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JP2002090749A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法

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Publication number
JP2002090749A
JP2002090749A JP2000275708A JP2000275708A JP2002090749A JP 2002090749 A JP2002090749 A JP 2002090749A JP 2000275708 A JP2000275708 A JP 2000275708A JP 2000275708 A JP2000275708 A JP 2000275708A JP 2002090749 A JP2002090749 A JP 2002090749A
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JP
Japan
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liquid crystal
tft
crystal display
display device
barrier
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000275708A
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English (en)
Inventor
Koichi Matsumoto
公一 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Priority to KR10-2001-0055783A priority patent/KR100458994B1/ko
Priority to TW090122554A priority patent/TW583448B/zh
Priority to US09/949,633 priority patent/US6873385B2/en
Publication of JP2002090749A publication Critical patent/JP2002090749A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配向膜の削れカスをＴＦＴ基板のＴＦＴの周
囲のみに集中的に蓄積させる。 【解決手段】 開示される液晶表示装置は、ＴＦＴ基板
１上のＴＦＴ３２のバックチャネル３４上の段差部分３
３を含むＴＦＴ３２の周囲を覆い、かつラビング方向２
６の下流側の位置にフォトレジスト膜（感光性樹脂）等
から成る障壁１０が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置及
びその製造方法に係り、詳しくは、ＴＦＴ（ThinFilm T
ransistor：薄膜トランジスタ）基板上のＴＦＴを覆う
ように配向膜が形成される液晶表示装置及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の情報機器等のディスプレイ装置と
して液晶表示装置が広く用いられている。液晶表示装置
は、スイッチング素子として動作するＴＦＴが形成され
たＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶が挟持されて構
成されている。このような液晶表示装置は、表示方式の
違いにより、ＴＮ(Twisted Nematic)形とＩＰＳ(In-Pla
ne Switching)形とに大別される。
【０００３】ＴＮ形の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板上に
画素電極を配置するとともに、対向基板上に共通電極を
配置した構造を有しており、両電極間に駆動電圧を印加
して基板に対して縦方向電界を発生させて動作させる。
一方、ＩＰＳ形の液晶表示装置は、両基板の内片方側例
えばＴＦＴ基板側に、画素電極と共通電極との両電極を
平面的に対向するように配置した構造を有しており、両
電極間に駆動電圧を印加して基板に対して横方向電界を
発生させて動作させる。これにより、ＩＰＳ形では、基
板表面に沿って液晶分子の配列方向が発生するので、こ
の原理に基づいてＴＮ形に比較して広い視野角が得られ
るという利点を有している。したがって、ＩＰＳ形の液
晶表示装置は好んで採用されつつある。
【０００４】図２９は、従来のＩＰＳ形の液晶表示装置
の構成を示す平面図、図３０は図２９のＮ−Ｎ矢視断面
図、図３１は同液晶表示装置の主要部であるゲート電極
付近の構成を示す平面図、図３２は図３１のＯ−Ｏ矢視
断面図である。なお、図３２はＴＦＴ基板のみを示して
いる。同液晶表示装置は、図２９〜図３２に示すよう
に、ＴＦＴ基板５１と対向基板５２との間に液晶５３が
挟持され、ＴＦＴ基板５１は、ガラス等から成る第一の
透明基板５４と、この第一の透明基板５４の裏面に形成
された第一の偏光板５５と、第一の透明基板５４の表面
に部分的に形成されたＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ等から成るゲー
ト電極５６と、ゲート電極５６を覆うように形成された
ＳｉＯ2及びＳｉＮの積層膜等から成る層間絶縁膜５７
と、層間絶縁膜５７上に形成されたａ−Ｓｉ（アモルフ
ァスシリコン）膜等から成る半導体層５８と、半導体層
５８の両端部に形成されたｎ+型ａ−Ｓｉ膜等から成る
オーミック層５９Ａ、５９Ｂと、各オーミック層５９
Ａ、５９Ｂに接続されるように形成されたＣｒ、Ｍｏ等
から成るドレイン電極６１及びソース電極６２と、全面
に形成されたＳｉＮ等から成るパッシベーション膜６３
と、パッシベーション膜６３を覆うように形成されたポ
リイミド等から成る第一の配向膜６４とから構成されて
いる。
【０００５】また、ＴＦＴ基板５１上には、図２９及び
図３１に示すように、データ線７３がゲート電極５６と
直交する方向（長手方向）にドレイン電極６１と接続さ
れるように形成されるとともに、画素電極７４がソース
電極６２と接続されるように形成されている。ここで、
画素電極７４はソース電極６２と同一材料を用いて同一
工程で形成される。また、共通電極７５が平面的に画素
電極７４と対向するように形成されている。ここで、共
通電極７５はゲート電極５６と同一材料が用いられて同
一工程で形成される。符号７６は、ＴＦＴ基板５１上の
第一の配向膜６４に対してラビング処理を行うラビング
方向を示している。このラビング方向７６は、液晶５３
をＴＦＴ基板５１と対向基板５２との間に注入したと
き、液晶５３の回転方向を決めるために長手方向（デー
タ線７３が形成されている方向）から一定角度傾けて設
定されている。
【０００６】また、対向基板５２は、ガラス等から成る
第二の透明基板６６と、この第二の透明基板６６の裏面
に導電層６７を介して形成された第２の偏光板６８と、
第２の透明基板６６の表面に形成されたＴｉ、Ｃｒ、カ
ーボン樹脂等から成るブラックマトリクス６９と、ブラ
ックマトリクス６９を覆うように形成された色層７０
と、色層７０を覆うように平坦化膜７１を介して形成さ
