JP2001352098A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001352098A JP2001352098A JP2000170175A JP2000170175A JP2001352098A JP 2001352098 A JP2001352098 A JP 2001352098A JP 2000170175 A JP2000170175 A JP 2000170175A JP 2000170175 A JP2000170175 A JP 2000170175A JP 2001352098 A JP2001352098 A JP 2001352098A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- light
- fluorescent layer
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
- H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 白色光を取り出すことが可能でかつ製造が容
易であるとともに高い信頼性を有する半導体発光素子お
よびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 発光ダイオード素子１００は、サファイ
ア基板１上にバッファ層２、ＳｉドープＧａＮ蛍光層
３、ｎ−ＧａＮ層４、ＭＱＷ発光層５およびｐ−ＧａＮ
層６が順に積層されてなる。ＳｉドープＧａＮ蛍光層３
は、十分に良好な結晶性を有する通常のＳｉドープＧａ
Ｎ層に比べて、高濃度のＳｉがドープされている。この
ようなＳｉドープＧａＮ蛍光層３は、ＭＱＷ発光層５に
おいて発生した青色光により励起され、黄色光を発す
る。この黄色光は、ＭＱＷ発光層５で発生した青色光と
補色関係にある。
易であるとともに高い信頼性を有する半導体発光素子お
よびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 発光ダイオード素子１００は、サファイ
ア基板１上にバッファ層２、ＳｉドープＧａＮ蛍光層
３、ｎ−ＧａＮ層４、ＭＱＷ発光層５およびｐ−ＧａＮ
層６が順に積層されてなる。ＳｉドープＧａＮ蛍光層３
は、十分に良好な結晶性を有する通常のＳｉドープＧａ
Ｎ層に比べて、高濃度のＳｉがドープされている。この
ようなＳｉドープＧａＮ蛍光層３は、ＭＱＷ発光層５に
おいて発生した青色光により励起され、黄色光を発す
る。この黄色光は、ＭＱＷ発光層５で発生した青色光と
補色関係にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＢＮ（窒化ホウ
素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニ
ウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）もしくはＴｌＮ（窒
化タリウム）またはこれらの混晶等のIII −Ｖ族窒化物
系半導体（以下、窒化物系半導体と呼ぶ）からなり白色
発光が可能な半導体発光素子およびその製造方法に関す
る。
素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニ
ウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）もしくはＴｌＮ（窒
化タリウム）またはこれらの混晶等のIII −Ｖ族窒化物
系半導体（以下、窒化物系半導体と呼ぶ）からなり白色
発光が可能な半導体発光素子およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】低消費電力、高信頼性および長寿命の白
色光源として、発光ダイオード素子を用いた白色発光デ
バイスの開発が進められている。
色光源として、発光ダイオード素子を用いた白色発光デ
バイスの開発が進められている。
【０００３】例えば、白色発光する発光装置として、光
の３原色である赤色、緑色および青色の光をそれぞれ発
する３種類の発光ダイオード素子を同一ステム上に配置
してなる発光装置がある。このような発光装置において
は、各発光ダイオード素子が発する３種類の光を混合す
ることにより、白色発光が得られる。
の３原色である赤色、緑色および青色の光をそれぞれ発
する３種類の発光ダイオード素子を同一ステム上に配置
してなる発光装置がある。このような発光装置において
は、各発光ダイオード素子が発する３種類の光を混合す
ることにより、白色発光が得られる。
【０００４】また、特開平９−２３２６２７号において
は、赤色、青色および緑色の光をそれぞれ発する３種類
の発光層を同一基板上に作製してなる発光ダイオード素
子が開示されている。このような発光ダイオード素子に
おいては、各発光層が発する３種類の光を混合すること
により、白色発光が得られる。
は、赤色、青色および緑色の光をそれぞれ発する３種類
の発光層を同一基板上に作製してなる発光ダイオード素
子が開示されている。このような発光ダイオード素子に
おいては、各発光層が発する３種類の光を混合すること
により、白色発光が得られる。
【０００５】また、特開平１０−９７２００号において
は、青色発光する発光ダイオード素子と蛍光体とを組み
合わせることにより白色発光を得る方法が開示されてい
る。この場合、例えば、青色発光するＧａＮ系発光ダイ
オード素子の作製時の樹脂モールド工程において、発光
ダイオード素子の表面にＹＡＧ系等の蛍光体を塗布す
る。
は、青色発光する発光ダイオード素子と蛍光体とを組み
合わせることにより白色発光を得る方法が開示されてい
る。この場合、例えば、青色発光するＧａＮ系発光ダイ
オード素子の作製時の樹脂モールド工程において、発光
ダイオード素子の表面にＹＡＧ系等の蛍光体を塗布す
る。
【０００６】一方、ＺｎＳｅ系発光ダイオード素子にお
いては、ＺｎＳｅ系材料からなる発光層の青色発光とＺ
ｎＳｅ基板の黄色蛍光とを組み合わせることにより白色
発光を得る方法が考案されている。
いては、ＺｎＳｅ系材料からなる発光層の青色発光とＺ
ｎＳｅ基板の黄色蛍光とを組み合わせることにより白色
発光を得る方法が考案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のような異なる色
の光を発する３種類の発光ダイオード素子が形成されて
なる発光装置においては、白色発光を得るために、複数
の発光ダイオード素子を形成する必要がある。このた
め、発光装置の製造工程が複雑であり、装置の製造に時
間およびコストがかかる。
の光を発する３種類の発光ダイオード素子が形成されて
なる発光装置においては、白色発光を得るために、複数
の発光ダイオード素子を形成する必要がある。このた
め、発光装置の製造工程が複雑であり、装置の製造に時
間およびコストがかかる。
【０００８】また、特開平９−２３２６２７号に開示さ
れた３種類の発光層を有する発光ダイオード素子におい
ては、３種類の発光層を形成するので製造工程が複雑で
あり、製造に時間およびコストがかかる。また、この場
合、赤色発光する発光層を形成するためにはＩｎＧａＮ
から構成される発光層のＩｎ組成を非常に高くする必要
があるが、このようなＩｎ組成の高い発光層は結晶成長
が困難である。
れた３種類の発光層を有する発光ダイオード素子におい
ては、３種類の発光層を形成するので製造工程が複雑で
あり、製造に時間およびコストがかかる。また、この場
合、赤色発光する発光層を形成するためにはＩｎＧａＮ
から構成される発光層のＩｎ組成を非常に高くする必要
があるが、このようなＩｎ組成の高い発光層は結晶成長
が困難である。
【０００９】青色発光する発光ダイオード素子と蛍光体
とを組み合わせる特開平１０−９７２００号の方法にお
いては、半導体層の成長工程とは別に、蛍光体の塗布工
程が必要となる。このため、発光ダイオード素子の製造
工程が複雑となり、発光ダイオード素子の製造に時間お
よびコストがかかる。
とを組み合わせる特開平１０−９７２００号の方法にお
いては、半導体層の成長工程とは別に、蛍光体の塗布工
程が必要となる。このため、発光ダイオード素子の製造
工程が複雑となり、発光ダイオード素子の製造に時間お
よびコストがかかる。
【００１０】一方、ＺｎＳｅ系材料からなる発光層の青
色発光とＺｎＳｅ基板の黄色蛍光とを組み合わせてなる
ＺｎＳｅ系の白色発光ダイオード素子においては、連続
通電した際のＺｎＳｅ系材料の劣化が著しいことから、
発光ダイオード素子の寿命が短く信頼性が低い。
色発光とＺｎＳｅ基板の黄色蛍光とを組み合わせてなる
ＺｎＳｅ系の白色発光ダイオード素子においては、連続
通電した際のＺｎＳｅ系材料の劣化が著しいことから、
発光ダイオード素子の寿命が短く信頼性が低い。
【００１１】本発明の目的は、白色光を取り出すことが
可能でかつ製造が容易であるとともに高い信頼性を有す
る半導体発光素子およびその製造方法を提供することで
ある。
可能でかつ製造が容易であるとともに高い信頼性を有す
る半導体発光素子およびその製造方法を提供することで
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明
に係る半導体発光素子は、III 族窒化物系半導体からな
りキャリアの注入により発光する発光層と、III 族窒化
物系半導体からなり発光層において発生した光により励
起されて発光する蛍光層とを備え、発光層において発生
する光のピーク波長と蛍光層において発生する光のピー
ク波長とが異なるものである。
に係る半導体発光素子は、III 族窒化物系半導体からな
りキャリアの注入により発光する発光層と、III 族窒化
物系半導体からなり発光層において発生した光により励
起されて発光する蛍光層とを備え、発光層において発生
する光のピーク波長と蛍光層において発生する光のピー
ク波長とが異なるものである。
【００１３】本発明に係る半導体発光素子においては、
発光層および蛍光層から発せられる光のピーク波長が互
いに異なるため、両者を混合して取り出すことにより、
白色発光が容易に得られる。
発光層および蛍光層から発せられる光のピーク波長が互
いに異なるため、両者を混合して取り出すことにより、
白色発光が容易に得られる。
【００１４】このような半導体発光素子の製造時におい
ては、発光層と蛍光層とを同様の方法により連続して成
長させることが可能である。したがって、上記の半導体
発光素子は製造が容易であり、高い歩留りおよび低コス
トでの製造が可能である。
ては、発光層と蛍光層とを同様の方法により連続して成
長させることが可能である。したがって、上記の半導体
発光素子は製造が容易であり、高い歩留りおよび低コス
トでの製造が可能である。
【００１５】また、上記の半導体発光素子は、発光層お
よび蛍光層が化学的に安定な材料であるIII 族窒化物系
半導体から構成される。このため、上記の半導体発光素
子においては、通電を行っても発光層および蛍光層が劣
化しない。したがって、長寿命化が図られ高い信頼性を
有する半導体発光素子が実現できる。
よび蛍光層が化学的に安定な材料であるIII 族窒化物系
半導体から構成される。このため、上記の半導体発光素
子においては、通電を行っても発光層および蛍光層が劣
化しない。したがって、長寿命化が図られ高い信頼性を
有する半導体発光素子が実現できる。
【００１６】特に、発光層において発生する光と蛍光層
において発生する光とが互いに補色関係にあることが好
ましい。この場合、発光層および蛍光層から発せられる
光を混合して取り出すことにより、白色発光が容易に得
られる。
において発生する光とが互いに補色関係にあることが好
ましい。この場合、発光層および蛍光層から発せられる
光を混合して取り出すことにより、白色発光が容易に得
られる。
【００１７】発光層において発生した光が蛍光層を透過
して取り出されるように発光層および蛍光層が配置され
ることが好ましい。それにより、発光層において発生し
た光が蛍光層において発生した光と混合され、白色発光
が得られる。
して取り出されるように発光層および蛍光層が配置され
ることが好ましい。それにより、発光層において発生し
た光が蛍光層において発生した光と混合され、白色発光
が得られる。
【００１８】蛍光層上に発光層が形成され、蛍光層にお
いて発生した光および発光層において発生した光が蛍光
層側から取り出されてもよい。また、発光層上に蛍光層
が形成され、発光層において発生した光および蛍光層に
おいて発生した光が蛍光層側から取り出されてもよい。
いて発生した光および発光層において発生した光が蛍光
層側から取り出されてもよい。また、発光層上に蛍光層
が形成され、発光層において発生した光および蛍光層に
おいて発生した光が蛍光層側から取り出されてもよい。
【００１９】ここで、発光層上に蛍光層が形成された半
導体発光素子においては、良好な結晶性を有する発光層
がまず形成され、続いてその上に蛍光層が形成される。
このため、このような半導体発光素子においては、発光
層が蛍光層の結晶性の影響を受けず、発光層において十
分良好な結晶性が実現される。したがって、このような
半導体発光素子においては、素子特性の向上がさらに図
られる。
導体発光素子においては、良好な結晶性を有する発光層
がまず形成され、続いてその上に蛍光層が形成される。
このため、このような半導体発光素子においては、発光
層が蛍光層の結晶性の影響を受けず、発光層において十
