JP2002042365A - 光ヘッド装置の光源装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 精度良く、レーザダイオードチップを位置決
め可能な光ヘッド装置の光源装置を提案すること。 【解決手段】 本例の光ヘッド装置の光源装置９におい
て、サブマウント７の上面７００は、半導体プロセスに
より、第１および第２のレーザダイオードチップ６１、
６２を位置決めするための第１および第２の位置決め用
凹部７１、７２が形成されており、これらの第１および
第２の位置決め用凹部７１、７２は、第１および第２の
レーザダイオードチップ６１、６２から出射されるレー
ザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸方向の位置を規定する前方側面７
１２、７２２と、光軸方向に直交する位置を規定する側
面７１３、７２５を備えている。このため、第１および
第２のレーザダイオードチップ６１、６２をサブマウン
ト７の各位置決め用凹部７１、７２に装着するのみで、
それらの光軸方向の位置および光軸方向に直交する位
置、さらに、それぞれの発光点間隔を精度良く位置決め
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ（コンパクト
ディスク）やＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）
などの光記録媒体の記録、再生に用いられる光ヘッド装
置に関するものである。さらに詳しくは、この種の光ヘ
ッド装置に用いる光源装置におけるレーザダイオードチ
ップの位置決め技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体としては、ＣＤやＤＶＤ等の
ように基板厚さや記録密度の異なるものが知られてお
り、これらの光記録媒体に対して情報の記録や再生を行
なうためには異なる波長のレーザ光が必要となる。例え
ば、ＤＶＤの再生には６５０ｎｍ波長のレーザ光が必要
であるのに対して、ＣＤ−Ｒは６５０ｎｍ波長帯域での
反射率が低いので、その再生、記録のためには７８０ｎ
ｍ波長のレーザ光が必要である。

【０００３】そこで、ＤＶＤの再生およびＣＤ−Ｒの再
生記録を行なうための光ヘッド装置として、波長が６５
０ｎｍのレーザ光および、波長が７８０ｎｍのレーザ光
を出射する光源装置が搭載された２波長光ヘッド装置と
呼ばれるものが知られている。このような２波長光ヘッ
ド装置に用いる光源装置のうち、レーザダイオード、フ
ォトディテクタを集積化した受発光ユニットでは、１つ
の半導体チップに２つのレーザを形成したモノリシック
型と呼ばれるもの、および２つのレーザダイオードチッ
プを１つの基板上に搭載したハイブリット型と呼ばれる
ものが知られている。

【０００４】ここで、レーザダイオードチップを精度良
く基板上に位置決めする必要がある。このために、例え
ば、ハイブリット型の光源装置では、基台上の位置決め
用マークに合わせて各レーザダイオードチップを実装す
るパッシブアライン方式や、レーザダイオードチップを
ＬＥＤモードで発光させながら位置決めするアクティブ
アライン方式により、２個のレーザダイオードチップの
位置決めが行われる。

【０００５】また、レーザダイオードチップの位置決め
方法としては、特開平３−９５５０６号公報に開示され
ているように、基板に搭載される２つのレーザダイオー
ドチップを、別の基板を用いて位置決めする配置技術が
知られている。一方、特開平８−３３９５７０号公報に
は、基板に予めガイド溝を彫っておき、そのガイド溝に
２つのレーザダイオードチップを搭載することで、双方
の間隔を精度良く規定するための配置技術が開示されて
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ここにおいて、光ヘッ
ド装置の薄型化に伴い、その光源装置のレーザダイオー
ドチップの位置決め精度を高める必要がある。例えば、
２つのレーザダイオードの発光点間隔のずれは、数μｍ
以下に抑える必要がある。ハイブリッド型のものでは、
汎用の実装装置はマウンタ精度が±２０μｍ程度である
ため、パッシブアライン方式では歩留まりが悪くなって
しまう。また、高精度搭載可能な実装装置においては、
部品の搭載タクトが著しく低下するため、設備投資およ
び生産性に影響してしまう。

【０００７】一方、上記の公開公報に記載されているよ
うに、基板に予めガイド溝を彫っておき、そのガイド溝
に２つのレーザダイオードチップを搭載すれば、それら
の発光点間隔を精度良く規定できるが、光軸方向の位置
決め精度を改善できないという問題点がある。

