JP2002056504A - Magneto-resistance element amplifier circuit and disk device using the same - Google Patents
Magneto-resistance element amplifier circuit and disk device using the sameInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、バイアス電流の
供給によって磁気抵抗素子の両端に発生した信号を増幅
して、記憶媒体上の情報を読み出す磁気抵抗素子増幅回
路およびこれを用いたディスク装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive element amplifier circuit for amplifying a signal generated at both ends of a magnetoresistive element by supplying a bias current and reading information on a storage medium, and a disk device using the same. Things.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、ハードディスクドライブ装置やフ
ロッピー(登録商標)ディスクドライブ装置などに用い
られる磁気記憶媒体のヘッド用素子として、磁気抵抗
(magnetoresistive)素子が広く用いられるようになっ
ている。この磁気抵抗素子を用いたヘッドは、従来の薄
膜素子を用いたヘッドに比較して再生出力が大きいた
め、磁気記憶媒体上の面記録密度を大幅に向上すること
ができるからである。なお、磁気抵抗素子は、外部磁界
を加えると抵抗が変化する磁気抵抗効果を示す素子を意
味し、たとえばGMR(giant magnetoresistive)素子
やTMR(tunneling magnetoresistive)素子を含む。2. Description of the Related Art In recent years, a magnetoresistive (magnetoresistive) element has been widely used as a head element of a magnetic storage medium used in a hard disk drive or a floppy (registered trademark) disk drive. This is because a head using this magnetoresistive element has a higher reproduction output than a head using a conventional thin-film element, and can greatly improve the areal recording density on a magnetic storage medium. The magnetoresistive element means an element exhibiting a magnetoresistive effect in which the resistance changes when an external magnetic field is applied, and includes, for example, a GMR (giant magnetoresistive) element and a TMR (tunneling magnetoresistive) element.
【0003】図4は、従来の磁気抵抗素子増幅回路の構
成を示す回路図である。図4において、磁気抵抗素子M
R1にかかる磁気変化による磁気抵抗変化によって、磁
気抵抗素子MR1の端子間電圧は変化する。NPNトラ
ンジスタQ1,Q2は、磁気抵抗素子MR1のそれぞれ
は、磁気抵抗素子MR1の両端からベース電流を引き出
し、磁気抵抗素子MR1の端子間電圧を増幅し、端子T
1,T2からそれぞれ増幅出力する。ここで、磁気抵抗
素子MR1の両端に流れる電流は、NPNトランジスタ
Q1,Q2のベース電流によって誤差が生じる。そこ
で、ベース電流補正回路101によって、NPNトラン
ジスタQ1,Q2のベース電流分を補正するようにして
いる。ベース電流補正回路101は、電流源I3,NP
NトランジスタQ3,Q6,Q7,およびPNPトラン
ジスタQ4,Q5を有する。FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional magnetoresistive element amplifier circuit. In FIG. 4, the magnetoresistive element M
The voltage between terminals of the magnetoresistive element MR1 changes due to the magnetoresistance change due to the magnetic change applied to R1. In the NPN transistors Q1 and Q2, each of the magnetoresistive elements MR1 draws a base current from both ends of the magnetoresistive element MR1, amplifies a voltage between the terminals of the magnetoresistive element MR1, and a terminal T
1 and T2, respectively. Here, an error occurs in the current flowing through both ends of the magnetoresistive element MR1 due to the base currents of the NPN transistors Q1 and Q2. Therefore, the base current correction circuit 101 corrects the base current of the NPN transistors Q1 and Q2. The base current correction circuit 101 includes current sources I3, NP
It has N transistors Q3, Q6, Q7 and PNP transistors Q4, Q5.
【0004】一方、NPNトランジスタQ1,Q2を含
む増幅器は、スイッチSW1によってオン状態とオフ状
態とを呈する。オン状態は、磁気抵抗素子MR1によっ
て図示しない記録媒体上の情報を読み込む状態であり、
オフ状態は、図示しない書込ヘッドによって図示しない
記録媒体上に情報を読み込む状態あるいは読込/書込を
行わない停止状態である。この場合、スイッチSW1に
は、NPNトランジスタQ1,Q2のエミッタ側に接続
された電流源I1,I2が接続されるとともに、ベース
電流補正回路101の電流源I3が接続される。このた
め、スイッチSW1がオン状態のときは、磁気抵抗素子
MR1がオン状態すなわち動作状態となり、スイッチS
W1がオフ状態のときは、磁気抵抗素子MR1がオフ状
態すなわち非動作状態となる。On the other hand, an amplifier including NPN transistors Q1 and Q2 is turned on and off by a switch SW1. The ON state is a state in which information on a recording medium (not shown) is read by the magnetoresistive element MR1.
The OFF state is a state in which information is read onto a recording medium (not shown) by a write head (not shown) or a stopped state in which reading / writing is not performed. In this case, the current sources I1 and I2 connected to the emitters of the NPN transistors Q1 and Q2 are connected to the switch SW1, and the current source I3 of the base current correction circuit 101 is connected to the switch SW1. Therefore, when the switch SW1 is on, the magnetoresistive element MR1 is turned on, that is, in the operating state, and the switch S1 is turned on.
When W1 is off, the magnetoresistive element MR1 is off, that is, inactive.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、スイッチS
W1をオン状態からオフ状態に移行した場合、磁気抵抗
素子MR1に流れている電流の中間電位を設定するルー
プの電位、すなわち抵抗R1,R2間の電位を変動させ
てしまう。この結果、再びスイッチSW1をオフ状態か
らオン状態に移行した場合、コンデンサC1,C2を再
充電する必要があり、抵抗R1,R2間の中間電位を安
定させる時間がかかり、読取り動作の再開を高速に行う
ことができないという問題点があった。The switch S
When W1 shifts from the on state to the off state, the potential of the loop that sets the intermediate potential of the current flowing through the magnetoresistive element MR1, that is, the potential between the resistors R1 and R2 is changed. As a result, when the switch SW1 shifts from the OFF state to the ON state again, it is necessary to recharge the capacitors C1 and C2, it takes time to stabilize the intermediate potential between the resistors R1 and R2, and the read operation can be restarted at high speed. There was a problem that can not be performed.
