JP2002025875A - 半導体ウエハ - Google Patents
半導体ウエハInfo
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- JP2002025875A JP2002025875A JP2000211950A JP2000211950A JP2002025875A JP 2002025875 A JP2002025875 A JP 2002025875A JP 2000211950 A JP2000211950 A JP 2000211950A JP 2000211950 A JP2000211950 A JP 2000211950A JP 2002025875 A JP2002025875 A JP 2002025875A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】半導体ウエハの結晶の方位を明らかにすると共
に半導体ウエハの表面と裏面の判別も可能なＶノッチ付
きの半導体ウエハを提供すること 【解決手段】Ｖノッチは、前記半導体ウエハの中心線に
対して非対称な形状に成るように構成したもので、｛１
００｝面と該｛１００｝面の垂直な｛１００｝面、｛１
１０｝面と該｛１１０｝面に垂直な｛１１０｝面、或い
は｛１００｝面と｛１１０｝面のいずれかの組合せによ
る。
に半導体ウエハの表面と裏面の判別も可能なＶノッチ付
きの半導体ウエハを提供すること 【解決手段】Ｖノッチは、前記半導体ウエハの中心線に
対して非対称な形状に成るように構成したもので、｛１
００｝面と該｛１００｝面の垂直な｛１００｝面、｛１
１０｝面と該｛１１０｝面に垂直な｛１１０｝面、或い
は｛１００｝面と｛１１０｝面のいずれかの組合せによ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ、特
に、半導体ウエハの一部分にＶ字形のノッチ（Ｖノッ
チ）を設けた半導体ウエハに関するものである。
に、半導体ウエハの一部分にＶ字形のノッチ（Ｖノッ
チ）を設けた半導体ウエハに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハは、使用する結晶面が決め
られており、結晶の方位を明確にするため、オリエンテ
ーションフラット（ＯＦ）とインデックスフラット（Ｉ
Ｆ）と称する平坦部が半導体ウエハの外周部に設けられ
ている。ＯＦとＩＦの長さは異なるように構成され、こ
のＯＦとＩＦとの位置関係により、結晶の方位を明らか
にすると共に半導体ウエハの表面と裏面の判別をするこ
とができる。
られており、結晶の方位を明確にするため、オリエンテ
ーションフラット（ＯＦ）とインデックスフラット（Ｉ
Ｆ）と称する平坦部が半導体ウエハの外周部に設けられ
ている。ＯＦとＩＦの長さは異なるように構成され、こ
のＯＦとＩＦとの位置関係により、結晶の方位を明らか
にすると共に半導体ウエハの表面と裏面の判別をするこ
とができる。
【０００３】通常の半導体ウエハの製造工程は、結晶成
長、円筒研削、スライス加工、面取り加工、ラッピング
（平面研削加工）、両面ポリッシング、片面仕上げポリ
ッシングであり、ＯＦとＩＦは面取り加工工程で設けら
れる。
長、円筒研削、スライス加工、面取り加工、ラッピング
（平面研削加工）、両面ポリッシング、片面仕上げポリ
ッシングであり、ＯＦとＩＦは面取り加工工程で設けら
れる。
【０００４】しかしながら、最近大型の半導体ウエハが
使用され始め、新たな問題が発生した。それは、大型の
半導体ウエハでは外径が大きいため、ＯＦとＩＦの長さ
が長くなる。その結果、使用可能な半導体ウエハの面積
が減少していた。さらに、素子製作のプロセスで、長さ
が長いＯＦ及びＩＦが設けられた大型の半導体ウエハを
回転させた場合、回転時の慣性モーメントが大きくなる
ことで位置ずれが発生していた。
使用され始め、新たな問題が発生した。それは、大型の
半導体ウエハでは外径が大きいため、ＯＦとＩＦの長さ
が長くなる。その結果、使用可能な半導体ウエハの面積
が減少していた。さらに、素子製作のプロセスで、長さ
が長いＯＦ及びＩＦが設けられた大型の半導体ウエハを
回転させた場合、回転時の慣性モーメントが大きくなる
ことで位置ずれが発生していた。
【０００５】この問題を解決するために、半導体ウエハ
の外周の一部にＶ字形のノッチ（切り欠き）を設けて、
結晶の方位を明らかにする方法が採られている。Ｖ字形
のノッチ（Ｖノッチ）は面取り加工工程で設けられ、結
晶面が｛１００｝面の場合、Ｖノッチ方位は＜０１０
＞、＜０−１０＞、＜００１＞、＜００−１＞の何れか
であるのが一般的である。
の外周の一部にＶ字形のノッチ（切り欠き）を設けて、
結晶の方位を明らかにする方法が採られている。Ｖ字形
のノッチ（Ｖノッチ）は面取り加工工程で設けられ、結