【０００８】このような問題点に鑑みて、本発明の課題
は、精度良く、レーザダイオードチップを位置決め可能
な光ヘッド装置の光源装置を提案することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明は、少なくとも一つのレーザダイオードチッ
プと、このレーザダイオードチップが搭載される半導体
基板とを有する光ヘッド装置の光源装置において、前記
半導体基板の表面には、半導体プロセスにより、前記レ
ーザダイオードチップを位置決めするための位置決め用
凹部が形成されており、この位置決め用凹部は、前記レ
ーザダイオードチップから出射されるレーザ光の光軸方
向の位置を規定する第１の側面と、前記光軸方向に直交
する方向の位置を規定する第２の側面とを備えているこ
とを特徴としている。

【００１０】ここで、前記第１の側面および前記第２の
側面は、前記半導体基板の表面に対して垂直な面とする
ことが望ましい。

【００１１】次に、前記半導体基板として、光記録媒体
からの戻りレーザ光を受光する受光素子が作り込まれた
受光素子用半導体基板を用いることができる。

【００１２】この代わりに、前記レーザダイオードチッ
プの後方出射レーザ光を受光するモニター用受光素子が
作り込まれた放熱用半導体基板を用いてもよい。

【００１３】また、前記受光素子用半導体基板の表面に
前記放熱用半導体基板が積層配置されている場合には、
前記受光素子用半導体基板の表面に、半導体プロセスに
より、前記放熱用半導体基板を位置決めするための位置
決め用凹部を形成することが望ましい。

【００１４】さらに、前記受光素子用半導体基板と、感
光性ガラス枠体とを有している場合には、前記感光性ガ
ラス枠体に、前記放熱用半導体基板および前記受光素子
用半導体基板を位置決めするための位置決め面を形成す
ることが望ましい。

【００１５】次に、本発明においては、前記半導体基板
の表面に、半導体プロセスにより、レーザ光通過用凹部
を形成し、このレーザ光通過用凹部を、前記位置決め用
凹部における前記レーザダイオードチップの前方発光点
が面している前側側面から、レーザ光の出射方向に延び
ている構成とすることができる。この構成によれば、所
定の発散角で出射される前方出射レーザ光が、位置決め
用凹部の前側部分によって遮られてしまう（ケラレてし
まう）ことを回避できる。

【００１６】また、前記位置決め用凹部における前記レ
ーザダイオードチップの後方発光点が面している後側側
面を、後方に向けて傾斜した傾斜面とし、前記半導体基
板表面における前記傾斜面の後方位置に、モニター用受
光素子を作り込んでおけば、後方出射レーザ光を、位置
決め用凹部の後端部分によって遮られることなくモニタ
ー用受光素子に導くことができる。

【００１７】ここで、前記レーザダイオードチップとし
て、異なる波長のレーザ光を出射するモノリシック型の
ものを用いることができる。

【００１８】次に、前記レーザダイオードチップとして
複数個、例えば第１および第２のレーザダイオードチッ
プが搭載される場合には、それぞれの位置決めために第
１および第２の位置決め用凹部が形成される。この場合
には、前記第１の位置決め用凹部に対しては、その第１
および第２の側面により前記第１のレーザダイオードチ
ップを位置決めした状態で搭載し、次に、前記第２の位
置決め用凹部に対しては、その第２の側面に沿って前記
第２のレーザダイオードチップを移動させることにより
当該第２のレーザダイオードチップを位置決めすれば、
双方のレーザーダイオードチップの光軸に直交する方向
の間隔を精度良く設定できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
による光源装置が組み込まれている光ヘッド装置の実施
例を説明する。

【００２０】（光ヘッド装置）図１（ａ）および（ｂ）
は、本例の光ヘッド装置を示す平面図および断面図であ
る。図２（ａ）および（ｂ）は、図１に示す光源装置を
示す平面図および斜視図である。

【００２１】本例の光ヘッド装置１は、ＣＤあるいはＤ
ＶＤなどの光記録媒体２に対する情報記録、情報再生を
行なうため、波長が６５０ｎｍのレーザ光と、波長が７
８０ｎｍのレーザ光とを用いる２波長光ヘッド装置であ
り、アルミニウムなどの金属製の配線基板３を有し、こ
こに各種部品が搭載されている。この配線基板３はフレ
ーム４によって支持されている。フレーム４は、その一
方の側端に、円形の主軸ガイド孔４１が形成され、他方
の側端に、横方に開口したコの字状形状の副軸ガイド溝
４２が形成されている。