れたポリイミド等から成る第二の配向膜７２とから構成
されている。
【０００７】上述のラビング処理は、図３３に示すよう
に、回転ローラ７７の周囲にラビング布７８を介してラ
ビング毛７９を取り付けたラビングローラ８０を用い
て、このラビングローラ８０を回転させてこの下を配向
膜６４を設けたＴＦＴ基板５１を移動させることによ
り、ラビング毛７９により配向膜６４の表面を擦ってラ
ビング溝を形成するように行われる。このようなラビン
グ処理時に、配向膜の削れカスが生じる。この配向膜の
削れカスが画素電極７４上に残ると、液晶分子の配向が
乱れるので表示不良となる。このため、一般にラビング
処理後に、配向膜の削れカスを除去する目的で、ＴＦＴ
基板５１の表面に純水をかけるラビング洗浄が行われ
る。しかしながら、このようなラビング洗浄を施して
も、配向膜の削れカスは画素電極７４上からは除去でき
るものの、ＴＦＴの段差部分に付着しているものは完全
に除去するのが困難となる。すなわち、図３２に示すよ
うに、配向膜の削れカス８１は、ＴＦＴ８２の段差部分
８３に残ってしまうようになる。
【０００８】ここで、特にＩＰＳ形の液晶表示装置で
は、色層への電荷蓄積による表示むらを防止するため
に、液晶抵抗の低い材料を用いるので、この影響を受け
てＴＦＴ８２のバックチャネル８４に不要な電荷が誘起
されるようになり、これは液晶５３を長時間駆動して連
続表示した場合に残像を発生させる原因となっている。
上述の残像を防止すべく液晶５３の影響をなくすには、
液晶５３とＴＦＴ８２のバックチャネル８４との間の絶
縁性を高めれば良く、具体的にはバックチャネル８４上
のパッシベーション膜６３の膜厚を厚くすれば良い。
【０００９】しかしながら、パッシベーション膜６３の
膜厚を厚くするためには、パッシベーション膜の成膜工
程における成膜時間を長くとらなければならず、これは
製造方法の点から見てコストアップとなるので実現不可
能となる。このような観点から、上述したようにＴＦＴ
８２のバックチャネル８４上の段差部分８３に残ってい
る配向膜の削れカス８１を、液晶５３とＴＦＴ８２のバ
ックチャネル８４との間の絶縁性を高めるための絶縁膜
の一部として利用することが有効となることを、この発
明の発明者は思い至った。
【００１０】図３４は、この発明の発明者による実験結
果を示すもので、ラビング押し込み量（横軸）と配向膜
剥がれレベル（左側横軸）及び残像（右側横軸）との関
係を示している。ここで、ラビング押し込み量とは、図
３３のラビングローラ８０を用いてラビング処理を行う
場合の配向膜の削れ深さを示している。また、配向膜剥
がれレベルとは、配向膜の削れカスが多量に発生するこ
とを示している。なお、一例として、基板の移動速度：
３０ｍｍ／ｓ、回転ローラの回転数：１０００ＲＰＭ(R
evolution Per Minute)、回転ローラ材質：レーヨン、
等の条件の基で行った。
【００１１】図３４から明らかなように、ラビング押し
込み量の変化に対して、配向膜剥がれレベルと残像とは
トレードオフの関係にある。すなわち、ラビング押し込
み量が大きくなるほど、配向膜剥がれレベルは悪くなる
一方、残像は良くなる傾向にある。逆に、ラビング押し
込み量が小さくなるほど、配向膜剥がれレベルは良くな
る一方、残像は悪くなる傾向にある。例えば、ラビング
押し込み量が略０．８ｍｍの大きさになると、配向膜剥
がれレベルは最大の４となり、これによる配向膜の削れ
カスがＴＦＴ８２のバックチャネル８４上の段差部分８
３に蓄積されることにより残像は略０．５の度合いに改
善されて良くなることを示している。したがって、残像
を良くするにはラビング押し込み量を大きくすることが
必要であることがわかる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
液晶表示装置では、残像を防止するために有効な配向膜
の削れカスがＴＦＴ基板のＴＦＴの段差部分にあまり蓄
積されていないので、残像を防止するのが困難である、
という問題がある。すなわち、従来の液晶表示装置で
は、図３１及び図３２に示したように、配向膜６４のラ
ビング処理を行った後にラビング洗浄を施して配向膜の
削れカス８１を除去しているので、ＴＦＴ基板５１のＴ
ＦＴ８２のバックチャネル８４上の段差部分８３には配
向膜の削れカス８１があまり蓄積されていない。したが
って、この残っている配向膜の削れカス８１は、前述し
たように、液晶５３とＴＦＴ８２のバックチャネル８４
との間の絶縁性を高めるようにはほとんど寄与していな
い。
【００１３】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、配向膜の削れカスをＴＦＴ基板のＴＦＴの周囲
のみに集中的に蓄積させることができるようにした液晶
表示装置及びその製造方法を提供することを目的として
いる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、ＴＦＴ基板と対向基板との
間に液晶が挟持され、上記ＴＦＴ基板上のＴＦＴを覆う
ように配向膜が形成される液晶表示装置に係り、上記Ｔ
ＦＴの周囲の上記配向膜のラビング方向の下流側の位置
に障壁を形成したことを特徴としている。
【００１５】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の液晶表示装置に係り、上記障壁は、ラビング方向に
対して角度を持つように配置されることを特徴としてい
る。
【００１６】また、請求項３記載の発明は、請求項１又
は２記載の液晶表示装置に係り、上記障壁は、絶縁性材
料から成ることを特徴としている。
【００１７】また、請求項４記載の発明は、請求項３記
載の液晶表示装置に係り、上記絶縁膜材料は、感光性樹
脂から成ることを特徴としている。
【００１８】また、請求項５記載の発明は、請求項１乃
至４のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記障
壁は、配向膜のラビング方向の上流側に対向する位置に
開口部が形成され、該開口部を除いて方形状の半導体層
の略全周囲を囲む枠状に形成されていることを特徴とし
ている。
【００１９】また、請求項６記載の発明は、請求項１乃
至４のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記障
壁は、配向膜のラビング方向の上流側に対向する一辺を
除いて、方形状の半導体層の他の三辺に形成されたコの
字状に形成されていることを特徴としている。
【００２０】また、請求項７記載の発明は、請求項１乃
至４のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記障
壁は、配向膜のラビング方向の上流側に向けて開口して
いるＬの字状に形成されていることを特徴としている。
【００２１】また、請求項８記載の発明は、請求項１乃
至４のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記障
壁は、色層から構成されていることを特徴としている。
【００２２】また、請求項９記載の発明は、請求項１乃
至４のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記障
壁は、複数種類の色層の積層膜により構成されているこ
とを特徴としている。
【００２３】また、請求項１０記載の発明は、請求項１
