JP2002116455A

JP2002116455A - 液晶表示装置、液晶表示装置の電極基材及び液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002116455A
Application number: JP2001231317A
Authority: JP
Inventors: Tadahiro Furukawa; 忠宏古川; Akira Murakami; 明良村上; Ichiro Betsumiya; 一郎別宮
Original assignee: Kyodo Printing Co Ltd
Current assignee: Kyodo Printing Co Ltd
Priority date: 2000-08-01
Filing date: 2001-07-31
Publication date: 2002-04-19

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程を増加させずに、透明電極のクラッ
クなどの発生を防止できる信頼性の高い液晶表示装置を
提供することを目的とする。【解決手段】液晶表示領域から外側の領域に延び出し
た、外部配線１０と接続された第１の接続電極部１２を
有する第１の透明電極６を備えた第１の基材２と、第２
の透明電極６ａを備えた第２の基材２ａと、第１の基材
２と第２の基材２ａとの間に封入された液晶層１１とを
有する液晶表示装置において、第１の接続電極部１２を
有する第１の透明電極６の上に第１の無機絶縁層８が形
成され、第１の接続電極部１２と外部配線１０とが、第
１の無機絶縁層８を突き破って埋め込まれた導電性粒子
７ａを介して電気的に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、液晶
表示装置の電極基材及び液晶表示装置の製造方法に係わ
り、さらに詳しくは、単純マトリックス型の液晶表示装
置、液晶表示装置の電極基材及び液晶表示装置の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、低消費電力、低電圧動作、軽量、
薄型及びカラー表示などを特徴とする液晶表示装置は、
情報機器などへ急速にその用途を拡大している。この中
で、携帯電話、電子手帳又はＩＣカードなどは、軽量、
薄型及び安価が求められている市場であり、単純マトリ
ックス型の液晶表示装置が主に採用されている。

【０００３】この単純マトリックス型液晶表示装置は、
２枚の基材が対向して配置され、これら基材上に透明電
極がお互いにストライプ状に直交するようにして形成さ
れている。そして、この２枚の基材の間には液晶が封入
され、この２つの透明電極の交点が画素電極になって液
晶を制御することにより、画像を表示させることができ
る。

【０００４】ところで、このような単純マトリックス型
液晶表示装置においては、２枚の基材上に形成された透
明電極の間でのショートを防止し、また、液晶表示装置
の信頼性を向上させるために、透明電極上にカバー膜が
形成されているものがある。また、液晶表示装置の基材
としてプラスチックフィルムなどを用いる場合、プラス
チックフィルムは通気性や透湿性が高いため、液晶内に
気泡が生じたり、水分により液晶表示装置が劣化したり
するおそれがあるため、プラスチックフィルムにガスバ
リア性をもたせる必要がある。

【０００５】例えば、特開昭６１−１８９２５号公報に
は、プラスチックフィルムは通気性や透湿性が高いた
め、透明電極上に無機系のバリア層を設けることが開示
されている。また、特開平６−１８８６７号公報には、
プラスチックフィルム上に形成された透明電極上に、ガ
ス遮断能力を有するシリコン酸化膜を形成することが開
示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような目的で透明電極上にカバー膜を形成すると、基材
上の液晶表示領域から外側の領域に延び出した透明電極
の接続電極部にもカバー膜が形成される。このため、外
部の回路基材の配線と接続電極部とを電気的に接続させ
るためには、接続電極部上のカバー膜を除去する特別な
工程が必要になる。従って、製造工程が増加するので、
製品歩留りの低下や製品コストの上昇が問題になる。

【０００７】また、従来方法では、透明電極の接続電極
部には実質的にカバー膜が存在しないので、基材として
プラスチックフィルムを用いた場合、高温又は高湿の条
件下でのプラスチックフィルムの歪みにより、透明電極
の接続電極部にクラックが発生しやすいという問題があ
る。本発明は上記の問題点を鑑みて創作されたものであ
り、製造工程を増加させずに、透明電極のクラックなど
の発生を防止できる信頼性の高い液晶表示装置、液晶表
示装置の電極基材及び液晶表示装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ため、本発明は液晶表示装置に係り、表示領域から外側
の領域に延び出した、外部配線と接続された第１の接続
電極部を有する第１の透明電極を備えた第１の基材と、
第２の透明電極を備えた第２の基材と、前記第１の基材
と前記第２の基材との間に封入された液晶層とを有する
液晶表示装置において、前記第１の接続電極部を有する
第１の透明電極の上に第１の無機絶縁層が形成され、前
記第１の接続電極部と前記外部配線とが、前記第１の無
機絶縁層を突き破って埋め込まれた導電性粒子を介して
電気的に接続されていることを特徴とする。

【０００９】本発明によれば、第１の接続電極部を有す
る透明電極上の全体にわたって無機絶縁層が形成され、
第１の接続電極部と外部配線とは、該無機絶縁層を突き
破って埋め込まれた導電性粒子を介して、すなわち無機
絶縁層を特別な工程を追加して除去することなしに、導
電性粒子で無機絶縁層を貫いた構造で電気的に接続され
ている。

【００１０】基材としてプラスチックフィルムを用いた
場合、プラスチックフィルムは通気性や透湿性が高いた
め、液晶層内に気泡が生じたり、水分により液晶表示装
置が劣化したりするおそれがある。このため、プラスチ
ックフィルムとしてガスバリア層が形成されたものを使
用する。本発明では、このガスバリア層以外に、透明電
極上に空気や水分などの侵入をブロックする無機絶縁層
が形成されているので、液晶層内に気泡が生じたり、水
分により液晶表示装置が劣化したりすることをさらに防
止することができる。

【００１１】また、基材としてプラスチックフィルムを
用いた場合、プラスチックフィルムは高温や高湿の条件
下では歪みが発生しやすいため、透明電極にクラックが
発生しやすい。本発明では、表示領域の透明電極上だけ
ではなく、液晶表示領域から外側の領域の透明電極の接
続電極部上にも無機絶縁層が存在するように、導電性粒
子が該無機絶縁層を突き破って無機絶縁層内に部分的に
埋め込まれた構造となっている。

【００１２】これにより、透明電極の接続電極部上にも
実質的に無機絶縁層が存在するようになるので、高温や
高湿の条件下でプラスチックフィルムに歪みが発生して
も、液晶表示領域の透明電極ばかりではなく、透明電極
の接続電極部のクラックの発生をも抑止することができ
る。上記した液晶表示装置において、前記無機絶縁層の
膜厚は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好まし
い。

【００１３】基材としてプラスチックフィルムを使用す
る場合、導電性粒子が無機絶縁層を突き破るための圧着
条件として、プラスチックフィルムの熱特性や硬さを考
慮する必要がある。すなわち、プラスチックフィルムに
歪みが発生するような圧着条件により導電性粒子で透明
電極上の無機絶縁層を突き破ると、プラスチックフィル
ムの歪みに起因して透明電極にクラックが発生するおそ
れがある。