【００２２】光ヘッド装置１が搭載される情報記録再生
装置（図示せず）の側には平行に延びる主軸４３および
副軸４４が配置されている。光ヘッド装置１は、主軸４
３を主軸ガイド孔４１に通すと共に副軸４４を副軸ガイ
ド溝４２に通した状態となるように、フレーム４を主軸
４３および副軸４４の間に架け渡した状態で情報記録再
生装置の側に搭載される。これら主軸および副軸に沿っ
て、光ヘッド装置１が光記録媒体２の半径方向に往復移
動可能になる。

【００２３】配線基板３における副軸ガイド溝４２の側
の表面部分には、図２（ａ）に示すような、レーザ、受
光素子一体型の光源装置９が搭載されている。この光源
装置９は、配線基板３の表面にＡｇペースト等の接着剤
で積層接着した半導体基板１０と、この半導体基板１０
の表面に積層接着されたサブマウント７と、このサブマ
ウント７の上面に同じく積層接着された第１および第２
のレーザダイオードチップ６１、６２を備えている。第
１のレーザダイオードチップ６１は、波長６５０ｎｍの
レーザ光を出射し、第２のレーザダイオードチップ６２
は、波長７８０ｎｍのレーザ光を出射するものである。

【００２４】半導体基板１０には、信号再生用の受光面
１３ａを備えた受光素子１３および信号演算回路が作り
込まれている。サブマウント７には、レーザモニター用
の受光素子１３１が作り込まれている。また、光源装置
９の側に形成されている電極端子１４と配線基板３の表
面に形成した電極端子１５の間がボンディングワイヤ１
６によって接続されている。

【００２５】一方、配線基板３の主軸ガイド４１側の表
面部分には、磁気式の対物レンズ駆動機構１７が搭載さ
れている。この対物レンズ駆動機構１７は、対物レンズ
１８を保持しているレンズホルダ１９と、このレンズホ
ルダ１９をトラッキング方向およびフォーカシング方向
に移動可能に支持している支軸２０と、レンズホルダ１
９をトラッキング方向およびフォーカシング方向に移動
させる磁力を発生する磁気駆動回路とを備えている。磁
気駆動回路は、折り曲げヨーク板２２に形成されている
起立部分２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄに取り付けた
磁石２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄと、これらに対峙
するレンズホルダ部分に配置した駆動コイル（図示せ
ず）を含んでいる。この構成の軸摺動回動式の対物レン
ズ駆動機構は公知のものである。

【００２６】レーザダイオードチップ６１、６２から対
物レンズ１８に至る光路上には、第１の回折格子２５、
第２の回折格子２６、コリメートレンズ２７および立上
げミラー２８が配置されている。第１の回折格子２５
は、レーザダイオードチップ６２から出射される波長７
８０ｎｍのレーザ光のみを３ビームに分割する波長選択
性の回折格子であり、第２の回折格子２６は光記録媒体
２からの戻り光の光路を変えて、全反射ミラー２９を経
由して受光素子１３の受光面１３ａに導くための波長選
択性ホログラム素子である。立上げミラー２８はコリメ
ートレンズ２７により平行光化された出射レーザ光を直
角に反射して対物レンズ１８に導くためのものである。

【００２７】ここで、本例では、光源装置９、回折格子
２５、２６およびコリメートレンズ２７は、これらの部
材を位置決めした状態で保持する部品ホルダ３０を用い
て、配線基板３に搭載されている。図２（ｂ）に示すよ
うに、部品ホルダ３０は、全体として平板をコの字状に
切り欠いた形状の感光性ガラス枠体であり、その内側に
は、光源装置９、回折格子２５、２６およびコリメート
レンズ２７を各々所定の位置に所定の姿勢で保持する凹
凸や窓を備えている。従って、光源装置９、回折格子２
５、２６およびコリメートレンズ２７については、この
部品ホルダ３０に搭載するだけで、これらの部材間での
光軸合わせ、光軸方向の位置調整が自動的に行なわれ
る。

【００２８】光源装置９が取り付けられている部品ホル
ダ３０の部分にはカバー３１が取り付けられ、当該光源
装置９を封止状態で保護している。このカバー３１の裏
面には全反射ミラー２９が取付けらている。