分良好な結晶性が実現される。したがって、このような
半導体発光素子においては、素子特性の向上がさらに図
られる。
【００２０】III 族窒化物系半導体はアルミニウム、ガ
リウムおよびインジウムの少なくとも１つを含んでもよ
い。このようなIII 族窒化物系半導体から構成される発
光層においては、組成を調整することにより、発光波長
を３８０〜６５０ｎｍの任意の波長に設定することが可
能である。この場合、蛍光層においては、発光層から発
生する光と補色関係にある波長の光を発するように組成
が設定される。
リウムおよびインジウムの少なくとも１つを含んでもよ
い。このようなIII 族窒化物系半導体から構成される発
光層においては、組成を調整することにより、発光波長
を３８０〜６５０ｎｍの任意の波長に設定することが可
能である。この場合、蛍光層においては、発光層から発
生する光と補色関係にある波長の光を発するように組成
が設定される。
【００２１】蛍光層はシリコンがドープされた窒化ガリ
ウムからなってもよい。この蛍光層は、十分に良好な結
晶性を有するシリコンドープの窒化ガリウムよりも高濃
度のシリコンがドープされてなり、良好な蛍光特性を有
する。このような蛍光層が発光層において発生した光に
より励起されると、波長５５０〜６５０ｎｍ付近の強い
黄色光を発生する。この場合、発生した黄色光は発光層
において発生した光と補色関係にあるため、両者を混合
して取り出すことにより、白色光を得ることができる。
ウムからなってもよい。この蛍光層は、十分に良好な結
晶性を有するシリコンドープの窒化ガリウムよりも高濃
度のシリコンがドープされてなり、良好な蛍光特性を有
する。このような蛍光層が発光層において発生した光に
より励起されると、波長５５０〜６５０ｎｍ付近の強い
黄色光を発生する。この場合、発生した黄色光は発光層
において発生した光と補色関係にあるため、両者を混合
して取り出すことにより、白色光を得ることができる。
【００２２】また、蛍光層は炭素がドープされた窒化ガ
リウムからなってもよい。このように炭素がドープされ
た窒化ガリウムからなる蛍光層は、良好な蛍光特性を有
する。この蛍光層が発光層において発生した光により励
起されると、波長５５０〜６５０ｎｍ付近の強い黄色光
を発生する。この場合、発生した黄色光は発光層におい
て発生した光と補色関係にあるため、両者を混合して取
り出すことにより、白色光を得ることができる。
リウムからなってもよい。このように炭素がドープされ
た窒化ガリウムからなる蛍光層は、良好な蛍光特性を有
する。この蛍光層が発光層において発生した光により励
起されると、波長５５０〜６５０ｎｍ付近の強い黄色光
を発生する。この場合、発生した黄色光は発光層におい
て発生した光と補色関係にあるため、両者を混合して取
り出すことにより、白色光を得ることができる。
【００２３】また、蛍光層はアンドープの窒化ガリウム
からなってもよい。この蛍光層は、成長時に供給される
原料ガス中の窒素元素とガリウム元素との比が十分に良
好な結晶性を有するアンドープの窒化ガリウムの成長時
よりも低く設定された状態で形成されてなり、良好な蛍
光特性を有する。この蛍光層が発光層において発生した
光により励起されると、波長５５０〜６５０ｎｍ付近の
強い黄色光を発生する。この場合、発生した黄色光は発
光層において発生した光と補色関係にあるため、両者を
混合して取り出すことにより、白色光を得ることができ
る。
からなってもよい。この蛍光層は、成長時に供給される
原料ガス中の窒素元素とガリウム元素との比が十分に良
好な結晶性を有するアンドープの窒化ガリウムの成長時
よりも低く設定された状態で形成されてなり、良好な蛍
光特性を有する。この蛍光層が発光層において発生した
光により励起されると、波長５５０〜６５０ｎｍ付近の
強い黄色光を発生する。この場合、発生した黄色光は発
光層において発生した光と補色関係にあるため、両者を
混合して取り出すことにより、白色光を得ることができ
る。
【００２４】本発明に係る半導体発光素子の製造方法
は、III 族窒化物系半導体からなりキャリアの注入によ
り発光する発光層を形成する工程と、III 族窒化物系半
導体からなり、発光層において発生した光により励起さ
れて発光層で発生した光のピーク波長と異なるピーク波
長を有する光を発する蛍光層を形成する工程とを備えた
ものである。
は、III 族窒化物系半導体からなりキャリアの注入によ
り発光する発光層を形成する工程と、III 族窒化物系半
導体からなり、発光層において発生した光により励起さ
れて発光層で発生した光のピーク波長と異なるピーク波
長を有する光を発する蛍光層を形成する工程とを備えた
ものである。
【００２５】本発明に係る半導体発光素子の製造方法に
より製造された半導体発光素子においては、発光層およ
び蛍光層から発せられる光のピーク波長が互いに異なる
ため、両者を混合して取り出すことにより白色発光が容
易に得られる。
より製造された半導体発光素子においては、発光層およ
び蛍光層から発せられる光のピーク波長が互いに異なる
ため、両者を混合して取り出すことにより白色発光が容
易に得られる。
【００２６】上記の半導体発光素子の製造方法によれ
ば、発光層と蛍光層とを同様の方法により連続して成長
させることが可能である。したがって、半導体発光素子
の製造が容易であり、高い歩留りおよび低コスト化が実
現できる。
ば、発光層と蛍光層とを同様の方法により連続して成長
させることが可能である。したがって、半導体発光素子
の製造が容易であり、高い歩留りおよび低コスト化が実
現できる。
【００２７】また、上記の方法により製造された半導体
発光素子は、発光層および蛍光層が化学的に安定な材料
であるIII 族窒化物系半導体から構成されるため、通電
を行っても発光層および蛍光層は劣化しない。したがっ
て、上記の方法によれば、長寿命化が図られ高い信頼性
を有する半導体発光素子が実現できる。
発光素子は、発光層および蛍光層が化学的に安定な材料
であるIII 族窒化物系半導体から構成されるため、通電
を行っても発光層および蛍光層は劣化しない。したがっ
て、上記の方法によれば、長寿命化が図られ高い信頼性
を有する半導体発光素子が実現できる。
【００２８】特に、発光層において発生する光と蛍光層
において発生する光とが互いに補色関係にあることが好
ましい。この場合、発光層および蛍光層から発せられる
光を混合して取り出すことにより、白色発光が容易に得
られる。
において発生する光とが互いに補色関係にあることが好
ましい。この場合、発光層および蛍光層から発せられる
光を混合して取り出すことにより、白色発光が容易に得
られる。
【００２９】蛍光層を形成する工程はIII 族窒化物系半
導体にシリコンをドープする工程を含み、ドープするシ
リコンの濃度を、III 族窒化物系半導体が蛍光特性を示
す値に設定してもよい。また、蛍光層を形成する工程は
III 族窒化物系半導体に炭素をドープする工程を含んで
もよい。また、蛍光層を形成する工程は、窒素元素とII
I 族元素とを含む原料ガスを供給する工程を含み、供給
する原料ガス中の窒素元素とIII 族元素との比を、III
族窒化物系半導体が蛍光特性を示す値に設定してもよ
い。
導体にシリコンをドープする工程を含み、ドープするシ
リコンの濃度を、III 族窒化物系半導体が蛍光特性を示
す値に設定してもよい。また、蛍光層を形成する工程は
III 族窒化物系半導体に炭素をドープする工程を含んで
もよい。また、蛍光層を形成する工程は、窒素元素とII
I 族元素とを含む原料ガスを供給する工程を含み、供給
する原料ガス中の窒素元素とIII 族元素との比を、III
族窒化物系半導体が蛍光特性を示す値に設定してもよ
い。
【００３０】以上の方法によれば、良好な蛍光特性を示
す蛍光層を形成することが可能となる。
す蛍光層を形成することが可能となる。
【００３１】III 族窒化物系半導体はアルミニウム、ガ
リウムおよびインジウムの少なくとも１つを含んでもよ
い。このようなIII 族窒化物系半導体から構成される発
光層においては、組成を調整することにより、発光波長
を３８０〜６５０ｎｍの任意の波長に設定することが可
能となる。この場合、蛍光層が発光層において発生する
光と補色関係にある波長の光を発するように蛍光層の組
成を設定する。
リウムおよびインジウムの少なくとも１つを含んでもよ
い。このようなIII 族窒化物系半導体から構成される発
光層においては、組成を調整することにより、発光波長
を３８０〜６５０ｎｍの任意の波長に設定することが可
能となる。この場合、蛍光層が発光層において発生する
光と補色関係にある波長の光を発するように蛍光層の組
成を設定する。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下においては、本発明に係る半
導体発光素子として、発光ダイオード素子について説明
する。
導体発光素子として、発光ダイオード素子について説明
する。
【００３３】図１は本発明の第１の実施例における発光
ダイオード素子を示す模式的な断面図である。
ダイオード素子を示す模式的な断面図である。
【００３４】図１に示す発光ダイオード素子１００を作
製する際には、まず、サファイア基板１上に、後述の各
層２〜６をＭＯＣＶＤ法（有機金属化学的気相成長法）
により成長させる。この場合においては、原料ガスとし
て、例えばトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリ
メチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルインジウム
（ＴＭＩｎ）、ＮＨ3 、シランガス（ＳｉＨ4 ）および
シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を用
いる。
製する際には、まず、サファイア基板１上に、後述の各
層２〜６をＭＯＣＶＤ法（有機金属化学的気相成長法）
により成長させる。この場合においては、原料ガスとし
て、例えばトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリ
メチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルインジウム
（ＴＭＩｎ）、ＮＨ3 、シランガス（ＳｉＨ4 ）および
シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を用
いる。
【００３５】以下に、発光ダイオード素子１００の製造
方法の詳細について説明する。まず、基板温度を６００
℃に保ち、サファイア基板１のＣ（０００１）面上にＡ
ｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎからなるバッファ層２を膜厚１５ｎｍ
程度成長させる。次に、基板温度を１１５０℃に保ち、
膜厚１μｍのＳｉドープＧａＮ蛍光層３をバッファ層２
上に成長させる。
方法の詳細について説明する。まず、基板温度を６００
℃に保ち、サファイア基板１のＣ（０００１）面上にＡ
ｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎからなるバッファ層２を膜厚１５ｎｍ
程度成長させる。次に、基板温度を１１５０℃に保ち、
膜厚１μｍのＳｉドープＧａＮ蛍光層３をバッファ層２
上に成長させる。
【００３６】ここで、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の成長
時においては、十分に良好な結晶性を有する通常のＳｉ
ドープＧａＮ層の最適な成長条件に比べて、Ｓｉ源であ
るＳｉＨ4 の供給流量を１桁程度大きく設定する。
時においては、十分に良好な結晶性を有する通常のＳｉ
ドープＧａＮ層の最適な成長条件に比べて、Ｓｉ源であ
るＳｉＨ4 の供給流量を１桁程度大きく設定する。
【００３７】例えば、通常のＳｉドープＧａＮ層の成長
時においてはＳｉＨ4 の供給流量を１．７ｓｃｃｍとす
るのに対して、本例のＳｉドープＧａＮ蛍光層３の成長
時においてはＳｉＨ4 の供給流量を１７ｓｃｃｍとす
る。このようにＳｉＨ4 の供給流量を大きくすることに
より、通常のＳｉドープＧａＮ層に比べてＳｉが過剰に
ドープされてなるＳｉドープＧａＮ蛍光層３が形成され
る。このようなＳｉドープＧａＮ蛍光層３は良好な蛍光
特性を示す。
時においてはＳｉＨ4 の供給流量を１．７ｓｃｃｍとす
るのに対して、本例のＳｉドープＧａＮ蛍光層３の成長
時においてはＳｉＨ4 の供給流量を１７ｓｃｃｍとす
る。このようにＳｉＨ4 の供給流量を大きくすることに
より、通常のＳｉドープＧａＮ層に比べてＳｉが過剰に
ドープされてなるＳｉドープＧａＮ蛍光層３が形成され
る。このようなＳｉドープＧａＮ蛍光層３は良好な蛍光
特性を示す。
【００３８】なお、この場合、ＳｉドープＧａＮ蛍光層
３の成長時におけるＮＨ3 の供給流量とＴＭＧａの供給
流量との比（Ｖ／III ）は、十分に良好な結晶性を有す
る通常のＳｉドープＧａＮ層の成長時と同様、５０００
に設定する。
３の成長時におけるＮＨ3 の供給流量とＴＭＧａの供給
流量との比（Ｖ／III ）は、十分に良好な結晶性を有す
る通常のＳｉドープＧａＮ層の成長時と同様、５０００
に設定する。
【００３９】ここで、上記のようにして成長させたＳｉ
ドープＧａＮ蛍光層３に波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレ
ーザ光を照射して励起させると、ＳｉドープＧａＮ蛍光
層３において、図２に示すような波長６００ｎｍ付近を
中心としたブロードなスペクトルを有する黄色蛍光が得
られる。
ドープＧａＮ蛍光層３に波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレ
ーザ光を照射して励起させると、ＳｉドープＧａＮ蛍光
層３において、図２に示すような波長６００ｎｍ付近を
中心としたブロードなスペクトルを有する黄色蛍光が得
られる。
【００４０】次に、基板温度を１１５０℃に保ち、膜厚
３μｍ程度のＳｉドープＧａＮからなるｎ−ＧａＮ層４
をＳｉドープＧａＮ蛍光層３上に成長させる。さらに、
基板温度を８８０℃に保った状態で、ｎ−ＧａＮ層４上
にＩｎＧａＮからなるＭＱＷ（多重量子井戸）発光層５
を成長させる。
３μｍ程度のＳｉドープＧａＮからなるｎ−ＧａＮ層４
をＳｉドープＧａＮ蛍光層３上に成長させる。さらに、
基板温度を８８０℃に保った状態で、ｎ−ＧａＮ層４上
にＩｎＧａＮからなるＭＱＷ（多重量子井戸）発光層５
を成長させる。
【００４１】この場合、ＭＱＷ発光層５は、膜厚６ｎｍ
程度の５つのアンドープＧａＮ障壁層と膜厚３ｎｍ程度
の４つのアンドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ井戸層とが交互
に積されてなる多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
程度の５つのアンドープＧａＮ障壁層と膜厚３ｎｍ程度
の４つのアンドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ井戸層とが交互
に積されてなる多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
【００４２】続いて、基板温度を１１５０℃に保ち、膜
厚０．２μｍ程度のＭｇドープＧａＮからなるｐ−Ｇａ
Ｎ層６をＭＱＷ発光層５上に成長させる。
厚０．２μｍ程度のＭｇドープＧａＮからなるｐ−Ｇａ
Ｎ層６をＭＱＷ発光層５上に成長させる。
【００４３】なお、ここではＭＱＷ発光層５上にｐ−Ｇ
ａＮ層６を形成しているが、ＭＱＷ発光層５上にＭｇド
ープＡｌＧａＮからなるｐ−ＡｌＧａＮ層を形成し、こ
のｐ−ＡｌＧａＮ層上にｐ−ＧａＮ層６を形成してもよ
い。
ａＮ層６を形成しているが、ＭＱＷ発光層５上にＭｇド
ープＡｌＧａＮからなるｐ−ＡｌＧａＮ層を形成し、こ
のｐ−ＡｌＧａＮ層上にｐ−ＧａＮ層６を形成してもよ
い。
【００４４】次に、ｐ−ＧａＮ層６の上面全体に、例え
ばＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマＣＶＤ法
により、ＳｉＯ2 等のＳｉ酸化物からなる膜を形成す
る。例えば、この場合においては、膜厚０．２μｍ程度
のＳｉＯ2 膜を形成する。
ばＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマＣＶＤ法
により、ＳｉＯ2 等のＳｉ酸化物からなる膜を形成す
る。例えば、この場合においては、膜厚０．２μｍ程度
のＳｉＯ2 膜を形成する。
【００４５】続いて、上記のＳｉＯ2 膜において、フォ
トリソグラフィ技術とＢＨＦ（フッ化水素酸緩衝液）に
よるウェットエッチング法とを用い、幅が２５０μｍ程
度のストライプ状の領域を残してこれ以外の領域を除去
し、ｐ−ＧａＮ層６を露出させる。このようにして、ｐ
−ＧａＮ層６の所定領域上に、ＳｉＯ2 膜からなるマス
クを形成する。
トリソグラフィ技術とＢＨＦ（フッ化水素酸緩衝液）に
よるウェットエッチング法とを用い、幅が２５０μｍ程
度のストライプ状の領域を残してこれ以外の領域を除去
し、ｐ−ＧａＮ層６を露出させる。このようにして、ｐ
−ＧａＮ層６の所定領域上に、ＳｉＯ2 膜からなるマス
クを形成する。
【００４６】上記のＳｉＯ2 膜マスクを用いて、例えば
ＣＦ4 をエッチングガスとして用いたＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）法により、ＳｉＯ2 膜マスクが形成さ
れていない領域のｐ−ＧａＮ層６からｎ−ＧａＮ層４ま
でを除去し、ｎ−ＧａＮ層４を露出させる。その後、フ
ッ酸系エッチャントにより、ＳｉＯ2 膜マスクを除去す
る。
ＣＦ4 をエッチングガスとして用いたＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）法により、ＳｉＯ2 膜マスクが形成さ
れていない領域のｐ−ＧａＮ層６からｎ−ＧａＮ層４ま
でを除去し、ｎ−ＧａＮ層４を露出させる。その後、フ
ッ酸系エッチャントにより、ＳｉＯ2 膜マスクを除去す
る。
【００４７】さらに、露出したｎ−ＧａＮ層４上に、例
えば膜厚１０ｎｍのＴｉ膜および膜厚５００ｎｍのＡｌ
膜をこの順に積層し、ｎ側電極８を形成する。また、ｐ
−ＧａＮ層６上に、例えば膜厚３０ｎｍのＰｄ膜および
膜厚５００ｎｍのＡｕ膜をこの順に積層し、ｐ側電極７
を形成する。
えば膜厚１０ｎｍのＴｉ膜および膜厚５００ｎｍのＡｌ
膜をこの順に積層し、ｎ側電極８を形成する。また、ｐ
−ＧａＮ層６上に、例えば膜厚３０ｎｍのＰｄ膜および
膜厚５００ｎｍのＡｕ膜をこの順に積層し、ｐ側電極７
を形成する。
【００４８】以上のような方法により、ＭＱＷ発光層５
とＳｉドープＧａＮ蛍光層３とを備えた発光ダイオード
素子１００が作製される。
とＳｉドープＧａＮ蛍光層３とを備えた発光ダイオード
素子１００が作製される。
【００４９】発光ダイオード素子１００においては、Ｍ
ＱＷ発光層５において波長４５０ｎｍの青色光が発生す
る。一方、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３は、ＭＱＷ発光層
５で発生した青色光により励起され、図２に示すような
波長６００ｎｍ付近を中心としたブロードなスペクトル
を有する黄色光を発生する。
ＱＷ発光層５において波長４５０ｎｍの青色光が発生す
る。一方、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３は、ＭＱＷ発光層
５で発生した青色光により励起され、図２に示すような
波長６００ｎｍ付近を中心としたブロードなスペクトル
を有する黄色光を発生する。
【００５０】ここで、ＭＱＷ発光層５で発生した波長４
５０ｎｍの青色光と、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３で発生
した波長６００ｎｍ付近の黄色光とは、色度図上におい
て互いに補色関係にある。したがって、このような補色
関係にある青色光と黄色光とを発光ダイオード素子１０
０のサファイア基板１側から観測すると、青色光と黄色
光とが混ざり合い、結果として白色光が観測される。
５０ｎｍの青色光と、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３で発生
した波長６００ｎｍ付近の黄色光とは、色度図上におい
て互いに補色関係にある。したがって、このような補色
関係にある青色光と黄色光とを発光ダイオード素子１０
０のサファイア基板１側から観測すると、青色光と黄色
光とが混ざり合い、結果として白色光が観測される。
【００５１】以上のように、ＭＱＷ発光層５とＳｉドー
プＧａＮ蛍光層３とが形成された発光ダイオード素子１
００においては、サファイア基板１側から容易に白色光
を取り出すことが可能となる。
プＧａＮ蛍光層３とが形成された発光ダイオード素子１
００においては、サファイア基板１側から容易に白色光
を取り出すことが可能となる。
【００５２】この場合、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３は他
の層２，４〜６と同一の成長方法により成長させること
ができるため、発光ダイオード素子１００の製造時にお
いては各層２〜６を同一工程において連続して成長させ
ることが可能となる。したがって、このような発光ダイ
オード素子１００は製造が容易であり、高い歩留まりか
つ低コストで製造が可能である。
の層２，４〜６と同一の成長方法により成長させること
ができるため、発光ダイオード素子１００の製造時にお
いては各層２〜６を同一工程において連続して成長させ
ることが可能となる。したがって、このような発光ダイ
オード素子１００は製造が容易であり、高い歩留まりか
つ低コストで製造が可能である。
【００５３】ここで、発光ダイオード素子１００の各層
２〜６は、化学的に安定な材料であるＧａＮ系半導体材
料から構成される。このため、発光ダイオード素子１０
０においては、通電を行っても各層２〜６が劣化せず、
長寿命化および信頼性の向上が図られる。
２〜６は、化学的に安定な材料であるＧａＮ系半導体材
料から構成される。このため、発光ダイオード素子１０
０においては、通電を行っても各層２〜６が劣化せず、
長寿命化および信頼性の向上が図られる。
【００５４】なお、上記においては、ＳｉドープＧａＮ
蛍光層３の成長時の基板温度を十分に良好な結晶性を有
する通常のＳｉドープＧａＮ層の成長時と同様に１１５
０℃に設定しているが、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の成
長時の基板温度を通常のＳｉドープＧａＮ層の成長時の
基板温度よりも低く設定してもよい。
蛍光層３の成長時の基板温度を十分に良好な結晶性を有
する通常のＳｉドープＧａＮ層の成長時と同様に１１５
０℃に設定しているが、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の成
長時の基板温度を通常のＳｉドープＧａＮ層の成長時の
基板温度よりも低く設定してもよい。
【００５５】また、上記においては、ＳｉドープＧａＮ
蛍光層３の成長時に供給するＮＨ3とＴＭＧａとの比
（Ｖ／III ）を十分に良好な結晶性を有する通常のＳｉ
ドープＧａＮ層の成長時と同様に５０００に設定してい
るが、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の成長時におけるＶ／
III を通常のＳｉドープＧａＮ層の成長時におけるＶ／
III よりも小さく設定してもよい。
蛍光層３の成長時に供給するＮＨ3とＴＭＧａとの比
（Ｖ／III ）を十分に良好な結晶性を有する通常のＳｉ
ドープＧａＮ層の成長時と同様に５０００に設定してい
るが、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の成長時におけるＶ／
III を通常のＳｉドープＧａＮ層の成長時におけるＶ／
III よりも小さく設定してもよい。
【００５６】図３は本発明の第２の実施例における発光
ダイオード素子を示す模式的な断面図である。
ダイオード素子を示す模式的な断面図である。
【００５７】図３に示す発光ダイオード素子２００は、
ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の代わりに膜厚１μｍ程度の
アンドープＧａＮ蛍光層２３が形成された点を除いて、
図１の発光ダイオード素子１００と同様の構造を有す
る。このような発光ダイオード素子２００は、以下の点
を除いて、発光ダイオード素子１００と同様の製造方法
により作製される。
ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の代わりに膜厚１μｍ程度の
アンドープＧａＮ蛍光層２３が形成された点を除いて、
図１の発光ダイオード素子１００と同様の構造を有す
る。このような発光ダイオード素子２００は、以下の点
を除いて、発光ダイオード素子１００と同様の製造方法
により作製される。
【００５８】発光ダイオード素子２００の作製時におい
ては、バッファ層２を形成した後、基板温度を１１５０
℃に保ち、膜厚１μｍ程度のアンドープＧａＮ蛍光層２
３を成長させる。
ては、バッファ層２を形成した後、基板温度を１１５０
℃に保ち、膜厚１μｍ程度のアンドープＧａＮ蛍光層２
３を成長させる。
【００５９】ここで、アンドープＧａＮ蛍光層２３の成
長時においては、十分に良好な結晶性を有する通常のア
ンドープＧａＮ層の最適な成長条件に比べて、ＮＨ3 の
供給流量とＴＭＧａの供給流量との比（Ｖ／III ）を小
さく設定する。
長時においては、十分に良好な結晶性を有する通常のア
ンドープＧａＮ層の最適な成長条件に比べて、ＮＨ3 の
供給流量とＴＭＧａの供給流量との比（Ｖ／III ）を小
さく設定する。
【００６０】例えば、十分に良好な結晶性を有する通常
のアンドープＧａＮ層の成長時においてはＮＨ3 の供給
流量とＴＭＧａの供給流量との比（Ｖ／III ）を５００
０とするのに対して、アンドープＧａＮ蛍光層２３の成
長時においてはＮＨ3 の供給流量とＴＭＧａの供給流量
との比（Ｖ／III ）を２０００とする。このようにして
形成されたアンドープＧａＮ蛍光層２３は、良好な蛍光
特性を示す。
のアンドープＧａＮ層の成長時においてはＮＨ3 の供給
流量とＴＭＧａの供給流量との比（Ｖ／III ）を５００
０とするのに対して、アンドープＧａＮ蛍光層２３の成
長時においてはＮＨ3 の供給流量とＴＭＧａの供給流量
との比（Ｖ／III ）を２０００とする。このようにして
形成されたアンドープＧａＮ蛍光層２３は、良好な蛍光
特性を示す。
【００６１】ここで、このようなアンドープＧａＮ蛍光