【００１４】本願発明者らはこの点に注目して鋭意研究
した結果、基材としてプラスチックフィルムを使用する
場合、無機絶縁層の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範
囲にすることにより、透明電極にクラックが発生するこ
となしに、導電性粒子が無機絶縁層を突き破って透明電
極の接続電極部と外部配線とが導電性粒子を介して導通
可能となることを見出した。

【００１５】また、上記した課題を解決するため、本発
明は、液晶表示装置の製造方法に係り、基材上に、下か
ら順に、前記基材上の液晶表示領域から外側の領域に延
び出した接続電極部を有する透明電極と、前記接続電極
部を有する透明電極上に形成された無機絶縁層とが積層
された構造を形成する工程と、前記接続電極部と外部配
線とを異方性導電層を介して圧着して該異方性導電層に
含まれる導電性粒子で前記無機絶縁層を貫くことによ
り、前記接続電極部と前記外部配線とを電気的に接続さ
せる工程とを有することを特徴とする。

【００１６】本発明によれば、透明電極の接続電極部と
外部配線とを、該接続電極部上に形成された無機絶縁層
を除去する工程を特別に追加することなしに、電気的に
接続させることができる。つまり、接続電極部と外部配
線とを異方性導電層を介して所定の条件で圧着すること
で異方性導電層に含まれる導電性粒子で無機絶縁層を貫
くことにより電気的に接続させることができる。

【００１７】このようにすることにより、透明電極の接
続電極部にも無機絶縁層が存在する上記した液晶表示装
置を容易に製造することができる。また、透明電極の接
続電極部上の無機絶縁層を除去する工程を必要としない
ので、製造歩留りが向上し、製品コストの上昇を抑える
ことができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は
本発明の実施形態の液晶表示装置を示す断面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ部を拡大した拡大断面図、図１
（ｃ）は図１（ａ）のＡ部を側面からみた側面図であ
る。

【００１９】図１（ａ）に示すように、本実施形態の液
晶表示装置は、第１の基材の一例であるプラスチックか
らなる第１のフィルム２（住友ベークラート社製：ポリ
エーテルスルフォンフィルム）及び第２の基材の一例で
あるプラスチックからなる第２のフィルム２ａ（住友ベ
ークラート社製：ポリエーテルスルフォンフィルム）が
液晶層１１を挟み対向して配置されている。

【００２０】なお、このプラスチックフィルムとして
は、膜厚が５０〜５００μｍで、光学的平面性を備えた
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリイミド又はポリアリレート
などからなるものを用いることができる。また、図示し
ていないが、第１及び第２のフィルム２、２ａの液晶層
１１側の面上にはアンカー層が形成され、また、液晶層
１１側と反対の面上には、下から順に、アンカー層、Ｓ
ｉＯ_X層からなるガスバリア層及びハードコート層が形
成されている。このように、第１及び第２のフィルム
２、２ａとして、通気性や透湿性をある程度低下させる
ため、予め、ガスバリア層などが形成されたものを用い
る。

【００２１】第１のフィルム２上には、接着剤層４を介
して、保護層５が第１のフィルム２に貼接されている。
さらに、ＩＴＯ（Indium tin oxide）膜からなる第１の
透明電極６が保護層５に埋め込まれるようにして、スト
ライプ状に形成されている。第１の透明電極６上には第
１の無機絶縁層の一例である第１のＳｉＯ₂層８が例え
ば５〜３０ｎｍの範囲の膜厚で形成されている。

【００２２】一方、第２のフィルム２ａの第１のフィル
ム２側には、接着剤層４ａを介して、保護層５ａが第２
のフィルム２ａに貼接されている。さらに、ＩＴＯ膜か
らなる第２の透明電極６ａが第１の透明電極６のストラ
イプパターンに直交するようにして保護層５ａに埋め込
まれて形成されている。第２の透明電極６ａ上には第２
の無機絶縁層の一例である第２のＳｉＯ₂層８ａが例え
ば５〜３０ｎｍの範囲の膜厚で形成されている。

【００２３】また、第１のＳｉＯ₂層８及び第２のＳｉ
Ｏ₂層８ａ上の液晶層１１側には、それぞれ、液晶層１
１の液晶材料に配向性をもたせる配向膜１６，１６ａが
形成されている。液晶層１１を形成する液晶材料は、第
１及び第２のフィルム２，２ａの間の周縁部に設けられ
たシール材１４によって封止されている。このシール材
１４は第１及び第２のフィルム２，２ａの周縁部に形成
された第１のＳｉＯ₂層８及び第２のＳｉＯ₂層８ａ上に
形成されている。なお、後で説明するように、第１及び
第２のフィルム２，２ａの間の周縁部に形成されたシー
ル材１４のうち、所定の領域にはシール材に導電性粒子
が混入された上下導通材が形成されている。

【００２４】第１のフィルム２は、液晶表示領域から外
側の領域に突き出た領域Ａ部を有しており、第１の透明
電極６が液晶表示領域から延び出した第１の接続電極部
１２が形成されている。そして、第１の接続電極部１２
は外部配線である回路基材の配線１０に接続されてい
る。このようにして、第１のフィルム２を基材とした走
査電極基材１８と第２のフィルム２ａを基材とした信号
電極基材１７とが液晶層１１を挟み、対向して配置され
て液晶表示装置１９を構成している。

【００２５】ここで、第１のフィルム２上のＡ部に形成
された第１の接続電極部１２と回路基材の配線１０との
接続部の詳細な説明を行う。図１（ｂ）に示すように、
第１の接続電極部１２上には第１のＳｉＯ₂層８が形成
され、異方性導電層７（以下、ＡＣＦ（An-isotropic C
onductive Film）という）中に含まれる直径が例えば５
〜１０μｍの導電性粒子７ａが第１のＳｉＯ ₂層８を突
き破って部分的な領域に埋め込まれて形成されている。
この導電性粒子７ａの一方の面は第１の接続電極部１２
と接触し、導電性粒子７ａのもう一方の面はポリイミド
膜１０ａと銅層パターン１０ｂとからなる回路基材の配
線１０の銅層パターン１０ｂと接触している。

【００２６】また、ＡＣＦ７（例えばソニーケミカル社
製：ＣＰ７１３１）は、導電性粒子７ａとバインダー層
７ｂとからなり、このバインダー層７ｂが第１のＳｉＯ
₂層８と回路基材の配線１０とを貼接している。このよ
うにして、第１の接続電極部１２と回路基材の配線１０
とが電気的に接続されている。この様子を液晶表示装置
１９の外側の側面から見ると、図１（ｃ）に示す如く、
第１の接続電極部１２上には第１のＳｉＯ₂層８が形成
され、この上にＡＣＦ７を介して回路基板の配線１０が
圧着された構造になっている。

【００２７】図２（ａ）は図１（ａ）のＩ―Ｉに沿った
断面とＩＩ−ＩＩに沿った断面とを重ねた断面図、図２
（ｂ）は図２（ａ）のＣ部を拡大した部分概略断面図で
ある。図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２のフィ
ルム２ａの液晶層１１側の面上の向かって右側の端部に
は第２の透明電極６ａの第３の接続電極部１２ｂが形成
され、第１のフィルム２上のＡ部（図１（ａ））には第
２の接続電極部１２ａが形成されている。

