JP2002048639A - Characteristic measuring apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ、レ
ンズおよびアパーチャが一体に構成された半導体レーザ
ユニットからのレーザ光の特性を測定する特性測定装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a characteristic measuring apparatus for measuring characteristics of laser light from a semiconductor laser unit in which a semiconductor laser, a lens and an aperture are integrally formed.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体レーザからのレーザ光
の基本特性である電流−光出力(I−L)を測定する特
性測定装置が知れれている。この特性測定装置は、半導
体レーザへの印加電流を変化させながら、半導体レーザ
からのレーザ光の光強度を受光素子にて測定するもので
ある。また、半導体レーザのレーザ光の基本特性である
出力分布(FFP)を測定する特性測定装置も知られて
いる。この特性測定装置は、半導体レーザの発光点から
の距離が一定な領域のレーザ光の光強度分布を受光素子
を移動させながら測定するものである。2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a characteristic measuring apparatus for measuring a current-light output (IL) which is a basic characteristic of laser light from a semiconductor laser. This characteristic measuring device measures the light intensity of laser light from a semiconductor laser with a light receiving element while changing the current applied to the semiconductor laser. There is also known a characteristic measuring device for measuring an output distribution (FFP) which is a basic characteristic of laser light of a semiconductor laser. This characteristic measuring apparatus measures a light intensity distribution of laser light in a region where a distance from a light emitting point of a semiconductor laser is constant while moving a light receiving element.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】レーザ光を被走査面上
に光スポットとして集光させて被走査面を走査する走査
光学系は、レーザプリンタまたはデジタル複写機等の画
像形成装置に用いられている。これらの走査光学系の多
くは、光源として半導体レーザを使用している。この場
合、走査光学系においては、半導体レーザからのレーザ
光をレンズおよびアパーチャなどにより整形する必要が
ある。一般には、走査光学系においては、カップリング
レンズにより平行またはやや発散もしくはやや収束した
光束にされた半導体レーザからのレーザ光をアパーチャ
により整形している。ここで、半導体レーザからのレー
ザ光に光量L1に対し、アパーチャからのレーザ光の光
量L2の比(L2/L1)をカップリング効率という。
従来の電流−光出力(I−L)の特性測定装置において
は、半導体レーザからのレーザ光のみを対象にしてお
り、半導体レーザ、カップリングレンズおよびアパーチ
ャが一体となった半導体レーザユニットからのレーザ光
の特性の測定はできないという問題がある。また、従来
の出力分布(FFP)の特性測定装置においても、半導
体レーザからのレーザ光のみを対象にしており、半導体
レーザユニットからのレーザ光の光強度の分布測定はで
きないという問題がある。本発明の課題は、このような
問題を解決することにあり、半導体レーザ、レンズおよ
びアパーチャが一体となった半導体レーザユニットから
のレーザ光の光強度および光強度分布を測定することが
できる特性測定装置を提供することにある。A scanning optical system for converging a laser beam as a light spot on a surface to be scanned and scanning the surface to be scanned is used in an image forming apparatus such as a laser printer or a digital copying machine. I have. Many of these scanning optical systems use a semiconductor laser as a light source. In this case, in the scanning optical system, the laser light from the semiconductor laser needs to be shaped by a lens, an aperture, and the like. In general, in a scanning optical system, a laser beam from a semiconductor laser which has been converted into a parallel, slightly divergent or slightly converged light beam by a coupling lens is shaped by an aperture. Here, the ratio (L2 / L1) of the light amount L2 of the laser light from the aperture to the light amount L1 of the laser light from the semiconductor laser is referred to as coupling efficiency.
In a conventional current-light output (IL) characteristic measuring apparatus, only a laser beam from a semiconductor laser is targeted, and a laser from a semiconductor laser unit in which a semiconductor laser, a coupling lens and an aperture are integrated. There is a problem that the characteristics of light cannot be measured. In addition, the conventional output distribution (FFP) characteristic measuring apparatus also has a problem that only the laser beam from the semiconductor laser is targeted, and the distribution of the light intensity of the laser beam from the semiconductor laser unit cannot be measured. An object of the present invention is to solve such a problem and to measure the light intensity and light intensity distribution of laser light from a semiconductor laser unit in which a semiconductor laser, a lens and an aperture are integrated. It is to provide a device.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項1に記載の発明は、半導体レーザとこの半導
体レーザからのレーザ光を収束するレンズおよびこのレ
ンズからのレーザ光を整形するアパーチャを有する半導
体レーザユニットからのレーザ光の特性を測定する特性
測定装置において、前記半導体レーザユニットからのレ
ーザ光の光強度を測定する第1の受光素子と、前記半導
体レーザユニットからのレーザ光の光強度分布を測定す
る第2の受光素子を備え、前記第1および第2の受光素
子は前記アパーチャの開口部の面積より大きい受光面積
を有するように構成されていることを特徴とする。請求
項2に記載の発明は、請求項1に記載の特性測定装置に
おいて、前記第1の受光素子は単一素子構造の受光素子
で構成され、前記第2の受光素子は複数素子構造の受光
素子で構成されていることを特徴とする。請求項3に記
載の発明は、半導体レーザとこの半導体レーザからのレ
ーザ光を収束するレンズおよびこのレンズからのレーザ
光を整形するアパーチャを有する半導体レーザユニット
からのレーザ光の特性を測定する特性測定装置におい
て、前記半導体レーザユニットからのレーザ光の光強度
を測定する第1の受光素子と、前記半導体レーザユニッ
トからのレーザ光の光強度分布を測定する第2の受光素
子と、前記第2の受光素子の前面に配置され光を通す開
口部を有する遮光板とを備え、前記第1および第2の受
光素子は単一素子構造の受光素子で構成され、前記第1
および第2の受光素子は前記アパーチャの開口部の面積
より大きい受光面積を有するように構成されていること
を特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項3に記
載の特性測定装置において、前記第2の受光素子を前記
半導体レーザユニットからのレーザ光の経路内に位置決
めし、前記遮光板と前記第2の受光素子および前記半導
体レーザユニットの位置関係を前記レーザ光に略垂直な
平面内で移動させて光強度分布を測定することを特徴と
する。請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4のいず
れか1つの請求項に記載の特性測定装置において、前記
第1および第2の受光素子を異なる第1および第2の支
持体に支持し、前記第1および第2の支持体を移動して
前記第1および第2の受光素子を前記半導体レーザユニ
ットからのレーザ光の経路内に選択的に配置することに
より、光強度および光強度分布を測定することを特徴と
