JP2002043253A - 半導体素子のダイシング方法 - Google Patents
半導体素子のダイシング方法Info
- Publication number
- JP2002043253A JP2002043253A JP2000224894A JP2000224894A JP2002043253A JP 2002043253 A JP2002043253 A JP 2002043253A JP 2000224894 A JP2000224894 A JP 2000224894A JP 2000224894 A JP2000224894 A JP 2000224894A JP 2002043253 A JP2002043253 A JP 2002043253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- protection sheet
- surface protection
- wafer
- dicing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 固体撮像素子等のような受光面を有する素子
に対してUV硬化型粘着剤を有する表面保護シートを用
いたダイシングを行った際の、受光面での異物の付着や
傷の発生を防止し、UV照射によるオンチップレンズや
カラーフィルタの劣化を防止する。 【解決手段】 ウェハ1の表面に表面保護シート5を貼
り付け、ウェハ1を個々の固体撮像素子2にダイシング
し、その後に表面保護シート5を剥離する固体撮像素子
のダイシング方法。表面保護シート5はUV硬化型粘着
剤を備える。表面保護シート5をウェハ1の表面に貼り
付ける前に、必要領域にのみ粘着性を残す工程と、ダイ
シングした後に、粘着性が残された表面保護シート5の
領域にUV照射を行いこの粘着性を無くす工程と、しか
る後にこれを剥離する工程とを含む。粘着剤が固体撮像
素子2の受光面2aに対して粘着剤残りとして付着する
ことなどを防ぐ。
に対してUV硬化型粘着剤を有する表面保護シートを用
いたダイシングを行った際の、受光面での異物の付着や
傷の発生を防止し、UV照射によるオンチップレンズや
カラーフィルタの劣化を防止する。 【解決手段】 ウェハ1の表面に表面保護シート5を貼
り付け、ウェハ1を個々の固体撮像素子2にダイシング
し、その後に表面保護シート5を剥離する固体撮像素子
のダイシング方法。表面保護シート5はUV硬化型粘着
剤を備える。表面保護シート5をウェハ1の表面に貼り
付ける前に、必要領域にのみ粘着性を残す工程と、ダイ
シングした後に、粘着性が残された表面保護シート5の
領域にUV照射を行いこの粘着性を無くす工程と、しか
る後にこれを剥離する工程とを含む。粘着剤が固体撮像
素子2の受光面2aに対して粘着剤残りとして付着する
ことなどを防ぐ。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハを個々
の半導体素子に切断分離するためのダイシング方法に関
し、特に固体撮像素子等のように表面に受光面等が形成
された半導体素子のダイシング方法に関するものであ
る。
の半導体素子に切断分離するためのダイシング方法に関
し、特に固体撮像素子等のように表面に受光面等が形成
された半導体素子のダイシング方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】固体撮像素子は、半導体ウェハに多数個
の素子を枡目状に形成し、その後に半導体ウェハをスク
ライブライン(ダイシングライン)に沿って切断分離す
ることで個々の固体撮像素子を形成している。このダイ
シング工程では、素子の受光面を雰囲気中や切削時の異
物の付着や、劣化の原因から保護し、傷を発生させない
ことが重要である。そのため、従来では、粘着性を有す
る表面保護シートをウェハ上面に貼り付けてダイシング
を実施し、その後に剥離用シートをその上から貼り付け
て前記表面保護シートを剥離するという技術が採用され
ている。
の素子を枡目状に形成し、その後に半導体ウェハをスク
ライブライン(ダイシングライン)に沿って切断分離す
ることで個々の固体撮像素子を形成している。このダイ
シング工程では、素子の受光面を雰囲気中や切削時の異
物の付着や、劣化の原因から保護し、傷を発生させない
ことが重要である。そのため、従来では、粘着性を有す
る表面保護シートをウェハ上面に貼り付けてダイシング
を実施し、その後に剥離用シートをその上から貼り付け
て前記表面保護シートを剥離するという技術が採用され
ている。
【0003】図6はこのような従来例を示す図である。
先ず、図6(a)に示すように、ダイシング前にウェハ
101の裏面に、個々のペレット(素子)102の飛散
を防ぐ目的でウェハマウントシート104を貼り付けて
おく。各素子は、ここでは固体撮像素子として構成され
ており、その表面は受光面102aとして構成されてい
る。なお、103はダイシング領域、すなわちスクライ
ブラインを示している。また、図6(b)のように、ウ
ェハ101の表面に対してもダイシング時の切削屑や雰
囲気中の異物の付着を防ぐために粘着性の表面保護シー
ト105を貼り付けておく。その後、図6(c)のよう
にウェハ101に対してダイシングを行い、ダイシング
溝103aによって固体撮像素子102及び表面の表面
保護シート105ごとに切り分ける。最後に、図6
(e)のように、表面保護シート105の上にそれより
も粘着力の高い剥離用シート108を張り合わせ、しか
る上で図6(f)のように、剥離用シート108を剥が
すことで、表面保護シート105を同時に各半導体素子
の個片から剥ぎ取り、ダイシングを完了する。
先ず、図6(a)に示すように、ダイシング前にウェハ
101の裏面に、個々のペレット(素子)102の飛散
を防ぐ目的でウェハマウントシート104を貼り付けて
おく。各素子は、ここでは固体撮像素子として構成され
ており、その表面は受光面102aとして構成されてい
る。なお、103はダイシング領域、すなわちスクライ
