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JP2002072969A - Liquid crystal drive circuit and liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal drive circuit and liquid crystal display device

Info

Publication number
JP2002072969A
JP2002072969A JP2000255123A JP2000255123A JP2002072969A JP 2002072969 A JP2002072969 A JP 2002072969A JP 2000255123 A JP2000255123 A JP 2000255123A JP 2000255123 A JP2000255123 A JP 2000255123A JP 2002072969 A JP2002072969 A JP 2002072969A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
reference voltage
circuit
current mirror
crystal panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000255123A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukinobu Notomi
志信 納富
Naoki Miyamoto
直樹 宮本
Katsuhiko Yamamoto
勝彦 山本
Kazuya Endo
一哉 遠藤
Kazuo Daimon
一夫 大門
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Device Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Device Engineering Co Ltd
Priority to JP2000255123A priority Critical patent/JP2002072969A/en
Publication of JP2002072969A publication Critical patent/JP2002072969A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶パネルの明度低下と液晶出力アンプの駆
動能力の低下とを軽減する。 【解決手段】 液晶パネルの性質上、温度が下がること
により液晶パネルの反応速度が低下され、明度も低下さ
れてしまうが、液晶レベル用基準電圧発生回路(11)
が負の温度特性を有するため、温度が低い場合には液晶
レベル用基準電圧が高くなって液晶パネルの反応速度の
低下が補われ、それによって液晶明度の安定化が図られ
る。温度が上がることによって液晶出力アンプ(131
〜134)内のバイアス電流が減少され、液晶出力アン
プ自体の駆動能力が低下されるが、液晶出力アンプ用基
準電圧発生回路12が正の温度特性を有することから、
液晶出力アンプのバイアス電流の安定化が図られ、当該
アンプの駆動能力低下が防止される。
(57) [Problem] To reduce a decrease in brightness of a liquid crystal panel and a decrease in driving capability of a liquid crystal output amplifier. SOLUTION: Due to the nature of the liquid crystal panel, the reaction speed of the liquid crystal panel is lowered and the brightness is lowered by lowering the temperature, but the liquid crystal level reference voltage generating circuit (11).
Has a negative temperature characteristic, so that when the temperature is low, the reference voltage for the liquid crystal level is increased, thereby compensating for a decrease in the reaction speed of the liquid crystal panel, thereby stabilizing the liquid crystal brightness. As the temperature rises, the liquid crystal output amplifier (131
To 134), the driving capability of the liquid crystal output amplifier itself is reduced. However, since the liquid crystal output amplifier reference voltage generating circuit 12 has a positive temperature characteristic,
The bias current of the liquid crystal output amplifier is stabilized, and the driving capability of the amplifier is prevented from lowering.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶駆動技術、特
に液晶パネルの画質の向上を図るための技術に関し、例
えば小型液晶コントロールLSIに適用して有効な技術
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal driving technique, particularly to a technique for improving the image quality of a liquid crystal panel, and more particularly to a technique effective when applied to a small liquid crystal control LSI.

【0002】[0002]

【従来の技術】表示装置の一例とされる液晶表示装置
は、液晶パネル(LCD)と、この液晶パネルを駆動す
るための液晶コントローラLSIとを含んで成る。液晶
コントローラLSIは、液晶パネルの駆動に使用される
電圧を供給するための電源回路と、この電源回路の出力
電圧に基づいて液晶パネルを駆動するための液晶ドライ
バと、上記液晶ドライバ及び電源回路の動作を制御する
ためのコントローラなどを含んで成る。電源回路は、基
準電圧を発生させるための基準電圧発生回路と、この基
準電圧発生回路の出力電圧に基づいて、液晶パネルの駆
動に使用される電圧を形成するための液晶出力アンプな
どを含んで成る。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device, which is an example of a display device, includes a liquid crystal panel (LCD) and a liquid crystal controller LSI for driving the liquid crystal panel. The liquid crystal controller LSI includes a power supply circuit for supplying a voltage used for driving the liquid crystal panel, a liquid crystal driver for driving the liquid crystal panel based on an output voltage of the power supply circuit, and a liquid crystal driver and a power supply circuit. It comprises a controller for controlling the operation. The power supply circuit includes a reference voltage generation circuit for generating a reference voltage, and a liquid crystal output amplifier for forming a voltage used for driving a liquid crystal panel based on an output voltage of the reference voltage generation circuit. Become.

【0003】尚、液晶表示装置について記載された文献
の例としては、昭和58年8月20日に株式会社オーム
社から発行された「電子通信ハンドブック(第473
頁)」がある。
As an example of a document describing a liquid crystal display device, see “Electronic Communication Handbook (No. 473)” issued by Ohm Co., Ltd. on August 20, 1983.
Page)].

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】液晶コントロールLS
Iは、単結晶シリコン基板などの一つの半導体基板に形
成される。そのような液晶コントローラLSIについて
本願発明者が検討したところ、液晶パネルの温度特性と
の関係で液晶パネルの画質劣化を生ずることが見いださ
れた。
SUMMARY OF THE INVENTION Liquid Crystal Control LS
I is formed on one semiconductor substrate such as a single crystal silicon substrate. The inventors of the present application have examined such a liquid crystal controller LSI, and found that the image quality of the liquid crystal panel deteriorates in relation to the temperature characteristics of the liquid crystal panel.

【0005】すなわち、電圧変化の無い状態で液晶パネ
ルを駆動した場合、温度が下がることにより液晶パネル
の反応速度が低下され、明度も低下されてしまう。
[0005] That is, when the liquid crystal panel is driven in a state where there is no voltage change, the reaction temperature of the liquid crystal panel is reduced due to a decrease in temperature, and the brightness is also reduced.

【0006】一方、液晶パネルを駆動するための電圧を
出力する電源回路においては、温度が高いほど、液晶出
力アンプの能力が低下する傾向を示す。これは温度が上
がることによって液晶出力アンプ内のバイアス電流が減
少され、液晶出力アンプ自体の駆動能力が低下されるた
めである。液晶出力アンプ駆動能力の低下は、液晶出力
電圧の立ち上がり、立下がりを鈍らせることで、液晶パ
ネルの画質を低下させる。
On the other hand, in a power supply circuit for outputting a voltage for driving a liquid crystal panel, the higher the temperature, the lower the performance of the liquid crystal output amplifier tends to be. This is because the rise in temperature reduces the bias current in the liquid crystal output amplifier, and reduces the drive capability of the liquid crystal output amplifier itself. The lowering of the liquid crystal output amplifier driving ability lowers the rising and falling of the liquid crystal output voltage, thereby lowering the image quality of the liquid crystal panel.

【0007】このように、液晶パネルの明度と液晶出力
アンプの駆動能力は、一定の温度特性を持つ電源回路を
使用する限り、トレードオフの関係にあるため、両特性
の改善が困難とされる。
As described above, the brightness of the liquid crystal panel and the driving capability of the liquid crystal output amplifier are in a trade-off relationship as long as a power supply circuit having a constant temperature characteristic is used, so that it is difficult to improve both characteristics. .

【0008】本発明の目的は、液晶パネルの明度低下と
液晶出力アンプの駆動能力の低下とを同時に軽減するた
めの技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique for simultaneously reducing a decrease in brightness of a liquid crystal panel and a decrease in driving capability of a liquid crystal output amplifier.

【0009】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application.