【００２８】そして、第２のフィルム２ａ上の第３の接
続電極部１２ｂと第１のフィルム２上の第２の接続電極
部１２ａとの間には上下導通材１４ａ（例えばシール材
に積水化学社製のミクロパールＡＵ（導電性粒子）が混
入されたもの）が形成されて液晶層１１がシールされて
いる。この上下導通材１４ａは、その中に含まれる導電
性粒子１３により、所定の基板間ギャップになったとき
に，その厚さ方向のみに導通する導電異方性を呈するよ
うになっている。

【００２９】本実施形態の液晶表示装置においては、図
２（ｂ）に示すように、第２の接続電極部１２ａ上の第
１のＳｉＯ₂層８と第３の接続電極部１２ｂ上の第２の
ＳｉＯ₂層８ａとを上下導通材１４ｂ内の導電性粒子１
３で突き破った構造になっている。これにより、第２の
フィルム２ａ上の第３の接続電極部１２ｂと第１のフィ
ルム２のＡ部に形成された第２の接続電極部１２ａとが
導電性粒子１３を介して電気的に接続されている。

【００３０】つまり、第１のフィルム２上のＡ部には、
第１の透明電極６の接続電極部１２ばかりではなく、上
下導通材１４ａを介して第２の透明電極６の第３の接続
電極部１２ｂに電気的に接続される第２の接続電極部１
２ａが形成されていることになる。そして、第２の接続
電極部１２ａは、第１の接続電極部１２と同様にＡＣＦ
７により回路基材の配線１０と電気的に接続されてい
る。このようにすることにより、第１の透明電極６の第
１の接続電極部１２と第２の透明電極６ａの第２の接続
電極部１２ａとを第１のフィルム２上のＡ部にまとめて
配置することができるので、液晶表示装置の実装構造を
簡易にすることができる。

【００３１】なお、本実施形態においては、液晶表示装
置のシール材が形成される領域のうち、第３の接続電極
部１２ｂと第２の接続電極部１２ａとの間の領域に上下
導通材１４ａが形成され、他の領域には導電粒子１３を
含まないシール材１４が形成されている形態を例示して
いるが、シール材が形成される領域の全ての領域に上下
導通材１４ｂが形成されている形態としてもよい。この
形態の場合、第２の接続電極部１２ａと第３の接続電極
部１２ｂとが電気的に接続される以外、その他の透明電
極が上下導通材１４ｂで電気的に接続されないように、
上下導通材が形成される領域には第１及び第２の透明電
極６，６ａが存在しない形態とすればよい。

【００３２】また、本実施形態では、説明を容易にする
ため第２の接続電極部１２ａとして１個のみを例示して
いるが、実際には複数の第２の透明電極６ａにそれぞれ
接続される複数の第２の接続電極１２ａが形成されてい
ることはいうまでもない。本実施形態の液晶表示装置に
よれば、第１の接続電極部１２を有する第１の透明電極
６上に第１のＳｉＯ₂層８が形成され、第１の接続電極
部１２と回路基材の配線１０とは、第１のＳｉＯ₂層８
を突き破って、この中に部分的に埋め込まれたＡＣＦ７
の導電性粒子７ａを介して電気的に接続されている。ま
た、第２の接続電極部１２ａと第３の接続電極１２ｂと
が、上下導通材１４ｂ中の導電性粒子１３で第１及び第
２のＳｉＯ₂層８，８ａを突き破った構造で電気的に接
続されている。

【００３３】第１のフィルム２は通気性や透湿性が高い
ため、第１のフィルム２上にはガスバリア層が形成され
ているが、第１の透明電極６及び第２の透明電極６ａ上
にも空気や水分の侵入をブロックする第１及び第２のＳ
ｉＯ₂層８，８ａがさらに形成されているので、液晶層
１１内に気泡が生じたり、水分により液晶表示装置１９
が劣化したりすることをさらに防止することができる。

【００３４】また、液晶表示領域の第１の透明電極６上
ばかりではなく、第１の接続電極部１２、第２の接続電
極部１２ａ及び第３の接続電極部１２ｂ上にも実質的に
第１のＳｉＯ₂層８又は第２のＳｉＯ₂層８ａが形成され
ていることになる。これにより、高温や高湿の条件下で
第１のフィルム２に歪みが発生しても、第１の透明電極
６ばかりではなく、第１の接続電極部１２などの接続電
極部のクラックの発生をも防止することができる。

【００３５】また、液晶層１１を封止するシール材１４
及び上下導通材１４ａは、これらと密着性のよい第１の
ＳｉＯ₂層８，８ａ上に形成されているので、走査電極
基材１８と信号電極基材１７との貼り合わせの強度、す
なわち密着性を向上させることができる。従って、高温
や高湿の条件下又は衝撃を受けた場合においても、液晶
層１１の漏れを防止することができるので、液晶表示装
置１９の信頼性を向上させることができる。

【００３６】なお、本実施形態では、第１及び第２の無
機絶縁層として第１及び第２のＳｉＯ₂層８，８ａを例
示したが、窒化シリコン層やＳｉＯ_X層などのシリコン
含有絶縁層又は酸化アルミニウム層などの金属酸化層を
用いてもよい。また、第１のフィルム２上の接着剤層４
と保護膜５との間に、着色ポリイミドからなるＲ（レッ
ド）、Ｇ（グリーン）及びＢ（ブルー）の色画素を含む
カラーフィルター層が形成された構造にしてもよい。

【００３７】また、本実施形態では、第１及び第２の基
材としてプラスチックフィルムを用いたが、プラスチッ
クフィルムの代わりにガラス基板を用いてもよい。次
に、本実施形態の液晶表示装置の製造方法を説明する。
図３（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態の液晶表示装置
の製造方法を工程順に示す断面図である。なお、図３
（ｃ）の左側の断面図は、図３（ｃ）の右側の平面図の
ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。

【００３８】本実施形態の液晶表示装置１９の製造方法
は、仮の基板であるガラス基板上に転写層を形成し、次
いで、この転写層をプラスチックフィルムに転写するこ
とにより液晶表示装置１９の電極基材を形成する方法を
利用する。まず、仮の基板であるシリカコートされた青
板ガラスからなるガラス基板２０を用意する。続いて、
剥離層を形成するための塗布溶液として、ピロメット酸
無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとを反
応させ、生成したポリイミド前駆体ワニス（ジメチルア
セトアミド溶液、固形分比１０％）にシランカップリン
グ剤ＫＢＭ−５７３（信越シリコン（株）製）を０．０
５wt％（固形分比）添加した溶液を作成する。

【００３９】その後、図３（ａ）に示すように、ガラス
基板１０上に上記した塗布溶液をスピンコーターによ
り、９００ｒｐｍ、１２秒の条件下で塗布し、乾燥させ
て塗膜を形成する。続いて、この塗膜をホットプレート
で、２６０℃、１０分の条件下で加熱、脱水閉環して４
μｍの膜厚のポリイミド層からなる剥離層２２を形成す
る。

