JP2002098844A - ヒータモジュール及び光導波路モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 消費電力及び光導波路モジュールの厚さを保
ちつつ、光導波路の温度均一性を向上させることが可能
なヒータモジュールを提供する。 【解決手段】 本発明に係るヒータモジュール２０は、
光導波路素子を加熱して光導波路素子１２の温度調節を
するためのヒータモジュール２０であって、通電により
発熱する発熱回路２２と、発熱回路２２の上面に設けら
れると共に、光導波路素子１２を載置するための凹溝部
が形成された伝熱部２１とを備える。凹溝部が形成され
た伝熱部２１の底面に光導波路素子１２を載置すること
により、光導波路素子１２を底面からのみではなく、凹
溝部を構成する縁部によって側面からも加熱することが
できるので、温度均一性を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路素子を加
熱して前記光導波路素子の温度調節をするためのヒータ
モジュール、及びこれを備えた光導波路素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】光導波路モジュールにおいて、光導波路
素子内部の温度分布が大きいと、場所によって基板の熱
膨張差によって光導波路の寸法が変化して波長選択性や
スイッチング特性に支障を来してしまうため、光導波路
素子内部における温度の均一性が要求されている。

【０００３】従来から、光導波路素子の温度調節用デバ
イスとしてペルチェ素子及びヒータが利用されている。
しかし、光導波路モジュールでは、外部機器との光信号
の伝達に用いる光ファイバをモジュール内部に引き込む
必要があるため、引き込み部分において気密封止が困難
である。このため、ペルチェ素子の信頼性確保が不可能
であり、温度調節用デバイスとしてヒータが用いられる
場合が多い。ヒータは、通電されることによって発熱す
る発熱回路（抵抗）を絶縁層の内部に有しており、発熱
回路からの熱が絶縁層を介して光導波路素子に伝達され
るものである。

【０００４】従来は、比較的熱伝導率の低いアルミナ
（熱伝導率２０W／ｍK）等のセラミックスヒータを用い
ることが多かった。しかしながら、昨今特に、光通信の
分野では大容量化、高速通信化の傾向が顕著になってき
ており、最近ではＤ−ＷＤＭ（高密度−波長多重通信）
への移行に伴って、大面積の光導波路素子が使用される
ようになってきた。さらには、ある周波数幅に対して
も、従来に比べて、さらに多くの信号を多重化したいと
いう要求が強くなってきており、温度均一性への要求が
高くなってきている。このため、光導波路素子内部にお
ける温度均一性をさらに高める（±０．５℃以下）こと
が望まれている。

【０００５】このような光導波路素子の温度均一性の要
求を満たすため、現在２つの方式が検討されている。第
１の方式は、熱伝導率が良いＣｕ合金等を用いた均熱板
を用いる方法である。アルミナヒータで発生した熱を均
熱板によって一旦均一に拡散させてから、光導波路素子
へ伝達することによって温度均一性を向上させる方法で
ある。第２の方式は、ヒータ自体を、従来用いられてき
たアルミナの約１０倍の熱伝導率を有するＡｌＮ（熱伝
導率１７０Ｗ／ｍＫ）等で形成して、ヒータで発熱した
熱をヒータ自体で均一に拡散させてから、光導波路素子
へ伝達することによって温度均一製を向上させる方法で
ある。これらの方法を採用することによって、光導波路
素子の温度分布を±０．５℃以下にすることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近Ｄ
−ＷＤＭへの要求が急激に厳しくなっており、さらなる
多重化が渇望されている。これに伴って、光導波路素子
には、従来に比べて高い温度均一性が求められている。
さらには、光スイッチング等を駆使し、電気的な素子を
一切使用しないフォトニックネットワークが検討されて
おり、これを実現するために光導波路素子として従来の
石英、シリカとは異なったＬｉＮｂＯ₃や、樹脂導波路
などの新たな材料を用いた素子が検討されている。これ
らの素子は従来に比べて、より厳しい温度均一性が求め
られ、光導波路素子には±０．１℃以下の温度均一性が
求められる場合がある。