【0006】この発明は上記に鑑みてなされたもので、
読取開始時における増幅動作の安定時間を短縮し、高速
読取動作を行うことができる磁気抵抗素子増幅回路およ
びこれを用いたディスク装置を得ることを目的とする。[0006] The present invention has been made in view of the above,
An object of the present invention is to provide a magnetoresistive element amplifier circuit capable of performing a high-speed reading operation by shortening the stabilization time of the amplification operation at the start of reading and a disk device using the same.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明にかかる磁気抵抗素子増幅回路は、バイア
ス電流が供給される磁気抵抗素子の両端からそれぞれ出
力された信号を増幅する第1のトランジスタと第2のト
ランジスタとを有する磁気抵抗素子増幅回路において、
前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタ
による前記信号の増幅動作をスイッチングする第1のス
イッチと、前記第1のスイッチのオン、オフに対応して
それぞれオフ、オンする第2のスイッチと、前記第1の
スイッチのオン時に前記第1のトランジスタおよび前記
第2のトランジスタに流入するベース電流を、前記第2
のスイッチがオン時に引き抜くベース電流引抜手段と、
前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタ
のベース電流値を補正するベース電流補正手段とを備え
たことを特徴とする。In order to achieve the above object, a magnetoresistive element amplifier circuit according to the present invention comprises a first amplifier for amplifying signals output from both ends of a magnetoresistive element to which a bias current is supplied. In a magnetoresistive element amplifier circuit having a transistor and a second transistor,
A first switch that switches an operation of amplifying the signal by the first transistor and the second transistor, a second switch that turns off and on in response to on and off of the first switch, When the first switch is turned on, the base current flowing into the first transistor and the second transistor is supplied to the second transistor.
A base current extracting means for extracting when the switch is on,
And a base current correcting means for correcting base current values of the first transistor and the second transistor.
【0008】この発明によれば、前記第1のトランジス
タおよび前記第2のトランジスタによる前記信号の増幅
動作をスイッチングする第1のスイッチがオンのとき、
第2のスイッチはオフとなって、前記信号の増幅動作の
みを行い、前記第1のスイッチがオフのとき、第2のス
イッチはオンとなって、前記信号の増幅動作は行われ
ず、ベース電流引抜回路が、前記第1のトランジスタお
よび前記第2のトランジスタが増幅動作している場合に
おけるベース電流分を引き抜き、磁気抵抗素子の両端の
電圧変動をなくし、前記信号の増幅動作を再開する場合
に増幅動作の安定時間を短くするようにしている。According to the present invention, when the first switch for switching the signal amplification operation by the first transistor and the second transistor is on,
The second switch is turned off and performs only the signal amplification operation. When the first switch is turned off, the second switch is turned on and the signal amplification operation is not performed and the base current is not increased. When the extraction circuit extracts a base current component when the first transistor and the second transistor are performing an amplification operation, eliminates a voltage change between both ends of the magnetoresistive element, and restarts the signal amplification operation. The stabilization time of the amplification operation is shortened.
【0009】つぎの発明にかかる磁気抵抗素子増幅回路
は、上記の発明において、前記ベース電流補正手段は、
電流源を有し、前記電流源は、前記第1のスイッチおよ
び前記第2のスイッチのスイッチング動作と独立して前
記ベース電流値を補正することを特徴とする。[0009] In the magnetoresistive element amplifier circuit according to the next invention, in the above-mentioned invention, the base current correction means may include:
A current source is provided, and the current source corrects the base current value independently of a switching operation of the first switch and the second switch.
【0010】この発明によれば、第1のトランジスタお
よび第2のトランジスタのベース電流は常に流れ、ベー
ス電流補正手段の電流源が、前記第1のスイッチおよび
前記第2のスイッチのスイッチング動作と独立して前記
ベース電流値を補正するようにしているので、磁気抵抗
素子の両端の電圧変動をなくすことができる。According to the present invention, the base currents of the first transistor and the second transistor always flow, and the current source of the base current correction means is independent of the switching operation of the first switch and the second switch. Thus, since the base current value is corrected, voltage fluctuations at both ends of the magnetoresistive element can be eliminated.
【0011】つぎの発明にかかる磁気抵抗素子増幅回路
は、上記の発明において、前記ベース電流引抜手段は、
前記第1のトランジスタのベースに接続された第3のト
ランジスタと、前記第2のトランジスタのベースに接続
された第4のトランジスタと、前記第3のトランジスタ
および前記第4のトランジスタに対してカレントミラー
を形成する第5のトランジスタとを備えたことを特徴と
する。According to a second aspect of the present invention, in the above-mentioned invention, the base current extracting means comprises:
A third transistor connected to the base of the first transistor, a fourth transistor connected to the base of the second transistor, and a current mirror for the third transistor and the fourth transistor And a fifth transistor that forms
【0012】この発明によれば、第3のトランジスタが
前記第1のトランジスタのベースに接続されてベース電
流を引き抜き、第4のトランジスタが前記第2のトラン
ジスタのベースに接続されてベース電流を引き抜くが、
この際、第3のトランジスタおよび第4のトランジスタ
は、第5のトランジスタとカレントミラーを形成し、増
幅動作時と同じベース電流を引き抜くようにしている。According to this invention, the third transistor is connected to the base of the first transistor to extract the base current, and the fourth transistor is connected to the base of the second transistor to extract the base current. But,
At this time, the third transistor and the fourth transistor form a current mirror with the fifth transistor so that the same base current as in the amplification operation is drawn.
【0013】つぎの発明にかかるディスク装置は、バイ
アス電流が供給される磁気抵抗素子の両端からそれぞれ
出力された信号を増幅する第1のトランジスタと第2の
トランジスタとを有する磁気抵抗素子増幅回路を用いて
少なくとも磁気記録媒体に記憶された情報を読み取るデ
ィスク装置において、前記磁気抵抗素子増幅回路は、前
記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタに
よる前記信号の増幅動作をスイッチングする第1のスイ
ッチと、前記第1のスイッチのオン、オフに対応してそ
れぞれオフ、オンする第2のスイッチと、前記第1のス
イッチのオン時に前記第1のトランジスタおよび前記第
2のトランジスタに流入するベース電流を、前記第2の
スイッチがオン時に引き抜くベース電流引抜手段と、前
記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタの
ベース電流値を補正するベース電流補正手段とを備えた
ことを特徴とする。A disk device according to the next invention comprises a magnetoresistive element amplifying circuit having a first transistor and a second transistor for amplifying signals respectively output from both ends of a magnetoresistive element to which a bias current is supplied. In a disk device for reading at least information stored on a magnetic recording medium, the magnetoresistive element amplifier circuit includes a first switch for switching an operation of amplifying the signal by the first transistor and the second transistor. A second switch that is turned off and on in response to the on and off of the first switch, and a base current that flows into the first transistor and the second transistor when the first switch is turned on. Base current extracting means for extracting when the second switch is turned on, and the first transistor. Characterized in that a base current correction means for correcting the base current value of data and the second transistor.