【0011】すなわち、液晶パネルの駆動に使用される
電圧を出力可能な電源回路と、上記電源回路の出力電圧
を上記液晶パネルに供給することによって上記液晶パネ
ルを駆動するための液晶ドライバとを含んで液晶駆動回
路が構成されるとき、負の温度特性を有し、液晶レベル
用基準電圧を生成するための第1基準電圧発生回路と、
上記第1基準電圧発生回路の出力電圧に基づいて、上記
液晶パネルの駆動に使用される電圧を形成する出力アン
プと、正の温度特性有し、上記出力アンプに供給される
バイアス電圧を得るための第2基準電圧発生回路とを含
んで、上記電源回路を構成する。
That is, a power supply circuit capable of outputting a voltage used for driving a liquid crystal panel and a liquid crystal driver for driving the liquid crystal panel by supplying an output voltage of the power supply circuit to the liquid crystal panel are included. When a liquid crystal drive circuit is configured with a first reference voltage generation circuit having a negative temperature characteristic and generating a liquid crystal level reference voltage,
An output amplifier for forming a voltage used for driving the liquid crystal panel based on an output voltage of the first reference voltage generation circuit; and a bias voltage having a positive temperature characteristic and supplied to the output amplifier. And the second reference voltage generating circuit.

【0012】上記の手段によれば、第1基準電圧発生回
路は負の温度特性を有する。液晶パネルの性質上、温度
が下がることにより液晶パネルの反応速度が低下され、
明度も低下されてしまうが、上記のように第1基準電圧
発生回路が負の温度特性を有するため、温度が低い場合
には液晶レベル用基準電圧が高くなって液晶パネルの反
応速度の低下が補われ、それによって液晶明度の安定化
が図られる。
According to the above means, the first reference voltage generating circuit has a negative temperature characteristic. Due to the nature of the liquid crystal panel, the reaction speed of the liquid crystal panel decreases as the temperature decreases,
Although the brightness also decreases, since the first reference voltage generating circuit has a negative temperature characteristic as described above, when the temperature is low, the reference voltage for the liquid crystal level increases, and the reaction speed of the liquid crystal panel decreases. Thus, the brightness of the liquid crystal is stabilized.

【0013】また、第2基準電圧発生回路は、正の温度
特性を有する。温度が上がることによって液晶出力アン
プ内のバイアス電流が減少され、液晶出力アンプ自体の
駆動能力が低下されるが、上記のように第2基準電圧発
生回路が正の温度特性を有することから、液晶出力アン
プのバイアス電流の安定化が図られ、当該アンプの駆動
能力低下が軽減される。
Further, the second reference voltage generating circuit has a positive temperature characteristic. As the temperature rises, the bias current in the liquid crystal output amplifier decreases, and the driving capability of the liquid crystal output amplifier itself decreases. However, since the second reference voltage generation circuit has a positive temperature characteristic as described above, The bias current of the output amplifier is stabilized, and the reduction in the driving capability of the amplifier is reduced.

【0014】このとき、上記第1基準電圧発生回路及び
上記第2基準電圧発生回路は、デプレションタイプのト
ランジスタと、上記デプレションタイプのトランジスタ
に流れる電流に基づいて所定のカレントミラー比に応じ
た電流を得るためのカレントミラー回路と、上記カレン
トミラー回路の出力電流を電圧に変換するためのトラン
ジスタとを設けることができる。
At this time, the first reference voltage generation circuit and the second reference voltage generation circuit correspond to a predetermined current mirror ratio based on a depletion type transistor and a current flowing through the depletion type transistor. A current mirror circuit for obtaining a current and a transistor for converting an output current of the current mirror circuit into a voltage can be provided.

【0015】また、第1基準電圧発生回路の負の温度特
性や、第2基準電圧発生回路の正の温度特性を容易に実
現するには、上記第1基準電圧発生回路に含まれるカレ
ントミラー回路のカレントミラー比と、上記第2基準電
圧発生回路に含まれるカレントミラー回路のカレントミ
ラー比とを調整するとよい。
In order to easily realize the negative temperature characteristic of the first reference voltage generation circuit and the positive temperature characteristic of the second reference voltage generation circuit, the current mirror circuit included in the first reference voltage generation circuit is used. And the current mirror ratio of the current mirror circuit included in the second reference voltage generating circuit may be adjusted.

【0016】さらに、上記カレントミラー回路には、カ
レントミラー比を変更可能なスイッチを含めることがで
きる。
Further, the current mirror circuit may include a switch capable of changing a current mirror ratio.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】図2には、本発明にかかる液晶表
示装置の構成例が示される。
FIG. 2 shows a configuration example of a liquid crystal display device according to the present invention.

【0018】図2に示される液晶表示装置20は、特に
制限されないが、携帯用情報端末に搭載されるもので、
液晶表示パネル21と、それを駆動するための小型液晶
コントローラLSI22とを含んで成る。小型液晶コン
トローラLSI22は、特に制限されないが、上記液晶
パネル21の駆動に使用される電圧を供給するための電
源回路222と、この電源回路222の出力電圧に基づ
いて上記液晶パネル21を駆動するための液晶ドライバ
221と、上記液晶ドライバ221及び電源回路222
の動作を制御するためのコントローラ223とを含み、
例えば公知の半導体集積回路製造技術により、単結晶シ
リコン基板などの一つの半導体基板に形成される。液晶
パネル21は、複数の液晶素子が格子状に配列され、上
記液晶ドライバ221の出力に基づく画像表示を可能と
する。
The liquid crystal display device 20 shown in FIG. 2 is not particularly limited, but is mounted on a portable information terminal.
It comprises a liquid crystal display panel 21 and a small liquid crystal controller LSI 22 for driving it. Although not particularly limited, the small liquid crystal controller LSI 22 includes a power supply circuit 222 for supplying a voltage used for driving the liquid crystal panel 21 and a drive circuit for driving the liquid crystal panel 21 based on an output voltage of the power supply circuit 222. Liquid crystal driver 221 and the liquid crystal driver 221 and power supply circuit 222
And a controller 223 for controlling the operation of
For example, it is formed on one semiconductor substrate such as a single crystal silicon substrate by a known semiconductor integrated circuit manufacturing technique. The liquid crystal panel 21 has a plurality of liquid crystal elements arranged in a grid pattern, and enables image display based on the output of the liquid crystal driver 221.

【0019】図1には上記電源回路222の構成例が示
される。
FIG. 1 shows a configuration example of the power supply circuit 222.

【0020】図1に示されるように、上記電源回路22
2は、液晶レベル用基準電圧を生成するための液晶レベ
ル用基準電圧発生回路(第1基準電圧発生回路)11
と、この液晶レベル用基準電圧発生回路の出力電圧を昇
圧するための昇圧用アンプ131と、この昇圧用アンプ
131のゲイン調整のための可変抵抗器VR1及びそれ
に直列接続された抵抗R1と、液晶パネル21のコント
ラスト調整を可能とするための可変抵抗器VR2、及び
この可変抵抗器VR2を介して取り込まれた電圧を互い
にレベルが異なる複数の電圧に分圧するためのラダー抵
抗R2,R3,R4,R6と、上記ラダー抵抗R2,R
3,R4,R6の分圧出力電圧に基づいて、上記液晶パ
ネル21の駆動に使用される電圧を形成するための液晶
出力アンプ131,132,133,134と、この液
晶出力アンプ131,132,133,134に供給さ
れるバイアス電圧Vbを発生するための液晶出力アンプ
用基準電圧発生回路(第2基準電圧発生回路)12とを
含んで成る。
As shown in FIG. 1, the power supply circuit 22
Reference numeral 2 denotes a liquid crystal level reference voltage generation circuit (first reference voltage generation circuit) for generating a liquid crystal level reference voltage.
A boosting amplifier 131 for boosting the output voltage of the liquid crystal level reference voltage generating circuit; a variable resistor VR1 for adjusting the gain of the boosting amplifier 131; and a resistor R1 connected in series to the variable resistor VR1. A variable resistor VR2 for enabling contrast adjustment of the panel 21, and ladder resistors R2, R3, R4 for dividing a voltage taken in through the variable resistor VR2 into a plurality of voltages having different levels. R6 and the ladder resistors R2 and R
3, liquid crystal output amplifiers 131, 132, 133, and 134 for forming voltages used for driving the liquid crystal panel 21 based on the divided output voltages of R3, R4, and R6. And a reference voltage generating circuit (second reference voltage generating circuit) 12 for a liquid crystal output amplifier for generating a bias voltage Vb supplied to 133 and 134.

