JP2002100960A - Multiband rf surface acoustic wave filter - Google Patents
Multiband rf surface acoustic wave filterInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はマルチバンドRF弾
性表面波フィルタに関し、特に小型化したマルチバンド
RF弾性表面波フィルタに関する。The present invention relates to a multi-band RF surface acoustic wave filter, and more particularly to a miniaturized multi-band RF surface acoustic wave filter.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、弾性表面波フィルタ(以下、SA
Wフィルタと称す)は通信分野で広く利用され、高性
能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に
携帯電話機等に多く用いられている。従来、セルラー方
式携帯電話では、シングルバンドRFフィルタで十分に
回線を確保することが可能であったが、最近、携帯電話
への加入者が急増したことにより、割り当て周波数の追
加が必要となった。そのため、携帯電話機においては送
受信波RFフィルタをマルチバンドシステムにして対応
せざるを得ないことになった。例えば、北米では900MHz
/1.9GHz帯、欧州では800MHz/1.8GHz帯のデュアル方式
が実用に供され、これに伴い送受信波RFフィルタもマ
ルチバンドRFフィルタを採用している。2. Description of the Related Art Recently, a surface acoustic wave filter (hereinafter referred to as SA) has been developed.
W filters) are widely used in the field of communications and have excellent characteristics such as high performance, small size, and mass productivity, and are therefore often used particularly in mobile phones and the like. Conventionally, in a cellular type mobile phone, it was possible to secure a sufficient line with a single band RF filter, but recently, the number of subscribers to the mobile phone has rapidly increased, so it has become necessary to add an assigned frequency. . For this reason, the mobile phone has to cope with the transmission and reception RF filter by using a multi-band system. For example, 900MHz in North America
The dual system of the /1.9 GHz band and the 800 MHz / 1.8 GHz band in Europe has been put into practical use, and with this, multi-band RF filters have been adopted as the transmission and reception RF filters.
【0003】一方、日本のセルラー方式携帯電話(PD
C)では、図4に示すように端末機の受信周波数帯に8
10MHz〜843MHz帯(RA帯)、870MHz
〜885MHz帯(RB帯)及び1477MHz〜15
01MHz帯(RC帯、図示していない)が、送信周波
数帯には893MHz〜898MHz(TA帯)、92
5MHz〜960MHz(TB帯)及び1429MHz
〜1453MHz(TC帯、図示していない)が割り当
てられるようになった。特に、受信のRB帯と送信のT
A帯は近接しているので、RB帯のRFフィルタには8
93MHzから898MHzにて図中のαで示す10d
B以上の減衰量が要求されている。特に携帯端末機にお
いては小型化が求められているため、上記3つの帯域、
即ちRA帯、RB帯及びRC帯のそれぞれのSAWフィ
ルタを1つのパッケージ、例えばサイズ3.0mm×3.0mm程
度の小型化したパッケージに収容した、所謂マルチバン
ドRF弾性表面波フィルタ(以下、マルチバンドRFS
AWフィルタと称す)が要求されている。On the other hand, Japanese cellular cellular phones (PDs)
In C), the reception frequency band of the terminal is 8 as shown in FIG.
10MHz to 843MHz band (RA band), 870MHz
~ 885MHz band (RB band) and 1477MHz ~ 15
01 MHz band (RC band, not shown), transmission frequency band is 893 MHz to 898 MHz (TA band), 92 MHz
5MHz to 960MHz (TB band) and 1429MHz
141453 MHz (TC band, not shown) has been allocated. In particular, the reception RB band and the transmission T
Since the A band is close, the RF filter in the RB band has 8
10d indicated by α in the figure from 93 MHz to 898 MHz
B or more attenuation is required. In particular, mobile terminals are required to be miniaturized.
That is, a so-called multi-band RF surface acoustic wave filter (hereinafter, multi-band RFS) in which the SAW filters of the RA band, the RB band, and the RC band are housed in one package, for example, a miniaturized package having a size of about 3.0 mm × 3.0 mm.
AW filter).