【0014】この発明によれば、前記第1のトランジス
タおよび前記第2のトランジスタによる前記信号の増幅
動作をスイッチングする第1のスイッチがオンのとき、
第2のスイッチはオフとなって、前記信号の増幅動作の
みを行い、前記第1のスイッチがオフのとき、第2のス
イッチはオンとなって、前記信号の増幅動作は行われ
ず、ベース電流引抜回路が、前記第1のトランジスタお
よび前記第2のトランジスタが増幅動作している場合に
おけるベース電流分を引き抜き、磁気抵抗素子の両端の
電圧変動をなくし、前記信号の増幅動作を再開する場合
に増幅動作の安定時間を短くするようにしている。According to the present invention, when the first switch for switching the signal amplification operation by the first transistor and the second transistor is on,
The second switch is turned off and performs only the signal amplification operation. When the first switch is turned off, the second switch is turned on and the signal amplification operation is not performed and the base current is not increased. When the extraction circuit extracts a base current component when the first transistor and the second transistor are performing an amplification operation, eliminates a voltage change between both ends of the magnetoresistive element, and restarts the signal amplification operation. The stabilization time of the amplification operation is shortened.
【0015】つぎの発明にかかるディスク装置は、上記
の発明において、前記ベース電流補正手段は、電流源を
有し、前記電流源は、前記第1のスイッチおよび前記第
2のスイッチのスイッチング動作と独立して前記ベース
電流値を補正することを特徴とする。In the disk apparatus according to the next invention, in the above invention, the base current correction means has a current source, and the current source performs a switching operation of the first switch and the second switch. It is characterized in that the base current value is corrected independently.
【0016】この発明によれば、第1のトランジスタお
よび第2のトランジスタのベース電流は常に流れ、ベー
ス電流補正手段の電流源が、前記第1のスイッチおよび
前記第2のスイッチのスイッチング動作と独立して前記
ベース電流値を補正するようにしているので、磁気抵抗
素子の両端の電圧変動をなくすようにしている。According to the present invention, the base currents of the first transistor and the second transistor always flow, and the current source of the base current correction means is independent of the switching operation of the first switch and the second switch. Thus, the base current value is corrected, so that voltage fluctuations at both ends of the magnetoresistive element are eliminated.
【0017】つぎの発明にかかるディスク装置は、上記
の発明において、前記ベース電流引抜手段は、前記第1
のトランジスタのベースに接続された第3のトランジス
タと、前記第2のトランジスタのベースに接続された第
4のトランジスタと、前記第3のトランジスタおよび前
記第4のトランジスタに対してカレントミラーを形成す
る第5のトランジスタとを備えたことを特徴とする。In the disk device according to the next invention, in the above-mentioned invention, the base current extracting means includes the first current extracting means.
A third transistor connected to the base of the second transistor, a fourth transistor connected to the base of the second transistor, and a current mirror for the third transistor and the fourth transistor. A fifth transistor.
【0018】この発明によれば、第3のトランジスタが
前記第1のトランジスタのベースに接続されてベース電
流を引き抜き、第4のトランジスタが前記第2のトラン
ジスタのベースに接続されてベース電流を引き抜くが、
この際、第3のトランジスタおよび第4のトランジスタ
は、第5のトランジスタとカレントミラーを形成し、増
幅動作時と同じベース電流を引き抜くようにしている。According to the present invention, the third transistor is connected to the base of the first transistor to extract the base current, and the fourth transistor is connected to the base of the second transistor to extract the base current. But,
At this time, the third transistor and the fourth transistor form a current mirror with the fifth transistor so that the same base current as in the amplification operation is drawn.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照して、この
発明にかかる磁気抵抗素子増幅回路およびこれを用いた
ディスク装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a magnetoresistive element amplifier circuit and a disk device using the same according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【0020】実施の形態1.図1は、この発明の実施の
形態1である磁気抵抗素子増幅回路の構成を示す回路図
である。図1において、この磁気抵抗素子増幅回路1の
構成は、図4に示した従来の磁気抵抗素子増幅回路に、
ベース電流引抜回路2をさらに設け、電流源I3の下流
側を電源Veeに接続している。すなわち、電流源I3
は、スイッチSW1の下流側に接続される。その他の構
成は、図4に示した従来の磁気抵抗素子増幅回路と同じ
であり、同一構成部分には同一符号を付している。Embodiment 1 FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a magnetoresistive element amplifier circuit according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, the configuration of the magnetoresistive element amplifier circuit 1 is different from the conventional magnetoresistive element amplifier circuit shown in FIG.
A base current extraction circuit 2 is further provided, and the downstream side of the current source I3 is connected to the power supply Vee. That is, the current source I3
Is connected to the downstream side of the switch SW1. The other configuration is the same as that of the conventional magnetoresistive element amplifier circuit shown in FIG. 4, and the same components are denoted by the same reference numerals.
【0021】ベース電流引抜回路2において、NPNト
ランジスタQ10,Q11のコレクタは、それぞれNP
NトランジスタQ1,Q2のベースに接続され、それぞ
れNPNトランジスタQ12とカレントミラー接続され
る。また、NPNトランジスタQ12には、NPNトラ
ンジスタQ10,Q11のコレクタが、NPNトランジ
スタQ1,Q2のベース電流と同じ大きさの電流を流す
ように、PNPトランジスタQ13のコレクタからスイ
ッチSW2を介して電流が供給される。In the base current extracting circuit 2, the collectors of the NPN transistors Q10 and Q11
The transistors are connected to the bases of N-transistors Q1 and Q2, respectively, and are current-mirror-connected to NPN transistor Q12. A current is supplied to the NPN transistor Q12 from the collector of the PNP transistor Q13 via the switch SW2 such that the collectors of the NPN transistors Q10 and Q11 flow a current having the same magnitude as the base current of the NPN transistors Q1 and Q2. Is done.
