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JP2002056986A - 放熱効果を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及びその製造方法 - Google Patents

放熱効果を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及びその製造方法

Info

Publication number
JP2002056986A
JP2002056986A JP2000240639A JP2000240639A JP2002056986A JP 2002056986 A JP2002056986 A JP 2002056986A JP 2000240639 A JP2000240639 A JP 2000240639A JP 2000240639 A JP2000240639 A JP 2000240639A JP 2002056986 A JP2002056986 A JP 2002056986A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating
heat radiation
layer
organic
electroluminescent device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000240639A
Other languages
English (en)
Inventor
Hojo So
豐如 莊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Optotech Corp
Original Assignee
Optotech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Optotech Corp filed Critical Optotech Corp
Priority to JP2000240639A priority Critical patent/JP2002056986A/ja
Publication of JP2002056986A publication Critical patent/JP2002056986A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8794Arrangements for heating and cooling

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 有機層が発光作用をする場合に発生する高熱
を容易に伝導して放熱し、発光デバイスの寿命を長く
し、信用度を高め、空気中の酸素や湿気によって損傷を
受けることがない有機エレクトロルミネッセンスデバイ
ス及び製造方法を提供する。 【解決手段】 基板31を有し、該基板上には少なくと
も1以上の第1電極32を形成し、該第1電極上の表面
には第1電極と交差状に複数の絶縁板415を形成し
て、隣り合う絶縁板の間に自ずから形成されるエリアを
発光予定エリア335とする。また、金属材質を含んで
なる放熱凸リブ385を該絶縁板の表面に設け、かつそ
れぞれの放熱凸リブの上端に幅が放熱凸リブより広い凸
縁部を形成する。該発光予定エリアの第1電極に表面少
なくとも有機エレクトロルミネッセンスエミット層を含
む有機層33を形成し、該有機層の表面に少なくとも一
第2電極層34を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】この発明は有機エレクトロルミネッセンス
デバイス(organic electro luminescent Device)
に関するものであり、特に放熱パイプルートを増加し、
デバイスの寿命を延長させることのできる有機エレクト
ロ ルミネッセンスデバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】科学技術の発展した現代において、ディ
スプレーパネルは広範囲に応用されている。例えばテレ
ビ、コンピュータ周辺機器、広告用の看板、テレビ電
話、携帯電話のディスプレー、もしくは全地球航空観測
システム(GPS)には、いずれもディスプレーパネルが
応用される。数あるディスプレーパネルに使用される材
料、もしくは表示方法において、有機エレクトロルミネ
ッセンスデバイスは比較的広視野角と優れた表示品質を
有し、パネルの厚さも薄く、消費電量も少なく、かつ容
易に製造でき、フルカラー光源を発することができるな
どの長所を具える。よって次ぎの世代のディスプレーパ