【００２９】このように構成された光ヘッド装置では、
光記録媒体２としてＤＶＤから情報を再生等するとき
は、第１のレーザダイオードチップ６１から波長が６５
０ｎｍのレーザ光が出射され、一方、光記録媒体２とし
てＣＤ−Ｒに情報を記録等するときは、第２のレーザダ
イオードチップ６２からは、波長が７８０ｎｍのレーザ
光が出射されることにより、異なる種類の光記録媒体２
の情報再生、情報記録等が行われる。

【００３０】（光源装置）図３は本例の光源装置９にお
ける２個のレーザダイオードチップ６１、６２の位置決
め機構を示すための説明図であり、図４は光源装置９の
組立て工程を示す工程図である。

【００３１】まず、図３に示すように、第１のレーザダ
イオードチップ６１は直方体形状をしており、第１のレ
ーザ光Ｌ１を出射する第１の前方発光点Ｓ１が位置して
いる前方出射面６１２と、後方発光点が位置している後
方出射面６１４と、左右の側面６１３、６１５と、Ｎ電
極が形成された上面６１６と、Ｐ電極が形成された下面
６１１とを備えている。この第１のレーザダイオードチ
ップ６１は、出射面６１２において第１の前方発光点Ｓ
１が、Ｐ電極の下面６１１側に位置するためＰサイドダ
ウンと呼ばれものであり、下面６１１がサブマウント７
に搭載されることにより、第１の前方発光点Ｓ１から発
生する熱を効率良く放熱する。後方出射面６１４からは
後方に第１のモニター用レーザ光ＬＭ１が出射される。

【００３２】次に、第２のレーザダイオードチップ６２
も同一形状をしており、第２のレーザ光Ｌ２を出射する
第２の前方発光点Ｓ２が位置している前方出射面６２２
と、後方発光点が位置している後方出射面６２４と、左
右の側面６２３、６２５と、Ｎ電極が形成された上面６
２６と、Ｐ電極が形成された下面６２１とを備えてい
る。この第２のレーザダイオードチップ６２も、前方出
射面６２２において第２の前方発光点Ｓ２が、Ｐ電極の
下面６２１側に位置するＰサイドダウンであり、下面６
２１がサブマウント７に搭載されることにより、第２の
前方発光点Ｓ２から発生する熱を効率良く放熱する。後
方出射面６２４からは後方に第２のモニター用レーザ光
ＬＭ２が出射される。

【００３３】サブマウント７の上面７００には、第１の
レーザダイオードチップ６１を位置決めするために第１
の位置決め用凹部７１と、第２のレーザダイオードチッ
プ６２を位置決めするために第２の位置決め用凹部７２
とが並んで彫り込まれ、それらの後方にモニター用受光
素子１３１が作り込まれている。

【００３４】第１の位置決め用凹部７１は、第１のレー
ザダイオードチップ６１の下面６１１より大きい長方形
に彫り込まれた凹部であり、底面７１１と、底面７１１
の三辺から垂直に立ち上がる前方側面７１２と、左右の
側面７１３、７１５と、後方に向けて傾斜した後方傾斜
面７１４とを備えている。

【００３５】第２の位置決め用凹部７２も同一形状であ
り、第２のレーザダイオードチップ６２の下面６２１よ
り大きい長方形に彫り込まれた凹部であり、底面７２１
と、底面７２１の三辺から垂直に立ち上がる前方側面７
２２と、左右の側面７２３、７２５と、後方に向けて傾
斜した後方傾斜面７２４とを備えている。

【００３６】また、各位置決め用凹部７１、７２におけ
る前方側面７１２、７２２からは、第１および第２のレ
ーザ光Ｌ１、Ｌ２の出射方向に延びている第１および第
２のレーザ光通過用凹部７１２ａ、７２２ａが連続形成
されている。

【００３７】２個のレーザダイオードチップ６１、６２
の位置決めは、それぞれを第１および第２の位置決め用
凹部７１、７２に搭載して、前方側面７１２、７２２と
一方の側面７１３、７２５に押し当てて固定することに
より行われる。このため、第１および第２のレーザダイ
オードチップ６１、６２から出射されるレーザ光Ｌ１、
Ｌ２の光軸方向の位置を前方側面７１２、７２２が規定
し、光軸方向に直交する方向を側面７１３、７２５が規
定している。よって、第１および第２の前方発光点Ｓ
１，Ｓ２の間隔は、側面７１３、７２５の間隔により規
定される。

【００３８】また、位置決め用凹部７１、７２の前方側
面７１２、７２２には、第１および第２のレーザ光通過
用凹部７１２ａ、７２２ａが繋がっているので、所定の
発散角で出射されるレーザ光Ｌ１、Ｌ２が遮られてしま
う（ケラレてしまう）ことを回避できる。

