブチル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホナー
ト、ジブチル(3,3−ジメチル2−オキソブチル)ス
ルホニウム トリフルオロメタンスルホナート、ジブチ
ル(2−シクロヘキシル−2−オキソエチル) スルホ
ニウム トリフルオロメタンスルホナート、ジブチル
(2−シクロペンチル−2−オキソエチル) スルホニ
ウム トリフルオロメタンスルホナート、ジイソプロピ
ル(2−オキソプロピル)スルホニウム トリフルオロ
メタンスルホナート、ジイソプロピル(2−オキソブチ
ル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホナート、
ジイソプロピル(2−オキソペンチル)スルホニウム
トリフルオロメタンスルホナート、ジイソプロピル(2
−オキソヘキシル)スルホニウム トリフルオロメタン
スルホナート、ジイソプロピル(2−オキソヘプチル)
スルホニウム トリフルオロメタンスルホナート、ジイ
ソプロピル(2−オキソオクチル)スルホニウム トリ
フルオロメタンスルホナート、ジイソプロピル(3−メ
チル−2−オキソブチル)スルホニウム トリフルオロ
メタンスルホナート、Dibutyl (2-oxopropyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dibutyl (2
-Oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dibutyl (2-oxopentyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dibutyl (2
-Oxohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dibutyl (2-oxoheptyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dibutyl (2-oxooctyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dibutyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate Nato, dibutyl (3,3-dimethyl 2-oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dibutyl (2-cyclohexyl-2-oxoethyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dibutyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate , Diisopropyl (2-oxopropyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diisopropyl 2-oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate,
Diisopropyl (2-oxopentyl) sulfonium
Trifluoromethanesulfonate, diisopropyl (2
-Oxohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diisopropyl (2-oxoheptyl)
Sulfonium trifluoromethanesulfonate, diisopropyl (2-oxooctyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diisopropyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate,
【0025】3,3−ジメチル−2−オキソブチル ジ
イソプロピル スルホニウム トリフルオロメタンスル
ホナート、2−シクロヘキシル−2−オキソエチル ジ
イソプロピルスルホニウム トリフルオロメタンスルホ
ナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル ジイ
ソプロピルスルホニウム トリフルオロメタンスルホナ
ート、tert−ブチル メチル(2−オキソプロピ
ル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホナート、
tert−ブチル メチル(2−オキソブチル)スルホ
ニウム トリフルオロメタンスルホナート、tert−
ブチル メチル(2−オキソペンチル)スルホニウム
トリフルオロメタンスルホナート、tert−ブチル
メチル(2−オキソヘキシル)スルホニウム トリフル
オロメタンスルホナート、tert−ブチル メチル
(2−オキソヘプチル)スルホニウム トリフルオロメ
タンスルホナート、tert−ブチル メチル(2−オ
キソオクチル)スルホニウム トリフルオロメタンスル
ホナート、tert−ブチル メチル(3−メチル−2
−オキソブチル)スルホニウム トリフルオロメタンス
ルホナート、tert−ブチル (3,3−ジメチル2
−オキソブチル) メチル スルホニウム トリフルオ
ロメタンスルホナート、tert−ブチル (2−シク
ロヘキシル−2−オキソエチル) メチルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホナート、tert−ブチル
(2−シクロペンチル−2−オキソエチル) メチル
スルホニウム トリフルオロメタンスルホナート、3,3-dimethyl-2-oxobutyl diisopropyl sulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-cyclohexyl-2-oxoethyl diisopropylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl diisopropylsulfonium trifluoromethanesulfonate, tert-butyl Methyl (2-oxopropyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate,
tert-butyl methyl (2-oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, tert-butyl
Butyl methyl (2-oxopentyl) sulfonium
Trifluoromethanesulfonate, tert-butyl
Methyl (2-oxohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxoheptyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxooctyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, tert-butylmethyl ( 3-methyl-2
-Oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, tert-butyl (3,3-dimethyl2
-Oxobutyl) methyl sulfonium trifluoromethanesulfonate, tert-butyl (2-cyclohexyl-2-oxoethyl) methylsulfonium trifluoromethanesulfonate, tert-butyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) methylsulfonium trifluoromethanesulfonate,
【0026】シクロヘキシル メチル(2−オキソプロ
ピル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホナー
ト、シクロヘキシル メチル(2−オキソブチル)スル
ホニウム トリフルオロメタンスルホナート、シクロヘ
キシル メチル(2−オキソペンチル)スルホニウム
トリフルオロメタンスルホナート、シクロヘキシル メ
チル(2−オキソヘキシル)スルホニウム トリフルオ
ロメタンスルホナート、シクロヘキシル メチル(2−
オキソヘプチル)スルホニウム トリフルオロメタンス
ルホナート、シクロヘキシル メチル(2−オキソオク
チル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホナー
ト、シクロヘキシル メチル(3−メチル−2−オキソ
ブチル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホナー
ト、シクロヘキシル (3,3−ジメチル2−オキソブ
チル) メチル スルホニウム トリフルオロメタンス
ルホナート、シクロヘキシル (2−シクロヘキシル−
2−オキソエチル) メチルスルホニウム トリフルオ
ロメタンスルホナート、シクロヘキシル (2−シクロ
ペンチル−2−オキソエチル) メチルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホナート、Cyclohexylmethyl (2-oxopropyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxopentyl) sulfonium
Trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-
Oxoheptyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxooctyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexyl (3,3-dimethyl2-oxobutyl) ) Methyl sulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexyl (2-cyclohexyl-
2-oxoethyl) methylsulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) methylsulfonium
Trifluoromethanesulfonate,
【0027】2−オキソプロピル チアシクロペンタニ
ウム トリフルオロメタンスルホナート、2−オキソブ
チル チアシクロペンタニウム トリフルオロメタンス
ルホナート、2−オキソペンチル チアシクロペンタニ
ウム トリフルオロメタンスルホナート、2−オキソヘ
キシル チアシクロペンタニウム トリフルオロメタン
スルホナート、2−オキソヘプチル チアシクロペンタ
ニウム トリフルオロメタンスルホナート、2−オキソ
オクチル チアシクロペンタニウム トリフルオロメタ
ンスルホナート、3−メチル−2−オキソブチル チア
シクロペンタニウム トリフルオロメタンスルホナー
ト、3,3−ジメチル−2−オキソブチル チアシクロ
ペンタニウム トリフルオロメタンスルホナート、2-oxopropyl thiacyclopentanium trifluoromethanesulfonate, 2-oxobutyl thiacyclopentanium trifluoromethanesulfonate, 2-oxopentyl thiacyclopentanium trifluoromethanesulfonate, 2-oxohexyl thiacyclopentanium trifluoro Methanesulfonate, 2-oxoheptyl thiacyclopentanium trifluoromethanesulfonate, 2-oxooctylthiacyclopentanium trifluoromethanesulfonate, 3-methyl-2-oxobutylthiacyclopentanium trifluoromethanesulfonate, 3,3- Dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium trifluoromethanesulfonate,
【0028】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
チアシクロペンタニウム トリフルオロメタンスルホナ
ート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル チアシ
クロペンタニウム トリフルオロメタンスルホナート、
2−オキソプロピル チアシクロヘキサニウム トリフ
ルオロメタンスルホナート、2−オキソブチル チアシ
クロヘキサニウム トリフルオロメタンスルホナート、
2−オキソペンチル チアシクロヘキサニウム トリフ
ルオロメタンスルホナート、2−オキソヘキシル チア
シクロヘキサニウム トリフルオロメタンスルホナー
ト、2−オキソヘプチル チアシクロヘキサニウム ト
リフルオロメタンスルホナート、2−オキソオクチル
チアシクロヘキサニウム トリフルオロメタンスルホナ
ート、3−メチル−2−オキソブチル チアシクロヘキ
サニウム トリフルオロメタンスルホナート、3,3−
ジメチル−2−オキソブチル チアシクロヘキサニウム
トリフルオロメタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Thiacyclopentanium trifluoromethanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclopentanium trifluoromethanesulfonate,
2-oxopropyl thiacyclohexanium trifluoromethanesulfonate, 2-oxobutyl thiacyclohexanium trifluoromethanesulfonate,
2-oxopentyl thiacyclohexanium trifluoromethanesulfonate, 2-oxohexyl thiacyclohexanium trifluoromethanesulfonate, 2-oxoheptyl thiacyclohexanium trifluoromethanesulfonate, 2-oxooctyl
Thiacyclohexanium trifluoromethanesulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl thiacyclohexanium trifluoromethanesulfonate, 3,3-
Dimethyl-2-oxobutyl thiacyclohexanium trifluoromethanesulfonate,
【0029】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
チアシクロヘキサニウム トリフルオロメタンスルホナ
ート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル チアシ
クロヘキサニウム トリフルオロメタンスルホナート、
2−オキソプロピル (1,4−チオキサニウム) ト
リフルオロメタンスルホナート、2−オキソブチル
(1,4−チオキサニウム) トリフルオロメタンスル
ホナート、2−オキソペンチル (1,4−チオキサニ
ウム) トリフルオロメタンスルホナート、2−オキソ
ヘキシル (1,4−チオキサニウム) トリフルオロ
メタンスルホナート、2−オキソヘプチル (1,4−
チオキサニウム) トリフルオロメタンスルホナート、
2−オキソオクチル (1,4−チオキサニウム) ト
リフルオロメタンスルホナート、3−メチル−2−オキ
ソブチル (1,4−チオキサニウム) トリフルオロ
メタンスルホナート、3,3−ジメチル−2−オキソブ
チル (1,4−チオキサニウム) トリフルオロメタ
ンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Thiacyclohexanium trifluoromethanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclohexanium trifluoromethanesulfonate,
2-oxopropyl (1,4-thioxanium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxobutyl
(1,4-thioxanium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxopentyl (1,4-thioxanium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxohexyl (1,4-thioxanium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxoheptyl (1 , 4-
Thioxanium) trifluoromethanesulfonate,
2-oxooctyl (1,4-thioxanium) trifluoromethanesulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl (1,4-thioxanium) trifluoromethanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl (1,4-thioxanium) ) Trifluoromethanesulfonate,
【0030】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(1,4−チオキサニウム) トリフルオロメタンスル
ホナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル
(1,4−チオキサニウム) トリフルオロメタンスル
ホナート、2−オキソプロピル (4−オキソチアシク
ロヘキサニウム) トリフルオロメタンスルホナート、
2−オキソブチル (4−オキソチアシクロヘキサニウ
ム) トリフルオロメタンスルホナート、2−オキソペ
ンチル (4−オキソチアシクロヘキサニウム) トリ
フルオロメタンスルホナート、2−オキソヘキシル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) トリフルオロ
メタンスルホナート、2−オキソヘプチル (4−オキ
ソチアシクロヘキサニウム) トリフルオロメタンスル
ホナート、2−オキソオクチル (4−オキソチアシク
ロヘキサニウム) トリフルオロメタンスルホナート、
3−メチル−2−オキソブチル (4−オキソチアシク
ロヘキサニウム) トリフルオロメタンスルホナート、
3,3−ジメチル−2−オキソブチル (4−オキソチ
アシクロヘキサニウム)トリフルオロメタンスルホナー
ト、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(1,4-thioxanium) trifluoromethanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl
(1,4-thioxanium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxopropyl (4-oxothiacyclohexanium) trifluoromethanesulfonate,
2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxopentyl (4-oxothiacyclohexanium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxohexyl
(4-oxothiacyclohexanium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxoheptyl (4-oxothiacyclohexanium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxooctyl (4-oxothiacyclohexanium) trifluoromethanesulfonate,
3-methyl-2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) trifluoromethanesulfonate,
3,3-dimethyl-2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) trifluoromethanesulfonate,
【0031】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) トリフルオロ
メタンスルホナート、2−シクロペンチル−2−オキソ
エチル (4−オキソチアシクロヘキサニウム) トリ
フルオロメタンスルホナート、2−オキソプロピル
(1,4−ジチアニウム) トリフルオロメタンスルホ
ナート、2−オキソブチル (1,4−ジチアニウム)
トリフルオロメタンスルホナート、2−オキソペンチ
ル (1,4−ジチアニウム) トリフルオロメタンス
ルホナート、2−オキソヘキシル (1,4−ジチアニ
ウム) トリフルオロメタンスルホナート、2−オキソ
ヘプチル (1,4−ジチアニウム) トリフルオロメ
タンスルホナート、2−オキソオクチル (1,4−ジ
チアニウム) トリフルオロメタンスルホナート、3−
メチル−2−オキソブチル (1,4−ジチアニウム)
トリフルオロメタンスルホナート、3,3−ジメチル
−2−オキソブチル (1,4−ジチアニウム) トリ
フルオロメタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(4-oxothiacyclohexanium) trifluoromethanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl (4-oxothiacyclohexanium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxopropyl
(1,4-dithianium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxobutyl (1,4-dithianium)
Trifluoromethanesulfonate, 2-oxopentyl (1,4-dithianium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxohexyl (1,4-dithianium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxoheptyl (1,4-dithianium) trifluoromethane Sulfonate, 2-oxooctyl (1,4-dithianium) trifluoromethanesulfonate, 3-
Methyl-2-oxobutyl (1,4-dithianium)
Trifluoromethanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl (1,4-dithianium) trifluoromethanesulfonate,
【0032】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(1,4−ジチアニウム) トリフルオロメタンスルホ
ナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル
(1,4−ジチアニウム) トリフルオロメタンスルホ
ナート、2−オキソシクロヘキシル チアシクロペンタ
ニウム トリフルオロメタンスルホナート、ジメチル
(2−オキソプロピル)スルホニウム パーフルオロブ
タンスルホナート、ジメチル(2−オキソブチル)スル
ホニウム パーフルオロブタンスルホナート、ジメチル
(2−オキソペンチル)スルホニウム パーフルオロブ
タンスルホナート、ジメチル(2−オキソヘキシル)ス
ルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、ジメチ
ル(2−オキソヘプチル)スルホニウム パーフルオロ
ブタンスルホナート、ジメチル(2−オキソオクチル)
スルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、ジメ
チル(3−メチル−2−オキソブチル)スルホニウム
パーフルオロブタンスルホナート、3,3−ジメチル−
2−オキソブチル ジメチルスルホニウム パーフルオ
ロブタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(1,4-dithianium) trifluoromethanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl
(1,4-dithianium) trifluoromethanesulfonate, 2-oxocyclohexyl thiacyclopentanium trifluoromethanesulfonate, dimethyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, dimethyl (2-oxobutyl) sulfonium perfluorobutanesulfo Nato, dimethyl (2-oxopentyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, dimethyl (2-oxohexyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, dimethyl (2-oxoheptyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, dimethyl (2-oxooctyl) )
Sulfonium perfluorobutanesulfonate, dimethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium
Perfluorobutane sulfonate, 3,3-dimethyl-
2-oxobutyl dimethylsulfonium perfluorobutanesulfonate,
【0033】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
ジメチルスルホニウム パーフルオロブタンスルホナー
ト、2−シクロペンチル−2−オキソエチル ジメチル
スルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、ジエ
チル(2−オキソプロピル)スルホニウム パーフルオ
ロブタンスルホナート、ジエチル(2−オキソブチル)
スルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、ジエ
チル(2−オキソペンチル)スルホニウム パーフルオ
ロブタンスルホナート、ジエチル(2−オキソヘキシ
ル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、
ジエチル(2−オキソヘプチル)スルホニウム パーフ
ルオロブタンスルホナート、ジエチル(2−オキソオク
チル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホナー
ト、ジエチル(3−メチル−2−オキソブチル)スルホ
ニウム パーフルオロブタンスルホナート、3,3−ジ
メチル−2−オキソブチル ジエチルスルホニウム パ
ーフルオロブタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Dimethylsulfonium perfluorobutanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl dimethylsulfonium perfluorobutanesulfonate, diethyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, diethyl (2-oxobutyl)
Sulfonium perfluorobutanesulfonate, diethyl (2-oxopentyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, diethyl (2-oxohexyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate,
Diethyl (2-oxoheptyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, diethyl (2-oxooctyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, diethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, 3,3-dimethyl -2-oxobutyl diethylsulfonium perfluorobutanesulfonate,
【0034】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
ジエチルスルホニウム パーフルオロブタンスルホナー
ト、2−シクロペンチル−2−オキソエチル ジエチル
スルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、ジブ
チル(2−オキソプロピル)スルホニウム パーフルオ
ロブタンスルホナート、ジブチル(2−オキソブチル)
スルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、ジブ
チル(2−オキソペンチル)スルホニウム パーフルオ
ロブタンスルホナート、ジブチル(2−オキソヘキシ
ル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、
ジブチル(2−オキソヘプチル)スルホニウム パーフ
ルオロブタンスルホナート、ジブチル(2−オキソオク
チル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホナー
ト、ジブチル(3−メチル−2−オキソブチル)スルホ
ニウム パーフルオロブタンスルホナート、ジブチル
(3,3−ジメチル2−オキソブチル)スルホニウム
パーフルオロブタンスルホナート、ジブチル(2−シク
ロヘキシル−2−オキソエチル) スルホニウム パー
フルオロブタンスルホナート、ジブチル(2−シクロペ
ンチル−2−オキソエチル) スルホニウム パーフル
オロブタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Diethylsulfonium perfluorobutanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl diethylsulfonium perfluorobutanesulfonate, dibutyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, dibutyl (2-oxobutyl)
Sulfonium perfluorobutanesulfonate, dibutyl (2-oxopentyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, dibutyl (2-oxohexyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate,
Dibutyl (2-oxoheptyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, dibutyl (2-oxooctyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, dibutyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, dibutyl (3,3 -Dimethyl 2-oxobutyl) sulfonium
Perfluorobutanesulfonate, dibutyl (2-cyclohexyl-2-oxoethyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, dibutyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate,
【0035】ジイソプロピル(2−オキソプロピル)ス
ルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、ジイソ
プロピル(2−オキソブチル)スルホニウム パーフル
オロブタンスルホナート、ジイソプロピル(2−オキソ
ペンチル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホナ
ート、ジイソプロピル(2−オキソヘキシル)スルホニ
ウム パーフルオロブタンスルホナート、ジイソプロピ
ル(2−オキソヘプチル)スルホニウム パーフルオロ
ブタンスルホナート、ジイソプロピル(2−オキソオク
チル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホナー
ト、ジイソプロピル(3−メチル−2−オキソブチル)
スルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、3,
3−ジメチル2−オキソブチル ジイソプロピル スル
ホニウム パーフルオロブタンスルホナート、2−シク
ロヘキシル−2−オキソエチル ジイソプロピルスルホ
ニウム パーフルオロブタンスルホナート、2−シクロ
ペンチル−2−オキソエチル ジイソプロピルスルホニ
ウム パーフルオロブタンスルホナート、Diisopropyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, diisopropyl (2-oxobutyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, diisopropyl (2-oxopentyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, diisopropyl (2-oxohexyl) ) Sulfonium perfluorobutanesulfonate, diisopropyl (2-oxoheptyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, diisopropyl (2-oxooctyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, diisopropyl (3-methyl-2-oxobutyl)
Sulfonium perfluorobutane sulfonate, 3,
3-dimethyl-2-oxobutyl diisopropyl sulfonium perfluorobutanesulfonate, 2-cyclohexyl-2-oxoethyl diisopropylsulfonium perfluorobutanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl diisopropylsulfonium perfluorobutanesulfonate,
【0036】tert−ブチル メチル(2−オキソプ
ロピル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホナー
ト、tert−ブチル メチル(2−オキソブチル)ス
ルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、ter
t−ブチル メチル(2−オキソペンチル)スルホニウ
ム パーフルオロブタンスルホナート、tert−ブチ
ル メチル(2−オキソヘキシル)スルホニウム パー
フルオロブタンスルホナート、tert−ブチル メチ
ル(2−オキソヘプチル)スルホニウム パーフルオロ
ブタンスルホナート、tert−ブチル メチル(2−
オキソオクチル)スルホニウム パーフルオロブタンス
ルホナート、tert−ブチル メチル(3−メチル−
2−オキソブチル)スルホニウム パーフルオロブタン
スルホナート、tert−ブチル (3,3−ジメチル
2−オキソブチル) メチル スルホニウム パーフル
オロブタンスルホナート、tert−ブチル (2−シ
クロヘキシル−2−オキソエチル) メチルスルホニウ
ム パーフルオロブタンスルホナート、tert−ブチ
ル (2−シクロペンチル−2−オキソエチル) メチ
ルスルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、Tert-butyl methyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxobutyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, ter
t-butylmethyl (2-oxopentyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxohexyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxoheptyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate , Tert-butyl methyl (2-
Oxooctyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, tert-butyl methyl (3-methyl-
2-oxobutyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, tert-butyl (3,3-dimethyl2-oxobutyl) methylsulfonium perfluorobutanesulfonate, tert-butyl (2-cyclohexyl-2-oxoethyl) methylsulfonium perfluorobutanesulfo Nate, tert-butyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) methylsulfonium perfluorobutanesulfonate,
【0037】シクロヘキシル メチル(2−オキソプロ
ピル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホナー
ト、シクロヘキシル メチル(2−オキソブチル)スル
ホニウム パーフルオロブタンスルホナート、シクロヘ
キシル メチル(2−オキソペンチル)スルホニウム
パーフルオロブタンスルホナート、シクロヘキシル メ
チル(2−オキソヘキシル)スルホニウム パーフルオ
ロブタンスルホナート、シクロヘキシル メチル(2−
オキソヘプチル)スルホニウム パーフルオロブタンス
ルホナート、シクロヘキシル メチル(2−オキソオク
チル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホナー
ト、シクロヘキシル メチル(3−メチル−2−オキソ
ブチル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホナー
ト、シクロヘキシル (3,3−ジメチル2−オキソブ
チル) メチル スルホニウム パーフルオロブタンス
ルホナート、シクロヘキシル (2−シクロヘキシル−
2−オキソエチル) メチルスルホニウム パーフルオ
ロブタンスルホナート、シクロヘキシル (2−シクロ
ペンチル−2−オキソエチル) メチルスルホニウム
パーフルオロブタンスルホナート、Cyclohexylmethyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxobutyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxopentyl) sulfonium
Perfluorobutanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxohexyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-
Oxoheptyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxooctyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, cyclohexylmethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, cyclohexyl (3,3-dimethyl 2-oxobutyl) methyl sulfonium perfluorobutanesulfonate, cyclohexyl (2-cyclohexyl-