【0021】液晶レベル用基準電圧発生回路11から出
力される液晶レベル用基準電圧Vrefは、液晶レベル
昇圧用アンプ121の非反転入力端子(+)に伝達され
る。この液晶レベル昇圧用アンプ121の出力端子と反
転入力端子(−)との間には可変抵抗VR1が結合され
ている。可変抵抗VR1は液晶レベル昇圧用アンプ12
1の帰還量を調整することができ、この可変抵抗VR1
と抵抗R1との関係によって液晶レベル昇圧用アンプ1
21のゲインが決定される。液晶レベル昇圧用アンプ1
21の出力電圧はコントラスト調整用の可変抵抗VR2
を介して分圧抵抗R2〜R6に印加される。分圧抵抗R
2,R3の直列接続ノードからの出力電圧は液晶出力ア
ンプ131の非反転入力端子に伝達される。分圧抵抗R
3,R4の直列接続ノードからの出力電圧は液晶出力ア
ンプ132の非反転入力端子に伝達される。分圧抵抗R
4,R5の直列接続ノードからの出力電圧は液晶出力ア
ンプ133の非反転入力端子に伝達される。分圧抵抗R
5,R6の直列接続ノードからの出力電圧は液晶出力ア
ンプ134の非反転入力端子に伝達される。液晶出力ア
ンプ131〜134は、その出力端子と反転入力端子と
が結合されたボルテージホロワとされる。
The liquid crystal level reference voltage Vref output from the liquid crystal level reference voltage generation circuit 11 is transmitted to the non-inverting input terminal (+) of the liquid crystal level boosting amplifier 121. A variable resistor VR1 is connected between the output terminal of the liquid crystal level boosting amplifier 121 and the inverting input terminal (-). The variable resistor VR1 is a liquid crystal level boosting amplifier 12
1 can be adjusted, and the variable resistor VR1
Liquid crystal level boosting amplifier 1 according to the relationship between
A gain of 21 is determined. LCD Level Boost Amplifier 1
21 is a variable resistor VR2 for contrast adjustment.
Are applied to the voltage dividing resistors R2 to R6. Voltage dividing resistor R
The output voltage from the series connection node of R2 and R3 is transmitted to the non-inverting input terminal of the liquid crystal output amplifier 131. Voltage dividing resistor R
The output voltage from the series connection node of R3 and R4 is transmitted to the non-inverting input terminal of the liquid crystal output amplifier 132. Voltage dividing resistor R
The output voltage from the series connection node of R4 and R5 is transmitted to the non-inverting input terminal of the liquid crystal output amplifier 133. Voltage dividing resistor R
The output voltage from the series connection node of R5 and R6 is transmitted to the non-inverting input terminal of the liquid crystal output amplifier 134. The liquid crystal output amplifiers 131 to 134 are voltage followers whose output terminals and inverting input terminals are coupled.

【0022】ここで、上記液晶レベル用基準電圧発生回
路11は負の温度特性を有し、上記液晶出力アンプ用基
準電圧発生回路12は正の温度特性を有する。負の温度
特性や正の温度特性は、特に制限されないが、カレント
ミラー回路のカレントミラー比を調整することで実現す
ることができる。
Here, the liquid crystal level reference voltage generating circuit 11 has a negative temperature characteristic, and the liquid crystal output amplifier reference voltage generating circuit 12 has a positive temperature characteristic. The negative temperature characteristic and the positive temperature characteristic are not particularly limited, but can be realized by adjusting the current mirror ratio of the current mirror circuit.

【0023】図3には上記液晶ドライバ22の構成例が
示される。
FIG. 3 shows a configuration example of the liquid crystal driver 22.

【0024】図3に示されるように、上記液晶ドライバ
22は、複数個の駆動回路31−1,31−2,…,3
1−X(Xは正の整数)を有する。この複数個の駆動回
路31−1,31−2,…,31−Xは互いに同一構成
であるので、ここでは駆動回路31−1についてのみ詳
細に説明する。
As shown in FIG. 3, the liquid crystal driver 22 includes a plurality of driving circuits 31-1, 31-2,.
1-X (X is a positive integer). Since the plurality of drive circuits 31-1, 31-2,..., 31-X have the same configuration, only the drive circuit 31-1 will be described in detail here.

【0025】駆動回路31−1は、nチャンネル型MO
SトランジスタQ11,Q12、及びpチャンネル型M
OSトランジスタQ13,Q14を含む。このMOSト
ランジスタQ11〜Q14のゲート電極には、それぞれ
対応する液晶レベル選択信号IN11,IN12,IN
13,IN14が伝達されるようになっている。液晶レ
ベル選択信号IN11,IN12,IN13,IN14
は、表示データに応じて、図2に示されるコントローラ
223から出力される信号であり、この信号に従って、
対応する液晶レベルが液晶パネル21に選択的に供給さ
れる。例えば、液晶レベル選択信号IN11がハイレベ
ルにアサートされたとき、nチャンネル型MOSトラン
ジスタQ11がオンされて液晶レベルV1が液晶パネル
21に選択的に供給される。液晶レベル選択信号IN1
2がハイレベルにアサートされたとき、nチャンネル型
MOSトランジスタQ12がオンされて液晶レベルV2
が液晶パネル21に選択的に供給される。液晶レベル選
択信号IN13がローレベルにアサートされたとき、p
チャンネル型MOSトランジスタQ13がオンされて液
晶レベルV3が液晶パネル21に選択的に供給される。
液晶レベル選択信号IN14がローレベルにアサートさ
れたとき、pチャンネル型MOSトランジスタQ14が
オンされて液晶レベルV4が液晶パネル21に選択的に
供給される。
The drive circuit 31-1 is an n-channel type MO
S transistors Q11, Q12 and p-channel type M
OS transistors Q13 and Q14 are included. The gate electrodes of the MOS transistors Q11 to Q14 have corresponding liquid crystal level selection signals IN11, IN12, IN respectively.
13, IN14 are transmitted. Liquid crystal level selection signals IN11, IN12, IN13, IN14
Is a signal output from the controller 223 shown in FIG. 2 in accordance with the display data.
The corresponding liquid crystal level is selectively supplied to the liquid crystal panel 21. For example, when the liquid crystal level selection signal IN11 is asserted to a high level, the n-channel MOS transistor Q11 is turned on, and the liquid crystal level V1 is selectively supplied to the liquid crystal panel 21. Liquid crystal level selection signal IN1
2 is asserted to a high level, the n-channel MOS transistor Q12 is turned on and the liquid crystal level V2 is turned on.
Is selectively supplied to the liquid crystal panel 21. When the liquid crystal level selection signal IN13 is asserted low, p
The channel type MOS transistor Q13 is turned on, and the liquid crystal level V3 is selectively supplied to the liquid crystal panel 21.
When the liquid crystal level selection signal IN14 is asserted to a low level, the p-channel MOS transistor Q14 is turned on, and the liquid crystal level V4 is selectively supplied to the liquid crystal panel 21.

【0026】図4には液晶レベル用基準電圧発生回路1
1の構成例が示される。
FIG. 4 shows a reference voltage generating circuit 1 for a liquid crystal level.
1 is shown.

