JP2002075949A - ウェハ洗浄乾燥方法 - Google Patents
ウェハ洗浄乾燥方法Info
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- JP2002075949A JP2002075949A JP2000263667A JP2000263667A JP2002075949A JP 2002075949 A JP2002075949 A JP 2002075949A JP 2000263667 A JP2000263667 A JP 2000263667A JP 2000263667 A JP2000263667 A JP 2000263667A JP 2002075949 A JP2002075949 A JP 2002075949A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】枚葉スピン方式において、ウェハ中心付近も含
めて水滴を残留させない、ウォータマークの発生を抑制
するウェハ洗浄乾燥方法を提供する。 【解決手段】支持台１１によりウェハＷＦが回転し、図
示しないノズル等から純水ＤＩＷがウェハＷＦ表面に供
給される（（ａ）水洗工程）。純水ＤＩＷの供給を続け
ながら支持台１１の回転を止めると、溜水１２ができる
（（ｂ）回転停止工程）。次に、純水の供給を止め支持
台１１をゆっくりと回転させ、ウェハ中心付近の溜水１
２をまとめてウェハ周縁の方に動かす。これにより小さ
な水滴も溜水１２と共にウェハ周縁側に寄せられる
（（ｃ）低速回転工程）。次に、支持台１１を高速回転
させ、ウェハＷＦ表面に残った水は遠心力により振り切
られウェハＷＦを乾燥させる（（ｄ）高速回転工程）。
めて水滴を残留させない、ウォータマークの発生を抑制
するウェハ洗浄乾燥方法を提供する。 【解決手段】支持台１１によりウェハＷＦが回転し、図
示しないノズル等から純水ＤＩＷがウェハＷＦ表面に供
給される（（ａ）水洗工程）。純水ＤＩＷの供給を続け
ながら支持台１１の回転を止めると、溜水１２ができる
（（ｂ）回転停止工程）。次に、純水の供給を止め支持
台１１をゆっくりと回転させ、ウェハ中心付近の溜水１
２をまとめてウェハ周縁の方に動かす。これにより小さ
な水滴も溜水１２と共にウェハ周縁側に寄せられる
（（ｃ）低速回転工程）。次に、支持台１１を高速回転
させ、ウェハＷＦ表面に残った水は遠心力により振り切
られウェハＷＦを乾燥させる（（ｄ）高速回転工程）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造に係
り、特に半導体ウェハのウェット洗浄工程から乾燥工程
に至る枚葉スピン方式のウェハ洗浄乾燥方法に関する。
り、特に半導体ウェハのウェット洗浄工程から乾燥工程
に至る枚葉スピン方式のウェハ洗浄乾燥方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩの微細化に伴って、ウェハ表面
をクリーンにする洗浄技術はますます重要になってきて
いる。ウェハ洗浄の１つであるウェット洗浄の最終工程
には必ず乾燥工程がある。この洗浄後の乾燥技術も、超
クリーンなウェハ表面を得るために重要である。それま
での洗浄に細心の注意を払っても、最終の乾燥工程でパ
ーティクル汚染、ウォータマークと呼ばれるシミの発生
など、不良の原因が生じてしまうケースは少なくない。
をクリーンにする洗浄技術はますます重要になってきて
いる。ウェハ洗浄の１つであるウェット洗浄の最終工程
には必ず乾燥工程がある。この洗浄後の乾燥技術も、超
クリーンなウェハ表面を得るために重要である。それま
での洗浄に細心の注意を払っても、最終の乾燥工程でパ
ーティクル汚染、ウォータマークと呼ばれるシミの発生
など、不良の原因が生じてしまうケースは少なくない。
【０００３】図３（ａ），（ｂ）は、それぞれ従来のウ
ェハ洗浄乾燥方法の一例を工程順に示す概観図である。
図は、枚葉スピン方式であり、図示しない処理チャンバ
内部に半導体ウェハＷＦの支持台３１が配備されてい
る。支持台３１は、ウェハＷＦをチャックして回転可能
である。
ェハ洗浄乾燥方法の一例を工程順に示す概観図である。
図は、枚葉スピン方式であり、図示しない処理チャンバ
内部に半導体ウェハＷＦの支持台３１が配備されてい
る。支持台３１は、ウェハＷＦをチャックして回転可能
である。
【０００４】まず、図３（ａ）に示すように、支持台３
１により、ウェハＷＦが回転し、図示しないノズル等を
介して脱イオン水、すなわち純水ＤＩＷがウェハＷＦ表
面に供給される（水洗工程）。
１により、ウェハＷＦが回転し、図示しないノズル等を
介して脱イオン水、すなわち純水ＤＩＷがウェハＷＦ表
面に供給される（水洗工程）。
【０００５】次に、図３（ｂ）に示すように、純水の供
給を止め、支持台３１をある程度回転数を上げて高速に
回転させる。これにより、ウェハＷＦ表面に残った水は
遠心力により振り切られウェハＷＦを乾燥させる（乾燥
工程）。
給を止め、支持台３１をある程度回転数を上げて高速に
回転させる。これにより、ウェハＷＦ表面に残った水は
遠心力により振り切られウェハＷＦを乾燥させる（乾燥