乃至９のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記
障壁は、上記ＴＦＴを覆うパッシベーション膜上に形成
されていることを特徴としている。
【００２４】また、請求項１１記載の発明は、請求項１
乃至９のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記
障壁は、パッシベーション膜下に形成されていることを
特徴としている。
【００２５】また、請求項１２記載の発明は、ＴＦＴ基
板と対向基板との間に液晶が挟持され、上記ＴＦＴ基板
上のＴＦＴを覆うように配向膜が形成される液晶表示装
置に係り、上記ＴＦＴが透明絶縁基板上に形成され、該
ＴＦＴを構成するゲート電極のみが絶縁膜を介して上記
透明絶縁基板からかさ上げされていることを特徴として
いる。
【００２６】また、請求項１３記載の発明は、ＴＦＴ基
板と対向基板との間に液晶が挟持され、上記ＴＦＴ基板
上のＴＦＴを覆うように配向膜を形成する液晶表示装置
の製造方法に係り、上記ＴＦＴ基板上に上記ＴＦＴを形
成した後、該ＴＦＴの表面をパッシベーション膜で覆う
工程と、上記パッシベーション膜上の全面に絶縁性材料
膜を形成する工程と、上記絶縁性材料膜をパターニング
することにより上記ＴＦＴのバックチャネル上の段差部
分を含む上記ＴＦＴの周囲を覆い、かつ上記配向膜のラ
ビング方向の下流側の位置に障壁を形成する工程とを含
むことを特徴としている。
【００２７】また、請求項１４記載の発明は、請求項１
３記載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記絶縁性材
料膜として感光性樹脂を用いることを特徴としている。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は実施例を用いて
具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図３
は同液晶表示装置の主要部であるゲート電極付近の構成
を示す平面図、図４は図３のＢ−Ｂ矢視断面図、また、
図５及び図６は同液晶表示装置の製造方法を工程順に示
す工程図である。この例の液晶表示装置は、図１〜図４
に示すように、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間に液晶
３が挟持され、ＴＦＴ基板１は、ガラス等から成る第一
の透明基板４と、この第一の透明基板４の裏面に形成さ
れた第一の偏光板５と、第一の透明基板５の表面に部分
的に形成されたＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ等から成るゲート電極
６と、ゲート電極６を覆うように形成されたＳｉＯ2及
びＳｉＮの積層膜等から成る層間絶縁膜７と、層間絶縁
膜７上に形成されたａ−Ｓｉ膜等から成る半導体層８
と、半導体層８の両端部に形成されたｎ+型ａ−Ｓｉ膜
等から成るオーミック層９Ａ、９Ｂと、各オーミック層
９Ａ、９Ｂに接続されるように形成されたＣｒ、Ｍｏ等
から成るドレイン電極１１及びソース電極１２と、全面
に形成されたＳｉＮ等から成るパッシベーション膜１３
と、パッシベーション膜１３を覆うように形成されたポ
リイミド等から成る第一の配向膜１４と、パッシベーシ
ョン膜１３上にＴＦＴ３２のバックチャネル３４上の段
差部分３３を含むＴＦＴ３２の周囲を覆い、かつラビン
グ方向２６の下流側の位置に形成されたフォトレジスト
膜（感光性樹脂）から成る障壁１０とから構成されてい
る。
【００２９】また、ＴＦＴ基板１上には、図１及び図３
に示すように、データ線２３がゲート電極６と直交する
方向（長手方向）にドレイン電極１１と接続されるよう
に形成されるとともに、画素電極２４がソース電極１２
と接続されるように形成されている。ここで、画素電極
２４はソース電極１２と同一材料を用いて同一工程で形
成される。また、共通電極２５が平面的に画素電極２４
と対向するように形成されている。ここで、共通電極２
５はゲート電極６と同一材料が用いられて同一工程で形
成される。このラビング方向２６は、液晶３をＴＦＴ基
板１と対向基板２との間に注入したとき、液晶３の回転
方向を決めるために長手方向（データ線２３が形成され
ている方向）から一定角度傾けて設定されている。
【００３０】ここで、障壁１０は、配向膜１４のラビン
グ処理が行われたとき、配向膜の削れカス３１を、ＴＦ
Ｔ基板１のＴＦＴ３２のバックチャネル３４上の段差部
分３３を含むＴＦＴ３２の周囲のみに蓄積させるように
作用し、この障壁１０は配向膜の削れカス３１を確実に
蓄積することができるように、ラビング方向２６に対し
て或る角度を持つように配置される。この障壁１０の高
さ寸法Ｈは、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間隔である
セルギャップ以下に設定される。また、障壁１０の幅寸
法Ｗは、リソグラフィ技術による加工精度により決定さ
れ、略５μｍ以上が望ましい。
【００３１】また、対向基板２は、ガラス等から成る第
二の透明基板１６と、この第二の透明基板１６の裏面に
導電層１７を介して形成された第２の偏光板１８と、第
２の透明基板１６の表面に形成されたＴｉ、Ｃｒ、カー
ボン樹脂等から成るブラックマトリクス１９と、ブラッ
クマトリクス１９を覆うように形成された色層２０と、
色層２０を覆うように平坦化膜２１を介して形成された
ポリイミド等から成る第二の配向膜２２とから構成され
ている。
【００３２】この例の液晶表示装置によれば、ＴＦＴ基
板１上のＴＦＴ３２のバックチャネル３４上の段差部分
３３を含むＴＦＴ３２の周囲を覆い、かつラビング方向
２６の下流側の位置にフォトレジスト膜等から成る障壁
１０が形成されているので、配向膜１４のラビング処理
が行われたとき、図４に示すように、配向膜１４の削れ
カス３１はＴＦＴ基板１のＴＦＴ３２のバックチャネル
３４上の段差部分３３を含むＴＦＴ３２の周囲に蓄積さ
れる。したがって、図３４の実験結果を参照して説明し
たように、ラビング押し込み量を大きくして配向膜剥が
れレベルを大きくできるので、配向膜の削れカス３１は
液晶３とＴＦＴ３２のバックチャネル３４との間の絶縁
性を高めるように寄与するため、残像を防止することが
できるようになる。また、画素電極２４上からはラビン
グ洗浄により配向膜の削れカス３１が除去されているの
で、液晶分子の配向が乱れることがないので、表示不良
が発生しなくなる。
【００３３】次に、図５及び図６を参照して、同液晶表
示装置の製造方法について工程順に説明する。まず、図
５（ａ）に示すように、ガラス等から成る第一の透明絶
縁基板４を用いて、スパッタ法等により、全面にＡｌ、
Ｃｒ、Ｍｏ等から成る導電膜を形成した後、周知のフォ
トリソグラフィ法により導電膜をパターニングしてゲー
ト電極６を形成する。
【００３４】次に、図５（ｂ）に示すように、ＣＶＤ(C
hemical Vapor Deposition)法により、全面にＳｉＯ2膜
７Ａ及びＳｉＮ膜７Ｂを順次に成膜して両膜から成る層
間絶縁膜７を形成し、続いて全面にａ−Ｓｉから成る半
導体層８及びｎ+型ａ−Ｓｉ膜９を順次に形成する。次
に、図５（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法に
より半導体層８及びｎ+型ａ−Ｓｉ膜９を所望の形状に
パターンする。