ネルとして各方面からの注目を受けている。
【0003】図1に周知の有機エレクトロルミネッセン
スデバイスの断面図を開示する。その構造は主に基板1
1に第1電極12を形成し、該第1電極11の適宜な位
置に、蒸着によって少なくとも一有機エミッティング層
(organic emitting layer)を有する有機層と第2電
極14を形成する。有機層13は空気中の湿気と酸素の
作用を受けて容易に損傷する。このためその発光表示エ
リアの縮小を招く。よって、周知の電子発光デバイス上
に、例えば樹脂などによる絶縁シール層15を形成して
該デバイスを被覆する。但し、樹脂は有機エレクトロル
ミネッセンスデバイスの表面全体に対して長期にわたり
付着することができず、かつ絶縁シール層15を形成す
る場合は、必ずしも真空の雰囲気内で確実に進行させる
ことができるとはかぎらない。よって、湿気と酸素によ
る傷害を全面的に排除することは、やはり難しい。
【0004】前述の欠点に鑑みて、周知の電子発光デバ
イスデバイスに対して改良を加えた第2の種類製作技術
が開発された。例えば、米国特許第5,457,357号「organ
icelectroluminescent device having improved du
rability and producingmethod thereof」などであ
って、これは図2に開示するように、真空の雰囲気にお
いて金属膜17を斜め方向から有機層13及び第2電極
14の表面に蒸着によってシール層を形成し、金属膜1
7の良好な吸着性を応用して有機エレクトロ ルミネッ
センスデバイス上に粘着性が長く維持できるシール層を
形成することを特徴とする。
【0005】但し、この第2の種類のエレクトロ発光デ
バイス技術は、やはり如何に掲げる欠点を有する。RG
Bの三原色配列を包括する電子発光デバイスアレイを創
りだすことができない。言いかえれば、フルカラーのデ
ィスプレーパネルを形成することができない。蒸着によ
って有機層と第2電極とを形成する場合、正確に位置決
めすることができない。このためパターンの高精細度化
を達成することができず、また画像の品質を効果的に高
めることもできない。斜め方向の蒸着方式によって有機
層と第2電極を形成する場合、電極の端縁部(金属膜か
ら離れた一端縁部)の組成にズレが容易に発生する。こ
のため微少な短絡現象が常時発生し、デバイスの信用度
に影響を与える。有機層13に使用される断面の面積は
第2電極14に比してある程度大きくなければならな
い。さもなければ、金属膜17が両電極間において導電
チャンネルを形成してしまい、有機材質を使用する上で
の浪費を形成する。
【0006】以上に述べる欠陥に対して、第3の種類の
周知の有機エレクトロルミネッセンスデバイスが開発さ
れた。これには米国特許第5,276,380号「organic elec
troluminescent image display device」 もしくは
第5,701,055号「organic electroluminescent displa
y device panel and methed for manufacturingth
e same」fなどが挙げられる。その内第5,701,055号の
製造プロセスを図3から図9に開示する。先ず、図3に
開示するように基板21上に第1電極22を形成し、次
いで図4に開示するように第1電極22上に、例えば非
感光性ポリイミド(non-photosensitive polyimide)
などによる第1絶縁物質層28と、例えば二酸化けい素
などによる第2絶縁物質層25を形成し、さらに図5に
開示するようにマスク27を応用し、マイクロフォトグ
ラフィとエッチング技術によって第2絶縁物質層25の
表面の適宜な位置に複数のコンタクトウインドウ275
を形成する。次いで、図6に開示するようにドライエッ
チングか、もしくはウエットエッチング技術によって第
2絶縁物質層25と、第1絶縁物質層28とに複数の頂
上側が突出した絶縁凸縁部255の絶縁凸縁リブ285
を形成し、図7に開示するようにシャドープレート29
と斜め方向の蒸着方式によって2つの絶縁凸縁リブ28
5の間に赤(R)と、緑(G)と、青(B)の順にした
がって、それぞれの色の光を単独で発光する有機層23
を形成する。さらに図8に開示するように有機層23の
表面に第2電極24を形成することによって、電源が有
機層23を通過する際にRGBのフルカラーの表示光線
を発光するようにする。そして最後に、図9に開示する
ように有機マイクロルミネッセンスデバイスのすべての
ユニットをシール層26で被覆する。
【0007】上述第3の種類の周知の有機マイクロルミ
ネッセンスデバイス技術は、パターンの高精細度化の問