【0027】nチャンネル型MOSトランジスタQ4
5,Q46が直列接続され、それにpチャンネル型MO
SトランジスタQ41が直列接続される。50個のpチ
ャンネル型MOSトランジスタQ42−1〜Q42−5
0が上記pチャンネル型MOSトランジスタQ41にカ
レントミラー結合されることによりカレントミラー回路
40形成される。pチャンネル型MOSトランジスタQ
41及びQ42−1〜Q42−50のゲートサイズは互
いに等しくされ、カレントミラー比(これをMで示す)
は1/50とされる。また、上記pチャンネル型MOS
トランジスタQ42−1〜Q42−50に対してpチャ
ンネル型MOSトランジスタQ43が直列接続され、こ
のpチャンネル型MOSトランジスタQ43のゲート電
極に、MOSトランジスタQ41,Q45の直列接続ノ
ードの電圧が供給されることにより、バイアス電圧Vr
efの電源電圧依存性の低減が図られる。上記pチャン
ネル型MOSトランジスタQ43には、電流−電圧変換
のためのnチャンネル型MOSトランジスタQ44が直
列接続される。pチャンネル型MOSトランジスタQ4
3とnチャンネル型MOSトランジスタQ44との直列
接続ノードから、液晶レベル用基準電圧Vrefが得ら
れる。この液晶レベル用基準電圧Vrefは、図1に示
されるように、液晶レベル昇圧用アンプ121に伝達さ
れる。
An n-channel type MOS transistor Q4
5, Q46 are connected in series, and a p-channel type MO
S transistor Q41 is connected in series. 50 p-channel MOS transistors Q42-1 to Q42-5
The current mirror circuit 40 is formed by 0 being current mirror-coupled to the p-channel MOS transistor Q41. p-channel type MOS transistor Q
41 and the gate sizes of Q42-1 to Q42-50 are made equal to each other, and the current mirror ratio (this is indicated by M).
Is set to 1/50. In addition, the above-mentioned p-channel type MOS
A p-channel MOS transistor Q43 is connected in series to the transistors Q42-1 to Q42-50, and a gate electrode of the p-channel MOS transistor Q43 is supplied with a voltage of a series connection node of the MOS transistors Q41 and Q45. The bias voltage Vr
The power supply voltage dependence of ef is reduced. An n-channel MOS transistor Q44 for current-voltage conversion is connected in series to the p-channel MOS transistor Q43. p-channel type MOS transistor Q4
The reference voltage Vref for the liquid crystal level is obtained from a series connection node of the third transistor 3 and the n-channel MOS transistor Q44. The liquid crystal level reference voltage Vref is transmitted to the liquid crystal level boosting amplifier 121 as shown in FIG.

【0028】尚、図4において、nチャンネル型MOS
トランジスタQ45,Q46のみデプレションタイプで
あり、その他はエンハンスメントタイプである。
In FIG. 4, an n-channel MOS
Only the transistors Q45 and Q46 are of the depletion type, and the others are of the enhancement type.

【0029】図5には上記液晶出力アンプ用基準電圧発
生回路12の構成例が示される。
FIG. 5 shows a configuration example of the reference voltage generating circuit 12 for the liquid crystal output amplifier.

【0030】nチャンネル型MOSトランジスタQ5
5,Q56が直列接続され、それにpチャンネル型MO
SトランジスタQ51が直列接続される。pチャンネル
型MOSトランジスタQ52が上記pチャンネル型MO
SトランジスタQ51にカレントミラー結合されること
によりカレントミラー回路50が形成される。pチャン
ネル型MOSトランジスタQ51及びQ52のゲートサ
イズは互いに等しくされ、上記カレントミラー結合によ
るカレントミラー比(これをMで示す)は1/1とされ
る。また、上記pチャンネル型MOSトランジスタQ5
2に対してpチャンネル型MOSトランジスタQ53が
直列接続され、このpチャンネル型MOSトランジスタ
Q53のゲート電極に、MOSトランジスタQ51,Q
55の直列接続ノードの電圧が供給されることにより、
液晶レベル用基準電圧Vrefの電源電圧依存性の低減
が図られる。pチャンネル型MOSトランジスタQ53
には、電流−電圧変換のためのnチャンネル型MOSト
ランジスタQ54が直列接続される。pチャンネル型M
OSトランジスタQ53とnチャンネル型MOSトラン
ジスタQ54との直列接続ノードから、液晶出力アンプ
用バイアス電圧Vbが得られる。この液晶出力アンプ用
バイアス電圧Vbは、図1に示されるように、液晶出力
アンプ131〜134に伝達される。
An n-channel MOS transistor Q5
5, Q56 are connected in series, and a p-channel type MO
S transistor Q51 is connected in series. The p-channel MOS transistor Q52 is connected to the p-channel MO
A current mirror circuit 50 is formed by current mirror coupling to S transistor Q51. The gate sizes of the p-channel MOS transistors Q51 and Q52 are made equal to each other, and the current mirror ratio (shown by M) due to the current mirror coupling is set to 1/1. Further, the p-channel MOS transistor Q5
2, a p-channel MOS transistor Q53 is connected in series, and MOS transistors Q51, Q51 are connected to the gate electrode of the p-channel MOS transistor Q53.
By supplying the voltage of 55 series connection nodes,
The power supply voltage dependency of the liquid crystal level reference voltage Vref is reduced. p-channel type MOS transistor Q53
Is connected in series with an n-channel MOS transistor Q54 for current-voltage conversion. p-channel type M
A liquid crystal output amplifier bias voltage Vb is obtained from a series connection node of the OS transistor Q53 and the n-channel MOS transistor Q54. The liquid crystal output amplifier bias voltage Vb is transmitted to the liquid crystal output amplifiers 131 to 134 as shown in FIG.

【0031】尚、図5において、nチャンネル型MOS
トランジスタQ55,Q56のみデプレションタイプで
あり、その他はエンハンスメントタイプである。
In FIG. 5, an n-channel MOS
Only the transistors Q55 and Q56 are of the depletion type, and the others are of the enhancement type.

【0032】ここで、図4に示される液晶レベル用基準
電圧発生回路11の動作原理について説明する。
Here, the operation principle of the liquid crystal level reference voltage generation circuit 11 shown in FIG. 4 will be described.

【0033】液晶レベル用基準電圧発生回路11の出力
電圧Vrefは、次式によって示される。
The output voltage Vref of the liquid crystal level reference voltage generation circuit 11 is expressed by the following equation.

【0034】[0034]

【数1】 (Equation 1)

【0035】数1において、Vthneはエンハンスメ
ントタイプのnチャンネル型MOSトランジスタのしき
い値、βneはエンハンスメントタイプのnチャンネル
型MOSトランジスタのトランスコンダクタンス、Mは
カレントミラー比、Vthndはデプレションタイプの
nチャンネル型MOSトランジスタのしきい値、βnd
はデプレションタイプのnチャンネル型MOSトランジ
スタのトランスコンダクタンスである。ここで、トラン
スコンダクタンスβは、次式で示されるように、それぞ
れエンハンスメントタイプのnチャンネル型MOSトラ
ンジスタ、デプレションタイプのnチャンネル型MOS
トランジスタのゲートサイズによて決定される。尚、μ
は移動度、Coxはゲート容量、Wはゲート幅、Lはゲ
ート長である。
In equation (1), Vthne is the threshold value of the enhancement type n-channel MOS transistor, βne is the transconductance of the enhancement type n-channel MOS transistor, M is the current mirror ratio, and Vthnd is the depletion type n-channel MOS transistor. Threshold value of the type MOS transistor, βnd
Is the transconductance of the depletion type n-channel MOS transistor. Here, the transconductance β is expressed by an enhancement type n-channel MOS transistor and a depletion type n-channel MOS
It is determined by the gate size of the transistor. Note that μ
Is the mobility, Cox is the gate capacitance, W is the gate width, and L is the gate length.

【0036】[0036]

【数2】 (Equation 2)

【0037】[0037]

【数3】 (Equation 3)

【0038】そして、液晶レベル用基準電圧発生回路1
1の温度特性は、次式で示される。
The liquid crystal level reference voltage generating circuit 1
The temperature characteristic of No. 1 is expressed by the following equation.