晶面が｛１００｝面の場合、Ｖノッチ方位は＜０１０
＞、＜０−１０＞、＜００１＞、＜００−１＞の何れか
であるのが一般的である。
【０００６】図５は、従来の半導体ウエハの平面図であ
る。２１は半導体ウエハ、２２はＶノッチ、α３及びα
４はＶノッチを構成する面と半導体ウエハの中心線との
成す角度であり、α３とα４は同角になっている。
る。２１は半導体ウエハ、２２はＶノッチ、α３及びα
４はＶノッチを構成する面と半導体ウエハの中心線との
成す角度であり、α３とα４は同角になっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウエハに
は以下に示す問題点があった。
は以下に示す問題点があった。
【０００８】Ｖノッチにより結晶の方位は明らかになる
が、半導体ウエハの表面と裏面の判別は困難であった。
そのため、面取り加工工程以降では、半導体ウエハの装
置へのセット、装置からの取り出し、ケースなどへの収
納作業においては、半導体ウエハの表面を一定方向に定
めて作業を行なっている。
が、半導体ウエハの表面と裏面の判別は困難であった。
そのため、面取り加工工程以降では、半導体ウエハの装
置へのセット、装置からの取り出し、ケースなどへの収
納作業においては、半導体ウエハの表面を一定方向に定
めて作業を行なっている。
【０００９】しかしながら、この方法では完全に半導体
ウエハの表面と裏面の管理ができないため、作業者の思
い込みにより半導体ウエハの表面と裏面を間違えるとい
う問題があった。
ウエハの表面と裏面の管理ができないため、作業者の思
い込みにより半導体ウエハの表面と裏面を間違えるとい
う問題があった。
【００１０】従って本発明の目的は、前記した従来技術
の欠点を解消し、半導体ウエハの結晶の方位を明らかに
すると共に半導体ウエハの表面と裏面の判別も可能なＶ
ノッチ付きの半導体ウエハを提供することにある。
の欠点を解消し、半導体ウエハの結晶の方位を明らかに
すると共に半導体ウエハの表面と裏面の判別も可能なＶ
ノッチ付きの半導体ウエハを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を実
現するため、特定形状のＶノッチを半導体ウエハに設け
た。
現するため、特定形状のＶノッチを半導体ウエハに設け
た。
【００１２】Ｖノッチは、前記半導体ウエハの中心線に
対して非対称な形状に成るように構成した。
対して非対称な形状に成るように構成した。
【００１３】Ｖノッチは、｛１００｝面と該｛１００｝
面に垂直な｛１００｝面とで構成した。
面に垂直な｛１００｝面とで構成した。
【００１４】また、Ｖノッチは、｛１１０｝面と該｛１
１０｝面に垂直な｛１１０｝面とで構成しても良い。
１０｝面に垂直な｛１１０｝面とで構成しても良い。
【００１５】さらに、Ｖノッチは、｛１００｝面と｛１
１０｝面とで構成しても良い。
１０｝面とで構成しても良い。
【００１６】以上の手段を採ることにより、半導体ウエ
ハの結晶の方位は勿論のこと、半導体ウエハの表面と裏
面の判別が可能になった。
ハの結晶の方位は勿論のこと、半導体ウエハの表面と裏
面の判別が可能になった。
【００１７】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を以下、図面に
基づいて詳述する。
基づいて詳述する。
【００１８】図１は、本発明の半導体ウエハの第一実施
例を示した平面図である。１は半導体ウエハ、２は形状
が非対称なＶノッチ、α１及びα２はＶノッチを構成す
る面と半導体ウエハの中心線との成す角度であり、α１
とα２の角度は等しくなく、目で見てどちらの角度が大
きいか判別できるようになっている。このようにＶノッ
チを構成することで、半導体ウエハ１の結晶の方位は勿
論のこと、半導体ウエハ１の表面と裏面の判別も容易に
行なうことができ、半導体ウエハ１の表面と裏面を間違
えるといった作業ミスは皆無になった。なお、このよう
なＶノッチは、面取り加工工程で簡単に設けることがで
きる。
例を示した平面図である。１は半導体ウエハ、２は形状
が非対称なＶノッチ、α１及びα２はＶノッチを構成す
る面と半導体ウエハの中心線との成す角度であり、α１
とα２の角度は等しくなく、目で見てどちらの角度が大
きいか判別できるようになっている。このようにＶノッ
チを構成することで、半導体ウエハ１の結晶の方位は勿
論のこと、半導体ウエハ１の表面と裏面の判別も容易に
行なうことができ、半導体ウエハ１の表面と裏面を間違
えるといった作業ミスは皆無になった。なお、このよう
なＶノッチは、面取り加工工程で簡単に設けることがで
きる。
【００１９】図２は、本発明の半導体ウエハの第二実施
例を示した斜視図である。３は半導体ウエハ、４は｛１
００｝面と該｛１００｝面に垂直な｛１００｝面とから
構成されるＶノッチ、５は｛１００｝面、６は前記の