する。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser, a lens for converging a laser beam from the semiconductor laser, and a laser beam from the lens. In a characteristic measuring device for measuring characteristics of a laser beam from a semiconductor laser unit having an aperture, a first light receiving element for measuring the light intensity of the laser beam from the semiconductor laser unit, and a laser beam from the semiconductor laser unit. A second light receiving element for measuring a light intensity distribution is provided, and the first and second light receiving elements are configured to have a light receiving area larger than an area of an opening of the aperture. According to a second aspect of the present invention, in the characteristic measuring apparatus according to the first aspect, the first light receiving element is formed of a single element light receiving element, and the second light receiving element is formed of a plurality of light receiving elements. It is characterized by being constituted by elements. According to a third aspect of the present invention, there is provided a characteristic measurement for measuring characteristics of a laser beam from a semiconductor laser unit having a semiconductor laser, a lens for converging a laser beam from the semiconductor laser, and an aperture for shaping the laser beam from the lens. In the apparatus, a first light receiving element for measuring light intensity of laser light from the semiconductor laser unit, a second light receiving element for measuring light intensity distribution of laser light from the semiconductor laser unit, and the second light receiving element A light-shielding plate disposed on a front surface of the light-receiving element and having an opening through which light passes, wherein the first and second light-receiving elements are each formed of a single-element light-receiving element;
And the second light receiving element is configured to have a light receiving area larger than the area of the opening of the aperture. According to a fourth aspect of the present invention, in the characteristic measuring apparatus according to the third aspect, the second light receiving element is positioned in a path of laser light from the semiconductor laser unit, and the light shielding plate and the second light receiving element are positioned. The light intensity distribution is measured by moving the positional relationship between a light receiving element and the semiconductor laser unit in a plane substantially perpendicular to the laser light. According to a fifth aspect of the present invention, in the characteristic measuring device according to any one of the first to fourth aspects, the first and second light receiving elements are supported by different first and second supports. By moving the first and second supports and selectively disposing the first and second light receiving elements in the path of laser light from the semiconductor laser unit, the light intensity and light intensity can be increased. It is characterized by measuring the distribution.
【0005】請求項6に記載の発明は、請求項1乃至4
のいずれか1つの請求項に記載の特性測定装置におい
て、前記第1および第2の受光素子を同じ支持体に支持
し、前記支持体を移動して前記第1および第2の受光素
子を前記半導体レーザユニットからのレーザ光の経路内
に選択的に配置することにより、光強度および光強度分
布を測定することを特徴とする。請求項7に記載の発明
は、半導体レーザとこの半導体レーザからのレーザ光を
収束するレンズおよびこのレンズからのレーザ光を整形
するアパーチャを有する半導体レーザユニットからのレ
ーザ光の特性を測定する特性測定装置において、前記半
導体レーザユニットからのレーザ光の光強度を測定する
受光素子と、前記受光素子の前面に配置され光を通す開
口部を有する遮光板とを備え、前記受光素子は単一素子
構造の受光素子で構成され、前記受光素子は前記アパー
チャの開口部の面積より大きい受光面積を有するように
構成され、前記遮光板は移動可能であることを特徴とす
る。[0005] The invention according to claim 6 is the invention according to claims 1 to 4.
In the characteristic measuring apparatus according to any one of the claims, the first and second light receiving elements are supported on the same support, and the first and second light receiving elements are moved by moving the support. It is characterized in that the light intensity and the light intensity distribution are measured by selectively disposing them in the path of the laser light from the semiconductor laser unit. According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a characteristic measurement for measuring characteristics of a laser beam from a semiconductor laser unit having a semiconductor laser, a lens for converging a laser beam from the semiconductor laser, and an aperture for shaping the laser beam from the lens. A light-receiving element for measuring the light intensity of the laser light from the semiconductor laser unit; and a light-shielding plate disposed on the front surface of the light-receiving element and having an opening for transmitting light, wherein the light-receiving element has a single-element structure. Wherein the light receiving element is configured to have a light receiving area larger than the area of the opening of the aperture, and the light shielding plate is movable.
【0006】[0006]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実
施の形態に係る特性測定装置を示す斜視図である。図2
は、図1の特性測定装置における半導体レーザユニット
を示す一部切り欠き側面図である。図1に示すように、
本発明の第1の実施の形態に係る特性測定装置は、第1
の受光素子1および第2の受光素子2とを有している。
第1の受光素子1は、第1の支持体3に支持されてい
る。第2の受光素子2は、第2の支持体4に支持されて
いる。第1の支持体1は、自動ステージなどの第1の移
動手段5により移動可能に構成されている。第2の支持
体2は、自動ステージなどの第2の移動手段6により移
動可能に構成されている。第1の受光素子1は、半導体
レーザユニット7からのレーザ光の光強度を測定する。
第2の受光素子2は、半導体レーザユニット7からのレ
ーザ光の光強度分布を測定する。第1および第2の支持
体3、4が第1および第2の移動手段5、6により移動
されることにより、第1および第2の受光素子1、2は
半導体レーザユニット7からのレーザ光を受ける測定位
置および前記レーザ光を受けない退避位置に選択的に配
置される。半導体レーザユニット7は、測定ヘッド8の
上に固定されている。図2に示すように、半導体レーザ
ユニット7は、半導体レーザ9と、コリメートレンズ1
0と、外装カバー11およびアパーチャ12とで構成さ
れている。半導体レーザ9は、測定ヘッド8の上に固定
されている。外装カバー11は、異なる大きさの2つの
筒状体を連設してなる。外装カバー11は、半導体レー
ザ9を被覆するように測定ヘッド8の上に固定されてい
る。外装カバー11の内部には、半導体レーザ9の上に
位置するようにコリメートレンズ10が配置されてい
る。外装カバー11は、上端部に開口部を有している。
外装カバー11の開口部には、アパーチャ12が配設さ
れている。このアパーチャ12は、ほぼ中央部に開口部
12aを有している。半導体レーザ9は、駆動装置(図
示せず)に接続されている。この駆動装置は、半導体レ
ーザ9に電力を印加して駆動するものである。半導体レ
ーザ9からのレーザ光13は、コリメートレンズ10に
より略平行光にされ、アパーチャ12で絞られる。アパ
ーチャ12の開口部12aを通過するレーザ14光は、
測定位置に配置されている第1の受光素子1または第2
の受光素子2に照射される。第1および第2の受光素子
1、2は、半導体レーザユニット7のアパーチャ12の
開口部12aの面積より大きい受光面積を有するように
構成されている。Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a characteristic measuring device according to the first embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 2 is a partially cutaway side view showing a semiconductor laser unit in the characteristic measuring device of FIG. 1. As shown in FIG.