工程）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記枚
葉スピン方式においては、ウェハ中心と、回転中心がほ
ぼ一致している。このため、ウェハ中心に向かうほど、
かかる遠心力は小さい。そのため、ある程度回転速度を
上げて乾燥させるが、やはり、ウェハ中心付近は遠心力
が弱く、図３（ｂ）に示すように、小さな水滴３２が残
留する場合がある。水滴の残留領域はウォータマークと
なり、不良の原因を作る。ウォータマークは、酸素存在
下で乾燥するときにシリコンと水滴の界面で酸化反応が
起こり、反応生成物が水滴中に溶解し、乾燥後の残渣と
なるものである。この結果、ウェハ中心付近に品質不良
を誘発する。
葉スピン方式においては、ウェハ中心と、回転中心がほ
ぼ一致している。このため、ウェハ中心に向かうほど、
かかる遠心力は小さい。そのため、ある程度回転速度を
上げて乾燥させるが、やはり、ウェハ中心付近は遠心力
が弱く、図３（ｂ）に示すように、小さな水滴３２が残
留する場合がある。水滴の残留領域はウォータマークと
なり、不良の原因を作る。ウォータマークは、酸素存在
下で乾燥するときにシリコンと水滴の界面で酸化反応が
起こり、反応生成物が水滴中に溶解し、乾燥後の残渣と
なるものである。この結果、ウェハ中心付近に品質不良
を誘発する。
【０００７】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、枚葉スピン方式において、ウェハ中心付近
も含めて水滴を残留させない、ウォータマークの発生を
抑制するウェハ洗浄乾燥方法を提供しようとするもので
ある。
れたもので、枚葉スピン方式において、ウェハ中心付近
も含めて水滴を残留させない、ウォータマークの発生を
抑制するウェハ洗浄乾燥方法を提供しようとするもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のウェハ洗浄乾燥
方法は、枚葉スピン方式のウェハの洗浄乾燥処理に関
し、半導体ウェハが回転可能な支持台に固定され、回転
させたウェハ表面に純水を供給する水洗工程と、前記純
水の供給を続けながら前記支持台の回転を止める回転停
止工程と、前記純水の供給を止め、少なくともウェハ中
心付近の溜水をまとめて周縁に向かって動かす前記支持
台の低速回転工程と、前記ウェハ表面に残った水が遠心
力によって振り切られる前記支持台の高速回転工程とを
具備したことを特徴とする。
方法は、枚葉スピン方式のウェハの洗浄乾燥処理に関
し、半導体ウェハが回転可能な支持台に固定され、回転
させたウェハ表面に純水を供給する水洗工程と、前記純
水の供給を続けながら前記支持台の回転を止める回転停
止工程と、前記純水の供給を止め、少なくともウェハ中
心付近の溜水をまとめて周縁に向かって動かす前記支持
台の低速回転工程と、前記ウェハ表面に残った水が遠心
力によって振り切られる前記支持台の高速回転工程とを
具備したことを特徴とする。
【０００９】本発明のウェハ洗浄乾燥方法によれば、回
転停止工程により一旦ウェハの回転を停止させ、大きな
溜水を形成する。その後、低速回転工程によりウェハ中
心の溜水をまとめて周縁の方に移動させる。これによ
り、高速回転工程によるウェハの乾燥段階では、遠心力
の小さいウェハ中心付近には小さな水滴さえも残ってい
ないようにする。
転停止工程により一旦ウェハの回転を停止させ、大きな
溜水を形成する。その後、低速回転工程によりウェハ中
心の溜水をまとめて周縁の方に移動させる。これによ
り、高速回転工程によるウェハの乾燥段階では、遠心力
の小さいウェハ中心付近には小さな水滴さえも残ってい
ないようにする。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ
本発明の一実施形態に係るウェハ洗浄乾燥方法を工程順
に示す概観図である。図は、枚葉スピン方式であり、図
示しない処理チャンバ内部に半導体ウェハＷＦの支持台
１１が配備されている。支持台１１は、ウェハＷＦをチ
ャックして回転制御される。ウェハＷＦのチャックは、
図示のようなウェハ裏面の真空吸着によるものでも、図
示しないがウェハ端面の所定箇所を押さえるタイプによ
るものでもよい。
本発明の一実施形態に係るウェハ洗浄乾燥方法を工程順
に示す概観図である。図は、枚葉スピン方式であり、図
示しない処理チャンバ内部に半導体ウェハＷＦの支持台
１１が配備されている。支持台１１は、ウェハＷＦをチ
ャックして回転制御される。ウェハＷＦのチャックは、
図示のようなウェハ裏面の真空吸着によるものでも、図
示しないがウェハ端面の所定箇所を押さえるタイプによ
るものでもよい。
【００１１】まず、図１（ａ）に示すように、支持台１
１により、ウェハＷＦが回転し、図示しないノズル等を
介して脱イオン水、すなわち純水ＤＩＷがウェハＷＦ表
面に供給される（水洗工程）。
１により、ウェハＷＦが回転し、図示しないノズル等を
介して脱イオン水、すなわち純水ＤＩＷがウェハＷＦ表
面に供給される（水洗工程）。
【００１２】次に、図１（ｂ）に示すように、純水ＤＩ
Ｗの供給を続けながら、支持台１１の回転を止める。ウ
ェハ面は疎水性の面で構成されており、純水供給による