2-oxoethyl) methylsulfonium perfluorobutanesulfonate, cyclohexyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) methylsulfonium
Perfluorobutanesulfonate,
【0038】2−オキソプロピル チアシクロペンタニ
ウム パーフルオロブタンスルホナート、2−オキソブ
チル チアシクロペンタニウム パーフルオロブタンス
ルホナート、2−オキソペンチル チアシクロペンタニ
ウム パーフルオロブタンスルホナート、2−オキソヘ
キシル チアシクロペンタニウム パーフルオロブタン
スルホナート、2−オキソヘプチル チアシクロペンタ
ニウム パーフルオロブタンスルホナート、2−オキソ
オクチル チアシクロペンタニウム パーフルオロブタ
ンスルホナート、3−メチル−2−オキソブチル チア
シクロペンタニウム パーフルオロブタンスルホナー
ト、3,3−ジメチル−2−オキソブチル チアシクロ
ペンタニウム パーフルオロブタンスルホナート、2−
シクロヘキシル−2−オキソエチル チアシクロペンタ
ニウム パーフルオロブタンスルホナート、2−シクロ
ペンチル−2−オキソエチル チアシクロペンタニウム
パーフルオロブタンスルホナート、2-oxopropyl thiacyclopentanium perfluorobutane sulfonate, 2-oxobutyl thiacyclopentanium perfluorobutane sulfonate, 2-oxopentyl thiacyclopentanium perfluorobutane sulfonate, 2-oxohexyl thiacyclo Pentanium perfluorobutane sulfonate, 2-oxoheptyl thiacyclopentanium perfluorobutane sulfonate, 2-oxooctyl thiacyclopentanium perfluorobutane sulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium perfluorobutane Sulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium perfluorobutanesulfonate, 2-
Cyclohexyl-2-oxoethyl thiacyclopentanium perfluorobutanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclopentanium perfluorobutanesulfonate,
【0039】2−オキソプロピル チアシクロヘキサニ
ウム パーフルオロブタンスルホナート、2−オキソブ
チル チアシクロヘキサニウム パーフルオロブタンス
ルホナート、2−オキソペンチル チアシクロヘキサニ
ウム パーフルオロブタンスルホナート、2−オキソヘ
キシル チアシクロヘキサニウム パーフルオロブタン
スルホナート、2−オキソヘプチル チアシクロヘキサ
ニウム パーフルオロブタンスルホナート、2−オキソ
オクチル チアシクロヘキサニウム パーフルオロブタ
ンスルホナート、3−メチル−2−オキソブチル チア
シクロヘキサニウム パーフルオロブタンスルホナー
ト、3,3−ジメチル−2−オキソブチル チアシクロ
ヘキサニウム パーフルオロブタンスルホナート、2−
シクロヘキシル−2−オキソエチル チアシクロヘキサ
ニウム パーフルオロブタンスルホナート、2−シクロ
ペンチル−2−オキソエチル チアシクロヘキサニウム
パーフルオロブタンスルホナート、2-oxopropyl thiacyclohexanium perfluorobutanesulfonate, 2-oxobutylthiacyclohexanium perfluorobutanesulfonate, 2-oxopentylthiacyclohexanium perfluorobutanesulfonate, 2-oxohexyl thiacyclohexyl Sanium perfluorobutane sulfonate, 2-oxoheptyl thiacyclohexanium perfluorobutane sulfonate, 2-oxooctyl thiacyclohexanium perfluorobutane sulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl thiacyclohexanium perfluorobutane Sulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl thiacyclohexanium perfluorobutanesulfonate, 2-
Cyclohexyl-2-oxoethyl thiacyclohexanium perfluorobutanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclohexanium perfluorobutanesulfonate,
【0040】2−オキソプロピル (1,4−チオキサ
ニウム) パーフルオロブタンスルホナート、2−オキ
ソブチル (1,4−チオキサニウム) パーフルオロ
ブタンスルホナート、2−オキソペンチル (1,4−
チオキサニウム) パーフルオロブタンスルホナート、
2−オキソヘキシル (1,4−チオキサニウム) パ
ーフルオロブタンスルホナート、2−オキソヘプチル
(1,4−チオキサニウム) パーフルオロブタンスル
ホナート、2−オキソオクチル (1,4−チオキサニ
ウム) パーフルオロブタンスルホナート、3−メチル
−2−オキソブチル (1,4−チオキサニウム) パ
ーフルオロブタンスルホナート、3,3−ジメチル−2
−オキソブチル (1,4−チオキサニウム) パーフ
ルオロブタンスルホナート、2-oxopropyl (1,4-thioxanium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxobutyl (1,4-thioxanium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxopentyl (1,4-
Thioxanium) perfluorobutanesulfonate,
2-oxohexyl (1,4-thioxanium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxoheptyl
(1,4-thioxanium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxooctyl (1,4-thioxanium) perfluorobutanesulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl (1,4-thioxanium) perfluorobutanesulfonate, 3,3-dimethyl-2
-Oxobutyl (1,4-thioxanium) perfluorobutanesulfonate,
【0041】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(1,4−チオキサニウム) パーフルオロブタンスル
ホナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル
(1,4−チオキサニウム) パーフルオロブタンスル
ホナート、2−オキソプロピル (4−オキソチアシク
ロヘキサニウム) パーフルオロブタンスルホナート、
2−オキソブチル (4−オキソチアシクロヘキサニウ
ム) パーフルオロブタンスルホナート、2−オキソペ
ンチル (4−オキソチアシクロヘキサニウム) パー
フルオロブタンスルホナート、2−オキソヘキシル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) パーフルオロ
ブタンスルホナート、2−オキソヘプチル (4−オキ
ソチアシクロヘキサニウム) パーフルオロブタンスル
ホナート、2−オキソオクチル (4−オキソチアシク
ロヘキサニウム) パーフルオロブタンスルホナート、
3−メチル−2−オキソブチル (4−オキソチアシク
ロヘキサニウム) パーフルオロブタンスルホナート、
3,3−ジメチル−2−オキソブチル (4−オキソチ
アシクロヘキサニウム)パーフルオロブタンスルホナー
ト、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(1,4-thioxanium) perfluorobutanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl
(1,4-thioxanium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxopropyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorobutanesulfonate,
2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxopentyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxohexyl
(4-oxothiacyclohexanium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxoheptyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxooctyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorobutane Sulfonate,
3-methyl-2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorobutanesulfonate,
3,3-dimethyl-2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorobutanesulfonate,
【0042】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) パーフルオロ
ブタンスルホナート、2−シクロペンチル−2−オキソ
エチル (4−オキソチアシクロヘキサニウム) パー
フルオロブタンスルホナート、2−オキソプロピル
(1,4−ジチアニウム) パーフルオロブタンスルホ
ナート、2−オキソブチル (1,4−ジチアニウム)
パーフルオロブタンスルホナート、2−オキソペンチ
ル (1,4−ジチアニウム) パーフルオロブタンス
ルホナート、2−オキソヘキシル (1,4−ジチアニ
ウム) パーフルオロブタンスルホナート、2−オキソ
ヘプチル (1,4−ジチアニウム) パーフルオロブ
タンスルホナート、2−オキソオクチル (1,4−ジ
チアニウム) パーフルオロブタンスルホナート、3−
メチル−2−オキソブチル (1,4−ジチアニウム)
パーフルオロブタンスルホナート、3,3−ジメチル
−2−オキソブチル (1,4−ジチアニウム) パー
フルオロブタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(4-oxothiacyclohexanium) perfluorobutanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxopropyl
(1,4-dithianium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxobutyl (1,4-dithianium)
Perfluorobutanesulfonate, 2-oxopentyl (1,4-dithianium) Perfluorobutanesulfonate, 2-oxohexyl (1,4-dithianium) Perfluorobutanesulfonate, 2-oxoheptyl (1,4-dithianium) ) Perfluorobutanesulfonate, 2-oxooctyl (1,4-dithianium) perfluorobutanesulfonate, 3-
Methyl-2-oxobutyl (1,4-dithianium)
Perfluorobutanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl (1,4-dithianium) perfluorobutanesulfonate,
【0043】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(1,4−ジチアニウム) パーフルオロブタンスルホ
ナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル
(1,4−ジチアニウム) パーフルオロブタンスルホ
ナート、2−オキソシクロヘキシル チアシクロペンタ
ニウム パーフルオロブタンスルホナート、ジメチル
(2−オキソプロピル)スルホニウム パーフルオロオ
クタンスルホナート、ジメチル(2−オキソブチル)ス
ルホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、ジメ
チル(2−オキソペンチル)スルホニウム パーフルオ
ロオクタンスルホナート、ジメチル(2−オキソヘキシ
ル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナー
ト、ジメチル(2−オキソヘプチル)スルホニウム パ
ーフルオロオクタンスルホナート、ジメチル(2−オキ
ソオクチル)スルホニウム パーフルオロオクタンスル
ホナート、ジメチル(3−メチル−2−オキソブチル)
スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、
3,3−ジメチル−2−オキソブチル ジメチルスルホ
ニウム パーフルオロオクタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(1,4-dithianium) perfluorobutanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl
(1,4-dithianium) perfluorobutanesulfonate, 2-oxocyclohexyl thiacyclopentanium perfluorobutanesulfonate, dimethyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dimethyl (2-oxobutyl) sulfonium perfluoro Octanesulfonate, dimethyl (2-oxopentyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dimethyl (2-oxohexyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dimethyl (2-oxoheptyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dimethyl (2- Oxooctyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dimethyl (3-methyl-2-oxobutyl)
Sulfonium perfluorooctanesulfonate,
3,3-dimethyl-2-oxobutyl dimethylsulfonium perfluorooctanesulfonate,
【0044】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
ジメチルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホナ
ート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル ジメチ
ルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、
ジエチル(2−オキソプロピル)スルホニウム パーフ
ルオロオクタンスルホナート、ジエチル(2−オキソブ
チル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナー
ト、ジエチル(2−オキソペンチル)スルホニウム パ
ーフルオロオクタンスルホナート、ジエチル(2−オキ
ソヘキシル)スルホニウム パーフルオロオクタンスル
ホナート、ジエチル(2−オキソヘプチル)スルホニウ
ム パーフルオロオクタンスルホナート、ジエチル(2
−オキソオクチル)スルホニウム パーフルオロオクタ
ンスルホナート、ジエチル(3−メチル−2−オキソブ
チル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナー
ト、3,3−ジメチル−2−オキソブチル ジエチルス
ルホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Dimethylsulfonium perfluorooctanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl dimethylsulfonium perfluorooctanesulfonate,
Diethyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, diethyl (2-oxobutyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, diethyl (2-oxopentyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, diethyl (2-oxohexyl) sulfonium par Fluorooctanesulfonate, diethyl (2-oxoheptyl) sulfonium Perfluorooctanesulfonate, diethyl (2
-Oxooctyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, diethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl diethylsulfonium perfluorooctanesulfonate,
【0045】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
ジエチルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホナ
ート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル ジエチ
ルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、
ジブチル(2−オキソプロピル)スルホニウム パーフ
ルオロオクタンスルホナート、ジブチル(2−オキソブ
チル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナー
ト、ジブチル(2−オキソペンチル)スルホニウム パ
ーフルオロオクタンスルホナート、ジブチル(2−オキ
ソヘキシル)スルホニウム パーフルオロオクタンスル
ホナート、ジブチル(2−オキソヘプチル)スルホニウ
ム パーフルオロオクタンスルホナート、ジブチル(2
−オキソオクチル)スルホニウム パーフルオロオクタ
ンスルホナート、ジブチル(3−メチル−2−オキソブ
チル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナー
ト、ジブチル(3,3−ジメチル2−オキソブチル)ス
ルホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、ジブ
チル(2−シクロヘキシル−2−オキソエチル) スル
ホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、ジブチ
ル(2−シクロペンチル−2−オキソエチル) スルホ
ニウム パーフルオロオクタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Diethylsulfonium perfluorooctanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl diethylsulfonium perfluorooctanesulfonate,
Dibutyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dibutyl (2-oxobutyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dibutyl (2-oxopentyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dibutyl (2-oxohexyl) sulfonium par Fluorooctanesulfonate, dibutyl (2-oxoheptyl) sulfonium Perfluorooctanesulfonate, dibutyl (2
-Oxooctyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dibutyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dibutyl (3,3-dimethyl2-oxobutyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dibutyl (2- Cyclohexyl-2-oxoethyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, dibutyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate,
【0046】ジイソプロピル(2−オキソプロピル)ス
ルホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、ジイ
ソプロピル(2−オキソブチル)スルホニウム パーフ
ルオロオクタンスルホナート、ジイソプロピル(2−オ
キソペンチル)スルホニウム パーフルオロオクタンス
ルホナート、ジイソプロピル(2−オキソヘキシル)ス
ルホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、ジイ
ソプロピル(2−オキソヘプチル)スルホニウム パー
フルオロオクタンスルホナート、ジイソプロピル(2−
オキソオクチル)スルホニウム パーフルオロオクタン
スルホナート、ジイソプロピル(3−メチル−2−オキ
ソブチル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホ
ナート、3,3−ジメチル2−オキソブチル ジイソプ
ロピル スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナ
ート、Diisopropyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, diisopropyl (2-oxobutyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, diisopropyl (2-oxopentyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, diisopropyl (2-oxohexyl) ) Sulfonium perfluorooctanesulfonate, diisopropyl (2-oxoheptyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, diisopropyl (2-
Oxooctyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, diisopropyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, 3,3-dimethyl2-oxobutyldiisopropylsulfonium perfluorooctanesulfonate,
【0047】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
ジイソプロピルスルホニウム パーフルオロオクタンス
ルホナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル
ジイソプロピルスルホニウム パーフルオロオクタンス
ルホナート、tert−ブチル メチル(2−オキソプ
ロピル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナ
ート、tert−ブチル メチル(2−オキソブチル)
スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、t
ert−ブチル メチル(2−オキソペンチル)スルホ
ニウム パーフルオロオクタンスルホナート、tert
−ブチル メチル(2−オキソヘキシル)スルホニウム
パーフルオロオクタンスルホナート、tert−ブチ
ル メチル(2−オキソヘプチル)スルホニウム パー
フルオロオクタンスルホナート、tert−ブチル メ
チル(2−オキソオクチル)スルホニウム パーフルオ
ロオクタンスルホナート、tert−ブチル メチル
(3−メチル−2−オキソブチル)スルホニウム パー
フルオロオクタンスルホナート、tert−ブチル
(3,3−ジメチル2−オキソブチル) メチル スル
ホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、ter
t−ブチル (2−シクロヘキシル−2−オキソエチ
ル) メチルスルホニウム パーフルオロオクタンスル
ホナート、tert−ブチル (2−シクロペンチル−
2−オキソエチル) メチルスルホニウム パーフルオ
ロオクタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Diisopropylsulfonium perfluorooctanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl
Diisopropylsulfonium perfluorooctanesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxobutyl)
Sulfonium perfluorooctanesulfonate, t
tert-butyl methyl (2-oxopentyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, tert
-Butylmethyl (2-oxohexyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxoheptyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxooctyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, tert-butyl methyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, tert-butyl
(3,3-dimethyl 2-oxobutyl) methyl sulfonium perfluorooctanesulfonate, ter
t-butyl (2-cyclohexyl-2-oxoethyl) methylsulfonium perfluorooctanesulfonate, tert-butyl (2-cyclopentyl-
2-oxoethyl) methylsulfonium perfluorooctanesulfonate,
【0048】シクロヘキシル メチル(2−オキソプロ
ピル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナー
ト、シクロヘキシル メチル(2−オキソブチル)スル
ホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、シクロ
ヘキシル メチル(2−オキソペンチル)スルホニウム
パーフルオロオクタンスルホナート、シクロヘキシル
メチル(2−オキソヘキシル)スルホニウム パーフ
ルオロオクタンスルホナート、シクロヘキシル メチル
(2−オキソヘプチル)スルホニウム パーフルオロオ
クタンスルホナート、シクロヘキシル メチル(2−オ
キソオクチル)スルホニウム パーフルオロオクタンス
ルホナート、シクロヘキシル メチル(3−メチル−2
−オキソブチル)スルホニウム パーフルオロオクタン
スルホナート、シクロヘキシル (3,3−ジメチル2
−オキソブチル) メチル スルホニウム パーフルオ
ロオクタンスルホナート、シクロヘキシル (2−シク
ロヘキシル−2−オキソエチル) メチルスルホニウム
パーフルオロオクタンスルホナート、シクロヘキシル
(2−シクロペンチル−2−オキソエチル) メチル
スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナート、2
−オキソプロピル チアシクロペンタニウム パーフル
オロオクタンスルホナート、Cyclohexylmethyl (2-oxopropyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxobutyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxopentyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, cyclohexylmethyl ( 2-oxohexyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxoheptyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxooctyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, cyclohexylmethyl (3-methyl-2
-Oxobutyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate, cyclohexyl (3,3-dimethyl2
-Oxobutyl) methyl sulfonium perfluorooctanesulfonate, cyclohexyl (2-cyclohexyl-2-oxoethyl) methylsulfonium perfluorooctanesulfonate, cyclohexyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) methylsulfonium perfluorooctanesulfonate, 2
-Oxopropyl thiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate,
【0049】2−オキソブチル チアシクロペンタニウ
ム パーフルオロオクタンスルホナート、2−オキソペ
ンチル チアシクロペンタニウム パーフルオロオクタ
ンスルホナート、2−オキソヘキシル チアシクロペン
タニウム パーフルオロオクタンスルホナート、2−オ
キソヘプチル チアシクロペンタニウム パーフルオロ
オクタンスルホナート、2−オキソオクチル チアシク
ロペンタニウム パーフルオロオクタンスルホナート、
3−メチル−2−オキソブチル チアシクロペンタニウ
ム パーフルオロオクタンスルホナート、3,3−ジメ
チル−2−オキソブチル チアシクロペンタニウム パ
ーフルオロオクタンスルホナート、2-oxobutyl thiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate, 2-oxopentylthiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate, 2-oxohexyl thiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate, 2-oxoheptylthiacyclo Pentanium perfluorooctanesulfonate, 2-oxooctyl thiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate,
3-methyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutylthiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate,
【0050】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
チアシクロペンタニウム パーフルオロオクタンスルホ
ナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル チア
シクロペンタニウム パーフルオロオクタンスルホナー
ト、2−オキソプロピル チアシクロヘキサニウム パ
ーフルオロオクタンスルホナート、2−オキソブチル
チアシクロヘキサニウム パーフルオロオクタンスルホ
ナート、2−オキソペンチル チアシクロヘキサニウム
パーフルオロオクタンスルホナート、2−オキソヘキ
シル チアシクロヘキサニウム パーフルオロオクタン
スルホナート、2−オキソヘプチル チアシクロヘキサ
ニウム パーフルオロオクタンスルホナート、2−オキ
ソオクチル チアシクロヘキサニウム パーフルオロオ
クタンスルホナート、3−メチル−2−オキソブチル
チアシクロヘキサニウム パーフルオロオクタンスルホ
ナート、3,3−ジメチル−2−オキソブチル チアシ
クロヘキサニウム パーフルオロオクタンスルホナー
ト、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Thiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate, 2-oxopropyl thiacyclohexanium perfluorooctanesulfonate, 2-oxobutyl
Thiacyclohexanium perfluorooctane sulfonate, 2-oxopentyl Thiacyclohexanium perfluorooctane sulfonate, 2-oxohexyl thiacyclohexanium perfluorooctane sulfonate, 2-oxoheptyl thiacyclohexanium perfluorooctane sulfonate Nato, 2-oxooctyl thiacyclohexanium perfluorooctanesulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl
Thiacyclohexanium perfluorooctanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl thiacyclohexanium perfluorooctanesulfonate,
【0051】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
チアシクロヘキサニウム パーフルオロオクタンスルホ
ナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル チア
シクロヘキサニウム パーフルオロオクタンスルホナー
ト、2−オキソプロピル (1,4−チオキサニウム)
パーフルオロオクタンスルホナート、2−オキソブチ
ル (1,4−チオキサニウム) パーフルオロオクタ
ンスルホナート、2−オキソペンチル (1,4−チオ
キサニウム) パーフルオロオクタンスルホナート、2
−オキソヘキシル (1,4−チオキサニウム) パー
フルオロオクタンスルホナート、2−オキソヘプチル
(1,4−チオキサニウム) パーフルオロオクタンス
ルホナート、2−オキソオクチル (1,4−チオキサ
ニウム) パーフルオロオクタンスルホナート、3−メ
チル−2−オキソブチル (1,4−チオキサニウム)
パーフルオロオクタンスルホナート、3,3−ジメチ
ル−2−オキソブチル (1,4−チオキサニウム)
パーフルオロオクタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Thiacyclohexanium perfluorooctanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclohexanium perfluorooctanesulfonate, 2-oxopropyl (1,4-thioxanium)
Perfluorooctanesulfonate, 2-oxobutyl (1,4-thioxanium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxopentyl (1,4-thioxanium) perfluorooctanesulfonate, 2
-Oxohexyl (1,4-thioxanium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxoheptyl
(1,4-thioxanium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxooctyl (1,4-thioxanium) perfluorooctanesulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl (1,4-thioxanium)
Perfluorooctane sulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl (1,4-thioxanium)
Perfluorooctanesulfonate,
【0052】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(1,4−チオキサニウム) パーフルオロオクタンス
ルホナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル
(1,4−チオキサニウム) パーフルオロオクタンス
ルホナート、2−オキソプロピル (4−オキソチアシ
クロヘキサニウム) パーフルオロオクタンスルホナー
ト、2−オキソブチル (4−オキソチアシクロヘキサ
ニウム) パーフルオロオクタンスルホナート、2−オ
キソペンチル (4−オキソチアシクロヘキサニウム)
パーフルオロオクタンスルホナート、2−オキソヘキ
シル (4−オキソチアシクロヘキサニウム) パーフ
ルオロオクタンスルホナート、2−オキソヘプチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) パーフルオロ
オクタンスルホナート、2−オキソオクチル (4−オ
キソチアシクロヘキサニウム) パーフルオロオクタン
スルホナート、3−メチル−2−オキソブチル (4−
オキソチアシクロヘキサニウム) パーフルオロオクタ
ンスルホナート、3,3−ジメチル−2−オキソブチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム)パーフルオロ
オクタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(1,4-thioxanium) perfluorooctanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl
(1,4-thioxanium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxopropyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxopentyl (4-oxothiacyclohexanium)
Perfluorooctane sulfonate, 2-oxohexyl (4-oxothiacyclohexanium) Perfluorooctane sulfonate, 2-oxoheptyl