層２３に波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光を照射し
て励起させると、アンドープＧａＮ蛍光層２３におい
て、図２に示すような波長６００ｎｍ付近を中心とした
ブロードなスペクトルを有する黄色蛍光が得られる。
層２３に波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光を照射し
て励起させると、アンドープＧａＮ蛍光層２３におい
て、図２に示すような波長６００ｎｍ付近を中心とした
ブロードなスペクトルを有する黄色蛍光が得られる。
【００６２】発光ダイオード素子２００においては、Ｍ
ＱＷ発光層５において波長４５０ｎｍの青色光が発生す
る。一方、アンドープＧａＮ蛍光層２３は、ＭＱＷ発光
層５で発生した青色光により励起され、図２に示すよう
な波長６００ｎｍ付近を中心としたブロードなスペクト
ルを有する黄色光を発する。
ＱＷ発光層５において波長４５０ｎｍの青色光が発生す
る。一方、アンドープＧａＮ蛍光層２３は、ＭＱＷ発光
層５で発生した青色光により励起され、図２に示すよう
な波長６００ｎｍ付近を中心としたブロードなスペクト
ルを有する黄色光を発する。
【００６３】ここで、ＭＱＷ発光層５で発生した波長４
５０ｎｍの青色光と、アンドープＧａＮ蛍光層２３で発
生した波長６００ｎｍ付近の黄色光とは、色度図上にお
いて互いに補色関係にある。したがって、このような補
色関係にある青色光と黄色光とを発光ダイオード素子２
００のサファイア基板１側から観測すると、青色光と黄
色光とが混ざり合い、結果として白色光が観測される。
５０ｎｍの青色光と、アンドープＧａＮ蛍光層２３で発
生した波長６００ｎｍ付近の黄色光とは、色度図上にお
いて互いに補色関係にある。したがって、このような補
色関係にある青色光と黄色光とを発光ダイオード素子２
００のサファイア基板１側から観測すると、青色光と黄
色光とが混ざり合い、結果として白色光が観測される。
【００６４】以上のように、ＭＱＷ発光層５とアンドー
プＧａＮ蛍光層２３とが形成されてなる発光ダイオード
素子２００においては、サファイア基板１側から容易に
白色光を取り出すことが可能となる。
プＧａＮ蛍光層２３とが形成されてなる発光ダイオード
素子２００においては、サファイア基板１側から容易に
白色光を取り出すことが可能となる。
【００６５】この場合、アンドープＧａＮ蛍光層２３
は、他の層２，４〜６と同一の成長方法により成長させ
ることができる。このため、発光ダイオード素子２００
の作製時には、各層２，２３，４〜６を同一工程におい
て連続して成長させることが可能となる。したがって、
このような発光ダイオード素子２００は製造が容易であ
り、高い歩留まりかつ低コストで製造が可能である。
は、他の層２，４〜６と同一の成長方法により成長させ
ることができる。このため、発光ダイオード素子２００
の作製時には、各層２，２３，４〜６を同一工程におい
て連続して成長させることが可能となる。したがって、
このような発光ダイオード素子２００は製造が容易であ
り、高い歩留まりかつ低コストで製造が可能である。
【００６６】また、発光ダイオード素子２００の各層
２，２３，４〜６は化学的に安定な材料であるＧａＮ系
半導体材料から構成されるため、通電を行っても各層
２，２３，４〜６は劣化しない。したがって、発光ダイ
オード素子２００においては、長寿命化および信頼性の
向上が図られる。
２，２３，４〜６は化学的に安定な材料であるＧａＮ系
半導体材料から構成されるため、通電を行っても各層
２，２３，４〜６は劣化しない。したがって、発光ダイ
オード素子２００においては、長寿命化および信頼性の
向上が図られる。
【００６７】なお、上記においては、アンドープＧａＮ
蛍光層２３の成長時の基板温度を十分に良好な結晶性を
有する通常のアンドープＧａＮ層の成長時と同様に１１
５０℃に設定しているが、アンドープＧａＮ蛍光層２３
の成長時の基板温度を通常のアンドープＧａＮ層の成長
時の基板温度よりも低く設定してもよい。
蛍光層２３の成長時の基板温度を十分に良好な結晶性を
有する通常のアンドープＧａＮ層の成長時と同様に１１
５０℃に設定しているが、アンドープＧａＮ蛍光層２３
の成長時の基板温度を通常のアンドープＧａＮ層の成長
時の基板温度よりも低く設定してもよい。
【００６８】図４は本発明の第３の実施例における発光
ダイオード素子の模式的な断面図である。
ダイオード素子の模式的な断面図である。
【００６９】図４に示す発光ダイオード素子３００は、
ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の代わりに膜厚１μｍ程度の
ＣドープＧａＮ蛍光層３３が形成された点を除いて、図
１の発光ダイオード素子１００と同様の構造を有する。
このような発光ダイオード素子３００は、以下の点を除
いて、発光ダイオード素子１００と同様の製造方法によ
り作製される。
ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の代わりに膜厚１μｍ程度の
ＣドープＧａＮ蛍光層３３が形成された点を除いて、図
１の発光ダイオード素子１００と同様の構造を有する。
このような発光ダイオード素子３００は、以下の点を除
いて、発光ダイオード素子１００と同様の製造方法によ
り作製される。
【００７０】発光ダイオード素子３００においては、バ
ッファ層２を形成した後、基板温度を１１５０℃に保
ち、膜厚１μｍ程度のＣドープＧａＮ蛍光層３３を成長
させる。
ッファ層２を形成した後、基板温度を１１５０℃に保
ち、膜厚１μｍ程度のＣドープＧａＮ蛍光層３３を成長
させる。
【００７１】ＣドープＧａＮ蛍光層３３の成長時におい
ては、ＮＨ3 およびＴＭＧａを供給するとともに、Ｃの
供給源としてＣＨ4 を供給流量１０ｓｃｃｍで供給す
る。なお、この場合、ＮＨ3 の供給流量とＴＭＧａの供
給流量との比（Ｖ／III ）は、通常の場合と同様、５０
００に設定する。このようにして形成されたＣドープＧ
ａＮ蛍光層３３は、良好な蛍光特性を示す。
ては、ＮＨ3 およびＴＭＧａを供給するとともに、Ｃの
供給源としてＣＨ4 を供給流量１０ｓｃｃｍで供給す
る。なお、この場合、ＮＨ3 の供給流量とＴＭＧａの供
給流量との比（Ｖ／III ）は、通常の場合と同様、５０
００に設定する。このようにして形成されたＣドープＧ
ａＮ蛍光層３３は、良好な蛍光特性を示す。
【００７２】ここで、このようなＣドープＧａＮ蛍光層
層３３に波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光を照射し
て励起させると、ＣドープＧａＮ蛍光層３３において、
図２に示すような波長６００ｎｍ付近を中心としたブロ
ードなスペクトルを有する黄色蛍光が得られる。
層３３に波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光を照射し
て励起させると、ＣドープＧａＮ蛍光層３３において、
図２に示すような波長６００ｎｍ付近を中心としたブロ
ードなスペクトルを有する黄色蛍光が得られる。
【００７３】上記の発光ダイオード素子３００において
は、ＭＱＷ発光層５において波長４５０ｎｍの青色光が
発生する。一方、ＣドープＧａＮ蛍光層３３は、ＭＱＷ
発光層５で発生した青色光により励起され、図２に示す
ような波長６００ｎｍ付近を中心としたブロードなスペ
クトルを有する黄色光を発生する。
は、ＭＱＷ発光層５において波長４５０ｎｍの青色光が
発生する。一方、ＣドープＧａＮ蛍光層３３は、ＭＱＷ
発光層５で発生した青色光により励起され、図２に示す
ような波長６００ｎｍ付近を中心としたブロードなスペ
クトルを有する黄色光を発生する。
【００７４】ここで、ＭＱＷ発光層５で発生した波長４
５０ｎｍの青色光と、ＣドープＧａＮ蛍光層３３で発生
した波長６００ｎｍ付近の黄色光とは、色度図上におい
て互いに補色関係にある。したがって、このような補色
関係にある青色光と黄色光とを発光ダイオード素子３０
０のサファイア基板１側から観測すると、青色発光と黄
色発光とが混ざり合い、結果として白色光が観測され
る。
５０ｎｍの青色光と、ＣドープＧａＮ蛍光層３３で発生
した波長６００ｎｍ付近の黄色光とは、色度図上におい
て互いに補色関係にある。したがって、このような補色
関係にある青色光と黄色光とを発光ダイオード素子３０
０のサファイア基板１側から観測すると、青色発光と黄
色発光とが混ざり合い、結果として白色光が観測され
る。
【００７５】以上のように、ＭＱＷ発光層５とＣドープ
ＧａＮ蛍光層３３とが形成されてなる発光ダイオード素
子３００においては、サファイア基板１側から容易に白
色光を取り出すことが可能となる。
ＧａＮ蛍光層３３とが形成されてなる発光ダイオード素
子３００においては、サファイア基板１側から容易に白
色光を取り出すことが可能となる。
【００７６】この場合、ＣドープＧａＮ蛍光層３３は、
他の層２，４〜６と同一の成長方法により成長させるこ
とができる。このため、発光ダイオード素子３００の作
製時には、各層２，３３，４〜６を同一工程において連
続して成長させることが可能となる。したがって、この
ような発光ダイオード素子３００は製造が容易であり、
高い歩留まりかつ低コストで製造が可能である。
他の層２，４〜６と同一の成長方法により成長させるこ
とができる。このため、発光ダイオード素子３００の作
製時には、各層２，３３，４〜６を同一工程において連
続して成長させることが可能となる。したがって、この
ような発光ダイオード素子３００は製造が容易であり、
高い歩留まりかつ低コストで製造が可能である。
【００７７】また、発光ダイオード素子３００の各層
２，３３，４〜６は化学的に安定な材料であるＧａＮ系
半導体材料から構成されるため、通電を行っても各層
２，３３，４〜６は劣化しない。したがって、発光ダイ
オード素子３００においては、長寿命化および信頼性の
向上が図られる。
２，３３，４〜６は化学的に安定な材料であるＧａＮ系
半導体材料から構成されるため、通電を行っても各層
２，３３，４〜６は劣化しない。したがって、発光ダイ
オード素子３００においては、長寿命化および信頼性の
向上が図られる。
【００７８】なお、上記においては、ＣドープＧａＮ蛍
光層３３の成長時の基板温度を十分に良好な結晶性を有
する通常のＧａＮ層の成長時と同様に１１５０℃に設定
しているが、ＣドープＧａＮ蛍光層３３の成長時の基板
温度を通常のＧａＮ層の成長時の基板温度よりも低く設
定してもよい。
光層３３の成長時の基板温度を十分に良好な結晶性を有
する通常のＧａＮ層の成長時と同様に１１５０℃に設定
しているが、ＣドープＧａＮ蛍光層３３の成長時の基板
温度を通常のＧａＮ層の成長時の基板温度よりも低く設
定してもよい。
【００７９】また、上記においては、ＣドープＧａＮ蛍
光層３３の成長時に供給するＮＨ3とＴＭＧａとの比
（Ｖ／III ）を十分に良好な結晶性を有する通常のＧａ
Ｎ層の成長時と同様に５０００に設定しているが、Ｃド
ープＧａＮ蛍光層３３の成長時におけるＶ／III を通常
のＧａＮ層の成長時におけるＶ／III よりも低く設定し
てもよい。
光層３３の成長時に供給するＮＨ3とＴＭＧａとの比
（Ｖ／III ）を十分に良好な結晶性を有する通常のＧａ
Ｎ層の成長時と同様に５０００に設定しているが、Ｃド
ープＧａＮ蛍光層３３の成長時におけるＶ／III を通常
のＧａＮ層の成長時におけるＶ／III よりも低く設定し
てもよい。
【００８０】上記の第１から第３の実施例においては、
ＧａＮ蛍光層３，２３，３３において良好な蛍光特性を
得るために、十分に良好な結晶性を有する通常のＧａＮ
層の最適な成長条件からはずれた条件でＧａＮ層を成長
させている。このため、ＧａＮ蛍光層３，２３，３３の
結晶性が十分ではないおそれがある。このことから、Ｇ
ａＮ蛍光層３，２３，３３上に形成された各層４〜６、
特にＭＱＷ発光層５の結晶性が十分良好ではないおそれ
がある。
ＧａＮ蛍光層３，２３，３３において良好な蛍光特性を
得るために、十分に良好な結晶性を有する通常のＧａＮ
層の最適な成長条件からはずれた条件でＧａＮ層を成長
させている。このため、ＧａＮ蛍光層３，２３，３３の
結晶性が十分ではないおそれがある。このことから、Ｇ
ａＮ蛍光層３，２３，３３上に形成された各層４〜６、
特にＭＱＷ発光層５の結晶性が十分良好ではないおそれ
がある。
【００８１】以下においては、ＧａＮ蛍光層以外の各層
の結晶性の向上が図られた発光ダイオード素子について
説明する。
の結晶性の向上が図られた発光ダイオード素子について
説明する。
【００８２】図５は本発明の第４の実施例における発光
ダイオ―ド素子を示す模式的な断面図である。
ダイオ―ド素子を示す模式的な断面図である。
【００８３】図５に示す発光ダイオード素子４００は、
ＳｉＯ2 膜４１を用いた選択横方向成長によりＳｉドー
プＧａＮ蛍光層３上にアンドープＧａＮ層４２が形成さ
れた点を除いて、図１の発光ダイオード素子１００と同
様の構造を有する。
ＳｉＯ2 膜４１を用いた選択横方向成長によりＳｉドー
プＧａＮ蛍光層３上にアンドープＧａＮ層４２が形成さ
れた点を除いて、図１の発光ダイオード素子１００と同
様の構造を有する。
【００８４】すなわち、発光ダイオード素子４００にお
いては、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の所定領域上に、複
数のストライプ状のＳｉＯ2 膜４１が形成されている。
ＳｉＯ2 膜４１のストライプ幅は２〜１０μｍであり、