【0004】上記RA、RB、RC帯のSAWフィルタ
をそれぞれ個別に形成し、これらを1つのパッケージに
収容して、マルチバンドRFSAWフィルタを構成する
ことも可能であるが、この構成ではパッケージが大きく
なり過ぎるという問題があった。そこで、周波数帯が近
接したRA及びRB帯の1次−3次縦結合二重モードS
AWフィルタ(以下、二重モードSAWフィルタと称
す)を一方の圧電基板上に形成し、RC帯の二重モード
SAWフィルタを他方の圧電基板上に形成し、これらを
1つのパッケージに収容する、所謂2チップ−1パッケ
ージタイプが製作されている。図5は上記の2チップ−
1パッケージタイプのマルチバンドRFSAWフィルタ
の構成を示す平面図であって、パッケージ20と、主面
上に800MHz帯の2つの二重モードSAWフィルタ
FA、FBを形成した圧電基板22と、主面上に1.5
GHz帯の二重モードSAWフィルタFCを形成した圧
電基板23とからなる。パッケージ20の凹陥部21に
接着剤を塗布し、その上に圧電基板22、23を載置し
て固定すると共に、二重モードSAWフィルタFA及び
FBのそれぞれの入出力パッド電極と、パッケージ20
の入出力端子電極IN1、OUT1及びIN2、OUT
2とをそれぞれボンディングワイヤ24、25、26、
27にて接続し、二重モードSAWフィルタFA、FB
のアース用パッド電極とパッケージ20のアース端子電
極30、30、・・とをボンディングワイヤー28、2
8、・・にて接続する。同様に、二重モードSAWフィ
ルタFCについても入出力パッド電極と、パッケージ2
0の入出力端子電極IN3、OUT3とをボンディング
ワイヤにて接続すると共に、アース用パッド電極とパッ
ケージ20のアース端子電極30、30とをボンディン
グワイヤにて接続して、マルチバンドRFSAWフィル
タを構成している。[0004] It is possible to form a multi-band RF SAW filter by separately forming the above-mentioned RA, RB, and RC band SAW filters and accommodating them in a single package. There was a problem of becoming too much. Therefore, the primary and tertiary longitudinally coupled dual mode S of the RA and RB bands whose frequency bands are close to each other
An AW filter (hereinafter, referred to as a dual mode SAW filter) is formed on one piezoelectric substrate, and a dual mode SAW filter in the RC band is formed on the other piezoelectric substrate, and these are accommodated in one package. A so-called 2-chip-1 package type has been manufactured. FIG. 5 shows the above two chips.
FIG. 3 is a plan view showing a configuration of a one-package type multi-band RF SAW filter, including a package 20, a piezoelectric substrate 22 having two 800 MHz band dual-mode SAW filters FA and FB formed on a main surface, 1.5
And a piezoelectric substrate 23 on which a dual-mode SAW filter FC in the GHz band is formed. An adhesive is applied to the concave portion 21 of the package 20, and the piezoelectric substrates 22 and 23 are placed and fixed thereon, and the input / output pad electrodes of the dual mode SAW filters FA and FB are connected to the package 20.
Input / output terminal electrodes IN1, OUT1 and IN2, OUT
2 with bonding wires 24, 25, 26, respectively.
27, connect to dual mode SAW filters FA and FB
Of the package 20 and the ground terminal electrodes 30, 30,.
8. Connect with. Similarly, for the dual mode SAW filter FC, the input / output pad electrodes and the package 2
In addition, the input / output terminal electrodes IN3 and OUT3 of No. 0 are connected by bonding wires, and the ground pad electrodes and the ground terminal electrodes 30 and 30 of the package 20 are connected by bonding wires to form a multi-band RF SAW filter. ing.
【0005】図6は上記二重モードSAWフィルタの詳
細な構成を示す平面図であって、圧電基板(図示しな
い)の主面上に表面波の伝搬方向に沿って3つのIDT
電極31、32、33を近接配置すると共に、それらの
両側にグレーティング反射器(以下、反射器と称す)3
4a、34bと配設する。そして、IDT電極31、3
2、33はそれぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有
する一対のくし形電極より構成され、IDT電極31の
一方のくし形電極を入力INに接続し、他方のくし形電
極は接地する。さらに、IDT電極32、33のそれぞ
れ一方のくし形電極と出力OUTとを接続し、他方のく
し形電極をそれぞれ接地して二重モードSAWフィルタ
を構成している。FIG. 6 is a plan view showing a detailed configuration of the dual mode SAW filter. Three IDTs are provided on the main surface of a piezoelectric substrate (not shown) along the propagation direction of the surface wave.