【０００７】このような課題を解決するために、図７に
示すように、セラミックスヒータ７３の厚みや、均熱板
７２の厚みを厚くすると、光導波路素子７１の温度均一
性が向上することを利用して、±０．１℃以下の温度均
一性を実現しようとする試みを行ってみたところ、光導
波路素子７１においてセラミックスヒータ７３や均熱板
７２と接合している面の温度均一性は保たれるものの、
セラミックスヒータ７３や均熱板７２と接合しているの
と反対の面は、環境温度にさらされて光導波路素子７１
が冷却され、±０．１℃以内の温度均一性を実現するこ
とはできなかった。

【０００８】上記のように光導波路素子７１の上部が冷
却されないようにするために、光導波路素子７１の上下
面の両方からヒータによって加熱する方法や、加熱ヒー
タをセラミックスではなく、図８に示すように自由に曲
げることのできるシリコーン７４やポリイミドヒータに
よって構成し、ヒータを筒状に加工してその中心部に光
導波路素子７１を設置する方法が考えられる。

【０００９】しかしながら、上記の手法では、光導波路
素子７１だけではなく光モジュール全体を加熱すること
になり、光導波路素子７１の下面からのみ加熱する場合
と比較して、消費電力が約２倍以上に増大するという問
題がある。また、光導波路モジュールの厚みが厚くなる
ことが避けられないという問題もある。光導波路モジュ
ールに要求される厚みは、光導波素モジュール以外のモ
ジュールの厚みとして、一般的な１０ｍｍ程度である
が、上記の手法では、光導波路モジュールの厚みは２０
〜３０ｍｍ程度となってしまう。このため、光導波路モ
ジュールを搭載する装置では、他の装置だけで構成する
装置を設計する場合の設計ルールが適用できず、特別が
設計が必要となり、設計効率、設計コスト、ひいては装
置全体のコストが上昇してしまう。

【００１０】そこで、本発明は上記課題を解決し、消費
電力及び光導波路モジュールの厚さを保ちつつ、光導波
路の温度均一性を向上させることが可能なヒータモジュ
ール及びこれを備えた光導波路モジュールを提供するこ
とを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係るヒータモジ
ュールは、光導波路素子を加熱して光導波路素子の温度
調節をするためのヒータモジュールであって、通電によ
り発熱する発熱回路と、発熱回路の上面に設けられると
共に、光導波路素子を載置するための凹溝部が形成され
た伝熱部とを備えることを特徴とする。

【００１２】本発明においては、光導波路素子を加熱す
るための伝熱部に凹溝部が形成され、この凹溝部に光導
波路素子を載置することとなる。このような構成によ
り、光導波路素子を底面からのみではなく、凹溝部を構
成する縁部によって側面からも加熱することができるの
で、温度均一性を高めることができることを本発明者ら
は見出した。また、本発明の構成によれば、一体の伝熱
部に形成された凹溝部の縁部から伝熱されるので、図９
に示すように光導波路素子７１の底面及び側面にそれぞ
れ発熱用のヒータ７５を設ける必要がない。また、光導
波路素子は、伝熱部に形成された凹溝部に挿入するよう
にして載置可能であるため、光導波路素子の上面を加熱
するための伝熱部は必要なく、簡便な構成で温度均一性
を高めることができるヒータモジュールを実現できる。
これにより、光導波路素子を用いた光導波路モジュール
の厚さを、伝熱部に単に光導波路素子を載置する場合と
同等に保つことができる。

【００１３】また、上記ヒータモジュールにおいて、伝
熱部は、ＡｌＮセラミックスによって構成されているこ
とを特徴としても良い。

【００１４】このように伝熱部を熱伝導率の高いＡｌＮ
セラミックスで構成することにより、加熱される光導波
路素子の温度均一性をさらに高めることができる。

【００１５】また、上記ヒータモジュールは、発熱回路
と伝熱部との間に絶縁層が設けられていることが好まし
い。

【００１６】本発明に係る光導波路モジュールは、上記
ヒータモジュールと、伝熱部に形成された凹溝部に載置
された光導波路素子と、ヒータモジュール及び光導波路
素子を収容する筐体とを備えることを特徴とする。