【0022】ベース電流引抜回路2を除いた回路は、磁
気抵抗素子MR1に流れるバイアス電流を設定する機能
をもつ回路である。抵抗R6の一端は、電圧源VCCに
接続され、他端は電流源I4を介して接地される。電流
源I4と抵抗R6との接続点は、トランスコンダクタン
スアンプAmp1の正入力端子に接続され、トランスコ
ンダクタンスアンプAmp1の出力端は、NMOSトラ
ンジスタQ8のゲートとコンデンサC1の一端に接続さ
れる。コンデンサC1の他端は、接地される。NMOS
トランジスタQ8のドレインは、抵抗R3を介して電圧
源VCCに接続されるとともに、トランスコンダクタン
スアンプAmp1の負入力端子に接続される。The circuit excluding the base current extracting circuit 2 is a circuit having a function of setting a bias current flowing through the magnetoresistive element MR1. One end of the resistor R6 is connected to the voltage source VCC, and the other end is grounded via the current source I4. The connection point between the current source I4 and the resistor R6 is connected to the positive input terminal of the transconductance amplifier Amp1, and the output terminal of the transconductance amplifier Amp1 is connected to the gate of the NMOS transistor Q8 and one end of the capacitor C1. The other end of the capacitor C1 is grounded. NMOS
The drain of the transistor Q8 is connected to the voltage source VCC via the resistor R3 and to the negative input terminal of the transconductance amplifier Amp1.
【0023】NMOSトランジスタQ8のソースは、抵
抗R4を介して、磁気抵抗素子MR1の一端に接続され
る。磁気抵抗素子MR1の他端は、抵抗R5を介し、P
MOSトランジスタQ9のソースに接続される。磁気抵
抗素子MR1と抵抗R4との接続点は、直列接続された
抵抗R1,R2を介して、磁気抵抗素子MR1の他端に
接続される。すなわち、抵抗R1,R2と磁気抵抗素子
MR1とは並列接続される。The source of the NMOS transistor Q8 is connected to one end of the magnetoresistive element MR1 via the resistor R4. The other end of the magnetoresistive element MR1 is connected to P via a resistor R5.
Connected to the source of MOS transistor Q9. The connection point between the magnetoresistive element MR1 and the resistor R4 is connected to the other end of the magnetoresistive element MR1 via resistors R1 and R2 connected in series. That is, the resistors R1 and R2 and the magnetoresistive element MR1 are connected in parallel.
【0024】抵抗R1,R2は、等しい大きさの抵抗値
をもち、抵抗R1,R2の接続点は、トランスコンダク
タンスアンプAmp2の負入力端子に接続される。トラ
ンスコンダクタンスアンプAmp2の出力端は、PMO
SトランジスタQ9のゲートとコンデンサC2の他端と
に接続される。コンデンサC2の他端は、接地される。The resistors R1 and R2 have the same resistance value, and the connection point of the resistors R1 and R2 is connected to the negative input terminal of the transconductance amplifier Amp2. The output terminal of the transconductance amplifier Amp2 is a PMO
Connected to the gate of S transistor Q9 and the other end of capacitor C2. The other end of the capacitor C2 is grounded.
【0025】ここで、磁気抵抗素子MR1に対するバイ
アス電流の設定について説明する。このバイアス電流の
設定は、まず電流源I4によって行われる。抵抗R6の
両端には、(R6×I4)の電圧が発生し、トランスコ
ンダクタンスアンプAmp1は、抵抗R6の両端電圧
と、抵抗R3の両端電圧とが等しくなるように帰還をか
ける。この結果、抵抗R3に流れる電流IMRは、次式
に示す値に設定される。すなわち、 IMR=R6×I4/R3 に設定される。磁気抵抗素子MR1の抵抗値に比べ、抵
抗R1,R2の値は大きく設定されるので、抵抗R3に
流れる電流IMRは、磁気抵抗素子MR1に流れる電流
とほぼ同じ値となる。ここで、抵抗R1,R2の抵抗値
は等しく、かつ抵抗値R1,R2との中点がトランスコ
ンダクタンスアンプAmp2の負入力端子に接続され、
トランスコンダクタンスアンプAmp2の正入力端子が
接地されていることから、トランスコンダクタンスアン
プAmp2は、抵抗R1,R2の中点電位が接地電圧と
同じ値となるように帰還をかける。この結果、磁気抵抗
素子MR1の中点電位は、接地電圧レベルに設定され
る。Here, the setting of the bias current for the magnetoresistive element MR1 will be described. The setting of the bias current is first performed by the current source I4. A voltage of (R6 × I4) is generated at both ends of the resistor R6, and the transconductance amplifier Amp1 performs feedback so that the voltage at both ends of the resistor R6 is equal to the voltage at both ends of the resistor R3. As a result, the current IMR flowing through the resistor R3 is set to a value represented by the following equation. That is, IMR = R6 × I4 / R3 is set. Since the values of the resistors R1 and R2 are set to be larger than the resistance value of the magnetoresistive element MR1, the current IMR flowing through the resistor R3 has substantially the same value as the current flowing through the magnetoresistive element MR1. Here, the resistance values of the resistors R1 and R2 are equal, and the midpoint between the resistance values R1 and R2 is connected to the negative input terminal of the transconductance amplifier Amp2.
Since the positive input terminal of the transconductance amplifier Amp2 is grounded, the transconductance amplifier Amp2 performs feedback so that the midpoint potential of the resistors R1 and R2 has the same value as the ground voltage. As a result, the midpoint potential of magnetoresistive element MR1 is set to the ground voltage level.
【0026】このようにして磁気抵抗素子MR1に対す
るバイアス電流が設定された状態における磁気抵抗素子
増幅回路1の動作について、図1および図2に示すスイ
ッチSW1,SW2のタイミングチャートを参照して説
明する。切替制御回路Cは、スイッチSW1がオン状
態、すなわち読込状態とするとき、スイッチSW2をオ
フ状態に設定する。The operation of the magnetoresistive element amplifier circuit 1 in the state where the bias current for the magnetoresistive element MR1 is set as described above will be described with reference to the timing charts of the switches SW1 and SW2 shown in FIGS. . The switching control circuit C sets the switch SW2 to the off state when the switch SW1 is in the on state, that is, in the reading state.