【００３５】次に、図５（ｄ）に示すように、スパッタ
法により、全面にＣｒから成る導電膜を形成した後、フ
ォトリソグラフィ法によりｎ+型ａ−Ｓｉ膜９の一部の
みを露出するように導電膜をパターニングして、ドレイ
ン電極１１及びソース電極１２を形成する。
【００３６】次に、図５（ｅ）に示すように、ドレイン
電極１１及びソース電極１２をマスクとしてｎ+型ａ−
Ｓｉ膜９の一部をエッチングして、半導体層８のバック
チャネルとなる領域を露出させる。
【００３７】次に、図６（ｆ）に示すように、ＣＶＤ法
により、全面にＳｉＯ2膜から成るパッシベーション膜
１３を形成する。次に、スパッタ法により、全面に導電
膜２７を成膜した後、フォトリソグラフィ法により導電
膜２７をパターニングして図示しない位置に画素電極を
形成する。
【００３８】次に、図６（ｇ）に示すように、全面にフ
ォトレジスト膜２８を塗布する。次に、このフォトレジ
スト膜２８をパターニングして、図６（ｈ）に示すよう
に、ＴＦＴ３２のバックチャネル３４上の段差部分３３
を含むＴＦＴ３２の周囲の位置に障壁１０を形成し、別
工程で製造した対向基板２との間に液晶３を注入した
後、ＴＦＴ基板１及び対向基板２の裏面にそれぞれ偏光
板５、１８を設けることにより、図１〜図４に示したよ
うなこの例の液晶表示装置を完成させる。
【００３９】このように、この例の液晶表示装置の構成
によれば、ＴＦＴ基板１上のＴＦＴ３２のバックチャネ
ル３４上の段差部分３３を含むＴＦＴ３２の周囲を覆
い、かつラビング方向２６の下流側の位置にフォトレジ
スト膜等から成る障壁１０が形成されているので、配向
膜１４のラビング処理が行われたとき、配向膜の削れカ
ス３１はＴＦＴ基板１のＴＦＴ３２のバックチャネル３
４上の段差部分３３を含むＴＦＴ３２の周囲に蓄積され
る。また、この例の液晶表示装置の製造方法によれば、
ＴＦＴ基板１上にＴＦＴ３２を形成した後、全面にフォ
トレジスト膜２８を塗布し、このフォトレジスト膜２８
をパターニングすることにより所望の位置に障壁１０を
形成するので、障壁１０を簡単に形成することができ
る。したがって、配向膜の削れカスをＴＦＴ基板のＴＦ
Ｔの周囲のみに集中的に蓄積させることができる。
【００４０】◇第２実施例 図７は、この発明の第２実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図、図８は図７のＣ−Ｃ矢視断面図であ
る。この発明の第２実施例である液晶表示装置の構成
が、上述した第１実施例の構成と大きく異なるところ
は、障壁の形状を異ならせるようにした点である。この
例の液晶表示装置は、図７に示すように、ＴＦＴ基板１
に形成される障壁３０は、ラビング方向２６の上流側に
対向する位置に開口部３０Ａが形成され、この開口部３
０Ａを除いて方形状の半導体層８の略全周囲を囲む枠状
に形成された枠体３０Ｂにより構成されている。
【００４１】この例によれば、上述したような形状の障
壁３０を設けたことにより、配向膜１４のラビング処理
が行われたとき、配向膜の削れカス３１は開口部３０Ａ
がガイドとして作用するので、枠体３０Ｂ内に集中的に
集められる。したがって、ＴＦＴ基板１のＴＦＴ３２の
バックチャネル３４上の段差部分３３を含むＴＦＴ３２
の周囲に蓄積することができる。これ以外は、上述した
第１実施例と略同様である。それゆえ、図７及び図８に
おいて、図１〜図４の構成部分と対応する各部には、同
一の番号を付してその説明を省略する。
【００４２】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００４３】◇第３実施例 図９は、この発明の第３実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図、図１０は図９のＤ−Ｄ矢視断面図であ
る。この発明の第３実施例である液晶表示装置の構成
が、上述した第１実施例の構成と大きく異なるところ
は、障壁の形状を異ならせるようにした点である。この
例の液晶表示装置は、図９に示すように、ＴＦＴ基板１
に形成される障壁３５は、ラビング方向２６の上流側に
対向する一辺を除いて、方形状の半導体層８の他の三辺
に形成されたコの字状の枠体３５Ａにより構成されてい
る。
【００４４】この例によれば、上述したような形状の障
壁３５を設けたことにより、配向膜１４のラビング処理
が行われたとき、配向膜の削れカス３１は枠体３５Ａの
開口している一辺がガイドとして作用するので、枠体３
５Ａ内に集中的に集められる。したがって、ＴＦＴ基板
１のＴＦＴ３２のバックチャネル３４上の段差部分３３
を含むＴＦＴ３２の周囲に蓄積することができる。
【００４５】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００４６】◇第４実施例 図１１は、この発明の第４実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図、図１２は図１１のＥ−Ｅ矢視断面図
である。この発明の第４実施例である液晶表示装置の構
成が、上述した第１実施例の構成と大きく異なるところ
は、障壁の形状を異ならせるようにした点である。この
例の液晶表示装置は、図１１に示すように、ＴＦＴ基板
１に形成される障壁３６は、ラビング方向２６の上流側
に対向する二辺を除いて、方形状の半導体層８の他の二
辺に形成されたデータ線２３を背にした向きのＬの字状
の枠体３６Ａにより構成されている。
【００４７】この例によれば、上述したような形状の障
壁３６を設けたことにより、配向膜１４のラビング処理
が行われたとき、配向膜の削れカス３１はＬの字状の枠
体３６Ａ内に集中的に集められる。したがって、ＴＦＴ
基板１のＴＦＴ３２のバックチャネル３４上の段差部分
３３を含むＴＦＴ３２の周囲に蓄積することができる。
【００４８】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００４９】◇第５実施例 図１３は、この発明の第５実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図、図１４は図１３のＦ−Ｆ矢視断面図
である。この発明の第５実施例である液晶表示装置の構
成が、上述した第１実施例の構成と大きく異なるところ
は、障壁の形状を異ならせるようにした点である。この
例の液晶表示装置は、図１３に示すように、ＴＦＴ基板
１に形成される障壁３７は、ラビング方向２６の上流側
に対向する二辺を除いて、方形状の半導体層８の他の二
辺に形成されたデータ線２３と対向する向きの逆Ｌの字
状の枠体３７Ａにより構成されている。
【００５０】この例によれば、上述したような形状の障
壁３７を設けたことにより、配向膜１４のラビング処理
が行われたとき、配向膜１４の削れカス３１は逆Ｌの字
状の枠体３７Ａ内に集中的に集められる。したがって、
ＴＦＴ基板１のＴＦＴ３２のバックチャネル３４上の段
差部分３３を含むＴＦＴ３２の周囲に蓄積することがで
きる。
【００５１】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００５２】◇第６実施例 図１５は、この発明の第６実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図、図１６は図１５のＧ−Ｇ矢視断面図
である。この発明の第６実施例である液晶表示装置の構
成が、上述した第１実施例の構成と大きく異なるところ