【００１７】このように上記のヒータモジュールを用い
て光導波路素子を加熱する光導波路モジュールを構成す
ることにより、光導波路素子の温度均一性を高めること
ができると共に、簡便な構成で光導波路モジュールを実
現でき、光導波路モジュールの厚さを、単に伝熱部に光
導波路素子を載置する場合と同等に保つことができる。

【００１８】また、上記光導波路モジュールにおいて、
凹溝部の縁部と光導波路素子との間に画成される空間に
は、気体状の媒体が介在され、凹溝部を構成する縁部の
上面は、凹溝部の底面に載置された光導波路素子の上面
より高いか、あるいは、光導波路素子の上面との高低差
が０．１ｍｍ以下、又は光導波路素子の高さの１／１０
以下であることが好ましい。

【００１９】凹溝部の縁部の役割は、伝熱部に伝熱され
ている熱を光導波路素子に伝えることであり、縁部から
の熱は光導波路素子と縁部との間に充填された気体状の
媒体を通じて伝達される。縁部の上面が光導波路素子の
上面より低い場合には、縁部の上面の高さまでは光導波
路素子に熱が伝達されるが、縁部より高い部分について
は光導波路素子に熱が伝達されない。この場合には、環
境温度によって光導波路素子の上面は冷却されることと
なる。この縁部の高さと温度均一性との関係をシミュレ
ーションした結果、縁部の上面が光導波路素子の上面よ
り高いか、あるいは光導波路素子の上面の方が縁部より
高い場合には、その差は０．１ｍｍ以下、または光導波
路素子の高さの１／１０以下である場合に、所望の温度
均一性（±０．１℃以下）を実現することができること
が明らかになっている。

【００２０】また、上記光導波路モジュールにおいて、
凹溝部の縁部と光導波路素子との間に画成される空間に
は気体状の媒体が介在され、縁部と光導波路素子との間
に画成された空間の幅は、０．０２ｍｍ以上、１．０ｍ
ｍ以下であることが好ましい。

【００２１】縁部と伝熱部との空間の幅が０．０２ｍｍ
より小さい場合には、伝熱部の加工精度の問題で伝熱部
と光導波路素子とが部分的に接触する部分が生じるた
め、光導波路素子の温度均一性を確保することができな
い。また、縁部と伝熱部との空間の幅が１．０ｍｍより
大きい場合には、光導波路モジュール内において部分的
な温度差等の原因で対流が生じた場合に光導波路素子の
側面に効率的に熱を伝達することができず、温度均一性
を確保することができない。従って、縁部と伝熱部との
空間の幅は、０．０２ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下である
ことが好ましい。さらに、光導波路モジュールの構造に
よれば、空間に対流の影響を与えないためには、空間の
幅を０．５ｍｍ以下にすることが望ましい。

【００２２】また、上記光導波路モジュールは、縁部と
光導波路素子との間に画成される空間に介在された樹脂
をさらに備えることを特徴としても良い。

【００２３】このように縁部と光導波路素子との間に画
成された空間に樹脂を介在させることにより、樹脂によ
って伝熱部から光導波路素子に熱を伝達させることがで
きる。

【００２４】また、上記光導波路モジュールにおいて、
樹脂は、グリース状の物質から構成されることを特徴と
しても良い。

【００２５】このようにグリース状の樹脂を用いること
により、光導波路素子の側面に熱応力が作用しないた
め、応力に敏感な光導波路素子を用いた場合であって
も、光導波路素子が破損する危険を低減することができ
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明に係る光
導波路モジュールの好適な実施形態について詳細に説明
する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符
号を付し、重複する説明を省略する。