【００３９】さらに、位置決め用凹部７１、７２の後方
側の部分は、後方側面７１４、７２４によって規定され
ているので、後方出射面６１４、６２４から出射される
第１および第２のモニタ用レーザ光ＬＭ１、ＬＭ２は、
位置決め用凹部７１、７２の後方側の部分で遮られるこ
となくモニター用受光素子１３１に導かれる。

【００４０】次に、図４を参照して、光源装置９の組立
て工程を説明する。まず、第１および第２の位置決め用
凹部７１、７２および第１および第２のレーザ光通過用
凹部７１２ａ，７２２ａが彫り込まれたサブマウント７
を用意する。第１および第２の位置決め用凹部７１、７
２は、フォトエッチング技術を利用した半導体プロセス
にて１μｍ〜５０μｍの深さで形成される。底面７１
１、７２１は、第１および第２のレーザダイオードチッ
プの下面６１１、６２１のＰ電極に給電するための電極
であり、ろう材としてのＡｕＳｎ膜が形成される。ま
た、第１および第２のレーザ光通過用凹部７１２ａ，７
２２ａも、半導体プロセスにより彫り込まれる。

【００４１】次に、工程ＳＴ１、２において、第１のレ
ーザダイオードチップ（ＬＤ１）６１および第２のレー
ザダイオードチップ（ＬＤ２）６２を、サブマウント７
の第１および第２の位置決め用凹部７１、７２に搭載す
る。このとき、図３（ａ）に示すように、第１のレーザ
ダイオードチップ（ＬＤ１）６１および第２のレーザダ
イオードチップ（ＬＤ１）６２を、第１および第２の位
置決め用凹部７１、７２にはめこみ、前方出射面６１
２、６２２を前方側面７１２、７２２に押し当てるとと
もに、前方出射面６１２、６２２に直交する側面６１
３、６２５を側面７１３、７２５に押し当て位置決めを
行なう。

【００４２】さらに、工程ＳＴ３において、ＡｕＳｎ膜
を加熱硬化させて、第１のレーザダイオードチップ（Ｌ
Ｄ１）６１および第２のレーザダイオードチップ（ＬＤ
２）６２をサブマウント７に固定する。

【００４３】工程ＳＴ４、５では、配線基板３に取り付
けられた部品ホルダ（感光性ガラス枠体）３０の位置決
め面に、サブマウント７と、信号再生用の受光素子およ
び信号演算回路を含む集積回路が作り込まれている半導
体基板（ＰＤＩＣ）１０とを積層して位置決めし、Ａｇ
ペースト等の接着剤にて固定する。

【００４４】この後は、工程６において、第１および第
２のレーザダイオードチップ６１、６２の上端面６１
６、６２６のＮ電極、サブマウント７および半導体基板
１０の側の電極部分と配線基板３の側に形成されている
電極端子間をボンディングワイヤによって接続し、図２
に示す光源装置９を得る。

【００４５】（本実施例の効果）以上説明したように、
本例の光ヘッド装置の光源装置９では、サブマウント７
の上面７００は、半導体プロセスにより、第１および第
２のレーザダイオードチップ６１、６２を位置決めする
ための第１および第２の位置決め用凹部７１、７２が形
成されており、これらの第１および第２の位置決め用凹
部７１、７２は、第１および第２のレーザダイオードチ
ップ６１、６２から出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光
軸方向の位置を規定する前方側面７１２、７２２と、光
軸方向に直交する位置を規定する側面７１３、７２５を
備えている。このため、第１および第２のレーザダイオ
ードチップ６１、６２をサブマウント７に搭載すれば、
それらの光軸方向の位置および光軸方向に直交する位
置、さらに、それぞれの発光点間隔を精度良く位置決め
することができる。従って、高精度実装装置を用いなく
ても、レーザダイオードチップ６１、６２をサブマウン
ト７に搭載する組み立てレベルで高精度の位置決めが可
能となる。

【００４６】（光源装置の変形例）図５（ａ）、（ｂ）
および（ｃ）、図６は、それぞれ光源装置の変形例を示
す斜視図である。

【００４７】図５（ａ）に示す光源装置９Ａでは、第１
および第２のレーザダイオードチップ６１、６２が搭載
されたサブマウント７が、受光素子１３が作り込まれて
いる半導体基板１０Ａに積層されている。