【００４０】次いで、剥離層２２上に基板温度２３０℃
の条件のスパッタ法により、第１の無機絶縁層の一例で
ある膜厚が５〜３０ｎｍの第１のＳｉＯ₂層８を成膜す
る。このとき、第１のＳｉＯ₂層８を高温側の条件下で
真空成膜することにより、保護特性が良好な緻密なもの
を得ることが出来る。なお、ＣＶＤ（Chemical VaporDe
position）法により第１のＳｉＯ₂層８を成膜してもよ
い。

【００４１】次いで、図３（ｂ）に示すように、第１の
ＳｉＯ₂層８上にスパッタ法により膜厚が例えば１５０
ｎｍのＩＴＯ膜６ｂを形成する。ここで、本実施形態の
液晶表示装置に係る透明電極（ＩＴＯ膜）の膜特性につ
いて、詳細に説明する。本実施形態の液晶表示装置に係
る透明電極に必要とされる膜特性としては、良好な光透
過率と低い抵抗値を有することとともに、導電性粒子７
ａで第１のＳｉＯ₂層８を突き破るときに受ける力に対
する耐性も重要である。つまり、本実施形態は、転写層
をプラスチックフィルム上に転写することに基づいて液
晶表示装置１９を製造する方法を例示するものであっ
て、プラスチックフィルムはガラス基板と比べて柔らか
いため導電性粒子で押圧される力が働くと、軟らかいプ
ラスチックフィルムの上の透明電極が変形して透明電極
にクラックが発生しやすい。

【００４２】ところで、プラスチックフィルム上に直接
ＩＴＯ膜を成膜する場合、プラチックフィルムは耐熱性
が低いので室温付近の低温側で成膜する必要がある。こ
のため、プラスチックフィルム上に直接、成膜されたＩ
ＴＯ膜は、非晶質で、軟らかく、エッチング加工性はよ
いが、シート抵抗が高く、透明性が劣り、導電性粒子で
の接続特性も劣る。このため、外部配線と接続される透
明電極の接続電極部上に無機絶縁層を形成しない形態に
おいても、Ricoh Technical Report 82〜87 No.23,(199
7)に記載されているように、導電性粒子による接続では
いろいろな工夫が必要である。

【００４３】しかしながら、本実施形態では、耐熱性の
高いガラス基板上にＩＴＯ膜を比較的、高温で成膜する
ことができるので、結晶性を有し、シート抵抗が低く、
透明性のよいＩＴＯ膜を成膜することができる。さらに
は、ＩＴＯ膜を比較的、高温で成膜することにより、
膜の硬度が高いものが成膜される。このような膜の硬度
が高いＩＴＯ膜を透明電極として用いることにより、透
明電極と外部配線とを異方性導電層を介して圧着する
際、透明電極上に無機絶縁層が存在しても無機絶縁層が
所定の膜厚以下であれば、異方性導電層内の導電性粒子
で無機絶縁層を突き破り外部配線と透明電極との電気的
接続を可能にすることができる。本実施形態の液晶表示
装置に係る透明電極は、良好な光透過率と低い抵抗値を
有するとともに、このような膜特性を合わせもつように
して成膜される。

【００４４】図７〜図９はＩＴＯ膜の結晶の大きさをＳ
ＥＭ（Scanning Electron Microscope）により撮影した
ものである。図７に示すように、ＩＴＯ膜を基板温度が
例えば２５０℃のイオンプレーティング法により成膜す
ると、結晶粒径が０．０１〜０．１μｍの結晶性のＩＴ
Ｏ膜が成膜される。また、図８に示すように、ＩＴＯ膜
を基板温度が例えば２００℃のイオンプレーティング法
により成膜すると、結晶粒径が０．０１〜０．０５μｍ
の結晶性のＩＴＯ膜が成膜される。また、図９に示すよ
うに、ＩＴＯ膜を基板温度が例えば２００℃のスパッタ
リング法により成膜すると、細長い結晶粒を含む、結晶
粒径が０．０１〜０．１μｍの結晶性のＩＴＯ膜が成膜
される。

【００４５】このように、上記のような成膜条件下でＩ
ＴＯ膜を成膜することにより結晶の粒径が０．１μｍ
以下で、かつ抵抗値が低い、例えばシート抵抗値で１０
〜１５Ω／口のものを形成することができる。本実施形
態に係るＩＴＯ膜はその膜厚が例えば１００〜２００ｎ
ｍのものであり、その膜の硬さについて超微小硬さ試験
機を用いて測定することができる。この超微小硬さ試験
機は、圧子駆動部に変位計が装備され、圧子の押し込み
深さを測定し、押し込み深さから硬さを求めるもので、
これを連続的に測定することによって、弾性変形量、塑
性変形量、試験力の保持中におけるクリープ変形量など
の情報を得ることができる。詳細については、精密工学
会誌（第６２巻第２号別冊、平成８年２月5日発行）
「くぼみ深さ測定方式の超微小硬度計による表面の評
価」（２２４〜２２９項）を参照されたい。

【００４６】本願発明者らはこの超微小硬さ試験機を用
いてＩＴＯ膜の物性を測定した。すなわち、まず、剛性
の強いガラス基板上に上記したいずれかの成膜方法で膜
厚が１５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した。このＩＴＯ膜の
所定の部分に超微小硬さ試験機の圧子により荷重をかけ
てＩＴＯ膜の膜厚の１０％（１５ｎｍ程度）分押し込
み、この押し込み深さに基づいて弾性変形量と塑性変形
量とを求めた。

【００４７】上記した成膜条件で成膜されたＩＴＯ膜に
おいては、塑性変形量はほとんどなく、弾性変形量がほ
とんどを占めていることが分かった。すなわち、ＩＴＯ
膜の膜厚の１０％（１５ｎｍ程度）分を圧子により押し
込んでくぼみを形成し、その後、荷重を解除するとくぼ
みがほとんどなくなることを意味しており、上記した成
膜方法で成膜されたＩＴＯ膜は硬度が高いことが確認さ
れた。

【００４８】このようにして、本願発明者らは、本実施
形態に係るＩＴＯ膜の物性を鋭意研究した結果、本発明
の実施形態の液晶表示装置の透明電極に適用するＩＴＯ
膜としては、超微小硬さ試験機でＩＴＯ膜の膜厚の１０
％相当分を押し込んだとき、弾性変形量が塑性変形量よ
りも大きいものが好ましく、また、そのヤング率が２×
１０⁴ ｋｇｆ／ｍｍ²より大きいもの好ましいことが分
かった。

【００４９】次に、本実施形態の液晶表示装置の製造方
法の説明に戻る。上記した方法により、ＩＴＯ膜６ｂを
成膜した後、図３（ｃ）に示すように、ＩＴＯ膜６ｂが
ストライプパターンになるように、フォトリソグラフィ
ーによりレジスト膜（図示せず）をパターニングし、こ
のレジスト膜をマスクにしてＩＴＯ膜６ｂをエッチング
することにより第１の透明電極６を形成する。このと
き、図３（ｃ）の右側の平面図に示すように、ガラス基
板２０の周縁部に第１の透明電極が延び出した第１の接
続電極部１２が形成されるようにする。また、同時に、
第１の接続電極部１２と短絡しないようにして第２の接
続電極部１２ａ（図２参照）を形成する。