(4-oxothiacyclohexanium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxooctyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorooctanesulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl (4-
Oxothiacyclohexanium) perfluorooctanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorooctanesulfonate,
【0053】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) パーフルオロ
オクタンスルホナート、2−シクロペンチル−2−オキ
ソエチル (4−オキソチアシクロヘキサニウム) パ
ーフルオロオクタンスルホナート、2−オキソプロピル
(1,4−ジチアニウム) パーフルオロオクタンス
ルホナート、2−オキソブチル (1,4−ジチアニウ
ム) パーフルオロオクタンスルホナート、2−オキソ
ペンチル (1,4−ジチアニウム) パーフルオロオ
クタンスルホナート、2−オキソヘキシル (1,4−
ジチアニウム) パーフルオロオクタンスルホナート、
2−オキソヘプチル (1,4−ジチアニウム) パー
フルオロオクタンスルホナート、2−オキソオクチル
(1,4−ジチアニウム) パーフルオロオクタンスル
ホナート、3−メチル−2−オキソブチル (1,4−
ジチアニウム) パーフルオロオクタンスルホナート、
3,3−ジメチル−2−オキソブチル (1,4−ジチ
アニウム) パーフルオロオクタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(4-oxothiacyclohexanium) perfluorooctanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl (4-oxothiacyclohexanium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxopropyl (1,4-dithianium) perfluoro Octanesulfonate, 2-oxobutyl (1,4-dithianium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxopentyl (1,4-dithianium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxohexyl (1,4-dithionium)
Dithianium) perfluorooctanesulfonate,
2-oxoheptyl (1,4-dithianium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxooctyl
(1,4-dithianium) perfluorooctanesulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl (1,4-
Dithianium) perfluorooctanesulfonate,
3,3-dimethyl-2-oxobutyl (1,4-dithianium) perfluorooctanesulfonate,
【0054】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(1,4−ジチアニウム) パーフルオロオクタンスル
ホナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル
(1,4−ジチアニウム) パーフルオロオクタンスル
ホナート、2−オキソシクロヘキシル チアシクロペン
タニウム パーフルオロオクタンスルホナート、ジメチ
ル(2−オキソプロピル)スルホニウム ブタンスルホ
ナート、ジメチル(2−オキソブチル)スルホニウム
ブタンスルホナート、ジメチル(2−オキソペンチル)
スルホニウム ブタンスルホナート、ジメチル(2−オ
キソヘキシル)スルホニウム ブタンスルホナート、ジ
メチル(2−オキソヘプチル)スルホニウム ブタンス
ルホナート、ジメチル(2−オキソオクチル)スルホニ
ウム ブタンスルホナート、ジメチル(3−メチル−2
−オキソブチル)スルホニウム ブタンスルホナート、
3,3−ジメチル−2−オキソブチル ジメチルスルホ
ニウム ブタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(1,4-dithianium) perfluorooctanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl
(1,4-dithianium) perfluorooctanesulfonate, 2-oxocyclohexyl thiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate, dimethyl (2-oxopropyl) sulfonium butanesulfonate, dimethyl (2-oxobutyl) sulfonium
Butanesulfonate, dimethyl (2-oxopentyl)
Sulfonium butanesulfonate, dimethyl (2-oxohexyl) sulfonium butanesulfonate, dimethyl (2-oxoheptyl) sulfonium butanesulfonate, dimethyl (2-oxooctyl) sulfonium butanesulfonate, dimethyl (3-methyl-2)
-Oxobutyl) sulfonium butanesulfonate,
3,3-dimethyl-2-oxobutyl dimethylsulfonium butanesulfonate,
【0055】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
ジメチルスルホニウム ブタンスルホナート、2−シク
ロペンチル−2−オキソエチル ジメチルスルホニウム
ブタンスルホナート、ジエチル(2−オキソプロピ
ル)スルホニウム ブタンスルホナート、ジエチル(2
−オキソブチル)スルホニウム ブタンスルホナート、
ジエチル(2−オキソペンチル)スルホニウム ブタン
スルホナート、ジエチル(2−オキソヘキシル)スルホ
ニウム ブタンスルホナート、ジエチル(2−オキソヘ
プチル)スルホニウム ブタンスルホナート、ジエチル
(2−オキソオクチル)スルホニウム ブタンスルホナ
ート、ジエチル(3−メチル−2−オキソブチル)スル
ホニウム ブタンスルホナート、3,3−ジメチル−2
−オキソブチル ジエチルスルホニウム ブタンスルホ
ナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Dimethylsulfonium butanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl dimethylsulfonium butanesulfonate, diethyl (2-oxopropyl) sulfonium butanesulfonate, diethyl (2
-Oxobutyl) sulfonium butanesulfonate,
Diethyl (2-oxopentyl) sulfonium butanesulfonate, diethyl (2-oxohexyl) sulfonium butanesulfonate, diethyl (2-oxoheptyl) sulfonium butanesulfonate, diethyl (2-oxooctyl) sulfonium butanesulfonate, diethyl ( 3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium butanesulfonate, 3,3-dimethyl-2
Oxobutyl diethylsulfonium butanesulfonate,
【0056】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
ジエチルスルホニウム ブタンスルホナート、2−シク
ロペンチル−2−オキソエチル ジエチルスルホニウム
ブタンスルホナート、ジブチル(2−オキソプロピ
ル)スルホニウム ブタンスルホナート、ジブチル(2
−オキソブチル)スルホニウム ブタンスルホナート、
ジブチル(2−オキソペンチル)スルホニウム ブタン
スルホナート、ジブチル(2−オキソヘキシル)スルホ
ニウム ブタンスルホナート、ジブチル(2−オキソヘ
プチル)スルホニウム ブタンスルホナート、ジブチル
(2−オキソオクチル)スルホニウム ブタンスルホナ
ート、ジブチル(3−メチル−2−オキソブチル)スル
ホニウム ブタンスルホナート、ジブチル(3,3−ジ
メチル2−オキソブチル)スルホニウム ブタンスルホ
ナート、ジブチル(2−シクロヘキシル−2−オキソエ
チル) スルホニウム ブタンスルホナート、ジブチル
(2−シクロペンチル−2−オキソエチル) スルホニ
ウム ブタンスルホナート、ジイソプロピル(2−オキ
ソプロピル)スルホニウム ブタンスルホナート、ジイ
ソプロピル(2−オキソブチル)スルホニウム ブタン
スルホナート、ジイソプロピル(2−オキソペンチル)
スルホニウム ブタンスルホナート、ジイソプロピル
(2−オキソヘキシル)スルホニウム ブタンスルホナ
ート、ジイソプロピル(2−オキソヘプチル)スルホニ
ウム ブタンスルホナート、ジイソプロピル(2−オキ
ソオクチル)スルホニウム ブタンスルホナート、ジイ
ソプロピル(3−メチル−2−オキソブチル)スルホニ
ウム ブタンスルホナート、3,3−ジメチル2−オキ
ソブチル ジイソプロピル スルホニウム ブタンスル
ホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Diethylsulfonium butanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl diethylsulfonium butanesulfonate, dibutyl (2-oxopropyl) sulfonium butanesulfonate, dibutyl (2
-Oxobutyl) sulfonium butanesulfonate,
Dibutyl (2-oxopentyl) sulfonium butanesulfonate, dibutyl (2-oxohexyl) sulfonium butanesulfonate, dibutyl (2-oxoheptyl) sulfonium butanesulfonate, dibutyl (2-oxooctyl) sulfonium butanesulfonate, dibutyl ( 3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium butanesulfonate, dibutyl (3,3-dimethyl2-oxobutyl) sulfonium butanesulfonate, dibutyl (2-cyclohexyl-2-oxoethyl) sulfonium butanesulfonate, dibutyl (2-cyclopentyl- 2-oxoethyl) sulfonium butanesulfonate, diisopropyl (2-oxopropyl) sulfonium butanesulfonate, diisopropyl (2-oxobutyl) sulfonate Honiumu butane sulfonate, diisopropyl (2- oxopentyl)
Sulfonium butanesulfonate, diisopropyl (2-oxohexyl) sulfonium butanesulfonate, diisopropyl (2-oxoheptyl) sulfonium butanesulfonate, diisopropyl (2-oxooctyl) sulfonium butanesulfonate, diisopropyl (3-methyl-2-oxobutyl) ) Sulfonium butanesulfonate, 3,3-dimethyl 2-oxobutyl diisopropyl sulfonium butanesulfonate,
【0057】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
ジイソプロピルスルホニウム ブタンスルホナート、2
−シクロペンチル−2−オキソエチル ジイソプロピル
スルホニウム ブタンスルホナート、tert−ブチル
メチル(2−オキソプロピル)スルホニウム ブタン
スルホナート、tert−ブチル メチル(2−オキソ
ブチル)スルホニウム ブタンスルホナート、tert
−ブチル メチル(2−オキソペンチル)スルホニウム
ブタンスルホナート、tert−ブチル メチル(2
−オキソヘキシル)スルホニウム ブタンスルホナー
ト、tert−ブチル メチル(2−オキソヘプチル)
スルホニウム ブタンスルホナート、tert−ブチル
メチル(2−オキソオクチル)スルホニウム ブタン
スルホナート、tert−ブチル メチル(3−メチル
−2−オキソブチル)スルホニウム ブタンスルホナー
ト、tert−ブチル (3,3−ジメチル2−オキソ
ブチル) メチル スルホニウム ブタンスルホナー
ト、tert−ブチル (2−シクロヘキシル−2−オ
キソエチル) メチルスルホニウム ブタンスルホナー
ト、tert−ブチル (2−シクロペンチル−2−オ
キソエチル) メチルスルホニウム ブタンスルホナー
ト、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Diisopropylsulfonium butanesulfonate, 2
-Cyclopentyl-2-oxoethyl diisopropylsulfonium butanesulfonate, tert-butyl methyl (2-oxopropyl) sulfonium butanesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxobutyl) sulfonium butanesulfonate, tert
-Butylmethyl (2-oxopentyl) sulfonium butanesulfonate, tert-butylmethyl (2
-Oxohexyl) sulfonium butanesulfonate, tert-butyl methyl (2-oxoheptyl)
Sulfonium butanesulfonate, tert-butyl methyl (2-oxooctyl) sulfonium butanesulfonate, tert-butyl methyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium butanesulfonate, tert-butyl (3,3-dimethyl2-oxobutyl) ) Methyl sulfonium butanesulfonate, tert-butyl (2-cyclohexyl-2-oxoethyl) methylsulfonium butanesulfonate, tert-butyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) methylsulfonium butanesulfonate,
【0058】シクロヘキシル メチル(2−オキソプロ
ピル)スルホニウム ブタンスルホナート、シクロヘキ
シル メチル(2−オキソブチル)スルホニウム ブタ
ンスルホナート、シクロヘキシル メチル(2−オキソ
ペンチル)スルホニウム ブタンスルホナート、シクロ
ヘキシル メチル(2−オキソヘキシル)スルホニウム
ブタンスルホナート、シクロヘキシル メチル(2−
オキソヘプチル)スルホニウム ブタンスルホナート、
シクロヘキシル メチル(2−オキソオクチル)スルホ
ニウム ブタンスルホナート、シクロヘキシル メチル
(3−メチル−2−オキソブチル)スルホニウム ブタ
ンスルホナート、シクロヘキシル (3,3−ジメチル
2−オキソブチル) メチル スルホニウム ブタンス
ルホナート、シクロヘキシル (2−シクロヘキシル−
2−オキソエチル) メチルスルホニウム ブタンスル
ホナート、シクロヘキシル (2−シクロペンチル−2
−オキソエチル) メチルスルホニウム ブタンスルホ
ナート、2−オキソプロピル チアシクロペンタニウム
ブタンスルホナート、2−オキソブチル チアシクロ
ペンタニウム ブタンスルホナート、2−オキソペンチ
ル チアシクロペンタニウム ブタンスルホナート、2
−オキソヘキシル チアシクロペンタニウム ブタンス
ルホナート、2−オキソヘプチル チアシクロペンタニ
ウム ブタンスルホナート、2−オキソオクチル チア
シクロペンタニウム ブタンスルホナート、3−メチル
−2−オキソブチル チアシクロペンタニウム ブタン
スルホナート、3,3−ジメチル−2−オキソブチル
チアシクロペンタニウム ブタンスルホナート、Cyclohexylmethyl (2-oxopropyl) sulfonium butanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxobutyl) sulfonium butanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxopentyl) sulfonium butanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxohexyl) sulfonium Butanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-
Oxoheptyl) sulfonium butanesulfonate,
Cyclohexylmethyl (2-oxooctyl) sulfonium butanesulfonate, cyclohexylmethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfoniumbutanesulfonate, cyclohexyl (3,3-dimethyl2-oxobutyl) methylsulfoniumbutanesulfonate, cyclohexyl (2- Cyclohexyl-
2-oxoethyl) methylsulfonium butanesulfonate, cyclohexyl (2-cyclopentyl-2)
-Oxoethyl) methylsulfonium butanesulfonate, 2-oxopropyl thiacyclopentanium butanesulfonate, 2-oxobutyl thiacyclopentanium butanesulfonate, 2-oxopentyl thiacyclopentanium butanesulfonate, 2
-Oxohexyl thiacyclopentanium butanesulfonate, 2-oxoheptyl thiacyclopentanium butanesulfonate, 2-oxooctylthiacyclopentanium butanesulfonate, 3-methyl-2-oxobutylthiacyclopentanium butanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl
Thiacyclopentanium butanesulfonate,
【0059】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
チアシクロペンタニウム ブタンスルホナート、2−シ
クロペンチル−2−オキソエチル チアシクロペンタニ
ウム ブタンスルホナート、2−オキソプロピル チア
シクロヘキサニウム ブタンスルホナート、2−オキソ
ブチル チアシクロヘキサニウム ブタンスルホナー
ト、2−オキソペンチル チアシクロヘキサニウム ブ
タンスルホナート、2−オキソヘキシル チアシクロヘ
キサニウム ブタンスルホナート、2−オキソヘプチル
チアシクロヘキサニウム ブタンスルホナート、2−
オキソオクチル チアシクロヘキサニウム ブタンスル
ホナート、3−メチル−2−オキソブチル チアシクロ
ヘキサニウム ブタンスルホナート、3,3−ジメチル
−2−オキソブチル チアシクロヘキサニウム ブタン
スルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Thiacyclopentanium butanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclopentanium butanesulfonate, 2-oxopropyl thiacyclohexanium butanesulfonate, 2-oxobutyl thiacyclohexanium butanesulfonate, 2-oxopentyl Thiacyclohexanium butanesulfonate, 2-oxohexyl thiacyclohexanium butanesulfonate, 2-oxoheptyl thiacyclohexanium butanesulfonate, 2-oxohexyl
Oxooctyl thiacyclohexanium butanesulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl thiacyclohexanium butanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl thiacyclohexanium butanesulfonate,
【0060】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
チアシクロヘキサニウム ブタンスルホナート、2−シ
クロペンチル−2−オキソエチル チアシクロヘキサニ
ウム ブタンスルホナート、2−オキソプロピル
(1,4−チオキサニウム) ブタンスルホナート、2
−オキソブチル (1,4−チオキサニウム) ブタン
スルホナート、2−オキソペンチル (1,4−チオキ
サニウム) ブタンスルホナート、2−オキソヘキシル
(1,4−チオキサニウム) ブタンスルホナート、
2−オキソヘプチル (1,4−チオキサニウム) ブ
タンスルホナート、2−オキソオクチル (1,4−チ
オキサニウム) ブタンスルホナート、3−メチル−2
−オキソブチル (1,4−チオキサニウム) ブタン
スルホナート、3,3−ジメチル−2−オキソブチル
(1,4−チオキサニウム) ブタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Thiacyclohexanium butanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclohexanium butanesulfonate, 2-oxopropyl
(1,4-thioxanium) butanesulfonate, 2
-Oxobutyl (1,4-thioxanium) butanesulfonate, 2-oxopentyl (1,4-thioxanium) butanesulfonate, 2-oxohexyl (1,4-thioxanium) butanesulfonate,
2-oxoheptyl (1,4-thioxanium) butanesulfonate, 2-oxooctyl (1,4-thioxanium) butanesulfonate, 3-methyl-2
-Oxobutyl (1,4-thioxanium) butanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl
(1,4-thioxanium) butanesulfonate,
【0061】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(1,4−チオキサニウム) ブタンスルホナート、2
−シクロペンチル−2−オキソエチル (1,4−チオ
キサニウム) ブタンスルホナート、2−オキソプロピ
ル (4−オキソチアシクロヘキサニウム) ブタンス
ルホナート、2−オキソブチル (4−オキソチアシク
ロヘキサニウム) ブタンスルホナート、2−オキソペ
ンチル (4−オキソチアシクロヘキサニウム) ブタ
ンスルホナート、2−オキソヘキシル (4−オキソチ
アシクロヘキサニウム) ブタンスルホナート、2−オ
キソヘプチル (4−オキソチアシクロヘキサニウム)
ブタンスルホナート、2−オキソオクチル (4−オ
キソチアシクロヘキサニウム) ブタンスルホナート、
3−メチル−2−オキソブチル (4−オキソチアシク
ロヘキサニウム) ブタンスルホナート、3,3−ジメ
チル−2−オキソブチル (4−オキソチアシクロヘキ
サニウム)ブタンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(1,4-thioxanium) butanesulfonate, 2
-Cyclopentyl-2-oxoethyl (1,4-thioxanium) butanesulfonate, 2-oxopropyl (4-oxothiacyclohexanium) butanesulfonate, 2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) butanesulfonate, 2-oxopentyl (4-oxothiacyclohexanium) butanesulfonate, 2-oxohexyl (4-oxothiacyclohexanium) butanesulfonate, 2-oxoheptyl (4-oxothiacyclohexanium)
Butanesulfonate, 2-oxooctyl (4-oxothiacyclohexanium) butanesulfonate,
3-methyl-2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) butanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) butanesulfonate,
【0062】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) ブタンスルホ
ナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル (4
−オキソチアシクロヘキサニウム) ブタンスルホナー
ト、2−オキソプロピル (1,4−ジチアニウム)
ブタンスルホナート、2−オキソブチル (1,4−ジ
チアニウム) ブタンスルホナート、2−オキソペンチ
ル (1,4−ジチアニウム) ブタンスルホナート、
2−オキソヘキシル (1,4−ジチアニウム) ブタ
ンスルホナート、2−オキソヘプチル (1,4−ジチ
アニウム) ブタンスルホナート、2−オキソオクチル
(1,4−ジチアニウム) ブタンスルホナート、3
−メチル−2−オキソブチル (1,4−ジチアニウ
ム) ブタンスルホナート、3,3−ジメチル−2−オ
キソブチル (1,4−ジチアニウム) ブタンスルホ
ナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(4-oxothiacyclohexanium) butanesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl (4
-Oxothiacyclohexanium) butanesulfonate, 2-oxopropyl (1,4-dithianium)
Butanesulfonate, 2-oxobutyl (1,4-dithianium) butanesulfonate, 2-oxopentyl (1,4-dithianium) butanesulfonate,
2-oxohexyl (1,4-dithianium) butanesulfonate, 2-oxoheptyl (1,4-dithianium) butanesulfonate, 2-oxooctyl (1,4-dithianium) butanesulfonate, 3
-Methyl-2-oxobutyl (1,4-dithianium) butanesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl (1,4-dithianium) butanesulfonate,
【0063】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(1,4−ジチアニウム) ブタンスルホナート、2−
シクロペンチル−2−オキソエチル (1,4−ジチア
ニウム) ブタンスルホナート、2−オキソシクロヘキ
シル チアシクロペンタニウム ブタンスルホナート、
ジメチル(2−オキソプロピル)スルホニウム p−ト
ルエンスルホナート、ジメチル(2−オキソブチル)ス
ルホニウム p−トルエンスルホナート、ジメチル(2
−オキソペンチル)スルホニウム p−トルエンスルホ
ナート、ジメチル(2−オキソヘキシル)スルホニウム
p−トルエンスルホナート、ジメチル(2−オキソヘ
プチル)スルホニウム p−トルエンスルホナート、ジ
メチル(2−オキソオクチル)スルホニウム p−トル
エンスルホナート、ジメチル(3−メチル−2−オキソ
ブチル)スルホニウム p−トルエンスルホナート、
3,3−ジメチル−2−オキソブチル ジメチルスルホ
ニウム p−トルエンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(1,4-dithianium) butanesulfonate, 2-
Cyclopentyl-2-oxoethyl (1,4-dithianium) butanesulfonate, 2-oxocyclohexyl thiacyclopentanium butanesulfonate,
Dimethyl (2-oxopropyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dimethyl (2-oxobutyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dimethyl (2
-Oxopentyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dimethyl (2-oxohexyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dimethyl (2-oxoheptyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dimethyl (2-oxooctyl) sulfonium p-toluene Sulfonate, dimethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium p-toluenesulfonate,
3,3-dimethyl-2-oxobutyl dimethylsulfonium p-toluenesulfonate,
【0064】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
ジメチルスルホニウム p−トルエンスルホナート、2
−シクロペンチル−2−オキソエチル ジメチルスルホ
ニウム p−トルエンスルホナート、ジエチル(2−オ
キソプロピル)スルホニウム p−トルエンスルホナー
ト、ジエチル(2−オキソブチル)スルホニウム p−
トルエンスルホナート、ジエチル(2−オキソペンチ
ル)スルホニウム p−トルエンスルホナート、ジエチ
ル(2−オキソヘキシル)スルホニウム p−トルエン
スルホナート、ジエチル(2−オキソヘプチル)スルホ
ニウム p−トルエンスルホナート、ジエチル(2−オ
キソオクチル)スルホニウム p−トルエンスルホナー
ト、ジエチル(3−メチル−2−オキソブチル)スルホ
ニウム p−トルエンスルホナート、3,3−ジメチル
−2−オキソブチル ジエチルスルホニウム p−トル
エンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Dimethylsulfonium p-toluenesulfonate, 2
-Cyclopentyl-2-oxoethyl dimethylsulfonium p-toluenesulfonate, diethyl (2-oxopropyl) sulfonium p-toluenesulfonate, diethyl (2-oxobutyl) sulfonium p-
Toluenesulfonate, diethyl (2-oxopentyl) sulfonium p-toluenesulfonate, diethyl (2-oxohexyl) sulfonium p-toluenesulfonate, diethyl (2-oxoheptyl) sulfonium p-toluenesulfonate, diethyl (2- Oxooctyl) sulfonium p-toluenesulfonate, diethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium p-toluenesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl diethylsulfonium p-toluenesulfonate,
【0065】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
ジエチルスルホニウム p−トルエンスルホナート、2
−シクロペンチル−2−オキソエチル ジエチルスルホ
ニウム p−トルエンスルホナート、ジブチル(2−オ
キソプロピル)スルホニウム p−トルエンスルホナー
ト、ジブチル(2−オキソブチル)スルホニウム p−
トルエンスルホナート、ジブチル(2−オキソペンチ
ル)スルホニウム p−トルエンスルホナート、ジブチ
ル(2−オキソヘキシル)スルホニウム p−トルエン
スルホナート、ジブチル(2−オキソヘプチル)スルホ
ニウム p−トルエンスルホナート、ジブチル(2−オ
キソオクチル)スルホニウム p−トルエンスルホナー
ト、ジブチル(3−メチル−2−オキソブチル)スルホ
ニウム p−トルエンスルホナート、ジブチル(3,3
−ジメチル2−オキソブチル)スルホニウム p−トル
エンスルホナート、ジブチル(2−シクロヘキシル−2
−オキソエチル) スルホニウム p−トルエンスルホ
ナート、ジブチル(2−シクロペンチル−2−オキソエ
チル) スルホニウム p−トルエンスルホナート、ジ
イソプロピル(2−オキソプロピル)スルホニウム p
−トルエンスルホナート、ジイソプロピル(2−オキソ
ブチル)スルホニウム p−トルエンスルホナート、ジ
イソプロピル(2−オキソペンチル)スルホニウム p
−トルエンスルホナート、ジイソプロピル(2−オキソ
ヘキシル)スルホニウム p−トルエンスルホナート、
ジイソプロピル(2−オキソヘプチル)スルホニウム
p−トルエンスルホナート、ジイソプロピル(2−オキ
ソオクチル)スルホニウム p−トルエンスルホナー
ト、ジイソプロピル(3−メチル−2−オキソブチル)
スルホニウム p−トルエンスルホナート、3,3−ジ
メチル2−オキソブチル ジイソプロピル スルホニウ
ム p−トルエンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Diethylsulfonium p-toluenesulfonate, 2
-Cyclopentyl-2-oxoethyl diethylsulfonium p-toluenesulfonate, dibutyl (2-oxopropyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dibutyl (2-oxobutyl) sulfonium p-
Toluenesulfonate, dibutyl (2-oxopentyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dibutyl (2-oxohexyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dibutyl (2-oxoheptyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dibutyl (2- Oxooctyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dibutyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dibutyl (3.3
-Dimethyl 2-oxobutyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dibutyl (2-cyclohexyl-2)
-Oxoethyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dibutyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) sulfonium p-toluenesulfonate, diisopropyl (2-oxopropyl) sulfonium p
-Toluenesulfonate, diisopropyl (2-oxobutyl) sulfonium p-toluenesulfonate, diisopropyl (2-oxopentyl) sulfonium p
-Toluenesulfonate, diisopropyl (2-oxohexyl) sulfonium p-toluenesulfonate,
Diisopropyl (2-oxoheptyl) sulfonium
p-toluenesulfonate, diisopropyl (2-oxooctyl) sulfonium p-toluenesulfonate, diisopropyl (3-methyl-2-oxobutyl)
Sulfonium p-toluenesulfonate, 3,3-dimethyl 2-oxobutyl diisopropyl sulfonium p-toluenesulfonate,
【0066】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
ジイソプロピルスルホニウム p−トルエンスルホナー
ト、2−シクロペンチル−2−オキソエチル ジイソプ
ロピルスルホニウム p−トルエンスルホナート、te
rt−ブチル メチル(2−オキソプロピル)スルホニ
ウム p−トルエンスルホナート、tert−ブチル
メチル(2−オキソブチル)スルホニウム p−トルエ
ンスルホナート、tert−ブチル メチル(2−オキ
ソペンチル)スルホニウム p−トルエンスルホナー
ト、tert−ブチル メチル(2−オキソヘキシル)
スルホニウム p−トルエンスルホナート、tert−
ブチル メチル(2−オキソヘプチル)スルホニウム
p−トルエンスルホナート、tert−ブチル メチル
(2−オキソオクチル)スルホニウム p−トルエンス
ルホナート、tert−ブチル メチル(3−メチル−
2−オキソブチル)スルホニウム p−トルエンスルホ
ナート、tert−ブチル (3,3−ジメチル2−オ
キソブチル) メチル スルホニウム p−トルエンス
ルホナート、tert−ブチル (2−シクロヘキシル
−2−オキソエチル) メチルスルホニウム p−トル
エンスルホナート、tert−ブチル (2−シクロペ
ンチル−2−オキソエチル) メチルスルホニウム p
−トルエンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Diisopropylsulfonium p-toluenesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl diisopropylsulfonium p-toluenesulfonate, te
rt-butyl methyl (2-oxopropyl) sulfonium p-toluenesulfonate, tert-butyl
Methyl (2-oxobutyl) sulfonium p-toluenesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxopentyl) sulfonium p-toluenesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxohexyl)
Sulfonium p-toluenesulfonate, tert-
Butyl methyl (2-oxoheptyl) sulfonium