【００４８】半導体基板１０Ａの表面１０１には、半導
体プロセスにより、サブマウント７を位置決めするため
のサブマウント位置決め用凹部１０２が形成されてい
る。従って、サブマウント７を半導体基板１０Ａに搭載
するだけで、位置決めをすることができる。また、サブ
マウント７には、２個のレーザダイオードチップ６１、
６２が精度良く位置決めされている。従って、レーザダ
イオードチップ６１、６２および受光素子１３を精度良
く位置決めできる。

【００４９】次に、上記の光源装置９、９Ａにおいて
は、第１および第２のレーザダイオードチップ６１、６
２を搭載したサブマウント７を半導体基板１０、１０Ａ
に積層しているが、並列に配置することもできる。

【００５０】例えば、図５（ｂ）に示す光源装置９Ｂで
は、第１および第２のレーザダイオードチップ６１、６
２が搭載されたサブマウント７と、受光素子１３が作り
込まれている半導体基板１０が、半導体ブロック７３の
表面７３０に並列に搭載されている。

【００５１】半導体ブロック７３の表面７３０には、半
導体プロセスにより、サブマウント７を位置決めするた
めのサブマウント位置決め用凹部７３１と、半導体基板
１０を位置決めするための半導体基板位置決め用凹部７
３２が形成されている。従って、サブマウント７および
半導体基板１０は半導体ブロック７３に搭載するだけで
位置決めすることができ、レーザダイオードチップ６
１、６２および受光素子１３との位置決めを簡単、か
つ、精度良く行なうことができる。

【００５２】ここで、図６に示すように、レーザダイオ
ードチップ６１、６２が搭載されたサブマウント７と半
導体基板１０とを部品ホルダ３０Ａにて位置決めして、
並列に配置してもよい。このような光源装置９Ｃにおい
て、部品ホルダ３０Ａは、全体として平板をコの字状に
切り抜いた感光性ガラス枠体からなり、その内側に半導
体基板１０と、サブマウント７とを位置決めする位置決
め面を備えている。従って、サブマウント７および半導
体基板１０を部品ホルダ３０Ａに搭載すれば、サブマウ
ント７および半導体基板１０は位置決めされる。

【００５３】このように、これらの光源装置９Ａ、９
Ｂ、９Ｃにおいては、サブマウント７と半導体基板１０
Ａ、１０を位置決めすることにより、その結果、サブマ
ウント７に搭載された第１および第２のレーザダイオー
ドチップ６１、６２と、半導体基板１０に作り込まれた
受光素子１３の受光面１３ａとの位置調整が行われる。

【００５４】一方、第１および第２のレーザダイオード
チップ６１、６２はサブマウント７に搭載する代わり
に、半導体基板１０に直接搭載することもできる。

【００５５】図５（ｃ）に示すように、光源装置９Ｄで
は、第１および第２のレーザダイオードチップ６１、６
２が、受光素子１３が作り込まれている半導体基板１０
Ｃに積層されている。

【００５６】半導体基板１０Ｃの表面１０３には、半導
体プロセスにより、第１および第２のレーザダイオード
チップ６１、６２を位置決めするための位置決め用凹部
１０４、１０５が形成されている。従って、第１および
第２のレーザダイオードチップ６１、６２は、半導体基
板１０Ｃに搭載するだけで位置決めすることができ、第
１および第２のレーザダイオードチップ６１、６２と、
半導体基板１０Ｃに作り込まれた受光素子１３の受光面
１３ａとの位置調整が行われる。

【００５７】（光源装置のその他の実施例）本発明は、
単一のレーザダイオードチップを備えた光源装置にも適
用できる。例えば、図７（ａ）に示すように、１つのレ
ーザダイオードチップ６０１として単波長のレーザ光を
出射するもの、あるいは、異なる波長のレーザ光を出射
するモノリシック型のものを備えている場合には、サブ
マウント７Ａには、１つのレーザダイオードチップ６０
１を位置決めするための１つの位置決め用凹部７０１を
形成すればよい。

【００５８】次に、本発明は、大きさの異なるレーザダ
イオードチップを備えた光源装置にも適用できる。例え
ば、図７（ｂ）に示すように、２つのレーザダイオード
チップ６０２、６０３のうち、レーザダイオードチップ
６０３がレーザダイオードチップ６０２よりも高出力で
サイズが大きいものを備えている場合には、サブマウン
ト７Ｂには、２つの光源位置決め用凹部７０２、７０３
を形成し、サイズの大きいレーザダイオードチップ６０
３に合わせて位置決め用凹部７０３を位置決め用凹部７
０２よりも大きく形成すればよい。