題を解決し、フルカラーの光線を発光できるという長所
を有するが、但し、有機層23が作用して発行する場
合、高熱が発生する。しかし、発生した熱量は良好な伝
熱チャンネルがないため、高性能化の趨勢にある昨今の
ICにとっては、高熱によって相対的に関連するエレメ
ントの破損を容易に招くことになる。業界では「10度
の法則」というが、これは即ち、エレメントの温度が1
0度上がる毎に、ICの寿命が半分に短縮する現象であ
る。よってエレメントのワーキングによって発生する熱
を発散させることは、エレメントにとって信用度と寿命
の面で極めて重大である。当然のことながら、前述の周
知の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造にと
って言えば、発生する高熱を如何にして導電するかが、
大きな課題となる。よって、上述の各種周知の電子発光
デバイスに発生する問題に対して、如何にして新規な解
決方法を提出するか課題となる。即ち、現有の製造工程
に変化を加えて、有機層に良好な伝熱、発散の目的を達
成させ、これによってエレメントの寿命と信用度を高め
るかという課題である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、周知の技
術による絶縁凸リブについて、金属材質を含み良好な放
熱効果を有する凸リブに変更することによって、有機層
が発光作用をする場合に発生する高熱を容易に伝導して
発散させることができ、発光デバイスの寿命を長くする
ことのできる有機エレクトロルミネッセンスデバイス及
びその製造方法を提供することを目的とする。
【0009】また、この発明はデバイスの放熱チャンネ
ルを増加して、エレメントの高熱によって発生する問題
を解決することによって、デバイスの信用度を効果的に
高めることのできる有機エレクトロルミネッセンスデバ
イス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】また、この発明は有機層が第1電極、第2
電極及び絶縁ベース板との間に在って被覆され、完全な
保護を受けることのできる有機エレクトロルミネッセン
スデバイス及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の有機エ
レクトロルミネッセンスデバイスは、基板を有し、該基
板上には少なくとも1以上の第1電極を形成する。 該
第1電極上の表面には第1電極と交差状に複数の絶縁板
を形成して、隣り合う絶縁板の間に自ずから形成される
エリアを発光予定エリアとする。また、金属材質を含ん
でなる放熱凸リブを該絶縁板の表面に設け、かつそれぞ
れの放熱凸リブの上端に幅が放熱凸リブより広い凸縁部
を形成し、該発光予定エリアの第1電極に表面少なくと
も有機エレクトロルミネッセンスエミット層を含む有機
層を形成し、該有機層の表面に少なくとも一第2電極層
を形成する。
【0012】請求項2に記載する有機エレクトロルミネ
ッセンスデバイスは、請求項1における放熱凸リブが窒
化ほう素か、窒アルミか、酸化アルミか、酸化マグネシ
ウムか、もしくは二ほう化チタンの内から選択される一
材質によって形成されることを特徴とし、請求項3にお
いては、請求項1の絶縁板が二酸化けい素によってな
る。
【0013】請求項4においては、請求項1の基板を含
んでなる有機エレクトロルミネッセンスの構造がさらに
絶縁シール層を含み、該絶縁シール層が前記第2電極お
よび放熱凸リブの表面に形成される。また、請求項5に
おいては、請求項4の該絶縁シールが光の反射作用を有
する反射フィルムである。
【0014】請求項6に記載する有機エレクトロルミネ
ッセンスデバイスは、請求項1における基板の底端面に
も反射フィルムが形成される。また、請求項7に記載す
る有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、請求項1
における記有機層が青色の光を発光する有機層か、緑色
の光を発光する有機層か、赤色の光を発光する有機層
か、もしくはこれらを組合せた内の一である。
【0015】請求項8に記載する有機エレクトロルミネ
ッセンスデバイスは、請求項における放熱凸リブが前記
凸縁部と一体に形成されてテーパー状を呈する円錐状放
熱板である。また、請求項9においては、請求項1の放
熱凸リブの上面に形成される凸縁部が絶縁材質からなる
絶縁凸縁部であり、請求項10においては、請求項1の
絶縁板の幅が該絶縁凸縁部の幅の広さより狭く形成され
る。
【0016】請求項11における有機エレクトロルミネ
ッセンスデバイスの製造方法は、次ぎに掲げるaからe
の工程を含む。aの工程において、基板上に少なくとも
一層の第1電極と、第1絶縁物質層とを順に形成する。