【００５０】次いで、第１の透明電極６上にコーティン
グ剤（ＪＳＲ社製：オプトマーＳＳ−６９１７）をコー
ティングして膜厚が３μｍの保護層５を形成する。この
保護層５のヤング率が、上記した超微小硬さ試験機で測
定して１１００ｋｇｆ／ｍｍ ²程度になるように形成す
る。次いで、この保護層５上に紫外線硬化樹脂（旭電化
社製：ＫＲ−４００）に粒径が４μｍのスペーサ粒子
（日本触媒社製：エポスターＧＰ−Ｈ）を少量混入分散
させたものをスプレーにより約６μｍの膜厚になるよう
に調整して接着剤層４を形成する。このようにして、ガ
ラス基板２０上に転写層２４が形成される。

【００５１】次に、ガラス基板２０上に形成された転写
層２４をプラスチックフィルムに転写する方法を説明す
る。まず、第１の基材の一例であって、転写層２４が転
写されるプラスチック材料からなる膜厚が１５０μｍの
第１のフィルム２（住友ベークライト社製：ポリエーテ
ルスルホンフィルム）を準備し、これを超音波で水洗
し、乾燥させた後、さらに２日間、クリーンルーム内で
乾燥させる。

【００５２】その後、図３（ｄ）に示すように、転写層
２４が形成されたガラス基板２０上の接着剤層４上に上
記の第１のフィルム２を配置する。次いで、第１のフィ
ルム２側から高圧水銀灯により波長３６５ｎｍで３００
０ｍＪ／ｃｍ²のＵＶ照射を行うことにより、光硬化型
樹脂である接着剤層４を硬化させて第１のフィルム２を
転写層２４を有するガラス基板２０に貼り合わせる。こ
のとき、接着剤層４の膜厚は６μｍ程度であったものが
４．５〜５．５μｍになる。

【００５３】次いで、図４（ａ）に示すように、ガラス
基板２０に貼り合わせた第１のフィルム２の一端を直径
が例えば２００ｍｍのロール２４に固定し、このロール
２４を回転させて第１のフィルム２を引き剥がすと、ガ
ラス基板２０と剥離層２２との界面から剥がれる。この
とき、ガラス基板２０と剥離層２２との剥離界面に水を
かけながら行うことが好ましい。剥離界面に水をかける
ことにより、ガラス基板２０と剥離層２２とをその界面
で剥離しやすくなり、安定して転写を行うことができる
ようになる。このようにして、剥離層２２、第１のＳｉ
Ｏ₂層８、第１の透明電極６、保護層５及び接着剤層４
からなる転写層２４がフィルム２側に転写される。

【００５４】次に、図４（ｂ）に示すように、転写層２
４が転写された第１のフィルム２をヒドラジン対エチレ
ンジアミンの比率が１：１の混合液に浸漬させることに
より、第１のフィルム２上の剥離層２２のみを除去す
る。なお、この剥離層２２を他のアルカリ水溶液や酸素
プラズマを用いて除去してもよい。このとき、剥離層２
２の下には第１のＳｉＯ₂層８が存在し、この第１のＳ
ｉＯ₂層８が剥離層２２のエッチング液が第１のＳｉＯ₂
層８の下の層へしみ込むことを防止するブロッキング膜
としても機能する。すなわち、剥離層２２のエッチング
液が透明電極６、保護層５、接着剤層４及び第１のフィ
ルム２の各層の界面にしみ込むことにより、各層の界面
で部分的にはがれが発生するなどの密着性に悪影響を与
えることを防止することができる。また、この第１のＳ
ｉＯ₂層８は、酸素プラズマを用いて剥離層２２を除去
する場合においても、透明電極６及び保護層４を保護す
る機能を有する。

【００５５】次いで、第１の接続電極部１２が形成され
た領域Ａ部を除く領域で、かつ後工程で液晶を封止する
シール材が形成されない領域に配向膜１６を形成する。
以上により、本実施形態の液晶表示装置の走査電極基材
１８が完成する。次に、走査電極基材１８の対向基材で
ある信号電極基材１７を上記と同様な方法で製造する。
なお、信号電極基材１７上には第２の透明電極が表示部
から外側の領域に延び出した第３の接続電極部１２ｂ
（図２参照）が形成されている。

【００５６】このようにして、走査電極基材１８と信号
電極基材１７とを第１の透明電極６と第２の透明電極６
ａがお互いに直交するように、配向膜１６，１６ａが形
成された面を相互に対向させて配置させる。そして、ど
ちらかの基材の周縁部にシール材１４を塗布して、走査
電極基材１８と信号電極基材１７とを接合する。ここ
で、信号電極基材１７上の第２の透明電極の第３の接続
電極部１２ｂと走査電極基材１８上の第２の接続部１２
ａとが図２での説明のように上下導通材１４ｂを介して
電気的に接続されるようにする。信号電極基材１７上の
第３の接続電極部１２ｂと走査電極基材１８上の第２の
接続部１２ａとを電気的に接続する領域に上下導通材１
４ｂが形成され、それ以外の領域には導電性粒子１３を
含有しないシール材１４が形成されるように精密ディス
ペンサや印刷などによりシール材を塗り分けて形成すれ
ばよい。なお、前述した実施形態の液晶表示装置での説
明のように、シール材を形成すべく領域の全ての領域に
上下導通材１４ａを形成してもよい。

【００５７】このとき、シール材１４及び上下導通材１
４ｂは、これらと密着性のよい第１のＳｉＯ₂層８上に
形成されるので、走査電極基材１８と信号電極基材１７
との貼り合わせ強度、すなわち密着性を向上させること
ができる。その後、これらの基材間に液晶材料を注入し
て液晶層１１を形成し、液晶封入口を樹脂で封止する。

【００５８】以上により、第１及び第２の接続電極部１
２，１２ａを有する走査電極基材１８と信号電極基材１
７との間に液晶層１１が封止された、回路基材の配線と
接続される前の液晶表示装置が完成する。次に、この第
１及び第２の接続電極部１２，１２ａと外部配線とを電
気的に接続する方法を説明する。外部配線の一例である
回路基材の配線１０は、２５μｍの膜厚のポリイミド層
１０ａ上に８μｍの銅層パターン１０ｂが形成されたも
のであって、いわゆるフレキシブル配線材である。

【００５９】まず、走査電極基材１８の第１のＳｉＯ₂
層８でカバーされた第１の接続電極部１２を有する領域
Ａ部と回路基材の配線１０の銅層パターン１０ｂの面と
をＡＣＦ７（ソニ−ケミカル社製：ＣＰ７１３１）を介
して圧着して貼り合わせる。圧着装置はＡＣＦ接続装置
（大崎エンジニアリング社製）を用い、圧力：２０ｇｆ
／ｃｍ²、圧着温度：１６０℃（基材上で１２５℃）、
圧着時間：２０秒の条件下で行う。