溜水１２ができる。この支持台１１の回転の停止はだい
たい１〜２秒である（回転停止工程）。
Ｗの供給を続けながら、支持台１１の回転を止める。ウ
ェハ面は疎水性の面で構成されており、純水供給による
溜水１２ができる。この支持台１１の回転の停止はだい
たい１〜２秒である（回転停止工程）。
【００１３】次に、図１（ｃ）に示すように、純水の供
給を止め、支持台１１をゆっくりと回転させる。これに
より、ウェハ中心付近の溜水１２をまとめてウェハ周縁
の方向に動かす。このとき、ウェハ中心に小さな水滴が
あった場合、この溜水１２と共にウェハ周縁側に寄せら
れる（低速回転工程）。
給を止め、支持台１１をゆっくりと回転させる。これに
より、ウェハ中心付近の溜水１２をまとめてウェハ周縁
の方向に動かす。このとき、ウェハ中心に小さな水滴が
あった場合、この溜水１２と共にウェハ周縁側に寄せら
れる（低速回転工程）。
【００１４】次に、図１（ｄ）に示すように、支持台１
１をある程度回転数を上げて高速に回転させる。これに
より、ウェハＷＦ表面に残った水は遠心力により振り切
られウェハＷＦを乾燥させる（高速回転工程）。
１をある程度回転数を上げて高速に回転させる。これに
より、ウェハＷＦ表面に残った水は遠心力により振り切
られウェハＷＦを乾燥させる（高速回転工程）。
【００１５】上記実施例方法によれば、回転停止工程に
よって一旦ウェハの回転を停止させ、大きな溜水を形成
する。その後、低速回転工程によりウェハ中心の溜水を
まとめて周縁の方に移動させる。これにより、高速回転
工程によるウェハの乾燥段階では、遠心力の小さいウェ
ハ中心付近には小さな水滴さえも残っていないようにす
る。これにより、ウェハ中心付近に従来のような小さな
水滴が残留することもなくなり、この結果、ウォータマ
ーク等、不良の原因を作らなくなる。
よって一旦ウェハの回転を停止させ、大きな溜水を形成
する。その後、低速回転工程によりウェハ中心の溜水を
まとめて周縁の方に移動させる。これにより、高速回転
工程によるウェハの乾燥段階では、遠心力の小さいウェ
ハ中心付近には小さな水滴さえも残っていないようにす
る。これにより、ウェハ中心付近に従来のような小さな
水滴が残留することもなくなり、この結果、ウォータマ
ーク等、不良の原因を作らなくなる。
【００１６】図２は、図１の実施例方法を適用する際の
枚葉スピン方式の支持台１１における回転制御の具体例
を示す特性図である。まず、純水ＤＩＷによる水洗工程
は、毎分１０００〜２０００回転の高速回転から始まり
徐々に回転を落として行われる。この間は２秒程度であ
る。次に、１秒程度の回転停止工程が入る。ウェハの回
転停止によってウェハ上に純水ＤＩＷが供給され続け、
中心付近に大きな溜水１２が形成される。
枚葉スピン方式の支持台１１における回転制御の具体例
を示す特性図である。まず、純水ＤＩＷによる水洗工程
は、毎分１０００〜２０００回転の高速回転から始まり
徐々に回転を落として行われる。この間は２秒程度であ
る。次に、１秒程度の回転停止工程が入る。ウェハの回
転停止によってウェハ上に純水ＤＩＷが供給され続け、
中心付近に大きな溜水１２が形成される。
【００１７】次に、毎分５０回転程度に至るまで２秒程
度費やし、低速回転によるウェハ中心の溜水の移動がな
される。この溜水の移動はウェハ中心付近の小さな水滴
もまとめて周縁の方に寄せられる。続いて２秒程度の間
に毎分１０００〜２０００回転の高速回転に至るウェハ
の乾燥処理に移行する。
度費やし、低速回転によるウェハ中心の溜水の移動がな
される。この溜水の移動はウェハ中心付近の小さな水滴
もまとめて周縁の方に寄せられる。続いて２秒程度の間
に毎分１０００〜２０００回転の高速回転に至るウェハ
の乾燥処理に移行する。
【００１８】このように、支持台を回転制御することに
よって、ウェハ中心付近に小さな水滴を残留させずに、
ウェハの乾燥が達成できる。よってウォータマーク等、
不良の原因を作らなくなる。
よって、ウェハ中心付近に小さな水滴を残留させずに、
ウェハの乾燥が達成できる。よってウォータマーク等、
不良の原因を作らなくなる。
【００１９】なお、上記実施例方法で示した支持台の回
転制御に関するそれぞれの時間配分は一例であり、特に
限定されない。特に回転停止工程、低速回転工程は、ス
ループットを大きく低下させないように時間を配慮すべ
きである。
転制御に関するそれぞれの時間配分は一例であり、特に
限定されない。特に回転停止工程、低速回転工程は、ス
ループットを大きく低下させないように時間を配慮すべ
きである。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のウェハ洗浄
乾燥方法によれば、回転停止工程により一旦ウェハの回
転を停止させ、大きな溜水を形成する。その後、低速回
転工程によりウェハ中心の溜水をまとめて周縁の方に移
動させる。これにより、高速回転工程によるウェハの乾
燥段階では、遠心力の小さいウェハ中心付近には小さな
水滴を残さないようにする。この結果、ウェハの回転制
御というコストを抑えた技術により、枚葉スピン方式に
おいて、ウェハ中心付近も含めて水滴を残留させない、