p-toluenesulfonate, tert-butylmethyl (2-oxooctyl) sulfonium p-toluenesulfonate, tert-butylmethyl (3-methyl-
2-oxobutyl) sulfonium p-toluenesulfonate, tert-butyl (3,3-dimethyl2-oxobutyl) methyl sulfonium p-toluenesulfonate, tert-butyl (2-cyclohexyl-2-oxoethyl) methylsulfonium p-toluenesulfo Nate, tert-butyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) methylsulfonium p
-Toluenesulfonate,
【0067】シクロヘキシル メチル(2−オキソプロ
ピル)スルホニウム p−トルエンスルホナート、シク
ロヘキシル メチル(2−オキソブチル)スルホニウム
p−トルエンスルホナート、シクロヘキシル メチル
(2−オキソペンチル)スルホニウム p−トルエンス
ルホナート、シクロヘキシル メチル(2−オキソヘキ
シル)スルホニウム p−トルエンスルホナート、シク
ロヘキシル メチル(2−オキソヘプチル)スルホニウ
ム p−トルエンスルホナート、シクロヘキシル メチ
ル(2−オキソオクチル)スルホニウム p−トルエン
スルホナート、シクロヘキシル メチル(3−メチル−
2−オキソブチル)スルホニウム p−トルエンスルホ
ナート、シクロヘキシル (3,3−ジメチル2−オキ
ソブチル) メチル スルホニウム p−トルエンスル
ホナート、シクロヘキシル (2−シクロヘキシル−2
−オキソエチル) メチルスルホニウム p−トルエン
スルホナート、シクロヘキシル (2−シクロペンチル
−2−オキソエチル) メチルスルホニウム p−トル
エンスルホナート、Cyclohexylmethyl (2-oxopropyl) sulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxobutyl) sulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxopentyl) sulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexylmethyl ( 2-oxohexyl) sulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxoheptyl) sulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxooctyl) sulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexylmethyl (3-methyl-
2-oxobutyl) sulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexyl (3,3-dimethyl2-oxobutyl) methyl sulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexyl (2-cyclohexyl-2)
-Oxoethyl) methylsulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) methylsulfonium p-toluenesulfonate,
【0068】2−オキソプロピル チアシクロペンタニ
ウム p−トルエンスルホナート、2−オキソブチル
チアシクロペンタニウム p−トルエンスルホナート、
2−オキソペンチル チアシクロペンタニウム p−ト
ルエンスルホナート、2−オキソヘキシル チアシクロ
ペンタニウム p−トルエンスルホナート、2−オキソ
ヘプチル チアシクロペンタニウム p−トルエンスル
ホナート、2−オキソオクチル チアシクロペンタニウ
ム p−トルエンスルホナート、3−メチル−2−オキ
ソブチル チアシクロペンタニウム p−トルエンスル
ホナート、3,3−ジメチル−2−オキソブチル チア
シクロペンタニウム p−トルエンスルホナート、2−
シクロヘキシル−2−オキソエチル チアシクロペンタ
ニウム p−トルエンスルホナート、2−シクロペンチ
ル−2−オキソエチル チアシクロペンタニウム p−
トルエンスルホナート、2−オキソプロピル チアシク
ロヘキサニウム p−トルエンスルホナート、2−オキ
ソブチル チアシクロヘキサニウム p−トルエンスル
ホナート、2−オキソペンチル チアシクロヘキサニウ
ム p−トルエンスルホナート、2−オキソヘキシル
チアシクロヘキサニウム p−トルエンスルホナート、
2−オキソヘプチル チアシクロヘキサニウム p−ト
ルエンスルホナート、2−オキソオクチル チアシクロ
ヘキサニウム p−トルエンスルホナート、3−メチル
−2−オキソブチル チアシクロヘキサニウム p−ト
ルエンスルホナート、3,3−ジメチル−2−オキソブ
チル チアシクロヘキサニウム p−トルエンスルホナ
ート、2-oxopropyl thiacyclopentanium p-toluenesulfonate, 2-oxobutyl
Thiacyclopentanium p-toluenesulfonate,
2-oxopentyl thiacyclopentanium p-toluenesulfonate, 2-oxohexyl thiacyclopentanium p-toluenesulfonate, 2-oxoheptyl thiacyclopentanium p-toluenesulfonate, 2-oxooctyl thiacyclopentanium p-toluenesulfonate, 3-methyl-2-oxobutylthiacyclopentanium p-toluenesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutylthiacyclopentanium p-toluenesulfonate, 2-
Cyclohexyl-2-oxoethyl thiacyclopentanium p-toluenesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclopentanium p-
Toluenesulfonate, 2-oxopropyl thiacyclohexanium p-toluenesulfonate, 2-oxobutylthiacyclohexanium p-toluenesulfonate, 2-oxopentyl thiacyclohexanium p-toluenesulfonate, 2-oxohexyl
Thiacyclohexanium p-toluenesulfonate,
2-oxoheptyl thiacyclohexanium p-toluenesulfonate, 2-oxooctyl thiacyclohexanium p-toluenesulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl thiacyclohexanium p-toluenesulfonate, 3,3-dimethyl -2-oxobutyl thiacyclohexanium p-toluenesulfonate,
【0069】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
チアシクロヘキサニウム p−トルエンスルホナート、
2−シクロペンチル−2−オキソエチル チアシクロヘ
キサニウム p−トルエンスルホナート、2−オキソプ
ロピル (1,4−チオキサニウム) p−トルエンス
ルホナート、2−オキソブチル (1,4−チオキサニ
ウム) p−トルエンスルホナート、2−オキソペンチ
ル (1,4−チオキサニウム) p−トルエンスルホ
ナート、2−オキソヘキシル (1,4−チオキサニウ
ム) p−トルエンスルホナート、2−オキソヘプチル
(1,4−チオキサニウム) p−トルエンスルホナ
ート、2−オキソオクチル (1,4−チオキサニウ
ム) p−トルエンスルホナート、3−メチル−2−オ
キソブチル (1,4−チオキサニウム) p−トルエ
ンスルホナート、3,3−ジメチル−2−オキソブチル
(1,4−チオキサニウム) p−トルエンスルホナ
ート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Thiacyclohexanium p-toluenesulfonate,
2-cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclohexanium p-toluenesulfonate, 2-oxopropyl (1,4-thioxanium) p-toluenesulfonate, 2-oxobutyl (1,4-thioxanium) p-toluenesulfonate, 2-oxopentyl (1,4-thioxanium) p-toluenesulfonate, 2-oxohexyl (1,4-thioxanium) p-toluenesulfonate, 2-oxoheptyl (1,4-thioxanium) p-toluenesulfonate , 2-oxooctyl (1,4-thioxanium) p-toluenesulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl (1,4-thioxanium) p-toluenesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl (1, 4-Thioxanium) p-toluenes Luhonart,
【0070】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(1,4−チオキサニウム) p−トルエンスルホナー
ト、2−シクロペンチル−2−オキソエチル (1,4
−チオキサニウム) p−トルエンスルホナート、2−
オキソプロピル (4−オキソチアシクロヘキサニウ
ム) p−トルエンスルホナート、2−オキソブチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) p−トルエン
スルホナート、2−オキソペンチル (4−オキソチア
シクロヘキサニウム) p−トルエンスルホナート、2
−オキソヘキシル (4−オキソチアシクロヘキサニウ
ム) p−トルエンスルホナート、2−オキソヘプチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) p−トルエ
ンスルホナート、2−オキソオクチル (4−オキソチ
アシクロヘキサニウム) p−トルエンスルホナート、
3−メチル−2−オキソブチル (4−オキソチアシク
ロヘキサニウム) p−トルエンスルホナート、3,3
−ジメチル−2−オキソブチル (4−オキソチアシク
ロヘキサニウム)p−トルエンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(1,4-thioxanium) p-toluenesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl (1,4
-Thioxanium) p-toluenesulfonate, 2-
Oxopropyl (4-oxothiacyclohexanium) p-toluenesulfonate, 2-oxobutyl
(4-oxothiacyclohexanium) p-toluenesulfonate, 2-oxopentyl (4-oxothiacyclohexanium) p-toluenesulfonate, 2
-Oxohexyl (4-oxothiacyclohexanium) p-toluenesulfonate, 2-oxoheptyl (4-oxothiacyclohexanium) p-toluenesulfonate, 2-oxooctyl (4-oxothiacyclohexanium) p-toluenesulfonate,
3-methyl-2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) p-toluenesulfonate 3,3
-Dimethyl-2-oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) p-toluenesulfonate,
【0071】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) p−トルエン
スルホナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) p−トルエ
ンスルホナート、2−オキソプロピル (1,4−ジチ
アニウム) p−トルエンスルホナート、2−オキソブ
チル (1,4−ジチアニウム) p−トルエンスルホ
ナート、2−オキソペンチル (1,4−ジチアニウ
ム) p−トルエンスルホナート、2−オキソヘキシル
(1,4−ジチアニウム) p−トルエンスルホナー
ト、2−オキソヘプチル (1,4−ジチアニウム)
p−トルエンスルホナート、2−オキソオクチル
(1,4−ジチアニウム) p−トルエンスルホナー
ト、3−メチル−2−オキソブチル (1,4−ジチア
ニウム) p−トルエンスルホナート、3,3−ジメチ
ル−2−オキソブチル (1,4−ジチアニウム) p
−トルエンスルホナート、2−シクロヘキシル−2−オ
キソエチル (1,4−ジチアニウム) p−トルエン
スルホナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル
(1,4−ジチアニウム) p−トルエンスルホナー
ト、2−オキソシクロヘキシル チアシクロペンタニウ
ム p−トルエンスルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(4-oxothiacyclohexanium) p-toluenesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl (4-oxothiacyclohexanium) p-toluenesulfonate, 2-oxopropyl (1,4-dithianium) p- Toluenesulfonate, 2-oxobutyl (1,4-dithianium) p-toluenesulfonate, 2-oxopentyl (1,4-dithianium) p-toluenesulfonate, 2-oxohexyl (1,4-dithianium) p- Toluenesulfonate, 2-oxoheptyl (1,4-dithianium)
p-toluenesulfonate, 2-oxooctyl
(1,4-dithianium) p-toluenesulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl (1,4-dithianium) p-toluenesulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl (1,4-dithianium) p
-Toluenesulfonate, 2-cyclohexyl-2-oxoethyl (1,4-dithianium) p-toluenesulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl (1,4-dithianium) p-toluenesulfonate, 2-oxocyclohexylthia Cyclopentanium p-toluenesulfonate,
【0072】ジメチル(2−オキソプロピル)スルホニ
ウム カンファースルホナート、ジメチル(2−オキソ
ブチル)スルホニウム カンファースルホナート、ジメ
チル(2−オキソペンチル)スルホニウム カンファー
スルホナート、ジメチル(2−オキソヘキシル)スルホ
ニウム カンファースルホナート、ジメチル(2−オキ
ソヘプチル)スルホニウム カンファースルホナート、
ジメチル(2−オキソオクチル)スルホニウム カンフ
ァースルホナート、ジメチル(3−メチル−2−オキソ
ブチル)スルホニウム カンファースルホナート、3,
3−ジメチル−2−オキソブチル ジメチルスルホニウ
ム カンファースルホナート、2−シクロヘキシル−2
−オキソエチル ジメチルスルホニウム カンファース
ルホナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル
ジメチルスルホニウム カンファースルホナート、ジエ
チル(2−オキソプロピル)スルホニウム カンファー
スルホナート、ジエチル(2−オキソブチル)スルホニ
ウム カンファースルホナート、ジエチル(2−オキソ
ペンチル)スルホニウム カンファースルホナート、ジ
エチル(2−オキソヘキシル)スルホニウム カンファ
ースルホナート、ジエチル(2−オキソヘプチル)スル
ホニウム カンファースルホナート、ジエチル(2−オ
キソオクチル)スルホニウム カンファースルホナー
ト、ジエチル(3−メチル−2−オキソブチル)スルホ
ニウム カンファースルホナート、Dimethyl (2-oxopropyl) sulfonium camphorsulfonate, dimethyl (2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate, dimethyl (2-oxopentyl) sulfonium camphorsulfonate, dimethyl (2-oxohexyl) sulfonium camphorsulfonate, Dimethyl (2-oxoheptyl) sulfonium camphorsulfonate,
Dimethyl (2-oxooctyl) sulfonium camphorsulfonate, dimethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate, 3,
3-dimethyl-2-oxobutyl dimethylsulfonium camphorsulfonate, 2-cyclohexyl-2
-Oxoethyl dimethylsulfonium camphorsulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl
Dimethylsulfonium camphorsulfonate, diethyl (2-oxopropyl) sulfonium camphorsulfonate, diethyl (2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate, diethyl (2-oxopentyl) sulfonium camphorsulfonate, diethyl (2-oxohexyl) sulfonium camphor Sulfonate, diethyl (2-oxoheptyl) sulfonium camphorsulfonate, diethyl (2-oxooctyl) sulfonium camphorsulfonate, diethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate,
【0073】3,3−ジメチル−2−オキソブチル ジ
エチルスルホニウム カンファースルホナート、2−シ
クロヘキシル−2−オキソエチル ジエチルスルホニウ
ム カンファースルホナート、2−シクロペンチル−2
−オキソエチル ジエチルスルホニウム カンファース
ルホナート、ジブチル(2−オキソプロピル)スルホニ
ウム カンファースルホナート、ジブチル(2−オキソ
ブチル)スルホニウム カンファースルホナート、ジブ
チル(2−オキソペンチル)スルホニウム カンファー
スルホナート、ジブチル(2−オキソヘキシル)スルホ
ニウム カンファースルホナート、ジブチル(2−オキ
ソヘプチル)スルホニウム カンファースルホナート、
ジブチル(2−オキソオクチル)スルホニウム カンフ
ァースルホナート、ジブチル(3−メチル−2−オキソ
ブチル)スルホニウム カンファースルホナート、ジブ
チル(3,3−ジメチル2−オキソブチル)スルホニウ
ム カンファースルホナート、ジブチル(2−シクロヘ
キシル−2−オキソエチル) スルホニウム カンファ
ースルホナート、ジブチル(2−シクロペンチル−2−
オキソエチル) スルホニウム カンファースルホナー
ト、3,3-dimethyl-2-oxobutyl diethylsulfonium camphorsulfonate, 2-cyclohexyl-2-oxoethyl diethylsulfonium camphorsulfonate, 2-cyclopentyl-2
-Oxoethyl diethylsulfonium camphorsulfonate, dibutyl (2-oxopropyl) sulfonium camphorsulfonate, dibutyl (2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate, dibutyl (2-oxopentyl) sulfonium camphorsulfonate, dibutyl (2-oxohexyl) Sulfonium camphorsulfonate, dibutyl (2-oxoheptyl) sulfonium camphorsulfonate,
Dibutyl (2-oxooctyl) sulfonium camphorsulfonate, dibutyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate, dibutyl (3,3-dimethyl2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate, dibutyl (2-cyclohexyl-2) -Oxoethyl) sulfonium camphorsulfonate, dibutyl (2-cyclopentyl-2-
Oxoethyl) sulfonium camphorsulfonate,
【0074】ジイソプロピル(2−オキソプロピル)ス
ルホニウム カンファースルホナート、ジイソプロピル
(2−オキソブチル)スルホニウム カンファースルホ
ナート、ジイソプロピル(2−オキソペンチル)スルホ
ニウム カンファースルホナート、ジイソプロピル(2
−オキソヘキシル)スルホニウム カンファースルホナ
ート、ジイソプロピル(2−オキソヘプチル)スルホニ
ウム カンファースルホナート、ジイソプロピル(2−
オキソオクチル)スルホニウム カンファースルホナー
ト、ジイソプロピル(3−メチル−2−オキソブチル)
スルホニウム カンファースルホナート、3,3−ジメ
チル2−オキソブチル ジイソプロピル スルホニウム
カンファースルホナート、2−シクロヘキシル−2−
オキソエチル ジイソプロピルスルホニウム カンファ
ースルホナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチ
ル ジイソプロピルスルホニウム カンファースルホナ
ート、Diisopropyl (2-oxopropyl) sulfonium camphorsulfonate, diisopropyl (2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate, diisopropyl (2-oxopentyl) sulfonium camphorsulfonate, diisopropyl (2
-Oxohexyl) sulfonium camphorsulfonate, diisopropyl (2-oxoheptyl) sulfonium camphorsulfonate, diisopropyl (2-
Oxooctyl) sulfonium camphorsulfonate, diisopropyl (3-methyl-2-oxobutyl)
Sulfonium camphorsulfonate, 3,3-dimethyl 2-oxobutyl diisopropyl sulfonium camphorsulfonate, 2-cyclohexyl-2-
Oxoethyl diisopropylsulfonium camphorsulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl diisopropylsulfonium camphorsulfonate,
【0075】tert−ブチル メチル(2−オキソプ
ロピル)スルホニウム カンファースルホナート、te
rt−ブチル メチル(2−オキソブチル)スルホニウ
ム カンファースルホナート、tert−ブチル メチ
ル(2−オキソペンチル)スルホニウム カンファース
ルホナート、tert−ブチル メチル(2−オキソヘ
キシル)スルホニウム カンファースルホナート、te
rt−ブチル メチル(2−オキソヘプチル)スルホニ
ウム カンファースルホナート、tert−ブチル メ
チル(2−オキソオクチル)スルホニウム カンファー
スルホナート、tert−ブチル メチル(3−メチル
−2−オキソブチル)スルホニウム カンファースルホ
ナート、tert−ブチル (3,3−ジメチル2−オ
キソブチル) メチル スルホニウム カンファースル
ホナート、tert−ブチル (2−シクロヘキシル−
2−オキソエチル) メチルスルホニウム カンファー
スルホナート、tert−ブチル (2−シクロペンチ
ル−2−オキソエチル) メチルスルホニウム カンフ
ァースルホナート、シクロヘキシル メチル(2−オキ
ソプロピル)スルホニウム カンファースルホナート、Tert-butyl methyl (2-oxopropyl) sulfonium camphorsulfonate, te
rt-butyl methyl (2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate, tert-butyl methyl (2-oxopentyl) sulfonium camphorsulfonate, tert-butyl methyl (2-oxohexyl) sulfonium camphorsulfonate, te
rt-butyl methyl (2-oxoheptyl) sulfonium camphorsulfonate, tert-butyl methyl (2-oxooctyl) sulfonium camphorsulfonate, tert-butyl methyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate, tert- Butyl (3,3-dimethyl 2-oxobutyl) methyl sulfonium camphorsulfonate, tert-butyl (2-cyclohexyl-
2-oxoethyl) methylsulfonium camphorsulfonate, tert-butyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) methylsulfonium camphorsulfonate, cyclohexyl methyl (2-oxopropyl) sulfonium camphorsulfonate,
【0076】シクロヘキシル メチル(2−オキソブチ
ル)スルホニウム カンファースルホナート、シクロヘ
キシル メチル(2−オキソペンチル)スルホニウム
カンファースルホナート、シクロヘキシル メチル(2
−オキソヘキシル)スルホニウム カンファースルホナ
ート、シクロヘキシル メチル(2−オキソヘプチル)
スルホニウム カンファースルホナート、シクロヘキシ
ル メチル(2−オキソオクチル)スルホニウム カン
ファースルホナート、シクロヘキシル メチル(3−メ
チル−2−オキソブチル)スルホニウム カンファース
ルホナート、シクロヘキシル (3,3−ジメチル2−
オキソブチル) メチル スルホニウム カンファース
ルホナート、シクロヘキシル (2−シクロヘキシル−
2−オキソエチル) メチルスルホニウム カンファー
スルホナート、シクロヘキシル (2−シクロペンチル
−2−オキソエチル) メチルスルホニウム カンファ
ースルホナート、2−オキソプロピル チアシクロペン
タニウム カンファースルホナート、2−オキソブチル
チアシクロペンタニウム カンファースルホナート、
2−オキソペンチル チアシクロペンタニウム カンフ
ァースルホナート、2−オキソヘキシル チアシクロペ
ンタニウム カンファースルホナート、2−オキソヘプ
チル チアシクロペンタニウム カンファースルホナー
ト、2−オキソオクチル チアシクロペンタニウム カ
ンファースルホナート、3−メチル−2−オキソブチル
チアシクロペンタニウム カンファースルホナート、
3,3−ジメチル−2−オキソブチル チアシクロペン
タニウム カンファースルホナート、Cyclohexylmethyl (2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxopentyl) sulfonium
Camphorsulfonate, cyclohexylmethyl (2
-Oxohexyl) sulfonium camphorsulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxoheptyl)
Sulfonium camphorsulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxooctyl) sulfonium camphorsulfonate, cyclohexylmethyl (3-methyl-2-oxobutyl) sulfonium camphorsulfonate, cyclohexyl (3,3-dimethyl2-
Oxobutyl) methyl sulfonium camphorsulfonate, cyclohexyl (2-cyclohexyl-
2-oxoethyl) methylsulfonium camphorsulfonate, cyclohexyl (2-cyclopentyl-2-oxoethyl) methylsulfonium camphorsulfonate, 2-oxopropyl thiacyclopentanium camphorsulfonate, 2-oxobutyl thiacyclopentanium camphorsulfonate,
2-oxopentyl thiacyclopentanium camphorsulfonate, 2-oxohexyl thiacyclopentanium camphorsulfonate, 2-oxoheptyl thiacyclopentanium camphorsulfonate, 2-oxooctyl thiacyclopentanium camphorsulfonate, 3- Methyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium camphorsulfonate,
3,3-dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium camphorsulfonate,
【0077】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
チアシクロペンタニウム カンファースルホナート、2
−シクロペンチル−2−オキソエチル チアシクロペン
タニウム カンファースルホナート、2−オキソプロピ
ル チアシクロヘキサニウム カンファースルホナー
ト、2−オキソブチル チアシクロヘキサニウム カン
ファースルホナート、2−オキソペンチル チアシクロ
ヘキサニウム カンファースルホナート、2−オキソヘ
キシル チアシクロヘキサニウム カンファースルホナ
ート、2−オキソヘプチル チアシクロヘキサニウム
カンファースルホナート、2−オキソオクチル チアシ
クロヘキサニウム カンファースルホナート、3−メチ
ル−2−オキソブチル チアシクロヘキサニウム カン
ファースルホナート、3,3−ジメチル−2−オキソブ
チル チアシクロヘキサニウム カンファースルホナー
ト、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Thiacyclopentanium camphorsulfonate, 2
-Cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclopentanium camphorsulfonate, 2-oxopropyl thiacyclohexanium camphorsulfonate, 2-oxobutyl thiacyclohexium camphorsulfonate, 2-oxopentyl thiacyclohexanium camphorsulfonate, 2 -Oxohexyl thiacyclohexanium camphorsulfonate, 2-oxoheptyl thiacyclohexanium
Camphorsulfonate, 2-oxooctyl thiacyclohexanium camphorsulfonate, 3-methyl-2-oxobutylthiacyclohexanium camphorsulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutylthiacyclohexanium camphorsulfonate,
【0078】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
チアシクロヘキサニウム カンファースルホナート、2
−シクロペンチル−2−オキソエチル チアシクロヘキ
サニウム カンファースルホナート、2−オキソプロピ
ル (1,4−チオキサニウム) カンファースルホナ
ート、2−オキソブチル (1,4−チオキサニウム)
カンファースルホナート、2−オキソペンチル
(1,4−チオキサニウム) カンファースルホナー
ト、2−オキソヘキシル (1,4−チオキサニウム)
カンファースルホナート、2−オキソヘプチル
(1,4−チオキサニウム) カンファースルホナー
ト、2−オキソオクチル (1,4−チオキサニウム)
カンファースルホナート、3−メチル−2−オキソブ
チル (1,4−チオキサニウム) カンファースルホ
ナート、3,3−ジメチル−2−オキソブチル (1,
4−チオキサニウム) カンファースルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
Thiacyclohexanium camphorsulfonate, 2
-Cyclopentyl-2-oxoethyl thiacyclohexanium camphorsulfonate, 2-oxopropyl (1,4-thioxanium) camphorsulfonate, 2-oxobutyl (1,4-thioxanium)
Camphorsulfonate, 2-oxopentyl
(1,4-thioxanium) camphorsulfonate, 2-oxohexyl (1,4-thioxanium)
Camphorsulfonate, 2-oxoheptyl
(1,4-thioxanium) camphorsulfonate, 2-oxooctyl (1,4-thioxanium)
Camphorsulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl (1,4-thioxanium) camphorsulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl (1,
4-thioxanium) camphorsulfonate,
【0079】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(1,4−チオキサニウム) カンファースルホナー
ト、2−シクロペンチル−2−オキソエチル (1,4
−チオキサニウム) カンファースルホナート、2−オ
キソプロピル (4−オキソチアシクロヘキサニウム)
カンファースルホナート、2−オキソブチル (4−
オキソチアシクロヘキサニウム) カンファースルホナ
ート、2−オキソペンチル (4−オキソチアシクロヘ
キサニウム) カンファースルホナート、2−オキソヘ
キシル (4−オキソチアシクロヘキサニウム) カン
ファースルホナート、2−オキソヘプチル (4−オキ
ソチアシクロヘキサニウム) カンファースルホナー
ト、2−オキソオクチル (4−オキソチアシクロヘキ
サニウム) カンファースルホナート、3−メチル−2
−オキソブチル (4−オキソチアシクロヘキサニウ
ム) カンファースルホナート、3,3−ジメチル−2
−オキソブチル (4−オキソチアシクロヘキサニウ
ム)カンファースルホナート、2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(1,4-thioxanium) camphorsulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl (1,4
-Thioxanium) camphorsulfonate, 2-oxopropyl (4-oxothiacyclohexanium)
Camphorsulfonate, 2-oxobutyl (4-
Oxothiacyclohexanium) camphorsulfonate, 2-oxopentyl (4-oxothiacyclohexanium) camphorsulfonate, 2-oxohexyl (4-oxothiacyclohexanium) camphorsulfonate, 2-oxoheptyl (4 -Oxothiacyclohexanium) camphorsulfonate, 2-oxooctyl (4-oxothiacyclohexanium) camphorsulfonate, 3-methyl-2
-Oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) camphorsulfonate, 3,3-dimethyl-2
-Oxobutyl (4-oxothiacyclohexanium) camphorsulfonate,
【0080】2−シクロヘキシル−2−オキソエチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) カンファース
ルホナート、2−シクロペンチル−2−オキソエチル
(4−オキソチアシクロヘキサニウム) カンファース
ルホナート、2−オキソプロピル (1,4−ジチアニ
ウム) カンファースルホナート、2−オキソブチル
(1,4−ジチアニウム) カンファースルホナート、
2−オキソペンチル (1,4−ジチアニウム) カン
ファースルホナート、2−オキソヘキシル (1,4−
ジチアニウム) カンファースルホナート、2−オキソ
ヘプチル (1,4−ジチアニウム) カンファースル
ホナート、2−オキソオクチル (1,4−ジチアニウ
ム) カンファースルホナート、3−メチル−2−オキ
ソブチル (1,4−ジチアニウム) カンファースル
ホナート、3,3−ジメチル−2−オキソブチル
(1,4−ジチアニウム) カンファースルホナート、
2−シクロヘキシル−2−オキソエチル (1,4−ジ
チアニウム) カンファースルホナート、2−シクロペ
ンチル−2−オキソエチル (1,4−ジチアニウム)
カンファースルホナート 2−オキソシクロヘキシル チアシクロペンタニウム
カンファースルホナートなど。2-cyclohexyl-2-oxoethyl
(4-oxothiacyclohexanium) camphorsulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl
(4-oxothiacyclohexanium) camphorsulfonate, 2-oxopropyl (1,4-dithianium) camphorsulfonate, 2-oxobutyl
(1,4-dithianium) camphorsulfonate,
2-oxopentyl (1,4-dithianium) camphorsulfonate, 2-oxohexyl (1,4-
Dithianium) camphorsulfonate, 2-oxoheptyl (1,4-dithianium) camphorsulfonate, 2-oxooctyl (1,4-dithianium) camphorsulfonate, 3-methyl-2-oxobutyl (1,4-dithianium) Camphorsulfonate, 3,3-dimethyl-2-oxobutyl
(1,4-dithianium) camphorsulfonate,
2-cyclohexyl-2-oxoethyl (1,4-dithianium) camphorsulfonate, 2-cyclopentyl-2-oxoethyl (1,4-dithianium)
Camphorsulfonate 2-oxocyclohexyl thiacyclopentanium
Camphorsulfonate and the like.