は、障壁を色層により構成するようにした点である。こ
の例の液晶表示装置は、図１６に示すように、ＴＦＴ基
板１に形成される障壁３８は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑
色）、Ｂ（青色）の三原色の内、Ｇ（緑色）による色層
により構成されて、ＴＦＴ３２のバックチャネル３４上
の段差部分３３を含むＴＦＴ３２の周囲を覆い、かつラ
ビング方向２６の下流側の位置に形成されている。
【００５３】第１実施例〜第５実施例では、対向基板２
側に色層２０を形成していたが、この例では色層をＴＦ
Ｔ基板１側に形成するようにして、この色層を形成する
ときに同時に障壁３８も形成するようにする。したがっ
て、色層をパターニングするマスク形状を変更するだけ
で、特別の工程を付加することなしに障壁３８を形成す
ることができる。
【００５４】この例によれば、上述したような障壁３８
を設けたことにより、配向膜１４のラビング処理が行わ
れたとき、配向膜の削れカス３１は障壁３８内に集中的
に集められる。したがって、ＴＦＴ基板１のＴＦＴ３２
のバックチャネル３４上の段差部分３３を含むＴＦＴ３
２の周囲に蓄積することができる。
【００５５】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００５６】◇第７実施例 図１７は、この発明の第７実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図、図１８は図１７のＨ−Ｈ矢視断面図
である。この発明の第７実施例である液晶表示装置の構
成が、上述した第６実施例の構成と大きく異なるところ
は、二種類の色層により障壁を構成するようにした点で
ある。この例の液晶表示装置は、図１８に示すように、
ＴＦＴ基板１に形成される障壁３９は、Ｒ（赤色）、Ｇ
（緑色）、Ｂ（青色）の三原色の内、Ｂ（青色）３９Ａ
とＧ（緑色）３９Ｂとの二種類の積層色層により構成さ
れて、ＴＦＴ３２のバックチャネル３４上の段差部分３
３を含むＴＦＴ３２の周囲を覆い、かつラビング方向２
６の下流側の位置に形成されている。
【００５７】この例では、最初にＢ（青色）３９Ａを塗
布してパターニングした後に、Ｇ（緑色）３９Ｂを重ね
るように塗布した後にパターニングして障壁３９を形成
する。したがって、障壁３９の膜厚を容易に確保できる
利点がある。
【００５８】この例によれば、上述したような障壁３８
を設けたことにより、配向膜１４のラビング処理が行わ
れたとき、配向膜の削れカス３１は障壁３８内に集中的
に集められる。したがって、ＴＦＴ基板１のＴＦＴ３２
のバックチャネル３４上の段差部分３３を含むＴＦＴ３
２の周囲に蓄積することができる。
【００５９】このように、この例の構成によっても、第
２実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、障壁の膜厚を
容易に確保することができる。
【００６０】◇第８実施例 図１９は、この発明の第８実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図、図２０は図１９のＩ−Ｉ矢視断面図
である。この発明の第８実施例である液晶表示装置の構
成が、上述した第７実施例の構成と大きく異なるところ
は、三種類の色層により障壁を構成するようにした点で
ある。この例の液晶表示装置は、図２０に示すように、
ＴＦＴ基板１に形成される障壁４０は、Ｒ（赤色）、Ｇ
（緑色）、Ｂ（青色）の三原色を用いて、Ｒ（赤色）４
０Ａ、Ｂ（青色）４０Ｂ及びＧ（緑色）４０Ｃの三種類
の積層色層により構成されて、ＴＦＴ３２のバックチャ
ネル３４上の段差部分３３を含むＴＦＴ３２の周囲を覆
い、かつラビング方向２６の下流側の位置に形成された
いる。
【００６１】この例では、最初にＲ（赤色）４０Ａを塗
布してパターニングした後に、Ｂ（青色）４０Ｂを塗布
してパターニングし、最後にＧ（緑色）４０Ｃを塗布し
てパターニングして障壁４０を形成する。したがって、
第７実施例と同様に障壁４０の膜厚を容易に確保できる
利点がある。
【００６２】この例によれば、上述したような障壁４０
を設けたことにより、配向膜１４のラビング処理が行わ
れたとき、配向膜の削れカス３１は障壁４０内に集中的
に集められる。したがって、ＴＦＴ基板１のＴＦＴ３２
のバックチャネル３４上の段差部分３３を含むＴＦＴ３
２の周囲に蓄積することができる。
【００６３】このように、この例の構成によっても、第
７実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００６４】◇第９実施例 図２１は、この発明の第９実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図、図２２は図２１のＪ−Ｊ矢視断面図
である。この発明の第９実施例である液晶表示装置の構
成が、上述した第６実施例の構成と大きく異なるところ
は、色層により構成される障壁をパッシベーション膜下
に形成するようにした点である。この例の液晶表示装置
は、図２２に示すように、ＴＦＴ基板１に形成される障
壁４１は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の三原
色の内、Ｇ（緑色）による色層により構成され、かつパ
ッシベーション膜１３下で、ＴＦＴ３２のバックチャネ
ル３４上の段差部分３３を含むＴＦＴ３２の周囲を覆
い、かつラビング方向２６の下流側の位置に形成されて
いる。
【００６５】この例では、パッシベーション膜１３の成
膜の前に、第６実施例と略同様な方法で障壁４１を形成
する。そして、この後に有機材料から成るパッシベーシ
ョン膜１３を形成し、次に配向膜１４を形成する。障壁
４１はパッシベーション膜１３により保護されているこ
とにより、直接外部に露出されていないので、安定性を
持たせることができる。
【００６６】この例によれば、上述したような障壁４１
を設けたことにより、配向膜１４のラビング処理が行わ
れたとき、配向膜の削れカス３１は間接的に障壁４１内
に集中的に集められる。したがって、ＴＦＴ基板１のＴ
ＦＴ３２のバックチャネル３４上の段差部分３３を含む
ＴＦＴ３２の周囲に蓄積することができる。
【００６７】このように、この例の構成によっても、第
６実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、障壁に安定性
を持たせることができる。
【００６８】◇第１０実施例 図２３は、この発明の第１０実施例である液晶表示装置
の構成を示す平面図、図２４は図２３のＫ−Ｋ矢視断面
図である。この発明の第１０実施例である液晶表示装置
の構成が、上述した第９実施例の構成と大きく異なると
ころは、二種類の色層により障壁を構成するようにした
点である。この例の液晶表示装置は、図２４に示すよう
に、パッシベーション膜１３下に形成される障壁４２
が、Ｂ（青色）４２ＡとＧ（緑色）４２Ｂとの二種類の
積層色層により構成されて、ＴＦＴ３２のバックチャネ
ル３４上の段差部分３３を含むＴＦＴ３２の周囲を覆
い、かつラビング方向２６の下流側の位置に形成されて
いる。
【００６９】この例では、パッシベーション膜１３の成
膜の前に、第７実施例と略同様な方法で障壁４２を形成
する。そして、この後に有機材料から成るパッシベーシ
ョン膜１３を形成し、次に配向膜１４を形成する。