bの工程において、該第1絶縁物質層の表面に金属材質
を含んでなる放熱物質層と、第2絶縁物質層とを順に形
成する。cの工程において、マイクロフォトグラフィ及
びエッチング技術によって該第2絶縁物質層と、該放熱
物質層と、該第1絶縁物質層に対して、等方性エッチン
グを行ない、第1電極の表面に絶縁ベース板とこれに立
設される放熱凸リブと該放熱リブの上面にオーバーハン
グ状に形成される絶縁凸縁部とを形成し、かつ隣り合う
二つの絶縁ベース板の間は、発光予定エリアとする。d
の工程において、シャドーパネルを応用して、それぞれ
の発光予定エリアに対応する第1電極の表面に有機層を
蒸着する。eの工程において、該有機層の表面に垂直蒸
着によって第2電極を形成する。ことを特徴とすること
を特徴とする放熱効果を有する有機エレクトロルミネッ
センスデバイスの製造方法。
【0017】請求項12に記載する有機エレクトロルミ
ネッセンスデバイスの製造方法は、請求項11における
eの工程の後に、さらに該第2電極と、該絶縁凸縁部
と、該放熱凸リブの表面に絶縁シール層を形成する工程
を含み、請求項13においては、請求項12の絶縁シー
ル層が光の反射作用を有する反射フィルムで形成され
る。
【0018】請求項14に記載の放熱効果を有する有機
エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法は、請求
項11におけるcの工程のエッチングを行なう絶縁凸縁
部と、絶縁ベース板との幅を同等の広さに形成し、請求
項5においては、請求項11のcの工程におけるエッチ
ングを行なう絶縁凸縁部の幅が前記絶縁ベース板の幅に
比して広くなるように形成する。このため請求項11の
dの工程における有機層は、斜め方向の蒸着によって該
発光予定エリアの第1電極表面に形成する。さらに、請
求項16の製造方法においては、請求項11の放熱物質
層が窒化ほう素か、窒化アルミか、酸化アルミか、酸化
マグネシウムか、もしくは二ほう化チタンの内から選択
される一材質によって形成される。
【0019】請求項17における製造方法は、請求項1
1の工程aの第1絶縁質層が二酸化けい素から形成され
る。また、請項18においては、請求項11のeの工程
の後に、さらに該基板の底端面に反射フィルムを形成す
る工程を含む。さらに、請求項19においては。請求項
11のdの工程における有機層が青色の光線を発光する
有機層か、緑色の光線を発光する有機層か、赤色の光線
を発光する有機層か、もしくはそれらを組合せた内の一
から選択され、相対する該発光予定エリアの第1電極表
面に形成される。
【0020】請求項20に記載する有機エレクトロルミ
ネッセンスデバイスの製造方法は、請求項11における
bの工程をb1の工程に変更し、前記cの工程をc1の
工程に変更する。該b1の工程は、前記第1絶縁物質層
をエッチングして絶縁ベース板とし、該絶縁ベース板の
表面に金属材質を含んでなる放熱物質層を形成し、該c
1の工程は、マイクロフォトグラフィとエッチング技術
を応用して、該放熱物質層に対して等方性エッチングを
行ない、該絶縁ベース板表面に立設され、且つその上端
面の幅が比較的広い放熱凸リブを形成する。
【0021】 請求項21に記載する製造方法は、請求
項11におけるbの工程をb1の工程に変更し、前記c
の工程をc1の工程に変更する。該b1の工程は、前記
第1絶縁物質層をエッチングして絶縁ベース板とし、該
絶縁ベース板の表面に金属材質を含んでなる放熱物質層
を形成し、該c1の工程は、マイクロフォトグラフィと
エッチング技術を応用して、該放熱物質層に対して等方
性エッチングを行ない、該絶縁ベース板表面に立設する
放熱円錐状板を形成する。
【0022】 請求項22における製造方法は、請求項
21のb1の工程において形成される絶縁ベース板の幅
を前記c1の工程において形成される放熱円錐状板の上
面の幅に比して狭く形成する。
【0023】
【実施例】この発明の構造、特徴、および効果を説明す
るため、具体的な実施例を挙げ、図示を参考にして如何
に詳述する。図10から図16にこの発明の好ましい実
施例を製造するためのそれぞれの工程における断面図を
開示する。この発明の主な工程は、次ぎに掲げる各工程
を含む。図10に工程1を開示する。図示によれば、基
板31上に第1電極32、第1絶縁物質層41の順に形
成する。該基板31はガラス基板であり、第1電極32
は例えばITOなどの透明材質によって形成する。第1
電極32に対して交差状態を形成する第1絶縁物質層4
1を二酸化けい素としてもよい。図11に工程2を開示
する。図示によれば、第1絶縁物質層41の表面に放熱
物質層38、第2絶縁物質層35の順に形成する。該放
熱物質層38は、金属を含む材質によって形成され、例
えば窒化ほう素、窒化アルミ、酸化アルミ、酸化マグネ