The electrodes 31, 32, and 33 are arranged close to each other, and grating reflectors (hereinafter, referred to as reflectors) 3 are provided on both sides thereof.
4a and 34b. Then, the IDT electrodes 31, 3
Reference numerals 2 and 33 denote a pair of comb-shaped electrodes each having a plurality of electrode fingers interposed therebetween, and connect one comb-shaped electrode of the IDT electrode 31 to the input IN and ground the other comb-shaped electrode. Further, one of the IDT electrodes 32 and 33 is connected to the comb-shaped electrode and the output OUT, and the other comb-shaped electrode is grounded to form a dual mode SAW filter.
【0006】図7、8はそれぞれ図5に示した構成にて
同一圧電基板上に試作した二重モードSAWフィルタF
A、FBのフィルタ特性例を示したものである。圧電基
板として36゜Y-X LiTaO3を用い、アルミニウム合金の電
極膜厚(8.3%λ:λはIDT電極の電極周期)は互い
に同一として、二重モードSAWフィルタFA(FB)
のIDT電極31の対数を15.5対(31.5対)、IDT電
極32、33の対数を10.5対(21.5対)、反射器34
a、34bの本数をそれぞれ100本(100本)、交差長を
58λ(30λ)と設定した場合のそれぞれのフィルタ特性
例で、パスバンド特性と減衰特性とを重ね書きしてあ
る。FIGS. 7 and 8 each show a dual mode SAW filter F prototyped on the same piezoelectric substrate with the configuration shown in FIG.
9 shows an example of filter characteristics of A and FB. A dual-mode SAW filter FA (FB) using 36XYX LiTaO 3 as the piezoelectric substrate, the electrode thickness of the aluminum alloy (8.3% λ: λ is the electrode period of the IDT electrode) is the same as each other.
The number of IDT electrodes 31 is 15.5 (31.5 pairs), the number of IDT electrodes 32 and 33 is 10.5 (21.5 pairs), and the reflector 34
The numbers of a and 34b are each 100 (100), and the intersection length is
In each filter characteristic example when 58 λ (30 λ) is set, the pass band characteristic and the attenuation characteristic are overwritten.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、周波数
帯の近接した2つの二重モードSAWフィルタRA、R
B同士を同一圧電基板上に形成する従来のマルチバンド
RFSAWフィルタにおいては、二重モードSAWフィ
ルタFA(比帯域幅約4%)、FB(比帯域幅約1.7
%)を同時に形成するため、IDT電極の膜厚を同一
(例えば膜厚8.5%λ)にせざるを得ない。周知のよう
に、圧電基板にタンタル酸リチウム(LiTaO3)を用いた
場合、電気機械結合係数は電極膜厚に比例して大きくな
る。このため、二重モードSAWフィルタFAのように
比較的広帯域のフィルタを設計する場合には、電極膜厚
を厚くすることが必要となるが、二重モードSAWフィ
ルタFBのように帯域幅の狭いフィルタを、帯域幅の広
いフィルタFAと同一膜厚で構成すると、図8に示すよ
うに帯域幅が広くなり過ぎ、Pで示す周波数(893MHz)
において減衰規格(10dB以上)を満たすことができ
ないという問題があった。更に、RC帯の二重モードS
AWフィルタFCは周波数が高いため、電極のパターン
は小型化できるものの、実装する際のマウンターの機械
的制約により、基板サイズはさほど小さくすることがで
きない。これは圧電基板をパッケージ内に自動搭載する
ためのマウンターの基本吸引装置との兼ね合いから、フ
ィルタFCの基板サイズを大きくすることになる。即
ち、大きなサイズの圧電基板を吸引してマウントするの
に適した基板吸引装置は、吸引口が大きいため小さな基
板を吸引することができないため、余白部分を大きくし
て基板サイズの大きさを確保しなければならないからで
ある。結果として、マルチバンドRFSAWフィルタを
小型化するには限界があるとう問題もあった。本発明は
上記問題を解決するためになされたものであって、各フ
ィルタの特性を満足しつつ小型なマルチバンドRFSA
Wフィルタを提供することを目的とする。However, two dual-mode SAW filters RA and R having close frequency bands are used.