【0027】スイッチSW1がオン状態のとき、NPN
トランジスタQ1,Q2すなわち増幅器は、磁気抵抗素
子MR1の両端電圧の信号を増幅する。この場合、上述
したように、磁気抵抗素子MR1の両端電圧は、抵抗R
1,R2の中点電位からの電圧となる。なお、このスイ
ッチSW1がオン状態のとき、NPNトランジスタQ
1,Q2は、ベース電流を消費することになる。また、
このスイッチSW1がオン状態のとき、電流源I3に
は、電流源I1,I2の電流値のR3/R6倍の電流が
流れ、この電流は、NPNトランジスタQ3,Q6,Q
7およびPNPトランジスタQ4,Q5を介して抵抗R
6に流される。この抵抗R6に流れる電流によって、N
PNトランジスタQ1のベース電流は、NMOSトラン
ジスタQ8のドレインから抵抗R4を介して供給され
る。また、NPNトランジスタQ2のベース電流は、N
MOSトランジスタQ8のドレインから、抵抗R4およ
び磁気抵抗素子MR1を介して供給される。When the switch SW1 is on, the NPN
The transistors Q1 and Q2, that is, the amplifier, amplify the signal of the voltage between both ends of the magnetoresistive element MR1. In this case, as described above, the voltage across the magnetoresistive element MR1 is equal to the resistance R
1 and the voltage from the midpoint potential of R2. When the switch SW1 is on, the NPN transistor Q
1, Q2 will consume the base current. Also,
When the switch SW1 is on, a current R3 / R6 times the current value of the current sources I1 and I2 flows through the current source I3, and this current flows through the NPN transistors Q3, Q6, Q
7 and a resistor R via PNP transistors Q4 and Q5.
Flowed to 6. By the current flowing through the resistor R6, N
The base current of the PN transistor Q1 is supplied from the drain of the NMOS transistor Q8 via the resistor R4. The base current of the NPN transistor Q2 is N
It is supplied from the drain of the MOS transistor Q8 via the resistor R4 and the magnetoresistive element MR1.
【0028】一方、スイッチSW1をオフ状態にし、N
PNトランジスタQ1,Q2すなわち増幅器を動作させ
ない場合、スイッチSW2は、オン状態になる。この場
合、NPNトランジスタQ1,Q2は、ベース電流を消
費しない。ベース電流引抜回路2におけるNPNトラン
ジスタQ10〜Q12によって、NPNトランジスタQ
10,Q11のそれぞれには、電流源I1,I2の電流
値の((R3/R6)/hfe倍の電流が流れるように設
定されている。なお、「hfe」は、NPNトランジスタ
の電流増幅率である。また、NPNトランジスタQ10
〜Q12のカレントミラー回路に対する電流供給は、P
NPトランジスタQ13によって取り出される。On the other hand, the switch SW1 is turned off, and N
When the PN transistors Q1 and Q2, that is, the amplifiers are not operated, the switch SW2 is turned on. In this case, NPN transistors Q1 and Q2 do not consume the base current. The NPN transistors Q10 to Q12 in the base current extracting circuit 2
10 and Q11 are set so that a current of ((R3 / R6) / hfe times) of the current value of the current sources I1 and I2 flows, where "hfe" is the current amplification factor of the NPN transistor. The NPN transistor Q10
The current supply to the current mirror circuit of Q12 to Q12 is P
It is taken out by the NP transistor Q13.
【0029】したがって、スイッチSW1がオフ状態と
なり、スイッチSW2がオン状態になると、スイッチS
W1がオン状態のときにNPNトランジスタQ1が消費
していたベース電流分は、NMOSトランジスタQ8の
ドレインから、抵抗R4を介してNPNトランジスタQ
10によって引き抜かれる。また、スイッチSW1がオ
ン状態のときにNPNトランジスタQ2が消費していた
ベース電流分は、NMOSトランジスタQ8のドレイン
から、抵抗R4および磁気抵抗素子MR1を介してNP
NトランジスタQ11によって引き抜かれることにな
る。Therefore, when the switch SW1 is turned off and the switch SW2 is turned on, the switch S1 is turned on.
The base current consumed by the NPN transistor Q1 when the W1 is in the ON state is supplied from the drain of the NMOS transistor Q8 through the resistor R4 to the NPN transistor Q1.
Pulled out by 10. Further, the base current consumed by the NPN transistor Q2 when the switch SW1 is in the ON state is supplied from the drain of the NMOS transistor Q8 to the NP through the resistor R4 and the magnetoresistive element MR1.
It will be pulled out by the N transistor Q11.
【0030】この結果、増幅器としてのトランジスタQ
1,Q2のオン、オフの前後において、磁気抵抗素子M
R1の両端に発生している直流電圧値が変動せず、トラ
ンジスタQ1,Q2のオフ状態からオン状態になる際、
トランジスタQ1,Q2から端子T1,T2に出力され
る増幅出力が安定するまでの時間が短くなる。これによ
って、磁気抵抗素子MR1による読取動作を高速に行う
ことができる。As a result, the transistor Q as an amplifier
1, Q2 before and after turning on and off, the magnetoresistive element M
When the DC voltage value generated at both ends of R1 does not fluctuate and the transistors Q1 and Q2 are turned on from the off state,
The time required for the amplified output output from the transistors Q1 and Q2 to the terminals T1 and T2 to stabilize is reduced. Thereby, the reading operation by the magnetoresistive element MR1 can be performed at high speed.
【0031】この実施の形態1では、電流源I3の動作
をスイッチSW1のオン、オフ動作から独立させ、増幅
動作をオン、オフさせるスイッチSW1がオフ状態のと
きに、ベース電流引抜回路2によるNPNトランジスタ
Q1,Q2のベース電流引き抜きを動作させるスイッチ
SW2をオン状態とすることによって、磁気抵抗素子M
R1の両端に発生している電圧変動をなくし、スイッチ
SW1がオフ状態からオン状態に切り替わる際の増幅器
出力の安定時間を短縮することができ、磁気抵抗素子M
R1による読取動作を高速に行うことができる。In the first embodiment, the operation of the current source I3 is made independent of the on / off operation of the switch SW1, and when the switch SW1 for turning on / off the amplification operation is in the off state, the NPN by the base current extracting circuit 2 is turned off. By turning on the switch SW2 for operating the base current extraction of the transistors Q1 and Q2, the magnetoresistive element M
Voltage fluctuations generated at both ends of R1 can be eliminated, and the stabilization time of the amplifier output when the switch SW1 switches from the off state to the on state can be shortened.
The reading operation by R1 can be performed at high speed.
【0032】実施の形態2.つぎに、この発明の実施の
形態2について説明する。この実施の形態2では、上述
した実施の形態1である磁気抵抗素子増幅回路1をハー
ドディスクドライブ装置10に適用している。Embodiment 2 FIG. Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the second embodiment, the magnetoresistive element amplifier circuit 1 according to the first embodiment is applied to a hard disk drive 10.
