JP2002072232A - Liquid crystal display apparatus and method of manufacturing liquid crystal display apparatus - Google Patents
Liquid crystal display apparatus and method of manufacturing liquid crystal display apparatusInfo
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Landscapes
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、ドライバを内蔵するアクティブマトリクス型
の液晶表示装置の製造工程において発生する静電気に対
する保護機能を備えるものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device having a function of protecting against static electricity generated in a manufacturing process of an active matrix type liquid crystal display device having a built-in driver.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、液晶表示装置では、アクティブマ
トリクス型のものが主流となっている。アクティブマト
リクス型の液晶表示装置は、2つの基板と、当該2つの
基板に挟持された液晶とで構成されている。一方の基板
には、マトリクス状に配置される各画素毎にスイッチン
グ素子、及び、当該スイッチング素子に接続された画素
電極が設けられる。他方の基板には、各画素電極に対応
する対向電極が設けられる。表示の制御は、バックライ
トにより当該液晶の裏面を照射すると共に、各画素電極
と対向電極との間にそれぞれ所定の表示電圧を印加する
ことにより両電極に挟持された液晶の配向状態を各画素
毎に変化させ、当該液晶を透過する光量を制御して行
う。2. Description of the Related Art In recent years, active matrix type liquid crystal display devices have become mainstream. An active matrix type liquid crystal display device includes two substrates and a liquid crystal sandwiched between the two substrates. On one substrate, a switching element for each pixel arranged in a matrix and a pixel electrode connected to the switching element are provided. On the other substrate, opposed electrodes corresponding to the respective pixel electrodes are provided. The display is controlled by irradiating the back surface of the liquid crystal with a backlight and applying a predetermined display voltage between each pixel electrode and the counter electrode to change the alignment state of the liquid crystal sandwiched between both electrodes to each pixel. It is changed every time, and the amount of light transmitted through the liquid crystal is controlled.
【0003】上記のスイッチング素子には、薄膜トラン
ジスタ(以下、TFTという)やダイオード等の非線形
素子が用いられる。中でも表示装置の駆動回路と一体形
成が可能で応答速度の速いポリシリコンTFTが良く用
いられる。As the switching element, a non-linear element such as a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT) or a diode is used. Among them, a polysilicon TFT which can be formed integrally with a drive circuit of a display device and has a high response speed is often used.
【0004】上記アクティブマトリクス型の液晶表示装
置においては、その製造中に静電気が発生することがあ
る。高電圧の静電気が発生した場合、ゲート配線、ソー
ス配線、TFT、配線や素子間の層間絶縁膜等が破壊さ
れる恐れがある。In the above-mentioned active matrix type liquid crystal display device, static electricity may be generated during its manufacture. When high-voltage static electricity is generated, the gate wiring, the source wiring, the TFT, the wiring and the interlayer insulating film between the elements may be broken.
【0005】上記製造中に発生する静電気による破壊を
防止するため、従来のドライバ非内蔵型のTFTアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置では、静電気に対する
保護回路を備えるものが知られている。上記保護回路
は、例えば、画像表示領域の周囲に沿って全てのデータ
線及びゲート配線を短絡する,配線容量の大きなパター
ン配線で構成される。当該構成を採用することで、製造
工程中に発生した高電圧の静電気が内部の回路に印加さ
れるのを防止して内部回路が破壊されるのを防止する。[0005] In order to prevent destruction due to static electricity generated during the manufacturing, a conventional TFT active matrix liquid crystal display device without a driver is provided with a protection circuit against static electricity. The protection circuit is configured by, for example, a pattern wiring having a large wiring capacitance that short-circuits all data lines and gate wirings along the periphery of the image display area. By employing this configuration, high-voltage static electricity generated during the manufacturing process is prevented from being applied to the internal circuit, and the internal circuit is prevented from being destroyed.
【0006】製造工程中の静電破壊を効果的に防止する
には、なるべく早い製造段階で、上記のような保護回路
を設ける必要がある。また、上記保護回路は、製造工程
の最終段階までに、又は、製造工程の途中で電気的検査
を行う場合には当該検査前までに、装置が正常に動作す
るように除去しなければならない。In order to effectively prevent electrostatic destruction during the manufacturing process, it is necessary to provide the above-described protection circuit at the earliest possible manufacturing stage. In addition, the protection circuit must be removed so that the device operates normally before the final stage of the manufacturing process or before an electrical test is performed in the middle of the manufacturing process.