In a conventional multi-band RF SAW filter in which Bs are formed on the same piezoelectric substrate, a dual mode SAW filter FA (with a specific bandwidth of about 4%) and an FB (with a specific bandwidth of about 1.7%)
%) At the same time, the thickness of the IDT electrode must be the same (for example, 8.5% λ). As is well known, when lithium tantalate (LiTaO 3 ) is used for the piezoelectric substrate, the electromechanical coupling coefficient increases in proportion to the electrode film thickness. For this reason, when designing a relatively wide band filter such as the dual mode SAW filter FA, it is necessary to increase the electrode film thickness, but the bandwidth is narrow as in the dual mode SAW filter FB. If the filter is formed with the same thickness as the filter FA having a wide bandwidth, the bandwidth becomes too wide as shown in FIG. 8 and the frequency indicated by P (893 MHz)
, There is a problem that the attenuation standard (10 dB or more) cannot be satisfied. Furthermore, dual mode S of RC band
Although the frequency of the AW filter FC is high, the electrode pattern can be reduced in size, but the substrate size cannot be reduced so much due to mechanical restrictions of the mounter when mounting. This results in an increase in the size of the substrate of the filter FC in consideration of the basic suction device of the mounter for automatically mounting the piezoelectric substrate in the package. In other words, a substrate suction device suitable for sucking and mounting a large-sized piezoelectric substrate cannot suction a small substrate due to a large suction port. Because you have to do it. As a result, there is a problem that there is a limit in reducing the size of the multi-band RF SAW filter. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has a small multiband RFSA satisfying the characteristics of each filter.
It is intended to provide a W filter.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るマルチバンドRF弾性表面波フィルタの
請求項1記載の発明は、主面上に少なくとも1つの縦結
合多重モード弾性表面波フィルタを形成した複数個の圧
電基板を一つのパッケージに収納したマルチバンドRF
弾性表面波フィルタにおいて、前記圧電基板の一つに互
いに比帯域幅の近接した複数の縦結合多重モード弾性表
面波フィルタを形成すると共に電極膜厚をほぼ等しくし
たことを特徴とするマルチバンドRF弾性表面波フィル
タである。請求項2記載の発明は、前記縦結合多重モー
ド弾性表面波フィルタを1次−3次縦結合二重モード弾
性表面波フィルタとしたことを特徴とする請求項1に記
載のマルチバンドRF弾性表面波フィルタである。請求
項3記載の発明は、通過帯域が810MHz〜843M
Hzである1次−3次縦結合二重モード弾性表面波フィ
ルタを第1の圧電基板上に、通過帯域がそれぞれ870
MHz〜885MHz及び1477MHz〜1501M
Hzである2つの1次−3次縦結合二重モード弾性表面
波フィルタを第2の圧電基板上に形成し、第1及び第2
の圧電基板を一つのパッケージに収納したことを特徴と
するマルチバンドRF弾性表面波フィルタである。請求
項4記載の発明は、通過帯域が925MHz〜960M
Hzである1次−3次縦結合二重モード弾性表面波フィ
ルタを第1の圧電基板上に、通過帯域がそれぞれ893
MHz〜898MHz及び1429MHz〜1453M
Hzである2つの1次−3次縦結合二重モード弾性表面
波フィルタを第2の圧電基板上に形成し、第1及び第2
の圧電基板を一つのパッケージに収納したことを特徴と
するマルチバンドRF弾性表面波フィルタである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a multi-band RF surface acoustic wave filter comprising at least one longitudinally coupled multimode surface acoustic wave on a main surface. Multi-band RF in which a plurality of piezoelectric substrates with filters are housed in one package
In the surface acoustic wave filter, a plurality of longitudinally coupled multi-mode surface acoustic wave filters having a relative bandwidth close to each other are formed on one of the piezoelectric substrates, and the thickness of the electrodes is made substantially equal. This is a surface acoustic wave filter. The invention according to claim 2 is characterized in that the longitudinally coupled multimode surface acoustic wave filter is a first-order to third-order longitudinally coupled dual-mode surface acoustic wave filter. It is a wave filter. The invention according to claim 3 has a pass band of 810 MHz to 843 M
A first- and third-order longitudinally-coupled dual-mode surface acoustic wave filter having a pass band of 870 Hz is provided on the first piezoelectric substrate.