ブラインを示している。また、図6(b)のように、ウ
ェハ101の表面に対してもダイシング時の切削屑や雰
囲気中の異物の付着を防ぐために粘着性の表面保護シー
ト105を貼り付けておく。その後、図6(c)のよう
にウェハ101に対してダイシングを行い、ダイシング
溝103aによって固体撮像素子102及び表面の表面
保護シート105ごとに切り分ける。最後に、図6
(e)のように、表面保護シート105の上にそれより
も粘着力の高い剥離用シート108を張り合わせ、しか
る上で図6(f)のように、剥離用シート108を剥が
すことで、表面保護シート105を同時に各半導体素子
の個片から剥ぎ取り、ダイシングを完了する。
【0004】しかしながら、この方法では、固体撮像素
子102の受光面102aに対する雰囲気中のゴミ(異
物)や切削時の屑の付着を防止することは可能である
が、表面保護シート105の粘着剤が受光面102aに
密着しており、剥離の際に粘着剤残りが発生してしま
う。そして、この粘着剤残りが受光面上の異物となるた
めに、受光面102aの異物を低減させるということに
対し不十分なものとなる。
子102の受光面102aに対する雰囲気中のゴミ(異
物)や切削時の屑の付着を防止することは可能である
が、表面保護シート105の粘着剤が受光面102aに
密着しており、剥離の際に粘着剤残りが発生してしま
う。そして、この粘着剤残りが受光面上の異物となるた
めに、受光面102aの異物を低減させるということに
対し不十分なものとなる。
【0005】このような粘着剤残りの問題に対しては、
特開昭62−79649号公報、特開平5−25927
7号公報、特許第3045107号公報等には、表面保
護シートに光硬化型シート、特にUV(紫外線)硬化型
粘着剤を使用したUVシートを採用し、このUVシート
をウェハ上面に貼り付け、ダイシング後にUV照射を行
ない、粘着剤を硬化させて粘着剤の粘着力を低下させた
後にUVシートを剥離する技術が開示されている。これ
らの技術によれば、ダイシング完了後までの異物の付着
を防ぎ、傷の発生を低減させるだけでなく、粘着力を低
下させることにより剥離後の粘着剤残りの問題を解消す
る上では有効である。
特開昭62−79649号公報、特開平5−25927
7号公報、特許第3045107号公報等には、表面保
護シートに光硬化型シート、特にUV(紫外線)硬化型
粘着剤を使用したUVシートを採用し、このUVシート
をウェハ上面に貼り付け、ダイシング後にUV照射を行
ない、粘着剤を硬化させて粘着剤の粘着力を低下させた
後にUVシートを剥離する技術が開示されている。これ
らの技術によれば、ダイシング完了後までの異物の付着
を防ぎ、傷の発生を低減させるだけでなく、粘着力を低
下させることにより剥離後の粘着剤残りの問題を解消す
る上では有効である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のような表面保護シートとしてUV硬化型粘着剤を用い
たUVシートを使用する技術では、各素子の表面に対し
てUVを照射する必要があるが、素子として固体撮像素
子のように、表面に受光面、例えば、オンチップレンズ
やカラーフィルタ等が形成された素子の場合には、当該
素子の表面に対するUVの照射によって、これらオンチ
ップレンズやカラーフィルタ等が劣化してしまい、素子
特性が低下するという問題が生じる。したがって、固体
撮像素子のような素子に対してはUVシートを利用する
ことは難しく、結果として、素子受光面での異物の付着
や傷の発生を有効に防止することが難しいという問題が
ある。
のような表面保護シートとしてUV硬化型粘着剤を用い
たUVシートを使用する技術では、各素子の表面に対し
てUVを照射する必要があるが、素子として固体撮像素
子のように、表面に受光面、例えば、オンチップレンズ
やカラーフィルタ等が形成された素子の場合には、当該
素子の表面に対するUVの照射によって、これらオンチ
ップレンズやカラーフィルタ等が劣化してしまい、素子
特性が低下するという問題が生じる。したがって、固体
撮像素子のような素子に対してはUVシートを利用する
ことは難しく、結果として、素子受光面での異物の付着
や傷の発生を有効に防止することが難しいという問題が
ある。
【0007】本発明の目的は、固体撮像素子等のような
受光面を有する素子に対してもUV硬化型粘着剤を有す
る表面保護シートを用いたダイシングを実現可能にし、
これにより、受光面での異物の付着や傷の発生を防止す
るとともに、UV照射によるオンチップレンズやカラー
フィルタの劣化を防止することが可能なダイシング方法
を提供することにある。
受光面を有する素子に対してもUV硬化型粘着剤を有す
る表面保護シートを用いたダイシングを実現可能にし、
これにより、受光面での異物の付着や傷の発生を防止す
るとともに、UV照射によるオンチップレンズやカラー
フィルタの劣化を防止することが可能なダイシング方法
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェハ表面に
表面保護シートを貼り付け、前記表面保護シートと共に
前記ウェハを個々の素子にダイシングし、その後に前記
表面保護シートを剥離する工程を備える半導体素子のダ
イシング方法であって、前記表面保護シートは光硬化型
粘着剤を備えるシートで構成され、前記表面保護シート
を前記ウェハ表面に貼り付ける前に、前記半導体素子の
表面周辺部領域にのみ前記表面保護シートの粘着性を残
し、他の領域の粘着性を無くす工程と、前記表面保護シ
ートを前記ウェハと共にダイシングした後に、前記粘着
性が残されている領域にのみ光照射を行って前記表面保
護シートの粘着性を無くす工程と、しかる後に前記表面
保護シートを剥離する工程とを含むことを特徴とする。
表面保護シートを貼り付け、前記表面保護シートと共に
前記ウェハを個々の素子にダイシングし、その後に前記
表面保護シートを剥離する工程を備える半導体素子のダ
イシング方法であって、前記表面保護シートは光硬化型
粘着剤を備えるシートで構成され、前記表面保護シート