【0039】[0039]

【数4】 (Equation 4)

【0040】実際にはβnd,βne共に所定の温度特
性を持っているが、それは、(βnd/βne)とした
場合には数4に対して十分に小さな値となる。数4よ
り、この液晶レベル用基準電圧発生回路11の温度特性
は、Vthndの温度特性にかかる係数であるカレント
ミラー比Mを変えることによって調整可能となる。
Actually, both βnd and βne have a predetermined temperature characteristic, but when (βnd / βne) is set, it is a sufficiently small value with respect to equation (4). From Equation 4, the temperature characteristic of the liquid crystal level reference voltage generating circuit 11 can be adjusted by changing the current mirror ratio M which is a coefficient relating to the temperature characteristic of Vthnd.

【0041】尚、図5に示される液晶出力用基準電圧発
生回路12においても、同様であり、液晶出力用基準電
圧発生回路12の温度特性は、Vthndの温度特性に
かかる係数であるカレントミラー比Mを変えることによ
って調整可能となる。
The same applies to the liquid crystal output reference voltage generating circuit 12 shown in FIG. 5, and the temperature characteristic of the liquid crystal output reference voltage generating circuit 12 is a current mirror ratio which is a coefficient related to the temperature characteristic of Vthnd. By adjusting M, adjustment becomes possible.

【0042】図6には、図4や図5に示されるような基
準電圧発生回路の温度特性が示される。
FIG. 6 shows the temperature characteristics of the reference voltage generating circuit as shown in FIGS.

【0043】図6から明らかなように、カレントミラー
回路におけるカレントミラー比(M)の違いによって回
路の温度特性が変わる。例えば図4に示されるように、
pチャンネル型MOSトランジスタQ41に、50個の
pチャンネル型MOSトランジスタQ42−1〜Q42
−50がカレントミラー結合されることにより、カレン
トミラー比が、M=1/50となる場合には、負の温度
特性が実現される。また、図5に示されるように、pチ
ャンネル型MOSトランジスタQ51にpチャンネル型
MOSトランジスタQ52がカレントミラー結合される
ことにより、カレントミラー比が、M=1/1となる場
合には、正の温度特性を得ることができる。
As is apparent from FIG. 6, the temperature characteristics of the current mirror circuit vary depending on the current mirror ratio (M). For example, as shown in FIG.
50 p-channel MOS transistors Q42-1 through Q42 are added to p-channel MOS transistor Q41.
When the current mirror ratio becomes M = 1/50 by the current mirror coupling of −50, a negative temperature characteristic is realized. Also, as shown in FIG. 5, when the p-channel MOS transistor Q51 is current-mirror-coupled to the p-channel MOS transistor Q51, the current mirror ratio becomes positive when M = 1/1. Temperature characteristics can be obtained.

【0044】図7には上記液晶出力アンプ131の構成
例が示される。
FIG. 7 shows a configuration example of the liquid crystal output amplifier 131.

【0045】nチャンネル型MOSトランジスタQ7
2,Q73は、ソース電極がnチャンネル型MOSトラ
ンジスタQ71を介してグランドGNDに結合されるこ
とで差動結合される。nチャンネル型MOSトランジス
タQ71は、ゲート電極に所定のバイアス電圧Vbが供
給されることによって定電流源として機能する。バイア
ス電圧Vbは、上記液晶出力アンプ用基準電圧発生回路
12によって供給される。また、上記nチャンネル型M
OSトランジスタQ72,Q73のドレイン電極は、そ
れぞれ対応するpチャンネル型MOSトランジスタQ7
4,Q75を介して高電位側電源Vddに結合される。
pチャンネル型MOSトランジスタQ74は、pチャン
ネル型MOSトランジスタQ75にミラー結合されてい
る。nチャンネル型MOSトランジスタQ72のゲート
電極から非反転入力端子(+)が引き出され、nチャン
ネル型MOSトランジスタQ73のゲート電極から反転
入力端子(−)が引き出される。pチャンネル型MOS
トランジスタQ74とnチャンネル型MOSトランジス
タQ72との直列接続ノードから、差動対の出力が得ら
れ、それが後段のpチャンネル型MOSトランジスタQ
76のゲート電極に伝達される。pチャンネル型MOS
トランジスタ76のソース電極は高電位側電源Vddに
結合される。pチャンネル型MOSトランジスタQ76
のドレイン電極は、nチャンネル型MOSトランジスタ
Q77を介してグランドGNDに結合される。nチャン
ネル型MOSトランジスタQ77は、ゲート電極に所定
のバイアス電圧Vbが供給されることにより、定電流源
として機能する。pチャンネル型MOSトランジスタQ
76とnチャンネル型MOSトランジスタQ77との直
列接続ノードから、この液晶出力アンプ131の出力電
圧V1が得られる。また、pチャンネル型MOSトラン
ジスタQ76とnチャンネル型MOSトランジスタQ7
7との直列接続ノードには、出力電圧V1のレベルを安
定化させるためのキャパシタC1が設けられる。
N-channel type MOS transistor Q7
2 and Q73 are differentially coupled by their source electrodes being coupled to ground GND via an n-channel MOS transistor Q71. The n-channel MOS transistor Q71 functions as a constant current source when a predetermined bias voltage Vb is supplied to the gate electrode. The bias voltage Vb is supplied by the liquid crystal output amplifier reference voltage generation circuit 12. In addition, the n-channel type M
The drain electrodes of the OS transistors Q72 and Q73 are connected to the corresponding p-channel type MOS transistor Q7.
4, Q75 to the high potential side power supply Vdd.
The p-channel MOS transistor Q74 is mirror-coupled to the p-channel MOS transistor Q75. A non-inverting input terminal (+) is extracted from the gate electrode of the n-channel MOS transistor Q72, and an inverting input terminal (-) is extracted from the gate electrode of the n-channel MOS transistor Q73. p-channel type MOS
An output of a differential pair is obtained from a series connection node of the transistor Q74 and the n-channel MOS transistor Q72.
It is transmitted to the gate electrode of 76. p-channel type MOS
The source electrode of transistor 76 is coupled to high potential side power supply Vdd. p-channel type MOS transistor Q76
Is coupled to ground GND via an n-channel MOS transistor Q77. The n-channel MOS transistor Q77 functions as a constant current source when a predetermined bias voltage Vb is supplied to the gate electrode. p-channel type MOS transistor Q
An output voltage V1 of the liquid crystal output amplifier 131 is obtained from a series connection node of the MOS transistor 76 and the n-channel MOS transistor Q77. Further, a p-channel MOS transistor Q76 and an n-channel MOS transistor Q7
7, a capacitor C1 for stabilizing the level of the output voltage V1 is provided.

【0046】尚、他の液晶出力アンプ132〜134も
上記液晶出力アンプ131と同様に構成される。
The other liquid crystal output amplifiers 132 to 134 have the same configuration as the liquid crystal output amplifier 131.

【0047】図9には、図1に示される電源回路222
の比較対象とされる回路が示される。
FIG. 9 shows the power supply circuit 222 shown in FIG.
The circuit to be compared is shown.

【0048】図9に示される電源回路90が、図1に示
される電源回路222と大きく異なるのは、液晶レベル
用基準電圧Vrefとバイアス電圧Vbとが、共通の基
準電圧発生回路91によって形成される点である。この
基準電圧発生回路91の温度特性はほぼ一定(0%/
℃)とされる。
The power supply circuit 90 shown in FIG. 9 is greatly different from the power supply circuit 222 shown in FIG. 1 in that the liquid crystal level reference voltage Vref and the bias voltage Vb are formed by a common reference voltage generation circuit 91. It is a point. The temperature characteristic of the reference voltage generating circuit 91 is almost constant (0% /
° C).