【００２７】図１は、第１実施形態に係る光導波路モジ
ュール１０の構成を示す斜視図、図２は光導波路モジュ
ール１０のII−II方向の断面図、図３は光導波路モジュ
ール１０のIII−III方向の断面図、図４は筐体３０につ
いて説明する説明図である。光導波路モジュール１０
は、５０×１０×１ｍｍの石英製の光導波路素子１２
と、光導波路素子１２を加熱するためのヒータモジュー
ル２０と、光導波路素子１２及びヒータモジュール２０
を収容する筐体３０とを備えている。

【００２８】図２に示すように、ヒータモジュール２０
は、０．５〜１０Ωの抵抗を有して通電により発熱する
発熱回路２２と、発熱回路２２の上面に設けられた伝熱
部２１とから構成されている。発熱回路２２は、タング
ステン、モリブデン、銀バラジウム等で形成され、発熱
回路２２の両端には発熱回路２２に電流を流すための電
極２３が設けられている。発熱回路２２の上面に設けら
れた伝熱部２１は、熱伝導性の高いＡｌＮセラミックス
層２１によって形成されている。図３に示すように、伝
熱部２１には凹溝部が形成されており、光導波路素子１
２は凹溝部を構成する縁部２１ａに挟まれるようにし
て、凹溝部の底面２１ｂに載置される。載置された光導
波路素子１２と凹溝部の底面２１ｂとの間及び光導波路
素子１２と縁部２１ａとの間には、樹脂４１が充填され
る。発熱回路２２から伝達された熱は、当該ＡｌＮセラ
ミックス層２１内でほぼ均一に拡散する。これにより、
凹溝部の底面２１ｂ及び縁部２１ａから樹脂４１を介し
て熱が伝達し、ＡｌＮセラミックス層２１の上面に載置
される光導波路素子１２は均一に加熱され、光導波路素
子１２の温度均一性を高めることができる。また、Ａｌ
Ｎセラミックスは耐湿性が高いため、長期の連続使用に
よっても発熱回路２２の抵抗値が変化せず、高い信頼性
が得られる。ここで、ヒータモジュール２０の製造方法
について説明する。まず、ＡｌＮセラミックスのプリフ
ォームシートに発熱回路２２と、電極２３とをＷペース
トによって印刷する。続いて、発熱回路２２の上面にＡ
ｌＮセラミックスのプリフォームシートを貼り付けて、
ヒータモジュール２０の仮成形体を製造する。そして、
この仮成形体を１７００℃以上の窒素雰囲気中で焼結
し、ＡｌＮセラミックスに凹溝部を形成してヒータモジ
ュール２０が完成する。このヒータモジュール２０に光
導波路素子１２を載置する際には、例えば、光導波路素
子１２と凹溝部底面２１ｂとの接合の際に使用する樹脂
量を多めに設定しておき、光導波路素子１２と伝熱部２
１とを接合するときに樹脂４１があふれるようにして、
あふれた樹脂４１を利用して光導波路素子１２と凹溝部
の縁部２１ａとの空間を充填する。本実施形態で用いら
れる樹脂４１はシリコーン樹脂であるが、エポキシ樹脂
を用いることも可能である。さらには、光導波路素子１
２へ作用する応力を低減するため、光導波路素子１２の
側面に接する樹脂４１をグリース状の樹脂にするなど、
一部分をグリースに置き換えることも可能である。