を前記ウェハ表面に貼り付ける前に、前記半導体素子の
表面周辺部領域にのみ前記表面保護シートの粘着性を残
し、他の領域の粘着性を無くす工程と、前記表面保護シ
ートを前記ウェハと共にダイシングした後に、前記粘着
性が残されている領域にのみ光照射を行って前記表面保
護シートの粘着性を無くす工程と、しかる後に前記表面
保護シートを剥離する工程とを含むことを特徴とする。
【0009】ここで、本発明において、前記表面保護シ
ートの粘着性を無くす工程は、前記ウェハのスクライブ
ライン領域とその両側に沿った前記半導体素子の表面周
辺部領域をマスクで遮光してその他の領域に光照射を行
ない、当該光照射された領域の粘着性を無くす工程とす
る。あるいは、前記表面保護シートの粘着性を無くす工
程は、前記ウェハのスクライブライン領域とその両側に
沿った前記半導体素子の表面周辺部領域をマスクで被覆
してその他の領域の粘着剤を選択的にエッチング除去す
る工程とする。なお、前記表面保護シートは、UV硬化
型粘着剤を有する粘着性のシートで構成された場合に特
に有効となる。
ートの粘着性を無くす工程は、前記ウェハのスクライブ
ライン領域とその両側に沿った前記半導体素子の表面周
辺部領域をマスクで遮光してその他の領域に光照射を行
ない、当該光照射された領域の粘着性を無くす工程とす
る。あるいは、前記表面保護シートの粘着性を無くす工
程は、前記ウェハのスクライブライン領域とその両側に
沿った前記半導体素子の表面周辺部領域をマスクで被覆
してその他の領域の粘着剤を選択的にエッチング除去す
る工程とする。なお、前記表面保護シートは、UV硬化
型粘着剤を有する粘着性のシートで構成された場合に特
に有効となる。
【0010】このように、予め表面保護シートの粘着性
を無くす工程を備えることにより、粘着剤が半導体素子
の表面主要領域に対して粘着剤残りとして付着するのを
防ぐ。さらに、半導体素子の表面主要領域、例えば固体
撮像素子の受光面に形成されるオンチップレンズ及びカ
ラーフィルター部分にUV光等の光を直接照射しなくな
ることでこれらの劣化を防ぐことが可能になる。したが
って、本発明では、粘着剤残りに起因する異物の付着や
傷発生防止の効果が得られ、かつUV光等の光照射によ
る半導体素子の表面、例えば固体撮像素子の受光面での
オンチップレンズ及びカラーフィルターの劣化を防ぐ効
果が得られる。
を無くす工程を備えることにより、粘着剤が半導体素子
の表面主要領域に対して粘着剤残りとして付着するのを
防ぐ。さらに、半導体素子の表面主要領域、例えば固体
撮像素子の受光面に形成されるオンチップレンズ及びカ
ラーフィルター部分にUV光等の光を直接照射しなくな
ることでこれらの劣化を防ぐことが可能になる。したが
って、本発明では、粘着剤残りに起因する異物の付着や
傷発生防止の効果が得られ、かつUV光等の光照射によ
る半導体素子の表面、例えば固体撮像素子の受光面での
オンチップレンズ及びカラーフィルターの劣化を防ぐ効
果が得られる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明のエッチング方法が適
用されるウェハ1の概略平面図、図2及び図3は本発明
を前記ウェハに形成した多数個の固体撮像素子2をダイ
シングする技術に適用した第1の実施形態を工程順に示
す断面フロー図である。前記ウェハは図1に示すよう
に、ほぼ円形をしたウェハ1に多数個の固体撮像素子2
を枡目状に配列形成したものであり、各固体撮像素子2
の間にはダイシングソーによってウェハを切断分離する
ためのスクライブライン3が形成されている。以上のウ
ェハ1に対し、先ず、図2(a)に示すように、ウェハ
1に形成されている前記固体撮像素子2は、特にウェハ
の表面が受光面2aとして構成されており、同図には表
れないが当該受光面2aには図外のオンチップレンズ及
びカラーフィルタ等が形成されている。そして、これら
の固体撮像素子2をダイシングした時点において、個々
の固体撮像素子2が分離されることがないように、前記
ウェハ1の裏面には予めウェハマウントシート4を貼り
付けておく。このウェハマウントシート4は適宜な粘着
性のあるシートである。
参照して説明する。図1は本発明のエッチング方法が適
用されるウェハ1の概略平面図、図2及び図3は本発明
を前記ウェハに形成した多数個の固体撮像素子2をダイ
シングする技術に適用した第1の実施形態を工程順に示
す断面フロー図である。前記ウェハは図1に示すよう
に、ほぼ円形をしたウェハ1に多数個の固体撮像素子2
を枡目状に配列形成したものであり、各固体撮像素子2
の間にはダイシングソーによってウェハを切断分離する
ためのスクライブライン3が形成されている。以上のウ
ェハ1に対し、先ず、図2(a)に示すように、ウェハ
1に形成されている前記固体撮像素子2は、特にウェハ
の表面が受光面2aとして構成されており、同図には表
れないが当該受光面2aには図外のオンチップレンズ及
びカラーフィルタ等が形成されている。そして、これら
の固体撮像素子2をダイシングした時点において、個々
の固体撮像素子2が分離されることがないように、前記
ウェハ1の裏面には予めウェハマウントシート4を貼り
付けておく。このウェハマウントシート4は適宜な粘着
性のあるシートである。
【0012】次に、図2(b)のように、前記ウェハ1
の表面上に前記受光面2aの保護を目的としてUV硬化
型粘着剤を有する表面保護シート5を貼り付けるが、貼
り付ける前に前記表面保護シート5に対して単体でUV
照射をする。このUV照射では、前記表面保護シート5
にマスク6を重ね、このマスクの遮光部6a以外の領域
において前記表面保護シート5にUV光を照射する。前
記遮光部6aは、前記ウェハ1のスクライブライン3の
領域と、このスクライブライン3よりも各固体撮像素子
2の内方に向けて若干の領域、この実施形態では、+1
0〜20μm程度の領域を遮光する。換言すれば、前記
固体撮像素子2の周辺部に相当する領域を含むスクライ
ブライン3の領域を遮光し、この周辺部を除く固体撮像
素子2の受光面2aに相当する領域にUV光を照射す