【0049】液晶パネル21は、図10に示されるよう
に、温度が低いほど液晶の明度が低下する特性を有す
る。つまり、同電圧で液晶パネル21を駆動しても温度
が下がることにより液晶パネル21の反応速度が低下さ
れ、それによって液晶の明度が下がってしまう。
As shown in FIG. 10, the liquid crystal panel 21 has such characteristics that the lower the temperature is, the lower the brightness of the liquid crystal is. In other words, even if the liquid crystal panel 21 is driven with the same voltage, the reaction speed of the liquid crystal panel 21 is reduced due to a decrease in temperature, thereby lowering the brightness of the liquid crystal.

【0050】また、液晶出力アンプ131〜134は、
図11に示されるように、温度が上がることにより、当
該液晶出力アンプの駆動能力が低下される。これは、温
度が上がることにより、液晶出力アンプ内で使用される
バイアス電流が減少されることで、アンプ自体の駆動能
力が低下されるためである。液晶出力アンプの駆動能力
の低下は、液晶出力電圧の立ち上がり、立ち下がりを鈍
らせる他、雑音への反応も鈍くなり、液晶パネルの画質
劣化を招く。
The liquid crystal output amplifiers 131 to 134 are
As shown in FIG. 11, as the temperature rises, the driving capability of the liquid crystal output amplifier decreases. This is because the rise in temperature decreases the bias current used in the liquid crystal output amplifier, thereby lowering the drive capability of the amplifier itself. A decrease in the driving capability of the liquid crystal output amplifier slows down the rise and fall of the liquid crystal output voltage and also slows down the response to noise, resulting in deterioration of the image quality of the liquid crystal panel.

【0051】例えば基準電圧発生回路91に負の温度特
性を持たせれば、温度が低い場合、液晶レベル用基準電
圧が高くなり、液晶パネルの反応速度の低下を補い、液
晶明度を一定に保つことができるが、そうすると、温度
が低い場合に、バイアス電圧が不所望に上昇することに
なるため好ましくない。また、基準電圧に正の温度特性
を持たせると、液晶出力アンプ131〜134のバイア
ス電流を一定に保ち、アンプの駆動能力低下を防止する
ことができるが、そうすると、温度の上昇に応じて液晶
レベル用基準電圧が高くなってしまうので好ましくな
い。
For example, if the reference voltage generating circuit 91 has a negative temperature characteristic, the reference voltage for the liquid crystal level increases when the temperature is low, thereby compensating for a decrease in the reaction speed of the liquid crystal panel and keeping the liquid crystal brightness constant. However, this is not preferable because when the temperature is low, the bias voltage undesirably increases. When the reference voltage has a positive temperature characteristic, the bias currents of the liquid crystal output amplifiers 131 to 134 can be kept constant to prevent a decrease in the driving capability of the amplifiers. This is not preferable because the level reference voltage becomes high.

【0052】上記のように例えば基準電圧発生回路91
に負の温度特性を持たせれば、温度が低い場合、液晶レ
ベル用基準電圧が高くなり、液晶パネルの反応速度の低
下を補い、液晶明度を一定に保つことができるし、基準
電圧に正の温度特性を持たせると、液晶出力アンプのバ
イアス電流を一定に保ち、アンプの駆動能力低下を防止
することができるが、単一の基準電圧発生回路91にお
いて、負の温度特性と正の温度特性を実現することはで
きない。
As described above, for example, the reference voltage generation circuit 91
If the temperature is low, the reference voltage for the liquid crystal level will increase when the temperature is low, compensating for the decrease in the reaction speed of the liquid crystal panel, keeping the liquid crystal brightness constant, and allowing the reference voltage to be positive. When the temperature characteristic is provided, the bias current of the liquid crystal output amplifier can be kept constant and the driving capability of the amplifier can be prevented from being reduced. However, in the single reference voltage generation circuit 91, the negative temperature characteristic and the positive temperature characteristic Cannot be realized.

【0053】これに対して、図1に示される電源回路2
22においては、負の温度特性を有し、液晶レベル用基
準電圧を生成するための液晶レベル用基準電圧発生回路
11と、正の温度特性有し、上記液晶出力アンプに供給
されるバイアス電圧Vbを得るための液晶出力アンプ用
基準電圧発生回路12とが設けられることにより、液晶
パネル21の温度特性と、液晶出力アンプ131〜13
4の温度特性とが、それぞれ同時に相殺され、それによ
り、液晶の明度低下及び画質劣化の双方が改善される。
On the other hand, the power supply circuit 2 shown in FIG.
Reference numeral 22 denotes a liquid crystal level reference voltage generating circuit 11 having a negative temperature characteristic and generating a liquid crystal level reference voltage, and a bias voltage Vb having a positive temperature characteristic and supplied to the liquid crystal output amplifier. And a liquid crystal output amplifier reference voltage generating circuit 12 for obtaining the temperature characteristics of the liquid crystal panel 21 and the liquid crystal output amplifiers 131 to 13.
4 are simultaneously canceled with each other, whereby both the reduction in the brightness of the liquid crystal and the deterioration in the image quality are improved.

【0054】上記例によれば、以下の作用効果を得るこ
とができる。
According to the above example, the following functions and effects can be obtained.

【0055】(1)液晶パネル21の性質上、温度が下
がることにより液晶パネル21の反応速度が低下され、
明度も低下されてしまうが、液晶レベル用基準電圧発生
回路11が負の温度特性を有するため、温度が低い場合
には液晶レベル用基準電圧が高くなって液晶パネルの反
応速度の低下が補われ、それによって液晶明度が一定に
保たれる。
(1) Due to the nature of the liquid crystal panel 21, the reaction speed of the liquid crystal panel 21 is reduced by lowering the temperature,
Although the brightness is also reduced, since the liquid crystal level reference voltage generating circuit 11 has a negative temperature characteristic, when the temperature is low, the liquid crystal level reference voltage is increased to compensate for the decrease in the reaction speed of the liquid crystal panel. , Thereby keeping the liquid crystal brightness constant.

【0056】(2)温度が上がることによって液晶出力
アンプ131〜134内のバイアス電流が減少され、液
晶出力アンプ自体の駆動能力が低下されるが、液晶出力
アンプ用基準電圧発生回路12が正の温度特性を有する
ことから、液晶出力アンプのバイアス電流が一定に保た
れ、当該アンプ131〜134の駆動能力低下が防止さ
れる。
(2) When the temperature rises, the bias current in the liquid crystal output amplifiers 131 to 134 is reduced, and the driving capability of the liquid crystal output amplifier itself is reduced. Because of the temperature characteristics, the bias current of the liquid crystal output amplifier is kept constant, and the driving capability of the amplifiers 131 to 134 is prevented from being reduced.

【0057】(3)上記のように液晶パネル21の液晶
明度が一定に保たれ、また、液晶出力アンプ131〜1
34のバイアス電流が一定に保たれることにより、液晶
パネル21の画質向上を図ることができる。
(3) As described above, the liquid crystal brightness of the liquid crystal panel 21 is kept constant, and the liquid crystal output amplifiers 131 to 1
The image quality of the liquid crystal panel 21 can be improved by maintaining the bias current at 34 constant.

【0058】(4)液晶レベル用基準電圧発生回路11
の負の温度特性や、液晶出力アンプ用基準電圧発生回路
12の正の温度特性は、カレントミラー回路のカレント
ミラー比を調整することによって容易に実現することが
できる。
(4) Liquid crystal level reference voltage generating circuit 11
, And the positive temperature characteristic of the liquid crystal output amplifier reference voltage generating circuit 12 can be easily realized by adjusting the current mirror ratio of the current mirror circuit.

【0059】以上本発明者によってなされた発明を具体
的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であるこ
とはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described above, the present invention is not limited to this, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the gist of the invention.

【0060】例えば、液晶レベル用基準電圧発生回路1
1や液晶出力アンプ用基準電圧発生回路12において、
カレントミラー比を変更可能なスイッチを設けることが
できる。図8にはその場合の構成例が示される。
For example, a liquid crystal level reference voltage generating circuit 1
1 and the reference voltage generating circuit 12 for the liquid crystal output amplifier,
A switch capable of changing the current mirror ratio can be provided. FIG. 8 shows a configuration example in that case.