｛１００｝面５と垂直な｛１００｝面である。
例を示した斜視図である。３は半導体ウエハ、４は｛１
００｝面と該｛１００｝面に垂直な｛１００｝面とから
構成されるＶノッチ、５は｛１００｝面、６は前記の
｛１００｝面５と垂直な｛１００｝面である。
【００２０】｛１００｝面と該｛１００｝面に垂直な
｛１００｝面とから構成されるＶノッチ４は、｛１０
０｝面５と｛１００｝面６の２つの面により構成され、
この２つの面の成す角度は、半導体ウエハ３の中心線に
対して非対称になっている。このようにＶノッチを構成
することで、半導体ウエハ３の結晶の方位は勿論のこ
と、半導体ウエハ３の表面と裏面の判別も容易に行なう
ことができ、半導体ウエハ３の表面と裏面を間違えると
いった作業ミスは皆無になった。なお、このようなＶノ
ッチは、面取り加工工程で簡単に設けることができる。
｛１００｝面とから構成されるＶノッチ４は、｛１０
０｝面５と｛１００｝面６の２つの面により構成され、
この２つの面の成す角度は、半導体ウエハ３の中心線に
対して非対称になっている。このようにＶノッチを構成
することで、半導体ウエハ３の結晶の方位は勿論のこ
と、半導体ウエハ３の表面と裏面の判別も容易に行なう
ことができ、半導体ウエハ３の表面と裏面を間違えると
いった作業ミスは皆無になった。なお、このようなＶノ
ッチは、面取り加工工程で簡単に設けることができる。
【００２１】図３は、本発明の半導体ウエハの第三実施
例を示した斜視図である。７は半導体ウエハ、８は｛１
１０｝面と該｛１１０｝面に垂直な｛１１０｝面とから
構成されるＶノッチ、９は｛１１０｝面、１０は前記の
｛１１０｝面９と垂直な｛１１０｝面である。
例を示した斜視図である。７は半導体ウエハ、８は｛１
１０｝面と該｛１１０｝面に垂直な｛１１０｝面とから
構成されるＶノッチ、９は｛１１０｝面、１０は前記の
｛１１０｝面９と垂直な｛１１０｝面である。
【００２２】｛１１０｝面と該｛１１０｝面に垂直な
｛１１０｝面とから構成されるＶノッチ８は、｛１１
０｝面９と｛１１０｝面１０との２つの面により構成さ
れ、この２つの面の成す角度は半導体ウエハ７の中心線
に対して非対称になっている。このようにＶノッチを構
成することで、半導体ウエハ７の結晶の方位は勿論のこ
と、半導体ウエハ７の表面と裏面の判別も容易に行なう
ことができ、半導体ウエハ７の表面と裏面を間違えると
いった作業ミスは皆無になった。なお、このようなＶノ
ッチは、面取り加工工程で簡単に設けることができる。
｛１１０｝面とから構成されるＶノッチ８は、｛１１
０｝面９と｛１１０｝面１０との２つの面により構成さ
れ、この２つの面の成す角度は半導体ウエハ７の中心線
に対して非対称になっている。このようにＶノッチを構
成することで、半導体ウエハ７の結晶の方位は勿論のこ
と、半導体ウエハ７の表面と裏面の判別も容易に行なう
ことができ、半導体ウエハ７の表面と裏面を間違えると
いった作業ミスは皆無になった。なお、このようなＶノ
ッチは、面取り加工工程で簡単に設けることができる。
【００２３】図４は、本発明の半導体ウエハの第四実施
例を示した斜視図である。１１は半導体ウエハ、１２は
｛１００｝面と｛１１０｝面とから構成されるＶノッ
チ、１３は｛１００｝面、１４は｛１１０｝面である。
例を示した斜視図である。１１は半導体ウエハ、１２は
｛１００｝面と｛１１０｝面とから構成されるＶノッ
チ、１３は｛１００｝面、１４は｛１１０｝面である。
【００２４】｛１００｝面と｛１１０｝面とから構成さ
れるＶノッチ１２は、｛１００｝面１３と｛１１０｝面
１４との２つの面により構成され、この２つの面の成す
角度は半導体ウエハ１１の中心線に対して非対称になっ
ている。このようにＶノッチを構成することで、半導体
ウエハ１１の結晶の方位は勿論のこと、半導体ウエハ１
１の表面と裏面の判別も容易に行なうことができ、半導
体ウエハ１の表面と裏面を間違えるといった作業ミスは
皆無になった。なお、このようなＶノッチは、面取り加
工工程で簡単に設けることができる。
れるＶノッチ１２は、｛１００｝面１３と｛１１０｝面
１４との２つの面により構成され、この２つの面の成す
角度は半導体ウエハ１１の中心線に対して非対称になっ
ている。このようにＶノッチを構成することで、半導体
ウエハ１１の結晶の方位は勿論のこと、半導体ウエハ１
１の表面と裏面の判別も容易に行なうことができ、半導
体ウエハ１の表面と裏面を間違えるといった作業ミスは
皆無になった。なお、このようなＶノッチは、面取り加
工工程で簡単に設けることができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の半導体ウエハは、Ｖノッチの形
状を前記半導体ウエハの中心線に対して非対称になるよ
うに構成したので、半導体ウエハの結晶の方位を明らか
にすると共に半導体ウエハの表面と裏面の判別も可能に