る。また、UV照射条件はUV硬化型粘着剤の種類によ
り異なるが、通常75mj/cm2 以上となるように照
射時間、照射距離を設定する。このようなUV照射を行
うことで、図2(c)のように、前記表面保護シート5
は、スクライブライン3とその両側に沿ってた遮光され
た領域5aでは粘着剤の粘着性は保たれるが、その他の
領域5bでは粘着剤の粘着性は失われることになる。
の表面上に前記受光面2aの保護を目的としてUV硬化
型粘着剤を有する表面保護シート5を貼り付けるが、貼
り付ける前に前記表面保護シート5に対して単体でUV
照射をする。このUV照射では、前記表面保護シート5
にマスク6を重ね、このマスクの遮光部6a以外の領域
において前記表面保護シート5にUV光を照射する。前
記遮光部6aは、前記ウェハ1のスクライブライン3の
領域と、このスクライブライン3よりも各固体撮像素子
2の内方に向けて若干の領域、この実施形態では、+1
0〜20μm程度の領域を遮光する。換言すれば、前記
固体撮像素子2の周辺部に相当する領域を含むスクライ
ブライン3の領域を遮光し、この周辺部を除く固体撮像
素子2の受光面2aに相当する領域にUV光を照射す
る。また、UV照射条件はUV硬化型粘着剤の種類によ
り異なるが、通常75mj/cm2 以上となるように照
射時間、照射距離を設定する。このようなUV照射を行
うことで、図2(c)のように、前記表面保護シート5
は、スクライブライン3とその両側に沿ってた遮光され
た領域5aでは粘着剤の粘着性は保たれるが、その他の
領域5bでは粘着剤の粘着性は失われることになる。
【0013】次いで、図2(d)のように、UV照射を
実施した前記表面保護シート5を位置合わせ後、ウェハ
1の表面上に貼り付ける。そして、図外のダイシングソ
ーを用いて前記ウェハ1を表面側からダイシングする。
このダイシングを行うことにより、図2(e)に示すよ
うに、前記ウェハ1は全厚さにわたってダイシングされ
てダイシング溝3aが形成されるが、ウェハマウントシ
ート4によって個々の固体撮像素子2に分離されること
はない。また、この状態では、ダイシングした個々の固
体撮像素子2の表面上にある表面保護シート5は、スク
ライブライン3に沿った周辺部において粘着性が残され
ている粘着剤領域5aによって剥離されることなく接着
状態が保たれている。
実施した前記表面保護シート5を位置合わせ後、ウェハ
1の表面上に貼り付ける。そして、図外のダイシングソ
ーを用いて前記ウェハ1を表面側からダイシングする。
このダイシングを行うことにより、図2(e)に示すよ
うに、前記ウェハ1は全厚さにわたってダイシングされ
てダイシング溝3aが形成されるが、ウェハマウントシ
ート4によって個々の固体撮像素子2に分離されること
はない。また、この状態では、ダイシングした個々の固
体撮像素子2の表面上にある表面保護シート5は、スク
ライブライン3に沿った周辺部において粘着性が残され
ている粘着剤領域5aによって剥離されることなく接着
状態が保たれている。
【0014】さらに、図3(a)のように、表面保護シ
ート5の粘着性が残されている粘着剤領域5aの粘着性
を無くすために、前記表面保護シート5に対して2回目
のUV照射をする。このUV照射では、図2(b)に示
したマスク6とは、遮光部7a、透光部7bのパターン
が反転されたマスク7を利用する。これにより、図3
(b)のように、スクライブライン溝3aに沿う個々の
固体撮像素子2の周辺部にUV光が照射され、当該周辺
部の粘着剤領域5aの粘着性が失われることになる。な
お、このとき、前記マスク7は、固体撮像素子2の受光
面2aに対応する領域は遮光部7bとして構成されてい
るため、固体撮像素子2の受光面2aにUV光が照射さ
れることはない。
ート5の粘着性が残されている粘着剤領域5aの粘着性
を無くすために、前記表面保護シート5に対して2回目
のUV照射をする。このUV照射では、図2(b)に示
したマスク6とは、遮光部7a、透光部7bのパターン
が反転されたマスク7を利用する。これにより、図3
(b)のように、スクライブライン溝3aに沿う個々の
固体撮像素子2の周辺部にUV光が照射され、当該周辺
部の粘着剤領域5aの粘着性が失われることになる。な
お、このとき、前記マスク7は、固体撮像素子2の受光
面2aに対応する領域は遮光部7bとして構成されてい
るため、固体撮像素子2の受光面2aにUV光が照射さ
れることはない。
【0015】次いで、図3(c)のように、前記表面保
護シート5の上に高粘着性の粘着剤を有する剥離用シー
ト8を上から貼り付ける。そして、図3(d)のよう
に、前記剥離用シート8を剥離すると、剥離用シート8
と共に表面保護シート5が個々の固体撮像素子2の表面
から剥離される。これにより、固体撮像素子2は表面の
受光面2aが露出された状態となり、その後における固
体撮像素子2のマウント工程に付されることになる。
護シート5の上に高粘着性の粘着剤を有する剥離用シー
ト8を上から貼り付ける。そして、図3(d)のよう
に、前記剥離用シート8を剥離すると、剥離用シート8
と共に表面保護シート5が個々の固体撮像素子2の表面
から剥離される。これにより、固体撮像素子2は表面の
受光面2aが露出された状態となり、その後における固
体撮像素子2のマウント工程に付されることになる。
【0016】このようなダイシング方法では、表面保護
シート5は、予め固体撮像素子2の受光面2aに相当す
る領域において、図2(b)の工程においてUV照射を
行って粘着剤の粘着性を無くしているので、表面保護シ
ート5をウェハ1の表面に貼り付けたときに粘着剤が受
光面2aに粘着されることはない。したがって、図3
(d)の工程で表面保護シート5をウェハ1から剥離し
たときに、固体撮像素子2の受光面2aにおいて粘着剤
残りが生じることはなく、受光面2aでの異物の付着や
傷の発生等が生じることは無い。また、その一方で、表
面保護シート5に予めUV照射を行った場合でも、固体
撮像素子2の受光面2aを除く周辺部5aの粘着性は確
保しているため、表面保護シート5がウェハ1の表面に
