JP2001513915A - 光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、波長選択スイッチに関する。前記スイッチは、少なくとも１つのＭＭＩ導波路、少なくとも１つのマッハ・ツェンダー導波路、少なくとも１つの位相制御素子および少なくとも１つのブラッグ格子からなり、前記マッハ・ツェンダー導波路は、前記位相制御素子および前記ブラッグ格子からなり、少なくとも１つのＭＭＩ導波路に接続して配置されている。本発明はさらに、前述した波長選択スイッチを用いることによって波長チャンネルを切り替える方法からなる。

Description

【発明の詳細な説明】 光装置 発明の技術分野 本発明は、光波長選択装置に関し、光ネットワークにおいて波長チャンネルの 方向を変える波長選択スイッチであって、各波長チャンネルが個別に方向を変え られるものに関する。本発明はまた、光ネットワークにおける波長チャンネルを 切り替える、またはアッド／ドロップ多重化を行う方法からなる。 従来技術 現存する光ネットワークのキャパシティをさらに増大させるために、数多くの 異なる方法が知られている。１つのやり方は、光ネットワークの光ファイバーで 利用できるバンド幅の使用の度合いを向上するために、いわゆる波長分割多重化 （ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｄｉｖｉｓｉｏｎ ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）（Ｗ ＤＭ）技術を用いることである。ネットワークの柔軟性を増大させるためには、 光ネットワークにおけるトラフィックの方向を変えることのできる装置が必要で ある。前述のトラフィックの方向を変えるための装置は、また、ネットワークを できる限り効率的に用いたり、ネットワークの中断の場合に役立てることができ る。 Ｙ・ヒビノらによる「Ｓｉ上の平面光波回路型非対称マッハ・ツェンダー干渉 計中に作成された光誘導ブラッグ格子を有する波長分割多重装置」において、マ ッハ・ツェンダー干渉計において、ブラッグ格子および位相制御素子が用いられ ている光素子が記述されている。波長分割多重化（波長分割マルチプレクシング ）および波長分割多重化の分離（波長分割デマルチプレクシング）に応用するこ とが意図されている。 しかしながら、前述の装置は、波長選択スイッチとして用いることはできない 。もし前述の装置がいくつかのチャンネルのアッド／ドロップのために用いられ ることになれば、取り扱われるアッド／ドロップの組の数と同じだけの数の装置 が必要となる。この種類の装置は、再構成するのが比較的困難であり、すなわち 、 それは柔軟性に欠ける。 従来技術による波長選択スイッチの１つの問題は、非常に大きくて複雑な構造 またはいくつかの構成部品を必要とすることで、それは、大きな電力損失や高費 用という結果となる。 発明の概要 光伝送システムのキャパシティを増大するために、数多くの周知の方法を用い ることができる。例えば、波長分割多重化において、伝送チャンネルは、異なる 伝搬波長で、情報の流れへとまたはそこからそれぞれ多重化されるか多重化から の分離が行われるかする。この多重化および多重化の分離には、光波長選択装置 が必要である。ある波長チャンネルについては、光ネットワークを通る伝送ルー トを変えることもまた望ましいかもしれない。この目的のために、波長選択特性 を有する構成部品が、例えば、波長選択スイッチの形で必要である。 周知の波長選択スイッチの１つの問題は、大きな電力損失を引き起こすもとと なるということである。 別の問題は、周知の波長選択スイッチは、比較的複雑な構造を有しており、知 られている限りのあらゆるケースにおいて、比較的大きな数の異なる構成部品を 有するものであるということである。 さらなる問題は、前述の複雑な構造および大きな数の構成部品のために、周知 の波長選択スイッチは製造するのが比較的高価であるというものである。 本発明は、前述の問題に、少なくとも１つのＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉ Ｍｏｄｅ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：多重モードインターフェース）構造、少なくとも１ つのブラッグ格子、少なくとも１つのマッハ・ツェンダー導波路および少なくと も１つの位相制御素子からなる波長選択スイッチによってアプローチする。 