MHz ~ 885MHz and 1477MHz ~ 1501M
The first and second longitudinally-coupled dual-mode surface acoustic wave filters at Hz are formed on the second piezoelectric substrate,
A multi-band RF surface acoustic wave filter characterized in that the piezoelectric substrate described above is housed in one package. The invention according to claim 4 has a pass band of 925 MHz to 960 M
A first-to-third longitudinally-coupled dual-mode surface acoustic wave filter having a pass band of 893 Hz is provided on the first piezoelectric substrate.
MHz ~ 898MHz and 1429MHz ~ 1453M
The first and second longitudinally-coupled dual-mode surface acoustic wave filters at Hz are formed on the second piezoelectric substrate,
A multi-band RF surface acoustic wave filter characterized in that the piezoelectric substrate described above is housed in one package.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係るマ
ルチバンドSAWフィルタの構成を示す平面図であっ
て、パッケージ1と、主面上に二重モードSAWフィル
タFAを形成した圧電基板2と、主面上に2つの二重モ
ードSAWフィルタFB及びFCを形成した圧電基板3
とからなる。接着剤を塗布したパッケージ1の凹陥部4
に圧電基板2と3とを収容して、接着固定すると共に、
二重モードSAWフィルタFAの入出力パッド電極とパ
ッケージ1の入出力端子電極IN1、OUT1とをボン
ディングワイヤ5、6にて接続し、二重モードSAWフ
ィルタFAのアースパッド電極とパッケージ1のアース
電極端子7、7とをボンディングワイヤ8、8にて接続
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail based on an embodiment shown in the drawings. FIG. 1 is a plan view showing the configuration of a multi-band SAW filter according to the present invention, which includes a package 1, a piezoelectric substrate 2 having a dual mode SAW filter FA formed on a main surface, and two piezoelectric substrates 2 formed on a main surface. Piezoelectric substrate 3 on which double mode SAW filters FB and FC are formed
Consists of Recess 4 of package 1 coated with adhesive
The piezoelectric substrates 2 and 3 are accommodated and fixed by bonding.
The input / output pad electrodes of the dual mode SAW filter FA and the input / output terminal electrodes IN1 and OUT1 of the package 1 are connected by bonding wires 5 and 6, and the ground pad electrode of the dual mode SAW filter FA and the ground electrode of the package 1 are connected. The terminals 7, 7 are connected by bonding wires 8, 8.
【0010】更に、二重モードSAWフィルタFAの場
合と同様に、二重モードSAWフィルタFB、FCのそ
れぞれの入出力パッド電極と、パッケージ1の入出力端
子電極IN2、OUT2及びIN3、OUT3とをボン
ディングワイヤ9、10及び11、12にてそれぞれ接
続し、二重モードSAWフィルタFB、FCのそれぞれ
のアースパッド電極と、パッケージ1のアース端子電極
7、7・・とをボンディングワイヤ8、8で接続して、
マルチバンドRFSAWフィルタを構成している。Further, similarly to the case of the dual mode SAW filter FA, the input / output pad electrodes of the dual mode SAW filters FB and FC and the input / output terminal electrodes IN2, OUT2 and IN3 and OUT3 of the package 1 are connected. The bonding wires 9, 10 and 11, 12 are connected to each other, and the ground pad electrodes of the dual mode SAW filters FB, FC and the ground terminal electrodes 7, 7... Of the package 1 are connected by bonding wires 8, 8. Connect,
A multi-band RF SAW filter is configured.