The characteristic measuring device according to the first embodiment of the present invention includes the first
And the second light receiving element 2.
The first light receiving element 1 is supported by a first support 3. The second light receiving element 2 is supported by a second support 4. The first support 1 is configured to be movable by first moving means 5 such as an automatic stage. The second support 2 is configured to be movable by a second moving means 6 such as an automatic stage. The first light receiving element 1 measures the light intensity of the laser light from the semiconductor laser unit 7.
The second light receiving element 2 measures the light intensity distribution of the laser light from the semiconductor laser unit 7. When the first and second supports 3 and 4 are moved by the first and second moving means 5 and 6, the first and second light receiving elements 1 and 2 emit laser light from the semiconductor laser unit 7. And a retreat position not receiving the laser beam. The semiconductor laser unit 7 is fixed on the measuring head 8. As shown in FIG. 2, the semiconductor laser unit 7 includes a semiconductor laser 9 and a collimating lens 1.
0, an outer cover 11 and an aperture 12. The semiconductor laser 9 is fixed on the measuring head 8. The outer cover 11 is formed by connecting two cylindrical bodies having different sizes in a row. The outer cover 11 is fixed on the measuring head 8 so as to cover the semiconductor laser 9. A collimator lens 10 is arranged inside the outer cover 11 so as to be located above the semiconductor laser 9. The exterior cover 11 has an opening at the upper end.
An aperture 12 is provided in the opening of the exterior cover 11. The aperture 12 has an opening 12a substantially at the center. The semiconductor laser 9 is connected to a driving device (not shown). This drive device drives the semiconductor laser 9 by applying electric power. The laser light 13 from the semiconductor laser 9 is made substantially collimated by the collimating lens 10, and converged by the aperture 12. The laser 14 light passing through the opening 12a of the aperture 12 is
The first light receiving element 1 or the second light receiving element
Are irradiated on the light receiving element 2. The first and second light receiving elements 1 and 2 are configured to have a light receiving area larger than the area of the opening 12a of the aperture 12 of the semiconductor laser unit 7.
【0007】第1の受光素子1は、PD(フォトダイオ
ード)などの単一素子構造の受光素子で構成されてい
る。第1の受光素子1は、半導体レーザユニット7から
のレーザ光の光強度を測定可能である。第1の受光素子
1は、アパーチャ12からの略平行光を一度に受光する
ためアパーチャ12の開口部12aの面積よりも大きい
受光面積を有している。第1の受光素子1は、アパーチ
ャ12からのレーザ光14がやや発散光の場合でもほぼ
平行光に近いため、レーザ光14の光強度を測定可能で
ある。第2の受光素子2は、CCDなどの複数素子構造
の受光素子で構成されている。第2の受光素子2は、半
導体レーザユニット7からのレーザ光14の光強度分布
を測定可能である。第2の受光素子2は、アパーチャ1
2からの略平行光を一度に受光するためにアパーチャ1
2の開口部12aの面積よりも大きい受光面積を有して
いる。第2の受光素子2は、アパーチャ12からのレー
ザ光がやや発散光の場合でもほぼ平行光に近いため測定
可能である。図3は半導体レーザユニット7からのレー
ザ光の光強度分布の1例を示す図である。第1の受光素
子および第2の受光素子1、2は、制御演算装置(図示
せず)に接続されている。また、この制御演算装置に
は、表示装置(図示せず)が接続されている。前記制御
演算装置は、第1の受光素子1の出力を受けて光強度を
演算して表示装置に表示させる。また、前記制御演算装
置は、第2の受光素子2の出力を受けて光強度分布を演
算して表示装置に表示させる。The first light receiving element 1 is constituted by a light receiving element having a single element structure such as a PD (photodiode). The first light receiving element 1 can measure the light intensity of the laser light from the semiconductor laser unit 7. The first light receiving element 1 has a light receiving area larger than the area of the opening 12a of the aperture 12 to receive substantially parallel light from the aperture 12 at one time. The first light receiving element 1 can measure the light intensity of the laser light 14 because the laser light 14 from the aperture 12 is almost parallel light even when the laser light 14 is slightly divergent light. The second light receiving element 2 is constituted by a light receiving element having a multiple element structure such as a CCD. The second light receiving element 2 can measure the light intensity distribution of the laser light 14 from the semiconductor laser unit 7. The second light receiving element 2 includes an aperture 1
Aperture 1 to receive substantially parallel light from 2 at a time
The light receiving area is larger than the area of the second opening 12a. The second light receiving element 2 can measure even when the laser light from the aperture 12 is slightly divergent light because it is almost parallel light. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the light intensity distribution of the laser light from the semiconductor laser unit 7. The first light receiving element and the second light receiving elements 1 and 2 are connected to a control operation device (not shown). Further, a display device (not shown) is connected to the control arithmetic device. The control arithmetic unit receives the output of the first light receiving element 1, calculates the light intensity, and causes the display device to display the light intensity. Further, the control arithmetic unit receives the output of the second light receiving element 2, calculates the light intensity distribution, and displays it on the display device.