【0081】式(I)又は式(I’)で示されるスルホ
ニウム塩は、レジスト組成物に添加することにより、ラ
インエッジラフネスが向上するという効果を有する。本
発明におけるレジスト組成物では、酸発生剤として、か
かる式(I)で示されるスルホニウム塩及び式(I’)
で示されるスルホニウム塩から選ばれるスルホニウム塩
とともに、式(IIa)で示されるトリフェニルスルホニ
ウム塩及び(IIb)で示されるジフェニルヨードニウム
塩から選ばれる少なくとも1種のオニウム塩が用いられ
る。かかるオニウム塩系酸発生剤を併用することによ
り、式(I)又は式(I’)のスルホニウム塩系酸発生
剤を単独で用いた場合に比べ、感度と解像度をより向上
することができる。また、式(IIa)及び(IIb)から選
ばれる少なくとも1種のオニウム塩系酸発生剤を単独で
用いた場合に比べ、式(I)又は式(I’)で示される
スルホニウム塩を併用することにより、ラインエッジラ
フネスをより向上することができる。The sulfonium salt represented by the formula (I) or (I ′) has the effect of improving the line edge roughness when added to a resist composition. In the resist composition according to the present invention, the sulfonium salt represented by the formula (I) and the formula (I ′) are used as an acid generator.
And at least one onium salt selected from a triphenylsulfonium salt represented by the formula (IIa) and a diphenyliodonium salt represented by the formula (IIb). By using such an onium salt-based acid generator in combination, sensitivity and resolution can be further improved as compared with the case where the sulfonium salt-based acid generator of the formula (I) or (I ′) is used alone. Further, compared with a case where at least one onium salt-based acid generator selected from the formulas (IIa) and (IIb) is used alone, a sulfonium salt represented by the formula (I) or (I ′) is used in combination. Thereby, the line edge roughness can be further improved.
【0082】次に、本発明において必須の成分となるト
リフェニルスルホニウム塩及びジフェニルヨードニウム
塩から選ばれる少なくとも1種のオニウム塩を表す式
(IIa)及び(IIb)において、P1、P2、P3、P4及び
P5はそれぞれ、互いに独立に水素、水酸基、炭素数1
〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表
し、アルキル基及びアルコキシ基は、炭素数3以上の場
合は直鎖でも分岐していてもよい。具体的なアルキル基
の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基などが挙げられ、アルコキシ基の例として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基などが挙げられる。また式(IIa)及び(IIb)におい
て、陰イオンを構成するP6SO3 -、P7SO 3 -は、有機
スルホナートイオンを表す。ここで、P6、P7は、それ
ぞれ独立に、炭素数1〜12程度の有機基であれば良
く、例えば炭素数1〜8のパーフルオロアルキル基、炭
素数1〜8のアルキル基、炭素数6〜12の芳香族基、
カンファー基であることができる。炭素数1〜8のパー
フルオロアルキル基、炭素数1〜8のアルキル基、炭素
数6〜12の芳香族基等の具体例としては、前記したも
のと同様のものが挙げられる。Next, the essential components in the present invention,
Liphenylsulfonium salt and diphenyliodonium
A formula representing at least one onium salt selected from salts
In (IIa) and (IIb), P1, PTwo, PThree, PFouras well as
PFiveAre each independently of one another hydrogen, hydroxyl,
Represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
The alkyl group and the alkoxy group have a carbon number of 3 or more.
A bond may be linear or branched. Specific alkyl group
Examples of methyl, ethyl, propyl, iso
Propyl, butyl, tert-butyl, pentyl,
Hexyl group and the like, as examples of the alkoxy group
Represents methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy
And the like. In addition, in formulas (IIa) and (IIb)
And P which constitutes an anion6SOThree -, P7SO Three -Is organic
Represents a sulfonate ion. Where P6, P7Is it
Independently, any organic group having about 1 to 12 carbon atoms may be used.
For example, a perfluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms,
An alkyl group having a prime number of 1 to 8, an aromatic group having a carbon number of 6 to 12,
It can be a camphor group. Par with 1 to 8 carbon atoms
Fluoroalkyl group, alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, carbon
Specific examples of the aromatic groups of Formulas 6 to 12 include those described above.
And the like.
【0083】式(IIa)で示されるトリフェニルスルホ
ニウム塩、式(IIb)で示されるジフェニルヨードニウ
ム塩は、市販品があれば、それをそのまま用いることが
できるほか、常法に従って製造することも可能である。
トリフェニルスルホニウム塩(IIa)の製法としては、
例えば、相当するトリフェニルスルホニウムブロマイド
を目的とする化合物の陰イオンと同じスルホン酸の銀塩
と反応させる方法や、 Chem. Pharm. Bull., Vol.29, 3
753 (1981) の記載に準じて、相当するジフェニルスル
ホキシドとベンゼン系化合物とパーフルオロアルカンス
ルホン酸とを、トリフルオロ酢酸無水物の存在下で反応
させる方法、特開平 8-311018 号公報の記載に準じて、
相当するアリールグリニヤ試薬を塩化チオニルと反応さ
せ、次いでトリオルガノシリルハライドと反応させてト
リアリールスルホニウムハライドとした後、目的とする
化合物の陰イオンと同じスルホン酸の銀塩と反応させる
方法などにより製造できる。また、式(IIa)中のP1、
P2及び/又はP3が水酸基である化合物は、上記特開平
8-311018 号公報の記載に準じて、ベンゼン環上にtert
−ブトキシ基を有するトリフェニルスルホニウム塩を、
その化合物の陰イオンと同じスルホン酸で処理してtert
−ブチル基を脱離させることにより製造できる。The triphenylsulfonium salt represented by the formula (IIa) and the diphenyliodonium salt represented by the formula (IIb) can be used as they are, as long as they are commercially available, or can be produced according to a conventional method. It is.
The method for producing triphenylsulfonium salt (IIa) is as follows:
For example, a method in which the corresponding triphenylsulfonium bromide is reacted with the same silver salt of a sulfonic acid as the anion of the target compound, and Chem. Pharm. Bull., Vol. 29, 3
A method of reacting the corresponding diphenylsulfoxide with a benzene compound and a perfluoroalkanesulfonic acid in the presence of trifluoroacetic anhydride according to the description of 753 (1981). Accordingly,
The corresponding aryl Grignard reagent is reacted with thionyl chloride, then with triorganosilyl halide to form triarylsulfonium halide, and then reacted with the same sulfonic acid silver salt as the anion of the target compound. Can be manufactured. Further, P 1 in the formula (IIa),
The compound wherein P 2 and / or P 3 is a hydroxyl group is disclosed in
According to the description in JP-A-8-311018, tert
-A triphenylsulfonium salt having a butoxy group,
Treat with the same sulfonic acid as the compound anion and tert
-Can be produced by removing a butyl group.
【0084】また、ジフェニルヨードニウム塩(IIb)
の製法としては、例えば、J. Am. Chem. Soc., vol.81,
342 (1959) の記載に準じて、ヨージル硫酸と相当する
アリール化合物を反応させた後、目的とする化合物の陰
イオンと同じスルホン酸を加える方法や、無水酢酸と発
煙硝酸の混合液中にヨウ素とトリフルオロ酢酸を加えて
得られる反応生成物と相当するアリール化合物を反応さ
せた後目的とする化合物の陰イオンと同じスルホン酸酸
を加える方法、特開平9-179302号公報の記載に準じて、
相当するアリール化合物と無水酢酸、ヨウ素酸カリウム
の混合物に濃硫酸を滴下して反応させた後、目的とする
化合物の陰イオンと同じスルホン酸を加える方法などに
より製造できる。Further, diphenyliodonium salt (IIb)
For example, J. Am. Chem. Soc., Vol. 81,
342 According to the description in (1959), a method in which iodyl sulfate and the corresponding aryl compound are reacted and then the same sulfonic acid as the anion of the target compound is added, or iodine is added to a mixed solution of acetic anhydride and fuming nitric acid And reacting the corresponding aryl compound with the reaction product obtained by adding trifluoroacetic acid and then adding the same sulfonic acid as the anion of the desired compound, according to the description in JP-A-9-179302. ,
Concentrated sulfuric acid is added dropwise to a mixture of the corresponding aryl compound, acetic anhydride, and potassium iodate to cause a reaction, and then the same sulfonic acid as the anion of the target compound is added.
【0085】式(IIa)、(IIb)に相当するトリフェニ
ルスルホニウム塩、ジフェニルヨードニウム塩の具体例
としては、次のような化合物を挙げることができる。Specific examples of triphenylsulfonium salts and diphenyliodonium salts corresponding to formulas (IIa) and (IIb) include the following compounds.
【0086】トリフェニルスルホニウム メタンスルホ
ナート、トリフェニルスルホニウム エタンスルホナー
ト、トリフェニルスルホニウム ブタンスルホナート、
トリフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホ
ナート、トリフェニルスルホニウム p−トルエンスル
ホナート、トリフェニルスルホニウム カンファースル
ホナート、4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム
メタンスルホナート、4−メチルフェニルジフェニル
スルホニウム エタンスルホナート、4−メチルフェニ
ルジフェニルスルホニウム ブタンスルホナート、4−
メチルフェニルジフェニルスルホニウム ベンゼンスル
ホナート、4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム
p−トルエンスルホナート、4−メチルフェニルジフ
ェニルスルホニウム カンファースルホナート、4−メ
チルフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロオ
クタンスルホナート、4−ヒドロキシフェニルジフェニ
ルスルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、4
−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム パーフル
オロブタンスルホナート、トリス(4−メチルフェニ
ル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホナート、
トリス(4−メトキシフェニル)スルホニウム パーフ
ルオロブタンスルホナート、4−メチルフェニルジフェ
ニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホナー
ト、4−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム
パーフルオロオクタンスルホナート、4−メトキシフェ
ニルジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンス
ルホナート、トリス(4−メチルフェニル)スルホニウ
ム パーフルオロオクタンスルホナート、トリス(4−
メトキシフェニル)スルホニウム パーフルオロオクタ
ンスルホナート、Triphenylsulfonium methanesulfonate, triphenylsulfonium ethanesulfonate, triphenylsulfonium butanesulfonate,
Triphenylsulfonium perfluorobutanesulfonate, triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonate, 4-methylphenyldiphenylsulfonium methanesulfonate, 4-methylphenyldiphenylsulfonium ethanesulfonate, 4-methylphenyldiphenyl Sulfonium butanesulfonate, 4-
Methylphenyldiphenylsulfonium benzenesulfonate, 4-methylphenyldiphenylsulfonium p-toluenesulfonate, 4-methylphenyldiphenylsulfonium camphorsulfonate, 4-methylphenyldiphenylsulfonium perfluorooctanesulfonate, 4-hydroxyphenyldiphenylsulfonium perfluoro Butanesulfonate, 4
-Methoxyphenyldiphenylsulfonium perfluorobutanesulfonate, tris (4-methylphenyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate,
Tris (4-methoxyphenyl) sulfonium perfluorobutanesulfonate, 4-methylphenyldiphenylsulfonium perfluorooctanesulfonate, 4-hydroxyphenyldiphenylsulfonium
Perfluorooctanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium perfluorooctanesulfonate, tris (4-methylphenyl) sulfonium Perfluorooctanesulfonate, tris (4-
Methoxyphenyl) sulfonium perfluorooctanesulfonate,
【0087】ジフェニルヨードニウム パーフルオロブ
タンスルホナート、ジ(4−メトキシフェニル)ヨード
ニウム パーフルオロオクタンスルホナート、ジ(4−
tert−ブチルフェニル)ヨードニウム パーフルオロオ
クタンスルホナート、ジ(4−tert−ブチルフェニル)
ヨードニウム メタンスルホナート、ジ(4−tert−ブ
チルフェニル)ヨードニウム エタンスルホナート、ジ
(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム ブタンス
ルホナート、ジ(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニ
ウム ベンゼンスルホナート、ジ(4−tert−ブチルフ
ェニル)ヨードニウム p−トルエンスルホナート、ジ
(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム カンファ
ースルホナート、など。Diphenyliodonium perfluorobutanesulfonate, di (4-methoxyphenyl) iodonium perfluorooctanesulfonate, di (4-
tert-butylphenyl) iodonium perfluorooctanesulfonate, di (4-tert-butylphenyl)
Iodonium methanesulfonate, di (4-tert-butylphenyl) iodonium ethanesulfonate, di (4-tert-butylphenyl) iodonium butanesulfonate, di (4-tert-butylphenyl) iodonium benzenesulfonate, di (4 -Tert-butylphenyl) iodonium p-toluenesulfonate, di (4-tert-butylphenyl) iodonium camphorsulfonate, and the like.
【0088】次に、本発明のレジスト組成物を構成する
樹脂成分について説明する。この樹脂は、酸に不安定な
基を持つ重合単位を有する。化学増幅型ポジ型レジスト
用の樹脂は、それ自体ではアルカリに不溶又は難溶であ
るが、酸の作用により一部の基が解裂し、解裂後はアル
カリ可溶性となるものである。本発明における酸に不安
定な基も、このように従来から知られている各種のもの
であることができる。酸に不安定な基として具体的に
は、カルボン酸の各種エステル、例えば、メチルエステ
ル及びtert−ブチルエステルに代表されるアルキルエス
テル、メトキシメチルエステル、エトキシメチルエステ
ル、1−エトキシエチルエステル、1−イソブトキシエ
チルエステル、1−イソプロポキシエチルエステル、1
−エトキシプロピルエステル、1−(2−メトキシエト
キシ)エチルエステル、1−(2−アセトキシエトキ
シ)エチルエステル、1−〔2−(1−アダマンチルオ
キシ)エトキシ〕エチルエステル、1−〔2−(1−ア
ダマンタンカルボニルオキシ)エトキシ〕エチルエステ
ル、テトラヒドロ−2−フリルエステル及びテトラヒド
ロ−2−ピラニルエステルのようなアセタール型エステ
ル、イソボルニルエステル及び2−アルキル−2−アダ
マンチルエステル、1−(1−アダマンチル)−1−ア
ルキルアルキルエステルのような脂環式エステルなどが
挙げられる。このようなカルボン酸エステルを有する重
合単位へ導くモノマーは、メタクリル酸エステルやアク
リル酸エステルのような(メタ)アクリル系のものでも
よいし、ノルボルネンカルボン酸エステル、トリシクロ
デセンカルボン酸エステル、テトラシクロデセンカルボ
ン酸エステルのように、カルボン酸エステル基が脂環式
モノマーに結合したものでもよい。Next, the resin component constituting the resist composition of the present invention will be described. This resin has polymerized units having acid labile groups. The resin for the chemically amplified positive resist is insoluble or hardly soluble in alkali by itself, but some groups are cleaved by the action of an acid and become alkali-soluble after cleaving. The acid-labile group in the present invention can be any of various conventionally known groups. Specific examples of the acid-labile group include various esters of carboxylic acids, for example, alkyl esters represented by methyl esters and tert-butyl esters, methoxymethyl esters, ethoxymethyl esters, 1-ethoxyethyl esters, Isobutoxyethyl ester, 1-isopropoxyethyl ester, 1
-Ethoxypropyl ester, 1- (2-methoxyethoxy) ethyl ester, 1- (2-acetoxyethoxy) ethyl ester, 1- [2- (1-adamantyloxy) ethoxy] ethyl ester, 1- [2- (1 -Adamantanecarbonyloxy) ethoxy] acetal esters such as ethyl ester, tetrahydro-2-furyl ester and tetrahydro-2-pyranyl ester, isobornyl ester and 2-alkyl-2-adamantyl ester, 1- (1-adamantyl) And alicyclic esters such as 1) -alkylalkyl esters. The monomer leading to such a carboxylic acid ester-containing polymerization unit may be a (meth) acrylic monomer such as a methacrylic acid ester or an acrylic acid ester, or a norbornene carboxylic acid ester, a tricyclodecene carboxylic acid ester, or a tetracyclocarboxylic acid. As in the case of decene carboxylic acid ester, carboxylic acid ester group bonded to alicyclic monomer may be used.
【0089】このようなモノマーのうち、酸の作用によ
り解裂する基として例えば2−アルキル−2−アダマン
チル、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキ
ルのような脂環族を含む嵩高い基を有するものを使用す
ると解像度が優れるので好ましい。このような嵩高い基
を含むモノマーとしては、(メタ)アクリル酸2−アル
キル−2−アダマンチル、(メタ)アクリル酸1−(1
−アダマンチル)−1−アルキルアルキル、5−ノルボ
ルネン−2−カルボン酸2−アルキル−2−アダマンチ
ル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダ
マンチル)−1−アルキルアルキルなどが挙げられる。
とりわけ(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマ
ンチルをモノマーとして用いた場合は、解像度が優れる
ので好ましい。このような(メタ)アクリル酸2−アル
キル−2−アダマンチルの代表例としては、例えばアク
リル酸2−メチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2
−メチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−エチル−
2−アダマンチル、メタクリル酸2−エチル−2−アダ
マンチル、アクリル酸2−n−ブチル−2−アダマンチ
ルなどが挙げられる。これらの中では、特に(メタ)ア
クリル酸2−エチル−2−アダマンチルを用いた場合、
感度、耐熱性のバランスが良いので好ましい。もちろん
必要に応じて、酸の作用により解裂する基を持つ他のモ
ノマーを併用してもよい。Among these monomers, bulky groups containing an alicyclic group such as 2-alkyl-2-adamantyl and 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl as a group which is cleaved by the action of an acid. It is preferable to use a compound having a group because the resolution is excellent. Examples of monomers containing such a bulky group include 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate and 1- (1) (meth) acrylate.
-Adamantyl) -1-alkylalkyl, 2-alkyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl 5-norbornene-2-carboxylate, and the like.
In particular, the use of 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate as a monomer is preferable because the resolution is excellent. Representative examples of such 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylates include, for example, 2-methyl-2-adamantyl acrylate, methacrylic acid 2
-Methyl-2-adamantyl, 2-ethyl acrylate-
Examples thereof include 2-adamantyl, 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate, and 2-n-butyl-2-adamantyl acrylate. Among these, particularly when 2-ethyl-2-adamantyl (meth) acrylate is used,
It is preferable because the balance between sensitivity and heat resistance is good. Of course, if necessary, another monomer having a group that can be cleaved by the action of an acid may be used in combination.
【0090】(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−ア
ダマンチルは通常、2−アルキル−2−アダマンタノー
ル又はその金属塩とアクリル酸ハライド又はメタクリル
酸ハライドとの反応により製造できる。The 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate can be usually produced by reacting a 2-alkyl-2-adamantanol or a metal salt thereof with an acrylic acid halide or a methacrylic acid halide.
【0091】本発明における樹脂は、上記のような酸に
不安定な基を有する重合単位の他に、酸の作用により解
裂しないか又は解裂しにくい他の重合単位を含有するこ
とも、もちろん可能である。含有しうる他の重合単位と
しては、例えば、アクリル酸やメタクリル酸のような遊
離のカルボン酸基を有するモノマーの重合単位、無水マ
レイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカル
ボン酸無水物の重合単位、2−ノルボルネンの重合単
位、(メタ)アクリロニトリルの重合単位、各種(メ
タ)アクリル酸エステル類の重合単位などを挙げること
ができる。ArF露光の場合は光吸収が大きくて好まし
くはないが、KrF露光の場合は光吸収の問題が無いの
で、ヒドロキシスチレンの重合単位を用いることができ
る。The resin of the present invention may contain, in addition to the above polymer units having an acid-labile group, other polymer units which are not cleaved or hardly cleaved by the action of an acid. Of course it is possible. Examples of other polymerization units that may be contained include, for example, polymerization units of a monomer having a free carboxylic acid group such as acrylic acid and methacrylic acid, and aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydrides such as maleic anhydride and itaconic anhydride. , A polymer unit of 2-norbornene, a polymer unit of (meth) acrylonitrile, a polymer unit of various (meth) acrylates, and the like. In the case of ArF exposure, light absorption is large, which is not preferable. However, in the case of KrF exposure, there is no problem of light absorption, so that a polymerized unit of hydroxystyrene can be used.