【0011】本発明の特徴は、マルチバンドSAWフィ
ルタを構成するに当たって、同一圧電基板上に中心周波
数の近いもの同士を形成するのではなく、比帯域幅の近
いもの同士、例えばPDCの受信用RFフィルタの例で
は、二重モードSAWフィルタFB及びFCを形成し、
二重モードSAWフィルタRAは他の圧電基板上に形成
したことである。この理由は、前述したように圧電基板
にLiTaO3を用いた場合、電気機械結合係数が膜厚に比例
して大きくなる。つまり、電極膜厚を厚くする程、広帯
域には適するが狭帯域には適さないという性質を備えて
いるからである。従って、比帯域幅の近接した二重モー
ドSAWフィルタFB、FCを同一基板上に形成するこ
とにより、マウンターの制約もなくなって小型化に適す
るだけでなく、電極膜厚を同一に構成できて、製作工程
も簡単になるからである。A feature of the present invention is that in forming a multi-band SAW filter, instead of forming ones having close center frequencies on the same piezoelectric substrate, ones having close fractional bandwidths, for example, a PDC receiving RF. In the example of the filter, forming dual mode SAW filters FB and FC,
The dual mode SAW filter RA is formed on another piezoelectric substrate. The reason is that when LiTaO 3 is used for the piezoelectric substrate as described above, the electromechanical coupling coefficient increases in proportion to the film thickness. In other words, as the thickness of the electrode is increased, it has a property that it is suitable for a wide band but not for a narrow band. Therefore, by forming the dual mode SAW filters FB and FC having close relative bandwidths on the same substrate, not only the mounter is not restricted but suitable for miniaturization, but also the electrode film thickness can be configured to be the same. This is because the manufacturing process is also simplified.
【0012】図2、3はそれぞれ図1に示した構成にて
試作した二重モードSAWフィルタFB、FCのフィル
タ特性例である。同一圧電基板(36゜Y-X LiTaO3)上に
電極膜厚(3.5%λ:λ励起される表面波の波長)を同
一とした二重モードSAWフィルタFB、FCを形成
し、二重モードSAWフィルタFB(FC)のIDT電
極31の対数を31.5対(24.5対)、IDT電極32、3
3の対数を21.5対(16.5対)、反射器34a、34bの
本数をそれぞれ100本(100本)、交差長を30λ(30λ)
と設定した場合のそれぞれのフィルタ特性例を示してい
る。FIGS. 2 and 3 show examples of filter characteristics of the dual mode SAW filters FB and FC which are experimentally produced with the configuration shown in FIG. Double mode SAW filters FB and FC having the same electrode thickness (3.5% λ: wavelength of λ excited surface wave) are formed on the same piezoelectric substrate (36 ゜ YX LiTaO 3 ), and a double mode SAW filter is formed. The number of IDT electrodes 31 of the FB (FC) is 31.5 pairs (24.5 pairs),
The logarithm of 3 is 21.5 pairs (16.5 pairs), the number of reflectors 34a and 34b is 100 each (100), and the intersection length is 30λ (30λ).
Each filter characteristic example in the case of setting is shown.
【0013】図2の特性から明らかなように二重モード
SAWフィルタFBの通過帯域幅も狭まり、Pで示す周
波数(893MHz)において10dB以上の減衰量を確保す
ことができた。そして、図3に示すように、1.5GH
z帯の二重モードSAWフィルタFCのフィルタ特性も
良好である。さらに、二重モードSAWフィルタFB及
びFCを同一圧電基板3上に形成したので、無駄な余白
を設けることなく圧電基板2とほぼ同程度の面積を実現
することができる。適切な基板吸引装置を用いることで
マウンターの運用に何ら支障が無かった。As is apparent from the characteristics shown in FIG. 2, the pass band width of the dual mode SAW filter FB is narrowed, and an attenuation of 10 dB or more can be secured at the frequency indicated by P (893 MHz). Then, as shown in FIG.
The filter characteristics of the z-band dual mode SAW filter FC are also good. Further, since the dual mode SAW filters FB and FC are formed on the same piezoelectric substrate 3, it is possible to realize an area approximately equal to that of the piezoelectric substrate 2 without providing a useless margin. The use of a suitable substrate suction device did not hinder the operation of the mounter.
【0014】以上本発明をPDCシステム受信用のマル
チバンドRFSAWフィルタに適用した場合について説
明したが、送信用マルチバンドRFSAWフィルタにつ
いては、TB帯(925MHz〜960MHz)の二重モードSAW
フィルタを1つの圧電基板上に、TA帯(893MHz〜898M
Hz)とTC帯(1429MHz〜1453MHz)の二重モードSAW
フィルタとを他の一つの圧電基板上に形成すれば、小型
化でしかもフィルタ特性のよいマルチバンドRFSAW
フィルタが構成できる。また、圧電基板にタンタル酸リ
チウムを用いた例について説明したが、ニオブ酸リチウ
ム、四硼酸リチウム、ランガサイト等の圧電基板に適用
できることは説明するまでもない。また、1次−3次縦
結合二重モードSAWフィルタについて説明したが、1
次−2次縦結合二重モードフィルタあるいは、1次−2
次−3次縦結合多重モードSAWフィルタ等にも適用で
きる。The case where the present invention is applied to a multi-band RF SAW filter for receiving a PDC system has been described above. As for a multi-band RF SAW filter for transmission, a dual mode SAW in a TB band (925 MHz to 960 MHz) is used.