【0007】例えば、特開平7−181516号公報、
特開平7−175086号公報等に開示されている表示
装置の保護回路は、実装端子よりも外側の基板の縁に沿
って、全てのソース配線及びゲート配線を実装端子を介
して短絡するパターン配線により構成されている。当該
保護回路は、基板上より個々のアクティブマトリクス型
の液晶表示装置の基板をスクラブラインと称される切り
離し線に沿って切り離す際、あるいは切り離し後におけ
るパネル端面の研磨処理時に切り離される。当該構成を
採用することで、保護回路の切除を各配線の完成時まで
遅らせて、半導体装置の静電破壊を防止する。[0007] For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-181516,
A protection circuit for a display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-175086 or the like includes a pattern wiring that short-circuits all source wirings and gate wirings via mounting terminals along the edge of the substrate outside the mounting terminals. It consists of. The protection circuit is separated when the substrate of each active matrix type liquid crystal display device is separated from the substrate along a separation line called a scrub line, or at the time of polishing the end face of the panel after the separation. By employing this structure, the protection circuit is cut off until the completion of each wiring to prevent electrostatic breakdown of the semiconductor device.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の手法では、
基板から切断した後は、液晶表示装置の静電破壊を防止
することができない。また、上記従来の手法をドライバ
内蔵型の液晶表示装置に適用する場合、以下のような問
題が生じる。一般的なドライバを内蔵するアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置の場合、ドライバは、画像表
示部(液晶パネル)の周囲に形成される。ドライバを構
成する多数のTFTや配線は、画像表示領域の各画素を
構成するTFTのゲート電極と同じ金属、半導体膜、ソ
ース電極と同じAl等の金属膜、及び、層間絶縁膜等を
利用して形成される。このため、ゲート電極と同じ金
属、半導体膜、及び、ソース電極と同じ金属膜等を使用
する保護回路(配線パターン)を基板表面のドライバの
外周部分に形成することは、非常に難しい。In the above conventional method,
After cutting from the substrate, electrostatic breakdown of the liquid crystal display device cannot be prevented. In addition, when the above-described conventional method is applied to a liquid crystal display device with a built-in driver, the following problem occurs. In the case of an active matrix type liquid crystal display device incorporating a general driver, the driver is formed around an image display unit (liquid crystal panel). A large number of TFTs and wiring constituting the driver use the same metal as the gate electrode of the TFT constituting each pixel in the image display area, a semiconductor film, a metal film such as Al as the source electrode, and an interlayer insulating film. Formed. For this reason, it is very difficult to form a protection circuit (wiring pattern) using the same metal and semiconductor film as the gate electrode, the same metal film as the source electrode, and the like on the outer peripheral portion of the driver on the substrate surface.
【0009】本発明は、ドライバ内蔵型のアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置にも適用可能で、製造中の静
電破壊をより効果的に防止する機能を備えたアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置を提供することを目的とす
る。The present invention is applicable to an active matrix type liquid crystal display device with a built-in driver, and provides an active matrix type liquid crystal display device having a function of more effectively preventing electrostatic breakdown during manufacturing. The purpose is to do.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の第1の液晶表示
装置は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置であっ
て、当該液晶表示装置の外周部において、画像表示部を
構成するスイッチング素子の各端子を短絡する第1のシ
ョートリングと、上記第1ショートリングよりも内側に
位置し、上記スイッチング素子の各端子を短絡する第2
のショートリングを備えることを特徴とする。A first liquid crystal display device according to the present invention is an active matrix type liquid crystal display device, and each of switching elements constituting an image display section is provided at an outer peripheral portion of the liquid crystal display device. A first short ring that short-circuits a terminal; and a second short-circuit that is located inside the first short ring and short-circuits each terminal of the switching element.
Characterized by having a short ring.
【0011】本発明の第2の液晶表示装置は、上記第1
の液晶表示装置であって、上記第1のショートリング及
び第2のショートリングの内の少なくとも一方は、スイ
ッチング素子の各端子を短絡する集積回路であることを
特徴とする。The second liquid crystal display device according to the present invention comprises the first liquid crystal display device.
Wherein at least one of the first short ring and the second short ring is an integrated circuit that short-circuits each terminal of the switching element.
【0012】なお、上記第2の液晶表示装置の製造方法
は、第1のショートリング及び第2のショートリング
を、上記スイッチング素子の製造に伴い、製造したスイ
ッチング素子の端子を逐次短絡するように配線しつつ製
造することを特徴とする。In the second method of manufacturing a liquid crystal display device, the first short ring and the second short ring may be sequentially short-circuited with the terminals of the manufactured switching elements as the switching elements are manufactured. It is characterized by being manufactured while wiring.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】(1)発明の概要 本発明の液晶表示装置は、当該液晶表示装置を基板から
切り離す際に一緒に除去される,当該装置の各画素のス
イッチング素子の端子を短絡する第1のショートリング
を備えると共に、更に内側にレーザにより切断可能な第
2のショートリングを備えることを第1の特徴とする。
上記第1のショートリングを備えることで、当該液晶表
示装置の製造中における静電破壊を防止することができ
る。また、第2のショートリングのレーザによる切断
を、当該液晶表示装置の電気的な検査を行う直前まで控
えることで、当該液晶表示装置を基板から分割した後、
電気的な検査を行う直前までの間における静電破壊を防
止することができる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (1) Summary of the Invention In the liquid crystal display device of the present invention, the terminals of the switching elements of each pixel of the liquid crystal display device which are removed when the liquid crystal display device is separated from the substrate are short-circuited. A first feature is that a first short ring is provided, and a second short ring that can be cut by a laser is further provided inside.