【0092】特に、p−ヒドロキシスチレンの重合単
位、m−ヒドロキシスチレンの重合単位、(メタ)アク
リル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルの重合単位、
(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマ
ンチルの重合単位、ラクトン環がアルキルで置換されて
いてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラク
トンの重合単位、下式(IIIa)、(IIIb) で示される
脂環式ラクトンの重合単位などを共重合させることはレ
ジストの基板への接着性の点で好ましい。In particular, a polymerization unit of p-hydroxystyrene, a polymerization unit of m-hydroxystyrene, a polymerization unit of 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate,
(Meth) acrylic acid 3,5-dihydroxy-1-adamantyl polymerized unit, lactone ring optionally substituted with alkyl (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone polymerized unit, the following formulas (IIIa) and (IIIb) It is preferable to copolymerize the polymerized unit of the alicyclic lactone represented by the formula from the viewpoint of the adhesiveness of the resist to the substrate.
【0093】 [0093]
【0094】(式中 、R1、R2は互いに独立に水素、
メチル又はトリフルオロメチルを表し、nは1〜3の数
を表す。)(Wherein R 1 and R 2 are each independently hydrogen,
Represents methyl or trifluoromethyl, and n represents a number of 1 to 3. )
【0095】(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−
アダマンチル、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキ
シ−1−アダマンチルは市販されているが、例えば対応
するヒドロキシアダマンタンを(メタ)アクリル酸又は
そのハライドと反応させることにより、製造することも
できる。また、(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロ
ラクトンは、ラクトン環がアルキルで置換されていても
よいα−若しくはβ−ブロモ−γ−ブチロラクトンにア
クリル酸若しくはメタクリル酸を反応させるか、又はラ
クトン環がアルキルで置換されていてもよいα−若しく
はβ−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸ハ
ライド若しくはメタクリル酸ハライドを反応させること
により製造できる。式(IIIa)、(IIIb)で示さ
れる脂環式ラクトンの重合単位に導くためのモノマー
は、具体的には例えば、次のような水酸基を有する脂環
式ラクトンの(メタ)アクリル酸エステル、それらの混合
物等が挙げられる。これらのエステルは、例えば対応す
る水酸基を有する脂環式ラクトンと(メタ)アクリル酸類
との反応により製造し得る(例えば特開2000-26446号公
報)。3-Hydroxy-1- (meth) acrylate
Adamantyl and 3,5-dihydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate are commercially available, but can also be produced, for example, by reacting the corresponding hydroxyadamantane with (meth) acrylic acid or a halide thereof. Further, (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone is obtained by reacting α- or β-bromo-γ-butyrolactone, in which the lactone ring may be substituted with alkyl, with acrylic acid or methacrylic acid, or when the lactone ring is alkyl. It can be produced by reacting an optionally substituted α- or β-hydroxy-γ-butyrolactone with an acrylic acid halide or a methacrylic acid halide. The monomer for leading to the polymerized unit of the alicyclic lactone represented by the formula (IIIa) or (IIIb) is specifically, for example, a (meth) acrylic acid ester of an alicyclic lactone having a hydroxyl group as follows: And mixtures thereof. These esters can be produced, for example, by reacting the corresponding alicyclic lactone having a hydroxyl group with (meth) acrylic acid (for example, JP-A-2000-26446).
【0096】 [0096]
【0097】(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−
アダマンチル、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキ
シ−1−アダマンチルの重合単位、α−(メタ)アクリ
ロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単位、β−(メ
タ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単
位、式(IIIa)、(IIIb)で示される脂環式ラク
トンの重合単位は、いずれも極性が高く、それらのいず
れかを樹脂中に存在させることにより、それを含むレジ
ストの基板への接着性が向上する。これらの重合単位は
またレジストの解像性の向上にも寄与する。3-hydroxy-1- (meth) acrylate
Adamantyl, polymerized units of 3,5-dihydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, polymerized units of α- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, polymerized units of β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, formula ( The polymerized units of the alicyclic lactones represented by IIIa) and (IIIb) each have a high polarity, and the presence of any of them in the resin improves the adhesion of the resist containing the same to the substrate. . These polymerized units also contribute to improving the resolution of the resist.
【0098】ここで、(メタ)アクリロイロキシ−γ−
ブチロラクトンの重合単位に導くためのモノマーとして
は、例えば、α−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクト
ン、α−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α
−アクリロイロキシ−β,β−ジメチル−γ−ブチロラ
クトン、α−メタクリロイロキシ−β,β−ジメチル−
γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−α−メチ
ル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−α
−メチル−γ−ブチロラクトン、β−アクリロイロキシ
−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−γ−
ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−α−メチル
−γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。Here, (meth) acryloyloxy-γ-
Examples of a monomer for leading a polymerized unit of butyrolactone include α-acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-methacryloyloxy-γ-butyrolactone, α
-Acryloyloxy-β, β-dimethyl-γ-butyrolactone, α-methacryloyloxy-β, β-dimethyl-
γ-butyrolactone, α-acryloyloxy-α-methyl-γ-butyrolactone, α-methacryloyloxy-α
-Methyl-γ-butyrolactone, β-acryloyloxy-γ-butyrolactone, β-methacryloyloxy-γ-
Butyrolactone, β-methacryloyloxy-α-methyl-γ-butyrolactone, and the like.
【0099】KrFエキシマレーザー露光の場合は、樹
脂の重合単位として、ヒドロキシスチレンの重合単位を
用いても充分な透過率を得ることができる。具体的に
は、以下に示されるようなp−またはm−ヒドロキシス
チレン共重合樹脂が挙げられる。このような共重合樹脂
を得る場合は、該当する(メタ)アクリル酸エステルモ
ノマーとアセトキシスチレン、及びスチレンをラジカル
重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得
ることができる。In the case of KrF excimer laser exposure, sufficient transmittance can be obtained even when a polymerized unit of hydroxystyrene is used as a polymerized unit of the resin. Specifically, a p- or m-hydroxystyrene copolymer resin as shown below is exemplified. When such a copolymer resin is obtained, it can be obtained by subjecting the corresponding (meth) acrylate monomer to acetoxystyrene and styrene by radical polymerization, followed by deacetylation with an acid.
【0100】 [0100]
【0101】 [0101]
【0102】 [0102]
【0103】これらの場合、酸に不安定な基としては、
2−アルキル−2−アダマンチル、1−(1−アダマン
チル)−1−アルキルアルキルを用いるほうが、ドライ
エッチング耐性の面で有利である。In these cases, the acid labile group includes
The use of 2-alkyl-2-adamantyl and 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl is more advantageous in terms of dry etching resistance.
【0104】また2−ノルボルネンの重合単位を含む樹
脂は、その主鎖に直接脂環基を有するために頑丈な構造
となり、ドライエッチング耐性に優れるという特性を示
す。2−ノルボルネンの重合単位は、例えば対応する2
−ノルボルネンの他に無水マレイン酸や無水イタコン酸
のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を併用したラ
ジカル重合により主鎖へ導入し得る。したがって、2−
ノルボルネンの重合単位は、その二重結合が開いて形成
されるものであり式(IV)で表すことができる。また脂
肪族不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位である無水マ
レイン酸の重合単位、無水イタコン酸の重合単位は、そ
れらの二重結合が開いて形成されるものであり、それぞ
れ式(V)及び(VI)で表すことができる。Further, a resin containing a polymerized unit of 2-norbornene has a strong structure since it has an alicyclic group directly in its main chain, and exhibits characteristics of excellent dry etching resistance. The polymerized unit of 2-norbornene is, for example, the corresponding 2
-It can be introduced into the main chain by radical polymerization using an aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydride such as maleic anhydride or itaconic anhydride in addition to norbornene. Therefore, 2-
The norbornene polymerization unit is formed by opening the double bond, and can be represented by the formula (IV). Further, the polymerized unit of maleic anhydride, which is a polymerized unit of aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydride, and the polymerized unit of itaconic anhydride are formed by opening their double bonds, and each of the formulas (V) and (V) (VI).
【0105】 [0105]
【0106】ここで、式(IV)中のR3及びR4は互いに
独立に、水素、炭素数1〜3のアルキル、炭素数1〜3
のヒドロキシアルキル、カルボキシル、シアノ若しくは
基−COOZ(Zはアルコール残基である)を表すか、
又はR3とR4が一緒になって、-C(=O)OC(=O)- で示され
るカルボン酸無水物残基を形成することもできる。R 3
及び/又はR4がアルキルである場合の具体例として
は、メチル、エチル、プロピルなどが挙げられ、同じく
ヒドロキシアルキルである場合の具体例としては、ヒド
ロキシメチル、2−ヒドロキシエチルなどが挙げられ
る。R3及び/又はR4が基−COOZである場合は、カ
ルボキシルがエステルとなったものであり、Zに相当す
るアルコール残基としては、例えば、置換されていても
よい炭素数1〜8程度のアルキル、2−オキソオキソラ
ン−3−又は−4−イルなどを挙げることができ、ここ
にアルキルの置換基としては、水酸基や脂環式炭化水素
残基などが挙げられる。そこで、R3及び/又はR4が−
COOZで示されるカルボン酸エステル残基である場合
の具体例としては、メトキシカルボニル、エトキシカル
ボニル、2−ヒドロキシエトキシカルボニル、tert−ブ
トキシカルボニル、2−オキソオキソラン−3−イルオ
キシカルボニル、2−オキソオキソラン−4−イルオキ
シカルボニル、1,1,2−トリメチルプロポキシカル
ボニル、1−シクロヘキシル−1−メチルエトキシカル
ボニル、1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチ
ルエトキシカルボニル、1−(1−アダマンチル)−1
−メチルエトキシカルボニルなどが挙げられる。Here, R in the formula (IV)ThreeAnd RFourAre each other
Independently, hydrogen, alkyl having 1 to 3 carbons, 1 to 3 carbons
Of hydroxyalkyl, carboxyl, cyano or
Represents a group -COOZ (Z is an alcohol residue),
Or RThreeAnd RFourTogether, indicated by -C (= O) OC (= O)-
Carboxylic anhydride residues can also be formed. R Three
And / or RFourIs a specific example when is alkyl
Is, for example, methyl, ethyl, propyl, etc.
Specific examples of hydroxyalkyl include hydrido
Loxymethyl, 2-hydroxyethyl and the like.
You. RThreeAnd / or RFourIs a group -COOZ,
Ruboxyl is an ester, equivalent to Z
As the alcohol residue, for example,
Alkyl having a good number of carbon atoms of about 1 to 8, 2-oxooxola
-3- or -4-yl and the like.
Examples of the alkyl substituent include a hydroxyl group and an alicyclic hydrocarbon.
Residues and the like. Then, RThreeAnd / or RFourBut-
When the carboxylic acid ester residue is represented by COOZ
Specific examples of methoxycarbonyl, ethoxycal
Bonyl, 2-hydroxyethoxycarbonyl, tert-butyl
Toxoxycarbonyl, 2-oxooxolan-3-ylo
Xycarbonyl, 2-oxooxolan-4-yloxo
Cicarbonyl, 1,1,2-trimethylpropoxy
Bonyl, 1-cyclohexyl-1-methylethoxycal
Bonyl, 1- (4-methylcyclohexyl) -1-methyl
Ruethoxycarbonyl, 1- (1-adamantyl) -1
-Methylethoxycarbonyl and the like.
【0107】また式(IV)で示される2−ノルボルネン
の重合単位に導くためのモノマーとして、具体的には例
えば、次のような化合物を挙げることができる。Further, specific examples of the monomer for leading to the polymerized unit of 2-norbornene represented by the formula (IV) include the following compounds.
【0108】2−ノルボルネン 2−ヒドロキシ−5−ノルボルネン 5−ノルボルネン−2−カルボン酸 5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチル 5−ノルボルネン−2−カルボン酸−t−ブチル 5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−シクロヘキシル
−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン
酸1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエチ
ル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−ヒド
ロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノル
ボルネン−2−カルボン酸1−メチル−1−(4−オキ
ソシクロヘキシル)エチル、5−ノルボルネン−2−カ
ルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチ
ル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチルシク
ロヘキシル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−メ
チル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カル
ボン酸2−エチル−2−アダマンチル 5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシ−1
−エチル、5−ノルボルネン−2−メタノール、5−ノ
ルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物など。2-norbornene 2-hydroxy-5-norbornene 5-norbornene-2-carboxylic acid methyl 5-norbornene-2-carboxylate 5-norbornene-2-carboxylic acid-t-butyl 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-cyclohexyl-1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylate 1- (4-methylcyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylate 1- (4-hydroxycyclohexyl) -1- Methyl ethyl, 1-methyl-1- (4-oxocyclohexyl) ethyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1- (1-adamantyl) -1-methylethyl 5-norbornene-2-carboxylate, 5-norbornene- 1-methylcyclohexyl 2-carboxylate, 5-norbornene-2-carbo Acid 2-methyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylate, 2-ethyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-hydroxy-1
-Ethyl, 5-norbornene-2-methanol, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride and the like.
【0109】本発明で用いる樹脂は、パターニング露光
用の放射線の種類や酸に不安定な基の種類などによって
も変動するが、一般には、酸に不安定な基を持つ重合単
位を10〜80モル%の範囲で含有するのが好ましい。
そして、酸に不安定な基として特に、(メタ)アクリル
酸2−アルキル−2−アダマンチル、(メタ)アクリル
酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルの
重合単位を用いる場合は、この単位が樹脂全体のうち1
5モル%以上となるようにするのが有利である。また、
酸に不安定な基を持つ重合単位に加えて、酸の作用で解
裂しにくい他の重合単位、例えば、(メタ)アクリル酸
3−ヒドロキシ−1−アダマンチルの重合単位、(メ
タ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチ
ル、α−(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクト
ンの重合単位、β−(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブ
チロラクトンの重合単位、式(IIIa)、(IIIb)で示
される脂環式ラクトンの重合単位、ヒドロキシスチレン
の重合単位、式(IV)で示される2−ノルボルネンの
重合単位、脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位
である式(V)で示される無水マレイン酸の重合単位、
式(VI)で示される無水イタコン酸の重合単位などを存
在させる場合は、それらの合計が、樹脂全体のうち20
〜90モル%の範囲となるようにするのが好ましい。The resin used in the present invention varies depending on the type of radiation for patterning exposure, the type of an acid-labile group, and the like. It is preferable to contain it in the range of mol%.
Particularly, when a polymerized unit of 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate or 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl (meth) acrylate is used as the acid-labile group, The unit is 1 of the whole resin
Advantageously, it is at least 5 mol%. Also,
In addition to polymer units having an acid-labile group, other polymer units that are not easily cleaved by the action of an acid, for example, polymer units of 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 3,5-dihydroxy-1-adamantyl, polymerized units of α- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, polymerized units of β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, and oils represented by formulas (IIIa) and (IIIb) A polymer unit of a cyclic lactone, a polymer unit of hydroxystyrene, a polymer unit of 2-norbornene represented by the formula (IV), and a maleic anhydride represented by the formula (V), which is a polymer unit of an aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydride. Polymerized units of
When polymerized units of itaconic anhydride represented by the formula (VI) are present, their total is 20% of the total resin.
It is preferable that the content be in the range of ~ 90 mol%.
【0110】尚、2−ノルボルネン類及び脂肪族不飽和
ジカルボン酸無水物を共重合モノマーとする場合には、
これらは重合しにくい傾向があるので、この点を考慮
し、これらは過剰に使用することが好ましい。When 2-norbornenes and aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydrides are used as copolymer monomers,
Since these tend to hardly polymerize, it is preferable to use them in excess in consideration of this point.
【0111】また、本発明の化学増幅型のポジ型レジス
ト組成物においては、塩基性化合物、特に塩基性含窒素
有機化合物、例えばアミン類を、クェンチャーとして添
加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活に
よる性能劣化を改良できる。クェンチャーに用いられる
塩基性化合物の具体的な例としては、以下の各式で示さ
れるようなものが挙げられる。In the chemically amplified positive resist composition of the present invention, a basic compound, especially a basic nitrogen-containing organic compound, for example, an amine, is added as a quencher, so that it can be left behind after exposure. The performance degradation due to the accompanying deactivation of the acid can be improved. Specific examples of the basic compound used for the quencher include those represented by the following formulas.
【0112】 [0112]
【0113】 [0113]
【0114】式中、R11、R12及びR17は、それぞれ独
立に、水素、アルキル、シクロアルキル又はアリールを
表す。該アルキル、シクロアルキル又はアリールは、そ
れぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数1〜6の
アルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基は、
炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい。ま
た、該アルキルは、炭素数1〜6程度が好ましく、該シ
クロアルキルは、炭素数5〜10程度が好ましく、該ア
リールは、炭素数6〜10程度が好ましい。R13、R14
及びR15は、それぞれ独立に、水素、アルキル、シクロ
アルキル、アリール又はアルコキシを表す。該アルキ
ル、シクロアルキル、アリール、又はアルコキシは、そ
れぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数1〜6の
アルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基
は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよ
い。また、該アルキルは、炭素数1〜6程度が好まし
く、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程度が好まし
く、該アリールは、炭素数6〜10程度が好ましく、該
アルコキシは、炭素数1〜6程度が好ましい。R16は、
アルキル又はシクロアルキルを表す。該アルキル又はシ
クロアルキルは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、
炭素数1〜6のアルコキシ基、で置換されていてもよ
い。該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換さ
れていてもよい。また、該アルキルは、炭素数1〜6程
度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程
度が好ましい。Aは、アルキレン、カルボニル、イミ
ノ、スルフィド又はジスルフィドを表す。該アルキレン
は、炭素数2〜6程度であることが好ましい。また、R
11〜R17において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得
るものについては、そのいずれでもよい。In the formula, R 11 , R 12 and R 17 each independently represent hydrogen, alkyl, cycloalkyl or aryl. The alkyl, cycloalkyl or aryl may be each independently substituted with a hydroxyl group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The amino group is
It may be substituted by an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl preferably has about 1 to 6 carbon atoms, the cycloalkyl preferably has about 5 to 10 carbon atoms, and the aryl preferably has about 6 to 10 carbon atoms. R 13 , R 14
And R 15 each independently represent hydrogen, alkyl, cycloalkyl, aryl or alkoxy. The alkyl, cycloalkyl, aryl, or alkoxy may be each independently substituted with a hydroxyl group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The amino group may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl preferably has about 1 to 6 carbon atoms, the cycloalkyl preferably has about 5 to 10 carbon atoms, the aryl preferably has about 6 to 10 carbon atoms, and the alkoxy has About 6 is preferable. R 16 is
Represents alkyl or cycloalkyl. The alkyl or cycloalkyl is each independently a hydroxyl group, an amino group,
It may be substituted by an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The amino group may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl preferably has about 1 to 6 carbon atoms, and the cycloalkyl preferably has about 5 to 10 carbon atoms. A represents alkylene, carbonyl, imino, sulfide or disulfide. The alkylene preferably has about 2 to 6 carbon atoms. Also, R
Any of 11 to R 17 that can have both a linear structure and a branched structure may be used.
【0115】本発明のレジスト組成物は、その全固形分
量を基準に、樹脂を80〜99.9重量%程度、そして
酸発生剤を0.1〜20重量%程度の範囲で含有するの
が好ましい。本発明において、式(I)のスルホニウム
塩と,式(IIa)のトリフェニルスルホニウム塩及び式
(IIb)のヨードニウム塩から選ばれる少なくとも1種
のオニウム塩を酸発生剤として併用する場合、両者は通
常、9:1〜1:9程度、さらには8:2〜2:8程度
の重量割合で用いるのが好ましい。また、クェンチャー
としての塩基性化合物を用いる場合は、レジスト組成物
の全固形分量を基準に、0.01〜1重量%程度の範囲
で含有するのが好ましい。この組成物はまた、必要に応
じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安
定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもで
きる。The resist composition of the present invention contains about 80 to 99.9% by weight of a resin and about 0.1 to 20% by weight of an acid generator based on the total solid content. preferable. In the present invention, when a sulfonium salt of the formula (I) and at least one onium salt selected from a triphenylsulfonium salt of the formula (IIa) and an iodonium salt of the formula (IIb) are used in combination as an acid generator, both are used. Usually, it is preferable to use the composition in a weight ratio of about 9: 1 to 1: 9, more preferably about 8: 2 to 2: 8. When a basic compound is used as the quencher, it is preferably contained in a range of about 0.01 to 1% by weight based on the total solid content of the resist composition. The composition may also contain small amounts of various additives such as sensitizers, dissolution inhibitors, other resins, surfactants, stabilizers, and dyes, if necessary.
【0116】本発明のレジスト組成物は通常、上記の各
成分が溶剤に溶解された状態でレジスト液組成物とさ
れ、シリコンウェハーなどの基体上に、スピンコーティ
ングなどの常法に従って塗布される。ここで用いる溶剤
は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸
発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよ
く、この分野で一般に用いられている溶剤が使用しう
る。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロ
ソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステ
ル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビ
ン酸エチルのようなエステル類、アセトン、メチルイソ
ブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンの
ようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エス
テル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、そ
れぞれ単独で、又は2種以上組み合わせて用いることが
できる。The resist composition of the present invention is usually made into a resist composition in which each of the above components is dissolved in a solvent, and is applied to a substrate such as a silicon wafer by a conventional method such as spin coating. The solvent used here may be any solvent that dissolves each component, has an appropriate drying rate, and gives a uniform and smooth coating film after the solvent is evaporated, and a solvent generally used in this field is used. Can. For example, glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate, esters such as ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and ethyl pyruvate, acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone And ketones such as cyclohexanone, and cyclic esters such as γ-butyrolactone. These solvents can be used alone or in combination of two or more.
【0117】基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜
には、パターニングのための露光処理が施され、次いで
脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、ア
ルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像
液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液で
あることができるが、一般には、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチ
ルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液が
用いられることが多い。The resist film applied on the substrate and dried is subjected to an exposure treatment for patterning, and then to a heat treatment for accelerating the deprotection group reaction, and then developed with an alkali developing solution. You. The alkaline developer used here may be any of various alkaline aqueous solutions used in this field, and generally, an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide or (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline) is used. Often used.
【0118】[0118]
【実施例】次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を
表す%及び部は、特記ないかぎり重量基準である。また
重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲル
パーミェーションクロマトグラフィーにより求めた値で
ある。Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the examples, percentages and parts representing the content or the use amount are based on weight unless otherwise specified. The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography using polystyrene as a standard.
【0119】酸発生剤合成例1:酸発生剤B1の合成 (1)四つ口フラスコにテトラヒドロチオフェン 7
0.17部、アセトン750部を仕込み、ここに1−ブ
ロモピナコロン150部を滴下し、室温で24時間攪拌
した。析出した結晶を濾取し、tert−ブチルメチルエー
テル100部で洗浄し、乾燥することにより、3,3−
ジメチル−2−オキソブチル チアシクロペンタニウム
ブロミド161.3部を得た。 (2)四つ口フラスコに(1)で得られた3,3−ジメ
チル−2−オキソブチルチアシクロペンタニウム ブロ
ミド80部とアセトニトリル3200部を仕込み、ここ
にトリフルオロメタンスルホン酸カリウム56.33部
を滴下し、室温で18時間攪拌した。析出した臭化カリ
ウムを濾別し、濾液を濃縮した。ここに、アセトンを加
え、室温で16時間攪拌し、不溶物を濾別した。この濾
液をさらに濃縮し、アセトンを加えた後tert−ブチルメ
チルエーテルへチャージすることにより、目的物94.