シウム、もしくは二ほう化チタンの内から選択される一
材質か、これらを組合せて形成する。図12、図13に
工程3を開示する。図示によれば、マイクロフォトグラ
フィ及びエッチング技術によって第2絶縁物質層35及
び第1絶縁物質層41に対して、垂直方向から均一にエ
ッチングを行ない、且つ放熱物質層38に対してエッチ
ングを行ない、第1電極32の表面に絶縁ベース板41
とこれに立設される放熱リブ385と放熱リブ385の
上面にオーバーハング状に形成される絶縁凸縁部355
とを形成する。また、二つの絶縁ベース板415の間
は、発光予定エリア335とし、当然のことながら二つ
の発光予定エリア335の間は、自ずから非発光エリア
337となる。図14に第4の工程を開示する。図示に
よればシャドーパネル39を応用して、それぞれの発光
予定エリア335に対応する第1電極32の表面に有機
層33を蒸着する。該有機層は有機ホールトランスポー
ト層、有機エミッティング層もしくは有機電子トランス
ポート層から選択される一を含むか、またはその組合せ
によってなる。また、有機層33は、青色の光線を発光
する有機層(B)か、緑色の光線を発光する有機層(G)か、
赤色の光線を発光する有機層(R)から選択される一か、
もしくはその組み合わせによってなり、好ましい実施例
においては3種類色の光によって代表される。図15に
第5の工程を開示する。有機層33の表面に垂直蒸着に
よって第2電極34を形成する。絶縁凸縁部355の幅
は、放熱凸リブ385よりも広い。よって、第2電極3
4は放熱リブ385に接触することがない。このため、
短絡現象が発生する。図16に第6の工程を開示する。
図示によれば、最後に第2電極34、絶縁凸縁部355
及び放熱凸リブ385の周囲に絶縁シール層36を形成
して、有機層33及び全ての部材を保護する。
【0024】実施例において、絶縁凸縁部355の幅
は、絶縁ベース板415の幅と同等の広さを有する。ま
た、有機層33と第2電極34とはいずれも垂直蒸着に
よって形成する。このため、有機層33は実際には第1
電極32と絶縁ベース板415と第2電極34とによっ
て包みこまれた状態になる。これは真空の雰囲気によっ
て完成される有機層の保護と同等の効果を有し、空気中
の酸素、もしくは湿気によって損傷を受けることがな
い。よって、ステップ6における絶縁シール層36は絶
対の必要があるとは限らない。絶縁シール層36は、光
線の反射作用を有する反射フィルムによって形成するよ
うに設計してもよい。
【0025】また、この発明の放熱凸リブ385は金属
材質を含有するため、その熱伝導と放熱効果は相対する
周知の技術の絶縁物質(絶縁凸リブ)に比して頗る高
く、有機層が作用する場合、適時発生した高熱を伝導し
て放散させることができる。よって、高温によって発生
する信用度の問題を低減させるのみならず、いわゆる
「10度の法則」を効果的に解決してデバイスの寿命を
延ばすことができる。
【0026】
【第2の実施例】図17にこの発明による第2の実施例
の構造を表わす断面図を開示する。図示に開示するよう
に、第2の実施例においては、前述の実施例のおける放
熱リブ385と絶縁凸縁部355とを同様に金属粒子材
質を含んでなる放熱凸リブ387とする。このようにし
てもやはり放熱の目的を達成することができる。
【0027】
【第3の実施例】図18にこの発明による第3の実施例
の説明図を開示する。図示によれば、放熱凸リブをエッ
チングによってテーパー状の放熱円錐状板389とする
か、もしくはその他各種態様の放熱板とし、かつ絶縁ベ
ース板415は第1電極32を形成した後、放熱物質層
38を形成する前に、先に放熱凸リブ389の上面幅よ
り狭く形成してもよい。こうすることによって、有機層
33を形成する場合、斜め方向の蒸着の特性を利用して
有機層33の発光面積エリアの大きさを拡大することが
できる。
【0028】また、この発明において、有機層は第2電
極34の方向に向かって発光するようにしてもよい。よ
ってこの実施例においては基板31の底端面に光の反射
作用を有する反射フィルム47を形成する。
【0029】以上の説明によって明らかなように、この
発明は有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する
ものであり、特に放熱チャンネルを増加することによっ
てデバイスの寿命を延長させることのできる有機エレク
トロルミネッセンス及びその製造方法を提供するもので
ある。故に、この発明は新規性と、進歩性とを具え、か
つ産業の利用に供することのできるものであって、特許
の要件を具えることは疑う余地のないものと認める。よ
って、法に基づき特許を出願する。なお、以上の説明は