By providing the first short ring, it is possible to prevent electrostatic breakdown during manufacturing of the liquid crystal display device. Further, by cutting off the laser cutting of the second short ring until immediately before the electrical inspection of the liquid crystal display device, the liquid crystal display device is divided from the substrate,
Electrostatic breakdown can be prevented until immediately before an electrical test is performed.
【0014】また、第1及び第2のショートリングの
内、少なくとも一方を、パターン配線でなく、スイッチ
ング素子の製造に伴い形成される集積回路とすることを
第2の特徴とする。より具体的には、第1のショートリ
ング及び第2のショートリングの内、集積回路より成る
ショートリングを、上記スイッチング素子の製造に伴
い、製造したスイッチング素子の端子を逐次短絡する集
積回路として製造する。当該手法により第1及び第2の
ショートリングの内の少なくとも一方を製造すること
で、スイッチング素子の製造工程中における静電破壊を
効果的に防止することができる。また、第1及び第2の
ショートリングを集積回路とすることで、例えば、画像
表示部(液晶パネル)の周囲にドライバを備える型の液
晶表示装置にも当該第1及び第2のショートリングを設
けることが可能になる。A second feature is that at least one of the first and second short rings is not a pattern wiring but an integrated circuit formed during the manufacture of the switching element. More specifically, of the first short ring and the second short ring, a short ring composed of an integrated circuit is manufactured as an integrated circuit that sequentially short-circuits the terminals of the manufactured switching element in connection with the manufacturing of the switching element. I do. By manufacturing at least one of the first and second short rings by this method, it is possible to effectively prevent electrostatic breakdown during the manufacturing process of the switching element. Further, by using the first and second short rings as integrated circuits, for example, the first and second short rings are also used in a liquid crystal display device having a driver around an image display unit (liquid crystal panel). Can be provided.
【0015】(2)実施の形態 図1は、実施の形態に係る液晶表示装置10a,10
b,…が1枚のガラス、又は、石英等から成る基板11
上にマトリクス状に複数形成されている状態を示す図で
ある。なお、液晶表示装置10a,10b,…は、同じ
構成であるため、以下、液晶表示装置10aについての
み説明する。液晶表示装置10aは、最外周に第1のシ
ョートリング13(但し、本図では、同一ライン上に位
置するスクラブライン12を点線で示す。)、及び、内
側に第2のショートリング14を備える。また、液晶表
示装置10aの第1のショートリング13は、隣り合う
液晶表示装置10b,…の第1のショートリングに接続
されている。当該第1のショートリング13、及び、第
2のショートリング14の構成については後に詳しく説
明する。(2) Embodiment FIG. 1 shows a liquid crystal display device 10a, 10 according to an embodiment.
b,... are substrates made of one sheet of glass or quartz, etc.
It is a figure showing the state where a plurality was formed in the shape of a matrix above. Since the liquid crystal display devices 10a, 10b,... Have the same configuration, only the liquid crystal display device 10a will be described below. The liquid crystal display device 10a includes a first short ring 13 at the outermost periphery (however, the scrub line 12 located on the same line is shown by a dotted line in this drawing), and a second short ring 14 inside. . The first short ring 13 of the liquid crystal display device 10a is connected to the first short ring of the adjacent liquid crystal display devices 10b,. The configurations of the first short ring 13 and the second short ring 14 will be described later in detail.
【0016】基板11は、点線で示すスクラブライン1
2に沿って切断される。分割された個々の液晶表示装置
10a,10b,…は、必要に応じてパネル面取り処理
が施される。当該切断処理及び面取り処理により各液晶
表示装置10aが備える第1のショートリング13が除
去される。The substrate 11 has a scrub line 1 indicated by a dotted line.
2 cut along. Each of the divided liquid crystal display devices 10a, 10b,... Is subjected to panel chamfering as necessary. By the cutting process and the chamfering process, the first short ring 13 included in each liquid crystal display device 10a is removed.
【0017】図2は、基板11上に形成される液晶表示
装置10aの上面図である。画像表示部21は、マトリ
クス状に並ぶ多数の画素部(図には多数の画素部の内の
1つである画素部41を示す)で構成される。画素部4
1は、液晶駆動用の画素電極36、及び、スイッチング
素子であるTFT40より成る。ゲート駆動回路24
a,24bは、画像表示部21の各画素部のTFTのゲ
ート配線22a,22bと接続される。ソース駆動回路
25は、実装端子部42を介して入力される画像データ
を画像表示部21に出力する回路であり、画像表示部2
1の各画素部のTFTのソース配線23に接続されてい
る。プリチャージ回路26は、上記ソース配線23に接
続され、ソース信号の供給前にソース配線を所定の電圧
まで昇圧する。FIG. 2 is a top view of the liquid crystal display device 10 a formed on the substrate 11. The image display unit 21 includes a large number of pixel units arranged in a matrix (in the figure, a pixel unit 41 which is one of a large number of pixel units is shown). Pixel section 4
1 includes a pixel electrode 36 for driving a liquid crystal and a TFT 40 as a switching element. Gate drive circuit 24
a and 24b are connected to the gate wirings 22a and 22b of the TFT of each pixel unit of the image display unit 21. The source drive circuit 25 is a circuit that outputs image data input via the mounting terminal unit 42 to the image display unit 21,
1 is connected to the source wiring 23 of the TFT in each pixel portion. The precharge circuit 26 is connected to the source line 23 and boosts the source line to a predetermined voltage before supplying a source signal.