【0008】次に、本発明の第2の実施の形態を図面に
基づいて詳細に説明する。図4は、本発明の第2の実施
の形態に係る特性測定装置を示す斜視図である。本発明
の第2の実施の形態においては、本発明の第1の実施の
形態と同じ構成要素には同じ参照符号が付されている。
図4に示すように、本発明の第2の実施の形態に係る特
性測定装置は、第1の受光素子1および第2の受光素子
2とを有している。第1の受光素子1は、第1の支持体
3に支持されている。第2の受光素子2は、第2の支持
体4に支持されている。第1の支持体1は、自動ステー
ジなどの第1の移動手段5により移動可能に構成されて
いる。第2の支持体4は、自動ステージなどの第2の移
動手段6により移動可能に構成されている。さらに、第
2の移動手段6は、第3の移動手段15により移動可能
に構成されている。第1の受光素子1は、半導体レーザ
ユニット7からのレーザ光14の光強度を測定する。第
2の受光素子2は、半導体レーザユニット7からのレー
ザ光14の光強度分布を測定する。第1および第2の支
持体3、4が第1および第2の移動手段5、6により移
動されることにより、第1および第2の受光素子1、2
は、半導体レーザユニット7からのレーザ光14を受け
る測定位置および前記レーザ光を受けない退避位置に選
択的に配置される。第2の受光素子2の前面には、図4
および図5に示すように、遮光板16が配置されてい
る。遮光板16は、光を通す開口部16aを有してい
る。遮光板16は、第2の支持体4に固定され、第2の
受光素子2と一体となっている。本発明の第2の実施の
形態においては、第2の受光素子2は、PD(フォトダ
イオード)などの単一素子構造の受光素子で構成されて
いる。本発明の第2の実施の形態に係る特性測定装置に
おいては、第2の移動手段6および第3の移動手段15
により第2の受光素子2および遮光板16を半導体レー
ザユニット7からのレーザ光14に略垂直な平面内を微
小間隔で移動させ、各位置での光強度を測定することに
より図3に示すような光強度分布を求めることができ
る。これ以外の本発明の第2の実施の形態の構成および
動作は、本発明の第1の実施の形態と同じである。Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 4 is a perspective view showing a characteristic measuring device according to the second embodiment of the present invention. In the second embodiment of the present invention, the same components as those in the first embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals.
As shown in FIG. 4, the characteristic measuring device according to the second embodiment of the present invention has a first light receiving element 1 and a second light receiving element 2. The first light receiving element 1 is supported by a first support 3. The second light receiving element 2 is supported by a second support 4. The first support 1 is configured to be movable by first moving means 5 such as an automatic stage. The second support 4 is configured to be movable by a second moving means 6 such as an automatic stage. Further, the second moving means 6 is configured to be movable by the third moving means 15. The first light receiving element 1 measures the light intensity of the laser light 14 from the semiconductor laser unit 7. The second light receiving element 2 measures the light intensity distribution of the laser light 14 from the semiconductor laser unit 7. When the first and second supports 3 and 4 are moved by the first and second moving means 5 and 6, the first and second light receiving elements 1 and 2 are moved.
Are selectively arranged at a measurement position for receiving the laser light 14 from the semiconductor laser unit 7 and at a retreat position not receiving the laser light. As shown in FIG.
As shown in FIG. 5, a light shielding plate 16 is provided. The light shielding plate 16 has an opening 16a through which light passes. The light shielding plate 16 is fixed to the second support 4 and is integrated with the second light receiving element 2. In the second embodiment of the present invention, the second light receiving element 2 is constituted by a light receiving element having a single element structure such as a PD (photodiode). In the characteristic measuring device according to the second embodiment of the present invention, the second moving means 6 and the third moving means 15
By moving the second light receiving element 2 and the light shielding plate 16 at minute intervals in a plane substantially perpendicular to the laser beam 14 from the semiconductor laser unit 7, the light intensity at each position is measured as shown in FIG. A light intensity distribution can be obtained. Other configurations and operations of the second embodiment of the present invention are the same as those of the first embodiment of the present invention.
【0009】次に、本発明の第3の実施の形態を図面に
基づいて詳細に説明する。図6は、本発明の第3の実施
の形態に係る特性測定装置を示す一部切り欠き正面図で
ある。本発明の第3の実施の形態においては、本発明の
第1の実施の形態と同じ構成要素には同じ参照符号が付
されている。図6に示すように、本発明の第3の実施の
形態に係る特性測定装置は、第1の受光素子1および第
2の受光素子2とを有している。第1の受光素子1およ
び第2の受光素子2は、同じ第1の支持体3に支持され
ている。第1の支持体3は、自動ステージなどの第1の
移動手段5により移動可能に構成されている。これ以外
の本発明の第3の実施の形態の構成および動作は、本発
明の第1の実施の形態と同じである。次に、本発明の第
4の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図7
は、本発明の第4の実施の形態に係る特性測定装置を示
す一部切り欠き正面図である。本発明の第4の実施の形
態においては、本発明の第2の実施の形態と同じ構成要
素には同じ参照符号が付されている。図7に示すよう
に、本発明の第4の実施の形態に係る特性測定装置は、
第1の受光素子1および第2の受光素子2とを有してい
る。第1の受光素子1および第2の受光素子2は、同じ
第1の支持体3に支持されている。第2の受光素子2の
前面には、遮光板16が配置されている。遮光板16
は、光を通す開口部16aを有している。遮光板16
は、第1の支持体3に固定され、第2の受光素子2と一
体となっている。第1の支持体3は、自動ステージなど
の第1の移動手段5により移動可能に構成されている。
これ以外の本発明の第4の実施の形態の構成および動作
は、本発明の第2の実施の形態と同じである。Next, a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 6 is a partially cutaway front view showing a characteristic measuring device according to a third embodiment of the present invention. In the third embodiment of the present invention, the same components as those in the first embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals. As shown in FIG. 6, the characteristic measuring device according to the third embodiment of the present invention has a first light receiving element 1 and a second light receiving element 2. The first light receiving element 1 and the second light receiving element 2 are supported by the same first support 3. The first support 3 is configured to be movable by a first moving means 5 such as an automatic stage. Other configurations and operations of the third embodiment of the present invention are the same as those of the first embodiment of the present invention. Next, a fourth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG.