粘着した状態、さらにダイシング後においても表面保護
シート5が固体撮像素子2の表面に粘着した状態は保持
されることになり、本来の目的である表面保護機能が失
われることはない。さらに、表面保護シート5を剥離す
る際には、粘着性が残されている固体撮像素子2の周辺
部に対してのみ2回目のUV照射を行って当該粘着剤領
域5aの粘着性を無くすので、表面保護シート5の剥離
を容易に行うことができる一方で、固体撮像素子2の受
光面2aにはUV照射を行わないため、当該受光面2a
のオンチップレンズやカラーフィルタの劣化を防止する
ことが可能になる。
シート5は、予め固体撮像素子2の受光面2aに相当す
る領域において、図2(b)の工程においてUV照射を
行って粘着剤の粘着性を無くしているので、表面保護シ
ート5をウェハ1の表面に貼り付けたときに粘着剤が受
光面2aに粘着されることはない。したがって、図3
(d)の工程で表面保護シート5をウェハ1から剥離し
たときに、固体撮像素子2の受光面2aにおいて粘着剤
残りが生じることはなく、受光面2aでの異物の付着や
傷の発生等が生じることは無い。また、その一方で、表
面保護シート5に予めUV照射を行った場合でも、固体
撮像素子2の受光面2aを除く周辺部5aの粘着性は確
保しているため、表面保護シート5がウェハ1の表面に
粘着した状態、さらにダイシング後においても表面保護
シート5が固体撮像素子2の表面に粘着した状態は保持
されることになり、本来の目的である表面保護機能が失
われることはない。さらに、表面保護シート5を剥離す
る際には、粘着性が残されている固体撮像素子2の周辺
部に対してのみ2回目のUV照射を行って当該粘着剤領
域5aの粘着性を無くすので、表面保護シート5の剥離
を容易に行うことができる一方で、固体撮像素子2の受
光面2aにはUV照射を行わないため、当該受光面2a
のオンチップレンズやカラーフィルタの劣化を防止する
ことが可能になる。
【0017】前記第1の実施形態では、本発明をUV硬
化型粘着剤を有する表面保護シート5の粘着性をUV照
射により無くしていたが、当該表面保護シート5の粘着
剤をエッチング除去して粘着性を無くすことによっても
適用することが可能である。このような技術による第2
の実施形態を図4及び図5を参照して説明する。先ず、
図4(a)のように、第1の実施形態と同様にダイシン
グするウェハ1の裏面にウェハマウントシート4を貼り
付ける。次いで、4(b)のようにUV硬化型粘着剤を
有する表面保護シート5に対して粘着剤の選択エッチン
グを行う。この粘着剤の選択エッチングは、表面保護シ
ート5の粘着剤側を上面に向けた状態でレジスト9を塗
布し、かつ当該レジスト9を所要のパターンに現像して
レジストマスク9aとし、このレジストマスク9aを利
用して前記表面保護シート5の粘着剤を選択エッチング
する。ここで、前記粘着剤を選択エッチングする領域
は、前記第1の実施形態のUV照射を行う領域と同じで
ある。したがって、図4(c)のように、ウェハ1のス
クライブライン3とその両側に沿う領域、すなわち固体
撮像素子2の周辺部に対応する領域に粘着剤が残され
る。
化型粘着剤を有する表面保護シート5の粘着性をUV照
射により無くしていたが、当該表面保護シート5の粘着
剤をエッチング除去して粘着性を無くすことによっても
適用することが可能である。このような技術による第2
の実施形態を図4及び図5を参照して説明する。先ず、
図4(a)のように、第1の実施形態と同様にダイシン
グするウェハ1の裏面にウェハマウントシート4を貼り
付ける。次いで、4(b)のようにUV硬化型粘着剤を
有する表面保護シート5に対して粘着剤の選択エッチン
グを行う。この粘着剤の選択エッチングは、表面保護シ
ート5の粘着剤側を上面に向けた状態でレジスト9を塗
布し、かつ当該レジスト9を所要のパターンに現像して
レジストマスク9aとし、このレジストマスク9aを利
用して前記表面保護シート5の粘着剤を選択エッチング
する。ここで、前記粘着剤を選択エッチングする領域
は、前記第1の実施形態のUV照射を行う領域と同じで
ある。したがって、図4(c)のように、ウェハ1のス
クライブライン3とその両側に沿う領域、すなわち固体
撮像素子2の周辺部に対応する領域に粘着剤が残され
る。
【0018】次いで、図4(d)のように、前記表面保
護シート5を位置合わせ後、ウェハ1上に貼り付ける。
そして、図外のダイシングソーを用いて前記ウェハ1を
表面側からダイシングする。このダイシングを行うこと
により、図4(e)に示すように、前記ウェハは全厚さ
にわたって切断されてダイシング溝3aが形成される
が、マウントシート4によって個々の固体撮像素子2に
分離されることはない。また、この状態では、ダイシン
グした個々の固体撮像素子2の表面上にある表面保護シ
ート5は、スクライブライン3に沿った固体撮像素子2
の周辺部において粘着性が残されている粘着剤5aによ
って剥離されることなく接着状態が保たれている。
護シート5を位置合わせ後、ウェハ1上に貼り付ける。
そして、図外のダイシングソーを用いて前記ウェハ1を
表面側からダイシングする。このダイシングを行うこと
により、図4(e)に示すように、前記ウェハは全厚さ
にわたって切断されてダイシング溝3aが形成される
が、マウントシート4によって個々の固体撮像素子2に
分離されることはない。また、この状態では、ダイシン
グした個々の固体撮像素子2の表面上にある表面保護シ
ート5は、スクライブライン3に沿った固体撮像素子2
の周辺部において粘着性が残されている粘着剤5aによ
って剥離されることなく接着状態が保たれている。
【0019】さらに、図5(a)のように、表面保護シ
ート5の粘着性が残されている粘着剤5aの粘着性を無
くすために、前記表面保護シート5に対してUV照射を
する。このUV照射では、図4(b)に示したレジスト
マスク9aの反転パターンのマスク7を利用する。これ
により、図5(b)のように、スクライブライン3に沿
う個々の固体撮像素子2の周辺部にUV光が照射され、
当該周辺部の粘着剤5aの粘着性が失われることにな