【0018】図3は、画像表示部21の多数の画素部の
内の1つである画素部41の断面を示す図である。異な
る構成物の断面には、異なるハッチングを記し、区別し
易くしてある。画素部41は、液晶駆動用の画素電極3
6、及び、スイッチング素子であるTFT40より成
る。ガラス又は石英等の絶縁基板11の上には、チャン
ネル層を形成する半導体膜31、及び、ゲート絶縁膜3
2が積層される。前記半導体膜31としては、ポリシリ
コン薄膜又はCG(=Continuous Grain;連続粒界結晶
の略)シリコン薄膜を使用する。これにより、電子移動
度が高速化して電流を流す能力が高くなり、画面の応答
性を向上することができる。ゲート絶縁膜32上には、
例えば、ポリシリコン膜等から成るゲート配線33が配
されている。半導体膜31のソース領域には、Al等の
金属膜からなるソース配線34がゲート絶縁膜32及び
第1層間絶縁膜37を貫通するコンタクトホール34a
を介して接続されている。一方、半導体膜31のドレイ
ン領域には、Al等の金属膜から成る中継膜35がゲー
ト酸化膜32及び第1層間絶縁膜37を貫通するコンタ
クトホール35aを介して接続されている。当該中継膜
35は、第2層間絶縁膜38を貫通するコンタクトホー
ル39を介して、ITO等の透明な画素電極36に接続
されている。FIG. 3 is a view showing a cross section of a pixel section 41 which is one of a large number of pixel sections of the image display section 21. The cross-sections of the different components are marked with different hatchings to make them easier to distinguish. The pixel portion 41 includes a pixel electrode 3 for driving liquid crystal.
6, and a TFT 40 as a switching element. A semiconductor film 31 for forming a channel layer and a gate insulating film 3 are formed on an insulating substrate 11 such as glass or quartz.
2 are stacked. As the semiconductor film 31, a polysilicon thin film or a CG (= Continuous Grain; abbreviation for continuous grain boundary crystal) silicon thin film is used. As a result, the electron mobility is increased, the ability to flow current is increased, and the responsiveness of the screen can be improved. On the gate insulating film 32,
For example, a gate wiring 33 made of a polysilicon film or the like is provided. In the source region of the semiconductor film 31, a source wiring 34 made of a metal film such as Al is provided with a contact hole 34a penetrating the gate insulating film 32 and the first interlayer insulating film 37.
Connected through. On the other hand, a relay film 35 made of a metal film such as Al is connected to the drain region of the semiconductor film 31 via a contact hole 35a penetrating the gate oxide film 32 and the first interlayer insulating film 37. The relay film 35 is connected to a transparent pixel electrode 36 such as ITO through a contact hole 39 penetrating the second interlayer insulating film 38.
【0019】図4は、図2の枠100の位置に設けられ
る第1のショートリング13及び第2のショートリング
14を示す上面図である。また、図5は、図4のA−
A’断面図である。なお、理解の容易のため、図4及び
図5では、画素部の各構成物(図3を参照)と同一の構
成物に対して、図3において各構成物の断面に付した模
様と同じ模様を付して表す。FIG. 4 is a top view showing the first short ring 13 and the second short ring 14 provided at the position of the frame 100 in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view of FIG.
It is A 'sectional drawing. For easy understanding, in FIGS. 4 and 5, the same components as those of the pixel portion (see FIG. 3) are the same as those shown in the cross section of each component in FIG. It is indicated with a pattern.
【0020】第1のショートリング13は、10μmの
幅で互いに接続されている2本の平行配線をスクライブ
ライン12に沿って設けたものである。図5に示すよう
に、第1のショートリング13は、チャンネル層が形成
されている半導体膜31と同じ構成薄膜、ポリシリコン
薄膜からなるゲート配線33と同じ構成薄膜、Alなど
の金属膜から成るソース配線34と同じ構成薄膜、及
び、ITO薄膜36を、その製造(積層工程)に伴い順
に短絡した(図5に示す箇所とは別の箇所で互いに接続
されている)多層構造を有する。また、第1のショート
リング13は、基板上に形成した隣り合う液晶表示装置
の第1のショートリングに接続されている。当該構成を
採用することにより、製造中に基板11上に溜まった電
荷を減衰して画素部を保護することができる。The first short ring 13 has two parallel wirings connected to each other with a width of 10 μm along the scribe line 12. As shown in FIG. 5, the first short ring 13 is made of the same thin film as the semiconductor film 31 on which the channel layer is formed, the same thin film as the gate wiring 33 made of a polysilicon thin film, or a metal film such as Al. It has a multilayer structure in which the constituent thin film having the same structure as the source wiring 34 and the ITO thin film 36 are sequentially short-circuited (connected to each other at a place different from the place shown in FIG. 5) in accordance with the manufacturing (lamination step). The first short ring 13 is connected to a first short ring of an adjacent liquid crystal display device formed on a substrate. By adopting this configuration, the charge accumulated on the substrate 11 during manufacturing can be attenuated to protect the pixel portion.