FIG. 9 is a partially cutaway front view showing a characteristic measuring device according to a fourth embodiment of the present invention. In the fourth embodiment of the present invention, the same components as those in the second embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals. As shown in FIG. 7, the characteristic measuring device according to the fourth embodiment of the present invention comprises:
It has a first light receiving element 1 and a second light receiving element 2. The first light receiving element 1 and the second light receiving element 2 are supported by the same first support 3. On the front surface of the second light receiving element 2, a light shielding plate 16 is arranged. Light shield 16
Has an opening 16a through which light passes. Light shield 16
Are fixed to the first support 3 and are integrated with the second light receiving element 2. The first support 3 is configured to be movable by a first moving means 5 such as an automatic stage.
Other configurations and operations of the fourth embodiment of the present invention are the same as those of the second embodiment of the present invention.
【0010】次に、本発明の第5の実施の形態を図面に
基づいて詳細に説明する。図8は、本発明の第5の実施
の形態に係る特性測定装置を示す一部切り欠き側面図で
ある。本発明の第5の実施の形態においては、本発明の
第3の実施の形態と同じ構成要素には同じ参照符号が付
されている。図8に示すように、本発明の第5の実施の
形態に係る特性測定装置は、第1の受光素子1および第
2の受光素子2とを有している。第1の受光素子1およ
び第2の受光素子2は、同じ支持体17に支持されてい
る。支持体17は、自動ステージなどの移動手段(図示
せず)により回転可能に構成されている。本発明の第5
の実施の形態においては、移動手段が支持体17を回転
することにより、第1および第2の受光素子1、2は、
半導体レーザユニット7からのレーザ光14を受ける測
定位置および前記レーザ光を受けない退避位置に選択的
に配置される。これ以外の本発明の第5の実施の形態の
構成および動作は、本発明の第3の実施の形態と同じで
ある。次に、本発明の第6の実施の形態を図面に基づい
て詳細に説明する。図9は、本発明の第6の実施の形態
に係る特性測定装置を示す一部切り欠き側面図である。
本発明の第6の実施の形態においては、本発明の第4の
実施の形態と同じ構成要素には同じ参照符号が付されて
いる。図9に示すように、本発明の第6の実施の形態に
係る特性測定装置は、第1の受光素子1および第2の受
光素子2とを有している。第1の受光素子1および第2
の受光素子2は、同じ支持体17に支持されている。第
2の受光素子2の前面には、遮光板16が配置されてい
る。遮光板16は、光を通す開口部16aを有してい
る。遮光板16は、支持体17に固定され、第2の受光
素子2と一体となっている。支持体17は、自動ステー
ジなどの移動手段(図示せず)により回転可能および移
動可能に構成されている。本発明の第6の実施の形態に
おいては、移動手段が支持体17を回転することによ
り、第1および第2の受光素子1、2は、半導体レーザ
ユニット7からのレーザ光14を受ける測定位置および
前記レーザ光を受けない退避位置に選択的に配置され
る。これ以外の本発明の第6の実施の形態の構成および
動作は、本発明の第4の実施の形態と同じである。Next, a fifth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 8 is a partially cutaway side view showing a characteristic measuring device according to a fifth embodiment of the present invention. In the fifth embodiment of the present invention, the same components as those in the third embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals. As shown in FIG. 8, the characteristic measuring device according to the fifth embodiment of the present invention has a first light receiving element 1 and a second light receiving element 2. The first light receiving element 1 and the second light receiving element 2 are supported by the same support 17. The support 17 is configured to be rotatable by moving means (not shown) such as an automatic stage. The fifth of the present invention
In the embodiment of the present invention, the first and second light receiving elements 1 and 2 are
It is selectively disposed at a measurement position for receiving the laser light 14 from the semiconductor laser unit 7 and at a retreat position not receiving the laser light. Other configurations and operations of the fifth embodiment of the present invention are the same as those of the third embodiment of the present invention. Next, a sixth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 9 is a partially cutaway side view showing a characteristic measuring device according to a sixth embodiment of the present invention.
In the sixth embodiment of the present invention, the same components as those in the fourth embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals. As shown in FIG. 9, the characteristic measuring device according to the sixth embodiment of the present invention has a first light receiving element 1 and a second light receiving element 2. First light receiving element 1 and second light receiving element
Are supported by the same support 17. On the front surface of the second light receiving element 2, a light shielding plate 16 is arranged. The light shielding plate 16 has an opening 16a through which light passes. The light shielding plate 16 is fixed to the support 17 and is integrated with the second light receiving element 2. The support 17 is configured to be rotatable and movable by a moving means (not shown) such as an automatic stage. In the sixth embodiment of the present invention, the first and second light receiving elements 1 and 2 receive the laser beam 14 from the semiconductor laser unit 7 at the measurement position by rotating the support 17 by the moving means. And selectively disposed at a retracted position not receiving the laser beam. Other configurations and operations of the sixth embodiment of the present invention are the same as those of the fourth embodiment of the present invention.