る。なお、このとき、前記マスク7は、固体撮像素子2
の受光面2aに対応する領域は遮光部7aとして構成さ
れているため、固体撮像素子2の受光面2aにUV光が
照射されることはない。
ート5の粘着性が残されている粘着剤5aの粘着性を無
くすために、前記表面保護シート5に対してUV照射を
する。このUV照射では、図4(b)に示したレジスト
マスク9aの反転パターンのマスク7を利用する。これ
により、図5(b)のように、スクライブライン3に沿
う個々の固体撮像素子2の周辺部にUV光が照射され、
当該周辺部の粘着剤5aの粘着性が失われることにな
る。なお、このとき、前記マスク7は、固体撮像素子2
の受光面2aに対応する領域は遮光部7aとして構成さ
れているため、固体撮像素子2の受光面2aにUV光が
照射されることはない。
【0020】次いで、図5(c)のように、前記表面保
護シート5の上に高粘着性の粘着剤を有する剥離用シー
ト8を上から貼り付ける。そして、図5(d)のよう
に、前記剥離用シート8を剥離すると、剥離用シート8
と共に表面保護シート5が個々の固体撮像素子2の表面
から剥離される。これにより、固体撮像素子2は表面の
受光面2aが露出された状態となり、その後における固
体撮像素子2のマウント工程に付されることになる。
護シート5の上に高粘着性の粘着剤を有する剥離用シー
ト8を上から貼り付ける。そして、図5(d)のよう
に、前記剥離用シート8を剥離すると、剥離用シート8
と共に表面保護シート5が個々の固体撮像素子2の表面
から剥離される。これにより、固体撮像素子2は表面の
受光面2aが露出された状態となり、その後における固
体撮像素子2のマウント工程に付されることになる。
【0021】この第2の実施形態のダイシング方法で
は、表面保護シート5は、予め固体撮像素子2の受光面
2aに相当する領域が、図4(b)の工程において選択
エッチングにより粘着剤が除去されているので、表面保
護シート5をウェハ1の表面に貼り付けたときに粘着剤
が受光面2aに粘着されることはない。したがって、図
5(d)の工程で表面保護シート5をウェハ1から剥離
したときに、固体撮像素子2の受光面2aにおいて粘着
剤残りが生じることはなく、受光面2aでの異物の付着
や傷の発生等が生じることは無い。また、その一方で、
表面保護シート5の粘着剤を選択エッチングにより除去
した場合でも、固体撮像素子2の受光面2aを除く周辺
部には粘着剤は残されているため、表面保護シートがウ
ェハの表面に粘着した状態、さらにダイシング後におい
ても表面保護シート5が固体撮像素子2の表面に粘着し
た状態は保持されることになり、本来の目的である表面
保護機能が失われることはない。さらに、表面保護シー
ト5を剥離する際には、粘着性が残されている固体撮像
素子2の周辺部に対してのみUV照射を行って当該粘着
剤5aの粘着性を無くすので、表面保護シート5の剥離
を容易に行うことができる一方で、固体撮像素子2の受
光面2aにはUV照射を行わないため、当該受光面2a
のオンチップレンズやカラーフィルタの劣化を防止する
ことが可能になる。
は、表面保護シート5は、予め固体撮像素子2の受光面
2aに相当する領域が、図4(b)の工程において選択
エッチングにより粘着剤が除去されているので、表面保
護シート5をウェハ1の表面に貼り付けたときに粘着剤
が受光面2aに粘着されることはない。したがって、図
5(d)の工程で表面保護シート5をウェハ1から剥離
したときに、固体撮像素子2の受光面2aにおいて粘着
剤残りが生じることはなく、受光面2aでの異物の付着
や傷の発生等が生じることは無い。また、その一方で、
表面保護シート5の粘着剤を選択エッチングにより除去
した場合でも、固体撮像素子2の受光面2aを除く周辺
部には粘着剤は残されているため、表面保護シートがウ
ェハの表面に粘着した状態、さらにダイシング後におい
ても表面保護シート5が固体撮像素子2の表面に粘着し
た状態は保持されることになり、本来の目的である表面
保護機能が失われることはない。さらに、表面保護シー
ト5を剥離する際には、粘着性が残されている固体撮像
素子2の周辺部に対してのみUV照射を行って当該粘着
剤5aの粘着性を無くすので、表面保護シート5の剥離
を容易に行うことができる一方で、固体撮像素子2の受
光面2aにはUV照射を行わないため、当該受光面2a
のオンチップレンズやカラーフィルタの劣化を防止する
ことが可能になる。
【0022】ここで、前記各実施形態では、表面保護シ
ートとしてUV硬化型粘着剤のものを用いているが、他
の波長領域の光を照射して粘着性を無くす粘着剤を有す
る表面保護シートについても同様に適用することが可能
である。
ートとしてUV硬化型粘着剤のものを用いているが、他
の波長領域の光を照射して粘着性を無くす粘着剤を有す
る表面保護シートについても同様に適用することが可能
である。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、表面保護
シートは、予め固体撮像素子の表面主要領域での粘着性
が無い状態とされているので、表面保護シートをウェハ
の表面に貼り付けたときに粘着剤が受光面に粘着される
ことはなく、表面保護シートをウェハから剥離したとき
に、素子の受光面において粘着剤残りが生じることはな
く、素子表面の主要な領域での異物の付着や傷の発生等
が生じることは無い。また、表面保護シートを剥離する
際には、粘着性が残されている固体撮像素子の周辺部に
対してのみUV照射を行って当該粘着性を無くすので、
表面保護シートの剥離を容易に行うことができる一方
で、素子の表面主要領域にはUV照射を行わないため、
素子の表面に形成されているオンチップレンズやカラー
フィルタの劣化を防止し、素子特性の低下を防止するこ
とが可能になる。
シートは、予め固体撮像素子の表面主要領域での粘着性
が無い状態とされているので、表面保護シートをウェハ
の表面に貼り付けたときに粘着剤が受光面に粘着される
ことはなく、表面保護シートをウェハから剥離したとき
に、素子の受光面において粘着剤残りが生じることはな