前述のＭＭＩ構造は、光を分割するのに用いられる。ＭＭＩ構造の入力の１つ における光強度の分布は、その長さが正しく選択されるとき、ＭＭＩ構造の全て の出口で描写される。この背後にあるより奥深い理論は、Ｊ．光波テクノロジー 第１３巻（４）６１５〜６２７頁（１９９５年）のＬ．Ｂ．ソルダノおよびＥ． Ｃ．Ｍ．ペニングスによる「自己画像化に基づく光多重モード干渉装置：原理と 応用」に見出される。 ブラッグ格子は、光をフィルタリングするのに用いられる。フィルタリングと は、ある波長は透過が可能であり、一方他のものは反射されるということを意味 する。ブラッグ格子は、一種の波長選択ミラーを構成すると言うこともできる。 前述のある波長の反射は、数多くのやり方で達成することができるが、これらの ほとんどの方法に共通するのは、導波路の中の物質の屈折率を周期的に変化させ ることによって反射が達成されるというものである。 前述の位相制御素子には、ある切り替え機能が必要であり、また、プロセスの 不備を直す必要がある。いくつかの種類の位相制御素子があるが、しかしながら 、それらの全てにとって基本となるのは、光波長は、働きかかってくる外部信号 （電圧、電流、光または熱）を通じて影響を受けるということである。通常、い わゆる熱−光素子が用いられ、すなわち、屈折率およびそれ故に波長が、熱によ って影響を受ける。 本発明による波長選択スイッチは、その双方の接続の側にＭＭＩ導波路を備え るであろう。前記ＭＭＩ導波路は、その自由な側に、例えばいわゆる光信号用ア クセス導波路からなる数多くの入力を備えることができる。前記ＭＭＩ導波路の 間には、数多くのマッハ・ツェンダー導波路が配置される。続いてこれらのマッ ハ・ツェンダー導波路は、数多くの位相制御素子および数多くのブラッグ格子か らなる。位相制御素子の数は、伝送される波長チャンネルをどれでも制御したい というだけである場合には、ブラッグ格子の数よりも多いものであろう。反射さ れた波長チャンネルのみに関心が持たれる場合においては、位相制御素子とブラ ッグ格子の数は同じであるだろう。ブラッグ格子と位相制御素子の数は、各々の マッハ・ツェンダー導波路について等しいであろう。前記位相制御素子およびブ ラッグ格子からなる各マッハ・ツェンダー導波路は同一のものであって良い。 ＭＭＩ導波路の形と大きさおよびマッハ・ツェンダー導波路の長さを調整する ことによって、適当な位相制御素子を使って、第１のＭＭＩ導波路の入力からの 光信号を第２のＭＭＩ導波路の任意の出力へと向けることができる。 本発明の目的は、構造ができる限り簡素でコンパクトであって、それによって 従来技術に比べて製造費用が低減されるような波長選択スイッチを達成すること である。 本発明の利点は、電力損失が比較的低く保たれるであろうことである。 本発明の別の利点は、クロストークなどのような他の領域でのパフォーマンス も従来技術に比べて向上するであろうことである。 本発明は、好ましい実施例によって、また、添付の図面を参照して以下により 詳細に記述される。 図面の簡単な説明 図１は、本発明による波長選択スイッチの実施例を示す。 図２は、本発明による波長選択スイッチの第２の実施例を示す。 好ましい実施例の詳細な説明 図１には、本発明による波長選択スイッチが示されている。補助線Ａ−Ｋは、 本発明を記述するのに用いられる断面を示す。本実施例において、波長選択スイ ッチは、４つの異なる波長をお互いに独立して取り扱うことができる。波長選択 スイッチの第１の接続端において、第１のＭＭＩ導波路が配置され、また、波長 選択スイッチの他方の接続端に第２のＭＭＩ導波路２０が配置される。この実施 例の第１のＭＭＩ導波路１０は、１つ以上のアクセス導波路１１，１２，１３， １４からなり、また、第２のＭＭＩ導波路２０は、１つ以上のアクセス導波路２ １，２２，２３，２４からなる。第１のＭＭＩ導波路１０および第２のＭＭＩ導 波路２０との間には、４つのいわゆるマッハ・ツェンダー導波路３１，３２，３ ３，３４が配置される。前述のマッハ・ツェンダー導波路の各々は、４つの位相 制御素子５１，５３，５５，５７および３つのブラッグ格子６２，６４，６６か らなる。 