【００７０】この例によれば、上述したような障壁４２
を設けたことにより、配向膜１４のラビング処理が行わ
れたとき、配向膜の削れカス３１は間接的に障壁４２内
に集中的に集められる。したがって、ＴＦＴ基板１のＴ
ＦＴ３２のバックチャネル３４上の段差部分３３を含む
ＴＦＴ３２の周囲に蓄積することができる。
【００７１】このように、この例の構成によっても、第
９実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００７２】◇第１１実施例 図２５は、この発明の第１１実施例である液晶表示装置
の構成を示す平面図、図２６は図２５のＬ−Ｌ矢視断面
図である。この発明の第１１実施例である液晶表示装置
の構成が、上述した第１０実施例の構成と大きく異なる
ところは、三種類の色層により障壁を構成するようにし
た点である。この例の液晶表示装置は、図２６に示すよ
うに、パッシベーション膜１３の下に形成される障壁４
３が、Ｒ（赤色）４３Ａ、Ｂ（青色）４３Ｂ及びＧ（緑
色）４３Ｃの三種類の積層色層により構成されて、ＴＦ
Ｔ３２のバックチャネル３４上の段差部分３３を含むＴ
ＦＴ３２の周囲を覆い、かつラビング方向２６の下流側
の位置に形成されている。
【００７３】この例では、パッシベーション膜１３の成
膜の前に、第８実施例と略同様な方法で障壁４３を形成
する。そして、この後に有機材料から成るパッシベーシ
ョン膜１３を形成し、次に配向膜１４を形成する。
【００７４】この例によれば、上述したような障壁４３
を設けたことにより、配向膜１４のラビング処理が行わ
れたとき、配向膜の削れカス３１は間接的に障壁４３内
に集中的に集められる。したがって、ＴＦＴ基板１のＴ
ＦＴ３２のバックチャネル３４上の段差部分３３を含む
ＴＦＴ３２の周囲に蓄積することができる。
【００７５】このように、この例の構成によっても、第
１０実施例において述べたのと略同様の効果を得ること
ができる。
【００７６】◇第１２実施例 図２７は、この発明の第１２実施例である液晶表示装置
の構成を示す平面図、図２８は図２７のＭ−Ｍ矢視断面
図である。この発明の第１２実施例である液晶表示装置
の構成が、上述した第１実施例の構成と大きく異なると
ころは、ゲート電極の位置を高くしてバックチャネル上
に形成される絶縁膜の膜厚が厚く形成されるようにした
点である。この例の液晶表示装置は、図２８に示すよう
に、ゲート電極６の下に感光性樹脂等から成る絶縁膜２
９が形成され、この絶縁膜２９の存在によりゲート電極
６の位置は第１実施例〜第１１実施例の液晶表示装置に
おけるゲート電極よりも高くかさ上げされている。
【００７７】この例のように、ゲート電極６の位置を高
くすることにより、この後の工程においてパッシベーシ
ョン膜１３を形成するときに、ＴＦＴ基板１の表面の凹
凸がその分大きくなっているので、バックチャネル３４
上のパッシベーション膜１３の膜厚をこの周囲に比べて
均一に形成することができるようになる。この結果、液
晶３とＴＦＴ基板１上のＴＦＴ３２のバックチャネル３
４との間の絶縁性を高めることができるようになる。
【００７８】この例によれば、上述したようにゲート電
極６をかさ上げしたことにより、ＴＦＴ基板１のＴＦＴ
３２のバックチャネル３４上の段差部分３３を含むＴＦ
Ｔ３２の周囲には膜厚の均一なパッシベーション膜１３
が形成されるので、液晶３とＴＦＴ基板１上のＴＦＴ３
２のバックチャネル３４との間の絶縁性を高めることが
できる。
【００７９】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００８０】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、障壁を
構成する絶縁材料としては、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリアミド、ポリスチレン、ポリウレタン等の周
知の感光性樹脂の中から任意の材料を選択することがで
きる。また、ゲート電極をかさ上げする絶縁膜について
も同様である。また、液晶表示装置としてはＩＰＳ形に
適用した例で説明したが、ＴＮ形に対しても適用するこ
とができる。
【００８１】また、ＴＦＴ基板上に形成するＴＦＴの半
導体層としてはアモルファスシリコンを用いる例で説明
したが、これに限らず多結晶シリコン等の他の半導体材
料を用いるようにしても良い。また、各導電膜、各絶縁
膜の成膜方法等は一例を示したものであり、目的、用途
等に応じて任意に変更することができる。
【００８２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の液晶表
示装置の構成によれば、ＴＦＴ基板上のＴＦＴのバック
チャネル上の段差部分を含むＴＦＴの周囲を覆い、かつ
ラビング方向の下流側の位置に絶縁性材料から成る障壁
が形成されているので、配向膜のラビング処理が行われ
たとき、配向膜の削れカスはＴＦＴ基板のＴＦＴのバッ
クチャネル上の段差部分を含むＴＦＴの周囲に蓄積され
る。また、この例の液晶表示装置の製造方法によれば、
ＴＦＴ基板上にＴＦＴを形成した後、全面に絶縁性材料
膜を形成し、この絶縁性材料膜をパターニングすること
により所望の位置に障壁を形成するので、障壁を簡単に
形成することができる。したがって、配向膜の削れカス
をＴＦＴ基板のＴＦＴの周囲のみに集中的に蓄積させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】同液晶表示装置の主要部であるゲート電極付近
の構成を示す平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図５】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程
図である。
【図６】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程
図である。
【図７】この発明の第２実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図９】この発明の第３実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図である。
【図１０】図９のＤ−Ｄ矢視断面図である。
【図１１】この発明の第４実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図である。
【図１２】図１１のＥ−Ｅ矢視断面図である。
【図１３】この発明の第５実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図である。
【図１４】図１３のＦ−Ｆ矢視断面図である。
【図１５】この発明の第６実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図である。
【図１６】図１５のＧ−Ｇ矢視断面図である。
【図１７】この発明の第７実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図である。
【図１８】図１７のＨ−Ｈ矢視断面図である。
【図１９】この発明の第８実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図である。
【図２０】図１９のＩ−Ｉ矢視断面図である。