【0061】nチャンネル型MOSトランジスタQ8
5,Q86が直列接続され、それにカレントミラー回路
80が結合される。このカレントミラー回路80は、p
チャンネル型MOSトランジスタQ81−1,Q81−
2,Q81−3,Q82−1,Q82−2,Q82−
3、及びスイッチ88−1,88−2,87−1,87
−2が結合されて成る。pチャンネル型MOSトランジ
スタQ81−2,Q81−3のソース電極は、それぞれ
対応するスイッチ88−1,88−2を介して高電位側
電源Vddに結合される。pチャンネル型MOSトラン
ジスタQ82−2,Q82−3は、それぞれ対応するス
イッチ87−1,87−2を介して高電位側電源Vdd
に結合される。上記スイッチ88−1,88−2,87
−1,87−2は、デコーダ80の出力信号によって駆
動制御される。デコーダ80は、レジスタ81の出力信
号をデコードする。また、pチャンネル型MOSトラン
ジスタQ83,Q84が直列接続され、この直列接続ノ
ードから出力電圧が得られる。上記スイッチ88−1,
88−2,87−1,87−2の状態によって、カレン
トミラー回路80におけるカレントミラー比が制御され
る。例えば、デコーダ80の出力信号によってスイッチ
88−1,99−2がオフされ、スイッチ87−1,8
7−2がオンされた場合、カレントミラー比は、M=1
/3となる。カレントミラー比によって、負の温度特性
や正の温度特性を得ることができるので、レジスタ81
の保持情報によってこの基準電圧発生回路の温度特性が
決定される。レジスタ81の保持情報はコントローラ2
23によって変更することができる。図1に示される液
晶レベル用基準電圧発生回路11や液晶出力アンプ用基
準電圧発生回路12として、例えば図8に示されるよう
にカレントミラー比の変更を可能とする構成を採用する
と、液晶出力アンプ131〜134や液晶パネル21の
温度特性に応じて、液晶レベル用基準電圧発生回路11
や液晶出力アンプ用基準電圧発生回路12の温度特性を
最適化することができる。
N channel type MOS transistor Q8
5, Q86 are connected in series, and a current mirror circuit 80 is coupled thereto. This current mirror circuit 80 has p
Channel type MOS transistors Q81-1, Q81-
2, Q81-3, Q82-1, Q82-2, Q82-
3, and switches 88-1, 88-2, 87-1, 87
-2 are combined. The source electrodes of the p-channel MOS transistors Q81-2 and Q81-3 are coupled to the high-potential power supply Vdd via the corresponding switches 88-1 and 88-2, respectively. The p-channel MOS transistors Q82-2 and Q82-3 are connected to the high-potential-side power supply Vdd via the corresponding switches 87-1 and 87-2, respectively.
Is combined with The switches 88-1, 88-2, 87
-1 and 87-2 are driven and controlled by the output signal of the decoder 80. The decoder 80 decodes the output signal of the register 81. Further, p-channel MOS transistors Q83 and Q84 are connected in series, and an output voltage is obtained from this series connection node. The above switches 88-1,
The current mirror ratio in the current mirror circuit 80 is controlled by the states of 88-2, 87-1, and 87-2. For example, the switches 88-1 and 99-2 are turned off by the output signal of the decoder 80, and the switches 87-1 and 87-2 are turned off.
When 7-2 is turned on, the current mirror ratio is M = 1
/ 3. A negative temperature characteristic or a positive temperature characteristic can be obtained by the current mirror ratio.
, The temperature characteristic of the reference voltage generating circuit is determined. The information held in the register 81 is stored in the controller 2
23 can be changed. When the liquid crystal level reference voltage generation circuit 11 and the liquid crystal output amplifier reference voltage generation circuit 12 shown in FIG. 1 adopt a configuration that allows the current mirror ratio to be changed as shown in FIG. In accordance with the temperature characteristics of the liquid crystal panel 21 and the liquid crystal panel 21,
In addition, the temperature characteristics of the reference voltage generating circuit 12 for the liquid crystal output amplifier can be optimized.

【0062】尚、図8において、nチャンネル型MOS
トランジスタQ85,Q86のみデプレションタイプで
あり、その他はエンハンスメントタイプである。
In FIG. 8, an n-channel MOS
Only the transistors Q85 and Q86 are of the depletion type, and the others are of the enhancement type.

【0063】また、液晶レベル用基準電圧発生回路11
や液晶出力アンプ用基準電圧発生回路12を、小型液晶
コントローラLSI22の外部に配置するようにしても
良い。
The liquid crystal level reference voltage generation circuit 11
Alternatively, the reference voltage generating circuit 12 for the liquid crystal output amplifier may be arranged outside the small liquid crystal controller LSI22.

【0064】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である小型液
晶コントロールLSIに適用した場合について説明した
が、本発明はそれに限定されるものではなく、液晶を駆
動するための回路に広く適用することができる。
In the above description, mainly the case where the invention made by the present inventor is applied to a small liquid crystal control LSI, which is a field of application as the background, has been described. However, the present invention is not limited to this. Can be widely applied to a circuit for driving.

【0065】本発明は、少なくとも液晶パネルの駆動に
使用される電圧を出力可能な電源回路を含むことを条件
に適用することができる。
The present invention can be applied on the condition that a power supply circuit capable of outputting at least a voltage used for driving a liquid crystal panel is included.

【0066】[0066]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0067】すなわち、液晶パネルの性質上、温度が下
がることにより液晶パネルの反応速度が低下され、明度
も低下されてしまうが、第1基準電圧発生回路が負の温
度特性を有するため、温度が低い場合には液晶レベル用
基準電圧が高くなって液晶パネルの反応速度の低下が補
われ、それによって液晶明度の安定化が図られる。ま
た、温度が上がることによって液晶出力アンプ内のバイ
アス電流が減少され、液晶出力アンプ自体の駆動能力が
低下されるが、第2基準電圧発生回路が正の温度特性を
有することから、液晶出力アンプのバイアス電流の安定
化が図られ、当該アンプの駆動能力低下が防止される。
これにより、液晶パネルの画質向上を図ることができ
る。
That is, due to the nature of the liquid crystal panel, the reaction temperature of the liquid crystal panel is reduced and the brightness is reduced by lowering the temperature. However, since the first reference voltage generating circuit has a negative temperature characteristic, the temperature is lowered. When it is low, the reference voltage for the liquid crystal level becomes high to compensate for the decrease in the reaction speed of the liquid crystal panel, thereby stabilizing the brightness of the liquid crystal. In addition, as the temperature rises, the bias current in the liquid crystal output amplifier decreases, and the driving capability of the liquid crystal output amplifier itself decreases. However, since the second reference voltage generating circuit has a positive temperature characteristic, the liquid crystal output amplifier has a positive temperature characteristic. , The bias current is stabilized, and the driving capability of the amplifier is prevented from lowering.
Thereby, the image quality of the liquid crystal panel can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかる液晶表示装置における小型液晶
コントローラLSIに含まれる電源回路の構成例回路図
である。
FIG. 1 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a power supply circuit included in a small liquid crystal controller LSI in a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】上記液晶表示装置の全体的な構成例ブロック図
である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating an overall configuration example of the liquid crystal display device.

【図3】上記小型液晶コントローラLSIに含まれる液
晶ドライバの構成例回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a liquid crystal driver included in the small liquid crystal controller LSI.

【図4】上記電源回路に含まれる液晶レベル用基準電圧
発生回路の構成例回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a liquid crystal level reference voltage generation circuit included in the power supply circuit.

【図5】上記電源回路に含まれる液晶出力アンプ用基準
電圧発生回路の構成例回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a reference voltage generation circuit for a liquid crystal output amplifier included in the power supply circuit.