この発明の好ましい実施例にすぎず、この発明の実施の
範囲を限定するものではない。よって、この発明の特許
請求項に記載する形状、構造、特徴及びその精神によっ
てなされるものと均等の効果を有する修正、変更など
は、いずれもこの発明の特許請求の範囲に含まれるもの
とする。
【発明の効果】この発明による有機エレクトロルミネッ
センスデバイス及び製造方法は、周知の絶縁材質による
凸リブについて、金属材質を含んでなり、良好な放熱効
果を有する凸リブに変更し、さらに底面に絶縁層を設け
ることによって、有機層が発光作用をする場合に発生す
る高熱を容易に伝導して発散させることができる。この
ため発光デバイスの寿命を長くすることができる。ま
た、デバイスの放熱チャンネルを増加して、エレメント
の高熱によって発生する問題を解決することによって、
デバイスの信用度を効果的に高めることができる。さら
に、有機層が第1電極、第2電極及び絶縁ベース板との
間に在って被覆され、完全な保護を受けるので、空気中
の酸素や湿気によって損傷を受けることがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 周知の有機エレクトロルミネッセンスデバイ
スの構造を表わす断面図である。
【図2】 周知の有機エレクトロルミネッセンスデバイ
スで、別種の構造を表わす断面図である。
【図3】 もう1種類の周知の有機エレクトロルミネッ
センスデバイスであって、その製造工程と構造とを表わ
す断面図である。
【図4】 もう1種類の周知の有機エレクトロルミネッ
センスデバイスであって、その製造工程と構造とを表わ
す断面図である。
【図5】 もう1種類の周知の有機エレクトロルミネッ
センスデバイスであって、その製造工程と構造とを表わ
す断面図である。
【図6】 もう1種類の周知の有機エレクトロルミネッ
センスデバイスであって、その製造工程と構造とを表わ
す断面図である。
【図7】 もう1種類の周知の有機エレクトロルミネッ
センスデバイスであって、その製造工程と構造とを表わ
す断面図である。
【図8】 もう1種類の周知の有機エレクトロルミネッ
センスデバイスであって、その製造工程と構造とを表わ
す断面図である。
【図9】 もう1種類の周知の有機エレクトロルミネッ
センスデバイスであって、その製造工程と構造とを表わ
す断面図である。
【図10】 この発明による実施例の製造工程と構造と
を表わす断面図である。
【図11】 この発明による実施例の製造工程と構造と
を表わす断面図である。
【図12】 この発明による実施例の製造工程と構造と
を表わす断面図である。
【図13】 この発明による実施例の製造工程と構造と
を表わす断面図である。
【図14】 この発明による実施例の製造工程と構造と
を表わす断面図である。
【図15】 この発明による実施例の製造工程と構造と
を表わす断面図である。
【図16】 この発明による実施例の製造工程と構造と
を表わす断面図である。
【図17】 第2の実施例の構造を表わす断面図であ
る。
【図18】 第3の実施例の構造を表わす断面図であ
る。
【符号の説明】
13 有機層 14 第2電極 15 絶縁シール層 17 絶縁シール層 21 基板 22 第1電極 23 有機層 237 層間非発光エリア 235 発光予定エリア 24 第2電極 25 第2絶縁物層 255 層間凸縁部 26 絶縁シール層 27 マスク 28 第1絶縁物質層 285 層間凸縁部 29 シャドーパネル 31 基板 32 第1電極 33 有機層 335 発光予定エリア 337 層間非発光エリア 34 第2電極 345 第2電極物質層 35 第2絶縁物質層 36 絶縁シール層 37 マスク 38 放熱物質層 385 放熱凸リブ 387 放熱凸リブ 39 シャドーパネル 41 第1絶縁物質層 415 絶縁板 47 反射フィルム
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/10 H05B 33/10 33/12 33/12 B 33/14 33/14 A Fターム(参考) 3K007 AB13 AB14 AB18 BA06 BB02 BB07 CA01 CB01 DB03 FA01 5C094 AA31 AA35 BA29 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA05 EA07 EB02 ED11 GB10 5G435 AA12 AA14 BB05 CC12 EE33 FF03 GG44 HH12 HH14 HH16 KK05

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を含んでなる有機エレクトロルミネ