【図２１】この発明の第９実施例である液晶表示装置の
構成を示す平面図である。
【図２２】図２１のＪ−Ｊ矢視断面図である。
【図２３】この発明の第１０実施例である液晶表示装置
の構成を示す平面図である。
【図２４】図２３のＫ−Ｋ矢視断面図である。
【図２５】この発明の第１１実施例である液晶表示装置
の構成を示す平面図である。
【図２６】図２５のＬ−Ｌ矢視断面図である。
【図２７】この発明の第１２実施例である液晶表示装置
の構成を示す平面図である。
【図２８】図２５のＭ−Ｍ矢視断面図である。
【図２９】従来の液晶表示装置の構成を示す平面図であ
る。
【図３０】図２７のＮ−Ｎ矢視断面図である。
【図３１】同液晶表示装置の主要部であるゲート電極付
近の構成を示す平面図である。
【図３２】図２９のＯ−Ｏ矢視断面図である。
【図３３】ラビング処理に用いるラビングローラを示す
図である。
【図３４】ラビング押し込み量（横軸）と配向膜剥がれ
レベル（左側横軸）及び残像（右側）との関係を示す図
である。
【符号の説明】
１ ＴＦＴ基板 ２ 対向基板 ３ 液晶 ４、１６ 透明基板 ５、１８ 偏光板 ６ ゲート電極 ７ 層間絶縁膜 ８ 半導体層 ９Ａ、９Ｂ オーミック層 １０、３０、３５〜４３ 障壁 １１ ドレイン電極 １２ ソース電極 １３ パッシベーション膜 １４、２２ 配向膜 １７ 導電層 １９ ブラックマトリクス ２０ 色層 ２１ 平坦化膜 ２３ データ線 ２４ 画素電極 ２５ 共通電極 ２６ ラビング方向 ２７ 導電膜 ２８ フォトレジスト膜（感光性樹脂） ２９ 絶縁膜 ３０Ａ 開口部 ３０Ｂ 枠体 ３１ 配向膜の削れカス ３２ ＴＦＴ ３３ ＴＦＴの段差部分 ３４ バックチャネル ３５Ａ コの字状の枠体 ３６Ａ Ｌの字状の枠体 ３７Ａ 逆Ｌの字状の枠体
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y HC06 HC15 JA03 JB02 JC17 KA04 KA18 LA02 LA04 MA02 MA07 MB02 MB14 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 KA07 KB23 MA05 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA27 MA35 MA37 MA41 NA04 NA27 PA02 5C094 AA13 AA43 BA03 BA43 CA19 DA13 GB10

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟
    持され、前記ＴＦＴ基板上のＴＦＴを覆うように配向膜
    が形成される液晶表示装置であって、 前記ＴＦＴの周囲の前記配向膜のラビング方向の下流側
    の位置に障壁を形成したことを特徴とする液晶表示装
    置。
  2. 【請求項２】 前記障壁は、ラビング方向に対して角度
    を持つように配置されることを特徴とする請求項１記載
    の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記障壁は、絶縁性材料から成ることを
    特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記絶縁膜材料は、感光性樹脂から成る
    ことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記障壁は、配向膜のラビング方向の上
    流側に対向する位置に開口部が形成され、該開口部を除
    いて方形状の半導体層の略全周囲を囲む枠状に形成され
    ていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に
    記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記障壁は、配向膜のラビング方向の上
    流側に対向する一辺を除いて、方形状の半導体層の他の
    三辺に形成されたコの字状に形成されていることを特徴
    とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の液晶表示装
    置。
  7. 【請求項７】 前記障壁は、配向膜のラビング方向の上
    流側に向けて開口しているＬの字状に形成されているこ
    とを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の液
    晶表示装置。
  8. 【請求項８】 前記障壁は、色層から構成されているこ
    とを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の液
    晶表示装置。
  9. 【請求項９】 前記障壁は、複数種類の色層の積層膜に
    より構成されていることを特徴とする請求項１乃至４の
    いずれか１に記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記障壁は、前記ＴＦＴを覆うパッシ
    ベーション膜上に形成されていることを特徴とする請求
    項１乃至９のいずれか１に記載の液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 前記障壁は、パッシベーション膜下に
    形成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいず
    れか１に記載の液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が
    挟持され、前記ＴＦＴ基板上のＴＦＴを覆うように配向
    膜が形成される液晶表示装置であって、 前記ＴＦＴが透明絶縁基板上に形成され、該ＴＦＴを構
    成するゲート電極のみが絶縁膜を介して前記透明絶縁基
    板からかさ上げされていることを特徴とする液晶表示装
    置。
  13. 【請求項１３】 ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が
    挟持され、前記ＴＦＴ基板上のＴＦＴを覆うように配向
    膜を形成する液晶表示装置の製造方法であって、 前記ＴＦＴ基板上に前記ＴＦＴを形成した後、該ＴＦＴ
    の表面をパッシベーション膜で覆う工程と、 前記パッシベーション膜上の全面に絶縁性材料膜を形成
    する工程と、 前記絶縁性材料膜をパターニングすることにより前記Ｔ
    ＦＴのバックチャネル上の段差部分を含む前記ＴＦＴの
    周囲を覆い、かつ前記配向膜のラビング方向の下流側の
    位置に障壁を形成する工程とを含むことを特徴とする液
    晶表示装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記絶縁性材料膜として感光性樹脂を
    用いることを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置
    の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7098979B2 (en) 2003-02-04 2006-08-29 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus comprising convex and projected portions formed in the alignment film at the periphery of the image display area