【0021】第1のショートリング13と実装端子部4
2は、チャンネル層が形成されている半導体膜31と同
じ構成薄膜を介して接続されている。ここで、第1のシ
ョートリング13と実装端子部42の接続配線であるチ
ャンネル層が形成されている半導体膜31と同じ構成薄
膜は、当該液晶表示装置10aが基板11上からスクラ
イブライン12に沿って切り離される時に一緒に、又
は、切り離し後におけるパネル端面の研磨処理時に除去
される。First short ring 13 and mounting terminal 4
2 is connected via the same constituent thin film as the semiconductor film 31 on which the channel layer is formed. Here, the thin film having the same structure as the semiconductor film 31 on which the channel layer which is the connection wiring between the first short ring 13 and the mounting terminal portion 42 is formed is formed by the liquid crystal display device 10 a being arranged along the scribe line 12 from the substrate 11. It is removed together when the panel is separated, or during the polishing process of the panel end face after the separation.
【0022】第2のショートリング14は、チャンネル
層が形成されている半導体31と同じ構成薄膜、ポリシ
リコン膜等からなるゲート配線33と同じ構成薄膜、A
l等の金属膜からなるソース配線34と同じ構成薄膜を
用いて形成されている。第2のショートリング14も第
1のショートリング13と同様に、上記スイッチング素
子であるTFTの製造に伴い、製造されたTFTの端子
を短絡する集積回路として製造する。第2のショートリ
ング14と実装端子部42は、Al等の金属膜から成る
ソース配線34と同じ構成薄膜を介して接続しており、
特に、各実装端子の間は10μmの配線で短絡されてい
る。図中の点線101に沿ってレーザ光を一括照射して
第2のショートリング14を切断することで当該液晶表
示装置10aの電気的な検査が可能になる。The second short ring 14 has the same thin film structure as the semiconductor 31 on which the channel layer is formed, the same thin film structure as the gate wiring 33 made of a polysilicon film or the like.
It is formed using the same constituent thin film as the source wiring 34 made of a metal film such as l. Similarly to the first short ring 13, the second short ring 14 is manufactured as an integrated circuit that short-circuits the terminals of the manufactured TFT as the TFT serving as the switching element is manufactured. The second short ring 14 and the mounting terminal 42 are connected via the same constituent thin film as the source wiring 34 made of a metal film such as Al.
Particularly, each mounting terminal is short-circuited by a 10 μm wiring. By cutting the second short ring 14 by collectively irradiating a laser beam along a dotted line 101 in the drawing, an electrical inspection of the liquid crystal display device 10a becomes possible.
【0023】なお、ポリシリコン膜などからなるゲート
配線33と同じ構成薄膜は、実装端子部42に接続せ
ず、端子の容量により電位を第2のショートリング14
と同電位に安定させている。The thin film having the same structure as the gate wiring 33 made of a polysilicon film or the like is not connected to the mounting terminal portion 42, and the potential is changed by the capacitance of the terminal to the second short ring 14.
And the same potential.
【0024】引き続き、液晶表示装置10aの別の場所
を参照しつつ、第1のショートリング13及び第2のシ
ョートリング14の構成について更に説明する。図6
は、図2の枠200の部分に位置する第1のショートリ
ング13及び第2のショートリング14を示す図であ
る。また、図7は、図6のB−B’断面図である。な
お、理解の容易のため、図6及び図7では、画素部の各
構成物(図3を参照)と同一の構成物に対して、図3に
おいて各構成物の断面に付した模様と同じ模様を付して
表す。Next, the structure of the first short ring 13 and the second short ring 14 will be further described with reference to another place of the liquid crystal display device 10a. FIG.
FIG. 3 is a view showing a first short ring 13 and a second short ring 14 located in a portion of a frame 200 in FIG. 2. FIG. 7 is a sectional view taken along the line BB 'of FIG. For the sake of easy understanding, in FIGS. 6 and 7, the same components as those of the pixel portion (see FIG. 3) are the same as those shown in the cross section of each component in FIG. 3. It is indicated with a pattern.