【0033】図3は、この発明の実施の形態2であるハ
ードディスクドライブ装置の構成を示すブロック図であ
る。図3において、図1に示した磁気抵抗素子増幅回路
1は、ハードディスクドライブ装置10のプリアンプ2
3として用いる。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a hard disk drive according to a second embodiment of the present invention. 3, the magnetoresistive element amplifier circuit 1 shown in FIG.
Used as 3.
【0034】ハードディスクドライブ装置10は、パー
ソナルコンピュータ20に接続される。ハードディスク
ドライブ装置10は、マイクロコンピュータ21を有
し、マイクロコンピュータ21は、パーソナルコンピュ
ータ20と制御信号S1の送受信を行う。マイクロコン
ピュータ21は、パーソナルコンピュータ20からの制
御信号S1をもとに記憶媒体29に対するデータの書込
あるいはデータの読取の制御を行う。The hard disk drive 10 is connected to a personal computer 20. The hard disk drive device 10 has a microcomputer 21. The microcomputer 21 transmits and receives the control signal S1 to and from the personal computer 20. The microcomputer 21 controls writing or reading of data in the storage medium 29 based on a control signal S1 from the personal computer 20.
【0035】データの書込を行う場合、マイクロコンピ
ュータ21は、リードチャネル22に対して制御信号S
2および書込情報D1を送出し、リードチャネル22
は、書込情報D1をもとに書込信号D2をプリアンプ2
3を介し、書込信号D3としてアーム28の図示しない
書込ヘッドに送出し、記録媒体29上に書き込む。この
際、マイクロコンピュータ21は、制御信号S3によっ
てモータドライバ24を制御し、モータドライバ24
は、制御信号S5によって記録媒体29を回転駆動させ
るスピンドルモータ25を制御する。また、マイクロコ
ンピュータ21は、制御信号S4によってサーボIC2
6を制御し、サーボIC26は、アーム28を駆動する
サーボモータ27の駆動制御を行う。これによって、書
込信号D3は、記録媒体上の所望位置に書き込まれる。When writing data, the microcomputer 21 sends a control signal S to the read channel 22.
2 and the write information D1, and the read channel 22
Changes the write signal D2 based on the write information D1 into the preamplifier 2
3, and is sent as a write signal D3 to a write head (not shown) of the arm 28, and is written on the recording medium 29. At this time, the microcomputer 21 controls the motor driver 24 by the control signal S3, and
Controls the spindle motor 25 that drives the recording medium 29 to rotate by the control signal S5. Further, the microcomputer 21 controls the servo IC 2 by the control signal S4.
6, the servo IC 26 controls the drive of a servo motor 27 that drives the arm 28. As a result, the write signal D3 is written at a desired position on the recording medium.
【0036】一方、データの読込を行う場合、マイクロ
コンピュータ21は、リードチャネル22に対して制御
信号S2を送る。さらに、マイクロコンピュータ21
は、書込時と同じように、制御信号S3によってモータ
ドライバ24を制御し、モータドライバ24は、制御信
号S5によって記録媒体29を回転駆動させるスピンド
ルモータ25を制御する。また、マイクロコンピュータ
21は、制御信号S4によってサーボIC26を制御
し、サーボIC26は、アーム28を駆動するサーボモ
ータ27の駆動制御を行う。これによって、アーム28
の読込ヘッドである磁気抵抗素子MR1は、記録媒体2
9上の所望の読込位置に移動される。On the other hand, when reading data, the microcomputer 21 sends a control signal S 2 to the read channel 22. Further, the microcomputer 21
Controls the motor driver 24 by the control signal S3, and controls the spindle motor 25 that rotates the recording medium 29 by the control signal S5, as in the case of writing. Further, the microcomputer 21 controls the servo IC 26 with the control signal S4, and the servo IC 26 controls the driving of the servo motor 27 that drives the arm 28. This allows the arm 28
The magnetoresistive element MR1 which is a read head of the recording medium 2
9 to the desired reading position.
【0037】磁気抵抗素子MR1によって読み込まれた
読取信号D11は、プリアンプ23によって増幅され、
増幅された読取信号D12はリードチャネル22に出力
される。リードチャネル22は、制御信号S2のもと
に、読取信号D12を読取情報D13としてマイクロコ
ンピュータ21に出力し、マイクロコンピュータ21
は、読み取った読取情報D13をパーソナルコンピュー
タ20側に転送する。The read signal D11 read by the magnetoresistive element MR1 is amplified by the preamplifier 23,
The amplified read signal D12 is output to the read channel 22. The read channel 22 outputs the read signal D12 to the microcomputer 21 as read information D13 under the control signal S2,
Transfers the read information D13 to the personal computer 20 side.
【0038】ここで、リード/ライトIC(R/WI
C)によって実現されるプリアンプ23は、図1に示し
た磁気抵抗素子増幅回路1を有し、磁気抵抗素子MR1
の両端電圧を読取信号D11(ベース電流)として取得
し、この読取信号D11を増幅出力する。Here, the read / write IC (R / WI)
The preamplifier 23 realized by C) has the magnetoresistive element amplifier circuit 1 shown in FIG.
Is obtained as a read signal D11 (base current), and the read signal D11 is amplified and output.
【0039】プリアンプ23は、図1に示した磁気抵抗
素子増幅回路1を用いて磁気抵抗素子MR1の両端電圧
を増幅しているが、SW1のオフ状態からオン状態に移
行する際、SW2のオンによってベース電流が引き抜か
れ、磁気抵抗素子MR1の両端電圧が変動しないように
しているので、増幅出力の安定時間が短くなり、高速読
取動作が可能になるとともに、書込時から読込時への移
行時間が短縮され、書込/読取動作が繰り返される場合
における移行時間が短縮され、効率的な書込/読取動作
を行うことができる。The preamplifier 23 amplifies the voltage between both ends of the magnetoresistive element MR1 by using the magnetoresistive element amplifier circuit 1 shown in FIG. 1. When the SW1 shifts from the OFF state to the ON state, the SW2 turns ON. As a result, the base current is pulled out, and the voltage across the magnetoresistive element MR1 is kept from fluctuating. Therefore, the stabilization time of the amplified output is shortened, high-speed reading operation is enabled, and the transition from writing to reading is performed. The time is shortened, the transition time when the writing / reading operation is repeated is shortened, and an efficient writing / reading operation can be performed.
【0040】なお、上述した実施の形態2では、ハード
ディスクドライブ装置を例にあげて説明したが、これに
限らず、磁気抵抗素子MR1を用いるフロッピーディス
クドライブ装置などのディスクドライブ装置にも適用で
きる。In the second embodiment, the hard disk drive is described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to a disk drive such as a floppy disk drive using the magnetoresistive element MR1.