    ッセンスデバイスの構造において、 該基板上には少なくとも1以上の第1電極を形成し、 該第1電極上の表面には第1電極と交差状に複数の絶縁
    板を形成して、隣り合う絶縁板の間に自ずから形成され
    るエリアを発光予定エリアとし、 金属材質を含んでなる放熱凸リブを該絶縁板の表面に設
    け、かつそれぞれの放熱凸リブの上端に幅が放熱凸リブ
    より広い凸縁部を形成し、 該発光予定エリアの第1電極に表面少なくとも有機エレ
    クトロルミネッセンスエミット層を含む有機層を形成
    し、 該有機層の表面に少なくとも一第2電極層を形成するこ
    とを特徴とする放熱効果を有する有機エレクトロルミネ
    ッセンスデバイス。
  2. 【請求項2】 前記放熱凸リブが窒化ほう素か、窒化ア
    ルミか、酸化アルミか、酸化マグネシウムか、もしくは
    二ほう化チタンの内から選択される一材質によって形成
    されることを特徴とする請求項1に記載の放熱効果を有
    する有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
  3. 【請求項3】 前記絶縁板が二酸化けい素によってなる
    ことを特徴とする請求項1に記載の放熱効果を有する有
    機エレクトロルミネッセンスデバイス。
  4. 【請求項4】 前記基板を含んでなる有機エレクトロル
    ミネッセンスの構造は、さらに絶縁シール層を含み、該
    絶縁シール層が前記第2電極および放熱凸リブの表面に
    形成されることを特徴とする請求項1に記載の放熱効果
    を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
  5. 【請求項5】 前記絶縁シール層が光の反射作用を有す
    る反射フィルムであることを特徴とする請求項4に記載
    の放熱効果を有する有機エレクトロルミネッセンスデバ
    イス。
  6. 【請求項6】 前記基板は、底端面にも反射フィルムが
    形成されることを特徴とする請求項1に記載の放熱効果
    を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
  7. 【請求項7】 前記有機層が青色の光を発光する有機層
    か、緑色の光を発光する有機層か、赤色の光を発光する
    有機層か、もしくはこれらを組合せた内の一であること
    を特徴とする請求項1に記載の放熱効果を有する有機エ
    レクトロルミネッセンスデバイス。
  8. 【請求項8】 前記放熱凸リブが前記凸縁部と一体に形
    成されてテーパー状を呈する円錐状放熱板であることを
    特徴とする請求項1に記載の放熱効果を有する有機エレ
    クトロルミネッセンスデバイス。
  9. 【請求項9】 前記放熱凸リブの上面に形成される凸縁
    部が絶縁材質からなる絶縁凸縁部であることを特徴とす
    る請求項1に記載の放熱効果を有する有機エレクトロル
    ミネッセンスデバイス。
  10. 【請求項10】 前記絶縁板の幅が該絶縁凸縁部の幅の
    広さより狭いことを特徴とする請求項1に記載の放熱効
    果を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
  11. 【請求項11】 有機エレクトロルミネッセンスデバイ
    スの製造方法において、次ぎに掲げるaからeの工程を
    含み、 aの工程において、基板上に少なくとも一層の第1電極
    と、第1絶縁物質層とを順に形成し、 bの工程において、該第1絶縁物質層の表面に金属材質
    を含んでなる放熱物質層と、第2絶縁物質層とを順に形
    成し、 cの工程において、マイクロフォトグラフィ及びエッチ
    ング技術によって該第2絶縁物質層と、該放熱物質層
    と、該第1絶縁物質層に対して、等方性エッチングを行
    ない、第1電極の表面に絶縁ベース板とこれに立設され
    る放熱凸リブと該放熱リブの上面にオーバーハング状に
    形成される絶縁凸縁部とを形成し、かつ隣り合う二つの
    絶縁ベース板の間は、発光予定エリアとし、 dの工程において、シャドーパネルを応用して、それぞ
    れの発光予定エリアに対応する第1電極の表面に有機層
    を蒸着し、 eの工程において、該有機層の表面に垂直蒸着によって
    第2電極を形成することを特徴とすることを特徴とする
    放熱効果を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイ
    スの製造方法。
  12. 【請求項12】 前記eの工程の後に、さらに該第2電
    極と、該絶縁凸縁部と、該放熱凸リブの表面に絶縁シー