なった。
状を前記半導体ウエハの中心線に対して非対称になるよ
うに構成したので、半導体ウエハの結晶の方位を明らか
にすると共に半導体ウエハの表面と裏面の判別も可能に
なった。
【図１】本発明の半導体ウエハの第一実施例を示した平
面図である。
面図である。
【図２】本発明の半導体ウエハの第二実施例を示した斜
視図である。
視図である。
【図３】本発明の半導体ウエハの第三実施例を示した斜
視図である。。
視図である。。
【図４】本発明の半導体ウエハの第四実施例を示した斜
視図である。
視図である。
【図５】従来の半導体ウエハの平面図である。
１ 半導体ウエハ ２ 形状が非対称なＶノッチ ３ 半導体ウエハ ４ ｛１００｝面と該｛１００｝面に垂直な｛１００｝
面とから成るＶノッチ ５ ｛１００｝面 ６ ｛１００｝面 ７ 半導体ウエハ ８ ｛１１０｝面と該｛１１０｝面に垂直な｛１１０｝
面とから成るＶノッチ ９ ｛１１０｝面 １０ ｛１１０｝面 １１ 半導体ウエハ １２ ｛１００｝面と｛１１０｝面とから成るＶノッチ １３ ｛１００｝面 １４ ｛１１０｝面 ２１ 半導体ウエハ ２２ Ｖノッチ α１、α２、α３、α４ Ｖノッチを構成する面と半導
体ウエハの中心線との成す角度
面とから成るＶノッチ ５ ｛１００｝面 ６ ｛１００｝面 ７ 半導体ウエハ ８ ｛１１０｝面と該｛１１０｝面に垂直な｛１１０｝
面とから成るＶノッチ ９ ｛１１０｝面 １０ ｛１１０｝面 １１ 半導体ウエハ １２ ｛１００｝面と｛１１０｝面とから成るＶノッチ １３ ｛１００｝面 １４ ｛１１０｝面 ２１ 半導体ウエハ ２２ Ｖノッチ α１、α２、α３、α４ Ｖノッチを構成する面と半導
体ウエハの中心線との成す角度
Claims (5)
- 【請求項１】特定形状のＶノッチを有して成ることを特
徴とする半導体ウエハ。 - 【請求項２】Ｖノッチは、前記半導体ウエハの中心線に
対して非対称な形状であることを特徴とする請求項１記
載の半導体ウエハ。 - 【請求項３】Ｖノッチは、｛１００｝面と該｛１００｝
面に垂直な｛１００｝面とで構成して成ることを特徴と
する請求項１又は２記載の半導体ウエハ。 - 【請求項４】Ｖノッチは、｛１１０｝面と該｛１１０｝
面に垂直な｛１１０｝面とで構成して成ることを特徴と
する請求項１又は２記載の半導体ウエハ。 - 【請求項５】Ｖノッチは、｛１００｝面と｛１１０｝面
とで構成して成ることを特徴とする請求項１又は２記載
の半導体ウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211950A JP2002025875A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 半導体ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211950A JP2002025875A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 半導体ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002025875A true JP2002025875A (ja) | 2002-01-25 |
Family
ID=18707946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000211950A Withdrawn JP2002025875A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 半導体ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002025875A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025985A1 (fr) * | 2001-09-14 | 2003-03-27 | Dowa Mining Co., Ltd. | Tranche de semi-conducteur compose a encoche |
-
2000
- 2000-07-07 JP JP2000211950A patent/JP2002025875A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025985A1 (fr) * | 2001-09-14 | 2003-03-27 | Dowa Mining Co., Ltd. | Tranche de semi-conducteur compose a encoche |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071002 |