【００２９】筐体３０は、発熱回路２２に通電させるた
めのリードピン３２が半田付けされると共にヒータモジ
ュール２０を支持するためのパッケージ基板３１と、当
該パッケージ基板３１に被せられるカバー３５とから構
成されている（図１参照）。なお、パッケージ全体の寸
法としては、１００×５０×１０ｍｍである。図４に示
すように、筐体３０のカバー３５の対向する二面には、
光ファイバ１４を挿通させるための挿通口３５ａが形成
されている。パッケージ基板３１は、リードピン３２が
半田付けされる平板３１ａと、平板３１ａの両下端に接
着された支持板３１ｂとを有している（図２参照）。こ
のように支持板３１ｂを設けることにより、光導波路モ
ジュール１０をシステム用のボード等に実装する場合
に、リードピン３２に過大な負荷がかかることを防止で
きる。また、カバー３５とパッケージ基板３１とは、樹
脂によって接着される。本実施形態において用いられる
樹脂は、接合時の変形防止に効果のあるシリコーン樹脂
であるが、エポキシ樹脂を用いることも可能である。さ
らに、カバー３５及びパッケージ基板３１は、銅タング
ステンを主成分として形成されている。このため、筐体
３０における温度均一性が高く、光導波路素子１２の温
度均一性を向上させることができる。尚、筐体３０を、
コバルト、鉄、ニッケル、アルミナ、又は窒化アルミニ
ウムを主成分として形成しても、同様の効果が得られ
る。また、筐体３０を、断熱性の高い材料である樹脂又
はシリカガラスを主成分として形成した場合は、筐体３
０内の熱が外部に放出されることを抑制でき、光導波路
素子１２の温度低下を防止できる。

【００３０】本実施形態に係る光導波路モジュール１０
は、光導波路素子１２を加熱するヒータモジュールの伝
熱部２１に凹溝部が形成されており、この凹溝部に光導
波路素子１２を載置している。これにより、光導波路素
子１２は、凹溝部の底面２１ｂ及び縁部２１ａから加熱
され、光導波路素子１２の温度均一性を高めることがで
きる。ヒータモジュール２０の温度を８０℃、環境温度
を０℃の条件で、光導波路素子１２の温度均一性をサー
モビューアで観察したところ、温度分布を±０．１℃に
抑えることができた。また、温度制御性については、−
４０〜７０℃の範囲で変化させた場合にも±０．２以下
の温度変化しか示さず、外温の影響を受けにくいことが
判明した。また、ヒータモジュール２０及び光導波路素
子１２の反りが少なく、光導波路特性に異方性は観測さ
れず、ロスの増大やスイッチング特性、複屈折による偏
波依存等の問題は生じなかった。

【００３１】また、本実施形態に係る光モジュールは、
一の発熱回路２２によって光導波路素子１２を縁部２１
ａ及び底面２１ｂから加熱することができるので、消費
電力を抑制しつつ温度均一性の向上を図ることができ
る。上記の条件で行った実験では、消費電力は３Ｗ以下
であった。

【００３２】次に、本発明の第２実施形態に係る光導波
路モジュール５０について説明する。図５は第２実施形
態に係る光導波路モジュール５０を示す斜視図、図６は
光導波路モジュール５０のVI−VI断面図である。第２実
施形態に係る光導波路モジュール５０は、第１実施形態
に係る光導波路モジュール１０と基本的な構成は同じで
あるが、光導波路素子１２を加熱するヒータモジュール
６０の構成が異なる。

【００３３】第２実施形態におけるヒータモジュール６
０は、図６に示すように、通電により発熱回路６２と、
発熱回路６２の上面に設けられた絶縁層６１と、絶縁層
６１の上面に樹脂６４を介して設けられた均熱板６５と
を有している。発熱回路６２は、タングステン、モリブ
デン、銀バラジウム等で形成され、発熱回路６２の両端
には発熱回路６２に電流を流すための電極６３が設けら
れている。発熱回路６２の上面に設けられた絶縁層６１
はアルミナセラミックスからなり、絶縁層６１の上面に
設けられた均熱板６５はＣｕ合金からなる。図５に示す
ように、均熱板６５には凹溝部が形成されており、光導
波路素子１２は凹溝部を構成する縁部に挟まれるように
して、凹溝部の底面に載置される。発熱回路６２から伝
達された熱は、当該均熱板６５内でほぼ均一に拡散す
る。これにより、均熱板６５の上面に載置される光導波
路素子１２に対し、その底面及び縁部から熱が伝達して
均一に加熱され、光導波路素子１２の温度均一性を高め
ることができる。