【図6】基準電圧発生回路の温度特性図である。FIG. 6 is a temperature characteristic diagram of a reference voltage generation circuit.

【図7】上記電源回路に含まれる液晶出力アンプの構成
例回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a liquid crystal output amplifier included in the power supply circuit.

【図8】上記液晶レベル用基準電圧発生回路や上記液晶
出力アンプ用基準電圧発生回路の別の構成例回路図であ
る。
FIG. 8 is a circuit diagram of another configuration example of the liquid crystal level reference voltage generation circuit and the liquid crystal output amplifier reference voltage generation circuit.

【図9】図1に示される電源回路の比較対象とされる電
源回路の構成例回路図である。
9 is a circuit diagram showing a configuration example of a power supply circuit to be compared with the power supply circuit shown in FIG. 1;

【図10】液晶パネルの温度特性図である。FIG. 10 is a temperature characteristic diagram of a liquid crystal panel.

【図11】液晶出力アンプの温度特性図である。FIG. 11 is a temperature characteristic diagram of the liquid crystal output amplifier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 液晶レベル用基準電圧 12 液晶出力アンプ用基準電圧発生回路 21 液晶パネル 22 小型液晶コントロールLSI 40,50,80 カレントミラー回路 121液晶レベル昇圧用アンプ 131〜134 液晶出力アンプ 221 液晶ドライバ 222 電源回路 223 コントローラ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Reference voltage for liquid crystal level 12 Reference voltage generation circuit for liquid crystal output amplifier 21 Liquid crystal panel 22 Small liquid crystal control LSI 40, 50, 80 Current mirror circuit 121 Liquid crystal level boosting amplifier 131-134 Liquid crystal output amplifier 221 Liquid crystal driver 222 Power supply circuit 223 controller

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮本 直樹 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 山本 勝彦 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 遠藤 一哉 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 大門 一夫 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Fターム(参考) 2H093 NC01 NC03 NC57 ND44 5C006 AF50 BB11 BC03 BC12 BC20 BF25 BF27 BF34 BF38 BF43 EB05 FA19 5C080 AA10 BB05 DD20 FF03 JJ02 JJ03 JJ05 KK07  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Naoki Miyamoto 3681 Hayano Mobara-shi, Chiba Hitachi Device Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Katsuhiko Yamamoto 3681 Hayano Mobara-shi Chiba Prefecture Hitachi Device Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Kazuya Endo 3681 Hayano, Mobara-shi, Chiba Pref. Hitachi Device Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Kazuo Daimon 5-2-1, Josuihoncho, Kodaira-shi, Tokyo F-term in the semiconductor group of Hitachi, Ltd. (Reference) 2H093 NC01 NC03 NC57 ND44 5C006 AF50 BB11 BC03 BC12 BC20 BF25 BF27 BF34 BF38 BF43 EB05 FA19 5C080 AA10 BB05 DD20 FF03 JJ02 JJ03 JJ05 KK07

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶パネルの駆動に使用される電圧を出
力可能な電源回路と、上記電源回路の出力電圧を上記液
晶パネルに供給することによって上記液晶パネルを駆動
するための液晶ドライバとを含む液晶駆動回路であっ
て、 上記電源回路は、負の温度特性を有し、液晶レベル用基
準電圧を生成するための第1基準電圧発生回路と、 上記第1基準電圧発生回路によって生成された液晶レベ
ル用基準電圧に基づいて、上記液晶パネルの駆動に使用
される電圧を形成する出力アンプと、 正の温度特性有し、上記出力アンプに供給されるバイア
ス電圧を得るための第2基準電圧発生回路と、を含んで
成ることを特徴とする液晶駆動回路。
1. A power supply circuit capable of outputting a voltage used for driving a liquid crystal panel, and a liquid crystal driver for driving the liquid crystal panel by supplying an output voltage of the power supply circuit to the liquid crystal panel. A liquid crystal driving circuit, wherein the power supply circuit has a negative temperature characteristic, a first reference voltage generation circuit for generating a liquid crystal level reference voltage, and a liquid crystal generated by the first reference voltage generation circuit. An output amplifier that forms a voltage used for driving the liquid crystal panel based on a level reference voltage; and a second reference voltage generator that has a positive temperature characteristic and obtains a bias voltage supplied to the output amplifier. And a circuit.
【請求項2】 液晶パネルの駆動に使用される電圧を出
力可能な電源回路と、上記電源回路の出力電圧を上記液
晶パネルに供給することによって上記液晶パネルを駆動
するための液晶ドライバとを含む液晶駆動回路であっ
て、 上記電源回路は、負の温度特性を有し、液晶レベル用基
準電圧を生成するための第1基準電圧発生回路と、 上記第1基準電圧発生回路によって生成された液晶レベ
ル用基準電圧を昇圧するための昇圧用アンプと、 上記昇圧用アンプの出力電圧を互いにレベルが異なる複
数の電圧に分圧するためのラダー抵抗と、 上記ラダー抵抗によって分圧された電圧に基づいて、上
記液晶パネルの駆動に使用される電圧を形成する複数の
出力アンプと、 正の温度特性有し、上記複数の出力アンプに供給される
バイアス電圧を得るための第2基準電圧発生回路と、を
含んで成ることを特徴とする液晶駆動回路。
2. A power supply circuit capable of outputting a voltage used for driving a liquid crystal panel, and a liquid crystal driver for driving the liquid crystal panel by supplying an output voltage of the power supply circuit to the liquid crystal panel. A liquid crystal driving circuit, wherein the power supply circuit has a negative temperature characteristic, a first reference voltage generation circuit for generating a liquid crystal level reference voltage, and a liquid crystal generated by the first reference voltage generation circuit. A booster amplifier for boosting the level reference voltage, a ladder resistor for dividing the output voltage of the booster amplifier into a plurality of voltages having different levels, and a voltage divided by the ladder resistor. A plurality of output amplifiers for forming voltages used for driving the liquid crystal panel; and a bias voltage having a positive temperature characteristic and supplied to the plurality of output amplifiers. Liquid crystal drive circuit, wherein the second reference voltage generating circuit, that comprises a.
【請求項3】 上記第1基準電圧発生回路及び上記第2
基準電圧発生回路は、 デプレションタイプのトランジスタと、 上記デプレションタイプのトランジスタに流れる電流に
基づいて所定のカレントミラー比に応じた電流を得るた
めのカレントミラー回路と、 上記カレントミラー回路の出力電流を電圧に変換するた
めのトランジスタと、を含み、 上記第1基準電圧発生回路に含まれるカレントミラー回
路のカレントミラー比と、上記第2基準電圧発生回路に
含まれるカレントミラー回路のカレントミラー比とが互
いに異なる値に設定されて成る請求項1又は2液晶駆動
回路。
3. The first reference voltage generation circuit and the second reference voltage generation circuit.
A reference voltage generating circuit, a depletion type transistor, a current mirror circuit for obtaining a current corresponding to a predetermined current mirror ratio based on a current flowing through the depletion type transistor, and an output current of the current mirror circuit. And a transistor for converting a current mirror voltage into a voltage. A current mirror ratio of a current mirror circuit included in the first reference voltage generation circuit and a current mirror ratio of a current mirror circuit included in the second reference voltage generation circuit are included. 3. The liquid crystal driving circuit according to claim 1, wherein the values are set to different values.
【請求項4】 上記カレントミラー回路は、カレントミ
ラー比を変更可能なスイッチを含む請求項3記載の液晶
駆動回路。
4. The liquid crystal drive circuit according to claim 3, wherein said current mirror circuit includes a switch capable of changing a current mirror ratio.
【請求項5】 請求項1乃至4の何れか1項記載の液晶
駆動回路と、それによって駆動される液晶パネルと、を
含んで成る液晶表示装置。
5. A liquid crystal display device comprising the liquid crystal driving circuit according to claim 1, and a liquid crystal panel driven by the liquid crystal driving circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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