【0025】第1のショートリング13は、互いに接続
された10μmの幅の2本の平行配線をスクライブライ
ン12に沿って設けたものである。当該箇所に設けられ
ている第1のショートリング13は、チャンネル層が形
成されている半導体膜31と同じ構成薄膜、ポリシリコ
ン膜等から成るゲート配線33と同じ構成薄膜、Al等
の金属膜からなるソース配線34と同じ構成薄膜、及
び、透明電極であるITO薄膜36を、その製造(積層
工程)に伴い順に短絡した(図7に示す箇所とは別の箇
所で互いに接続されている)多層構造を有する。また、
第1のショートリング13は、単一の基板11上に形成
される隣接する液晶表示装置の第1のショートリングと
も接続されている。当該構成を採用することで、製造工
程中に基板11上に溜まった電荷を減衰して画素部を保
護することができる。The first short ring 13 is provided with two parallel wirings having a width of 10 μm and connected to each other along the scribe line 12. The first short ring 13 provided at this location is made of a thin film having the same structure as the semiconductor film 31 on which the channel layer is formed, a thin film having the same structure as the gate wiring 33 made of a polysilicon film, or a metal film such as Al. The thin film having the same structure as the source wiring 34 and the ITO thin film 36 as a transparent electrode are sequentially short-circuited (connected to each other at a position different from the position shown in FIG. 7) in accordance with the production (lamination process) thereof. Having a structure. Also,
The first short ring 13 is also connected to the first short ring of the adjacent liquid crystal display device formed on the single substrate 11. By employing this configuration, the charge accumulated on the substrate 11 during the manufacturing process can be attenuated to protect the pixel portion.
【0026】第2のショートリング14は、チャンネル
層が形成されている半導体膜31と同じ構成薄膜、ポリ
シリコン薄膜から成るゲート配線33と同じ構成薄膜、
Al等の金属膜から成るソース配線34に接続されてい
る。第2のショートリング14も第1のショートリング
13と同様に、上記スイッチング素子であるTFTの製
造に伴い、製造されたTFTの端子を短絡する集積回路
として製造する。上記チャンネル層が形成されている半
導体膜31と同じ構成薄膜は、個々の液晶表示装置の外
周をなるべく太い配線で囲むように配置した高抵抗配線
である。これにより、当該第2のショートリング14の
切断後に実行する電気的検査の実行時における信号の迷
走を抑制し、検査の信頼性を維持することができる。The second short ring 14 has the same thin film structure as the semiconductor film 31 on which the channel layer is formed, the same thin film structure as the gate wiring 33 made of a polysilicon thin film,
It is connected to a source wiring 34 made of a metal film such as Al. Similarly to the first short ring 13, the second short ring 14 is manufactured as an integrated circuit that short-circuits the terminals of the manufactured TFT as the TFT serving as the switching element is manufactured. The same constituent thin film as the semiconductor film 31 on which the channel layer is formed is a high-resistance wiring arranged so as to surround the periphery of each liquid crystal display device with a wiring as thick as possible. Accordingly, it is possible to suppress signal strays at the time of performing the electrical inspection performed after the second short ring 14 is cut, and maintain the reliability of the inspection.
【0027】第1のショートリング13と第2のショー
トリング14は、半導体膜33と同じ構成薄膜により接
続されている。第1のショートリング13及び第2のシ
ョートリング14により半導体膜31と同じ構成薄膜に
よる二重のショートリングが構成される。また、ポリシ
リコン膜等からなるゲート配線33と同じ構成薄膜は、
個々の液晶表示装置の外周を一回りするように設けられ
ており、個々の液晶表示装置の四隅でAl等の金属膜か
らなるソース配線34と同じ構成薄膜、及び、チャンネ
ル層が形成されている半導体膜31と同じ構成薄膜にも
接続されている(図7に点線で示す)。さらに、当該四
隅でゲート配線33と同じ構成薄膜により第1のショー
トリング13に接続することで基板上での電位の安定を
図る。The first short ring 13 and the second short ring 14 are connected by the same constituent thin film as the semiconductor film 33. The first short ring 13 and the second short ring 14 form a double short ring using the same constituent thin film as the semiconductor film 31. Further, the same constituent thin film as the gate wiring 33 made of a polysilicon film or the like
It is provided so as to go around the outer periphery of each liquid crystal display device. At the four corners of each liquid crystal display device, a thin film having the same structure as the source wiring 34 made of a metal film such as Al and a channel layer are formed. It is also connected to the same constituent thin film as the semiconductor film 31 (shown by a dotted line in FIG. 7). Further, by connecting to the first short ring 13 at the four corners by the same thin film as the gate wiring 33, the potential on the substrate is stabilized.
【0028】上記第1のショートリング13と第2のシ
ョートリング14の接続配線であるポリシリコン膜等か
らなるゲート配線33と同じ構成薄膜は、基板11上よ
り、スクラブライン12に沿って切り離すときに同時
に、または、切り離し後におけるパネル端面の研磨処理
時に除去される。A thin film having the same structure as the gate wiring 33 made of a polysilicon film or the like which is a connection wiring between the first short ring 13 and the second short ring 14 is cut off from the substrate 11 along the scrub line 12. At the same time or during the polishing process of the panel end face after separation.