【0041】この実施の形態2によれば、実施の形態1
に示した磁気抵抗素子増幅回路1をプリアンプ23とし
て用いているので、書込から読取への移行時間が短縮
し、高速読取動作および書込/読取動作の高速化を実現
することができる。According to the second embodiment, the first embodiment
Is used as the preamplifier 23, the transition time from writing to reading is shortened, and high-speed reading operation and high-speed writing / reading operation can be realized.
【0042】[0042]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジ
スタによる前記信号の増幅動作をスイッチングする第1
のスイッチがオンのとき、第2のスイッチはオフとなっ
て、前記信号の増幅動作のみを行い、前記第1のスイッ
チがオフのとき、第2のスイッチはオンとなって、前記
信号の増幅動作は行われず、ベース電流引抜回路が、前
記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタが
増幅動作している場合におけるベース電流分を引き抜
き、磁気抵抗素子の両端の電圧変動をなくし、前記信号
の増幅動作を再開する場合に増幅動作の安定時間を短く
するようにしているので、高速読取動作を実現すること
ができるという効果を奏する。As described above, according to the present invention, the first transistor for switching the amplifying operation of the signal by the first transistor and the second transistor.
When the switch is on, the second switch is off and performs only the signal amplifying operation. When the first switch is off, the second switch is on and the signal amplifies. The operation is not performed, and the base current extracting circuit extracts the base current when the first transistor and the second transistor are performing the amplifying operation, eliminates the voltage fluctuation between both ends of the magnetoresistive element, and removes the signal of the signal. When the amplifying operation is restarted, the stabilizing time of the amplifying operation is shortened, so that a high-speed reading operation can be realized.
【0043】つぎの発明によれば、第1のトランジスタ
および第2のトランジスタのベース電流は常に流れ、ベ
ース電流補正手段の電流源が、前記第1のスイッチおよ
び前記第2のスイッチのスイッチング動作と独立して前
記ベース電流値を補正するようにし、磁気抵抗素子の両
端の電圧変動をなくすことができるので、高速読取動作
を実現することができるという効果を奏する。According to the next invention, the base currents of the first transistor and the second transistor always flow, and the current source of the base current correction means determines the switching operation of the first switch and the second switch. Since the base current value is independently corrected and the voltage fluctuation at both ends of the magnetoresistive element can be eliminated, there is an effect that a high-speed reading operation can be realized.
【0044】つぎの発明によれば、第3のトランジスタ
が前記第1のトランジスタのベースに接続されてベース
電流を引き抜き、第4のトランジスタが前記第2のトラ
ンジスタのベースに接続されてベース電流を引き抜く
が、この際、第3のトランジスタおよび第4のトランジ
スタは、第5のトランジスタとカレントミラーを形成
し、増幅動作時と同じベース電流を引き抜くようにして
いるので、簡易な構成で、高速読取動作を実現すること
ができるという効果を奏する。According to the next invention, the third transistor is connected to the base of the first transistor to extract the base current, and the fourth transistor is connected to the base of the second transistor to extract the base current. At this time, the third transistor and the fourth transistor form a current mirror with the fifth transistor so as to extract the same base current as in the amplification operation. This has the effect that the operation can be realized.
【0045】つぎの発明によれば、前記第1のトランジ
スタおよび前記第2のトランジスタによる前記信号の増
幅動作をスイッチングする第1のスイッチがオンのと
き、第2のスイッチはオフとなって、前記信号の増幅動
作のみを行い、前記第1のスイッチがオフのとき、第2
のスイッチはオンとなって、前記信号の増幅動作は行わ
れず、ベース電流引抜回路が、前記第1のトランジスタ
および前記第2のトランジスタが増幅動作している場合
におけるベース電流分を引き抜き、磁気抵抗素子の両端
の電圧変動をなくし、前記信号の増幅動作を再開する場
合に増幅動作の安定時間を短くするようにしているの
で、高速読取動作および高速書込/読取動作を実現する
ことができるという効果を奏する。According to the next invention, when the first switch for switching the operation of amplifying the signal by the first transistor and the second transistor is on, the second switch is off and the second switch is off. Only the signal amplification operation is performed, and when the first switch is off, the second
Is turned on, the signal amplifying operation is not performed, and the base current extracting circuit extracts the base current component when the first transistor and the second transistor are performing the amplifying operation, and the magnetoresistive Since the voltage fluctuations at both ends of the element are eliminated and the stabilization time of the amplifying operation is shortened when the amplifying operation of the signal is restarted, a high-speed reading operation and a high-speed writing / reading operation can be realized. It works.
【0046】つぎの発明によれば、第1のトランジスタ
および第2のトランジスタのベース電流は常に流れ、ベ
ース電流補正手段の電流源が、前記第1のスイッチおよ
び前記第2のスイッチのスイッチング動作と独立して前
記ベース電流値を補正するようにしているので、磁気抵
抗素子の両端の電圧変動をなくすようにしているので、
高速読取動作を実現することができるという効果を奏す
る。According to the next invention, the base currents of the first transistor and the second transistor always flow, and the current source of the base current correcting means determines the switching operation of the first switch and the second switch. Since the base current value is independently corrected, voltage fluctuations at both ends of the magnetoresistive element are eliminated.
There is an effect that a high-speed reading operation can be realized.
【0047】つぎの発明によれば、第3のトランジスタ
が前記第1のトランジスタのベースに接続されてベース
電流を引き抜き、第4のトランジスタが前記第2のトラ
ンジスタのベースに接続されてベース電流を引き抜く
が、この際、第3のトランジスタおよび第4のトランジ
スタは、第5のトランジスタとカレントミラーを形成
し、増幅動作時と同じベース電流を引き抜くようにして
いるので、簡易な構成で、高速読取動作を実現すること
ができるという効果を奏する。According to the next invention, the third transistor is connected to the base of the first transistor to extract the base current, and the fourth transistor is connected to the base of the second transistor to extract the base current. At this time, the third transistor and the fourth transistor form a current mirror with the fifth transistor so as to extract the same base current as in the amplification operation. This has the effect that the operation can be realized.
【図1】 この発明の実施の形態1である磁気抵抗素子
増幅回路の構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a magnetoresistive element amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 図1に示した磁気抵抗素子増幅回路のスイッ
チSW1,SW2の切替動作を示すタイミングチャート
である。FIG. 2 is a timing chart showing a switching operation of switches SW1 and SW2 of the magnetoresistive element amplifier circuit shown in FIG.