前述の波長選択スイッチはもちろん、前述の実施例に示される４つの波長チャ ンネルの代わりに、Ｎ個の波長チャンネルからなるものにアップグレードしても 良い。しかしながら、一般的に、波長選択スイッチがＮ個の導波路チャンネルを お互いに独立して取り扱うことができるものとなるためには、Ｎ×（Ｎ−１）個 のブラッグ格子、Ｎ²個の位相制御素子およびＮ個のアクセス導波路からなって いて、各々が、ＭＭＩ導波路に接続して配置されなければならない。 断面Ａで、ＭＭＩ導波路１０に属するアクセス導波路１１上へと光が励振され るとする。ＭＭＩ導波路１０の長さは、断面Ａでのアクセス導波路１１からの光 強度のＮ個の画像が、断面Ｂに沿ってＭＭＩ導波路１０で達成されるように選択 される。続いて、ＭＭＩ導波路１０の構造および大きさが、アクセス導波路のも との分布の４つの画像、すなわちＮ＝４が、達成されるように選択される。もし 、アクセス導波路１１，１２，１３，１４がＭＭＩ導波路１０で正しく配置され ているならば、すなわちもしそれらが正しく位置づけられており、またマッハ・ ツェンダーのアーム３１，３２，３３，３４の断面の大きさおよび位置付けが正 しく選択されているならば、画像における大きなエネルギーの断片がマッハ・ツ ェンダー導波路３１，３２，３３，３４に接続される。これらの画像の最大エネ ルギーは、もし、完全な均一性が達成されるならば、断面Ａに沿ってエネルギー の１／Ｎ未満であり、すなわち、この場合において、断面Ａに沿ってのエネルギ ーの１／４未満である。この強度分布は、光が代わりに断面Ａに沿ってのアクセ ス導波路１２−１４のいずれかから励振されるとするならば、ほとんど違うもの とはならない。 対照的に、位相関係は、光がＭＭＩ導波路へと励振されるアクセス導波路に強 く依存する。この入力アクセス導波路依存の位相関係は、構成要素の機能性にと っての要である。相互関係によって、反対方向に、すなわち図１によると下から 上方向へ進む、断面Ｂでの対応する位相関係を有する光は、対応するアクセス導 波路に焦点を合わせられる。 補助線Ｄ、ＦおよびＨに沿っての断面は、ブラッグ格子の断面を表す。各補助 線に沿ってのブラッグ格子は、同一であろう。もしそれらが同一であるならば、 格子断面は、マッハ・ツェンダー導波路３１，３２，３３，３４の各々について 対応する補助線に沿って波長を反射する。反射された波長は、位相制御素子５１ ，５３，５５によって決められる位相関係を有してＭＭＩ１０へと戻る。 例えば、断面Ｄに沿ったブラッグ格子が、波長λ１を反射し、かつ断面Ｆに沿 ったブラッグ格子が波長λ２を反射するとすると、断面Ｃに沿った位相制御素子 ５１が、どのアクセス導波路１１−１４が波長λ２の出力となるか決定する。類 似した状況が断面Ｇに沿っても見られ、すなわち、前記断面Ｇに沿った位相制御 素子５５が、アクセス導波路１１−１４のどれが波長λ３の出力となるか決め、 それは、断面Ｈに沿ったブラッグ格子によって反射されたものである。 反対方向におけるＭＭＩ導波路１０への位相関係は、このように各波長につい て個別に選択することができ、すなわち各波長チャンネルは、他の波長チャンネ ルから独立して出力を指定することができる。このことはもちろん、例えば、断 面Ｅに沿った位相制御素子５３が、断面Ｃに沿った位相制御素子５１を補償でき 、また、断面Ｇに沿った位相制御素子５５が、断面ＣおよびＥに沿った位相制御 素子５１，５３をそれぞれ補償することができ、また、断面Ｉに沿った位相制御 素子５７が、断面Ｃ，ＥおよびＧに沿った位相制御素子５１，５３，５５をそれ ぞれ補償することができるということを意味する。一般に、各位相制御素子は、 同じマッハ・ツェンダー導波路に沿ったチャンネルの伝送ルートにおいてその前 に配置される位相制御素子を補償することができなければならない。 もちろん、補助線Ｃに沿った位相制御素子５１はまた、波長チャンネルλ２， λ３およびλ４に影響を与える。しかしながら、この補償は、当業者に知られて いる教示したがって、簡単にソフトウェアで制御することができ、そしてそれ故 にここでは詳細に記述しない。もし前記補償をソフトウェアで制御されるものと して望まないならば、位相制御素子５１，５３，５５，５７を連続して断面Ｃか ら断面Ｉに向かう方向に適切なやり方で拡張する可能性もまたある。 