【0029】なお、Al等の金属膜から成るソース配線
34と同じ構成薄膜は、個々の液晶表示装置の駆動回路
の構成要素の一つであるコモン配線としての働きを兼ね
備えており、個々の液晶表示装置全体をこの配線により
取り囲むように配置し、実装端子部42の部分でコモン
端子と接続されている。基本的には、第1のショートリ
ング13で基板11上に溜まった電荷を放電する回路を
構成しており、第1のショートリング13と第2のショ
ートリング14の接続部分(半導体膜33と同じ構成薄
膜)は、抵抗として働き減衰効果が得られる。The thin film having the same structure as the source wiring 34 made of a metal film of Al or the like also functions as a common wiring which is one of the components of the driving circuit of each liquid crystal display device. The entire display device is arranged so as to be surrounded by the wiring, and is connected to the common terminal at the mounting terminal portion 42. Basically, a circuit for discharging the electric charge accumulated on the substrate 11 by the first short ring 13 is formed, and a connection portion between the first short ring 13 and the second short ring 14 (the semiconductor film 33 and the The same constituent thin film) acts as a resistor to provide a damping effect.
【0030】以上に説明したように、上記構成の第1の
ショートリング13、及び、第2のショートリング14
を備えることにより、液晶表示装置の製造工程で製造装
置と絶縁基板との摩擦により生じる静電気から、当該液
晶表示装置を有効に保護することができる。As described above, the first short ring 13 and the second short ring 14 having the above configuration
Is provided, the liquid crystal display device can be effectively protected from static electricity generated by friction between the manufacturing device and the insulating substrate in the manufacturing process of the liquid crystal display device.
【0031】また、液晶表示装置を個々に分割した後に
実行するプラズマ処理においても、上記第2のショート
リング14により液晶部分の各トランジスタの電極に帯
電する電荷を基板外に逃がすことができるため、製品の
特性を著しく改善することができる。Also, in the plasma processing performed after the liquid crystal display device is divided individually, the electric charges charged to the electrodes of the respective transistors in the liquid crystal portion can be released outside the substrate by the second short ring 14. Product properties can be significantly improved.
【0032】また、第2のショートリング14のように
画像表示部21の外周を囲むことで、外部からの電荷の
侵入を防ぐことができる。Further, by surrounding the outer periphery of the image display section 21 like the second short ring 14, intrusion of electric charges from the outside can be prevented.
【0033】第1のショートリング13及び第2のショ
ートリング14を、スイッチング素子の製造に伴い、製
造されたスイッチング素子の端子を短絡する集積回路と
して製造することで、スイッチング素子の製造工程中に
おける静電破壊を効果的に防止することができる。By manufacturing the first short ring 13 and the second short ring 14 as an integrated circuit for short-circuiting the terminals of the manufactured switching element with the manufacturing of the switching element, the first short ring 13 and the second short ring 14 are manufactured during the manufacturing process of the switching element. Electrostatic breakdown can be effectively prevented.
【0034】また、第1のショートリング13及び第2
のショートリング14の形成、画素部形成工程における
駆動素子の形成、並びに、ドライバ形成工程におけるド
ライバ回路の少なくとも部分的な形成とを同一の工程で
同時に行うことで製造工程の簡略化及び低コスト化を図
ることができる。The first short ring 13 and the second
The formation of the short ring 14, the formation of the driving element in the pixel portion forming step, and the at least partial formation of the driver circuit in the driver forming step at the same time in the same step, thereby simplifying the manufacturing process and reducing the cost. Can be achieved.
【0035】また、第1のショートリング13及び第2
のショートリング14を集積回路とすることで、例え
ば、画像表示部(液晶パネル)の周囲にドライバを備え
るドライバ内蔵型のアクティブマトリクス型の液晶表示
装置にも適用することが可能になる。The first short ring 13 and the second short ring 13
By using the short ring 14 as an integrated circuit, the present invention can be applied to, for example, an active matrix type liquid crystal display device with a built-in driver which includes a driver around an image display unit (liquid crystal panel).
【0036】上記構成の液晶表示装置では、静電破壊に
よるドットの欠陥等の不良率を大幅に低減することがで
きるため、生産性が向上し、結果として製造コストの低
減を図ることができる。これにより、小型高精細かつ高
開口率の透過型液晶表示装置用TFT基板の製造が可能
になる。In the liquid crystal display device having the above structure, the defect rate such as dot defect due to electrostatic breakdown can be greatly reduced, so that the productivity is improved, and as a result, the manufacturing cost can be reduced. This makes it possible to manufacture a small, high-definition, high aperture ratio TFT substrate for a transmission type liquid crystal display device.
【0037】[0037]
【発明の効果】本発明の第1の液晶表示装置は、上記第
1のショートリングを備えることで、当該液晶表示装置
の製造中における静電破壊を防止することができる。ま
た、第2のショートリングのレーザによる切断を、当該
液晶表示装置の電気的な検査を行う直前まで控えること
で、当該液晶表示装置を基板から分割した後、電気的な
検査を行う直前までの間における静電破壊を防止するこ
とができる。According to the first liquid crystal display device of the present invention, since the first short ring is provided, it is possible to prevent electrostatic breakdown during the manufacture of the liquid crystal display device. In addition, by cutting off the laser cutting of the second short ring until immediately before the electrical inspection of the liquid crystal display device is performed, after the liquid crystal display device is divided from the substrate, the cutting is performed until immediately before the electrical inspection is performed. Electrostatic breakdown between them can be prevented.