く、素子表面の主要な領域での異物の付着や傷の発生等
が生じることは無い。また、表面保護シートを剥離する
際には、粘着性が残されている固体撮像素子の周辺部に
対してのみUV照射を行って当該粘着性を無くすので、
表面保護シートの剥離を容易に行うことができる一方
で、素子の表面主要領域にはUV照射を行わないため、
素子の表面に形成されているオンチップレンズやカラー
フィルタの劣化を防止し、素子特性の低下を防止するこ
とが可能になる。
【図1】本発明にかかるウェハの概略平面図である。
【図2】本発明の第1の実施形態のダイシング方法の断
面フロー図のその1である。
面フロー図のその1である。
【図3】本発明の第1の実施形態のダイシング方法の断
面フロー図のその2である。
面フロー図のその2である。
【図4】本発明の第2の実施形態のダイシング方法の断
面フロー図のその1である。
面フロー図のその1である。
【図5】本発明の第2の実施形態のダイシング方法の断
面フロー図のその2である。
面フロー図のその2である。
【図6】従来のダイシング方法の一例の断面フロー図で
ある。
ある。
1 ウェハ 2 固体撮像素子 2a 受光面 3 スクライブライン 4 ウェハマウントシート 5 表面保護シート 5a 粘着剤 6 マスク 7 マスク 8 剥離用シート
Claims (6)
- 【請求項1】 ウェハ表面に表面保護シートを貼り付
け、前記表面保護シートと共に前記ウェハを個々の素子
にダイシングし、その後に前記表面保護シートを剥離す
る工程を備える半導体素子のダイシング方法であって、
前記表面保護シートは光硬化型粘着剤を備えるシートで
構成され、前記表面保護シートを前記ウェハ表面に貼り
付ける前に、前記半導体素子の表面周辺部領域にのみ前
記表面保護シートの粘着性を残し、他の領域の粘着性を
無くす工程と、前記表面保護シートを前記ウェハと共に
ダイシングした後に、前記粘着性が残されている領域に
のみ光照射を行って前記表面保護シートの粘着性を無く
す工程と、しかる後に前記表面保護シートを剥離する工
程とを含むことを特徴とする半導体素子のダイシング方
法。 - 【請求項2】 前記表面保護シートの粘着性を無くす工
程は、前記ウェハのスクライブライン領域とその両側に
沿った前記半導体素子の表面周辺部領域をマスクで遮光
してその他の領域に光照射を行ない、当該光照射された
領域の粘着性を無くす工程であることを特徴とする請求
項1に記載の半導体素子のダイシング方法。 - 【請求項3】 前記表面保護シートの粘着性を無くす工
程は、前記ウェハのスクライブライン領域とその両側に
沿った前記半導体素子の表面周辺部領域をマスクで被覆
してその他の領域の粘着剤を選択的にエッチング除去す
る工程であることを特徴とする請求項1に記載の半導体
素子のダイシング方法。 - 【請求項4】 前記表面保護シートは、UV硬化型粘着
剤を有する粘着性のシートであることを特徴とする請求
項1ないし3のいずれかに記載の半導体素子のダイシン
グ方法。 - 【請求項5】 前記表面保護シートの剥離工程では、粘
着性の高い剥離シートを前記表面保護シートの表面上に
貼り付け、前記剥離シートと一体に前記表面保護シート
を剥離することを特徴とする請求項1ないし4のいずれ
かに記載の半導体素子のダイシング方法。 - 【請求項6】 前記表面保護シートの粘着性が残されて
いた領域の粘着性を無くす工程は、前工程での粘着性を
無くす工程で用いたマスクの反転パターンをマスクに用
いて行うことを特徴とする請求項2ないし5のいずれか
に記載の半導体装置素子のダイシング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000224894A JP2002043253A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 半導体素子のダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000224894A JP2002043253A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 半導体素子のダイシング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002043253A true JP2002043253A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18718758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000224894A Pending JP2002043253A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 半導体素子のダイシング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002043253A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006114775A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Denso Corp | 半導体装置製造治具及び半導体装置の製造方法 |
JP2007150279A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Toray Ind Inc | 回路基板用部材および回路基板の製造方法 |
CN100437926C (zh) * | 2004-03-24 | 2008-11-26 | 日东电工株式会社 | 固定在加强半导体晶圆上的加强板的分离方法及其装置 |
US7569118B2 (en) | 2004-04-28 | 2009-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for dicing wafer and process for manufacturing liquid-discharging head using the dicing method |