ブラッグ格子によって反射されない波長チャンネルは、ＭＭＩ２０に到達し、 そして補助線Ｊに沿った位相関係が、補助線Ｋに沿ったどの出力に対して、それ ぞれの波長チャンネルが励振されるか決定する。もし、マッハ・ツェンダー導波 路３１，３２，３３，３４の長さが等しければ、ＭＭＩ２０に到達する波長チャ ンネルが同じ出力に焦点を合わせられる。マッハ・ツェンダー導波路３１，３２ ，３３，３４の間での長さの違いはまた、ＭＭＩ１０に到達することなる波長が 、補助線Ｋに沿っての異なるアクセス導波路２１，２２，２３，２４に焦点を合 わせられるように選択することもできる。 図２には、本発明による波長選択スイッチの別の実施例が示されている。補助 線Ａ−Ｈは、本発明を説明するために用いられる断面を示す。この実施例は、Ｍ ＭＩ導波路１０および４つのマッハ・ツェンダー導波路３１，３２，３３，３４ からなる。ＭＭＩ導波路１０の一方の側に、４つのアクセス導波路１１，１２， １３，１４が配置される。前記アクセス導波路に関して反対の側に、前記マッハ ・ツェンダー導波路３１，３２，３３，３４が配置される。これらのマッハ・ツ ェンダー導波路３１，３２，３３，３４の各々には、３つのブラッグ格子６２， ６４，６６および３つの位相制御素子５１，５３，５５が配置される。 ある波長チャンネルが、ＭＭＩ導波路１０に配置されたアクセス導波路１１に 送られるとする。この波長チャンネルは、ＭＭＩ導波路を通過する。ＭＭＩ導波 路の長さおよび構造は、断面Ａでのアクセス導波路１１からの光強度のＮ個の画 像が、断面Ｂに沿ってＭＭＩ導波路で達成されるように選択される。この場合、 その長さと構造は、４つの画像が達成されるように選択されているとする。アク セス導波路１１，１２，１３，１４が、ＭＭＩ導波路１０で適正に配置されてい るならば、すなわち、もしそれらが正しく位置付けられており、またもしマッハ ・ツェンダー導波路３１，３２，３３，３４の断面の大きさおよび位置付けが正 しく選択されているならば、画像におけるエネルギーの大きな断片が、マッハ・ ツェンダー導波路３１，３２，３３，３４に接続される。これらの画像について の最大エネルギーは、もし完全な均一性が達成されているならば、断面Ａに沿っ てのエネルギーの１／Ｎ未満であり、すなわちこの場合は、断面Ａに沿ってのエ ネルギーの１／４未満である。この強度分布は、もし光が代わりに断面Ａに沿っ てのアクセス導波路１２−１４のいずれかから励振されているならば、ほんのわ ずかしか異ならない。 他方、位相関係は、どのアクセス導波路で、ＭＭＩ導波路へと光が励振されて いるかに強く依存する。この入力アクセス導波路依存の位相関係は、構成部品の 機能性にとっての要である。相互関係の故に、反対の方向に、すなわち図２によ るとき下から上方向に進行する、断面Ｂでの対応する位相関係を有する光は、対 応するアクセス導波路に焦点を合わせられる。 補助線Ｄ、ＦおよびＨに沿っての断面は、ブラッグ格子断面を表す。各補助線 に沿ってのブラッグ格子は同一であるかもしれない。もしそれらが同一であるな らば、格子断面は、マッハ・ツェンダー導波路３１，３２，３３，３４の各々に ついて対応する補助線に沿って波長を反射する。反射される波長は、位相制御素 子５１，５３，５５によって決定される位相関係を有してＭＭＩ１０に戻る。 例えば、断面Ｄに沿うブラッグ格子が波長λ１を反射し、また断面Ｆに沿うブ ラッグ格子が波長λ２を反射するとすると、断面Ｃに沿った位相制御素子５１は 、どのアクセス導波路１１−１４が、例えば、波長λ１の出力となるか決定し、 断面Ｅに沿った位相制御素子５３が、どのアクセス導波路１１−１４が、例えば 、波長λ２の出力となるかを決定する。類似した状況は、断面Ｇに沿っても見ら れ、すなわち、前記断面に沿っての関係する位相制御素子５５が、アクセス導波 路１１−１４のいずれのものが、波長λ３の出力となるかを決定し、そしてそれ は、断面Ｈに沿ったブラッグ格子によって反射されている。 反対方向において、ＭＭＩ導波路１０への位相関係は、このように各波長につ いて個別に選択されるかもしれず、すなわち、各波長チャンネルは、他の波長チ ャンネルから独立して出力を指定されるかもしれない。これはもちろん、例えば 断面Ｅに沿った位相制御素子５３が、断面Ｃに沿った位相制御素子５１を補償す ることができ、また、断面Ｇに沿った位相制御素子５３が、断面ＣおよびＥに沿 った位相制御素子５１，５３をそれぞれ補償できるということを意味する。