【0038】また、本発明の第2の液晶表示装置は、上
記本発明の液晶表示装置の製造方法に従い、第1及び第
2のショートリングの内の少なくとも一方を、スイッチ
ング素子の製造に伴い、製造したスイッチング素子の端
子を逐次短絡するように配線しつつ製造される集積回路
とすることで、パターン配線を用いる場合に比べて、液
晶表示装置の製造過程における各素子の静電破壊をより
効果的に防止することができる。また、第1及び第2の
ショートリングを集積回路とすることで、例えば、画像
表示部(液晶パネル)の周囲にドライバを備えるドライ
バ内蔵型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置にお
いても適用することが可能になる。According to the second liquid crystal display device of the present invention, at least one of the first and second short rings is manufactured in accordance with the method of manufacturing the liquid crystal display device of the present invention with the production of the switching element. By forming an integrated circuit that is manufactured while wiring the terminals of the manufactured switching elements so as to be short-circuited sequentially, the electrostatic breakdown of each element in the manufacturing process of the liquid crystal display device is more effectively reduced than in the case of using pattern wiring. Can be prevented. Further, by forming the first and second short rings as integrated circuits, the present invention can be applied to, for example, an active matrix type liquid crystal display device with a built-in driver which includes a driver around an image display portion (liquid crystal panel). Will be possible.
【図1】 基板上に複数形成された液晶表示装置を示
す。FIG. 1 shows a plurality of liquid crystal display devices formed on a substrate.
【図2】 液晶表示装置の正面図を示す。FIG. 2 is a front view of the liquid crystal display device.
【図3】 画像表示部の断面図を示す。FIG. 3 shows a sectional view of an image display unit.
【図4】 液晶表示部の最外周に設けられている第1及
び第2のショートリングを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing first and second short rings provided on the outermost periphery of a liquid crystal display unit.
【図5】 図4に示す図のA−A’断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along the line A-A ′ of the view shown in FIG. 4;
【図6】 液晶表示部の最外周に設けられている第1及
び第2のショートリングを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing first and second short rings provided on the outermost periphery of a liquid crystal display unit.
【図7】 図6に示す図のB−B’断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along the line B-B 'of FIG.
10a,10b…液晶表示装置 12…スクラブライン 13…第1のショートリング 14…第2のショートリング 21…画像表示部 22a,22b…ゲート配線 23…ソース配線 24a,24b…ゲート駆動回路 25…ソース駆動回路 31…半導体膜 32…ゲート絶縁膜 33…ポリシリコン膜 34…ソース配線 35…中継膜 36…透明電極 37,38…層間絶縁膜 40…TFT 41…画像部 42…実装端子部 10a, 10b Liquid crystal display device 12 Scrub line 13 First short ring 14 Second short ring 21 Image display section 22a, 22b Gate wiring 23 Source wiring 24a, 24b Gate drive circuit 25 Source Driving circuit 31 Semiconductor film 32 Gate insulating film 33 Polysilicon film 34 Source wiring 35 Relay film 36 Transparent electrode 37, 38 Interlayer insulating film 40 TFT 41 Image part 42 Mounting terminal part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 GA59 HA04 JA24 JB22 JB31 JB79 KA04 NA14 NA29 5C094 AA21 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EA10 EB02 HA08 5F110 AA22 BB02 CC01 DD02 DD03 EE09 EE37 GG02 GG13 HL03 HM19 NN03 NN72 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H092 GA59 HA04 JA24 JB22 JB31 JB79 KA04 NA14 NA29 5C094 AA21 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EA10 EB02 HA08 5F110 AA22 BB02 CC01 DD02 DD03 EE09 EE37 GG02 NN19
Claims (3)
備える液晶表示装置であって、 当該液晶表示装置の外周部において、画像表示部を構成
するスイッチング素子の各端子を短絡する第1のショー
トリングと、 上記第1ショートリングよりも内側に位置し、上記スイ
ッチング素子の各端子を短絡する第2のショートリング
を備えることを特徴とする液晶表示装置。1. A liquid crystal display device having an active matrix type image display portion, comprising: a first short ring that short-circuits each terminal of a switching element forming the image display portion at an outer peripheral portion of the liquid crystal display device. A liquid crystal display device, comprising: a second short ring located inside the first short ring and shorting each terminal of the switching element.
て、 上記第1のショートリング及び第2のショートリングの
内の少なくとも一方は、スイッチング素子の各端子を短
絡する集積回路であることを特徴とする液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of the first short ring and the second short ring is an integrated circuit that short-circuits each terminal of a switching element. Liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
型の画像表示部を備える液晶表示装置の製造方法であっ
て、 第1のショートリング及び第2のショートリングの内、
集積回路により成るショートリングを、上記スイッチン
グ素子の製造に伴い、製造したスイッチング素子の端子
を逐次短絡するように配線しつつ製造することを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。3. A method for manufacturing a liquid crystal display device comprising the active matrix type image display unit according to claim 2, wherein: the first short ring and the second short ring
A method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein a short ring formed of an integrated circuit is manufactured while wiring the terminals of the manufactured switching element so as to be sequentially short-circuited with the manufacturing of the switching element.
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