The filter is mounted on one piezoelectric substrate in the TA band (893MHz ~ 898M
Hz) and TC band (1429MHz-1453MHz) dual mode SAW
If the filter is formed on another piezoelectric substrate, the size is reduced and the multi-band RF SAW having good filter characteristics is formed.
Filters can be configured. Further, although an example in which lithium tantalate is used for the piezoelectric substrate has been described, it is needless to say that the present invention can be applied to a piezoelectric substrate such as lithium niobate, lithium tetraborate, and langasite. Also, the description has been given of the first-order / third-order longitudinally coupled dual mode SAW filter.
Secondary-secondary longitudinally coupled dual mode filter or primary-two
It can also be applied to a next-to-third-order longitudinally coupled multi-mode SAW filter.
【0015】[0015]
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、請求項1の発明によれば小型でフィルタ特性の優
れたマルチバンドRFSAWフィルタを実現できるとい
う優れた効果を表す。また、請求項2の発明によれば1
次−3次縦結合二重モードSAWフィルタを用いるの
で、帯域幅は広いが小型なマルチバンドRFSAWフィ
ルタを実現できるという優れた効果を表す。また、請求
項3の発明によれば、我が国のPDC方式の携帯電話に
用いる受信用マルチバンドRFSAWフィルタを小型に
実現できるという優れた効果を表す。また、請求項4の
発明に寄れば我が国のPDC方式の携帯電話に用いる送
信用マルチバンドRFSAWフィルタを小型に実現でき
るという優れた効果を表す。As described above, the present invention has an excellent effect that a multi-band RF SAW filter having a small size and excellent filter characteristics can be realized according to the first aspect of the present invention. Further, according to the invention of claim 2, 1
Since the next-third-order longitudinally coupled dual mode SAW filter is used, an excellent effect of realizing a small-sized multi-band RF SAW filter having a wide bandwidth is exhibited. Further, according to the third aspect of the invention, an excellent effect that a multiband RFSAW filter for reception used in a PDC mobile phone in Japan can be realized in a small size can be obtained. Further, according to the invention of claim 4, there is an excellent effect that a transmission multi-band RF SAW filter used in a PDC mobile phone in Japan can be realized in a small size.
【図1】本発明に係るマルチバンドRFSAWフィルタ
の構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a multi-band RF SAW filter according to the present invention.
【図2】RB帯(870MHz〜885MHz)の二重
モードSAWフィルタFBのフィルタ特性を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram illustrating filter characteristics of a dual mode SAW filter FB in an RB band (870 MHz to 885 MHz).
【図3】RC帯(1477MHz〜1501MHz帯)
の二重モードSAWフィルタFCのフィルタ特性を示す
図である。Fig. 3 RC band (1477MHz to 1501MHz band)
FIG. 5 is a diagram showing filter characteristics of the dual mode SAW filter FC.
【図4】携帯電話システム(PDC)の周波数割り当て
の図である。FIG. 4 is a diagram of frequency allocation of a mobile phone system (PDC).
【図5】従来のマルチバンドRFSAWフィルタの構成
を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a configuration of a conventional multi-band RF SAW filter.
【図6】従来の1次−3次縦結合二重モードSAWフィ
ルタの電極構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an electrode configuration of a conventional primary-tertiary-order longitudinally coupled dual-mode SAW filter.
【図7】RA帯(810MHz〜843MHz)の二重
モードSAWフィルタFAのフィルタ特性を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram illustrating filter characteristics of a dual-mode SAW filter FA in the RA band (810 MHz to 843 MHz).
【図8】RA帯のフィルタと電極膜厚を同一にしたRB
帯の二重モードSAWフィルタFBのフィルタ特性を示
す図である。FIG. 8 shows an RB having the same electrode thickness as an RA band filter.