【００５９】さらに、本発明は、３個以上のレーザダイ
オードチップを備えた光源装置にも適用できる。例え
ば、図７（ｃ）に示すように、波長の異なる３つのレー
ザダイオードチップ６０４、６０５、６０６を備えてい
る場合には、サブマウント７Ｃには、３つの光源位置決
め用凹部７０４、７０５、７０６を形成すればよい。

【００６０】これらのサブマウント７Ａ、７Ｂ、７Ｃに
おいて、搭載されるレーザダイオードチップ６０１〜６
０６の形状、種類、搭載数量が異なっていても、それら
に合わせた形状の光源位置決め用凹部７０１〜７０６を
形成することで、レーザダイオードチップ６０１〜６０
６を位置決めすることができる。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ヘッド
装置の光源装置において、半導体基板であるサブマウン
トの表面には、半導体プロセスにより、レーザダイオー
ドチップを位置決めするための位置決め用凹部が形成さ
れており、位置決め用凹部は、レーザダイオードチップ
から出射されるレーザ光の光軸方向の位置を規定する前
方側壁面と、光軸方向に直交する位置を規定する側壁を
備えている。このため、レーザダイオードチップをサブ
マウントに搭載すれば、それらの光軸方向の位置および
光軸方向に直交する位置、さらに、それぞれの発光点間
隔を精度良く位置決めすることができる。従って、高精
度実装装置を用いなくても、レーザダイオードチップを
サブマウントに搭載する組み立てレベルで高精度の位置
決めが可能となる。

【００６２】また、位置決め用凹部は、フォトエッチン
グ技術を利用して半導体プロセスにて彫り込むため、高
精度な加工が可能であり、彫り込みの形状および深さを
変えることにより、レーザダイオードチップやサブマウ
ント等の配置位置、構造の設計の選択幅が広がる。

【００６３】さらに、本発明では、位置決め用凹部の前
方に、レーザ光の発散角に対応した広さ、および、深さ
のレーザ光通過用凹部を形成してあるので、出射レーザ
光が位置決め用凹部の前側部分で遮られることを回避で
きる。

【００６４】これに加えて、本発明では、位置決め用凹
部の後方側の側面を傾斜面としてあるので、モニター用
の後方出射レーザ光を、当該位置決め用凹部に遮られる
ことなく、モニター用受光素子に導くことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）は、本発明を適用した光源
装置が搭載される光ヘッド装置の一例を示す平面図およ
び断面図である。

【図２】（ａ）および（ｂ）は、図１に示す光源装置の
平面図および部品ホルダに取り付けられた光学部品を示
す斜視図である。

【図３】図１に示す光源装置における２個のレーザダイ
オードチップ６１、６２の位置決め機構を示すための説
明図である。

【図４】図１に示す光源装置の組立て工程を示す工程図
である。

【図５】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ図１
に示す光源装置の変形例を示す斜視図である。

【図６】図１に示す光源装置の変形例を示す斜視図であ
る。

【図７】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、光源装置のそ
の他の例を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 光ヘッド装置 ２ 光記録媒体 ３ 配線基板 ７ サブマウント ９ 光源装置（複合チップ） １０ 半導体基板（ＰＤＩＣ） １３ 受光素子 １７ 対物レンズ駆動機構 １８ 対物レンズ １９ レンズホルダ ２０ 支軸 ２２ 折り曲げヨーク ２５、２６ 回折格子 ２７ コリメートレンズ ２８ 立上げミラー ２９ 全反射ミラー ３０ 部品ホルダ（感光性ガラス枠体） ６１ 第１のレーザダイオードチップ ６２ 第２のレーザダイオードチップ ７１ 第１の位置決め用凹部 ７２ 第２の位置決め用凹部 １３１ モニター用受光素子 ６１１、６２１ 下面 ６１２、６２２ 前方出射面 ６１４、６２４ 後方出射面 ６１３、６１５、６２３、６２５ 側面 ６１６、６２６ 上面 ７１１、７２１ 底面 ７１２、７２２ 前方側面 ７１４、７２４ 後方側面 ７１３、７１５、７２３、７２５ 側面 Ｌ１ 第１のレーザ光 Ｌ２ 第２のレーザ光 ＬＭ１ 第１のモニター用レーザ光 ＬＭ２ 第２のモニター用レーザ光 Ｓ１ 第１の前方発光点 Ｓ２ 第２の前方発光点