ストライプの間隔は２〜１０μｍである。
いては、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の所定領域上に、複
数のストライプ状のＳｉＯ2 膜４１が形成されている。
ＳｉＯ2 膜４１のストライプ幅は２〜１０μｍであり、
ストライプの間隔は２〜１０μｍである。
【００８５】例えば、この場合のＳｉＯ2 膜４１の膜厚
は２００ｎｍであり、ストライプの幅は８μｍであり、
ストライプの間隔は４μｍである。このようなストライ
プ状のＳｉＯ2 膜４１は、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の
＜１１-2０＞方向または＜１-1００＞方向に沿って形成
する。
は２００ｎｍであり、ストライプの幅は８μｍであり、
ストライプの間隔は４μｍである。このようなストライ
プ状のＳｉＯ2 膜４１は、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３の
＜１１-2０＞方向または＜１-1００＞方向に沿って形成
する。
【００８６】ストライプ状のＳｉＯ2 膜４１上、および
ＳｉＯ2 膜４１間で露出したＳｉドープＧａＮ蛍光層３
上に、後述の方法により、膜厚１０μｍのアンドープＧ
ａＮ層４２が形成されている。このアンドープＧａＮ層
４２上に、膜厚３μｍのｎ−ＧａＮ層４が形成されてい
る。
ＳｉＯ2 膜４１間で露出したＳｉドープＧａＮ蛍光層３
上に、後述の方法により、膜厚１０μｍのアンドープＧ
ａＮ層４２が形成されている。このアンドープＧａＮ層
４２上に、膜厚３μｍのｎ−ＧａＮ層４が形成されてい
る。
【００８７】このような発光ダイオード素子４００は、
以下の点を除いて、発光ダイオード素子１００と同様の
製造方法により作製される。
以下の点を除いて、発光ダイオード素子１００と同様の
製造方法により作製される。
【００８８】発光ダイオード素子４００の作製時におい
ては、発光ダイオード素子１００の場合と同様の方法に
よりＳｉドープＧａＮ蛍光層３を形成する。その後、Ｓ
ｉドープＧａＮ蛍光層３の上面全体に、例えばＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ法により、膜厚０．２μｍ程度のＳｉＯ2
膜４１を形成する。
ては、発光ダイオード素子１００の場合と同様の方法に
よりＳｉドープＧａＮ蛍光層３を形成する。その後、Ｓ
ｉドープＧａＮ蛍光層３の上面全体に、例えばＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ法により、膜厚０．２μｍ程度のＳｉＯ2
膜４１を形成する。
【００８９】次に、フォトリソグラフィ技術とＢＨＦに
よるウェットエッチング法とにより、上記のＳｉＯ2 膜
４１において、幅８μｍ程度のストライプ状の領域を１
２μｍ間隔で残してこれ以外の領域を除去する。それに
より、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３上に複数のストライプ
状のＳｉＯ2 膜４１が形成されるとともに、ストライプ
状のＳｉＯ2 膜４１間でＳｉドープＧａＮ蛍光層３が露
出する。
よるウェットエッチング法とにより、上記のＳｉＯ2 膜
４１において、幅８μｍ程度のストライプ状の領域を１
２μｍ間隔で残してこれ以外の領域を除去する。それに
より、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３上に複数のストライプ
状のＳｉＯ2 膜４１が形成されるとともに、ストライプ
状のＳｉＯ2 膜４１間でＳｉドープＧａＮ蛍光層３が露
出する。
【００９０】さらに、基板温度を１１５０℃に保ち、Ｍ
ＯＣＶＤ法により、ストライプ状のＳｉＯ2 膜４１上お
よびＳｉＯ2 膜４１間で露出したＳｉドープＧａＮ蛍光
層３上に膜厚１０μｍ程度のアンドープＧａＮ層４２を
成長させる。
ＯＣＶＤ法により、ストライプ状のＳｉＯ2 膜４１上お
よびＳｉＯ2 膜４１間で露出したＳｉドープＧａＮ蛍光
層３上に膜厚１０μｍ程度のアンドープＧａＮ層４２を
成長させる。
【００９１】ここで、アンドープＧａＮ層４２の成長時
においては、まず、ＳｉＯ2 膜４１間で露出したＳｉド
ープＧａＮ蛍光層３上においてアンドープＧａＮが選択
的に成長する。さらにアンドープＧａＮの成長が進む
と、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３上に成長したアンドープ
ＧａＮが横方向にも成長する。それにより、ＳｉＯ2 膜
４１上にもアンドープＧａＮが形成される。以上のよう
にして、ＳｉＯ2 膜４１上およびＳｉＯ2 膜４１間で露
出したＳｉドープＧａＮ蛍光層３上に、アンドープＧａ
Ｎ層４２が形成される。
においては、まず、ＳｉＯ2 膜４１間で露出したＳｉド
ープＧａＮ蛍光層３上においてアンドープＧａＮが選択
的に成長する。さらにアンドープＧａＮの成長が進む
と、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３上に成長したアンドープ
ＧａＮが横方向にも成長する。それにより、ＳｉＯ2 膜
４１上にもアンドープＧａＮが形成される。以上のよう
にして、ＳｉＯ2 膜４１上およびＳｉＯ2 膜４１間で露
出したＳｉドープＧａＮ蛍光層３上に、アンドープＧａ
Ｎ層４２が形成される。
【００９２】この場合、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３から
アンドープＧａＮ層４２に伝播した転位は、上記のよう
なＳｉＯ2 膜４１上におけるアンドープＧａＮの横方向
成長にともなって横方向に折れ曲がる。このため、アン
ドープＧａＮ層４２のＳｉＯ 2 膜４１上の領域において
は、転位が伝播しない。
アンドープＧａＮ層４２に伝播した転位は、上記のよう
なＳｉＯ2 膜４１上におけるアンドープＧａＮの横方向
成長にともなって横方向に折れ曲がる。このため、アン
ドープＧａＮ層４２のＳｉＯ 2 膜４１上の領域において
は、転位が伝播しない。
【００９３】以上のように、アンドープＧａＮ層４２に
おいては、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３から伝播する転位
が低減されるため良好な結晶性が得られる。それによ
り、アンドープＧａＮ層４２上に形成された各層４〜６
においても良好な結晶が実現される。
おいては、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３から伝播する転位
が低減されるため良好な結晶性が得られる。それによ
り、アンドープＧａＮ層４２上に形成された各層４〜６
においても良好な結晶が実現される。
【００９４】本例の発光ダイオード素子４００において
は、発光ダイオード素子１００の場合と同様、ＭＱＷ発
光層５において波長４５０ｎｍの青色光が発生する。一
方、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３は、ＭＱＷ発光層５で発
生した青色光により励起され、図２に示すような波長６
００ｎｍ付近を中心としたブロードなスペクトルを有す
る黄色光を発生する。
は、発光ダイオード素子１００の場合と同様、ＭＱＷ発
光層５において波長４５０ｎｍの青色光が発生する。一
方、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３は、ＭＱＷ発光層５で発
生した青色光により励起され、図２に示すような波長６
００ｎｍ付近を中心としたブロードなスペクトルを有す
る黄色光を発生する。
【００９５】ここで、発光ダイオード素子４００におい
ては、発光ダイオード素子１００の場合と同様、ＭＱＷ
発光層５で発生した青色光とＳｉドープＧａＮ蛍光層３
で発生した黄色光とが色度図上において互いに補色関係
にある。このため、発光ダイオード素子４００のサファ
イア基板１側からこの青色光と黄色光とを観測すると、
青色光と黄色光とが混ざり合い、結果として白色光が観
測される。
ては、発光ダイオード素子１００の場合と同様、ＭＱＷ
発光層５で発生した青色光とＳｉドープＧａＮ蛍光層３
で発生した黄色光とが色度図上において互いに補色関係
にある。このため、発光ダイオード素子４００のサファ
イア基板１側からこの青色光と黄色光とを観測すると、
青色光と黄色光とが混ざり合い、結果として白色光が観
測される。
【００９６】以上のように、ＭＱＷ発光層５とＳｉドー
プＧａＮ蛍光層３とが形成されてなる発光ダイオード素
子４００においては、サファイア基板１側から白色光を
容易に取り出すことが可能となる。
プＧａＮ蛍光層３とが形成されてなる発光ダイオード素
子４００においては、サファイア基板１側から白色光を
容易に取り出すことが可能となる。
【００９７】この場合、ＳｉドープＧａＮ蛍光層３は他
の層２，４２，４〜６と同一の成長方法により成長させ
ることができる。
の層２，４２，４〜６と同一の成長方法により成長させ
ることができる。
【００９８】また、発光ダイオード素子４００の各層
２，３，４２，４〜６は化学的に安定な材料であるＧａ
Ｎ系半導体材料から構成されるため、通電を行っても各
層２，３，４２，４〜６は劣化しない。したがって、発
光ダイオード素子４００においては、長寿命化および信
頼性の向上が図られる。
２，３，４２，４〜６は化学的に安定な材料であるＧａ
Ｎ系半導体材料から構成されるため、通電を行っても各
層２，３，４２，４〜６は劣化しない。したがって、発
光ダイオード素子４００においては、長寿命化および信
頼性の向上が図られる。
【００９９】さらに、発光ダイオード素子４００におい
ては、選択横方向成長を利用することによりアンドープ
ＧａＮ層４２において結晶性の回復を図ることが可能と
なる。したがって、このアンドープＧａＮ層４２上に成
長させた各層４〜６においては、結晶性の向上がさらに
図られる。その結果、発光ダイオード素子４００におい
て信頼性および素子特性の向上がさらに図られ、ＭＱＷ
発光層５における発光強度がさらに強くなり、より高輝
度の白色発光が得られる。
ては、選択横方向成長を利用することによりアンドープ
ＧａＮ層４２において結晶性の回復を図ることが可能と
なる。したがって、このアンドープＧａＮ層４２上に成
長させた各層４〜６においては、結晶性の向上がさらに
図られる。その結果、発光ダイオード素子４００におい
て信頼性および素子特性の向上がさらに図られ、ＭＱＷ
発光層５における発光強度がさらに強くなり、より高輝
度の白色発光が得られる。
【０１００】なお、上記においては、第１の実施例にお
いて前述したＳｉドープＧａＮ蛍光層３上にアンドープ
ＧａＮ層４２を選択横方向成長させる場合について説明
したが、第２の実施例において前述したアンドープＧａ
Ｎ蛍光層２３上にアンドープＧａＮ層を選択横方向成長
させてもよい。また、第３の実施例において前述したＣ
ドープＧａＮ蛍光層３３上にアンドープＧａＮ層を選択
横方向成長させてもよい。この場合においても、上記と
同様の効果が得られる。
いて前述したＳｉドープＧａＮ蛍光層３上にアンドープ
ＧａＮ層４２を選択横方向成長させる場合について説明
したが、第２の実施例において前述したアンドープＧａ
Ｎ蛍光層２３上にアンドープＧａＮ層を選択横方向成長
させてもよい。また、第３の実施例において前述したＣ
ドープＧａＮ蛍光層３３上にアンドープＧａＮ層を選択
横方向成長させてもよい。この場合においても、上記と
同様の効果が得られる。
【０１０１】図６は本発明の第５の実施例における発光
ダイオード素子の模式的な断面図である。図６に示す発
光ダイオード素子５００は、以下のようにして作製され
る。
ダイオード素子の模式的な断面図である。図６に示す発
光ダイオード素子５００は、以下のようにして作製され
る。
【０１０２】まず、サファイア基板５１のＣ（０００
１）面上に、Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎからなるバッファ層５
２、ＳｉドープＧａＮからなるｎ−ＧａＮ層５３、Ｉｎ
ＧａＮからなるＭＱＷ発光層５４およびＭｇドープＧａ
Ｎからなるｐ−ＧａＮ層５５を順に成長させる。
１）面上に、Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎからなるバッファ層５
２、ＳｉドープＧａＮからなるｎ−ＧａＮ層５３、Ｉｎ
ＧａＮからなるＭＱＷ発光層５４およびＭｇドープＧａ
Ｎからなるｐ−ＧａＮ層５５を順に成長させる。
【０１０３】上記の各層５２〜５５の成長方法は、図１
の発光ダイオード素子１００の各層２，４〜６の成長方
法と同様である。なお、ＭＱＷ発光層５４とｐ−ＧａＮ
層５５との間にＭｇドープＡｌＧａＮからなるｐ−Ａｌ
ＧａＮ層を形成してもよい。
の発光ダイオード素子１００の各層２，４〜６の成長方
法と同様である。なお、ＭＱＷ発光層５４とｐ−ＧａＮ
層５５との間にＭｇドープＡｌＧａＮからなるｐ−Ａｌ
ＧａＮ層を形成してもよい。
【０１０４】続いて、ｐ−ＧａＮ層５５上に、発光ダイ
オード素子１００のＳｉドープＧａＮ蛍光層３の成長方
法と同様の方法により、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６を
成長させる。
オード素子１００のＳｉドープＧａＮ蛍光層３の成長方
法と同様の方法により、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６を