KR100803708B1 (ko) * 2004-12-17 2008-02-15 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 액정표시장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조한액정표시장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3902186B2 (ja) * 2003-04-21 2007-04-04 日東電工株式会社 帯電防止型光学フィルム、その製造方法、及び画像表示装置
JP2005031662A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Samsung Electronics Co Ltd アレー基板及びこれの製造方法と、これを有する液晶表示装置
US7244627B2 (en) * 2003-08-25 2007-07-17 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method for fabricating liquid crystal display device
JP4346087B2 (ja) * 2004-10-21 2009-10-14 日東電工株式会社 帯電防止性光学フィルム、帯電防止性粘着型光学フィルム、それらの製造方法および画像表示装置
JP4714452B2 (ja) * 2004-10-21 2011-06-29 日東電工株式会社 帯電防止性粘着型光学フィルム及び画像表示装置
KR20120130517A (ko) 2011-05-23 2012-12-03 삼성디스플레이 주식회사 러빙 장치
KR102578620B1 (ko) 2016-10-31 2023-09-13 엘지디스플레이 주식회사 칼라 필터 층을 구비한 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5988720A (ja) * 1982-11-15 1984-05-22 Seiko Epson Corp 電気光学表示装置
JPH03153218A (ja) * 1989-11-10 1991-07-01 Nec Corp 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ
JPH04188110A (ja) * 1990-11-21 1992-07-06 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH10288794A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Nec Corp 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
JPH11174467A (ja) * 1997-10-06 1999-07-02 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0684946A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Dainippon Printing Co Ltd アクティブマトリックス液晶表示装置およびその製造方法
JP3271025B2 (ja) * 1993-02-18 2002-04-02 大日本印刷株式会社 高分子分散型液晶表示装置及びその製造方法
JPH1068956A (ja) * 1996-08-29 1998-03-10 Toshiba Corp 液晶表示素子及びその製造方法
JP4041610B2 (ja) * 1998-12-24 2008-01-30 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4215905B2 (ja) * 1999-02-15 2009-01-28 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3498020B2 (ja) * 1999-09-29 2004-02-16 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 アクティブマトリックス基板及びその製造方法
KR100684580B1 (ko) * 2000-07-12 2007-02-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5988720A (ja) * 1982-11-15 1984-05-22 Seiko Epson Corp 電気光学表示装置
JPH03153218A (ja) * 1989-11-10 1991-07-01 Nec Corp 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ
JPH04188110A (ja) * 1990-11-21 1992-07-06 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH10288794A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Nec Corp 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
JPH11174467A (ja) * 1997-10-06 1999-07-02 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7098979B2 (en) 2003-02-04 2006-08-29 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus comprising convex and projected portions formed in the alignment film at the periphery of the image display area
KR100803708B1 (ko) * 2004-12-17 2008-02-15 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 액정표시장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조한액정표시장치
US7751008B2 (en) 2004-12-17 2010-07-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and method of manufacturing a liquid crystal display with a barrier formed of TFT materials

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