【図3】 この発明の実施の形態2であるハードディス
クドライブ装置の構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a hard disk drive device according to a second embodiment of the present invention;
【図4】 従来の磁気抵抗素子増幅回路の構成を示す回
路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional magnetoresistive element amplifier circuit.
1 磁気抵抗素子増幅回路、2 ベース電流引抜回路、
10 ハードディスクドライブ装置、20 パーソナル
コンピュータ、21 マイクロコンピュータ、22 リ
ードチャネル、23 プリアンプ、24 モータドライ
バ、25 スピンドルモータ、26 サーボIC、27
サーボモータ、28 アーム、29記録媒体、Amp
1,Amp2 トランスコンダクタンスアンプ、C 切
替制御回路、C1,C2 コンデンサ、I1〜I3 電
流源、MR1 磁気抵抗素子、SW1,SW2 スイッ
チ、Q1〜Q3,Q6,Q7,Q10〜Q12 NPN
トランジスタ、Q4,Q5,Q13 PNPトランジス
タ、Q8 NMOSトランジスタ、Q9 PMOSトラ
ンジスタ、R1〜R6 抵抗、VCC,Vee電源。1 Magnetoresistance element amplification circuit, 2 base current extraction circuit,
Reference Signs List 10 hard disk drive device, 20 personal computer, 21 microcomputer, 22 read channel, 23 preamplifier, 24 motor driver, 25 spindle motor, 26 servo IC, 27
Servo motor, 28 arms, 29 recording media, Amp
1, Amp2 transconductance amplifier, C switching control circuit, C1, C2 capacitors, I1 to I3 current sources, MR1 magnetoresistive element, SW1, SW2 switches, Q1 to Q3, Q6, Q7, Q10 to Q12 NPN
Transistors, Q4, Q5, Q13 PNP transistors, Q8 NMOS transistors, Q9 PMOS transistors, R1-R6 resistors, VCC, Vee power supply.
Claims (6)
の両端からそれぞれ出力された信号を増幅する第1のト
ランジスタと第2のトランジスタとを有する磁気抵抗素
子増幅回路において、 前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタ
による前記信号の増幅動作をスイッチングする第1のス
イッチと、 前記第1のスイッチのオン、オフに対応してそれぞれオ
フ、オンする第2のスイッチと、 前記第1のスイッチのオン時に前記第1のトランジスタ
および前記第2のトランジスタに流入するベース電流
を、前記第2のスイッチがオン時に引き抜くベース電流
引抜手段と、 前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタ
のベース電流値を補正するベース電流補正手段と、 を備えたことを特徴とする磁気抵抗素子増幅回路。1. A magnetoresistive element amplifier circuit having a first transistor and a second transistor for amplifying signals respectively output from both ends of a magnetoresistive element to which a bias current is supplied, wherein: A first switch that switches an operation of amplifying the signal by the second transistor; a second switch that turns off and on in response to on and off of the first switch; A base current extracting means for extracting a base current flowing into the first transistor and the second transistor when the second switch is turned on, and a base current value of the first transistor and the second transistor when the second switch is turned on; And a base current correction means for correcting the following.
し、 前記電流源は、前記第1のスイッチおよび前記第2のス
イッチのスイッチング動作と独立して前記ベース電流値
を補正することを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗
素子増幅回路。2. The base current correction unit includes a current source, wherein the current source corrects the base current value independently of a switching operation of the first switch and the second switch. The magnetoresistive element amplifier circuit according to claim 1, wherein:
ランジスタと、 前記第2のトランジスタのベースに接続された第4のト
ランジスタと、 前記第3のトランジスタおよび前記第4のトランジスタ
に対してカレントミラーを形成する第5のトランジスタ
と、 を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の磁
気抵抗素子増幅回路。3. The base current extracting means includes: a third transistor connected to a base of the first transistor; a fourth transistor connected to a base of the second transistor; The magnetoresistive element amplifier circuit according to claim 1, further comprising: a transistor and a fifth transistor forming a current mirror with respect to the fourth transistor.
の両端からそれぞれ出力された信号を増幅する第1のト
ランジスタと第2のトランジスタとを有する磁気抵抗素
子増幅回路を用いて少なくとも磁気記録媒体に記憶され
た情報を読み取るディスク装置において、 前記磁気抵抗素子増幅回路は、 前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタ
による前記信号の増幅動作をスイッチングする第1のス
イッチと、 前記第1のスイッチのオン、オフに対応してそれぞれオ
フ、オンする第2のスイッチと、 前記第1のスイッチのオン時に前記第1のトランジスタ
および前記第2のトランジスタに流入するベース電流
を、前記第2のスイッチがオン時に引き抜くベース電流
引抜手段と、 前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタ
のベース電流値を補正するベース電流補正手段と、 を備えたことを特徴とするディスク装置。4. A magnetic recording medium using at least a magnetic recording medium using a magnetoresistive element amplifier circuit having a first transistor and a second transistor for amplifying signals output from both ends of a magnetoresistive element to which a bias current is supplied. In a disk device for reading stored information, the magnetoresistive element amplifier circuit includes: a first switch for switching an operation of amplifying the signal by the first transistor and the second transistor; A second switch that is turned off and on in response to on and off, respectively, a base current that flows into the first transistor and the second transistor when the first switch is turned on, Base current extracting means for extracting when the transistor is turned on, the first transistor and the second transistor Disk apparatus characterized by comprising a base current correction means for correcting the base current value of.
し、 前記電流源は、前記第1のスイッチおよび前記第2のス
イッチのスイッチング動作と独立して前記ベース電流値
を補正することを特徴とする請求項4に記載のディスク
装置。5. The base current correction unit includes a current source, wherein the current source corrects the base current value independently of a switching operation of the first switch and the second switch. 5. The disk device according to claim 4, wherein:
ランジスタと、 前記第2のトランジスタのベースに接続された第4のト
ランジスタと、 前記第3のトランジスタおよび前記第4のトランジスタ
に対してカレントミラーを形成する第5のトランジスタ
と、 を備えたことを特徴とする請求項4または5に記載のデ
ィスク装置。6. The base current extracting means includes: a third transistor connected to a base of the first transistor; a fourth transistor connected to a base of the second transistor; The disk device according to claim 4, further comprising: a transistor; and a fifth transistor that forms a current mirror with respect to the fourth transistor.
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