成長させる。
【０１０５】すなわち、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６の
成長時においては、十分に良好な結晶性を有するＳｉド
ープＧａＮの最適な成長条件に比べて、Ｓｉ源であるＳ
ｉＨ 4 の供給流量を１桁程度大きく設定する。それによ
り、十分に良好な結晶性を有する通常のＳｉドープＧａ
Ｎ層に比べてＳｉが過剰にドープされてなるＳｉドープ
ＧａＮ蛍光層５６が形成される。このようなＳｉドープ
ＧａＮ蛍光層５６は、良好な蛍光特性を示す。
成長時においては、十分に良好な結晶性を有するＳｉド
ープＧａＮの最適な成長条件に比べて、Ｓｉ源であるＳ
ｉＨ 4 の供給流量を１桁程度大きく設定する。それによ
り、十分に良好な結晶性を有する通常のＳｉドープＧａ
Ｎ層に比べてＳｉが過剰にドープされてなるＳｉドープ
ＧａＮ蛍光層５６が形成される。このようなＳｉドープ
ＧａＮ蛍光層５６は、良好な蛍光特性を示す。
【０１０６】このようなＳｉドープＧａＮ蛍光層５６に
波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光を照射して励起さ
せると、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６において、図２に
示すような波長６００ｎｍ付近を中心としたブロードな
スペクトルを有する黄色蛍光が得られる。
波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光を照射して励起さ
せると、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６において、図２に
示すような波長６００ｎｍ付近を中心としたブロードな
スペクトルを有する黄色蛍光が得られる。
【０１０７】なお、この場合、ＳｉドープＧａＮ蛍光層
５６の成長時におけるＮＨ3 の供給流量とＴＭＧａ供給
流量との比（Ｖ／III ）は、十分に良好な結晶性を有す
る通常のＳｉドープＧａＮ層の成長時と同様に５０００
に設定する。
５６の成長時におけるＮＨ3 の供給流量とＴＭＧａ供給
流量との比（Ｖ／III ）は、十分に良好な結晶性を有す
る通常のＳｉドープＧａＮ層の成長時と同様に５０００
に設定する。
【０１０８】本例においては、十分に良好な結晶性を有
するＳｉドープＧａＮ層の最適な成長条件とは異なる条
件で成長したＳｉドープＧａＮ蛍光層５６がｐ−ＧａＮ
層５５上に形成される。このため、各層５３〜５５はＳ
ｉドープＧａＮ蛍光層５６の結晶性の影響を受けない。
したがって、ＭＱＷ発光層５４を含む各層５３〜５５に
おいては、良好な結晶性が実現される。
するＳｉドープＧａＮ層の最適な成長条件とは異なる条
件で成長したＳｉドープＧａＮ蛍光層５６がｐ−ＧａＮ
層５５上に形成される。このため、各層５３〜５５はＳ
ｉドープＧａＮ蛍光層５６の結晶性の影響を受けない。
したがって、ＭＱＷ発光層５４を含む各層５３〜５５に
おいては、良好な結晶性が実現される。
【０１０９】上記のようにしてＳｉドープＧａＮ蛍光層
５６を成長させた後、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６から
ｎ−ＧａＮ層５３までの一部領域をエッチングにより除
去し、ｎ−ＧａＮ層５３の所定領域を露出させる。この
露出したｎ−ＧａＮ層５３上にｎ側電極８を形成する。
５６を成長させた後、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６から
ｎ−ＧａＮ層５３までの一部領域をエッチングにより除
去し、ｎ−ＧａＮ層５３の所定領域を露出させる。この
露出したｎ−ＧａＮ層５３上にｎ側電極８を形成する。
【０１１０】さらに、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６から
ｐ−ＧａＮ層５５までの一部領域をエッチングにより除
去し、ｐ−ＧａＮ層５５の所定領域を露出させる。この
露出したｐ−ＧａＮ層５５上にｐ側電極７を形成する。
ｐ−ＧａＮ層５５までの一部領域をエッチングにより除
去し、ｐ−ＧａＮ層５５の所定領域を露出させる。この
露出したｐ−ＧａＮ層５５上にｐ側電極７を形成する。
【０１１１】以上のような方法により作製された発光ダ
イオード素子５００においては、ＭＱＷ発光層５４にお
いて波長４５０ｎｍの青色光が発生する。一方、Ｓｉド
ープＧａＮ蛍光層５６は、ＭＱＷ発光層５４で発生した
青色光により励起され、図２に示すような波長６００ｎ
ｍ付近を中心としたブロードなスペクトルを有する黄色
光を発する。
イオード素子５００においては、ＭＱＷ発光層５４にお
いて波長４５０ｎｍの青色光が発生する。一方、Ｓｉド
ープＧａＮ蛍光層５６は、ＭＱＷ発光層５４で発生した
青色光により励起され、図２に示すような波長６００ｎ
ｍ付近を中心としたブロードなスペクトルを有する黄色
光を発する。
【０１１２】ここで、ＭＱＷ発光層５４で発生した波長
４５０ｎｍの青色光と、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６で
発生した波長６００ｎｍ付近の黄色光とは、色度図上に
おいて互いに補色関係にある。したがって、このような
補色関係にある青色光と黄色光とを発光ダイオード素子
５００のＳｉドープＧａＮ蛍光層５６側から観測する
と、青色発光と黄色発光とが混ざり合い、結果として白
色光が観測される。
４５０ｎｍの青色光と、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６で
発生した波長６００ｎｍ付近の黄色光とは、色度図上に
おいて互いに補色関係にある。したがって、このような
補色関係にある青色光と黄色光とを発光ダイオード素子
５００のＳｉドープＧａＮ蛍光層５６側から観測する
と、青色発光と黄色発光とが混ざり合い、結果として白
色光が観測される。
【０１１３】以上のように、ＭＱＷ発光層５４とＳｉド
ープＧａＮ蛍光層５６とが形成されてなる発光ダイオー
ド素子５００においては、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６
側から容易に白色光を取り出すことが可能となる。
ープＧａＮ蛍光層５６とが形成されてなる発光ダイオー
ド素子５００においては、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６
側から容易に白色光を取り出すことが可能となる。
【０１１４】この場合、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６
は、他の層５２〜５５と同一の成長方法により成長させ
ることができる。このため、発光ダイオード素子５００
の作製時には、各層５２〜５６を同一工程において連続
して成長させることが可能である。したがって、このよ
うな発光ダイオード素子５００は製造が容易であり、高
い歩留まりかつ低コストで製造が可能である。
は、他の層５２〜５５と同一の成長方法により成長させ
ることができる。このため、発光ダイオード素子５００
の作製時には、各層５２〜５６を同一工程において連続
して成長させることが可能である。したがって、このよ
うな発光ダイオード素子５００は製造が容易であり、高
い歩留まりかつ低コストで製造が可能である。
【０１１５】また、発光ダイオード素子５００は、各層
５２〜５６が化学的に安定な材料であるＧａＮ系半導体
材料から構成されるため、通電を行っても各層５２〜５
６が劣化しない。したがって、発光ダイオード素子５０
０においては、長寿命化および信頼性の向上が図られ
る。
５２〜５６が化学的に安定な材料であるＧａＮ系半導体
材料から構成されるため、通電を行っても各層５２〜５
６が劣化しない。したがって、発光ダイオード素子５０
０においては、長寿命化および信頼性の向上が図られ
る。
【０１１６】さらに、発光ダイオード素子５００におい
ては、ＭＱＷ発光層５４を含む各層５２〜５５を成長さ
せた後にＳｉドープＧａＮ蛍光層５６を成長させる。こ
のため、各層５２〜５５、特にＭＱＷ発光層５４は、Ｓ
ｉドープＧａＮ蛍光層５６の結晶性の影響を受けず、Ｍ
ＱＷ発光層５４を含む各層５２〜５５において良好な結
晶性が実現される。それにより、発光ダイオード素子５
００においては信頼性および素子特性の向上がさらに図
られ、ＭＱＷ発光層５４からの発光強度がさらに強くな
り、より高輝度の白色発光が得られる。
ては、ＭＱＷ発光層５４を含む各層５２〜５５を成長さ
せた後にＳｉドープＧａＮ蛍光層５６を成長させる。こ
のため、各層５２〜５５、特にＭＱＷ発光層５４は、Ｓ
ｉドープＧａＮ蛍光層５６の結晶性の影響を受けず、Ｍ
ＱＷ発光層５４を含む各層５２〜５５において良好な結
晶性が実現される。それにより、発光ダイオード素子５
００においては信頼性および素子特性の向上がさらに図
られ、ＭＱＷ発光層５４からの発光強度がさらに強くな
り、より高輝度の白色発光が得られる。
【０１１７】なお、本例においては、蛍光層として第１
の実施例のＳｉドープＧａＮ蛍光層３と同様のＳｉドー
プＧａＮ蛍光層５６を成長させる場合について説明した
が、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６の代わりに、第２の実
施例のアンドープＧａＮ蛍光層２３と同様のアンドープ
ＧａＮ蛍光層を形成してもよい。また、第３の実施例の
ＣドープＧａＮ蛍光層３３と同様のＣドープＧａＮ蛍光
層を形成してもよい。
の実施例のＳｉドープＧａＮ蛍光層３と同様のＳｉドー
プＧａＮ蛍光層５６を成長させる場合について説明した
が、ＳｉドープＧａＮ蛍光層５６の代わりに、第２の実
施例のアンドープＧａＮ蛍光層２３と同様のアンドープ
ＧａＮ蛍光層を形成してもよい。また、第３の実施例の
ＣドープＧａＮ蛍光層３３と同様のＣドープＧａＮ蛍光
層を形成してもよい。
【０１１８】上記の第１〜第５の実施例の発光ダイオー
ド素子１００，２００，３００，４００，５００におい
ては、ＭＯＣＶＤ法により各層を成長させているが、こ
れ以外の結晶成長方法、例えばＭＢＥ（分子線エピタキ
シー）法、ＣＢＥ（ケミカルビームエピタキシー）法等
により各層を成長させてもよい。
ド素子１００，２００，３００，４００，５００におい
ては、ＭＯＣＶＤ法により各層を成長させているが、こ
れ以外の結晶成長方法、例えばＭＢＥ（分子線エピタキ
シー）法、ＣＢＥ（ケミカルビームエピタキシー）法等
により各層を成長させてもよい。
【０１１９】また、第１〜第５の実施例の発光ダイオー
ド素子１００，２００，３００，４００，５００におい
て、各層の構成は上記に限定されるものではない。各層
は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、ＢおよびＴｌの少なくとも一つ
を含む窒化物系半導体から構成されてもよい。
ド素子１００，２００，３００，４００，５００におい
て、各層の構成は上記に限定されるものではない。各層
は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、ＢおよびＴｌの少なくとも一つ
を含む窒化物系半導体から構成されてもよい。
【０１２０】例えば、発光層および蛍光層が（Ａｌx Ｇ
ａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）から
構成されてもよい。このような組成の発光層において
は、組成を調整することにより、発光波長を３８０〜６
５０ｎｍの範囲内において任意に設定することが可能で
ある。一方、蛍光層においては、発光層における発光波
長と蛍光層における発光波長とが補色関係になるように
組成の設定を行う。
ａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）から
構成されてもよい。このような組成の発光層において
は、組成を調整することにより、発光波長を３８０〜６
５０ｎｍの範囲内において任意に設定することが可能で
ある。一方、蛍光層においては、発光層における発光波
長と蛍光層における発光波長とが補色関係になるように
組成の設定を行う。
【０１２１】例えば、上記の第１から第５の実施例のよ
うに蛍光層がＳｉドープのＧａＮ、アンドープのＧａＮ
またはＣドープのＧａＮから構成される場合には、蛍光
層において波長５２０〜６５０ｎｍ付近の強い黄色光を
得ることができるので好ましい。
うに蛍光層がＳｉドープのＧａＮ、アンドープのＧａＮ
またはＣドープのＧａＮから構成される場合には、蛍光
層において波長５２０〜６５０ｎｍ付近の強い黄色光を
得ることができるので好ましい。
【０１２２】また、第１〜第５の実施例の発光ダイオー
ド素子１００，２００，３００，４００，５００におい
てはサファイア基板１，５１を用いているが、サファイ
ア基板以外の基板を用いてもよい。
ド素子１００，２００，３００，４００，５００におい
てはサファイア基板１，５１を用いているが、サファイ
ア基板以外の基板を用いてもよい。
【０１２３】さらに、上記の第１から第５の実施例の発
光ダイオード素子１００，２００，３００，４００，５
００において、白色光を取り出す側の面と反対側の面に
高反射材料からなる高反射膜を形成してもよい。
光ダイオード素子１００，２００，３００，４００，５
００において、白色光を取り出す側の面と反対側の面に