FIG. 9 is a diagram illustrating filter characteristics of a band dual mode SAW filter FB.
1・・パッケージ 2、3・・圧電基板 4・・パッケージの凹陥部 5、6、9、10、11、12・・入出力用のボンディ
ングワイヤ 7・・パッケージの接地端子電極 8・・接地用ボンディングワイヤ IN1、IN2、IN3・・パッケージ入力端子電極 OUT1、OUT2、OUT3・・パッケージ出力端子
電極 FA、FB、FC・・二重モードSAWフィルタ1. Package 2, 3, Piezoelectric substrate 4, Package recess 5, 6, 9, 10, 11, 12, Bonding wire for input / output 7, Ground terminal electrode of package 8, Ground Bonding wire IN1, IN2, IN3 Package input terminal electrode OUT1, OUT2, OUT3 Package output terminal electrode FA, FB, FC ... Dual mode SAW filter
Claims (4)
ード弾性表面波フィルタを形成した複数個の圧電基板を
一つのパッケージに収納したマルチバンドRF弾性表面
波フィルタにおいて、 前記圧電基板の一つに互いに比帯域幅の近接した複数の
縦結合多重モード弾性表面波フィルタを形成すると共に
電極膜厚をほぼ等しくしたことを特徴とするマルチバン
ドRF弾性表面波フィルタ。1. A multi-band RF surface acoustic wave filter in which a plurality of piezoelectric substrates having at least one longitudinally coupled multi-mode surface acoustic wave filter formed on a main surface are housed in one package. A multi-band RF surface acoustic wave filter characterized by forming a plurality of longitudinally coupled multi-mode surface acoustic wave filters having specific bandwidths close to each other and making electrode thicknesses substantially equal.
タを1次−3次縦結合二重モード弾性表面波フィルタと
したことを特徴とする請求項1に記載のマルチバンドR
F弾性表面波フィルタ。2. The multi-band R according to claim 1, wherein the longitudinally-coupled multi-mode surface acoustic wave filter is a first-order / third-order longitudinally-coupled dual-mode surface acoustic wave filter.
F surface acoustic wave filter.
である1次−3次縦結合二重モード弾性表面波フィルタ
を第1の圧電基板上に、通過帯域がそれぞれ870MH
z〜885MHz及び1477MHz〜1501MHz
である2つの1次−3次縦結合二重モード弾性表面波フ
ィルタを第2の圧電基板上に形成し、第1及び第2の圧
電基板を一つのパッケージに収納したことを特徴とする
マルチバンドRF弾性表面波フィルタ。3. A pass band of 810 MHz to 843 MHz.
Are placed on the first piezoelectric substrate with a pass band of 870 MHz.
z ~ 885MHz and 1477MHz ~ 1501MHz
Wherein two first- and third-order longitudinally-coupled double-mode surface acoustic wave filters are formed on a second piezoelectric substrate, and the first and second piezoelectric substrates are housed in one package. Band RF surface acoustic wave filter.
である1次−3次縦結合二重モード弾性表面波フィルタ
を第1の圧電基板上に、通過帯域がそれぞれ893MH
z〜898MHz及び1429MHz〜1453MHz
である2つの1次−3次縦結合二重モード弾性表面波フ
ィルタを第2の圧電基板上に形成し、第1及び第2の圧
電基板を一つのパッケージに収納したことを特徴とする
マルチバンドRF弾性表面波フィルタ。4. A pass band of 925 MHz to 960 MHz.
And a third-order longitudinally coupled double-mode surface acoustic wave filter having a pass band of 893 MHZ on the first piezoelectric substrate.
z ~ 898MHz and 1429MHz ~ 1453MHz
Wherein two first- and third-order longitudinally-coupled double-mode surface acoustic wave filters are formed on a second piezoelectric substrate, and the first and second piezoelectric substrates are housed in one package. Band RF surface acoustic wave filter.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004032116A (en) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Japan Radio Co Ltd | Surface acoustic wave filter |
JP2013046106A (en) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | Communication module |
KR101302132B1 (en) * | 2006-02-06 | 2013-09-03 | 삼성전자주식회사 | Filter module providing function related to multi band and method thereof |
-
2000
- 2000-09-25 JP JP2000290953A patent/JP2002100960A/en active Pending
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