JP2002016333A - プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
精度を向上させて、エッチング回路のファイン化を可能
にしたプリント配線板を提供する。 【解決手段】 スルーホールメッキ14するか、してい
ない基板11のバイアホール13に、基本的組成とし
て、硬化後の(固形分)容積比で平均粒径が1μm〜2
5μmの導体フィラーが25容積%以上65容積%未
満、バインダーが35容積%以上75容積%未満からな
る導電ペースト15を充填し、該導電ペースト15の充
填部と銅箔12面に亘って化学ニッケルメッキ17を施
し、上記化学ニッケルメッキ17上に電気ニッケルメッ
キ18および化学または電気金メッキ19を順に施して
なる構成としたものであり、上記導体フィラーの形状が
不定形もしくは球状または樹枝状としたものであり、必
要量の分散剤、導電性付与剤、硬化剤を添加してなる。
Description
さんだ両側の導体パターン内に設けられたバイアホール
にメッキ性の優れた導電ペーストを充填して、導体パタ
ーンと充填された導電ペーストの端面に直接ニッケルメ
ッキを施すことを可能にすることにより銅ふたメッキを
省略でき導体パターンの密度を高めることを可能にする
プリント配線板とその製造方法に関する。
られるように電子機器の小型化の要求が急速に高まり、
その中にあってこうした電子機器の回路基板に対しても
高密度化が迫られ、その手段として基材の積層化があ
り、そこには、各層の導体パターンを繋ぐためにバイア
ホールが設けられる。
パッドを電極ランドに接触させるため、この電極ランド
には金メッキによる表面処理が必要であり、また、筐体
の内側に施されているシールドをグラウンドに接続する
ためプリント配線板のグラウンドパターンに金メッキに
よる表面処理が必要とされる。
るため、銅箔にニッケルメッキを施したうえ、ニッケル
メッキの上にさらに金メッキ処理を行うようにしてい
る。
図3に示すように、銅箔22(18μm)貼り基板21
に公知技術により穿孔されたバイアホール23の内面に
銅スルーホールメッキ24(20μm)を施した後、該
バイアホール23に導電ペースト25を充填し、充填さ
れた導電ペーストの露出面を研磨し、該露出面と銅スル
ーホールメッキ24上に亘って銅ふたメッキ26(20
μm)、化学ニッケルメッキ27(2μm)、電気ニッ
ケルメッキ28(5μm)および金メッキ29(1μ
m)を順次施して形成している。
製造方法は、例えば、両面銅箔貼り基板に、穿孔された
バイアホールの内面に、無電解薄付け及び電解厚付け銅
メッキを処理して、両面の銅箔をバイアホールにて電気
的に接続する。さらに、導電性ペーストをバイアホール
に充填印刷し、加熱硬化後、基板の表面に余分にでてい
る導電性ペーストを、基板表面まで研磨する。さらに、
導電性ペーストが露出したままでは、後の実装工程では
んだ付けが不可能であるために、銅ふたメッキを施す。
その後エッチングして導体パターンを形成したあとに、
はんだ付けが必要な部分を除いてソルダーレジスト(保
護用樹脂層)を形成させる。最後に表面処理として、無
電解ニッケルと金メッキ、または電解ニッケルと金メッ
キとが施される。
記の構成から判るようにメッキ層を含む銅箔の厚さがほ
ぼ60μmにもなり、図4(a)に示されるように、エ
ッチングによるメッキ層の侵食が大きくなるため、その
分だけ隣り合う導体パターンの間隔が必要になるので、
導体パターンを微細化してプリント配線板を高密度にす
るのに障害となっている。
極に金メッキを施すプリント配線板で絶縁基材層の両側
の導体パターン内に設けられたバイアホールにメッキ性
の優れた導電性ペーストを充填して、導体パターンと導
電ペーストの端面上に、直接ニッケルメッキを施し、厚
さの大きい銅ふたメッキを省略してプリント配線板の密
度を上げようとするものである。
決するために、絶縁基材層を挟む両側に設けられた導体
パターンと、上記導体パターン内で上記絶縁基材層に設
けられたバイアホールを有するプリント配線板におい
て、上記バイアホールに充填された所定配合の導電性ペ
ーストの端面と上記導体パターンとにニッケルメッキを
施すことを特徴とする。
された導電ペーストの端面に直接ニッケルメッキを施す
ことを可能にして、銅ふたメッキを省略できる。
成として、硬化後の(固形分)容積比で、平均粒径が1
μm〜25μmの導体フィラーが25容積%以上65容
積%以下、バインダーが35容積%以上75容積%以下
からなることを特徴とする。
ニッケル、金メッキした銅,金メッキしたニッケル、銀
メッキした銅,銀メッキしたニッケルから選ばれた少な
くとも一種類で、その形状は、不定形もしくは球状また
は樹枝状としたものであり、上記バインダーには必要量
の硬化剤、分散剤、導電性付与剤を添加してなる構成と
したことを特徴とする。
は、銅張り積層板の銅箔をエッチング処理して導体パタ
ーンを形成するエッチング処理工程を備えるプリント配
線板の製造方法であって、導体パターン内で絶縁基材層