【００６０】この第１の接続電極部１２上には第１のＳ
ｉＯ₂層８がその膜厚が例えば５〜３０ｎｍで形成され
ており、前述の図１（ｂ）での説明のように、ＡＣＦ７
中に含まれている導電性粒子７ａが、圧着により膜厚が
５〜３０ｎｍの第１のＳｉＯ ₂層８を突き破って第１の
ＳｉＯ₂層８に埋め込まれる。このようにして、導電性
粒子７ａの一方の球面は第１の接続電極部１２と接触
し、もう一方の球面は銅層パターン１０ｂに接触するこ
とで第１の接続電極部１２と銅層パターン１０ｂとが電
気的に接続される。

【００６１】なお、信号電極基材１７上の第２の透明電
極６ａの第３の接続電極部１２ｂと上下導通材１４ｂで
接続された第２の接続電極部１２ａも同様な方法で回路
基材の配線１０と接続される。以上により、本実施形態
の液晶表示装置１９が完成する。本実施形態の液晶表示
装置１９の製造方法によれば、第１の透明電極６上に第
１のＳｉＯ₂層８を形成し、第１の透明電極６の第１の
接続電極１２上の第１のＳｉＯ₂層８を除去する工程を
必要とせずに、第１の接続電極部１２と回路基材の配線
１０とを電気的に接続させることができる。このように
することにより、製造歩留りを向上させることができ、
製品コストの上昇を抑えることができる。

【００６２】（本願発明者の調査）（１）透明電極のクラック発生の確認本実施形態の製造方法で、第１の透明電極６上に形成さ
れる第１のＳｉＯ₂層８の膜厚を０ｎｍ、５ｎｍ、１０
ｎｍ及び３０ｎｍに変化させて４つの走査電極基材１８
を製造した。そして、それぞれの電極基材に対して１６
０℃での熱処理試験と、温度が６０℃、湿度が９０％の
高温高湿試験とを行った後、第１の透明電極６のクラッ
クの発生の有無を目視にて調査した。なお、膜厚が５ｎ
ｍより薄いＩＴＯ膜（第１の透明電極）は欠陥が発生し
やすく、本実施形態の液晶表示装置に適用することは困
難であった。

【００６３】第１の透明電極６上に形成された第１のＳ
ｉＯ₂層８の膜厚が５ｎｍ、１０ｎｍ及び３０ｎｍの３
つのサンプルにおいては、熱処理試験及び高温高湿試験
を行っても第１の透明電極６にクラックが発生しなかっ
た。しかし、第１のＳｉＯ₂層８を成膜しなかったサン
プルでは、１２０℃の熱処理試験では問題はなかった
が、１６０℃の熱処理試験で第１の透明電極６にシワが
発生し、また、温度が６０℃、湿度が９０％の高温高湿
試験では第１の透明電極６にクラックが発生しているこ
とが確認された。

【００６４】このように、本願発明者は、第１の透明電
極６上に膜厚が例えば５〜３０ｎｍの第１のＳｉＯ₂層
８を形成することにより、第１の透明電極６のクラック
の発生を防止できることを確認した。（２）第１の接続電極部と外部配線とのＡＣＦによる接
続試験本実施形態の製造方法により、第１の透明電極６上に形
成される第１のＳｉＯ ₂層８の膜厚を０ｎｍ、５ｎｍ、
１０ｎｍ、３０ｎｍ及び４０ｎｍに変化させて５つの電
極基材を作成した。そして、電極基材上の透明電極の第
１の接続電極部と回路基材の配線との電気的な接続試験
を行った。

【００６５】図５は第１の透明電極６と回路基材の配線
１０ｄとの電気的な接続試験の方法を示す概略平面図で
ある。図５に示すように、本接続試験のパターンは、第
１の透明電極６がストライプ状に形成されている領域上
に、膜厚が２５μｍのポリイミド膜１０ａ上に膜厚が８
μｍの銅層パターン１０ｂがコートされたフレキシブル
配線材の三つの接続電極３０,３２，３４が、ＡＣＦを
介して貼接された構造となっている。そして、接続電極
３０には配線１０ｄを介して２つの測定電極３６，３８
が接続され、接続電極３２，３４には配線１０ｄを介し
て、それぞれ測定電極４０，４２が接続されている。接
続電極３０と接続電極３２、及び接続電極３２と接続電
極３４との間の寸法はそれぞれ４ｍｍである。この接続
試験のパターンは、図１（ａ）〜（ｃ）の第１の接続電
極部１２と回路基材の配線１０との電気的な接続試験を
するための擬似パターンである。

【００６６】ここで、図５のＢ部の詳細な説明を行う。
図６（ａ）は図５のＢ部を拡大した拡大平面図である。
図６（ａ）に示すように、第１の透明電極６は、ライ
ン：スペースが６５μｍ：１５μｍのストライプパター
ンになっており、この第１の透明電極６上に銅層パター
ンからなる接続電極３４が、ＡＣＦ７を介して接続面積
が４ｍｍ□になるように貼接されている。なお、図示し
ていないが、接続電極３４上には回路基材をなすポリイ
ミド層が広い範囲でカバーされている。

【００６７】図６（ｂ）は、図６（ａ）のＩＶ−ＩＶに
沿った断面図である。図６（ｂ）に示すように、第１の
フィルム２上に、下から順に、接着剤層４、保護層５、
第１の透明電極６及び第１のＳｉＯ₂層８が形成され、
第１の透明電極６が第１のＳｉＯ₂層８に埋め込まれた
ＡＣＦ７の導電性粒子７ａを介して、ポリイミド膜１０
ａ上に形成された銅層パターン１０ｂに接続されてい
る。また、ＡＣＦ７のバインダー層７ｂにより第１のフ
ィルム２と回路基材の配線１０とが貼接されている。

【００６８】図６（ｃ）は第１の透明電極６と銅層パタ
ーン１０ｂとが貼接されている様子を図６（ａ）のＶの
方向からみた側面図である。図１（ｃ）での説明と同様
に、第１の透明電極６上には第１のＳｉＯ₂層８が形成
され、この上にＡＣＦ７が圧着されて第１の透明電極６
と銅層パターン１０ｂとが接続された構造になってい
る。

【００６９】第１の透明電極６と銅層パターン１０ｂと
をＡＣＦ７を介して接続するための圧着は、大崎エンジ
ニアリング社製のＡＣＦ接続装置を使用し、圧力：２０
ｇｆ／ｃｍ²、圧着温度：１６０℃（基材上の温度：１
２５℃）、圧着時間：２０秒、圧着面積：４ｍｍ□（１
６ｍｍ²）の条件下で行った。このようにして、第１の
接続電極１２と回路基材の配線１０との接続試験を行う
ため、第１のＳｉＯ₂層８の膜厚を変化させた５つのサ
ンプルを作成した。

【００７０】接続試験方法としては、図５の測定電極３
６と測定電極４２との間に１μＡの電流を流し、測定電
極３８と測定電極４０との間の電圧を測定して抵抗値を
算出した。この結果を表１に示す。