【0011】次に、本発明の第7の実施の形態を図面に
基づいて詳細に説明する。図10は、本発明の第7の実
施の形態に係る特性測定装置を示す一部切り欠き正面図
である。図11は、本発明の第7の実施の形態に係る特
性測定装置の動作を説明するための一部切り欠き正面図
である。本発明の第7の実施の形態においては、本発明
の第2の実施の形態と同じ構成要素には同じ参照符号が
付されている。図10および図11に示すように、本発
明の第7の実施の形態に係る特性測定装置は、第1の受
光素子1と遮光板16とを有している。第1の受光素子
1は第1の支持体3に固定されている。遮光板16は、
第2の支持体18に支持されている。第1の支持体1
は、移動手段19により移動可能に構成されている。第
2の支持体18は、移動手段19により移動可能に構成
されている。遮光板16は、第1の受光素子1の前面に
移動可能に配置されている。遮光板16は、光を通す開
口部16aを有している。移動手段19が第1および第
2の支持体3,18を移動することにより、第1の受光
素子1と遮光板16とを測定位置および退避位置に選択
的に配置することができる。図10に示すように、第1
の受光素子1と遮光板16とを配置した場合には、第1
の受光素子1により半導体レーザユニット7からのレー
ザ光14の光強度を測定することができる。図11に示
すように、第1の受光素子1と遮光板16とを配置した
場合には、第1の受光素子1および遮光板16により半
導体レーザユニット7からのレーザ光14の光強度分布
を測定することができる。これ以外の本発明の第7の実
施の形態の構成および動作は、本発明の第2の実施の形
態と同じである。Next, a seventh embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 10 is a partially cutaway front view showing a characteristic measuring device according to a seventh embodiment of the present invention. FIG. 11 is a partially cutaway front view for explaining the operation of the characteristic measuring device according to the seventh embodiment of the present invention. In the seventh embodiment of the present invention, the same components as those of the second embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals. As shown in FIGS. 10 and 11, the characteristic measuring device according to the seventh embodiment of the present invention has a first light receiving element 1 and a light shielding plate 16. The first light receiving element 1 is fixed to a first support 3. The light shielding plate 16
It is supported by a second support 18. First support 1
Is configured to be movable by the moving means 19. The second support 18 is configured to be movable by the moving means 19. The light shielding plate 16 is movably disposed on the front surface of the first light receiving element 1. The light shielding plate 16 has an opening 16a through which light passes. When the moving means 19 moves the first and second supports 3 and 18, the first light receiving element 1 and the light shielding plate 16 can be selectively arranged at the measurement position and the retreat position. As shown in FIG.
When the light receiving element 1 and the light shielding plate 16 are arranged, the first
The light intensity of the laser beam 14 from the semiconductor laser unit 7 can be measured by the light receiving element 1. As shown in FIG. 11, when the first light receiving element 1 and the light shielding plate 16 are arranged, the light intensity distribution of the laser light 14 from the semiconductor laser unit 7 is reduced by the first light receiving element 1 and the light shielding plate 16. Can be measured. Other configurations and operations of the seventh embodiment of the present invention are the same as those of the second embodiment of the present invention.
【0012】[0012]
【発明の効果】以上のように、請求項1に記載の発明に
よれば、1つの特性測定装置で半導体レーザユニットか
らのレーザ光の光強度および光強度分布の両方を測定す
ることができる。また、請求項2に記載の発明によれ
ば、1つの特性測定装置で半導体レーザユニットからの
レーザ光の光強度および光強度分布の両方を測定するこ
とができ、光強度測定用の第1の受光素子として単一素
子構造の受光素子を用いることにより、コストが安く簡
単な回路構成で精度良く光強度測定が可能であり、か
つ、照射範囲の広い半導体レーザユニットにも対応でき
る。また、請求項2に記載の発明によれば、光強度分布
測定用の第2の受光素子としてCCD等の複数素子構造
の受光素子を用いることにより、短時間で光強度分布の
測定が可能となる。また、請求項3に記載の発明によれ
ば、1つの特性測定装置で半導体レーザユニットからの
レーザ光の光強度および光強度分布の両方を測定するこ
とができ、光強度分布測定用の第2の受光素子として単
一素子構造の受光素子を用い、開口部を有する遮光板を
第2の受光素子の前面に配置することにより、コストが
安く簡単な回路構成で光強度分布の測定が可能であり、
かつ、照射範囲の広い半導体レーザユニットにも対応で
きる。また、請求項4に記載の発明によれば、1つの特
性測定装置で半導体レーザユニットからのレーザ光の光
強度および光強度分布の両方を測定することができ、第
2の受光素子を半導体レーザユニットからのレーザ光の
経路内に位置決めし、遮光板と第2の受光素子および半
導体レーザユニットの位置関係を前記レーザ光に略垂直
な平面内で移動させて光強度分布を測定するから、任意
の範囲および分解能で光強度分布の測定が可能である。
また、請求項5に記載の発明によれば、1つの特性測定
装置で半導体レーザユニットからのレーザ光の光強度お
よび光強度分布の両方を測定することができ、第1およ
び第2の受光素子を異なる第1および第2の支持体に支
持し、第1および第2の支持体を移動して第1および第
2の受光素子を半導体レーザユニットからのレーザ光の
経路内に選択的に配置することにより、光強度および光
強度分布を測定するから、受光素子ごとに移動手段を設
定でき、受光素子の位置決め制御を複雑にせず光強度お
よび光強度分布測定が可能である。As described above, according to the first aspect of the present invention, both the light intensity and the light intensity distribution of the laser light from the semiconductor laser unit can be measured by one characteristic measuring device. Further, according to the invention described in claim 2, both the light intensity and the light intensity distribution of the laser light from the semiconductor laser unit can be measured by one characteristic measuring device, and the first light intensity measuring first device is used. By using a light receiving element having a single element structure as the light receiving element, it is possible to accurately measure light intensity with a low-cost and simple circuit configuration and to cope with a semiconductor laser unit having a wide irradiation range. According to the second aspect of the present invention, the light intensity distribution can be measured in a short time by using a light receiving element having a multiple element structure such as a CCD as the second light receiving element for measuring the light intensity distribution. Become. According to the third aspect of the present invention, both the light intensity and the light intensity distribution of the laser light from the semiconductor laser unit can be measured by one characteristic measuring device, and the second characteristic for measuring the light intensity distribution can be measured. By using a light receiving element having a single element structure as the light receiving element and arranging a light-shielding plate having an opening in front of the second light receiving element, it is possible to measure the light intensity distribution with a simple circuit configuration at low cost. Yes,
In addition, it can correspond to a semiconductor laser unit having a wide irradiation range. According to the fourth aspect of the present invention, both the light intensity and the light intensity distribution of the laser light from the semiconductor laser unit can be measured by one characteristic measuring device, and the second light receiving element can be used as a semiconductor laser. Since it is positioned in the path of the laser light from the unit and the positional relationship between the light shielding plate, the second light receiving element and the semiconductor laser unit is moved in a plane substantially perpendicular to the laser light, the light intensity distribution is measured. The light intensity distribution can be measured within the range and the resolution.