に設けられたバイアホールに対して、所定配合の導電性
ペーストを充填し、その端面と上記導体パターンとにニ
ッケルメッキを施すことを特徴とする。
された導電ペーストの端面に直接ニッケルメッキを施す
ことを可能にして、銅ふたメッキの工程を省略できる。
径が1μm未満であるときは、高充填が不可能になりそ
の結果メッキ性が損なわれ、25μmを越えるときは、
バイアホールへの導電ペーストの充填が困難になる。
あるときは、導電ペーストの端面にニッケルメッキが不
可能になり、65容積%を越えるときは導電ペーストの
粘度が高くなって、スクリーン印刷でのバイアホールへ
の充填が不可能になる。
または樹枝状としたのは、これ以外の形状、例えばフレ
ーク状や鱗片状では、バイアホールに充填した導電ペー
ストの表面を研磨したとき、その表面に現れる導体フィ
ラーの占有面積が小さくなって化学ニッケルメッキが不
十分になるからである。
きは、導体フィラーの結合が不十分になって導電性が低
下し、75容積%を越えるときは導電性とメッキ性が低
下する。
またはフェノール樹脂系のものを採用することができ、
エポキシ樹脂系の場合は公知の好ましくは液状の硬化剤
を添加し、フェノール樹脂系の場合は必ずしも硬化剤を
必要としない。
よくするために飽和・不飽和脂肪酸またはそれらの金属
塩やイソプロピル−トリイソステアロイルチタネートの
ようなカップリング剤を添加することができ、酸化され
やすい銅のフィラーを用いるときは、ヒドロキノン、オ
ルソアミノフェノールなどの還元剤やトリエタノールア
ミンなどのキレート形成剤、1,2−N−ラウロイル−
N−メチレンエチレンジアミンなどの導電性付与剤を採
用することができる。
ながら説明する。図1(a)は第一実施形態の断面図、
図1(b)は第二実施形態の断面図である。図において
11はガラスエポキシを材料とする基板、12は銅箔
層、13はバイアホール、14はスルーホールメッキ、
15は充填した導電ペースト、17は化学ニッケルメッ
キ層、18は電気ニッケルメッキ層、19は化学または
電気金メッキ層である。
一実施形態の構造から電気ニッケルメッキ層18を省い
て、化学ニッケルメッキ層17の上に、直接化学金メッ
キまたは電気金メッキを施したものである。
二実施形態の構造から電気ニッケルメッキ層18を省い
て、化学ニッケルメッキ層17の上に、直接化学金メッ
キまたは電気金メッキを施したものである。
ッキを、また、第二実施形態と第四実施形態では導体パ
ターンと充填された導電ペーストの端面に直接ニッケル
メッキを施すことにより、銅スルーホールメッキと銅ふ
たメッキを必要としていないためメッキ層を含む銅箔の
厚さをさらに薄くすることが可能で、図4(b)に示さ
れるように、エッチングによるメッキ層の侵食が少ない
ので隣り合う導体パターンの間隔を小さくすることがで
きるので、従来技術ではバイアホールの間隔が200μ
mとするのが限界であったが今回の発明によれば50μ
mまで間隔を詰めることができるようになった。
製造方法は、導電性ペーストをバイアホールに充填印刷
し、加熱硬化後、基板の表面に余分にでている導電性ペ
ーストを、基板表面まで研磨したのち、エッチングして
必要な導体パターンを形成し、はんだ付けが必要な部分
を除いてソルダーレジスト層(保護用樹脂)を形成す
る。最後に表面処理として、無電解ニッケルと金メッ
キ、または電解ニッケルと金メッキとが施される。
ら説明する。エポキシ樹脂またはフェノール樹脂に導体
フィラーとして各種形状の銅粉、銀メッキ銅粉、銀粉、
ニッケル粉、硬化剤、添加剤4、添加剤5を表1に示す
割合で、それぞれ配合して導電性組成物を調整した。な
お、各材料の容積%は重量を配合材料の密度で除したも
のである。
ビトール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルセロ
ソルブ、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン
など)を注入し、三軸ロールで充分混練して導電ペース
トとした。
m、銅箔厚さ18μm、バイアホール径0.3mmのガ
ラスエポキシ基板にスクリーン印刷法により充填し、8
0℃で予備乾燥した後、180℃で60分間加熱して硬
化させ、基板から突き出た導電ペーストをバフ研磨した
後、酸洗浄、水洗、乾燥して触媒を施して、化学メッキ
のための準備をし、ニッケル−リン化学メッキ液に30
分間浸漬し、銅箔の必要部分および導電ペースト上にニ
ッケル−リンメッキ膜を析出させた後、その直上に化学
金メッキまたは電気金メッキを施す(第三・第四実施形
態に相当)か、電気ニッケルメッキ、化学金メッキまた
は電気金メッキを施し(第一・第二実施形態に相当)、
上記各メッキ処理におけるメッキの析出状況を観察し、
全てのメッキが100%析出しているときは『○』と
し、少しでも導電ペースト面が露出しているものは
『×』とした。
と導電ペースト上に析出した銅メッキ膜を観察し、良好
に析出しているものは『○』とし、少しでも導電ペース
ト面が露出しているものは『×』とした。