【００７１】

【表１】

【００７２】この抵抗値は第１の透明電極６自体の抵抗
値と第１の透明電極６と銅層パターン１０ｂとのコンタ
クトに係わる抵抗値とが加算された抵抗値である。第１
のＳｉＯ₂層８を形成しなかったサンプルの抵抗値は、
１５〜１８Ωであって、第１のＳｉＯ₂層８を５ｎｍ形
成したサンプルにおいても抵抗値に変化がなかった。第
１のＳｉＯ₂層８の膜厚を１０ｎｍで形成したサンプル
の抵抗値は１８〜２１Ωであって、第１のＳｉＯ₂層８
を形成しなかったサンプルに比べて若干の抵抗値の上昇
が確認された。

【００７３】第１のＳｉＯ₂層８の膜厚を２０ｎｍで形
成したサンプルの抵抗値は２２〜２７Ωであって、第１
のＳｉＯ₂層８を形成しなかったサンプルに比べて平均
値で５０％程度の抵抗上昇が確認された。第１のＳｉＯ
₂層８の膜厚を３０ｎｍで形成したサンプルの抵抗値は
２５〜３０Ωであって、第１のＳｉＯ₂層８を形成しな
かったサンプルに比べて平均値で６７％程度の抵抗上昇
が確認された。

【００７４】このように、第１のＳｉＯ₂層８の膜厚を
５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ及び３０ｎｍで形成したサ
ンプルにおいては、第１のＳｉＯ₂層８を形成しなかっ
たサンプルと比較して抵抗値の上昇が起こったが、液晶
を駆動させる際には全く問題にならず、許容範囲内であ
ることを確認した。また、膜厚をさらに厚くして第１の
ＳｉＯ₂層８の膜厚を４０ｎｍで形成したサンプルの抵
抗値は２００Ω以上でばらつくか、もしくは接続不可で
あって、圧着における温度や圧力を変えて試験したが、
ＩＴＯ膜にクラックが発生することなく、低抵抗で接続
することは困難であった。

【００７５】なお、上記した５つのサンプルに対して、
上記圧着条件のうち、圧力を１５ｋｇｆ／ｃｍ²に、圧
着面積を１ｍｍ²に変えて同様の接続試験を行ったとこ
ろ、圧着面積の変化に基づく抵抗値の変化があったが、
それ以外は同様の結果が得られた。ただし、第１のＳｉ
Ｏ₂層８の膜厚を５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ及び３０
ｎｍで形成したサンプルの間での抵抗値のばらつきが小
さくなった。

【００７６】以上のように、本願発明者は第１の接続電
極部１２上に第１のＳｉＯ₂層８をその膜厚が５〜３０
ｎｍの範囲で形成することにより、ＡＣＦ７中の導電性
粒子７ａで第１のＳｉＯ₂層８を貫いて第１の接続電極
部１２と回路基材の配線１０とを安定して電気的に接続
させることことが可能であることを確認した。（３）第３の接続電極部と第２の接続電極部との上下導
通材による接続試験前述した図２での説明にように、信号電極基材１７の第
２の透明電極６ａの第３の接続電極部１２ｂと走査電極
基材の第２の接続電極部１２ａとは、上下導通材１４ａ
で電気的に接続されている。本願発明者らは、この第３
の接続電極部１２ｂと第２の接続電極部１２ａとの電気
的な接続試験を行った。

【００７７】まず、前述した製造方法と同様な方法によ
り、第１のフィルム２上に第１の透明電極６と接続され
ていない第２の接続電極１２ａを形成し、この上に第１
のＳｉＯ₂層８をその膜厚が０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎ
ｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ及び４０ｎｍになるように振り
分けて５つの走査電極基材を作成した。また、同様にし
て、第２のフィルム２ａ上に第３の接続電極部１２ｂを
有する第２の透明電極６ａを形成し、この上に第２のＳ
ｉＯ₂層８ａをその膜厚が０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、
２０ｎｍ、３０ｎｍ及び４０ｎｍになるように振り分け
て５つの信号電極基材を作成した。

【００７８】次に、上記した走査電極基材と信号電極基
材とを上下導通材１４ｂを介して圧着する方法について
説明する。上下導通材１４ｂの一例としては、以下の材
料が混合されたものを使用した。（ａ）シール材主剤・・・ＥＳＲ−２４００（住友ベー
クライト社製）１ｇ（ｂ）シール材硬化剤・・・ＥＳＲ−２８４０（住友ベ
ークライト社製）１ｇ（ｃ）導電性粒子（７．５μｍ）・・・ＡＵＨ−６０７
（積水ファインケミカル社製）０．０４ｇ（ｄ）スペーサ（６．０μｍ）・・・真絲玉（触媒化成
社製）０．０９ｇ圧着方法の一例として以下のような方法を用いた。ま
ず、走査電極基材及び信号電極基材のいずれかの基材上
の所定領域に上下導通材を印刷して形成した後、９０℃
で３０〜４０分間、プレベークを行った。次いで、上下
導通材１４ｂを介して走査電極基材と信号電極基材と対
向して配置した後、信号電極基材と透明電極側とをその
外側からプレス機で挟むなどして１．５ｋｇｆ／ｃｍ²
の圧力で加圧した。次いで、加圧した状態で、室温の雰
囲気で２４時間放置し、続いて、同じく加圧した状態で
４０℃で２４時間処理した。次いで、加圧を解除した
後、１３０℃で２時間処理した。

【００７９】このようにして、図２（ｂ）に示すような
構造を含む、第１及び第２のＳｉＯ ₂層８，８ａの膜厚
を変化させた５つのサンプルを作成した。そして、この
５つのサンプルの第３の接続電極部１２ｂと第２の接続
電極部１２ａとの電気的な接続状況を調査した。第１及
び第２のＳｉＯ₂層８，８ａを形成しなかったサンプル
においては、電気的な接続は問題なかった。また、第１
及び第２のＳｉＯ₂層８、８ａをその膜厚が５ｎｍ、１
０ｎｍ、２０ｎｍ及び３０ｎｍで形成した４つのサンプ
ルにおいても電気的な接続は問題なかった。しかし、第
１及び第２のＳｉＯ₂層８、８ａをその膜厚が４０ｎｍ
で形成したサンプルにおいては、電気的に接続されてい
ないことが確認された。

【００８０】以上のように、第１及び第２のＳｉＯ₂層
８、８ａをそれぞれ５〜３０ｎｍの範囲の膜厚で形成す
ることにより、第２のフィルム２ａ上の第２の透明電極
６ａの第３の接続電極部１２ｂと第１のフィルム２上の
第２の接続電極部１２ａとを、第１及び第２のＳｉＯ₂
層８、８ａを特別な工程を追加して除去することなし
に、上下導通材１４ａを介して電気的に接続することが
可能であることを確認することができた。

【００８１】以上、実施形態により、この発明の詳細を
説明したが、この発明の範囲は上記実施形態に具体的に
示した例に限られるものではなく、この発明を逸脱しな
い要旨の範囲における上記実施形態の変更はこの発明の
範囲に含まれる。

【００８２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１の接続電極部を有する透明電極上の全体にわたって
無機絶縁層が形成され、第１の接続電極部と外部配線と
は、該無機絶縁層を突き破って埋め込まれた導電性粒子
を介して接続されている。これにより、基材としてプラ
スチックフィルムを用いた場合、透明電極の接続電極部
上にも実質的に無機絶縁層が存在するので、高温や高湿
の条件下でプラスチックフィルムに歪みが発生しても、
表示領域の透明電極ばかりではなく、表示領域以外の透
明電極の接続電極部のクラックの発生をも防止すること
ができる。