一般 に、各位相制御素子は、同じマッハ・ツェンダー導波路に沿ったチャンネルの伝 送路において、その前に配置される位相制御素子を補償することができるもので ある。 またもちろん、補助線Ｃに沿った位相制御素子５１もまた、波長チャンネルλ ２，λ３およびλ４に影響を与えるという場合もある。しかしながら、この補償 は、当業者に良く知られている理論にしたがってソフトウェアで簡単に制御する ことができ、そしてそれ故に、ここではさらなる詳細については記述する必要が ないであろう。もし前記補償をソフトウェアで制御することを望まないならば、 位相制御素子５１，５３，５５を断面Ｃから断面Ｇに向かう方向に連続して適切 なやり方で拡張する可能性もまたある。 どのブラッグ格子によっても反射されない波長チャンネルは、関係するマッハ ・ツェンダー導波路３１，３２，３３，３４から励振される。 本発明を製造するのに適切であるような材料は、例えば、石英（ＳｉＯ₂）、 高分子化合物、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）または半導体システムである 。 本発明はもちろん、前述の、また図面に示される実施例に限定されるものでは なく、添付された請求の範囲の範囲内で変更されても良いものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，Ｍ Ｗ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ， ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，Ｅ Ｓ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ， ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，Ｍ Ｇ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ， ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，Ｙ Ｕ，ＺＷ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 1. 少なくとも１つのＭＭＩ導波路（１０，２０）、少なくとも２つのマッハ ・ツェンダー導波路（３１，３２，３３，３４）、各マッハ・ツェンダー導波路 について少なくとも１つのブラッグ格子（６２，６４，６６）および少なくとも １つの位相制御素子（５１，５３，５５，５７）からなり、前記マッハ・ツェン ダー導波路は、前記位相制御素子および前記ブラッグ格子からなっていて、少な くとも１つＭＭＩ導波路（１０，２０）に接続して配置されることを特徴とする 、光波長チャンネルを切り替えるための波長選択スイッチ。 2. １つ以上のアクセス導波路（１１，１２，１３，１４）が、ＭＭＩ導波路 （１０，２０）の自由コンタクト側の少なくとも１つに配置されていることを特 徴とする請求項１に記載の波長選択スイッチ。 3. ＭＭＩ導波路（１０，２０）の少なくとも１つに配置されるアクセス導波 路（１１，１２，１３，１４）の数と、マッハ・ツェンダー導波路（３１，３２ ，３３，３４）の数とが等しいことを特徴とする請求項２に記載の波長選択スイ ッチ。 4. ＭＭＩ導波路（１０，２０）の少なくとも１つに配置されるアクセス導波 路（１１，１２，１３，１４）の数と、マッハ・ツェンダー導波路（３１，３２ ，３３，３４）の数とが等しくないことを特徴とする請求項２に記載の波長選択 スイッチ。 5. 前記マッハ・ツェンダー導波路（３１，３２，３３，３４）が、第１（１ ０）および第２（２０）のＭＭＩ導波路の間に配置されることを特徴とする請求 項３または４に記載の波長選択スイッチ。 6. 前記第１（１０）および第２（２０）のＭＭＩ導波路の大きさおよび構造 が等しいことを特徴とする請求項５に記載の波長選択スイッチ。 7. 前記第１（１０）および第２（２０）のＭＭＩ導波管の大きさおよび構造 が異なることを特徴とする請求項５に記載の波長選択スイッチ。 8. 