73部を得た。この化合物が次式で示される3,3−ジ
メチル−2−オキソブチル チアシクロペンタニウム
トリフルオロメタンスルホナートであることを、 1H−
NMR(日本電子製“GX-270”)で確認した。Synthesis Example 1 of Acid Generator: Synthesis of Acid Generator B1 (1) Tetrahydrothiophene 7 in a four-necked flask
0.17 parts and 750 parts of acetone were charged, and 150 parts of 1-bromopinacolone was added dropwise thereto, followed by stirring at room temperature for 24 hours. The precipitated crystals were collected by filtration, washed with 100 parts of tert-butyl methyl ether, and dried to give 3,3-
161.3 parts of dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium bromide were obtained. (2) A four-necked flask was charged with 80 parts of 3,3-dimethyl-2-oxobutylthiacyclopentanium bromide obtained in (1) and 3200 parts of acetonitrile, and 56.33 parts of potassium trifluoromethanesulfonate was added thereto. Was added dropwise and stirred at room temperature for 18 hours. The precipitated potassium bromide was separated by filtration, and the filtrate was concentrated. Acetone was added thereto, and the mixture was stirred at room temperature for 16 hours, and insoluble materials were separated by filtration. The filtrate was further concentrated, acetone was added, and the mixture was charged into tert-butyl methyl ether to obtain the desired compound 94.
73 parts were obtained. This compound is represented by the following formula: 3,3-dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium
The fact that the compound is trifluoromethanesulfonate is 1 H-
Confirmed by NMR (JEOL “GX-270”).
【0120】 [0120]
【0121】1H−NMR(クロロホルム−d、内部標準
物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.24 (s, 9H); 2.
26−2.33 (m, 2H);2.42−2.52 (m, 2H); 3.45−3.55
(m, 2H); 3.61−3.71 (m, 2H); 4.96 (s, 2H). 1 H-NMR (chloroform-d, internal standard tetramethylsilane): δ (ppm) 1.24 (s, 9H); 2.
26−2.33 (m, 2H); 2.42−2.52 (m, 2H); 3.45−3.55
(m, 2H); 3.61-3.71 (m, 2H); 4.96 (s, 2H).
【0122】酸発生剤合成例1-2:酸発生剤B1の合成
(別法) 酸発生剤合成例1の(2)において、四つ口フラスコに
(1)で得られた3,3−ジメチル−2−オキソブチル
チアシクロペンタニウム ブロミド169.58部と
アセトニトリル3391.59部を仕込み、5℃に冷却
後ここにトリフルオロメタンスルホン酸100部を滴下
し、5℃で1.5時間攪拌した。溶液を270部まで濃
縮し、ここに、酢酸エチル680を加え、攪拌しながら
tert−ブチルメチルエーテルを300部加え、析出物を
濾別した。この濾物をさらに酢酸エチル500部で溶解
し、420部まで濃縮し、攪拌しながらtert−ブチルメ
チルエーテル50部を加え、析出物を濾過し、乾燥する
ことで目的物156.22部を得た。Acid Generator Synthesis Example 1-2: Synthesis of Acid Generator B1 (Alternative Method) In (2) of Acid Generator Synthesis Example 1, the 3,3- obtained in (1) in a four-necked flask. After 169.58 parts of dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium bromide and 3391.59 parts of acetonitrile were charged, 100 parts of trifluoromethanesulfonic acid was added dropwise thereto after cooling to 5 ° C, and the mixture was stirred at 5 ° C for 1.5 hours. The solution was concentrated to 270 parts, to which was added ethyl acetate 680, and with stirring.
300 parts of tert-butyl methyl ether was added, and the precipitate was separated by filtration. The residue is further dissolved in 500 parts of ethyl acetate, concentrated to 420 parts, 50 parts of tert-butyl methyl ether is added with stirring, and the precipitate is filtered and dried to obtain 156.22 parts of the desired product. Was.
【0123】酸発生剤合成例2、3:酸発生剤B2、B3の
合成 酸発生剤合成例1の(2)において、トリフルオロメタ
ンスルホン酸カリウムの代わりにパーフルオロブタンス
ルホン酸カリウム、パーフルオロオクタンスルホン酸カ
リウムを用いる以外は、酸発生剤合成例1の(2)に準
拠して実施し、それぞれ3,3−ジメチル−2−オキソ
ブチル チアシクロペンタニウム パーフルオロブタン
スルホナート、3,3−ジメチル−2−オキソブチル
チアシクロペンタニウム パーフルオロオクタンスルホ
ナートを得た。Acid Generator Synthesis Examples 2 and 3: Synthesis of Acid Generators B2 and B3 In the acid generator synthesis example 1 (2), potassium perfluorobutanesulfonate and perfluorooctane were used instead of potassium trifluoromethanesulfonate. Except for using potassium sulfonate, the reaction was carried out according to (2) of Synthesis Example 1 of an acid generator, and 3,3-dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium perfluorobutanesulfonate and 3,3-dimethyl were used. -2-oxobutyl
Thiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate was obtained.
【0124】3,3−ジメチル−2−オキソブチル チ
アシクロペンタニウム パーフルオロブタンスルホナー
トの1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準
物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.15 (s, 9H); 2.
13−2.23 (m, 4H);3.33−3.38 (m, 2H); 3.47−3.54
(m, 2H); 4.85 (s, 2H). 1 H-NMR of 3,3-dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium perfluorobutanesulfonate (dimethylsulfoxide-d6, internal standard tetramethylsilane): δ (ppm) 1.15 (s, 9H) ; 2.
13−2.23 (m, 4H); 3.33−3.38 (m, 2H); 3.47−3.54
(m, 2H); 4.85 (s, 2H).
【0125】3,3−ジメチル−2−オキソブチル チ
アシクロペンタニウム パーフルオロオクタンスルホナ
ートの1H−NMR(クロロホルム−d、内部標準物質テ
トラメチルシラン):δ(ppm)1.25 (s, 9H); 2.24−2.
32 (m, 2H);2.49−2.56 (m, 2H); 3.56−3.69 (m, 4H);
5.05 (s, 2H). 1 H-NMR of 3,3-dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate (chloroform-d, internal standard tetramethylsilane): δ (ppm) 1.25 (s, 9H); 2.24-2.
32 (m, 2H); 2.49−2.56 (m, 2H); 3.56−3.69 (m, 4H);
5.05 (s, 2H).
【0126】酸発生剤合成例4:酸発生剤B4の合成四つ
口フラスコに3,3−ジメチル−2−オキソブチル チ
アシクロペンタニウム ブロミド2.3部とアセトニト
リル92部を仕込み、ここにp−トルエンスルホン酸銀
2.4部をアセトニトリル7.2部に溶解させた溶液を
滴下し、室温で22時間攪拌した。析出した臭化銀を濾
別し、アセトニトリル30部で洗浄した。濾液と洗液を
合せたものを3.3部になるまで濃縮し、ここに、アセ
トニトリル30部を加え、室温で2時間攪拌し、不溶物
を濾別した。この濾液を2.75部になるまで濃縮し
た。この濃縮残査を酢酸エチルとtert−ブチルメチルエ
ーテルの混合溶媒から再結晶することにより、目的物
0.68部を得た。この化合物が次式で示される3,3
−ジメチル−2−オキソブチル チアシクロペンタニウ
ム p−トルエンスルホナートであることを、 1H−N
MR(日本電子製“GX-270”)で確認した。Synthesis example 4 of acid generator B4: Synthesis of acid generator B4 2.3 parts of 3,3-dimethyl-2-oxobutylthiacyclopentanium bromide and 92 parts of acetonitrile were charged into a four-necked flask. A solution prepared by dissolving 2.4 parts of silver toluenesulfonate in 7.2 parts of acetonitrile was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 22 hours. The precipitated silver bromide was separated by filtration and washed with 30 parts of acetonitrile. The combined filtrate and washings were concentrated to 3.3 parts, to which 30 parts of acetonitrile was added, stirred at room temperature for 2 hours, and the insolubles were filtered off. The filtrate was concentrated to 2.75 parts. The concentrated residue was recrystallized from a mixed solvent of ethyl acetate and tert-butyl methyl ether to obtain 0.68 parts of a desired product. This compound is represented by the following formula:
1 -N-dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium p-toluenesulfonate
Confirmed with MR (JEOL “GX-270”).
【0127】 [0127]
【0128】1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、
内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.12 (s,
9H); 2.05−2.29 (m, 4H);2.29 (s, 3H); 3.32−3.56
(m, 4H);4.89 (s, 2H); 7.12 (d, 2H); 7.48 (d, 2H). 1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d6,
Internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.12 (s,
9H); 2.05--2.29 (m, 4H); 2.29 (s, 3H); 3.32-3.56
(m, 4H); 4.89 (s, 2H); 7.12 (d, 2H); 7.48 (d, 2H).
【0129】酸発生剤合成例5:酸発生剤B5の合成四つ
口フラスコに3,3−ジメチル−2−オキソブチル チ
アシクロペンタニウム ブロミド2.3部とアセトニト
リル92部を仕込み、ここにカンファースルホン酸銀
2.9部をアセトニトリル8.8部に溶解させた溶液を
滴下し、室温で18時間攪拌した。析出した臭化銀を濾
別し、アセトニトリル30部で洗浄した。濾液と洗液を
合せたものを3.2部になるまで濃縮し、ここに、アセ
トニトリル10部を加え、室温で2時間攪拌し、不溶物
を濾別した。この濾液を2.92部になるまで濃縮し
た。この濃縮残査を酢酸エチルとtert−ブチルメチルエ
ーテルの混合溶媒から再結晶することにより、目的物
2.46部を得た。この化合物が次式で示される3,3
−ジメチル−2−オキソブチル チアシクロペンタニウ
ム カンファースルホナートであることを、 1H−NM
R(日本電子製“GX-270”)で確認した。Synthesis example 5 of acid generator: Synthesis of acid generator B5 2.3 parts of 3,3-dimethyl-2-oxobutylthiacyclopentanium bromide and 92 parts of acetonitrile were charged into a four-necked flask, and camphorsulfone was added thereto. A solution prepared by dissolving 2.9 parts of silver acid in 8.8 parts of acetonitrile was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 18 hours. The precipitated silver bromide was separated by filtration and washed with 30 parts of acetonitrile. The combined filtrate and washings were concentrated to 3.2 parts, to which 10 parts of acetonitrile was added, stirred at room temperature for 2 hours, and the insolubles were filtered off. The filtrate was concentrated to 2.92 parts. The concentrated residue was recrystallized from a mixed solvent of ethyl acetate and tert-butyl methyl ether to obtain 2.46 parts of a desired product. This compound is represented by the following formula:
-Dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium camphorsulfonate was identified as 1 H-NM
R (JEOL “GX-270”).
【0130】 [0130]
【0131】1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、
内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)0.74 (s,
3H); 1.05 (s, 3H); 1.15 (s, 9H); 1.20−1.39 (m, 2
H);1.76−1.95 (m, 3H); 2.10−2.28 (m, 5H); 2.36
(d, 1H);2.66-2.74 (m, 1H); 2.86 (d, 1H); 3.33-3.58
(m, 4H); 4.90(s, 2H). 1 H-NMR (dimethylsulfoxide-d6,
Internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 0.74 (s,
3H); 1.05 (s, 3H); 1.15 (s, 9H); 1.20-1.39 (m, 2
H); 1.76-1.95 (m, 3H); 2.10-2.28 (m, 5H); 2.36
(d, 1H); 2.66-2.74 (m, 1H); 2.86 (d, 1H); 3.33-3.58
(m, 4H); 4.90 (s, 2H).
【0132】樹脂合成例1:樹脂A1の合成 メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリ
ル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、及びα−メタ
クリロイロキシ−γ−ブチロラクトンを、5:2.5:
2.5のモル比(20.0部:9.5部:7.3部)で仕込
み、全モノマーに対して2重量倍のメチルイソブチルケ
トンを加えて、溶液とした。そこに、開始剤としてアゾ
ビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して2モル
%添加し、80℃で約8時間加熱した。その後、反応液
を大量のヘプタンに注いで沈殿させる操作を3回行い、
精製した。その結果、重量平均分子量が約 9,200の共重
合体を得た。この共重合体を樹脂A1とする。Resin Synthesis Example 1: Synthesis of Resin A1 2-Ethyl-2-adamantyl methacrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate, and α-methacryloyloxy-γ-butyrolactone were mixed with 5: 2.5.
The mixture was charged at a molar ratio of 2.5 (20.0 parts: 9.5 parts: 7.3 parts), and methylisobutyl ketone was added in an amount of 2 times by weight based on all monomers to prepare a solution. Thereto, azobisisobutyronitrile as an initiator was added at 2 mol% based on the total amount of monomers, and the mixture was heated at 80 ° C. for about 8 hours. Thereafter, an operation of pouring the reaction solution into a large amount of heptane and precipitating was performed three times,
Purified. As a result, a copolymer having a weight average molecular weight of about 9,200 was obtained. This copolymer is referred to as a resin A1.
【0133】樹脂合成例2:樹脂A2の合成 メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、アクリル
酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、ノルボルネン及
び無水マレイン酸を2:2:3:3のモル比(10.0
部:9.0部:5.7部:5.9部)で仕込み、全モノ
マーの2重量倍のメチルイソブチルケトンを加えた後、
窒素雰囲気で80℃に昇温した。そこに、開始剤として
アゾビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して3
モル%添加し、80℃で約15時間加熱した。その後、
反応液を大量のメタノールに注いで沈殿させる操作を3
回行って、重量平均分子量が約 12160、分散が
1.90の共重合体(17.1部)を得た。この共重合体
を樹脂A2とする。Resin Synthesis Example 2: Synthesis of Resin A2 2-Ethyl-2-adamantyl methacrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl acrylate, norbornene and maleic anhydride in a molar ratio of 2: 2: 3: 3 (10 .0
Parts: 9.0 parts: 5.7 parts: 5.9 parts), and after adding methyl isobutyl ketone in an amount of 2 times by weight of all monomers,
The temperature was raised to 80 ° C. in a nitrogen atmosphere. Then, azobisisobutyronitrile was used as an initiator in an amount of 3% based on the total amount of monomers.
Mol% and heated at 80 ° C. for about 15 hours. afterwards,
The operation of pouring the reaction solution into a large amount of methanol to precipitate
This was repeated to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 12160 and a dispersion of 1.90 (17.1 parts). This copolymer is referred to as a resin A2.
【0134】樹脂合成例3:樹脂A3の合成 メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、5−メタ
クリロイルオキシ−2,6−ノルボルネンラクトンおよ
びα−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトンを
2:1:1のモル比(11.1g:5.0 g:3.8 g)で混合
し、1.4−ジオキサン50gを加え溶液とした。そこに
開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを0.30gを加
え、85℃に昇温し5時間攪拌を続けた。その後、大量のn
-ヘフ゜タンに注ぎこむことで晶析する操作を3回繰り返すこ
とで精製したところ分子量9100、分散1.72の共重合体を
得た。これを樹脂A3とする。Resin Synthesis Example 3: Synthesis of Resin A3 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate, 5-methacryloyloxy-2,6-norbornene lactone and α-methacryloyloxy-γ-butyrolactone in a molar ratio of 2: 1: 1 The mixture was mixed at a ratio (11.1 g: 5.0 g: 3.8 g), and 50 g of 1.4-dioxane was added to obtain a solution. Thereto was added 0.30 g of azobisisobutyronitrile as an initiator, the temperature was raised to 85 ° C., and stirring was continued for 5 hours. Then a large amount of n
Purification was performed by repeating the operation of pouring into heptane for crystallization three times to obtain a copolymer having a molecular weight of 9100 and a dispersion of 1.72. This is called resin A3.
【0135】樹脂合成例4:樹脂A4の合成 4口フラスコにアクリル酸1-(1−アダマンチル)−
1−メチルエチル10.5g(42mmol)、アクリ
ル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル9.4g(42
mmol)、2−ノルボルネン6.0g(63mmo
l)、無水マレイン酸6.2g(63mmol)を入
れ、メチルイソブチルケトン64.2gで溶解し、30
分間窒素を吹き込みバブリングした後、80℃まで昇温
した。その溶液に、2,2’−アゾビス(イソブチロニ
トリル)1.0g(6.3mmol)をメチルイソブチ
ルケトン16.0gで溶解した溶液を滴下し、80℃で
15時間保温した。得られた反応マスを冷却し、メタノ
ール1134gの中に投入した。すると、白色の結晶が
析出したので、濾過で結晶を取り出した。その結晶をメ
タノールで洗浄し、30℃で15時間減圧乾燥した。得
られたアクリル酸1-(1−アダマンチル)−1−メチ
ルエチルとアクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチ
ルと2−ノルボルネンと無水マレイン酸の共重合体の結
晶は、16.4gであり、分子量はポリスチレン換算で
6900であった。これを樹脂A4とする。Resin Synthesis Example 4: Synthesis of Resin A4 1- (1-adamantyl) acrylate was placed in a 4-neck flask.
10.5 g (42 mmol) of 1-methylethyl, 9.4 g of 3-hydroxy-1-adamantyl acrylate (42
mmol), 6.0 g of 2-norbornene (63 mmol)
l), 6.2 g (63 mmol) of maleic anhydride was added, and dissolved with 64.2 g of methyl isobutyl ketone.
After bubbling by blowing nitrogen for minutes, the temperature was raised to 80 ° C. A solution of 1.0 g (6.3 mmol) of 2,2′-azobis (isobutyronitrile) dissolved in 16.0 g of methyl isobutyl ketone was added dropwise to the solution, and the mixture was kept at 80 ° C. for 15 hours. The obtained reaction mass was cooled and poured into 1134 g of methanol. Then, white crystals were precipitated, and the crystals were taken out by filtration. The crystals were washed with methanol and dried under reduced pressure at 30 ° C. for 15 hours. The crystals of the copolymer of 1- (1-adamantyl) -1-methylethyl acrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl acrylate, 2-norbornene and maleic anhydride thus obtained were 16.4 g, and had a molecular weight of 16.4 g. Was 6900 in terms of polystyrene. This is designated as resin A4.
【0136】樹脂合成例5:樹脂A5の合成 (1)フラスコに、 メタクリル酸2−メチル−2−アダ
マンチル16.4g(0.07モル)とp−アセトキシ
スチレン45.4g(0.28モル)とイソプロパノー
ル123.6gを仕込んで窒素置換をし、75℃まで昇
温した。その溶液に、ジメチル2‘2−アゾビス(2−
メチルプロピオネート)4.84g(0.021モル)
をイソプロパノール9.7gに溶かしてから滴下した。
75℃で約0.5時間、還流下で約11時間熟成した
後、アセトンで希釈し、ヘプタンにチャージし、晶析さ
せ、濾過により結晶を取り出し、得られた結晶を乾燥し
た。得られたメタクリル酸2−メチル−2−アダマンチ
ルとp−アセトキシスチレン共重合体の結晶は54.2
gであった。Resin Synthesis Example 5: Synthesis of Resin A5 (1) A flask was charged with 16.4 g (0.07 mol) of 2-methyl-2-adamantyl methacrylate and 45.4 g (0.28 mol) of p-acetoxystyrene. And 123.6 g of isopropanol were charged and purged with nitrogen, and the temperature was raised to 75 ° C. Add dimethyl 2'2-azobis (2-
4.84 g (0.021 mol) of methyl propionate)
Was dissolved in 9.7 g of isopropanol and added dropwise.
After aging at 75 ° C. for about 0.5 hours and under reflux for about 11 hours, the mixture was diluted with acetone, charged into heptane, crystallized, crystals were taken out by filtration, and the obtained crystals were dried. The obtained crystals of 2-methyl-2-adamantyl methacrylate and p-acetoxystyrene copolymer were 54.2.
g.
【0137】(2)フラスコに、上記で得られたメタクリ
ル酸2−メチル−2−アダマンチルとp−アセトキシス
チレン共重合体(20:80)53.0g(モノマー単
位として0.30モル)と4−ジメチルアミノピリジン
5.3g(0.043 モル)とメタノール159.0
gを仕込んで、還流下、20時間熟成した。冷却後、氷
酢酸3.13g(0.052モル)で中和し、水にチャ
ージし、晶析させ、濾過により結晶を取り出した。その
後、結晶をアセトンに溶かし、水にチャージし、晶析さ
せ、濾過により結晶を取り出し、この一連の操作を計3
回繰り返した後、得られた結晶を乾燥した。得られたメ
タクリル酸2−メチル−2−アダマンチルとp−ヒドロ
キシスチレン共重合体の結晶は37.8gであった。ま
た、重量平均分子量は約7900、分散度1.72(G
PC法:ポリスチレン換算)であり、共重合比は核磁気
共鳴(13C−NMR)分光計により、約20:80と求
められた。 この樹脂を樹脂A5とする。(2) Into a flask, 53.0 g (0.30 mol as a monomer unit) of 2-methyl-2-adamantyl methacrylate and p-acetoxystyrene copolymer (20:80) obtained above were added. -Dimethylaminopyridine 5.3 g (0.043 mol) and methanol 159.0
g, and aged for 20 hours under reflux. After cooling, the mixture was neutralized with 3.13 g (0.052 mol) of glacial acetic acid, charged in water, crystallized, and crystals were taken out by filtration. Thereafter, the crystals were dissolved in acetone, charged in water, crystallized, and the crystals were taken out by filtration.
After repeating twice, the obtained crystals were dried. The crystals of the obtained 2-methyl-2-adamantyl methacrylate and p-hydroxystyrene copolymer weighed 37.8 g. The weight average molecular weight is about 7900, and the degree of dispersion is 1.72 (G
PC method: converted to polystyrene), and the copolymerization ratio was determined to be about 20:80 by a nuclear magnetic resonance (< 13 > C-NMR) spectrometer. This resin is referred to as resin A5.
【0138】樹脂A6:4−ヒドロキシスチレン/スチ
レン/アクリル酸 t−ブチル(60/20/20)共重合体、重
量平均分子量11000(丸善石油化学(株)製、TSM
4)Resin A6: 4-hydroxystyrene / styrene / t-butyl acrylate (60/20/20) copolymer, weight average molecular weight 11,000 (manufactured by Maruzen Petrochemical Co., Ltd., TSM
4)
【0139】次に、以下の酸発生剤B1〜B3、C1及びC2を
用いてレジスト組成物を調製し、評価した例を示す。Next, an example in which a resist composition was prepared using the following acid generators B1 to B3, C1 and C2 and evaluated was shown.