ウォータマークの発生を抑制するウェハ洗浄乾燥方法を
提供することができる。
乾燥方法によれば、回転停止工程により一旦ウェハの回
転を停止させ、大きな溜水を形成する。その後、低速回
転工程によりウェハ中心の溜水をまとめて周縁の方に移
動させる。これにより、高速回転工程によるウェハの乾
燥段階では、遠心力の小さいウェハ中心付近には小さな
水滴を残さないようにする。この結果、ウェハの回転制
御というコストを抑えた技術により、枚葉スピン方式に
おいて、ウェハ中心付近も含めて水滴を残留させない、
ウォータマークの発生を抑制するウェハ洗浄乾燥方法を
提供することができる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の一実施形
態に係るウェハ洗浄乾燥方法を工程順に示す概観図であ
る。
態に係るウェハ洗浄乾燥方法を工程順に示す概観図であ
る。
【図２】図１の実施例方法を適用する際の枚葉スピン方
式の支持台における回転制御の具体例を示す特性図であ
る。
式の支持台における回転制御の具体例を示す特性図であ
る。
【図３】（ａ），（ｂ）は、それぞれ従来のウェハ洗浄
乾燥方法の一例を工程順に示す概観図である。
乾燥方法の一例を工程順に示す概観図である。
１１，３１…支持台 １２…溜水 ３２…水滴 ＷＦ…ウェハ ＤＩＷ…純水（脱イオン水）
Claims (2)
- 【請求項１】 枚葉スピン方式のウェハの洗浄乾燥処理
に関し、 半導体ウェハが回転可能な支持台に固定され、回転させ
たウェハ表面に純水を供給する水洗工程と、 前記純水の供給を続けながら前記支持台の回転を止める
回転停止工程と、 前記純水の供給を止め、少なくともウェハ中心付近の溜
水をまとめて周縁に向かって動かす前記支持台の低速回
転工程と、 前記ウェハ表面に残った水が遠心力によって振り切られ
る前記支持台の高速回転工程と、を具備したことを特徴
とするウェハ洗浄乾燥方法。 - 【請求項２】 前記低速回転工程は毎分５０回転以下で
達成されることを特徴とする請求項１記載のウェハ洗浄
乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000263667A JP2002075949A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | ウェハ洗浄乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000263667A JP2002075949A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | ウェハ洗浄乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075949A true JP2002075949A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18751179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000263667A Withdrawn JP2002075949A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | ウェハ洗浄乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002075949A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005050724A1 (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-02 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
2000
- 2000-08-31 JP JP2000263667A patent/JP2002075949A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005050724A1 (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-02 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| US7927429B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-04-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and computer readable recording medium |
| US8113221B2 (en) | 2003-11-18 | 2012-02-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and computer readable recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071106 |