少なくとも１つのマッハ・ツェンダー導波路（３１，３２，３３，３４） が、Ｎ個の位相制御素子（５１，５３，５５，５７）およびＮ−１個のブラッグ 格子（６２，６４，６６）からなることを特徴とする請求項６または７に記載の 波長選択スイッチ。 9. 前記マッハ・ツェンダー導波路（３１，３２，３３，３４）が同一の長さ であることを特徴とする請求項８に記載の波長選択スイッチ。 10．少なくとも１つのマッハ・ツェンダー導波路（３１，３２，３３，３４） の長さが他のものの長さとは異なることを特徴とする請求項８に記載の波長選択 スイッチ。 11．各マッハ・ツェンダー導波路（３１，３２，３３，３４）が、Ｎ個の位相 制御素子（５１，５５３，５５，５７）およびＮ−１個のブラッグ格子（６２， ６４，６６）からなることを特徴とする請求項６または７に記載の波長選択スイ ッチ。 12．マッハ・ツェンダー導波路（３１，３２，３３，３４）が同一の長さであ ることを特徴とする請求項１１に記載の波長選択スイッチ。 13．少なくとも１つのマッハ・ツェンダー導波路（３１，３２，３３，３４） の長さが他のものの長さとは異なることを特徴とする請求項１１に記載の波長選 択スイッチ。 14．前記マッハ・ツェンダー導波路（３１，３２，３３，３４）に配置される 位相制御素子（５１，５３，５５，５７）が等しいことを特徴とする請求項１２ または１３に記載の波長選択スイッチ。 15．光ネットワークにおいて、光波長チャンネルを切り替える方法であって、 前記光波長チャンネルが、第１のＭＭＩ導波路に配置されるアクセス導波路へ と励振されるステップと、 前記光波長チャンネルが、前記第１のＭＭＩ導波路を通して伝送され、かつ前 記アクセス導波路に関して反対の側に配置される少なくとも１つのマッハ・ツェ ンダー導波路に描写されるステップと、 前記光導波チャンネルが、前記マッハ・ツェンダー導波路を通して伝送される ステップと、 前記光波長チャンネルの少なくとも１つの位相が、マッハ・ツェンダー導波路 に配置される位相制御素子によって変えられるステップと、 少なくとも１つの光波長チャンネルが、マッハ・ツェンダー導波路に配置され る少なくとも１つのブラッグ格子によって反射されるステップと からなる前記方法。 16．少なくとも１つの波長チャンネルが、マッハ・ツェンダー導波路中に配置 される前記ブラッグ格子および位相制御素子を通して伝送され、第２のＭＭＩ導 波路に到達し、また、前記伝送された波長チャンネルが、前記第２のＭＭＩ導波 路に配置される少なくとも１つのアクセス導波路から励振されることを特徴とす る請求項１５に記載の方法。 17．前記位相制御素子は、前記第１および前記第２のＭＭＩ導波路のそれぞれ のどのアクセス導波路に、前記波長チャンネルが伝送されるかを制御することを 特徴とする請求項１６に記載の方法。 18．ブラッグ格子において反射されない波長チャンネルが、前記ブラッグ格子 との関係で以下に続く位相制御素子の少なくとも１つにおいて、前記ブラッグ格 子の前の少なくとも１つの位相制御素子によって引き起こされたひずみを補償さ れることを特徴とする請求項１７に記載の方法。 19．ブラッグ格子において反射されない波長チャンネルが、ソフトウェア手段 によって少なくとも１つの位相制御素子によって引き起こされたひずみをソフト ウェアで補償されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。 20．ブラッグ格子において反射されない波長チャンネルが、前記マッハ・ツェ ンダー導波路の長さが同じであるとき、前記マッハ・ツェンダー波長の関係する ブラッグ格子との関係で等しい位置に配置される前記位相制御素子が等しいとき 、および前記第２のＭＭＩ導波路の大きさおよび構造が正しく選択されていると き、前記第２のＭＭＩ導波路に配置されるのと同じアクセス導波路から励振され るものであることを特徴とする請求項１８または１９に記載の方法。 21．ブラッグ格子において反射されない波長チャンネルが、前記マッハ・ツェ ンダー導波路の長さが異なるとき、前記マッハ・ツェンダー導波路の関係するブ ラッグ格子との関係で等しい位置に配置される前記位相制御素子が等しいとき、 および前記第２のＭＭＩ導波路の大きさおよび構造が正しく選択されているとき 、前記第２のＭＭＩ導波路に配置される異なるアクセス導波路へと励振されるも の であることを特徴とする請求項１８または１９に記載の方法。