【００３４】このように構成されたヒータモジュール６
０を有する光導波路モジュール５０においても、第１実
施形態に係る光導波路モジュール１０と同様に、光導波
路素子１２の温度均一性を高めるという効果が得られ
る。なお、本実施形態においては、絶縁層６１がアルミ
ナセラミックス製のセラミックスヒータを用いたが、他
のセラミックス、例えばＡｌＮセラミックでも良く、ま
た、セラミックスに代えて、シリコーンラバー、ポリイ
ミドを用いることとしても、第２実施形態に係る光導波
路モジュール５０とほぼ同様の結果が得ることができ
る。さらに均熱板６５はＣｕ合金に限られるものでな
く、Ａｌ合金等の高熱伝導性の金属でも良い。

【００３５】次に、本発明の第３実施形態に係る光導波
路モジュールについて説明する。第３実施形態に係る光
導波路モジュールは、第２実施形態に係る光導波路モジ
ュール５０と基本的な構成は同じであるが、凹溝部を構
成する縁部２１ａと光導波路素子１２との空間に充填さ
れた樹脂４１に代えて、空気が充填されている点が異な
る。

【００３６】このような構成の光導波路モジュールにお
いて、凹溝部の縁部と光導波路素子との空間の幅（図３
に示す幅Ｄに相当する）を変化させて、光導波路素子の
温度均一性を測定した実験１の結果を表１に示す。ここ
では、光導波路素子の上面と凹溝部の縁部２１ａの上面
の高さは等しいとする。

【００３７】

【表１】

【００３８】この表からわかるように、凹溝部の縁部２
１ａと光導波路素子との空間の幅が０．０２以上、１．
０ｍｍ以下である場合に、温度均一性±０．１℃を達成
できる。

【００３９】また、実験１において、光導波路モジュー
ルの外部を風速５ｍ／ｓで強制空冷した実験２の結果を
表２に示す。

【００４０】

【表２】

【００４１】この表からわかるように、凹溝部の縁部２
１ａと光導波路素子との空間の幅が０．０２以上、０．
５ｍｍ以下である場合に、温度均一性±０．１℃を達成
できる。

【００４２】次に、第３実施形態に係る光導波路モジュ
ールにおいて、凹溝部の縁部２１ａの高さと光導波路素
子の高さとを相対的に変化させて、光導波路素子の温度
均一性を測定した実験３の結果を表３に示す。ここで
は、光導波路素子の高さを１．２ｍｍ光導波路素子と凹
溝部の縁部２１ａとの空間の幅は０．１ｍｍとした。

【００４３】

【表３】

【００４４】この表からわかるように、光導波路素子の
方が凹溝部の縁部２１ａより高い場合には、その差が光
導波路素子の厚さの１／１０である０．１ｍｍ以下にす
ることにより、温度均一性±０．１℃以下を達成でき
る。

【００４５】次に、第３実施形態に係る光導波路モジュ
ールにおいて、凹溝部の縁部２１ａの高さと光導波路素
子の高さとを相対的に変化させて、光導波路素子の温度
均一性を測定した実験４の結果を表４に示す。ここで
は、光導波路素子の高さを０．５ｍｍ、光導波路素子と
凹溝部の縁部２１ａとの空間の幅は０．１ｍｍとした。

【００４６】

【表４】

【００４７】この表からわかるように、光導波路素子の
方が凹溝部の縁部２１ａより高い場合、その差が０．１
ｍｍ以下であれば、光導波路素子の高さの１／１０以下
でなくとも、温度均一性±０．１℃以下を達成できる。

【００４８】また、実験３において、光導波路素子の高
さを凹溝部の縁部２１ａの高さより低くした実験５の結
果を表５に示す。

【００４９】

【表５】

【００５０】この表からわかるように、凹溝部の縁部２
１ａの方が光導波路素子より高い場合には、温度均一性
±０．１℃以下を達成できる。

【００５１】以上、本発明の実施形態について詳細に説
明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されるもの
ではない。

【００５２】上記実施形態において、光導波路素子は石
英製であるが、光導波路素子は石英製に限られない。例
えば、樹脂製、シリカ製、ＬｉＮｂＯ₃製の光導波路素
子を用いることとしても良い。