高反射材料からなる高反射膜を形成してもよい。
【０１２４】例えば、第１〜第４の実施例の発光ダイオ
ード素子１００，２００，３００，４００において、ｐ
側電極７上面、ｎ側電極８上面、露出したｐ−ＧａＮ層
６上面ならびに露出したｎ−ＧａＮ層４上面に高反射膜
を形成してもよい。それにより、サファイア基板１側か
らより光強度の大きな光を取り出すことができる。
ード素子１００，２００，３００，４００において、ｐ
側電極７上面、ｎ側電極８上面、露出したｐ−ＧａＮ層
６上面ならびに露出したｎ−ＧａＮ層４上面に高反射膜
を形成してもよい。それにより、サファイア基板１側か
らより光強度の大きな光を取り出すことができる。
【０１２５】一方、第５の実施例の発光ダイオード素子
５００において、サファイア基板１の結晶成長面と反対
側の面に高反射膜を形成してもよい。それにより、Ｓｉ
ドープＧａＮ蛍光層５６側からより光強度の大きな光を
取り出すことができる。
５００において、サファイア基板１の結晶成長面と反対
側の面に高反射膜を形成してもよい。それにより、Ｓｉ
ドープＧａＮ蛍光層５６側からより光強度の大きな光を
取り出すことができる。
【０１２６】なお、上記の第１〜第４の実施例において
はサファイア基板１側から白色光を取り出す場合につい
て説明したが、透光性のｐ側電極を用いるとともにサフ
ァイア基板の他方の面に高反射膜を形成する場合等にお
いてはｐ側電極側から白色光を取り出すことが可能であ
る。また、上記の第５の実施例においてはＳｉドープＧ
ａＮ蛍光層５６側から白色光を取り出す場合について説
明したが、ＳｉドープＧａＮ蛍光層側に高反射膜を形成
する場合等においてはサファイア基板側から白色光を取
り出すことが可能である。
はサファイア基板１側から白色光を取り出す場合につい
て説明したが、透光性のｐ側電極を用いるとともにサフ
ァイア基板の他方の面に高反射膜を形成する場合等にお
いてはｐ側電極側から白色光を取り出すことが可能であ
る。また、上記の第５の実施例においてはＳｉドープＧ
ａＮ蛍光層５６側から白色光を取り出す場合について説
明したが、ＳｉドープＧａＮ蛍光層側に高反射膜を形成
する場合等においてはサファイア基板側から白色光を取
り出すことが可能である。
【０１２７】また、上記の第１〜第５の実施例において
は、サファイア基板上にｎ型半導体層およびｐ型半導体
層をこの順で形成する場合について説明したが、サファ
イア基板上にｐ型半導体層およびｎ型半導体層をこの順
で形成してもよい。
は、サファイア基板上にｎ型半導体層およびｐ型半導体
層をこの順で形成する場合について説明したが、サファ
イア基板上にｐ型半導体層およびｎ型半導体層をこの順
で形成してもよい。
【０１２８】例えば、第１〜第４の実施例のＧａＮ蛍光
層３，２３，３３上に、ｐ型半導体層、発光層およびｎ
型半導体層をこの順で形成してもよい。また、第５の実
施例のバッファ層５２上に、ｐ型半導体層、発光層、ｎ
型半導体層およびＧａＮ蛍光層５６をこの順で形成して
もよい。
層３，２３，３３上に、ｐ型半導体層、発光層およびｎ
型半導体層をこの順で形成してもよい。また、第５の実
施例のバッファ層５２上に、ｐ型半導体層、発光層、ｎ
型半導体層およびＧａＮ蛍光層５６をこの順で形成して
もよい。
【０１２９】上記の第１〜第５の実施例においては、本
発明を発光ダイオード素子に適用する場合について説明
したが、本発明は面発光レーザ素子等の発光ダイオード
素子以外の半導体発光素子においても適用可能である。
発明を発光ダイオード素子に適用する場合について説明
したが、本発明は面発光レーザ素子等の発光ダイオード
素子以外の半導体発光素子においても適用可能である。
【図１】本発明の第１の実施例における発光ダイオード
素子を示す模式的な断面図である。
素子を示す模式的な断面図である。
【図２】蛍光層に波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ光
を照射した場合の蛍光スペクトルである。
を照射した場合の蛍光スペクトルである。
【図３】本発明の第２の実施例における発光ダイオード
素子を示す模式的な断面図である。
素子を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例における発光ダイオード
素子を示す模式的な断面図である。
素子を示す模式的な断面図である。
【図５】本発明の第４の実施例における発光ダイオード
素子を示す模式的な断面図である。
素子を示す模式的な断面図である。
【図６】本発明の第５の実施例における発光ダイオード
素子を示す模式的な断面図である。
素子を示す模式的な断面図である。
１，５１ サファイア基板 ２，５２ バッファ層 ３，２３，３３，５６ ＧａＮ蛍光層 ４，５３ ｎ−ＧａＮ層 ５，５４ ＭＱＷ発光層 ６，５５ ｐ−ＧａＮ層 ７ ｐ側電極 ８ ｎ側電極 ４１ ＳｉＯ2 膜 ４２ アンドープＧａＮ層 １００，２００，３００，４００，５００ 発光ダイオ
ード素子
ード素子
Claims (15)
- 【請求項１】 III 族窒化物系半導体からなりキャリア
の注入により発光する発光層と、III 族窒化物系半導体
からなり前記発光層において発生した光により励起され
て発光する蛍光層とを備え、前記発光層において発生す
る光のピーク波長と前記蛍光層において発生する光のピ
ーク波長とが異なることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記発光層において発生する光と前記蛍
光層において発生する光とが互いに補色関係にあること
を特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記発光層において発生した光が前記蛍
光層を透過して取り出されるように前記発光層および前
記蛍光層が配置されたことを特徴とする請求項１または
２記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記蛍光層上に前記発光層が形成され、
前記蛍光層において発生した光および前記発光層におい
て発生した光が前記蛍光層側から取り出されることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光素
子。 - 【請求項５】 前記発光層上に前記蛍光層が形成され、
前記発光層において発生した光および前記蛍光層におい
て発生した光が前記蛍光層側から取り出されることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光素
子。 - 【請求項６】 前記III 族窒化物系半導体はアルミニウ
ム、ガリウムおよびインジウムの少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導
体発光素子。 - 【請求項７】 前記蛍光層はシリコンがドープされた窒
化ガリウムからなることを特徴とする請求項１〜６のい
ずれかに記載の半導体発光素子。 - 【請求項８】 前記蛍光層は炭素がドープされた窒化ガ
リウムからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれ
かに記載の半導体発光素子。 - 【請求項９】 前記蛍光層はアンドープの窒化ガリウム
からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記
載の半導体発光素子。 - 【請求項１０】 III 族窒化物系半導体からなりキャリ
アの注入により発光する発光層を形成する工程と、III
族窒化物系半導体からなり、前記発光層において発生し
た光により励起されて前記発光層で発生した光のピーク
波長と異なるピーク波長を有する光を発する蛍光層を形
成する工程とを備えたことを特徴とする半導体発光素子
の製造方法。 - 【請求項１１】 前記発光層において発生した光と前記
蛍光層において発生した光とが互いに補色関係にあるこ
とを特徴とする請求項１０記載の半導体発光素子の製造
方法。 - 【請求項１２】 前記蛍光層を形成する工程は前記III
族窒化物系半導体にシリコンをドープする工程を含み、
前記ドープするシリコンの濃度を、前記III族窒化物系
半導体が蛍光特性を示す値に設定することを特徴とする
請求項１０または１１記載の半導体発光素子の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記蛍光層を形成する工程は前記III
族窒化物系半導体に炭素をドープする工程を含むことを
特徴とする請求項１０または１１記載の半導体発光素子
の製造方法。 - 【請求項１４】 前記蛍光層を形成する工程は、窒素元
素とIII 族元素とを含む原料ガスを供給する工程を含
み、前記供給する原料ガス中の窒素元素とIII族元素と
の比を、前記III 族窒化物系半導体が蛍光特性を示す値
に設定することを特徴とする請求項１０または１１記載
の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１５】 前記III 族窒化物系半導体はアルミニ
ウム、ガリウムおよびインジウムの少なくとも１つを含
むことを特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載
の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000170175A JP2001352098A (ja) | 2000-06-07 | 2000-06-07 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US09/984,604 US6677617B2 (en) | 2000-06-07 | 2001-10-30 | Semiconductor LED composed of group III nitrided emission and fluorescent layers |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000170175A JP2001352098A (ja) | 2000-06-07 | 2000-06-07 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US09/984,604 US6677617B2 (en) | 2000-06-07 | 2001-10-30 | Semiconductor LED composed of group III nitrided emission and fluorescent layers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001352098A true JP2001352098A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=27767164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000170175A Pending JP2001352098A (ja) | 2000-06-07 | 2000-06-07 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6677617B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001352098A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005019981A (ja) * | 2003-06-05 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体及び半導体発光素子、並びにこれらの製造方法 |
| JP2008147419A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Rohm Co Ltd | 半導体白色発光素子及び半導体白色発光素子の製造方法 |
| US7435995B2 (en) | 2003-06-05 | 2008-10-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phosphor, semiconductor light emitting device, and fabrication method thereof |
| JP2008270669A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | El-Seed Corp | 発光素子 |
| CN100442561C (zh) * | 2006-11-29 | 2008-12-10 | 南京大学 | 硅基短波长发光二极管及其制备方法 |
| US7482641B2 (en) | 2004-02-19 | 2009-01-27 | Panasonic Corporation | White light emitting element and white light source |
| JP2009530803A (ja) * | 2006-03-13 | 2009-08-27 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ スィヤンティフィック（セーエヌエルエス） | モノリシック白色発光ダイオード |