    ル層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項11
    に記載の放熱効果を有する有機エレクトロルミネッセン
    スデバイスの製造方法。
  13. 【請求項13】 前記絶縁シール層が光の反射作用を有
    する反射フィルムで形成されることを特徴とする請求項
    12に記載の放熱効果を有する有機エレクトロルミネッ
    センスデバイスの製造方法。
  14. 【請求項14】 前記cの工程においてエッチングを行
    なう絶縁凸縁部と、絶縁ベース板との幅が同等の広さに
    形成されることを特徴とする請求項11に記載の放熱効
    果を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製
    造方法。
  15. 【請求項15】 前記cの工程においてエッチングを行
    なう絶縁凸縁部の幅が前記絶縁ベース板の幅に比して広
    く形成し、このためdの工程における有機層は、斜め方
    向の蒸着によって該発光予定エリアの第1電極表面に形
    成されることを特徴とする請求項11に記載の放熱効果
    を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造
    方法。
  16. 【請求項16】 前記放熱物質層が窒化ほう素か、窒化
    アルミか、酸化アルミか、酸化マグネシウムか、もしく
    は二ほう化チタンの内から選択される一材質によって形
    成されることを特徴とする請求項11に記載の放熱効果
    を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造
    方法。
  17. 【請求項17】 前記工程aにおける第1絶縁質層が二
    酸化けい素から形成されることを特徴とする請求項11
    に記載の放熱効果を有する有機エレクトロルミネッセン
    スデバイスの製造方法。
  18. 【請求項18】 前記eの工程の後に、さらに該基板の
    底端面に反射フィルムを形成する工程を含むこと特徴と
    する請求項11に記載の放熱効果を有する有機エレクト
    ロルミネッセンスデバイスの製造方法。
  19. 【請求項19】 前記dの工程において、選択される有
    機層が青色の光線を発光する有機層か、緑色の光線を発
    光する有機層か、赤色の光線を発光する有機層か、もし
    くはそれらを組合せた内の一であり、相対する該発光予
    定エリアの第1電極表面に形成されることを特徴とする
    請求項11に記載の放熱効果を有する有機エレクトロル
    ミネッセンスデバイスの製造方法。
  20. 【請求項20】 前記bの工程をb1の工程に変更し、
    前記cの工程をc1の工程に変更することができ、 該b1の工程は、前記第1絶縁物質層をエッチングして
    絶縁ベース板とし、該絶縁ベース板の表面に金属材質を
    含んでなる放熱物質層を形成し、 該c1の工程は、マイクロフォトグラフィとエッチング
    技術を応用して、該放熱物質層に対して等方性エッチン
    グを行ない、該絶縁ベース板表面に立設され、且つその
    上端面の幅が比較的広い放熱凸リブを形成することを特
    徴とする請求項11に記載の放熱効果を有する有機エレ
    クトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
  21. 【請求項21】 前記bの工程をb1の工程に変更し、
    前記cの工程をc1の工程に変更することができ、 該b1の工程は、前記第1絶縁物質層をエッチングして
    絶縁ベース板とし、該絶縁ベース板の表面に金属材質を
    含んでなる放熱物質層を形成し、 該c1の工程は、マイクロフォトグラフィとエッチング
    技術を応用して、該放熱物質層に対して等方性エッチン
    グを行ない、該絶縁ベース板表面に立設する放熱円錐状
    板を形成することを特徴とする請求項11に記載の放熱
    効果を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイスの
    製造方法。
  22. 【請求項22】 前記b1の工程において形成される絶
    縁ベース板の幅が前記工程c1において形成される放熱
    円錐状板の上面の幅に比して狭く形成されることを特徴
    とする請求項21に記載の放熱効果を有する有機エレク
    トロルミネッセンスデバイスの製造方法。
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