【００５３】また、光導波路素子の寸法についても変更
することは可能である。

【００５４】さらに、接合等に用いられる樹脂、筐体等
に用いられる材質に関しても上記実施形態に限定されな
い。

【００５５】

【発明の効果】本発明によれば、ヒータモジュールを構
成する伝熱部に凹溝部が形成されており、当該凹溝部に
光導波路素子を挿入するように載置することによって、
光導波路素子を底面及び側面から加熱する。これによ
り、光導波路素子の温度均一性を向上させることができ
る。

【００５６】また、本発明によれば、光導波路素子全体
を加熱する構造とはなっていないので、光導波路素子を
加熱するための消費電力を低減させることができる。さ
らに、光導波路モジュールの厚さを、伝熱部に単に光導
波路素子が載置されている場合と同等に保つことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態に係る光導波路モジュールを示す
分解斜視図である。

【図２】第１実施形態に係る光導波路モジュールを示す
断面図である。

【図３】第１実施形態に係る光導波路モジュールを示す
断面図である。

【図４】光導波路モジュールの筐体について説明する説
明図である。

【図５】第２実施形態に係る光導波路モジュールを示す
分解斜視図である。

【図６】第２実施形態に係る光導波路モジュールを示す
断面図である。

【図７】従来のヒータモジュールを示す図である。

【図８】従来のヒータモジュールを示す図である。

【図９】従来のヒータモジュールを示す図である。

【符号の説明】

１０・・・光導波路モジュール、１２・・・光導波路素子、１
４・・・光ファイバ、２０・・・ヒータモジュール、２１・・・
ＡｌＮセラミックス層、２２・・・発熱回路、２３・・・電
極、３０・・・筐体、３１・・・パッケージ基板、３２・・・リ
ードピン、３３・・・スペーサ、３５・・・カバー、４１・・・
樹脂。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 齊藤 裕久 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 Ｆターム(参考） 2H047 LA18 MA05 TA11 TA13

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光導波路素子を加熱して前記光導波路素
   子の温度調節をするためのヒータモジュールであって、 通電により発熱する発熱回路と、 前記発熱回路の上面に設けられると共に、前記光導波路
   素子を載置するための凹溝部が形成された伝熱部と、 を備えることを特徴とするヒータモジュール。
2. 【請求項２】 前記伝熱部は、ＡｌＮセラミックスによ
   って構成されていることを特徴とする請求項１に記載の
   ヒータモジュール。
3. 【請求項３】 前記発熱回路と前記伝熱部との間に絶縁
   層が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に
   記載のヒータモジュール。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか一項に記載のヒ
   ータモジュールと、 前記伝熱部に形成された凹溝部に載置された光導波路素
   子と、 前記ヒータモジュール及び前記光導波路素子を収容する
   筐体と、 を備えることを特徴とする光導波路モジュール。
5. 【請求項５】 前記凹溝部の縁部と前記光導波路素子と
   の間に画成される空間には、気体状の媒体が介在され、 前記凹溝部を構成する縁部の上面は、前記凹溝部の底面
   に載置された前記光導波路素子の上面より高いか、ある
   いは、前記光導波路素子の上面との高低差が０．１ｍｍ
   以下、又は前記光導波路素子の高さの１／１０以下であ
   ることを特徴とする請求項４に記載の光導波路モジュー
   ル。
6. 【請求項６】 前記凹溝部の縁部と前記光導波路素子と
   の間に画成される空間には、気体状の媒体が介在され、 前記縁部と前記光導波路素子との間に画成された空間の
   幅は、０．０２ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下であることを
   特徴とする請求項４に記載の光導波路モジュール。
7. 【請求項７】 前記縁部と前記光導波路素子との間に画
   成される空間に介在された樹脂をさらに備えることを特
   徴とする請求項４に記載の光導波路モジュール。
8. 【請求項８】 前記樹脂は、グリース状の物質からなる
   ことを特徴とする請求項７に記載の光導波路モジュー
   ル。