JP2011137896A (ja) * | 2009-12-26 | 2011-07-14 | Asahi Rubber Inc | レンズアレイシート及びそれのダイシング方法 |
JP2013084794A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Tdk Corp | チップ部品支持装置及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-07-26 JP JP2000224894A patent/JP2002043253A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100437926C (zh) * | 2004-03-24 | 2008-11-26 | 日东电工株式会社 | 固定在加强半导体晶圆上的加强板的分离方法及其装置 |
US7569118B2 (en) | 2004-04-28 | 2009-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for dicing wafer and process for manufacturing liquid-discharging head using the dicing method |
JP2006114775A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Denso Corp | 半導体装置製造治具及び半導体装置の製造方法 |
JP4581620B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2010-11-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置製造治具及び半導体装置の製造方法 |
JP2007150279A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Toray Ind Inc | 回路基板用部材および回路基板の製造方法 |
JP2011137896A (ja) * | 2009-12-26 | 2011-07-14 | Asahi Rubber Inc | レンズアレイシート及びそれのダイシング方法 |
JP2013084794A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Tdk Corp | チップ部品支持装置及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101317983B1 (ko) | 고체 촬상 장치를 절단하는 방법 | |
KR100451950B1 (ko) | 이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법 | |
JP2000223446A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20060120113A (ko) | 표면보호용 시트 및 반도체 웨이퍼의 연삭방법 | |
WO2010029876A1 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPH11204551A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007214268A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5264332B2 (ja) | 接合ウエハ、その製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
US7323397B2 (en) | Method and apparatus of fabricating a semiconductor device by back grinding and dicing | |
JPH033201B2 (ja) | ||
JP3165192B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2002043253A (ja) | 半導体素子のダイシング方法 | |
JPH08274048A (ja) | チップ部材の製造方法 | |
JP3045107B2 (ja) | 固体撮像素子の組立方法 | |
CN107039481B (zh) | 半导体结构的制造方法 | |
WO2018043008A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN106505028B (zh) | 掩模图案的形成方法、基板的加工方法及元件芯片的制法 | |
JP2865154B2 (ja) | 固体撮像装置の組み立て方法 | |
JP2007012751A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2006222142A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP4678240B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPH05144938A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPH11204624A (ja) | 半導体ウェーハの表面保護テープ剥離方法 | |
JP2006196823A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
KR100768870B1 (ko) | 점착 시트에 붙여진 기체편의 제조방법 |