According to the fifth aspect of the present invention, both the light intensity and the light intensity distribution of the laser light from the semiconductor laser unit can be measured by one characteristic measuring device, and the first and second light receiving elements Are supported on different first and second supports, and the first and second supports are moved to selectively dispose the first and second light receiving elements in the path of the laser light from the semiconductor laser unit. Accordingly, since the light intensity and the light intensity distribution are measured, the moving means can be set for each light receiving element, and the light intensity and the light intensity distribution can be measured without complicating the positioning control of the light receiving element.
【0013】また、請求項6に記載の発明によれば、1
つの特性測定装置で半導体レーザユニットからのレーザ
光の光強度および光強度分布の両方を測定することがで
き、第1および第2の受光素子を同じ支持体に支持し、
支持体を移動して第1および第2の受光素子を半導体レ
ーザユニットからのレーザ光の経路内に選択的に配置す
ることにより、光強度および光強度分布を測定するか
ら、受光素子の移動手段を共有化でき、機構を複雑にせ
ず光強度および光強度分布測定が可能である。また、請
求項7に記載の発明によれば、1つの特性測定装置で半
導体レーザユニットからのレーザ光の光強度および光強
度分布の両方を測定することができ、半導体レーザユニ
ットからのレーザ光の光強度を測定する受光素子と、前
記受光素子の前面に配置され光を通す開口部を有する遮
光板とを備え、前記受光素子は単一素子構造の受光素子
で構成され、前記受光素子は前記アパーチャの開口部の
面積より大きい受光面積を有するように構成され、前記
遮光板は移動可能であるから、単一の受光素子で光強度
及び光強度分布測定が可能という効果を有する。Further, according to the invention described in claim 6, 1
One characteristic measuring device can measure both the light intensity and the light intensity distribution of the laser light from the semiconductor laser unit, supporting the first and second light receiving elements on the same support,
Since the light intensity and the light intensity distribution are measured by moving the support and selectively disposing the first and second light receiving elements in the path of the laser light from the semiconductor laser unit, the moving means of the light receiving elements And light intensity and light intensity distribution can be measured without complicating the mechanism. According to the invention of claim 7, both the light intensity and the light intensity distribution of the laser light from the semiconductor laser unit can be measured by one characteristic measuring device, and the laser light from the semiconductor laser unit can be measured. A light-receiving element for measuring light intensity, and a light-shielding plate disposed on the front surface of the light-receiving element and having an opening for transmitting light, the light-receiving element is configured by a light-receiving element having a single-element structure, and the light-receiving element is The light-shielding plate is configured to have a light-receiving area larger than the area of the aperture of the aperture, and the light-shielding plate is movable, so that the light intensity and the light intensity distribution can be measured with a single light-receiving element.
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る特性測定装置
を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a characteristic measuring device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1の特性測定装置における半導体レーザユニ
ットを示す一部切り欠き側面図である。FIG. 2 is a partially cutaway side view showing a semiconductor laser unit in the characteristic measuring device of FIG.
【図3】半導体レーザユニットからのレーザ光の光強度
分布の1例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a light intensity distribution of laser light from a semiconductor laser unit.
【図4】本発明の第2の実施の形態に係る特性測定装置
を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a characteristic measuring device according to a second embodiment of the present invention.
【図5】図4の特性測定装置における受光素子および遮
光板を示す図である。5 is a diagram showing a light receiving element and a light shielding plate in the characteristic measuring device of FIG.
【図6】本発明の第3の実施の形態に係る特性測定装置
を示す一部切り欠き正面図である。FIG. 6 is a partially cutaway front view showing a characteristic measuring device according to a third embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第4の実施の形態に係る特性測定装置
を示す一部切り欠き正面図である。FIG. 7 is a partially cutaway front view showing a characteristic measuring device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第5の実施の形態に係る特性測定装置
を示す一部切り欠き側面図である。FIG. 8 is a partially cutaway side view showing a characteristic measuring device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第6の実施の形態に係る特性測定装置
を示す一部切り欠き側面図である。FIG. 9 is a partially cutaway side view showing a characteristic measuring device according to a sixth embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第7の実施の形態に係る特性測定装
置を示す一部切り欠き正面図である。FIG. 10 is a partially cutaway front view showing a characteristic measuring device according to a seventh embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第7の実施の形態に係る特性測定装
置の動作を説明するための一部切り欠き正面図である。FIG. 11 is a partially cutaway front view for explaining the operation of a characteristic measuring device according to a seventh embodiment of the present invention.
1 第1の受光素子、2 第2の受光素子2、3 第1
の支持体、4 第2の支持体、5 第1の移動手段、6
第2の移動手段、7 半導体レーザユニット、8 測
定ヘッド、9 半導体レーザ、10 コリメートレン
ズ、11 外装カバー、12 アパーチャ、12a 開
口部、15 第3の移動手段、16 遮光板、16a
開口部、17 支持体、18 支持体、19 移動手
段。1 first light receiving element, 2 second light receiving element 2, 3 first
Support, 4 second support, 5 first moving means, 6
2nd moving means, 7 semiconductor laser unit, 8 measuring head, 9 semiconductor laser, 10 collimating lens, 11 exterior cover, 12 aperture, 12a opening, 15 third moving means, 16 light shielding plate, 16a
Openings, 17 supports, 18 supports, 19 means of movement.