| US7638809B2 (en) | 2005-03-14 | 2009-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| JP2010541217A (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射放出用の半導体ボディ |
| KR101826949B1 (ko) * | 2017-04-06 | 2018-02-07 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657237B2 (en) * | 2000-12-18 | 2003-12-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same |
| JP3856750B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2006-12-13 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| TW540170B (en) * | 2002-07-08 | 2003-07-01 | Arima Optoelectronics Corp | Ohmic contact structure of semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| KR100499129B1 (ko) | 2002-09-02 | 2005-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| DE10340352B4 (de) * | 2003-09-02 | 2005-10-20 | Bruker Biospin Ag Faellanden | Kryokopf mit mehreren Wärmetauschern für die Kühlung der HF-Spulen oder Resonatoren |
| US7888152B2 (en) * | 2009-02-05 | 2011-02-15 | Chun-Yen Chang | Method of forming laterally distributed LEDs |
| JP4769905B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2011-09-07 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 |
| TW201511327A (zh) | 2013-09-06 | 2015-03-16 | Ind Tech Res Inst | 發光二極體 |
| DE102015102785A1 (de) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Leuchtvorrichtung |
| CN105047779B (zh) * | 2015-08-18 | 2017-08-25 | 西安电子科技大学 | 基于Si衬底上黄光LED材料及其制作方法 |
| CN106784190B (zh) * | 2016-12-27 | 2018-10-23 | 南昌大学 | 一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法 |
| US11121229B2 (en) * | 2017-12-28 | 2021-09-14 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Methods of fabricating semiconductor structures and high electron mobility transistors |
| US11637219B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-04-25 | Google Llc | Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate |
| CN110176526B (zh) * | 2019-06-12 | 2024-01-30 | 江西乾照光电有限公司 | 一种带有极高垒层插入层的白光led结构 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232627A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 白色発光素子 |
| FR2747686B1 (fr) * | 1996-04-22 | 2002-07-05 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Materiau fluorescent |
| JPH1097200A (ja) | 1997-05-20 | 1998-04-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 光 源 |
| JP4024431B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | 双方向半導体発光素子及び光伝送装置 |
-
2000
- 2000-06-07 JP JP2000170175A patent/JP2001352098A/ja active Pending
-
2001
- 2001-10-30 US US09/984,604 patent/US6677617B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7435995B2 (en) | 2003-06-05 | 2008-10-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phosphor, semiconductor light emitting device, and fabrication method thereof |
| JP2005019981A (ja) * | 2003-06-05 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体及び半導体発光素子、並びにこれらの製造方法 |
| US7482641B2 (en) | 2004-02-19 | 2009-01-27 | Panasonic Corporation | White light emitting element and white light source |
| US7781793B2 (en) | 2004-02-19 | 2010-08-24 | Panasonic Corporation | White light emitting element and white light source |
| US7964887B2 (en) | 2005-03-14 | 2011-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US7638809B2 (en) | 2005-03-14 | 2009-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| JP2009530803A (ja) * | 2006-03-13 | 2009-08-27 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ スィヤンティフィック（セーエヌエルエス） | モノリシック白色発光ダイオード |
| CN100442561C (zh) * | 2006-11-29 | 2008-12-10 | 南京大学 | 硅基短波长发光二极管及其制备方法 |
| JP2008147419A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Rohm Co Ltd | 半導体白色発光素子及び半導体白色発光素子の製造方法 |
| JP2008270669A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | El-Seed Corp | 発光素子 |
| JP2010541217A (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射放出用の半導体ボディ |
| US8426843B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting semiconductor body |
| KR101826949B1 (ko) * | 2017-04-06 | 2018-02-07 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6677617B2 (en) | 2004-01-13 |
| US20030080343A1 (en) | 2003-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001352098A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP3898537B2 (ja) | 窒化物半導体の薄膜形成方法および窒化物半導体発光素子 | |
| US6734530B2 (en) | GaN-based compound semiconductor EPI-wafer and semiconductor element using the same | |
| JP3394678B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2002374043A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
| JP4631884B2 (ja) | 閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板、閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板の製造方法、及び閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板を用いた発光装置 | |
| JP5322523B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP2002231997A (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
| JP3660446B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| JP3269344B2 (ja) | 結晶成長方法および半導体発光素子 | |
| JP2003060318A (ja) | ＧａＮ系化合物半導体エピウェハ及びそれを用いた半導体素子 | |
| US7221690B2 (en) | Semiconductor laser and process for manufacturing the same | |
| JPH1174622A (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
| JPWO2017017928A1 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP2001068733A (ja) | 半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法ならびに量子箱の形成方法 | |
| JP3371830B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPH077182A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP4365898B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子、及び半導体レーザ光源装置 | |
| JPH10289877A (ja) | 化合物半導体の形成方法及び半導体装置 | |
| JP3717255B2 (ja) | ３族窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3963233B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3543628B2 (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子の製造方法 | |
| JP3439161B2 (ja) | 窒化物系発光素子 | |
| JP2003282862A (ja) | 窒化物半導体層、窒化物半導体素子とその製造方法 | |
| JPH0883956A (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040608 |