【００８３】また、特別に無機絶縁層を除去する工程を
必要としないので、製造歩留りを向上させることがで
き、製品コストの上昇を抑止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は本発明の実施形態の液晶表示装置
を示す断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部を拡大し
た拡大図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＡ部を側面からみ
た側面図である。

【図２】図２（ａ）は図１（ａ）のＩ―Ｉに沿った断面
とＩＩ−ＩＩに沿った断面とを重ねた断面図、図２
（ｂ）は図２（ａ）のＣ部を拡大した拡大部分断面図で
ある。

【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態の液晶
表示装置の製造方法を工程順に示す断面図（その１）、
図３（ｃ）の断面図は右側の平面図のＩＩＩ−ＩＩＩに
沿った断面図である。

【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態の液
晶表示装置の製造方法を工程順に示す断面図（その２）
である。

【図５】図５は透明電極の接続電極部と外部配線との接
続試験方法を示す概略平面図である。

【図６】図６（ａ）は図５のＢ部の拡大平面図、図６
（ｂ）は図６（ａ）のＩＶ−ＩＶに沿った断面図、図６
（ｃ）は図６（ａ）をＶの方向からみた側面図である。

【図７】図７はＩＴＯ膜の結晶の大きさをＳＥＭで撮影
したものである（その１）。

【図８】図８はＩＴＯ膜の結晶の大きさをＳＥＭで撮影
したものである（その２）。

【図９】図９はＩＴＯ膜の結晶の大きさをＳＥＭで撮影
したものである（その３）。

【符号の説明】２・・・第１のフィルム（第１の基材）２ａ・・・第２のフィルム（第２の基材）４，４ａ・・・接着剤層５，５ａ・・・保護層６・・・第１の透明電極６ａ，６ｂ・・・第２の透明電極７・・・異方性導電層７ａ，１３・・・導電性粒子７ｂ・・・バインダー層８・・・第１のＳｉＯ₂層（第１の無機絶縁層）８ａ・・・第２のＳｉＯ₂層（第２の無機絶縁層）１０，１０ｄ・・・回路基材の配線１０ａ・・・ポリイミド層１０ｂ・・・銅層パターン１１・・・液晶層１２・・・第１の接続電極部１２ａ・・・第２の接続電極部１２ｂ・・・第３の接続電極部１４・・・シール材１４ａ・・・上下導通材１６，１６ａ・・・配向膜１７・・・信号電極基材１８・・・走査電極基材１９・・・液晶表示装置２０・・・ガラス基板２２・・・剥離層２４・・・ロール３０，３２，３４・・・接続電極３６，３８，４０，４２・・・測定電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者別宮一郎東京都文京区小石川４丁目14番12号共同印刷株式会社内Ｆターム(参考） 2H090 HA02 HB02 HC19 HD05 HD08 JA05 JA07 JB03 JC00 JD11 JD12 LA01 2H092 GA05 GA35 GA43 GA48 HA23 HA25 MA32 NA11 NA27 PA01 5C094 AA42 AA43 BA43 DA15 EA02 EA05 FB03 FB12 JA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶表示領域から外側の領域に延び出し
た、外部配線と接続された第１の接続電極部を有する第
１の透明電極を備えた第１の基材と、第２の透明電極を
備えた第２の基材と、前記第１の基材と前記第２の基材
との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置にお
いて、前記第１の接続電極部を有する第１の透明電極の上に第
１の無機絶縁層が形成され、前記第１の接続電極部と前
記外部配線とが、前記第１の無機絶縁層を突き破って埋
め込まれた導電性粒子を介して電気的に接続されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記第１の基材の液晶表示領域から外側
の領域には、前記第２の基材上の前記第２の透明電極に
接続された第２の接続電極部がさらに形成され、前記第
２の接続電極部と前記外部配線とが、前記第１の無機絶
縁層を突き破って埋め込まれた前記導電性粒子を介し
て、電気的に接続されていることを特徴とする請求項１
に記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記第２の透明電極上に第２の無機絶縁
層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に
記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記導電性粒子は、異方性導電層内に含
まれた導電性粒子が前記第１の無機絶縁層上から圧着さ
れて形成されたものであることを特徴とする請求項１乃
至３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記第２の基材上の液晶表示領域から外
側の領域には前記第２の透明電極が延び出した第３の接
続電極が形成されており、前記第３の接続電極部と前記
第１の基材上の前記第２の接続電極とが、前記第１及び
第２の無機絶縁層を突き破って埋め込まれた導電性粒子
を含む上下導通材を介して電気的に接続されていること
を特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記無機絶縁層の膜厚は、５ｎｍ以上３
０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のい
ずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】前記透明電極が結晶化されたＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）膜からなり、該ＩＴＯ膜の結晶（グレ
イン）の大きさが０．１μｍ程度以下であることを特徴
とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶表示
装置。
【請求項８】前記透明電極は、超微小硬さ試験機を用
いて、該透明電極の所定部分の所定膜厚分を表面から押
圧して形成される押し込み深さに基づいて求められる弾
性変形量及び塑性変形量において、前記弾性変形量が前
記塑性変形量より大きいことを特徴とする請求項１乃至
７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】前記無機絶縁層は、シリコン含有絶縁層
又は金属酸化層からなることを特徴とする請求項１乃至
８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】前記基材は、プラスチックフィルム又
はガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至９の
いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】前記透明電極及び前記無機絶縁層は、
基板から前記基材の上に転写されて形成されたものであ
って、前記基材と前記透明電極とは接着剤層を介して貼
接されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいず
れか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】前記第１及び第２の基材上の周縁部の
前記第１及び第２の無機絶縁層上に、前記液晶層を封止
するシール材が形成されていることを特徴とする請求項
３又は５に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】基材と、前記基材上に形成され、前記基材の液晶表示領域から外
側の領域に延び出した、外部配線に接続された接続電極
部を有する透明電極と、前記透明電極上に形成された無機絶縁層とを有する液晶
表示装置の電極基材であって、前記接続電極部と外部配線とが、前記透明電極の前記接
続電極部上の前記無機絶縁層を突き破って埋め込まれた
導電性粒子を介して電気的に接続されていることを特徴
とする液晶表示装置の電極基材。
【請求項１４】前記導電性粒子は、異方性導電層内に
含まれた導電性粒子が前記無機絶縁層上から圧着されて
形成されたものであることを特徴とする請求項１３に記
載の液晶表示装置の電極基材。
【請求項１５】フィルム上に、下から順に、前記基材
上の液晶表示領域から外側の領域に延び出した接続電極
部を有する透明電極と、前記接続電極部を有する透明電
極上に形成された無機絶縁層とが積層された構造を転写
により形成する工程と、前記接続電極部と外部配線とを異方性導電層を介して圧
着して、該異方性導電層に含まれる導電性粒子で前記無
機絶縁層を貫くことにより、前記接続電極部と前記外部
配線とを電気的に接続させる工程とを有することを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。