けたガラスエポキシ基板上の銅箔電極間に、導電ペース
トでスクリーン印刷により1mm幅で模擬回路を印刷
し、180℃で60分間加熱硬化後、電極間の抵抗を測
定し次式により算出した。
来技術によるプリント配線板の加工工程を対比すると表
2の通りになる。この表から明らかな通り、この発明に
係る実施形態によれば第一実施形態では銅ふたメッキが
なくなり、第二実施形態では銅スルーホールメッキと銅
ふたメッキがなくなってメッキ層を含む銅箔の厚さが2
/3または1/3になり、エッチング精度が大幅によく
なり、かつ、工程とコストの削減となることが分かる。
例に説明したが、両面プリント配線板に限定されず、多
層プリント配線板の内層として各層間の電気的接続を行
うためのパターンに適用することも可能である。
電ペースト上への直接化学ニッケルメッキ、電気ニッケ
ルメッキおよび化学金メッキまたは電気金メッキができ
るようになってメッキ層を含む銅箔を薄くすることがで
きるようになり、エッチング精度が大幅に向上し、導体
パターンの微細化が可能になるとともに、銅ふたメッキ
や銅スルーホールメッキを省略できるようになり工程の
削減とあいまって低コストで製造できるという効果を生
ずる。
(a)は従来技術、(b)は本発明によるもの
Claims (12)
- 【請求項1】 絶縁基材層の両側に設けられた導体パタ
ーンと、上記導体パターン内で上記絶縁基材層に設けら
れたバイアホールを有するプリント配線板において、 上記バイアホールに充填された所定配合の導電性ペース
トの端面と上記導体パターンとにニッケルメッキを施し
てなることを特徴とするプリント配線板。 - 【請求項2】 上記ニッケルメッキ上に金メッキを施し
てなることを特徴とする請求項1に記載のプリント配線
板。 - 【請求項3】 上記バイアホールにスルーホールメッキ
を施してなることを特徴とする請求項1に記載のプリン
ト配線板。 - 【請求項4】 上記所定の配合は、平均粒径が1μm〜
25μmの導体フィラーが25容積%以上65容積%以
下と、バインダーが35容積%以上75容積%以下とか
らなることを特徴とする請求項1に記載のプリント配線
板。 - 【請求項5】 上記導体フィラーは金、銀、銅、ニッケ
ル、金メッキした銅、金メッキしたニッケル、銀メッキ
した銅、銀メッキしたニッケルから選ばれた少なくとも
一種類であり、その形状は不定形もしくは球状または樹
枝状をベースとすることを特徴とする請求項4に記載の
プリント配線板。 - 【請求項6】 上記バインダーに硬化剤、分散剤、導電
性付与剤、キレート形成剤を必要に応じ添加してなるこ
とを特徴とする請求項4に記載のプリント配線板。 - 【請求項7】 絶縁基材層の両側に設けられた導体パタ
ーンと、上記導体パターン内で絶縁基材層に設けられた
バイアホールに対して、所定配合の導電性ペーストを充
填し、その端面と上記導体パターンとにニッケルメッキ
を施すことを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 【請求項8】 上記ニッケルメッキ上に金メッキを施す
ことを特徴とする請求項7に記載のプリント配線板の製
造方法。 - 【請求項9】 上記バイアホールにスルーホールメッキ
を施すことを特徴とする請求項7に記載のプリント配線
板の製造方法。 - 【請求項10】 上記所定配合は、平均粒径が1μm〜
25μmの導体フィラーが25容積%以上65容積%以
下と、バインダーが35容積%以上75容積%以下とか
らなることを特徴とする請求項7に記載のプリント配線
板の製造方法。 - 【請求項11】 上記導体フィラーは金、銀、銅、ニッ
ケル、金メッキした銅、金メッキしたニッケル、銀メッ
キした銅、銀メッキしたニッケルから選ばれた少なくと
も一種類であり、その形状は不定形もしくは球状または
樹枝状をベースとすることを特徴とする請求項7に記載
のプリント配線板の製造方法。 - 【請求項12】 上記バインダーに硬化剤、分散剤、導
電性付与剤、キレート形成剤を必要に応じ添加すること
を特徴とする請求項10に記載のプリント配線板の製造
方法。
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2000
- 2000-06-27 JP JP2000192770A patent/JP2002016333A/ja active Pending
Cited By (2)
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CN114481103A (zh) * | 2021-12-08 | 2022-05-13 | 胜宏科技(惠州)股份有限公司 | 一种化学镍溶液及其制备方法 |
CN114481103B (zh) * | 2021-12-08 | 2023-10-20 | 胜宏科技(惠州)股份有限公司 | 一种化学镍溶液及其制备方法 |
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