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 5/40 Ｈ０１Ｓ 5/40 Ｆターム(参考） 5D119 AA38 AA41 BA01 CA10 CA16 EC41 EC45 EC47 FA08 FA09 FA25 FA35 FA36 JA14 JA22 KA02 LB07 NA04 NA05 NA06 5F073 AB06 AB21 AB25 AB27 AB29 BA05 FA02 FA13 FA16 FA23

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも一つのレーザダイオードチッ
   プと、このレーザダイオードチップが搭載される半導体
   基板とを有する光ヘッド装置の光源装置において、 前記半導体基板の表面には、半導体プロセスにより、前
   記レーザダイオードチップを位置決めするための位置決
   め用凹部が形成されており、 この位置決め用凹部は、前記レーザダイオードチップか
   ら出射されるレーザ光の光軸方向の位置を規定する第１
   の側面と、前記光軸方向に直交する方向の位置を規定す
   る第２の側面とを備えていることを特徴とする光ヘッド
   装置の光源装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記第１の側面および前記第２の側面は、前記半導体基
   板の表面に対して垂直であることを特徴とする光ヘッド
   装置の光源装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、 前記半導体基板は、光記録媒体からの戻りレーザ光を受
   光する受光素子が作り込まれた受光素子用半導体基板で
   あることを特徴とする光ヘッド装置の光源装置。
4. 【請求項４】 請求項１または２において、 前記半導体基板は、前記レーザダイオードチップの後方
   発光レーザ光を受光するモニター用受光素子が作り込ま
   れた放熱用半導体基板であることを特徴とする光ヘッド
   装置の光源装置。
5. 【請求項５】 請求項４において、 前記放熱用半導体基板が搭載されていると共に、光記録
   媒体からの戻りレーザ光を受光する受光素子が作り込ま
   れている受光素子用半導体基板を有し、 この受光素子用半導体基板の表面には、半導体プロセス
   により、前記放熱用半導体基板を位置決めするための位
   置決め用凹部が形成されていることを特徴とする光ヘッ
   ド装置の光源装置。
6. 【請求項６】 請求項４において、 光記録媒体からの戻りレーザ光を受光する受光素子が作
   り込まれている受光素子用半導体基板と、感光性ガラス
   枠体とを有し、 前記感光性ガラス枠体には、前記放熱用半導体基板およ
   び前記受光素子用半導体基板を位置決めするための位置
   決め面が形成されていることを特徴とする光ヘッド装置
   の光源装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし４のうちのいずれかの項
   において、 前記半導体基板の表面には、半導体プロセスにより、レ
   ーザ光通過用凹部が形成されており、 このレーザ光通過用凹部は、前記位置決め用凹部におけ
   る前記レーザダイオードチップの前方発光点が面してい
   る前側側面から、レーザ光の出射方向に延びていること
   を特徴とする光ヘッド装置の光源装置。
8. 【請求項８】 請求項１ないし７のうちのいずれかの項
   において、 前記位置決め用凹部における前記レーザダイオードチッ
   プの後方発光点が面している後側側面は、後方に向けて
   傾斜した傾斜面とされており、 前記半導体基板表面における前記傾斜面の後方位置に、
   モニター用受光素子が作り込まれていることを特徴とす
   る光ヘッド装置の光源装置。
9. 【請求項９】 請求項１ないし８のうちのいずれかの項
   において、 前記レーザダイオードチップは、異なる波長のレーザ光
   を出射するモノリシック型のものであることを特徴とす
   る光ヘッド装置の光源装置。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし８のうちのいずれかの
    項において、 前記レーザダイオードチップは第１および第２のレーザ
    ダイオードチップを含み、前記位置決め用凹部は前記第
    １および第２のレーザダイオードを位置決めするための
    第１および第２の位置決め用凹部を含み、 前記第１の位置決め用凹部に対しては、その第１および
    第２の側面により前記第１のレーザダイオードチップを
    位置決めした状態で搭載し、前記第２の位置決め用凹部
    に対しては、その第２の側面に沿って前記第２のレーザ
    ダイオードチップを移動させることにより当該第２のレ
    ーザダイオードチップが位置決め搭載されていることを
    特徴とする光ヘッド装置の光源装置。