【0140】酸発生剤B1: 3,3−ジメチル−2−オ
キソブチル チアシクロペンタニウム トリフルオロメ
タンスルホナート 酸発生剤B2: 3,3−ジメチル−2−オキソブチル
チアシクロペンタニウム パーフルオロブタンスルホナ
ート 酸発生剤B3: 3,3−ジメチル−2−オキソブチル
チアシクロペンタニウムパーフルオロオクタンスルホナ
ート 酸発生剤B4: 3,3−ジメチル−2−オキソブチル
チアシクロペンタニウム p−トルエンスルホナート、 酸発生剤B5: 3,3−ジメチル−2−オキソブチル
チアシクロペンタニウム カンファースルホナート、 酸発生剤C1: 4−メチルフェニルジフェニルスルホニ
ウム パーフルオロオクタンスルホナート 酸発生剤C2: ジ p-tert-ブチルフェニルヨードニウ
ム カンファースルホナートAcid generator B1: 3,3-dimethyl-2-oxobutyl thiacyclopentanium trifluoromethanesulfonate Acid generator B2: 3,3-dimethyl-2-oxobutyl
Thiacyclopentanium perfluorobutanesulfonate acid generator B3: 3,3-dimethyl-2-oxobutyl
Thiacyclopentanium perfluorooctanesulfonate acid generator B4: 3,3-dimethyl-2-oxobutyl
Thiacyclopentanium p-toluenesulfonate, acid generator B5: 3,3-dimethyl-2-oxobutyl
Thiacyclopentanium camphorsulfonate, acid generator C1: 4-methylphenyldiphenylsulfonium perfluorooctanesulfonate Acid generator C2: di-p-tert-butylphenyliodonium camphorsulfonate
【0141】実施例1〜6及び比較例1〜4 表1に示す樹脂、酸発生剤を、以下に示す各成分と混合
し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾
過してレジスト液を調製した。 樹脂:10部(種類は表1のとおり) 酸発生剤:種類と量は、表1のとおり。 クェンチャー:2,6-シ゛イソフ゜ロヒ゜ルアニリンを0.015部(実施例6のみ0.008部) 溶剤:プロピレングリコールモノメチルエ−テルアセテート 57部 γ−ブチロラクトン 3部Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 Resins and acid generators shown in Table 1 were mixed with the following components, and further filtered through a fluororesin filter having a pore diameter of 0.2 μm to form a resist solution. Was prepared. Resin: 10 parts (type is as shown in Table 1) Acid generator: Type and amount are as shown in Table 1. Quencher: 0.015 part of 2,6-diisopropylhydroaniline (0.008 part only in Example 6) Solvent: 57 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate 3 parts of γ-butyrolactone
【0142】Brewer社製の“DUV-30J”を塗布し、21
5℃、60秒の条件でベークして厚さ1,600Åの有
機反射防止膜を形成させたシリコンウェハーに、上記の
レジスト液を乾燥後の膜厚が0.335μmとなるように
スピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホ
ットプレート上にて表1に示す温度で60秒間プリベー
クした。こうしてレジスト膜を形成したウェハーに、
ArFエキシマステッパー〔(株)ニコン製の“NSR Ar
F”、NA=0.55、σ=0.6〕を用い、露光量を段階的に変化
させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光
後は、ホットプレート上にて表1に示す温度で60秒間
ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38%
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒
間のパドル現像を行った。現像後のパターンを走査型電
子顕微鏡で観察し、実効感度及び解像度を調べた。ま
た、石英ガラスウェハー上に、上記のレジスト液を塗布
して、上記と同様の条件でプリベークを行った後の膜厚
が0.335μmとなるようにレジスト膜を形成させ、こ
のレジスト膜の193nmにおける透過率を分光光度計で
測定した。評価結果を表2に示した。[0142] "DUV-30J" manufactured by Brewer was applied and applied.
The resist solution was spin-coated on a silicon wafer on which an organic anti-reflection film having a thickness of 1,600 ° was formed by baking at 5 ° C. for 60 seconds so that the film thickness after drying was 0.335 μm. . After the application of the resist solution, prebaking was performed on a direct hot plate at a temperature shown in Table 1 for 60 seconds. The wafer on which the resist film was formed in this way,
ArF excimer stepper [“NSR Ar” manufactured by Nikon Corporation
F ”, NA = 0.55, σ = 0.6], and the line-and-space pattern was exposed while changing the exposure amount in steps. Jarbake and 2.38% more
Paddle development was performed for 60 seconds with an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide. The pattern after development was observed with a scanning electron microscope to examine the effective sensitivity and resolution. The resist solution was applied on a quartz glass wafer, and a resist film was formed so as to have a thickness of 0.335 μm after prebaking under the same conditions as described above. Was measured with a spectrophotometer. Table 2 shows the evaluation results.
【0143】実効感度: 0.18μmのラインアンドス
ペースパターンが1:1となる最少露光量で表示した。Effective sensitivity: Displayed at the minimum exposure amount at which a 0.18 μm line and space pattern was 1: 1.
【0144】解像度: 実効感度の露光量で分離するラ
インアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。Resolution: Displayed with the minimum size of the line and space pattern separated by the exposure amount of the effective sensitivity.
【0145】パターン壁面の平滑性: 孤立ラインパタ
ーンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し比較例よりも滑
らかになっているものを○、変化の無いものを×として
判断した。Smoothness of pattern wall surface: The wall surface of the isolated line pattern was observed with a scanning electron microscope.
【0146】[0146]
【表1】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例 No. 樹脂 酸発生剤 フ゜リヘ゛ーク(℃) PEB(℃) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例1 A1 B1(0.5部)+C1(0.2部) 110 115 実施例2 A1 B2(0.5部)+C1(0.2部) 110 115 実施例3 A1 B3(0.5部)+C1(0.2部) 110 125 実施例4 A2 B3(0.5部)+C1(0.2部) 110 125 実施例5 A3 B3(0.5部)+C1(0.2部) 100 125 実施例6 A4 B1(0.25部)+C1(0.2部) 110 125 ──────────────────────────────── 比較例1 A1 C1(0.2部) 110 125 比較例2 A2 C1(0.2部) 110 125 比較例3 A3 C1(0.2部) 100 125 比較例4 A4 C1(0.2部) 100 125 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━[Table 1] ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Example No. Resin Acid generator Free break (° C) PEB (° C ) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Example 1 A1 B1 (0.5 parts) + C1 (0.2 parts) 110 115 Example 2 A1 B2 (0.5 parts) + C1 (0.2 parts) 110 115 Example 3 A1 B3 (0.5 parts) + C1 (0.2 parts) 110 125 Example 4 A2 B3 (0.5 parts) + C1 (0.2 parts) 110 125 Example 5 A3 B3 (0.5 parts) + C1 (0.2 parts) 100 125 Example 6 A4 B1 (0.25 parts) + C1 (0.2 parts) 110 125 ───────────────比較 Comparative Example 1 A1 C1 (0.2 parts) 110 125 Comparative Example 2 A2 C1 (0.2 parts) 110 125 Comparative Example 3 A3 C1 (0.2 parts) 100 125 Comparative Example 4 A4 C1 (0.2 parts) 100 125 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【0147】[0147]
【表2】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例 No. 実効感度 解像度 透過率 ハ゜ターン壁面の mJ/cm2 μm 平滑性 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例1 48 0.16 68 ○ 実施例2 57 0.15 68 ○ 実施例3 41 0.16 67 ○ 実施例4 41 0.16 67 ○ 実施例5 70 0.16 68 ○ 実施例6 29 0.16 65 ○ ────────────────────────────── 比較例1 53 0.15 64 − 比較例2 76 0.16 64 − 比較例3 88 0.16 65 − 比較例4 44 0.16 67 − ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━[Table 2] ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Example No. Effective sensitivity Resolution Transmittance mJ / cm 2 μm smoothness on pattern wall Properties ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Example 1 48 0.16 68 ○ Example 2 57 0.15 68 ○ Example 3 41 0.16 67 ○ Example 4 41 0.16 67 ○ Example 5 70 0.16 68 ○ Example 6 29 0.16 65 ○ ─── Comparative Example 1 53 0.15 64-Comparative Example 2 76 0.16 64-Comparative Example 3 88 0.16 65-Comparative Example 4 44 0.16 67-━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ ━━━━━━━━━━━
【0148】表2に示されるように、実施例のレジスト
組成物は、比較例にくらべてラインエッジラフネスに優
れ、透過率の低下もなく、良好な感度、解像度である。As shown in Table 2, the resist compositions of the examples had better line edge roughness than the comparative examples, did not lower the transmittance, and had good sensitivity and resolution.
【0149】実施例7〜12、比較例5、6 表1に示す樹脂、酸発生剤を、以下に示す各成分と混合
し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾
過してレジスト液を調製した。 樹脂:13.5部(種類は表3のとおり) 酸発生剤:種類と量は、表1のとおり。 クェンチャー:トリイソフ゜ロハ゜ノールアミンを0.07部 溶剤:乳酸エチル 60部Examples 7 to 12 and Comparative Examples 5 and 6 The resins and acid generators shown in Table 1 were mixed with the following components, and further filtered through a fluororesin filter having a pore diameter of 0.2 μm to form a resist solution. Was prepared. Resin: 13.5 parts (type is as shown in Table 3) Acid generator: Type and amount are as shown in Table 1. Quencher: 0.07 parts of triisopropanolamine Solvent: 60 parts of ethyl lactate
【0150】実施例7〜10、比較例5、6においては、
Brewer社製の“DUV-30J”を塗布し、215℃、60秒
の条件でベークして厚さ1600Åの有機反射防止膜を
形成させたシリコンウェハーに、実施例11、12において
は、 Brewer社製の“DUV-42”を塗布し、215℃、6
0秒の条件でベークして厚さ600Åの有機反射防止膜
を形成させたシリコンウェハーに、上記のレジスト液を
乾燥後の膜厚が0.49μmとなるようにスピンコートし
た。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上
にて表3の温度で60秒間プリベークした。こうしてレ
ジスト膜を形成したウェハーに、KrFエキシマステッ
パー〔(株)ニコン製の“NSR 2205EX12B”、NA=0.55、2/
3輪帯照明〕で露光量を段階的に変化させてラインアン
ドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレ
ート上にて表3の温度で60秒間ポストエキスポジャー
ベークを行い、さらに2.38%テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行っ
た。現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、実
効感度及び解像度を調べた。また、石英ガラスウェハー
上に、上記のレジスト液を塗布して、上記と同様の条件
でプリベークを行った後の膜厚が0.49μmとなるよう
にレジスト膜を形成させ、このレジスト膜の248nmに
おける透過率を分光光度計で測定した。評価結果を表4
に示した。In Examples 7 to 10 and Comparative Examples 5 and 6,
In Examples 11 and 12, Brewer's “DUV-30J” was applied and baked at 215 ° C. for 60 seconds to form an organic antireflection film having a thickness of 1600 °. "DUV-42", applied at 215 ℃, 6
The resist solution was spin-coated on a silicon wafer on which an organic anti-reflection film having a thickness of 600 ° was formed by baking under a condition of 0 second so that the film thickness after drying was 0.49 μm. After the application of the resist solution, prebaking was performed on a direct hot plate at a temperature shown in Table 3 for 60 seconds. A KrF excimer stepper [“NSR 2205EX12B” manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.55, 2 /
A three-zone illumination] was used to expose the line and space pattern while changing the exposure stepwise. After the exposure, post-exposure baking was performed on a hot plate at the temperature shown in Table 3 for 60 seconds, and paddle development was performed with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 60 seconds. The pattern after development was observed with a scanning electron microscope to examine the effective sensitivity and resolution. Further, the above-mentioned resist solution was applied on a quartz glass wafer, and a resist film was formed so as to have a film thickness of 0.49 μm after pre-baking under the same conditions as described above. Was measured with a spectrophotometer. Table 4 shows the evaluation results.
It was shown to.
【0151】実効感度: 0.20μmのラインアンドス
ペースパターンが1:1となる最少露光量で表示した。Effective sensitivity: Displayed with the minimum exposure amount at which a 0.20 μm line and space pattern was 1: 1.
【0152】解像度: 実効感度の露光量で分離するラ
インアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。Resolution: The minimum size of the line and space pattern separated by the exposure amount of the effective sensitivity was displayed.
【0153】パターン壁面の平滑性: 孤立ラインパタ
ーンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し比較例よりも滑
らかになっているものを○、変化の無いものを×として
判断した。Smoothness of pattern wall surface: The wall surface of the isolated line pattern was observed with a scanning electron microscope.
【0154】[0154]
【表3】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例 No. 樹脂 酸発生剤 フ゜リヘ゛ーク(℃) PEB(℃) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例7 A5 B2(0.35部)+C2(0.7部) 120 140 実施例8 A6 B1(0.35部)+C2(0.35部) 130 140 実施例9 A6 B2(0.35部)+C2(0.35部) 130 140 実施例10 A6 B3(0.35部)+C2(0.35部) 130 140 実施例11 A6 B4(0.35部)+C2(0.35部) 130 140 実施例12 A6 B5(0.35部)+C2(0.35部) 130 140 ──────────────────────────────── 比較例5 A5 C2(0.7部) 120 140 比較例6 A6 C2(0.35部) 130 140 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━[Table 3] ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Example No. Resin Acid generator Free break (° C) PEB (° C ) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Example 7 A5 B2 (0.35 parts) + C2 (0.7 parts) 120 140 Example 8 A6 B1 (0.35 part) + C2 (0.35 part) 130 140 Example 9 A6 B2 (0.35 part) + C2 (0.35 part) 130 140 Example 10 A6 B3 (0.35 part) + C2 (0.35 part) 130 140 Example 11 A6 B4 (0.35 part) + C2 (0.35 part) 130 140 Example 12 A6 B5 (0.35 part) + C2 (0.35 part) 130 140 ─────────────── ───────────────── Comparative Example 5 A5 C2 (0.7 parts) 120 140 Comparative Example 6 A6 C2 (0.35 parts) 130 140 ━━━━━━━━━ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【0155】[0155]
【表4】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例 No. 実効感度 解像度 透過率 ハ゜ターン壁面の mJ/cm2 μm 平滑性 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例7 50 0.16 72 ○ 実施例8 78 0.16 76 ○ 実施例9 82 0.16 76 ○ 実施例10 90 0.16 76 ○ 実施例11 82 0.16 75 ○ 実施例12 96 0.16 75 ○ ────────────────────────────── 比較例5 48 0.16 72 − 比較例6 120 0.19 77 − ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━[Table 4] ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Example No. Effective sensitivity Resolution Transmittance mJ / cm 2 μm of pattern wall Smoothness ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Example 7 50 0.16 72 ○ Example 8 78 0.16 76 ○ Example 9 82 0.16 76 ○ Example 10 90 0.16 76 ○ Example 11 82 0.16 75 ○ Example 12 96 0.16 75 ○ ────────────────────────── ──── Comparative Example 5 48 0.16 72-Comparative Example 6 120 0.19 77-━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【0156】表4に示されるように、実施例のレジスト
組成物は、比較例にくらべてラインエッジラフネスに優
れ、透過率の低下もなく、良好な感度、解像度である。As shown in Table 4, the resist compositions of the examples had better line edge roughness than the comparative examples, did not lower the transmittance, and had good sensitivity and resolution.
【0157】[0157]
【発明の効果】本発明の化学増幅型ポジ型レジスト組成
物は、ラインエッジラフネスが著しく改善されたレジス
トパターンを与え、またドライエッチング耐性や感度、
解像度などのレジスト諸性能も良好である。したがっ
て、この組成物は、KrFエキシマレーザーやArFエ
キシマレーザーなどを用いたリソグラフィに適してお
り、それによって高い性能のレジストパターンを与え
る。The chemically amplified positive resist composition of the present invention provides a resist pattern having significantly improved line edge roughness, and has excellent dry etching resistance and sensitivity.
Resist performance such as resolution is also good. Therefore, this composition is suitable for lithography using a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, or the like, thereby giving a high-performance resist pattern.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 釜淵 明 大阪市此花区春日出中3丁目1番98号 住 友化学工業株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA03 AA09 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE07 BG00 FA03 FA12 FA17 4H006 AA01 AA03 AB80 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Akira Kamabuchi 3-1-198 Kasuganaka, Konohana-ku, Osaka City Sumitomo Chemical Co., Ltd. F-term (reference) 2H025 AA01 AA02 AA03 AA09 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE07 BG00 FA03 FA12 FA17 4H006 AA01 AA03 AB80
Claims (10)
下式(I’)で示されるスルホニウム塩 (式中、Q1、Q2は、互いに独立に、炭素数1〜6のア
ルキル基、又は炭素数3〜10のシクロアルキル基を表
す。Q3は、水素原子を表し、Q4は炭素数1〜6のアル
キル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基を表すか、
又はQ3とQ4が隣接するCHC(O)基と一緒になって2
−オキソシクロアルキル基を表す。Q5SO3 -は有機ス
ルホナートイオンを表す。但し、Q5が炭素数1〜8の
パーフルオロアルキル基を表す場合は、Q3とQ4が隣接
するCHC(O)基と一緒になって2−オキソシクロヘキ
シル基を表す場合を除く。) (式中、Qは、記載のS+とともに環を完成する炭素数
3〜7の脂環式炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基
は、ケトン基を有していてもよく、また該脂環式炭化水
素基の少なくとも1個の−CH2−が酸素原子もしくは
硫黄原子に置換されていてもよい。Q3は、水素原子を
表し、Q4は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜1
0のシクロアルキル基を表すか、又はQ3とQ4が隣接す
るCHC(O)基と一緒になって2−オキソシクロアルキ
ル基を表す。Q5SO3 -は有機スルホナートイオンを表
す。)から選ばれる少なくとも1種のスルホニウム塩
と、下式(IIa)で示されるトリフェニルスルホニウム
塩及び下式(IIb)で示されるジフェニルヨードニウム
塩 (式中、P1〜P3は、互いに独立に、水素、水酸基、炭
素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ
基を表し、P6SO3 -は、有機スルホナートイオンを表
す。) (式中、P4、P5は、互いに独立に、水素、水酸基、炭
素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ
基を表し、P7SO3 -は、有機スルホナートイオンを表
す。)から選ばれる少なくとも1種のオニウム塩とを含
む酸発生剤、並びに、酸に不安定な基を持つ重合単位を
有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸
の作用でアルカリに可溶となる樹脂を含有することを特
徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。1. A sulfonium salt represented by the following formula (I) and a sulfonium salt represented by the following formula (I ′) (Wherein, Q 1 and Q 2 independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. Q 3 represents a hydrogen atom, and Q 4 represents a carbon atom. Represents an alkyl group of numbers 1 to 6, a cycloalkyl group of 3 to 10 carbon atoms,
Or Q 3 and Q 4 together with an adjacent CHC (O) group
-Represents an oxocycloalkyl group. Q 5 SO 3 - represents an organic sulfonate ions. However, when Q 5 represents a perfluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, the case where Q 3 and Q 4 together with an adjacent CHC (O) group represent a 2-oxocyclohexyl group is excluded. ) (In the formula, Q represents an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms that completes a ring together with the described S + . The alicyclic hydrocarbon group may have a ketone group, Further, at least one —CH 2 — of the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an oxygen atom or a sulfur atom, Q 3 represents a hydrogen atom, and Q 4 represents an alkyl having 1 to 6 carbon atoms. Group, having 3 to 1 carbon atoms
0 represents a cycloalkyl group, or Q 3 and Q 4 together with an adjacent CHC (O) group represent a 2-oxocycloalkyl group. Q 5 SO 3 - represents an organic sulfonate ions. At least one sulfonium salt selected from the group consisting of a triphenylsulfonium salt represented by the following formula (IIa) and a diphenyliodonium salt represented by the following formula (IIb) (Wherein, P 1 to P 3 independently represent hydrogen, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and P 6 SO 3 − represents an organic sulfonate ion. Represents.) (In the formula, P 4 and P 5 independently represent hydrogen, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and P 7 SO 3 − represents an organic sulfonate ion. And an acid generator containing at least one onium salt selected from the group consisting of an onium salt and a polymerized unit having an acid-labile group, which itself is insoluble or hardly soluble in alkali, A chemically amplified positive resist composition comprising a resin which becomes soluble in alkali by the action of the above.
るQ5、式(IIa)におけるP6及び式(IIb)におけるP
7が、互いに独立に、炭素数1〜8のパーフルオロアル
キル基、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数6〜12の
芳香族基又はカンファー基を表す請求項1記載の組成
物。(2) Q 5 in the formula (I), Q 5 in the formula (I ′), P 6 in the formula (IIa) and P 5 in the formula (IIb).
The composition according to claim 1, wherein 7 independently represents a perfluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aromatic group having 6 to 12 carbon atoms, or a camphor group.
(I’)で示されるスルホニウム塩とから選ばれる少な
くとも1種のスルホニウム塩と、式(IIa)のトリフェ
ニルスルホニウム塩及び式(IIb)のジフェニルヨード
ニウム塩とから選ばれる少なくとも1種のオニウム塩と
が、9:1〜1:9の重量割合で存在する請求項1又は
2記載の組成物。3. A sulfonium salt represented by the formula (I) and a sulfonium salt represented by the formula (I ′), a triphenylsulfonium salt represented by the formula (IIa) and a sulfonium salt represented by the formula (IIb): 3. The composition according to claim 1, wherein at least one onium salt selected from diphenyliodonium salt) is present in a weight ratio of 9: 1 to 1: 9.
含有率が、10〜80モル%である請求項1〜3のいず
れかに記載の組成物。4. The composition according to claim 1, wherein the content of the polymerized unit having an acid-labile group in the resin is 10 to 80 mol%.
が、(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチ
ル、(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1
−アルキルアルキルの重合単位である請求項1〜4のい
ずれかに記載の組成物。5. The polymer unit having an acid-labile group in the resin is 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate or 1- (1-adamantyl) -1 (meth) acrylate.
The composition according to claim 1, which is a polymerized unit of an alkylalkyl.
重合単位、m−ヒドロキシスチレンの重合単位、(メ
タ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルの重
合単位、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1
−アダマンチルの重合単位、ラクトン環がアルキルで置
換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブ
チロラクトンの重合単位、及び下式(IIIa)、(III
b)で示される脂環式ラクトンの重合単位、から選ばれ
る少なくとも1種の重合単位を含有する請求項1〜5の
いずれかに記載の組成物。 (式中、R1、R2は、互いに独立に水素、メチル又はト
リフルオロメチルを表し、nは1〜3の数を表す。)6. The resin further comprises polymerized units of p-hydroxystyrene, polymerized units of m-hydroxystyrene, polymerized units of 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, and 3,5- (meth) acrylic acid. Dihydroxy-1
A polymer unit of adamantyl, a polymer unit of (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone in which the lactone ring may be substituted with alkyl, and the following formulas (IIIa), (III)
The composition according to any one of claims 1 to 5, further comprising at least one polymer unit selected from polymer units of an alicyclic lactone represented by b). (In the formula, R 1 and R 2 independently represent hydrogen, methyl or trifluoromethyl, and n represents a number of 1 to 3. )
と脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位とを有す
る請求項6記載の組成物。7. The composition according to claim 6, wherein the resin further has a polymerized unit of 2-norbornene and a polymerized unit of an aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydride.
有する請求項1〜7のいずれかに記載の組成物。8. The composition according to claim 1, further comprising an amine as a quencher.
基、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数6〜12の芳香
族基又はカンファー基を表す。Q6が、炭素数1〜8の
パーフルオロアルキル基を表す場合は、Q1、Q2は、互
いに独立に、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜1
0のシクロアルキル基を表す。Q3は水素原子を、Q4は
炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10のシクロア
ルキル基を表す。Q6が、炭素数1〜8のアルキル基、
炭素数6〜12の芳香族基又はカンファー基を表す場合
は、Q1、Q2は、互いに独立に、炭素数1〜6のアルキ
ル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基を表す。Q3
は水素原子を、Q4は炭素数1〜6のアルキル基、炭素
数3〜10のシクロアルキル基を表すか、又はQ3とQ4
が隣接するCHC(O)基と一緒になって2−オキソシク
ロアルキル基を表す。)で示されるスルホニウム塩。9. The formula (Ia) (Wherein, Q 6 is perfluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, .Q 6 which represents an aromatic group or a camphor group having 6 to 12 carbon atoms, 1 to 4 carbon atoms When it represents a perfluoroalkyl group having from 8 to 8, Q 1 and Q 2 each independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and 3 to 1 carbon atoms.
Represents a cycloalkyl group of 0. Q 3 represents a hydrogen atom, and Q 4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. Q 6 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms,
When representing an aromatic group having 6 to 12 carbon atoms or a camphor group, Q 1 and Q 2 independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. Q 3
Represents a hydrogen atom, Q 4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or Q 3 and Q 4
Represents a 2-oxocycloalkyl group together with an adjacent CHC (O) group. ).
3〜7の脂環式炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基
は、ケトン基を有していてもよく、また該脂環式炭化水
素基の少なくとも1個の−CH2−が酸素原子もしくは
硫黄原子に置換されていてもよい。Q3は、水素原子を
表し、Q4は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜1
0のシクロアルキル基を表すか、又はQ3とQ4が隣接す
るCHC(O)基と一緒になって2−オキソシクロアルキ
ル基を表す。Q5SO3 -は有機スルホナートイオンを表
す。)で示されるスルホニウム塩。10. The formula (I'a) (In the formula, Q represents an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms that completes a ring together with the described S + . The alicyclic hydrocarbon group may have a ketone group, Further, at least one —CH 2 — of the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an oxygen atom or a sulfur atom, Q 3 represents a hydrogen atom, and Q 4 represents an alkyl having 1 to 6 carbon atoms. Group, having 3 to 1 carbon atoms
0 represents a cycloalkyl group, or Q 3 and Q 4 together with an adjacent CHC (O) group represent a 2-oxocycloalkyl group. Q 5 SO 3 - represents an organic sulfonate ions. ).
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