Claims (7)
レーザ光を収束するレンズおよびこのレンズからのレー
ザ光を整形するアパーチャを有する半導体レーザユニッ
トからのレーザ光の特性を測定する特性測定装置におい
て、前記半導体レーザユニットからのレーザ光の光強度
を測定する第1の受光素子と、前記半導体レーザユニッ
トからのレーザ光の光強度分布を測定する第2の受光素
子を備え、前記第1および第2の受光素子は前記アパー
チャの開口部の面積より大きい受光面積を有するように
構成されていることを特徴とする特性測定装置。1. A characteristic measuring apparatus for measuring characteristics of a laser beam from a semiconductor laser unit having a semiconductor laser, a lens for converging a laser beam from the semiconductor laser, and an aperture for shaping the laser beam from the lens. A first light receiving element for measuring the light intensity of the laser light from the semiconductor laser unit; and a second light receiving element for measuring the light intensity distribution of the laser light from the semiconductor laser unit, wherein the first and second light receiving elements are provided. A characteristic measuring device, wherein the light receiving element is configured to have a light receiving area larger than an area of the opening of the aperture.
て、前記第1の受光素子は単一素子構造の受光素子で構
成され、前記第2の受光素子は複数素子構造の受光素子
で構成されていることを特徴とする特性測定装置。2. The characteristic measuring device according to claim 1, wherein said first light receiving element is constituted by a light receiving element having a single element structure, and said second light receiving element is constituted by a light receiving element having a plurality of element structures. A characteristic measuring device characterized in that:
レーザ光を収束するレンズおよびこのレンズからのレー
ザ光を整形するアパーチャを有する半導体レーザユニッ
トからのレーザ光の特性を測定する特性測定装置におい
て、前記半導体レーザユニットからのレーザ光の光強度
を測定する第1の受光素子と、前記半導体レーザユニッ
トからのレーザ光の光強度分布を測定する第2の受光素
子と、前記第2の受光素子の前面に配置され光を通す開
口部を有する遮光板とを備え、前記第1および第2の受
光素子は単一素子構造の受光素子で構成され、前記第1
および第2の受光素子は前記アパーチャの開口部の面積
より大きい受光面積を有するように構成されていること
を特徴とする特性測定装置。3. A characteristic measuring apparatus for measuring characteristics of a laser beam from a semiconductor laser unit having a semiconductor laser, a lens for converging a laser beam from the semiconductor laser, and an aperture for shaping the laser beam from the lens. A first light receiving element for measuring the light intensity of the laser light from the semiconductor laser unit, a second light receiving element for measuring the light intensity distribution of the laser light from the semiconductor laser unit, and a front surface of the second light receiving element A light-shielding plate having an opening through which light is transmitted, wherein the first and second light-receiving elements are constituted by light-receiving elements having a single-element structure,
And a second light receiving element configured to have a light receiving area larger than an area of the opening of the aperture.
て、前記第2の受光素子を前記半導体レーザユニットか
らのレーザ光の経路内に位置決めし、前記遮光板と前記
第2の受光素子および前記半導体レーザユニットの位置
関係を前記レーザ光に略垂直な平面内で移動させて光強
度分布を測定することを特徴とする特性測定装置。4. The characteristic measuring device according to claim 3, wherein said second light receiving element is positioned in a path of laser light from said semiconductor laser unit, and said light shielding plate, said second light receiving element and A characteristic measuring device for measuring a light intensity distribution by moving a positional relationship of a semiconductor laser unit in a plane substantially perpendicular to the laser beam.
に記載の特性測定装置において、前記第1および第2の
受光素子を異なる第1および第2の支持体に支持し、前
記第1および第2の支持体を移動して前記第1および第
2の受光素子を前記半導体レーザユニットからのレーザ
光の経路内に選択的に配置することにより、光強度およ
び光強度分布を測定することを特徴とする特性測定装
置。5. The characteristic measuring device according to claim 1, wherein the first and second light receiving elements are supported by different first and second supports, and the first and second light receiving elements are supported by different first and second supports. The light intensity and the light intensity distribution are measured by moving the first and second supports and selectively disposing the first and second light receiving elements in the path of the laser light from the semiconductor laser unit. A characteristic measuring device characterized by the above-mentioned.
に記載の特性測定装置において、前記第1および第2の
受光素子を同じ支持体に支持し、前記支持体を移動して
前記第1および第2の受光素子を前記半導体レーザユニ
ットからのレーザ光の経路内に選択的に配置することに
より、光強度および光強度分布を測定することを特徴と
する特性測定装置。6. The characteristic measuring device according to claim 1, wherein the first and second light receiving elements are supported on a same support, and the support is moved to move the support. A characteristic measuring device for measuring light intensity and light intensity distribution by selectively disposing first and second light receiving elements in a path of laser light from the semiconductor laser unit.
レーザ光を収束するレンズおよびこのレンズからのレー
ザ光を整形するアパーチャを有する半導体レーザユニッ
トからのレーザ光の特性を測定する特性測定装置におい
て、前記半導体レーザユニットからのレーザ光の光強度
を測定する受光素子と、前記受光素子の前面に配置され
光を通す開口部を有する遮光板とを備え、前記受光素子
は単一素子構造の受光素子で構成され、前記受光素子は
前記アパーチャの開口部の面積より大きい受光面積を有
するように構成され、前記遮光板は移動可能であること
を特徴とする特性測定装置。7. A characteristic measuring apparatus for measuring characteristics of a laser beam from a semiconductor laser unit having a semiconductor laser, a lens for converging a laser beam from the semiconductor laser, and an aperture for shaping the laser beam from the lens. A light-receiving element for measuring the light intensity of the laser light from the semiconductor laser unit, and a light-shielding plate disposed on the front surface of the light-receiving element and having an opening for transmitting light, the light-receiving element is a light-receiving element having a single-element structure. A characteristic measuring apparatus, wherein the light receiving element is configured to have a light receiving area larger than an area of an opening of the aperture, and the light shielding plate is movable.
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